KR102324621B1 - Conductive paste for laser etching, conductive thin film and conductive laminate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 종래의 스크린 인쇄법으로는 대응 곤란하다고 생각되고 있는 L/S가 50/50 ㎛ 이하인 고밀도 전극 회로 배선을, 저비용이며 또한 낮은 환경 부하로 제조할 수 있고, 또한 기재의 열 열화를 저감할 수 있는, 레이저 에칭 가공에 적합한 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트를 제공하는 것이다.
상기 과제는, 열가소성 수지로 이루어지는 바인더 수지(A), 금속 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수 평균 분자량이 5,000~60,000이고, 또한, 유리 전이 온도가 60℃ 미만인 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 도전성 박막, 도전성 적층체, 전기 회로 및 터치 패널에 의해 해결된다.
The object of the present invention is that high-density electrode circuit wiring having an L/S of 50/50 µm or less, which is considered difficult to cope with by the conventional screen printing method, can be manufactured at low cost and with low environmental load, and furthermore, thermal deterioration of the substrate To provide a conductive paste for laser etching processing suitable for laser etching processing, which can reduce
The said subject is the electrically conductive paste for laser etching processing containing the binder resin (A) which consists of a thermoplastic resin, a metal powder (B), and an organic solvent (C). WHEREIN: The number average molecular weight of the said binder resin (A) is 5,000- It is solved by a conductive paste for laser etching processing, characterized in that it is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of less than 60° C., a conductive thin film formed using the conductive paste, a conductive laminate, an electric circuit, and a touch panel.

Description

레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 도전성 박막, 도전성 적층체{CONDUCTIVE PASTE FOR LASER ETCHING, CONDUCTIVE THIN FILM AND CONDUCTIVE LAMINATE}Conductive paste for laser etching processing, conductive thin film, and conductive laminate TECHNICAL FIELD

본 발명은 평면 방향의 배치 밀도가 높은 도전성 패턴을 제조할 수 있는 도전성 패턴의 제조 방법 및 이 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트에 관한 것이다. 본 발명의 도전성 패턴은, 전형적으로는 투명 터치 패널의 전극 회로 배선에 이용할 수 있다. The present invention relates to a method for producing an electrically conductive pattern capable of producing an electrically conductive pattern having a high arrangement density in the planar direction, and to a conductive paste that can be suitably used for this production method. The conductive pattern of the present invention can be typically used for electrode circuit wiring of a transparent touch panel.

최근, 휴대 전화나, 노트북 컴퓨터, 전자 서적 등으로 대표되는 투명 터치 패널을 탑재하는 전자 기기의 고성능화와 소형화가 급격히 진행되고 있다. 이들 전자 기기의 고성능화와 소형화에는, 탑재되는 전자 부품의 소형화, 고성능화, 집적도의 향상에 더하여, 이들 전자 부품 상호를 접합하는 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 투명 터치 패널의 방식으로서 전극 회로 배선의 수가 적은 저항막 방식에 더하여, 전극 회로 배선의 수가 비약적으로 많은 정전 용량 방식의 보급이 최근 급속히 진행되고 있으며, 이러한 관점에서 전극 회로 배선의 고밀도화가 강하게 요구되고 있다. 또한, 디스플레이 화면을 보다 크게 하기 위해서, 또한 상품 디자인상의 요구에 의해, 전극 회로 배선이 배치되는 프레임부를 보다 좁게 하고 싶다는 요구가 있으며, 이러한 관점에서도 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 이상과 같은 요구를 만족시키기 위해서, 종래 이상의 전극 회로 배선의 고밀도 배치를 행할 수 있는 기술이 요구되고 있다. In recent years, performance enhancement and miniaturization of electronic devices equipped with transparent touch panels typified by mobile phones, notebook computers, electronic books, and the like are rapidly progressing. In addition to the miniaturization, performance improvement, and improvement of the degree of integration of mounted electronic components, high-density increase of the electrode circuit wiring for bonding these electronic components to each other is calculated|required for performance improvement and miniaturization of these electronic devices. As a transparent touch panel method, in addition to the resistive film method with a small number of electrode circuit wirings, the spread of the electrostatic capacitance method with a dramatically large number of electrode circuit wirings is rapidly progressing in recent years. have. Moreover, in order to enlarge a display screen, and also by a request|requirement on product design, there is a request|requirement to make narrower the frame part in which electrode circuit wiring is arrange|positioned, and high density of electrode circuit wiring is calculated|required also from this viewpoint. In order to satisfy the above request|requirement, the technique which can perform high-density arrangement|positioning of the electrode circuit wiring more than the conventional is calculated|required.

저항막 방식의 투명 터치 패널의 프레임 부분의 전극 회로 배선의 배치 밀도는, 평면 방향의 라인과 스페이스의 폭이 각각 200 ㎛(이하, L/S=200/200 ㎛라는 식으로 약기함) 이상 정도이며, 이것을 도전성 페이스트의 스크린 인쇄에 의해 형성하는 것이 종래부터 행해지고 있다. 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, L/S의 요구는 100/100 ㎛ 정도 이하로 되어 있고, 나아가서는 L/S가 50/50 ㎛ 이하를 요구받는 경우도 있어, 스크린 인쇄에 의한 전극 회로 배선 형성 기술로는 대응 곤란한 상황이 되고 있다. The arrangement density of the electrode circuit wiring in the frame portion of the resistive film type transparent touch panel is about 200 µm or more (hereinafter, abbreviated as L/S=200/200 µm) or more in the width of the line and space in the plane direction. And forming this by screen printing of an electrically conductive paste is performed conventionally. In the capacitive touch panel, the L/S requirement is about 100/100 µm or less, and there are cases where the L/S requirement is 50/50 µm or less, and electrode circuit wiring is formed by screen printing. It is becoming a difficult situation to deal with with technology.

스크린 인쇄를 대신할 전극 회로 배선 형성 기술의 후보의 일례로서, 포토리소그래피법을 들 수 있다. 포토리소그래피법을 이용하면, L/S가 50/50 ㎛ 이하인 세선(細線)을 형성하는 것도 충분히 가능하다. 그러나 포토리소그래피법에도 과제가 있다. 포토리소그래피법의 가장 전형적인 사례는 감광성 레지스트를 이용하는 수법이며, 일반적으로는, 동박층을 형성한 표면 기판의 동박 부위에 감광성 레지스트를 도포하고, 포토마스크 혹은 레이저광의 직접 묘화 등의 방법에 의해 원하는 패턴을 노광하며, 감광성 레지스트의 현상을 행하고, 그 후, 원하는 패턴 이외의 동박 부위를 약품으로 용해·제거함으로써, 동박의 세선 패턴을 형성시킨다. 이 때문에, 폐액 처리에 의한 환경 부하가 크고, 나아가서는 공정이 번잡하여, 생산 효율의 관점, 비용적 관점을 포함하여 많은 과제를 안고 있다. A photolithography method is mentioned as an example of a candidate of the electrode circuit wiring formation technique which will replace screen printing. If the photolithography method is used, it is also fully possible to form the thin wire whose L/S is 50/50 micrometers or less. However, the photolithography method also has a problem. The most typical example of the photolithography method is a method using a photosensitive resist. Generally, the photosensitive resist is applied to a copper foil portion of a surface substrate on which a copper foil layer is formed, and a desired pattern is obtained by a method such as direct drawing with a photomask or laser light. A thin wire pattern of copper foil is formed by exposing to exposure, developing a photosensitive resist, and dissolving and removing copper foil parts other than a desired pattern with a chemical|medical agent after that. For this reason, the environmental load by waste liquid treatment is large, and by extension, a process is complicated, and it has many subjects including a viewpoint of production efficiency and a viewpoint of cost.

포토리소그래피법에는, 감광성 레지스트를 이용하지 않는 방식도 있으며, 예컨대 특허문헌 1, 2에는, 도전성 페이스트를 이용하여 건조 도막(塗膜)을 형성하고, 이것에 레이저광으로 직접 묘화를 행하며, 레이저광이 조사된 부분을 기재에 정착시키고, 미조사 부분을 현상 제거하여, 원하는 패턴을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이러한 방법이면, 일반적인 포토리소그래피법에 비하면, 감광성 레지스트를 이용하고 있지 않은 분만큼, 공정이 간략화되지만, 종래부터 알려져 있는 감광성 레지스트를 이용하는 포토리소그래피법과 마찬가지로 웨트 프로세스의 현상 공정이 필요하기 때문에 현상 폐액 처리의 문제가 있고, 또한 도전성 페이스트의 성분으로서 유리 프릿이나 나노사이즈의 은 분말을 이용하고 있기 때문에 소성 공정에서 400℃ 이상의 고온이 필요하여 많은 에너지가 필요해진다는 문제점이나, 이용할 수 있는 기재가 400℃ 이상의 고온에서의 소성 공정에 견디는 것에 한정된다는 문제점이 있다. 나아가서는 공정이 번잡하여, 생산 효율적으로도 부적당하다고 말하지 않을 수 없다. In the photolithography method, there is also a method in which a photosensitive resist is not used. For example, in Patent Documents 1 and 2, a dry coating film is formed using an electrically conductive paste, and the photolithography method is directly drawn with a laser beam. A technique for forming a desired pattern by fixing the irradiated portion to a substrate and developing and removing the unirradiated portion is disclosed. In this method, compared to the general photolithography method, the process is simplified as much as the photosensitive resist is not used. However, as in the conventionally known photolithography method using a photosensitive resist, a wet process development step is required. In addition, since glass frit or nano-sized silver powder is used as a component of the conductive paste, a high temperature of 400° C. or higher is required in the firing process, which requires a lot of energy, but the available substrate is 400° C. There is a problem in that it is limited to withstand the firing process at the above high temperature. Furthermore, it cannot but be said that the process is complicated and it is inappropriate also in terms of production efficiency.

상기와 같은 상황에 의해, 스크린 인쇄를 대신할 전극 회로 배선 형성 기술의 후보의 일례로서, 특허문헌 3에 기술이 개시되어 있는 레이저 에칭 공법이 최근 주목받고 있다. 레이저 에칭 공법을 이용하면, L/S가 50/50 ㎛ 이하인 세선을 형성하는 것도 충분히 가능하다. 레이저 에칭 공법이란, 바인더 수지와 도전 분체를 포함하는 층(이후 도전성 박막이라고 부름)을 절연성 기재 상에 형성하고, 그 일부를 레이저광 조사에 의해 절연성 기재 상에서 제거하는 공법을 말한다. Under the circumstances described above, as an example of a candidate for the electrode circuit wiring formation technology to replace the screen printing, the laser etching method disclosed in Patent Document 3 is attracting attention in recent years. If the laser etching method is used, it is sufficiently possible to form a thin wire having an L/S of 50/50 µm or less. The laser etching method refers to a method in which a layer (hereinafter referred to as a conductive thin film) containing a binder resin and conductive powder is formed on an insulating substrate, and a part thereof is removed on the insulating substrate by laser light irradiation.

그러나 레이저 에칭법에도 과제가 있다. 레이저광 조사로의 도전성 박막의 제거는 다량의 열이 발생하기 때문에, 도전성 박막 및 기재에 열 열화를 주어 버려, 결과로서 도전성 박막에 필요 불가결한 기재 밀착성이나 전기 특성을 손상시킬 우려가 있다. 열 열화를 억제하는 방법으로서는, 레이저의 에너지를 보다 작게 하는 것이 고려되지만, 에너지가 지나치게 작으면 에칭을 할 수 없고, 세선 사이에 단락이나 버어(burr)가 생겨 버려, 생산 효율적으로도 부적당하다. However, the laser etching method also has a problem. Since a large amount of heat is generated in the removal of the conductive thin film by laser beam irradiation, thermal deterioration is given to the conductive thin film and the substrate, and as a result, there is a fear that the adhesiveness and electrical properties necessary for the conductive thin film may be impaired. As a method of suppressing thermal deterioration, it is considered to make the energy of the laser smaller, but if the energy is too small, etching cannot be performed, short circuits and burrs are formed between the thin wires, which is also unsuitable for production efficiency.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-237573호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2010-237573 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2011-181338호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2011-181338 특허문헌 3: 일본 특허 출원 제2012-161485호Patent Document 3: Japanese Patent Application No. 2012-161485

본 발명의 목적은, 레이저 에칭에 의한 기재 및 도전성 박막의 열 열화를 최소한으로 하기 위해서, 저에너지의 레이저 조건에 있어서도 고밀도 전극 회로 배선을 실현 가능한 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 또한, 이러한 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트를 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of realizing high-density electrode circuit wiring even under low-energy laser conditions in order to minimize thermal deterioration of a substrate and conductive thin film by laser etching. Moreover, it is providing the electrically conductive paste which can be used suitably for such a manufacturing method.

본 발명자들은 평면 방향으로 고밀도로 전극 회로 배선을 배치하는 제조 방법에 대해 예의 검토한 결과, 저에너지에 있어서의 레이저 에칭 공법에 적합한 바인더 수지와 도전 분체를 포함하는 층을 형성하기에 적합한 도전성 페이스트를 발견하였다. 즉, 본원 발명은 이하의 구성으로 이루어지는 것이다. The present inventors have intensively studied a manufacturing method for arranging electrode circuit wiring at high density in a planar direction, and as a result, have found a conductive paste suitable for forming a layer containing a binder resin and conductive powder suitable for a low-energy laser etching method. did. That is, this invention consists of the following structures.

1. 열가소성 수지로 이루어지는 바인더 수지(A), 금속 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수 평균 분자량이 5,000~60,000이고, 또한, 유리 전이 온도가 60℃ 미만인 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 1. A conductive paste for laser etching processing containing a binder resin (A) made of a thermoplastic resin, a metal powder (B) and an organic solvent (C), wherein the binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 Furthermore, it is a thermoplastic resin whose glass transition temperature is less than 60 degreeC, The electrically conductive paste for laser etching processing characterized by the above-mentioned.

2. 상기 바인더 수지(A)가, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 염화비닐 수지 및 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 1.에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 2. The binder resin (A) is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a vinyl chloride resin, and a cellulose derivative resin. Conductive paste for laser etching processing as described in 1..

3. 상기 바인더 수지(A)가, 산가 50 당량/106 g 미만인 것을 특징으로 하는 1. 또는 2.에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 3. The binder resin (A) is 1 or 2. The laser etching processing of a conductive paste according to, characterized in that the acid value is less than 50 eq / 10 6 g.

4. 도전성 페이스트를 여과한 것을 특징으로 하는 1.~3. 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. 4. 1. to 3 characterized in that the conductive paste was filtered. The conductive paste for a laser etching process in any one of them.

5. 상기 1.~4. 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로 형성된 도전성 박막. 5. Above 1.~4. The conductive thin film formed from the electrically conductive paste for laser etching processes in any one of them.

6. 상기 5.에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체. 6. The conductive laminate in which the conductive thin film and the base material of 5. above are laminated|stacked.

7. 상기 기재가 투명 도전성 층을 갖는 것을 특징으로 하는 6.에 기재된 도전성 적층체. 7. The conductive laminate according to 6., wherein the substrate has a transparent conductive layer.

8. 상기 5.에 기재된 도전성 박막, 또는 6. 또는 7.에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로. 8. An electric circuit formed by using the conductive thin film according to 5. or the conductive laminate according to 6. or 7.

9. 상기 5.에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저에서 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로. 9. An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film according to 5. above with a laser beam selected from a carbon dioxide laser, a YAG laser, a fiber laser, and a semiconductor laser, and removing a part of the conductive thin film.

10. 상기 도전성 박막이 투명 도전성 층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 9.에 기재된 전기 회로. 10. The said conductive thin film is formed on the transparent conductive layer, The electric circuit as described in 9. characterized by the above-mentioned.

11. 상기 8.~10. 중 어느 하나에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널. 11. Above 8.~10. A touch panel comprising the electric circuit according to any one of the above as a constituent member.

본 발명의 도전성 페이스트는, 열가소성 수지로 이루어지는 바인더 수지(A), 금속 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 도전성 페이스트에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수 평균 분자량이 5,000~60,000이고, 또한, 유리 전이 온도가 60℃ 미만인 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이며, 이러한 구성을 취함으로써, 저에너지에 있어서의 레이저 에칭 가공 적성이 우수한 도전성 박막을 형성할 수 있다. 한편 여기서, 레이저 에칭 가공 적성이 우수하다는 것은, 레이저 에칭 가공에 의해 도전성 박막의 적어도 일부를 기재로부터 박리시켜, L/S=20/20 ㎛의 세선을 형성시켰을 때에, 1) 세선 양단 사이의 도통이 확보되고, 2) 인접 세선 사이의 절연이 확보되며, 3) 세선 형상이 양호하고, 4) 레이저 에칭 후의 기재 밀착성이 양호한 것의 4 조건을 만족시키는 것을 가리킨다. 또한, 본 발명의 실시양태인 도전성 페이스트를 여과함으로써, 응집된 은 분말에 셰어(shear)를 가하여 풀고 조대 입자를 제거할 수 있기 때문에 에칭 불량 개선의 효과를 발휘한다.The electrically conductive paste of this invention is an electrically conductive paste containing binder resin (A) which consists of a thermoplastic resin, a metal powder (B), and an organic solvent (C). WHEREIN: The said binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000- It is an electrically conductive paste characterized by being a thermoplastic resin whose glass transition temperature is less than 60 degreeC, and it is 60,000, and by taking such a structure, the electrically conductive thin film excellent in the laser etching processability in low energy can be formed. On the other hand, excellent laser etching processing ability means that when at least a part of the conductive thin film is peeled from the base material by laser etching to form a thin wire of L/S = 20/20 µm, 1) Conduction between both ends of the thin wire This is ensured, 2) the insulation between adjacent thin wires is ensured, 3) the thin wire shape is good, and 4) the substrate adhesiveness after laser etching is satisfactory. Further, by filtering the conductive paste, which is an embodiment of the present invention, a shear can be applied to the agglomerated silver powder to unravel, and coarse particles can be removed, thereby exhibiting the effect of improving etching defects.

도 1은 본 발명의 실시예, 비교예에서 이용한 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 레이저광을 조사하는 패턴을 나타낸 모식도이다. 백색 부위에 레이저광이 조사되어, 기재 상에 형성된 도전성 박막이 제거된다. 망점(網點) 부위에는 레이저광이 조사되지 않는다. 도면 중의 치수 표시의 단위는 ㎜이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the pattern which irradiates a laser beam to the laser etching processing aptitude evaluation test piece used by the Example of this invention, and the comparative example. A laser beam is irradiated to a white part, and the conductive thin film formed on the base material is removed. The laser beam is not irradiated to the halftone dots. The unit of the dimension display in the drawing is mm.

<<본 발명의 도전성 페이스트를 구성하는 성분>> <<Components constituting the conductive paste of the present invention>>

본 발명에서의 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트는, 열가소성 수지로 이루어지는 바인더 수지(A), 금속 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수 평균 분자량이 5,000~60,000이고, 유리 전이 온도가 60℃ 미만인 열가소성 수지인 것을 필수 성분으로서 함유한다. The conductive paste for laser etching in the present invention is a conductive paste for laser etching processing containing a binder resin (A) made of a thermoplastic resin, a metal powder (B), and an organic solvent (C), wherein the binder resin (A) is , a number average molecular weight of 5,000 to 60,000, and a glass transition temperature of a thermoplastic resin of less than 60°C, is contained as an essential component.

<바인더 수지(A)><Binder resin (A)>

바인더 수지(A)의 종류는 열가소성 수지이면 특별히 한정되지 않으나, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 페놀 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지, 폴리스티렌, 실리콘 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로, 혹은 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 염화비닐 수지, 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 이들 수지 중에서도, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르 성분을 공중합 성분으로서 함유하는 폴리우레탄 수지(이하 폴리에스테르폴리우레탄 수지라고 부르는 경우가 있음), 에폭시 수지 중 적어도 1종 이상을 이용하는 것이, 바인더 수지(A)로서 보다 바람직하다. The type of binder resin (A) is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin, but polyester resin, epoxy resin, phenoxy resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polycarbonate resin, polyurethane resin, phenol resin, acrylic resin, Polystyrene, styrene-acrylic resin, styrene-butadiene copolymer, phenol resin, polyethylene-based resin, polycarbonate-based resin, phenolic resin, alkyd resin, styrene-acrylic resin, styrene-butadiene copolymer resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin , vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, polystyrene, silicone resin, fluorine-based resin, etc. These resins can be used alone or as a mixture of two or more thereof. It is preferable that it is 1 type or a mixture of 2 or more types selected from the group which consists of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a vinyl chloride resin, and a cellulose derivative resin. In addition, among these resins, it is a binder resin ( As A), it is more preferable.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 폴리에스테르 수지를 이용하는 것의 이점의 하나로서, 분자 설계의 자유도의 높음에 있다. 폴리에스테르 수지를 구성하는 디카르복실산 및 글리콜 성분을 선정하여, 공중합 성분을 자유롭게 변화시킬 수 있고, 또한, 분자쇄 중, 혹은 분자 말단에 대한 작용기의 부여도 용이하다. 이 때문에, 얻어지는 폴리에스테르 수지의 유리 전이 온도나 기재 및 도전성 페이스트에 배합되는 다른 성분과의 친화성 등의 수지의 특성을 적절히 조정할 수 있다. As one of the advantages of using a polyester resin as the binder resin (A) in the present invention, there is a high degree of freedom in molecular design. By selecting the dicarboxylic acid and glycol components constituting the polyester resin, the copolymerization component can be freely changed, and it is easy to provide a functional group in the molecular chain or at the molecular terminal. For this reason, characteristics of resin, such as affinity with the glass transition temperature of the polyester resin obtained, and the other component mix|blended with a base material and an electrically conductive paste, can be adjusted suitably.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지의 공중합 성분으로서 사용할 수 있는 디카르복실산의 예로서는, 테레프탈산, 이소프탈산, 오르토프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 세바신산, 도데칸디카르복실산, 아젤라산 등의 지방족 디카르복실산, 다이머산 등의 탄소수 12~28의 이염기산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 2-메틸헥사히드로무수프탈산, 디카르복시 수소 첨가 비스페놀 A, 디카르복시 수소 첨가 비스페놀 S, 다이머산, 수소 첨가 다이머산, 수소 첨가 나프탈렌디카르복실산, 트리시클로데칸디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산, 히드록시벤조산, 젖산 등의 히드록시카르복실산을 들 수 있다. 또한, 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 등의 3가 이상의 카르복실산, 푸마르산 등의 불포화 디카르복실산 및/또는 5-술포이소프탈산나트륨염 등의 술폰산 금속 염기 함유 디카르복실산을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다. As an example of the dicarboxylic acid which can be used as a copolymerization component of the polyester resin used as binder resin (A) in this invention, Aromatic dicarboxylic acids, such as terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid Aliphatic dicarboxylic acids such as carboxylic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedicarboxylic acid and azelaic acid, dibasic acids having 12 to 28 carbon atoms, such as dimer acid, 1,4-cyclo Hexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 2-methylhexahydrophthalic anhydride Alicyclic dicarboxylic acids, such as phthalic acid, dicarboxy hydrogenated bisphenol A, dicarboxy hydrogenated bisphenol S, dimer acid, hydrogenated dimer acid, hydrogenated naphthalenedicarboxylic acid, and tricyclodecanedicarboxylic acid, hydroxy Hydroxycarboxylic acids, such as benzoic acid and lactic acid, are mentioned. In addition, within the scope not impairing the effects of the invention, trivalent or higher carboxylic acids such as trimellitic anhydride and pyromellitic anhydride, unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid and/or 5-sulfoisophthalate sodium salt, etc. You may use together the sulfonic acid metal base containing dicarboxylic acid as a copolymerization component.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지의 공중합 성분으로서 사용할 수 있는 폴리올의 예로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올 등의 지방족 디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,2-시클로헥산디메탄올, 다이머디올 등의 지환족 디올을 들 수 있다. 또한, 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 글리세린, 펜타에리스리톨, 폴리글리세린 등의 3가 이상의 폴리올을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다. As an example of the polyol which can be used as a copolymerization component of the polyester resin used as binder resin (A) in this invention, ethylene glycol, propylene glycol, 1, 3- propanediol, 1, 4- butanediol, 1, 5-pentane Diol, neopentyl glycol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2,2- Aliphatic diols such as diethyl-1,3-propanediol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol, 1,9-nonanediol, and 1,10-decanediol; 1,4-cyclohexanediol and alicyclic diols such as methanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,2-cyclohexanedimethanol and dimerdiol. Moreover, you may use together as a copolymerization component trivalence or more polyols, such as trimethylolethane, a trimethylol propane, glycerol, pentaerythritol, and polyglycerol, in the range which does not impair the effect of invention.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지는 밀착성이나 병용하는 다른 수지와의 상용성 및 내열충격성 등의 관점에서, 상기 폴리에스테르 수지를 구성하는 전체 산 성분 중 지방족 디카르복실산이 10 몰% 이상 공중합되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 몰% 이상, 더욱 바람직하게는 30 몰% 이상이다. 방향족 디카르복실산 성분의 공중합 비율이 지나치게 높으면, 얻어지는 폴리에스테르 수지의 유리 전이 온도가 60℃ 이상이 되어, 병용하는 수지와의 상용성 악화에 기인하는 보존 안정성의 악화나 레이저 에칭 가공의 직선성의 저하, 얻어지는 도전성 박막의 레이저 에칭 후의 밀착성 저하가 일어날 가능성이 있다. The polyester resin used as the binder resin (A) in the present invention contains an aliphatic dicarboxylic acid among all the acid components constituting the polyester resin from the viewpoints of adhesiveness, compatibility with other resins used in combination, and thermal shock resistance. It is preferable that 10 mol% or more is copolymerized, More preferably, it is 20 mol% or more, More preferably, it is 30 mol% or more. When the copolymerization ratio of an aromatic dicarboxylic acid component is too high, the glass transition temperature of the polyester resin obtained will be 60 degreeC or more, and deterioration of storage stability resulting from compatibility deterioration with the resin used together, and linearity of a laser etching process A fall and the adhesive fall after laser etching of the conductive thin film obtained may arise.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 폴리우레탄 수지를 이용하는 것도 바람직한 실시양태이다. 폴리에스테르 수지의 경우와 마찬가지로, 폴리우레탄 수지에 대해서도, 폴리우레탄 수지를 구성하는 공중합 성분으로서 적절한 성분을 선정하고, 또한, 분자쇄 중, 혹은 분자 말단에 대한 작용기의 부여를 행함으로써, 유리 전이 온도나 기재 및 도전성 페이스트에 배합되는 다른 성분과의 친화성 등의 수지의 특성을 적절히 조정할 수 있다. It is also a preferable embodiment to use a polyurethane resin as binder resin (A) in this invention. As in the case of the polyester resin, also for the polyurethane resin, by selecting an appropriate component as a copolymerization component constituting the polyurethane resin, and imparting a functional group in the molecular chain or at the molecular terminal, the glass transition temperature The properties of the resin, such as affinity with other components to be blended with the base material and the conductive paste, can be appropriately adjusted.

폴리우레탄 수지의 공중합 성분에 대해서도 특별히 한정은 되지 않으나, 설계의 자유도나 내습열성, 내구성의 유지라고 하는 관점에서, 폴리에스테르폴리올을 공중합 성분으로서 이용하는 폴리에스테르폴리우레탄 수지인 것이 바람직하다. 상기 폴리에스테르폴리올의 적합한 예로서는, 전술한 본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용할 수 있는 폴리에스테르 수지 중 폴리올인 것을 들 수 있다.Although there is no limitation in particular also about the copolymerization component of a polyurethane resin, It is preferable that it is a polyester polyurethane resin using a polyester polyol as a copolymerization component from a viewpoint of the maintenance of freedom in design, heat-and-moisture resistance, and durability. As a preferable example of the said polyester polyol, the thing which is a polyol among the polyester resins which can be used as binder resin (A) in this invention mentioned above is mentioned.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리우레탄 수지는, 예컨대 폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻을 수 있다. 상기 폴리우레탄 수지의 공중합 성분으로서 이용할 수 있는 폴리이소시아네이트로서는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 2,6-나프탈렌디이소시아네이트, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디이소시아네이트디페닐에테르, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트 등을 들 수 있고, 방향족 디이소시아네이트, 지방족 디이소시아네이트 및 지환족 디이소시아네이트의 어느 것이어도 좋다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 3가 이상의 이소시아네이트 화합물을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다. The polyurethane resin used as binder resin (A) in this invention can be obtained by reaction of a polyol and polyisocyanate, for example. Examples of the polyisocyanate that can be used as the copolymerization component of the polyurethane resin include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, m- Phenylene diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-biphenylene diisocyanate, 2,6-naphthalene diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-biphenylene diisocyanate, 4,4 '-diphenylene diisocyanate, 4,4'-diisocyanate diphenyl ether, 1,5-naphthalene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene diisocyanate etc. are mentioned, Any of aromatic diisocyanate, aliphatic diisocyanate, and alicyclic diisocyanate may be sufficient. Moreover, you may use together the isocyanate compound more than trivalence as a copolymerization component in the range which does not impair the effect of this invention.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리우레탄 수지에는, 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기를 갖는 화합물을 필요에 따라 공중합할 수 있다. 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기로서는, 수산기 및 아미노기가 바람직하고, 어느 한쪽을 갖는 것이어도 양방을 갖는 것이어도 좋다. 그 구체적인 예로서는, 디메틸올부탄산, 디메틸올프로피온산, 1,2-프로필렌글리콜, 1,2-부틸렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,3-부틸렌글리콜, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 2,2-디메틸-3-히드록시프로필-2',2'-디메틸-3'-히드록시프로파네이트, 2-노르말부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 3-에틸-1,5-펜탄디올, 3-프로필-1,5-펜탄디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 3-옥틸-1,5-펜탄디올, 3-페닐-1,5-펜탄디올, 2,5-디메틸-3-나트륨술포-2,5-헥산디올, 다이머디올(예컨대, 유니케마·인터내셔널사 제조 PRIPOOL-2033) 등의 1분자 중에 2개의 수산기를 갖는 화합물, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 글리세린, 펜타에리스리톨, 폴리글리세린 등의 1분자 중에 3개 이상의 수산기를 갖는 알코올, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 1분자에 1개 이상의 수산기와 아미노기를 갖는 아미노알코올, 에틸렌디아민, 1,6-헥산디아민, 1,8-옥탄디아민, 1,9-노난디아민, 1,10-데칸디아민, 1,11-운데칸디아민, 1,12-도데칸디아민 등의 지방족 디아민이나 메타크실렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르 등의 방향족 디아민 등의 1분자 중에 2개의 아미노기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기한 수 평균 분자량 1,000 미만의 1분자에 2개 이상의 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기를 갖는 화합물은 단독으로 이용해도 좋고 복수를 병용해도 아무런 문제는 없다. In the polyurethane resin used as the binder resin (A) in the present invention, a compound having a functional group capable of reacting with isocyanate can be copolymerized as needed. As a functional group which can react with isocyanate, a hydroxyl group and an amino group are preferable, and it may have either one or both. Specific examples thereof include dimethylol butanoic acid, dimethylol propionic acid, 1,2-propylene glycol, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,3-butylene glycol, and 2,2-dimethyl-1. ,3-propanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, 2,2-dimethyl-3 -Hydroxypropyl-2',2'-dimethyl-3'-hydroxypropanate, 2-normalbutyl-2-ethyl-1,3-propanediol, 3-ethyl-1,5-pentanediol, 3 -Propyl-1,5-pentanediol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 3-octyl-1,5-pentanediol, 3-phenyl-1,5-pentanediol, 2,5- Compounds having two hydroxyl groups in one molecule, such as dimethyl-3-sodium sulfo-2,5-hexanediol and dimerdiol (eg PRIPOOL-2033 manufactured by Unichema International), trimethylolethane, trimethylolpropane, glycerin , pentaerythritol, polyglycerin, etc. alcohols having three or more hydroxyl groups in one molecule, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, etc., amino alcohols having one or more hydroxyl groups and amino groups in one molecule, ethylenediamine, 1, aliphatic diamines such as 6-hexanediamine, 1,8-octanediamine, 1,9-nonanediamine, 1,10-decanediamine, 1,11-undecanediamine, and 1,12-dodecanediamine; and compounds having two amino groups in one molecule, such as aromatic diamines such as 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenyl ether, and 4,4'-diaminodiphenyl ether. have. The compound having a functional group capable of reacting with two or more isocyanates in one molecule having a number average molecular weight of less than 1,000 described above may be used alone or in combination, without any problem.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 에폭시 수지는, 예컨대, 비스페놀 A 글리시딜에테르, 비스페놀 S 글리시딜에테르, 노볼락글리시딜에테르, 브롬화비스 등의 글리시딜에테르 타입, 헥사히드로프탈산글리시딜에스테르, 다이머산글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 타입, 트리글리시딜이소시아누레이트, 혹은 3,4-에폭시시클로헥실메틸카르복실레이트, 에폭시화폴리부타디엔, 에폭시화대두유 등의 지환족 혹은 지방족 에폭사이드 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 이용해도 2종 이상을 병용해도 상관없다. 이 중 도막의 내구성의 관점에서, 비스페놀 A 글리시딜에테르가 바람직하고, 1분자 중에 글리시딜에테르기를 2개 이상 갖는 것이 더욱 바람직하다. The epoxy resin used as the binder resin (A) in the present invention is, for example, a glycidyl ether type such as bisphenol A glycidyl ether, bisphenol S glycidyl ether, novolac glycidyl ether, bisbromide, hexa Glycidyl ester types such as hydrophthalic acid glycidyl ester and dimer acid glycidyl ester, triglycidyl isocyanurate, or 3,4-epoxycyclohexylmethyl carboxylate, epoxidized polybutadiene, epoxidized soybean oil Alicyclic or aliphatic epoxides, such as these, are mentioned, Even if used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together, it is not cared about. Among these, from a viewpoint of durability of a coating film, bisphenol A glycidyl ether is preferable, and it is more preferable to have two or more glycidyl ether groups in 1 molecule.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 수 평균 분자량은 특별히 한정은 되지 않으나, 수 평균 분자량이 5,000~60,000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000~40000이다. 수 평균 분자량이 지나치게 낮으면, 형성된 도전성 박막의 내구성, 내습열성의 면에서 바람직하지 않다. 한편, 수 평균 분자량이 지나치게 높으면, 수지의 응집력이 증가하여, 도전성 박막으로서의 내구성 등은 향상되지만, 레이저 에칭 가공 적성이 현저히 악화된다.Although limitation in particular is not carried out as for the number average molecular weight of binder resin (A) in this invention, It is preferable that number average molecular weights are 5,000-60,000, More preferably, it is 10000-40000. When the number average molecular weight is too low, it is unpreferable from the point of durability of the formed conductive thin film, and heat-and-moisture resistance. On the other hand, when the number average molecular weight is too high, the cohesive force of resin will increase and durability etc. as a conductive thin film will improve, but laser etching processability deteriorates remarkably.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 유리 전이 온도는 60℃ 미만인 것이 바람직하고, 30℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 15℃ 이하이다. 보다 저 유리 전이 온도로 하는 것은, 은 도막의 표면 평활성을 높여, 레이저 에칭 후의 세선의 샤프성을 향상시키는 효과가 있다. 또한 은 도막이 보다 점착질이 되기 때문에, 결과로서 높은 기재 밀착성을 실현할 수 있다. 한편, 바인더 수지(A)의 유리 전이 온도의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 통상 -20℃ 이상 정도이다.It is preferable that it is less than 60 degreeC, and, as for the glass transition temperature of binder resin (A) in this invention, it is more preferable that it is 30 degrees C or less. More preferably, it is 15 degrees C or less. Setting it to a lower glass transition temperature has the effect of improving the surface smoothness of a silver coating film, and improving the sharpness of the thin wire|wire after laser etching. Moreover, since a silver coating film becomes more tacky, high base material adhesiveness can be implement|achieved as a result. On the other hand, although the lower limit of the glass transition temperature of binder resin (A) is not specifically limited, Usually, it is about -20 degreeC or more.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 산가는 특별히 한정되지 않으나, 산가가 지나치게 높으면, 형성되는 도전성 박막의 흡수성이 높아지는 데다가, 카르복실기에 의한 촉매 작용에 의해 바인더 수지의 가수분해가 촉진될 가능성이 있어, 도전성 박막의 신뢰성의 저하로 이어질 가능성이 있다. 가수분해는 유리 전이 온도가 낮은 쪽이 보다 현저하여, 본원의 유리 전이 온도는 가수분해의 관점에서 보면 불리하다. 그래서 바인더 수지(A)의 산가를 저산가, 바람직하게는 50 eq/ton 미만, 보다 바람직하게는 30 eq/ton 이하로 함으로써, 도전성 박막의 고신뢰성과 레이저 에칭의 직선성 및 밀착성을 겸비하는 도전성 페이스트를 실현하기에 이르렀다.Although the acid value of the binder resin (A) in the present invention is not particularly limited, if the acid value is too high, the water absorption of the conductive thin film to be formed increases, and there is a possibility that hydrolysis of the binder resin may be accelerated by the catalytic action of the carboxyl group. , which may lead to a decrease in the reliability of the conductive thin film. The lower the glass transition temperature is more pronounced for hydrolysis, and the glass transition temperature of the present application is disadvantageous from the viewpoint of hydrolysis. Therefore, by setting the acid value of the binder resin (A) to a low acid value, preferably less than 50 eq/ton, more preferably 30 eq/ton or less, a conductive paste having high reliability of a conductive thin film and linearity and adhesiveness of laser etching came to realization.

<금속 분말(B)><Metal powder (B)>

본 발명에 이용되는 금속 분말(B)로서는, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 팔라듐 분말 등의 귀금속 분말, 구리 분말, 니켈 분말, 알루미늄 분말, 놋쇠 분말 등의 비금속 분말, 은 등의 귀금속으로 도금 또는 합금화한 비금속 분말 등, 예컨대 은 코트 구리 분말을 들 수 있다. 이들 금속 분말은, 단독으로 이용해도 좋고, 또한, 병용해도 좋다. 이들 중에서도 도전성, 안정성, 비용 등을 고려하면 은 분말 단독 또는 은 분말을 주체로 하는 것이 바람직하다.As metal powder (B) used in this invention, noble metal powders, such as silver powder, gold powder, platinum powder, palladium powder, non-metal powders, such as copper powder, nickel powder, aluminum powder, brass powder, Plating with noble metals, such as silver Or alloyed non-metal powder etc., for example, silver-coated copper powder is mentioned. These metal powders may be used independently and may be used together. Among these, when considering electroconductivity, stability, cost, etc., it is preferable to have silver powder alone or silver powder mainly.

본 발명에 이용되는 금속 분말(B)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 알려져 있는 금속 분말의 형상의 예로서는, 플레이크형(인편(鱗片)형), 구형, 나뭇가지형(덴드라이트형), 일본 특허 공개 평성 제9-306240호 공보에 기재되어 있는 구형의 1차 입자가 3차원형으로 응집한 형상(응집형) 등이 있고, 레이저 에칭성의 관점에서 이들 중에서, 구형, 응집형 및 플레이크형의 금속 분말을 이용하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 플레이크형, 구형이다. The shape of the metal powder (B) used for this invention is not specifically limited. As an example of the shape of the metal powder known conventionally, flake shape (scale shape), spherical shape, branch shape (dendrite type), spherical primary described in Japanese Patent Laid-Open No. 9-306240 There is a shape in which the particles are aggregated in a three-dimensional form (agglomerated type), etc., among them, from the viewpoint of laser etching property, it is preferable to use a spherical, agglomerated and flake-shaped metal powder, and more preferably a flake-like or spherical shape. .

본 발명에 이용되는 금속 분말(B)의 중심 직경(D50)은 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 중심 직경이 4 ㎛ 이하인 금속 분말(B)을 이용함으로써, 레이저 에칭 가공 부위의 세선 형상이 양호해지는 경향이 있다. 중심 직경이 4 ㎛보다 큰 금속 분말을 이용한 경우에는, 레이저 에칭 가공 후의 세선 형상이 나빠지고, 결과로서 세선끼리가 접촉을 일으켜, 단락을 초래할 가능성이 있다. 나아가서는, 레이저 에칭 가공으로, 일단 박리·제거한 도전성 박막이 재차 가공 부위에 부착될 가능성이 있다. 금속 분말(B)의 중심 직경의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 비용적 관점 및 입자 직경이 미세해지면 응집되기 쉽고, 결과로서 분산이 곤란해지기 때문에 중심 직경은 80 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 중심 직경이 80 ㎚보다 작아지면, 금속 분말의 응집력이 증가하여, 레이저 에칭 가공 적성이 악화되는 것 외에, 비용적 관점에서도 바람직하지 않다.It is preferable that the center diameter (D50) of the metal powder (B) used for this invention is 4 micrometers or less. By using the metal powder (B) with a central diameter of 4 micrometers or less, there exists a tendency for the fine wire shape of a laser etching process site|part to become favorable. When a metal powder with a center diameter larger than 4 micrometers is used, the shape of the thin wire after a laser etching process worsens, as a result, the thin wire raise|generates contact and may cause a short circuit. Furthermore, by a laser etching process, the electrically conductive thin film which peeled and removed once may adhere to a process site|part again. The lower limit of the central diameter of the metal powder (B) is not particularly limited, but from the viewpoint of cost and when the particle diameter becomes fine, agglomeration tends to occur, and dispersion becomes difficult as a result. Therefore, the central diameter is preferably 80 nm or more. When the central diameter is smaller than 80 nm, the cohesive force of the metal powder increases and laser etching processing aptitude deteriorates, and it is also undesirable from the viewpoint of cost.

한편, 중심 직경(D50)이란, 어떠한 측정 방법에 의해 얻어진 누적 분포 곡선(체적)에 있어서, 그 누적값이 50%가 되는 입자 직경(㎛)을 말한다. 본 발명에서는, 누적 분포 곡선을 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(니키소(주) 제조, MICROTRAC HRA)를 이용하여 전반사 모드로 측정하는 것으로 한다. On the other hand, in the cumulative distribution curve (volume) obtained by a certain measuring method, the central diameter (D50) means the particle diameter (micrometer) at which the cumulative value becomes 50%. In the present invention, the cumulative distribution curve is measured in total reflection mode using a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer (manufactured by Nikiso Co., Ltd., MICROTRAC HRA).

금속 분말(B)의 함유량은, 형성된 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점에서, 열가소성 수지(A) 100 질량부에 대해, 400 질량부 이상이 바람직하고, 560 질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, (B) 성분의 함유량은, 기재와의 밀착성에 있어서 양호하다는 관점에서, 열가소성 수지(A) 100 질량부에 대해, 1,900 질량부 이하가 바람직하고, 1,230 질량부 이하가 보다 바람직하다. From a viewpoint that the electroconductivity of the formed conductive thin film is favorable, 400 mass parts or more are preferable with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins (A), and, as for content of a metal powder (B), 560 mass parts or more are more preferable. Moreover, from a viewpoint of being favorable in adhesiveness with a base material, 1,900 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins (A), and, as for content of (B) component, 1,230 mass parts or less is more preferable.

<유기 용제(C)><Organic solvent (C)>

본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)는, 특별히 한정되지 않으나, 유기 용제의 휘발 속도를 적절한 범위로 유지하는 관점에서, 비점이 100℃ 이상, 300℃ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 비점이 150℃ 이상, 280℃ 미만이다. 본 발명의 도전성 페이스트는, 전형적으로는 열가소성 수지(A), 금속 분말(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 외의 성분을 3본 롤밀 등으로 분산하여 제작하는데, 그 때에 유기 용제의 비점이 지나치게 낮으면, 분산 중에 용제가 휘발하여, 도전성 페이스트를 구성하는 성분비가 변화할 우려가 있다. 한편, 유기 용제의 비점이 지나치게 높으면, 건조 조건에 따라서는 용제가 도막 중에 다량으로 잔존할 가능성이 있어, 도막의 신뢰성 저하를 야기할 우려가 있다.Although the organic solvent (C) which can be used for this invention is not specifically limited, From a viewpoint of maintaining the volatilization rate of an organic solvent in an appropriate range, it is preferable that a boiling point is 100 degreeC or more and less than 300 degreeC, More preferably, a boiling point It is 150 degreeC or more and less than 280 degreeC. The conductive paste of the present invention is typically produced by dispersing the thermoplastic resin (A), the metal powder (B), the organic solvent (C) and, if necessary, other components with a three roll mill or the like, in which case the organic solvent is When a boiling point is too low, a solvent may volatilize during dispersion|distribution, and there exists a possibility that the component ratio which comprises an electrically conductive paste may change. On the other hand, when the boiling point of the organic solvent is too high, there is a possibility that a solvent may remain|survive in a coating film in large quantity depending on drying conditions, and there exists a possibility of causing the reliability fall of a coating film.

또한, 본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)로서는, 열가소성 수지(A)가 가용이고, 또한, 금속 분말(B)을 양호하게 분산시킬 수 있는 것이 바람직하다. 구체예로서는, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC), 부틸글리콜아세테이트(BMGAC), 부틸디글리콜아세테이트(BDGAC), 시클로헥사논, 톨루엔, 이소포론, γ-부티로락톤, 벤질알코올, 엑손 가가쿠 제조의 솔베소(Solvesso) 100, 150, 200, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아디프산, 숙신산 및 글루타르산의 디메틸에스테르의 혼합물(예컨대, 듀폰(주)사 제조 DBE), 테르피네올 등을 들 수 있으나, 이들 중에서, 열가소성 수지(A)의 배합 성분의 용해성이 우수하고, 연속 인쇄 시의 용제 휘발성이 적당하여 스크린 인쇄법 등에 의한 인쇄에 대한 적성이 양호하다는 관점에서, EDGAC, BMGAC, BDGAC 및 이들의 혼합 용제가 바람직하다. Moreover, as an organic solvent (C) which can be used for this invention, a thermoplastic resin (A) is soluble, and what can disperse|distribute a metal powder (B) favorably is preferable. Specific examples include ethyl diglycol acetate (EDGAC), butyl glycol acetate (BMGAC), butyl diglycol acetate (BDGAC), cyclohexanone, toluene, isophorone, γ-butyrolactone, benzyl alcohol, Solve manufactured by Exxon Chemical. Solvesso 100, 150, 200, propylene glycol monomethyl ether acetate, adipic acid, a mixture of succinic acid and dimethyl ester of glutaric acid (for example, DBE manufactured by DuPont Co., Ltd.), terpineol, etc. can be mentioned. However, among them, EDGAC, BMGAC, BDGAC and these A mixed solvent of

유기 용제(C)의 함유량으로서는, 페이스트 전체 중량 100 중량부에 대해 5 중량부 이상, 40 중량부 이하인 것이 바람직하고, 10 중량부 이상, 35 중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 높으면 페이스트 점도가 지나치게 낮아져, 세선 인쇄 시에 늘어짐을 발생시키기 쉬워지는 경향이 있다. 한편 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 낮으면, 페이스트로서의 점도가 매우 높아져, 도전성 박막을 형성시킬 때의 예컨대 스크린 인쇄성이 현저히 저하되는 것 외에, 형성된 도전성 박막의 막 두께가 두꺼워져, 레이저 에칭 가공성이 저하되는 경우가 있다. The content of the organic solvent (C) is preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, more preferably 10 parts by weight or more and 35 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the total weight of the paste. When content of the organic solvent (C) is too high, there exists a tendency for a paste viscosity to become low too much, and to become easy to produce sagging at the time of fine wire printing. On the other hand, when the content of the organic solvent (C) is too low, the viscosity as a paste becomes very high, for example, screen printability at the time of forming a conductive thin film remarkably falls, and the film thickness of the formed conductive thin film becomes thick, and laser etching Processability may fall.

<레이저광 흡수제(D)> <Laser light absorber (D)>

본 발명의 도전성 페이스트에는, 레이저광 흡수제(D)를 배합해도 좋다. 여기서 레이저광 흡수제(D)란, 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 첨가제를 말하며, 레이저광 흡수제(D) 자신은 도전성이어도 비도전성이어도 좋다. 예컨대, 기본파의 파장이 1064 ㎚인 YAG 레이저를 광원으로서 이용하는 경우에는, 파장 1064 ㎚에 강한 흡수를 갖는 염료 및/또는 안료를, 레이저광 흡수제(D)로서 이용할 수 있다. 레이저광 흡수제(D)를 배합함으로써, 본 발명의 도전성 박막은 레이저광을 고효율로 흡수하여, 발열에 의한 바인더 수지(A)의 휘산이나 열분해가 촉진되고, 그 결과 레이저 에칭 가공 적성이 향상된다. You may mix|blend a laser beam absorber (D) with the electrically conductive paste of this invention. Here, the laser light absorber (D) refers to an additive having strong absorption in the wavelength of the laser light, and the laser light absorber (D) itself may be conductive or non-conductive. For example, when a YAG laser having a fundamental wave wavelength of 1064 nm is used as a light source, a dye and/or pigment having strong absorption at a wavelength of 1064 nm can be used as the laser light absorber (D). By mix|blending a laser beam absorber (D), the conductive thin film of this invention absorbs a laser beam with high efficiency, volatilization and thermal decomposition of the binder resin (A) by heat_generation|fever are accelerated|stimulated, As a result, laser etching processability improves.

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 도전성을 갖는 것의 예로서는, 카본 블랙, 그래파이트 분말 등의 탄소계의 필러를 들 수 있다. 탄소계의 필러의 배합은, 본 발명의 도전성 박막 도전성을 높이는 효과도 있으나, 예컨대 카본 블랙은 1060 ㎚ 근방에 흡수 파장을 갖고 있기 때문에, YAG 레이저, 파이버 레이저 등의 1064 ㎚의 파장의 레이저광을 조사하면 도전성 박막이 레이저광을 고효율로 흡수하기 때문에 레이저광 조사에 대한 감도가 높아져, 레이저 조사의 주사 속도를 올린 경우 및/또는 레이저 광원이 저출력인 경우에 있어서도 양호한 레이저 에칭 가공 적성이 얻어진다는 효과를 기대할 수 있다. 상기 탄소계 필러의 함유량으로서는 금속 분말(B) 100 중량부에 대해, 0.1~5 중량부인 것이 바람직하고, 0.3~2 중량부인 것이 보다 바람직하다. 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 도전성을 높이는 효과 및 레이저광 조사에 대한 감도를 올리는 효과가 작다. 한편 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하되는 경향이 있고, 또한, 카본의 공극 부위에 수지가 흡착하여, 기재와의 밀착성이 저하된다는 문제점이 발생하는 경우도 있다. Among the laser light absorbers (D) that can be used in the present invention, examples of the conductive ones include carbon-based fillers such as carbon black and graphite powder. The carbon-based filler has an effect of increasing the conductivity of the conductive thin film of the present invention. For example, since carbon black has an absorption wavelength in the vicinity of 1060 nm, laser light having a wavelength of 1064 nm, such as a YAG laser or a fiber laser, can be used. When irradiated, since the conductive thin film absorbs laser light with high efficiency, the sensitivity to laser light irradiation increases, and the effect that good laser etching processing aptitude is obtained even when the scanning speed of laser irradiation is increased and/or when the laser light source is low power can be expected As content of the said carbon-type filler, it is preferable that it is 0.1-5 weight part with respect to 100 weight part of metal powder (B), It is more preferable that it is 0.3-2 weight part. When the blending ratio of the carbon-based filler is too low, the effect of increasing the conductivity and the effect of increasing the sensitivity to laser beam irradiation are small. On the other hand, when the blending ratio of the carbon-based filler is too high, the conductivity of the conductive thin film tends to decrease, and the resin adsorbs to the voids of the carbon, resulting in a problem in that the adhesion to the substrate decreases. .

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 비도전성인 것의 예로서는, 종래 공지의 염료, 안료 및 적외선 흡수제를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 아조 염료, 금속 착염 아조 염료, 피라졸론 아조 염료, 나프토퀴논 염료, 안트라퀴논 염료, 프탈로시아닌 염료, 카르보늄 염료, 퀴논이민 염료, 메틴 염료, 시아닌 염료, 스쿠아릴륨 색소, 피릴륨염, 금속 티오레이트 착체 등의 염료, 안료로서는, 흑색 안료, 황색 안료, 오렌지색 안료, 갈색 안료, 적색 안료, 보라색 안료, 청색 안료, 녹색 안료, 형광 안료, 금속 분말 안료, 그 외, 폴리머 결합 색소를 들 수 있다. 구체적으로는, 불용성 아조 안료, 아조 레이크 안료, 축합 아조 안료, 킬레이트 아조 안료, 프탈로시아닌계 안료, 안트라퀴논계 안료, 페릴렌 및 페리논계 안료, 티오인디고계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 디옥사진계 안료, 이소인돌리논계 안료, 퀴노프탈론계 안료, 염색 레이크 안료, 아진 안료, 니트로소 안료, 니트로 안료, 천연 안료, 형광 안료, 무기 안료를 사용할 수 있다. 적외선 흡수제의 예로서는 디이모늄염 타입의 적외선 흡수제인 NIR-IM1, 아미늄염 타입의 NIR-AM1(모두 나가세 켐텍스사 제조)을 들 수 있다. 이들 비도전성의 레이저광 흡수제(D)는 0.01~5 중량부, 바람직하게는 0.1~2 중량부 포함하는 것이 바람직하다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 레이저광 조사에 대한 감도를 올리는 효과가 작다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하될 우려가 있고, 또한 레이저광 흡수제의 색조가 현저해져, 용도에 따라서는 바람직하지 않은 경우가 있다. Among the laser light absorbers (D) that can be used in the present invention, examples of non-conductive ones include conventionally known dyes, pigments, and infrared absorbers. More specifically, azo dyes, metal complex salts azo dyes, pyrazolone azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, pyryl As dyes and pigments such as lithium salts and metal thiolate complexes, black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, other polymer-bound pigments can be heard Specifically, insoluble azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, It is possible to use isoindolinone pigments, quinophthalone pigments, dyed lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments, and inorganic pigments. Examples of the infrared absorber include NIR-IM1, which is a dimonium salt type infrared absorber, and NIR-AM1, which is an aminium salt type, manufactured by Nagase Chemtex. These non-conductive laser-beam absorbers (D) are 0.01-5 weight part, It is preferable to contain 0.1-2 weight part preferably. When the compounding ratio of a nonelectroconductive laser beam absorber (D) is too low, the effect of raising the sensitivity with respect to laser beam irradiation is small. When the blending ratio of the non-conductive laser light absorber (D) is too high, there is a fear that the conductivity of the conductive thin film decreases, and the color tone of the laser light absorber becomes remarkable, which is not preferable depending on the use.

본 발명의 도전성 페이스트에는, 하기의 무기물을 첨가할 수 있다. 무기물로서는, 탄화규소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화지르코늄, 탄화하프늄, 탄화바나듐, 탄화탄탈, 탄화니오븀, 탄화텅스텐, 탄화크롬, 탄화몰리브덴, 탄화칼슘, 다이아몬드카본락탐 등의 각종 탄화물; 질화붕소, 질화티탄, 질화지르코늄 등의 각종 질화물, 붕화지르코늄 등의 각종 붕화물; 산화티탄(티타니아), 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화아연, 산화구리, 산화알루미늄, 실리카, 흄드 실리카(예컨대 닛폰 아에로질사 제조의 아에로질(AEROSIL)), 콜로이달실리카 등의 각종 산화물; 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산스트론튬 등의 각종 티탄산 화합물; 이황화몰리브덴 등의 황화물; 불화마그네슘, 불화탄소 등의 각종 불화물; 스테아르산알루미늄, 스테아르산칼슘, 스테아르산아연, 스테아르산마그네슘 등의 각종 금속 비누; 그 외, 활석, 벤토나이트, 탤크, 탄산칼슘, 카올린, 유리 섬유, 운모 등을 이용할 수 있다. 이들 무기물을 첨가함으로써, 인쇄성이나 내열성, 나아가서는 기계적 특성이나 장기 내구성을 향상시키는 것이 가능해지는 경우가 있다. 그 중에서도, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서는, 내구성, 인쇄 적성, 특히 스크린 인쇄 적성을 부여한다는 관점에서 흄드 실리카가 바람직하다. The following inorganic substance can be added to the electrically conductive paste of this invention. Examples of the inorganic substance include various carbides such as silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, tungsten carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, calcium carbide, and diamond carbon lactam; various nitrides such as boron nitride, titanium nitride, and zirconium nitride, and various borides such as zirconium boride; Various oxides, such as titanium oxide (titania), calcium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, copper oxide, aluminum oxide, silica, fumed silica (For example, Nippon Aerosil Co., Ltd. AEROSIL), colloidal silica, etc. ; various titanic acid compounds such as calcium titanate, magnesium titanate, and strontium titanate; sulfides such as molybdenum disulfide; various fluorides such as magnesium fluoride and carbon fluorocarbon; various metal soaps such as aluminum stearate, calcium stearate, zinc stearate, and magnesium stearate; In addition, talc, bentonite, talc, calcium carbonate, kaolin, glass fiber, mica, etc. can be used. By adding these inorganic substances, it may become possible to improve printability, heat resistance, and also mechanical properties and long-term durability. Especially, in the electrically conductive paste of this invention, a fumed silica is preferable from a viewpoint of providing durability, printability, especially screen printing ability.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트에는, 틱소성 부여제, 소포제, 난연제, 점착 부여제, 가수분해 방지제, 레벨링제, 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 안료, 염료를 배합할 수 있다. 나아가서는 수지 분해 억제제로서 카르보디이미드, 에폭시 등을 적절히 배합할 수도 있다. 이들은 단독으로 혹은 병용하여 이용할 수 있다. In addition, a thixotropic agent, an antifoaming agent, a flame retardant, a tackifier, a hydrolysis inhibitor, a leveling agent, a plasticizer, antioxidant, a ultraviolet absorber, a pigment, and dye can be mix|blended with the electrically conductive paste of this invention. Furthermore, a carbodiimide, an epoxy, etc. can also be mix|blended suitably as a resin degradation inhibitor. These can be used individually or in combination.

<경화제(E)><curing agent (E)>

본 발명의 도전성 페이스트에는, 바인더 수지(A)와 반응할 수 있는 경화제를, 본 발명의 효과를 손상시키지 않을 정도로 배합해도 좋다. 경화제를 배합함으로써, 경화 온도가 높아지고, 생산 공정의 부하가 증가할 가능성은 있으나, 도막 건조 시 혹은 레이저 에칭 시에 발생하는 열에 의한 가교에 의해 도막의 내습열성의 향상을 기대할 수 있다. You may mix|blend the binder resin (A) and the hardening|curing agent which can react with the electrically conductive paste of this invention to such an extent that the effect of this invention is not impaired. By blending the curing agent, there is a possibility that the curing temperature will increase and the load on the production process may increase.

본 발명의 바인더 수지(A)에 반응할 수 있는 경화제는, 종류는 한정하지 않으나 밀착성, 내굴곡성, 경화성 등으로부터 이소시아네이트 화합물 및/또는 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 또한, 이소시아네이트 화합물에 대해서는, 이소시아네이트기를 블록화한 것을 사용하면, 저장 안정성이 향상되어 바람직하다. 이소시아네이트 화합물 이외의 경화제로서는, 메틸화멜라민, 부틸화멜라민, 벤조구아나민, 요소 수지 등의 아미노 수지, 산무수물, 이미다졸류, 페놀 수지 등의 공지의 화합물을 들 수 있다. 이들 경화제에는, 그 종류에 따라 선택된 공지의 촉매 혹은 촉진제를 병용할 수도 있다. 경화제의 배합량으로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않을 정도로 배합되는 것이며, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바인더 수지(A) 100 질량부에 대해, 0.5~50 질량부가 바람직하고, 1~30 질량부가 보다 바람직하며, 2~20 질량부가 더욱 바람직하다.Although the kind of hardening|curing agent which can react with the binder resin (A) of this invention is not limited, an isocyanate compound and/or an epoxy resin are especially preferable from adhesiveness, bending resistance, sclerosis|hardenability, etc. Moreover, about an isocyanate compound, when what made the isocyanate group block is used, storage stability improves and it is preferable. Examples of the curing agent other than the isocyanate compound include amino resins such as methylated melamine, butylated melamine, benzoguanamine and urea resin, and known compounds such as acid anhydrides, imidazoles and phenol resins. A well-known catalyst or accelerator selected according to the kind can also be used together with these hardening|curing agents. As a compounding quantity of a hardening|curing agent, it is mix|blended to the extent that the effect of this invention is not impaired, It is although it does not restrict|limit, 0.5-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of binder resin (A), 1-30 mass parts is more preferable. and 2-20 mass parts is more preferable.

본 발명의 도전성 페이스트에 배합할 수 있는 이소시아네이트 화합물의 예로서는, 방향족 또는 지방족의 디이소시아네이트, 3가 이상의 폴리이소시아네이트 등이 있고, 저분자 화합물, 고분자 화합물의 어느 것이어도 좋다. 예컨대, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트, 수소화디페닐메탄디이소시아네이트, 수소화크실릴렌디이소시아네이트, 다이머산디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 디이소시아네이트, 혹은 이들 이소시아네이트 화합물의 3량체, 및 이들 이소시아네이트 화합물의 과잉량과 예컨대 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 글리세린, 소르비톨, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 저분자 활성 수소 화합물 또는 각종 폴리에스테르폴리올류, 폴리에테르폴리올류, 폴리아미드류의 고분자 활성 수소 화합물 등과 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트기 함유 화합물을 들 수 있다. 또한, 이소시아네이트기의 블록화제로서는, 예컨대 페놀, 티오페놀, 메틸티오페놀, 에틸티오페놀, 크레졸, 크실레놀, 레조르시놀, 니트로페놀, 클로로페놀 등의 페놀류; 아세톡심, 메틸에틸케토옥심, 시클로헥사논옥심 등의 옥심류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류; 에틸렌클로로히드린, 1,3-디클로로-2-프로판올 등의 할로겐 치환 알코올류; t-부탄올, t-펜탄올 등의 제3급 알코올류; ε-카프로락탐, δ-발레로락탐, γ-부티로락탐, β-프로피오락탐 등의 락탐류를 들 수 있고, 그 외에도 방향족 아민류, 이미드류, 아세틸아세톤, 아세토아세트산에스테르, 말론산에틸에스테르 등의 활성 메틸렌 화합물, 메르캅탄류, 이민류, 이미다졸류, 요소류, 디아릴 화합물류, 중아황산소다 등도 들 수 있다. 이 중, 경화성에서 옥심류, 이미다졸류, 아민류가 특히 바람직하다. As an example of the isocyanate compound which can be mix|blended with the electrically conductive paste of this invention, there exist aromatic or aliphatic diisocyanate, trivalent or more polyisocyanate, etc., Any of a low molecular compound and a high molecular compound may be sufficient. For example, aromatic diisocyanates, such as aliphatic diisocyanate, such as tetramethylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate, toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, xylylene diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, Alicyclic diisocyanates such as dimer acid diisocyanate and isophorone diisocyanate, or trimers of these isocyanate compounds, and excess amounts of these isocyanate compounds, for example, ethylene glycol, propylene glycol, trimethylolpropane, glycerin, sorbitol, ethylenediamine, mono and a terminal isocyanate group-containing compound obtained by reacting with a low-molecular active hydrogen compound such as ethanolamine, diethanolamine, or triethanolamine, or a high-molecular active hydrogen compound such as various polyester polyols, polyether polyols, and polyamides. Moreover, as an isocyanate group blocking agent, For example, phenols, such as phenol, thiophenol, methylthiophenol, ethylthiophenol, cresol, xylenol, resorcinol, nitrophenol, chlorophenol; oximes such as acetoxime, methyl ethyl ketoxime, and cyclohexanone oxime; alcohols such as methanol, ethanol, propanol, and butanol; halogen-substituted alcohols such as ethylene chlorohydrin and 1,3-dichloro-2-propanol; tertiary alcohols such as t-butanol and t-pentanol; and lactams such as ε-caprolactam, δ-valerolactam, γ-butyrolactam and β-propiolactam, in addition to aromatic amines, imides, acetylacetone, acetoacetic acid ester, and malonic acid ethyl ester. Active methylene compounds, such as mercaptans, imines, imidazoles, urea, diaryl compounds, sodium bisulfite, etc. are mentioned. Among these, oximes, imidazoles, and amines are particularly preferable in terms of curability.

본 발명에서 경화제로서 이용되는 에폭시 화합물은, 예컨대, 비스페놀 A 글리시딜에테르, 비스페놀 S 글리시딜에테르, 노볼락글리시딜에테르, 브롬화비스 등의 글리시딜에테르 타입, 헥사히드로프탈산글리시딜에스테르, 다이머산글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 타입, 트리글리시딜이소시아누레이트, 혹은 3,4-에폭시시클로헥실메틸카르복실레이트, 에폭시화폴리부타디엔, 에폭시화대두유 등의 지환족 혹은 지방족 에폭사이드 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 이용해도 2종 이상을 병용해도 상관없다. 이 중 경화성의 관점에서, 비스페놀 A 글리시딜에테르가 가장 바람직하고, 그 중에서도 분자량 5000 미만, 1분자 중에 글리시딜에테르기를 2개 이상 갖는 것이 더욱 바람직하다. The epoxy compound used as the curing agent in the present invention is, for example, a glycidyl ether type such as bisphenol A glycidyl ether, bisphenol S glycidyl ether, novolac glycidyl ether, and bisbromide, glycidyl hexahydrophthalate. ester, glycidyl ester type such as dimer acid glycidyl ester, triglycidyl isocyanurate, or alicyclic such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl carboxylate, epoxidized polybutadiene, and epoxidized soybean oil; An aliphatic epoxide etc. are mentioned, Even if used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together, it is not cared about. Among these, from a viewpoint of sclerosis|hardenability, bisphenol A glycidyl ether is the most preferable, and among them, molecular weight less than 5000, and one which has two or more glycidyl ether groups in 1 molecule is still more preferable.

<<본 발명의 도전성 페이스트에 요구되는 물성>><<Physical properties required for the conductive paste of the present invention>>

본 발명의 도전성 페이스트의 점도는 특별히 한정되지 않고, 도막의 형성 방법에 따라 적절히 조정하면 된다. 예컨대, 도전성 페이스트의 기재에 대한 도포를 스크린 인쇄에 의해 행하는 경우에는, 도전성 페이스트의 점도는, 인쇄 온도에 있어서 100 dPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 150 dPa·s 이상인 것이 바람직하다. 상한은 특별히 한정하지 않으나, 점도가 지나치게 높으면 도전성 박막의 막 두께가 지나치게 두꺼워져, 레이저 에칭 가공 적성이 저하되는 경우가 있다. The viscosity of the electrically conductive paste of this invention is not specifically limited, What is necessary is just to adjust suitably according to the formation method of a coating film. For example, when applying the conductive paste to the substrate by screen printing, the viscosity of the conductive paste is preferably 100 dPa·s or more, more preferably 150 dPa·s or more at the printing temperature. Although an upper limit is not specifically limited, When a viscosity is too high, the film thickness of a conductive thin film may become thick too much, and laser etching processing aptitude may fall.

본 발명의 도전성 페이스트는, F값이 60~95%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75~95%이다. F값이란 페이스트 중에 포함되는 전체 고형분 100 질량부에 대한 필러 질량부를 나타내는 수치이며, F값=(필러 질량부/고형분 질량부)×100으로 표시된다. 여기서 말하는 필러 질량부란 도전성 분말의 질량부, 고형분 질량부란 용제 이외의 성분의 질량부이며, 도전성 분말, 바인더 수지, 그 외의 경화제나 첨가제를 모두 포함한다. F값이 지나치게 낮으면 양호한 도전성을 나타내는 도전성 박막이 얻어지지 않고, F값이 지나치게 높으면 도전성 박막과 기재의 밀착성 및/또는 도전성 박막의 표면 경도가 저하되는 경향이 있으며, 인쇄성의 저하도 피할 수 없다. 한편, 여기서 도전성 분말이란, 금속 분말(B) 및 비금속을 포함하는 도전성 분말의 양방을 가리킨다. It is preferable that F-value of the electrically conductive paste of this invention is 60 to 95 %, More preferably, it is 75 to 95 %. F value is a numerical value which shows the filler mass part with respect to 100 mass parts of total solids contained in a paste, and it is represented by F value = (filler mass part/solid content mass part) x100. A filler mass part here is a mass part of an electroconductive powder, and a solid content mass part is a mass part of components other than a solvent, and all of the electroconductive powder, binder resin, and other hardening|curing agent and additives are included. When the F value is too low, a conductive thin film exhibiting good conductivity cannot be obtained, and when the F value is too high, the adhesion between the conductive thin film and the substrate and/or the surface hardness of the conductive thin film tends to decrease, and a decrease in printability is unavoidable. . In addition, electroconductive powder refers to both the electroconductive powder containing a metal powder (B) and a nonmetal here.

<<본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법>><<The manufacturing method of the electrically conductive paste of this invention>>

본 발명의 도전성 페이스트는 전술한 바와 같이 열가소성 수지(A), 금속 분말(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 외의 성분을 3본 롤 등으로 분산하여 제작할 수 있다. 여기서, 보다 구체적인 제작 순서의 예를 나타낸다. 열가소성 수지(A)를 우선은 유기 용제(C)에 용해한다. 그 후, 금속 분말(B) 및 필요에 따라 첨가제를 첨가하고, 더블 플래니터리나 디졸버, 유성식의 교반기 등으로 분산을 실시한다. 그 후, 3본 롤밀로 분산하여, 도전성 페이스트를 얻는다. 이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트는 필요에 따라 여과할 수 있다. 그 외의 분산기, 예컨대 비드 밀, 니더, 익스트루더 등을 이용하여 분산해도 아무런 문제는 없다.As described above, the conductive paste of the present invention can be prepared by dispersing the thermoplastic resin (A), the metal powder (B), the organic solvent (C) and, if necessary, other components in three rolls or the like. Here, an example of a more specific production procedure is shown. The thermoplastic resin (A) is first dissolved in the organic solvent (C). Then, the metal powder (B) and an additive are added as needed, and it disperse|distributes with a double planetary, a dissolver, a planetary stirrer, etc. Then, it disperse|distributes by 3 roll mill and obtains an electrically conductive paste. The electrically conductive paste obtained in this way can be filtered as needed. There is no problem even if it disperses using other dispersers, such as a bead mill, a kneader, an extruder, etc.

<<본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및 이들의 제조 방법>> <<The conductive thin film of the present invention, the conductive laminate and the manufacturing method thereof>>

본 발명의 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하여 도막을 형성하고, 계속해서 도막에 포함되는 유기 용제(C)를 휘산시켜 도막을 건조시킴으로써, 본 발명의 도전성 박막을 형성할 수 있다. 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 스크린 인쇄법에 의해 인쇄하는 것이 공정의 간편함 및 도전성 페이스트를 이용하여 전기 회로를 형성하는 업계에서 보급되어 있는 기술인 점에서 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트는, 최종적으로 전기 회로로서 필요한 도전성 박막 부위보다 얼마쯤 넓은 부위에 도포 또는 인쇄하는 것이, 레이저 에칭 공정의 부하를 낮춰 효율적으로 본 발명의 전기 회로를 형성한다는 관점에서 바람직하다. The conductive thin film of this invention can be formed by apply|coating or printing the electrically conductive paste of this invention on a base material, forming a coating film, then volatilizing the organic solvent (C) contained in a coating film, and drying the coating film. The method of applying or printing the conductive paste on the substrate is not particularly limited, but printing by the screen printing method is preferable in terms of the simplicity of the process and the widespread technology in the industry for forming an electric circuit using the conductive paste. In addition, it is preferable that the conductive paste is applied or printed on a portion wider than the conductive thin film portion finally required as an electric circuit from the viewpoint of reducing the load on the laser etching process and efficiently forming the electric circuit of the present invention.

본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재로서는, 치수 안정성이 우수한 재료가 바람직하게 이용된다. 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 혹은 폴리카보네이트 등의 가요성이 우수한 재료를 포함하는 필름을 들 수 있다. 또한, 유리 등의 무기 재료도 기재로서 사용할 수 있다. 기재의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 50~350 ㎛인 것이 바람직하고, 100~250 ㎛가 패턴 형성 재료의 기계적 특성, 형상 안정성 혹은 취급성 등에서 더욱 바람직하다. As a base material which apply|coats the electrically conductive paste of this invention, the material excellent in dimensional stability is used preferably. For example, a film made of a material having excellent flexibility such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate or polycarbonate may be mentioned. Moreover, inorganic materials, such as glass, can also be used as a base material. The thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably 50 to 350 μm, and more preferably 100 to 250 μm in mechanical properties, shape stability, or handleability of the pattern forming material.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재의 표면에 물리적 처리 및/또는 화학적 처리를 행함으로써, 도전성 박막과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 물리적 처리 방법의 예로서는, 샌드 블라스트법, 미립자를 함유한 액체를 분사하는 웨트 블라스트법, 코로나 방전 처리법, 플라즈마 처리법, 자외선 혹은 진공 자외선 조사 처리법 등을 들 수 있다. 또한, 화학적 처리 방법의 예로서는, 강산 처리법, 강알칼리 처리법, 산화제 처리법, 커플링제 처리법 등을 들 수 있다. Moreover, the adhesiveness of a conductive thin film and a base material can be improved by performing a physical process and/or a chemical process to the surface of the base material which apply|coats the electrically conductive paste of this invention. Examples of the physical treatment method include a sand blasting method, a wet blasting method in which a liquid containing fine particles is sprayed, a corona discharge treatment method, a plasma treatment method, an ultraviolet or vacuum ultraviolet irradiation treatment method, and the like. Moreover, as an example of a chemical treatment method, the strong acid treatment method, the strong alkali treatment method, the oxidizing agent treatment method, the coupling agent treatment method, etc. are mentioned.

또한, 상기 기재는 투명 도전성 층을 갖는 것이어도 좋다. 본 발명의 도전성 박막을 투명 도전성 층 상에 적층할 수 있다. 상기 투명 도전성 층의 소재는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 산화인듐·주석을 주성분으로 하여 이루어지는 ITO막이나, 나노사이즈의 선형 은을 포함하는 은 나노와이어막을 들 수 있다. 또한, 투명 도전성 층은 기재 전면에 형성된 것뿐만이 아니라, 에칭 등에 의해 투명 도전성 층의 일부가 제거된 것을 사용할 수도 있다. Further, the substrate may have a transparent conductive layer. The conductive thin film of the present invention can be laminated on the transparent conductive layer. The material of the transparent conductive layer is not particularly limited, and examples thereof include an ITO film composed mainly of indium tin oxide and a silver nanowire film containing nano-sized linear silver. In addition, as the transparent conductive layer, not only the one formed on the entire surface of the substrate, but also one in which a part of the transparent conductive layer is removed by etching or the like may be used.

유기 용제(C)를 휘산시키는 공정은, 상온하 및/또는 가열하에서 행하는 것이 바람직하다. 가열하는 경우, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이나 밀착성, 표면 경도가 양호해지는 점에서, 가열 온도는 80℃ 이상이 바람직하고, 100℃ 이상이 보다 바람직하며, 110℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 하지(下地)의 투명 도전성 층의 내열성, 및 생산 공정에서의 에너지 절약의 관점에서, 가열 온도는 150℃ 이하가 바람직하고, 135℃ 이하가 보다 바람직하며, 130℃ 이하가 더욱 바람직하다. 본 발명의 도전성 페이스트에 경화제가 배합되어 있는 경우에는, 유기 용제(C)를 휘산시키는 공정을 가열하에서 행하면, 경화 반응이 진행된다. It is preferable to perform the process of volatilizing the organic solvent (C) under normal temperature and/or heating. When heating, from the viewpoint of improving the conductivity, adhesiveness, and surface hardness of the conductive thin film after drying, the heating temperature is preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, and still more preferably 110°C or higher. In addition, from the viewpoint of heat resistance of the transparent conductive layer of the underlying substrate and energy saving in the production process, the heating temperature is preferably 150°C or less, more preferably 135°C or less, and still more preferably 130°C or less. When a hardening|curing agent is mix|blended with the electrically conductive paste of this invention, when the process of volatilizing an organic solvent (C) is performed under heating, hardening reaction will advance.

본 발명의 도전성 박막의 두께는, 이용되는 용도에 따라 적절한 두께로 설정하면 된다. 단, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점과, 레이저 에칭 가공 적성이 양호하다는 관점에서, 도전성 박막의 막 두께는 3 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 4 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 4 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하이다. 도전성 박막의 막 두께가 지나치게 얇으면, 회로로서의 원하는 도전성이 얻어지지 않을 가능성이 있다. 막 두께가 지나치게 두꺼우면, 레이저 에칭 가공에 요하는 레이저 조사량이 과대하게 필요해져, 기재에 손상을 주는 경우가 있다. 또한, 막 두께의 변동이 크면, 도전성 박막의 에칭 용이성에 변동이 생겨, 에칭 부족에 의한 선 사이의 단락이나 에칭 과잉에 의한 단선이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 이 때문에, 막 두께의 변동은 작은 것이 좋다. What is necessary is just to set the thickness of the conductive thin film of this invention to suitable thickness according to the use used. However, from the viewpoint of good conductivity of the conductive thin film after drying and good laser etching processing aptitude, the thickness of the conductive thin film is preferably 3 µm or more and 30 µm or less, more preferably 4 µm or more, 20 It is micrometer or less, More preferably, they are 4 micrometers or more and 10 micrometers or less. When the film thickness of a conductive thin film is too thin, the desired electroconductivity as a circuit may not be acquired. When the film thickness is too thick, the amount of laser irradiation required for laser etching processing is excessively required, which may damage the substrate. Moreover, when the fluctuation|variation of a film thickness is large, a fluctuation|variation arises in the etching easiness of a conductive thin film, and there exists a tendency for the short circuit between lines by insufficient etching or disconnection by etching excess to arise easily. For this reason, it is preferable that the fluctuation|variation of a film thickness is small.

본 발명의 도전성 박막의 표면 조도(粗度) Ra는 0.7 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 표면 조도 Ra가 지나치게 높으면, 도전성 박막의 에칭 단부에 깔쭉깔쭉함이 발생하기 쉬워져, 선 사이의 단락이나 에칭 과잉에 의한 단선이 발생하기 쉬워질 가능성이 있다. 표면 조도 Ra는 페이스트 조성(특히 바인더종과 은 분말종), 페이스트 점도, 스크린 인쇄 조건의 영향을 강하게 받기 때문에, 이들을 적절히 조정하여 컨트롤할 필요가 있다. As for surface roughness Ra of the conductive thin film of this invention, 0.7 micrometer or less is preferable, More preferably, it is 0.5 micrometer or less. When surface roughness Ra is too high, it will become easy to generate jaggedness in the etching edge part of a conductive thin film, and the short circuit between lines and the disconnection by etching excess may become easy to generate|occur|produce. Since the surface roughness Ra is strongly influenced by the paste composition (particularly the binder species and the silver powder species), the paste viscosity, and the screen printing conditions, it is necessary to control them by appropriately adjusting them.

<<본 발명의 전기 회로 및 그 제조 방법>><<Electric circuit of the present invention and its manufacturing method>>

본 발명의 전기 회로는, 본 발명의 도전성 페이스트에 의해 기재 상에 형성된 도전성 박막의 적어도 일부에 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 기재 상에서 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로이다. 이러한 전기 회로의 형성 방법을 채용하면, 포토리소그래피법과 달리 패턴 형성 공정을 드라이 프로세스로 할 수 있고, 금속 성분을 함유하는 폐액도 발생하지 않기 때문에 폐액 처리 등이 필요 없어, 환경에 친화적인 프로세스라고 할 수 있다. 또한, 공정적으로도 단순하기 때문에, 제조 설비에 관한 투자를 억제할 수 있고, 제조 설비의 가동 후의 유지 관리도 용이하다. 한편, 도전성 페이스트에 의해 기재 상에 도전성 박막을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 인쇄 또는 도장에 의해 행할 수 있다. The electric circuit of this invention is an electric circuit which has a wiring site|part formed by irradiating a laser beam to at least a part of a conductive thin film formed on a base material with the electrically conductive paste of this invention, and removing a part of said conductive thin film on a base material. By adopting this method of forming an electric circuit, unlike the photolithography method, the pattern forming process can be made as a dry process, and since waste liquid containing metal components is not generated, there is no need for waste liquid treatment, etc., making it an environmentally friendly process. can In addition, since the process is simple, investment in manufacturing equipment can be suppressed, and maintenance after operation of the manufacturing equipment is easy. In addition, the method of forming a conductive thin film on a base material with an electrically conductive paste is although it does not specifically limit, It can carry out by printing or painting.

레이저광의 조사 방법은 특별히 한정되지 않으나, 최근 보급이 진행되고 있는 레이저 에칭 가공 장치, 혹은 이것의 치수 정밀도를 더욱 향상시킨 것을 사용할 수 있다. 레이저 에칭 가공 장치는, CAD 등의 화상 처리 애플리케이션 소프트웨어로 제작한 데이터를 그대로 레이저 가공에 이용할 수 있기 때문에, 제조 패턴의 전환이 매우 용이하다. 이것은, 종래부터 행해지고 있는 스크린 인쇄법으로의 패턴 형성에 대한 우위점의 하나로서 들 수 있다. Although the irradiation method of a laser beam is not specifically limited, The thing which further improved the dimensional accuracy of the laser etching processing apparatus which propagation is advancing in recent years can be used. In a laser etching processing apparatus, since data produced by image processing application software such as CAD can be used for laser processing as it is, it is very easy to change a manufacturing pattern. This is mentioned as one of the advantages with respect to the pattern formation by the screen printing method which has been conventionally performed.

레이저광이 조사되어 흡수된 부위에 있어서는, 레이저광의 에너지가 열로 변환되고, 온도 상승에 의해 열분해 및/또는 휘산이 생겨, 조사 부위가 박리·제거된다. 본 발명의 도전성 박막의 레이저광이 조사된 부위가 효율적으로 기재로부터 제거되기 위해서는, 본 발명의 도전성 박막이 조사 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 레이저종으로서는, 본 발명의 도전성 박막을 구성하는 어느 하나의 성분이 강한 흡수를 갖는 파장 영역에 에너지를 갖는 레이저종을 선택하는 것이 바람직하다. In the site|part where the laser beam was irradiated and absorbed, the energy of a laser beam is converted into heat|fever, thermal decomposition and/or volatilization arises by a temperature rise, and the irradiation site|part is peeled and removed. In order that the site|part to which the laser beam of the conductive thin film of this invention was irradiated is efficiently removed from a base material, it is preferable that the conductive thin film of this invention has strong absorption in the wavelength of an irradiation laser beam. Therefore, as the laser species, it is preferable to select a laser species having energy in a wavelength region in which any one component constituting the conductive thin film of the present invention has strong absorption.

일반적인 레이저종으로서는, 엑시머 레이저(기본파의 파장이 193~308 ㎚), YAG 레이저(기본파의 파장이 1064 ㎚), 파이버 레이저(기본파의 파장이 1060 ㎚), CO2 레이저(기본파의 파장이 10600 ㎚), 반도체 레이저 등을 들 수 있고, 기본적으로는 어떠한 방식, 어떠한 파장의 레이저종을 이용해도 아무런 문제는 없다. 도전성 박막의 어느 하나의 구성 성분의 흡수 파장 영역과 일치하고, 게다가 기재가 강한 흡수를 갖지 않는 파장을 조사할 수 있는 레이저종을 선택함으로써, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거를 효율적으로 행하고, 게다가 기재의 손상을 피할 수 있다. 이러한 관점에서, 조사하는 레이저종으로서는, 기본파의 파장이, 532~10700 ㎚의 범위가 바람직하다. 기재로서 폴리에스테르를 층 구조에 갖는 도전성 박막, 혹은 폴리에스테르를 층 구조에 갖는 도전성 박막의 일부가 에칭에 의해 제거된 박막을 이용하는 경우에는, YAG 레이저 또는 파이버 레이저를 사용하는 것이, 기본파의 파장에 기재가 흡수를 갖지 않기 때문에 기재에 손상을 주기 어려운 점에서 특히 바람직하다. Common laser types include excimer laser (fundamental wave wavelength 193 to 308 nm), YAG laser (fundamental wave wavelength 1064 nm), fiber laser (fundamental wave wavelength 1060 nm), and CO 2 laser (fundamental wave wavelength of 1060 nm). The wavelength is 10600 nm), semiconductor laser, etc. are mentioned. Basically, there is no problem in using any type of laser type and any wavelength. By selecting a laser species that matches the absorption wavelength region of any one component of the conductive thin film and can irradiate a wavelength that the substrate does not have strong absorption, the conductive thin film at the laser beam irradiation site is efficiently removed, Moreover, damage to the substrate can be avoided. From such a viewpoint, the wavelength of the fundamental wave is preferably in the range of 532 to 10700 nm as the laser species to be irradiated. When using a conductive thin film having polyester in a layered structure as a substrate, or a thin film in which a part of a conductive thin film having polyester in a layered structure is removed by etching, using a YAG laser or a fiber laser is the wavelength of the fundamental wave. Since the substrate does not have water absorption, it is particularly preferable in that it is difficult to damage the substrate.

레이저 출력, 주파수는 특별히 한정되지 않으나, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 에칭폭 10~50 ㎛로 제거할 수 있고, 또한 하지의 기재가 손상되지 않도록 조절한다. 일반적으로는, 레이저 출력은, 0.5~100 W, 주파수 10~1000 ㎑, 펄스폭 1000 ㎱ 이하의 범위에서 적절히 조절하는 것이 바람직하다. 레이저 출력이 지나치게 낮으면, 도전성 박막의 제거가 불충분해지는 경향이 있으나, 레이저의 주사 속도를 낮게 하거나 주사 횟수를 늘리거나 함으로써 그러한 경향은 어느 정도 회피할 수 있다. 레이저 출력이 지나치게 높으면, 조사 부분으로부터의 열의 확산에 의해 도전성 박막이 박리되는 부위가 레이저빔 직경보다 극단적으로 커져, 선폭이 지나치게 가늘어지거나 단선되거나 할 가능성이 있다. 이 점에서, 레이저 출력은, 0.5~20 W, 주파수 10~800 ㎑, 펄스폭 800 ㎱ 이하의 범위에서 적절히 조절하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5~12 W, 주파수 10~600 ㎑, 펄스폭 600 ㎱ 이하이다. The laser output and frequency are not particularly limited, but the conductive thin film at the laser beam irradiation site can be removed with an etching width of 10 to 50 μm, and is controlled so as not to damage the underlying substrate. Generally, it is preferable to adjust a laser output suitably in 0.5-100 W, a frequency of 10-1000 kHz, and the range of 1000 ns or less of pulse width. When the laser output is too low, the removal of the conductive thin film tends to be insufficient, but such a tendency can be avoided to some extent by lowering the scanning speed of the laser or increasing the number of scanning. When laser output is too high, the site|part from which a conductive thin film peels by the diffusion of heat|fever from an irradiated part becomes extremely large than a laser beam diameter, and a line|wire width may become too thin or disconnection. In this regard, the laser output is preferably adjusted appropriately in a range of 0.5 to 20 W, a frequency of 10 to 800 kHz, and a pulse width of 800 ns or less, more preferably 0.5 to 12 W, a frequency of 10 to 600 kHz, a pulse The width is 600 ㎱ or less.

레이저광의 주사 속도는, 택트 타임의 감소에 의한 생산 효율 향상의 관점에서는 높을수록 좋고, 구체적으로는, 1000 ㎜/s 이상이 바람직하고, 1500 ㎜/s 이상이 보다 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2000 ㎜/s 이상이다. 주사 속도가 지나치게 느리면, 생산 효율이 저하될 뿐만이 아니라, 도전성 박막 및 기재가 열이력에 의해 손상을 받을 우려가 있다. 가공 속도의 상한은 특별히 정하지 않으나, 주사 속도가 지나치게 높으면, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거가 불완전해져 회로가 단락될 가능성이 있다. 또한, 주사 속도가 지나치게 빠르면, 형성하는 패턴의 코너 부위에 있어서, 직선 부위와 비교하여 주사 속도를 감속시키는 것을 피할 수 없게 되기 때문에, 코너 부위의 열이력이 직선 부위에 비해 높아져, 코너 부위의 레이저 에칭 가공 부위 주변의 도전성 박막의 물성이 현저히 저하될 우려가 있다. As for the scanning speed of a laser beam, from a viewpoint of the productivity improvement by reduction of a tact time, it is so good that it is high, specifically, 1000 mm/s or more is preferable, 1500 mm/s or more is more preferable, More preferably, 2000 mm/s or more is more preferable. mm/s or more. When the scanning speed is too slow, not only the production efficiency will fall, but there exists a possibility that a conductive thin film and a base material may be damaged by a thermal history. Although the upper limit in particular of a processing speed is not set, when a scanning speed is too high, removal of the conductive thin film of a laser beam irradiation site|part may become incomplete, and a circuit may be short-circuited. In addition, if the scanning speed is too fast, in the corner portion of the pattern to be formed, since it is inevitable to reduce the scanning speed compared to the linear portion, the thermal history of the corner portion becomes higher than that of the linear portion, There exists a possibility that the physical property of the conductive thin film around an etching process site|part may fall remarkably.

레이저광의 주사는, 레이저광의 발사체를 움직이거나, 레이저광이 조사되는 피조사체를 움직이거나, 혹은 양방을 조합하는 것의 어느 것이어도 좋고, 예컨대 XY 스테이지를 이용함으로써 실현할 수 있다. 또한, 갈바노 미러 등을 이용하여 레이저광의 조사 방향을 변경함으로써 레이저광을 주사할 수도 있다. The laser beam scanning may be performed by moving a laser beam projectile, moving a laser beam irradiated object, or a combination of both, and can be realized by, for example, using an XY stage. Moreover, a laser beam can also be scanned by changing the irradiation direction of a laser beam using a galvanometer mirror etc.

레이저광의 조사 시에, 집광 렌즈(아크로매틱 렌즈 등)를 사용함으로써, 단위 면적당 에너지 밀도를 높일 수 있다. 이 방법의 이점으로서는, 마스크를 사용하는 경우와 비교하여, 단위 면적당 에너지 밀도를 크게 할 수 있기 때문에, 작은 출력의 레이저 발진기여도 높은 주사 속도로 레이저 에칭 가공을 행하는 것이 가능해지는 점을 들 수 있다. 집광한 레이저광을 도전성 박막에 조사하는 경우, 초점 거리를 조절할 필요가 있다. 초점 거리의 조절은, 특히 기재에 도포되어 있는 막 두께에 따라 조절할 필요가 있으나, 기재에 손상을 주지 않고, 또한 소정의 도전성 박막 패턴을 박리·제거할 수 있도록 조절하는 것이 바람직하다. When irradiating a laser beam, the energy density per unit area can be raised by using a condensing lens (achromatic lens etc.). An advantage of this method is that the energy density per unit area can be increased as compared with the case of using a mask, so that it becomes possible to perform laser etching processing at a high scanning speed even with a laser oscillator having a small output. When irradiating the condensed laser beam to a conductive thin film, it is necessary to adjust a focal length. Although it is necessary to adjust the focal length especially according to the film thickness applied to the base material, it is preferable to adjust so that it can peel/remove a predetermined conductive thin film pattern without damaging a base material.

레이저광의 주사를 복수 회 동일 패턴으로 반복해서 행하는 것은, 바람직한 실시양태의 하나이다. 1회째의 주사에 있어서 제거 불완전한 도전성 박막 부위가 있었던 경우, 혹은 제거한 도전성 박막을 구성하는 성분이 재차 기재에 부착된 경우라도, 복수 회의 주사로 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 완전히 제거하는 것이 가능해진다. 주사 횟수의 상한은 특별히 한정되지 않으나, 가공 부위 주변이 열이력을 복수 회 받음으로써, 손상을 받아, 변색되고, 도막 물성이 저하될 가능성이 있기 때문에, 주의가 필요해진다. 또한, 생산 효율의 점에서는, 주사 횟수는 적을수록 좋은 것은 당연하다. It is one of preferable embodiment to repeatedly perform scanning of a laser beam in the same pattern multiple times. Even when there is an incompletely removed conductive thin film site in the first scan, or even when the component constituting the removed conductive thin film adheres to the substrate again, it is possible to completely remove the conductive thin film at the laser beam irradiation site by multiple scans. . Although the upper limit of the number of injections is not particularly limited, care is required because there is a possibility that the area around the processing site is damaged, discolored, and the physical properties of the coating film may be deteriorated when the area around the processing site is subjected to a plurality of heat history. In addition, from the point of production efficiency, it goes without saying that the fewer the number of scans, the better.

레이저광의 주사를 복수 회 동일 패턴으로 반복해서 행하지 않는 것도, 바람직한 실시양태의 하나이다. 얻어지는 도전성 박막, 도전성 적층체 및 전기 회로의 특성에 악영향을 미치지 않는 한, 주사 횟수는 적을수록 생산 효율적으로 우수한 것은 당연하다. It is also one of preferable embodiment not to repeatedly perform scanning of a laser beam in the same pattern multiple times. As long as the properties of the resulting conductive thin film, conductive laminate, and electric circuit are not adversely affected, it goes without saying that the fewer the number of scans, the better the production efficiency.

본 발명의 도전성 박막은, 고가의 도전성 분체를 고농도로 함유하고 있기 때문에, 제조되는 전기 회로 제조에 요하는 토탈 비용을 고려하면, 기재로부터 제거되는 도전성 박막에 포함되는 도전성 분체를 회수하여 재이용하는 것이 중요하다. 레이저광 조사 부위 근방에 고성능의 집진기를 설치하여, 도전성 분체를 효율적으로 회수하는 시스템을 구축함으로써, 충분히 채산성이 있는 가공법으로 할 수 있다. Since the conductive thin film of the present invention contains expensive conductive powder in a high concentration, considering the total cost required for the production of an electric circuit, it is better to recover and reuse the conductive powder contained in the conductive thin film removed from the substrate. It is important. By installing a high-performance dust collector in the vicinity of the laser beam irradiation site and constructing a system for efficiently recovering the conductive powder, a sufficiently profitable processing method can be obtained.

<<본 발명의 터치 패널>><<Touch panel of the present invention>>

본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및/또는 전기 회로는 터치 패널의 구성 부재로서 이용할 수 있다. 상기 터치 패널은, 저항막 방식이어도 정전 용량 방식이어도 좋다. 어느 터치 패널에도 적용이 가능하지만, 본 페이스트는, 세선 형성에 적합하기 때문에, 정전 용량 방식의 터치 패널의 전극 배선용으로 특히 적합하게 이용할 수 있다. 한편, 상기 터치 패널을 구성하는 기재로서는, ITO막이나 은 나노와이어막 등의 투명 도전성 층을 갖고 있는 기재, 혹은 이들이 에칭에 의해 일부 제거된 기재를 이용하는 것이 바람직하다. The conductive thin film, the conductive laminate, and/or the electric circuit of the present invention can be used as a constituent member of a touch panel. The touch panel may be a resistive film type or a capacitive type. Although application is possible to any touch panel, since this paste is suitable for thin wire formation, it can use especially suitably for the electrode wiring of a capacitive touch panel. On the other hand, as the base material constituting the touch panel, it is preferable to use a base material having a transparent conductive layer such as an ITO film or a silver nanowire film, or a base material from which these are partially removed by etching.

실시예Example

본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위해서 이하에 실시예, 비교예를 들지만, 본 발명은 실시예에 의해 조금도 한정되는 것이 아니다. 한편, 실시예, 비교예에 기재된 각 측정값은 다음의 방법에 의해 측정한 것이다. In order to demonstrate this invention in more detail, although an Example and a comparative example are given below, this invention is not limited in any way by an Example. In addition, each measured value described in an Example and a comparative example is measured by the following method.

1. 수 평균 분자량1. Number average molecular weight

시료 수지를, 수지 농도가 0.5 중량% 정도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해하고, 구멍 직경 0.5 ㎛의 폴리사불화에틸렌제 멤브레인 필터로 여과하여, GPC 측정 시료로 하였다. 테트라히드로푸란을 이동상으로 하고, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조의 겔 침투 크로마토그래프(GPC) Prominence를 이용하며, 시차 굴절계(RI계)를 검출기로 하여, 칼럼 온도 30℃, 유량 1 ㎖/분으로 수지 시료의 GPC 측정을 행하였다. 한편, 수 평균 분자량은 표준 폴리스티렌 환산값으로 하고, 분자량 1000 미만에 상당하는 부분을 생략하여 산출하였다. GPC 칼럼은 쇼와 덴꼬(주) 제조의 shodex KF-802, 804L, 806L을 이용하였다.The sample resin was dissolved in tetrahydrofuran so that the resin concentration was about 0.5% by weight, and filtered through a polytetrafluoroethylene membrane filter having a pore diameter of 0.5 µm to obtain a GPC measurement sample. Using tetrahydrofuran as a mobile phase, using a gel permeation chromatograph (GPC) Prominence manufactured by Shimadzu Corporation, a differential refractometer (RI system) as a detector, a column temperature of 30° C., and a flow rate of 1 ml/min. of GPC was measured. In addition, the number average molecular weight made it standard polystyrene conversion value, abbreviate|omitted the part corresponded to molecular weight less than 1000, and computed it. As the GPC column, shodex KF-802, 804L, and 806L manufactured by Showa Denko Co., Ltd. were used.

2. 유리 전이 온도(Tg)2. Glass transition temperature (Tg)

시료 수지 5 ㎎을 알루미늄제 샘플팬에 넣어 밀봉하고, 세이코 인스트루먼츠(주) 제조의 시차 주사 열량 분석계(DSC) DSC-220을 이용하여, 200℃까지, 승온 속도 20℃/분으로 측정하여, 유리 전이 온도 이하의 베이스라인의 연장선과 전이부에서의 최대 경사를 나타내는 접선과의 교점의 온도로 구하였다. 5 mg of the sample resin was put into an aluminum sample pan, sealed, and measured using a differential scanning calorimeter (DSC) DSC-220 manufactured by Seiko Instruments Co., Ltd. at a temperature increase rate of 20°C/min to 200°C, and glass It was calculated as the temperature of the intersection of the extension line of the baseline below the transition temperature and the tangent line representing the maximum inclination at the transition.

3. 산가3. Acid number

시료 수지 0.2 g을 정밀하게 칭량하여 20 ㎖의 클로로포름에 용해하였다. 이어서, 지시약에 페놀프탈레인 용액을 이용하고, 0.01 N의 수산화칼륨(에탄올 용액)으로 적정을 행하였다. 산가의 단위는 eq/ton, 즉 시료 1톤당 당량으로 하였다. 0.2 g of the sample resin was precisely weighed and dissolved in 20 ml of chloroform. Next, the phenolphthalein solution was used as an indicator, and titration was performed with 0.01 N potassium hydroxide (ethanol solution). The unit of the acid value was eq/ton, that is, the equivalent per ton of the sample.

4. 수지 조성4. Resin composition

클로로포름-d에 시료 수지를 용해하고, VARIAN 제조 400 MHz-NMR 장치를 이용하여, 1H-NMR 분석에 의해 수지 조성을 구하였다.The sample resin was dissolved in chloroform-d, and the resin composition was determined by 1H-NMR analysis using a 400 MHz-NMR apparatus manufactured by VARIAN.

5. 페이스트 점도5. Paste Viscosity

점도의 측정은 샘플 온도 25℃에 있어서, BH형 점도계(도키 산교사 제조)를 이용하여, 20 rpm에 있어서 측정을 실시하였다. In the sample temperature of 25 degreeC, the measurement of a viscosity measured in 20 rpm using the BH-type viscometer (made by Toki Sangyo).

6. 도전성 페이스트의 저장 안정성6. Storage stability of conductive paste

도전성 페이스트를 폴리 용기에 넣고, 마개를 막은 것을 40℃에서 1개월 저장하였다. 저장 후에 점도 측정 및 하기 7. 도전성 적층체 테스트 피스에 의해 제작한 테스트 피스의 평가를 행하였다. The conductive paste was put in a poly container, and the stopper was stored at 40°C for 1 month. After storage, viscosity measurement and evaluation of the test pieces produced by the following 7. Conductive laminate test pieces were performed.

○: 현저한 점도 변화는 없고, 초기의 비저항, 연필 경도 및 밀착성을 유지하고 있다. (circle): There is no remarkable viscosity change, and the specific resistance of an initial stage, pencil hardness, and adhesiveness are maintained.

×: 현저한 점도 상승(초기 점도의 2배 이상) 또는 현저한 점도 저하(초기 점도의 1/2 이하), 및/또는, 비저항, 연필 경도 및/또는 밀착성의 저하 중 어느 하나가 보여진다. x: Any of a remarkable viscosity increase (2 times or more of initial viscosity) or a remarkable viscosity fall (1/2 or less of an initial viscosity) and/or a specific resistance, pencil hardness, and/or a fall of adhesiveness is seen.

7. 도전성 적층체 테스트 피스의 작성7. Preparation of Conductive Laminate Test Pieces

두께 100 ㎛의 어닐링 처리를 한 PET 필름(도레이사 제조 루미라 S) 및 ITO막(오이케 고교(주) 제조, KH300)의 각각에, 400 메시의 스테인리스 스크린을 이용해서 스크린 인쇄법에 의해 도전성 페이스트를 인쇄하여, 폭 25 ㎜, 길이 450 ㎜의 빈틈없이 칠한 패턴을 형성하고, 계속해서 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분 가열한 것을 도전성 적층체 테스트 피스로 하였다. 한편, 건조막 두께가 4~10 ㎛가 되도록 인쇄 시의 도포 두께를 조정하였다. For each of the PET film (Lumira S manufactured by Toray Corporation) and the ITO film (KH300 manufactured by Oike Kogyo Co., Ltd.) subjected to annealing treatment with a thickness of 100 μm, a 400 mesh stainless steel screen was used to conduct conductivity by screen printing. The paste was printed to form a seamlessly painted pattern having a width of 25 mm and a length of 450 mm, which was then heated in a hot air circulation drying furnace at 130° C. for 30 minutes to obtain a conductive laminate test piece. On the other hand, the coating thickness at the time of printing was adjusted so that a dry film thickness might be set to 4-10 micrometers.

8. 밀착성 8. Adhesion

상기 도전성 적층체 테스트 피스를 이용하여 JIS K-5400-5-6:1990에 따라, 셀로테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용하여, 박리 시험에 의해 평가하였다. 단, 격자 패턴의 각 방향의 커트수는 11개, 커트 간격은 1 ㎜로 하였다. 100/100은 박리가 없이 밀착성이 양호한 것을 나타내고, 0/100은 모두 박리되어 버린 것을 나타낸다. The electroconductive laminate test piece was evaluated in accordance with JIS K-5400-5-6:1990 by peeling test using Cellotape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.). However, the number of cuts in each direction of the grid pattern was 11, and the cut interval was 1 mm. 100/100 shows that adhesiveness is favorable without peeling, and 0/100 shows that all has peeled.

9. 비저항9. Resistivity

상기 도전성 적층체 테스트 피스의 시트 저항과 막 두께를 측정하고, 비저항을 산출하였다. 막 두께는 게이지 스탠드 ST-022(오노 소키사 제조)를 이용하고, PET 필름의 두께를 제로점으로 하여 경화 도막의 두께를 5점 측정하며, 그 평균값을 이용하였다. 시트 저항은 MILLIOHMMETER4338B(HEWLETT PACKARD사 제조)를 이용하여 테스트 피스 4장에 대해 측정하고, 그 평균값을 이용하였다. 한편, 본 밀리옴미터로 검출할 수 있는 범위는 1×10-2 이하(Ω·㎝)이고, 1×10-2(Ω·㎝) 이상의 비저항은 측정 한계 밖이 된다. The sheet resistance and the film thickness of the conductive laminate test piece were measured, and the specific resistance was calculated. The thickness of the cured coating film was measured at five points using a gauge stand ST-022 (manufactured by Ono Soki Co., Ltd.) as the film thickness, and the thickness of the cured coating film was measured at the zero point, and the average value was used. Sheet resistance was measured for 4 test pieces using MILLIOHMMETER4338B (manufactured by HEWLETT PACKARD), and the average value was used. On the other hand, the range that can be detected by this milliohmmeter is 1×10 -2 or less (Ω·cm), and a specific resistance of 1×10 -2 (Ω·cm) or more is outside the measurement limit.

10. 연필 경도10. Pencil hardness

도전성 적층체 테스트 피스를 두께 2 ㎜의 SUS304판 상에 놓고, JIS K 5600-5-4:1999에 따라 연필 경도를 측정하였다.The conductive laminate test piece was placed on a SUS304 plate having a thickness of 2 mm, and pencil hardness was measured according to JIS K 5600-5-4:1999.

11. 내습열성 시험11. Moist heat resistance test

도전성 적층체 테스트 피스를, 80℃에서 300시간 가열하고, 계속해서 85℃, 85% RH(상대 습도)에서 300시간 가열하며, 그 후 24시간 상온에서 방치한 후, 각종 평가를 행하였다. The conductive laminate test piece was heated at 80° C. for 300 hours, then heated at 85° C. and 85% RH (relative humidity) for 300 hours, and then left to stand at room temperature for 24 hours, followed by various evaluations.

12. 표면 조도12. Surface finish

상기 도전성 적층체 테스트 피스에 있어서, 표면 조도계(핸디 서프 E-35B, 도쿄 세이미쯔사 제조, JIS-1994에 기초하여 산출)를 이용하여, 표면 거칠기 Ra를 측정하였다. The said electroconductive laminated body test piece WHEREIN: The surface roughness Ra was measured using the surface roughness meter (Handy Surf E-35B, the Tokyo Seimitsu company make, calculated based on JIS-1994).

13. 레이저 에칭 가공 적성의 평가13. Evaluation of laser etching processing aptitude

스크린 인쇄법에 의해, 폴리에스테르 기재(도레이사 제조 루미라 S(두께 100 ㎛)) 상에, 도전성 페이스트를 2.5×10 ㎝의 직사각형으로 인쇄 도포하였다. 스크린판으로서 400 스테인리스 메시(유제(乳劑) 두께 10 ㎛, 선 직경 18 ㎛(무라카미사 제조), 캘린더 가공)를 이용하여, 스퀴지 속도 50 ㎜/s로 인쇄하였다. 인쇄 도포 후, 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분간의 건조를 행하여 도전성 박막을 얻었다. 한편, 막 두께는 5~7 ㎛가 되도록 페이스트를 희석 조정하였다. 계속해서, 상기 방법으로 작성한 도전성 박막에 레이저 에칭 가공을 행하여, 도 1과 같은 길이 50 ㎜의 4개의 직선 부분을 갖는 패턴을 제작하고, 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편으로 하였다. By the screen printing method, on the polyester base material (Lumira S (thickness 100 micrometers) by Toray Corporation), the electrically conductive paste was printed and apply|coated in a 2.5x10 cm rectangle. A 400 stainless steel mesh (oil agent thickness of 10 µm, wire diameter of 18 µm (manufactured by Murakami Corporation, calendering)) was used as a screen plate, and printing was performed at a squeegee speed of 50 mm/s. After printing and application|coating, drying for 30 minutes was performed at 130 degreeC in the hot-air circulation type drying furnace, and the conductive thin film was obtained. In addition, the paste was diluted and adjusted so that the film thickness might be set to 5-7 micrometers. Then, the conductive thin film created by the above method was subjected to laser etching processing to produce a pattern having four linear portions having a length of 50 mm as shown in Fig. 1 , and used as a laser etching processing aptitude evaluation test piece.

선 사이의 레이저 에칭 가공은, 레이저광을 40 ㎛(L/S=20/20 ㎛) 피치로 3회 주사함으로써 행하였다. 레이저 광원에는 YAG 레이저(파장: 1064 ㎚)를 이용하고, 주파수 220 ㎑, 출력 8 W, 주사 속도 2800 ㎜/s, 펄스폭 75 ㎱(조건 1)와, 주파수500 ㎑, 출력 8 W, 주사 속도 2800 ㎜/s, 펄스폭 15 ㎱(조건 2)의 양방으로 행하였다. 펄스 에너지를 하기 식으로 산출한 결과, 조건 1은 36 μJ, 조건 2는 16 μJ이었다. The laser etching processing between the lines was performed by scanning a laser beam three times at a pitch of 40 µm (L/S=20/20 µm). A YAG laser (wavelength: 1064 nm) is used as the laser light source, with a frequency of 220 kHz, an output of 8 W, a scanning speed of 2800 mm/s, a pulse width of 75 ns (Condition 1), a frequency of 500 kHz, an output of 8 W, and a scanning speed. It performed in both of 2800 mm/s and 15 ns of pulse widths (condition 2). As a result of calculating the pulse energy by the following formula, the condition 1 was 36 µJ and the condition 2 was 16 µJ.

펄스 에너지=출력/주파수Pulse Energy = Output/Frequency

이것으로부터 조건 1보다 조건 2 쪽이 저에너지로의 에칭이라고 할 수 있다. From this, it can be said that condition 2 is a low-energy etching rather than condition 1.

평가 항목, 측정 조건은 이하와 같다. Evaluation items and measurement conditions are as follows.

(레이저 에칭 가공폭 평가) (Laser etching processing width evaluation)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 도전성 박막이 제거된 부위의 선폭을 측정하였다. 측정은, 레이저 현미경(키엔스 VHX-1000)을 이용하여 행하고, 하기의 평가 판단 기준으로 판정하였다. In the said laser etching processing aptitude evaluation test piece, the line|wire width of the site|part from which the conductive thin film was removed was measured. The measurement was performed using a laser microscope (Keyence VHX-1000), and it determined with the following evaluation criteria.

○; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 18~22 ㎛○; The line width of the area where the conductive thin film is removed is 18-22 ㎛

△; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 14~17 ㎛ 혹은 23~26 ㎛△; The line width of the area where the conductive thin film is removed is 14~17 ㎛ or 23~26 ㎛

×; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 13 ㎛ 이하, 혹은 27 ㎛ 이상×; The line width of the portion where the conductive thin film is removed is 13 μm or less, or 27 μm or more

(레이저 에칭 가공 적성 평가 1 세선 양단 사이 도통성)(Laser etching processing aptitude evaluation 1 Conductivity between both ends of the thin wire)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 세선의 양단 사이의 도통이 확보되어 있는지에 의해 평가하였다. 구체적으로는, 단자 A1-단자 B1 사이, 단자 A2-단자 B2 사이, 단자 A3-단자 B3 사이, 단자 A4-단자 B4 사이의 각각에 대해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준으로 판정하였다. The said laser etching processing aptitude evaluation test piece WHEREIN: It evaluated by whether conduction|electrical_connection between the both ends of a thin wire was ensured. Specifically, by applying a tester to each of the terminals A1-terminal B1, terminal A2-terminal B2, terminal A3-terminal B3, and terminal A4-terminal B4, the presence or absence of conduction is checked, and judgment is made according to the following evaluation criteria did.

○; 4개의 세선 모두에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 있다○; For all four thin wires, there is conduction between both ends of the thin wires.

△; 4개의 세선 중, 1~3개에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 없다△; There is no conduction between both ends of the thin wire for 1 to 3 of the 4 thin wires

×; 4개의 세선 모두에 대해 세선의 양단 사이에 도통이 없다×; There is no conduction between both ends of the thin wire for all four thin wires

(레이저 에칭 가공 적성 평가 2 인접 세선 사이 절연성) (Laser etching processing aptitude evaluation 2 Insulation between adjacent fine wires)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 인접하는 세선 사이의 절연이 확보되어 있는지에 의해 평가하였다. 구체적으로는, 단자 A1-단자 A2 사이, 단자 A2-단자 A3 사이, 단자 A3-단자 A4 사이의 각각에 대해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준으로 판정하였다.The said laser etching processing aptitude evaluation test piece WHEREIN: It evaluated by whether the insulation between adjacent thin wires was ensured. Specifically, the tester was applied to each of the terminals A1-terminal A2, the terminal A2-terminal A3, and the terminal A3-terminal A4, the presence or absence of conduction was confirmed, and it judged by the following evaluation criteria.

○; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있다○; All adjacent fine wires are insulated

△; 일부의 인접 세선 사이가 절연되어 있다△; Some adjacent fine wires are insulated

×; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있지 않다×; All adjacent fine wires are not insulated

(도전성 박막이 제거된 부위의 잔사의 평가)(Evaluation of the residue at the site from which the conductive thin film was removed)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 도전성 박막이 제거된 부위를 레이저 현미경으로 관찰하고, 잔사의 부착 유무를 하기 평가 기준에 의해 판정하였다. The said laser etching processing aptitude evaluation test piece WHEREIN: The site|part from which the conductive thin film was removed was observed with the laser microscope, and the following evaluation criteria determined the presence or absence of adhesion of a residue.

○: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 없다. (circle): There is no residue in the site|part from which the conductive thin film was removed.

△: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 다소 있다. (triangle|delta): There exists some residue in the site|part from which the conductive thin film was removed.

×: 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 많이 보여진다.x: Many residues are seen in the site|part from which the conductive thin film was removed.

(레이저 에칭 후의 도전성 박막과 기재의 밀착성의 평가)(Evaluation of the adhesion between the conductive thin film and the base material after laser etching)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에서의 도전성 박막이 제거된 부위에 끼워져 있는 도전성 박막이 잔존하고 있는 부위의, 기재에 대한 밀착성을, 셀로테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용한 테이프 박리 테스트에 의해 평가하였다. 이 평가는, 시험편 작성의 24시간 후 직후(초기)와 그 후 또한 85℃, 85% RH(상대 습도)의 습열 환경하에 120시간 정치(靜置)하고 또한 24시간 상온에서 정치한 후(내습열 시험 후)에 행하였다. A tape using CelloTape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) for the adhesion to the substrate of the portion where the conductive thin film sandwiched between the portion from which the conductive thin film has been removed in the laser etching processing aptitude evaluation test piece. It was evaluated by peeling test. This evaluation is performed immediately after 24 hours of test piece preparation (initial) and after that, after standing still for 120 hours in a moist heat environment of 85° C. and 85% RH (relative humidity) and standing still at room temperature for 24 hours (within the after wet heat test).

○: 박리가 없다. △: 일부 박리된다. ×: 모두 박리된다.(circle): There is no peeling. (triangle|delta): A part peels. x: All peel.

수지의 제조예Preparation example of resin

폴리에스테르 수지 P-1의 제조예Preparation example of polyester resin P-1

교반기, 콘덴서 및 온도계를 구비한 반응 용기에 테레프탈산 700부, 이소프탈산 420부, 아디프산 246부, 에틸렌글리콜 680부, 네오펜틸글리콜 614부를 넣고, 질소 분위기 2기압 가압하, 160℃로부터 230℃까지 3시간에 걸쳐 승온하여, 에스테르화 반응을 행하였다. 방압(放壓) 후, 테트라부틸티타네이트 0.92부를 넣고, 계속해서 계 내를 서서히 감압해 가며, 20분에 걸쳐 5 mmHg까지 감압하고, 또한 0.3 mmHg 이하의 진공하, 260℃에서 40분간 중축합 반응을 행하여 폴리에스테르 수지를 얻었다. 얻어진 공중합 폴리에스테르 수지 P-1의 조성 및 물성을 표 1에 나타내었다. 700 parts of terephthalic acid, 420 parts of isophthalic acid, 246 parts of adipic acid, 680 parts of ethylene glycol, and 614 parts of neopentyl glycol were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, and under a nitrogen atmosphere under 2 atmospheres of pressure, 160°C to 230°C The temperature was raised over 3 hours to perform an esterification reaction. After releasing the pressure, 0.92 parts of tetrabutyl titanate is added, and the inside of the system is gradually reduced in pressure, pressure-reduced to 5 mmHg over 20 minutes, and polycondensed at 260°C for 40 minutes under a vacuum of 0.3 mmHg or less. The reaction was performed to obtain a polyester resin. Table 1 shows the composition and physical properties of the obtained copolymerized polyester resin P-1.

폴리에스테르 수지 P-2~P-6의 제조예Preparation examples of polyester resins P-2 to P-6

폴리에스테르 수지 P-1의 제조예에 있어서 모노머의 종류와 배합 비율을 변경하여, 폴리에스테르 수지 P-2~P-6을 제조하였다. 얻어진 공중합 폴리에스테르 수지의 조성 및 수지 물성을 표 1에 나타내었다. In the production example of the polyester resin P-1, the type and blending ratio of the monomer were changed to prepare the polyester resins P-2 to P-6. Table 1 shows the composition and the resin physical properties of the obtained co-polyester resin.

Figure 112016077120244-pct00001
Figure 112016077120244-pct00001

폴리우레탄 수지 U-1의 제조예Preparation example of polyurethane resin U-1

교반기, 콘덴서, 온도계를 구비한 반응 용기에 폴리에스테르 수지 P-5를 1500부, P-6을 1000부, 네오펜틸글리콜(NPG)을 180부, 1,6-헥산디올(1,6HD)을 50부 투입한 후, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC)를 2587부 넣고, 85℃에 있어서 용해하였다. 그 후, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)를 810부 첨가하여, 85℃, 2시간 반응을 행한 후, 촉매로서 디부틸주석디라우레이트를 0.5부 첨가하여, 85℃에서 4시간 더 반응시켰다. 이어서, EDGAC 3440부로 용액을 희석하여, 폴리우레탄 수지 U-1의 용액을 얻었다. 얻어진 폴리우레탄 수지 용액의 고형분 농도는 37 질량%였다. 이와 같이 하여 얻은 수지 용액을 폴리프로필렌 필름 상에 적하하고, 스테인리스강제의 어플리케이터를 이용하여 연신하여, 수지 용액의 박막을 얻었다. 이것을 120℃로 조정한 열풍 건조기 내에 3시간 정치하여 용제를 휘산시키고, 계속해서 폴리프로필렌 필름으로부터 수지 박막을 박리하여, 필름형의 건조 수지 박막을 얻었다. 건조 수지 박막의 두께는 약 30 ㎛였다. 상기 건조 수지 박막을 폴리우레탄 수지 U-1의 시료 수지로 하고, 각종 수지 물성의 평가 결과를 표 2에 나타내었다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, condenser and thermometer, 1500 parts of polyester resin P-5, 1000 parts of P-6, 180 parts of neopentyl glycol (NPG), and 1,6-hexanediol (1,6HD) were added After putting in 50 parts, 2587 parts of ethyl diglycol acetate (EDGAC) was put, and it melt|dissolved in 85 degreeC. Thereafter, 810 parts of 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added, followed by reaction at 85° C. for 2 hours, and then 0.5 parts of dibutyltin dilaurate as a catalyst was added thereto, and 4 at 85° C. more time to react. Next, the solution was diluted with 3440 parts of EDGAC, and the solution of polyurethane resin U-1 was obtained. The solid content concentration of the obtained polyurethane resin solution was 37 mass %. Thus, the obtained resin solution was dripped on the polypropylene film, it extended|stretched using the applicator made from stainless steel, and the thin film of the resin solution was obtained. This was left still in the hot-air dryer adjusted to 120 degreeC for 3 hours, the solvent was volatilized, then, the resin thin film was peeled from the polypropylene film, and the film-shaped dry resin thin film was obtained. The thickness of the dry resin thin film was about 30 μm. The dry resin thin film was used as a sample resin of polyurethane resin U-1, and the evaluation results of various resin properties are shown in Table 2.

폴리우레탄 수지 U-2의 제조예Preparation example of polyurethane resin U-2

폴리우레탄 수지 U-2는, 폴리에스테르폴리올, 이소시아네이트와 반응하는 기를 갖는 화합물 및 폴리이소시아네이트를 표 2에 나타낸 것으로 대신한 것 이외에는, 폴리우레탄 수지 U-1의 제조예와 동일한 방법으로 제조하였다. 폴리우레탄 수지 U-2의 수지 물성의 평가 결과를 표 2에 나타내었다. Polyurethane resin U-2 was prepared in the same manner as in Production Example of polyurethane resin U-1, except that polyester polyol, a compound having a group reactive with isocyanate, and polyisocyanate were replaced with those shown in Table 2. Table 2 shows the evaluation results of the resin properties of the polyurethane resin U-2.

Figure 112016077120244-pct00002
Figure 112016077120244-pct00002

DMBA: 디메틸올부탄산DMBA: dimethylolbutanoic acid

1,6HD: 1,6-헥산디올1,6HD: 1,6-hexanediol

NPG: 네오펜틸글리콜NPG: neopentyl glycol

MDI: 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트MDI: 4,4'-diphenylmethane diisocyanate

실시예 1Example 1

폴리에스테르 수지 P-1을 고형분 농도가 42 질량%가 되도록 EDGAC/BDGAC(7:3)에 용해한 용액 2381부(고형분 환산 1000부), 플레이크형 은 분말 1을 9000부, 경화제 1을 108부, 레벨링제를 56부, 첨가제 1을 36부, 용제로서 EDGAC를 92부, BDGAC를 40부 배합하고, 칠드 3본 롤 혼련기에 2회 통과시켜 분산하였다. 계속해서, 페이스트 여과기(프로테크사 제조 PF320A)에 500 메시(스테인리스 메시 필터(선 직경 25 ㎛, 눈 크기 30 ㎛))의 여과 필터를 부착하여, 상기 페이스트의 여과를 행하였다. 그 후, 얻어진 도전성 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄 후, 130℃×30분간 건조하여, 도전성 박막을 얻었다. 본 도전성 박막을 이용하여 기본 물성을 측정하고, 계속해서, 레이저 에칭 가공의 검토를 행하였다. 페이스트 및 페이스트 도막, 레이저 에칭 가공성의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 2381 parts (1000 parts of solid content conversion) of a solution in which polyester resin P-1 was dissolved in EDGAC/BDGAC (7:3) so that the solid content concentration was 42 mass%, 9000 parts of flaky silver powder 1, 108 parts of curing agent 1, 56 parts of a leveling agent, 36 parts of Additive 1, 92 parts of EDGAC as a solvent, and 40 parts of BDGAC were blended and passed through a chilled 3-roll kneader twice to disperse. Then, a 500-mesh (stainless steel mesh filter (wire diameter: 25 µm, eye size: 30 µm)) was attached to a paste filter (PF320A manufactured by Protech), and the paste was filtered. Then, after printing the obtained electrically conductive paste by a predetermined pattern, 130 degreeC x 30 minutes was dried, and the conductive thin film was obtained. The basic physical property was measured using this conductive thin film, and the laser etching process was then examined. Table 3 shows the evaluation results of paste and paste coating film and laser etching processability.

실시예 2~12, 비교예 1~3Examples 2-12, Comparative Examples 1-3

도전성 페이스트의 수지 및 배합을 변경하여 실시예 2~12, 비교예 1~3을 실시하였다. 도전성 페이스트의 배합 및 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 실시예에서는 오븐 130℃×30분이라고 하는 비교적 저온이며 또한 단시간의 가열에 의해 양호한 도막 물성을 얻을 수 있었다. 또한 ITO막에 대한 밀착성, 습열 환경 시험 후의 밀착성도 양호하였다.Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 3 were implemented by changing the resin and compounding of the conductive paste. Table 3 shows the formulation and evaluation results of the conductive paste. In the Example, favorable coating-film properties were obtained by heating at a relatively low temperature of 130° C. × 30 minutes in an oven and for a short time. Moreover, the adhesiveness to the ITO film|membrane and the adhesiveness after a wet heat environment test were also favorable.

한편, 표 3에 있어서, 바인더 수지, 도전 분말, 첨가제 및 용제는 이하의 것을 이용하였다. In addition, in Table 3, the following things were used for binder resin, an electrically conductive powder, an additive, and a solvent.

은 분말 1: 플레이크형 은 분말(D50: 0.5 ㎛)Silver powder 1: flaky silver powder (D50: 0.5 μm)

은 분말 2: 구형 은 분말(D50: 1 ㎛)Silver powder 2: spherical silver powder (D50: 1 μm)

카본 블랙: 도카이 카본(주) 제조 #4400Carbon black: #4400 manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.

케첸 블랙: 라이온(주) 제조 케첸 ECP600JDKetjen Black: Ketjen ECP600JD manufactured by Lion Co., Ltd.

그래파이트 분말: (주)츄에츠 고쿠엔 고교쇼 제조의 그래파이트 BF Graphite powder: Graphite BF manufactured by Chuetsu Kokuen Kogyo Sho.

경화제 1: 아사히 가세이 케미컬즈(주) 제조 MF-B60XHardener 1: Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. MF-B60X

경화제 2: 미쓰비시 가가쿠 제조 jER-828Hardener 2: jER-828 manufactured by Mitsubishi Chemical

경화 촉매: 교도 야쿠힌(주) 제조 KS1260Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.

레벨링제: 교에이샤 가가쿠(주) MK 콩크Leveling agent: Kyoeisha Chemical Co., Ltd. MK Conque

분산제 1: 빅케미·재팬(주)사 제조 Disperbyk2155Dispersant 1: Big Chemie Japan Co., Ltd. Disperbyk2155

첨가제 1: 닛폰 아에로질(주) 제조 실리카 R972Additive 1: Silica R972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.

첨가제 2: 나가세 켐텍스(주) 제조 NIR-AM1Additive 2: NIR-AM1 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.

EDGAC: (주)다이셀 제조 에틸디글리콜아세테이트EDGAC: Ethyl diglycol acetate manufactured by Daicel Co., Ltd.

BDGAC: (주)다이셀 제조 부틸디글리콜아세테이트 BDGAC: Butyldiglycol acetate manufactured by Daicel Co., Ltd.

DBE: 듀폰(주) 제조 아디프산, 숙신산 및 글루타르산의 디메틸에스테르의 혼합물DBE: A mixture of dimethyl ester of adipic acid, succinic acid and glutaric acid manufactured by DuPont Co., Ltd.

Figure 112016077120244-pct00003
Figure 112016077120244-pct00003

본 발명의 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트는, 레이저 에칭 가공 적성을 유지하면서, 습열 환경 신뢰성이 우수하고, 도전성 박막으로서의 도막 내구성을 유지할 수 있는 도전성 박막을 제공할 수 있으며, 예컨대, 터치 패널을 탑재하는 휴대 전화, 노트북 컴퓨터, 전자 서적 등에 이용하는 도전성 페이스트로서 유용하다. The conductive paste for laser etching processing of the present invention can provide a conductive thin film that is excellent in wet heat environment reliability and can maintain the coating film durability as a conductive thin film while maintaining laser etching processing aptitude, for example, a portable device equipped with a touch panel It is useful as a conductive paste used for a telephone, a notebook computer, an electronic book, etc.

1a, 2a, 3a, 4a: 단자 A
1b, 2b, 3b, 4b: 세선 B
1c, 2c, 3c, 4c: 단자 C
1a, 2a, 3a, 4a: Terminal A
1b, 2b, 3b, 4b: fine wire B
1c, 2c, 3c, 4c: Terminal C

Claims (11)

열가소성 수지로 이루어지는 바인더 수지(A), 금속 분말(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수 평균 분자량이 5,000~60,000이고, 또한, 유리 전이 온도가 60℃ 미만인 열가소성 수지이고, 상기 바인더 수지(A)가 산가 50 당량/106 g 미만인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. In the conductive paste for laser etching processing containing a binder resin (A) made of a thermoplastic resin, a metal powder (B) and an organic solvent (C), the binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000 to 60,000, and , a thermoplastic resin having a glass transition temperature of less than 60° C., and the binder resin (A) has an acid value of less than 50 equivalents/10 6 g. 제1항에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 염화비닐 수지 및 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. According to claim 1, wherein the binder resin (A) is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a vinyl chloride resin, and a cellulose derivative resin. Conductive paste for laser etching processing, characterized in that. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전성 페이스트를 여과한 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트. The electrically conductive paste for laser etching processing of Claim 1 or 2 which filtered the electrically conductive paste. 제1항에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로 형성된 도전성 박막. The conductive thin film formed from the electrically conductive paste for laser etching processes of Claim 1. 제5항에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체. The electroconductive laminated body by which the electroconductive thin film of Claim 5 and the base material are laminated|stacked. 제6항에 있어서, 상기 기재가 투명 도전성 층을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 적층체. The conductive laminate according to claim 6, wherein the substrate has a transparent conductive layer. 제5항에 기재된 도전성 박막, 또는 제6항 또는 제7항에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로.The electric circuit formed using the conductive thin film of Claim 5, or the electroconductive laminated body of Claim 6 or 7. 제5항에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저에서 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로. An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film according to claim 5 with a laser beam selected from a carbon dioxide laser, a YAG laser, a fiber laser, and a semiconductor laser, and removing a part of the conductive thin film. 제9항에 있어서, 상기 도전성 박막이 투명 도전성 층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 회로. The electric circuit according to claim 9, wherein the conductive thin film is formed on a transparent conductive layer. 제8항에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널.A touch panel comprising the electric circuit according to claim 8 as a constituent member.
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