KR20160137967A - 프로세스 챔버의 클리닝 방법 - Google Patents

프로세스 챔버의 클리닝 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160137967A
KR20160137967A KR1020167023128A KR20167023128A KR20160137967A KR 20160137967 A KR20160137967 A KR 20160137967A KR 1020167023128 A KR1020167023128 A KR 1020167023128A KR 20167023128 A KR20167023128 A KR 20167023128A KR 20160137967 A KR20160137967 A KR 20160137967A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process chamber
cleaning
plasma
electrode
inert gas
Prior art date
Application number
KR1020167023128A
Other languages
English (en)
Inventor
시게루 타하라
둔자 라디식
Original Assignee
아이엠이씨 브이제트더블유
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이엠이씨 브이제트더블유, 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 아이엠이씨 브이제트더블유
Publication of KR20160137967A publication Critical patent/KR20160137967A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 개시는 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법과 관련되고, 방법은 a) 불활성 가스를 체적의 80~100% 포함하는 가스를 프로세스 챔버에 도입하는 단계-상기 불활성 가스는 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 그들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다-와, b) 상기 불활성 가스로부터 플라즈마를 형성하여 상기 프로세스 챔버를 클리닝하는 단계를 포함한다.

Description

프로세스 챔버의 클리닝 방법{METHOD FOR CLEANING A PROCESS CHAMBER}
본 개시는 플라즈마 프로세스 챔버 클리닝 방법의 분야와 관련된다. 보다 구체적으로는 드라이 에칭 후에 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법과 관련된다.
플라즈마 프로세스 챔버, 특히 에칭에 사용되는 프로세스 챔버들은 종종 그 벽 및/또는 전극(들)이 에칭 부산물과 같은 비휘발성 퇴적물에 의해 덮이게 된다. 이것은 예컨대 이들 비휘발성 퇴적물의 일부가 다음 샘플에 다시 퇴적될 때에 샘플 오염을 야기할 수 있다. 또한, 이들 비휘발성 퇴적물의 재(再) 스퍼터링에 기인하여 프로세스 드리프트가 종종 발생한다. 따라서 많은 응용에 있어서 플라즈마 챔버에 그러한 비휘발성 물질의 퇴적물이 없게 할 필요가 있다. 따라서 챔버가 클린하다는 것을 보장하고 챔버를 안정된 상태로 유지하는 것은 중요하다. 그러나 일반적으로 사용되는 클리닝 절차의 대부분은 챔버 오염물을 제거하기에 충분하지 않고, 매우 공격적인 클리닝은 하드웨어 부분을 손상시킬 수 있다.
미국 특허 제 8,211,238호는 구리 에칭 프로세스와, 구리 에칭 프로세스가 기판에 행해질 때와 실질적으로 동시에 프로세스 챔버의 안쪽 표면에 퇴적된 구리 함유종(copper-containing species)을 제거하기 위해 사용될 수 있는 클리닝 프로세스를 개시한다. 미국 특허 제 8,211,238호는, 동작 중에, 프로세스 챔버의 안쪽 표면이 프로세스 온도로 가열될 수 있는 것을 개시한다. 미국 특허 제 8,211,238호는 또한, 다른 동작 중에, 할로겐 기반의 에칭 화학품과 함께 투입된 수소가 프로세스 챔버의 안쪽 표면에 형성되는 에칭 부산물(예컨대, CuCl2)의 층과 반응할 수 있는 것을 개시한다. 비휘발성 염화구리는 구리 원소로 환원되고 염소는 수소와 결합하여 프로세스 온도에서 휘발성인 HCl을 형성한다. 미국 특허 제 8,211,238호는 또한, 또 다른 동작 중에, 구리 원소는 할로겐 기반의 플라즈마와 반응하여 배출구를 통해 프로세스 챔버로부터 제거될 수 있는 하나 이상의 휘발종(volatile species)이 될 수 있는 것을 개시한다. 그러나, 이 방법은 예컨대 일반적으로 자기 터널 접합(MTJ) 물질의 드라이 에칭시에 형성되는 비휘발성 물질 등의 비휘발성 물질과 같은 구리 함유종 이외의 퇴적물을 클리닝하는 능력에 있어 제한적이다.
상술한 것을 고려하여, 해당 분야에 있어서 새로운 플라즈마 챔버 클리닝 방법이 필요하다.
본 개시의 실시 형태의 목적은 용량 결합형 플라즈마 반응기에 있어서의 양호한 프로세스 챔버 클리닝을 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 개시는 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법과 관련되고, 상기 방법은,
a) 불활성 가스를 체적(volume)의 80~100% 포함하는 가스를 프로세스 챔버에 도입하는 단계-상기 불활성 가스는 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 그들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다-와,
b) 상기 불활성 가스로부터 플라즈마를 형성하여 상기 프로세스 챔버를 클리닝하는 단계
를 포함한다.
본 개시의 방법은 특히 CCP 반응기를 클리닝하는데 적합하다. 본 개시의 방법은 ICP 반응기를 클리닝하는데에는 훨씬 덜 적합하다. 이론에 얽매이는 일 없이, 이것은 ICP 반응기가 유전체창을 필요로 한다는 사실에 기인할 수 있다. 플라즈마 벌크와 창의 표면의 전위차는 클리닝의 효율을 결정한다. 이 전위차를 향상시키기 위해, ICP 반응기는 이른바 패러데이 쉴드(Faraday shield)에서 창의 외부로부터 전위를 인가하는 것을 허용한다. 그러나, 패러데이 쉴드가 존재할 때에도, 전위차는 유전체창에 의해 소모되어, 플라즈마와 표면 창의 전위차가 클리닝에 충분하지 않게 된다. 추가적인 또는 대안적인 설명은 ICP 반응기에서 불활성 가스에 의해 생성되는 플라즈마는 그 클리닝을 가능하게 하기에는 안쪽 표면(예컨대 전극)의 일부로부터 너무 멀다는 것이다. CCP는 청구항에 기재된 프로세스에 의해 클리닝되는 능력에 있어서 특유하다.
본 개시의 실시 형태의 이점은 다른 방법으로는 제거하기 어려운 코발트, 백금, 니켈 또는 철에 기반하는 물질과 같은 비휘발성 물질을 제거할 수 있는 것이다.
본 개시의 실시 형태의 이점은 가열할 필요가 없고, 그 때문에 필요한 클리닝 시간을 축소시키는 것이다.
본 개시의 실시 형태의 이점은 프로세스가 쉽고, Ar과 같은 비교적 비싸지 않고 손쉽게 구할 수 있는 가스를 포함시킬 수 있다는 것이다.
상기 목적은 본 개시에 따른 방법에 의해 달성된다.
개시의 특정하고 바람직한 양태는 첨부한 독립 청구항 및 종속 청구항에 제시된다. 종속 청구항의 특징은 필요에 따라서 또한 청구항에 명확하게 제시된 바와 다르게 독립 청구항의 특징 및 다른 종속 청구항의 특징과 조합될 수 있다.
개시의 이들 양태 및 다른 양태는 이하에 서술되는 실시 형태로부터 명백해질 것이고 또한 이하에 서술되는 실시 형태에 관련하여 더 자세히 설명될 것이다.
상세한 설명 및 청구항에서 사용되는 용어 제 1, 제 2 등은 유사한 요소들을 구별하기 위해 사용되는 것이고 반드시 시간적으로, 공간적으로, 순위로 또는 어떤 다른 방식으로 순서를 서술하기 위해 사용되는 것이 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은 적당한 상황 하에서 교체할 수 있고 여기서 서술되는 개시의 실시 형태는 여기에 서술되거나 설명된 것 이외의 순서로 동작할 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 상세한 설명 및 청구항에 있어서의 용어 위, 아래 등은 서술의 목적으로 사용되는 것이고 반드시 상대적인 위치를 서술하기 위해 사용되는 것이 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은 적당한 상황 하에서 교체할 수 있고 여기서 서술되는 개시의 실시 형태는 여기에 서술되거나 설명된 것 이외의 방향에서 동작할 수 있음이 이해되어야 한다.
청구항에서 사용되는 용어 "포함한다"는 그 후에 열거되는 수단으로 한정되는 것으로서 해석되어서는 안 되고, 다른 요소 또는 단계를 배제하지 않는 것을 주목하여야 한다. 따라서 언급한 바와 같은 정해진 특징, 정수, 단계 또는 구성요소의 존재를 명시하는 것으로 해석되어야 하지만, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계 또는 구성요소, 또는 그 그룹의 존재 또는 추가를 불가능하게 하지는 않는다. 따라서, "수단 A 및 B를 포함하는 디바이스"라는 표현의 범위는 구성요소 A 및 B만으로 이루어지는 디바이스로 한정되어서는 안 된다. 이것은, 본 개시에 대해서는, 디바이스의 단지 적절한 구성요소가 A 및 B임을 의미한다.
본 명세서에 있어서 "하나의 실시 형태" 또는 "실시 형태"에 대한 언급은 실시 형태에 관련하여 서술되는 특정한 특징, 구조 또는 특성이 본 개시의 적어도 하나의 실시 형태에 포함되는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서에 걸쳐서 다양한 곳에서 "하나의 실시 형태에 있어서" 또는 "실시 형태에 있어서"라는 구절이 등장하는 것은 반드시 모두 동일한 실시 형태를 언급하는 것은 아니지만, 그러할 수도 있다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성은, 본 개시로부터 당업자에게 명백한 바와 같이, 하나 이상의 실시 형태에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
마찬가지로 개시의 예시적인 실시 형태의 서술에 있어서, 개시의 다양한 특징은 개시를 간소화하고 하나 이상의 다양한 발명의 양태의 이해를 돕기 위한 목적으로 때때로 하나의 실시 형태, 도면, 또는 그 서술로 그룹화되는 것이 이해되어야 한다. 그러나, 이 개시의 방법은 요구되는 개시가 각 청구항에 분명히 나열된 것보다 많은 특징을 요구한다는 의도를 반영하는 것으로 해석되지 않는다. 오히려, 이하의 청구항이 반영하는 바와 같이, 발명의 양태는 하나의 앞서 개시된 실시 형태의 모든 특징보다 적게 존재한다. 따라서, 상세한 설명 이후의 청구항은 이 상세한 설명에 분명히 포함되고, 각 청구항은 본 개시의 독립된 실시 형태로서 자립한다.
또한, 여기에 서술되는 몇몇의 실시 형태는 다른 실시 형태에 포함되는 몇몇의 다른 특징을 포함하지만, 상이한 실시 형태의 특징의 조합은 개시의 범위 내에 있고, 당업자에 의해 이해되는 바와 같이 상이한 실시 형태를 형성한다. 예컨대, 이하의 청구항에서, 청구되는 실시 형태 중 어느 하나는 임의의 조합에서 사용될 수 있다.
여기에 제공되는 서술에서, 많은 구체적 상세가 설명된다. 그러나, 개시의 실시 형태는 이들 구체적 상세 없이 실행될 수 있음이 이해된다. 다른 예에서는, 잘 알려진 방법, 구조 및 기술은 본 서술의 이해를 어렵게 하지 않기 위해 상세하게 나타내어지지 않았다.
여기에서 사용되는 바와 같이, 또한 특별한 규정이 없는 한, 용어 "용량 결합형 플라즈마(CCP)"는 (일반적으로 작은 거리만큼 떨어진) 2개의 전극 사이에 생성되는 전계와 가스의 상호 작용에 의해 생겨서 상기 가스 내에 전자를 생성하는 플라즈마의 종류를 가리킨다. 다음으로 이들 전자는 무선 주파수 파워 서플라이에 의해 가속되어서 플라즈마를 생성한다. 플라즈마의 다른 종류는 유도 결합 플라즈마(ICP)이고, 이것은 전자기 유도, 즉, 시간적으로 변화하는 자계에 의해 생성되는 전류와 가스의 상호 작용에 의해 생기는 플라즈마의 종류를 가리킨다. 이들 전류는 반응기 외부의 자계를 생성하는 코일에 의해 유도되고, 자계는 유전체창을 통과하여 반응기를 향하고 그 내부에 전류를 유도한다.
본 개시의 양태는 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법을 제공한다. 방법은 불활성 가스를 체적의 80%~100% 포함하는 가스를 프로세스 챔버에 도입하는 단계를 포함한다. 이 불활성 가스는 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 그들의 조합 중 어느 하나일 수 있다. 방법은 또한 상기 불활성 가스로부터 플라즈마를 형성하여 프로세스 챔버를 클리닝하는 단계를 포함한다.
실시 형태에 있어서 가스는 상기 불활성 가스를 체적의 적어도 90% 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 적어도 95%, 보다 더 바람직하게는 적어도 98%, 가장 바람직하게는 상기 불활성 가스를 체적의 적어도 99% 포함할 수 있다. 불활성 가스는 바람직하게는 아르곤을 포함할 수 있다. 실시 형태에 있어서, 불활성 가스는 아르곤일 수 있다.
가스 중 불활성 가스의 체적 비율을 높게 하는 이점은 퇴적물의 스퍼터링 레이트를 향상시키고, 이에 따라 클리닝을 보다 효율적으로 할 수 있다는 것이다. 아르곤을 사용하는 것의 이점은 클리닝 효율 대 비용의 최상의 균형을 제공하는 것인데, 이것은 네온, 크립톤 및 크세논은 아르곤보다 훨씬 더 비싸고, 또한 네온은 대단히 덜 효율적이기 때문이다.
실시 형태에 있어서, 플라즈마는 1Torr 이하의 압력 하에서 형성될 수 있다. 그러나 그러한 높은 압력은 바람직하지 않다.
바람직하게, 플라즈마는 최대 50mTorr, 보다 바람직하게는 최대 30mTorr, 보다 더 바람직하게는 최대 20mTorr의 압력 하에서 형성될 수 있다.
실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함할 수 있다. 이들 실시 형태에 있어서, 단계 b)는 2개의 전극 중 적어도 하나에 교류 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
실시 형태에 있어서, 단계 b)는 제 1 전극에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계 및 제 2 전극에 제 2 교류 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 교류 전압은 동일한 전압 또는 상이한 전압을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 교류 전압은 동일한 주파수 또는 상이한 주파수를 가질 수 있다.
실시 형태에 있어서, 단계 b)는 제 1 전극에 교류 전압을 인가하는 단계 및 제 2 전극에 직류 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
실시 형태에 있어서, 2개의 전극 중 하나의 전극은 샘플을 수용하도록 구성될 수 있다. 여기에서 사용되는 바와 같이, 또한 특별한 규정이 없는 한, 전극과 관련될 때에 용어 "수용하도록 구성된다"는 전극이 샘플을 수용하기에 적합하게 하는 모든 대안을 포함한다. 예컨대, 전극이 샘플이 중력으로 인해 받쳐질 수 있는 수평의 하부 전극이라는 단순한 사실은 이미 이 전극이 샘플을 수용하도록 구성되게 한다. 한편 상부 전극 또는 수직 전극은, 중력으로 인해, 그 전극에서 샘플을 수용하기 위한(또한 이 경우에는 유지하기 위한) 추가적인 수단을 필요로 할 것이다. 그러한 추가적인 수단은 물론 하부 전극에도 존재할 수 있다. 이들 실시 형태에 있어서 전극 중 하나가 샘플을 수용하도록 구성되는 경우, 샘플을 수용하도록 구성되는 전극에 교류 전압이 바람직하게 인가된다.
실시 형태에 있어서, 전극 중 하나는 샘플을 수용하도록 구성될 수 있고 다른 전극은 샘플을 수용하도록 구성되지 않을 수 있다. 일반적인 CCP 반응기에서, 샘플을 수용하도록 구성되는 전극은 하부 전극이고 샘플을 수용하도록 구성되지 않는 전극은 상부 전극이다. 이하, 샘플을 수용하도록 구성되는 전극을 하부 전극이라고 부르고 샘플을 수용하도록 구성되지 않는 전극을 상부 전극이라고 부른다.
이들 실시 형태에 있어서 상부 및 하부 전극이 존재하면, 하부 전극에 교류 전압을 인가하고 상부 전극에 교류 또는 직류 전압을 인가하는 것이 바람직하다. 이들 실시 형태에 있어서, 상부 전극에 직류 전압을 인가하는 것이 매우 좋은 클리닝 능력으로 이어지기 때문에 바람직하다. 상부 전극에 교류 전압이 인가되면, 이 교류 전압은 0.1~70㎒, 바람직하게는 0.1~60㎒, 더 바람직하게는 0.1~50㎒, 훨씬 더 바람직하게는 0.1~40㎒, 보다 더 바람직하게는 0.1~30㎒, 보다 훨씬 더 바람직하게는 0.1~20㎒, 가장 바람직하게는 (DC 전압이 사용되지 않는다면) 0.1~10㎒의 주파수로 교번할 수 있다. 상부 전극에 대한 보다 낮은 주파수는 보다 좋은 클리닝 성능을 실현시키는 경향이 있다.
임의의 실시 형태에 있어서, 하부 전극에 교류 전압을 인가하는 것이 바람직하다. 이 교류 전압은 0.1~100㎒의 주파수로 교번할 수 있다. 상부 전극에 직류 전압이 인가되면, 바람직하게 하부 전극에 인가되는 교류 전압은 2~70㎒, 바람직하게는 10~70㎒, 더 바람직하게는 30~70㎒, 보다 더 바람직하게는 40~70㎒의 주파수로 교번한다. 하부 전극에 인가되는 보다 높은 주파수는 낮은 압력에서 플라즈마를 생성하는 것을 허용하고, 이것은 바람직하다.
실시 형태에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함할 수 있고 방법의 단계 b)는 2개의 전극 중 적어도 하나에 2㎒~70㎒의 주파수로 교류 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. 실시 형태에 있어서, 직류(DC) 전압은 다른 전극에 인가될 수 있다.
실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함할 수 있고 방법의 단계 b)는 2개의 전극 중 적어도 하나에 1000W~4000W, 바람직하게는 1500W~4000W의 전력을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
바람직하게, 이 (예컨대 1000W~4000W의) 전력은 상부 전극에 인가될 수 있다.
보다 높은 전력은 보다 좋고 보다 빠른 클리닝을 허용하기 때문에 바람직하다. 4000W를 넘는 전력은, 여전히 클리닝에 유용하지만, 챔버를 손상시킬 수 있다.
실시 형태에 있어서, 가스(예컨대 Ar) 유량은 50~1500sccm, 예컨대 100~1000sccm일 수 있다.
실시 형태에 있어서, 단계 b)는 사용되는 설정 및 요구되는 클리닝의 정도에 따라서, 2~1000s 계속될 수 있다. 일반적으로, 단계 b)는 10~500s 계속될 것이다.
실시 형태에 있어서, 방법은 프로세스 챔버에 산소 반응물질을 도입하는 단계 및 이 산소 반응물질로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이들 추가적인 단계는 단계 a) 이전 또는 단계 b) 이후에 행해질 수 있다. 이들 추가적인 단계는 바람직하게 프로세스 챔버에 불활성 가스를 도입하기 이전에 행해진다. 이 산소 반응물질 단계는 탄소 기반의 퇴적 물질을 제거하기에 특히 유리하다. 실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 탄소를 함유하는 퇴적 물질이 존재하는 적어도 하나의 안쪽 표면을 포함할 수 있다. 이들 실시 형태에 있어서, 산소 반응물질 플라즈마는 이들 퇴적 물질을 안쪽 표면으로부터 클리닝할 수 있다.
여기에서 사용되는 바와 같이, 또한 특별한 규정이 없는 한, 용어 산소 반응물질은 적어도 하나의 산소 원자를 포함하는 가스 분자를 가리킨다. 바람직하게, 이 가스 분자는 2개~3개의 원자를 갖는다. 산소 반응물질의 예는 O2, O3, CO2, H2O 및 그들의 혼합물이다. 바람직하게, 산소 반응물질은 O2를 포함하거나 O2이다.
불활성 가스를 도입하기 이전에 산소 반응물질 플라즈마가 형성되면, 산소 반응물질 플라즈마는 바람직하게 프로세스 챔버에 불활성 가스(이것으로부터 클리닝 플라즈마가 형성될 것이다)가 도입되기 이전에 챔버로부터 배출된다. 탄소 기반의 퇴적 물질은 산소 반응물질 플라즈마를 사용하지 않아도 제거될 수 있지만, 산소 반응물질 플라즈마를 형성하는 것은 불활성 가스 플라즈마만을 사용하는 것보다 낮은 비용과 적은 챔버 웨어로 탄소 퇴적물을 효율적으로 제거하는 이점을 갖는다. 따라서 산소 반응물질 플라즈마 단계/불활성 가스 플라즈마 단계의 조합은 산소 반응물질 플라즈마 단계가 사용되지 않을 때보다 낮은 비용과 적은 챔버 웨어로 탄소 및 낮은 휘발성의(예컨대 강자성 금속) 퇴적물 양쪽의 제거를 가능하게 하는 이점을 갖는다. 그러나 산소 반응물질(예컨대 20vol% 초과) 및 불활성 가스(예컨대 80vol% 초과)의 혼합물을 사용하여 플라즈마를 형성하는 것은 클리닝의 성능에 유해하다. 따라서 양 단계는 바람직하게 분리된다.
실시 형태에 있어서, 산소 반응물질 플라즈마는 최대 1Torr의 압력 하에서 형성될 수 있다.
실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함할 수 있고 산소 반응물질 플라즈마를 생성하는 단계는 전극 중 적어도 하나에 500W를 넘는, 바람직하게는 2000W를 넘는 전력을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게, 이 (예컨대 800W~3000W의) 전력은 상부 전극에 인가될 수 있다.
실시 형태에 있어서, 산소 반응물질 유량은 100~2000sccm일 수 있다.
실시 형태에 있어서, 산소 반응물질 플라즈마 단계는 사용되는 설정 및 요구되는 클리닝의 정도에 따라서, 1~500s 계속될 수 있다. 일반적으로, 산소 반응물질 플라즈마 단계는 (존재한다면) 5~200s 계속될 것이다.
실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 클리닝되는 퇴적 물질이 존재하는 적어도 하나의 안쪽 표면을 포함할 수 있다. 예컨대, 방법은 프로세스 챔버에서 물질이 에칭되어 퇴적 물질을 생성하는 에칭 프로세스(또는 단계) 후에 행해질 수 있다. 실시 형태에 있어서, 에칭 프로세스는 예컨대 반응성 이온 에칭을 통해서 행해질 수 있는데 여기서 에칭은 높은 에너지의 이온으로 스퍼터링하는 것을 통해서 실행된다. 실시 형태에 있어서, 에칭되는 물질은 비휘발성 물질일 수 있다. 비휘발성 물질은 코발트, 백금, 니켈, 철, 팔라듐, 망간, 크롬 및 마그네슘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 포함할 수 있다. 실시 형태에 있어서, 퇴적 물질은 코발트, 백금, 니켈, 철, 팔라듐, 망간, 크롬, 마그네슘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 포함할 수 있다. 그러한 물질은 종래의 방법으로 클리닝하기에 특히 어렵지만 본 개시의 실시 형태에 따른 방법으로 손쉽게 클리닝된다. 실시 형태에 있어서, 에칭되는 물질은 (예컨대 코발트, 백금, 니켈 및 철로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 포함하는) 강자성 물질일 수 있다. 백금은 그러한 강자성을 갖지 않지만, 백금 합금(예컨대 Pt3Fe 또는 PtCo)은 강자성을 가질 수 있고 따라서 강자성 물질은 금속 원소 백금을 포함할 수 있다. 실시 형태에 있어서, 퇴적 물질은 코발트, 백금, 니켈 및 철로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 포함할 수 있다.
강자성 물질은 예컨대 자기 터널 접합(MTJ) 물질로서 사용된다. 자기 터널 접합(MTJ) 물질의 드라이 에칭은 MTJ 물질을 사용하는 워킹 메모리 디바이스(working memory device)를 만드는 것에 있어서 가장 어려운 단계 중 하나이다. 주된 이유는 보통의 MTJ 막(Co, Pt, Ni 및 Fe와 같은 원소를 포함한다)의 에칭은 프로세스 챔버의 측벽에 비휘발성 생성물이 퇴적하는 것을 야기하기 때문이다. 이들 비휘발성 생성물은 일반적으로 사용되는 드라이 에칭 가스 또는 챔버 클리닝 가스로 휘발성 생성물을 쉽게 형성하지 않는다. 이것은 몇몇의 문제로 이어진다.
첫째, 에칭된 측벽 금속층이 MTJ 요소에 다시 퇴적되는 결과로서 프로세싱 이후에 전기적 단락이 매우 흔하게 발견된다.
둘째, 챔버 클리닝이 효율적이지 않으면, 에칭되는 물질이 드라이 에칭 챔버의 내부에서 쉽게 다시 스퍼터링되어 프로세스 드리프트를 발생시킨다.
본 개시의 실시 형태는 MTJ 물질의 드라이 에칭 후의 사용 또한 특히 MTJ 물질의 드라이 에칭 후의 사용에 특히 적합하다.
실시 형태에 있어서, 상기 클리닝은 안쪽 표면으로부터 퇴적 물질을 제거하는 것을 포함할 수 있다.
실시 형태에 있어서, 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함할 수 있고, 2개의 전극 중 하나의 전극은 샘플을 수용하도록 구성되고 다른 전극은 그 위에 퇴적 물질을 갖고, 클리닝은 이 다른 전극으로부터 퇴적 물질을 제거하는 것을 포함한다.
실시 형태에 있어서, 방법은 프로세스 챔버에 탈착 가능한 보호 기판을 도입하여, 단계 b)가 이 보호 기판의 존재 하에서 행해지도록 하는 단계를 더 포함한다. 실시 형태에 있어서, 보호 기판은 단계 a) 이전에 도입될 수 있다. 실시 형태에 있어서, 불활성 가스의 플라즈마는 이 기판의 존재 하에서 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고 바람직하게는 불활성 가스도 이 기판의 존재 하에서 프로세스 챔버에 도입될 수 있다. 탈착 가능한 보호 기판은 바람직하게 프로세스 챔버의 안쪽 표면의 적어도 일부를 커버한다. 바람직하게, 보호 기판은 샘플을 수용하도록 구성된 전극의 적어도 일부를 커버한다. 탈착 가능한 보호 기판을 사용하는 것의 이점은 클리닝 프로세스 중에 안쪽 표면의 오염을 방지하는 것이다. 하부 전극을 커버하는 것의 이점은 클리닝 프로세스에 의한 이 전극의 오염을 방지하는 것이다. 탈착 가능한 보호 기판은 일반적으로 더미 웨이퍼이다.
실시 형태에 있어서, 클리닝되는 프로세스 챔버에 샘플이 존재하면, 방법은 상기 챔버로부터 상기 샘플을 제거하고 선택적으로 상기 샘플을 더미 웨이퍼와 같은 탈착 가능한 보호 기판으로 교체하는 선택적인 단계를 단계 a) 이전에 더 포함할 수 있다.
실시 형태에 있어서, 단계 b)에서 형성되는 플라즈마는 퇴적 물질을 스퍼터링하여 퇴적 물질을 제거할 수 있다. 실시 형태에 있어서, 단계 b)는 제거될 퇴적 물질에 대한 광학적 발광 분광법(optical emission spectroscopy)의 종점에 도달할 때까지 유지될 수 있다.
실시 형태에 있어서, 방법은 스퍼터링된 물질을 배출하는 단계를 단계 b) 이후에 더 포함할 수 있다. 이것은 예컨대 스퍼터링된 물질을 프로세스 챔버의 배출구를 향해서 씻어냄(flushing)으로써 행해질 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시 형태에 따라, 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법 동작의 플로차트이다.
도 2는 본 개시의 실시 형태에서 사용되는 것과 같은 용량 결합형 플라즈마 반응기의 개략도이다.
도 3은 본 개시의 실시 형태에서 사용되는 것과 같은 다른 용량 결합형 플라즈마 반응기의 개략도이다.
도 4는 본 개시의 실시 형태에서 사용되는 것과 같은 용량 결합형 플라즈마 반응기를 위한 프로세스 챔버의 개략도이다.
도면은 도식적인 것일 뿐이고 한정되지 않는다. 도면에 있어서, 요소 중 몇몇의 사이즈는 과장될 수 있고 도시의 목적으로 축척대로 그려지지 않았다. 청구항의 어떤 참조 부호도 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 상이한 도면에 있어서, 동일한 참조 부호는 동일한 또는 유사한 요소를 가리킨다.
본 개시는 특정한 실시 형태에 대하여 또한 임의의 도면을 참조하여 서술될 것이지만 본 개시는 그것으로 한정되지 않고 청구항에 의해서만 한정된다. 도면은 도식적으로만 서술되고 한정되지 않는다. 도면에 있어서, 요소 중 몇몇의 사이즈는 과장될 수 있고 도시의 목적으로 축척대로 그려지지 않았다. 크기 및 상대적인 크기는 본 개시의 실행을 위한 실제의 축소판과 일치하지 않는다.
도 1은 본 개시의 실시 형태에 따라 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법 동작의 플로차트이다. "프로세스 챔버에 불활성 가스를 도입한다"는 동작 110에 있어서 불활성 가스를 체적의 80~100% 포함하는 가스가 프로세스 챔버에 도입되는데, 상기 불활성 가스는 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 그들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
"플라즈마를 형성한다"는 동작 120에 있어서 상기 불활성 가스로부터 플라즈마가 형성되어, 상기 프로세스 챔버를 클리닝한다. "프로세스 챔버에 산소를 도입한다"는 동작 130에 있어서 산소 반응물질(예컨대 산소)이 프로세스 챔버에 도입된다. "플라즈마를 형성한다"는 동작 140에 있어서 상기 산소 반응물질로부터 플라즈마가 형성되어, 상기 프로세스 챔버로부터 탄소 기반 퇴적 물질을 클리닝한다. 동작 130과 이후의 동작 140은 선택적인 단계이고, 파선의 윤곽을 갖는 텍스트 상자로 나타내어진다. 도 1의 왼쪽 분기는 불활성 가스 플라즈마의 생성 후에 산소 반응물질 플라즈마가 생성되는 실시 형태를 나타낸다. 도 1의 오른쪽 분기는 불활성 가스 플라즈마의 생성 전에 산소 반응물질 플라즈마가 생성되는 바람직한 실시 형태를 나타낸다.
도 2는 본 개시의 실시 형태에 있어서 클리닝을 수행하는 용량 결합형 플라즈마 반응기의 개략도이다. AC 파워 서플라이(210)는 0.1~70㎒의 주파수로 상부 전극(220)에 전력을 공급한다. 불활성 가스에 대하여 이 전력은 1000W~4000W의 범위, 바람직하게는 1500W~4000W(예컨대 1500W)의 범위에 있을 수 있다. 보다 높은 전력값은 스퍼터링 레이트를 증가시키기 때문에 유리한 것으로 여겨지고, 따라서 클리닝 시간을 축소시킨다. 동시에 AC 파워 서플라이(230)는 0.1~100㎒(예컨대 400㎑)의 주파수로 하부 전극(240)에 전력을 공급할 수 있다. 이 전력은 불활성 가스에 대하여 최대 200W일 수 있다. 210 및 230은 적합한 가스가 도입되면 프로세스 챔버(260)에서 플라즈마(250)를 형성하기 위해 전력을 함께 공급한다. 바람직하게, 상부 파워 서플라이(210) 또는 하부 파워 서플라이(230) 중 적어도 하나는 적어도 2㎒의 전력을 공급한다. 210 및 220은 적합한 가스가 도입되면 프로세스 챔버에서 플라즈마(250)를 형성하기 위해 함께 전력을 함께 공급한다.
도 3은 본 개시의 실시 형태에 있어서 클리닝을 수행하는 용량 결합형 플라즈마 반응기의 개략도이다. 반응기는 프로세스 챔버(260) 내에 2개의 전극(220, 240)을 포함한다. DC 파워 서플라이(310)는 상부 전극(220)에 전력을 공급한다. 불활성 가스에 대하여 이 전력은 1000W~4000W의 범위, 바람직하게는 1500W~4000W의 범위에 있을 수 있다. 보다 높은 전력값은 스퍼터링 레이트를 증가시키기 때문에 유리한 것으로 여겨지고, 따라서 클리닝 시간을 축소시킨다. 동시에 AC 파워 서플라이(320)는 2㎒~70㎒(예컨대 40㎒)의 주파수로 하부 전극(240)에 전력을 공급할 수 있다. 이 전력은 불활성 가스에 대하여 최대 200W일 수 있다. 310 및 320은 적합한 가스가 도입되면 프로세스 챔버에서 플라즈마(250)를 형성하기 위해 전력을 함께 공급한다.
도 4는 본 개시의 실시 형태에 따라 사용되는 것과 같은, 프로세스 챔버의 도식적 개관이다. 이 실시 형태에 있어서 상부 전극(230)의 표면에 퇴적 물질(410)이 있다. 하부 전극(240)에는 탈착 가능한 보호 기판(420)이 배치된다. 이것은 클리닝 절차 중에 하부 전극(240)을 보호하고, 또한 제거된 퇴적 물질이 하부 전극(240)을 오염시키기 때문에 이들 물질이 240의 표면에 퇴적되는 것을 방지한다.
본 개시의 실시 형태에 따른 방법의 예는 코발트백금(CoPt) 기판의 에칭 후에 퇴적물을 클리닝하는 것이다. 이 기판을 에칭하기 위해, CH4, CO 및 아르곤의 혼합물이 사용되었다. 이것은 에칭되는 기판을 지지하는 전극(240)과 대향하는 전극(230)에 코발트백금 물질(410) 및 탄소 기반의 물질이 퇴적되는 것을 야기한다. 퇴적 물질이 존재하는 전극을 이하 "상부 전극"이라고 부른다. 이들 퇴적 물질(410)을 클리닝하기 위해, 상이한 방법이 시도되었다. 시험 1-1(비교)은 CH4 및 CO로부터 생성되는 플라즈마에 의한 제 1 클리닝의 단계 및 그 이후의 산소 반응물질 플라즈마에 의한 클리닝으로 이루어지는 제 2 단계를 포함하였다. 이것은 상부 전극으로부터 CoPt 퇴적물을 제거하지 못하였다. 시험 1-2(비교)는 CF4 플라즈마의 5사이클로 이루어지는 또 다른 단계를 산소 반응물질 플라즈마 후에 추가하였다. 이것은 이전의 시험 이상의 어떤 뚜렷한 향상도 초래하지 못하였다.
본 개시의 방법에 대하여, 시험 2-1은 산소 반응물질 플라즈마로 스퍼터링하는 것에 의한 클리닝 이후에 아르곤 플라즈마로 스퍼터링하는 것에 의한 클리닝을 포함하였다. 산소 반응물질 플라즈마 처리는 30mTorr의 압력 하에서, 600sccm의 O2 유량으로 45s 행해졌다. 60㎒의 주파수 및 1000W의 전력의 교류 전류가 상부 전극(230)에 인가되었다. 400㎑의 주파수 및 500W의 전력의 교류 전류가 하부 전극에 인가되었다. Ar 플라즈마 처리는 10mTorr의 압력 하에서, 300sccm의 순수 Ar 유량으로 120s 행해졌다. 60㎒의 주파수 및 1500W의 전력의 교류 전류가 상부 전극에 인가되었다. 400㎑의 주파수 및 200W의 전력의 교류 전류가 하부 전극에 인가되었다. 이것은 상부 전극에 대한 청정한(clean) 표면을 초래하였다. 이것은 코발트 및 백금 양쪽에 대한 광학적 발광 분광법(OES)에 있어서 대응하는 신호의 상당한 감소의 관측에 의해 또한 확인되었다. 이것은 코발트에 대하여 241, 304, 341, 346㎚에서 측정되었고, 백금에 대하여 265, 270, 274, 283㎚에서 측정되었다. 시험 2-2에 대하여, O2 플라즈마에 의한 클리닝 단계는 생략되고 Ar 플라즈마 처리는 시간이 약간 연장된다. 역시 청정한 상부 전극이 얻어진다.

Claims (15)

  1. 용량 결합형 플라즈마 반응기의 프로세스 챔버를 클리닝하는 방법으로서,
    a) 불활성 가스를 체적(volume)의 80~100% 포함하는 가스를 상기 프로세스 챔버에 도입하는 단계-상기 불활성 가스는 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 그들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다-와,
    b) 상기 불활성 가스로부터 플라즈마를 형성하여 상기 프로세스 챔버를 클리닝하는 단계
    를 포함하는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 상기 불활성 가스를 적어도 90%, 바람직하게는 적어도 99% 포함하는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 아르곤인 프로세스 챔버의 클리닝 방법.

  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 최대 50mTorr의 압력 하에서 형성되는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    c) 산소 반응물질을 상기 프로세스 챔버에 도입하는 단계와,
    d) 상기 산소 반응물질로부터 플라즈마를 형성하는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 단계 c) 및 d)는 상기 단계 a) 이전 또는 상기 단계 b) 이후에 행해지는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 단계 c) 및 d)는 상기 단계 a) 이전에 행해지는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.

  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 탄소를 함유하는 퇴적 물질(deposited materials)이 존재하는 적어도 하나의 안쪽 표면을 포함하고,
    상기 산소 반응물질의 플라즈마는 상기 퇴적 물질을 상기 안쪽 표면으로부터 클리닝하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함하고,
    상기 단계 b)는 상기 2개의 전극 중 적어도 하나에 1000W~4000W의 전력을 인가하는 단계를 포함하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함하고,
    상기 단계 b)는 상기 2개의 전극 중 적어도 하나에 2~100㎒의 주파수의 교류 전압을 인가하는 단계를 포함하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 단계 b)는 하나의 전극에 2~70㎒의 주파수의 교류 전압을 인가하고 다른 전극에 DC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 클리닝되는 퇴적 물질이 존재하는 적어도 하나의 안쪽 표면을 포함하고,
    상기 퇴적 물질은 코발트, 백금, 니켈, 철, 크롬, 마그네슘, 팔라듐 및 망간으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물을 적어도 포함하고,
    상기 클리닝은 상기 안쪽 표면으로부터 상기 퇴적 물질을 제거하는 것을 포함하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 a) 및 b)는 물질이 에칭되는 에칭 프로세스에 후속하여 행해지고,
    상기 물질은 코발트, 백금, 니켈, 철, 크롬, 마그네슘, 팔라듐 및 망간으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 적어도 포함하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    에칭되는 상기 물질은 코발트, 백금, 니켈 및 철로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 금속 원소를 적어도 포함하는 강자성 물질인 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 2개의 평행 전극을 포함하고,
    상기 2개의 전극 중 하나의 전극은 샘플을 수용하도록 구성되고 다른 전극은 그 위에 퇴적 물질을 갖고,
    상기 클리닝은 상기 다른 전극으로부터 상기 퇴적 물질을 제거하는 것을 포함하는
    프로세스 챔버의 클리닝 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버에 탈착 가능한 보호 기판을 도입하여, 상기 단계 b)가 상기 보호 기판의 존재 하에서 행해지도록 하는 단계를 더 포함하는 프로세스 챔버의 클리닝 방법.
KR1020167023128A 2014-03-24 2015-03-17 프로세스 챔버의 클리닝 방법 KR20160137967A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461969379P 2014-03-24 2014-03-24
US61/969,379 2014-03-24
PCT/EP2015/055499 WO2015144487A1 (en) 2014-03-24 2015-03-17 Method for cleaning a process chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160137967A true KR20160137967A (ko) 2016-12-02

Family

ID=52823600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023128A KR20160137967A (ko) 2014-03-24 2015-03-17 프로세스 챔버의 클리닝 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170069472A1 (ko)
JP (1) JP2017517865A (ko)
KR (1) KR20160137967A (ko)
WO (1) WO2015144487A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416053B (zh) * 2019-07-30 2021-03-16 江苏鲁汶仪器有限公司 一种电感耦合等离子体处理系统
CN111020505A (zh) * 2019-12-16 2020-04-17 上海交通大学 在镁合金表面用氩离子刻蚀制备高耐腐蚀Al薄膜的方法
CN115815223A (zh) * 2021-09-17 2023-03-21 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种等离子刻蚀腔的清洗方法及应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5824375A (en) * 1996-10-24 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
JP2002317267A (ja) * 2001-04-17 2002-10-31 Nec Kagoshima Ltd 薄膜製造方法
US7357138B2 (en) * 2002-07-18 2008-04-15 Air Products And Chemicals, Inc. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
KR100520900B1 (ko) * 2003-03-13 2005-10-12 주식회사 아이피에스 Ａｌｄ 박막증착방법
US7207339B2 (en) * 2003-12-17 2007-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for cleaning a plasma enhanced CVD chamber
JP4680066B2 (ja) * 2004-01-28 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の処理室清浄化方法、基板処理装置、および基板処理方法
US20070074741A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Tokyo Electron Limited Method for dry cleaning nickel deposits from a processing system
US20090297731A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Asm Japan K.K. Apparatus and method for improving production throughput in cvd chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US20170069472A1 (en) 2017-03-09
WO2015144487A1 (en) 2015-10-01
JP2017517865A (ja) 2017-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10944051B2 (en) Method of cleaning a substrate processing apparatus and the substrate processing apparatus performing the method
US9059398B2 (en) Methods for etching materials used in MRAM applications
KR102444488B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP6400425B2 (ja) 多層膜をエッチングする方法
TWI324027B (en) Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus
US20150214474A1 (en) Etching method and substrate processing apparatus
KR101903432B1 (ko) 플라스마 처리 방법
JP2020177921A (ja) プラズマ生成装置及び方法
KR101578077B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법
JP2011515582A (ja) 同軸マイクロ波支援堆積及びエッチングシステム
JP6845773B2 (ja) プラズマ処理方法
KR20160088855A (ko) 피에칭층을 에칭하는 방법
JP5783890B2 (ja) プラズマ処理方法
KR20160137967A (ko) 프로세스 챔버의 클리닝 방법
KR101445961B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법
KR20190085143A (ko) 물리 기상 증착 챔버 내의 입자 감소
KR20150014434A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2006120983A (ja) プラズマエッチング方法
Umetsu et al. Discharge power dependence of Hα intensity and electron density of Ar+ H2 discharges in H-assisted plasma CVD reactor
JP4958658B2 (ja) プラズマ処理方法
JP6227483B2 (ja) プラズマ処理方法
JP6368837B2 (ja) プラズマエッチング方法
Edamura et al. A novel plasma etching tool with rf-biased Faraday-shield technology: chamber surface reaction control in the etching of nonvolatile materials
KR20240055013A (ko) 플라즈마 식각 챔버의 세정 방법 및 그 응용
Kim et al. Investigation on etch characteristics of MgO thin films using a HBr/Ar plasma