KR20160111944A - Conductive paste for laser etching, conductive thin film and conductive laminate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 종래의 스크린 인쇄법으로는 대응 곤란하다고 생각되고 있는 L/S가 50/50 ㎛ 이하인 고밀도 전극 회로 배선을, 저비용이며 또한 낮은 환경 부하로 제조할 수 있는 레이저 에칭 가공에 적합하고, 또한 Ag 나노와이어 기재에도 사용 가능한 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트를 제공하는 것이다.
상기 과제는 열가소성 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 유기 성분(A), 은 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유기 성분(A) 중에 바인더 수지(a)로서, 페녹시 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 의해 해결된다.
It is an object of the present invention to provide a high-density electrode circuit wiring having an L / S of 50/50 占 퐉 or less, which is deemed difficult to cope with by a conventional screen printing method, and is suitable for laser etching processing which can be manufactured at a low cost and a low environmental load And a conductive paste for laser etching that can be used for an Ag nanowire substrate.
The above object is achieved by a conductive paste for laser etching comprising an organic component (A), a silver powder (B) and an organic solvent (C) each comprising a thermoplastic and / or thermosetting resin, The conductive paste for laser etching is characterized in that it contains a phenoxy resin as a).

Description

레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 도전성 박막, 도전성 적층체{CONDUCTIVE PASTE FOR LASER ETCHING, CONDUCTIVE THIN FILM AND CONDUCTIVE LAMINATE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive paste for laser etching, an electroconductive thin film, and an electroconductive laminate,

본 발명은 평면 방향의 배치 밀도가 높은 도전성 패턴을 제조할 수 있는 도전성 패턴의 제조 방법 및 이 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트에 관한 것이다. 본 발명의 도전성 패턴은, 전형적으로는 투명 터치 패널의 전극 회로 배선에 이용할 수 있다.The present invention relates to a method of producing a conductive pattern capable of producing a conductive pattern having a high arrangement density in the planar direction and a conductive paste suitably applicable to the method. The conductive pattern of the present invention can be typically used for an electrode circuit wiring of a transparent touch panel.

최근, 휴대 전화나, 노트북 컴퓨터, 전자 서적 등으로 대표되는 투명 터치 패널을 탑재하는 전자 기기의 고성능화와 소형화가 급격히 진행되고 있다. 이들 전자 기기의 고성능화와 소형화에는, 탑재되는 전자 부품의 소형화, 고성능화, 집적도의 향상에 더하여, 이들 전자 부품 상호를 접합하는 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 투명 터치 패널의 방식으로서 전극 회로 배선의 수가 적은 저항막 방식에 더하여, 전극 회로 배선의 수가 비약적으로 많은 정전 용량 방식의 보급이 최근 급속히 진행되고 있으며, 이러한 관점에서 전극 회로 배선의 고밀도화가 강하게 요구되고 있다. 또한, 디스플레이 화면을 보다 크게 하기 위해서, 또한 상품 디자인상의 요구에 의해, 전극 회로 배선이 배치되는 프레임부를 보다 좁게 하고 싶다는 요구가 있으며, 이러한 관점에서도 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 이상과 같은 요구를 만족시키기 위해서, 종래 이상의 전극 회로 배선의 고밀도 배치를 행할 수 있는 기술이 요구되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices equipped with a transparent touch panel represented by a cellular phone, a notebook computer, an electronic book, and the like have been rapidly advanced and miniaturized. In order to achieve high performance and miniaturization of these electronic devices, in addition to miniaturization, high performance, and integration of the electronic components to be mounted, it is required to increase the density of the electrode circuit wiring connecting these electronic components. In addition to a resistive film method in which the number of electrode circuit wiring lines is reduced as a method of a transparent touch panel, the spread of a capacitance method in which the number of electrode circuit wiring lines is dramatically increased has recently been rapidly progressing. From this point of view, have. In addition, there is a demand to make the frame portion where the electrode circuit wiring is arranged to be narrower in order to make the display screen larger, and also in the product design, and from this point of view also, high density of the electrode circuit wiring is required. In order to satisfy the above requirement, there is a demand for a technique capable of high-density arrangement of the electrode circuit wiring of the prior art.

저항막 방식의 투명 터치 패널의 프레임 부분의 전극 회로 배선의 배치 밀도는, 평면 방향의 라인과 스페이스의 폭이 각각 200 ㎛(이하, L/S=200/200 ㎛라는 식으로 약기함) 이상 정도이며, 이것을 도전성 페이스트의 스크린 인쇄에 의해 형성하는 것이 종래부터 행해지고 있다. 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, L/S의 요구는 100/100 ㎛ 정도 이하로 되어 있고, 나아가서는 L/S가 50/50 ㎛ 이하를 요구받는 경우도 있어, 스크린 인쇄에 의한 전극 회로 배선 형성 기술로는 대응 곤란한 상황이 되고 있다. The arrangement density of the electrode circuit wiring of the frame portion of the resistive film type transparent touch panel is preferably not less than about 200 占 퐉 (hereinafter referred to as "L / S = 200/200 占 퐉" And it has been conventionally done to form the conductive paste by screen printing. In the capacitive touch panel, the L / S requirement is about 100/100 μm or less, and furthermore, the L / S is required to be 50/50 μm or less. Technology has become a difficult situation to cope with.

스크린 인쇄를 대신할 전극 회로 배선 형성 기술의 후보의 일례로서, 포토리소그래피법을 들 수 있다. 포토리소그래피법을 이용하면, L/S가 50/50 ㎛ 이하인 세선(細線)을 형성하는 것도 충분히 가능하다. 그러나 포토리소그래피법에도 과제가 있다. 포토리소그래피법의 가장 전형적인 사례는 감광성 레지스트를 이용하는 수법이며, 일반적으로는, 동박층을 형성한 표면 기판의 동박 부위에 감광성 레지스트를 도포하고, 포토마스크 혹은 레이저광의 직접 묘화 등의 방법에 의해 원하는 패턴을 노광하며, 감광성 레지스트의 현상을 행하고, 그 후, 원하는 패턴 이외의 동박 부위를 약품으로 용해·제거함으로써, 동박의 세선 패턴을 형성시킨다. 이 때문에, 폐액 처리에 의한 환경 부하가 크고, 나아가서는 공정이 번잡하여, 생산 효율의 관점, 비용적 관점을 포함하여 많은 과제를 안고 있다. As an example of a candidate electrode circuit wiring forming technique for screen printing, a photolithography method can be used. By using the photolithography method, it is also possible to form fine lines having an L / S of 50/50 μm or less. However, the photolithography method has a problem. The most typical example of the photolithography method is a method using a photosensitive resist. In general, a photosensitive resist is applied to a copper foil portion of a surface substrate on which a copper foil layer is formed, and a desired pattern is formed by a photomask, And development of the photosensitive resist is performed. Thereafter, the copper foil portions other than the desired pattern are dissolved and removed with a chemical to form a thin line pattern of the copper foil. For this reason, the environmental burden due to the waste liquid treatment is large, and the process is troublesome, and there are many problems including the viewpoint of production efficiency and cost.

포토리소그래피법에는, 감광성 레지스트를 이용하지 않는 방식도 있으며, 예컨대 특허문헌 1, 2에는, 도전성 페이스트를 이용하여 건조 도막(塗膜)을 형성하고, 이것에 레이저광으로 직접 묘화를 행하며, 레이저광이 조사된 부분을 기재에 정착시키고, 미조사 부분을 현상 제거하여, 원하는 패턴을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이러한 방법이면, 일반적인 포토리소그래피법에 비하면, 감광성 레지스트를 이용하고 있지 않은 분만큼, 공정이 간략화되지만, 종래부터 알려져 있는 감광성 레지스트를 이용하는 포토리소그래피법과 마찬가지로 웨트 프로세스의 현상 공정이 필요하기 때문에 현상 폐액 처리의 문제가 있고, 또한 도전성 페이스트의 성분으로서 유리 프릿이나 나노사이즈의 은 분말을 이용하고 있기 때문에 소성 공정에서 400℃ 이상의 고온이 필요하여 많은 에너지가 필요해진다는 문제점이나, 이용할 수 있는 기재가 400℃ 이상의 고온에서의 소성 공정에 견디는 것에 한정된다는 문제점이 있다. 나아가서는 공정이 번잡하여, 생산 효율적으로도 부적당하다고 말하지 않을 수 없다.In the photolithography method, there is also a method in which a photosensitive resist is not used. For example, in Patent Documents 1 and 2, a dry film (coating film) is formed by using a conductive paste, And then irradiating the irradiated portion to the substrate to develop and remove the unirradiated portion to form a desired pattern. With this method, the process is simplified as much as the conventional photolithography method in which the photosensitive resist is not used. However, since the development process of the wet process is required in the same manner as the photolithography method using the conventionally known photosensitive resist, And since a glass frit or a nano-sized silver powder is used as a component of the conductive paste, a high temperature of 400 DEG C or more is required in the firing step and a large amount of energy is required. However, Which is a problem in that it is limited to endure the sintering process at a high temperature. Further, it is difficult to say that the process is troublesome and is also inappropriate in terms of production efficiency.

상기와 같은 상황에 의해, 스크린 인쇄를 대신할 전극 회로 배선 형성 기술의 후보의 일례로서, 특허문헌 3에 기술이 개시되어 있는 레이저 에칭 공법이 최근 주목받고 있다. 레이저 에칭 공법을 이용하면, L/S가 50/50 ㎛ 이하인 세선을 형성하는 것도 충분히 가능하다. 레이저 에칭 공법이란, 바인더 수지와 도전 분체를 포함하는 층(이후 도전성 박막이라고 부름)을 절연성 기재 상에 형성하고, 그 일부를 레이저광 조사에 의해 절연성 기재 상에서 제거하는 공법을 말한다. 그러나 레이저광 조사로의 도전성 박막의 제거는 다량의 열이 발생하기 때문에, 도전성 박막 및 기재에 열 열화를 주어 버려, 결과로서 도전성 박막에 필요 불가결한 기재 밀착성이나 전기 특성을 손상시킬 우려가 있다. As a candidate for the electrode circuit wiring forming technique to replace screen printing, the laser etching method disclosed in the patent document 3 has recently attracted attention due to the above situation. By using the laser etching method, it is also possible to form a fine line having an L / S of 50/50 μm or less. The laser etching method refers to a method in which a layer containing a binder resin and a conductive powder (hereinafter referred to as a conductive thin film) is formed on an insulating substrate and a part of the layer is removed on an insulating substrate by laser light irradiation. However, since removal of the conductive thin film by the laser light irradiation generates a large amount of heat, the conductive thin film and the substrate are thermally deteriorated, and as a result, there is a fear that the adhesion of the substrate and the electrical characteristics which are indispensable to the conductive thin film are impaired.

최근 이 레이저 에칭 공법을 Ag 나노와이어 기재에 적용하는 요망이 다수 있다. Ag 나노와이어 기재는 종래의 ITO 기재에 비해, 저저항화가 가능하고, 터치 패널의 대형화를 실현할 수 있다. 또한 굴곡성도 우수하고, 대량 생산에 있어서 메리트가 있는 롤투롤법에 적합한 이점도 있다. 그러나 ITO층에 대해 Ag 나노와이어층은 도전성 박막과의 접촉 저항이 높아지기 쉬워, ITO 필름에 적용할 수 있는 도전성 페이스트를 반드시 적용할 수 있다고는 할 수 없다. Recently, there have been many requests to apply this laser etching method to Ag nanowire substrate. The Ag nanowire base material can be reduced in resistance as compared with the conventional ITO base material, and the size of the touch panel can be increased. It also has an advantage of being suitable for the roll to roll method which is excellent in flexibility and has merit in mass production. However, the contact resistance of the Ag nanowire layer with the conductive thin film tends to be higher with respect to the ITO layer, so that the conductive paste applicable to the ITO film can not always be applied.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-237573호 공보Patent Document 1: JP-A-2010-237573 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2011-181338호 공보Patent Document 2: JP-A-2011-181338 특허문헌 3: 일본 특허 출원 제2012-161485호Patent Document 3: Japanese Patent Application No. 2012-161485

본 발명의 목적은, 레이저 에칭 공법을 Ag 나노와이어 기재에 적용한 경우에 있어서도, 고밀도 전극 회로 배선을 문제없이 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 또한, 이러한 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트를 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of producing a high-density electrode circuit wiring without any problem even when the laser etching method is applied to an Ag nanowire substrate. Another object of the present invention is to provide a conductive paste which can be suitably used in such a production method.

본 발명자들은 평면 방향으로 고밀도로 전극 회로 배선을 배치하는 제조 방법에 대해 예의 검토한 결과, 레이저 에칭 적성과 Ag 나노와이어 기재 적성을 겸비한, 도전성 박막을 형성하기에 적합한 도전성 페이스트를 발견하였다. 즉, 본원 발명은 이하의 구성으로 이루어지는 것이다.The present inventors have intensively studied a manufacturing method of disposing the electrode circuit wiring at a high density in the plane direction. As a result, they have found a conductive paste suitable for forming a conductive thin film having laser etching suitability and Ag nanowire substrate suitability. That is, the present invention has the following constitution.

1. 열가소성 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 유기 성분(A), 은 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유기 성분(A) 중에 바인더 수지(a)로서, 페녹시 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 1. A conductive paste for laser etching comprising an organic component (A), a silver powder (B) and an organic solvent (C) comprising a thermoplastic and / or thermosetting resin, wherein the binder resin (a) A conductive paste for laser etching processing, which comprises a phenoxy resin.

2. 상기 바인더 수지(a)가, 페녹시 수지를 60 중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 1.에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.2. The conductive paste for laser etching according to item 1, wherein the binder resin (a) contains 60% by weight or more of a phenoxy resin.

3. 상기 바인더 수지(a)의 수 평균 분자량이 3,000~100,000인 1. 또는 2.에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 3. The conductive paste for laser etching according to 1 or 2, wherein the binder resin (a) has a number average molecular weight of 3,000 to 100,000.

4. 도전성 페이스트를 여과한 것을 특징으로 하는 1.~3. 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.4. The conductive paste is filtered. Wherein the conductive paste is a conductive paste for laser etching.

5. 상기 1.~4. 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로 형성된 도전성 박막. 5. The above items 1-4. Wherein the conductive thin film is formed of an electroconductive paste for laser etching.

6. 상기 5.에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체. 6. The conductive laminate according to item 5, wherein the conductive thin film and the substrate are laminated.

7. 상기 기재가 투명 도전층을 갖는 것을 특징으로 하는 6.에 기재된 도전성 적층체. 7. The conductive laminate according to 6, wherein the substrate has a transparent conductive layer.

8. 상기 5.에 기재된 도전성 박막, 또는 6. 또는 7.에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로. 8. An electric circuit using the conductive thin film as described in 5 above, or the conductive laminate as described in 6 or 7.

9. 상기 5.에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저에서 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로. 9. An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film described in 5 above with a laser beam selected from a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, a fiber laser and a semiconductor laser to remove a part of the conductive thin film.

10. 상기 도전성 박막이 투명 도전성 층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 9.에 기재된 전기 회로. 10. The electric circuit according to 9, wherein the conductive thin film is formed on the transparent conductive layer.

11. 상기 8.~10. 중 어느 하나에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널. 11. The method of any one of items 8 to 10, Wherein the touch panel includes an electric circuit according to any one of claims 1 to 6.

본 발명의 도전성 페이스트는, 열가소성 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 유기 성분(A), 은 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유기 성분(A) 중에 바인더 수지(a)를 포함하고, 그 (a) 중에 페녹시 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이며, 이러한 구성을 취함으로써, 레이저 에칭 가공 적성 및 Ag 나노와이어 기재 적성이 우수한 도전성 박막을 형성할 수 있다. 여기서 레이저 에칭 가공 적성이 우수하다는 것은, 레이저 에칭 가공에 의해 도전성 박막의 적어도 일부를 기재로부터 제거시켜, L/S=30/30 ㎛의 세선을 형성시켰을 때에, 1) 세선 양단 사이의 도통이 확보되고, 2) 인접 세선 사이의 절연이 확보되며, 3) 세선 형상이 양호하고, 4) 레이저 에칭 가공 후에 있어서도 Ag 나노와이어 기재 및 ITO 기재에 대한 초기 및 습열 환경 부하 후의 밀착성이 양호한 것의 4 조건을 만족시키는 것을 가리킨다. 또한 Ag 나노와이어 기재 적성이 우수하다는 것은, Ag 나노와이어 기재에 대한 접촉 저항이 양호하고, 또한 습열 환경 부하 후의 접촉 저항값의 변화가 작은 것을 가리킨다. 본 발명의 실시양태인 도전성 페이스트를 여과함으로써, 응집된 은 분말에 셰어(shear)를 가하여 풀고 조대 입자를 제거할 수 있기 때문에 에칭 불량 개선의 효과를 발휘한다.The conductive paste of the present invention is a conductive paste containing an organic component (A), a silver powder (B) and an organic solvent (C) each comprising a thermoplastic and / or thermosetting resin, (a), and a phenoxy resin is contained in (a). By adopting such a constitution, it is possible to form a conductive thin film excellent in laser etching process suitability and Ag nanowire substrate suitability have. Here, the laser etching processing suitability is excellent when at least a part of the conductive thin film is removed from the substrate by laser etching to form thin lines of L / S = 30/30 탆, 1) ensuring conduction between both ends of the fine lines 4) Good adhesion to the Ag nanowire substrate and the ITO substrate after the initial and wet heat load, even after the laser etching, and 4) Good adhesion between the adjacent wires. Indicates satisfaction. Further, when the Ag nanowire substrate suitability is excellent, the contact resistance to the Ag nanowire base material is good and the change in the contact resistance value after the wet heat environment load is small. By filtering the conductive paste which is an embodiment of the present invention, it is possible to remove coarse grains by applying shear to the agglomerated silver powder, thereby exhibiting the effect of improving the etching defectiveness.

도 1은 본 발명의 실시예, 비교예에서 이용한 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 레이저광을 조사하는 패턴을 나타낸 모식도이다. 백색 부위에 레이저광이 조사되어, 기재 상에 형성된 도전성 박막이 제거된다. 망점(網點) 부위에는 레이저광이 조사되지 않는다. 도면 중의 치수 표시의 단위는 ㎜이다.
도 2는 본 발명의 실시예, 비교예에서 이용한 접촉 저항 평가용 시험편의 모식도이다. 백색부가 Ag 나노와이어 기재 또는 ITO 기재이고, 망점 부분이 Ag 페이스트이다. 도면 중의 치수 표시의 단위는 ㎜이다.
Fig. 1 is a schematic diagram showing a pattern for irradiating a laser beam to a test piece for evaluating the suitability for laser etching machining used in Examples and Comparative Examples of the present invention. Fig. The white portion is irradiated with laser light to remove the conductive thin film formed on the substrate. No laser light is irradiated to the halftone dot portion. The unit of dimension display in the drawing is mm.
2 is a schematic view of a test piece for evaluation of contact resistance used in Examples and Comparative Examples of the present invention. The white part is an Ag nanowire base or an ITO base, and the halftone part is an Ag paste. The unit of dimension display in the drawing is mm.

<<본 발명의 도전성 페이스트를 구성하는 성분>>&Lt; Components constituting the conductive paste of the present invention &gt;

본 발명에서의 도전성 페이스트는, 열가소성 및/또는 열경화성 성분을 포함하는 유기 성분(A), 은 분말(B) 및 유기 용제(C)를 필수 성분으로 하고, 상기 유기 성분(A) 중에 바인더 수지(a)를 포함하며, 그 (a) 중에 페녹시 수지를 필수 성분으로서 함유한다. The conductive paste according to the present invention contains an organic component (A), a silver powder (B) and an organic solvent (C) each containing a thermoplastic and / or thermosetting component as essential components and a binder resin (a), and (a) contains a phenoxy resin as an essential component.

본 발명에서의 유기 성분(A)이란, 도전성 페이스트 중의 무기 성분과 유기 용제(C)를 제외한, 모든 부분을 가리킨다.The organic component (A) in the present invention refers to all parts except the inorganic component in the conductive paste and the organic solvent (C).

<바인더 수지(a)>&Lt; Binder resin (a) >

바인더 수지(a)의 종류는 열가소성 수지이면 특별히 한정되지 않으나, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 페놀 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지, 폴리스티렌, 실리콘 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로, 혹은 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 염화비닐 수지, 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 이들 수지 중에서도, 페녹시 수지가, 바인더 수지(a)로서 바람직하고, 성분으로서 필수적이다. 페녹시 수지가 바람직한 이유로서는, 레이저 에칭 적성이 우수함과 동시에 내열성이 우수하고, 레이저 에칭 후의 회로 신뢰성이 높은 점을 들 수 있다.The kind of the binder resin (a) is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin, and examples thereof include a polyester resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a polyamide resin, a polyamideimide resin, a polycarbonate resin, a polyurethane resin, A styrene-butadiene copolymer, a polystyrene, a styrene-acrylic resin, a styrene-butadiene copolymer, a phenol resin, a polyethylene resin, a polycarbonate resin, a phenol resin, an alkyd resin, , A vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin, polystyrene, a silicone resin, and a fluorine resin. These resins can be used singly or as a mixture of two or more kinds. It is preferably one or a mixture of two or more selected from the group consisting of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a vinyl chloride resin, and a fibrin derivative resin. Among these resins, a phenoxy resin is preferable as the binder resin (a) and essential as a component. The reason why the phenoxy resin is preferable is that it has excellent laser etching aptitude, excellent heat resistance, and high circuit reliability after laser etching.

본 발명에서의 바인더 수지(a)로서 페녹시 수지를 필수 성분으로 하는 것의 이점의 하나로서, 다른 바인더 수지와 비교하여, 페녹시 수지를 사용한 도전성 페이스트는 Ag 나노와이어 기재에 적용했을 때의 접촉 저항이 양호한 점을 들 수 있다. 이것은 페녹시 수지가 풍부하게 갖는 OH기가 Ag 나노와이어층과 상호 작용하는 것에 기인한다고 생각된다. As one of the advantages of using the phenoxy resin as an essential component as the binder resin (a) in the present invention, as compared with other binder resins, the conductive paste using the phenoxy resin has a contact resistance This is a good point. It is considered that this is due to the fact that OH groups rich in phenoxy resin interact with the Ag nanowire layer.

본 발명에서 페녹시 수지란, 비스페놀류와 에피클로로히드린으로부터 합성되는 폴리히드록시폴리에테르이며, 분자량이 3,000~100,000인 것을 말한다. 본 발명에서의 바인더 수지(a)로서 이용되는 페녹시 수지란, 예컨대, 비스페놀 A형, 비스페놀 A/F 공중합형, 비스페놀 S형, 비스페놀 A/S 공중합형을 들 수 있다. 이 중 기재 밀착성의 관점에서, 비스페놀 A형이 바람직하다. In the present invention, the phenoxy resin is a polyhydroxy polyether synthesized from bisphenols and epichlorohydrin and has a molecular weight of 3,000 to 100,000. Examples of the phenoxy resin used as the binder resin (a) in the present invention include bisphenol A type, bisphenol A / F copolymerization type, bisphenol S type, and bisphenol A / S copolymerization type. Among them, bisphenol A type is preferable from the viewpoint of substrate adhesion.

본 발명에서의 바인더 수지(a)의 수 평균 분자량은 특별히 한정은 되지 않으나, 수 평균 분자량이 3,000~100,000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8000~50000이다. 수 평균 분자량이 지나치게 낮으면, 형성된 도전성 박막의 내구성, 내습열성의 면에서 바람직하지 않다. 한편, 수 평균 분자량이 지나치게 높으면, 수지의 응집력이 증가하여, 도전성 박막으로서의 내구성 등은 향상되지만, 레이저 에칭 가공 적성이 현저히 악화된다.The number average molecular weight of the binder resin (a) in the present invention is not particularly limited, but the number average molecular weight is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 8,000 to 50,000. If the number average molecular weight is too low, it is not preferable from the viewpoints of the durability and moisture resistance of the formed conductive thin film. On the other hand, if the number-average molecular weight is too high, the cohesive force of the resin increases and the durability as the conductive thin film improves, but the suitability for laser etching is remarkably deteriorated.

본 발명에서의 바인더 수지(a)의 유리 전이 온도는 60℃ 이상인 것이 바람직하고, 65℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도가 낮으면 레이저 에칭 가공 적성이 향상되는 경우가 있으나, 도전성 박막으로서의 습열 후 신뢰성이 저하될 우려가 있고, 또한 표면 경도의 저하를 유발하여 택성(tackiness)에 의해 사용 시에 접촉 상대측으로의 페이스트 함유 성분의 이행이 발생하여 도전성 박막 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 한편 바인더 수지(a)의 유리 전이 온도는 인쇄성, 밀착성, 용해성, 페이스트 점도 및 레이저 에칭 가공 적성을 고려하면, 150℃ 이하가 바람직하고, 120℃ 이하가 보다 바람직하며, 100℃ 이하가 더욱 바람직하다.The glass transition temperature of the binder resin (a) in the present invention is preferably 60 占 폚 or higher, and more preferably 65 占 폚 or higher. If the glass transition temperature is low, the suitability for laser etching may be improved. However, there is a fear that the reliability after wet heat as a conductive thin film is lowered, and also the surface hardness is lowered and tackiness is caused, There is a fear that the reliability of the conductive thin film is deteriorated. The glass transition temperature of the binder resin (a) is preferably 150 占 폚 or lower, more preferably 120 占 폚 or lower, more preferably 100 占 폚 or lower, in view of printability, adhesiveness, solubility, paste viscosity and laser etching processability Do.

본 발명에서의 유기 성분(A)의 산가는 특별히 한정되지 않으나, 20 당량/106 g 이상 500 당량/106 g 이하인 것이 바람직하고, 50 당량/106 g 이상 400 당량/106 g 이하인 것이 보다 바람직하다. 유기 성분(A) 중의 산가는 기재 밀착성을 향상시키지만, 지나치게 높으면 유기 성분의 가수분해를 촉진하여 도전성이나 기재 밀착성을 손상시킬 우려가 있다. That the acid value of the organic component (A) in the present invention is not particularly limited, and 20 equivalents / 10 6 g or more to 500 eq / 10 6 g or less or less is preferable, and 50 equivalents / 10 6 g 400 eq / 10 6 g or more More preferable. The acid value in the organic component (A) improves the adhesion of the base material, but if too high, the hydrolysis of the organic component is promoted, which may deteriorate the conductivity and the substrate adhesion.

<은 분말><Silver powder>

본 발명에 이용되는 은 분말은 은 단독으로 이루어지며, 은으로 도금 또는 합금화한 구리 분말인 은 코트 구리 분말 등의 은 코트 합금 미립자는 포함하지 않는다. The silver powder used in the present invention is silver alone and does not include silver-coated alloy fine particles such as silver-coated copper alloy powder, which is a copper powder that is plated or alloyed with silver.

본 발명에 이용되는 은 분말(B)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 알려져 있는 형상의 예로서는, 플레이크형(인편(鱗片)형), 구형, 나뭇가지형(덴드라이트형), 일본 특허 공개 평성 제9-306240호 공보에 기재되어 있는 구형의 1차 입자가 3차원형으로 응집한 형상(응집형) 등이 있고, 레이저 에칭성의 관점에서 이들 중에서, 구형, 응집형 및 플레이크형의 것을 이용하는 것이 바람직하다.The shape of the silver powder (B) used in the present invention is not particularly limited. Examples of conventionally known shapes include flake type (spherical type), spherical type, twig type (dendrite type), and spherical primary particles described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-306240 (Cohesive type), and the like. Among these, spherical, coagulated, and flake types are preferably used from the viewpoint of laser etching property.

본 발명에 이용되는 은 분말(B)의 중심 직경(D50)은 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 중심 직경이 4 ㎛ 이하인 은 분말(B)을 이용함으로써, 레이저 에칭 가공 부위의 세선 형상이 양호해지는 경향이 있다. 중심 직경이 4 ㎛보다 큰 은 분말을 이용한 경우에는, 레이저 에칭 가공 후의 세선 형상이 나빠지고, 결과로서 세선끼리가 접촉을 일으켜, 단락을 초래할 가능성이 있다. 나아가서는, 레이저 에칭 가공으로, 일단 박리·제거한 도전성 박막이 재차 가공 부위에 부착될 가능성이 있다. 은 분말(B)의 중심 직경의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 비용적 관점 및 입자 직경이 미세해지면 응집되기 쉽고, 결과로서 분산이 곤란해지기 때문에 중심 직경은 80 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 중심 직경이 80 ㎚보다 작아지면, 응집력이 증가하여, 레이저 에칭 가공 적성이 악화되는 것 외에, 비용적 관점에서도 바람직하지 않다. The center diameter (D50) of the silver powder (B) used in the present invention is preferably 4 mu m or less. By using the silver powder (B) having a center diameter of 4 탆 or less, the fine line shape of the laser-etched portion tends to be good. In the case of using a silver powder having a center diameter larger than 4 탆, the fine line shape after the laser etching process is deteriorated, and as a result, the fine lines may contact each other and short circuit may occur. Further, there is a possibility that the conductive thin film, once peeled off and removed by laser etching, may be attached again to the machining area. Although the lower limit of the central diameter of the silver (B) powder is not particularly limited, it is preferable that the center diameter is 80 nm or more because the powder tends to flocculate when the particle size becomes finer and the particle size becomes finer and the dispersion becomes difficult. When the center diameter is smaller than 80 nm, the cohesive force is increased and the laser etching processability is deteriorated.

한편, 중심 직경(D50)이란, 어떠한 측정 방법에 의해 얻어진 누적 분포 곡선(체적)에 있어서, 그 누적값이 50%가 되는 입자 직경(㎛)을 말한다. 본 발명에서는, 누적 분포 곡선을 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(니키소(주) 제조, MICROTRAC HRA)를 이용하여 전반사 모드로 측정하는 것으로 한다.On the other hand, the center diameter (D50) refers to the particle diameter (占 퐉) at which the cumulative value is 50% in the cumulative distribution curve (volume) obtained by a certain measuring method. In the present invention, the cumulative distribution curve is measured in a total reflection mode using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus (MICROTRAC HRA, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

은 분말(B)의 함유량은, 형성된 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점에서, 바인더 수지(a) 100 질량부에 대해, 400 질량부 이상이 바람직하고, 560 질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, (B)성분의 함유량은, 기재와의 밀착성에 있어서 양호하다는 관점에서, 열가소성 수지(A) 100 질량부에 대해, 1,900 질량부 이하가 바람직하고, 1,230 질량부 이하가 보다 바람직하다. The content of the silver (B) powder is preferably 400 parts by mass or more, and more preferably 560 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the binder resin (a) from the viewpoint of good conductivity of the formed conductive thin film. The content of the component (B) is preferably 1,900 parts by mass or less, more preferably 1,230 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the thermoplastic resin (A) from the viewpoint of good adhesion to the substrate.

<유기 용제(C)>&Lt; Organic solvent (C) >

본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)는, 특별히 한정되지 않으나, 유기 용제의 휘발 속도를 적절한 범위로 유지하는 관점에서, 비점이 100℃ 이상, 300℃ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 비점이 150℃ 이상, 280℃ 미만이다. 본 발명의 도전성 페이스트는, 전형적으로는 열가소성 수지(A), 은 분말(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 외의 성분을 3본 롤밀 등으로 분산하여 제작하는데, 그 때에 유기 용제의 비점이 지나치게 낮으면, 분산 중에 용제가 휘발하여, 도전성 페이스트를 구성하는 성분비가 변화할 우려가 있다. 한편, 유기 용제의 비점이 지나치게 높으면, 건조 조건에 따라서는 용제가 도막 중에 다량으로 잔존할 가능성이 있어, 도막의 신뢰성 저하를 야기할 우려가 있다.The organic solvent (C) usable in the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of keeping the volatilization rate of the organic solvent within an appropriate range, the organic solvent (C) preferably has a boiling point of 100 캜 or more and less than 300 캜, Is higher than 150 deg. C and lower than 280 deg. The conductive paste of the present invention is typically produced by dispersing a thermoplastic resin (A), a silver powder (B), an organic solvent (C), and other components as necessary with a three roll mill or the like. If the boiling point is too low, the solvent may volatilize during dispersion, and the composition ratio of the conductive paste may change. On the other hand, if the boiling point of the organic solvent is too high, a large amount of the solvent may remain in the coating film depending on the drying conditions, which may cause a decrease in the reliability of the coating film.

또한, 본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)로서는, 바인더 수지(a)가 가용이고, 또한, 은 분말(B)을 양호하게 분산시킬 수 있는 것이 바람직하다. 구체예로서는, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC), 부틸글리콜아세테이트(BMGAC), 부틸디글리콜아세테이트(BDGAC), 시클로헥사논, 톨루엔, 이소포론, γ-부티로락톤, 벤질알코올, 엑손 가가쿠 제조의 솔베소(Solvesso) 100, 150, 200, 프로필렌글리콜모노 메틸에테르아세테이트, 아디프산, 숙신산 및 글루타르산의 디메틸에스테르의 혼합물(예컨대, 듀폰(주)사 제조 DBE), 테르피네올 등을 들 수 있으나, 이들 중에서, 바인더 수지(a)의 용해성이 우수하고, 연속 인쇄 시의 용제 휘발성이 적당하여 스크린 인쇄법 등에 의한 인쇄에 대한 적성이 양호하다는 관점에서, EDGAC, BMGAC, BDGAC 및 이들의 혼합 용제가 바람직하다. As the organic solvent (C) usable in the present invention, it is preferable that the binder resin (a) is soluble and the silver powder (B) can be well dispersed. Specific examples include ethyldiglycol acetate (EDGAC), butyl glycol acetate (BMGAC), butyldiglycol acetate (BDGAC), cyclohexanone, toluene, isophorone,? -Butyrolactone, benzyl alcohol, A mixture of dimethyl ester of propylene glycol monomethyl ether acetate, adipic acid, succinic acid and glutaric acid (for example, DBE, manufactured by DuPont), terpineol, etc., Of these, EDGAC, BMGAC, BDGAC, and mixed solvents thereof are preferable from the viewpoints of excellent solubility of the binder resin (a), solvent volatility during continuous printing, and good suitability for printing by a screen printing method or the like .

유기 용제(C)의 함유량으로서는, 페이스트 전체 중량 100 중량부에 대해 5 중량부 이상, 40 중량부 이하인 것이 바람직하고, 10 중량부 이상, 35 중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 높으면 페이스트 점도가 지나치게 낮아져, 세선 인쇄 시에 늘어짐을 발생시키기 쉬워지는 경향이 있다. 한편 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 낮으면, 페이스트로서의 점도가 매우 높아져, 도전성 박막을 형성시킬 때의 예컨대 스크린 인쇄성이 현저히 저하되는 것 외에, 형성된 도전성 박막의 막 두께가 두꺼워져, 레이저 에칭 가공성이 저하되는 경우가 있다.The content of the organic solvent (C) is preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, more preferably 10 parts by weight or more and 35 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total weight of the paste. If the content of the organic solvent (C) is too high, the viscosity of the paste becomes too low and it tends to cause sagging during thin line printing. On the other hand, if the content of the organic solvent (C) is too low, the viscosity as a paste becomes very high, so that the screen printing property when forming the conductive thin film is markedly lowered, The workability may be lowered.

<레이저광 흡수제(D)>&Lt; Laser light absorbing agent (D) >

본 발명의 도전성 페이스트에는, 레이저광 흡수제(D)를 배합해도 좋다. 여기서 레이저광 흡수제(D)란, 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 첨가제를 말하며, 레이저광 흡수제(D) 자신은 도전성이어도 비도전성이어도 좋다. 예컨대, 기본파의 파장이 1064 ㎚인 YAG 레이저를 광원으로서 이용하는 경우에는, 파장 1064 ㎚에 강한 흡수를 갖는 염료 및/또는 안료를, 레이저광 흡수제(D)로서 이용할 수 있다. 레이저광 흡수제(D)를 배합함으로써, 본 발명의 도전성 박막은 레이저광을 고효율로 흡수하여, 발열에 의한 바인더 수지(a)의 휘산이나 열분해가 촉진되고, 그 결과 레이저 에칭 가공 적성이 향상된다.The conductive paste of the present invention may be blended with the laser ray absorbent (D). Here, the laser light absorbent (D) refers to an additive having a strong absorption at the wavelength of the laser light, and the laser light absorbent (D) itself may be conductive or nonconductive. For example, when a YAG laser having a fundamental wave of 1064 nm is used as a light source, a dye and / or pigment having strong absorption at a wavelength of 1064 nm can be used as the laser light absorbent (D). By blending the laser ray absorbent (D), the conductive thin film of the present invention absorbs the laser light with high efficiency and promotes volatilization and thermal decomposition of the binder resin (a) due to heat generation, and as a result, suitability for laser etching is improved.

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 도전성을 갖는 것의 예로서는, 카본 블랙, 그래파이트 분말 등의 탄소계의 필러를 들 수 있다. 탄소계의 필러의 배합은, 본 발명의 도전성 박막 도전성을 높이는 효과도 있으나, 예컨대 카본 블랙은 1060 ㎚ 근방에 흡수 파장을 갖고 있기 때문에, YAG 레이저, 파이버 레이저 등의 1064 ㎚의 파장의 레이저광을 조사하면 도전성 박막이 레이저광을 고효율로 흡수하기 때문에 레이저광 조사에 대한 감도가 높아져, 레이저 조사의 주사 속도를 올린 경우 및/또는 레이저 광원이 저출력인 경우에 있어서도 양호한 레이저 에칭 가공 적성이 얻어진다는 효과를 기대할 수 있다. 상기 탄소계 필러의 함유량으로서는 은 분말(B) 100 중량부에 대해, 0.1~5 중량부인 것이 바람직하고, 0.3~2 중량부인 것이 보다 바람직하다. 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 도전성을 높이는 효과 및 레이저광 조사에 대한 감도를 올리는 효과가 작다. 한편 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하되는 경향이 있고, 또한, 카본의 공극 부위에 수지가 흡착하여, 기재와의 밀착성이 저하된다는 문제점이 발생하는 경우도 있다. Among the laser ray absorbent (D) usable in the present invention, carbon-based fillers such as carbon black and graphite powder are examples of those having conductivity. Although the carbon-based filler has an effect of improving the conductivity of the conductive thin film of the present invention, carbon black has an absorption wavelength in the vicinity of 1060 nm. Therefore, a laser beam having a wavelength of 1064 nm such as a YAG laser or a fiber laser Since the electroconductive thin film absorbs the laser light with high efficiency, the sensitivity to the laser light irradiation is increased, so that good laser etching processing suitability is obtained even when the scanning speed of laser irradiation is increased and / or when the laser light source is low output power Can be expected. The content of the carbon-based filler is preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.3 to 2 parts by weight, per 100 parts by weight of the silver powder (B). When the compounding ratio of the carbon-based filler is too low, the effect of increasing the conductivity and raising the sensitivity to laser light irradiation are small. On the other hand, when the compounding ratio of the carbon-based filler is too high, the conductivity of the conductive thin film tends to deteriorate, and the resin adsorbs to the void portion of the carbon, thereby deteriorating the adhesiveness with the substrate .

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 비도전성인 것의 예로서는, 종래 공지의 염료, 안료 및 적외선 흡수제를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 아조 염료, 금속 착염 아조 염료, 피라졸론 아조 염료, 나프토퀴논 염료, 안트라퀴논 염료, 프탈로시아닌 염료, 카르보늄 염료, 퀴논이민 염료, 메틴 염료, 시아닌 염료, 스쿠아릴륨 색소, 피릴륨염, 금속 티오레이트 착체 등의 염료, 안료로서는, 흑색 안료, 황색 안료, 오렌지색 안료, 갈색 안료, 적색 안료, 보라색 안료, 청색 안료, 녹색 안료, 형광 안료, 금속 분말 안료, 그 외, 폴리머 결합 색소를 들 수 있다. 구체적으로는, 불용성 아조 안료, 아조 레이크 안료, 축합 아조 안료, 킬레이트 아조 안료, 프탈로시아닌계 안료, 안트라퀴논계 안료, 페릴렌 및 페리논계 안료, 티오인디고계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 디옥사진계 안료, 이소인돌리논계 안료, 퀴노프탈론계 안료, 염색 레이크 안료, 아진 안료, 니트로소 안료, 니트로 안료, 천연 안료, 형광 안료, 무기 안료를 사용할 수 있다. 적외선 흡수제의 예로서는 디이모늄염 타입의 적외선 흡수제인 NIR-IM1, 아미늄염 타입의 NIR-AM1(모두 나가세 켐텍스사 제조)을 들 수 있다. 이들 비도전성의 레이저광 흡수제(D)는 0.01~5 중량부, 바람직하게는 0.1~2 중량부 포함하는 것이 바람직하다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 레이저광 조사에 대한 감도를 올리는 효과가 작다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하될 우려가 있고, 또한 레이저광 흡수제의 색조가 현저해져, 용도에 따라서는 바람직하지 않은 경우가 있다.Among the laser ray absorbent (D) usable in the present invention, examples of non-conductive ones include conventionally known dyes, pigments and infrared ray absorbents. More specifically, examples of the azo dye include azo dyes, metal complex azo dyes, pyrazolone azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, A yellow pigment, an orange pigment, a brown pigment, a red pigment, a purple pigment, a blue pigment, a green pigment, a fluorescent pigment, a metal powder pigment, and other polymer-bonded pigments . Specific examples of the pigments include azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, Quinophthalone pigments, dye lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments and inorganic pigments can be used. Examples of the infrared absorber include NIR-IM1, an infrared absorber of the diimonium salt type, and NIR-AM1 (all manufactured by Nagase Chemtech), of the aminium salt type. The non-conductive laser ray absorbent (D) is preferably contained in an amount of 0.01 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 2 parts by weight. When the blending ratio of the non-conductive laser ray absorbent (D) is excessively low, the effect of raising the sensitivity to laser light irradiation is small. When the blending ratio of the nonconductive laser ray absorbent (D) is too high, the conductivity of the conductive thin film may be lowered, and the color tone of the laser ray absorbent becomes remarkable, which is not preferable depending on the use.

본 발명의 도전성 페이스트에는, 하기의 무기물을 첨가할 수 있다. 무기물로서는, 탄화규소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화지르코늄, 탄화하프늄, 탄화바나듐, 탄화탄탈, 탄화니오븀, 탄화텅스텐, 탄화크롬, 탄화몰리브덴, 탄화칼슘, 다이아몬드카본락탐 등의 각종 탄화물; 질화붕소, 질화티탄, 질화지르코늄 등의 각종 질화물, 붕화지르코늄 등의 각종 붕화물; 산화티탄(티타니아), 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화아연, 산화구리, 산화알루미늄, 실리카, 흄드 실리카(예컨대 닛폰 아에로질사 제조의 아에로질(AEROSIL)), 콜로이달실리카 등의 각종 산화물; 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산스트론튬 등의 각종 티탄산 화합물; 이황화몰리브덴 등의 황화물; 불화마그네슘, 불화탄소 등의 각종 불화물; 스테아르산알루미늄, 스테아르산칼슘, 스테아르산아연, 스테아르산마그네슘 등의 각종 금속 비누; 그 외, 활석, 벤토나이트, 탤크, 탄산칼슘, 카올린, 유리 섬유, 운모 등을 이용할 수 있다. 이들 무기물을 첨가함으로써, 인쇄성이나 내열성, 나아가서는 기계적 특성이나 장기 내구성을 향상시키는 것이 가능해지는 경우가 있다. 그 중에서도, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서는, 내구성, 인쇄 적성, 특히 스크린 인쇄 적성을 부여한다는 관점에서 흄드 실리카가 바람직하다. To the conductive paste of the present invention, the following inorganic materials may be added. Examples of the inorganic substance include various carbides such as silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, tungsten carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, calcium carbide and diamond carbon lactam; Various nitrides such as boron nitride, titanium nitride, and zirconium nitride, and various borides such as zirconium boride; Various oxides such as titanium oxide (titania), calcium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, copper oxide, aluminum oxide, silica, fumed silica (for example, AEROSIL manufactured by Nippon Aerosil), and colloidal silica ; Various titanic acid compounds such as calcium titanate, magnesium titanate, and strontium titanate; Sulfides such as molybdenum disulfide; Various fluorides such as magnesium fluoride and carbon fluoride; Various metal soaps such as aluminum stearate, calcium stearate, zinc stearate, and magnesium stearate; In addition, talc, bentonite, talc, calcium carbonate, kaolin, glass fiber, mica and the like can be used. By adding these inorganic substances, it is possible to improve the printability and heat resistance, and furthermore, to improve the mechanical properties and the durability for a long period of time. Among them, in the conductive paste of the present invention, fumed silica is preferable from the viewpoint of imparting durability, printability, particularly screen printing suitability.

본 발명의 도전성 페이스트에는, 하기의 산 성분을 첨가할 수 있다. 산 성분으로서는 테레프탈산, 이소프탈산, 오르토프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 세바신산, 도데칸디카르복실산, 아젤라산 등의 지방족 디카르복실산, 다이머산 등의 탄소수 12~28의 이염기산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 2-메틸헥사히드로무수프탈산, 디카르복시 수소 첨가 비스페놀 A, 디카르복시 수소 첨가 비스페놀 S, 다이머산, 수소 첨가 다이머산, 수소 첨가 나프탈렌디카르복실산, 트리시클로데칸디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산, 히드록시벤조산, 젖산 등의 히드록시카르복실산을 들 수 있다. 또한 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 등의 3가 이상의 카르복실산, 푸마르산 등의 불포화 디카르복실산, 디메틸올부탄산, 디메틸올프로피온산 등의 카르복실산디올을 첨가할 수 있다. To the conductive paste of the present invention, the following acid components may be added. Examples of the acid component include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedicarboxylic acid, Aliphatic dicarboxylic acids such as dicarboxylic acid and dimer acid; dicarboxylic acids having 12 to 28 carbon atoms such as 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid Acid, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 2-methylhexahydrophthalic anhydride, dicarboxy hydrogenated bisphenol A, dicarboxy hydrogenated bisphenol S, dimer acid, hydrogenated dimer acid, hydrogenation Naphthalene dicarboxylic acid, tricyclodecanedicarboxylic acid and other alicyclic dicarboxylic acids, and hydroxycarboxylic acids such as hydroxybenzoic acid and lactic acid. Further, carboxylic acid diols having three or more valences such as trimellitic anhydride and pyromellitic anhydride and unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, dimethylolbutanoic acid, and dimethylolpropionic acid can be added.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트에는, 틱소성 부여제, 소포제, 난연제, 점착 부여제, 가수분해 방지제, 레벨링제, 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 안료, 염료를 배합할 수 있다. 나아가서는 수지 분해 억제제로서 카르보디이미드, 에폭시 등을 적절히 배합할 수도 있다. 이들은 단독으로 혹은 병용하여 이용할 수 있다. The conductive paste of the present invention may further contain a tack plasticizer, a defoaming agent, a flame retardant, a tackifier, a hydrolysis inhibitor, a leveling agent, a plasticizer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a pigment and a dye. Further, as the resin decomposition inhibitor, carbodiimide, epoxy and the like may be appropriately compounded. These can be used alone or in combination.

<경화제(E)>&Lt; Curing agent (E) >

본 발명의 도전성 페이스트에는, 바인더 수지(a)와 반응할 수 있는 경화제를, 본 발명의 효과를 손상시키지 않을 정도로 배합해도 좋다. 경화제를 배합함으로써, 경화 온도가 높아지고, 생산 공정의 부하가 증가할 가능성은 있으나, 도막 건조 시 혹은 레이저 에칭 시에 발생하는 열에 의한 가교에 의해 도막의 내습열성의 향상을 기대할 수 있다. The conductive paste of the present invention may be mixed with a curing agent capable of reacting with the binder resin (a) to such an extent as not to impair the effect of the present invention. The incorporation of the curing agent increases the curing temperature and increases the load on the production process. However, it is expected that the heat and humidity resistance of the coating film can be improved by crosslinking caused by heat generated during drying of the coating film or laser etching.

본 발명의 바인더 수지(a)에 반응할 수 있는 경화제는, 종류는 한정하지 않으나 밀착성, 내굴곡성, 경화성 등으로부터 이소시아네이트 화합물 및/또는 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 또한, 이소시아네이트 화합물에 대해서는, 이소시아네이트기를 블록화한 것을 사용하면, 저장 안정성이 향상되어 바람직하다. 이소시아네이트 화합물 이외의 경화제로서는, 메틸화멜라민, 부틸화멜라민, 벤조구아나민, 요소 수지 등의 아미노 수지, 산무수물, 이미다졸류, 페놀 수지 등의 공지의 화합물을 들 수 있다. 이들 경화제에는, 그 종류에 따라 선택된 공지의 촉매 혹은 촉진제를 병용할 수도 있다. 경화제의 배합량으로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않을 정도로 배합되는 것이며, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바인더 수지(a) 100 질량부에 대해, 0.5~50 질량부가 바람직하고, 1~30 질량부가 보다 바람직하며, 2~20 질량부가 더욱 바람직하다. The type of the curing agent capable of reacting with the binder resin (a) of the present invention is not limited, but an isocyanate compound and / or an epoxy resin are particularly preferable from the viewpoint of adhesion, flexing resistance, curability and the like. With respect to the isocyanate compound, use of an isocyanate group-blocked one is preferable because the storage stability is improved. Examples of the curing agent other than the isocyanate compound include known compounds such as amino resins such as methylated melamine, butylated melamine, benzoguanamine and urea resin, acid anhydrides, imidazoles and phenol resins. These curing agents may be used in combination with known catalysts or accelerators selected depending on the kind thereof. The blending amount of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the binder resin (a) And more preferably 2 to 20 parts by mass.

본 발명의 도전성 페이스트에 배합할 수 있는 이소시아네이트 화합물의 예로서는, 방향족 또는 지방족의 디이소시아네이트, 3가 이상의 폴리이소시아네이트 등이 있고, 저분자 화합물, 고분자 화합물의 어느 것이어도 좋다. 예컨대, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트, 수소화디페닐메탄디이소시아네이트, 수소화크실릴렌디이소시아네이트, 다이머산디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 디이소시아네이트, 혹은 이들 이소시아네이트 화합물의 3량체, 및 이들 이소시아네이트 화합물의 과잉량과 예컨대 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 글리세린, 소르비톨, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 저분자 활성 수소 화합물 또는 각종 폴리에스테르폴리올류, 폴리에테르폴리올류, 폴리아미드류의 고분자 활성 수소 화합물 등과 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트기 함유 화합물을 들 수 있다. 또한, 이소시아네이트기의 블록화제로서는, 예컨대 페놀, 티오페놀, 메틸티오페놀, 에틸티오페놀, 크레졸, 크실레놀, 레조르시놀, 니트로페놀, 클로로페놀 등의 페놀류; 아세톡심, 메틸에틸케토옥심, 시클로헥사논옥심 등의 옥심류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류; 에틸렌클로로히드린, 1,3-디클로로-2-프로판올 등의 할로겐 치환 알코올류; t-부탄올, t-펜탄올 등의 제3급 알코올류; ε-카프로락탐, δ-발레로락탐, γ-부티로락탐, β-프로피오락탐 등의 락탐류를 들 수 있고, 그 외에도 방향족 아민류, 이미드류, 아세틸아세톤, 아세토아세트산에스테르, 말론산에틸에스테르 등의 활성 메틸렌 화합물, 메르캅탄류, 이민류, 이미다졸류, 요소류, 디아릴 화합물류, 중아황산소다 등도 들 수 있다. 이 중, 경화성에서 옥심류, 이미다졸류, 아민류가 특히 바람직하다. Examples of the isocyanate compound that can be incorporated into the conductive paste of the present invention include an aromatic or aliphatic diisocyanate, a trivalent or higher polyisocyanate, and the like, and may be any of a low molecular weight compound and a high molecular weight compound. Examples thereof include aliphatic diisocyanates such as tetramethylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate, aromatic diisocyanates such as toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, Alicyclic diisocyanates such as dimer acid diisocyanate and isophorone diisocyanate, or trimers of these isocyanate compounds, and an excess amount of these isocyanate compounds, such as ethylene glycol, propylene glycol, trimethylol propane, glycerin, sorbitol, ethylenediamine, mono Low molecular active hydrogen compounds such as ethanolamine, diethanolamine and triethanolamine, or various polyester polyols, polyether polyols, polymeric active hydrogen compounds of polyamides, Containing terminal isocyanate group-containing compound. Examples of the blocking agent for the isocyanate group include phenols such as phenol, thiophenol, methylthiophenol, ethylthiophenol, cresol, xylenol, resorcinol, nitrophenol and chlorophenol; Oximes such as acetoxime, methyl ethyl ketoxime, and cyclohexanone oxime; Alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol; Halogen-substituted alcohols such as ethylene chlorohydrin and 1,3-dichloro-2-propanol; tertiary alcohols such as t-butanol and t-pentanol; and lactames such as? -caprolactam,? -valerolactam,? -butyrolactam and? -propiolactam. In addition, aromatic amines such as aromatic amines, imides, acetylacetone, acetoacetic acid ester, malonic acid ethyl ester , Mercaptans, imines, imidazoles, ureas, diaryl compounds, sodium bisulfite, and the like. Among them, oxides, imidazoles and amines are particularly preferable in the curability.

본 발명에서 경화제로서 이용되는 에폭시 화합물은, 예컨대, 비스페놀 A 글리시딜에테르, 비스페놀 S 글리시딜에테르, 노볼락글리시딜에테르, 브롬화비스 등의 글리시딜에테르 타입, 헥사히드로프탈산글리시딜에스테르, 다이머산글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 타입, 트리글리시딜이소시아누레이트, 혹은 3,4-에폭시시클로헥실메틸카르복실레이트, 에폭시화폴리부타디엔, 에폭시화대두유 등의 지환족 혹은 지방족 에폭사이드 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 이용해도 2종 이상을 병용해도 상관없다. 이 중 경화성의 관점에서, 비스페놀 A 글리시딜에테르가 가장 바람직하고, 그 중에서도 분자량 3000 미만, 1분자 중에 글리시딜에테르기를 2개 이상 갖는 것이 더욱 바람직하다.Examples of the epoxy compound used as a curing agent in the present invention include glycidyl ether types such as bisphenol A glycidyl ether, bisphenol S glycidyl ether, novolak glycidyl ether and bis (bromide), hexahydrophthalic acid glycidyl Esters and dimer acid glycidyl esters, glycidyl ester types such as triglycidyl isocyanurate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl carboxylate, epoxidized polybutadiene and epoxidized soybean oil, Aliphatic epoxide and the like, and they may be used singly or in combination of two or more. Among them, bisphenol A glycidyl ether is most preferable from the viewpoint of curability, and among them, it is more preferable to have a molecular weight of less than 3000 and having two or more glycidyl ether groups in one molecule.

<<본 발명의 도전성 페이스트에 요구되는 물성>> << Physical properties required for the conductive paste of the present invention >>

본 발명의 도전성 페이스트의 점도는 특별히 한정되지 않고, 도막의 형성 방법에 따라 적절히 조정하면 된다. 예컨대, 도전성 페이스트의 기재에 대한 도포를 스크린 인쇄에 의해 행하는 경우에는, 도전성 페이스트의 점도는, 인쇄 온도에 있어서 100 dPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 150 dPa·s 이상인 것이 바람직하다. 상한은 특별히 한정하지 않으나, 점도가 지나치게 높으면 도전성 박막의 막 두께가 지나치게 두꺼워져, 레이저 에칭 가공 적성이 저하되는 경우가 있다. The viscosity of the conductive paste of the present invention is not particularly limited and may be suitably adjusted according to the method of forming the coating film. For example, when the conductive paste is applied to the substrate by screen printing, the viscosity of the conductive paste is preferably 100 dPa · s or more, more preferably 150 dPa · s or more at the printing temperature. Although the upper limit is not particularly limited, if the viscosity is too high, the film thickness of the conductive thin film becomes excessively thick, and the suitability for laser etching may deteriorate in some cases.

본 발명의 도전성 페이스트는, F값이 60~95%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75~95%이다. F값이란 페이스트 중에 포함되는 전체 고형분 100 질량부에 대한 필러 질량부를 나타내는 수치이며, F값=(필러 질량부/고형분 질량부)×100으로 표시된다. 여기서 말하는 필러 질량부란 도전성 분말의 질량부, 고형분 질량부란 용제 이외의 성분의 질량부이며, 도전성 분말, 유기 성분, 그 외의 경화제나 첨가제를 모두 포함한다. F값이 지나치게 낮으면 양호한 도전성을 나타내는 도전성 박막이 얻어지지 않고, F값이 지나치게 높으면 도전성 박막과 기재의 밀착성 및/또는 도전성 박막의 표면 경도가 저하되는 경향이 있으며, 인쇄성의 저하도 피할 수 없다. 한편, 여기서 도전성 분말이란, 은 분말(B)을 가리킨다.The conductive paste of the present invention preferably has an F value of 60 to 95%, more preferably 75 to 95%. The F value is a numerical value representing the filler mass portion with respect to 100 parts by mass of the total solid content contained in the paste, and is represented by F value = (pillar mass portion / solid portion mass portion) x 100. The term "filler mass" as used herein refers to the mass part of the conductive powder, the mass of the solid component, and the mass of the component other than the solvent, and includes the conductive powder, the organic component, and other curing agents and additives. If the F value is too low, a conductive thin film exhibiting good conductivity can not be obtained. If the F value is too high, the adhesion between the conductive thin film and the base material and / or the surface hardness of the conductive thin film tends to be lowered. . Here, the conductive powder refers to the silver powder (B).

<<본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법>><< Manufacturing Method of Conductive Paste of the Present Invention >>

본 발명의 도전성 페이스트는 전술한 바와 같이 유기 성분(A), 은 분말(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 외의 성분을 3본 롤 등으로 분산하여 제작할 수 있다. 여기서, 보다 구체적인 제작 순서의 예를 나타낸다. 바인더 수지(a)를 우선은 유기 용제(C)에 용해한다. 그 후, 은 분말(B) 및 필요에 따라 첨가제를 첨가하고, 더블 플래니터리나 디졸버, 유성식의 교반기 등으로 분산을 실시한다. 그 후, 3본 롤밀로 분산하여, 도전성 페이스트를 얻는다. 이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트는 필요에 따라 여과할 수 있다. 그 외의 분산기, 예컨대 비드 밀, 니더, 익스트루더 등을 이용하여 분산해도 아무런 문제는 없다. The conductive paste of the present invention can be produced by dispersing the organic component (A), the silver powder (B), the organic solvent (C), and other components as necessary, by three rolls or the like as described above. Here, an example of a more detailed production procedure is shown. The binder resin (a) is first dissolved in the organic solvent (C). Thereafter, the silver powder (B) and, if necessary, additives are added and dispersed by a double planarizer, a dissolver or a planetary mixer. Thereafter, the mixture is dispersed with a three-roll mill to obtain a conductive paste. The conductive paste thus obtained can be filtered if necessary. There is no problem even if it is dispersed by using other dispersing machine such as bead mill, kneader, extruder and the like.

도전성 페이스트를 여과하는 필터로서의 눈 사이즈는 특별히 한정되지 않으나, 25 ㎛ 이하의 필터가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛ 이하이며, 가장 바람직하게는 15 ㎛ 이하이다. 눈 사이즈가 25 ㎛를 넘는 필터를 이용한 경우, 도전성 분체의 미분산물, 조대 입자, 이물 등을 제거할 수 없게 되어, 에칭 후의 세선 사이에 단락이 발생한 결과, 수율을 악화시킨다.The eye size as a filter for filtering the conductive paste is not particularly limited, but a filter of 25 m or less is preferable, more preferably 20 m or less, and most preferably 15 m or less. When a filter having an eye size of more than 25 mu m is used, the fine powder of conductive powder, coarse particles, foreign matter, and the like can not be removed, and a short circuit occurs between the fine lines after etching, thereby deteriorating the yield.

한편, 눈 사이즈는 1 ㎛ 이상이 바람직하며, 이것보다 작게 하면 은 분말의 입자 직경에 따라서는, 여과 속도가 현저히 떨어지고, 최종적으로는 여과 필터의 눈이 막힌다. 결과적으로는 여과 필터 교환 횟수가 증가하여, 생산 효율이 현저히 저하된다. On the other hand, the eye size is preferably at least 1 mu m, and when it is smaller than this, the filtration speed is significantly lowered depending on the particle diameter of the silver powder, and finally the eyes of the filtration filter are clogged. As a result, the number of filter filter replacement times increases, and the production efficiency is remarkably lowered.

도전성 은 페이스트를 여과하는 필터의 재질은 스테인리스, 니켈, 폴리에스테르, 나일론, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), 폴리프로필렌, 그 외 금속 등 특별히 한정되지 않으나, 내구성의 관점에서 스테인리스가 바람직하다. 또한, 이들로 만들어진 필터 표면을 플랫 가공이나 테플론 가공 등을 함으로써 여과 정밀도를 올리는 것도 아무런 제약은 없다.The material of the filter for filtering the conductive silver paste is not particularly limited such as stainless steel, nickel, polyester, nylon, PTFE (polytetrafluoroethylene), polypropylene and other metals, but stainless steel is preferable from the viewpoint of durability. There is also no restriction to increase the filtration accuracy by performing flat processing or Teflon processing on the filter surface made of these.

도전성 은 페이스트를 여과하는 방식으로서는 특별히 한정되지 않으나, 내마모성이 우수한 플라스틱(예컨대 폴리옥시메틸렌)으로 만들어진 교반 날개를 교반 회전시키면서, 페이스트를 자중으로 거르는 방식이 장치적으로도 간편하고, 제조 효율도 좋다. Conductivity is not particularly limited as to a method of filtering a paste, but a method of filtering the paste by its own weight while agitating and rotating a stirring blade made of a plastic (for example, polyoxymethylene) having excellent abrasion resistance is simple in terms of apparatus, .

교반의 회전수로서는, 페이스트 여과가 제조 효율을 손상시키지 않을 정도이면 한정은 하지 않는다. The number of revolutions of the agitation is not limited as long as the filtration of the paste does not impair the production efficiency.

이들 여과기로서는 (주)프로테크사 제조의 PF160A, PF320A 등이 바람직하다. 또한 장치의 옵션으로서 가압하는 것이나, 감압함으로써 여과 효율을 개선하는 것도 아무런 제약은 요구하지 않는다. As these filters, PF160A, PF320A and the like manufactured by ProTech Co., Ltd. are preferable. There is no need to pressurize as an option of the apparatus or to improve the filtration efficiency by reducing the pressure.

<<본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및 이들의 제조 방법>> << Conductive Thin Film of the Present Invention, Conductive Laminate and Method for Producing the Same >>

본 발명의 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하여 도막을 형성하고, 계속해서 도막에 포함되는 유기 용제(C)를 휘산시켜 도막을 건조시킴으로써, 본 발명의 도전성 박막을 형성할 수 있다. 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 스크린 인쇄법에 의해 인쇄하는 것이 공정의 간편함 및 도전성 페이스트를 이용하여 전기 회로를 형성하는 업계에서 보급되어 있는 기술인 점에서 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트는, 최종적으로 전기 회로로서 필요한 도전성 박막 부위보다 얼마쯤 넓은 부위에 도포 또는 인쇄하는 것이, 레이저 에칭 공정의 부하를 낮춰 효율적으로 본 발명의 전기 회로를 형성한다는 관점에서 바람직하다. The conductive thin film of the present invention can be formed by coating or printing a conductive paste of the present invention on a substrate to form a coating film, and subsequently volatilizing the organic solvent (C) contained in the coating film to dry the coating film. The method of applying or printing the conductive paste onto the substrate is not particularly limited, but printing by the screen printing method is preferable in view of the process being simple and the technique which is popular in the industry for forming an electric circuit by using the conductive paste. It is preferable that the conductive paste is applied or printed to a region somewhat wider than the area of the conductive thin film finally required as an electric circuit from the viewpoint of forming the electric circuit of the present invention efficiently by lowering the load of the laser etching process.

본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재로서는, 치수 안정성이 우수한 재료가 바람직하게 이용된다. 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 혹은 폴리카보네이트 등의 가요성이 우수한 재료를 포함하는 필름을 들 수 있다. 또한, 유리 등의 무기 재료도 기재로서 사용할 수 있다. 기재의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 50~350 ㎛인 것이 바람직하고, 100~250 ㎛가 패턴 형성 재료의 기계적 특성, 형상 안정성 혹은 취급성 등에서 더욱 바람직하다. As the substrate to which the conductive paste of the present invention is applied, a material having excellent dimensional stability is preferably used. For example, a film containing a material having excellent flexibility such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate or polycarbonate. Inorganic materials such as glass can also be used as a substrate. The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 50 to 350 占 퐉, more preferably 100 to 250 占 퐉 in terms of mechanical properties, shape stability, or handleability of the pattern forming material.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재의 표면에 물리적 처리 및/또는 화학적 처리를 행함으로써, 도전성 박막과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 물리적 처리 방법의 예로서는, 샌드 블라스트법, 미립자를 함유한 액체를 분사하는 웨트 블라스트법, 코로나 방전 처리법, 플라즈마 처리법, 자외선 혹은 진공 자외선 조사 처리법 등을 들 수 있다. 또한, 화학적 처리 방법의 예로서는, 강산 처리법, 강알칼리 처리법, 산화제 처리법, 커플링제 처리법 등을 들 수 있다.Further, by performing physical treatment and / or chemical treatment on the surface of the base material to which the conductive paste of the present invention is applied, the adhesion between the conductive thin film and the base material can be improved. Examples of the physical treatment method include a sand blast method, a wet blast method of spraying a liquid containing fine particles, a corona discharge treatment method, a plasma treatment method, and an ultraviolet ray or vacuum ultraviolet ray irradiation treatment method. Examples of the chemical treatment method include a strong acid treatment method, a strong alkali treatment method, an oxidant treatment method, and a coupling agent treatment method.

또한, 상기 기재는 투명 도전성 층을 갖는 것이어도 좋다. 본 발명의 도전성 박막을 투명 도전성 층 상에 적층할 수 있다. 상기 투명 도전성 층의 소재는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 산화인듐·주석을 주성분으로 하여 이루어지는 ITO막이나 나노사이즈의 선형 은을 포함하는 은 나노와이어막을 들 수 있다. 또한, 투명 도전성 층은 기재 전면에 형성된 것뿐만이 아니라, 에칭 등에 의해 투명 도전성 층의 일부가 제거된 것을 사용할 수도 있다. The substrate may have a transparent conductive layer. The conductive thin film of the present invention can be laminated on the transparent conductive layer. The material of the transparent conductive layer is not particularly limited, and examples thereof include an ITO film composed mainly of indium tin oxide and a silver nanowire film containing nano-sized linear silver. Further, the transparent conductive layer may be formed not only on the entire surface of the substrate but also partially removed from the transparent conductive layer by etching or the like.

유기 용제(C)를 휘산시키는 공정은, 상온하 및/또는 가열하에서 행하는 것이 바람직하다. 가열하는 경우, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이나 밀착성, 표면 경도가 양호해지는 점에서, 가열 온도는 80℃ 이상이 바람직하고, 100℃ 이상이 보다 바람직하며, 110℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 하지(下地)의 투명 도전성 층의 내열성, 및 생산 공정에서의 에너지 절약의 관점에서, 가열 온도는 150℃ 이하가 바람직하고, 135℃ 이하가 보다 바람직하며, 130℃ 이하가 더욱 바람직하다. 본 발명의 도전성 페이스트에 경화제가 배합되어 있는 경우에는, 유기 용제(C)를 휘산시키는 공정을 가열하에서 행하면, 경화 반응이 진행된다.The step of volatilizing the organic solvent (C) is preferably carried out at normal temperature and / or under heating. In the case of heating, the heating temperature is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, and even more preferably 110 占 폚 or higher, since conductivity, adhesion, and surface hardness of the conductive thin film after drying become satisfactory. The heating temperature is preferably 150 占 폚 or lower, more preferably 135 占 폚 or lower, and even more preferably 130 占 폚 or lower, from the viewpoints of heat resistance of the underlying transparent conductive layer and energy saving in the production process. When the conductive paste of the present invention contains the curing agent, the curing reaction proceeds when the step of volatilizing the organic solvent (C) is carried out under heating.

본 발명의 도전성 박막의 두께는, 이용되는 용도에 따라 적절한 두께로 설정하면 된다. 단, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점과, 레이저 에칭 가공 적성이 양호하다는 관점에서, 도전성 박막의 막 두께는 3 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 4 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 4 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하이다. 도전성 박막의 막 두께가 지나치게 얇으면, 회로로서의 원하는 도전성이 얻어지지 않을 가능성이 있다. 막 두께가 지나치게 두꺼우면, 레이저 에칭 가공에 요하는 레이저 조사량이 과대하게 필요해져, 기재에 손상을 주는 경우가 있다. 또한, 막 두께의 변동이 크면, 도전성 박막의 에칭 용이성에 변동이 생겨, 에칭 부족에 의한 선 사이의 단락이나 에칭 과잉에 의한 단선이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 이 때문에, 막 두께의 변동은 작은 쪽이 좋다. The thickness of the conductive thin film of the present invention may be set to an appropriate thickness depending on the intended use. The thickness of the conductive thin film is preferably in the range of 3 탆 to 30 탆, more preferably in the range of 4 탆 to 20 탆, and more preferably in the range of 20 탆 to 20 탆, from the viewpoints of good conductivity of the conductive thin film after drying and good laser etching workability. Mu m or less, more preferably 4 mu m or more and 10 mu m or less. If the thickness of the conductive thin film is too thin, there is a possibility that desired conductivity as a circuit may not be obtained. If the film thickness is excessively large, a laser irradiation amount required for laser etching processing is excessively required, and the substrate may be damaged. In addition, if the variation of the film thickness is large, the ease of etching of the conductive thin film varies, and there is a tendency that short-circuit between lines due to insufficient etching or disconnection due to excessive etching tends to occur. Therefore, it is preferable that the fluctuation of the film thickness is small.

본 발명의 도전성 박막의 표면 조도 Ra는 0.7 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 표면 조도 Ra가 지나치게 높으면, 도전성 박막의 에칭 단부에 깔쭉깔쭉함이 발생하기 쉬워져, 선 사이의 단락이나 에칭 과잉에 의한 단선이 발생하기 쉬워질 가능성이 있다. 표면 조도 Ra는 페이스트 조성(특히 유기 성분종과 은 분말종), 페이스트 점도, 스크린 인쇄 조건의 영향을 강하게 받기 때문에, 이들을 적절히 조정하여 컨트롤할 필요가 있다. The surface roughness Ra of the conductive thin film of the present invention is preferably 0.7 占 퐉 or less, and more preferably 0.5 占 퐉 or less. If the surface roughness Ra is too high, the etching end of the conductive thin film tends to be roughly formed, and there is a possibility that short-circuit between lines or disconnection due to excessive etching may occur easily. The surface roughness Ra is strongly influenced by the paste composition (in particular, the organic component species and the silver powder species), the paste viscosity, and the screen printing conditions. Therefore, it is necessary to control them appropriately.

<<본 발명의 전기 회로 및 그 제조 방법>><< Electric Circuit of the Present Invention and Method of Manufacturing the Same >>

본 발명의 전기 회로는, 본 발명의 도전성 페이스트에 의해 기재 상에 형성된 도전성 박막의 적어도 일부에 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 층의 일부를 기재 상에서 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로이다. 이러한 전기 회로의 형성 방법을 채용하면, 포토리소그래피법과 달리 패턴 형성 공정을 드라이 프로세스로 할 수 있고, 금속 성분을 함유하는 폐액도 발생하지 않기 때문에 폐액 처리 등이 필요 없어, 환경에 친화적인 프로세스라고 할 수 있다. 또한, 공정적으로도 단순하기 때문에, 제조 설비에 관한 투자를 억제할 수 있고, 제조 설비의 가동 후의 유지 관리도 용이하다. 한편, 도전성 페이스트에 의해 기재 상에 도전성 박막을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 인쇄 또는 도장에 의해 행할 수 있다. An electric circuit of the present invention is an electric circuit having a wiring portion formed by irradiating laser light to at least a part of a conductive thin film formed on a substrate by the conductive paste of the present invention and removing a part of the conductive layer on a substrate. Unlike the photolithography method, the pattern formation process can be a dry process, and a waste solution containing a metal component is not generated. Therefore, a process for forming an electric circuit is not required, and it is said to be an environmentally friendly process . Further, since it is simple in terms of process, it is possible to inhibit investment in the manufacturing facility, and maintenance after the operation of the manufacturing facility is easy. On the other hand, the method of forming the conductive thin film on the substrate by the conductive paste is not particularly limited, but can be performed by printing or painting.

레이저광의 조사 방법은 특별히 한정되지 않으나, 최근 보급이 진행되고 있는 레이저 에칭 가공 장치, 혹은 이것의 치수 정밀도를 더욱 향상시킨 것을 사용할 수 있다. 레이저 에칭 가공 장치는, CAD 등의 화상 처리 애플리케이션 소프트웨어로 제작한 데이터를 그대로 레이저 가공에 이용할 수 있기 때문에, 제조 패턴의 전환이 매우 용이하다. 이것은, 종래부터 행해지고 있는 스크린 인쇄법으로의 패턴 형성에 대한 우위점의 하나로서 들 수 있다. The method of irradiating the laser beam is not particularly limited, but a laser etching processing apparatus which has recently become popular can be used, or one having a further improved dimensional accuracy can be used. Since the laser etching processing apparatus can use data produced by image processing application software such as CAD as it is for laser processing, it is very easy to switch the manufacturing pattern. This is one of the advantages of pattern formation by a screen printing method which has been conventionally performed.

레이저광이 조사되어 흡수된 부위에 있어서는, 레이저광의 에너지가 열로 변환되고, 온도 상승에 의해 열분해 및/또는 휘산이 생겨, 조사 부위가 박리·제거된다. 본 발명의 도전성 박막의 레이저광이 조사된 부위가 효율적으로 기재로부터 제거되기 위해서는, 본 발명의 도전성 박막이 조사 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 레이저종으로서는, 본 발명의 도전성 박막을 구성하는 어느 하나의 성분이 강한 흡수를 갖는 파장 영역에 에너지를 갖는 레이저종을 선택하는 것이 바람직하다. At the site where the laser beam is irradiated and absorbed, the energy of the laser beam is converted into heat, and thermal decomposition and / or volatilization occurs due to the temperature rise, and the irradiated portion is peeled and removed. In order for the portion of the conductive thin film of the present invention irradiated with laser light to be efficiently removed from the substrate, it is preferable that the conductive thin film of the present invention has strong absorption at the wavelength of the irradiated laser light. Therefore, as the laser species, it is preferable to select a laser species having energy in a wavelength region in which one component constituting the conductive thin film of the present invention has strong absorption.

일반적인 레이저종으로서는, 엑시머 레이저(기본파의 파장이 193~308 ㎚), YAG 레이저(기본파의 파장이 1064 ㎚), 파이버 레이저(기본파의 파장이 1060 ㎚), CO2 레이저(기본파의 파장이 10600 ㎚), 반도체 레이저 등을 들 수 있고, 기본적으로는 어떠한 방식, 어떠한 파장의 레이저종을 이용해도 아무런 문제는 없다. 도전성 박막의 어느 하나의 구성 성분의 흡수 파장 영역과 일치하고, 게다가 기재가 강한 흡수를 갖지 않는 파장을 조사할 수 있는 레이저종을 선택함으로써, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거를 효율적으로 행하고, 게다가 기재의 손상을 피할 수 있다. 이러한 관점에서, 조사하는 레이저종으로서는, 기본파의 파장이, 532~10700 ㎚의 범위가 바람직하다. 기재로서 폴리에스테르를 층 구조에 갖는 도전성 박막, 혹은 폴리에스테르를 층 구조에 갖는 도전성 박막의 일부가 에칭에 의해 제거된 박막을 이용하는 경우에는, YAG 레이저 또는 파이버 레이저를 사용하는 것이, 기본파의 파장에 기재가 흡수를 갖지 않기 때문에 기재에 손상을 주기 어려운 점에서 특히 바람직하다. A typical laser species, an excimer laser (fundamental wave of a wavelength of 193 ~ 308 ㎚), YAG laser (fundamental wave of wavelength 1064 ㎚), the fiber laser (of a fundamental wave wavelength of 1060 ㎚), CO 2 laser (the fundamental wave A wavelength of 10600 nm), a semiconductor laser, etc. Basically, there is no problem in using any kind of laser species of any wavelength. It is possible to effectively remove the conductive thin film at the laser light irradiated portion by selecting a laser species which coincides with the absorption wavelength region of any one of the constituent components of the conductive thin film and which can irradiate the wavelength not having strong absorption of the substrate, In addition, damage to the substrate can be avoided. From this viewpoint, as the laser species to be irradiated, the wavelength of the fundamental wave is preferably in the range of 532 to 10700 nm. When a conductive thin film having polyester in its layer structure as a substrate or a thin film in which a part of a conductive thin film having a layer structure of polyester is removed by etching is used, the use of a YAG laser or a fiber laser, Is particularly preferable because it does not absorb the base material and thus it is difficult to damage the base material.

레이저 출력, 주파수는 특별히 한정되지 않으나, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 제거할 수 있고, 또한 하지의 기재가 손상되지 않도록 조절한다. 일반적으로는, 레이저 출력은, 0.5~100 W, 주파수 10~1000 ㎑의 범위에서 적절히 조절하는 것이 바람직하다. 레이저 출력이 지나치게 낮으면, 도전성 박막의 제거가 불충분해지는 경향이 있으나, 레이저의 주사 속도를 낮게 하거나 주사 횟수를 늘리거나 함으로써 그러한 경향은 어느 정도 회피할 수 있다. 레이저 출력이 지나치게 높으면, 조사 부분으로부터의 열의 확산에 의해 도전성 박막이 박리되는 부위가 레이저빔 직경보다 극단적으로 커져, 선폭이 지나치게 가늘어지거나 단선되거나 할 가능성이 있다. 이 점에서, 레이저 출력은, 0.5~20 W, 주파수 10~800 ㎑의 범위에서 적절히 조절하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5~12 W, 주파수 10~600 ㎑이다. The laser output and the frequency are not particularly limited, but it is possible to remove the conductive thin film at the laser light irradiation site and to control the base material of the base so as not to be damaged. In general, it is preferable to appropriately adjust the laser output in the range of 0.5 to 100 W and the frequency of 10 to 1000 kHz. If the laser output is too low, the removal of the conductive thin film tends to be insufficient, but such a tendency can be avoided to some extent by lowering the laser scanning speed or increasing the number of times of scanning. If the laser output is excessively high, the portion where the conductive thin film is peeled off due to the diffusion of heat from the irradiated portion becomes extremely larger than the diameter of the laser beam, and the line width may become excessively thin or broken. In this respect, the laser output is preferably adjusted in the range of 0.5 to 20 W and the frequency of 10 to 800 kHz, more preferably 0.5 to 12 W, and the frequency of 10 to 600 kHz.

레이저광의 주사 속도는, 택트 타임의 감소에 의한 생산 효율 향상의 관점에서는 높을수록 좋고, 구체적으로는, 1000 ㎜/s 이상이 바람직하고, 1500 ㎜/s 이상이 보다 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2000 ㎜/s 이상이다. 주사 속도가 지나치게 느리면, 생산 효율이 저하될 뿐만이 아니라, 도전성 박막 및 기재가 열이력에 의해 손상을 받을 우려가 있다. 가공 속도의 상한은 특별히 정하지 않으나, 주사 속도가 지나치게 높으면, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거가 불완전해져 회로가 단락될 가능성이 있다. 또한, 주사 속도가 지나치게 빠르면, 형성하는 패턴의 코너 부위에 있어서, 직선 부위와 비교하여 주사 속도를 감속시키는 것을 피할 수 없게 되기 때문에, 코너 부위의 열이력이 직선 부위에 비해 높아져, 코너 부위의 레이저 에칭 가공 부위 주변의 도전성 박막의 물성이 현저히 저하될 우려가 있다. More specifically, the scanning speed of the laser beam is preferably 1000 mm / s or more, more preferably 1500 mm / s or more, still more preferably 2000 mm / s or more, Mm / s. If the scanning speed is too slow, not only the production efficiency is lowered but also the conductive thin film and the substrate may be damaged by thermal history. Although the upper limit of the processing speed is not particularly defined, if the scanning speed is excessively high, the removal of the conductive thin film at the laser light irradiation site may be incomplete and the circuit may be short-circuited. If the scanning speed is too high, it is inevitable to slow down the scanning speed in comparison with the linear portion at the corner portion of the pattern to be formed. Therefore, the thermal history at the corner portion becomes higher than that at the straight portion, There is a possibility that the physical properties of the conductive thin film in the vicinity of the etched portion are significantly lowered.

레이저광의 주사는, 레이저광의 발사체를 움직이거나, 레이저광이 조사되는 피조사체를 움직이거나, 혹은 양방을 조합하는 것의 어느 것이어도 좋고, 예컨대 XY 스테이지를 이용함으로써 실현할 수 있다. 또한, 갈바노 미러 등을 이용하여 레이저광의 조사 방향을 변경함으로써 레이저광을 주사할 수도 있다. The scanning of the laser beam may be performed by moving the projectile of the laser beam, moving the object to be irradiated with the laser beam, or combining both, for example, by using the XY stage. It is also possible to scan the laser beam by changing the irradiation direction of the laser beam using a galvanometer mirror or the like.

레이저광의 조사 시에, 집광 렌즈(아크로매틱 렌즈 등)를 사용함으로써, 단위 면적당 에너지 밀도를 높일 수 있다. 이 방법의 이점으로서는, 마스크를 사용하는 경우와 비교하여, 단위 면적당 에너지 밀도를 크게 할 수 있기 때문에, 작은 출력의 레이저 발진기여도 높은 주사 속도로 레이저 에칭 가공을 행하는 것이 가능해지는 점을 들 수 있다. 집광한 레이저광을 도전성 박막에 조사하는 경우, 초점 거리를 조절할 필요가 있다. 초점 거리의 조절은, 특히 기재에 도포되어 있는 막 두께에 따라 조절할 필요가 있으나, 기재에 손상을 주지 않고, 또한 소정의 도전성 박막 패턴을 박리·제거할 수 있도록 조절하는 것이 바람직하다.By using a condenser lens (an achromatic lens or the like) at the time of irradiating laser light, the energy density per unit area can be increased. The advantage of this method is that the energy density per unit area can be increased as compared with the case of using a mask, so that it is possible to perform laser etching processing at a high scanning speed with a small output power. When the condensed laser light is irradiated to the conductive thin film, it is necessary to adjust the focal distance. The adjustment of the focal distance is required to be adjusted according to the film thickness applied to the substrate, but it is preferable to adjust the focal distance so that the predetermined conductive thin film pattern can be removed and removed without damaging the substrate.

레이저광의 주사를 복수 회 동일 패턴으로 반복해서 행하는 것은, 바람직한 실시양태의 하나이다. 1회째의 주사에 있어서 제거 불완전한 도전성 박막 부위가 있었던 경우, 혹은 제거한 도전성 박막을 구성하는 성분이 재차 기재에 부착된 경우라도, 복수 회의 주사로 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 완전히 제거하는 것이 가능해진다. 주사 횟수의 상한은 특별히 한정되지 않으나, 가공 부위 주변이 열이력을 복수 회 받음으로써, 손상을 받아, 변색되고, 도막 물성이 저하될 가능성이 있기 때문에, 주의가 필요해진다. 또한, 생산 효율의 점에서는, 주사 횟수는 적을수록 좋은 것은 당연하다. Repeatedly scanning the laser light in the same pattern a plurality of times is one of the preferred embodiments. It is possible to completely remove the conductive thin film on the laser light irradiation site by a plurality of scans even if the conductive thin film portion is removed or incompletely removed in the first scanning or the component constituting the removed conductive thin film is again attached to the substrate . Although the upper limit of the number of times of scanning is not particularly limited, care must be taken because there is a possibility that the periphery of the processed portion receives thermal history a plurality of times and is damaged and discolored to deteriorate physical properties of the coating film. In terms of production efficiency, it is natural that the smaller the number of times of scanning, the better.

레이저광의 주사를 복수 회 동일 패턴으로 반복해서 행하지 않는 것도, 바람직한 실시양태의 하나이다. 얻어지는 도전성 박막, 도전성 적층체 및 전기 회로의 특성에 악영향을 미치지 않는 한, 주사 횟수는 적을수록 생산 효율적으로 우수한 것은 당연하다. It is also one of the preferred embodiments that the scanning of the laser light is not repeated in the same pattern a plurality of times. It is a matter of course that the less the number of times of injection, the better the production efficiency, unless adversely affecting the characteristics of the obtained conductive thin film, the conductive laminate and the electric circuit.

본 발명의 도전성 박막은, 고가의 도전성 분체를 고농도로 함유하고 있기 때문에, 제조되는 전기 회로 제조에 요하는 토탈 비용을 고려하면, 기재로부터 제거되는 도전성 박막에 포함되는 도전성 분체를 회수하여 재이용하는 것이 중요하다. 레이저광 조사 부위 근방에 고성능의 집진기를 설치하여, 도전성 분체를 효율적으로 회수하는 시스템을 구축함으로써, 충분히 채산성이 있는 가공법으로 할 수 있다. Since the conductive thin film of the present invention contains a high-priced conductive powder at a high concentration, considering the total cost required for manufacturing an electric circuit to be produced, the conductive thin material contained in the conductive thin film to be removed from the substrate is recovered and reused It is important. By providing a high-performance dust collector in the vicinity of the laser beam irradiation site and efficiently constructing a system for recovering the conductive powder, a processing method with sufficient profitability can be obtained.

<<본 발명의 터치 패널>> << Touch panel of the present invention >>

본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및/또는 전기 회로는 터치 패널의 구성 부재로서 이용할 수 있다. 상기 터치 패널은, 저항막 방식이어도 정전 용량 방식이어도 좋다. 어느 터치 패널에도 적용이 가능하지만, 본 페이스트는, 세선 형성에 적합하기 때문에, 정전 용량 방식의 터치 패널의 전극 배선용에 특히 적합하게 이용할 수 있다. 한편, 상기 터치 패널을 구성하는 기재로서는, ITO막이나 은 나노와이어막 등의 투명 도전성 층을 갖고 있는 기재, 혹은 이들이 에칭에 의해 일부 제거된 기재를 이용하는 것이 바람직하다. The conductive thin film, the conductive laminate and / or the electric circuit of the present invention can be used as constituent members of the touch panel. The touch panel may be a resistive film type or a capacitive type. The present paste can be applied to any touch panel, but the paste is suitable for formation of fine lines, and thus can be suitably used for electrode wiring of a capacitive touch panel. On the other hand, as the substrate constituting the touch panel, it is preferable to use a substrate having a transparent conductive layer such as an ITO film or a silver nanowire film, or a substrate partially removed by etching.

실시예Example

본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위해서 이하에 실시예, 비교예를 들지만, 본 발명은 실시예에 의해 조금도 한정되는 것이 아니다. 한편, 실시예, 비교예에 기재된 각 측정값은 다음의 방법에 의해 측정한 것이다. EXAMPLES In order to further illustrate the present invention, the following examples and comparative examples are given, but the present invention is not limited to these examples at all. On the other hand, the respective measured values described in Examples and Comparative Examples were measured by the following methods.

1. 수 평균 분자량1. Number average molecular weight

시료 수지를, 수지 농도가 0.5 중량% 정도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해하고, 구멍 직경 0.5 ㎛의 폴리사불화에틸렌제 멤브레인 필터로 여과하여, GPC 측정 시료로 하였다. 테트라히드로푸란을 이동상으로 하고, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조의 겔 침투 크로마토그래프(GPC) Prominence를 이용하며, 시차 굴절계(RI계)를 검출기로 하여, 칼럼 온도 30℃, 유량 1 ㎖/분으로 수지 시료의 GPC 측정을 행하였다. 한편, 수 평균 분자량은 표준 폴리스티렌 환산값으로 하고, 분자량 1000 미만에 상당하는 부분을 생략하여 산출하였다. GPC 칼럼은 쇼와 덴꼬(주) 제조의 shodex KF-802, 804L, 806L을 이용하였다.The sample resin was dissolved in tetrahydrofuran so that the resin concentration was about 0.5 wt%, and the solution was filtered with a membrane filter made of polysulfide ethylene having a pore diameter of 0.5 mu m to obtain a GPC measurement sample. (GPC) Prominence manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd., using a differential refractometer (RI system) as a detector, and the resin sample was measured at a column temperature of 30 ° C and a flow rate of 1 ml / min using tetrahydrofuran as a mobile phase, a gel permeation chromatograph Was measured by GPC. On the other hand, the number average molecular weight was calculated in terms of a standard polystyrene conversion value, and a portion corresponding to a molecular weight of less than 1000 was omitted. The GPC column was shodex KF-802, 804L and 806L manufactured by Showa Denko K.K.

2. 유리 전이 온도(Tg)2. Glass transition temperature (Tg)

시료 수지 5 ㎎을 알루미늄제 샘플팬에 넣어 밀봉하고, 세이코 인스트루먼츠(주) 제조의 시차 주사 열량 분석계(DSC) DSC-220을 이용하여, 200℃까지, 승온 속도 20℃/분으로 측정하여, 유리 전이 온도 이하의 베이스라인의 연장선과 전이부에서의 최대 경사를 나타내는 접선과의 교점의 온도로 구하였다. 5 mg of the sample resin was sealed in an aluminum sample pan and measured at a heating rate of 20 占 폚 / min up to 200 占 폚 using a differential scanning calorimeter (DSC) DSC-220 manufactured by Seiko Instruments Inc., And the temperature at the intersection of the extension line of the baseline below the transition temperature and the tangent line indicating the maximum inclination at the transition portion.

3. 페이스트 점도3. Paste viscosity

점도의 측정은 샘플 온도 25℃에 있어서, BH형 점도계(도키 산교사 제조)를 이용하여, 20 rpm에 있어서 측정을 실시하였다.The viscosity was measured at 20 rpm at a sample temperature of 25 캜 using a BH-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

4. 도전성 페이스트의 저장 안정성4. Storage stability of conductive paste

도전성 페이스트를 폴리 용기에 넣고, 마개를 막은 것을 40℃에서 1개월 저장하였다. 저장 후에 점도 측정 및 하기 5. 도전성 적층체 테스트 피스에 의해 제작한 테스트 피스의 평가를 행하였다. The conductive paste was placed in a poly container, and the plug with the plug was stored at 40 占 폚 for one month. Measurement of viscosity after storage and evaluation 5. Test pieces made by the conductive laminate test pieces were evaluated.

○: 현저한 점도 변화는 없고, 초기의 비저항, 연필 경도 및 밀착성을 유지하고 있다.?: No significant change in viscosity, and initial resistivity, pencil hardness and adhesion were maintained.

×: 현저한 점도 상승(초기 점도의 2배 이상) 또는 현저한 점도 저하(초기 점도의 1/2 이하), 및/또는 비저항, 연필 경도 및/또는 밀착성의 저하 중 어느 하나가 보여진다.X: any one of a remarkable increase in viscosity (at least twice the initial viscosity) or a remarkable decrease in viscosity (1/2 or less of the initial viscosity) and / or a decrease in resistivity, pencil hardness and / or adhesion.

5. 도전성 적층체 테스트 피스 1의 작성5. Preparation of conductive laminate test piece 1

두께 100 ㎛의 어닐링 처리를 한 PET 필름(도레이사 제조 루미라 S) 및 ITO막(오이케 고교(주) 제조, KH300), Ag 나노와이어 기재의 각각에, 400 메시의 스테인리스 스크린을 이용해서 스크린 인쇄법에 의해 도전성 페이스트를 인쇄하여, 폭 25 ㎜, 길이 450 ㎜의 빈틈없이 칠한 패턴을 형성하고, 계속해서 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분 가열한 것을 도전성 적층체 테스트 피스로 하였다. 한편, 건조막 두께가 5~10 ㎛가 되도록 인쇄 시의 도포 두께를 조정하였다. A 400 mesh stainless steel screen was used for each of a PET film (Rumira S, manufactured by Doraisha) and an ITO film (KH300, manufactured by Oike Kogyo Co., Ltd.) A conductive paste was printed by a printing method to form a pattern having a width of 25 mm and a length of 450 mm without a clearance and subsequently heated in a hot air circulation type drying furnace at 130 DEG C for 30 minutes to obtain a conductive laminated test piece. On the other hand, the coating thickness at the time of printing was adjusted so that the dry film thickness was 5 to 10 mu m.

5. 도전성 적층체 테스트 피스 2의 작성5. Preparation of conductive laminate test piece 2

ITO막(오이케 고교(주) 제조, KH300), Ag 나노와이어 기재의 각각에, 400 메시의 스테인리스 스크린을 이용하여 스크린 인쇄법에 의해 도전성 페이스트를 도 1과 같이 인쇄하고, 계속해서 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분 가열한 것을 도전성 적층체 테스트 피스 2로 하였다. 한편, 건조막 두께가 5~10 ㎛가 되도록 인쇄 시의 도포 두께를 조정하였다. An electroconductive paste was printed as shown in Fig. 1 by a screen printing method using a stainless steel screen of 400 mesh on each of the Ag nanowire substrate, an ITO film (KH300, manufactured by Oikei Kogyo Co., Ltd.) The conductive laminate test piece 2 was heated in a drying oven at 130 DEG C for 30 minutes. On the other hand, the coating thickness at the time of printing was adjusted so that the dry film thickness was 5 to 10 mu m.

6. 밀착성6. Adhesion

상기 도전성 적층체 테스트 피스 1을 이용하여 JIS K-5400-5-6:1990에 따라, 셀로테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용하여, 박리 시험에 의해 평가하였다. 단, 격자 패턴의 각 방향의 커트수는 11개, 커트 간격은 1 ㎜로 하였다. 100/100은 박리가 없이 밀착성이 양호한 것을 나타내고, 0/100은 모두 박리되어 버린 것을 나타낸다. The conductive laminate test piece 1 was evaluated by a peeling test using Cellotape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) according to JIS K-5400-5-6: 1990. However, the number of cuts in each direction of the lattice pattern was 11, and the cut interval was 1 mm. 100/100 indicates good adhesion without peeling, and 0/100 indicates peeling off.

7. 비저항7. Resistivity

상기 도전성 적층체 테스트 피스 1의 시트 저항과 막 두께를 측정하고, 비저항을 산출하였다. 막 두께는 게이지 스탠드 ST-022(오노 소키사 제조)를 이용하고, PET 필름의 두께를 제로점으로 하여 경화 도막의 두께를 5점 측정하며, 그 평균값을 이용하였다. 시트 저항은 MILLIOHMMETER4338B(HEWLETT PACKARD사 제조)를 이용하여 테스트 피스 4장에 대해 측정하고, 그 평균값을 이용하였다. 한편, 본 밀리옴미터로 검출할 수 있는 범위는 1×10-2 이하(Ω·㎝)이고, 1×10-2(Ω·㎝) 이상의 비저항은 측정 한계 밖이 된다.The sheet resistance and film thickness of the conductive laminate test piece 1 were measured, and the specific resistance was calculated. The film thickness was measured using a gauge stand ST-022 (manufactured by Onoso K.K.), and the thickness of the cured coating film was measured at five points with the thickness of the PET film as zero point, and the average value thereof was used. The sheet resistance was measured for four test pieces by using MILLIOHMMETER4338B (manufactured by HEWLETT PACKARD), and the average value was used. On the other hand, the range that can be detected by the present milliohmmeter is 1 x 10 -2 (Ω · cm) or less, and the resistivity of 1 × 10 -2 (Ω · cm) or more is outside the measurement limit.

8. 연필 경도8. Pencil Hardness

도전성 적층체 테스트 피스 1을 두께 2 ㎜의 SUS304판 상에 놓고, JIS K 5600-5-4:1999에 따라 연필 경도를 측정하였다. The conductive laminate test piece 1 was placed on a SUS304 plate having a thickness of 2 mm and the pencil hardness was measured according to JIS K 5600-5-4: 1999.

9. 접촉 저항9. Contact Resistance

도전성 적층체 테스트 피스 2의 1a-2a 사이, 2a-3a 사이, 1a-3a 사이의 저항값을 측정하고, 하기 식으로부터 접촉 저항값을 산출하였다.The resistance values between 1a-2a, 2a-3a and 1a-3a of the conductive laminate test piece 2 were measured, and the contact resistance was calculated from the following equation.

접촉 저항값=((1a-2a 사이 저항값)+(2a-3a 사이 저항값)-(1a-3a 사이 저항값))/2Contact resistance value = ((resistance between 1a and 2a) + (resistance between 2a and 3a) - (resistance between 1a and 3a) / 2

<초기값><Initial value>

○: 접촉 저항값≤50 Ω○: Contact resistance value ≤50 Ω

×: 접촉 저항값>50 ΩX: Contact resistance value> 50 Ω

<내습열성 시험 후>&Lt; After Humidity Durability Test >

○: 내습열성 시험 후 접촉 저항값/초기 접촉 저항값≤1.2○: Contact resistance value after initial humidification test / initial contact resistance value ≤1.2

×: 내습열성 시험 후 접촉 저항값/초기 접촉 저항값>1.2X: contact resistance value after initial humidification test / initial contact resistance value> 1.2

10. 표면 조도10. Surface roughness

상기 도전성 적층체 테스트 피스 1에 있어서, 표면 조도계(핸디 서프 E-35B, 도쿄 세이미쯔사 제조, JIS-1994에 기초하여 산출)를 이용하여, 표면 거칠기 Ra를 측정하였다. The surface roughness Ra of the conductive laminate test piece 1 was measured using a surface roughness meter (Handy's Surf E-35B, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., based on JIS-1994).

11. 내습열성 시험11. Humidity resistance test

도전성 적층체 테스트 피스 1 및 2를, 80℃에서 300시간 가열하고, 계속해서 85℃, 85% RH(상대 습도)에서 300시간 가열하며, 그 후 24시간 상온에서 방치한 후, 각종 평가를 행하였다. The conductive laminate test pieces 1 and 2 were heated at 80 占 폚 for 300 hours, then heated at 85 占 폚 and 85% RH (relative humidity) for 300 hours, then left at room temperature for 24 hours, Respectively.

12. 레이저 에칭 가공 적성의 평가12. Evaluation of laser etching processing suitability

스크린 인쇄법에 의해, 폴리에스테르 기재(도레이사 제조 루미라 S(두께 100 ㎛)) 상에, 도전성 페이스트를 2.5×10 ㎝의 직사각형으로 인쇄 도포하였다. 스크린판으로서 400 스테인리스 메시(유제(乳劑) 두께 10 ㎛, 선 직경 18 ㎛(무라카미사 제조), 캘린더 가공)를 이용하여, 스퀴지 속도 50 ㎜/s로 인쇄하였다. 인쇄 도포 후, 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분간의 건조를 행하여 도전성 박막을 얻었다. 한편, 막 두께는 5~7 ㎛가 되도록 페이스트를 희석 조정하였다. 계속해서, 상기 방법으로 작성한 도전성 박막에 레이저 에칭 가공을 행하여, 도 1과 같은 길이 50 ㎜의 4개의 직선 부분을 갖는 패턴을 제작하고, 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편으로 하였다. 도 1의 선 사이의 레이저 에칭 가공은, 빔 직경 30 ㎛의 레이저광을 50 ㎛(L/S=20/30 ㎛) 피치로 2회 주사함으로써 행하였다. 레이저 광원에는 YAG 레이저(파장: 1064 ㎚)를 이용하고, 주파수 200 ㎑, 출력 11 W, 주사 속도 3000 ㎜/s로 하였다.A conductive paste was printed and printed in a rectangle of 2.5 x 10 cm on a polyester base material (Rumira S (thickness: 100 mu m) manufactured by Doraisha) by a screen printing method. The screen plate was printed at a squeegee speed of 50 mm / s using a 400 stainless steel mesh (emulsion thickness of 10 mu m, line diameter of 18 mu m (manufactured by Murakami Co., Ltd., calendering)). After the application of printing, drying was performed at 130 캜 for 30 minutes in a hot air circulation type drying furnace to obtain a conductive thin film. On the other hand, the paste was diluted so as to have a film thickness of 5 to 7 mu m. Subsequently, the conductive thin film prepared by the above method was subjected to laser etching to produce a pattern having four linear portions having a length of 50 mm, as shown in Fig. 1, and used as a test piece for evaluation of laser etching process suitability. The laser etching between the lines in Fig. 1 was performed by scanning the laser beam with a beam diameter of 30 mu m at a pitch of 50 mu m (L / S = 20/30 mu m) twice. A YAG laser (wavelength: 1064 nm) was used as the laser light source, and the frequency was 200 kHz, the output was 11 W, and the scanning speed was 3000 mm / s.

평가 항목, 측정 조건은 이하와 같다.The evaluation items and measurement conditions are as follows.

(레이저 에칭 가공폭 평가)(Laser etching processing width evaluation)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 레이저 에칭 후의 은 도막의 선폭을 측정하였다. 측정은, 레이저 현미경(키엔스 VHX-1000)을 이용하여 행하고, 하기의 평가 판단 기준으로 판정하였다. In the above laser etching processability evaluation test piece, the line width of the silver coating after the laser etching was measured. The measurement was carried out using a laser microscope (Keynes VHX-1000), and the evaluation criteria were as follows.

○; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 28~32 ㎛○; The line width of the portion from which the conductive thin film is removed is 28 to 32 탆

△; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 24~27 ㎛ 혹은 33~36 ㎛?; The line width of the portion where the conductive thin film is removed is 24 to 27 占 퐉 or 33 to 36 占 퐉

×; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 23 ㎛ 이하, 혹은 37 ㎛ 이상×; The line width of the portion where the conductive thin film is removed is not more than 23 占 퐉, or not less than 37 占 퐉

(레이저 에칭 가공 적성 평가 1 세선 양단 사이 도통성) (Conductivity Evaluation between Laser Etching and Machining Abrasive Sheets)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 세선의 양단 사이의 도통이 확보되어 있는지에 의해 평가하였다. 구체적으로는, 단자 A1-단자 B1 사이, 단자 A2-단자 B2 사이, 단자 A3-단자 B3 사이, 단자 A4-단자 B4 사이의 각각에 대해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준으로 판정하였다.Evaluation was made as to whether or not conduction between both ends of the fine wire was ensured in the above-described laser etching processability evaluation test piece. Concretely, the presence or absence of conduction is checked by checking the connection between the terminal A1 and the terminal B1, between the terminal A2 and the terminal B2, between the terminal A3 and the terminal B3, and between the terminal A4 and the terminal B4, Respectively.

○; 4개의 세선 모두에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 있다○; There is continuity between both ends of the fine wire for all four fine wires.

△; 4개의 세선 중, 1~3개에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 없다?; There is no conduction between the ends of the fine wire for one to three of the four fine wires.

×; 4개의 세선 모두에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 없다×; There is no continuity between both ends of the fine wire for all four fine wires.

(레이저 에칭 가공 적성 평가 2 인접 세선 사이 절연성) (Evaluation of laser etching process suitability 2 Insulation between adjacent fine wires)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 인접하는 세선 사이의 절연이 확보되어 있는지에 의해 평가하였다. 구체적으로는, 단자 A1-단자 A2 사이, 단자 A2-단자 A3 사이, 단자 A3-단자 A4 사이의 각각에 대해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준으로 판정하였다.In the above laser etching processability evaluation test piece, evaluation was made as to whether or not insulation between adjacent fine lines was ensured. More specifically, the presence or absence of conduction between the terminals A1 and A2, between the terminals A2 and A3, and between the terminals A3 and A4 was checked to determine the following evaluation criteria.

○; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있다○; All adjacent wires are insulated.

△; 일부의 인접 세선 사이가 절연되어 있다?; Some of the adjacent wires are insulated.

×; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있지 않다×; No insulation between all adjacent wires

(도전성 박막이 제거된 부위의 잔사의 평가) (Evaluation of residue of the portion from which the conductive thin film was removed)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 도전성 박막이 제거된 부위를 레이저 현미경으로 관찰하고, 잔사의 부착 유무를 하기 평가 기준에 의해 판정하였다. In the above laser etching processability evaluation test piece, the portion from which the conductive thin film was removed was observed with a laser microscope, and whether or not the residue was attached was judged according to the following evaluation criteria.

○: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 없다. ?: No residue was found in the area where the conductive thin film was removed.

△: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 다소 있다.B: Residual part is present in the area where the conductive thin film is removed.

×: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 많이 보여진다.X: A lot of residue is observed in the area where the conductive thin film is removed.

(레이저 에칭 후의 도전성 박막과 기재의 밀착성의 평가)(Evaluation of adhesion between conductive thin film and substrate after laser etching)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에서의 도전성 박막이 제거된 부위에 끼워져 있는 도전성 박막이 잔존하고 있는 부위의, 기재에 대한 밀착성을, 셀로테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용한 테이프 박리 테스트에 의해 평가하였다. 이 평가는, 시험편 작성의 24시간 후 직후(초기)와, 그 후 또한 85℃, 85% RH(상대 습도)의 습열 환경하에 120시간 정치(靜置)하고, 또한 24시간 상온에서 정치한 후(내습열 시험 후)에 행하였다. The adhesion to the base material of the portion where the conductive thin film remaining in the portion where the conductive thin film was removed in the above-mentioned laser etching processability evaluation test piece was measured with a tape using Cellotape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) And evaluated by a peel test. This evaluation was carried out immediately after 24 hours of the preparation of the test piece (initial stage) and then for 120 hours under a moist heat environment of 85 ° C and 85% RH (relative humidity), and after standing at room temperature for 24 hours (After the wet heat resistance test).

○: 박리가 없다. △: 일부 박리된다. ×: 모두 박리된다.○: No peeling. DELTA: Partially peeled off. X: all peeled off.

실시예 1Example 1

페녹시 수지 PH-1을 고형분 농도가 35 질량%가 되도록 EDGAC에 용해한 용액 2857부(고형분 환산 1000부), 플레이크형 은 분말 1을 8361부, 경화제 1을 100부,레벨링제를 59부, 첨가제 1을 34부, 용제로서 EDGAC를 164부 배합하고, 칠드 3본 롤 혼련기에 2회 통과시켜 분산하였다. 계속해서, 페이스트 여과기(프로테크사 제조 PF320A)에 500 메시(스테인리스 메시 필터(선 직경 25 ㎛, 눈 크기 30 ㎛))의 여과 필터를 부착하여, 상기 페이스트의 여과를 행하였다. 그 후, 얻어진 도전성 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄 후, 130℃×30분간 건조하여, 도전성 박막을 얻었다. 본 도전성 박막을 이용하여 기본 물성을 측정하고, 계속해서, 레이저 에칭 가공의 검토를 행하였다. 페이스트 및 페이스트 도막, 레이저 에칭 가공성의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.2857 parts (1000 parts in terms of solid content) of the phenoxy resin PH-1 dissolved in EDGAC so that the solid concentration was 35 mass%, 8361 parts of Powder 1, 100 parts of Curing agent 1, 59 parts of leveling agent, 1, and 164 parts of EDGAC as a solvent were mixed and dispersed by passing through a chilled three-roll mill kneader twice. Subsequently, a 500-mesh filter (stainless steel mesh filter (wire diameter: 25 mu m, mesh size: 30 mu m)) was attached to a paste filter (PF320A manufactured by ProTek) to filter the paste. Thereafter, the obtained conductive paste was printed in a predetermined pattern and then dried at 130 占 폚 for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Basic conductive properties were measured using this conductive thin film, followed by examination of laser etching. The evaluation results of the paste and paste coating film and laser etching workability are shown in Table 1.

실시예 2~11Examples 2 to 11

도전성 페이스트의 수지 및 배합을 변경하여 실시예 2~12를 실시하였다. 도전성 페이스트의 배합 및 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 실시예에서는 오븐 130℃×30분이라고 하는 비교적 저온이며 또한 단시간의 가열에 의해 양호한 도막 물성을 얻을 수 있었다. 또한 ITO막에 대한 밀착성, 습열 환경 시험 후의 밀착성도 양호하였다.Examples 2 to 12 were conducted by changing the resin and the blend of the conductive paste. The results of blending and evaluation of the conductive paste are shown in Table 1. In the Examples, excellent physical properties of the coating film were obtained by heating at a relatively low temperature of 130 占 폚 for 30 minutes in an oven for a short time. Also, the adhesion to the ITO film and the adhesion after the wet heat environment test were good.

한편, 표 1에 있어서, 바인더 성분, 도전 분말, 첨가제 및 용제는 이하의 것을 이용하였다. In Table 1, the following components were used as the binder component, conductive powder, additive and solvent.

바인더 성분 PH-1: InChem 제조 PKHB(페녹시 수지, 수 평균 분자량 16000, Tg=64℃)Binder component PH-1: manufactured by InChem PKHB (phenoxy resin, number average molecular weight 16000, Tg = 64 DEG C)

바인더 성분 PH-2: InChem 제조 PKHC(페녹시 수지, 수 평균 분자량 21000, Tg=66℃)Binder component PH-2: manufactured by InChem PKHC (phenoxy resin, number average molecular weight 21,000, Tg = 66 DEG C)

바인더 성분 PH-3: InChem 제조 PKHC 변성물(페녹시 수지, 수 평균 분자량 21000, Tg=67℃)Binder component PH-3: InChem manufactured PKHC modified product (phenoxy resin, number average molecular weight 21,000, Tg = 67 캜)

바인더 성분 PH-4: InChem 제조 PKHH(페녹시 수지, 수 평균 분자량 27000, Tg=67℃)Binder component PH-4: manufactured by InChem PKHH (phenoxy resin, number average molecular weight 27000, Tg = 67 ° C)

바인더 성분 PH-5: 신닛테츠 스미킨 가가쿠 제조 YP-50(페녹시 수지, 수 평균 분자량 27000, Tg=65℃)Binder component PH-5: YP-50 (phenoxy resin, number average molecular weight 27000, Tg = 65 캜) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co.,

바인더 성분 PH-6: 신닛테츠 스미킨 가가쿠 제조 YP-70(페녹시 수지, 수 평균 분자량 28000, Tg=60℃)Binder component PH-6: YP-70 (phenoxy resin, number average molecular weight 28,000, Tg = 60 캜) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co.,

바인더 성분 PH-7: 미쓰비시 가가쿠 제조 jER-1010(페녹시 수지, 수 평균 분자량 8000, Tg=55℃)Binder component PH-7: jER-1010 (phenoxy resin, number average molecular weight 8000, Tg = 55 占 폚) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,

바인더 성분 PH-8: 미쓰비시 가가쿠 제조 jER-1002(페녹시 수지, 수 평균 분자량 1000, Tg=54℃)Binder component PH-8: jER-1002 (phenoxy resin, number average molecular weight 1000, Tg = 54 占 폚) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,

바인더 성분 PS-1: 도요보 제조 RV-200(폴리에스테르 수지, 수 평균 분자량 27000, Tg=67℃)Binder component PS-1: RV-200 (polyester resin, number average molecular weight 27,000, Tg = 67 캜) manufactured by Toyobo Co.,

은 분말 1: 응집 분말(D50: 0.5 ㎛)Silver powder 1: agglomerated powder (D50: 0.5 占 퐉)

은 분말 2: 플레이크 은 분말(D50: 1 ㎛)Silver powder 2: flake powder (D50: 1 占 퐉)

케첸 블랙: 라이온(주) 제조 케첸 ECP600JD Ketchen Black: Ketchen ECP600JD manufactured by Lion Corporation

경화제 1: 아사히 가세이 케미컬즈(주) 제조 MF-K60XCuring agent 1: MF-K60X manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.

경화제 2: 박센덴 제조 BI-7960Curing agent 2: BI-7960

경화 촉매: 교도 야쿠힌(주) 제조 KS1260Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.

레벨링제: 교에이샤 가가쿠(주) MK 콩크Leveling agent: Kyoeisha Kagaku Co., Ltd. MK

분산제 1: 빅케미·재팬(주)사 제조 Disperbyk2155Dispersant 1: Disperbyk 2155 manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.

첨가제 1: 닛폰 아에로질(주) 제조 실리카 R972Additive 1: Silica R972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.

첨가제 2: EDGAC에 고형분 20%로 용해한 디메틸올부탄산(닛폰 가세이(주) 제조) Additive 2: dimethylolbutanoic acid (manufactured by Nippon Kasei K.K.) dissolved in EDGAC at a solid content of 20%

첨가제 3: 빅케미·재팬(주)사 제조 BYK-410Additive 3: BYK-410 manufactured by BICKEMI Japan Co., Ltd.

EDGAC: (주)다이셀 제조 에틸디글리콜아세테이트EDGAC: Ethyl diglycol acetate manufactured by Daicel Co.

BMGAC: (주)다이셀 제조 부틸글리콜아세테이트BMGAC: manufactured by Daicel Co. butyl glycol acetate

DBE: 듀폰(주) 제조 아디프산, 숙신산 및 글루타르산의 디메틸에스테르의 혼합물DBE: a mixture of dimethyl ester of adipic acid, succinic acid and glutaric acid manufactured by DuPont Co.

Figure pct00001
Figure pct00001

PH-3의 합성Synthesis of PH-3

교반기, 콘덴서, 온도계를 구비한 반응 용기에 페녹시 수지 PH-2를 400부 투입한 후, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC) 489부를 넣고, 85℃에 있어서 용해하였다. 그 후, 트리멜리트산을 3부 첨가하고, 촉매로서 디메틸아미노피리딘을 0.19부, 디아자비시클로운데센을 0.48부 첨가하여, 85℃에서 4시간 반응시켜 페녹시 수지 PH-3의 용액을 얻었다. 얻어진 페녹시 수지 용액의 고형분 농도는 35 질량%였다. 이와 같이 하여 얻은 수지 용액을 폴리프로필렌 필름 상에 적하하고, 스테인리스강제의 어플리케이터를 이용하여 연신하여, 수지 용액의 박막을 얻었다. 이것을 120℃로 조정한 열풍 건조기 내에 3시간 정치하여 용제를 휘산시키고, 계속해서 폴리프로필렌 필름으로부터 수지 박막을 박리하여, 필름형의 건조 수지 박막을 얻었다. 건조 수지 박막의 두께는 약 30 ㎛였다. 상기 건조 수지 박막을 페녹시 수지 PH-3의 시료 수지로 하고, 각종 수지 물성의 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 400 parts of phenoxy resin PH-2 was added to a reaction vessel equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, and then 489 parts of ethyl diglycol acetate (EDGAC) was added and dissolved at 85 占 폚. Thereafter, 3 parts of trimellitic acid was added, and 0.19 parts of dimethylaminopyridine and 0.48 part of diazabicyclo-decene were added as a catalyst and reacted at 85 ° C for 4 hours to obtain a solution of phenoxy resin PH-3. The solid content concentration of the obtained phenoxy resin solution was 35 mass%. The thus obtained resin solution was dropped on a polypropylene film and stretched using an applicator made of stainless steel to obtain a thin film of the resin solution. This was allowed to stand in a hot-air drier adjusted to 120 DEG C for 3 hours to volatilize the solvent. Subsequently, the resin thin film was peeled off from the polypropylene film to obtain a film-like dry resin thin film. The thickness of the dried resin thin film was about 30 탆. The dried resin thin film was used as a sample resin of phenoxy resin PH-3, and the evaluation results of various resin properties are shown in Table 1.

본 발명의 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트는, 레이저 에칭 가공 적성을 유지하면서, 습열 환경 신뢰성이 우수하고, 도전성 박막으로서의 도막 내구성을 유지할 수 있는 도전성 박막을 제공할 수 있으며, 예컨대, 터치 패널을 탑재하는 휴대 전화, 노트북 컴퓨터, 전자 서적 등에 이용하는 도전성 페이스트로서 유용하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The conductive paste for laser etching of the present invention can provide an electroconductive thin film which is excellent in wet heat environment reliability and can maintain coating film durability as a conductive thin film while maintaining suitability for laser etching processing. Telephone, notebook computer, electronic book, and the like.

1a, 2a, 3a, 4a: 단자 A
1b, 2b, 3b, 4b: 세선 B
1c, 2c, 3c, 4c: 단자 C
1a, 2a, 3a, 4a: terminal A
1b, 2b, 3b, 4b: thin line B
1c, 2c, 3c, 4c: terminal C

Claims (11)

열가소성 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 유기 성분(A), 은 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유기 성분(A) 중에 바인더 수지(a)로서, 페녹시 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. A conductive paste for laser etching comprising an organic component (A), a silver powder (B) and an organic solvent (C) comprising a thermoplastic and / or thermosetting resin is characterized in that as the binder resin (a) , And a phenoxy resin. 제1항에 있어서, 상기 바인더 수지(a)가, 페녹시 수지를 60 중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. The conductive paste for laser etching according to claim 1, wherein the binder resin (a) contains 60% by weight or more of a phenoxy resin. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바인더 수지(a)의 수 평균 분자량이 3,000~100,000인 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. The conductive paste for laser etching according to claim 1 or 2, wherein the binder resin (a) has a number average molecular weight of 3,000 to 100,000. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 페이스트를 여과한 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. The conductive paste for laser etching according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the conductive paste is filtered. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로 형성된 도전성 박막. A conductive thin film formed from the conductive paste for laser etching processing according to any one of claims 1 to 4. 제5항에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체. The conductive laminate according to claim 5, wherein the conductive thin film and the substrate are laminated. 제6항에 있어서, 상기 기재가 투명 도전층을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 적층체. The conductive laminate according to claim 6, wherein the substrate has a transparent conductive layer. 제5항에 기재된 도전성 박막, 또는 제6항 또는 제7항에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로. An electric circuit using the conductive thin film according to claim 5 or the conductive laminate according to claim 6 or 7. 제5항에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저에서 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로. An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film according to claim 5 with a laser beam selected from a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, a fiber laser and a semiconductor laser to remove a part of the conductive thin film. 제9항에 있어서, 상기 도전성 박막이 투명 도전성 층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 회로. The electric circuit according to claim 9, wherein the conductive thin film is formed on the transparent conductive layer. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널.A touch panel comprising the electric circuit according to any one of claims 8 to 10 as a constituent member.
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