JP6950658B2

JP6950658B2 - Elastic wave device

Info

Publication number: JP6950658B2
Application number: JP2018192316A
Authority: JP
Inventors: 坂井　亮介; 亮介坂井
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-11-29
Filing date: 2018-10-11
Publication date: 2021-10-13
Anticipated expiration: 2038-10-11
Also published as: JP2019103127A; CN110011636A; CN110011636B

Description

本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、支持基板と圧電薄膜とを有する弾性波装置に関する。 The present invention generally relates to an elastic wave device, and more particularly to an elastic wave device having a support substrate and a piezoelectric thin film.

従来、弾性波装置として、支持基板上に、圧電薄膜を含む積層膜が積層されている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, as an elastic wave device, an elastic wave device in which a laminated film containing a piezoelectric thin film is laminated on a support substrate is known (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、積層膜と、ＩＤＴ電極と、外部接続端子（外部接続電極）と、絶縁層と、支持層（スペーサ層）と、カバー部材と、を備える。積層膜は、前記支持基板上に設けられており、圧電薄膜と前記圧電薄膜以外の層とを含む。ＩＤＴ電極は、圧電薄膜の一方面に設けられている。外部接続端子は、ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続される。絶縁層は、平面視において、ＩＤＴ電極が設けられている領域の外側の領域内であって、かつ外部接続端子が接合されている部分の下方の領域において、積層膜が部分的に除去された領域の少なくとも一部に設けられている。外部接続端子は、アンダーバンプメタル層及び金属バンプの内の少なくとも一方を含む。支持層は、絶縁層上に、ＩＤＴ電極が設けられている領域を囲むように設けられている。カバー部材は、支持層により形成された開口部を封止するように支持層上に固定されている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により励振される弾性波を拘束しないために、中空空間が設けられている。弾性波装置では、カバー部材と支持層とにより、中空空間が封止されている。 The elastic wave device described in Patent Document 1 includes a support substrate, a laminated film, an IDT electrode, an external connection terminal (external connection electrode), an insulating layer, a support layer (spacer layer), a cover member, and the like. To be equipped. The laminated film is provided on the support substrate and includes a piezoelectric thin film and a layer other than the piezoelectric thin film. The IDT electrode is provided on one surface of the piezoelectric thin film. The external connection terminal is electrically connected to the IDT electrode and is electrically connected to the outside. In the plan view, the insulating layer was partially removed from the laminated film in the region outside the region where the IDT electrode was provided and in the region below the portion where the external connection terminals were joined. It is provided in at least a part of the area. The external connection terminal includes at least one of the underbump metal layer and the metal bump. The support layer is provided on the insulating layer so as to surround the region where the IDT electrode is provided. The cover member is fixed on the support layer so as to seal the opening formed by the support layer. In the elastic wave device, a hollow space is provided so as not to restrain the elastic wave excited by the IDT electrode. In the elastic wave device, the hollow space is sealed by the cover member and the support layer.

特開２０１７−０１１６８１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-011681

特許文献１に記載された弾性波装置では、例えば空気中の水分が絶縁層と支持層との界面等を通して中空空間へ浸入して、弾性波装置の特性に影響を与える懸念があった。 In the elastic wave device described in Patent Document 1, for example, there is a concern that moisture in the air may infiltrate into the hollow space through the interface between the insulating layer and the support layer and affect the characteristics of the elastic wave device.

本発明の目的は、耐湿性の向上を図ることが可能な弾性波装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of improving moisture resistance.

本発明の一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、圧電薄膜と、ＩＤＴ電極と、配線層と、絶縁層と、スペーサ層と、カバー部材と、を備える。前記圧電薄膜は、前記支持基板の一の主面上に直接又は間接的に設けられている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電薄膜上に形成されている。前記配線層は、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。前記絶縁層は、前記支持基板の前記一の主面上に形成されている。前記絶縁層は、前記圧電薄膜を囲んでいる。前記スペーサ層は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されている。前記スペーサ層は、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において前記圧電薄膜を囲んでいる。前記カバー部材は、前記スペーサ層上に配置されている。前記カバー部材は、前記厚さ方向において前記ＩＤＴ電極から離れている。前記スペーサ層は、前記厚さ方向からの平面視で、外側端と、前記外側端よりも前記圧電薄膜に近い側の内側端と、を有する。前記スペーサ層は、前記厚さ方向からの平面視で、前記圧電薄膜に重ならず前記圧電薄膜の外縁から離れている。前記絶縁層における前記スペーサ層側の一の主面は、前記厚さ方向からの平面視で前記スペーサ層と重なる範囲において、前記外側端から前記内側端に向かって前記厚さ方向における前記支持基板の前記一の主面との距離が漸次増加する領域を含む。 The elastic wave device according to one aspect of the present invention includes a support substrate, a piezoelectric thin film, an IDT electrode, a wiring layer, an insulating layer, a spacer layer, and a cover member. The piezoelectric thin film is directly or indirectly provided on one main surface of the support substrate. The IDT electrode is formed on the piezoelectric thin film. The wiring layer is electrically connected to the IDT electrode. The insulating layer is formed on the one main surface of the support substrate. The insulating layer surrounds the piezoelectric thin film. At least a part of the spacer layer is formed on the insulating layer. The spacer layer surrounds the piezoelectric thin film in a plan view from the thickness direction of the support substrate. The cover member is arranged on the spacer layer. The cover member is separated from the IDT electrode in the thickness direction. The spacer layer has an outer end and an inner end closer to the piezoelectric thin film than the outer end in a plan view from the thickness direction. The spacer layer does not overlap the piezoelectric thin film and is separated from the outer edge of the piezoelectric thin film in a plan view from the thickness direction. One main surface of the insulating layer on the spacer layer side is the support substrate in the thickness direction from the outer end to the inner end in a range where it overlaps with the spacer layer in a plan view from the thickness direction. Includes a region where the distance from the one main surface of the above gradually increases.

本発明の一態様に係る弾性波装置は、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 The elastic wave device according to one aspect of the present invention can improve the moisture resistance.

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to an embodiment of the present invention. 図２は、同上の弾性波装置の別の断面図である。FIG. 2 is another cross-sectional view of the elastic wave device of the same as above. 図３は、同上の弾性波装置に関し、カバー部材を省略した平面図である。FIG. 3 is a plan view of the elastic wave device of the above, omitting the cover member. 図４Ａ及び４Ｂは、同上の弾性波装置の製造方法を説明する工程断面図である。4A and 4B are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the elastic wave device of the same. 図５は、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置の要部断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of the elastic wave device according to the first modification of the embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the elastic wave device according to the second modification of the embodiment of the present invention. 図７は、本発明の一実施形態の変形例３に係る弾性波装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the elastic wave device according to the third modification of the embodiment of the present invention.

以下、実施形態に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, the elastic wave device according to the embodiment will be described with reference to the drawings.

以下の実施形態等において参照する図１〜７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。 FIGS. 1 to 7 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and it is said that the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Is not always.

（実施形態）
（１）弾性波装置の全体構成
以下、実施形態に係る弾性波装置１について、図面を参照して説明する。 (Embodiment)
(1) Overall Configuration of Elastic Wave Device The elastic wave device 1 according to the embodiment will be described below with reference to the drawings.

実施形態１に係る弾性波装置１は、図１〜３に示すように、支持基板１１と、圧電薄膜１２２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３と、２つの配線層１５と、絶縁層１６と、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を備える。図１は、図３のＸ１−Ｘ１線断面に対応する断面図である。図２は、図３のＸ２−Ｘ２線断面に対応する断面図である。図３は、後述のカバー部材１８（図１及び２参照）の図示を省略してある。 As shown in FIGS. 1 to 3, the elastic wave device 1 according to the first embodiment includes a support substrate 11, a piezoelectric thin film 122, an IDT (Interdigital Transducer) electrode 13, two wiring layers 15, and an insulating layer 16. A spacer layer 17 and a cover member 18 are provided. FIG. 1 is a cross-sectional view corresponding to the X1-X1 line cross section of FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to the X2-X2 line cross section of FIG. FIG. 3 omits the illustration of the cover member 18 (see FIGS. 1 and 2) described later.

圧電薄膜１２２は、支持基板１１の一の主面１１１上に設けられている。圧電薄膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において支持基板１１の一の主面１１１の外周から離れている。ＩＤＴ電極１３は、圧電薄膜１２２上に設けられている。したがって、圧電薄膜１２２は、厚さ方向Ｄ１において支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に介在している。弾性波装置１は、支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に、少なくとも圧電薄膜１２２を含む機能膜１２を備えている。配線層１５は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、枠状である。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。弾性波装置１では、スペーサ層１７が、絶縁層１６とカバー部材１８の周部との間に介在している。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。 The piezoelectric thin film 122 is provided on one main surface 111 of the support substrate 11. The piezoelectric thin film 122 is separated from the outer circumference of one main surface 111 of the support substrate 11 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11. The IDT electrode 13 is provided on the piezoelectric thin film 122. Therefore, the piezoelectric thin film 122 is interposed between the main surface 111 of one of the support substrates 11 and the IDT electrode 13 in the thickness direction D1. The elastic wave device 1 includes a functional film 12 including at least a piezoelectric thin film 122 between a main surface 111 of one of the support substrates 11 and an IDT electrode 13 . Wiring layer 15 is electrically connected to the IDT electrode 13. The insulating layer 16 is formed on one main surface 111 of the support substrate 11. The insulating layer 16 surrounds the piezoelectric thin film 122. At least a part of the spacer layer 17 is formed on the insulating layer 16. The spacer layer 17 surrounds the piezoelectric thin film 122 in a plan view from the thickness direction D1. The spacer layer 17 has a frame shape. The cover member 18 is arranged on the spacer layer 17. In the elastic wave device 1, the spacer layer 17 is interposed between the insulating layer 16 and the peripheral portion of the cover member 18. The cover member 18 is separated from the IDT electrode 13 in the thickness direction D1.

弾性波装置１は、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１を有する。 The elastic wave device 1 is a space S1 surrounded by a cover member 18, a spacer layer 17, an insulating layer 16, and a laminate (a laminate including a piezoelectric thin film 122 and an IDT electrode 13) on a support substrate 11. Has.

また、弾性波装置１は、複数（図示例では、２つ）の外部接続電極１４を有する。外部接続電極１４は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。上述の配線層１５は、外部接続電極１４とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。 Further, the elastic wave device 1 has a plurality of (two in the illustrated example) external connection electrodes 14. The external connection electrode 14 is electrically connected to the IDT electrode 13. The wiring layer 15 described above electrically connects the external connection electrode 14 and the IDT electrode 13.

（２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。 (2) Each component of the elastic wave device Next, each component of the elastic wave device 1 will be described with reference to the drawings.

（２．１）支持基板
支持基板１１は、図１及び２に示すように、機能膜１２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体を支持している。支持基板１１は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある一の主面１１１（以下、第１主面１１１ともいう）及び第２主面１１２を有する。支持基板１１の材料は、シリコンである。支持基板１１は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。高音速支持基板は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかにより形成されていてもよい。 (2.1) Support substrate As shown in FIGS. 1 and 2, the support substrate 11 supports a laminate including the functional film 12 and the IDT electrode 13. The support substrate 11 has one main surface 111 (hereinafter, also referred to as a first main surface 111) and a second main surface 112 that are opposite to each other in the thickness direction D1. The material of the support substrate 11 is silicon. The support substrate 11 constitutes a hypersonic support substrate in which the sound velocity of the bulk wave propagating from the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film 122 is higher. The treble speed support substrate is not limited to silicon, for example, piezoelectric materials such as aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, etc. steatite, various ceramics such as forsterite, magnesia, diamond, or a material mainly composed of the above materials, or may be formed by any of the material mainly composed of the above mixture of the materials.

（２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極１３は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極１３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。 (2.2) IDT electrode The IDT electrode 13 is made of an appropriate metal material such as aluminum, copper, platinum, gold, silver, titanium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten or an alloy mainly composed of any of these metals. Can be formed. Further, the IDT electrode 13 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated.

ＩＤＴ電極１３は、図３に示すように、一対のバスバー１３１、１３２（以下、第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２ともいう）と、複数の電極指１３３（以下、第１電極指１３３ともいう）と、複数の電極指１３４（以下、第２電極指１３４ともいう）と、を含む。 As shown in FIG. 3, the IDT electrode 13 includes a pair of bus bars 131 and 132 (hereinafter, also referred to as first bus bar 131 and second bus bar 132) and a plurality of electrode fingers 133 (hereinafter, also referred to as first electrode finger 133). ) And a plurality of electrode fingers 134 (hereinafter, also referred to as a second electrode finger 134).

第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極１３では、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２とは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１と上記一方向との両方に直交する方向において対向し合っている。 The first bus bar 131 and the second bus bar 132 have an elongated shape whose longitudinal direction is one direction orthogonal to the thickness direction D1 of the support substrate 11. In the IDT electrode 13, the first bus bar 131 and the second bus bar 132 face each other in a direction orthogonal to both the thickness direction D1 of the support substrate 11 and the above one direction.

複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１に接続され第２バスバー１３２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１から第１バスバー１３１の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第１電極指１３３の先端と第２バスバー１３２とは離れている。例えば、複数の第１電極指１３３は、互いの長さ及び幅が同じである。 The plurality of first electrode fingers 133 are connected to the first bus bar 131 and extend toward the second bus bar 132. Here, the plurality of first electrode fingers 133 extend from the first bus bar 131 along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the first bus bar 131. The tips of the plurality of first electrode fingers 133 and the second bus bar 132 are separated from each other. For example, the plurality of first electrode fingers 133 have the same length and width as each other.

複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２に接続され第１バスバー１３１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２から第２バスバー１３２の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第２電極指１３４のそれぞれの先端は、第１バスバー１３１とは離れている。例えば、複数の第２電極指１３４は、互いの長さ及び幅が同じである。図３の例では、複数の第２電極指１３４の長さ及び幅は、複数の第１電極指１３３の長さ及び幅それぞれと同じである。 The plurality of second electrode fingers 134 are connected to the second bus bar 132 and extend toward the first bus bar 131. Here, the plurality of second electrode fingers 134 extend from the second bus bar 132 along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the second bus bar 132. The tips of the plurality of second electrode fingers 134 are separated from the first bus bar 131. For example, the plurality of second electrode fingers 134 have the same length and width as each other. In the example of FIG. 3, the length and width of the plurality of second electrode fingers 134 are the same as the length and width of the plurality of first electrode fingers 133, respectively.

ＩＤＴ電極１３では、複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とが、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２との対向方向に直交する方向において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー１３１の長手方向において隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４とは離れている。ＩＤＴ電極１３の電極指周期は、隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４との互いに対応する辺間の距離の２倍の値である。 In the IDT electrode 13, the plurality of first electrode fingers 133 and the plurality of second electrode fingers 134 are alternately separated from each other one by one in the direction orthogonal to the opposite direction of the first bus bar 131 and the second bus bar 132. Lined up. Therefore, the first electrode finger 133 and the second electrode finger 134 that are adjacent to each other in the longitudinal direction of the first bus bar 131 are separated from each other. The electrode finger cycle of the IDT electrode 13 is twice the distance between the adjacent sides of the first electrode finger 133 and the second electrode finger 134 that correspond to each other.

（２．３）機能膜
機能膜１２は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜１２１と、低音速膜１２１上に直接的に設けられている圧電薄膜１２２と、で構成されている。要するに、圧電薄膜１２２は、高音速支持基板を構成する支持基板１１上に間接的に設けられている。この場合、低音速膜１２１が、高音速支持基板である支持基板１１と圧電薄膜１２２との間に形成されることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電薄膜１２２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極１３内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、低音速膜１２１が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。 (2.3) Functional film The functional film 12 is provided directly on the low sound velocity film 121 and the low sound velocity film 121 in which the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film 122. It is composed of a piezoelectric thin film 122 and the like. In short, the piezoelectric thin film 122 is indirectly provided on the support substrate 11 constituting the hypersonic support substrate. In this case, the low sound velocity film 121 is formed between the support substrate 11 which is the high sound velocity support substrate and the piezoelectric thin film 122, so that the sound velocity of the elastic wave is lowered. In elastic waves, energy is concentrated in a medium that is essentially low sound velocity. Therefore, it is possible to enhance the effect of confining the elastic wave energy in the piezoelectric thin film 122 and in the IDT electrode 13 in which the elastic wave is excited. Therefore, the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the bass velocity film 121 is not provided.

圧電薄膜１２２は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。 The piezoelectric thin film 122 is made of, for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.

低音速膜１２１は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料のいずれかからなる。 The bass velocity film 121 is made of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon or boron to silicon oxide, or a material containing each of the above materials as a main component.

低音速膜が酸化ケイ素の場合、温度特性を改善することができる。リチウムタンタレートの弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、周波数温度特性（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。加えて、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスはリチウムタンタレートの固有音響インピーダンスより小さい。したがって、弾性波装置１では、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。 When the bass velocity film is silicon oxide, the temperature characteristics can be improved. The elastic constant of lithium tantalate has a negative temperature characteristic, and silicon oxide has a positive temperature characteristic. Therefore, in the elastic wave device 1, the absolute value of the temperature coefficient of frequency (TCF) can be reduced. In addition, the intrinsic acoustic impedance of silicon oxide is smaller than the intrinsic acoustic impedance of lithium tantalate. Therefore, in the elastic wave device 1, it is possible to both increase the electromechanical coupling coefficient, that is, expand the specific band, and improve the frequency temperature characteristic.

圧電薄膜１２２の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であることが望ましい。なぜならば、Ｑ値が高くなるためである。また、圧電薄膜１２２の膜厚を２．５λ以下とすることで、周波数温度特性が良くなる。さらに、圧電薄膜１２２の膜厚を１．５λ以下とすることで、音速の調整が容易になる。 The thickness of the piezoelectric thin film 122 is preferably 3.5λ or less, where λ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 13. This is because the Q value becomes high. Further, by setting the film thickness of the piezoelectric thin film 122 to 2.5λ or less, the frequency temperature characteristic is improved. Further, by setting the film thickness of the piezoelectric thin film 122 to 1.5λ or less, the sound velocity can be easily adjusted.

低音速膜１２１の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが望ましい。低音速膜１２１の膜厚を２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減することができ、その結果、製造時に支持基板１１の元になるシリコンウェハを含むウェハの反りを低減することが可能となり、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。 The thickness of the low sound velocity film 121 is preferably 2.0 λ or less, where λ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 13. By setting the film thickness of the low sound velocity film 121 to 2.0λ or less, the film stress can be reduced, and as a result, the warpage of the wafer including the silicon wafer which is the source of the support substrate 11 at the time of manufacturing can be reduced. This makes it possible to improve the non-defective rate and stabilize the characteristics.

（２．４）配線層
配線層１５は、外部接続電極１４とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。配線層１５は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、配線層１５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。 (2.4) Wiring layer The wiring layer 15 electrically connects the external connection electrode 14 and the IDT electrode 13. The wiring layer 15 can be formed of an appropriate metal material such as aluminum, copper, platinum, gold, silver, titanium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, or an alloy mainly composed of any of these metals. Further, the wiring layer 15 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated.

配線層１５は、支持基板１１の厚さ方向において、ＩＤＴ電極１３の一部と圧電薄膜１２２の一部と絶縁層１６の一部とに重なっている。配線層１５は、第１接続部１５１と、第２接続部１５２と、を含む。第１接続部１５１は、ＩＤＴ電極１３上に位置している。第２接続部１５２は、絶縁層１６とスペーサ層１７との間に介在し、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。弾性波装置１では、配線層１５のうち絶縁層１６上に形成されている第２接続部１５２上に、外部接続電極１４が形成されている。 The wiring layer 15 overlaps a part of the IDT electrode 13, a part of the piezoelectric thin film 122, and a part of the insulating layer 16 in the thickness direction of the support substrate 11. The wiring layer 15 includes a first connection portion 151 and a second connection portion 152. The first connection portion 151 is located on the IDT electrode 13. The second connecting portion 152 is interposed between the insulating layer 16 and the spacer layer 17, and is located inside the outer circumference of the insulating layer 16. In the elastic wave device 1, the external connection electrode 14 is formed on the second connection portion 152 formed on the insulating layer 16 of the wiring layer 15.

（２．５）絶縁層
絶縁層１６は、電気絶縁性を有する。図１〜３に示すように、絶縁層１６は、支持基板１１の第１主面１１１上において支持基板１１の外周に沿って形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２の側面を囲んでいる。ここにおいて、絶縁層１６は、機能膜１２の側面を囲んでいる。絶縁層１６の平面視形状は、枠状である。絶縁層１６の側面は、支持基板１１の側面と略面一となっている。絶縁層１６の一部は、圧電薄膜１２２の周部に重なっている。ここにおいて、絶縁層１６の一部は、機能膜１２の周部に重なっている。また、圧電薄膜１２２の側面は、絶縁層１６により覆われている。ここにおいて、機能膜１２の側面は、絶縁層１６により覆われている。 (2.5) Insulation layer The insulation layer 16 has electrical insulation. As shown in FIGS. 1 to 3, the insulating layer 16 is formed on the first main surface 111 of the support substrate 11 along the outer circumference of the support substrate 11. The insulating layer 16 surrounds the side surface of the piezoelectric thin film 122. Here, the insulating layer 16 surrounds the side surface of the functional film 12. The plan view shape of the insulating layer 16 is a frame shape. The side surface of the insulating layer 16 is substantially flush with the side surface of the support substrate 11. A part of the insulating layer 16 overlaps the peripheral portion of the piezoelectric thin film 122. Here, a part of the insulating layer 16 overlaps the peripheral portion of the functional film 12. The side surface of the piezoelectric thin film 122 is covered with an insulating layer 16. Here, the side surface of the functional film 12 is covered with the insulating layer 16.

絶縁層１６の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。 The material of the insulating layer 16 is, for example, a synthetic resin such as an epoxy resin or a polyimide.

（２．６）スペーサ層
スペーサ層１７は、平面視において、機能膜１２を囲んでいる。スペーサ層１７は、平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視形状は、枠状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周形は、絶縁層１６の外周形よりも小さい。スペーサ層１７の内周形は、絶縁層１６の内周形よりも大きい。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６の一の主面１６１上の第２接続部１５２も覆っている。要するに、スペーサ層１７は、絶縁層１６の一の主面１６１上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の一の主面１６１上に配線層１５の第２接続部１５２を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の一の主面１６１の全周に亘って形成されている。 (2.6) Spacer layer The spacer layer 17 surrounds the functional film 12 in a plan view. The spacer layer 17 is formed along the outer periphery of the support substrate 11 in a plan view. The shape of the spacer layer 17 in a plan view is a frame shape. The outer peripheral shape and inner peripheral shape of the spacer layer 17 are rectangular. The spacer layer 17 overlaps the insulating layer 16 in the thickness direction D1 of the support substrate 11. The outer peripheral shape of the spacer layer 17 is smaller than the outer peripheral shape of the insulating layer 16. The inner peripheral shape of the spacer layer 17 is larger than the inner peripheral shape of the insulating layer 16. A part of the spacer layer 17 also covers the second connecting portion 152 on the main surface 161 of one of the insulating layers 16. In short, the spacer layer 17 is provided via a first portion directly formed on one main surface 161 of the insulating layer 16 and a second connecting portion 152 of the wiring layer 15 on one main surface 161 of the insulating layer 16. Includes a second portion that is indirectly formed. Here, the first portion is formed over the entire circumference of one main surface 161 of the insulating layer 16.

スペーサ層１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１７の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層１７の材料は、絶縁層１６の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。 The spacer layer 17 has electrical insulation. The material of the spacer layer 17 is, for example, a synthetic resin such as an epoxy resin or a polyimide. The material of the spacer layer 17 preferably has the same main component as the material of the insulating layer 16, and more preferably the same material.

スペーサ層１７の厚さと絶縁層１６の厚さとの合計厚さは、機能膜１２の厚さとＩＤＴ電極１３の厚さとの合計厚さよりも大きい。 The total thickness of the spacer layer 17 and the thickness of the insulating layer 16 is larger than the total thickness of the functional film 12 and the IDT electrode 13.

（２．７）カバー部材
カバー部材１８は、平板状である。カバー部材１８の平面視形状（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材１８の外周形は、支持基板１１の外周形と略同じ大きさである。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。 (2.7) Cover member The cover member 18 has a flat plate shape. The plan view shape of the cover member 18 (the outer peripheral shape when viewed from the thickness direction D1 of the support substrate 11) is not limited to a rectangular shape, but may be, for example, a square shape. The outer peripheral shape of the cover member 18 is substantially the same size as the outer peripheral shape of the support substrate 11. The cover member 18 is arranged on the spacer layer 17. The cover member 18 is separated from the IDT electrode 13 in the thickness direction D1.

弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（機能膜１２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１を、不活性ガス雰囲気としてある。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素ガス雰囲気である。 In the elastic wave device 1, the space S1 surrounded by the cover member 18, the spacer layer 17, the insulating layer 16, and the laminate (laminate including the functional film 12 and the IDT electrode 13) on the support substrate 11. Is an inert gas atmosphere. The inert gas atmosphere is, for example, a nitrogen gas atmosphere.

（２．８）外部接続電極
弾性波装置１は、複数（２つ）の外部接続電極１４を有する。外部接続電極１４は、弾性波装置１において、回路基板、パッケージ用の実装基板（サブマウント基板）等と電気的に接続するための電極である。また、弾性波装置１は、ＩＤＴ電極１３には電気的に接続されていない複数（２つ）の実装用電極１９を有している。実装用電極１９は、回路基板、実装基板等に対する弾性波装置１の平行度を高めるための電極であり、電気的接続を目的とした電極とは異なる。つまり、実装用電極１９は、弾性波装置１が回路基板、実装基板等に対して傾いて実装されるのを抑制するための電極であり、外部接続電極１４の数及び配置、弾性波装置１の外周形状等によっては必ずしも設ける必要はない。 (2.8) External Connection Electrode The elastic wave device 1 has a plurality of (two) external connection electrodes 14. The external connection electrode 14 is an electrode for electrically connecting to a circuit board, a mounting board (submount board) for a package, or the like in the elastic wave device 1. Further, the elastic wave device 1 has a plurality (two) mounting electrodes 19 that are not electrically connected to the IDT electrode 13. The mounting electrode 19 is an electrode for increasing the parallelism of the elastic wave device 1 with respect to a circuit board, a mounting board, or the like, and is different from an electrode intended for electrical connection. That is, the mounting electrode 19 is an electrode for suppressing the elastic wave device 1 from being mounted at an angle with respect to the circuit board, the mounting board, etc., and the number and arrangement of the external connection electrodes 14 and the elastic wave device 1 It is not always necessary to provide it depending on the outer peripheral shape of the.

弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、カバー部材１８の４つの角部のうち互いに対向する２つの角部の近くに２つの外部接続電極１４が１つずつ配置され、残りの２つの角部の近くに２つの実装用電極１９が１つずつ配置されている。弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、２つの外部接続電極１４及び２つの実装用電極１９のそれぞれが、機能膜１２に重なっていない。 In the elastic wave device 1, in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11, two external connection electrodes 14 are provided near the two corners facing each other among the four corners of the cover member 18. Two mounting electrodes 19 are arranged one by one near the remaining two corners. In the elastic wave device 1, each of the two external connection electrodes 14 and the two mounting electrodes 19 does not overlap the functional film 12 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11.

外部接続電極１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部１４１を含む。貫通電極部１４１は、配線層１５の第２接続部１５２上に形成されており、第２接続部１５２と電気的に接続されている。また、外部接続電極１４は、貫通電極部１４１上に形成されているバンプ１４２を更に含む。したがって、貫通電極部１４１は、アンダーバンプメタル層を構成する。バンプ１４２は、導電性を有する。バンプ１４２は、貫通電極部１４１と接合されており、貫通電極部１４１と電気的に接続されている。実装用電極１９は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部を含む。また、実装用電極１９は、貫通電極部上に形成されているバンプを更に含む。 The external connection electrode 14 includes a through electrode portion 141 penetrating the spacer layer 17 and the cover member 18 in the thickness direction D1 of the support substrate 11. The through silicon via 141 is formed on the second connection portion 152 of the wiring layer 15, and is electrically connected to the second connection portion 152. Further, the external connection electrode 14 further includes a bump 142 formed on the through electrode portion 141. Therefore, the through silicon via 141 constitutes an underbump metal layer. The bump 142 has conductivity. The bump 142 is joined to the through electrode portion 141 and is electrically connected to the through electrode portion 141. The mounting electrode 19 includes a through electrode portion that penetrates the spacer layer 17 and the cover member 18 in the thickness direction D1 of the support substrate 11. Further, the mounting electrode 19 further includes a bump formed on the through electrode portion.

貫通電極部１４１は、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。バンプ１４２は、例えば、はんだ、金、銅等により形成することができる。実装用電極１９の貫通電極部は、外部接続電極１４の貫通電極部１４１と同じ材料により形成されている。また、実装用電極１９のバンプは、外部接続電極１４のバンプ１４２と同じ材料により形成されている。 The through silicon via 141 can be formed of, for example, an appropriate metal material such as copper, nickel, or an alloy mainly composed of any of these metals. The bump 142 can be formed of, for example, solder, gold, copper, or the like. The through electrode portion of the mounting electrode 19 is made of the same material as the through electrode portion 141 of the external connection electrode 14. The bumps of the mounting electrode 19 are made of the same material as the bumps 142 of the external connection electrode 14.

（２．９）機能膜と絶縁層とスペーサ層と配線層との関係
スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、圧電薄膜１２２から遠い側の外側端１７１と、外側端１７１よりも圧電薄膜１２２に近い側の内側端１７２と、を有する。絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって支持基板１１の厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。 (2.9) Relationship between Functional Membrane, Insulation Layer, Spacer Layer, and Wiring Layer The spacer layer 17 has the outer end 171 on the side far from the piezoelectric thin film 122 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11. It has an inner end 172 on the side closer to the piezoelectric thin film 122 than the outer end 171. One main surface 161 on the spacer layer 17 side of the insulating layer 16 overlaps the spacer layer 17 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11, and the support substrate 11 is directed from the outer end 171 to the inner end 172. Includes a region 162 in which the distance from one main surface 111 of the support substrate 11 in the thickness direction D1 of the above gradually increases.

低音速膜１２１の厚さは、例えば、６００ｎｍである。また、圧電薄膜１２２の厚さは、例えば、６００ｎｍである。また、ＩＤＴ電極１３の厚さは、例えば、１５０ｎｍである。絶縁層１６の厚さは、低音速膜１２１と圧電薄膜１２２とを含む機能膜１２の厚さよりもやや大きく、例えば、１．３μｍ以上１．５μｍ以下である。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２２６の一部と圧電薄膜１２２の側面１２２７とを覆っている。絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも圧電薄膜１２２側において凸面となっている。ここにおいて、絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっている。 The thickness of the bass velocity film 121 is, for example, 600 nm. The thickness of the piezoelectric thin film 122 is, for example, 600 nm. The thickness of the IDT electrode 13 is, for example, 150 nm. The thickness of the insulating layer 16 is slightly larger than the thickness of the functional film 12 including the low sound velocity film 121 and the piezoelectric thin film 122, and is, for example, 1.3 μm or more and 1.5 μm or less. The insulating layer 16 covers a part of one main surface 1226 of the piezoelectric thin film 122 opposite to the support substrate 11 side and the side surface 1227 of the piezoelectric thin film 122. The main surface 161 of one of the insulating layers 16 is a convex surface on the piezoelectric thin film 122 side of the region 162. Here, the main surface 161 of one of the insulating layers 16 is a convex surface on the functional film 12 side of the region 162.

絶縁層１６の一の主面１６１の領域１６２は、圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいる。ここにおいて、絶縁層１６の一の主面１６１の領域１６２は、機能膜１２を全周に亘って囲んでいる。 The region 162 of the main surface 161 of one of the insulating layers 16 surrounds the piezoelectric thin film 122 over the entire circumference. Here, the region 162 of the main surface 161 of one of the insulating layers 16 surrounds the functional film 12 over the entire circumference.

配線層１５は、スペーサ層１７の外側端１７１と内側端１７２とのうち内側端１７２のみを横切っている。要するに、配線層１５は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。これにより、スペーサ層１７は、絶縁層１６の全周に亘って絶縁層１６と接している。 The wiring layer 15 crosses only the inner end 172 of the outer end 171 and the inner end 172 of the spacer layer 17. In short, the wiring layer 15 is located inside the outer circumference of the insulating layer 16 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11. As a result, the spacer layer 17 is in contact with the insulating layer 16 over the entire circumference of the insulating layer 16.

（３）弾性波装置の製造方法
以下では、弾性波装置１の製造方法の一例について簡単に説明する。 (3) Manufacturing Method of Elastic Wave Device The following will briefly describe an example of the manufacturing method of the elastic wave device 1.

弾性波装置１の製造方法では、まず、複数の弾性波装置１それぞれの支持基板１１の元になるシリコンウェハ１１０（図４Ａ参照）を準備する。 In the method for manufacturing the elastic wave device 1, first, a silicon wafer 110 (see FIG. 4A) as a base for the support substrate 11 of each of the plurality of elastic wave devices 1 is prepared.

弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１（図４Ａ参照）上に機能膜１２を形成してから、絶縁層１６、スペーサ層１７を順次形成し、その後、カバー部材１８をスペーサ層１７に接着し、続いて、カバー部材１８及びスペーサ層１７における外部接続電極１４の形成予定部位に貫通孔を形成し、貫通孔を埋めるように外部接続電極１４を形成する。これにより、弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハ１１０に複数の弾性波装置１が形成されたウェハを得ることができる。シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１は、支持基板１１の一の主面１１１に対応する。 In the method of manufacturing the elastic wave device 1, the functional film 12 is formed on one main surface 1101 (see FIG. 4A) of the silicon wafer 110, then the insulating layer 16 and the spacer layer 17 are sequentially formed, and then the cover member. 18 is adhered to the spacer layer 17, and subsequently, a through hole is formed in a portion of the cover member 18 and the spacer layer 17 where the external connection electrode 14 is to be formed, and the external connection electrode 14 is formed so as to fill the through hole. Thereby, in the method of manufacturing the elastic wave device 1, it is possible to obtain a wafer in which a plurality of elastic wave devices 1 are formed on the silicon wafer 110. One main surface 1101 of the silicon wafer 110 corresponds to one main surface 111 of the support substrate 11.

上述の絶縁層１６の形成にあたっては、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１側に、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１のうち機能膜１２により覆われていない領域及び機能膜１２を覆い絶縁層１６の元になる絶縁膜１６０を例えばスピンコート法等によって形成する。その後、グレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を利用して絶縁膜１６０を３次元的にパターニングするためのレジスト層１６９を形成する（図４Ａ参照）。その後、エッチング技術を利用してレジスト層１６９と絶縁膜１６０の一部とをエッチングすることにより、絶縁層１６を形成する（図４Ｂ参照）。 In forming the insulating layer 16 described above, the insulating layer covers the region of the main surface 1101 of the silicon wafer 110 that is not covered by the functional film 12 and the functional film 12 on the main surface 1101 side of the silicon wafer 110. The insulating film 160, which is the basis of 16, is formed by, for example, a spin coating method. Then, a resist layer 169 for three-dimensionally patterning the insulating film 160 is formed by using a photolithography technique using a grayscale mask (see FIG. 4A). Then, the insulating layer 16 is formed by etching the resist layer 169 and a part of the insulating film 160 using an etching technique (see FIG. 4B).

弾性波装置１の製造方法では、ウェハをダイシングするダイシング工程を行うことにより、１枚のウェハから複数の弾性波装置１を得ることができる。ダイシング工程では、例えば、ダイシングソー（Dicing Saw）、レーザ等を用いる。 In the method of manufacturing the elastic wave device 1, a plurality of elastic wave devices 1 can be obtained from one wafer by performing a dicing step of dicing the wafer. In the dicing step, for example, a dicing saw, a laser, or the like is used.

（４）効果
実施形態に係る弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電薄膜１２２と、ＩＤＴ電極１３と、配線層１５と、絶縁層１６と、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を備える。圧電薄膜１２２は、支持基板１１の一の主面１１１上に間接的に設けられている。配線層１５は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、外側端１７１と、外側端１７１よりも圧電薄膜１２２に近い側の内側端１７２と、を有する。絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１は、厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。 (4) Effect The elastic wave device 1 according to the embodiment includes a support substrate 11, a piezoelectric thin film 122, an IDT electrode 13, a wiring layer 15, an insulating layer 16, a spacer layer 17, and a cover member 18. Be prepared. The piezoelectric thin film 122 is indirectly provided on one main surface 111 of the support substrate 11. The wiring layer 15 is electrically connected to the IDT electrode 13. The insulating layer 16 is formed on one main surface 111 of the support substrate 11. The insulating layer 16 surrounds the piezoelectric thin film 122. At least a part of the spacer layer 17 is formed on the insulating layer 16. The spacer layer 17 surrounds the piezoelectric thin film 122 in a plan view from the thickness direction D1 of the support substrate 11. The cover member 18 is arranged on the spacer layer 17. The cover member 18 is separated from the IDT electrode 13 in the thickness direction D1. The spacer layer 17 has an outer end 171 and an inner end 172 closer to the piezoelectric thin film 122 than the outer end 171 in a plan view from the thickness direction D1. One main surface 161 on the spacer layer 17 side of the insulating layer 16 is a support substrate in the thickness direction D1 from the outer end 171 to the inner end 172 in a range where it overlaps with the spacer layer 17 in a plan view from the thickness direction D1. It includes a region 162 in which the distance from one main surface 111 of 11 gradually increases.

これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１が領域１６２を含むので、絶縁層１６とスペーサ層１７との界面に関して、スペーサ層１７の外側端１７１から内側端１７２に向かう距離が長くなる。したがって、実施形態に係る弾性波装置１は、耐湿性の向上を図ることが可能となり、信頼性の向上を図ることが可能となる。 As a result, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, since one main surface 161 on the spacer layer 17 side of the insulating layer 16 includes the region 162, the spacer layer 17 has an interface between the insulating layer 16 and the spacer layer 17. The distance from the outer end 171 to the inner end 172 becomes longer. Therefore, the elastic wave device 1 according to the embodiment can improve the moisture resistance and the reliability.

また、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６は、圧電薄膜１２２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２２６の一部と圧電薄膜１２２の側面１２２７とを覆っている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、圧電薄膜１２２と支持基板１１との間で剥離が発生するのを抑制することができる。ここにおいて、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６は、機能膜１２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２６の一部と機能膜１２の側面１２７とを覆っている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、機能膜１２が支持基板１１から剥れるのを抑制することができる。ここにおいて、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１が、厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層におけるスペーサ層側の表面が、厚さ方向からの平面視でスペーサ層と重なる範囲において、内側端から外側端に向かって厚さ方向における支持基板の表面との距離が漸次増加する場合と比べて、絶縁層１６の厚さを薄くでき、支持基板１１からカバー部材１８までの高さの増加を抑制しつつ耐湿性の向上を図ることが可能となる。 Further, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, the insulating layer 16 covers a part of one main surface 1226 of the piezoelectric thin film 122 opposite to the support substrate 11 side and the side surface 1227 of the piezoelectric thin film 122. As a result, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, it is possible to suppress the occurrence of peeling between the piezoelectric thin film 122 and the support substrate 11. Here, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, the insulating layer 16 covers a part of one main surface 126 of the functional film 12 opposite to the support substrate 11 side and the side surface 127 of the functional film 12. .. As a result, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, it is possible to prevent the functional film 12 from peeling off from the support substrate 11. Here, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, from the outer end 171 in the range where one main surface 161 of the insulating layer 16 on the spacer layer 17 side overlaps with the spacer layer 17 in a plan view from the thickness direction D1. It includes a region 162 in which the distance from one main surface 111 of the support substrate 11 in the thickness direction D1 gradually increases toward the inner end 172. As a result, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, in the range in which the surface of the insulating layer on the spacer layer side overlaps with the spacer layer in a plan view from the thickness direction, the thickness direction is from the inner end to the outer end. Compared with the case where the distance from the surface of the support substrate is gradually increased, the thickness of the insulating layer 16 can be reduced, and the moisture resistance can be improved while suppressing the increase in the height from the support substrate 11 to the cover member 18. Is possible.

また、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっている。これにより、弾性波装置１では、絶縁層１６の一の主面１６１が領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっていない場合と比べて、外部からの水分がＩＤＴ電極１３に到達しにくくなる。 Further, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, the main surface 161 of one of the insulating layers 16 is a convex surface on the functional film 12 side of the region 162. As a result, in the elastic wave device 1, moisture from the outside is less likely to reach the IDT electrode 13 as compared with the case where the main surface 161 of one of the insulating layers 16 is not a convex surface on the functional film 12 side of the region 162. Become.

また、弾性波装置１では、領域１６２は、圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいる。これにより、弾性波装置１では、領域１６２が圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。ここにおいて、弾性波装置１では、領域１６２は、機能膜１２を全周に亘って囲んでいる。これにより、弾性波装置１では、領域１６２が機能膜１２を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。 Further, in the elastic wave device 1, the region 162 surrounds the piezoelectric thin film 122 over the entire circumference. As a result, in the elastic wave device 1, it is possible to further improve the moisture resistance as compared with the case where the region 162 does not surround the piezoelectric thin film 122 over the entire circumference. Here, in the elastic wave device 1, the region 162 surrounds the functional film 12 over the entire circumference. As a result, in the elastic wave device 1, it is possible to further improve the moisture resistance as compared with the case where the region 162 does not surround the functional film 12 over the entire circumference.

また、弾性波装置１では、スペーサ層１７は、絶縁層１６の全周に亘って絶縁層１６と接している。これにより、弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体と、で囲まれた空間Ｓ１の気密性を更に高めることができ、信頼性を更に向上させることが可能となる。 Further, in the elastic wave device 1, the spacer layer 17 is in contact with the insulating layer 16 over the entire circumference of the insulating layer 16. As a result, in the elastic wave device 1, the space S1 surrounded by the cover member 18, the spacer layer 17, the insulating layer 16, and the laminate including the piezoelectric thin film 122 and the IDT electrode 13 on the support substrate 11. The airtightness can be further improved, and the reliability can be further improved.

また、弾性波装置１では、配線層１５は、第１接続部１５１と、第２接続部１５２と、を含む。第１接続部１５１は、ＩＤＴ電極１３上に位置している。第２接続部１５２は、絶縁層１６とスペーサ層１７との間に介在し、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。弾性波装置１は、外部接続電極１４を更に備える。外部接続電極１４は、配線層１５の第２接続部１５２上に形成されている。外部接続電極１４は、配線層１５に電気的に接続されている。外部接続電極１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部１４１を含む。これにより、弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体と、で囲まれた空間Ｓ１の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。 Further, in the elastic wave device 1, the wiring layer 15 includes a first connection portion 151 and a second connection portion 152. The first connection portion 151 is located on the IDT electrode 13. The second connecting portion 152 is interposed between the insulating layer 16 and the spacer layer 17, and is located inside the outer circumference of the insulating layer 16. The elastic wave device 1 further includes an external connection electrode 14. The external connection electrode 14 is formed on the second connection portion 152 of the wiring layer 15. The external connection electrode 14 is electrically connected to the wiring layer 15. The external connection electrode 14 includes a through electrode portion 141 penetrating the spacer layer 17 and the cover member 18 in the thickness direction D1 of the support substrate 11. As a result, in the elastic wave device 1, the space S1 surrounded by the cover member 18, the spacer layer 17, the insulating layer 16, and the laminate including the piezoelectric thin film 122 and the IDT electrode 13 on the support substrate 11. The airtightness can be improved, and the reliability can be improved.

上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。 The above embodiment is just one of various embodiments of the present invention. The above-described embodiment can be changed in various ways depending on the design and the like as long as the object of the present invention can be achieved.

（５）変形例
（５．１）変形例１
図５に示す実施形態の変形例１に係る弾性波装置１ａでは、領域１６２は、スペーサ層１７の周方向に直交する面内において、外側端１７１側で支持基板１１側に凸となる曲線１６２１と内側端１７２側でカバー部材１８側に凸となる曲線１６２２との変曲点１６２３を含む。変形例１に係る弾性波装置１ａの他の構成は実施形態に係る弾性波装置１と同様なので図示及び説明を省略する。 (5) Modification example (5.1) Modification example 1
In the elastic wave device 1a according to the first modification of the embodiment shown in FIG. 5, the region 162 is a curve 1621 that is convex toward the support substrate 11 on the outer end 171 side in a plane orthogonal to the circumferential direction of the spacer layer 17. Includes an inflection point 1623 with a curve 1622 that is convex toward the cover member 18 on the inner end 172 side. Since other configurations of the elastic wave device 1a according to the first modification are the same as those of the elastic wave device 1 according to the embodiment, illustration and description thereof will be omitted.

変形例１に係る弾性波装置１ａでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device 1a according to the first modification, it is possible to improve the moisture resistance.

（５．２）変形例２
実施形態の変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、図６に示すように、機能膜１２ｂが、高音速膜１２３と、低音速膜１２１と、圧電薄膜１２２と、を含む。高音速膜１２３は、支持基板１１上に直接的に設けられており、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜１２１は、高音速膜１２３上に設けられており、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜１２２は、低音速膜１２１上に設けられている。変形例２に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態に係る弾性波装置１（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。 (5.2) Modification 2
In the elastic wave device 1b according to the second modification of the embodiment, as shown in FIG. 6, the functional film 12b includes a high sound velocity film 123, a low sound velocity film 121, and a piezoelectric thin film 122. The hypersonic film 123 is provided directly on the support substrate 11, and the sound velocity of the bulk wave propagating is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 122. The low sound velocity film 121 is provided on the high sound velocity film 123, and the sound velocity of the bulk wave propagating is lower than the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 122. The piezoelectric thin film 122 is provided on the bass velocity film 121. Regarding the elastic wave device 1b according to the modified example 2, the same components as those of the elastic wave device 1 (see FIG. 1) according to the embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、高音速膜１２３は、弾性波を圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜１２３より下の構造に漏れないように機能している。 In the elastic wave device 1b according to the second modification, the elastic wave is confined in the portion where the piezoelectric thin film 122 and the low sound velocity film 121 are laminated so as not to leak to the structure below the high sound velocity film 123. It is functioning.

この構造では、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１の全体に分布し、高音速膜１２３の低音速膜１２１側の一部にも分布し、支持基板１１には分布しないことになる。高音速膜１２３により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。 In this structure, the energy of the elastic wave of a specific mode used to obtain the characteristics of the filter and the resonator is distributed throughout the piezoelectric thin film 122 and the low sound velocity film 121, and is distributed on the low sound velocity film 121 side of the high sound velocity film 123. It is also distributed in a part and is not distributed in the support substrate 11. The mechanism by which the elastic wave is confined by the high-pitched sound film 123 is the same as that of the love wave type surface wave, which is a non-leakage SH wave. Realize, p. 26-28. The above mechanism is different from the mechanism of confining elastic waves using a Bragg reflector with an acoustic multilayer film.

高音速膜１２３は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。 The treble speed film 123 includes diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and steer. tight, various ceramics such as forsterite, magnesia, diamond, or a material mainly composed of each material, made of a material whose main component is the mixture of the materials.

高音速膜１２３の膜厚に関しては、弾性波を圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１に閉じ込める機能を高音速膜１２３が有するため、高音速膜１２３の膜厚は厚いほど望ましい。 Regarding the film thickness of the high-sound velocity film 123, since the high-sound velocity film 123 has a function of confining elastic waves in the piezoelectric thin film 122 and the low-sound velocity film 121, it is desirable that the film thickness of the high-sound velocity film 123 is thicker.

変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device 1b according to the second modification, it is possible to improve the moisture resistance.

（５．３）変形例３
実施形態の変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、図７に示すように、機能膜１２ｃが、圧電薄膜１２２のみにより構成され、支持基板１１上に直接的に形成されている。つまり、実施形態の変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、圧電薄膜１２２が支持基板１１の一の主面１１１上に直接的に設けられている。変形例３に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態に係る弾性波装置１（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。 (5.3) Modification 3
In the elastic wave device 1c according to the third modification of the embodiment, as shown in FIG. 7, the functional film 12c is composed of only the piezoelectric thin film 122 and is directly formed on the support substrate 11. That is, in the elastic wave device 1c according to the third modification of the embodiment, the piezoelectric thin film 122 is directly provided on the main surface 111 of one of the support substrates 11. Regarding the elastic wave device 1c according to the modified example 3, the same components as those of the elastic wave device 1 (see FIG. 1) according to the embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

支持基板１１は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。 The support substrate 11 constitutes a hypersonic support substrate in which the sound velocity of the bulk wave propagating from the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film 122 is higher.

変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device 1c according to the third modification, it is possible to improve the moisture resistance.

（５．４）その他の変形例
弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、低音速膜１２１と支持基板１１との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置１ｂでは、機能膜１２ｂが、高音速膜１２３と支持基板１１との間に介在する膜と、低音速膜１２１と圧電薄膜１２２との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、圧電薄膜１２２と支持基板１１との間に、低音速膜１２１の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、ＩＤＴ電極１３で励振された弾性波が支持基板１１に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも１つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ構造である。 (5.4) Other Modifications In the elastic wave devices 1 and 1a, the functional film 12 may include a film interposed between the bass velocity film 121 and the support substrate 11. Further, in the acoustic wave device 1b, the functional film 12 b is a film interposed between the high acoustic velocity film 123 and the supporting substrate 11, a film interposed between the low acoustic velocity film 121 and the piezoelectric thin film 122, of at least One may be included. Further, in the elastic wave devices 1 and 1a, the functional film 12 may include an acoustic impedance layer between the piezoelectric thin film 122 and the support substrate 11 instead of the low sound velocity film 121. The acoustic impedance layer has a function of suppressing leakage of elastic waves excited by the IDT electrode 13 to the support substrate 11. The acoustic impedance layer has a laminated structure in which at least one high acoustic impedance layer having a relatively high acoustic impedance and at least one low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance are arranged side by side in the thickness direction D1 of the support substrate 11. Have. In the above laminated structure, a plurality of high acoustic impedance layers may be provided, or a plurality of low acoustic impedance layers may be provided. In this case, the above-mentioned laminated structure is a structure in which a plurality of high acoustic impedance layers and a plurality of low acoustic impedance layers are alternately arranged layer by layer in the thickness direction D1 of the support substrate 11.

高音響インピーダンス層は、例えば、白金、タングステン、窒化アルミニウム、リチウムタンタレート、サファイア、リチウムニオベイト、窒化シリコン又は酸化亜鉛からなる。 The high acoustic impedance layer is made of, for example, platinum, tungsten, aluminum nitride, lithium tantalate, sapphire, lithium niobate, silicon nitride or zinc oxide.

低音響インピーダンス層は、例えば、酸化ケイ素、アルミニウム又はチタンからなる。 The low acoustic impedance layer is made of, for example, silicon oxide, aluminum or titanium.

また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、圧電薄膜１２２上に１つのＩＤＴ電極１３が形成されているが、ＩＤＴ電極１３の数は１つに限らず、複数であってもよい。弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、複数のＩＤＴ電極１３を備える場合、例えば、複数のＩＤＴ電極１３それぞれを含む複数の弾性表面波共振子が電気的に接続されて帯域通過型フィルタが構成されていてもよい。また、外部接続電極１４の数は、２つに限らず、３つ以上でもよい。 Further, in the elastic wave devices 1, 1a, 1b, and 1c, one IDT electrode 13 is formed on the piezoelectric thin film 122, but the number of IDT electrodes 13 is not limited to one and may be plural. In the elastic wave devices 1, 1a, 1b, and 1c, when a plurality of IDT electrodes 13 are provided, for example, a plurality of elastic surface wave resonators including each of the plurality of IDT electrodes 13 are electrically connected to form a band-passing filter. It may be configured. Further, the number of the external connection electrodes 14 is not limited to two, and may be three or more.

また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、少なくとも貫通電極部１４１を含む外部接続電極１４を設ける代わりに、配線層１５が、平面視においてスペーサ層１７の外側まで延長されていて、スペーサ層１７よりも外側に位置している部分の少なくとも一部が外部接続電極を構成していてもよい。 Further, in the elastic wave devices 1, 1a, 1b, and 1c, instead of providing the external connection electrode 14 including at least the through electrode portion 141, the wiring layer 15 is extended to the outside of the spacer layer 17 in a plan view, and the spacer is used. At least a part of the portion located outside the layer 17 may form the external connection electrode.

また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃにおける絶縁層１６及びスペーサ層１７の材料は、合成樹脂等の有機材料に限らず、無機材料であってもよい。 Further, the materials of the insulating layer 16 and the spacer layer 17 in the elastic wave devices 1, 1a, 1b, and 1c are not limited to organic materials such as synthetic resins, but may be inorganic materials.

（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。 (summary)
It is clear that the following aspects are disclosed from the embodiments described above.

第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、支持基板（１１）と、圧電薄膜（１２２）と、ＩＤＴ電極（１３）と、配線層（１５）と、絶縁層（１６）と、スペーサ層（１７）と、カバー部材（１８）と、を備える。圧電薄膜（１２２）は、支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に直接又は間接的に設けられている。ＩＤＴ電極（１３）は、圧電薄膜（１２２）上に形成されている。配線層（１５）は、ＩＤＴ電極（１３）に電気的に接続されている。絶縁層（１６）は、支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に形成されている。絶縁層（１６）は、圧電薄膜（１２２）を囲んでいる。スペーサ層（１７）は、少なくとも一部が絶縁層（１６）上に形成されている。スペーサ層（１７）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において圧電薄膜（１２２）を囲んでいる。カバー部材（１８）は、スペーサ層（１７）上に配置されている。カバー部材（１８）は、厚さ方向（Ｄ１）においてＩＤＴ電極（１３）から離れている。スペーサ層（１７）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、外側端（１７１）と、外側端（１７１）よりも圧電薄膜（１２２）に近い側の内側端（１７２）と、を有する。絶縁層（１６）におけるスペーサ層（１７）側の一の主面（１６１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でスペーサ層（１７）と重なる範囲において、外側端（１７１）から内側端（１７２）に向かって厚さ方向（Ｄ１）における支持基板（１１）の一の主面（１１１）との距離が漸次増加する領域（１６２）を含む。 The elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the first aspect includes a support substrate (11), a piezoelectric thin film (122), an IDT electrode (13), a wiring layer (15), and an insulating layer. (16), a spacer layer (17), and a cover member (18) are provided. The piezoelectric thin film (122) is provided directly or indirectly on one main surface (111) of the support substrate (11). The IDT electrode (13) is formed on the piezoelectric thin film (122). The wiring layer (15) is electrically connected to the IDT electrode (13). The insulating layer (16) is formed on one main surface (111) of the support substrate (11). The insulating layer (16) surrounds the piezoelectric thin film (122). At least a part of the spacer layer (17) is formed on the insulating layer (16). The spacer layer (17) surrounds the piezoelectric thin film (122) in a plan view from the thickness direction (D1) of the support substrate (11). The cover member (18) is arranged on the spacer layer (17). The cover member (18) is separated from the IDT electrode (13) in the thickness direction (D1). The spacer layer (17) has an outer end (171) and an inner end closer to the piezoelectric thin film (122) than the outer end (171) in a plan view from the thickness direction (D1) of the support substrate (11). (172) and. One main surface (161) on the spacer layer (17) side of the insulating layer (16) is inside from the outer end (171) in a range where it overlaps with the spacer layer (17) in a plan view from the thickness direction (D1). It includes a region (162) in which the distance of the support substrate (11) from one main surface (111) in the thickness direction (D1) toward the end (172) gradually increases.

第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the first aspect, it is possible to improve the moisture resistance.

第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１の態様において、絶縁層（１６）は、圧電薄膜（１２２）における支持基板（１１）側とは反対の一の主面（１２２６）の一部と圧電薄膜（１２２）の側面（１２２７）とを覆っている。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the second aspect, in the first aspect, the insulating layer (16) is one opposite to the support substrate (11) side of the piezoelectric thin film (122). It covers a part of the main surface (1226) and the side surface (1227) of the piezoelectric thin film (122).

第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、圧電薄膜（１２２）と支持基板（１１）との間で剥離が発生するのを抑制することができる。ここにおいて、第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層（１６）におけるスペーサ層（１７）側の一の主面（１６１）が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でスペーサ層（１７）と重なる範囲において、外側端（１７１）から内側端（１７２）に向かって厚さ方向（Ｄ１）における支持基板（１１）の一の主面（１１１）との距離が漸次増加する領域（１６２）を含む。これにより、第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層におけるスペーサ層側の一の主面が、厚さ方向からの平面視でスペーサ層と重なる範囲において、内側端から外側端に向かって厚さ方向における支持基板の一の主面との距離が漸次増加する場合と比べて、絶縁層（１６）の厚さを薄くでき、支持基板（１１）からカバー部材（１８）までの高さの増加を抑制しつつ耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the second aspect, it is possible to suppress the occurrence of peeling between the piezoelectric thin film (122) and the support substrate (11). Here, in the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the second aspect, one main surface (161) on the spacer layer (17) side of the insulating layer (16) is in the thickness direction (D1). In the range where it overlaps with the spacer layer (17) in the plan view from), one main surface (111) of the support substrate (11) in the thickness direction (D1) from the outer end (171) to the inner end (172). Includes a region (162) where the distance to and from gradually increases. As a result, in the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the second aspect, in the range where one main surface of the insulating layer on the spacer layer side overlaps with the spacer layer in a plan view from the thickness direction. The thickness of the insulating layer (16) can be reduced from the support substrate (11) as compared with the case where the distance from one main surface of the support substrate in the thickness direction gradually increases from the inner end to the outer end. It is possible to improve the moisture resistance while suppressing the increase in the height up to the cover member (18).

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第２の態様において、絶縁層（１６）の一の主面（１６１）は、領域（１６２）よりも圧電薄膜（１２２）側において凸面となっている。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the third aspect, in the second aspect, one main surface (161) of the insulating layer (16) is a piezoelectric thin film (162) rather than the region (162). It has a convex surface on the 122) side.

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層（１６）の一の主面（１６１）が領域（１６２）よりも圧電薄膜（１２２）側において凸面となっていない場合と比べて、外部からの水分がＩＤＴ電極（１３）に到達しにくくなる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the third aspect, one main surface (161) of the insulating layer (16) becomes a convex surface on the piezoelectric thin film (122) side of the region (162). It becomes difficult for moisture from the outside to reach the IDT electrode (13) as compared with the case where it is not provided.

第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、第１〜３の態様のいずれか一つにおいて、領域（１６２）は、スペーサ層（１７）の周方向に直交する面内において、外側端（１７１）側で支持基板（１１）側に凸となる曲線（１６２１）と内側端（１７２）側でカバー部材（１８）側に凸となる曲線（１６２２）との変曲点（１６２３）を含む。 In the elastic wave device (1a) according to the fourth aspect, in any one of the first to third aspects, the region (162) is the outer end in the plane orthogonal to the circumferential direction of the spacer layer (17). An inflection point (1623) between a curve (1621) that is convex toward the support substrate (11) on the (171) side and a curve (1622) that is convex toward the cover member (18) on the inner end (172) side. include.

第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、弾性波装置（１ａ）の厚さの増大を抑制しつつ、耐湿性の向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device (1a) according to the fourth aspect, it is possible to improve the moisture resistance while suppressing the increase in the thickness of the elastic wave device (1a).

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜４の態様のいずれか一つにおいて、領域（１６２）は、圧電薄膜（１２２）を全周に亘って囲んでいる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the fifth aspect, in any one of the first to fourth aspects, the region (162) covers the piezoelectric thin film (122) over the entire circumference. Surrounding.

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、領域（１６２）が圧電薄膜（１２２）を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the fifth aspect, the moisture resistance is further improved as compared with the case where the region (162) does not surround the piezoelectric thin film (122) over the entire circumference. It becomes possible to plan.

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第５の態様において、スペーサ層（１７）は、絶縁層（１６）の全周に亘って絶縁層（１６）と接している。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the sixth aspect, in the fifth aspect, the spacer layer (17) is formed with the insulating layer (16) over the entire circumference of the insulating layer (16). I'm in contact.

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、カバー部材（１８）と、スペーサ層（１７）と、絶縁層（１６）と、支持基板（１１）上の圧電薄膜（１２２）とＩＤＴ電極（１３）とを含む積層体と、で囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the sixth aspect, the cover member (18), the spacer layer (17), the insulating layer (16), and the piezoelectric thin film on the support substrate (11) The airtightness of the space (S1) surrounded by the laminated body including the (122) and the IDT electrode (13) can be improved, and the reliability can be improved.

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第６の態様において、配線層（１５）は、第１接続部（１５１）と、第２接続部（１５２）と、を含む。第１接続部（１５１）は、ＩＤＴ電極（１３）上に位置している。第２接続部（１５２）は、絶縁層（１６）とスペーサ層（１７）との間に介在し、絶縁層（１６）の外周よりも内側に位置している。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、外部接続電極（１４）を更に備える。外部接続電極（１４）は、配線層（１５）の第２接続部（１５２）上に形成されている。外部接続電極（１４）は、配線層（１５）に電気的に接続されている。外部接続電極（１４）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）においてスペーサ層（１７）とカバー部材（１８）とを貫通している貫通電極部（１４１）を含む。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the seventh aspect, in the sixth aspect, the wiring layer (15) includes the first connection portion (151) and the second connection portion (152). ,including. The first connection (151) is located on the IDT electrode (13). The second connecting portion (152) is interposed between the insulating layer (16) and the spacer layer (17), and is located inside the outer circumference of the insulating layer (16). The elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) further includes an external connection electrode (14). The external connection electrode (14) is formed on the second connection portion (152) of the wiring layer (15). The external connection electrode (14) is electrically connected to the wiring layer (15). The external connection electrode (14) includes a through electrode portion (141) that penetrates the spacer layer (17) and the cover member (18) in the thickness direction (D1) of the support substrate (11).

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、カバー部材（１８）と、スペーサ層（１７）と、絶縁層（１６）と、支持基板（１１）上の圧電薄膜（１２２）とＩＤＴ電極（１３）とを含む積層体と、で囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。 In the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c) according to the seventh aspect, the cover member (18), the spacer layer (17), the insulating layer (16), and the piezoelectric thin film on the support substrate (11). The airtightness of the space (S1) surrounded by the laminated body including the (122) and the IDT electrode (13) can be improved, and the reliability can be improved.

第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、低音速膜（１２１）を更に備える。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜（１２２）は、低音速膜（１２１）上に設けられている。支持基板（１１）は、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。 The elastic wave device (1; 1a) according to the eighth aspect further includes a bass velocity film (121) in any one of the first to seventh aspects. The bass sound film (121) is provided on one main surface (111) of the support substrate (11) between the support substrate (11) and the piezoelectric thin film (122), and propagates through the piezoelectric thin film (122). The sound velocity of the propagating bulk wave is slower than the sound velocity of the elastic wave. The piezoelectric thin film (122) is provided on the bass velocity film (121). The support substrate (11) constitutes a hypersonic support substrate in which the sound velocity of the bulk wave propagating is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film (122).

第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、低音速膜（１２１）が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。 In the elastic wave device (1; 1a) according to the eighth aspect, the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the bass velocity film (121) is not provided.

第９の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、高音速膜（１２３）と、低音速膜（１２１）と、を更に備える。高音速膜（１２３）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に直接的に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において高音速膜（１２３）上に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜（１２２）は、低音速膜（１２１）上に設けられている。 The elastic wave device (1b) according to the ninth aspect further includes a hypersonic film (123) and a low sound velocity film (121) in any one of the first to seventh aspects. The treble sound film (123) is provided directly between the support substrate (11) and the piezoelectric thin film (122) on one main surface (111) of the support substrate (11), and the piezoelectric thin film (122) is provided. The speed of sound of a bulk wave propagating is faster than the speed of sound of an elastic wave propagating in). The low sound velocity film (121) is provided on the high sound velocity film (123) between the support substrate (11) and the piezoelectric thin film (122), and is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film (122). The speed of sound of the propagating bulk wave is low. The piezoelectric thin film (122) is provided on the bass velocity film (121).

第９の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、弾性波が支持基板（１１）に漏れるのを抑制することが可能となる。 In the elastic wave device (1b) according to the ninth aspect, it is possible to suppress the elastic wave from leaking to the support substrate (11).

第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜９の態様のいずれか一つにおいて、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。 In the elastic wave apparatus (1; 1a; 1b; 1c) according to the tenth aspect, in any one of the first to ninth aspects, the piezoelectric thin film ( 122) is composed of lithium tantalate, lithium niobate, and zinc oxide. , Aluminum nitride, or lead zirconate titanate.

第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第８の態様において、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。低音速膜（１２１）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。 In the elastic wave apparatus (1; 1a) according to the eleventh aspect, in the eighth aspect, the piezoelectric thin film (122) is made of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate. Consists of. The bass velocity film (121) comprises at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, silicon oxide plus fluorine or carbon or boron.

第１２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１１の態様において、高音速支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。 In the elastic wave device (1; 1a) according to the twelfth aspect, in the eleventh aspect, the high sound velocity support substrate is silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium nio. including bait, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, false Terai bets, at least one material selected from the group consisting of Ma Guneshi a and diamond.

第１３の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第９の態様において、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。低音速膜（１２１）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。 In the ninth aspect of the elastic wave device (1b) according to the thirteenth aspect, the piezoelectric thin film (122) is made of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate. .. The bass velocity film (121) comprises at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, silicon oxide plus fluorine or carbon or boron.

第１４の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１３の態様において、高音速膜（１２３）は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。 In the eleventh aspect, the elastic wave apparatus (1b) according to the fourteenth aspect has a diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, and lithium tanta. rate, including lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, false Terai bets, at least one material selected from the group consisting of Ma Guneshi a and diamond.

１ａ、１ｂ、１ｃ弾性波装置
１１支持基板
１１１一の主面（第１主面）
１１２第２主面
１２、１２ｂ、１２ｃ機能膜
１２１低音速膜
１２２圧電薄膜
１２２６一の主面
１２２７側面
１２３高音速膜
１２６一の主面
１２７側面
１３ＩＤＴ電極
１４外部接続電極
１４１貫通電極部
１４２バンプ
１５配線層
１５１第１接続部
１５２第２接続部
１６絶縁層
１６１一の主面
１６２領域
１６２１曲線
１６２２曲線
１６２３変曲点
１７スペーサ層
１７１外側端
１７２内側端
１８カバー部材
Ｄ１厚さ方向
Ｓ１空間 1a, 1b, 1c Elastic wave device 11 Support substrate 111 One main surface (first main surface)
112 Second main surface 12, 12b, 12c Functional film 121 Bass velocity film 122 piezoelectric thin film 1226 One main surface 1227 Side surface 123 High tone velocity film 126 One main surface 127 Side surface 13 IDT electrode 14 External connection electrode 141 Penetration electrode part 142 Bump 15 Wiring layer 151 First connection part 152 Second connection part 16 Insulation layer 161 One main surface 162 Area 1621 Curve 1622 Curve 1623 Inflection point 17 Spacer layer 171 Outer end 172 Inner end 18 Cover member D1 Thickness direction S1 Space

Claims

Support board and
A piezoelectric thin film directly or indirectly provided on one main surface of the support substrate,
The IDT electrode formed on the piezoelectric thin film and
A wiring layer electrically connected to the IDT electrode and
An insulating layer formed on the one main surface of the support substrate and surrounding the piezoelectric thin film, and
A spacer layer, at least a part of which is formed on the insulating layer and surrounds the piezoelectric thin film in a plan view from the thickness direction of the support substrate.
A cover member arranged on the spacer layer and separated from the IDT electrode in the thickness direction is provided.
The spacer layer has an outer end and an inner end closer to the piezoelectric thin film than the outer end in a plan view from the thickness direction.
The spacer layer does not overlap the piezoelectric thin film and is separated from the outer edge of the piezoelectric thin film in a plan view from the thickness direction.
One main surface of the insulating layer on the spacer layer side is the support substrate in the thickness direction from the outer end to the inner end in a range where it overlaps with the spacer layer in a plan view from the thickness direction. Including the region where the distance from the one main surface of the above gradually increases,
Elastic wave device.

The insulating layer covers a part of one main surface of the piezoelectric thin film opposite to the support substrate side and the side surface of the piezoelectric thin film.
The elastic wave device according to claim 1.

The one main surface of the insulating layer is a convex surface on the piezoelectric thin film side with respect to the region.
The elastic wave device according to claim 2.

The area, in a plane orthogonal to the circumferential direction of the spacer layer, a first curve that is convex on the support substrate side in the outer end side, a second that is convex on the cover member side by the inner end Includes a curve and an inflection point between the first curve and the second curve.
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 3.

The region surrounds the piezoelectric thin film over the entire circumference.
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 4.

The spacer layer is in contact with the one main surface of the insulating layer and a part of the wiring layer, and the wiring layer is more than the outer end of the spacer layer in a plan view from the thickness direction. Located inside,
The spacer layer is in contact with the one main surface of the insulating layer over the entire circumference of the insulating layer.
The elastic wave device according to claim 5.

The wiring layer is
The first connection located on the IDT electrode and
A second connecting portion interposed between the insulating layer and the spacer layer and located inside the outer circumference of the insulating layer is included.
An external connection electrode formed on the second connection portion of the wiring layer and electrically connected to the wiring layer is further provided.
The external connection electrode includes a through electrode portion that penetrates the spacer layer and the cover member in the thickness direction of the support substrate.
The elastic wave device according to claim 6.

It is provided between the support substrate and the piezoelectric thin film on the one main surface of the support substrate, and the sound velocity of the bulk wave propagating is lower than the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film. Further equipped with a sonic membrane,
The piezoelectric thin film is provided on the bass sound film, and the piezoelectric thin film is provided on the bass sound film.
The support substrate constitutes a hypersonic support substrate in which the sound velocity of the bulk wave propagating from the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film is higher.
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 7.

It is provided directly on the one main surface of the support substrate between the support substrate and the piezoelectric thin film, and the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film. The treble piezo film and
A low sound velocity film provided on the high sound velocity film between the support substrate and the piezoelectric thin film, in which the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film. Further prepare
The piezoelectric thin film is provided on the bass sound film.
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 7.

The piezoelectric thin film is made of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 9.

The piezoelectric thin film is composed of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
The bass membrane comprises at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, silicon oxide plus fluorine or carbon or boron.
The elastic wave device according to claim 8.

The treble-speed support substrate, silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, false Terai bets, Ma comprising at least one material selected from the group consisting of Guneshi a and diamond,
The elastic wave device according to claim 11.

The piezoelectric thin film is composed of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
The bass membrane comprises at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, silicon oxide plus fluorine or carbon or boron.
The elastic wave device according to claim 9.

The treble membrane is diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite, forsterai. DOO, comprising at least one material selected from the group consisting of Ma Guneshi a and diamond,
The elastic wave device according to claim 13.