KR20160145248A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

Apparatus and method for treating a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20160145248A
KR20160145248A KR1020150081407A KR20150081407A KR20160145248A KR 20160145248 A KR20160145248 A KR 20160145248A KR 1020150081407 A KR1020150081407 A KR 1020150081407A KR 20150081407 A KR20150081407 A KR 20150081407A KR 20160145248 A KR20160145248 A KR 20160145248A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nozzle
arm
moving speed
processing
Prior art date
Application number
KR1020150081407A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102404086B1 (en
Inventor
이복규
이성수
김은기
이슬
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150081407A priority Critical patent/KR102404086B1/en
Publication of KR20160145248A publication Critical patent/KR20160145248A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102404086B1 publication Critical patent/KR102404086B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

The present invention provides an apparatus and a method for treating a substrate. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for treating a substrate comprises: a support plate to support a substrate; a nozzle unit having a nozzle to supply treatment liquid to the substrate placed on the support plate, an arm on which the nozzle is mounted, and an arm actuator to actuate the arm; and a control unit to control the arm actuator. A first supply step and a second supply step are sequentially performed while supplying the treatment liquid to the substrate from the nozzle. The control unit controls the arm actuator to move the arm from a middle area of the substrate to an edge area while discharging the treatment liquid to the substrate during the first process step, and repeatedly move the arm between an eccentric area away from the center of the substrate and the edge area of the substrate across the center of the substrate while discharging the treatment liquid to the substrate during the second process step.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for treating a substrate}[0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판에 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a cleaning process on a substrate.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 이물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A cleaning process is carried out to clean the substrate before or after each process for removing foreign matters and particles generated in each process.

세정 공정으로는 기판상에 잔류하는 이물 및 파티클을 제거하기 위해 케미칼을 분사하거나, 가스가 혼합된 처리액을 분사하거나, 진동이 제공된 처리액을 분사하는 등 다양한 방식이 사용된다.In the cleaning process, various methods are used, such as spraying a chemical to remove foreign particles and particles remaining on the substrate, spraying a mixed process liquid with gas, or spraying a process liquid provided with vibration.

한편, 기판에 처리액을 공급시 압전소자를 이용해 액적의 형태로 기판 상으로 토출한다. 처리액 토출 초기에는 액적의 형태 안정화에 일정한 시간이 걸린다. 이러한 처리액 토출의 안정화 시간동안 기판 상에 처리액 토출 시 기판에 손상을 가하여 세정 공정에 효율을 저하시키는 문제점이 있다. On the other hand, when the process liquid is supplied to the substrate, the liquid is ejected onto the substrate in the form of droplets using a piezoelectric element. It takes a certain time to stabilize the shape of the droplet at the beginning of the treatment liquid discharge. There is a problem that the substrate is damaged during discharge of the processing solution onto the substrate during the stabilization time of the discharging of the processing solution, thereby reducing the efficiency of the cleaning process.

또한, 세정 공정 중 처리액을 기판상으로 공급하는 동안 동일한 높이와 동일한 이동 속도로 기판의 영역별로 처리액을 토출 시 처리액이 기판 전체 영역에 균일하게 공급되지 못하는 문제점이 있다. In addition, there is a problem in that, when the treatment liquid is discharged for each region of the substrate at the same height and the same moving speed during the supply of the treatment liquid onto the substrate during the cleaning process, the treatment liquid can not be uniformly supplied to the entire region of the substrate.

본 발명은 기판에 처리액을 공급 시 기판의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing damage to a substrate when supplying the processing liquid to the substrate.

또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급 시 처리액을 기판의 전체 영역에 균일하에 공급하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention also relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for uniformly supplying a processing liquid to an entire region of the substrate when supplying the processing liquid to the substrate.

또한, 본 발명은 기판에 세정 공정에 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention also relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the efficiency of a cleaning process on a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 노즐, 상기 노즐을 장착하는 아암, 상기 아암을 구동하는 아암 구동기를 가지는 노즐 유닛과 그리고 상기 아암 구동기를 제어하는 제어 유닛을 포함하되 상기 노즐에서 기판으로 상기 처리액을 공급하는 동안 제1공급 단계와 제2공급 단계가 순차적으로 수행되며 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키며 상기 제2공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 기판의 중심을 지나 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키도록 상기 아암 구동기를 제어 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for processing a substrate, comprising: a support plate for supporting the substrate; a nozzle for supplying the processing solution to the substrate placed on the support plate; an arm for mounting the nozzle; a nozzle unit having an arm driver for driving the arm; A first supply step and a second supply step are sequentially performed while supplying the processing solution from the nozzle to the substrate, and the control unit controls the processing unit to supply the processing solution to the substrate during the first processing step The arm is moved from the central region of the substrate to the edge region during the ejection of the processing liquid while the arm is moved from the center of the substrate to the edge region, The arm driver may be controlled so as to repeatedly move between the edge areas.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 중 상기 중앙 영역에서 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment, the control unit may control the arm driver to maintain the same distance between the substrate and the discharge port of the nozzle in the central area during the first processing step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 중 상기 가장자리 영역에서 상기 아암이 기판의 중심에서 멀어질수록 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the arm driver so that the gap between the substrate and the discharge port of the nozzle becomes closer as the arm moves away from the center of the substrate in the edge area during the first process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 아암을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment, the control unit can control the arm driver to maintain the moving speed during movement of the arm from the central region to the edge region in the first processing step.

일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기를 더 포함하며 상기 제어 유닛은 상기 지지판 구동기를 더 제어하며 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도를 상기 제2공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. According to one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a support plate driver for rotating the support plate, the control unit further controls the support plate driver, and the control unit controls the rotation speed of the support plate in the first process step It is possible to control the support plate driver to rotate at a speed slower than the rotation speed of the support plate in the second process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 중 상기 아암이 상기 편심 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동 중 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록하며 상기 아암이 상기 가장자리 영역에서 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 이동 중 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the control unit controls the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle during the movement of the arm from the eccentric area to the edge area during the second process step, It is possible to control the arm driver so that the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is shifted while moving from the center to the eccentric region.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 중 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도가 되도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment, the control unit may be configured such that the moving speed of the arm in the eccentric area and the central area during the second process step is a first moving speed, and the moving speed of the arm in the edge area is the first The arm driver may be controlled to have a second moving speed different from the moving speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1이동속도가 상기 제2이동속도보다 빠르도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the arm driver so that the first movement speed is faster than the second movement speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 노즐은 내부에 처리액이 흐르는 유로가 형성되고 상기 유로와 연통되어 상기 처리액을 토출하는 토출구들이 형성된 바디와 상기 바디를 흐르는 처리액을 가압하여 상기 유로를 흐르는 상기 처리액을 상기 토출구를 통해서 액적으로 토출시키는 진동자를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the nozzle includes a body in which a flow path for flowing a treatment liquid is formed and a discharge port communicating with the flow path to discharge the treatment liquid is formed, and a treatment liquid flowing through the body, And a vibrator for discharging the liquid through the discharge port in droplets.

일 실시 예에 의하면, 상기 노즐 유닛은 기판에 보호액을 토출하는 보호액 노즐을 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the nozzle unit may further include a protective liquid nozzle for ejecting a protective liquid to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 보호액 노즐과 상기 노즐은 상기 아암에 결합될 수 있다.According to one embodiment, the protective liquid nozzle and the nozzle may be coupled to the arm.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method of treating a substrate.

본 발명의 일 실시 에에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 노즐에서 기판으로 처리액을 공급하여 제1공정 단계와 제2공정 단계를 순차적으로 수행하되 상기 제1공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키며 상기 제2공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 상기 기판의 중심을 지나 상기 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 상기 노즐을 이동시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method includes sequentially performing a first process step and a second process step by supplying a process liquid from a nozzle to a substrate, wherein the process liquid is discharged to the substrate during the first process step While moving the nozzle from a central region of the substrate to an edge region and discharging the process liquid to the substrate during the second process step, the nozzle is moved past the center of the substrate and an eccentric region deviating from the center of the substrate The nozzle can be moved repeatedly between the edge regions of the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계 중 상기 중앙 영역에서 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle in the central region during the first process step can be maintained to be the same.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계 중 상기 가장자리 영역에서 상기 노즐이 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 가까워질 수 있다. According to an embodiment, as the nozzle moves away from the center of the substrate in the edge region of the first process step, the gap between the substrate and the discharge port of the nozzle may become closer.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계에서 상기 노즐을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지할 수 있다. According to an embodiment, the moving speed of the nozzle during the movement from the center area to the edge area can be kept constant in the first process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계 중 상기 기판의 회전속도는 상기 제2공정 단계에서 상기 기판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전될 수 있다. According to an embodiment, the rotational speed of the substrate during the first process step may be rotated at a speed slower than the rotational speed of the substrate in the second process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2공정 단계 중 상기 노즐이 상기 가장자리 영역으로 이동 중 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지며 상기 노즐이 상기 기판의 중심에서 벗어난 상기 중앙 영역으로 이동 중 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, during the movement of the nozzle to the edge region during the second process step, the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is shortened, and while the nozzle is moving to the center region, And the discharge port of the nozzle may be distanced from each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2공정 단계 중 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도일 수 있다.According to one embodiment, the moving speed of the arm in the eccentric area and the center area in the second process step is set to a first moving speed, and the moving speed of the arm in the edge area is different from the first moving speed And may be a second moving speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1이동속도는 상기 제2이동속도보다 빠를 수 있다.According to an embodiment, the first movement speed may be faster than the second movement speed.

본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 노즐, 상기 노즐을 장착하는 아암, 상기 아암을 구동하는 아암 구동기를 가지는 노즐 유닛과 그리고 상기 아암 구동기를 제어하는 제어 유닛을 포함하되 상기 제어 유닛은 제1공정 단게 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키되 상기 중앙 영역에서는 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하고, 상기 가장자리 영역에서는 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 기판의 중심에서 멀어질수록 가까워지도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising a support plate for supporting a substrate, a nozzle for supplying the processing solution to the substrate placed on the support plate, an arm for mounting the nozzle, Unit and a control unit for controlling the arm driver, wherein the control unit moves the arm from a central region of the substrate to an edge region while discharging the processing liquid to the substrate during a first process step, And the distance between the discharge port of the nozzle and the discharge port of the nozzle is closer to the center of the substrate, the arm driver may be controlled in the edge area.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 이후의 제2공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 기판의 중심을 지나 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키되, 상기 아암이 상기 편심 영역에서 상기 가장자리 영역으로 갈수록 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록하며, 상기 아암이 상기 가장자리 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 갈수록 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다.According to one embodiment, the control unit controls the arm so that the arm moves from the center of the substrate to the center of the substrate through the eccentric area, which is deviated from the center of the substrate, while the processing liquid is being discharged onto the substrate during the second process step after the first processing step, The gap between the substrate and the discharge port of the nozzle is made closer to the edge area from the eccentric area, and as the arm moves from the edge area to the eccentric area through the center of the substrate, It is possible to control the arm driver so that the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is increased.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 아암을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment, the control unit can control the arm driver to maintain the moving speed during movement of the arm from the central region to the edge region in the first processing step.

일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기를 더 포함하며 상기 제어 유닛은 상기 지지판 구동기를 더 제어하며 상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도를 상기 제2공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a support plate driver for rotating the support plate, the control unit further controls the support plate driver, and the control unit controls the rotation speed of the support plate in the first process step It is possible to control the support plate driver to rotate at a speed slower than the rotation speed of the support plate in the second process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 동안에 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도가 되도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다. According to one embodiment, the control unit is configured such that during the second process step, the moving speed of the arm in the eccentric area and the central area is a first moving speed, and the moving speed of the arm in the edge area is less than a moving speed of the first The arm driver may be controlled to have a second moving speed different from the moving speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어 유닛은 상기 제1이동속도가 상기 제2이동속도보다 빠르도록 상기 아암 구동기를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the arm driver so that the first movement speed is faster than the second movement speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 노즐은 내부에 처리액이 흐르는 유로가 형성되고 상기 유로와 연통되어 상기 처리액을 토출하는 토출구들이 형성된 바디와 상기 바디를 흐르는 처리액을 가압하여 상기 유로를 흐르는 상기 처리액을 상기 토출구를 통해서 액적으로 토출시키는 진동자를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the nozzle includes a body in which a flow path for flowing a treatment liquid is formed and a discharge port communicating with the flow path to discharge the treatment liquid is formed, and a treatment liquid flowing through the body, And a vibrator for discharging the liquid through the discharge port in droplets.

일 실시 예에 의하면, 상기 노즐 유닛은 기판에 보호액을 토출하는 보호액 노즐을 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the nozzle unit may further include a protective liquid nozzle for ejecting a protective liquid to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 보호액 노즐과 상기 노즐은 상기 아암에 결합될 수 있다. According to one embodiment, the protective liquid nozzle and the nozzle may be coupled to the arm.

본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 방법은, 노즐에서 기판 상으로 처리액을 공급하여 제1공정 단계를 수행하되 상기 제1공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키되 상기 중앙 영역에서는 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하고, 상기 가장자리 영역에서는 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 가까워질 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for processing a substrate, comprising the steps of: supplying a process liquid onto a substrate from a nozzle to perform a first process step, wherein during the ejection of the process liquid onto the substrate during the first process step, Wherein the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is the same in the center area, and the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is maintained at the center of the substrate in the edge area, The closer you get, the closer you can get.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계 이후의 제2공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 상기 기판의 중심을 지나 상기 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키되, 상기 노즐이 상기 편심 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 가장자리 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지며, 상기 노즐이 상기 가장자리 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지는 기판 처리 방법. According to an embodiment of the present invention, during ejection of the processing liquid onto the substrate during the second process step after the first processing step, the nozzle may be moved in the eccentric area off the center of the substrate, Wherein the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is reduced as the nozzle moves from the eccentric area to the edge area through the center of the substrate, Wherein a gap between the substrate and a discharge port of the nozzle is further away from the center to the eccentric area.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계에서 상기 노즐을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지할 수 있다. According to an embodiment, the moving speed of the nozzle during the movement from the center area to the edge area can be kept constant in the first process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1공정 단계 중 상기 기판의 회전속도는 상기 제2공정 단계에서 상기 기판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전될 수 있다. According to an embodiment, the rotational speed of the substrate during the first process step may be rotated at a speed slower than the rotational speed of the substrate in the second process step.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2공정 단계 동안에 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도일 수 있다. According to one embodiment, the moving speed of the nozzle in the eccentric area and the central area during the second process step may be different from the first moving speed, the moving speed of the nozzle in the edge area may be different from the first moving speed And may be a second moving speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1이동속도는 상기 제2이동속도보다 빠를 수 있다. According to an embodiment, the first movement speed may be faster than the second movement speed.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 처리액 공급 시 액적 안정화 시간동안 처리액을 공급하는 높이와 이동 속도를 조절하여 처리액으로 인한 기판 손상을 최소화시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the substrate damage due to the processing solution by adjusting the height and the moving speed of supplying the processing solution during the droplet stabilization time when supplying the processing solution to the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 세정 공정 중 기판의 전체 영역에 처리액을 고루게 공급할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to uniformly supply the treatment liquid to the entire area of the substrate during the cleaning process.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 노즐을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 노즐의 저면도이다.
도 5는 도 2의 노즐의 분사 유로의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 7 내지 도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 17은 기판의 영역에 따른 노즐의 움직이는 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view showing the nozzle of Fig.
Fig. 4 is a bottom view of the nozzle of Fig. 3; Fig.
FIG. 5 is a view showing another embodiment of the injection path of the nozzle of FIG. 2. FIG.
FIG. 6 is a flowchart sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7 to 16 are views schematically showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
Figure 17 is a schematic representation of the moving path of the nozzle along the region of the substrate.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 이하, 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 모두 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공된다. 복수의 로드포트(140)는 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided. A plurality of load ports (140) are arranged in a row along the second direction (14). The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 선택적으로, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Optionally, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups such that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, (300) may be provided differently from each other.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 2를 참조하면, 2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. Referring now to Figure 2,

기판 처리 장치(300)는 용기(320), 지지 유닛(340), 승강유닛(360), 그리고 노즐 유닛(380)을 가진다. 용기(320)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간이다. 용기(320)는 그 상부가 개방된다. 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The substrate processing apparatus 300 has a container 320, a support unit 340, a lift unit 360, and a nozzle unit 380. The container 320 provides a processing space therein. The processing space is a space in which the substrate processing process is performed. The upper portion of the container 320 is opened. The container 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340. The intermediate recovery bottle 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery bottle 322. The outer recovery cylinder 326 is provided in the form of an annular ring surrounding the intermediate recovery cylinder 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 지지판(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(342)은 기판(W)을 지지한다. 지지판(342)의 저면에는 지지축(348)이 결합된다. 지지축(348)의 저면에는 지지판 구동기(349)가 결합된다. 지지판 구동기(349)는 지지축(348)을 회전시킨다. The support unit 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 has a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The support plate 342 has an upper surface that is provided generally in a circular shape when viewed from above. The support plate 342 supports the substrate W. A support shaft 348 is coupled to the bottom surface of the support plate 342. A support plate driver 349 is coupled to the bottom of the support shaft 348. The support plate driver 349 rotates the support shaft 348.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the support plate 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the support plate 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the support plate 342. The standby position is a position away from the center of the support plate 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded to the support unit 340 and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the container 320 in the vertical direction. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 to the support unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the container 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved in the vertical direction by the actuator 366. The container 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the upper portion of the container 320 when the substrate W is placed on the support unit 340 or lifted from the support unit 340. [ When the process is performed, the height of the container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the lift unit 360 can move the support unit 340 in the vertical direction.

노즐 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 노즐 유닛(380)은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 노즐 유닛(380)은 지지축(386), 아암(382), 노즐(400), 그리고 보호액 노즐(480)를 포함한다.The nozzle unit 380 ejects the treatment liquid onto the substrate W. [ The nozzle unit 380 can be provided in a plurality of ways to jet various kinds of processing liquids, or to jet the same kinds of processing liquids in various manners. The nozzle unit 380 includes a support shaft 386, an arm 382, a nozzle 400, and a protective liquid nozzle 480.

지지축(386)은 용기(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 아암 구동기(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 아암 구동기(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축(386)의 상단에는 아암(382)이 고정결합된다. 노즐(400) 및 보호액 노즐(480)은 아암(382)에 결합된다. The support shaft 386 is disposed on one side of the container 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is provided in a vertical direction. The support shaft 386 is swung and lifted by the arm driver 388. Alternatively, the support shaft 386 can be linearly moved and elevated in the horizontal direction by the arm driver 388. An arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft 386. The nozzle 400 and the protective liquid nozzle 480 are coupled to the arm 382.

아암 구동기(388)는 아암(382)을 구동한다. 아암 구동기(388)는 지지축(386)에 결합된 아암(382)을 스윙 및 승강시킨다. 이와 달리 아암 구동기(388)는 아암(382)을 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. The arm driver 388 drives the arm 382. The arm driver 388 swings and lifts the arm 382 coupled to the support shaft 386. The arm driver 388 can linearly move and elevate the arm 382 in the horizontal direction.

노즐(400) 및 보호액 노즐(480)은 아암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 보호액 노즐(480)은 노즐(400)에 비해 아암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다.The nozzle 400 and the protective liquid nozzle 480 are positioned at the end of the arm 382. For example, the protective liquid nozzle 480 may be located closer to the end of the arm 382 than the nozzle 400.

도 3은 도 2의 노즐을 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3의 노즐의 저면도이다. 이하, 도 3과 도 4를 참조하면, 노즐(400)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 상부에서 바라볼 때, 노즐(400)은 원형으로 제공된다. 노즐(400)은 바디(410,430), 진동자(436), 처리액 공급라인(450), 그리고 처리액 회수라인(460)을 포함한다. 노즐(400)은 처리액을 잉크젯 방식으로 토출한다.Fig. 3 is a sectional view showing the nozzle of Fig. 2, and Fig. 4 is a bottom view of the nozzle of Fig. 3; 3 and 4, the nozzle 400 supplies the treatment liquid onto the substrate W. Hereinafter, As viewed from above, the nozzle 400 is provided in a circular shape. The nozzle 400 includes bodies 410 and 430, a vibrator 436, a process liquid supply line 450, and a process liquid recovery line 460. The nozzle 400 discharges the treatment liquid in an inkjet manner.

바디(410,430)는 하판(410) 및 상판(430)을 가진다. 하판(410)은 원통 형상을 가지도록 제공된다. 하판(410)의 내부에는 처리액이 흐르는 유로(412)가 형성된다. 유로(412)는 유입유로(432)와 회수유로(434)를 연결한다. 하판(410)의 저면에는 처리액을 분사하는 복수의 토출구(414)들이 형성되고, 각각의 토출구(414)는 유로(412)와 연통되게 제공된다. 토출구(414)는 미세공으로 제공된다. 유로(412)는 제 1 영역(412b), 제 2 영역(412c), 그리고 제 3 영역(412a)을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 영역(412b)과 제 2 영역(412c)은 링 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 영역(412b)의 반지름은 제 2 영역(412c)의 반지름보다 크다. 제 1 영역(412b)의 토출구(414)는, 제 1 영역(412b)을 따라 일열로 제공될 수 있다. 제 2 영역(412c)의 토출구(414)는, 제 2 영역(412c)을 따라 이열로 제공될 수 있다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 유입유로(432)와 연결한다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 회수유로(434)와 연결한다. 일 예로, 도 4와 같이, 제 3 영역(412a)은 유입유로(432) 또는 회수유로(434)와 제 3 영역(412a)까지 연결할 수 있다. 상판(430)은 하판(410)과 동일한 직경을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 상판(430)은 하판(410)의 상면에 고정결합된다. 상판(430)의 내부에는 유입유로(432) 및 회수유로(434)가 형성된다. 유입유로(432) 및 회수유로(434)는 유로(412)의 제2영역(412b)과 통하도록 제공된다. 유입유로(432)는 유로(412)에 처리액이 유입되는 입구로 기능하고, 회수유로(434)는 유로(412)로부터 처리액이 회수되는 출구로 기능한다. 유입유로(432)와 회수유로(434)는 노즐(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 위치된다.The bodies 410 and 430 have a lower plate 410 and an upper plate 430. The lower plate 410 is provided so as to have a cylindrical shape. A flow path 412 through which the process liquid flows is formed in the lower plate 410. The flow path 412 connects the inflow path 432 and the recovery path 434. A plurality of discharge ports 414 for discharging the treatment liquid are formed on the bottom surface of the lower plate 410 and each discharge port 414 is provided to communicate with the flow path 412. The discharge port 414 is provided with fine holes. The flow path 412 may have a first area 412b, a second area 412c, and a third area 412a. As viewed from above, the first region 412b and the second region 412c are provided in a ring shape. At this time, the radius of the first region 412b is larger than the radius of the second region 412c. The discharge port 414 of the first area 412b may be provided in a row along the first area 412b. The discharge port 414 of the second region 412c may be provided in a heat transfer manner along the second region 412c. The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the inflow channel 432. [ The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the recovery flow path 434. [ For example, as shown in FIG. 4, the third region 412a may be connected to the inflow channel 432 or the recovery channel 434 to the third region 412a. The upper plate 430 is provided in a cylindrical shape having the same diameter as the lower plate 410. The upper plate 430 is fixedly coupled to the upper surface of the lower plate 410. An inflow channel 432 and a recovery channel 434 are formed in the upper plate 430. The inflow passage 432 and the recovery passage 434 are provided so as to communicate with the second region 412b of the flow passage 412. The inlet flow path 432 functions as an inlet through which the processing liquid flows into the flow path 412 and the recovery flow path 434 functions as an outlet through which the processing liquid is recovered from the flow path 412. The inflow channel 432 and the recovery channel 434 are positioned to face each other with respect to the center of the nozzle 400.

상판(430)의 내부에는 진동자(436)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 진동자(436)는 원판 형상을 가지도록 제공된다. 일 예로, 진동자(436)은 제 1 영역(412b)과 동일한 직경을 가지도록 제공된다. 선택적으로 진동자(436)의 직경은 제 1 영역(412b)의 직경보다 크고, 상판(430)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 진동자(436)는 외부에 위치된 전원(438)과 전기적으로 연결된다. 진동자(436)는 분사되는 처리액에 진동을 제공하여 처리액의 입자 크기 및 유속을 제어한다. 일 예로 진동자(436)은 압전소자 일 수 있다. 처리액은 세정액으로 제공된다. 일 예로, 처리액은 전해이온수일 수 있다. 처리액은 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로 처리액은 순수일 수 있다. A vibrator 436 is disposed inside the upper plate 430. When viewed from above, the vibrator 436 is provided to have a disc shape. In one example, the vibrator 436 is provided to have the same diameter as the first region 412b. Optionally, the diameter of the vibrator 436 may be greater than the diameter of the first region 412b and less than the diameter of the top plate 430. The vibrator 436 is electrically connected to an externally located power source 438. The vibrator 436 provides vibration to the sprayed process liquid to control the particle size and flow rate of the process liquid. For example, the vibrator 436 may be a piezoelectric element. The treatment liquid is supplied as a cleaning liquid. For example, the treatment liquid may be electrolytic ionized water. The treatment liquid may be one of, or may include, water, oxygen, and ozone water. Optionally, the treatment liquid may be pure.

처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 처리액을 공급하고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)로부터 처리액을 회수한다. 처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 연결된다. 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)에 연결된다. 처리액 공급라인(450) 상에는 펌프(452) 및 공급 밸브(454)가 설치된다. 처리액 회수라인(460) 상에는 회수 밸브(462)가 설치된다. 펌프(452)는 처리액 공급라인(450)에서 유입유로(432)로 공급되는 처리액을 가압한다. 공급 밸브(454)는 처리액 공급라인(450)을 개폐한다. 회수 밸브(462)는 처리액 회수라인(460)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정 대기 중에는 회수 밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 개방한다. 이로 인해 처리액은 처리액 회수라인(460)을 통해 회수되고, 토출구(414)을 통해 분사되지 않는다. 이와 달리, 공정 진행 중에는 회수 밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 닫는다. 이로 인해 유로(412)에 처리액이 채워지고, 유로(412)의 내부 압력이 높아지며, 진동자(436)에 전압이 인가되면, 처리액은 토출구(414)을 통해 분사될 수 있다. The treatment liquid supply line 450 supplies the treatment liquid to the inflow channel 432 and the treatment liquid recovery line 460 withdraws the treatment liquid from the recovery flow path 434. [ The treatment liquid supply line 450 is connected to the inflow channel 432. The treatment liquid recovery line 460 is connected to the recovery flow path 434. On the treatment liquid supply line 450, a pump 452 and a supply valve 454 are provided. On the treatment liquid recovery line 460, a recovery valve 462 is provided. The pump 452 pressurizes the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply line 450 to the inflow channel 432. The supply valve 454 opens and closes the process liquid supply line 450. The recovery valve 462 opens and closes the process liquid recovery line 460. According to one example, the recovery valve 462 opens the treatment liquid recovery line 460 during the process atmosphere. As a result, the treatment liquid is recovered through the treatment liquid recovery line 460 and is not sprayed through the discharge port 414. Alternatively, the recovery valve 462 closes the process liquid recovery line 460 during the process. This causes the flow path 412 to be filled with the processing liquid and the internal pressure of the flow path 412 to be increased. When the voltage is applied to the vibrator 436, the processing liquid can be injected through the discharge port 414.

도 5는 도 2의 노즐의 유로의 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 이하, 도 5를 참조하면, 유로(4120)는 제 1 유로(4120a), 제 2 유로(4120b), 그리고 제 3 유로(4120c)를 포함한다. 제 1 유로(4120a)는 유입유로(432)에서 연장된다. 제 1 유로(4120a)는 제 1 길이(L1)를 가질 수 있다. 제 2 유로(4120b)는 회수유로(434)에서 연장된다. 제 2 유로(4120b)는 제 1 유로(4120a)와 평행하게 제공된다. 제 2 유로(4120b)는 제 1 길이(L1)를 가질 수 있다. 제 3 유로(4120c)는 제 1 유로(4120a)와 제 2 유로(4120b)를 연결한다. 제 3 유로(4120c)는 굴곡지게 제공된다. 제 3 유로(4120c)는 그 일부가 제 1 유로(4120a)와 평행하고 제 1 길이(L1)를 갖도록 제공될 수 있다. 일 예로, 제 3 유로(4120c)는 ‘ㄹ’자 형상이 다수 개 연결된 형상으로 제공된다. 선택적으로, 제 3 유로(4120c)는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. Fig. 5 is a view showing another embodiment of the flow path of the nozzle of Fig. 2; 5, the flow path 4120 includes a first flow path 4120a, a second flow path 4120b, and a third flow path 4120c. The first flow path 4120a extends in the inflow path 432. The first flow path 4120a may have a first length L1. The second flow path 4120b extends from the recovery flow path 434. The second flow path 4120b is provided in parallel with the first flow path 4120a. The second flow path 4120b may have a first length L1. The third flow path 4120c connects the first flow path 4120a and the second flow path 4120b. The third flow path 4120c is provided to be curved. The third flow path 4120c may be provided so that a part thereof is parallel to the first flow path 4120a and has a first length L1. For example, the third flow path 4120c is provided in a shape in which a plurality of 'r' shaped shapes are connected. Alternatively, the third flow path 4120c may be provided in various shapes.

다시 도 2를 참조하면, 보호액 노즐(480)은 기판(W)상에 보호액을 공급한다. 보호액 노즐(480)은 노즐(400)이 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 보호액을 공급한다. 이 때, 보호액 노즐(480)은 노즐(400)이 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 보호액을 공급할 수 있다. 일 예로, 보호액 노즐(480)은 보호액을 적하방식으로 분사할 수 있다. 보호액 노즐(480)은 노즐(400)의 일부를 감싸도록 제공된다. 보호액 노즐(480)은 노즐(400)보다 아암(382)의 일단에 인접하게 제공된다. 보호액 노즐(480)은 기판(W) 상에 보호액을 수직하게 토출하는 제 1 토출구(미도시)를 가진다. 상부에서 바라볼 때, 보호액 노즐(480)은 노즐(400)를 감싸는 호 형상으로 제공된다. 보호액 노즐(480)의 일단에서 타단까지의 직선 거리는, 노즐(400)의 직경보다 넓게 제공될 수 있다. 이 때, 노즐(400)와 보호액 노즐(480)은 동심을 가질 수 있다. 일 예로, 보호액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다.Referring again to FIG. 2, the protective liquid nozzle 480 supplies a protective liquid onto the substrate W. The protective liquid nozzle 480 supplies the protective liquid at the same time when the nozzle 400 supplies the processing liquid. At this time, the protective liquid nozzle 480 can supply the protective liquid before the nozzle 400 starts supplying the processing liquid. For example, the protective liquid nozzle 480 can spray the protective liquid in a dropping manner. The protective liquid nozzle 480 is provided to surround a part of the nozzle 400. The protective liquid nozzle 480 is provided adjacent to one end of the arm 382 rather than the nozzle 400. The protective liquid nozzle 480 has a first discharge port (not shown) for vertically discharging the protective liquid on the substrate W. When viewed from above, the protective liquid nozzle 480 is provided in the shape of an arc surrounding the nozzle 400. The linear distance from one end of the protective liquid nozzle 480 to the other end may be provided wider than the diameter of the nozzle 400. [ At this time, the nozzle 400 and the protective liquid nozzle 480 may be concentric . As an example, the protecting solution may be a solution containing ammonia and hydrogen peroxide.

보호액은 기판(W) 상에 액막을 형성하고, 액막은 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 보호액은 순수일 수 있다. 제 1 토출구는 단일의 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 1 토출구는 원형의 토출홀들을 복수 개 포함할 수 있다. 보호액 노즐(480)은 처리액이 분사되는 기판(W)의 영역과 인접한 영역으로 보호액을 분사할 수 있다. 보호액이 분사된 영역은 처리액이 분사된 영역에 비해 기판(W)의 중심영역에 더 가까울 수 있다. 선택적으로, 보호액 노즐(480)은 호 형상이 아닌 바 형상으로 제공될 수 있다.  The protective liquid forms a liquid film on the substrate (W), and the liquid film relaxes the amount of impact of the processing liquid on the substrate (W). As a result, the pattern on the substrate W can be prevented from collapsing by the treatment liquid. The protective liquid may be pure. The first discharge port may be provided in a single slit shape. Alternatively, the first discharge port may include a plurality of circular discharge holes. The protective liquid nozzle 480 can spray the protective liquid to a region adjacent to the region of the substrate W onto which the processing liquid is sprayed. The area where the protective liquid is sprayed may be closer to the central area of the substrate W than the area where the treatment liquid is sprayed. Alternatively, the protective liquid nozzle 480 may be provided in a bar shape that is not arc-shaped.

제어 유닛(500)은 아암 구동기(388)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 노즐(400)에서 기판(W)으로 처리액을 공급하는 동안 제1공정 단계(S110)와 제2공정 단계(S120)가 순차적으로 수행된다.The control unit 500 controls the arm driver 388 and the support plate driver 349. The first process step S110 and the second process step S120 are sequentially performed while the process liquid is supplied from the nozzle 400 to the substrate W. [

제어 유닛(500)은 제1공급 단계(S110) 동안에 기판(W)에 처리액이 토출되는 동안 아암(382)과 노즐(400)을 기판(W)의 중앙 영역(A1)에서 가장자리 영역(A3)으로 이동하도록 아암(382)구동기를 제어한다. The control unit 500 controls the arm 382 and the nozzle 400 to move from the central area A1 of the substrate W to the edge area A3 during the first supply step S110, To control the arm 382 driver.

여기서, 도 17과 같이 기판(W)의 중앙 영역(A1)은 기판(W)의 중심을 포함하는 영역이며, 편심 영역(A2)은 기판(W)의 중심에서 조금 벗어난 영역이며, 가장자리 영역(A3)은 기판(W)의 중앙 영역(A1)과 편심 영역(A2)을 제외한 영역이다.17, the central region A1 of the substrate W includes the center of the substrate W, the eccentric region A2 is a region slightly off the center of the substrate W, and the edge region A3 are regions excluding the center region A1 and the eccentric region A2 of the substrate W. [

제어 유닛(500)은 제1공정 단계(S110) 중 중앙 영역(A1)에서 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격을 동일하게 유지하도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제1공정 단계(S110) 중 가장자리 영역(A3)에서 아암(382)과 노즐(400)이 기판(W)의 중심에서 멀어질수록 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격을 가까워지도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제1공정 단계(S110)에서 아암(382)과 노즐(400)을 중앙 영역(A1)에서 가장자리 영역(A3)으로 이동하는 동안 이동속도(V1)를 일정하게 유지하도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제1공정 단계(S110)에서 지지판(342)의 회전속도를 제2공정 단계(S120)에서 지지판(342)의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되도록 지지판 구동기(349)를 제어한다. The control unit 500 controls the arm driver 388 to keep the distance between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 in the central area A1 in the first process step S110. The control unit 500 determines that the distance between the substrate W and the nozzle 400 is greater as the arm 382 and the nozzle 400 are away from the center of the substrate W in the edge area A3 of the first process step S110 And controls the arm driver 388 so that the interval between the ejection openings 414 becomes close to each other. The control unit 500 controls the arm 382 and the nozzle 400 to maintain the moving speed V1 constant while moving the arm 382 and the nozzle 400 from the central area A1 to the edge area A3 in the first process step S110. And controls the driver 388. The control unit 500 controls the support plate driver 349 so that the rotation speed of the support plate 342 in the first process step S110 is rotated at a speed lower than the rotation speed of the support plate 342 in the second process step S120 .

제어 유닛(500)은 제2공정 단계(S120) 동안에 기판(W)에 처리액을 토출하는 동안 아암(382)과 노즐(400)을 기판(W)의 중심에서 벗어난 편심 영역(A2)과 기판(W)의 중심을 지나 기판(W)의 가장자리 영역(A3) 사이를 반복적으로 이동시키도록 아암 구동기(388)를 제어한다.The control unit 500 controls the arm 382 and the nozzle 400 to move from the center of the substrate W to the eccentric area A2 and to the substrate W during the second process step S120, Controls the arm driver 388 to move repeatedly between the edge area A3 of the substrate W and the center of the wafer W. [

제어 유닛(500)은 제2공정 단계(S120) 중 아암(382)과 노즐(400)이 편심 영역(A2)에서 가장자리 영역(A3)으로 이동 중 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격이 가까워지도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제2공정 단계(S120) 중 아암(382)과 노즐(400)이 가장자리 영역(A3)에서 기판(W)의 중심을 지나 편심 영역(A2)으로 이동 중 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격이 멀어지도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제2공정 단계(S120) 중 편심 영역(A2) 및 중앙 영역(A1)에서 아암(382)의 속도가 제1이동속도(V2)가 되도록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제어 유닛(500)은 제2공정 단계(S120) 중 가장자리 영역(A3)에서 아암(382)의 이동속도가 제2이동속도(V3)가 되로록 아암 구동기(388)를 제어한다. 제1이동속도(V2)와 제2이동속도(V3)는 상이한 속도이다. 일 예로 제1이동속도(V2)는 제2이동속도(V3)보다 빠를 수 있다. The control unit 500 determines whether the arm 382 and the nozzle 400 move from the eccentric area A2 to the edge area A3 during the second process step S120, 414 are close to each other. The control unit 500 controls the substrate W during the movement of the arm 382 and the nozzle 400 from the edge region A3 to the eccentric region A2 through the center of the substrate W during the second process step S120, And the ejection openings 414 of the nozzles 400 are distant from each other. The control unit 500 controls the arm driver 388 such that the speed of the arm 382 at the eccentric area A2 and the central area A1 becomes the first moving speed V2 during the second process step S120 . The control unit 500 controls the arm driver 388 to move the moving speed of the arm 382 to the second moving speed V3 in the edge area A3 during the second process step S120. The first moving speed V2 and the second moving speed V3 are different speeds. For example, the first movement speed V2 may be faster than the second movement speed V3.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법(S100)을 설명한다. 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이고, 도 7 내지 도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 6 내지 도 16을 참조하면, 기판 처리 방법(S100)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 수행된다. 기판 처리 방법(S100)은 제1공정 단계(S110)와 제2공정 단계(S120)를 포함한다. 제1공정 단계(S110)와 제2공정 단계(S120)는 순차적으로 수행된다. Hereinafter, a substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a flowchart sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 7 to 16 are views schematically showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. 6 to 16, a substrate processing method (S100) is performed by supplying a processing solution to a substrate (W). The substrate processing method (S100) includes a first processing step (S110) and a second processing step (S120). The first process step (S110) and the second process step (S120) are performed sequentially.

제1공정 단계(S110)는 노즐(400)에서 기판(W)에 처리액을 공급하는 초기 단계이다. 제1공정 단계(S110)에서는 도 7과 같이 노즐(400)은 기판(W)의 중앙 영역(A1)에 위치한다. 이 때, 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격은 제1간격(h1)을 유지한다. 보호액 노즐(400)에서는 기판(W)에 보호액을 공급한다. 보호액이 기판(W)에 공급되기 전에 기판(W)은 회전된다. 제1공정 단계(S110)에서 기판(W)의 회전속도는 제2공정단계에서 기판(W)의 회전속도보다 더 느린 속도이다. 보호액이 공급됨과 함께 기판(W)이 회전되어 기판(W) 상에는 보호액 막이 형성된다. 노즐(400)에서는 처리액을 기판(W) 상에 공급한다. 기판(W)에 처리액을 토출하는 동안 도 8과 도9와 같이 노즐(400)은 기판(W)의 중앙 영역(A1)에서 가장자리 영역(A3)으로 이동한다. 도 8과 같이 노즐(400)은 기판(W)의 중앙 영역(A1)에서 이동 중에는 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격을 동일하게 유지한다. 노즐(400)은 기판(W)의 중앙 영역(A1)에서 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격을 제1간격(h1)으로 유지한다. 도 9와 같이 노즐(400)은 기판(W)의 가장자리 영역(A3)에서 기판(W)의 중심에서 멀어질수록 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격이 가까워지도록 이동한다. 노즐(400)이 가장자리 영역(A3) 최외측에 위치 할 때, 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격은 제2간격(h2)을 유지한다. 제2간격(h2)은 제1간격(h1)과 상이한 간격이며, 제2간격(h2)은 제1간격(h1)보다 짧은 간격이다. 노즐(400)은 중앙 영역(A1)에서 가장자리 영역(A3)으로 이동하는 동안 이동 속도가 일정하게 유지된다. 제1공정 단계(S110)에서는 노즐(400)에서 처리액을 액적의 형태로 토출 시 액적 안정화 시간 동안에 노즐(400)이 이동속도와 노즐(400)과 기판(W) 사이의 간격 그리고 기판(W)의 회전속도를 상술한 바와 같이 조절하여 액적의 안정화 시간동안 처리액으로 인한 기판(W)의 손상을 최소화시킬 수 있다. The first process step S110 is an initial step of supplying the process liquid from the nozzle 400 to the substrate W. In the first process step S110, the nozzle 400 is positioned in the central region A1 of the substrate W as shown in FIG. At this time, the gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 maintains the first gap h1. The protective liquid nozzle (400) supplies a protective liquid to the substrate (W). The substrate W is rotated before the protective liquid is supplied to the substrate W. The rotational speed of the substrate W in the first process step S110 is a speed that is slower than the rotational speed of the substrate W in the second process step. The protective liquid is supplied and the substrate W is rotated to form a protective liquid film on the substrate W. [ In the nozzle 400, the process liquid is supplied onto the substrate W. The nozzle 400 moves from the central area A1 to the edge area A3 of the substrate W while the process liquid is being discharged onto the substrate W as shown in Figs. The nozzle 400 maintains the same gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 while moving in the central area A1 of the substrate W as shown in FIG. The nozzle 400 maintains the gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 in the central area A1 of the substrate W at the first interval h1. The distance between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 is reduced as the nozzle 400 moves away from the center of the substrate W in the edge area A3 of the substrate W as shown in FIG. do. The gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 maintains the second gap h2 when the nozzle 400 is located at the outermost side of the edge region A3. The second interval h2 is an interval different from the first interval h1 and the second interval h2 is an interval shorter than the first interval h1. The moving speed of the nozzle 400 is kept constant while moving from the center area A1 to the edge area A3. In the first process step S110, during the droplet stabilization time when the process liquid is ejected from the nozzle 400 in the form of droplets, the nozzle 400 moves at a moving speed and a distance between the nozzle 400 and the substrate W, ) Can be adjusted as described above to minimize the damage of the substrate W due to the processing solution during the stabilization time of the droplet.

제2공정 단계(S120)는 제1공정 단계(S110) 후에 수행된다. 제2공정 단계(S120)에서는 처리액이 액적이 안정화 된 상태이다. 제2공정 단계(S120)에서는 기판(W)의 전체 영역에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계이다. 제2공정 단계(S120) 동안에 도 16과 같이 기판(W)에 처리액을 토출하는 동안 노즐(400)을 기판(W)의 중심에서 벗어난 편심 영역(A2)과 기판(W)의 중심을 지나 기판(W)의 가장자리 영역(A3) 사이를 반복적으로 노즐(400)을 이동시킨다. The second process step S120 is performed after the first process step S110. In the second process step (S120), the process liquid is in a state in which the droplet is stabilized. In the second process step S120, the process liquid is supplied to the entire area of the substrate W to process the substrate W. During the second process step S120, as shown in FIG. 16, the nozzle 400 passes the center of the substrate W and the eccentric area A2 deviating from the center of the substrate W during the discharge of the process liquid onto the substrate W The nozzle 400 is moved repeatedly between the edge region A3 of the substrate W.

제2공정 단계(S120) 시작 시 도 10과 같이 노즐(400)은 기판(W)의 가장자리 영역(A3) 최외측에 위치한다. 이 때, 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격은 제2간격(h2)을 유지한다. 기판(W)의 제1공정 단계(S110)에서의 회전속도보다 빠른 속도로 회전한다. 일 예로 제2공정 단계(S120)에서 기판(W)의 회전 속도는 제1공정 단계(S110)에서의 기판(W)의 회전속도보다 두 배 빠를 수 있다. 노즐(400)은 기판(W)에 처리액을 공급하면서 기판(W)의 중심을 지나 편심 영역(A2)으로 이동한다. 노즐(400)은 도 11과 도 12와 같이 기판(W)의 가장자리 영역(A3)에서 기판(W)의 중심을 지나 편심 영역(A2)으로 이동하는 중 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간의 간격은 멀어진다. 노즐(400)은 기판(W)의 편심 영역(A2) 및 중앙 영역(A1)에서 제1이동속도(V2)를 가진다. 노즐(400)은 기판(W)의 가장자리 영역(A3)에서 제1이동속도(V2)와 상이한 제2이동속도(V3)를 가진다. 제1이동속도(V2)는 제2이동속도(V3)보다 빠르다. At the beginning of the second process step S120, the nozzle 400 is positioned at the outermost edge region A3 of the substrate W as shown in FIG. At this time, the gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 maintains the second gap h2. And rotates at a speed faster than the rotational speed of the substrate W in the first process step S110. For example, the rotational speed of the substrate W in the second process step S120 may be twice as fast as the rotational speed of the substrate W in the first process step S110. The nozzle 400 moves from the center of the substrate W to the eccentric area A2 while supplying the process liquid to the substrate W. [ The nozzle 400 is moved from the edge region A3 of the substrate W to the eccentric region A2 through the center of the substrate W as shown in Figs. 11 and 12, The interval between the discharge ports 414 is long. The nozzle 400 has a first moving speed V2 in the eccentric area A2 and the central area A1 of the substrate W. [ The nozzle 400 has a second moving speed V3 different from the first moving speed V2 in the edge area A3 of the substrate W. [ The first moving speed V2 is faster than the second moving speed V3.

노즐(400)이 기판(W)의 편심 영역(A2)에 도달하면, 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 사이의 간격은 도 13과 같이 제3간격(h3)을 유지한다. 여기서 제3간격(h3)은 제1간격(h1)보다 낮고 제2간격(h2)보다 높은 간격이다. 노즐(400)은 기판(W)의 편심 영역(A2)에 도달한 후 멈추지 않고 다시 기판(W)의 편심 영역(A2)에서 기판(W)의 중심을 지나 기판(W)의 가장자리 영역(A3)으로 이동한다. 노즐(400)은 도 13 내지 15와 같이 기판(W)의 편심 영역(A2) 및 중앙 영역(A1)에서는 제1이동속도(V2)로, 기판(W)의 가장자리 영역(A3)에서는 제2이동속도(V3)로 이동한다. 또한, 편심 영역(A2)에서 기판(W)의 중심을 지나 기판(W)의 가장자리 영역(A3)으로 이동하면서 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 사이의 간격은 가까워진다. 노즐(400)이 도 15와 같이 가장자리 영역(A3) 최외측에 위치하는 경우 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 사이의 간격은 제2간격(h2)을 유지한다. 상술한 바와 같이 노즐(400)은 기판(W)의 편심 영역(A2)에서 기판(W)의 중심을 지나 기판(W)의 가장자리 영역(A3)사이를 도 16과 같이 반복적으로 이동하면서 기판(W)의 처리액을 공급한다. When the nozzle 400 reaches the eccentric region A2 of the substrate W, the gap between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 maintains the third gap h3 as shown in Fig. 13 . Wherein the third spacing h3 is less than the first spacing h1 and is greater than the second spacing h2. The nozzle 400 does not stop after reaching the eccentric region A2 of the substrate W and passes over the center of the substrate W in the eccentric region A2 of the substrate W to reach the edge region A3 ). The nozzle 400 is moved in the eccentric area A2 and the central area A1 of the substrate W at the first moving speed V2 and in the edge area A3 of the substrate W at the second moving speed V2 as shown in Figs. Moves to the moving speed V3. The distance between the substrate W and the ejection opening 414 of the nozzle 400 approaches the edge area A3 of the substrate W through the center of the substrate W in the eccentric area A2. The distance between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 maintains the second gap h2 when the nozzle 400 is located at the outermost side of the edge region A3 as shown in Fig. The nozzle 400 moves repeatedly between the eccentric area A2 of the substrate W and the edge area A3 of the substrate W through the center of the substrate W as shown in FIG. W).

