KR101870654B1 - Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101870654B1
KR101870654B1 KR1020160084857A KR20160084857A KR101870654B1 KR 101870654 B1 KR101870654 B1 KR 101870654B1 KR 1020160084857 A KR1020160084857 A KR 1020160084857A KR 20160084857 A KR20160084857 A KR 20160084857A KR 101870654 B1 KR101870654 B1 KR 101870654B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle member
flow rate
fluid
substrate
pressure
Prior art date
Application number
KR1020160084857A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180005305A (en
Inventor
주윤종
김종한
조근제
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160084857A priority Critical patent/KR101870654B1/en
Publication of KR20180005305A publication Critical patent/KR20180005305A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101870654B1 publication Critical patent/KR101870654B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/449—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428 involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 세정 효율을 향상시킨 기판 처리 장치를 제공하고, 기판 세정 공정에 있어서 공장 시간을 단축시킬 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판상에 처리액을 공급하는 노즐 부재에 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 하는 유체 공급 방법은, 상기 노즐 부재에 제1 유량으로 유체를 공급하는 단계; 및 상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제2 유량으로 변동시키는 단계를 포함하며, 상기 제1 유량은 상기 제2 유량보다 크게 제공될 수 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency, and to provide a method capable of shortening a factory time in a substrate cleaning process. According to an embodiment of the present invention, there is provided a fluid supply method for supplying a fluid to a nozzle member for supplying a treatment liquid onto a substrate so that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure, ; And varying a flow rate of the fluid supplied to the nozzle member to a second flow rate, wherein the first flow rate may be greater than the second flow rate.

Description

유체 공급 방법, 및 그를 이용하는 기판 처리 장치{METHOD FOR SUPPLYING FLUID, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a fluid supply method, and a substrate processing apparatus using the fluid supply method.

본 발명은 유체 공급 방법 및 그를 이용하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a fluid supply method and a substrate processing apparatus using the fluid supply method.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 이물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A cleaning process is carried out to clean the substrate before or after each process for removing foreign matters and particles generated in each process.

세정공정으로는 기판상에 잔류하는 이물 및 파티클을 제거하기 위해 케미칼을 분사하거나, 가스가 혼합된 처리액을 분사하거나, 진동이 제공된 처리액을 분사하는 등 다양한 방식이 사용된다.In the cleaning process, various methods are used, such as spraying a chemical to remove foreign particles and particles remaining on the substrate, spraying a mixed process liquid with gas, or spraying a process liquid provided with vibration.

노즐 부재로 액을 공급하여 일정 압력에 도달하도록 하여야 처리액이 정상적으로 분사된다. 그러나, 고압을 사용하는 배관에 있어서 배관 팽창에 의해 일정 압력까지 도달하는 데 지연 시간이 발생한다. 이러한 지연 구간에서 비정형적인 분사로 기판 손상이 발생하는 문제점이 존재하였다.The liquid is supplied to the nozzle member so as to reach a predetermined pressure so that the processing liquid is normally sprayed. However, in a piping using a high pressure, a delay time is caused to reach a certain pressure by the pipe expansion. There is a problem that the substrate is damaged by the atypical injection in this delay period.

본 발명의 실시 예는 세정 효율을 향상시킨 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency.

또한, 본 발명의 실시 예는 기판 세정 공정에 있어서 공장 시간을 단축시킬 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method capable of shortening a factory time in a substrate cleaning process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법은, 기판상에 처리액을 공급하는 노즐 부재에 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a fluid supply method for supplying a fluid to a nozzle member for supplying a treatment liquid onto a substrate so that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure.

상기 유체 공급 방법은, 상기 노즐 부재에 제1 유량으로 유체를 공급하는 단계; 및 상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제2 유량으로 변동시키는 단계를 포함하며, 상기 제1 유량은 상기 제2 유량보다 클 수 있다.The fluid supply method includes: supplying a fluid at a first flow rate to the nozzle member; And varying a flow rate of the fluid supplied to the nozzle member to a second flow rate, wherein the first flow rate may be larger than the second flow rate.

상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제2 유량으로 변동시키는 단계에 있어서, 유량의 변동 시점은 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력에 도달하기 전일 수 있다.In the step of varying the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member by the second flow rate, the change point of the flow rate may be before the internal pressure of the nozzle member reaches the target pressure.

상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량이 제2 유량으로 변동된 후에도 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력을 초과하지 않게 되도록, 상기 유량의 변동 시점이 결정될 수 있다.The point of time of the change in the flow rate can be determined so that the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure even after the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member is changed to the second flow rate.

상기 유체 공급 방법은, 상기 노즐 부재가 그 내부에 제공된 유로를 통해 흐르는 유체에 초음파 진동을 인가하여 상기 유로와 연결된 토출구들을 통해 상기 유체를 상기 노즐 부재로부터 토출하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include ejecting the fluid from the nozzle member through ejection openings connected to the flow channel by applying ultrasonic vibration to the fluid flowing through the flow channel provided in the nozzle member.

상기 유체 공급 방법은, 상기 노즐 부재에 구비된 펌프에 의해 유동압을 제공하여 상기 기판 상으로 처리액을 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다.The fluid supply method may further include the step of injecting the treatment liquid onto the substrate by providing a flow pressure by a pump provided in the nozzle member.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 노즐 부재 및 상기 노즐 부재로 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 하는 유체 공급 부재를 갖는 분사유닛을 포함하며, 상기 유체 공급 부재는 공급되는 유체의 유량을 조절하는 제어부를 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a housing for providing a space for processing a substrate therein; A spin head for supporting and rotating the substrate within the housing; And a jetting unit having a nozzle member for jetting the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head and a fluid supply member for supplying a fluid to the nozzle member so that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure, The member may further include a control unit for controlling the flow rate of the supplied fluid.

상기 제어부는 상기 노즐 부재에 소정의 시간동안 제1 유량으로 유체가 공급된 후 제2 유량으로 변동되도록 제어하며, 상기 제1 유량은 상기 제2 유량보다 클 수 있다.Wherein the control unit controls the nozzle member to be changed to a second flow rate after the fluid is supplied at a first flow rate for a predetermined time, and the first flow rate may be larger than the second flow rate.

상기 노즐 부재는 펌프를 포함하며, 상기 펌프에 의해 유동압을 제공하여 상기 기판 상으로 처리액을 분사할 수 있다.The nozzle member includes a pump, and the pump supplies the flow pressure to spray the treatment liquid onto the substrate.

상기 노즐 부재는 그 내부에 제공된 유로를 통해 흐르는 처리액에 초음파 진동을 인가하여 상기 유로와 연결된 토출구들을 통해 상기 처리액을 상기 노즐 부재로부터 토출할 수 있다.The nozzle member may apply ultrasonic vibration to the processing liquid flowing through the flow path provided therein to discharge the processing liquid from the nozzle member through the discharge ports connected to the flow path.

상기 제어부는, 상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제1 유량에서 제2 유량으로 변동시킴에 있어서, 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력에 도달하기 전에 변동되도록 유량의 변동 시점을 제어할 수 있다.Wherein the control unit controls the time point at which the flow rate changes so that the internal pressure of the nozzle member is varied before reaching the target pressure in changing the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member from the first flow rate to the second flow rate .

상기 제어부는, 상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량이 제2 유량으로 변동된 후에도 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력을 초과하지 않게 되도록, 상기 유량의 변동 시점을 제어할 수 있다.The control unit may control the change point of the flow rate so that the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure even after the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member is changed to the second flow rate.

본 발명의 실시 예에 따르면, 세정 효율을 향상시킨 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 세정 공정에 있어서 공장 시간을 단축시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the factory time in the substrate cleaning process can be shortened.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분사 유닛을 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 노즐 부재를 보여주는 도면이다.
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 노즐 부재를 보여주는 도면이다.
도 6은 유량 변화에 따른 노즐 내부의 압력 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7a 및 7b는 비교 예 및 본 발명의 실시 예에 따라 노즐 부재 내의 압력이 변화하는 것을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법의 예시적인 흐름도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
2 is a cross-sectional view illustrating an exemplary substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an injection unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a nozzle member according to one embodiment.
5 is a view showing a nozzle member according to yet another embodiment.
6 is a graph showing a change in pressure inside the nozzle due to a change in flow rate.
7A and 7B are graphs showing that the pressure in the nozzle member varies according to the comparative example and the embodiment of the present invention.
8 is a graph for explaining a fluid supply method according to an embodiment of the present invention.
Figure 9 is an exemplary flow diagram of a fluid supply method in accordance with an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

본 발명은 고압 요구하는 노즐 부재에 유체를 공급함에 있어서 유량 조절을 통해 공정 시간이 지연되는 구간을 단축하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 공정 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 노즐 내부의 압력이 목표 압력에 도달하지 못하는 구간을 단축시켜, 이 구간에서 비정형적인 처리액 분사로 인해 기판 손상이 발생하는 것을 줄일 수 있다.The present invention provides a method for shortening a period in which a process time is delayed by adjusting a flow rate in supplying a fluid to a nozzle member requiring high pressure. According to one embodiment of the present invention, the productivity can be improved by shortening the processing time. In addition, it is possible to shorten the interval in which the pressure inside the nozzle does not reach the target pressure, and to reduce the occurrence of substrate damage due to irregular processing liquid injection in this section.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups such that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, (300) may be provided differently from each other.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)를 예시적으로 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an exemplary substrate processing apparatus 300 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Referring to FIG. 2, a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment has a housing 320, a spin head 340, a lift unit 360, and a spray unit 380. The housing 320 has a space in which a substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340 and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the housing 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed as the housing 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction.

분사 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 분사유닛은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 지지축(386), 노즐암(382), 제1 노즐부재(400), 세정부재(470), 그리고 제2 노즐부재(480)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축의 상단에는 노즐암(382)이 고정결합된다. 노즐암(382)은 제1 노즐부재(400) 및 제2 노즐부재(480)를 지지한다. 제1 노즐부재(400) 및 제2 노즐부재(480)는 노즐암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 제2 노즐부재(480)는 제1 노즐부재(400)에 비해 노즐암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다. 세정부재(470)는 제1 노즐부재(400)를 세정한다. 세정부재(470)는 하우징(320) 내 일측에 제공된다. 제어기(500)는, 제1 노즐부재(400)로 기판상에 제1 처리액을 토출할 때는 제1 노즐부재(400)를 기판 상부인 토출 위치로 위치시킨다. 반면, 제1 처리액 토출이 완료되면, 제1 노즐부재(400)를 액조(472) 내인 세정 위치로 위치시킨다.The ejection unit 380 ejects the process liquid onto the substrate W. The injection unit may be provided in a plurality of ways to inject various types of process liquids, or to jet the same kind of process liquids in various ways. The ejection unit 380 includes a support shaft 386, a nozzle arm 382, a first nozzle member 400, a cleaning member 470, and a second nozzle member 480. The support shaft 386 is disposed on one side of the housing 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is provided in a vertical direction. The support shaft 386 is swung and lifted by the drive member 388. Alternatively, the support shaft 386 can move linearly and vertically in the horizontal direction by the drive member 388. [ A nozzle arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft. The nozzle arm 382 supports the first nozzle member 400 and the second nozzle member 480. The first nozzle member 400 and the second nozzle member 480 are located at the end of the nozzle arm 382. For example, the second nozzle member 480 may be located closer to the end of the nozzle arm 382 than the first nozzle member 400. The cleaning member 470 cleans the first nozzle member 400. The cleaning member 470 is provided on one side in the housing 320. The controller 500 positions the first nozzle member 400 at the ejection position above the substrate when the first nozzle member 400 ejects the first process liquid onto the substrate. On the other hand, when the first process liquid discharge is completed, the first nozzle member 400 is placed in the cleaning position within the basin 472.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분사 유닛을 예시적으로 보여주는 단면도이며, 도 4 및 도 5는 각각 일 실시 예에 따른 노즐 부재를 보여주는 저면도이다.FIG. 3 is a sectional view exemplarily showing an injection unit according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are bottom views showing a nozzle member according to an embodiment, respectively.

상부에서 바라볼 때, 제1 노즐 부재(400)는 원형으로 제공된다. 도 3을 참조하면, 제1 노즐 부재(400)는 처리액을 잉크젯 방식으로 분사할 수 있다. 제1 노즐 부재(400)는 몸체(410, 430), 진동 소자(436), 처리액 공급 라인(450), 그리고 처리액 회수 라인(460)을 포함할 수 있다. 몸체(410, 430)는 하판(410) 및 상판(430)을 가진다. 하판(410)은 원통 형상을 가지도록 제공된다. 하판(410)의 내부에는 처리액이 흐르는 분사 유로(412)가 형성된다. 분사 유로(412)는 유입 유로(432)와 회수 유로(434)를 연결한다.As viewed from above, the first nozzle member 400 is provided in a circular shape. Referring to Fig. 3, the first nozzle member 400 can jet the treatment liquid in an ink-jet manner. The first nozzle member 400 may include bodies 410 and 430, a vibration element 436, a process liquid supply line 450, and a process liquid recovery line 460. The bodies 410 and 430 have a lower plate 410 and an upper plate 430. The lower plate 410 is provided so as to have a cylindrical shape. An injection path 412 through which the process liquid flows is formed in the lower plate 410. The injection path 412 connects the inflow path 432 and the recovery path 434.

도 4를 참조하면, 분사 유로(412)는 제1 분사 유로(412a), 제2 분사 유로(412b), 그리고 제3 분사 유로(412c)를 포함한다. 제1 분사 유로(412a)는 유입 유로(432)에서 연장된다. 제1 분사 유로(412a)는 제1 길이(L1)를 가질 수 있다. 제2 분사 유로(412b)는 회수 유로(434)에서 연장된다. 제2 분사 유로(412b)는 제1 분사 유로(412a)와 평행하게 제공된다. 제2 분사 유로(412b)는 제1 길이(L1)를 가질 수 있다. 제3 분사 유로(412c)는 제1 분사 유로(412a)와 제2 분사 유로(412b)를 연결한다. 제3 분사 유로(412c)는 굴곡지게 제공된다. 제3 분사 유로(412c)는 그 일 부가 제1 분사 유로(412a)와 평행하고, 제1 길이(L1)를 갖도록 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4, the injection path 412 includes a first injection path 412a, a second injection path 412b, and a third injection path 412c. The first injection passage 412a extends from the inflow passage 432. [ The first injection path 412a may have a first length L1. The second injection passage 412b extends from the recovery passage 434. The second injection passage 412b is provided in parallel with the first injection passage 412a. The second injection path 412b may have a first length L1. The third injection path 412c connects the first injection path 412a and the second injection path 412b. The third injection flow path 412c is provided to be curved. The third injection passage 412c may be provided so that one part of the third injection passage 412c is parallel to the first injection passage 412a and has the first length L1.

일 예로, 도 4에 도시된 바와 같이 제3 분사 유로(412c)는 'ㄹ'자 형상이 다수 개 연결된 형상으로 제공된다. 선택적으로, 제3 분사 유로(412c)는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 노즐 부재(400)의 중심을 기준으로, 유입 유로(432)와 회수 유로(434)가 대칭되게 제공될 수 있다. 이 때, 분사 유로(412)는 유입 유로(432)와 회수 유로(434)의 직선 거리를 대각선으로 갖는 직사각형 영역 내에, 균일한 간격으로 형성될 수 있다. 하판(410)의 저면에는 처리액을 분사하는 토출구(414)들이 형성되고, 각각의 토출구(414)는 분사 유로(412)와 연통되게 제공된다. 토출구(414)들은, 분사 유로(412)의 길이 방향을 따라 복수 개 제공된다. 일 예로, 복수 개의 토출구(414)들은 서로 균일한 간격으로 제공될 수 있다. 복수 개의 토출구(414)들은 일렬로 제공될 수 있다. 토출구(414)들은 미세공으로 제공된다.For example, as shown in FIG. 4, the third injection path 412c is provided in a shape in which a plurality of 'r' shapes are connected. Alternatively, the third injection path 412c may be provided in various shapes. The inflow channel 432 and the recovery channel 434 can be provided symmetrically with respect to the center of the nozzle member 400. [ At this time, the injection flow path 412 can be formed at uniform intervals in a rectangular area having a straight line distance of the inflow path 432 and the recovery path 434 diagonally. Discharge ports 414 for spraying the treatment liquid are formed on the bottom surface of the lower plate 410, and the respective discharge ports 414 are provided so as to communicate with the injection path 412. A plurality of discharge ports 414 are provided along the longitudinal direction of the injection path 412. For example, the plurality of ejection openings 414 may be provided at uniform intervals from each other. The plurality of discharge ports 414 may be provided in a row. And the discharge ports 414 are provided to the fine holes.

상판(430)은 하판(410)과 동일한 직경을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 상판(430)은 하판(410)의 상면에 고정 결합된다. 상판(430)의 내부에는 유입 유로(432) 및 회수 유로(434)가 형성된다. 유입 유로(432) 및 회수 유로(434)는 분사 유로(412)의 제2 영역(412b)과 통하도록 제공된다. 유입 유로(432)는 분사 유로(412)에 처리액을 유입시키는 입구로 기능하고, 회수 유로(434)는 분사 유로(412)로부터 처리액을 회수하는 출구로 기능한다. 유입 유로(432)와 회수 유로(434)는 노즐 부재(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 위치된다.The upper plate 430 is provided in a cylindrical shape having the same diameter as the lower plate 410. The upper plate 430 is fixedly coupled to the upper surface of the lower plate 410. An inflow channel 432 and a recovery channel 434 are formed in the upper plate 430. The inflow passage 432 and the recovery passage 434 are provided to communicate with the second region 412b of the injection passage 412. The inflow channel 432 functions as an inlet for introducing the processing liquid into the jetting channel 412 and the recovery channel 434 functions as an outlet for recovering the processing liquid from the jetting channel 412. The inflow channel 432 and the recovery channel 434 are positioned to face each other with respect to the center of the nozzle member 400.

상판(430)의 내부에는 진동 소자(436)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 진동 소자(436)는 원판 형상을 가지도록 제공된다. 일 예로, 진동 소자(436)는 제1 영역(412b)과 동일한 직격을 가지도록 제고된다. 선택적으로, 진동 소자(436)의 직경은 제1 영역(412b)의 직경보다 크고, 상판(430)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 진동 소자(436)는 외부에 위치된 전원(438)과 전기적으로 연결된다. 진동 소자(436)는 분사되는 처리액에 진동을 제공하여 처리액의 입자 크기 및 유속을 제어한다. 일 예에 의하면, 진동 소자(436)는 압전 소자일 수 있다. 처리액은 세정액으로 제공될 수 있다. 일 예로, 처리액은 전해 이온수일 수 있다. 또는 처리액은, 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로, 처리액은 순수일 수 있다.A vibrating element 436 is positioned inside the upper plate 430. When viewed from above, the vibration element 436 is provided to have a disc shape. In one example, the vibration element 436 is raised to have the same directivity as the first area 412b. Alternatively, the diameter of the vibrating element 436 may be greater than the diameter of the first region 412b and less than the diameter of the top plate 430. The vibrating element 436 is electrically connected to an externally located power source 438. The vibration element 436 provides vibration to the sprayed process liquid to control the particle size and the flow rate of the process liquid. According to one example, the vibration element 436 may be a piezoelectric element. The treatment liquid may be provided as a cleaning liquid. For example, the treatment liquid may be electrolytic ionized water. Or the treatment liquid may be any one of or including hydrogenated water, oxygenated water, and ozone water. Optionally, the treatment liquid may be pure.

처리액 공급 라인(450)은 유입 유로(432)에 처리액을 공급하고, 처리액 회수라인(460)은 회수 유로(434)로부터 처리액을 회수한다. 처리액 공급 라인(450)은 유입 유로(432)에 연결되고, 처리액 회수 라인(460)은 회수 유로(434)에 연결된다. 처리액 공급라인(450) 상에는 펌프(452) 및 공급 밸브(454)가 설치된다. 처리액 회수라인(460) 상에는 회수 밸브(462)가 설치된다. 펌프(452)는 처리액 공급라인(450)에서 유입 유로(432)로 공급되는 처리액을 가압한다. 공급 밸브(454)는 처리액 공급 라인(450)을 개폐한다. 회수 밸브(462)는 처리액 회수 라인(460)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정 대기 중에는 회수 밸브(462)가 처리액 회수 라인(460)을 개방한다. 이로 인해 처리액은 처리액 회수 라인(460)을 통해 회수되고, 분사홀(414)을 통해 분사되지 않는다. 이와 달리, 공정 진행 중에는 회수 밸브(462)가 처리액 회수 라인(460)을 닫는다. 이로 인해 분사 유로(412)에 처리액이 채워지고, 분사 유로(412)의 내부 압력이 높아지며, 진동자(436)에 전압이 인가되면, 처리액은 분사홀(414)을 통해 분사될 수 있다.The treatment liquid supply line 450 supplies the treatment liquid to the inflow channel 432 and the treatment liquid recovery line 460 withdraws the treatment liquid from the recovery flow path 434. [ The treatment liquid supply line 450 is connected to the inflow channel 432 and the treatment liquid recovery line 460 is connected to the recovery channel 434. On the treatment liquid supply line 450, a pump 452 and a supply valve 454 are provided. On the treatment liquid recovery line 460, a recovery valve 462 is provided. The pump 452 pressurizes the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply line 450 to the inflow channel 432. The supply valve 454 opens and closes the process liquid supply line 450. The recovery valve 462 opens and closes the process liquid recovery line 460. According to one example, the recovery valve 462 opens the treatment liquid recovery line 460 during the process atmosphere. As a result, the treatment liquid is recovered through the treatment liquid recovery line 460, and is not sprayed through the injection hole 414. Alternatively, the recovery valve 462 closes the process liquid recovery line 460 during the process. As a result, the processing liquid is filled in the injection path 412, the internal pressure of the injection path 412 is increased, and when the voltage is applied to the vibrator 436, the processing liquid can be injected through the injection hole 414.

상술한 바와 같이, 도 5는 또 다른 실시 예에 따른 노즐 부재(400)를 보여주는 도면이다.As described above, FIG. 5 is a view showing a nozzle member 400 according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 상부에서 바라볼 때 노즐 부재(400)는 원형으로 제공된다. 도 5에 도시된 실시 예에 따르면, 분사 유로(412)는 제1 영역(412b), 제2 영역(412c), 그리고 제3 영역(412a)을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제1 영역(412b)과 제2 영역(412c)은 링 형상으로 제공된다. 이 때, 제1 영역(412b)의 반지름은 제2 영역(412c)의 반지름보다 크다. 제1 영역(412b)의 토출구(414)는 제1 영역(412b)을 따라 일렬로 제공될 수 있다. 제2 영역(412c)의 토출구(414)는, 제2 영역(412c)을 따라 이열로 제공될 수 있다. 제3 영역(412a)은 제1 영역(412b) 및 제2 영역(412c)을 유입 유로(432)와 연결한다. 제3 영역(412a)은 제1 영역(412b) 및 제2 영역(412c)을 회수 유로(434)와 연결한다. 일 예로, 도 5와 같이, 제3 영역(412a)은 유입 유로(432) 또는 회수 유로(434)와 제3 영역(412a)까지 연결할 수 있다.Referring to FIG. 5, the nozzle member 400 is provided in a circular shape when viewed from above. According to the embodiment shown in Fig. 5, the injection path 412 may have a first region 412b, a second region 412c, and a third region 412a. As viewed from above, the first region 412b and the second region 412c are provided in a ring shape. At this time, the radius of the first region 412b is larger than the radius of the second region 412c. The discharge ports 414 of the first area 412b may be provided in a line along the first area 412b. The discharge port 414 of the second region 412c may be provided in a heat transfer manner along the second region 412c. The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the inflow channel 432. [ The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the recovery flow path 434. [ For example, as shown in FIG. 5, the third region 412a may be connected to the inflow channel 432 or the recovery channel 434 to the third region 412a.

다시 도 2를 참조하면, 제2 노즐 부재(480)는 기판상에 제2 처리액을 공급한다. 제2 노즐 부재(480)는 제1 노즐 부재(400)가 제1 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 제2 처리액을 공급한다. 이 때, 제2 노즐 부재(480)는 제1 노즐 부재(400)가 제1 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 제2 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로, 제 2 노즐 부재(480)는 제2 처리액을 적하방식으로 분사할 수 있다. 제2 노즐 부재(480)는 제1 노즐 부재(400)의 일부를 감싸도록 제공된다. 제2 노즐 부재(480)는 제1 노즐 부재(400)보다 노즐암(382)의 일단에 인접하게 제공된다. 제2 노즐 부재(480)는 기판상에 제2 처리액을 수직하게 토출하는 제2 토출구(482)를 가진다. 상부에서 바라볼 때, 제2 노즐 부재(480)는 제1 노즐 부재(400)를 감싸는 호 형상으로 제공된다. 제2 노즐 부재(480)의 일단에서 타단까지의 직선 거리는, 제1 노즐 부재(400)의 직경보다 넓게 제공될 수 있다. 이 때, 제1 노즐 부재(400)와 제2 노즐 부재(480)는 동심을 가질 수 있다. 제2 처리액은 보호액으로 제공된다. 일 예로, 제2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다. 제2 처리액은 기판(W) 상에 액막을 형성하고, 액막은 제1 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 제1 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 제2 처리액은 순수일 수 있다. 제2 토출구(482)는 단일의 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제2 토출구(482)는 원형의 토출홀들을 복수 개 포함할 수 있다. 제2 노즐 부재(480)는 제1 처리액이 분사되는 기판(W)의 영역과 인접한 영역으로 제2 처리액을 분사할 수 있다. 제2 처리액이 분사된 영역은 제1 처리액이 분사된 영역에 비해 기판(W)의 중심영역에 더 가까울 수 있다. 선택적으로, 제2 노즐부재(480)는 호 형상이 아닌 바 형상으로 제공될 수 있다. Referring again to FIG. 2, the second nozzle member 480 supplies the second process liquid onto the substrate. The second nozzle member 480 simultaneously supplies the second processing liquid when the first nozzle member 400 supplies the first processing liquid. At this time, the second nozzle member 480 can supply the second processing solution first before the first nozzle member 400 starts to supply the first processing solution. As an example, the second nozzle member 480 may spray the second treatment liquid in a dropping manner. A second nozzle member 480 is provided to enclose a portion of the first nozzle member 400. The second nozzle member 480 is provided adjacent to one end of the nozzle arm 382 rather than the first nozzle member 400. The second nozzle member 480 has a second discharge port 482 for vertically discharging the second treatment liquid on the substrate. As viewed from above, the second nozzle member 480 is provided in the shape of a arc surrounding the first nozzle member 400. The linear distance from one end to the other end of the second nozzle member 480 may be provided wider than the diameter of the first nozzle member 400. [ At this time, the first nozzle member 400 and the second nozzle member 480 may be concentric . The second treatment liquid is provided as a protective liquid. In one example, the second treatment liquid may be a solution containing ammonia and hydrogen peroxide. The second treatment liquid forms a liquid film on the substrate W, and the liquid film relaxes the amount of impact of the first treatment liquid on the substrate W. As a result, the pattern on the substrate W can be prevented from collapsing by the first process liquid. The second treatment liquid may be pure water. The second discharge port 482 may be provided in a single slit shape. Alternatively, the second discharge port 482 may include a plurality of circular discharge holes. The second nozzle member 480 can jet the second processing liquid to a region adjacent to the region of the substrate W onto which the first processing liquid is ejected. The area where the second processing liquid is sprayed may be closer to the central area of the substrate W than the area where the first processing liquid is sprayed. Alternatively, the second nozzle member 480 may be provided in a bar shape that is not arc-shaped.

이상에서 설명한 기판 처리 장치는 기판 세정 공정뿐만 아니라 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 식각 공정에도 사용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 별도의 린스액 부재를 포함할 수 있다. 또한, 본 실시 예에서의 제2 노즐 부재는 제1 노즐 부재의 일부를 감싸는 형상으로 제공되었지만, 이와 달리, 제2 노즐 부재는 다른 형상으로 제공될 수 있다.The above-described substrate processing apparatus can be used for various processes as well as a substrate cleaning process. For example, it can be used in a substrate etching process. Further, the substrate processing apparatus may include a separate rinsing liquid member. Further, while the second nozzle member in this embodiment is provided in a shape to enclose a part of the first nozzle member, the second nozzle member may be provided in a different shape.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같은 노즐 부재의 유로에 처리액을 채우는 과정에서, 유로 내부의 압력이 목표 압력에 빠르게 도달하도록 공급 유체의 유량을 조절할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, in the process of filling the flow path of the nozzle member as described above, the flow rate of the supply fluid can be adjusted so that the pressure inside the flow path quickly reaches the target pressure.

도 6은 유량 변화에 따른 노즐 내부의 압력 변화를 나타내는 그래프이다.6 is a graph showing a change in pressure inside the nozzle due to a change in flow rate.

도 6에 나타난 바와 같이, 유체 공급을 시작함에 따라 노즐 내부의 압력이 증가하기 시작하여, 목표 압력에 수렴한다. 목표 압력에 도달하면 토출구에 물방울이 정상적으로 형성되어, 노즐 부재로부터 처리액이 효율적으로 토출된다. 일 예로, 노즐 내부 압력이 목표 압력의 90%에 해당하는 값에 도달하면 처리액 토출이 정상적으로 일어나도록 목표 압력이 설정될 수 있다.As shown in Fig. 6, as the fluid supply is started, the pressure inside the nozzle starts to increase and converges to the target pressure. When the target pressure is reached, water droplets are normally formed on the discharge port, and the treatment liquid is efficiently discharged from the nozzle member. For example, when the internal pressure of the nozzle reaches a value corresponding to 90% of the target pressure, the target pressure can be set so that the process liquid discharge normally occurs.

도 6을 참조하면, 유량이 클수록, 즉 높은 유속일수록 압력이 상승하는 구간에서 상승 기울기가 커짐을 알 수 있다. 이러한 특성을 이용하여, 본 발명의 일 실시 예는 목표 압력까지 압력을 상승시키는 구간에서 공급되는 유체의 유량을 일시적으로 증가시켜, 빠르게 목표 압력까지 도달하도록 하는 방법을 제안한다.Referring to FIG. 6, it can be seen that the higher the flow rate, that is, the higher the flow rate, the larger the upward slope in the section where the pressure rises. Using this characteristic, an embodiment of the present invention proposes a method for temporarily increasing the flow rate of the fluid supplied in the section for raising the pressure to the target pressure, so as to quickly reach the target pressure.

본 발명의 일 실시 예에 따라 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사 유닛은, 상술된 노즐 부재 및 상기 노즐 부재로 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the ejection unit for ejecting the processing liquid onto the substrate placed on the spin head may include the above-described nozzle member and a fluid supply member for supplying the fluid to the nozzle member.

상기 유체 공급 부재는, 상기 노즐 부재로 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 유체 공급 부재는 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 조절하는 제어부를 포함할 수 있다.The fluid supply member may supply fluid to the nozzle member such that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure. According to one embodiment, the fluid supply member may include a control unit for regulating the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member.

일 실시 예에 따라, 제어부는 노즐 부재에 소정의 시간 동안 제1 유량으로 유체가 공급된 후, 제2 유량으로 변동되도록 유량을 제어하며, 제1 유량은 제2 유량보다 클 수 있다. 즉, 먼저 높은 유량으로 유체를 공급한 후, 낮은 유량으로 변동시킬 수 있다.According to one embodiment, the control unit controls the flow rate so as to be changed to the second flow rate after the fluid is supplied to the nozzle member at the first flow rate for a predetermined time, and the first flow rate may be larger than the second flow rate. That is, the fluid can be firstly supplied at a high flow rate, and then the fluid can be changed at a low flow rate.

도 7a 및 7b는 비교 예 및 본 발명의 실시 예에 따라 노즐 부재 내의 압력이 변화하는 것을 나타내는 그래프이다.7A and 7B are graphs showing that the pressure in the nozzle member varies according to the comparative example and the embodiment of the present invention.

도 7a는 일정한 양의 유량으로 유체를 공급하여 목표 압력에 도달하게 한 경우이며, 도 7b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 유체를 공급하여 목표 압력에 도달하게 한 경우를 나타낸다. 본 발명의 일 실시 예에 따라, 압력 상승 구간에서 유량을 일시적으로 높임으로써 목표 압력까지의 도달 시간을 감축시킬 수 있다(t1>t2).FIG. 7A shows a case where a predetermined amount of flow is supplied to reach a target pressure, and FIG. 7B shows a case where a fluid is supplied to reach a target pressure according to an embodiment of the present invention. According to one embodiment of the present invention, the arrival time to the target pressure can be reduced by temporarily increasing the flow rate in the pressure rising period (t 1 > t 2 ).

도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법을 설명하기 위한 그래프이다. 실선은 노즐 부재 내부 압력의 변화를 나타내며, 파선은 일 실시 예 따라 공급되는 유체의 유량을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 공급되는 유체의 유량은 유량의 변동 시점(tVAR)에서 변동될 수 있다.8 is a graph for explaining a fluid supply method according to an embodiment of the present invention. The solid line represents the change in the pressure inside the nozzle member, and the broken line represents the flow rate of the fluid supplied in one embodiment. As shown, the flow rate of the supplied fluid can be varied at the time point of change (t VAR ) of the flow rate.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법은, 제1 유량으로 유체를 공급한 후, 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급되는 유체의 유량을 변동시킬 수 있다. 유량을 변동시키는 시점(tVAR)은 조절될 수 있다.Referring to Fig. 8, the fluid supply method according to the embodiment of the present invention can change the flow rate of the fluid supplied at the second flow rate smaller than the first flow rate after supplying the fluid at the first flow rate. The time point at which the flow rate is varied (t VAR ) can be adjusted.

일 실시 예에 따라, 유량의 변동 시점(tVAR)은 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하기 전일 수 있다.According to one embodiment, the change time point t VAR of the flow rate may be before the internal pressure of the nozzle member reaches the target pressure.

또한, 일 실시 예에 따라 유량의 변동 시점(tVAR)은, 공급되는 유체의 유량이 제2 유량으로 변동된 후에도 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력을 초과하지 되도록 하는 시점으로 결정될 수 있다. 만약, 제1 유량에서 제2 유량의로 유량의 변동이 너무 늦게 이루어진다면 노즐 부재의 내부 압력이 지나치게 높아져 공정을 저해할 수 있다. 따라서, 일 실시 예에 따라 내부 압력이 목표 압력을 초과하게 되지 않도록 제1 유량을 공급하는 시간을 결정할 수 있다.Further, according to one embodiment, the time point at which the flow rate changes (t VAR ) may be determined as a time point at which the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure even after the flow rate of the supplied fluid is changed to the second flow rate. If the variation of the flow rate from the first flow rate to the second flow rate is made too late, the internal pressure of the nozzle member becomes excessively high, which may hinder the process. Thus, according to one embodiment, it is possible to determine the time to supply the first flow rate so that the internal pressure does not exceed the target pressure.

도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법(500)의 예시적인 흐름도이다.Figure 9 is an exemplary flow diagram of a fluid supply method 500 according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 일 실시 예에 따른 유체 공급 방법(500)은 노즐 부재에 제1 유량으로 유체를 공급하는 단계(S510), 및 공급되는 유체의 유량을 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 변동시키는 단계(S520), 및 노즐 부재 내부의 유체에 초음파 진동을 인가하여 유체를 토출하는 단계(S530)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, a fluid supply method 500 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a step S510 of supplying a fluid at a first flow rate to a nozzle member, and a step S510 of supplying a fluid at a second flow rate (S520), and discharging the fluid by applying ultrasonic vibration to the fluid inside the nozzle member (S530).

상기 유량을 변동시키는 단계(S520)에 있어서, 유량의 변동 시점은 노즐 부재의 내부 압력이 기설정된 목표 압력에 도달하기 전일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 유량의 변동 시점은 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력을 초과하게 되지 dskg도록 하는 값으로 결정될 수 있다.In the step of varying the flow rate (S520), the flow rate change point may be before the internal pressure of the nozzle member reaches a predetermined target pressure. According to one embodiment, the point of variation of the flow rate may be determined to be a value such that the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure dskg.

일 실시 예에 따라, 상기 유체 공급 방법(500)은 노즐 부재가 내부에 제공된 유로를 통해 흐르는 유체에 초음파 진동을 인가하여 유로와 연결된 토출구들을 통해 유체를 노즐 부재로부터 토출하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 유체 공급 방법(500)은 노즐 부재에 구비된 펌프에 의해 유동압을 제공하여 기판상으로 처리액을 분사하는 단계를 더 포함할 수도 있다.According to one embodiment, the fluid supply method 500 may further include the step of applying ultrasonic vibration to the fluid flowing through the flow path provided inside the nozzle member to discharge the fluid from the nozzle member through the discharge ports connected to the flow path have. According to one embodiment, the fluid supply method 500 may further include jetting the treatment liquid onto the substrate by providing a flow pressure by a pump provided in the nozzle member.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

1 : 기판 처리 설비
300 : 기판 처리 장치
400 : 노즐 부재
500 : 유체 공급 방법1: substrate processing equipment
300: substrate processing apparatus
400: nozzle member
500: fluid supply method

Claims (10)

기판상에 처리액을 공급하는 노즐 부재에 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 하는 유체 공급 방법에 있어서,
상기 노즐 부재에 제1 유량으로 유체를 공급하는 단계; 및
상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제2 유량으로 변동시키는 단계를 포함하며,
상기 제1 유량은 상기 제2 유량보다 크고,
상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제2 유량으로 변동시키는 단계에 있어서, 유량의 변동 시점은 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력에 도달하기 전인 유체 공급 방법.
A fluid supply method for supplying a fluid to a nozzle member for supplying a treatment liquid onto a substrate so that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure,
Supplying a fluid to the nozzle member at a first flow rate; And
And varying a flow rate of the fluid supplied to the nozzle member to a second flow rate,
Wherein the first flow rate is greater than the second flow rate,
Wherein the step of changing the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member to the second flow rate is before the internal pressure of the nozzle member reaches the target pressure.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량이 제2 유량으로 변동된 후에도 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력을 초과하지 않게 되도록, 상기 유량의 변동 시점이 결정되는 유체 공급 방법.
The method according to claim 1,
Wherein a time point at which the flow rate changes is determined so that the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure even after the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member is changed to the second flow rate.
제1 항에 있어서,
상기 유체 공급 방법은,
상기 노즐 부재가 그 내부에 제공된 유로를 통해 흐르는 유체에 초음파 진동을 인가하여 상기 유로와 연결된 토출구들을 통해 상기 유체를 상기 노즐 부재로부터 토출하는 단계를 더 포함하는 유체 공급 방법.
The method according to claim 1,
The fluid supply method includes:
Applying the ultrasonic vibration to the fluid flowing through the flow path provided in the nozzle member, thereby discharging the fluid from the nozzle member through the discharge ports connected to the flow path.
제1 항에 있어서,
상기 유체 공급 방법은,
상기 노즐 부재에 구비된 펌프에 의해 유동압을 제공하여 상기 기판 상으로 처리액을 분사하는 단계를 더 포함하는 유체 공급 방법.
The method according to claim 1,
The fluid supply method includes:
Further comprising the step of spraying the treatment liquid onto the substrate by providing flow pressure by a pump provided on the nozzle member.
기판 처리 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드;
상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 노즐 부재 및 상기 노즐 부재로 유체를 공급하여 상기 노즐 부재의 내부 압력이 목표 압력에 도달하도록 하는 유체 공급 부재를 갖는 분사유닛을 포함하며,
상기 유체 공급 부재는 공급되는 유체의 유량을 조절하는 제어부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 노즐 부재에 소정의 시간동안 제1 유량으로 유체가 공급된 후 제2 유량으로 변동되도록 제어하며, 상기 제1 유량은 상기 제2 유량보다 크고,
상기 제어부는,
상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량을 제1 유량에서 제2 유량으로 변동시킴에 있어서, 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력에 도달하기 전에 변동되도록 유량의 변동 시점을 제어하는 기판 처리 장치.
In the substrate processing apparatus,
A housing for providing a space for processing the substrate therein;
A spin head for supporting and rotating the substrate within the housing;
And a jetting unit having a nozzle member for jetting the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head and a fluid supply member for supplying a fluid to the nozzle member so that an internal pressure of the nozzle member reaches a target pressure,
Wherein the fluid supply member further comprises a control unit for adjusting a flow rate of the supplied fluid,
Wherein the control unit controls the nozzle member to be changed to a second flow rate after the fluid is supplied at a first flow rate for a predetermined time, the first flow rate being larger than the second flow rate,
Wherein,
And controls the time point at which the flow rate changes so that the internal pressure of the nozzle member is varied before reaching the target pressure in varying the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member from the first flow rate to the second flow rate.
제6 항에 있어서,
상기 노즐 부재는 펌프를 포함하며, 상기 펌프에 의해 유동압을 제공하여 상기 기판 상으로 처리액을 분사하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the nozzle member comprises a pump and provides flow pressure by the pump to spray the process liquid onto the substrate.
제7 항에 있어서,
상기 노즐 부재는 그 내부에 제공된 유로를 통해 흐르는 처리액에 초음파 진동을 인가하여 상기 유로와 연결된 토출구들을 통해 상기 처리액을 상기 노즐 부재로부터 토출하는 기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the nozzle member applies ultrasonic vibration to a processing solution flowing through a flow path provided in the nozzle member to discharge the processing solution from the nozzle member through discharge ports connected to the flow path.
삭제delete 제8 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 노즐 부재에 공급되는 유체의 유량이 제2 유량으로 변동된 후에도 상기 노즐 부재의 내부 압력이 상기 목표 압력을 초과하지 않게 되도록, 상기 유량의 변동 시점을 제어하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein,
And controls the time point at which the flow rate changes so that the internal pressure of the nozzle member does not exceed the target pressure even after the flow rate of the fluid supplied to the nozzle member is changed to the second flow rate.
KR1020160084857A 2016-07-05 2016-07-05 Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same KR101870654B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160084857A KR101870654B1 (en) 2016-07-05 2016-07-05 Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160084857A KR101870654B1 (en) 2016-07-05 2016-07-05 Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180005305A KR20180005305A (en) 2018-01-16
KR101870654B1 true KR101870654B1 (en) 2018-06-27

Family

ID=61066944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160084857A KR101870654B1 (en) 2016-07-05 2016-07-05 Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101870654B1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090035909A (en) * 2007-10-08 2009-04-13 세메스 주식회사 Method for controlling a pressure of chemical supplying apparatus
JP6105967B2 (en) * 2012-03-21 2017-03-29 株式会社日立国際電気 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program
KR102285832B1 (en) * 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 Apparatus and methods for treating substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180005305A (en) 2018-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101536722B1 (en) Method for treating substrate
KR101658969B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR101344921B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101842128B1 (en) Nozzle, Apparatus for treating a substrate with the same
KR20160008720A (en) Substrate treating apparatus and method
KR101654623B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
KR101870654B1 (en) Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same
KR102012207B1 (en) Liquid supplying unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20160005824A (en) Discharging unit, substrate treating apparatus
KR101641948B1 (en) Substrate treating apparatus and chemical nozzle
KR101870664B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20160141249A (en) Nozzle, Apparatus and method for treating a substrate with the same
KR20140144799A (en) Apparatus for treating substrate
KR101870666B1 (en) Substrate treating apparatus
KR102404086B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR101885566B1 (en) Vibration device, method for manufacturing the same, and apparatus for processing substrate including the same
KR102250359B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20140090588A (en) Method for treating substrate
KR101330319B1 (en) Injection unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20180007030A (en) Fluid supplying member, apparatus for processing substrate including the same, and method for controlling the same
KR102250358B1 (en) Discharging unit and substrate treating apparatus
KR20140144800A (en) Apparatus for treating substrate
KR102250360B1 (en) Substrate treating apparatus and method
US20160118241A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
KR102387276B1 (en) Substrate treating apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant