KR20160120525A - Wafer level SAW Filter module and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20160120525A
KR20160120525A KR1020150049707A KR20150049707A KR20160120525A KR 20160120525 A KR20160120525 A KR 20160120525A KR 1020150049707 A KR1020150049707 A KR 1020150049707A KR 20150049707 A KR20150049707 A KR 20150049707A KR 20160120525 A KR20160120525 A KR 20160120525A
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adhesive layer
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filter module
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KR1020150049707A
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양장원
한정훈
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(주)와이솔
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    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H01L41/081—
    • H01L41/22—

Abstract

According to the present invention, a wafer level SAW filter module comprises: a first substrate in which a SAW electrode unit is formed; a second substrate bonded to the first substrate by a bonding layer as a medium to allow an upper portion of a SAW electrode unit area to be a hollow unit; and a penetration electrode formed to penetrate the bonding layer and the second substrate to be electrically connected to the first substrate. According to the present invention, cracks of a wafer level package structure can be prevented, manufacturing costs can be reduced, and a manufacturing yield can be increased.

Description

웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 및 이의 제작 방법{Wafer level SAW Filter module and method for manufacturing the same}[0001] Wafer level SAW filter module and method for manufacturing same [0002]

본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 및 이의 제작 방법에 관한 것으로서 웨이퍼 레벨 패키지 구조의 강성 구현을 위해 이종의 기판을 접합한 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 및 이의 제작 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer-level SAW filter module and a method of fabricating the same, and more particularly, to a wafer-level SAW filter module having different types of substrates bonded together for rigid implementation of a wafer-level package structure and a method of manufacturing the same.

표면 탄성파(Surface Acoustic Wave)는 압전 효과의 결과로서 전기 신호로부터 생성되어 탄성체 기판의 표면을 따라 전파되는 음향파이다. 표면 탄성파의 전계는 기판 표면 부근에 집중되어 표면 바로 위에 놓인 다른 반도체의 전도 전자와 상호 작용할 수 있다. 표면 탄성파가 전파하는 매질은 전자 기계적 결합 계수가 높고 에너지 손실이 낮은 압전 물질이다. 일반적으로 반도체는 전도 전자의 이동도가 높고 저항률이 최적으로 직류 전원 요소가 낮아서 최적의 효율을 확보할 수 있는데, 이러한 표면 탄성파와 반도체 전도 전자의 상호 작용을 이용하여 전자 회로를 전자 기계적 소자로 대체한 것이 표면 탄성파 소자(SAW device)이다.Surface Acoustic Wave is an acoustic wave generated from an electric signal as a result of a piezoelectric effect and propagating along the surface of an elastic substrate. The electric field of the surface acoustic wave can be concentrated in the vicinity of the substrate surface and interact with the conduction electrons of other semiconductors lying directly on the surface. The medium in which the surface acoustic wave propagates is a piezoelectric material having a high electromechanical coupling coefficient and a low energy loss. Generally, semiconductors have high mobility of conduction electrons, low resistivity and low DC power factor, so that optimum efficiency can be secured. By using the interaction of surface acoustic wave and semiconductor conduction electron, electronic circuits can be replaced with electromechanical devices It is a surface acoustic wave device (SAW device).

표면 탄성파 소자는 압전 매질의 표면에 금속 박막으로 입력 전극과 출력 전극을 양단에 설치하여 고주파로 입력하고 표면 탄성파로 변환하며 전파 특성을 출력 전극으로 검출하여 전기신호로 복귀시키는 구성으로 되어있다. 이를 응용한 예로 지연선 소자, 증폭기, 파형 변환기, 광 빔 편향 소자, 광 스위치 등이 있다.The surface acoustic wave device has a configuration in which an input electrode and an output electrode are provided on both surfaces of a piezoelectric medium on a surface of a piezoelectric medium, and the electromagnetic wave is converted into a surface acoustic wave, Examples of applications include delay line elements, amplifiers, waveform converters, light beam deflecting elements, and optical switches.

한편, 반도체 소자의 제조에 있어서 기존의 웨이퍼 가공 후에 하나씩 칩을 잘라낸 후 패키징하던 방식과 달리 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단하여 간단히 완제품을 만들어 내는 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package: WLP)를 이용한 제조 방식이 많이 이용되고 있다. 또한, 이러한 웨이퍼 레벨 패키지의 제품 불량의 문제점을 해결하기 위해 웨이퍼 레벨 패키지의 변형이 다양하게 시도되고 있다. 종래기술에는 반도체 패키지의 전극패턴 가장자리에 보호댐을 형성한 반도체 패키지가 기재되어 있다.On the other hand, in the manufacturing of semiconductor devices, unlike the conventional method in which chips are cut and processed one after another after the wafer is processed, a wafer level package (wafer level package) Package: WLP) is widely used. In addition, various attempts have been made to devise deformation of a wafer level package to solve the problem of product defects of such a wafer level package. The prior art discloses a semiconductor package in which a protection dam is formed at the edge of an electrode pattern of a semiconductor package.

하지만, 이러한 종래기술은 소자 제작 후 모듈 제조를 위해 소자 상부에 몰딩부를 형성할 경우, 보호댐 등의 구조물이 무너지는 문제로 인하여 제조 수율이 낮아지고 제조 비용을 증가하는 문제점이 발생하였다.
However, such a conventional technique has a problem that, when a molding part is formed on an element for manufacturing a module after fabricating the device, the manufacturing yield is lowered and the manufacturing cost is increased due to the collapse of the structure such as the protection dam.

한국공개특허공보 10-2011-0122242Korean Patent Publication No. 10-2011-0122242

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 균열을 방지하기 위한 목적이 있다.The present invention aims to prevent cracking of the wafer level SAW filter module.

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 제조 비용을 절감하기 위한 목적이 있다.The present invention aims to reduce the manufacturing cost of the wafer level SAW filter module.

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 제조 수율을 증가시키기 위한 목적이 있다.
The present invention aims to increase the manufacturing yield of the wafer level SAW filter module.

본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈은, SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부가 형성된 제1 기판. 상기 SAW 전극부 영역의 상부가 중공부가 되도록 상기 제1 기판과 접착층을 매개로 접합되는 제2 기판, 상기 접착층 및 상기 제2 기판을 관통하여 상기 제1 기판과 전기적으로 연결되도록 형성되는 관통 전극을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer-level SAW filter module including a surface acoustic wave (SAW) electrode portion. A second substrate bonded to the first substrate through an adhesive layer such that an upper portion of the SAW electrode unit region is hollow, a bonding electrode, and a penetrating electrode penetrating the second substrate and electrically connected to the first substrate, .

상기 접착층은, 상기 SAW 전극부 영역 외에 형성될 수 있다.The adhesive layer may be formed outside the SAW electrode portion region.

상기 접착층은, 상기 SAW 전극부 영역을 둘러싸며 형성될 수 있다.The adhesive layer may be formed to surround the SAW electrode portion region.

상기 제1 기판은 LT(LiTaO3) 기판일 수 있다.The first substrate may be an LT (LiTaO 3 ) substrate.

상기 제2 기판은 Glass 기판일 수 있다.The second substrate may be a glass substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법은, 제1 기판에 SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부를 형성하는 단계, 제2 기판의 일면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 제2 기판과 상기 접착층을 관통하여 홀을 형성하는 단계, 상기 홀에 관통 전극을 형성하는 단계, 상기 관통 전극 및 상기 접착층이 형성된 상기 제2 기판을 상기 제1 기판과 접합하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wafer level SAW filter module, including: forming a SAW (Electrode Wave) electrode portion on a first substrate; forming an adhesive layer on a surface of the second substrate; Forming a hole through the substrate and the adhesive layer, forming a through electrode in the hole, and bonding the second substrate with the penetrating electrode and the adhesive layer to the first substrate .

상기 접착층은, 상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 접합될 때 상기 SAW 전극부 외의 영역에서 접합되도록 하는 위치에 형성될 수 있다.The adhesive layer may be formed at a position where the second substrate is bonded at a region outside the SAW electrode portion when the second substrate is bonded to the first substrate.

상기 접착층은, 상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 접합될 때 상기 SAW 전극부 외부의 영역에서 상기 SAW 전극부를 둘러싸도록 하는 위치에 형성될 수 있다.The adhesive layer may be formed at a position to surround the SAW electrode portion in an area outside the SAW electrode portion when the second substrate is bonded to the first substrate.

상기 홀을 형성하는 단계는, 플라즈마 또는 레이저 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 제2 기판 및 상기 접착층에 홀을 형성하는 것일 수 있다.The forming of the hole may be to form a hole in the second substrate and the adhesive layer using at least one of a plasma and a laser.

상기 관통 전극을 형성하는 단계는, 도금 방법, 후막 스퍼터 방법, 파우더 충전 방법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 상기 홀에 관통 전극을 형성하는 것일 수 있다.The step of forming the penetrating electrode may include forming a penetrating electrode in the hole by at least one of a plating method, a thick film sputtering method, and a powder filling method.

상기 접합하는 단계는, 인쇄법, 라미네이팅법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 상기 제2 기판에 형성된 접착층을 상기 제1 기판과 접합하는 것일 수 있다.
The bonding may be performed by bonding an adhesive layer formed on the second substrate to the first substrate by at least one of a printing method and a laminating method.

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 구조의 균열을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing cracks in the wafer level SAW filter module structure.

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of reducing the manufacturing cost of the wafer level SAW filter module.

본 발명은 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 제조 수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
The present invention has the effect of increasing the manufacturing yield of the wafer level SAW filter module.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈의 a-a' 상부에서 본 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a wafer-level SAW filter module according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the wafer-level SAW filter module according to one embodiment of the present invention as viewed from the top of aa ''.
FIG. 3 is a flowchart schematically illustrating a method for manufacturing a wafer-level SAW filter module according to an embodiment of the present invention.

설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 통상의 기술자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. In addition, the matters described in the attached drawings may be different from those actually implemented by the schematic drawings to easily describe the embodiments of the present invention.

실시 예들의 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. 도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다It is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure of embodiments may be "on" or "under" a substrate, each layer (film) The substrate includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings. In addition, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only a case where it is directly connected but also a case where it is indirectly connected with another member in between. Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise. In the drawings, the thickness or size of each layer (film), region, pattern or structure may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size

한편, 어떤 구성 요소들을 '포함'한다는 표현은, '개방형'의 표현으로서 해당 구성요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭할 뿐이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
The expression " comprising ", on the other hand, merely refers to the presence of the elements as an expression of " open ", and should not be understood as excluding any additional elements.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨이퍼 레벨 SAW 필터의 a-a' 상부에서 본 평면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨이퍼 레벨 SAW 필터는 SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부(120)가 형성된 제1 기판(110), SAW 전극부(120) 영역 상부가 중공부(130)가 되도록 제1 기판(110)과 접착층(140)을 매개로 접합되는 제2 기판(150), 접착층(140) 및 제2 기판(150)을 관통하여 제1 기판(110)과 전기적으로 연결되도록 형성되는 관통 전극(160)을 포함한다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer level SAW filter module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a wafer level SAW filter according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2, a wafer-level SAW filter according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 110 on which a SAW electrode unit 120 is formed, The adhesive layer 140 and the second substrate 150 to be bonded to the first substrate 110 through the adhesive layer 140 so that the first substrate 110 and the second substrate 150 may be the hollow portion 130, And a through electrode 160 formed to be electrically connected to the first electrode 160.

본 발명의 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈은 제1 기판(110)의 일면에 SAW 전극부(120)가 형성된다. SAW 전극부(120)는 IDT(Inter Digital Transducer)에 가해진 전압에 의해 발생되어 전파되는 탄성 표면파를 이용한 IDT 전극이다. 일반적으로 SAW 전극부(120)는 얇은 금속 전극의 빗살무늬 전극(interdigital array)으로 이루어진 두 개의 송수신용 변환기인 IDT로 구성되어 있다. 이 빗살무늬 전극은 극성이 서로 다르게 연속적으로 배열되어 있어 그 사이에 걸리는 적절한 주파수의 RF 신호전압이 결정표면을 팽창, 압축시키면서 기계적인 파동을 발생시킨다.In the wafer level SAW filter module of the present invention, the SAW electrode portion 120 is formed on one surface of the first substrate 110. The SAW electrode unit 120 is an IDT electrode using a surface acoustic wave generated and propagated by a voltage applied to an IDT (Inter Digital Transducer). In general, the SAW electrode unit 120 is composed of two IDTs, which are transducers for transmitting and receiving, which are made of interdigital arrays of thin metal electrodes. These comb-shaped electrodes are continuously arranged with different polarities so that an RF signal voltage of an appropriate frequency applied between them causes mechanical waves to expand and compress the crystal surface.

SAW 전극부(120)가 형성된 제1 기판(110)에는 접착층(140)을 매개로 제2 기판(150)과 접합된다. 접착층(140)은 제1 기판(110)의 일면에 형성되어 접착층(140)이 형성된 제1 기판(110)과 제2 기판(150)과 접합 될 수 있다. 또한, 접착층(140)은 제2 기판(150)의 일면에 형성되어 접착층(140)이 형성된 제2 기판(150)이 제1 기판(150)과 접합 될 수 있다.The first substrate 110 having the SAW electrode unit 120 is bonded to the second substrate 150 via the adhesive layer 140. The adhesive layer 140 may be formed on one surface of the first substrate 110 and may be bonded to the first substrate 110 and the second substrate 150 on which the adhesive layer 140 is formed. The adhesive layer 140 may be formed on one surface of the second substrate 150 so that the second substrate 150 having the adhesive layer 140 may be bonded to the first substrate 150.

접착층(140)은 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 중공부(130)가 형성되도록 형성된다. 제1 기판(110)에는 SAW 전극부(120)가 형성된다. SAW 전극부(120)의 특성상 제1 기판(110)에 중공부(130)가 형성되어야 주파수가 이동할 수 있다. 또한, 접착층(140)은 UV, 열(thermal), 용제 또는 레이저 광 등에 의해 경화되는 수지(resin)일 수 있다.The adhesive layer 140 is formed to form a hollow portion 130 between the first substrate 110 and the second substrate 150. The SAW electrode unit 120 is formed on the first substrate 110. The frequency can be shifted when the hollow portion 130 is formed on the first substrate 110 due to the characteristics of the SAW electrode portion 120. The adhesive layer 140 may be a resin that is cured by UV, thermal, solvent, laser light, or the like.

제1 기판(110)에 형성된 접착층(140)의 상부에 제 2 기판(150)을 접합시킨다. 접착층(140)은 SAW 전극부(120) 영역 외의 영역에 형성된다. 접착층(140)은 SAW 전극부(120) 영역을 둘러싸며 형성될 수 있다. 접착층(140)은 SAW 전극부(120) 영역을 둘러싸며 형성될 때 SAW 전극부(120)를 보호하는 역할을 할 수 있다.The second substrate 150 is bonded to the upper portion of the adhesive layer 140 formed on the first substrate 110. The adhesive layer 140 is formed in a region outside the region of the SAW electrode portion 120. The adhesive layer 140 may surround the SAW electrode unit 120. The adhesive layer 140 may protect the SAW electrode part 120 when the SAW electrode part 120 is formed to surround the SAW electrode part 120.

제1 기판(110)에 접착층(140)을 형성되면 접착층(140) 상부에 제2 기판(150)이 접합 된다. 이러한 접착층(140) 상부에 제2 기판(150)이 형성되면 제2 기판(150)과 접착층(140)을 관통하여 홀이 형성된다. 제2 기판(150)과 접착층(140)에 동시에 홀을 형성하는 것이다. 이렇게 형성된 홀에는 관통 전극(160)이 형성된다.When the adhesive layer 140 is formed on the first substrate 110, the second substrate 150 is bonded onto the adhesive layer 140. When the second substrate 150 is formed on the adhesive layer 140, holes are formed through the adhesive layer 140 and the second substrate 150. Holes are formed in the second substrate 150 and the adhesive layer 140 at the same time. A penetrating electrode 160 is formed in the thus formed hole.

다른 실시 예로, 접착층(140)이 형성된 제1 기판(110)은 홀이 형성된 제2 기판(150)과 접합 될 수 있다. 이때 제2 기판(150)에는 관통 전극(160)이 형성될 홀이 형성된 제2 기판(150)인 것이다. 제2 기판(150)에 홀을 형성한 후 접착층(140)을 매개로 제1 기판(110)과 접합 되는 것이다. 홀이 형성된 제2 기판(150)이 접착층(140)이 형성된 제1 기판(110)과 접합 되면 접착층(140)에 제2 기판(150)에 형성된 홀에 대응되는 위치에 접착층(140)의 홀이 형성된다. 이렇게 제2 기판(150) 및 접착층(140)에 홀이 형성되면 제2 기판(150)과 접착층(140)을 관통하여 관통 전극(160)이 형성된다.Alternatively, the first substrate 110 on which the adhesive layer 140 is formed may be bonded to the second substrate 150 on which the holes are formed. In this case, the second substrate 150 has a hole through which the penetrating electrode 160 is to be formed. Holes are formed in the second substrate 150 and then bonded to the first substrate 110 through the adhesive layer 140. [ When the second substrate 150 having the holes formed thereon is bonded to the first substrate 110 having the adhesive layer 140 formed thereon, the holes of the adhesive layer 140 are formed on the adhesive layer 140 at positions corresponding to the holes formed in the second substrate 150. . When holes are formed in the second substrate 150 and the adhesive layer 140, the penetrating electrode 160 is formed through the adhesive layer 140 and the second substrate 150.

또 다른 실시 예로, 접착층(140)을 제2 기판(150)의 일면에 형성하고, 이러한 접착층(140)이 형성된 제2 기판(150)에 홀이 형성된다. 이때 접착층(140) 및 제2 기판(150)에 동시에 홀이 형성되고, 홀이 형성된 접착층(140) 및 제2 기판(150)은 제1 기판(110)과 접합 된다.In another embodiment, the adhesive layer 140 is formed on one surface of the second substrate 150, and a hole is formed in the second substrate 150 on which the adhesive layer 140 is formed. At this time, holes are simultaneously formed on the adhesive layer 140 and the second substrate 150, and the adhesive layer 140 and the second substrate 150 on which the holes are formed are bonded to the first substrate 110.

접착층(140)이 제1 기판(110) 또는 제2 기판(150)에 형성되는 순서나, 홀이 형성되는 순서는 변경될 수 있는 사항으로 제한되지 않으며 기재되지 않은 다양한 실시 예로 구현될 수 있다.The order in which the adhesive layer 140 is formed on the first substrate 110 or the second substrate 150 and the order in which the holes are formed are not limited to those that can be changed and can be implemented in various embodiments not described.

접착층(140)에 형성되는 홀은 플라즈마 드릴링, 레이저 드릴링 또는 CNC 드릴링 중 적어도 어느 하나를 이용한 드릴링 방법으로 형성된다. 홀은 UV 또는 CO2 레이저에 의해 식각되어 형성될 수 있다. 또한, 홀은 플라즈마 가스와 압력에 의해 에칭되어 형성될 수 있다. 플라즈마 드릴링 방법은 미세한 구조를 형성할 수 있는 장점이 있다. 플라즈마 방법 또는 레이저를 이용한 드릴링 방법은 당업자가 일반적으로 이용할 수 있는 방법으로 구체적인 설명은 생략한다. The holes formed in the adhesive layer 140 are formed by a drilling method using at least one of plasma drilling, laser drilling, and CNC drilling. The holes can be UV or CO 2 And can be formed by etching with a laser. Further, the holes may be formed by etching with plasma gas and pressure. The plasma drilling method has an advantage that a fine structure can be formed. The plasma method or the laser drilling method is generally used by those skilled in the art, and a detailed description thereof will be omitted.

제2 기판(150) 및 접착층(140)에 홀이 형성되면 홀에 관통 전극(160)을 형성한다. 관통 전극(160)은 제1 기판(110)과 제2 기판(150)을 전기적으로 연결하기 위해 형성된다. 관통 전극(160)은 도금법, 후막 스퍼터 방법, 파우더 충진법 등 일반적으로 당업자이면 실시할 수 있는 전극을 형성하는 방법으로 도금법, 후막 스퍼터 방법, 파우더 충진법 대한 상세한 설명은 생략한다.When a hole is formed in the second substrate 150 and the adhesive layer 140, a penetrating electrode 160 is formed in the hole. The penetrating electrode 160 is formed to electrically connect the first substrate 110 and the second substrate 150. The penetrating electrode 160 is formed by a plating method, a thick-film sputtering method, a powder filling method, or the like, and can be practiced by those skilled in the art. Detailed description of the plating method, thick film sputtering method, and powder filling method is omitted.

제1 기판(110)은 LiNbO3, LiTaO3, SiO2, Li2B4O7 등의 압전 단결정, ZnO, AlN 등의 압전 박막, PZT계 세라믹일 수 있으나, LT(LiTaO3) 기판인 것이 바람직하다. 또한, 제2 기판(150)은 Gass 기판, 소다라임 기판, 세라믹 기판, 고분자 계열의 기판일 수 있지만 Glass 기판인 것이 바람직하다. 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)은 접착층(40)을 매개로 접착된다. 제1 기판(110)과 제2 기판(150)의 접착력은 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 각각의 열팽창계수에 따라 달라진다. 이러한 열팽창계수 때문에 제1 기판(110)은 LT(LiTaO3) 기판인 것이 바람직하고, 제2 기판(150)은 Glass 기판인 것이 바람직하다. 또한, 제1 기판(110)과 제2 기판(150)도 각각 열팽창계수가 다르기 때문에 상온 접합을 하는 것이 바람직하다.
The first substrate 110 may be made of LiNbO 3 , LiTaO 3 , SiO 2 , Li 2 B 4 O 7 A piezoelectric thin film of ZnO, AlN or the like, or a PZT system ceramic, but it is preferably a LT (LiTaO 3 ) substrate. The second substrate 150 may be a Gass substrate, a soda lime substrate, a ceramic substrate, or a polymer substrate, but is preferably a glass substrate. The first substrate 110 and the second substrate 150 are adhered via the adhesive layer 40. The adhesive force between the first substrate 110 and the second substrate 150 varies depending on the thermal expansion coefficients of the first substrate 110 and the second substrate 150. It is preferable that the first substrate 110 is a LT (LiTaO 3 ) substrate and the second substrate 150 is a glass substrate because of the thermal expansion coefficient. Since the first substrate 110 and the second substrate 150 also have different thermal expansion coefficients, it is preferable to perform the room temperature bonding.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명은 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법은, 제1 기판(110)에 SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부(120)를 형성하는 단계(S210), 제2 기판(150)의 일면에 접착층(140)을 형성하는 단계(S220), 제2 기판(150) 및 접착층(140)에 홀을 형성하는 단계(S230), 홀에 관통 전극(160)을 형성하는 단계(S240), 관통 전극(160) 및 접착층(140)이 형성된 제2 기판(150)을 제1 기판(110)과 접합하는 단계(S250)를 포함한다.FIG. 3 is a flowchart schematically illustrating a method for manufacturing a wafer-level SAW filter module according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a method of fabricating a wafer level SAW filter module according to an embodiment of the present invention includes forming a surface acoustic wave (SAW) electrode portion 120 on a first substrate 110 (S210) A step S230 of forming an adhesive layer 140 on one surface of the second substrate 150 and a step S230 of forming a hole in the second substrate 150 and the adhesive layer 140 and a step of forming a penetrating electrode 160 in the hole And bonding the second substrate 150 having the penetrating electrode 160 and the adhesive layer 140 to the first substrate 110 at step S250.

접착층(140)은, 제2 기판이(150)이 제1 기판(110)과 접합될 때 SAW 전극부(120) 외의 영역에서 접합되도록 하는 위치에 형성된다. 또한, 접착층(140)은, 제2 기판(150)이 제1 기판(110)과 접합될 때 SAW 전극부(120) 외부의 영역에서 SAW 전극부(120)를 둘러싸도록 하는 위치에 형성된다. 홀을 형성하는 단계(S230)에서는 플라즈마 또는 레이저 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제2 기판(150) 및 접착층(140)에 홀을 형성한다. 관통 전극(160)을 형성하는 단계(S240)에서는 도금 방법, 후막 스퍼터 방법, 파우더 충전 방법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 홀에 관통 전극(160)을 형성한다. 접합하는 단계(S250)에서는, 인쇄법, 라미네이팅법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 제2 기판(150에 형성된 접착층(140)을 제1 기판(110)과 접합한다.
The adhesive layer 140 is formed at a position where the second substrate 150 is bonded to an area outside the SAW electrode part 120 when the first substrate 110 is bonded to the first substrate 110. The adhesive layer 140 is formed at a position to surround the SAW electrode portion 120 in a region outside the SAW electrode portion 120 when the second substrate 150 is bonded to the first substrate 110. In step S230 of forming a hole, holes are formed in the second substrate 150 and the adhesive layer 140 using at least one of plasma and laser. In the step S240 of forming the penetrating electrode 160, the penetrating electrode 160 is formed in the hole by at least one of a plating method, a thick-film sputtering method, and a powder filling method. In the bonding step S250, the adhesive layer 140 formed on the second substrate 150 is bonded to the first substrate 110 by at least one of a printing method and a laminating method.

웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법에 관한 상세한 설명은 앞서 설명한 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈과 카테고리만 다를 뿐 동일한 내용이므로 생략한다.
The detailed description of the wafer level SAW filter module fabrication method is omitted because it is the same as the wafer level SAW filter module described above but is the same as the above.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Thus, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 제1 기판
120: SAW 전극부
130: 중공부
140: 접착층
150: 제2 기판
160: 관통 전극110: first substrate
120: SAW electrode part
130: hollow part
140: Adhesive layer
150: second substrate
160: penetrating electrode

Claims (11)

SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부가 형성된 제1 기판;
상기 SAW 전극부 영역의 상부가 중공부가 되도록 상기 제1 기판과 접착층을 매개로 접합되는 제2 기판; 및
상기 접착층 및 상기 제2 기판을 관통하여 상기 제1 기판과 전기적으로 연결되도록 형성되는 관통 전극;
을 포함하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈.
A first substrate having a surface acoustic wave (SAW) electrode portion;
A second substrate bonded to the first substrate via an adhesive layer such that an upper portion of the SAW electrode portion region is a hollow portion; And
A penetrating electrode formed to penetrate the adhesive layer and the second substrate and electrically connected to the first substrate;
And a wafer level SAW filter module.
제1항에 있어서,
상기 접착층은,
상기 SAW 전극부 영역 외에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈.
The method according to claim 1,
The adhesive layer
Wherein the second electrode is formed outside the SAW electrode portion region.
제1항에 있어서,
상기 접착층은, 상기 SAW 전극부 영역을 둘러싸며 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer is formed to surround the SAW electrode portion region.
제1항에 있어서,
상기 제1 기판은 LT(LiTaO3) 기판인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first substrate is LT (LiTaO 3) the wafer level SAW filter module, characterized in that the substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2 기판은 Glass 기판인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the second substrate is a glass substrate.
제1 기판에 SAW(Surface Acoustic Wave) 전극부를 형성하는 단계;
제2 기판의 일면에 접착층을 형성하는 단계;
상기 제2 기판과 상기 접착층을 관통하여 홀을 형성하는 단계;
상기 홀에 관통 전극을 형성하는 단계; 및
상기 관통 전극 및 상기 접착층이 형성된 상기 제2 기판을 상기 제1 기판과 접합하는 단계;
를 포함하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법.
Forming a SAW (Surface Acoustic Wave) electrode portion on the first substrate;
Forming an adhesive layer on one surface of the second substrate;
Forming a hole through the second substrate and the adhesive layer;
Forming a through electrode in the hole; And
Bonding the second substrate with the penetrating electrode and the adhesive layer to the first substrate;
Gt; SAW < / RTI > filter module.
제6항에 있어서,
상기 접착층은,
상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 접합될 때 상기 SAW 전극부 외의 영역에서 접합되도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법.
The method according to claim 6,
The adhesive layer
Wherein the second substrate is formed at a position to be bonded at a region outside the SAW electrode portion when the second substrate is bonded to the first substrate.
제6항에 있어서,
상기 접착층은,
상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 접합될 때 상기 SAW 전극부 외부의 영역에서 상기 SAW 전극부를 둘러싸도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법.
The method according to claim 6,
The adhesive layer
Wherein the SAW electrode portion is formed at a position to surround the SAW electrode portion in an area outside the SAW electrode portion when the second substrate is bonded to the first substrate.
제6항에 있어서,
상기 홀을 형성하는 단계에서는,
플라즈마 또는 레이저 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 제2 기판 및 상기 접착층에 홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 제작 방법.
The method according to claim 6,
In the step of forming the hole,
Wherein at least one of a plasma and a laser is used to form holes in the second substrate and the adhesive layer.
제6항에 있어서,
상기 관통 전극을 형성하는 단계에서는는,
도금 방법, 후막 스퍼터 방법, 파우더 충전 방법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 상기 홀에 관통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법.
The method according to claim 6,
In the step of forming the penetrating electrode,
Wherein a through electrode is formed in the hole by at least one of a plating method, a thick film sputter method, and a powder filling method.
제6항에 있어서,
상기 접합하는 단계에서는,
인쇄법, 라미네이팅법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 상기 제2 기판에 형성된 접착층을 상기 제1 기판과 접합하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 SAW 필터 모듈 제작 방법.
The method according to claim 6,
In the bonding step,
And bonding the adhesive layer formed on the second substrate to the first substrate by at least one of a printing method and a laminating method.
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