제2공정 단계(S120)에서 노즐(400)의 이동 중 속도 조절, 기판(W)의 회전속도, 노즐(400)의 토출 영역 조절, 기판(W)과 노즐(400)의 토출구(414) 간격 조절을 통해서 기판(W)에 전체 영역에 처리액을 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 기판(W) 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.In the second process step S120, the speed of the nozzle 400 is adjusted during the movement of the nozzle 400, the rotational speed of the substrate W, the discharge area of the nozzle 400, the distance between the substrate W and the discharge port 414 of the nozzle 400 The processing liquid can be uniformly supplied to the entire area of the substrate W through the adjustment. Further, the efficiency of the substrate W processing step can be improved.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

300: 기판 처리 장치 320: 용기
340: 지지 유닛 360: 승강유닛
380: 노즐 유닛 400: 노즐
480: 보호액 노즐300: substrate processing apparatus 320: container
340: support unit 360: elevating unit
380: Nozzle unit 400: Nozzle
480: Protective liquid nozzle

Claims (34)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지판과;
상기 지지판에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 노즐, 상기 노즐을 장착하는 아암, 상기 아암을 구동하는 아암 구동기를 가지는 노즐 유닛과; 그리고
상기 아암 구동기를 제어하는 제어 유닛을; 포함하되,
상기 노즐에서 기판으로 상기 처리액을 공급하는 동안 제1공급 단계와 제2공급 단계가 순차적으로 수행되며,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키며, 상기 제2공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 기판의 중심을 지나 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A support plate for supporting the substrate;
A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate placed on the support plate, an arm for mounting the nozzle, and an arm driver for driving the arm; And
A control unit for controlling the arm driver; Including,
A first supply step and a second supply step are sequentially performed while supplying the processing solution from the nozzle to the substrate,
Wherein the control unit moves the arm from a central area to an edge area of the substrate while discharging the processing liquid to the substrate during the first processing step and while discharging the processing liquid to the substrate during the second processing step, Controls the arm driver to repeatedly move between an eccentric area deviated from the center of the substrate and the edge area of the substrate through the center of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 중 상기 중앙 영역에서 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls the arm driver so that an interval between the substrate and a discharge port of the nozzle is the same in the central region during the first process step. 제1항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 중 상기 가장자리 영역에서 상기 아암이 기판의 중심에서 멀어질수록 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls the arm driver so that the gap between the substrate and the discharge port of the nozzle becomes closer as the arm moves away from the center of the substrate in the edge area during the first process step. 제1항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 아암을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls the arm driver so as to maintain a constant moving speed during movement of the arm from the central region to the edge region in the first processing step. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기를 더 포함하며,
상기 제어 유닛은 상기 지지판 구동기를 더 제어하며,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도를 상기 제2공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus further includes a support plate driver for rotating the support plate,
Wherein the control unit further controls the support plate driver,
Wherein the control unit controls the support plate driver so that the rotation speed of the support plate in the first process step is rotated at a speed lower than the rotation speed of the support plate in the second process step. 제1항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 중 상기 아암이 상기 편심 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동 중 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록하며,
상기 아암이 상기 가장자리 영역에서 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 이동 중 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the control unit causes the gap between the substrate and the discharge port of the nozzle to be close to each other during the movement of the arm from the eccentric area to the edge area during the second process step,
And controls the arm driver so that the gap between the substrate and the ejection port of the nozzle is distanced while the arm moves from the edge region to the eccentric region through the center of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 중 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도가 되도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the control unit determines that the moving speed of the arm in the eccentric area and the central area during the second process step is a first moving speed and the moving speed of the arm in the edge area is a second moving speed And controls the arm driver so that the moving speed becomes the moving speed. 제7항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1이동속도가 상기 제2이동속도보다 빠르도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 8. The method of claim 7,
Wherein the control unit controls the arm driver so that the first movement speed is faster than the second movement speed. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은,
내부에 처리액이 흐르는 유로가 형성되고 상기 유로와 연통되어 상기 처리액을 토출하는 토출구들이 형성된 바디와;
상기 바디를 흐르는 처리액을 가압하여 상기 유로를 흐르는 상기 처리액을 상기 토출구를 통해서 액적으로 토출시키는 진동자를 포함하는 기판 처리 장치. 9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The nozzle
A body formed with a flow path through which a treatment liquid flows and having discharge ports communicating with the flow path to discharge the treatment liquid;
And a vibrator that pressurizes the processing liquid flowing through the body to discharge the processing liquid flowing through the flow path through the discharge port as droplets. 제9항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 기판에 보호액을 토출하는 보호액 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치. 10. The method of claim 9,
Wherein the nozzle unit further comprises a protective liquid nozzle for ejecting a protective liquid to the substrate. 제10항에 있어서,
상기 보호액 노즐과 상기 노즐은 상기 아암에 결합되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the protective liquid nozzle and the nozzle are coupled to the arm. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
노즐에서 기판으로 처리액을 공급하여 제1공정 단계와 제2공정 단계를 순차적으로 수행하되,
상기 제1공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키며,
상기 제2공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 상기 기판의 중심을 지나 상기 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 상기 노즐을 이동시키는 기판 처리 방법. A method of processing a substrate,
Wherein the first process step and the second process step are sequentially performed by supplying the process liquid from the nozzle to the substrate,
Moving the nozzle from the central region to the edge region of the substrate during the ejection of the processing liquid onto the substrate during the first processing step,
Wherein during the ejection of the process liquid onto the substrate during the second process step, the nozzle is moved to a position on the substrate which is repeatedly moved between the eccentric area off- center of the substrate and the edge area of the substrate, Processing method. 제12항에 있어서,
상기 제1공정 단계 중 상기 중앙 영역에서 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하는 기판 처리 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein a distance between the substrate and a discharge port of the nozzle is the same in the central region of the first processing step. 제12항에 있어서,
상기 제1공정 단계 중 상기 가장자리 영역에서 상기 노즐이 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지는 기판 처리 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein a distance between the substrate and a discharge port of the nozzle becomes closer as the nozzle moves away from the center of the substrate in the edge area during the first process step. 제12항에 있어서,
상기 제1공정 단계에서 상기 노즐을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안 이동 속도를 일정하게 유지하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the moving speed is maintained constant during movement of the nozzle from the central region to the edge region in the first process step. 제12항에 있어서,
상기 제1공정 단계 중 상기 기판의 회전속도는 상기 제2공정 단계에서 상기 기판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되는 기판 처리 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein the rotational speed of the substrate during the first processing step is rotated at a rate that is slower than the rotational speed of the substrate in the second processing step. 제12항에 있어서,
상기 제2공정 단계 중 상기 노즐이 상기 가장자리 영역으로 이동 중 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지며,
상기 노즐이 상기 기판의 중심에서 벗어난 상기 중앙 영역으로 이동 중 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지는 기판 처리 방법. 13. The method of claim 12,
The distance between the substrate and the discharge port of the nozzle approaches to the edge area during the second process step,
Wherein the gap between the substrate and the discharge port of the nozzle is shifted while the nozzle is moving to the central region which is deviated from the center of the substrate. 제12항에 있어서,
상기 제2공정 단계 중 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도인 기판 처리 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein the moving speed of the nozzle in the eccentric area and the center area in the second processing step is a first moving speed, the moving speed of the nozzle in the edge area is a second moving speed different from the first moving speed, Processing method. 제18항에 있어서,
상기 제1이동속도는 상기 제2이동속도보다 빠른 기판 처리 방법. 19. The method of claim 18,
Wherein the first moving speed is faster than the second moving speed. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지판과;
상기 지지판에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 노즐, 상기 노즐을 장착하는 아암, 상기 아암을 구동하는 아암 구동기를 가지는 노즐 유닛과; 그리고
상기 아암 구동기를 제어하는 제어 유닛을 포함하되,
상기 제어 유닛은 제1공정 단게 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키되,
상기 중앙 영역에서는 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하고, 상기 가장자리 영역에서는 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 기판의 중심에서 멀어질수록 가까워지도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A support plate for supporting the substrate;
A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate placed on the support plate, an arm for mounting the nozzle, and an arm driver for driving the arm; And
And a control unit for controlling the arm driver,
Wherein the control unit moves the arm from a central region of the substrate to an edge region while discharging the processing liquid to the substrate during a first process step,
Wherein the gap between the substrate and the ejection openings of the nozzles is maintained in the central region and the gap between the substrate and the ejection openings of the nozzles is closer to the center of the substrate in the edge region. 제20항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계 이후의 제2공정 단계 동안에 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 아암을 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 기판의 중심을 지나 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키되, 상기 아암이 상기 편심 영역에서 상기 가장자리 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지도록하며, 상기 아암이 상기 가장자리 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
Wherein the control unit repeatedly moves the arm between an eccentric area deviating from the center of the substrate and a center of the substrate and between the edge area while discharging the processing liquid to the substrate during the second process step after the first processing step Wherein the distance between the substrate and the ejection port of the nozzle is closer to the edge area than the eccentric area of the arm, the distance from the edge of the substrate to the eccentric area, Wherein the arm driving unit controls the arm driving unit such that an interval between the ejection openings of the arm driving unit is shifted away. 제21항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 아암을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지하도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 22. The method of claim 21,
Wherein the control unit controls the arm driver so as to maintain a constant moving speed during movement of the arm from the central region to the edge region in the first processing step. 제21항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기를 더 포함하며,
상기 제어 유닛은 상기 지지판 구동기를 더 제어하며,
상기 제어 유닛은 상기 제1공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도를 상기 제2공정 단계에서 상기 지지판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 22. The method of claim 21,
The substrate processing apparatus further includes a support plate driver for rotating the support plate,
Wherein the control unit further controls the support plate driver,
Wherein the control unit controls the support plate driver so that the rotation speed of the support plate in the first process step is rotated at a speed lower than the rotation speed of the support plate in the second process step. 제21항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제2공정 단계 동안에 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 아암의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도가 되도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 22. The method of claim 21,
Wherein the control unit is configured such that during the second processing step, the moving speed of the arm in the eccentric area and the central area is a first moving speed, and the moving speed of the arm in the edge area is a second moving speed And controls the arm driver so that the moving speed becomes the moving speed. 제24항에 있어서,
상기 제어 유닛은 상기 제1이동속도가 상기 제2이동속도보다 빠르도록 상기 아암 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 25. The method of claim 24,
Wherein the control unit controls the arm driver so that the first movement speed is faster than the second movement speed. 제20항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은,
내부에 처리액이 흐르는 유로가 형성되고 상기 유로와 연통되어 상기 처리액을 토출하는 토출구들이 형성된 바디와;
상기 바디를 흐르는 처리액을 가압하여 상기 유로를 흐르는 상기 처리액을 상기 토출구를 통해서 액적으로 토출시키는 진동자를 포함하는 기판 처리 장치. 26. The method according to any one of claims 20 to 25,
The nozzle
A body formed with a flow path through which a treatment liquid flows and having discharge ports communicating with the flow path to discharge the treatment liquid;
And a vibrator that pressurizes the processing liquid flowing through the body to discharge the processing liquid flowing through the flow path through the discharge port as droplets. 제26항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 기판에 보호액을 토출하는 보호액 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.27. The method of claim 26,
Wherein the nozzle unit further comprises a protective liquid nozzle for ejecting a protective liquid to the substrate. 제27항에 있어서,
상기 보호액 노즐과 상기 노즐은 상기 아암에 결합되는 기판 처리 장치.28. The method of claim 27,
Wherein the protective liquid nozzle and the nozzle are coupled to the arm. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
노즐에서 기판 상으로 처리액을 공급하여 제1공정 단계를 수행하되,
상기 제1공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키되,
상기 중앙 영역에서는 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 동일하게 유지하고, 상기 가장자리 영역에서는 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격을 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 가까워지는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
Supplying a treatment liquid from the nozzle onto the substrate to perform a first process step,
Moving the nozzle from the central region to the edge region of the substrate during the dispensing of the process liquid to the substrate during the first process step,
Wherein a distance between the substrate and a discharge port of the nozzle is the same in the central region and a distance between the substrate and a discharge port of the nozzle is closer to the center of the substrate in the edge region. 제29항에 있어서,
상기 제1공정 단계 이후의 제2공정 단계 동안에 상기 기판에 상기 처리액을 토출하는 동안 상기 노즐을 상기 기판의 중심에서 벗어난 편심 영역과 상기 기판의 중심을 지나 상기 기판의 상기 가장자리 영역 사이를 반복적으로 이동시키되, 상기 노즐이 상기 편심 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 가장자리 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 가까워지며, 상기 노즐이 상기 가장자리 영역에서 상기 기판의 중심을 지나 상기 편심 영역으로 갈수록 상기 기판과 상기 노즐의 토출구 간의 간격이 멀어지는 기판 처리 방법.30. The method of claim 29,
During the ejection of the processing liquid onto the substrate during the second processing step after the first processing step, the nozzle is repeatedly moved between the eccentric area off-center of the substrate and the edge area of the substrate through the center of the substrate Wherein the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is closer to the edge area than the center of the substrate in the eccentric area and the nozzle extends from the edge area through the center of the substrate to the eccentric area Wherein the distance between the substrate and the discharge port of the nozzle is increased. 제30항에 있어서,
상기 제1공정 단계에서 상기 노즐을 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동하는 동안의 이동 속도를 일정하게 유지하는 기판 처리 방법. 31. The method of claim 30,
Wherein the moving speed of the nozzle during the movement from the central region to the edge region is kept constant in the first process step. 제30항에 있어서,
상기 제1공정 단계 중 상기 기판의 회전속도는 상기 제2공정 단계에서 상기 기판의 회전속도보다 더 느린 속도로 회전되는 기판 처리 방법. 31. The method of claim 30,
Wherein the rotational speed of the substrate during the first processing step is rotated at a rate that is slower than the rotational speed of the substrate in the second processing step. 제30항에 있어서,
상기 제2공정 단계 동안에 상기 편심 영역 및 상기 중앙 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 제1이동속도, 상기 가장자리 영역에서의 상기 노즐의 이동속도는 상기 제1이동속도와 상이한 제2이동속도인 기판 처리 방법.31. The method of claim 30,
Wherein the moving speed of the nozzle in the eccentric area and the central area is a first moving speed and the moving speed of the nozzle in the edge area is a second moving speed different from the first moving speed during the second process step, Processing method. 제33항에 있어서,
상기 제1이동속도는 상기 제2이동속도보다 빠른 기판 처리 방법.
34. The method of claim 33,
Wherein the first moving speed is faster than the second moving speed.
KR1020150081407A 2015-06-09 2015-06-09 Apparatus and method for treating a substrate KR102404086B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150081407A KR102404086B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Apparatus and method for treating a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150081407A KR102404086B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Apparatus and method for treating a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160145248A true KR20160145248A (en) 2016-12-20
KR102404086B1 KR102404086B1 (en) 2022-06-02

Family

ID=57734305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150081407A KR102404086B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Apparatus and method for treating a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102404086B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110871711A (en) * 2018-08-31 2020-03-10 现代自动车株式会社 Battery pack charging system and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757882B1 (en) * 2006-01-13 2007-09-11 세메스 주식회사 method for removing photo resists on the substrate
KR20100054559A (en) * 2008-11-14 2010-05-25 세메스 주식회사 Substrate cleaning method
KR20120100803A (en) * 2011-03-03 2012-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Etching method, etching apparatus and storage medium
KR101486165B1 (en) * 2011-08-30 2015-01-26 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and nozzle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757882B1 (en) * 2006-01-13 2007-09-11 세메스 주식회사 method for removing photo resists on the substrate
KR20100054559A (en) * 2008-11-14 2010-05-25 세메스 주식회사 Substrate cleaning method
KR20120100803A (en) * 2011-03-03 2012-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Etching method, etching apparatus and storage medium
KR101486165B1 (en) * 2011-08-30 2015-01-26 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and nozzle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110871711A (en) * 2018-08-31 2020-03-10 现代自动车株式会社 Battery pack charging system and method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102404086B1 (en) 2022-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101536722B1 (en) Method for treating substrate
KR101658969B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR101344921B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101842128B1 (en) Nozzle, Apparatus for treating a substrate with the same
CN108269752B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101681189B1 (en) Inspecting unit and method, Apparatus for treating a substrate with the unit
KR20180024060A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101654623B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
KR20160008720A (en) Substrate treating apparatus and method
KR20160141249A (en) Nozzle, Apparatus and method for treating a substrate with the same
KR20160145248A (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR102012207B1 (en) Liquid supplying unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102262110B1 (en) Discharging unit, substrate treating apparatus
KR101641948B1 (en) Substrate treating apparatus and chemical nozzle
KR102250359B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20170118995A (en) Nozzle member and Apparatus for treating substrate with the nozzle member
KR101870654B1 (en) Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same
KR101885566B1 (en) Vibration device, method for manufacturing the same, and apparatus for processing substrate including the same
KR102250358B1 (en) Discharging unit and substrate treating apparatus
KR20140144800A (en) Apparatus for treating substrate
KR102250360B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20140090588A (en) Method for treating substrate
KR20180007030A (en) Fluid supplying member, apparatus for processing substrate including the same, and method for controlling the same
KR101909480B1 (en) Substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant