KR20160132279A - Method of manufacturing a pattern structure - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기적 도전성 및 광기능성이 확보된 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a pattern structure, and more particularly, to a method of manufacturing a pattern structure having electrical conductivity and optical functionality.
태양 전지 및 발광 다이오드는 광을 흡수하거나 광을 발생하는 광전자 소자에 해당한다. 상기 태양 전지는 빛을 흡수하여 전기를 발생하는 한편, 상기 발광 다이오드는 여기 상태의 전자가 안정 상태로 이동하면서 광을 발생시킨다. Solar cells and light emitting diodes correspond to optoelectronic devices that absorb light or generate light. The solar cell absorbs light to generate electricity, while the light emitting diode generates light while electrons in the excited state move to a stable state.
광전자 소자의 유연화를 위한 유연기판 개발에 있어 상기 유연 기판 상에 형성되는 투명 전극의 개발의 어려움과 유연 기판의 상부에 형성되는 광전자 소자의 효율 감소의 문제가 있다.In the development of a flexible substrate for softening an optoelectronic device, it is difficult to develop the transparent electrode formed on the flexible substrate and the efficiency of the optoelectronic device formed on the flexible substrate is reduced.
먼저, 기존 금속산화물 기반의 투명 전극을 유연기판 상부에 제작할 경우 기판의 휨에 따라 투명 전극에 쪼개짐 현상이 발생하여 전기 전도도가 저하되는 문제점이 존재한다.First, when a transparent electrode based on a conventional metal oxide is fabricated on a flexible substrate, there is a problem that a cleavage occurs in the transparent electrode due to the warp of the substrate, thereby lowering the electric conductivity.
또한, 유연 광전자 소자의 소재는 대부분 유기물을 사용하는데 광전자 소자에 포함된 유기물은 산소와 수분에 매우 취약하다. 하지만 유연 광전자 소자가 그 상부에 형성되는 유연 기판은 대부분 고분자 물질로 이루어짐에 따라서 산소와 수분의 투과율이 상대적으로 높다. 따라서, 상기 유연 기판을 통하여 투과된 산소 또는 수분이 광전자 소자의 효율을 저하시키는 문제가 발생한다.Most of the materials for flexible optoelectronic devices use organic materials. Organic materials contained in optoelectronic devices are very vulnerable to oxygen and moisture. However, since the flexible substrate on which the flexible optoelectronic device is formed is mostly made of a polymer material, the permeability of oxygen and moisture is relatively high. Therefore, oxygen or moisture permeated through the flexible substrate causes a problem that the efficiency of the optoelectronic device is lowered.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 일 목적은 금속 산화물 기반의 투명 전극을 대체하여 우수한 전기 전도도 및 광기능성을 갖는 패턴 구조물의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of fabricating a pattern structure having excellent electrical conductivity and optical functionality by replacing a metal oxide-based transparent electrode.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서, 베이스 상에 폴리머막을 형성한 후, 상기 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬한다. 이후, 상기 금속 나노 물질이 정렬된 상기 폴리머막을 제1 패턴이 형성된 가압 몰드를 이용하여 열가압하여, 상기 금속 나노 물질이 상부에 고정되며 상기 제1 패턴에 대응되는 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴을 형성한다. In order to accomplish one object of the present invention, in a method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention, a polymer film is formed on a base, and then a metal nanomaterial is aligned on the polymer film. Thereafter, the polymer film on which the metal nanomaterial is aligned is thermally pressed using a press mold having a first pattern, thereby forming a polymer pattern having a second pattern corresponding to the first pattern, .
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가압 몰드에는 요철 형상의 제1 패턴이 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the pressing mold may be provided with a first pattern having a concave-convex shape.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가압 몰드는 원통형 형상을 갖고 회전하고, 상기 폴리머막은 수평 방향으로 이동할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the pressing mold rotates with a cylindrical shape, and the polymer film can move in the horizontal direction.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬시키기 위하여, 상기 폴리머막 상에 금속 나노 와이어가 분산된 용액을 코팅하여 상기 폴리머막 상에 나노 와이어 코팅층을 형성한다.In one embodiment of the present invention, in order to align the metal nanomaterial on the polymer film, a solution in which metal nanowires are dispersed is coated on the polymer film to form a nanowire coating layer on the polymer film.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하기 위하여,그 돌출부에 금속 패턴이 형성된 트랜스퍼 몰드를 준비한 후, 상기 트랜스퍼 몰드를 이용하여 상기 금속 패턴을 상기 폴리머막 상에 전사시킨다.In order to align the metal nanomaterial on the polymer film, a transfer mold having a metal pattern formed on the protrusion is prepared, and the metal pattern is transferred onto the polymer film using the transfer mold. Transcribe.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 구조물의 제조 방법에 따르면, 금속 나노 물질이 형성된 폴리머 패턴을 형성함으로써 종래의 금속산화물 기반의 투명 전극을 대체하여 광기능성 및 와 광전소자의 효율 향상을 위한 광기능성 패턴을 형성할 수 있다. According to the method of fabricating a pattern structure according to embodiments of the present invention, a polymer pattern having a metal nanomaterial is formed to replace a conventional metal oxide-based transparent electrode, thereby improving optical functionality and optical functionality A pattern can be formed.
여기서, 상기 패턴 구조물은 광전자 소자의 용도에 따라 그 형상 및 구조를 변경함으로써 광포집, 광산란 향상 또는 광투과 향상이라는 다양한 광학 기능을 구현 할 수 있다. 이에 따라 금속 투명 전극과 광기능성 패턴으로 구성된 고기능성 패턴 구조물이 형성될 수 있다.Here, the pattern structure can realize various optical functions such as bubble accumulation, light scattering improvement, or light transmission improvement by changing the shape and structure of the pattern structure depending on the use of the optoelectronic device. Accordingly, a highly functional pattern structure composed of a metal transparent electrode and a photo-functional pattern can be formed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating a method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is a sectional view for explaining an example of a process of aligning the metal nanomaterial on the polymer film.
4 is a cross-sectional view for explaining an example of a process of aligning a metal nanomaterial on a polymer film.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the sizes and the quantities of objects are shown enlarged or reduced from the actual size for the sake of clarity of the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "comprising", and the like are intended to specify that there is a feature, step, function, element, or combination of features disclosed in the specification, Quot; or " an " or < / RTI > combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating a method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention.
도1 을 참조하면, 베이스 상에 폴리머막(105)을 형성한다. 상기 폴리머막(105)은 고분자 물질을 이용하여 스핀 코팅 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 폴리머막(105)은 후속하는 열가압 공정을 통하여 경화될 수 있는 물질을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a polymer film 105 is formed on a base. The polymer film 105 may be formed through a spin coating process using a polymer material. The polymer film 105 may comprise a material that can be cured through a subsequent thermal pressing process.
예를 들면, 상기 폴리머막(105)은 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸메타아 크릴레이트, 셀룰로즈아세테이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페옥시 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 페놀 변성 알키드 수지, 에폭시 변성 알키드 수지, 비닐 변성 알키드 수지, 실리콘 변성 알키드 수지, 아크릴 멜라민 수지, 폴리 이소시아네이트 수지, 에폭시 에스테르 수지 등을 물질로 이루어질 수 있다.For example, the polymer film 105 may be formed of a material such as polypropylene, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl methacrylate, cellulose acetate, polyvinyl chloride, polyurethane, polyester, alkyd resin, epoxy resin, , A melamine resin, a phenol resin, a phenol-modified alkyd resin, an epoxy-modified alkyd resin, a vinyl-modified alkyd resin, a silicone-modified alkyd resin, an acrylic melamine resin, a polyisocyanate resin and an epoxy ester resin.
이어서, 상기 폴리머막(105) 상에 금속 나노 물질(120)을 정렬시킨다. 상기 금속 나노 물질은 상기 폴리머막(105)의 상부에 형성됨으로써 전기적인 전도성을 증대시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 나노 물질(120)이 정렬됨으로써 패턴 구조물은 나노 메타 구조물을 형성함으로써 광학적으로 음의 굴절율 등과 같은 광학 특성을 가질 수도 있다. Next, the
상기 금속 나노 물질(120)은 예를 들면, 나노 와이어 또는 나노 크기의 금속 패턴을 포함할 수 있다. The
도 3은 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.3 is a sectional view for explaining an example of a process of aligning the metal nanomaterial on the polymer film.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 금속 나노 물질을 상기 폴리머막(105) 상에 정렬하기 위하여, 금속 나노 와이어가 분산된 분산 용액을 상기 폴리머막(105) 상에 코팅할 수 있다. 이로써 상기 폴리머막(110) 상에 나노 와이어 코팅층(121)을 형성한다. Referring to FIGS. 1 and 3, in order to align the metal nanomaterials on the polymer film 105, a dispersion solution in which metal nanowires are dispersed may be coated on the polymer film 105. Thus, a
상기 분산 용액은 분산제, 바인더, 계면활성제(surfactant), 습윤제(wetting agent), 및 레벨링(leveling)제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. The dispersion solution may further include one or more additives selected from a dispersant, a binder, a surfactant, a wetting agent, and a leveling agent.
또한 상기 금속 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 금(Au) 중에서 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The metal nanowires may be at least one of silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), and gold (Au).
이어서 상기 나노 와이어 코팅층 내부에 잔류하는 용매를 제거함으로써 상기 금속 나노 와이어(120)가 상기 폴리머막(105) 상에 정렬할 수 있다.The
도 4는 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.4 is a cross-sectional view for explaining an example of a process of aligning a metal nanomaterial on a polymer film.
도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 금속 나노 물질(120)을 상기 폴리머막(105) 상에 정렬하기 위하여, 요철이 형성된 트랜스퍼 몰드(140)가 있다. 즉, 트랜스퍼 몰드(140)에 형성된 돌출부 상에 금속 패턴이 형성된다. 상기 돌출부 상에 형성된 금속 패턴이 상기 폴리머막(105) 상에 전사됨으로써 상기 폴리머막(105) 상에 금속 나노 물질(120)이 정렬될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 4, there is a
다시 도 1을 참조하면, 상기 금속 나노 물질(120)이 정렬된 상기 폴리머막(105)을 제1 패턴(135)이 형성된 가압 몰드(130)를 이용하여 열가압하는 열가압 공정이 수행된다. 이로써 상기 제1 패턴(135)에 대응되는 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴(110)이 형성된다. 이때 상기 폴리머막(105)은 상기 폴리머 패턴(110)으로 열경화될 수 있다. 또한 상기 금속 나노 물질(120)이 상기 폴리머 패턴(110)의 상부에 고정될 수 있다.Referring again to FIG. 1, a thermal press process is performed in which the polymer film 105 in which the
상기 제2 패턴은 요철 형상, 디스크 형상, 실린더 형상 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.The second pattern may have various shapes such as a concavo-convex shape, a disk shape, a cylinder shape, and the like.
이로써 상기 금속 나노 물질(120)이 그 상부에 고정되며 제2 패턴의 형상을 갖는 폴리머 패턴(110)이 상기 베이스 상에 형성된다. 따라서, 상기 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴(110)은 광포집, 광산란 등과 같은 다양한 광학 특성을 가질 수 있다. Thereby forming a
한편, 상기 폴리머 패턴(110)의 상부에 금속 나노 물질(120)이 고정됨에 따라 상기 폴리머 패턴(120)은 낮은 저항과 같은 개선된 전기적 특성을 가질 수 있다. 이로써 상기 폴리머 패턴(110)은 기존의 금속 산화물 전극을 대체할 수 있는 전극으로서 응용될 수 있다. 또한 상기 금속 나노 물질이 다양한 방법으로 정렬됨에 따라 음의 굴절율과 같은 광학 특성을 가질 수도 있다.Meanwhile, as the
결과적으로 상기 폴리머 패턴(110)을 포함하는 패턴 구조물은 다양한 형태의 광학 특성 및 전기적 특성을 용이하게 가질 수 있다.
As a result, the pattern structure including the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서 롤루롤 공정을 통하여 폴리머 패턴(210)이 형성될 수 있다. 상기 롤투롤(Roll-to- Roll) 공정은 회전 가능한 가압 몰드(230)를 이용하여 진행될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the method of fabricating a pattern structure according to an embodiment of the present invention, a
상기 가압 몰드(230)는 원통형 형상을 갖고 회전한다. 또한 상기 가압 몰드의 외주면에는 제1 패턴(235)이 형성된다. 한편, 상기 가압 몰드(230)의 하부에는 폴리머막이 수평 방향으로 이동할 수 있다. 이로써 상기 가압 몰드(230)의 외주면에 형성된 제1 패턴에 대응되는 제2 패턴을 구비한 폴리머 패턴(210)이 형성된다. 이때 금속 나노 물질(220)이 상기 폴리머 패턴(210)의 상부 표면에 고정될 수 있다.The pressurizing
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 구조물의 제조 방법은 유기 발광 소자, 박막 태양 전지 또는 유기 태양 전지에 적용될 수 있다. 특히, 상기 패턴 구조물의 제조 방법은 투명 전극으로 응용될 수 있다.The method of fabricating a pattern structure according to embodiments of the present invention can be applied to an organic light emitting device, a thin film solar cell, or an organic solar cell. In particular, the method of fabricating the pattern structure may be applied as a transparent electrode.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.
Claims (5)
상기 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 단계; 및
상기 금속 나노 물질이 정렬된 상기 폴리머막을 제1 패턴이 형성된 가압 몰드를 이용하여 열가압하여, 상기 금속 나노 물질이 상부에 고정되며 상기 제1 패턴에 대응되는 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 구조물의 제조 방법.Forming a polymeric film on the base;
Aligning the metal nanomaterial on the polymer film; And
The polymer film having the metal nanomaterial aligned thereon is thermally pressurized by using a press mold having a first pattern to form a polymer pattern having the second pattern corresponding to the first pattern, ≪ / RTI >
상기 폴리머막은 수평 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 패턴 구조물의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the pressure mold has a cylindrical shape and rotates,
Wherein the polymer film moves in a horizontal direction.
상기 폴리머막 상에 금속 나노 와이어가 분산된 용액을 코팅하여 상기 폴리머막 상에 나노 와이어 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 구조물의 제조 방법.The method of claim 1, wherein aligning the metal nanomaterials on the polymeric membrane
And coating a solution in which metal nanowires are dispersed on the polymer film to form a nanowire coating layer on the polymer film.
상기 트랜스퍼 몰드를 이용하여 상기 금속 패턴을 상기 폴리머막 상에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 구조물의 제조 방법.The method of claim 1, wherein aligning the metal nanomaterial on the polymer film comprises: preparing a transfer mold having a metal pattern on the protrusion; And
And transferring the metal pattern onto the polymer film using the transfer mold.
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| KR20060089839A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Methods for fabricating patterned organic electroluminescent devices |
| KR20120053403A (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-25 | 삼성전자주식회사 | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
| KR101182383B1 (en) * | 2009-09-01 | 2012-09-12 | 고려대학교 산학협력단 | Method for Fabrication of Nano Pattern on Transparent Conductive Oxide Substrate |
| KR101485858B1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-01-27 | 한국기계연구원 | Method of patterning a transparent electrode metal nanowires and a transparent electrode patterned metal nanowires thereby |
-
2015
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060089839A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Methods for fabricating patterned organic electroluminescent devices |
| KR101182383B1 (en) * | 2009-09-01 | 2012-09-12 | 고려대학교 산학협력단 | Method for Fabrication of Nano Pattern on Transparent Conductive Oxide Substrate |
| KR20120053403A (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-25 | 삼성전자주식회사 | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
| KR101485858B1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-01-27 | 한국기계연구원 | Method of patterning a transparent electrode metal nanowires and a transparent electrode patterned metal nanowires thereby |
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