KR20160141237A - Method of multi sensing in superpixel and organic light emitting display device applying thereof - Google Patents

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Abstract

The present embodiments relate to a multi-sensing method in a super pixel, and an organic light emitting display device using the same. The present embodiments provide an organic light emitting display device including: a display panel having a plurality of super pixels disposed thereon, the plurality of super pixels each including two or more sub-pixels each having an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode; a gate driver connected to the display panel to apply a signal to a gate line; a data driver connected to the display panel to apply a first data voltage to a first sub-pixel of the super pixel and a second data voltage to a second sub-pixel of the super pixel, and to sense a first sensing voltage from a sensing line to which the first sub-pixel and the second sub-pixel are connected; and a timing controller for controlling the data driver and the gate driver.

Description

슈퍼픽셀에서의 다중 센싱 방법 및 이를 적용하는 유기발광표시장치{METHOD OF MULTI SENSING IN SUPERPIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE APPLYING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a multi-sensing method for super pixels, and an organic light-

본 실시예들은 슈퍼픽셀에서의 다중 센싱 방법 및 이를 적용하는 유기발광표시장치에 관한 것이다.The present embodiments relate to a method for multiple sensing in a super pixel and an organic light emitting display using the method.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device, 또는 유기전계발광표시장치) 등과 같은 다양한 표시장치가 활용되고 있다. 이러한 다양한 표시장치에는, 그에 맞는 표시패널이 포함된다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, there have been various demands for a display device for displaying images. Recently, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) Various display devices such as an organic light emitting display (OLED) and the like are being utilized. Such various display apparatuses include display panels corresponding thereto.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been spotlighted as a display device has a high response speed and an excellent contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED) There are advantages.

이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터전압을 전달해주는 스위칭 트랜지스터, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 캐패시터를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel of the organic light emitting display device is basically composed of a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor for transmitting the data voltage to the gate node of the driving transistor, And a capacitor that serves to maintain the capacitor.

한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 특성치를 갖는데, 이러한 특성치는 각 구동 트랜지스터마다 다를 수 있다.On the other hand, the driving transistors in each sub-pixel have characteristic values such as a threshold voltage and a mobility, and these characteristic values may be different for each driving transistor.

또한, 구동 트랜지스터는 구동 시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation) 되어 특성치가 변할 수 있는데, 이러한 열화 정도의 차이에 따라, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다.In addition, as the driving time becomes longer, the driving transistor is degraded and the characteristic value may be changed. Due to the difference in the degree of deterioration, a characteristic value deviation between the driving transistors may occur.

이러한 각 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차는 휘도 편차를 발생시켜 유기발광표시패널의 휘도 불균일을 야기한다. The deviation of the characteristic values between the driving transistors generates a luminance variation, causing non-uniformity of luminance of the OLED display panel.

이에, 구동 트랜지스터에 대한 특성치를 센싱하여 특정치 간의 편차를 보상해주는 기술이 개발되었다. 하지만, 표시장치의 크기가 증가하여 구동 트랜지스터의 숫자는 증가하고 구동 트랜지스터의 크기는 작아지면서 빠른 시간 내에 트랜지스터의 특성을 파악하는 센싱 시간이 증가하고, 센싱에 필요한 전압을 높여줘야 하는 문제가 발생하고 있다.Thus, a technique has been developed which senses the characteristic value of the driving transistor to compensate for the deviation between the specific values. However, as the size of the display device increases, the number of the driving transistors increases and the size of the driving transistor decreases, so that the sensing time for grasping the characteristics of the transistor increases in a short period of time and the voltage required for sensing is increased have.

본 실시예들의 목적은 표시패널을 구성하는 픽셀의 이동도를 효율적으로 보상하는 유기발광표시장치 및 다중센싱 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display device and a multiple sensing method which efficiently compensate the mobility of pixels constituting a display panel.

본 실시예들의 다른 목적은 하나의 게이트라인에 연결된 둘 이상의 서브픽셀에 데이터전압을 센싱하여 이동도를 보상하는 유기발광표시장치 및 다중센싱 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display and a multiple sensing method for compensating mobility by sensing a data voltage to two or more subpixels connected to one gate line.

본 실시예들의 또 다른 목적은 둘 이상의 서브픽셀에 센싱을 위한 데이터전압을 인가하여 센싱에 소요되는 데이터전압의 크기를 줄이는 유기발광표시장치 및 다중센싱 방법을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide an organic light emitting display and a method of multiple sensing that reduce the size of a data voltage required for sensing by applying a data voltage for sensing to two or more subpixels.

본 실시예들의 또 다른 목적은 하나의 서브픽셀에 센싱을 위한 데이터전압을 인가하며, 동일한 슈퍼픽셀 내의 다른 서브픽셀을 오프셋 서브픽셀로 사용하여 하나의 서브픽셀의 이동도를 보상하는 유기발광표시장치 및 다중센싱 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device which applies a data voltage for sensing to one subpixel and compensates for the mobility of one subpixel by using another subpixel in the same superpixel as an offset subpixel, And a method for multiple sensing.

본 실시예들의 또 다른 목적은 별도의 회로나 부품 없이도 데이터전압의 크기를 줄이면서도 이동도 보상을 위한 센싱 시간을 줄이는 유기발광표시장치 및 다중센싱 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a multiple sensing method which reduce the sensing time for mobility compensation while reducing the size of a data voltage without requiring additional circuits or components.

일 실시예는, 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 둘 이상의 서브픽셀을 포함하는 다수의 슈퍼픽셀이 배치된 표시패널, 표시패널에 연결되어 게이트라인에 신호를 인가하는 게이트 드라이버, 표시패널에 연결되어 슈퍼픽셀의 제1서브픽셀에 제1데이터전압 및 슈퍼픽셀의 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가하고 제1서브픽셀 및 제2서브픽셀이 연결된 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱하는 데이터 드라이버, 및 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다.One embodiment provides a display panel including a plurality of super pixels including two or more sub pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode, A gate driver connected to the display panel for applying a first data voltage to a first subpixel of the superpixel and a second data voltage to a second subpixel of the superpixel and applying a second data voltage to the sensing line connected to the first subpixel and the second subpixel, And a timing controller for controlling the data driver and the gate driver.

다른 실시예로, 유기발광다이오드와 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 둘 이상의 서브픽셀을 포함하는 다수의 슈퍼픽셀이 배치된 표시패널, 표시패널 상에서 제1방향으로 K개 배치된 센싱라인 및 M*K개 배치된 데이터라인, 표시패널 상에서 제2방향으로 N개 배치된 게이트라인, 게이트라인에 센싱을 위한 신호를 인가하는 게이트 드라이버, 상기 신호가 인가된 게이트라인에 연결되며 데이터라인 중 K개의 제1데이터라인에 연결된 K개의 제1서브픽셀 각각에 보상이 적용된 K개의 제1데이터전압을 인가하고, 데이터라인 중 K개의 제2데이터라인에 연결된 K개의 제2서브픽셀 각각에 K개의 제2데이터전압을 인가하고, K개의 센싱라인에서 제2서브픽셀 각각에 대한 제1센싱전압을 센싱하는 데이터 드라이버, 및 게이트라인 및 데이터 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a display panel including a plurality of super pixels including two or more sub-pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode, A gate driver for applying a signal for sensing to the gate line, a gate driver connected to the gate line to which the signal is applied, And applying K first data voltages compensated to each of K first subpixels connected to K first data lines and K first subpixels connected to K second data lines, A data driver for sensing a first sensing voltage for each of the second subpixels in the K sensing lines, It provides an OLED display including a timing controller for controlling the driver.

또다른 실시예로, 게이트 드라이버가 하나의 게이트라인에 센싱을 위한 신호를 인가하는 단계, 데이터 드라이버는 게이트라인에 연결되며 하나의 센싱라인에 연결된 제1서브픽셀에 제1데이터전압을 인가하고, 센싱라인에 연결된 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가하는 단계, 데이터 드라이버는 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱하는 단계, 데이터 드라이버 또는 타이밍 컨트롤러는 제1센싱전압을 이용하여 제2서브픽셀의 특성치를 보상하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치에서 다중 센싱 방법을 제공한다. In another embodiment, the gate driver applies a signal for sensing to one gate line, the data driver applies a first data voltage to a first sub-pixel connected to the gate line and connected to one sensing line, Applying a second data voltage to a second sub-pixel connected to the sensing line, the data driver senses a first sensing voltage at a sensing line, the data driver or timing controller uses a first sensing voltage to generate a second sub- And compensating a characteristic value of the organic light emitting display device.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 서브픽셀을 구성하는 트랜지스터의 이동도를 보상하기 위해 하나의 센싱라인에 연결된 둘 이상의 서브픽셀에 데이터전압을 인가하고 동시에 센싱하여 서브픽셀에 인가되는 데이터전압을 낮추는 효과를 제공한다. According to the embodiments of the present invention as described above, in order to compensate the mobility of transistors constituting the subpixel, a data voltage is applied to two or more subpixels connected to one sensing line, Thereby lowering the data voltage.

본 발명의 실시예에 의하면, 구동 트랜지스터의 크기 축소로 인한 센싱 시 데이터전압의 증가를 억제하여 데이터전압의 오버플로우를 방지하는 효과를 제공한다. According to the embodiment of the present invention, an increase in the data voltage at the time of sensing due to the size reduction of the driving transistor is suppressed, thereby preventing an overflow of the data voltage.

본 발명의 실시예에 의하면, 구동 트랜지스터의 크기 축소에도 데이터전압을 정상 범위내에서 인가할 수 있으므로, 이동도 보상의 정확도를 높이는 효과를 제공한다. According to the embodiment of the present invention, since the data voltage can be applied within the normal range even if the size of the driving transistor is reduced, the effect of increasing the accuracy of mobility compensation is provided.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 회로 및 서브픽셀 보상 회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 서브픽셀을 센싱함에 있어서 두 개의 서브픽셀에 데이터전압을 인가하는 구조를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱라인에 인가된 두 개의 센싱전압을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 데이터라인의 서브픽셀들을 센싱하는 유기발광표시장치를 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 멀티라인 센싱을 위하여 하나의 슈퍼픽셀 내의 두 개의 서브픽셀에 데이터전압을 인가하는 실시예를 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 각 센싱라인에서 멀티라인 센싱을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 슈퍼 픽셀 내에서 둘 이상의 서브픽셀을 오프셋 서브픽셀로 선택하여 센싱하는 실시예를 보여주는 도면이다.
도 13은 종래의 하나의 서브픽셀을 센싱하는 경우와 본 발명을 적용하여 오프셋 서브픽셀을 이용하여 센싱하는 경우의 데이터전압의 상승을 비교하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 서브픽셀의 색상 별로 싱글라인 센싱과 멀티라인 센싱을 진행하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 15은 본 발명의 일 실시예에 의한 블랭크 타임시 진행하는 이동도 센싱 과정을 보여주는 도면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱 과정에서의 전류와 전압 등의 관계를 보여주는 도면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광표시장치에서 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버가 멀티 센싱을 위한 신호 및 데이터전압을 인가하고 센싱하는 과정을 보여주는 도면이다.
1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a diagram illustrating a subpixel circuit and a subpixel compensation circuit of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the present embodiments.
4 and 5 are diagrams for explaining the principle of mobility sensing for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the present embodiments.
6 is a diagram illustrating a structure for applying a data voltage to two subpixels in sensing one subpixel according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating two sensing voltages applied to a sensing line according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating an organic light emitting display device for sensing subpixels of two data lines according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating an embodiment of applying a data voltage to two subpixels in one superpixel for multi-line sensing according to an exemplary embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating a process of performing multi-line sensing in each sensing line according to an embodiment of the present invention.
11 and 12 illustrate an embodiment in which two or more subpixels in one superpixel according to an exemplary embodiment of the present invention are selected and detected as offset subpixels.
FIG. 13 is a diagram comparing the rise of the data voltage in the case of sensing one conventional subpixel and the case of sensing using the offset subpixel according to the present invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating a process of performing single-line sensing and multi-line sensing for each color of sub-pixels according to an embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a flowchart illustrating a mobility sensing process performed during a blank time according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
16 is a graph showing a relationship between a current and a voltage in a sensing process according to an embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating a process of applying and sensing signals and data voltages for multi-sensing by a data driver and a gate driver in an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.FIG. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터라인(DL1~DLm) 및 다수의 게이트라인(GL1~GLn)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배치된 표시패널(110)과, 표시패널(110)의 상단 또는 하단에 연결되고 다수의 데이터라인(DL1~DLm)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트라인(GL1~GLn)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED display 100 according to the present embodiment includes a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn, A data driver 120 connected to the upper or lower end of the display panel 110 and driving a plurality of data lines DL1 to DLm; A timing controller 140 for controlling the data driver 120 and the gate driver 130, and the like.

도 1을 참조하면, 표시패널(110)에는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배치된다. Referring to FIG. 1, a plurality of subpixels SP are arranged in a matrix type on a display panel 110.

따라서, 표시패널(110)에는 다수의 서브픽셀 라인(Sub Pixel Line)이 존재하는데, 서브픽셀 라인은 서브픽셀 행(Sub Pixel Row)일 수도 있고, 서브픽셀 열(Sub Pixel Column)일 수도 있다. 아래에서는, 서브픽셀 행을 서브픽셀 라인으로 기재한다. Accordingly, a plurality of sub pixel lines exist in the display panel 110, and the sub pixel lines may be sub pixel rows or sub pixel columns. In the following, subpixel rows are described as subpixel lines.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터라인(DL1~DLm)으로 데이터전압을 공급함으로써, 다수의 데이터라인(DL1~DLm)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 소스 드라이버라고도 한다. 게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트라인(GL1~GLn)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트라인(GL1~GLn)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 스캔 드라이버라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL1 to DLm by supplying data voltages to the plurality of data lines DL1 to DLm. Here, the data driver 120 is also referred to as a source driver. The gate driver 130 sequentially drives the plurality of gate lines GL1 to GLn by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines GL1 to GLn. Here, the gate driver 130 is also referred to as a scan driver.

타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The timing controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The timing controller 140 starts scanning in accordance with the timing implemented in each frame and switches the input image data inputted from the outside according to the data signal format used by the data driver 120, And controls the data driving at a proper time according to the scan.

게이트 드라이버(130)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트라인(GL1~GLn)으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트라인(GL1~GLn)을 순차적으로 구동한다. The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to the plurality of gate lines GL1 to GLn in accordance with the control of the timing controller 140, (GL1 to GLn) sequentially.

게이트 드라이버(130)는, 구동 방식이나 패널 설계 방식 등에 따라서, 도 1에서와 같이, 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 양측에 위치할 수도 있다. 또한, 게이트 드라이버(130)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 1, the gate driver 130 may be located only on one side of the display panel 110 or on both sides depending on the driving method, the panel designing method, and the like. In addition, the gate driver 130 may include one or more gate driver integrated circuits (GDICs).

데이터 드라이버(120)는, 특정 게이트라인이 열리면, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터전압(Vdata)으로 변환하여 다수의 데이터라인(DL1~DLm)으로 공급함으로써, 다수의 데이터라인(DL1~DLm)을 구동한다. When the specific gate line is opened, the data driver 120 converts the image data Data received from the timing controller 140 into analog data voltages Vdata and supplies them to the plurality of data lines DL1 to DLm , And drives the plurality of data lines DL1 to DLm.

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 전술한 게이트 드라이버 집적회로 또는 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. Each of the gate driver integrated circuits or source driver integrated circuits may be connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method , And may be directly disposed on the display panel 110, or may be integrated and disposed on the display panel 110 as occasion demands.

각 소스 드라이버 집적회로는, 쉬프트 레지스터, 래치 회로 등을 포함하는 로직부와, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter)와, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있으며, 경우에 따라서, 서브픽셀의 특성(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압, 서브픽셀의 휘도 등)을 보상하기 위하여 서브픽셀의 특성을 센싱하기 위한 센싱부(도 3의 310)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit may include a logic portion including a shift register, a latch circuit, etc., a digital analog converter (DAC), an output buffer, and the like, (310 in FIG. 3) for sensing the characteristics of the subpixel in order to compensate for, for example, the threshold voltage and the mobility of the driving transistor, the threshold voltage of the organic light emitting diode, and the luminance of the subpixel) .

또한, 각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시패널(110)에 본딩된다. In addition, each source driver integrated circuit may be implemented by a chip on film (COF) method. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the display panel 110.

한편, 타이밍 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. On the other hand, the timing controller 140 includes a vertical synchronizing signal Vsync, a horizontal synchronizing signal Hsync, an input data enable (DE) signal, a clock signal CLK, and the like And receives various timing signals from the outside (e.g., the host system).

타이밍 컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data)를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The timing controller 140 may switch the input video data input from the outside in accordance with the data signal format used by the data driver 120 and output the converted video data Data, In order to control the driver 130, a timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal, and a clock signal is received to generate various control signals, And outputs it to the driver 130.

예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the timing controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE : Gate Output Enable), and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies the timing information of one or more gate driver ICs.

또한, 타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Souce Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. The timing controller 140 includes a source start pulse SSP, a source sampling clock SSC and a source output enable signal SOE to control the data driver 120. [ Output enable (DCS) data control signals.

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120.

도 1을 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다. 1, the timing controller 140 includes a source printed circuit board on which at least one source driver integrated circuit is bonded, a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC) May be disposed on a control printed circuit board (PCB) connected via a connection medium.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)로서, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 트랜지스터(DRT: Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. 각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다. The organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment is an organic light emitting display device in which each sub pixel SP includes an organic light emitting diode (OLED) And a transistor (DRT: Driving Transistor). The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.

한편, 유기발광표시장치(100)에서는, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 열화되고, 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변하게 된다. On the other hand, in the organic light emitting diode display 100, circuit elements such as the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT are deteriorated as the driving time of each subpixel SP becomes longer, Inherent characteristic values (e.g., threshold voltage, mobility, etc.) of the circuit elements such as the diode OLED and the driving transistor DRT are changed.

회로 소자 간의 특성치 변화 정도는 회로 소자 간의 열화 정도의 차이로 인해 서로 다를 수 있다. The degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different due to the difference in degree of deterioration between the circuit elements.

이러한 회로 소자의 특성치 편차로 인해, 각 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차가 발생할 수 있다. 이에 따라, 표시패널(110)의 휘도 균일도가 나빠져 화질이 저하될 수 있다.Due to such characteristic deviations of the circuit elements, a luminance deviation may occur between the sub-pixels SP. Accordingly, the luminance uniformity of the display panel 110 is deteriorated, and the image quality may be deteriorated.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀(SP) 간 회로 소자의 특성치 편차를 보상해주는 "서브픽셀 보상(Pixel Compensation) 기능"을 제공할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments can provide a "pixel compensation function" for compensating a characteristic value deviation of a circuit element between subpixels SP.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은 서브픽셀 특성치의 센싱과 서브픽셀 특성치 편차의 보상을 가능하게 하는 구조를 갖는다. In the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments, each subpixel SP has a structure capable of sensing the subpixel characteristic value and compensating for the subpixel characteristic value deviation.

또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 보상 기능을 제공하여 위하여, 서브픽셀 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구성과, 센싱 구성의 센싱 결과를 이용하여 각 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주기 위한 보상 구성을 포함할 수 있다. In addition, the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention includes a sensing configuration for sensing a sub-pixel characteristic value to provide a sub-pixel compensation function, a sensing configuration for sensing a characteristic value deviation between sub- To compensate for < / RTI >

여기서, 서브픽셀 특성치는, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 등의 특성치, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도 등의 특성치 등을 포함할 수 있다. 아래에서는, 서브픽셀 특성치로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도를 예로 든다. Here, the subpixel characteristic value may include, for example, a characteristic value such as a threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, a threshold voltage of the driving transistor DRT, a characteristic value such as mobility, and the like. In the following, the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT are exemplified as the sub-pixel characteristic values.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 회로 및 서브픽셀 보상 회로를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a subpixel circuit and a subpixel compensation circuit of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 2에서 서브픽셀 회로(201)를 먼저 살펴본다. 서브픽셀은 i번째 데이터라인(DLi, 1≤i≤m)으로부터 데이터전압(Vdata)을 공급받는 임의의 서브픽셀로서, 서브픽셀 특성치의 센싱과 서브픽셀 특성치 편차의 보상을 가능하게 하는 구조로 되어 있다. 2, the sub-pixel circuit 201 will be described first. The subpixel is a subpixel that receives the data voltage (Vdata) from the i-th data line (DLi, 1? I? M), and is capable of sensing the subpixel characteristic value and compensating for the subpixel characteristic value deviation have.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED)와 이를 구동하기 위한 구동 회로로 되어 있다. Referring to FIG. 2, each sub-pixel of the OLED display 100 according to the present embodiment includes an organic light emitting diode (OLED) and a driving circuit for driving the organic light emitting diode OLED.

구동 회로는 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor), 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor), 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함할 수 있다. The driving circuit may include a driving transistor DRT, a switching transistor SWT, a sensing transistor SENT, and a storage capacitor Cst.

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동하며, 구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)와 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL) 사이에 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)는 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 제1노드(N1), 게이트 노드에 해당하는 제2노드(N2), 드레인 노드 또는 소스 노드에 해당하는 제3노드(N3)를 갖는다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT is driven to supply the driving voltage EVDD with the organic light emitting diode OLED. Voltage lines (DVL). The driving transistor DRT has a first node N1 corresponding to a source node or a drain node, a second node N2 corresponding to a gate node, and a third node N3 corresponding to a drain node or a source node.

스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터라인(DLi)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호(SCAN)를 인가받아 턴 온 된다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴 온 되어 데이터라인(DLi)으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 전달해준다. The switching transistor SWT is connected between the data line DLi and the second node N2 of the driving transistor DRT and is turned on by receiving the scan signal SCAN to the gate node. The switching transistor SWT is turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DLi to the second node N2 of the driving transistor DRT.

센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준전압(VREF)을 공급하는 기준전압 라인(RVL) 사이에 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가받아 턴 온 된다. 센싱 트랜지스터(SENT)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴 온 되어 기준전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준전압(VREF)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가해준다. 또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는 센싱 구성이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 센싱 경로로서의 역할도 해줄 수 있다. The sensing transistor SENT is connected between a first node N1 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage VREF and supplies a sensing signal SENSE ) And is turned on. The sensing transistor SENT is turned on by the sensing signal SENSE to apply the reference voltage VREF supplied through the reference voltage line RVL to the first node N1 of the driving transistor DRT. Also, the sensing transistor SENT can also serve as a sensing path so that the sensing configuration can sense the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT.

한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 다른 게이트라인을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. The scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through another gate line.

경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 신호로서, 동일한 게이트라인을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same signal and may be respectively applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through the same gate line.

한편 서브픽셀(210)의 보상을 위한 구성요소들을 살펴보면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 특성치를 센싱하기 위하여 센싱부(310)와, 센싱부(310)의 센싱 결과를 저장하는 메모리(320)와, 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주기 위한 보상부(330)를 포함할 수 있다. 일 예로, 센싱부(310)는 소스 드라이버 집적회로에 포함될 수 있고, 보상부(330)는 타이밍 컨트롤러(140)에 포함될 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiment includes a sensing unit 310 for sensing a subpixel characteristic value and a sensing unit 310 for sensing a subpixel characteristic of the sensing unit 310. [ A memory 320 for storing the result, and a compensation unit 330 for compensating for the deviation of the sub-pixel property value. For example, the sensing unit 310 may be included in the source driver integrated circuit, and the compensating unit 330 may be included in the timing controller 140.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 구동을 제어하기 위하여, 즉, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 인가 상태를 서브픽셀 특성치 센싱에 필요한 상태로 제어하기 위하여, 스위치(SW)를 더 포함할 수 있다. 이 스위치(SW)를 통해, 기준전압 라인(RVL)의 일 단(Nc)은 기준전압 공급노드(Na) 또는 센싱부(310)의 노드(Nb)와 연결될 수 있다. The organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment is configured to control the driving of the driving transistor DRT within the subpixel SP by controlling the voltage application state of the first node N1 in the subpixel SP, And may further include a switch SW for controlling the state necessary for sensing. One end Nc of the reference voltage line RVL may be connected to the reference voltage supply node Na or the node Nb of the sensing unit 310 through the switch SW.

기준전압 라인(RVL)은, 기본적으로는, 기준전압(VREF)을 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 공급해주는 라인이다. 한편, 기준전압 라인(RVL)에는 라인 캐패시터(Cline)가 형성되는데, 센싱부(310)는 필요한 시점에 기준전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압을 센싱한다. 따라서, 아래에서는, 기준전압 라인(RVL)을 센싱라인이라고도 기재한다. The reference voltage line RVL is basically a line for supplying the reference voltage VREF to the first node N1 of the driving transistor DRT via the sensing transistor SENT. Meanwhile, a line capacitor Cline is formed in the reference voltage line RVL. The sensing unit 310 senses a voltage charged in the line capacitor Cline on the reference voltage line RVL at a necessary time. Therefore, in the following, the reference voltage line RVL is also referred to as a sensing line.

이러한 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. The reference voltage lines RVL may be arranged, for example, one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, if one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), one pixel may be arranged for each one pixel column.

센싱부(310)는 다수 서브픽셀 라인 중에서 센싱 구동이 이루어지는 센싱 서브픽셀 라인(SSPL: Sensing Sub Pixel Line) 상의 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 전기적으로 연결된 센싱라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱값을 출력함으로써, 센싱 처리를 수행할 수 있다. The sensing unit 310 includes a sensing line electrically connected to a first node N1 of a driving transistor DRT in a sub-pixel on a sensing sub-pixel line (SSPL) in which sensing driving is performed among a plurality of sub- RVL), and outputs a sensing value, thereby performing the sensing process.

센싱부(310)는, 센싱라인(RVL)으로 흐르는 전류에 의해 센싱라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압을 센싱할 수 있다. The sensing unit 310 can sense the voltage charged in the line capacitor Cline on the sensing line RVL by the current flowing to the sensing line RVL.

여기서, 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압은 센싱라인(RVL)의 전압이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(문턱전압, 이동도) 성분을 반영하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 나타낸다. Here, the voltage charged in the line capacitor Cline is the voltage of the sensing line RVL, and the first node N1 of the driving transistor DRT, which reflects the characteristic value (threshold voltage, mobility) ).

센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 라인 캐패시터(Cline)에 저장해두고, 센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 직접 센싱하는 것이 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 저장하고 있는 라인 캐패시터(Cline)의 충전 전압을 센싱하기 때문에, 센싱 트랜지스터(SENT)의 턴 오프 시에도, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있다. The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is stored in the line capacitor Cline and the sensing unit 310 changes the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT directly Sensing the charging voltage of the line capacitor Cline storing the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT and not sensing the charging voltage of the driving transistor DRT even when the sensing transistor SENT is turned off, DRT) of the first node N1.

각 서브픽셀은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱을 위해 구동될 수도 있고 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱을 위해 구동될 수도 있다. Each sub-pixel may be driven for threshold voltage sensing of the driving transistor DRT and for driving the driving transistor DRT.

이에 따라, 센싱부(310)에서 센싱되는 센싱값은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위한 센싱값일 수도 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱값일 수도 있다. The sensing value sensed by the sensing unit 310 may be a sensing value for sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT or a sensing value for sensing the mobility of the driving transistor DRT. have.

서브픽셀이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱을 위해 구동되는 경우, 이러한 문턱전압 센싱 구동에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각은 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)과 기준전압(VREF)으로 초기화되고, 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하게 되고, 일정 시간이 지나면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 포화된다. When the subpixel is driven for the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT, in accordance with this threshold voltage sensing driving, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, respectively, The first node N1 of the driving transistor DRT is floated so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes equal to the reference voltage VREF The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes saturated.

이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화된 전압(Vdata-Vth)은 센싱라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)에 충전된다. At this time, the saturated voltage Vdata-Vth of the first node N1 of the driving transistor DRT is charged in the line capacitor Cline on the sensing line RVL.

센싱부(310)는 센싱 타이밍(샘플링 타이밍)이 되면, 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압을 센싱한다. 이때, 센싱된 전압(Vsense)은 데이터전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 전압에 해당한다. The sensing unit 310 senses the voltage charged in the line capacitor Cline when the sensing timing (sampling timing) is reached. At this time, the sensed voltage Vsense corresponds to a voltage obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT from the data voltage Vdata.

서브픽셀이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱을 위해 구동되는 경우, 이러한 이동도 센싱 구동에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각은 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)과 기준전압(VREF)으로 초기화되고, 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)가 모두 플로팅되어 전압이 상승한다. When the subpixel is driven for the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are driven by the threshold voltage sensing The driving data voltage Vdata and the reference voltage VREF are initialized and then the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT both float and the voltage rises.

이때, 전압 상승 속도(시간에 대한 전압 상승치의 변화량)는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도를 나타낸다. 따라서, 전류 능력(이동도)가 큰 구동 트랜지스터(DRT)일수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 더욱 가파르게 상승한다.At this time, the voltage rising rate (the amount of change in the voltage rising value with respect to time) indicates the current capability, i.e., mobility, of the driving transistor DRT. Therefore, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT increases more sharply as the driving transistor DRT having a larger current capability (mobility) is.

이러한 전압 상승에 따라 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 센싱라인(RVL)으로 흐르는 전류에 의해 센싱라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)가 충전된다. The line capacitor Cline on the sensing line RVL is charged by the current flowing to the sensing line RVL through the driving transistor DRT in accordance with the voltage rise.

센싱부(310)는 센싱라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압(Vsense)을 센싱한다. The sensing unit 310 senses the voltage Vsense charged in the line capacitor Cline on the sensing line RVL.

메모리(320)는 미리 정해진 센싱 서브픽셀 라인 개수(N)만큼의 센싱 서브픽셀 라인(SSPL)별 센싱값을 저장할 수 있다.The memory 320 may store a sensing value for each sensing sub-pixel line SSPL by a predetermined number N of sensing sub-pixel lines.

미리 정해진 센싱 서브픽셀 라인 개수(N)는, 메모리(320)의 가용 용량 등에 따라, 표시패널(110)에 존재하는 모든 서브픽셀 라인의 개수와 동일할 수 있고, 모든 서브픽셀 라인의 개수보다 적을 수도 있다. The predetermined number N of sensing subpixel lines may be equal to the number of all subpixel lines existing in the display panel 110 in accordance with the usable capacity of the memory 320 or the like, It is possible.

아래에서, 미리 정해진 센싱 서브픽셀 라인 개수(N)는, 모든 서브픽셀 라인의 개수보다 적은 경우로 한정하여 설명한다. 예시적으로는, 센싱 서브픽셀 라인 개수(N)가 35개인 것으로 예시적으로 설명한다. In the following description, the predetermined number N of sensing subpixel lines is limited to the case where the number is less than the number of all subpixel lines. Illustratively, the number of sensing subpixel lines (N) is illustratively 35.

예를 들어, 유기발광표시장치(100)가 RWGB 픽셀 구조이고 1920×1080 해상도인 경우(즉, m=4×1920, n=1080)일 때, 1080개의 서브픽셀 라인 중에서 35개의 서브픽셀 라인만을 센싱 서브픽셀 라인으로서 센싱한다. For example, when the organic light emitting diode display 100 has an RWGB pixel structure and has a resolution of 1920 x 1080 (i.e., m = 4 x 1920, n = 1080), only 35 sub- Sensing sub-pixel line.

보상부(330)는 메모리(320)에 저장된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도)를 파악하여 특성치 보상 처리를 수행할 수 있다. The compensation unit 330 can perform property value compensation processing by grasping a characteristic value (e.g., threshold voltage, mobility) of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel based on the sensing value stored in the memory 320. [

여기서, 특성치 보상 처리는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있으며, 또는 이 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 전술한 특성치 보상 처리 기능은 데이터 드라이버 또는 타이밍 컨트롤러 중 어느 하나에서 제공할 수 있다.The characteristic value compensation process may include threshold voltage compensation processing for compensating a threshold voltage of the driving transistor DRT and mobility compensation processing for compensating mobility of the driving transistor DRT, . ≪ / RTI > The above-described characteristic value compensation processing function can be provided by either the data driver or the timing controller.

문턱전압 보상 처리는 문턱전압을 보상하기 위한 보상값(문턱전압 보상값)을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(320)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. In the threshold voltage compensation process, a compensation value (threshold voltage compensation value) for compensating the threshold voltage is calculated, the calculated compensation value is stored in the memory 320, or the corresponding video data Data is changed with the calculated compensation value Processing.

이동도 보상 처리는 이동도를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(320)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process may include a process of calculating a compensation value for compensating the mobility, storing the calculated compensation value in the memory 320, or changing the corresponding image data Data with the calculated compensation value .

보상부(330)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 소스 드라이버 집적회로로 공급해줄 수 있다. The compensation unit 330 may change the image data Data through the threshold voltage compensation process or the mobility compensation process and supply the changed data to the source driver integrated circuit.

이때, 소스 드라이버 집적회로 내 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter, 300)가 아날로그 전압에 해당하는 데이터전압(Vdata)으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 적용된다. At this time, a digital analog converter (DAC) 300 in the source driver integrated circuit converts the data voltage Vdata corresponding to the analog voltage and supplies the converted data voltage to the corresponding subpixel so that characteristic value compensation (threshold voltage compensation, mobility compensation ) Is actually applied.

전술한 보상부(330)를 통해, 구동 트랜지스터의 특성치를 보상해주어, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줄 수 있다. Through the compensator 330 described above, the characteristic value of the driving transistor can be compensated to reduce or prevent the luminance deviation between the subpixels.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 보상하기 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Threshold Voltage, Vth)을 센싱하는 원리를 도 3을 참조하여 간략하게 설명한다. 이어서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 보상하기 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도(Mobilit)를 센싱하는 원리를 도 4를 참조하여 간략하게 설명한다. Hereinafter, the principle of sensing the threshold voltage (Vth) of the driving transistor DRT in order to compensate for the threshold voltage deviation between the driving transistors DRT will be briefly described with reference to FIG. Next, the principle of sensing the mobility of the driving transistor DRT in order to compensate for the mobility deviation between the driving transistors DRT will be briefly described with reference to FIG.

전술한 센싱부(310)는 아날로그 전압값을 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)로 포함하여 구현될 수 있다. The sensing unit 310 may be implemented as an analog digital converter (ADC) for converting an analog voltage value into a digital value.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다. 단, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 소스 노드인 것으로 가정한다. 문턱전압 센싱 원리를 간단하게 설명하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1)의 전압(Vs)이 게이트 노드(N2)의 전압(Vg)을 팔로잉(Following) 하는 소스 팔로잉(Source Following) 동작을 하도록 만들어 주고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1)의 전압(Vs)이 포화한 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1)의 전압(Vs)을 센싱전압(Vsense)으로서 센싱한다. 이때 센싱된 센싱전압(Vsense)을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변동을 파악할 수 있다. 3 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the present embodiments. However, it is assumed that the first node N1 of the driving transistor DRT is the source node. The voltage Vs of the source node N1 of the driving transistor DRT is controlled by the source follower which follows the voltage Vg of the gate node N2 The voltage Vs of the source node N1 of the driving transistor DRT is set to the sensing voltage Vsense after the voltage Vs of the source node N1 of the driving transistor DRT becomes saturated. As shown in Fig. At this time, the threshold voltage variation of the driving transistor DRT can be grasped based on the sensed sensing voltage Vsense.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은, 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프(Turn-Off) 될 때까지 기다려야 하므로 센싱 속도가 느리다는 특징이 있다. 따라서, 문턱전압 센싱 모드를 슬로우 모드(S-Mode)라고도 한다. The threshold voltage sensing of the driving transistor DRT is characterized in that the sensing speed is slow because it must wait until the driving transistor DRT is turned off. Therefore, the threshold voltage sensing mode is also referred to as a slow mode (S-Mode).

구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2)에 인가된 전압(Vg)은 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에서 공급된 데이터전압(Vdata)이다. 전술한 구동 트랜지스터의 문턱전압 또는 이동도를 보상하는 특성치 보상은 데이터 드라이버 또는 타이밍 컨트롤러 중 어느 하나 이상에서 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The voltage Vg applied to the gate node N2 of the driving transistor DRT is the data voltage Vdata supplied from the corresponding source driver IC SDIC. The characteristic value compensation for compensating the threshold voltage or the mobility of the driving transistor may be performed by any one of the data driver and the timing controller, but the present invention is not limited thereto.

도 4 및 도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다. 4 and 5 are diagrams for explaining the principle of mobility sensing for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 4에서 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 원리를 간단하게 설명하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2)에 데이터전압(Vdata)에 일정 전압(φ)를 더해진 전압을 인가해준다. 여기서, 일정 전압(φ)은 문턱전압 보상값에 해당하는 전압이다. 4, the principle of the mobility sensing for the driving transistor DRT will be briefly described. A voltage obtained by adding a constant voltage? To the data voltage Vdata is applied to the gate node N2 of the driving transistor DRT. Here, the constant voltage? Is a voltage corresponding to the threshold voltage compensation value.

이렇게 해서 일정 시간 동안 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압의 양(△V)을 통해서, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류능력(즉, 이동도)을 상대적으로 파악할 수 있고, 이를 통해 보상을 위한 보정 게인(Gain)을 구해낸다. Thus, the current capability (i.e., mobility) of the driving transistor DRT can be relatively grasped through the amount of voltage (? V) charged in the line capacitor Cline for a predetermined period of time, Gain is obtained.

이러한 이동도 센싱은 구동 트랜지스터(DRT)가 기본적으로 턴-온(Turn-On) 되어 있으므로, 센싱 속도가 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 이동도 센싱 모드를 패스트 모드(F-Mode)라고도 한다. This mobility sensing is characterized in that the sensing speed is fast because the driving transistor DRT is basically turned on. Therefore, the mobility sensing mode is also referred to as a fast mode (F-Mode).

전술한 이동도 센싱을 통한 이동도 보상은, 화면 구동 시 일정 시간을 할애하여 진행될 수 있다. 이렇게 함으로써 실시간으로 변동되는 구동 트랜지스터(DRT)의 파라미터를 센싱하고 보상할 수 있다. The mobility compensation through the above-described mobility sensing can be performed by allocating a predetermined time during the screen driving. By doing so, the parameters of the driving transistor DRT varying in real time can be sensed and compensated.

도 5는 이동도 센싱 구동 시, 센싱 시간에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 이동도 센싱을 위해, 센싱부(310)에 의해 센싱된 센싱값은 디지털 값으로 변환된다. 5 is a graph showing the voltage change of the first node N1 of the driving transistor DRT according to the sensing time during the mobility sensing operation. For sensing the mobility, the sensing value sensed by the sensing unit 310 is converted to a digital value.

센싱부(310)는 m [V]에 대응되는 디지털 값(0)에서 M [V]에 대응되는 디지털 값(1023)까지의 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)를 갖는다. The sensing unit 310 has an analog-to-digital conversion range (ADC Range) from a digital value (0) corresponding to m [V] to a digital value 1023 corresponding to M [V].

표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에 대한 센싱값은 어떠한 분포(500)를 갖는다. 이 분포(500)는 표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 분포와 대응된다.The sensing values for all the subpixels in the display panel 110 have any distribution 500. This distribution 500 corresponds to the distribution of the mobility of the driving transistor DRT in all subpixels in the display panel 110. [

만약, 어떠한 서브픽셀에서 센싱된 센싱값(X [V])이 참조값(REF_TARGET)과 차이가 나는 경우, 보상부(320)는 그 차이에 해당하는 보상값으로 원래의 데이터를 변경하여 이동도 보상이 이루어지도록 해줄 수 있다. If the sensing value X [V] sensed in any sub-pixel differs from the reference value REF_TARGET, the compensating unit 320 changes the original data to a compensation value corresponding to the difference, Can be achieved.

한편, 고해상도 모델에서 픽셀 크기는 줄어들며, 개구율 확보를 위해 구동 트랜지스터의 크기를 최소화하게 되는데 이는 전류 능력의 감소로 전술한 이동도 센싱 시간이 길어지는 현상이 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위해서는, 예를 들어 짧은 시간 내에 이동도 보상을 위한 센싱을 진행하기 위해서는 서브픽셀에 인가되는 Vdata를 높여야 하는데, 이는 다시 문턱전압(Vth) 보상 마진의 감소로 이어져 불량 발생의 원인이 될 수 있다. 도 5를 예로 들 경우, 백색 서브픽셀만 센싱할 경우, 백색 서브픽셀의 문턱전압 보상값(Φ)과 Vdata를 더한 값이 데이터 드라이버 IC가 출력할 수 있는 전압의 범위보다 높을 수 있다(Vdata + Φ > D-IC 출력 범위). On the other hand, in the high-resolution model, the pixel size is reduced and the size of the driving transistor is minimized in order to secure the aperture ratio. This may result in a longer sensing time due to the decrease of the current capability. In order to solve this problem, for example, in order to carry out sensing for mobility compensation within a short time, Vdata applied to the subpixel must be increased, which leads to reduction of the threshold voltage (Vth) compensation margin, . 5, when only the white subpixels are sensed, a value obtained by adding Vdata and the threshold voltage compensation value? Of the white subpixel may be higher than the range of voltages that the data driver IC can output (Vdata + Φ> D-IC output range).

뿐만 아니라, 블랭크 타임에서 진행하는 이동도 센싱 및 보상의 과정이 표시패널의 대형화가 되면서 센싱해야 할 라인이 증가하여 전체 패널에 대해 이동도 센싱을 하는 시간이 증가한다는 문제가 있다. 이는 Vdata를 높여줘야 함에서 발생하는 문제이기도 하다. In addition, as the process of sensing and compensating mobility progressing in the blank time increases the size of the display panel, the number of lines to be sensed increases, and the time required to perform the mobility sensing for the entire panel increases. This is also a problem that needs to be raised in Vdata.

이하, 본 발명에서는 대면적의 표시패널에서도 이동도 보상을 수행하는 과정에서 Vdata를 낮추면서 센싱 속도를 높이는 방안에 대해 살펴본다. 이를 위해 하나의 센싱라인에 연결된 서브픽셀들 중 하나의 서브픽셀의 데이터 라인에 센싱 구동을 위한 데이터전압을 인가하는 경우를 싱글라인 센싱이라고 하며, 하나의 센싱라인에 연결된 서브픽셀 중 둘 이상의 서브픽셀의 데이터라인에 센싱 구동을 위한 데이터전압을 인가하는 경우를 멀티라인 센싱이라고 한다. Hereinafter, a method of increasing the sensing speed while lowering the Vdata in the process of compensating mobility even in a large-sized display panel will be described. For this purpose, a case in which a data voltage for sensing driving is applied to a data line of one subpixel among the subpixels connected to one sensing line is referred to as a single line sensing, and a case where two or more subpixels The case of applying the data voltage for the sensing drive to the data line of FIG.

보다 상세히, 하나의 센싱라인을 공유하는 서브픽셀들 사이에서 하나의 서브픽셀을 전류 소스(current source)로 동작하도록 한다. 일 실시예로, 1 슈퍼픽셀(Super-Pixel) 내에서 실제로 센싱할 서브 픽셀 외 1개의 서브 픽셀의 구동 트랜지스터(DR TFT)를 일정한 전류를 흐르게 하는 전류 소스(Current Source)로 동작하게 하여 VREF 값에 오프셋(OFF-SET)을 주어 실제 센싱하는 Vdata 전압을 낮출 수 있게 된다. 즉, 하나의 서브픽셀을 센싱하는데 필요한 데이터전압을 동일한 센싱라인을 공유하는 서브픽셀이 인가된 데이터전압을 이용하여 오프셋 전압으로 제공한다.More specifically, it allows one subpixel to operate as a current source between subpixels sharing one sensing line. In one embodiment, the driving transistor (DR TFT) of one sub pixel other than the sub pixel to be actually sensed in one super pixel operates as a current source that allows a constant current to flow, and the VREF value (OFF-SET) to reduce the Vdata voltage which is actually sensed. That is, a data voltage required to sense one subpixel is provided as an offset voltage using a data voltage applied to a subpixel sharing the same sensing line.

본 발명의 일 실시예에서는 동일한 센싱라인에 연결된 두 개의 서브픽셀 중 어느 하나의 서브픽셀을 센싱함에 있어서, 다른 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 전류원으로 사용하여 서브픽셀 센싱에 필요한 데이터전압을 낮출 수 있다.In one embodiment of the present invention, in sensing one of the two subpixels connected to the same sensing line, the driving transistor of the other subpixel may be used as a current source to lower the data voltage required for the subpixel sensing.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 서브픽셀을 센싱함에 있어서 두 개의 서브픽셀에 데이터전압을 인가하는 구조를 보여주는 도면이다. 6 is a diagram illustrating a structure for applying a data voltage to two subpixels in sensing one subpixel according to an embodiment of the present invention.

도 6에서 이동도 보상이 완료된 제1서브픽셀(610)에 제1전압의 데이터전압을 인가한다. 제1전압은 제1서브픽셀(610)의 문턱전압 보상값 또는 이동도 보상값 중 어느 하나 이상을 적용한 Vdata + Φ_1을 기준으로 일정한 비율의 데이터전압 Vdata_offset이 인가된다. 한편, 센싱을 할 제2서브픽셀(620)에는 이전의 이동도 보상에 의한 또는 문턱전압 보상값 중 어느 하나 이상을 적용한 Φ_2가 더해진 제2전압의 데이터전압인 Vdata + Φ_2를 기준으로 일정한 비율의 데이터전압 Vdata_main이 인가된다. 여기서 전류 소스 없이 제2서브픽셀(620)을 센싱하기 위해 인가해야 하는 데이터전압이 Vdata_sin이라 할 때, 다음과 같은 관계를 가진다. The data voltage of the first voltage is applied to the first subpixel 610 whose mobility compensation is completed in FIG. The first voltage is applied with a constant data voltage Vdata_offset based on Vdata +? 1 applied with at least one of the threshold voltage compensation value or the mobility compensation value of the first subpixel 610. [ On the other hand, the second subpixel 620 to be sensed has a constant ratio Vdata +? _2 based on the data voltage Vdata +? _2 of the second voltage to which? 2 applied by the previous mobility compensation or the threshold voltage compensation value is added The data voltage Vdata_main is applied. Assuming that the data voltage to be applied to sense the second subpixel 620 without a current source is Vdata_sin, the following relationship holds.

[수학식 1][Equation 1]

Vdata_sin = Vdata_offset + Vdata_main Vdata_sin = Vdata_offset + Vdata_main

Vdata_offset = (Vdata + Φ_1) * offset_percentageVdata_offset = (Vdata +? 1) * offset_percentage

Vdata_main = (Vdata + Φ_2) * main_percentageVdata_main = (Vdata +? 2) * main_percentage

여기서, Vdata는 센싱 구동시 인가되는 데이터전압이며, 여기에 각 서브픽셀의 이동도 또는 문턱전압 보상값인 Φ_1, Φ_2가 반영된다. 그리고 offset_percentage는 이동도 보상을 위해 제1서브픽셀(610)을 어느 정도의 전류 소스로 이용할 것인지를 나타낸다. 예를 들어, 제2서브픽셀(620)을 싱글라인 센싱할 경우 인가해야 할 Vdata가 4V인 경우, Vdata_offset을 1V로, Vdata_main을 3V로 인가할 수 있다. 이 경우 offset_percentage는 0.25가 되며, main_percentage는 0.75가 된다. Here, Vdata is a data voltage applied during sensing driving, and the mobility of each subpixel or the threshold voltage compensation values? 1 and? 2 are reflected. And offset_percentage indicates how much current source the first subpixel 610 is used for mobility compensation. For example, when the Vdata to be applied when single-line sensing the second subpixel 620 is 4V, Vdata_offset can be set to 1V and Vdata_main to 3V. In this case, offset_percentage is 0.25 and main_percentage is 0.75.

그리고, 센싱라인에서 두 서브픽셀(610, 620)로부터 센싱라인에서 센싱되는 전압은 두 개의 전압, 즉 제1서브픽셀(610)에서 센싱되는 제1센싱전압인 Vref_offset와 제2서브픽셀(620)에서 센싱되는 제2센싱전압인 Vref_main이 더해져서 센싱라인에서 센싱된다. The voltage sensed in the sensing line from the two subpixels 610 and 620 in the sensing line is divided into two voltages Vref_offset and Vref_offset which are sensed by the first subpixel 610 and the second subpixel 620, Vref_main, which is the second sensing voltage sensed in the sensing line, is added and sensed in the sensing line.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱라인에 인가된 두 개의 센싱전압을 보여주는 도면이다. 센싱라인에서 센싱되는 전압인 Vref는 두 개의 전압, 즉 제1서브픽셀(610)에서 센싱되는 제1센싱전압인 Vsen_offset와 제2서브픽셀(620)에서 센싱되는 제2센싱전압인 Vsen_main이 더해져서 Vsen_total이 센싱라인에서 센싱된다. 센싱라인에서 센싱된 Vsen_offset+Vsen_main을 이용하여 제2서브픽셀에 대한 이동도를 보상할 수 있다. 7 is a diagram illustrating two sensing voltages applied to a sensing line according to an embodiment of the present invention. Vref, which is the voltage sensed in the sensing line, is added to two voltages: Vsen_offset, which is the first sensing voltage sensed in the first subpixel 610, and Vsen_main, which is the second sensing voltage sensed in the second subpixel 620 Vsen_total is sensed on the sensing line. The mobility for the second subpixel can be compensated using Vsen_offset + Vsen_main sensed in the sensing line.

도 6 및 도 7을 적용할 경우, 하나의 서브픽셀을 센싱하기 위해 해당 서브픽셀의 데이터라인에만 전압을 인가할 경우, 구동 트랜지스터의 크기로 인한 출력 데이터전압 오버플로우 문제를 해결할 수 있다(Vdata_main < D-IC 출력 범위).6 and 7, the problem of output data voltage overflow due to the size of the driving transistor can be solved when a voltage is applied to only the data line of the corresponding subpixel in order to sense one subpixel (Vdata_main < D-IC output range).

도 6 및 도 7을 적용할 경우, 하나의 센싱라인에서 센싱되는 센싱전압은 하나이지만, 이 중에서 이동도 또는 문턱전압이 보상된 오프셋 서브픽셀의 센싱 전압 분량을 정확하게 파악할 수 있으며, 이를 통하여 다른 서브픽셀이 기여한 센싱전압의 분량을 계산할 수 있다. 따라서, 데이터 전압을 과도하게 증가시키지 않은 상태에서도 서브픽셀의 센싱전압을 정확하게 센싱하여 이를 통한 이동도를 보상할 수 있다. 6 and 7, there is one sensing voltage sensed in one sensing line, but it is possible to accurately grasp the sensing voltage amount of the offset subpixel in which mobility or threshold voltage is compensated, The amount of the sensing voltage contributed by the pixel can be calculated. Therefore, even when the data voltage is not excessively increased, the sensing voltage of the sub-pixel can be accurately sensed and the mobility through the sensing voltage can be compensated.

이하, 본 발명의 실시예에서 제시할 유기발광표시장치는 표시패널, 게이트 드라이버, 데이터 드라이버, 그리고 이들을 제어하는 타이밍 컨트롤러로 구성된다. 게이트 드라이버는 하나의 게이트라인에 신호를 인가하고, 이에 연결된 다수의 서브픽셀들에 대해 데이터 드라이버가 센싱을 진행한다. Hereinafter, an OLED display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel, a gate driver, a data driver, and a timing controller for controlling the display panel, the data driver, and the display driver. The gate driver applies a signal to one gate line, and the data driver conducts sensing for a plurality of subpixels connected thereto.

본 발명의 일 실시예에서 표시패널에는 둘 이상의 서브픽셀을 포함하는 다수의 슈퍼픽셀이 배치되며, 하나의 슈퍼픽셀은 하나의 센싱라인에 연결된다. 즉, 동일한 센싱라인에 연결된 둘 이상의 서브픽셀들을 포괄하여 슈퍼픽셀이라 한다. 또한 전술한 슈퍼픽셀은 동일한 게이트라인에 연결되며, 또한 동일한 센싱라인에 연결된 둘 이상의 서브픽셀을 포괄할 수 있다. In one embodiment of the present invention, a plurality of super pixels including two or more sub pixels are disposed on a display panel, and one super pixel is connected to one sensing line. That is, two or more subpixels connected to the same sensing line are referred to as superpixels. Also, the above-described super pixels may be connected to the same gate line and may include two or more sub pixels connected to the same sensing line.

따라서, 슈퍼픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수가 M개인 경우, 센싱라인의 개수(예를 들어 K)에 M을 곱한 수(M*K)의 데이터라인이 존재할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 센싱라인 전체(K개)에서 센싱전압을 확인하되, 이를 위해 데이터전압을 인가하는 것은 2*K개 또는 3*K개와 같이 각 슈퍼픽셀 별 둘 이상의 서브픽셀에 대해 데이터전압을 인가하는 구성을 제시한다. 둘 이상의 데이터전압을 인가하여 두 개의 서브픽셀로부터 센싱전압의 합을 센싱하여도, 이 중에서 오프셋 서브픽셀이 제공하는 센싱전압은 미리 계산할 수 있으므로, 센싱전압 전체에서 실제 센싱하고자 하는 타겟 서브픽셀의 센싱전압을 산출할 수 있다. Therefore, when the number of subpixels constituting the superpixel is M, there may be a data line of (M * K) times the number of sensing lines (for example, K) multiplied by M. In one embodiment of the present invention, the sensing voltage is checked in the entire sensing line (K), and the data voltage is applied to the two or more subpixels for each superpixel such as 2 * K or 3 * Voltage is applied. Even if two or more data voltages are applied to sense the sum of the sensing voltages from two subpixels, the sensing voltage provided by the offset subpixel can be calculated in advance. Therefore, the sensing voltage of the target subpixel The voltage can be calculated.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 데이터라인의 서브픽셀들을 센싱하는 유기발광표시장치를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위하여 데이터라인은 도시하지 않았으며, 센싱라인(SL[0]~SL[p-1])들이 4쌍의 서브픽셀과 연결되는 부분도 미도시하였다. 데이터 드라이버(120)는 다시 몇 개의 소스 드라이버 IC로 나뉘어질 수 있다. 또한 데이터 드라이버(120)는 각 센스라인에서 센싱된 Vref를 디지털 값으로 변환하는, 즉 아날로그 전압값을 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함하는 센싱부(310a~310z)을 다수 포함할 수 있다. 각각의 센싱부들은 미리 설정된 개수(예를 들어 2, 3, 4, 또는 그 이상의 자연수)의 센싱라인들에 연결된다. 8 is a diagram illustrating an organic light emitting display device for sensing subpixels of two data lines according to an embodiment of the present invention. For convenience of explanation, the data lines are not shown, and the sensing lines SL [0] to SL [p-1] are connected to four pairs of sub-pixels. The data driver 120 may again be divided into several source driver ICs. The data driver 120 also includes a plurality of sensing units 310a to 310z including an analog-to-digital converter (ADC) for converting Vref sensed in each sense line into a digital value, that is, converting an analog voltage value into a digital value can do. Each of the sensing units is connected to a predetermined number of sensing lines (e.g., 2, 3, 4, or more natural numbers).

먼저, 도 8에서 타이밍 컨트롤러(140) 또는 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 의한 데이터 드라이버(120)는 하나의 슈퍼픽셀 내에서 오프셋 데이터전압을 인가할 서브픽셀과 실제 센싱할 서브픽셀을 결정한다. 오프셋 데이터전압을 인가할 서브픽셀을 결정하는 일 실시예로 가장 최근에 이동도 보상이 완료된 서브픽셀을 선택할 수 있다. 다른 실시예로 구동 트랜지스터의 크기가 가장 크며 이동도 보상이 완료된 서브픽셀을 오프셋 데이터전압을 인가할 서브픽셀로 선택할 수 있다. 또다른 실시예로 특정 색상을 나타내는 서브픽셀을 오프셋 데이터전압을 인가할 서브픽셀로 선택할 수 있다. 일 실시예로 오프셋 데이터전압을 인가할 서브픽셀(오프셋 서브픽셀)로 슈퍼픽셀 중에서 두번째 서브픽셀을 선택하고, 실제 센싱할 서브픽셀(센싱 서브픽셀)은 세번째 서브픽셀로 선택한 예를 도 9에서 살펴본다.First, in FIG. 8, the data driver 120 under the control of the timing controller 140 or the timing controller 140 determines a subpixel to which the offset data voltage is to be applied and a subpixel to be actually sensed within one superpixel. In one embodiment of determining the subpixel to which the offset data voltage is to be applied, the subpixel with the latest mobility compensation can be selected. In another embodiment, the subpixel having the largest driving transistor size and mobility compensation can be selected as a subpixel to which the offset data voltage is to be applied. In another embodiment, a subpixel representing a particular color may be selected as the subpixel to which the offset data voltage is to be applied. In one embodiment, a second subpixel among the superpixels is selected as a subpixel (offset subpixel) to which an offset data voltage is to be applied, and an example in which a subpixel (sensing subpixel) to be actually sensed is selected as a third subpixel is shown in FIG. see.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 멀티라인 센싱을 위하여 하나의 슈퍼픽셀 내의 두 개의 서브픽셀에 데이터전압을 인가하는 실시예를 보여주는 도면이다. DL_offset[0]에 연결된 오프셋 서브픽셀에 오프셋 데이터전압(Vdata_offset_0)이 인가되며, DL_offset[0]에 연결된 센싱 서브픽셀에 메인 데이터전압(Vdata_main_0)이 인가된다. 오프셋 서브픽셀 및 센싱 서브픽셀 모두 하나의 센싱라인인 SL[0]에 연결되어 있다. 다른 센싱라인들에도 동일하게 적용된다. 즉 DL_offset[k]에 연결된 오프셋 서브픽셀 k에 오프셋 데이터전압(Vdata_offset_k)이 인가되며, DL_offset[k]에 연결된 센싱 서브픽셀에 메인 데이터전압(Vdata_main_k)이 인가된다. 이와 같이 총 p개의 오프셋 서브픽셀에 각각 오프셋 데이터전압을 인가하고, 총 p개의 센싱 서브픽셀에 각각 메인 데이터전압이 인가된다. 오프셋 데이터전압은 전체 p개의 오프셋 서브픽셀에 동일하게 인가될 수도 있고, 각 오프셋 서브픽셀의 이동도 또는 문턱전압을 보상한 결과인 상이한 오프셋 전압들이 인가될 수 있다. 9 is a diagram illustrating an embodiment of applying a data voltage to two subpixels in one superpixel for multi-line sensing according to an exemplary embodiment of the present invention. An offset data voltage Vdata_offset_0 is applied to an offset subpixel connected to DL_offset [0], and a main data voltage Vdata_main_0 is applied to a sensing subpixel connected to DL_offset [0]. Both the offset sub-pixel and the sensing sub-pixel are connected to one sensing line SL [0]. The same applies to other sensing lines. The offset data voltage Vdata_offset_k is applied to the offset subpixel k connected to the DL_offset [k], and the main data voltage Vdata_main_k is applied to the sensing subpixel connected to the DL_offset [k]. In this manner, the offset data voltages are applied to the total of p offset subpixels, respectively, and the main data voltages are applied to all the ppixel sensing subpixels. The offset data voltage may be applied equally to all p offset subpixels and different offset voltages may be applied resulting from compensating the mobility or threshold voltage of each offset subpixel.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 각 센싱라인에서 멀티라인 센싱을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 9에서 인가된 데이터전압에 의해 오프셋 서브픽셀을 통해 센싱라인에 인가되는 오프셋 센싱전압과 센싱 서브픽셀을 통해 센싱라인에 인가되는 센싱전압이 더해져서 하나의 센싱전압을 센싱부(310a~310z)가 확인할 수 있다. 10 is a diagram illustrating a process of performing multi-line sensing in each sensing line according to an embodiment of the present invention. 9, an offset sensing voltage applied to the sensing line through the offset sub-pixel and a sensing voltage applied to the sensing line through the sensing sub-pixel are added to the sensing units 310a through 310z, .

예를 들어, SL[0]에 연결된 오프셋 서브픽셀에 오프셋 센싱전압(Vsen_offset_0)이 센싱되며, 또한 동일한 SL[0]에 연결된 센싱 서브픽셀에 메인 센싱전압(Vsen_main_0)이 센싱되어 결과적으로 SL[0]에서는 이들의 합인 Vsen_total_0이 센싱된다. 마찬가지로 다른 센싱라인들에도 동일하게 적용된다. 즉 SL[k]에 연결된 오프셋 서브픽셀에 오프셋 센싱전압(Vsen_offset_k)이 센싱되며, 또한 동일한 SL[k]에 연결된 센싱 서브픽셀에 메인 센싱전압(Vsen_main_k)이 센싱되어 결과적으로 SL[k]에서는 이들의 합인 Vsen_total_k이 센싱된다. 센싱부(310a~310z)는 센싱된 전압과 기준 전압을 비교하여 센싱 서브픽셀의 이동도를 산출한다. 여기서 오프셋 서브픽셀은 앞서 이동도 또는 문턱전압이 보상되었으므로, 보상부(330)는 센싱된 전압(Vsen_total_k)을 이용하여 각 센싱 서브픽셀들에 대한 특성치 보상, 예를 들어 이동도 보상을 진행한다. 전술한 특성치 보상은 타이밍 컨트롤러 또는 데이터 드라이버 중 어느 하나 또는 두 구성요소가 함께 제공할 수 있으며, 이는 타이밍 컨트롤러와 데이터 드라이버를 구성하는 방식에 따라 다양하게 선택될 수 있다. For example, the offset sensing voltage Vsen_offset_0 is sensed in an offset sub-pixel connected to SL [0] and the main sensing voltage Vsen_main_0 is sensed in a sensing sub-pixel connected to the same SL [0] ], The sum Vsen_total_0 is sensed. The same applies to other sensing lines as well. In other words, the offset sensing voltage Vsen_offset_k is sensed in the offset subpixel connected to SL [k], and the main sensing voltage Vsen_main_k is sensed in the sensing subpixel connected to the same SL [k] Quot; Vsen_total_k &quot; The sensing units 310a to 310z compute the mobility of the sensing subpixel by comparing the sensed voltage with a reference voltage. Since the offset subpixel has been compensated for the mobility or the threshold voltage previously, the compensation unit 330 compensates the characteristic value for each sensing subpixel, for example, mobility compensation using the sensed voltage Vsen_total_k. The characteristic value compensation described above may be provided by either one or both of the timing controller and the data driver, which may be variously selected depending on the manner of configuring the timing controller and the data driver.

도 9 및 도 10을 정리하면, 데이터 드라이버(120)는 표시패널에 연결되어 슈퍼픽셀의 제1서브픽셀에 제1데이터전압 및 슈퍼픽셀의 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가하고 제1서브픽셀 및 제2서브픽셀이 연결된 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱하여 상기 제2서브픽셀의 이동도를 보상하여, 제2서브픽셀을 센싱함에 있어서 소요되는 데이터 전압을 낮추면서도 제2서브픽셀의 센싱 정확도를 높이는 기술을 제시한다. 9 and 10, the data driver 120 is connected to the display panel to apply the first data voltage to the first sub-pixel of the super pixel and the second data voltage to the second sub-pixel of the super pixel, The first sensing voltage is sensed in the sensing line to which the subpixel and the second subpixel are coupled to compensate the mobility of the second subpixel to lower the data voltage required for sensing the second subpixel, To improve the accuracy of sensing.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 센싱 서브픽셀들에 대한 이동도 보상을 균일하게 하기 위해 오프셋 센싱전압(Vsen_offset_k)가 모두 동일하도록 구성할 수 있다. 이를 위해 오프셋 데이터전압은 각 오프셋 서브픽셀의 이동도 또는 문턱전압 보상값이 정확하게 반영될 수 있다. 이를 위한 일 실시예로, 데이터 드라이버(120)는 제2서브픽셀의 이동도를 보상하기 전에 제1서브픽셀에 대한 이동도 보상 또는 문턱전압 보상 중 어느 하나 이상을 완료하여 제1보상값을 산출한 결과를 적용할 수 있다. 이를 통해서 실제 센싱된 값은 두 개의 서브픽셀에서 센싱된 결과이지만, 오프셋 서브픽셀인 제1서브픽셀이 센싱된 전압에 기여하는 기여분을 정확히 파악할 수 있으므로, 제2서브픽셀의 센싱 정확도를 높일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the offset sensing voltage Vsen_offset_k may be configured to be all the same in order to make the mobility compensation for the sensing subpixels uniform. For this purpose, the offset data voltage can accurately reflect the mobility or threshold voltage compensation value of each offset subpixel. In one embodiment, the data driver 120 may calculate the first compensation value by completing at least one of mobility compensation or threshold voltage compensation for the first subpixel before compensating the mobility of the second subpixel One result can be applied. As a result, the actual sensed value is the result of sensing in two subpixels, but the contribution of the first subpixel, which is an offset subpixel, to the sensed voltage can be grasped accurately, and thus the sensing accuracy of the second subpixel can be increased .

본 발명을 적용할 경우, 고해상도의 표시장치를 구성하는 OLED 화소의 구동 트랜지스터의 이동도를 보상함에 있어서, 픽셀의 크기가 줄어들고 개구율 확보를 위해 OLED의 구동 트랜지스터(DR-TFT)의 크기가 작아질 경우에도 정확하게 구동 트랜지스터의 이동도를 보상할 수 있다. 이동도 센싱을 버티컬 블랭크 타임(Vertical Blank time) 시 진행할 경우, 짧은 시간에 센싱 동작을 해야 하므로, 센싱을 위한 데이터전압이 높아져야 하지만, 본 발명의 실시예를 적용할 경우, 하나의 슈퍼픽셀 내에 2개 이상의 서브픽셀에 각각 데이터전압을 인가하여 하나의 서브픽셀에 인가되는 데이터전압을 낮출 수 있다. 센싱 값은 2개 이상의 서브픽셀에 의해 형성된 전압이지만 이 중에서 하나 이상의 서브픽셀은 오프셋으로 작용하도록 구동하여 실질적으로는 하나의 서브픽셀의 이동도 특성만을 센싱하여 보상할 수 있다. In the case of applying the present invention, in compensating the mobility of the driving transistor of the OLED pixel constituting the high-resolution display device, the size of the pixel is reduced and the size of the driving transistor (DR-TFT) of the OLED is reduced The mobility of the driving transistor can be compensated accurately. When the mobility sensing is performed in the vertical blank time, the sensing operation must be performed in a short time. Therefore, the data voltage for sensing must be increased. However, when the embodiment of the present invention is applied, It is possible to lower the data voltage applied to one sub-pixel by applying a data voltage to each of the sub-pixels. The sensing value is a voltage formed by two or more subpixels, but one or more of the subpixels may be driven to act as an offset to substantially compensate for the mobility characteristic of only one subpixel.

도 6 내지 도 10에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 하나의 센싱라인을 공유하는 하나의 슈퍼픽셀 내에 이동도를 보상하기 위해 센싱하는 하나의 서브픽셀(센싱 서브픽셀) 외에 하나 또는 그 이상의 다른 서브픽셀(오프셋 서브픽셀)을 구동시켜 센싱 값을 일정수준 높여준다.6 to 10, in an embodiment of the present invention, in addition to one sub-pixel (sensing sub-pixel) sensing to compensate mobility within one super-pixel sharing one sensing line, (Offset sub-pixels) are driven to raise the sensing value to a certain level.

오프셋을 주는 역할을 오프셋 서브픽셀의 구동 트랜지스터는 문턱전압과 이동도까지 보상된 상태에서 Vdata를 인가하여 패널 내 모든 오프셋이 동일할 수 있도록 한다. The offset voltage is applied to the driving transistor of the offset subpixel to compensate for the threshold voltage and the mobility, so that all the offsets in the panel can be equalized.

본 발명은 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 시 인가하는 데이터전압을 낮추기 위해, 하나 이상의 오프셋 서브픽셀과 하나의 센싱 서브픽셀에 각각 데이터전압을 인가할 수 있다. 오프셋 서브픽셀로는 데이터전압이 상대적으로 낮은, 즉 구동 트랜지스터의 크기가 상대적으로 큰 서브픽셀을 선택할 수 있다. 반대로 센싱 서브픽셀은 데이터전압이 상대적으로 높은, 즉 구동 트랜지스터의 크기가 상대적으로 작은 서브픽셀을 선택할 수 있다. 또한, 오프셋 서브픽셀은 하나 이상을 선택할 수 있다. 오프셋 서브픽셀은 이동도 또는 문턱전압의 보상이 완료된 서브픽셀을 선택할 수 있다. 오프셋 서브픽셀로 특정한 색상의 서브픽셀, 예를 들어 적/백/녹/청의 색상으로 슈퍼픽셀을 구성하는 RWGB 구조에서 R 서브픽셀들을 오프셋 서브픽셀로 이용할 수 있다. The present invention can apply a data voltage to one or more offset subpixels and a single sensing subpixel, respectively, in order to lower the data voltage applied when sensing the mobility of the driving transistor. As an offset subpixel, it is possible to select a subpixel in which the data voltage is relatively low, that is, the size of the driving transistor is relatively large. On the other hand, the sensing subpixel can select a subpixel in which the data voltage is relatively high, that is, the driving transistor is relatively small in size. Further, the offset subpixel can select one or more. The offset subpixel can select a subpixel whose mobility or threshold voltage compensation has been completed. R subpixels can be used as offset subpixels in an RWGB structure that constitutes superpixels with offset subpixels of a specific color, for example, red / white / green / blue.

도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 슈퍼 픽셀 내에서 둘 이상의 서브픽셀을 오프셋 서브픽셀로 선택하여 센싱하는 실시예를 보여주는 도면이다. 11 and 12 illustrate an embodiment in which two or more subpixels in one superpixel according to an exemplary embodiment of the present invention are selected and detected as offset subpixels.

다수의 서브픽셀로 구성된 슈퍼픽셀에서 하나의 서브픽셀(1110)을 센싱함에 있어서 두 개의 오프셋 서브픽셀(1121, 1122)에 데이터전압을 인가한다. 세 서브픽셀 모두 하나의 센싱라인 SL[k]에 연결되어 있다. 제1오프셋 서브픽셀(1121)이 전류 소스로 동작하기 위하여 Vdata_offset1이 데이터라인인 DL_offset1[k]에 인가된다. 제2오프셋 서브픽셀(1122)이 전류 소스로 동작하기 위하여 Vdata_offset2가 데이터라인인 DL_offset2[k]에 인가된다. 그리고 센싱할 서브픽셀(1110)이 연결된 데이터라인 DL_main[k]에 Vdata_main이 인가된다. 여기서 오프셋 서브픽셀들(1121, 1122)는 모두 이동도 및 문턱전압이 보상된 것이므로 오프셋 서브픽셀을 통하여 인가된 데이터전압이 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통하여 센싱라인 SL[k]에 더해지는 전압의 크기는 미리 산출된다. 이에 대해서 도 12에서 살펴본다. In sensing a subpixel 1110 in a superpixel composed of a plurality of subpixels, a data voltage is applied to two offset subpixels 1121 and 1122. All three subpixels are connected to one sensing line SL [k]. In order for the first offset sub-pixel 1121 to operate as a current source, Vdata_offset1 is applied to DL_offset1 [k] which is a data line. In order for the second offset sub-pixel 1122 to operate as a current source, Vdata_offset2 is applied to the data line DL_offset2 [k]. And Vdata_main is applied to the data line DL_main [k] to which the subpixel 1110 to be sensed is connected. Since the offset subpixels 1121 and 1122 are all compensated for the mobility and the threshold voltage, the magnitude of the voltage applied to the sensing line SL [k] through the driving transistor of the subpixel through the offset subpixel is Is calculated in advance. This will be described with reference to FIG.

도 12에서 각 오프셋 서브픽셀에서는 인가된 데이터전압들에 대응하여 센싱라인에 센싱전압이 인가된다. 여기서, 오프셋 서브픽셀들(1121, 1122)들은 이동도 및 문턱전압이 보상되었으므로, 각 오프셋 서브픽셀의 구동 트랜지스터에서 센싱라인인 SL[k]로 인가되는 센싱전압인 Vsen_offset1 및 Vsen_offset2의 값을 알 수 있다. 따라서, 전체 센싱된 값(Vsen_total)에서 오프셋 서브픽셀에서 제공한 센싱전압인 Vsen_offset1 및 Vsen_offset2을 제외하면 센싱하고자 하는 서브픽셀(1110)에서 센싱라인인 SL[k]로 인가되는 센싱전압인 Vsen_main을 확인할 수 있으며 이를 토대로 서브픽셀(1110)의 구동 트랜지스터의 이동도를 보상할 수 있다. In FIG. 12, in each offset sub-pixel, a sensing voltage is applied to the sensing line corresponding to applied data voltages. Since the offset subpixels 1121 and 1122 are compensated for the mobility and the threshold voltage, the values of Vsen_offset1 and Vsen_offset2, which are the sensing voltages applied to the sensing line SL [k] in the driving transistor of each offset subpixel, have. Therefore, except for the sensing voltages Vsen_offset1 and Vsen_offset2, which are the sensing voltages provided by the offset subpixels in the entire sensed value Vsen_total, the sensing voltage Vsen_main, which is applied to the sensing line SL [k], is checked in the subpixel 1110 to be sensed And the mobility of the driving transistor of the sub-pixel 1110 can be compensated based on this.

도 11 및 도 12에서는 두 개의 오프셋 서브픽셀을 이용하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 하나의 센싱라인을 통하여 센싱할 수 있는 다수의 서브픽셀들 중에서 어느 하나의 서브픽셀을 센싱하기 위한 전류 소스원으로 다른 서브픽셀들 중 하나 이상을 선택하는 실시예를 모두 포함한다. 11 and 12, two offset sub-pixels are used. However, the present invention is not limited thereto. The present invention can be applied to any one of sub-pixels sensing among a plurality of sub- And selecting one or more of the other subpixels as a current source source for &lt; / RTI &gt;

본 발명과 같은 기술적 구성 또는 실시예를 적용할 경우 센싱하고자 하는 서브픽셀에 인가되는 데이터전압이 소스 드라이버 IC의 출력 전압 범위 내에서 출력되도록 제어할 수 있다. 이는 다른 서브픽셀을 전류 소스로 하기 때문에 출력 전압 범위 내에서 안정적으로 데이터전압이 인가되므로 이동도 보상 시 오동작 가능성을 제거하여 구동 트랜지스터의 이동도 보상을 정확하게 수행할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터의 크기가 작아져도 데이터전압이 오버플로우가 발생하지 않으므로, 이동도 보상이 정확하며, 그 결과 얼룩성 불량을 제거하며, 화질을 향상시킨다. It is possible to control the data voltage applied to the sub-pixel to be sensed to be outputted within the output voltage range of the source driver IC when the technical structure or the embodiment as described above is applied. Since the other subpixels are used as the current sources, the data voltage is stably applied within the output voltage range. Therefore, it is possible to precisely compensate the mobility of the driving transistor by eliminating the possibility of malfunction when compensating the mobility. In addition, since the data voltage does not overflow even if the size of the driving transistor is reduced, the mobility compensation is accurate, and as a result, the defective stain is eliminated and the image quality is improved.

특히, 예를 들어 종래에는 버티컬 블랭크 타임과 같이 짧은 시간동안 구동 트랜지스터의 이동도를 보상하는 과정에서 센싱된 전압이 적정한 ADC(Analog Digital Converting) 범위 내에 들어오도록 하기 위해서는 데이터전압을 증가시켜야 하며, 이로 인해 소스 드라이버 IC의 출력 전압 범위를 벗어날 수 있었다. 그러나 하나 이상의 오프셋 서브픽셀에서 일정한 센싱전압을 출력하도록 데이터전압을 조절하면 두 개의 서브픽셀에서 센싱전압을 확인할 수 있다. 도 13에서 이에 대해 보다 상세히 살펴본다. Particularly, for example, in the conventional process of compensating the mobility of the driving transistor for a short time such as a vertical blank time, the data voltage must be increased in order to allow the sensed voltage to fall within a proper range of ADC (Analog Digital Converting) The output voltage range of the source driver IC could be exceeded. However, by adjusting the data voltage to output a certain sensing voltage at one or more offset subpixels, the sensing voltage can be confirmed at two subpixels. This will be described in more detail in FIG.

도 13은 종래의 하나의 서브픽셀을 센싱하는 경우와 본 발명을 적용하여 오프셋 서브픽셀을 이용하여 센싱하는 경우의 데이터전압의 상승을 비교하는 도면이다.FIG. 13 is a diagram comparing the rise of the data voltage in the case of sensing one conventional subpixel and the case of sensing using the offset subpixel according to the present invention.

1310은 하나의 서브픽셀을 센싱할 경우를 보여주는데, Vdata와 Vth 보상용 전압의 합이 데이터 드라이버에서 출력 가능한 전압 범위(D-IC Range)를 초과한다. 예를 들어 출력 가능한 범위가 10V이며 Vth 보상용 전압이 4V인데, 구동 트랜지스터의 크기 감소 등으로 구동 트랜지스터의 전류 능력이 감소할 경우, 이와 반비례하여 Vdata가 증가할 수 있다. 만약 Vdata가 8V로 증가할 경우, 1310과 같이 2V의 오버플로우가 발생한다. Vdata가 출력 전압을 넘어갈 경우 이동도 보상이 제대로 동작하지 않게 되며, 정확하지 않은 보상으로 인해 얼룩성 불량이 발생할 수 있고 화질을 떨어뜨린다. 특히 고해상도/대형화 패널을 구현함에 있어서 센싱라인에 캐패시턴스가 증가할 수 있으며, 이는 이동도 센싱/보상 과정에서의 Vdata를 증가시키는 요인이 되어왔다. Reference numeral 1310 denotes a case of sensing one subpixel. The sum of the voltages Vdata and Vth compensation exceeds the voltage range (D-IC Range) that can be output from the data driver. For example, if the output range is 10V and the voltage for Vth compensation is 4V, if the current capability of the driving transistor is reduced due to a decrease in size of the driving transistor, Vdata may increase inversely. If Vdata increases to 8V, an overflow of 2V occurs as in 1310. If Vdata goes beyond the output voltage, mobility compensation will not work properly, improper compensation may cause stain defect and image quality degradation. In particular, when implementing a high-resolution / large-sized panel, the capacitance of the sensing line may increase, which has been a factor for increasing the Vdata in the mobility sensing / compensation process.

1320은 하나 이상의 오프셋 서브픽셀과 하나의 센싱서브픽셀에 데이터전압을 인가하여 센싱할 서브픽셀에 인가되는 데이터전압이 데이터 드라이버에서 출력 가능한 전압 범위(D-IC Range)를 초과하지 않는 경우를 보여준다. 앞서 살펴본 바와 같이, 오프셋 서브픽셀에서도 센싱전압에 일정 부분을 기여하므로, 센싱 서브픽셀에서 센싱을 위해 인가해야 할 Vdata'가 줄어든다. 그 결과 1320과 같이 드라이버에서 출력 가능한 범위 내에서 Vdata'가 출력된다. 1320 shows a case where the data voltage applied to the sub-pixel to be sensed by applying the data voltage to at least one offset sub-pixel and one sensing sub-pixel does not exceed the voltage range (D-IC Range) outputable by the data driver. As described above, since a certain portion of the sensing voltage is also contributed to the offset subpixel, Vdata 'to be applied for sensing in the sensing subpixel is reduced. As a result, Vdata 'is output within a range that can be output from the driver as indicated by 1320.

종래에 버티컬 블랭크 타임에 하나의 게이트라인에 연결된 서브픽셀들에 대하여 이동도 보상을 위한 센싱을 진행하였다. 본 발명을 적용할 경우, 블랭크 타임에 센싱할 서브픽셀과 오프셋 서브픽셀에 모두 데이터전압을 인가하여 센싱전압으로의 출력 시간이 짧아지므로 블랭크 타임 시에 서브픽셀에 대한 이동도 보상이 정확하게 이루어질 수 있다. Conventionally, the sensing for mobility compensation has been performed on the subpixels connected to one gate line at the vertical blank time. In the case of applying the present invention, since the data voltage is applied to both the subpixel to be sensed at the blank time and the offset subpixel and the output time to the sensing voltage is shortened, mobility compensation for the subpixel can be accurately performed at the blank time .

도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 서브픽셀의 색상 별로 싱글라인 센싱과 멀티라인 센싱을 진행하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 8 및 도 9의 구조를 적용한다. 도 14에서 하나의 슈퍼픽셀은 R/W/G/B를 구성하며, 실선으로 표시된 서브픽셀은 데이터전압이 인가되는 서브픽셀이며, 점선으로 표시된 서브픽셀은 데이터전압이 인가되지 않은 서브픽셀이다. 하나의 슈퍼픽셀에서 하나의 서브픽셀에만 데이터전압이 인가되면 싱글라인 센싱임을 나타내며, 둘 이상의 서브픽셀에 데이터전압이 인가되면 멀티라인 센싱임을 나타낸다. FIG. 14 is a diagram illustrating a process of performing single-line sensing and multi-line sensing for each color of sub-pixels according to an embodiment of the present invention. 8 and 9 are applied. 14, one super pixel constitutes R / W / G / B, a sub pixel indicated by a solid line is a sub pixel to which a data voltage is applied, and a sub pixel indicated by a dotted line is a sub pixel to which a data voltage is not applied. When a data voltage is applied to only one subpixel in a superpixel, it indicates that it is a single line sensing. When a data voltage is applied to two or more subpixels, it indicates multi-line sensing.

도 14에서는 하나의 슈퍼픽셀에서 적색을 나타내는 서브픽셀 R들은 싱글라인 센싱을 수행하고 서브픽셀 W, G, B들은 서브픽셀 R을 오프셋 서브픽셀로 하는 멀티라인 센싱을 수행하는 과정을 보여준다. 먼저 1410과 같이 서브픽셀 R들에 대해 이동도 보상을 위한 구동 및 센싱을 진행한다. 각 게이트라인별로 서브픽셀 R들에 대해 구동 및 센싱을 한다. SL[0] 내지 SL[p-1]에 각 서브픽셀 R에서 출력된 센싱전압들이 인가되어 서브픽셀 R들에 대한 이동도 보상이 진행된다. 패널 전체의 게이트라인들에 순차적으로 센싱 구동을 위한 신호가 인가되거나, 혹은 미리 설정된 순서에 해당하는 게이트라인들에 센싱 구동을 위한 신호가 인가될 수 있다.In FIG. 14, the sub-pixels R representing red in one super pixel perform single-line sensing and the sub-pixels W, G, and B perform multi-line sensing in which the sub-pixel R is an offset sub-pixel. First, as in 1410, driving and sensing for mobility compensation are performed on the sub-pixel Rs. And drives and senses sub-pixels R for each gate line. The sensing voltages outputted from each sub-pixel R are applied to SL [0] to SL [p-1], and the mobility compensation for the sub-pixels R is performed. A signal for sensing driving may be sequentially applied to gate lines of the entire panel or a signal for sensing driving may be applied to gate lines corresponding to a predetermined sequence.

서브픽셀 R 들에 대하여 센싱 및 이동도 보상이 완료되면 1420과 같이 백색을 나타내는 서브픽셀 W들에 대해 멀티라인 센싱을 수행한다. 즉, 동일한 슈퍼픽셀 내의 서브픽셀 R과 서브픽셀 W에 각각 소정의 데이터전압을 인가하여 구동 및 센싱을 한다. SL[0] 내지 SL[p-1]에 각 서브픽셀 R 및 W에서 출력된 센싱전압들이 인가되는데, 앞서 1410과 같이 서브픽셀 R에 대해서는 이동도/문턱전압 보상이 완료된 상태이므로 서브픽셀 R에서 출력되는 센싱전압의 크기는 알 수 있다. 따라서 보상부(330)는 센싱부(310)가 센싱한 센싱전압에서 오프셋 서브픽셀인 서브픽셀 R이 기여한 센싱전압을 제외한 전압이 서브픽셀 W에서 출력된 센싱전압으로 판단하고 이에 기반하여 서브픽셀 W에 대한 이동도 보상을 진행한다. 마찬가지로, 서브픽셀 G 및 서브픽셀 B에 대한 센싱도 1430 및 1440과 같이 적용할 수 있다.When the sensing and mobility compensation for the subpixels R is completed, multi-line sensing is performed on the subpixels W that exhibit white as in 1420. [ That is, a predetermined data voltage is applied to the subpixel R and the subpixel W within the same super pixel to drive and sense them. Since the mobility / threshold voltage compensation is completed for the sub-pixel R as described above with reference to 1410, the sub-pixel R and the sub-pixel R [p-1] The magnitude of the output sensing voltage is known. Accordingly, the compensating unit 330 determines that the voltage excluding the sensing voltage contributed by the sub-pixel R, which is the offset sub-pixel, is the sensing voltage output from the sub-pixel W at the sensing voltage sensed by the sensing unit 310, And also proceeds to compensate for the mobility. Similarly, the sensing for subpixel G and subpixel B can be applied as in 1430 and 1440.

도 14의 1410, 1420, 1430, 1440은 서브픽셀 R의 이동도가 보상된 상태에서 오프셋 서브픽셀로 동작하는 실시예를 보여준다. 도 14의 각 서브픽셀 별 구동과 센싱 과정을 살펴보면, R 구동 → R 센싱 → W/R 구동 → W 센싱 → G/R 구동 → G 센싱 → B/R 구동 → B 센싱으로 요약된다.14, 1420, 1430 and 1440 show an embodiment in which the mobility of the subpixel R is compensated and operates as an offset subpixel. 14, the driving and sensing processes for each sub-pixel are summarized as R driving → R sensing → W / R driving → W sensing → G / R driving → G sensing → B / R driving → B sensing.

서브픽셀 R들은 모두 이동도가 보상되었으므로 R을 통해 센싱라인에 인가되는 센싱라인은 모두 동일하도록 제어할 수 있다. 이는 데이터전압과 이에 대한 이동도 보상을 적용하여 가능하다. 다른 실시예로 오프셋 서브픽셀의 이동도가 보상되어 오프셋 서브픽셀이 출력하는 센싱전압을 타이밍 컨트롤러 또는 보상부가 미리 계산할 수 있으므로, 센싱라인에 인가된 센싱전압 중에서 오프셋 서브픽셀이 기여한 오프셋 센싱전압을 제외하고 실제 센싱하고자 한 서브픽셀에서 기여한 센싱전압을 측정하여 이동도 보상을 수행할 수 있다. Since all the sub-pixels R are compensated for mobility, the sensing lines applied to the sensing line through R can be controlled to be the same. This can be done by applying the data voltage and mobility compensation to it. In another embodiment, the mobility of the offset subpixel is compensated so that the timing controller or compensator can precompute the sensing voltage output by the offset subpixel, so that the offset sensing voltage contributed by the offset subpixel is excluded from the sensing voltage applied to the sensing line And the mobility compensation can be performed by measuring the sensing voltage contributed by the sub-pixel to be actually sensed.

슈퍼픽셀을 구성하는 특정한 서브픽셀들의 색상에 따라 오프셋 서브픽셀로 구동할 것인지 여부, 또는 멀티라인 센싱을 적용할 것인지 여부를 타이밍 컨트롤러가 결정할 수 있다. The timing controller can determine whether to drive with offset subpixels or multi-line sensing according to the color of the specific subpixels constituting the superpixel.

예를 들어, 하나의 슈퍼픽셀 내에 R/W/G/B의 서브픽셀이 포함되며, 이 중에서 R 서브픽셀을 오프셋 서브픽셀로 선택하고 W/G/B를 각각 멀티라인 센싱으로 이동도를 보상하도록 구성할 수 있다. For example, R / W / G / B subpixels are included in one superpixel, and R subpixels are selected as offset subpixels, and W / G / B is compensated for multi- .

한편, 또다른 실시예로 서브픽셀의 색상뿐만 아니라 시간 스케줄에 따라 멀티라인 센싱과 싱글라인 센싱을 교대로 적용할 수 있다. 도 15에서 보다 상세히 살펴본다. On the other hand, according to another embodiment, multi-line sensing and single-line sensing can be alternately applied according to the time schedule as well as the color of the sub-pixel. This will be described in more detail in Fig.

도 14와 같이 특정 색상의 두 개의 서브픽셀을 동시에 센싱하여 하나의 서브픽셀에 대해 이동도를 보상하는 방식, 예를 들어, 적색 서브픽셀을 전류원으로 할 경우 적색 서브픽셀은 오프셋 서브픽셀이 되며, 그 외의 W, G, B는 각각 1420, 1430, 1440과 같이 실제 센싱전압을 측정하고자 하는 대상 서브픽셀이 될 수 있다. 색상별로 구동 트랜지스터의 크기가 다를 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 크기가 큰 서브픽셀을 전류원으로 설정하고, 그 외의 서브픽셀들을 센싱하여 데이터 드라이버 IC의 출력 전압 범위 내에서도 센싱의 정확도를 높여 이동도 보상이 정확하게 이루어지도록 한다. For example, when a red subpixel is used as a current source, the red subpixel is an offset subpixel, and the red subpixel is an offset subpixel, The other W, G, and B may be target subpixels to which the actual sensing voltage is to be measured, such as 1420, 1430, and 1440, respectively. Since the size of the driving transistor may be different for each color, a subpixel having a large driving transistor size is set as the current source, and other subpixels are sensed to increase the sensing accuracy even within the output voltage range of the data driver IC. .

도 15은 본 발명의 일 실시예에 의한 블랭크 타임시 진행하는 이동도 센싱 과정을 보여주는 도면이다.FIG. 15 is a flowchart illustrating a mobility sensing process performed during a blank time according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

1510은 블랭크 타임 동안 멀티라인 센싱 방식으로 이동도 센싱 및 보상을 진행하는 구간이다. R 서브픽셀에 대해 싱글라인 센싱을 수행하는 구간(1511) 및 R/W 서브픽셀에 대해 멀티라인 센싱을 수행하는 구간(1512)로 나뉘어진다. 1520은 블랭크 타임 동안 싱글라인 센싱 방식으로 이동도 센싱 및 보상을 진행하는 구간이다.1510 is a section for performing mobility sensing and compensation in the multi-line sensing method during the blank time. A section 1511 for performing a single line sensing on an R subpixel and a section 1512 for performing multi-line sensing on an R / W subpixel. 1520 is a section for sensing and compensating mobility by single line sensing during blank time.

1510은 2개의 서브픽셀(R, W)을 선택하고, 이 중에서 R을 오프셋 서브픽셀로 하여 이동도 센싱을 하므로, 1520 구간에 비하여 인가되는 데이터전압의 크기가 작으며, 센싱 속도가 빨라진다. 한편, 1510에서 이동도 센싱을 진행하는 과정에서 하나의 서브픽셀만을 센싱하는 경우 보다 정확도가 낮아질 수 있으므로 1520 구간에서 다시 하나의 서브픽셀들에 대하여 센싱을 하여 정밀도를 높일 수 있다.1510 selects two subpixels (R, W) and uses the R as an offset subpixel to perform the mobility sensing, so that the magnitude of the data voltage applied is shorter than that of the period 1520 and the sensing speed is increased. On the other hand, in the process of moving sensing at 1510, accuracy may be lower than that of sensing only one subpixel, so that it is possible to increase accuracy by sensing one subpixel again in a period 1520. [

1510 구간과 1520구간의 선택은 실시예에 따라 다양하다. 미리 정해진 스케쥴에 따라서 1510 구간과 1520 구간이 교번으로 설정될 수 있다. 예를 들어 1510 구간을 K회 반복한 뒤, 1520 구간을 L회 반복하는 것으로 설정될 수 있다.The selection of the 1510 section and the 1520 section may vary according to the embodiment. The interval 1510 and the interval 1520 may be alternately set according to a predetermined schedule. For example, it is possible to repeat 1510 intervals K times and then 1520 intervals L times.

또 다른 실시예로 1520 구간에서 W 서브픽셀에서 이동도 보상된 값의 변화가 일정값 이하인 경우 이동도의 변화가 크지 않으므로 1510 구간과 같이 멀티라인 센싱을 진행할 수 있다. 즉, 1520 구간에서 서브픽셀에 대해 이동도를 센싱한 결과 이전 센싱한 값과 차이가 작을 경우 이동도의 변화가 크지 않으므로 빠른 센싱 및 보상을 위해 1510 구간으로 동작하도록 제어할 수 있다. In another embodiment, when the change in the mobility compensated value in the W subpixel in the section 1520 is less than a predetermined value, the change in mobility is not large, so that multi-line sensing can be performed as in the interval 1510. That is, when the mobility of the subpixel is sensed as a result of sensing the subpixel in the interval 1520, the mobility can be controlled to operate in the 1510 interval for fast sensing and compensation since the mobility is not greatly changed when the difference is small.

이와 반대로, 1510 구간에서 R/W 멀티라인 센싱 과정에서 W 서브픽셀에 대한 센싱 결과 이동도의 변화가 큰 경우, 보다 정밀한 센싱을 위해 1520 구간으로 싱글라인 센싱을 수행할 수 있다. On the other hand, when the mobility of the sensing result for the W subpixels is large in the R / W multi-line sensing process in the interval 1510, single line sensing can be performed in 1520 intervals for more accurate sensing.

본 발명에서 블랭크 타임의 길이와 서브픽셀을 센싱하는데 필요한 시간 등을 고려하여 한번의 블랭크 타임 시 멀티라인 센싱 또는 싱글라인 센싱을 선택할 수 있다. 만약, 한번의 블랭크 타임 시 오프셋 서브픽셀을 이용하여 센싱 시간을 줄이게 될 경우, 블랭크 타임을 그만큼 줄일 수 있으므로, 화질을 개선할 수 있다. 또한 이동도 센싱에 소요되는 시간을 줄이므로, 각 서브픽셀에 대한 이동도 보상 주기가 줄어들어 이동도 보상이 더욱 정밀하여 화질을 개선시킬 수 있다. In the present invention, multi-line sensing or single-line sensing can be selected in one blank time in consideration of the length of the blank time and the time required to sense the sub-pixels. If the sensing time is reduced by using the offset subpixel in one blank time, the blank time can be reduced by that much, so that the image quality can be improved. In addition, since the time required for the mobility sensing is reduced, the mobility compensation period for each subpixel is reduced, and the mobility compensation can be more precise and the image quality can be improved.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱 과정에서의 전류와 전압 등의 관계를 보여주는 도면이다. 16 is a graph showing a relationship between a current and a voltage in a sensing process according to an embodiment of the present invention.

1610과 같이, 트랜지스터에서의 전류의 흐름은 이동도(u)와 트랜지스터의 전기적, 물리적 특성(Cox, W, L), 그리고 인가되는 전압의 차이의 제곱에 비례한다. Vg는 트랜지스터의 게이트단에 인가되는 전압이며, Vs는 소스단에 인가되는 전압이다. Vg는 Vdata와 이동도 또는 문턱전압의 보상값 Vth가 더해진 값이 인가된다. 따라서, 이를 다시 정리하면 센싱 과정에서 전류 Isen은 1620에서 지시하는 바와 같이, 센싱을 위해 인가하는 전압(Vdata)의 제곱에 일정한 상수 K를 곱한 수가 된다. 그리고 센싱되는 전류 Isen은 센싱전압 Vsen과 비례관계에 있으므로, 1630과 같이 센싱전압 Vsen은 Vdata의 제곱에 비례함을 알 수 있다. 1610, the current flow in the transistor is proportional to the square of the difference between the mobility u and the electrical and physical characteristics of the transistor (Cox, W, L) and the applied voltage. Vg is a voltage applied to the gate terminal of the transistor, and Vs is a voltage applied to the source terminal. Vg is a value obtained by adding Vdata and a compensation value Vth of mobility or threshold voltage. Therefore, the current Isen is the number obtained by multiplying the square of the voltage (Vdata) applied for sensing by a constant constant K, as indicated by 1620 in the sensing process. Since the sensed current Isen is proportional to the sensing voltage Vsen, it can be seen that the sensing voltage Vsen is proportional to the square of Vdata as in 1630.

여기서, 본 발명에서 제시한 바와 같이 두 개의 서브픽셀 중 오프셋 역할을 하는 서브픽셀에서 인가하는 센싱전압인 Vsen_offset은 미리 계산될 수 있다. 이는 서브픽셀에 대해 이동도/문턱전압이 보상된 후이므로 그 값을 알 수 있기 때문이다. 한편, 센싱라인에서 센싱되는 전체 전압 Vsen_total은 1630에서 나타낸 바와 같이, 오프셋 역할을 하는 서브픽셀에서 제공하는 센싱전압 Vsen_offset과 실제 센싱하고자 하는 서브픽셀에서 제공하는 센싱전압 Vsen_main의 합이 된다. 따라서, 1640과 같이 전체 센싱된 값 Vsen_total에서 오프셋 센싱전압인 Vsen_offset을 뺀 값의 제곱근이 Vdata에 비례한다. 이를 통하여 두 개의 서브픽셀에 데이터전압을 인가한 후 센싱된 전압을 이용하여 하나의 서브픽셀의 이동도를 보상할 수 있다. Here, as described in the present invention, a sensing voltage Vsen_offset applied to a subpixel serving as an offset of two subpixels can be calculated in advance. This is because since the mobility / threshold voltage is compensated for the subpixel, the value can be known. On the other hand, the total voltage Vsen_total sensed in the sensing line is the sum of the sensing voltage Vsen_offset provided by the subpixel serving as an offset and the sensing voltage Vsen_main provided by the subpixel to be actually sensed, Accordingly, the square root of the value obtained by subtracting the offset sensing voltage Vsen_offset from the total sensed value Vsen_total, such as 1640, is proportional to Vdata. Through this, it is possible to compensate the mobility of one subpixel by applying the data voltage to the two subpixels and using the sensed voltage.

도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광표시장치에서 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버가 멀티 센싱을 위한 신호 및 데이터전압을 인가하고 센싱하는 과정을 보여주는 도면이다. 17 is a diagram illustrating a process of applying and sensing a signal and a data voltage for multi-sensing by a data driver and a gate driver in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

게이트 드라이버가 하나의 게이트라인에 센싱을 위한 신호를 인가한다(S1710). 그리고 데이터 드라이버는 상기 게이트라인에 연결되며 하나의 센싱라인에 연결된 제1서브픽셀에 제1데이터전압을 인가하고, 상기 센싱라인에 연결된 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가한다(S1720). 도 9에서 살펴본 바와 같이, 하나의 센싱라인에 연결된 두 개 이상의 서브픽셀에 데이터전압을 인가한다. 이 중에서 오프셋 역할을 하는 제1서브픽셀에는 이동도/문턱전압의 보상이 완료되며 오프셋의 기능을 할 수 있는 크기의 데이터전압이 인가된다. 예를 들어, 제1서브픽셀을 직접 센싱할 경우 인가하는 데이터전압의 일부만을 인가하여, 이로부터 출력되는 센싱전압이 일정 크기 이하(예를 들어 1/4 또는 1/5)가 되도록 제어할 수 있다. The gate driver applies a signal for sensing to one gate line (S1710). The data driver applies the first data voltage to the first sub-pixel connected to the gate line and the first sub-pixel connected to the one sensing line, and applies the second data voltage to the second sub-pixel connected to the sensing line in operation S1720. As shown in FIG. 9, a data voltage is applied to two or more subpixels connected to one sensing line. In the first subpixel serving as an offset, the compensation of the mobility / threshold voltage is completed and a data voltage of a size capable of functioning as an offset is applied. For example, when only the first sub-pixel is directly sensed, only a part of the applied data voltage may be applied, and the sensing voltage output from the first sub-pixel may be controlled to be equal to or smaller than a certain size (for example, 1/4 or 1/5) have.

다음으로 데이터 드라이버는 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱한다(S1730). 센싱라인에는 둘 이상의 서브픽셀이 연결되어 있으므로, 이들 각각의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 출력되는 센싱전압의 합, 예를 들어 도 16에서 살펴본 Vsen_total이 센싱라인에 인가되며, 데이터 드라이버는 이를 제1센싱전압으로 센싱할 수 있다. 센싱된 결과, 제1센싱전압을 이용하여 상기 제2서브픽셀의 이동도를 보상한다(S1740). Next, the data driver senses the first sensing voltage at the sensing line (S1730). Since two or more subpixels are connected to the sensing line, the sum of the sensing voltages output through the driving transistors of these subpixels, for example, Vsen_total shown in FIG. 16, is applied to the sensing line, It can be sensed at a sensing voltage. As a result of sensing, the mobility of the second subpixel is compensated using the first sensing voltage (S1740).

도 17의 과정에서 S1720~S1740은 각 센싱라인들에 대해 동시에 진행될 수 있다. 따라서, 센싱라인이 총 K개인 경우, 하나의 센싱라인을 공유하는 서브픽셀들의 집합인 슈퍼픽셀 K개에 대하여 동시에 센싱을 진행하는데, 이 때 각 슈퍼픽셀의 하나의 서브픽셀의 센싱을 위해 해당 슈퍼픽셀의 하나 또는 그 이상의 오프셋 서브픽셀 및 해당 서브픽셀에 데이터전압을 인가할 수 있다. 그 결과 데이터 드라이버가 출력할 수 있는 전압의 범위 내에서 센싱을 위한 데이터전압을 출력하므로 이동도 보상의 정확도를 높일 수 있다. 특히, 구동 트랜지스터의 크기가 작은 서브픽셀에 대해서는 동일한 센싱라인에 연결된 오프셋 서브픽셀로부터 일정 부분 센싱전압을 더하여 센싱 시간을 줄이면서 센싱 정확도를 높일 수 있다. 17, S1720 to S1740 may be performed simultaneously for each of the sensing lines. Therefore, when there are a total of K sensing lines, sensing is performed simultaneously on K superpixels, which is a set of subpixels sharing one sensing line. At this time, in order to sense one subpixel of each superpixel, A data voltage may be applied to one or more of the offset subpixels of the pixel and the corresponding subpixel. As a result, it is possible to increase the accuracy of mobility compensation by outputting the data voltage for sensing within the range of the voltage that the data driver can output. Particularly, for a sub-pixel having a small size of a driving transistor, a sensing voltage can be added to an offset sub-pixel connected to the same sensing line, thereby improving the sensing accuracy while reducing sensing time.

이때, 데이터드라이버는 실제 센싱하여 이동도를 보상할 제2서브픽셀을 센싱하기 전 제1서브픽셀에 대한 이동도 보상 또는 문턱전압 보상 중 어느 하나 이상을 완료하여 제1보상값을 산출할 수 있다. 이는 제1서브픽셀에 인가할 제1데이터전압이 제1보상값을 반영하도록 하여 전체 센싱된 전압에서 제1서브픽셀이 기여한 부분을 정확히 계산할 수 있도록 하여 결과적으로 제2서브픽셀에서 센싱되는 전압을 정확히 산출할 수 있으며, 이를 이용하여 제2서브픽셀의 이동도를 보상할 수 있다. 즉, 둘 이상의 서브픽셀에서 산출된 센싱전압에서 오프셋 역할을 하는 서브픽셀들의 기여도를 정확히 반영시키고 이로 인해 실제 센싱할 제 2서브픽셀의 센싱 정확도를 높이기 위해 오프셋 역할을 하는 서브픽셀들에 대해서는 미리 이동도 또는 문턱전압 보상을 완료할 수 있다. At this time, the data driver may calculate the first compensation value by performing at least one of mobility compensation for the first subpixel or threshold voltage compensation before sensing the second subpixel to actually compensate the mobility . This allows the first data voltage to be applied to the first subpixel to reflect the first compensation value so that the portion of the entire sensed voltage contributed by the first subpixel can be accurately calculated so that the voltage sensed at the second subpixel And the mobility of the second subpixel can be compensated for by using this. That is, in order to accurately reflect the contribution of the subpixels serving as offsets in the sensing voltage calculated in two or more subpixels and thereby increase the sensing accuracy of the second subpixel to be actually sensed, Or threshold voltage compensation can be completed.

데이터 드라이버는 전체 센싱된 제1센싱전압과 센싱시 참조하게 되는 참조 전압 사이의 차이를 이용하여 제2서브픽셀의 이동도 보상에 적용할 수 있으며 이는 오프셋 서브픽셀이 기여하는 전체 센싱전압에서의 기여분을 확인할 수 있으므로 특정 서브픽셀의 센싱 전압에서 차지하는 정도를 파악할 수 있다. 차이값을 적용하는 방식은 오프셋 서브픽셀에서 출력되는 센싱전압의 크기, 제2서브픽셀에 인가된 데이터전압의 크기 등에 비례 또는 반비례하거나, 혹은 그대로 적용할 수 있다. The data driver can be applied to the mobility compensation of the second subpixel using the difference between the first sensed first sensing voltage and the reference voltage to be referred to during sensing, which is the contribution of the total sensing voltage contributed by the offset subpixel It is possible to grasp the degree of occupation of the specific subpixel at the sensing voltage. The method of applying the difference value may be proportional or inversely proportional to the magnitude of the sensing voltage output from the offset subpixel, the magnitude of the data voltage applied to the second subpixel, or the like.

센싱라인에서 데이터 드라이버가 센싱하는 제1센싱전압은 제1서브픽셀이 센싱라인에 전달하는 오프셋 센싱전압과 제2서브픽셀이 센싱라인에 전달하는 제2센싱전압의 합이 된다. 데이터 드라이버는 오프셋 센싱전압을 산출할 수 있으므로, 그 결과 제2센싱전압을 확인할 수 있으며, 이를 이용하여 제2서브픽셀의 이동도를 보상할 수 있다. The first sensing voltage sensed by the data driver in the sensing line is the sum of the offset sensing voltage transmitted by the first sub pixel to the sensing line and the second sensing voltage transmitted to the sensing line by the second sub pixel. Since the data driver can calculate the offset sensing voltage, the second sensing voltage can be confirmed, and the mobility of the second subpixel can be compensated using the second sensing voltage.

본 발명의 일 실시예는 동일한 센싱라인에 연결된 오프셋 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 전류원으로 사용하여 다른 서브픽셀의 이동도(mobility)를 센싱하는 기술을 제시한다. 이를 위해 하나의 슈퍼픽셀 내의 두 개 이상의 서브픽셀을 동시에 센싱할 수 있다. One embodiment of the present invention provides a technique for sensing the mobility of other subpixels by using a driving transistor of an offset subpixel connected to the same sensing line as a current source. For this purpose, two or more subpixels within one superpixel can be simultaneously sensed.

여기서 실제 센싱을 하여 이동도를 보상할 하나의 서브픽셀을 제외한 나머지 오프셋 서브픽셀은 패널 내 모든 서브픽셀이 모두 동일한 전류를 내며 센싱 값을 일정 수준 높여주는 오프셋 역할을 수행할 수 있다. 그리고 오프셋 역할을 하는 서브픽셀에 대해서는 Vdata에 이동도 보상을 완료하여 전압을 인입할 수 있다. Here, the offset subpixel except for one subpixel to compensate for the mobility by the actual sensing may all serve as an offset to raise the sensing value to a certain level by all the subpixels in the panel. For the subpixel serving as an offset, the voltage can be inputted by completing mobility compensation on Vdata.

표시장치를 고해상도로 구현할 수록 화소의 크기는 줄어들고 개구율 확보를 위해 OLED의 구동 TFT는 더욱 작은 크기를 가지게 된다. 또한, 구동 TFT의 이동도를 짧은 시간에 센싱 동작을 하기 때문에 센싱을 위한 데이터전압이 높아지는 문제점이 있으나. 본 발명을 적용하여 하나의 슈퍼픽셀 내의 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 센싱하여 데이터전압을 낮출 수 있다. 센싱된 값은 2개 이상의 서브픽셀에 의해 형성된 전압이지만 이 중에서 실제 센싱하고자 하는 서브픽셀을 제외한 한 개 이상의 서브픽셀들은 오프셋으로 작용하도록 구동하므로, 센싱라인에서 센싱된 전압은 하나의 서브픽셀의 특성만을 포함하며, 그 결과 해당 서브픽셀의 이동도를 산출할 수 있다. As the display device is implemented with high resolution, the pixel size is reduced and the driving TFT of the OLED has a smaller size in order to secure the aperture ratio. Further, there is a problem that the data voltage for sensing is increased because the sensing operation is performed in a short time in the mobility of the driving TFT. The present invention can be applied to simultaneously sense two or more subpixels in one superpixel to lower the data voltage. The sensed value is a voltage formed by two or more subpixels, but among them, one or more subpixels other than a subpixel to be actually sensed are driven to act as offsets, so that the voltage sensed in the sensing line is a characteristic of one subpixel As a result, the mobility of the corresponding subpixel can be calculated.

본 발명을 적용할 경우 이동도 보상을 위한 센싱 과정에서 데이터전압인 Vdata의 크기를 줄일 수 있으므로 데이터 드라이버내의 소스 드라이버 IC의 출력 전압의 범위 내에서 정확한 이동도 보상을 보장하므로 화질을 유지할 수 있다. 즉, Vdata를 오히려 감소시키면서도 정확한 이동도 센싱 및 보상을 가능하게 한다. Since the magnitude of the data voltage Vdata can be reduced in the sensing process for mobility compensation, accurate mobility compensation is ensured within the range of the output voltage of the source driver IC in the data driver, so that image quality can be maintained. That is, the Vdata can be reduced and the accurate movement can be sensed and compensated.

본 발명을 적용할 경우 블랭크 타임이라는 짧은 시간 내에 센싱할 전압이 적정한 ADC 범위에 들어올 수 있도록 Vdata값을 인가할 수 있다. 특히 고해상도의 표시패널에서는 구동 트랜지스터의 크기가 작아지며, 이로 인한 전류 능력이 감소하는데, 이러한 전류능력 감소에도 Vdata를 증가시키지 않고 하나 이상의 오프셋 서브픽셀을 이용하여 특정 서브픽셀을 센싱할 수 있도록 오프셋 센싱전압을 제공하며, 이를 통하여 이동도 보상의 정확도를 높이며 또한 센싱 시간을 줄일 수 있다. When the present invention is applied, the Vdata value can be applied so that the voltage to be sensed within a short time of the blank time can be within the proper ADC range. Particularly, in a high-resolution display panel, the size of the driving transistor is reduced and the current capability is reduced. Even in such a reduction of the current capability, the offset sensing is performed so as to sense a specific subpixel using one or more offset subpixels without increasing Vdata. Voltage, thereby increasing the accuracy of mobility compensation and reducing sensing time.

또한, 고해상도이거나 대형화 표시패널을 구현함에 있어서 센싱라인의 캐패시턴스가 증가할 수 있으며, 이는 Vdata 값의 증가로 이어질 수 있으나, 본 발명을 적용하면 Vdata를 증가시키지 않으므로 데이터 드라이버 또는 소스 드라이버 IC의 출력 전압의 범위 내에서 정확하게 트랜지스터의 이동도 보상을 수행할 수 있다. Further, in realizing a high-resolution or large-sized display panel, the capacitance of the sensing line may increase, which may lead to an increase in the Vdata value. However, since the Vdata is not increased by applying the present invention, The mobility compensation of the transistor can be performed accurately.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러
310: 센싱부
320: 메모리
330: 보상부
100: organic light emitting display
110: Display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: Timing controller
310: sensing unit
320: Memory
330:

Claims (18)

유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 둘 이상의 서브픽셀을 포함하는 다수의 슈퍼픽셀이 배치된 표시패널;
상기 표시패널에 연결되어 게이트라인에 신호를 인가하는 게이트 드라이버;
상기 표시패널에 연결되어 상기 슈퍼픽셀의 제1서브픽셀에 제1데이터전압 및 상기 슈퍼픽셀의 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가하고 상기 제1서브픽셀 및 상기 제2서브픽셀이 연결된 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱하는 데이터 드라이버; 및
상기 데이터 드라이버 및 상기 게이트 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치.
A display panel having a plurality of super pixels including at least two sub-pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode;
A gate driver coupled to the display panel for applying a signal to the gate line;
A display panel coupled to the display panel for applying a first data voltage to a first subpixel of the superpixel and a second data voltage to a second subpixel of the superpixel, A data driver for sensing a first sensing voltage in a line; And
And a timing controller for controlling the data driver and the gate driver.
제1항에 있어서,
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 제1센싱전압을 이용하여 상기 제2서브픽셀의 특성치를 보상하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the data driver or the timing controller compensates the characteristic value of the second subpixel using the first sensing voltage.
제1항에 있어서,
상기 데이터 드라이버가 상기 제1서브픽셀에 상기 제1데이터전압을 인가하기 전에
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1서브픽셀에 대한 특성치 보상을 완료하여 제1보상값을 산출하며,
상기 데이터 드라이버는 상기 제1보상값이 반영된 상기 제1데이터전압을 상기 제1서브픽셀에 인가하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Before the data driver applies the first data voltage to the first subpixel
The data driver or the timing controller completes characteristic value compensation for the first subpixel to calculate a first compensation value,
Wherein the data driver applies the first data voltage to which the first compensation value is reflected to the first sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 제1센싱전압과 참조전압의 차이를 상기 제2서브픽셀의 특성치 보상에 적용하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the data driver or the timing controller applies the difference between the first sensing voltage and the reference voltage to compensation of a characteristic value of the second subpixel.
제1항에 있어서,
상기 제1센싱전압은 상기 제1서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 오프셋 센싱전압과 상기 제2서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 제2센싱전압의 합인 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first sensing voltage is a sum of an offset sensing voltage that the first sub-pixel transmits to the sensing line and a second sensing voltage that the second sub-pixel transmits to the sensing line.
제1항에 있어서,
상기 제1서브픽셀은 제1색상이며, 상기 제2서브픽셀은 제2색상인 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first sub-pixel is a first color and the second sub-pixel is a second color.
제1항에 있어서,
상기 제2서브픽셀의 구동 트랜지스터의 크기는 상기 제1서브픽셀의 구동 트랜지스터보다 작은 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And the driving transistor of the second sub-pixel is smaller than the driving transistor of the first sub-pixel.
유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 둘 이상의 서브픽셀을 포함하는 다수의 슈퍼픽셀이 배치된 표시패널;
상기 표시패널 상에서 제1방향으로 K개 배치된 센싱라인 및 M*K개 배치된 데이터라인;
상기 표시패널 상에서 제2방향으로 N개 배치된 게이트라인;
상기 게이트라인에 센싱을 위한 신호를 인가하는 게이트 드라이버;
상기 신호가 인가된 게이트라인에 연결되며 상기 데이터라인 중 K개의 제1데이터라인에 연결된 K개의 제1서브픽셀 각각에 보상이 적용된 K개의 제1데이터전압을 인가하고, 상기 데이터라인 중 K개의 제2데이터라인에 연결된 K개의 제2서브픽셀 각각에 K개의 제2데이터전압을 인가하고, K개의 센싱라인에서 상기 제2서브픽셀 각각에 대한 제1센싱전압을 센싱하는 데이터 드라이버; 및
상기 게이트라인 및 상기 데이터 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치.
A display panel having a plurality of super pixels including at least two sub-pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode;
A sensing line arranged in K in the first direction on the display panel and M * K arranged data lines;
N gate lines arranged in the second direction on the display panel;
A gate driver for applying a signal for sensing to the gate line;
Applying K first data voltages compensated to each of K first subpixels connected to K first data lines of the data lines, connected to the gate line to which the signal is applied, A data driver for applying K second data voltages to each of the K second subpixels connected to the second data line and sensing a first sensing voltage for each of the second subpixels in the K sensing lines; And
And a timing controller for controlling the gate line and the data driver.
제8항에 있어서,
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 제1센싱전압을 이용하여 상기 제2서브픽셀의 특성치를 보상하는 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the data driver or the timing controller compensates the characteristic value of the second subpixel using the first sensing voltage.
제8항에 있어서,
상기 데이터 드라이버가 상기 제1서브픽셀에 상기 제1데이터전압을 인가하기 전에
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1서브픽셀에 대한 특성치 보상을 완료하여 제1보상값을 산출하며,
상기 데이터 드라이버는 상기 K개의 제1데이터라인에 상기 제1서브픽셀별로 상기 제1보상값이 반영된 K개의 제1데이터전압을 인가하는 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Before the data driver applies the first data voltage to the first subpixel
The data driver or the timing controller completes characteristic value compensation for the first subpixel to calculate a first compensation value,
Wherein the data driver applies K first data voltages having the first compensation value reflected on the K first data lines for each of the first subpixels.
제8항에 있어서,
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 K개의 센싱라인에서 센싱된 K개의 제1센싱전압과 참조전압의 차이를 산출하여 상기 K개의 제2서브픽셀의 특성치 보상에 각각 적용하는 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the data driver or the timing controller calculates the difference between the K first sensing voltages sensed at the K sensing lines and the reference voltage and applies the calculated difference to characteristic values of the K second sub pixels.
제8항에 있어서,
상기 제1센싱전압은 상기 제1서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 오프셋 센싱전압과 상기 제2서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 제2센싱전압의 합인 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the first sensing voltage is a sum of an offset sensing voltage that the first sub-pixel transmits to the sensing line and a second sensing voltage that the second sub-pixel transmits to the sensing line.
제8항에 있어서,
상기 K개의 제1서브픽셀은 제1색상이며, 상기 K개의 제2서브픽셀은 제2색상인 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the K first subpixels are a first color, and the K second subpixels are a second color.
제8항에 있어서,
상기 제2서브픽셀의 구동 트랜지스터의 크기는 상기 제1서브픽셀의 구동 트랜지스터보다 작은 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
And the driving transistor of the second sub-pixel is smaller than the driving transistor of the first sub-pixel.
게이트 드라이버가 하나의 게이트라인에 센싱을 위한 신호를 인가하는 단계;
데이터 드라이버는 상기 게이트라인에 연결되며 하나의 센싱라인에 연결된 제1서브픽셀에 제1데이터전압을 인가하고, 상기 센싱라인에 연결된 제2서브픽셀에 제2데이터전압을 인가하는 단계;
상기 데이터 드라이버는 상기 센싱라인에서 제1센싱전압을 센싱하는 단계; 및
상기 데이터 드라이버 또는 타이밍 컨트롤러는 상기 제1센싱전압을 이용하여 상기 제2서브픽셀의 특성치를 보상하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치에서 다중 센싱 방법.
The gate driver applying a signal for sensing to one gate line;
The data driver applying a first data voltage to a first sub pixel coupled to the gate line and coupled to one sensing line and applying a second data voltage to a second sub pixel connected to the sensing line;
Sensing the first sensing voltage at the sensing line; And
And the data driver or the timing controller compensates the characteristic value of the second subpixel using the first sensing voltage.
제15항에 있어서,
상기 데이터 드라이버가 상기 제1서브픽셀에 상기 제1데이터전압을 인가하기 전에
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1서브픽셀에 대한 특성치 보상을 완료하여 제1보상값을 산출하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1데이터전압은 상기 제1보상값이 반영된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치에서 다중 센싱 방법.
16. The method of claim 15,
Before the data driver applies the first data voltage to the first subpixel
Wherein the data driver or the timing controller completes characteristic value compensation for the first subpixel to calculate a first compensation value,
Wherein the first data voltage reflects the first compensation value.
제15항에 있어서,
상기 특성치를 보상하는 단계는
상기 데이터 드라이버 또는 상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1센싱전압과 참조전압의 차이를 상기 제2서브픽셀의 특성치 보상에 적용하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치에서 다중 센싱 방법.
16. The method of claim 15,
The step of compensating for the characteristic value
Wherein the data driver or the timing controller applies a difference between the first sensing voltage and a reference voltage to compensate a characteristic value of the second subpixel.
제15항에 있어서,
상기 제1센싱전압은 상기 제1서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 오프셋 센싱전압과 상기 제2서브픽셀이 상기 센싱라인에 전달하는 제2센싱전압의 합인 유기발광표시장치에서 다중 센싱 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the first sensing voltage is a sum of an offset sensing voltage that the first sub-pixel transmits to the sensing line and a second sensing voltage that the second sub-pixel transmits to the sensing line.
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