KR20160124987A - 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 터치 스크린 패널은 활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판; 상기 기판의 활성영역 내의 감지전극들; 상기 비활성영역 내의 상기 감지전극들과 전기적으로 연결된 연결 배선부; 및 콘택 영역내의 금속캡핑층를 포함하며, 상기 감지전극들이 형성된 활성영역은 기판 상에 형성된 도전체층인 제 1 오버코팅층 및 상기 제 1 오버코팅층 위에 제 2 오버코팅층을 포함하고, 상기 연결 배선부가 형성된 비활성영역은 기판 상에 형성된 도전체층인 제1 오버코팅층, 상기 제 1 오버코팅층 위에 제 2 오버코팅층 및 상기 제 2 오버코팅층 상에 금속배선층을 포함하며, 고온/고습 환경하에서 금속배선 상부에 캡핑층을 형성함으로써 신뢰성을 확보할 수 있으며, 또한 활성 영역 상부에 제2 오버코팅층을 형성시켜 도전성 물질로 형성된 제1 오버코팅층의 산화를 방지하여 신뢰성을 확보할 수 있다.

Description

터치 스크린 패널 및 이의 제조방법{Touch Screen Panel and Method for Manufacturing the Same}
본 발명의 실시예는 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 고굴곡성 및 고신뢰성을 갖는 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있다. 이 중 정전용량 방식은 자기 정전용량(self capacitance) 방식과 상호 정전용량(mutual capacitance) 방식으로 구분된다. 자기 정전용량 방식은 호버링(hovering)과 멀티터치 구현에 용이한 강점을 갖는다. 자기 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은 기판의 일면에 서로 분리된 복수의 도전성 감지전극이 형성되며, 복수의 감지전극 각각은 고유의 위치정보에 대응된다. 그리고, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 감지전극의 정전용량의 변화를 검출함으로써, 접촉위치를 산출한다.
종래의 자기 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은 복수의 감지전극 각각에 일대일 대응하여 연결되는 복수의 전극배선을 포함하며, 복수의 전극배선은 감지전극들 사이에 배열된다.
터치 스크린 패널에 있어서, 복수의 감지전극은 금속나노입자(예를 들면, AgNW) 또는 전도성 투명산화물(예를 들, ITO)의 하이브리드 막을 적용하여 형성하고, 구리(Cu)와 같은 금속을 적용하여 금속배선 및 브릿지를 형성한 이후, 상부에 패시베이션을 형성하고 있다. 그러나, 패드부 및 팬아웃부에서 패시베이션의 투습성이 높아 구리 금속배선의 부식 우려가 있으며, 또한, R3 이하의 고굴곡성 디바이스 적용 시 Cu의 굴곡성이 확보되지 않아 크랙이 발생하고 저항이 증가하며, 현 구조에 Cu 대신 Al 등의 고굴곡성 재료를 적용할지라도, Al 막의 리프팅이 발생하는 등의 공정 불량이 발생한다는 문제가 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고굴곡성 및 고신뢰성을 갖는 터치 스크린 패널을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고굴곡성 및 고신뢰성을 갖는 터치 스크린 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널은, 활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판; 상기 기판의 활성영역 내의 감지전극부; 상기 비활성영역 내의 상기 감지전극들과 전기적으로 연결된 연결 배선부; 및 콘택 영역내의 금속캡핑층를 포함하며,
상기 활성영역상의 감지전극부는 기판 상에 형성된 도전체층인 제1 오버코팅층 및 상기 제1 오버코팅층 위에 제2 오버코팅층을 포함하고,
상기 비활성영역상의 연결 배선부는 기판 상에 형성된 도전체층인 제1 오버코팅층, 상기 제1 오버코팅층 위에 제2 오버코팅층 및 상기 제2 오버코팅층 상에 금속배선층을 포함하는 것인 터치 스크린 패널을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 감지전극부과 상기 배선들은 일대일 대응하여 연결되어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 감지전극부는 제1 방향을 따라 배열된 제1 감지전극들, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 제2 감지전극들, 및 인접한 두 개의 제2 감지전극들을 연결하는 브릿지 패턴을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 감지전극부의 제2 오버코팅층 및 상기 연결 배선부의 금속배선층 상에 유기막을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 패드부에 해당하는 상기 금속배선층 상에 금속캡핑층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 브릿지 패턴은 제1 오버코팅층 상에 금속캡핑층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 제1 오버코팅층의 도전체층은 금속 나노와이어층이고, 상기 금속 나노와이어층은 은 나노와이어층이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 제2 오버코팅층은 아크릴계 또는 실리콘계 모노머이고, 그의 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 금속배선층은 구리 또는 알루미늄이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 금속캡핑층은 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 터치 스크린 패널은 TFT 백플레인을 더 포함하고, 상기 기판은 상기 TFT 백플레인 위에 형성되어 질 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법은,
활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판 상에 도전체층인 제1 오버코팅층을 형성하는 단계;
상기 제1 오버코팅층 상에 제2 오버코팅층을 형성하는 단계;
상기 제1 오버코팅층과 제2 오버코팅층을 패터닝하여 상기 활성영역 내의 감지전극부와 상기 비활성영역 내의 연결 배선부를 형성하는 단계;
상기 비활성영역 내의 연결 배선부에 해당되어지는 제 2 오버코팅층 상에 금속배선층을 형성하는 단계;
제2 오버코팅층을 패터닝하여 콘택 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법에 있어서, 상기 금속배선층을 형성하는 단계 후에, 상기 감지전극부의 제2 오버코팅층 및 상기 연결 배선부의 금속배선층 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계에서, 패드부에 해당하는 금속배선층 상에 금속캡핑층이 함께 형성되어지는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
상기 제1 오버코팅층의 도전체층은 금속 나노와이어층이고, 상기 금속 나노와이어층은 은 나노와이어층이다.
상기 제2 오버코팅층은 아크릴계 또는 실리콘계 모노머이고, 그의 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위이다.
또한, 상기 콘택홀 형성하는 단계에서는 하프톤 마스크가 사용되어진다.
상기 금속배선층은 구리 또는 알루미늄으로 형성되어진다.
상기 금속캡핑층은 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금으로 형성되어진다.
상기 제2 오버코팅층을 패터닝하여 콘택 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계에서, 감지전극부의 인접한 두 개의 감지전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴(BP)을 동시에 형성시킨다.
본 발명에 따른 터치 스크린 패널은 고온/고습 환경하에서 금속배선 상부에 캡핑층을 형성함으로써 신뢰성을 확보할 수 있으며, 또한 활성 영역 상부에 제2 오버코팅층을 형성시켜 도전체로 형성된 제1 오버코팅층의 산화를 방지하여 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한 활성 영역 상에 전도성 산화물층을 형성하지 않음으로써 광특성을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 터치 스크린 패널에서 I-I'선으로 자른 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 터치 스크린 패널의 제작 공정을 나타낸 공정도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.
도 5은 도 4의 터치 스크린 패널의 일부를 확대한 평면도이다.
도 6은 도 5에서 I-I' 선으로 자른 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7는 도 4의 터치 스크린 패널의 제작과정을 나타낸 공정도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널이 적용된 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 터치 스크린 패널의 단면도이고, 도 3은 도 1의 터치 스크핀 패널의 제작 공정을 나타낸 공정도이다.
도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판(10), 감지전극부(20) 및 감지전극부(20)과 전기적으로 연결되는 연결 배선부(30)을 포함한다.
본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 액정 표시장치 또는 유기전계발광 표시장치와 같은 표시장치에 적용될 수 있다.
상기 기판(10)은 영상이 표시되는 터치 활성영역(AA) 및 활성영역 외곽의 터치 비활성영역(NA)으로 구분된다. 여기서, 터치 활성 영역은 터치 위치를 검출하는 영역으로, 화상이 표시되는 표시 영역일 수 있다. 따라서, 터치 활성 영역은 터치 스크린 패널의 하부에 배치되는 디스플레이 패널(미도시됨)에 구비된 화소들과 중첩되는 영역일 수 있다. 터치 비활성 영역은 화상이 표시되지 않는 비표시 영역일 수 있다. 터치 활성 영역에는 감지전극부가 위치되고, 터치 비활성 영역에는 연결 배선부가 위치될 수 있다.
상기 기판(10)은 투명하면서 고내열성 및 내화학성의 특성을 갖는 물질로 구현될 수 있으며, 일부 실시예에서, 플렉서블 특성을 가질 수 있다. 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 아크릴(Acryl), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르술폰(PES) 및 폴리이미드(PI)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 재료로 형성된 박막형 필름기판일 수 있다. 이외에도 기판(10)은 일반적으로 이용되는 유리(Glass) 또는 강화유리를 활용할 수도 있다.
기판 상의 감지전극부(20)은 터치입력을 감지하기 위한 복수의 도전 패턴들로써, 상기 기판 상의 활성영역(AA)에 고르게 분산되어 배치될 수 있다.
본 실시예의 터치 스크린 패널은 자기 정전용량(self capacitance) 방식으로서, 감지전극부(20) 및 감지전극부(20)과 전기적으로 연결되는 연결 배선부(30)과 일대일 대응하여 연결되는 구조를 갖는다. 그리고, 상기 연결 배선부(30)은 활성영역(AA)을 경과하는 팬아웃부 및 비활성영역(NA)의 패드부로 연장된다.
본 실시예에서, 감지전극부(20)에서 감지전극은 사각형의 패턴이 격자구조로 배열됨을 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 감지전극부(20)의 형상은 마름모, 삼각형, 육각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등 다양하게 구현될 수 있다.
본 실시예에서, 감지전극부(20)은 도 3a 내지 도 3b에 나타난 바와 같이 기판(10) 상에 도전성 물질로 제1 오버코팅층(21)을 형성하고, 상기 제1 오버코팅층 위에 절연물질로 제2 오버코팅층(22)을 형성하고, 이를 습식 또는 건식 에칭을 통해 패터닝하여 감지전극부(20)이 형성되어진다.
여기서, 상기 제1 오버코팅층(21)의 도전성 물질로는 금속 나노와이어가 바람직하며, 금속 나노와이어로는 은나노와이어가 바람직하며, 상기 제1 오버코팅층(21)의 두께는 이 분야의 일반적인 범위내에서 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제2 오버코팅층(22)의 절연물질로는 아크릴계 또는 실리콘계 모노머가 바람직하며, 제2 오버코팅층(22)의 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위가 바람직하다. 상기 제2 오버코팅층(22)은 활성영역(AA)에 캡핑됨으로서 신뢰성을 확보할 수 있게 한다.
또한, 비활성영역 내의 연결 배선부(30)은 기판(10) 상에 도전성 물질로 제1 오버코팅층(21)을 형성하고, 상기 제1 오버코팅층(21) 위에 절연물질로 제2 오버코팅층(22)을 형성한 후, 상기 제 2 오버코팅층(22) 상에 금속배선층(31)을 형성하고, 상기 금속배선층(31) 상에 금속캡핑층(32)을 형성하여 이를 건식 에칭을 통해 패터닝하여 형성되어진다.
상기 비활성영역(NA) 내의 제1 오버코팅층(21)과 상기 제2 오버코팅층(22)는 도 3a 내지 도 3b에 나타난 바와 같이 상기 활성영역(AA) 내의 제1 오버코팅층(21)과 상기 제2 오버코팅층(22)의 형성과 동일한 공정을 통해 증착 및 패터닝되어 각각 감지전극부(20)로 패턴되고 연결 배선부(30)로 패턴되어진다.
이어서, 도 3c에 나타난 바와 같이 상기 비활성영역(NA)의 연결 배선부(30)은 상기 제2 오버코팅층(22) 상에 구리 또는 알루미늄과 같은 금속으로 금속배선층(31)을 형성한다. 특히 알루미늄은 상부 고굴곡 가능한 배선용 금속으로써 두께는 500 내지 2000Å이 바람직하다. 상기 알루미늄은 R3 이하의 폴딩(folding)시에도 우수한 굴곡특성을 갖는 것으로 알려져 있지만, 상기 알루미늄은 AgNW와의 같은 도전체층의 선택 에칭문제 및 공정상 취약함을 가지고 있다. 그러나, 제2 오버코팅층(22)를 형성시킴에 따라 알루미늄도 리프팅과 같은 불량없이 적용할 수 있다.
이어서, 도 3d에 나타난 바와 같이, 기판 상의 제2 오버코팅층(22) 상을 에칭하여 콘택 영역에 콘택홀(23)을 형성한다. 이 경우 하프톤 마스크가 사용되어진다.
이어서, 도 3e에 나타난 바와 같이, 상기 콘택홀(23)과 상기 금속배선층(31)에 신뢰성을 부여하기 위해 특히 패드부에 해당하는 상기 금속배선층(31) 상에 금속캡핑층(32)을 형성한다. 상기 금속캡핑층(32)으로는 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금을 사용하여 500Å 이상의 두께, 바람직하게는 500 내지 700Å 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같은 구조에 따르면, 사람의 손 또는 터치스틱 등과 같은 접촉물체가 터치 스크린 패널에 접촉되면, 감지전극들(20) 및 연결 배선부(30) 및 패드부(미도시)를 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이고, 도 5은 도 4의 터치 스크린 패널의 일부를 확대한 평면도이고, 도 6은 도 5에서 I-I' 선으로 자른 단면을 나타낸 단면도이고, 도 7는 도 4의 터치 스크린 패널의 제작과정을 나타낸 공정도이다.
전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에서, 감지전극들(20)은 제1 감지전극들(20a)과 제2 감지전극들(20b)이 서로 교번적으로 배치되고 서로 다른 방향을 따라 연결된다. 예컨대, 제1 감지전극들(20a)은 열 방향(수직 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 열 라인 단위로 각각의 연결 배선부(30)과 연결되고, 제2 감지전극들(20b)은 행 방향(수평 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 행 라인 단위로 각각의 연결 배선부(30)과 연결될 수 있다. 상기 인접한 제2 감지전극들(20b)는 브릿지 패턴에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 감지전극부(20)은 도 7a 내지 7b에 나타난 바와 같이 기판(10) 상에 도전성 물질로 제1 오버코팅층(21)을 형성하고, 상기 제1 오버코팅층 위에 절연물질로 제2 오버코팅층(22)을 형성하고, 이를 습식 또는 건식 에칭을 통해 패터닝하여 감지전극부(20)이 형성되어진다.
여기서, 상기 제1 오버코팅층(21)의 도전성 물질로는 금속 나노와이어가 바람직하며, 금속 나노와이어로는 은 나노와이어가 바람직하며, 상기 제1 오버코팅층(21)의 두께는 이 분야의 일반적인 범위내인 것이 바람직하다. 상기 제2 오버코팅층(22)의 절연물질로는 아크릴계 또는 실리콘계 모노머가 바람직하며, 제2 오버코팅층(22)의 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위가 바람직하다. 상기 제2 오버코팅층(22)은 활성영역(AA)에 캡핑됨으로서 신뢰성을 확보할 수 있게 한다.
본 실시예에서, 감지전극부(20)의 개별 패턴은 다이아몬드 형상임을 예시하고 있으나, 감지전극부(20)의 형상, 재질 및 구조는 공지된 다양한 예가 적용될 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
연결 배선부(30)은 제1 감지전극들(20a) 및 제2 감지전극들(20b)을 각각 라인 단위로 외부의 구동회로와 연결하기 위한 것으로, 예컨대, 각각 열 라인 단위 및 행 라인 단위의 제1 및 제2 감지전극들(20a, 20b)과 전기적으로 연결되어, 이들을 패드부(미도시)를 통해 위치검출회로와 같은 외부의 구동회로와 연결한다. 이러한 연결 배선부(30)은 활성영역(AA)을 피해 외곽의 비활성영역(NA)에 배치되어진다.
또한, 비활성영역 내의 연결 배선부(30)은 기판(10) 상에 도전체층인 제1 오버코팅층(21), 상기 제1 오버코팅층(21) 위에 절연물질로 형성된 제2 오버코팅층(22) 및 상기 제 2 오버코팅층(22) 상에 금속배선층(31)을 포함한다.
상기 비활성영역(NA) 내의 연결 배선부(30)의 제1 오버코팅층(21)과 상기 제2 오버코팅층(22)는 도 7a 내지 도 7b에 나타난 바와 같이 상기 활성영역(AA) 내의 제1 오버코팅층(21)과 상기 제2 오버코팅층(22)의 형성과 동일한 공정을 통해 증착 및 패터닝되어 각각 감지전극부(20)로 패턴되고 연결 배선부(30)로 패턴되어진다.
그리고, 도 7c에 나타난 바와 같이 상기 제 2 오버코팅층(22) 상에 금속배선층(31)을 형성하여 이를 건식 에칭을 통해 패터닝하여 연결 배선부(30)가 형성되어진다.
이어서, 도 7d에 나타난 바와 같이 상기 활성영역(AA)의 감지전극들(20)의 제2 오버코팅층(22) 위에 및 상기 비활성영역(NA)의 연결 배선부(30)의 금속배선층(31) 위에 유기막(40)을 형성하고, 콘택영역에 상기 유기막(40)과 제2 오버코팅층(22)을 식각하여 콘택홀(23)을 형성한다.
이어서, 도 7e에 나타난 바와 같이, 상기 콘택홀(23)에 금속 캡핑층(32)을 형성시킨다.
한편, 본 실시예의 터치 스크린 패널은 제1 감지전극(20a)과 제2 감지전극(20b)이 동일한 레이어에 형성되되, 인접한 두 개의 제2 감지전극들(20b)을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴(BP)이 포함되어지며, 상기 브리지 패턴(BP)는 상기 콘택홀(23)에 금속 캡핑층(32)을 형성시키는 공정과 동일하게 상기 브릿지 패턴(BP)이 위치할 양 끝부분의 유기막(40)과 제2 오버코팅층(22)을 식각하여 홀(24, 25)을 형성시킨 후 브리지 패턴에 해당하는 유기막(40) 상에 금속 캡핑층(32)을 형성시킴으로써, 형성되어질 수 있다.
절연성이 확보되어야 하는 제1 감지전극(20a)과 브리지 패턴(BP) 사이에 유기막(40)이 배치되어짐에 따라 상기 유기막(40)이 절연막으로써 배치되어진다.
브리지 패턴(BP)은 감지전극부(20)과 같은 투명 전극물질로 형성되거나 혹은 불투명한 저저항 금속물질로 형성되되, 가시화가 방지될 수 있도록 그 폭이나 두께, 길이 등이 조절될 수 있다. 일부 실시예에서, 브리지 패턴(BP)은 가시화가 보다 효과적으로 방지될 수 있도록 사선 방향으로 기울여져 설계될 수도 있다.
상기 금속캡핑층(32)으로는 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금을 사용하여 500Å 이상의 두께, 바람직하게는 500 내지 700Å 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
상기에 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 다양한 표시 장치에 채용될 수 있다.
예를 들면, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널이 적용된 표시 장치의 단면을 나타낸 것이다.
도 8을 참조하면, TFT 백플레인(110) 상에 표시층(120), 상기 표시층(120) 상에 엔캡슐레이션 기판(130), 상기 엔캡슐레이션 기판(130) 상에 제 1 오버코팅층(141)과 제 2 오버코팅층(142)으로 형성된 감지 전극들과 제 1 오버코팅층(141), 제 2 오버코팅층(142), 금속 배선층(143) 및 금속 캡핑층(144)로 형성된 연결 배선부가 적용되고, 그 위에 광학 투명 접착제(150)를 통해 커버 기판(160)이 접착되어지는 표시 장치 구조이다.
상기 표시층(120)은 유기 발광층일 수 있으며 또는 액정층일 수 있다. 표시층(120)이 유기 발광층을 포함하는 경우 TFT 백플레인(110)으로부터의 전류를 기반으로 발광 정도가 달라질 수 있다. 유기발광층의 발광 정도에 따라 사용자에게 표시되는 휘도가 달라진다. 표시층(120)이 액정을 포함하는 경우 TFT 백플레인(110)으로부터의 전압에 의해 액정의 배열이 달라질 수 있다. 백라이트(미도시)에서 발생되고 편광판(미도시)을 거친 빛은 액정의 배열에 따라 편광의 정도가 달라지고, 편광의 정도가 달라진 빛이 또 다른 편광판(미도시)을 거쳐 사용자에게 도달하는 경우 사용자에게 표시되는 휘도가 달라진다.
이 외에도 본 발명에 따른 터치 스크린 패널은 인셀 구조에도 적용될 수 있으며, 이 경우 유기 발광층 및 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다
10 : 기판 20 : 감지전극부
30 : 연결 배선부 21 : 제 1 오버코팅층
22 : 제 2 오버코팅층 20a : 제 1 감지전극
20b : 제 2 감지전극 23 : 콘택홀
31 : 금속배선층 32 : 금속캡핑층
110 : TFT 백플레인 120 : 표시층
130 : 엔캡슐레이션 기판 141 : 제 1 오버코팅층
142 : 제 2 오버코팅층 143 : 금속 배선층
144 : 금속 캡핑층 150 : 광학 투명 접착제
160 : 커버 기판

Claims (19)

  1. 활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판; 상기 기판의 활성영역 내의 감지전극들; 상기 비활성영역 내의 상기 감지전극들과 전기적으로 연결된 연결 배선부; 및 콘택 영역내의 금속캡핑층를 포함하며,
    상기 감지전극들이 형성된 활성영역은 기판 상에 형성된 도전체층인 제 1 오버코팅층 및 상기 제 1 오버코팅층 위에 제 2 오버코팅층을 포함하고,
    상기 연결 배선부가 형성된 비활성영역은 기판 상에 형성된 도전체층인 제1 오버코팅층, 상기 제 1 오버코팅층 위에 제 2 오버코팅층 및 상기 제 2 오버코팅층 상에 금속배선층을 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 감지전극들과 상기 외부배선들은 일대일 대응하여 연결됨을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 감지전극들은 제1 방향을 따라 배열된 제1 감지전극들, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 제2 감지전극들, 및 인접한 두 개의 제1 감지전극들을 연결하는 브릿지 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 활성영역의 제2 오버코팅층 및 상기 비활성영역의 금속배선층 상에 유기막을 더 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
  5. 제2항에 있어서,
    패드부에 해당하는 상기 금속배선층 상에 금속캡핑층을 더 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 브릿지 패턴은 제1 오버코팅층 상에 금속캡핑층을 더 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    제1 오버코팅층의 도전체층은 금속 나노와이어층인 터치 스크린 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    제2 오버코팅층은 아크릴계 또는 실리콘계 모노머이고, 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위인 터치 스크린 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속 배선층은 구리 또는 알루미늄인 터치 스크린 패널.
  10. 제1항에 있어서, 상기 금속캡핑층은 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금으로 500Å 이상의 두께를 갖는 것인 터치 스크린 패널.
  11. 제1항에 있어서, 상기 터치 스크린 패널은 TFT 백플레인을 더 포함하고, 상기 기판은 상기 TFT 백플레인 위에 형성되는 것인 터치 스크린 패널.
  12. 활성영역 및 상기 활성영역 외곽의 비활성영역으로 구분되는 기판 상에 도전성 물질로 제1 오버코팅층을 형성하는 단계;
    상기 제1 오버코팅층 상에 제2 오버코팅층을 형성하는 단계;
    상기 제1 오버코팅층과 제2 오버코팅층을 패터닝하여 상기 활성영역 내의 감지전극부와 상기 비활성영역 내의 연결 배선부를 형성하는 단계;
    상기 비활성영역 내의 연결 배선부에 해당되어지는 제 2 오버코팅층 상에 금속배선층을 형성하는 단계;
    제2 오버코팅층을 패터닝하여 콘택 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계에서, 패드부에 해당하는 금속배선층 상에 금속캡핑층이 함께 형성되어지는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 금속배선층을 형성하는 단계 후에, 상기 활성영역의 제2 오버코팅층 및 상기 비활성영역의 금속배선층 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 오버코팅층의 도전성 물질은 금속 나노와이어이인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제2 오버코팅층은 아크릴계 또는 실리콘계 모노머로 형성되고, 제2 오버코팅층의 두께는 50nm 내지 5㎛의 범위인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 콘택홀 형성하는 단계에서는 하프톤 마스크가 사용되는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 금속배선층은 구리 또는 알루미늄으로 형성되고, 상기 금속캡핑층은 ITO 또는 Ti계 내부식성 합금으로 500Å 이상의 두께로 형성되는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 제2 오버코팅층을 패터닝하여 콘택 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀에 금속캡핑층을 형성하는 단계에서, 감지전극부의 인접한 두 개의 감지전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴(BP)을 동시에 형성시키는 것인 터치 스크린 패널의 제조방법.
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