KR20160111504A - 부품을 제조하는 방법 - Google Patents

부품을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160111504A
KR20160111504A KR1020167023056A KR20167023056A KR20160111504A KR 20160111504 A KR20160111504 A KR 20160111504A KR 1020167023056 A KR1020167023056 A KR 1020167023056A KR 20167023056 A KR20167023056 A KR 20167023056A KR 20160111504 A KR20160111504 A KR 20160111504A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer composite
layer
composite
trenches
trench
Prior art date
Application number
KR1020167023056A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101901504B1 (ko
Inventor
볼프람 가이거
우베 브렝
마르탱 아펜
귄터 스파링거
Original Assignee
노스롭 그루만 리테프 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 노스롭 그루만 리테프 게엠베하 filed Critical 노스롭 그루만 리테프 게엠베하
Publication of KR20160111504A publication Critical patent/KR20160111504A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101901504B1 publication Critical patent/KR101901504B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0006—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Floor Finish (AREA)

Abstract

부품을 제조하기 위한 방법에서,구조층과 절연 물질로 충진되는 트렌치를 포함하는 제1 층 복합물의 먼저 생성된다. 구조층은 적어도 제1 영역에서 전기적으로 전도성이다. 절연 물질로 충진되는 트렌치는 구조층의 제1 표면으로부터 연장되며, 구조층의 제1 영역에 배치된다. 구조층의 제1 표면은 제1 층 복합물의 제1 표면과 마주한다. 방법은 또한 제2 층 복합물의 제1 표면에 제1 오목부를 구비하는 제2 층 보합물을 생성하는 단계와, 제1 층 복합물을 제2 층 복합물에 연결하는 단계를 포함한다. 제1 층 복합물의 제1 표면은 제2 층 복합물의 제1 표면과 적어도 일부 영역에서 맞닿으며, 상기 충진 트렌치는 제1 오목부의 수평 위치 내에 배치된다. 제1 층 복합물이 제 층 복합물에 연결된 이후, 제1 층 복합물의 제2 표면으로부터 충진 트렌치의 깊이까지의 제1 층 복합물의 두께가 감소된다. 제1 층 복합물의 제2 표면은 제1 층 복합물의 제1 표면과 반대편에 놓여있다. 방법은 구조층에 능동 구조물을 생성하는 단계를 더 포함하며, 상기 구조층은 두 개의 구조층의 제1 영역에 배치되며 기계적으로는 서로 단단히 연결되나 충진 트렌치에 의해 전기적으로 서로 절연되는 제2 영역들을 포함한다.

Description

부품을 제조하는 방법{METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT}
본 발명은 분할, 갈바닉 절연된 능동 구조물을 구비하는 부품, 특히 미소기계, 미소전기기계(MEMS) 또는 미소-광학-전기-기계(MOEMS) 부품에 관한 것이다.
미소-전기기계 부품(MEMS) 또는 미소-광학-전기-기계 부품(MOEMS)은 종종 능동 구조물들을 포함한다. 이러한 이유에서, 특히 운동 구조물 또는 운동 및 광학 부품들(예를 들어 이동 거울들)을 포함하는 구조물들은 "능동 구조물"로 이해될 수 있다. "능동 영역"이라는 용어는 능동 구조물들이 차지하거나 운동하는 부품의 면적 또는 부피를 가리킨다. 만약 능동 구조물이 균일한 복합재료로 이루어지지 않지만, 서로 견고하게 기계적으로 연결되지만 서로 완전하게 전기적으로 절연된 적어도 두 개의 분리된 부분들 또는 영역들을 구비한다면, 필수적이거나 효과적일 수 있다.
능동 구조물은 그들의 이동성을 담보하기 위해, 부품의 다른 요소들과 제한된 크기 내에서 물리적으로 연결되기 때문에, 서로 전기적으로 절연된 능동 구조물의 부분들 사이의 전기 절연의 형성은 이러한 부품을 제조하는 데 까다로운 과제를 부여한다.
따라서, 본 발명의 목적은 부품, 특히 미소-기계, 미소-전기기계 또는 미소-광학-전기-기계 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이며, 이에 의해 서로 단단히 기계적으로 연결되나 서로 완전하게 전기적으로 절연된 두 개의 분리된 부분들 또는 영역들을 구비하는 부품의 능동 구조물이 실현될 수 있다.
목적은 독립항의 보호범위에 의해 달성된다. 바람직한 실시예들은 종속항들에서 찾아볼 수 있다.
본 발명에 따른 부품의 제조 방법은, 적어도 제1 영역에서 전기적으로 전도성인 구조층과, 절연 물질로 충진되며, 구조층의 제1 표면으로부터 바깥쪽으로 연장되며, 구조층의 제1 영역에 배치되는 트렌치를 포함하는 제1 층 복합물을 제조하는 단계를 포함한다. 구조층의 제1 표면은 제1 층 복합물의 제1 표면과 마주한다. 부품을 제조하는 방법은 또한 제2 층 복합물의 제1 표면에 제1 오목부를 구비하는 제2 층 복합물을 제조하는 단계와, 제1 층 복합물과 제2 층 복합물을 연결하는 단계를 포함하며, 제1 층 복합물의 제1 표면은 제2 층 복합물의 제1 표면과 적어도 일부 영역에서 맞닿으며, 충진 트렌치는 제1 오목부의 수평 위치 내에 배치된다. 제1 층 복합물이 제2 층 복합물에 연결된 다음, 제1 층 복합물의 제2 표면으로부터 트렌치의 깊이까지의 제1 층 복합물의 두께가 감소되고, 제1 층 복합물의 제2 표면은 제1 층 복합물의 제1 표면의 반대측에 놓인다. 방법은 구조층에 부품의 능동 구조물을 생성하는 단게를 더 포함하며, 능동 구조물은 제1 오목부의 수평 위치 내에 배치되며, 구조층의 두 개의 제2 영역들을 포함한다. 구조층의 제2 영역들은 구조층의 제1 영역에 배치되며, 서로 물리적으로 단단하게 연결되며, 충진 트렌치에 의해 서로 전기적으로 절연된다.
부품의 제조 방법의 일 실시예에 따르면, 제1 층 복합물의 충진 트렌치는, 제1 층 복합물을 제2 층 복합물에 연결하기에 앞서, 제1 층 복합물의 두께보다 작은 깊이까지 연장된다. 이것은 충진 트렌치가 제1 층 복합물의 제1 표면의 반대편에 놓인 제1 층 복합물의 제2 표면까지 도달하지 않는다는 의미이다.
특정 실시예에 따르면, 제1 층 복합물은 구조층의 제2 표면과 맞닿는 보조층을 더 포함하며, 구조층의 제2 표면은 구조층의 제1 표면과 반대편이 놓인다. 충진 트렌치는 구조층의 제2 표면까지 연장된다.
방법의 일 실시예에 따르면, 제1 층 복합물을 제2 층 복합물에 연결하기 전에, 절연 물질로 충진된 트렌치 외의 어떠한 구조물도 제1 층 복합물에 형성되지 않는다. 특히, 분할 트렌치들, 다시 말해 절연 물질로 충진되지 않는 트렌치들이 생성되지 않는다.
이 경우, 구조층 - 제1 층 복합물의 두께가 충진 트렌치의 두께까지 감소된 이후 - 이 부품의 능동 구조물을 생성하기 위해 구조화된다.
방법의 다른 실시예에 따르면, 분할 트렌치들은, 충진 트렌치들에 더해, 제1 층 복합물을 제2 층 복합물에 연결하기에 앞서 제1 층 복합물에 형성되며, 분할 트렌치들은 물질로 충진되지 않고, 제1 층 복합물의 제1 표면으로부터 충진 트렌치의 깊이보다 크거나 같은 깊이까지 연장된다. 분할 트렌치들은 이어지는 방법 단계에서 생성되는 능동 구조물의 수평상의 한계를 정한다.
이 경우, 부품의 능동 구조물은 제1 층 복합물의 두께를 충진 트렌치의 깊이까지 감소시킴으로써 생성된다.
일 실시예에 따르면, 부품을 제조하는 방법은 또한 제1 기판을 구비하는 제3 층 복합물을 생성하는 단계 및 능동 구조물의 생성 후에 제1 층 복합물을 제3 층 복합물에 연결하는 단계를 포함하며, 제3 층 복합물의 제1 표면은 제1 층 복합물의 제2 표면과 적어도 일부 영역에서 맞닿는다. 따라서, 구조층은 밀봉적인 방법으로 캡슐화될 수 있다.
제1 층 복합물을 제3 층 복합물에 연결하기에 앞서, 제12 오목부가 제3 층 복합물의 제1 표면에 생성된다. 제1 층 복합물을 제3 층 복합물에 연결하는 동안, 능동 구조물이 제2 오목부의 수평 위치 내에 배치된다.
일 실시예에 따르면, 제3 층 복합물과 마주하는 제1 층 복합물의 층과, 제1 층 복합물과 마주하는 제3 층 복합물의 층은 동일한 물질로 이루어진다.
또 다른 실시예 따르면, 제2 층 복합물과 마주하는 제1 층 복합물의 층과, 제1 층 복합물과 마주하는 제2 층 복합물의 층은 동일한 물질로 이루어진다.
레이어들이 서로 연결되어야 하는 경우, 즉, 제2 층 복합물과 마주하는 제2 층 복합물의 층과 제1 층 복합물과 마주하는 제2 층 복합물의 층이, 그리고 가능하다면, 제3 층 복합물과 마주하는 제1 층 복합물의 층과 제1 층 복합물과 마주하는 제3 층 복합물의 층이 동일한 물질로 이루어지며, 이들 층들을 연결하기에 특히 적합한 방법들, 예를 들어 접합 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들어, 대응하는 레이들은 반도체 물질, 특히, 실리콘으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 부품(1)의 제조 방법은 기계적으로는 서로 단단히 연결되나, 전기적으로는 서로 완전현 절연된 두 개의 분리된 부분들 또는 영역들을 가지는 부품의 능동 구조물의 제조를 가능하게 한다.
또한, 부품(1)의 능동 영역의 밀봉 캡슐화의 기밀성이 보장될 수 있다. 특히, 제1 층 복합물(10)이 제2 층 복합물(20)에 연결되는 동안 충진 트렌치(15)들의 깊이보다 큰 두께를 가지고 따라서 높은 안정성을 가지기 때문에, 적합한 결합 파라미터들이 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하기 위한 결합 공정 동아네 선택될 수 있다.
도 1은 방법의 일 실시예에 따른 제1 층 복합물의 단면을 보여준다.
도 2는 방법의 다른 실시예에 따른 제1 층 복합물의 단면을 보여준다.
도 3은 방법의 일 실시예에 따른 제2 층 복합물의 단면을 보여준다.
도 4는 방법의 일 실시예에 따른 제1 층 복합물과 제2 층 복합물의 연결 후의 부품의 단면을 보여준다.
도 5는 도 4로부터 제1 층 복합물의 두께가 감소한 다음의 부품의 단면을 보여준다.
도 6은 방법의 일 실시예에 따른 도 5로부터 구조층의 구조화 후의 부품의 단면을 보여준다.
도 7은 방법의 일 실시예에 따른 제3 층 복합물의 단면을 보여준다.
도 8은 부품에 도 7의 제3 층 복합물을 연결시킨 후의 도 6의 부품의 단면을 보여준다.
도 9는 도 8의 부품을 방법의 일 실시예에 따른 추가적인 공정 단계를 거친 후의 단면을 보여준다.
도 10은 방법의 다른 일 실시예에 따른 제1 층 복합물의 단면을 보여준다.
도 11은 도 10의 제1 층 복합물과 제2 층 복합물을 연결 시킨 후의 방법의 일 실시예에 따른 부품의 단면을 보여준다.
도 12는 제1 층 복합물의 두께를 감소시킨 후의 도 11의 부품을 보여준다.
도 1은 제1 실시예에 따라 제조된 제1 층 복합물(10)의 단면을 보여준다. 도 1이 도시된 제1 층 복합물은 구조층(11) 및 절연 물질로 충진되는 트렌치(15)를 포함한다. 도 1은 두 개의 충진 트렌치(15)들을 보여주지만, 본 발명에 따른 방법을 위해서는 하나의 충진 트렌치만으로도 충분하다. 제1 층 복합물(10)은 제1 표면(110)과 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)의 반대편에 놓이는 제2 표면(112)을 구비한다. 구조층(11)은 제1 표면(111)과 제1 표면(111)의 반대편에 놓이는 제2 표면(113)을 구비한다. 도 1에 도시된 실시예에서, 제1 층 복합물은 구조층(11) 만을 구비하며, 따라서 구조층(11)의 제1 표면(111)은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)에 상응하며, 구조층(11)의 제2 표면(113)은 제1 층 복합물(10)의 제2 표면에 상응한다.
구조층(11)은 전기적으로 전도성인 적어도 하나의 제1 영역(114)을 구비하며, 여기에 충진 트렌치(15)가 형성된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개의 충진 트렌치(15)들이 동일한 제1 영역(114)에 형성될 수 있다. 하지만, 여러 충진 트렌치(15)들은 또한 서로 전기적으로 절연된 여러 다른 제1 영역(114)들에 형성될 수 있다. 제1 영역(들)(114)은 구조층(11)의 제1 표면(111)으로부터 바깥쪽으로 연장될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 충진 트렌치(15)들의 깊이 d15까지 도달할 수 있다. 하지만, 제1 영역(들)(114)은 또한 충진 트렌치(15)들의 깊이 d15와 다른 또다른 깊이까지 도달할 수도 있으며, 각각 구조층(11)의 제1 또는 제2 표면(111, 113) 중 어느 하나와 맞닿지 않는 매장된 영역들로서 형성될 수도 있다. 제1 영역(들)(114)은, 예를 들어, 반도체 층 또는 반도체 기판에서, 즉 실리콘으로 만들어지는, 도핑된 면적들일 수 있다. 구조층(11) 전체가 전기적으로 전도성이며, 제1 영역(114)이 따라서 구조층(11) 전체를 가로질러 연장되는 것도 가능하다.
"구조층"이라는 용어는 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 하나의 물질로만 이루어지는 형성물들을 묘사하지만, 구조층(11)의 제1 영역(114)이 전기적으로 전도싱이기만 하면 복수 개의 층들 또는 물질들로 만들어지는 복합물을 포함할 수도 있다.
이어지느니 공정 단계에서, 충진 트렌치가 전기적으로 능동 구조물의 개별 영역들이 서로 전기적으로 절연하며 부품의 능동 구조물은 제1 영역(114)에 제조된다. 또한 복수 개의 능동 구조물들이 제조될 수 있다. 따라서, 충진 트렌치의 갯수는 구조층에 하나 이상의 능동 구조물들 이후 제조되는 영역들의 갯수로부터 도출되는 반면, 영역들은 고정되게 서로 물리적으로 연결되지만 전기적으로는 서로 절연되어야 한다. 이는, 충진 트렌치(15)의 갯수, 제1 영역(114)들의 갯수, 서로 절연된 능동 구조물의 영역들의 갯수 및 능동 구조물들의 갯수가 제한되지 않는다는 것을 의미한다.
충진 트렌치(들)은 절연 물질로 충진되며, 제1 기판(11)의 제1 표면(111)으로부터 깊이 d15까지 연장된다. 일 실시예에 따르면, 충진 트렌치(15)들의 깊이 d15는 제1 층 복합물(10)의 두께 d10보다 작다. 이러한 이유에서, 충진 트렌치(15)들은 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)까지 도달하지 않는다. 상면도에서, 충진 트렌치(15)는 임이적으로 배치될 수 있으며, 어떠한 형상이라도 가질 수 있다. 예를 들어, 상면도에서 볼 때 그것들은 직선으로 뻗거나, 곡선으로 휘어질 수 있으며, 만약 복수 개의 충진 트렌치(15)들이 형성된다면, 서로 평행하거나 서로 각도를 가지도록 형성될 수 있다. 충진 트렌치(15)들은 -단면에서- 제1 표면(111)으로부터 임의의 형태로 바깥으로 연장될 수 있다. 이것은, 충진 트렌치(15)들이 제1 표면(111)에 대해 수직하거나 소정 각도를 가지도록 직선 또는 곡선으로 뻗을 수 있다. 충진 트렌치(15)들의 너비는 깊이에 따라 다양하게 바뀔 수 있다. 또한, 다양한 충진 트렌치(15)들이 모든 충진 트렌치(15)들이 가급적 동일한 깊이를 가지면서 다르게 형성될 수도 있다.
충진 트렌치(15)들은, 예를 들어 건식 에칭 공정(DRIE) 또는 마스크를 이용한 강한 이방성 습식 에칭 공정과 같은 에칭 공정이나, 다른 공정들에 의해 제조될 수 있으며, 충진 물질로 나타나는 이어지는 트렌치의 충진 공정에 의해 제조된다. 트렌치들은 구조층(11)의 제1 표면(111)으로부터 제조된다. 트렌치를 충진하는 절연 물질은 예를 들어, 화학 또는 물리적 증착(각각 CVD 및 PVD) 방법에 의해 트렌치들 내로 충진될 수 있다. 절연 물질로 트렌치들을 충진한 다음, 제1 표면(111) 상에 위치한 과도한 절연 물질이 다시 제거된다. 이는 화학-기계 연마(CMP) 공정 또는 에칭 공정에 의해 수행될 수 있다.
이러한 공정 단계의 결과가 도 1에 도시되어 있다.
선택적으로, 추자적인 구조물들이 제1 층 복합물(10)에 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제1 층 복합물(10)의 제1 표면 또는 구조층(11)의 제1 표면(11)으로부터 연장되지만 물질로 충진되지 않는 추가적인 트렌치들 또는 절연 물질로 충진되는 트렌치(15)들이 배치되지 않는 추가적인 전기 전도성 영역들이 구조층(11)에 형성될 수 있다. 이는 도 10 내지 12를 참조하여 이후에 더 자세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 방법의 제1 공정의 결과로서, 제1 층 복합물(10)의 다른 실시예를 보여준다. 구조층(11) 및 충진 트렌치(15)에 더해, 층 복합물(10)은 구조층(11)의 제2 표면(113)과 접하는 보조층을 포함한다. 도 2에 도시된 실시예에 따르면, 구조층(11)의 제1 표면(111)은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면에 대응하는 반면, 구조층(11)의 제2 표면(113)은 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)과 마주하며, 이에 대응하지 않는다.
보조층(13)은 예를 들어 실리콘 옥사이드와 같은 절연 물질이나 , 또는 구조층(11)에 잘 부착된다면 어떠한 다른 물질로도 이루어질 수 있으며, 추가적인 공정 단계에서 다시 제거될 수 있다. 또한, 보조층(13)은 복수 개의 층들로 이루어질 수도 있다. 충진 트렌치(들)(15)은 제1 층 복합물(10)에서 어떠한 깊이까지 연장될 수 있다. 바람직하게는 도 2에 도시된 바와 같이 구조층(11)의 제2 표면(113)까지 연장된다. 하지만, 구조층(11)의 두께보다 작거나 큰 깊이까지 연장될 수도 있다.
구조층(11)의 제1 영역(114) 및 충진 트렌치(15)의 위치 및 형상과 이들의 제조에 대해, 상기의 기술 내용이 적용된다.
선택적으로, 도 1 또는 도 2에 도시된 제1 층 복합물(10)은 임의적으로 배치될 수 있는 하나 이상의 추가적인 층들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가적인 층은 구조층(11)의 제1 표면(111) 상에 배치되고, 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)과 맞닿을 수 있다. 따라서, 구조층(11)의 제1 표면(111)은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)에 대응하지 않으며, 그것과 마주하고 있으나, 추가적인 층에 의해 그것과 거리를 두게 된다. 추가적인 층은 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 충진 트렌치(15)들은 구조층(11)의 제1 표면(111)으로부터 바깥쪽으로 연장되도록 충진 트렌치(15)들의 생성 후에 적용될 수 있다. 하지만, 추가적인 층은 충진 트렌치(15)들이 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)으로부터 바깥쪽으로 연장되도록, 충진 트렌치(15)의 생성되기 전에 적용될 수도 있다.
그 결과가 도 3에 도시되어 있는 제2 공정 단계에서, 제2 층 복합물(20)이 생성된다. 제2 층 복합물(20)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들어 전기적으로 전도성인 물질로 제조되는 제1 기판(21)과 예를 들어 절연 물질로 제조되는 제1 층(22)을 포함할 수 있다. 또한 다른 물질 조합들도 가능하며, 예를 들어 제1 기판(21)은 전기적으로 절연 물질로 이루어지고, 제1 기판(22)은 전기적으로 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
여기서, "기판"이라는 용어는 예를 들어 실리콘 웨이퍼나 글래스 플레이트와 같이 하나의 물질로만 이루어지지만, 복수 개의 층들 및 물질들의 복합물을 더 포함할 수 있는 구조물을 가리킨다. 하지만, 제2 층 복합물(20)은 제1 기판(21) 만을 포함할 수도 있다.
제2 층 복합물(20)은 제2 층 복합물(20)의 제1 표면(211)에 형성되는 제1 오목부(210)를 구비한다. 제1 오목부(210)는 제2 층 복합물의 두께보다 작은 깊이를 가진다. 제2 층 복합물(20)은 복수 개의 제1 오목부(210)들뿐만 아니라 추가적인 오목부를 구비할 수 있으며, 추가적인 오목부들은 제1 오목부(210)와 동일한 깊이를 가지거나, 다른 깊이를 가질 수 있다.
제2 층 복합물(20)의 생성 단계는 제1 층 복합물(10)의 생성 단계와 시간적으로 독립적이며, 이러한 단계보다 먼저 또는 후에 만들어질 수 있다.
그 결과가 도 4에 도시되어 있는 추가적인 공정 단계에서, 제1 층 복합물(10)은 제2 층 복합물(20)에 연결되고, 부품(1)이 생성된다. 도 4를 도시하기 위해, 도 1에 도시된 제1 층 복합물(10)과 도 3에 도시된 제2 층 복합물(20)이 선택되었다. 하지만, 제1 층 복합물(10) 및 제2 층 복합물(20)은 앞서 기술한 바와 같이 임의적인 형상으로 형성될 수 있다. 결과로서, 제1 층 복합물(20)의 제1 표면(110)은 제2 층 복합물(20)의 제1 표면(211)과 적어도 일부 영역에서 맞닿으며, 제2 층 복합물(20)의 제1 오목부(210)의 측방 위치 내에 배치되는 충진 트렌치(들)(15)을 구비한다. 따라서, 이어지는 공정 단계에서 구조층(11)에 생성되며, 적어도 하나의 충진 트렌치(15)를 포함하는 능동 구조물이 제2 층 복합물(20)에 대해 자유롭게 운동하며, 제2 층 복합물(20)의 제1 표면(211) 상에 인접하지 않도록 보장한다.
제1 및 제2 층 복합물(10, 20)을 연결하기 위해, 예를 들어 직접 접합 공정들 및 양극 접합 공정들에 근거한 결합 공정이 이용될 수 있다. 따라서, 특히 MEMS 또는 MOEMS 부품은 비용-효율적인 방식으로 생산될 수 있다. 또한, 이러한 결합 공정은 제1 및 제2 층 복합물(10, 20)을 안정적이고 밀봉되게 서로 연결할 수 있게 해준다.
충진 트렌치(15)들은 바람직하게는 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)까지 연장되지 않기 때문에, 특히 제1 층 및 제2 층 복합물(10, 20)을 연결하는 공정 동안에, 예를 들어 접합 공정 동안의 높은 접촉압 및/또는 기압과 같은, 적합한 파라미터들이 이용될 수 있다.
방법의 저 공정 단계까지 현재 기술된 실시예에서, 절연 물질로 충진된 트렌치(15)들을 제외한 다른 추가적은 구조물들이 제1 층 복합물(10)에 형성되지 않기 때문에, 특히, 물질로 충진되지 않은 트렌치들이 없기 때문에, 제1 층 복합물은 결합 공정에서 특히 적합한 공정 파라미터의 이용을 가능하게 해주는 향상된 안정성을 가진다.
만약 서로 연결되어야 하는 제1 층 복합물(10) 및 제2 층 복합물(20)의 층들이 동일한 물질로 이루어지는 경우, 접합 공정에 있어서 특히 유리하다. 이것은, 제2 층 복합물(20)과 마주하는 제1 층 복합물(10)의 층, 및 제1 층 복합물(10)과 마주하는 제2 층 복합물의 층이, 예를 들어 실리콘과 같은, 동일한 물질로 제조될 수 있다는 것을 의미한다.
그 결과가 도 5에 도시되어 있는 다음 공정 단계에서, 제1 층 복합물(10)은 제2 표면(112)으로부터 충진 트렌치(15)들의 두께 d15까지 바깥방향으로 얇아지며, 다시 말해, 제1 층 복합물(10)의 두께가 충진 트렌치(15)의 두께 d15에 대응하는 두께까지 감소한다. 이것은 예를 들면 CMP 공정 또는 에칭 공정에 의해 수행될 수 있다. 제1 층 복합물(10)의 물질이 충진 트렌치(15)들에 도달될 때까지 제거된다. 그 결과, 충진 트렌치(15)들은 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)과 맞닿으며, 따라서 구조층(11)의 제1 영역(114) 내에서 적어도 일부 영역들에서 구조층(11)의 다른 영역들로부터 구조층(11)의 특정 제2 영역들(115)이 전기적으로 절연된다. "적어도 일부 영역들에서"라는 것은 여기서 제2 영역들(115)이 트렌치(15)들이 형성되지 않거나 서로 전기적으로 전도성인 또 다른 단면 레벨에서는 서로 연결될 수 있다는 의미이다. 이는, 특히, 제1 층 복합물(10)에 충진 트렌치(15)들을 제외한 다른 어떠한 구조물들도 아직 형성되지 않은 경우일 수 있다.
제1 층 복합물(10)에 추가적인 구조물을 생성하는 공정 단계의 결과가 도 6에 도시되어 있다. 특히, 예를 구조층(11)을 포함할 수만 있는 제1 층 복합물(10)에 분할 트렌치(16)들이 에칭 공정에 의해 형성될 수 있으며, 분할 트렌치(16)들은 물질로 충진되지 않으며, 따라서 제1 층 복합물(10)에서 개별적인 영역들 또는 구조물들을 서로 물리적으로 분할한다. 따라서, 예를 들어 하나 이상의 능동 구조물(17)들 및 역시 움직일 수 있는 다른 구조물(18)들이 생성될 수 있다. 도 6에서 두 개의 능동 구조물(17)들 및 여섯 개의 다른 구조물(18)들이 도시되어 있다. 하지만 능동 구조물(17)들 및 다른 구조물(18)들의 갯수는 이것에 제한되지 않으며, 다른 구조물(18)들은 예를 들어 전혀 형성되지 않을 수도 있다.
두 개의 도시된 능동 구조물(17)들은 각각 제1 구조층(11)의 두 개의 제2 영역(115)들을 포함하며, 제2 영역(115)들은 구조층(11)의 제1 영역(114)에 적어도 일부가 배치된다. 바람직하게는, 제2 영역(115)들은 완전히 전기적으로 전도성이며, 다시 말해, 완전히 구조층(11)의 제1 영역(114)에 배치된다. 분할 트렌치(15)들은 구조층(17)들을 수평적으로 제한하고 -충진 트렌치(15)와 관련해서- 능동 구조물(17)들 중 하나의 제2 영역(115)들을 서로 전기적으로 절연하지만, 특정 능동 구조물(17)의 제2 영역(115)들이 물리적으로는 서로 단단하게 연결되도록 배치된다. 따라서, 예들 들어 능동 구조물(17)의 제2 영역(115)들을 대응하는 전극들에 연결하고, 능동 구조물(17)의 움직임을 가능하게 하는 전기적으로 전도성인 스프링들을 통해, 능동 구조물(17)의 다른 제2 영역(115)들에 다른 포텐셜들이 적용될 수 있다. 능동 구조물의 움직임을 가능하게 하기 위해, 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)에 수직인 방향에서, 능동 구조물(17)이 제2 층 복합물(20)의 제2 오목부(210)의 수평 위치 내에 배치된다.
부품을 제조하는 방법의 추가적인 공정 단계에서, 제3 층 복합물(30)이 일 실시예에 따라 생성된다. 이 단계의 결과는 도 7에 도시되어 있다. 제3 층 복합물(30)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 예를 들어 전기적으로 전도성 물질로 제조되는 제2 기판(31)과 예르 들어 절연 물질로 제조되는 제2 층(32)을 포함한다. 물론 다른 물질 조합들도 가능하며, 예를 들어, 제2 기판(31)은 전기적으로 절연 물질로 이루어지고, 제2 층(32)은 전기적으로 전도성 물질로 이루어질 수 있다. "기판"이라는 용어는 예를 들어 실리콘 웨이퍼나 글래스 플레이트와 같이 하나의 물질로만 이루어지지만, 복수 개의 층들 및 물질들의 복합물을 더 포함할 수 있는 구조물을 가리킨다. 하지만, 제3 층 복합물(30)은 제2 기판(31) 만을 포함할 수도 있다.
제3 층 복합물(30)은 바람직하게는 적어도 제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)에 형성되는 제2 오목부(310)를 구비한다. 제2 오목부(310)는 제3 층 복합물(30)의 두께보다 작은 깊이를 가진다. 제3 층 복합물(30)은 여러 개의 제2 오목부(310)들뿐만 아니라, 추가적인 오목부들을 구비할 수도 있는 반면, 추가적인 오목부들은 제2 오목부(310)와 동일한 깊이를 가지거나, 다른 깊이를 가질 수 있다.
제3 층 복합물(30)을 생성하는 단계는 시간상으로 앞서 기술된 공정 단계들과 독립적이며, 앞서 기술된 개별적 혹은 모든 공정 단계들에 대해 먼저 또는 나중에 생성될 수 있다.
그 결과가 도 8에 도시된 추가적인 공정 단계에서, 제1 층 복합물(10) 제2 층 복합물(20)을 포함하며 능동 구조물(17)이 형성된, 이미 사용 가능한 부품(1)이 제3 층 복합물(30)에 연결된다. 도 8의 도시를 위해, 도 6에 도시된 부품(1)의 실시예가 선택되었다. 하지만, 제1 층 복합물(10) 및 제2 층 복합물(20)은 앞서 설명한 바와 같이 임의의 형태로 형성될 수 있다. 그 결과, 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)이 적어도 일부 영역들에서 제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)과 맞닿으으며, 능동 구조물(17)은 제3 층 복합물(30)에서 제2 오목부(310)의 수평 위치 내에 배치된다. 따라서, 능동 구조물(17)이 제3 층 복합물(30)에 대해 자유롭게 움직일 수 있으며, 제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)에 인접하지 않도록 보장한다.
제1 및 제3 층 복합물(10, 30)을 연결하기 위해, 예를 들어 직접 접합 공정들 뿐만 아니라 양극 접합 공정들에 기반한 결합 공정들이 이용된다. 이는 제1 및 제3 층 복합물(10, 30)을 서로 밀봉 연결되도록 해준다. 그 결과, 능동 구조물(17)은 밀봉적으로 캡술화된다.
만약 서로 연결되어야 하는 제1 층 복합물(10) 및 제3 층 복합물(30)의 층들이 동일 물질로 이루어진다면, 접합 공정에 특히 유리하다. 이것은, 제3 층 복합물(30)을 마주하는 제1 층 복합물(10)의 층과, 제1 층 복합물(10)과 마주하는 제3 층 복합물(30)의 층이 예를 들어 실리콘과 같은 동일한 물질로 이루어질 수 있다는 것을 의미한다.
이어서, 부품(1)을 완성하기 위한 추가적인 공정 단계들이 수행될 수 있으며, 그 결과는 도 9에 일 실시예로 도시되어 있다. 예를 들어, 제1 커버층(40)이 제2 층 복합물(20)에 적용될 수 있고, 제2 커버층(41)이 제3 층 복합물(30)에 적용될 수 있다. 제1 및 제2 커버층(40, 41)은 예를 들어, 금속과 같은 동일 물질로 이루어지거나, 다른 물질들로 이루어진다. 이들은 외부 전기장 또는 예를 들어 습기와 같은 다른 환경적인 영향들로부터 부품(1)의 능동 영역을 차폐하는 역할을 한다. 또한, 제1 층 복합물(10), 특히 구조층(11)의 전기적인 접촉을 위한 접촉면(42)들 및 접촉면(43)들이 생성될 수 있다. 예를 들어, 제2 층 복합물(20)의 제3 오목부(220)에 접촉면(42)으로서, 금속층이 제1 기판(10)의 제1 접촉면 상에 생성될 수 있으며, 와이어(43)에 의해 전기적으로 접촉될 수 있다. 하지만, 제1 층 복합물(10)에 전기적인 접촉부를 생성하기 위한 다른 방법도 가능하다.
앞서 언급한 바와 같이, 제2 층 복합물(20)에 연결하기에 앞서, 충진 트렌치(들)(15)에 부가적으로 추가적인 구조물들도 제1 층 복합물(10)에 생성될 수 있다. 예시적인 실시예가 도 10에 도시되어 있다. 거기에서 제1 층 복합물(10)은 물질로 충진되지 않는 복수 개의 분할 트렌치(16)들을 구비한다. 분할 트렌치(16)들은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)으로부터 바깥쪽으로, 바람직하게는 충진 트렌치(15)들의 깊이 d15와 같거나 더 크지만 제1 층 복합물의 두께 d10보다는 작은 깊이까지 연장된다. 분할 트렌치(16)들은 구조층(11)의 하나 또는 그 이상의 영역들의 윤곽을 형성할 수 있도록 배치되며, 각 영역은 부품의 능동 구조물에 대응한다.
도 2에서와 유사하게, 제1 층 복합물(10)은 보조층(13)을 포함할 수도 있으며, 분할 트렌치(16)들은 바람직하게는 구조층(11)의 제2 표면(113)까지 연장된다.
또한, 분할 트렌치(16)들은 구조층(11)의 제1 표면(111)으로부터 바깥쪽으로 연장될 수도 있다. 이것은, 구조층(11)의 표면(111)에 추가적인 층이 있을 때, 분할 트렌치(16)들이 반드시 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)으로부터 바깥쪽으로 연장될 필요는 없다는 의미이다.
도 11은 도 10에 도시된 제1 층 복합물(10)을 도 3에 도시된 제2 층 복합물(20)에 연결한 이후의 부품(1)을 보여준다. 분할 트렌치(16)들은 바람직하게는 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)까지 연장되지 않기 때문에, 따라서, 제1 층 복합물의 안정성에 유의미한 영향을 끼치지 않으며, 도 4를 참조로 설명한 바와 같이, 특히 적합한 방법들 및 공정 파라미터들이 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하는데 이용될 수도 있다.
제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물에 연결하는 단계에 이이어서, 제1 층 복합물(10)은 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)으로부터 바깥방향으로 얇아진다. 이러한 목적으로, 바람직하게는 화학-기계 연마(CMP) 공정들 또는 에칭 공정들이 이용된다. 제1 층 복합물(10)의 두께는 충진 트렌치(15)들이 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)과 맞닿도록, 충진 트렌치(15)들의 깊이 d15에 대응하는 두께만큼 감소된다. 제1 층 복합물(10)을 얇게 만드는 동안, 동시에 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112) 상의 분할 트렌치(16)들은 개방되고, 이에 의해 능동 구조물(17)들 및 다른 구조물(18)들이 생성될 수 있다. 이런 공정 단계의 결과가 도 12에 도시되어 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 만약 분할 트렌치(16)들이 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)으로부터 바깥쪽으로 연장되지 않으면, 이동형 능동 구조물(17)을 생성할 수 있도록 분할 트렌치(16)들은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)에 대해 그 뒤에 여전히 개방되어 있어야만 한다. 이것은 에칭 공정에 의해 달성될 수 있으며, 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110) 상에서 분할 트렌치(16)들을 커버하는 상기 기술한 추가적인 층이 적어도 분할 트렌치(16)의 영역들에서 제거된다.
도 12에 도시된 부품(1)의 추가적인 공정은 도 8 및 도 9를 참조로 기술된 것과 동일하며, 제3 층 복합물(30)은 도 7에 도시된 것이 이용되었다.
도 1 내지 3, 도 7 및 도 10에 도시된 실시예들에 더해, 제1 층 복합물(10), 제2 층 복합물(20), 제3 층 복합물(30)의 추가적인 실시예들은 이들 실시예들의 조합들만큼 다양해질 수 있다. 예를 들어, 제1 층 복합물(10)의 전기적으로 전도성이나 물리적으로 서로 분할된 개별 영역들을 전기 전도성으로 연결하는 도체 경로 브릿지들, 또는 특정 포텐셜을 가지며 예를 들어 디텍터들이나 운동 제한장치들로 기능하는 전극들이 제2 층 복합물(20) 또는 제3 층 복합물(30) 내에 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 부품(1)의 제조 방법은 기계적으로는 서로 단단히 연결되나, 전기적으로는 서로 완전현 절연된 두 개의 분리된 부분들 또는 영역들을 가지는 부품의 능동 구조물의 제조를 가능하게 한다.
또한, 부품(1)의 능동 영역의 밀봉 캡슐화의 기밀성이 보장될 수 있다. 특히, 제1 층 복합물(10)이 제2 층 복합물(20)에 연결되는 동안 충진 트렌치(15)들의 깊이보다 큰 두께를 가지고 따라서 높은 안정성을 가지기 때문에, 적합한 결합 파라미터들이 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하기 위한 결합 공정 동아네 선택될 수 있다.

Claims (11)

  1. 적어도 제1 영역(114)에서 전기적으로 전도성인 구조층(11)과 구조층(11)의 제1 표면(111)으로부터 바깥쪽으로 연장되며 절연 물질로 충진되고, 구조층(11)의 제1 영역(114)에 배치되는 충진 트렌치(15)를 구비하는 제1 층 복합물(10)로, 구조층(11)의 제1 표면(111)이 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(111)과 마주하는 제1 층 복합물(10)을 생성하는 단계,
    제1 표면(211)에 제2 오목부(210)를 구비하는 제2 층 복합물(20)을 생성하는 단계,
    제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)이 적어도 일부 영역들에서 제2 층 복합물(20)의 제1 표면(211)과 맞닿으며, 충진 트렌치(15)가 제1 오목부(210)의 수평 위치 내에 배치되도록 하면서 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하는 단계,
    제1 층 복합물(10)이 제2 층 복합물(20)에 연결된 이후, 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)으로부터 충진 트렌치(15)의 깊이까지 제1 층 복합물(10)의 두께가 감소되고, 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)과 반대편에 놓이며,
    구조층(11)에 부품(1)의 능동 구조물(17)로, 제1 오목부(210)의 수평 위치 내에 배치되고, 구조층(11)의 제1 영역(114) 내에 배치되며, 서로 물리적으로 단단하게 연결되며 충진 트렌치(15)에 의해 서로 전기적으로 절연되는 구조층(11)의 두 개의 제2 영역(115)들을 포함하는 능동 구조물(17)을 생성하는 단계를 포함하는 부품(1)의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하기에 앞서, 제1 층 복합물(10)의 충진 트렌치(15)가 제1 층 복합물(10)의 깊이(d10)보다 작은 깊이(d15)까지 연장되는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    제1 층 복합물(10)은 구조층(11)의 제2 표면(113)과 맞닿는 보조층(113)을 더 포함하고, 구조층(11)의 제2 표면(113)은 구조층911)의 제1 표면(111)과 반대편에 놓이며,
    충진 트렌치(15)는 구조층(11)의 제2 표면(113)까지 연장되는 것을 특징으로 하는 부품(2)의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    충진 트렌치(15) 외에, 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하기 전에 어떠한 추가 구조물들도 제1 층 복합물(10)에 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    제1 층 복합물(10)의 두께(d10)가 충진 트렌치(15)의 깊이(d15)까지 감소된 이후, 부품(1)의 능동 구조물(17)은 구조층(11)의 구조화에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    충진 트렌치(15) 외에, 제1 층 복합물(10)을 제2 층 복합물(20)에 연결하기에 앞서, 물질로 충진되지 않은 분할 트렌치(16)들이 제1 층 복합물(10)에 형성되며, 분할 트렌치들은 제1 층 복합물(10)의 제1 표면(110)으로부터 충진 트렌치(15)의 깊이(d15)보다 크거나 같은 깊이까지 연장되며, 분할 트렌치(16)들은 부품(1)의 능동 구조물(17)을 수평적으로 제한하는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    부품(1)의 능동 구조물(17)은 제1 층 복합물(10)의 두께(d10)를 충진 트렌치(15)의 깊이(d15)까지 감소시킴으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)을 구비하는 제3 층 복합물(30)이 생성되고,
    능동 구조물(17)이 생성된 다음, 제1 층 복합물(10)이 제3 층 복합물(30)에 연결되며, 제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)은 적어도 일부 영역에서 제1 층 복합물(10)의 제2 표면(112)과 맞닿는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    제1 층 복합물(10)을 제3 층 복합물(30)에 연결하기에 앞서, 제2 오목부(310)가 제3 층 복합물(30)의 제1 표면(311)에 생성되고,
    제1 층 복합물(10)을 제3 층 복합물(30)에 연결하는 동안, 능동 구조물(17)이 제2 오목부(310)의 수평 위치 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    제3 층 복합물(30)과 마주하는 제1 층 복합물(10)의 층과, 제1 층 복합물(10)과 마주하는 제3 층 복합물(30)의 층은 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2 층 복합물(20)과 마주하는 제1 층 복합물(10)의 층과, 제1 층 복합물(10)과 마주하는 제2 층 복합물(20)의 층은 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부품(1)의 제조 방법.
KR1020167023056A 2014-02-25 2015-02-11 부품을 제조하는 방법 KR101901504B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014002824.0 2014-02-25
DE102014002824.0A DE102014002824A1 (de) 2014-02-25 2014-02-25 Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
PCT/EP2015/000305 WO2015128064A1 (de) 2014-02-25 2015-02-11 Verfahren zur herstellung eines bauteils

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160111504A true KR20160111504A (ko) 2016-09-26
KR101901504B1 KR101901504B1 (ko) 2018-09-21

Family

ID=52469794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023056A KR101901504B1 (ko) 2014-02-25 2015-02-11 부품을 제조하는 방법

Country Status (15)

Country Link
US (1) US9783410B2 (ko)
EP (1) EP3110745B1 (ko)
JP (1) JP6263274B2 (ko)
KR (1) KR101901504B1 (ko)
CN (1) CN105960375B (ko)
AU (1) AU2015222513B2 (ko)
BR (1) BR112016016629B1 (ko)
CA (1) CA2937361C (ko)
DE (1) DE102014002824A1 (ko)
IL (1) IL246715A (ko)
RU (1) RU2652533C9 (ko)
SG (1) SG11201607079XA (ko)
TR (1) TR201803020T4 (ko)
WO (1) WO2015128064A1 (ko)
ZA (1) ZA201604816B (ko)

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6363183B1 (en) * 2000-01-04 2002-03-26 Seungug Koh Reconfigurable and scalable intergrated optic waveguide add/drop multiplexing element using micro-opto-electro-mechanical systems and methods of fabricating thereof
US6479315B1 (en) * 2000-11-27 2002-11-12 Microscan Systems, Inc. Process for manufacturing micromechanical and microoptomechanical structures with single crystal silicon exposure step
US7422928B2 (en) * 2003-09-22 2008-09-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Process for fabricating a micro-electro-mechanical system with movable components
US7153759B2 (en) * 2004-04-20 2006-12-26 Agency For Science Technology And Research Method of fabricating microelectromechanical system structures
IL165948A0 (en) * 2004-12-23 2006-01-15 Rafael Armament Dev Authority Chip packaging
DE102005015584B4 (de) * 2005-04-05 2010-09-02 Litef Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils
DE102005056908B4 (de) * 2005-11-29 2008-02-28 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Shockleydiode oder Thyristor und Verfahren zum Herstellen
EP1860417B1 (en) * 2006-05-23 2011-05-25 Sensirion Holding AG A pressure sensor having a chamber and a method for fabricating the same
US7824943B2 (en) * 2006-06-04 2010-11-02 Akustica, Inc. Methods for trapping charge in a microelectromechanical system and microelectromechanical system employing same
US7456042B2 (en) * 2006-06-04 2008-11-25 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical systems having stored charge and methods for fabricating and using same
JP4792143B2 (ja) * 2007-02-22 2011-10-12 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
CN100576458C (zh) * 2007-04-03 2009-12-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 浅沟槽形成方法及浅沟槽结构
DE102007019639A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102007030121A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Litef Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil
CN100570846C (zh) * 2007-12-06 2009-12-16 清华大学 高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法
JP5473253B2 (ja) * 2008-06-02 2014-04-16 キヤノン株式会社 複数の導電性領域を有する構造体、及びその製造方法
US7915080B2 (en) * 2008-12-19 2011-03-29 Texas Instruments Incorporated Bonding IC die to TSV wafers
WO2010137009A1 (en) * 2009-05-24 2010-12-02 Btendo Ltd A moems apparatus comprising a comb drive and a method for manufacturing same
DE102012208030A1 (de) 2012-05-14 2013-11-14 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Inertialsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012210480B4 (de) * 2012-06-21 2024-05-08 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bauelements mit einer elektrischen Durchkontaktierung
FR3003688B1 (fr) * 2013-03-22 2016-07-01 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage flip chip comportant le pre-enrobage d'elements d'interconnexion
DE102014002823B4 (de) * 2014-02-25 2017-11-02 Northrop Grumman Litef Gmbh Mikromechanisches bauteil mit geteilter, galvanisch isolierter aktiver struktur und verfahren zum betreiben eines solchen bauteils
US9550667B1 (en) * 2015-09-08 2017-01-24 Taiwan Semiconductor Manufactruing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CA2937361C (en) 2018-10-09
EP3110745A1 (de) 2017-01-04
CN105960375B (zh) 2018-12-25
WO2015128064A1 (de) 2015-09-03
JP6263274B2 (ja) 2018-01-17
BR112016016629B1 (pt) 2021-11-30
RU2652533C2 (ru) 2018-04-26
KR101901504B1 (ko) 2018-09-21
CA2937361A1 (en) 2015-09-03
AU2015222513B2 (en) 2017-06-22
US20160368761A1 (en) 2016-12-22
DE102014002824A1 (de) 2015-08-27
JP2017507792A (ja) 2017-03-23
US9783410B2 (en) 2017-10-10
IL246715A (en) 2017-01-31
AU2015222513A1 (en) 2016-08-11
ZA201604816B (en) 2017-11-29
CN105960375A (zh) 2016-09-21
EP3110745B1 (de) 2017-12-20
TR201803020T4 (tr) 2018-03-21
SG11201607079XA (en) 2016-10-28
BR112016016629A2 (pt) 2017-08-08
RU2016127885A (ru) 2018-03-29
RU2652533C9 (ru) 2018-09-11
RU2016127885A3 (ko) 2018-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2663918C (en) Micromechanical component and method for fabricating a micromechanical component
US8258590B2 (en) Method for the production of a component, and component
JP2008534306A5 (ko)
KR101901504B1 (ko) 부품을 제조하는 방법
JP5676022B2 (ja) マイクロメカニカル素子およびマイクロメカニカル素子の製造方法
KR101901503B1 (ko) 부품의 제조 방법 및 그 부품
CN103787258B (zh) 具有键合连接的微机械器件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant