KR20160137485A - 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 297
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 289
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 131
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 15
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
본 개시는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 제2 면 측에서, 도전부와 도통하도록 제1 도전 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있는 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 여기서, 반도체 소자는 pn접합을 이용하는 반도체 소자를 의미하며, 반도체 광소자(예: 반도체 발광소자, 반도체 수광소자)를 예로 들 수 있다. 또한 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극(901,902,903), 그리고 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)을 포함한다. 전극(901)은 반사막으로 기능하며, 전극(902)은 베리어(barrier)로 기능하고, 전극(903)은 외부 전극과의 본딩을 원활히 하는 기능을 한다. 이러한 형태의 반도체 발광소자 칩은 전극(800) 및 전극(903)이 SMD 타입 패키지, PCB(Printed Circuit Board), COB(Chip-on Board), 서브마운트 등에 (와이어 본딩에 의하지 않고) 직접 연결되는 형태이며, 플립 칩(Flip Chip)이라 일컫는다.
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)은 각각 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 바람직하지는 않지만 버퍼층(200)과 투광성 도전막(600)은 생략될 수 있고, n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
도 3은 국제 공개특허공보 WO2014/014298호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되며 활성층(400)에서 생성된 빛을 반사하도록 형성된 비도전성 반사막(900; 예: DBR), 비도전성 반사막(900) 위에 형성되는 전극(700)과 전극(800)을 포함한다. 전극(700)과 전극(800)은 각각 도통부(710)와 도통부(810)를 통해 n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)과 전기적으로 연통(electrical communication)한다.
도 4는 일본 공개특허공보 제2001-358371호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800)을 포함한다. 전극(700)과 전극(800) 사이에는 절연막(9)이 구비되어 있다. 반도체 발광소자는 반도체 발광소자 칩에 더하여, 몸체(1), 몸체(1)에 형성된 리드 프레임(2,3), 리드 프레임(2,3) 위에서 공동(4)을 형성하는 몰드부(5) 그리고 반도체 발광소자 칩을 둘러싸는 봉지제(1000)를 포함한다. 봉지제(1000)에는 형광체, 광산란제 등이 포함될 수 있다. 전극(700,800)은 접합층(7)을 통해 리드 프레임(2,3)에 고정된다. 전극(700,800)과 리드 프레임(2,3)의 전기적 연결에는 스터드 범프를 이용한 접합, 도전 접착제를 이용한 접합, 솔더링을 이용한 접합, 유테틱 본딩 등의 방법이 이용될 수 있으며, 특별한 제한이 있는 것은 아니다.
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩의 기판(100)이 리드 프레임(2)에 고정된 상태에서 와이어(8)를 이용하여, 리드 프레임(2,3)과 전기적으로 연결된 형태의 반도체 발광소자가 제시되어 있다. 와이어 본딩을 이용하는 경우에, 소자내에 열이 발생해도, 복수의 반도체층(300,400,500)과 리드 프레임(2,3) 사이에 기판(100)이 존재하므로 반도체로 된 복수의 반도체층(300,400,500)과 금속으로 된 리드 프레임(2,3) 사이에 열팽창의 차이가 있어도, 복수의 반도체층(300,400,500)의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있다. 일반적으로 이러한 형태의 칩을 래터럴 칩(Lateral Chip)이라 일컫는다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 발광소자의 경우에, 복수의 반도체층(300,400,500)의 전체 두께는 10㎛이하이며, 기판(100; 예: 사파이어)의 두께는 80~150㎛인 것이 일반적이다.
도 4로 돌아가서, 반도체 발광소자 칩이 플립 칩 본딩된 경우에, 복수의 반도체층(300,400,500)이 리드 프레임(2,3)을 직접 마주하게 되며, 발열로 인해 금속으로 된 리드 프레임(2,3)이 팽창되면, 복수의 반도체층(300,400,500)에 크랙 또는 깨짐이 발생할 가능성이 높아지게 된다. 또한 최근에는 래터럴 칩에 비해 고전류로 구동이 가능한 플립 칩의 사용이 확대되고 있으며, 고전류 즉, 고전력(high power)을 사용하는 칩의 경우에, 소자내 발열량이 많아 복수의 반도체층(300,400,500)의 크랙 또는 깨짐이 문제가 될 가능성이 더욱 커지고 있다 하겠다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 제2 면 측에서, 도전부와 도통하도록 제1 도전 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 도전부에 적어도 하나의 도전 패드를 형성하는 단계; 그리고, 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 장치에 있어서, 제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체를 성장 기판으로 하여 성장되는 반도체 소자; 그리고, 제1 열팽창 계수와 2ppm 이내의 차이를 가지는 제2 열팽창 계수를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 장치에 있어서, GaN으로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고, AlN로 되어 있으며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 장치에 있어서, 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하며, 제1 기판은 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제2 면 측에 반도체 소자가 결합되어 있고, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 표면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 도전부와 도통하도록 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자를 제1 기판에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 장치에 있어서, 제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고 제1 열팽창 계수보다 작은 제2 열팽창 계수를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 국제 공개특허공보 WO2014/014298호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 일본 공개특허공보 제2001-358371호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8 및 도 9는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11 및 도 12는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 장치의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 17은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 국제 공개특허공보 WO2014/014298호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 일본 공개특허공보 제2001-358371호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8 및 도 9는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11 및 도 12는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 장치의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 17은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 6 및 도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10)을 준비한다. 제1 기판(10)은 제1 면(11), 제2 면(12) 및 제1 면(11)과 제2 면(12)을 이어주는 측면(13)을 구비한다. 다음으로, 제1 면(11) 측에서 홈(14)을 형성한다. 홈(14)의 형상에 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 원형, 다각형, 슬릿, 트렌치(trench) 등의 형태를 가질 수 있다. 즉, 길게 이어진 형태 또는 독립된 오목부의 형태를 가질 수 있다. 다음으로, 홈(14)에 도전부(15)를 형성한다. 바람직하게는, 도전부(15)에 도전 패드(16)를 형성한다. 도전부(15)와 도전 패드(16)는 별도의 공정으로 형성되어도 좋고, 하나의 공정으로 형성되어도 좋다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 기판(17)을 결합층(18)을 이용하여 제1 기판(10)에 결합한다. 다음으로, 제2 면(12) 측에서 연마 등을 통해 제1 기판(10)의 두께를 감소시킨다. 바람직하게는 도전부(15)에 도전 패드(19)를 형성한다. 제2 기판(17)이 제1 기판(10)에 직접 접착될 수 있는 물성을 가진다면, 결합층(18)은 생략될 수 있다. 필요에 따라, 도전 패드(19)를 형성하기 전 또는 후에, 제1 기판(10)에 반사층 또는 절연층(12a)을 형성할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자 칩(20)을 제1 기판(10)에 고정한다. 반도체 발광소자 칩(20)은 성장 기판(21; 예: Al2O3), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(22; 예: n형 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(23; 예: p형 GaN), 제1 반도체층(22)과 제2 반도체층(23) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(24; 예: InGaN/(In)(Al)GaN 다중양자우물구조), 그리고 제1 반도체층(22)과 제2 반도체층(23) 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극(25) 및 제2 전극(26)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(20)은 도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 발광소자 칩 중의 하나일 수 있으며, 플립 칩의 형태라면, 특별한 제한을 가지는 것은 아니다. 제1 전극(25)과 제2 전극(26)은 대응하는 도전부(15)에 고정된다. 도전부(15)는 전기적 통로 및 열적 통로로서 기능한다. 바람직하게는, 반도체 발광소자 칩(20)을 덮도록 봉지제(27)를 형성한다. 봉지제(27)가 형광체 및/또는 광산란제를 포함할 수 있음은 물론이다. 바람직하게는, 봉지제(27)의 일부를 제거하여 봉지제(27)의 측면이 노출되도록 한다. 이는 후술할 절단 공정에 도움을 주거나, 봉지제(27)가 반도체 발광소자 칩(20)의 형상을 따르게 하는 등을 위함이다. 봉지제(27)의 제거에는 커팅, Sawing 등의 방법이 사용될 수 있다. 또한 봉지제(27)로 반도체 발광소자 칩(20)을 덮기 전에, 제거될 봉지제(27)의 형태를 따라 틀을 미리 제1 기판(10)에 놓은 후, 봉지제(27)를 형성하는 방법도 사용할 수 있다. 각각의 전극(25,26)에 하나씩의 도전부(15)가 대응될 수도 있지만, 하나의 전극이 복수의 도전부(15)와 결합될 수 있음은 물론이다. 전극(25,26)과 도전부(15) 또는 전극(25,26)과 도전 패드(19)는 정렬된 후, 열압착을 통해 본딩될 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 기판(17)이 제1 기판(10)으로부터 분리되어 있다. 다음으로, 반도체 발광소자 칩(20)을 포함하도록 제1 기판(10)을 절단한다. 바람직하게는, 레이저(28)를 제1 기판(10) 내부로 조사하여 크랙(29)을 형성한 다음, 브레이킹 공정을 통해, 제1 기판(10)을 절단함으로써, 반도체 발광소자 칩(20) 및 봉지제(27)에 기계적, 화학적 및/또는 열적 손상을 줄여서, 제1 기판(10)을 절단할 수 있게 된다. 쏘잉과 같이 기계적인 절단 방법을 사용하는 경우에, 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하지 않고, 제1 기판(10)을 절단하는 것도 가능하다, 제2 기판(17)을 함께 절단하는 것도 가능하지만, 제1 기판(10)만 절단한 후 제2 기판(17)을 제거하는 것이 공정상 이점을 가진다. 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하는 과정에서, 결합층(18)을 에칭 등의 방법으로 제거함으로써, 양자를 분리하는 것도 가능하다. 도 9에 제시된 예에서, 제1 기판(10)의 제2 면(12)의 일부가 노출되어 있으며, 도전 패드(19)를 포함한 도전부(15)는 봉지제(27)에 의해 덮혀 있다.
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 결합하기 전에, 먼저 제1 기판(10)을 관통하도록 홈(14)을 형성하고, 다음으로 도전부(15)를 형성한 다음, 결합층(18)을 이용하여, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 결합한다. 이후의 과정은 동일하다. 바람직하게는 도전부(15)의 적어도 일측에 도전 패드(16,19)가 형성되어 있다. 제1 기판(10)을 관통하지 않도록 홈(14)을 형성한 다음, 도전부(15)를 형성하고, 연마를 통해, 홈(14)이 제1 기판(10)을 관통한 형태를 가지도록 하는 것도 가능하다.
도 11 및 도 12는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10)에 반도체 발광소자 칩(20)을 고정하고, 다음으로, 봉지제(27)를 형성하기에 앞서, 반도체 발광소자 칩(20) 옆에 댐(30)을 먼저 형성한다. 다음으로, 봉지제(27)로 반도체 발광소자 칩(20)을 덮는다. 댐(30)은 반사막 등으로 기능한다.
다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 댐(30)의 전부를 제거나 댐(30)의 일부를 제거한다. 댐(30)을 포토리지스터(PSR)와 같은 물질로와 같은 물질로 형성함으로써, 쉽게 패턴닝하는 한편, 쉽게 제거하는 것이 가능하다. 쏘잉 공정을 통해 댐(30)의 일부를 남기는 것이 가능하다. 또한 댐(30)을 반사막 기능을 갖는 백색 유기물(TiO2, SiO2 성분 포함)로 형성하는 것도 가능하다.
도 13은 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하기에 앞서, 성장 기판(10)을 복수의 반도체층(22,23,24)으로부터 분리한다. 바람직하게는, 제1 전극(25)과 제2 전극(26) 사이의 공간이 절연체(31)로 메워져있다. 더욱 바람직하게는, 제2 반도체층과(23)과 제1 기판(10)이 마주하는 공간 전체가 메워져있다. 이 공간을 메우는 과정은 반도체 발광소자 칩(20)을 제조하는 과정에서 이루어지거나, 반도체 발광소자 칩(20)을 제1 전극(10)에 고정하기에 앞서서 행해질 수 있다. 또한, 제1 반도체층과(22) 상부에 투명한 접착제를 이용하여 직접 또는 간접적으로 형광체 및/또는 광산란제를 포함한 구조물(도시 생략)을 형성하는 것도 가능하다.
도 14는 본 개시에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 8에서와 같이 제1 기판(10)에 낱개의 반도체 발광소자 칩(20)이 고정되는 것이 아니라, 제1 기판(10)에 복수의 반도체 발광소자 칩(20a,20b,20c,20d)이 하나의 성장 기판(21)을 통해 고정된다. 복수의 반도체 발광소자 칩(20a,20b,20c,20d)이 서로 배선을 통해 병렬, 직렬 또는 직병렬로 연결되어 있을 수 있음은 물론이다.
도 15는 본 개시에 따른 반도체 장치의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 15에 도시된 반도체 발광소자는 도 6 내지 도 9에 제시된 방법에 따라 만들어진 반도체 발광소자(A)에 더하여, 도전부(15,15)가 결합되는 리드 프레임(2,3)과 반도체 발광소자(A)를 둘러싸는 봉지제(1000) 그리고 봉지제(1000)를 수용하는 몰드부(5)를 선택적으로 더 포함한다.
도 16은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 8에 제시된 반도체 소자와 달리, 성장 기판으로서, 3족 질화물 반도체, 즉, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 성장 기판(21a; 예: GaN)이 사용된 예가 제시되어 있다. GaN 기판을 이용하는 반도체 소자의 경우에, 고출력, 저동작전압, 저발열 등을 특징으로 하지만, 사파이어 기판에 비해 여전히 고가여서, 원가 절감을 위해 칩 사이즈를 축소할 필요가 있으며, 칩의 크랙킹, 전극 크기로 인한 칩 크기 축소의 한계, 전류밀도 상승으로 인한 고발열 등의 문제를 야기할 수 있다. 한편, GaN의 열팽창 계수가 5.56ppm이므로, 종래의 금속(Cu, Al)으로 된 리드 프레임에 탑재되는 경우(예를 들어, Cu로 된 리드 프레임의 열팽창 계수가 16ppm이다), 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 사용하는 반도체 칩과 지지 기판 간에 열팽창 계수의 차이로 인한 다양한 기계적 문제를 야기할 가능성이 높다. 도 6 내지 도 15에 걸쳐서 제시된 본 개시에 따른 반도체 소자용 지지 기판을 사용함으로써, 이러한 문제점을 해소하는 것이 가능하다. 또한 반도체 칩을 파지할 때, 발생하는 반도체 칩의 손상도 지지 기판을 이용함으로써 방지할 수 있게 된다. 바람직하게는 제1 기판(10)의 재질을 성장 기판(21a)의 재질과 열팽창 계수의 차이가 작은 재질(바람직하게는, 2ppm)로 선정함으로써, 열팽창 계수의 차이로 인해 발생할 있는 다양한 기계적 및 열적 결함을 해소하는 것이 가능하다. 예를 들어, 성장 기판(21a)이 GaN(5.56ppm)인 경우에, 세라믹 AlN(4.8ppm)를 제1 기판(10)으로 선정함으로써, 양자 간 열팽창 계수의 차이를 2ppm이내, 더욱 바람직하게는 1ppm 이내로 하는 것이 가능해진다. Al2O3 세라믹의 열팽창 계수가 6.9~7.5ppm이므로 제1 기판(10)으로 적용 가능하다. 동일 부호에 대한 설명은 제외하며, 도 7에 제시된 것과 같이, 반사층 또는 절연층(12a)이 양 전극(25,26) 사이에 구비될 수 있음은 물론이다.
도 17은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 성장 기판(21a)을 이용한 수직형 칩이 제1 기판(10)에 탑재되어 있다. 제2 전극(26)이 제2 반도체층(23)에 전기적으로 연결되어 있으며, 제2 전극(26)은 와이어를 통해 도전 패드(19-1) 및 도전부(15-1)에 전기적으로 연결되어 있고, 제1 반도체층(22)은 성장 기판(21a)을 통해 도전 패드(19-2) 및 도전부(15-2)에 전기적 연결되어 있다. 성장 기판(21a)의 하부에 별도의 전극(제1 전극(25)에 해당)이 구비될 수 있으며, 성장 기판(21a)과 수직형 칩은 통상의 방법을 통해 고정될 수 있다. 동일 부호에 대한 설명을 생략한다.
도 18은 본 개시에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 성장 기판(21a)을 이용한 레터럴 칩이 제1 기판(10)에 탑재되어 있다. 제1 전극(25)은 제1 반도체층(22)에 전기적으로 연결되어 있으며, 제2 전극(26)은 제2 반도체층(23)에 전기적으로 연결되어 있다. 제1 전극(25)은 와이어를 통해 도전 패드(19-2) 및 도전부(15-2)에 전기적으로 연결되어 있고, 제2 전극(26)은 와이어를 통해 도전 패드(19-1) 및 도전부(15-1)에 전기적으로 연결되어 있다. 바람직하게는 도전 패드(19-3) 및 도전부(15-3)가 추가로 구비되어, 반도체 칩으로부터의 방열 통로로 기능한다. 성장 기판(21a)이 도통가능한 경우에, 도전 패드(19-3)와 성장 기판(21a) 사이에 별도의 절연층이 구비될 수 있으며, 도전 패드(19-3)를 비도전성 물질로 대체하는 것도 가능하다.
본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 면 측에서 결합층을 통해 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제2 면 측에서 제1 기판에 고정하는 단계;로서, 제1 전극 및 제2 전극 각각을 제1 홈의 도전부와 제2 홈의 도전부에 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
제1 기판(10)은 세라믹 기판, Al2O3 결정 기판, AlN 결정 기판, HTCC, LTCC, Al2O3 혼합물 또는 세라믹, Al2O3-ZrO2 혼합물 또는 세라믹, AlN 혼합물 또는 세라믹 등으로 이루어질 수 있다.
도전부(15)를 홈(14)에 위치시킴으로써, 주로 금속 재질로 이루어지는 도전부(15)의 열팽창을 억제할 수 있다.
제1 기판(10)의 두께는 10㎛이상 2000㎛인 것이 좋다. 너무 얇으면 지지 기판으로 역할하기가 쉽지 않기 때문이다. 바람직하게는 30㎛에서 500㎛의 두께를 가진다. 너무 두꺼우면 이후 연마 공정 등에서 불필요한 공정 시간을 초래한다.
예를 들어, 홈(14)은 30㎛ 폭을 가질 수 있으며, 그 길이는 전극(25,26)의 길이에 따라 달라질 수 있다. 하나의 전극(25)이 복수의 홈(14)에 대응할 수 있음은 물론이다. 홀(hole) 형태를 가지는 경우에, 한변의 길이가 200㎛ 이하인 것이 적절하다. 홈(14)은 30㎛이상 200㎛이하의 폭을 가지는 것이 바람직하다. 지나치게 작으면 방열 특성이 나빠지고, 지나치게 커지면, 제1 기판(10)이 깨질 수 있다. 기본적으로 홈(14)의 크기를 전극(25,26)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 홈(14)의 깊이가 연마된 후의 제1 기판(10)의 두께보다 10% 정도 크게 되도록 형성할 수 있다.
도전 패드(16)를 포함하는 도전부(15)는 예를 들어, E-Beam, Sputter를 이용하여 씨앗층(seed layer)을 형성한 다음, 도금을 통해 형성할 수 있다. 도금 물질로는 Cu, Ni, Au, Ag, In, Sn 등을 예로 들 수 있다. Ag, Cu계 전도성 paste를 이용하는 것도 가능하다. 이외에도, Graphite, CNT, AlN, SiC가 포함된 전기전도성 paste를 이용할 수 있다. 도전 패드(16)는 Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Ni, Cr, Sn, In, Zn, Ti, TiW 중의 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성할 수 있으며, 이들 물질을 이용하여 복수의 층으로 형성될 수 있고, 도전부(15)와 함께 또는 별도로 형성하는 것이 가능하다. 또한 도전 패드(16)를 Ag, Cu계 전도성 페이스트로 형성하는 것도 가능하다. 도전부(15) 및/또는 도전 패드(16)를 제1 기판(10)과 제2 기판(17)을 결합한 다음 형성할 수 있음은 물론이다. 한편, 도금을 통해 통해 1차적으로 도전부(15)의 일부를 형성한 다음, 남은 부분은 도전성 페이스트로 채우는 방법을 채택할 수 있다. 이는 도금 금속의 경우에 작은 전기저항을 가진다는 이점이 있지만, 도금 금속 자체가 열팽창을 하는 문제점이 있으므로, 도전성 페이스트과 함께 사용함으로써, 높은 전기전도도와 열팽창 억제를 함께 고려하기 위함이다.
제2 기판(17)은 전기 절연성 물질로 형성할 수 있으며, 예를 들어, 유리, 사파이어, Al2O3 혼합물, Al2O3-ZrO2 혼합물, AlN 혼합물, 실리콘, 산화물 세라믹 등을 이용할 수 있다. 제2 기판(17)을 결합층(18)을 통해 제1 기판(10)에 결합할 수도 있지만, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 증착 등의 방법으로 형성하는 방법도 있다. 이렇게 형성된 제2 기판(17)은 에칭을 통해 제거될 수 있다. 제2 기판(17)을 제1 기판(10)과 동일한 물질로 형성함으로써, 양자간 열팽창 계수를 맞출 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(10)과 제2 기판(17) 모두를 사파이어로 형성할 수 있다.
바람직하게는, 반도체 발광소자 칩(20)은 동일한 간격을 두고 고정된다.
제1 전극(25)과 제2 전극(26) 사이에는 절연체가 구비될 수 있으며, thermo-set 또는 thermo-plastic 레진을 포함하고, phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA, Silicon resin 등으로 이루어질 수 있다.
(2) 고정하는 단계에 앞서, 제1 기판이 제2 기판에 고정된 상태에서 제1 기판의 두께를 감소시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(3) 감소된 제1 기판의 두께는 30㎛이상 500㎛이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 너무 얇으며 지지 기능을 하기 쉽지 않고, 너무 두꺼우면 절단 공정 등에서 어려움을 야기하고, 또한 도 15에서와 같이 패키지에 수용하기가 어려워질 수 있다.
(4) 고정하는 단계에 앞서, 제2 면 측에서 도전부에 도전 패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
도전 패드(19)는 도금 또는 증착을 통해서 형성될 수 있다. 도전 패드(19)는 Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Ni, Cr, Sn, In, Zn, Ti, TiW 중의 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성할 수 있으며, 이들 물질을 이용하여 복수의 층으로 형성될 수 있다. 또한 도전 패드(16)를 Ag, Cu계 전도성 페이스트로 형성하는 것도 가능하다. 도전 패드(19) 사이의 제1 기판(10)에는 반사층 또는 절연층(12a)을 구비할 수 있다. 반사층(12a)으로 기능하는 경우에, 반사율이 높은 Ag, Al, Rh, Cr, Ti, TiW, Au, DBR, OBR 으로 형성할 수 있다. 절연층(12a)으로 기능하는 경우에, SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, DBR, SOG(Spin On Gel), Epoxy, resin 등으로 형성할 수 있다. 반사층 또는 절연층(12a)이 양쪽의 위치하는 도전 패드(19)에 대한 절연층으로 기능하는 경우에, 도전 패드(19)의 높이보다 절연층(12a)의 높이가 더 높은 것이 바람직하다.
(5) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
봉지제는 형광체 및/또는 광산란제를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 구성될 수 있고, 각각의 층은 투명하거나, 종류를 달리하는 형광체 등을 함유할 수 있다.
(6) 봉지제를 형성하는 단계는 봉지제의 측면을 노출하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
예를 들어, 레이저, 다이싱, 커팅 공정 등을 통하여 봉지제(27)를 일부 제거할 수 있다.
(7) 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
폴리싱, 습식에칭 등을 이용하여 제2 기판(17)을 제거하는 것도 가능하며, 결합층(18) 또는 제2 기판(17)이 빛에 반응하는 물질로 이루어진 경우에, 광학적인 방법(빛)으로 제거하는 것도 가능하다.
(8) 분리하는 단계는 결합층을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
결합층(18)으로 테이프를 이용할 수 있다. 또한, 금속, 산화물, 질화물 등을 증착한 다음, 이를 에칭을 통해 제거하는 방식으로 결합층(18)을 구성할 수 있다. 결합층(18)을 열 박리, 열-화학 분해, 광-화학 분해, 광-열-화합 분해가능한 물지로 형성하는 것도 가능하다.
(9) 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
봉지제(27) 내에 반드시 하나의 반도체 발광소자 칩(20)이 놓일 필요는 없으며, 복수의 반도체 발광소자 칩(20)이 봉지제(27) 내에 구비될 수 있다. 복수의 반도체 발광소자 칩(20)이 반드시 동일한 색을 발광해야 하는 것은 아니며, 청색, 녹색, 자외선 등 다양한 색을 발광할 수 있다. 또한 ESD 보호소자를 함께 구비하는 것도 가능하다.
절단에는 Laser Ablation, Dicing Saw 등이 이용될 수 있다.
(10) 절단하는 단계에 앞서, 제1 기판 내부에 크랙을 발생시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
소위 Stealth Laser를 이용하여 크랙을 형성할 수 있다.
(11) 도전부의 제1 면 측 및 도전부의 제2 면 측 중 적어도 하나에 도전 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(12) 제1 전극 또는 제2 전극에 복수의 도전부가 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(13) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며, 절단 후 제1 기판의 제2 면의 일부가 봉지제 없이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
노출될 영역의 길이는 100㎛를 넘지 않는 것이 적절하다. 지나치게 넓으면 재료의 손실이 많아지고, Stealth Laser를 이용하는 경우에, 칩 간 거리가 30㎛ 정도면 공정이 가능하다.
(14) 제1 기판을 준비하는 단계에서, 도전부의 제1 면 측 및 도전부의 제2 면 측 중 적어도 하나에 도전 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(15) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계;를 더 포함하며, 봉지제를 형성하는 단계에 앞서, 제2 면 측에서 제1 기판에 반도체 발광소자 칩 옆에 댐을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
댐(30)은 PR 및 Dry film을 활용할 수 있다. 반사막으로 기능하도록 할 수 있으며, EMC, White Silicone, TiO2가 포함된 Silicone 등을 활용할 수 있다.
(16) 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며, 절단하는 단계에 앞서, 댐의 적어도 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(17) 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하며, 제2 기판을 분리하는 단계에 앞서, 성장 기판을 복수의 반도체층으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(18) 고정하는 단계는 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(19) 고정하는 단계에 앞서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(20) 고정하는 단계에서, 상기 반도체 발광소자 칩을 포함하는 복수의 반도체 발광소자 칩이 제1 기판에 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(21) 제1 기판과 성장 기판이 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
동일한 재질로 이루어지는 것이 가장 바람직하지만, 열팽창계수의 차이가 크지 않은 재질을 사용하는 것도 가능하다.(예: Al2O3과 AlN)
(22) 제1 기판은 투광성 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 이러한 경우에, Stealth Laser 가공이 가능하다.
(23) 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판;으로서, 투광성을 가지며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자.
(24) 제1 기판은 성장 기판과 동일한 물질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(25) 반도체 발광소자 칩은 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(26) 반도체 발광소자에 있어서, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지는 제1 기판;으로서, 측면에 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 면이 형성되어 있으며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자.
(27) 제1 홈의 도전부가 고정되는 제1 리드 프레임; 제2 홈의 도전부가 고정되는 제2 리드 프레임; 그리고, 반도체 발광소자 칩 및 제1 기판을 둘러싸는 추가의 봉지제;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(28) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판 내부에 크랙을 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(29) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제2 기판에 결합되어 있으며, 내부에 크랙이 형성되어 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판을 가압하여 크랙을 따라 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(30) 고정하는 단계에 앞서, 제1 기판의 제2 면 측에 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 반사층이 도전성 물질로 이루어지는 경우에, 도전부(15) 또는 도전 패드(19)와는 거리를 두고 형성된다.
(31) 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 제2 면 측에서, 도전부와 도통하도록 제1 도전 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법.
(32) 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 도전부에 적어도 하나의 도전 패드를 형성하는 단계; 그리고, 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법.
(33) 반도체 장치에 있어서, 제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체를 성장 기판으로 하여 성장되는 반도체 소자; 그리고, 제1 열팽창 계수와 2ppm 이내의 차이를 가지는 제2 열팽창 계수를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(34) 반도체 장치에 있어서, GaN으로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고, AlN를 포함하며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. 제1 기판은 AlN 혼합물, AlN 단결정 또는 이들의 결합으로 이루어질 수 있다.
(35) 반도체 장치에 있어서, 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하며, 제1 기판은 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제2 면 측에 반도체 소자가 결합되어 있고, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 표면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(36) 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계; 홈에 도전부를 형성하는 단계; 제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 도전부와 도통하도록 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자를 제1 기판에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
(37) 반도체 장치에 있어서, 제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고 제1 열팽창 계수보다 작은 제2 열팽창 계수(예: AlN 혼합물)를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(38) 반도체 장치에 있어서, 제1 기판; 그리고 제1 기판에 탑재되며, 이종 기판(예: 사파이어 기판)을 성장 기판으로하여 성장되고, 성장 후 성장 기판이 제거된 형태의 수직형 칩;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
본 개시에 따른 하나의 반도체 소자용 지지 기판에 의하면, 반도체 소자 칩의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 장치에 의하면, 반도체 소자 칩의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 장치를 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 칩의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있게 된다.
제1 기판(10), 홈(14), 도전부(15), 도전 패드(16), 반도체 발광소자 칩(20)
Claims (25)
- 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서,
제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계;
제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계;
홈에 도전부를 형성하는 단계;
제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고,
제2 면 측에서, 도전부와 도통하도록 제1 도전 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
제1 면 측에서, 도전부에 제2 도전 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
도전 패드를 형성하는 단계에 앞서, 제2 면 측으로부터 제1 기판의 두께를 감소시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 3에 있어서,
감소된 제1 기판의 두께는 30㎛이상 500㎛이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법에 있어서,
제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계;
제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계;
홈에 도전부를 형성하는 단계;
도전부에 적어도 하나의 도전 패드를 형성하는 단계; 그리고,
제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 있어서,
제1 기판은 투명한 물질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 6에 있어서,
제1 기판이 Al2O3 및 AlN 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 있어서,
제1 기판과 제2 기판이 동일한 물질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 있어서,
두 개의 도전부가 형성되어 있고,
제2 면 측에서, 두 개의 도전부 사이에 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 청구항 7에 있어서,
두 개의 도전부가 형성되어 있고,
제2 면 측에서, 두 개의 도전부 사이에 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법. - 반도체 장치에 있어서,
제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체를 성장 기판으로 하여 성장되는 반도체 소자;
제1 열팽창 계수와 2ppm 이내의 차이를 가지는 제2 열팽창 계수를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 11에 있어서,
3족 질화물 반도체는 GaN인 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 11에 있어서,
제1 기판은 AlN를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 12에 있어서,
제1 기판은 AlN를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 11 내지 청구항 14 중의 어느 한 항에 있어서,
제1 기판은 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며,
제2 면 측에 반도체 소자가 결합되어 있고,
측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 표면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 반도체 장치에 있어서,
GaN으로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고,
AlN를 포함하며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 반도체 장치에 있어서,
3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고,
반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하며,
제1 기판은 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제2 면 측에 반도체 소자가 결합되어 있고, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 표면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 17에 있어서,
제1 기판은 AlN를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계;
제1 기판에 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 홈을 형성하는 단계;
홈에 도전부를 형성하는 단계;
제1 면 측에서 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고,
도전부와 도통하도록 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판으로 하여 성장되는 반도체 소자를 제1 기판에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법. - 청구항 19에 있어서,
제1 기판은 투광성 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법. - 청구항 19에 있어서,
성장 기판과 제1 기판의 열팽차 계수의 차이가 2ppm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법. - 청구항 19에 있어서,
제1 기판은 AlN를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법. - 청구항 19에 있어서,
제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하며,
제1 기판은 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제2 면 측에 반도체 소자가 결합되어 있고, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 표면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법. - 반도체 장치에 있어서,
제1 열팽창 계수를 가지는 3족 질화물 반도체로 된 성장 기판을 이용하여 성장되는 반도체 소자; 그리고,
제1 열팽창 계수보다 작은 제2 열팽창 계수를 가지며, 반도체 소자에 결합되는 제1 기판;으로서, 반도체 소자에 전기적 통로를 제공하도록 제1 기판을 관통하여 형성되는 도전부를 구비하는 제1 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. - 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 있어서,
도전부는 도금된 금속과 도전성 페이스트를 함께 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 지지 기판을 제조하는 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160155973A KR20160137485A (ko) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| KR1020210050452A KR102387082B1 (ko) | 2016-11-22 | 2021-04-19 | 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150018962A Division KR20160097082A (ko) | 2014-10-22 | 2015-02-06 | 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210050452A Division KR102387082B1 (ko) | 2016-11-22 | 2021-04-19 | 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160137485A true KR20160137485A (ko) | 2016-11-30 |
Family
ID=57707291
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160155973A KR20160137485A (ko) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
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Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20160137485A (ko) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4789673B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-10-12 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置 |
| KR20120039587A (ko) * | 2012-03-06 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 |
-
2016
- 2016-11-22 KR KR1020160155973A patent/KR20160137485A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-04-19 KR KR1020210050452A patent/KR102387082B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102387082B1 (ko) | 2022-04-26 |
| KR20210064119A (ko) | 2021-06-02 |
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