KR20160107210A - Film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents

Film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device Download PDF

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KR20160107210A
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film
type adhesive
adhesive
acrylic resin
molecular weight
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KR1020167020463A
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유키 수고
겐지 오니시
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 팽창의 차에 기인하는 응력을 완화하는 것이 가능한 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 도전성 입자를 포함하고, 도전성 입자는 종횡비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하며, 도전성 입자 100 중량％ 중의 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량％∼100 중량％이고, 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 5 ㎫∼100 ㎫인 열경화형의 필름형 접착제에 관한 것이다.The present invention provides a film-type adhesive capable of alleviating stress caused by a difference in expansion, a dicing tape having a film-type adhesive, and a method of manufacturing a semiconductor device. The present invention relates to a conductive particle composition comprising an acrylic resin, an epoxy resin and conductive particles, wherein the conductive particles comprise plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more, wherein the content of the plate-like particles in 100% by weight of the conductive particles is 5% And a storage elastic modulus at 150 캜 after thermal curing of 5 to 100 MPa.

Description

필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치{FILM-LIKE ADHESIVE, DICING TAPE WITH FILM-LIKE ADHESIVE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a film-type adhesive, a dicing tape having a film-type adhesive, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device,

본 발명은 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film type adhesive, a dicing tape having a film type adhesive, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

반도체 장치의 제조에 있어서 반도체 소자를 금속 리드 프레임 등에 접착하는 방법(소위 다이 본딩법)은, 종래의 금-실리콘 공융 혼합물로 시작하여, 땜납, 수지 페이스트에 의한 방법에 추이해 왔다. 현재에서는, 도전성의 수지 페이스트를 사용하는 방법이 이용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] A method of bonding semiconductor elements to a metal lead frame or the like (so-called die bonding method) in the manufacture of semiconductor devices has started with a conventional gold-silicon eutectic mixture and has been changed to a method using solder or resin paste. At present, a method using a conductive resin paste is used.

그러나, 수지 페이스트를 이용하는 방법에서는, 보이드에 의해 도전성이 저하하거나, 수지 페이스트의 두께가 불균일하거나, 수지 페이스트의 비어져 나옴에 의해 패드가 오염된다고 하는 문제가 있었다. 이들 문제를 해결하기 위해, 수지 페이스트 대신에, 폴리이미드 수지를 함유하는 필름형의 접착제를 이용하는 경우가 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).However, in the method using the resin paste, there is a problem that the conductivity is deteriorated by the void, the thickness of the resin paste is uneven, or the resin paste is emptied, and the pad is contaminated. In order to solve these problems, a film type adhesive containing a polyimide resin may be used instead of the resin paste (see, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성6-145639호 공보Patent Document 1: JP-A-6-145639

그런데, 반도체 장치에서는, 신뢰성이 중시된다. 신뢰성을 평가하는 시험으로서, 예컨대, 온도 사이클 시험, 프레셔 쿠커 시험, 흡습 리플로우 시험 등이 있다.However, in the semiconductor device, reliability is emphasized. Examples of tests for evaluating reliability include a temperature cycle test, a pressure cooker test, and a moisture absorption reflow test.

최근, 스마트 폰이나 랩탑 퍼스널 컴퓨터에는, 성능 향상과 기기의 박형화를 양립시키기 위해 박형의 반도체 장치가 많이 탑재되어 있다. 그러나, 반도체 장치가 박형으로 될수록, 온도 사이클 시험에 있어서 실리콘 칩과 금속 리드 프레임의 선팽창의 차로부터 발생하는 응력의 영향이 커져, 실리콘 칩과 금속 리드 프레임을 접합하는 접착제의 불량이 증가한다.2. Description of the Related Art In recent years, a smart phone or a laptop personal computer is equipped with many thin semiconductor devices in order to achieve both performance enhancement and thinning of the device. However, as the thickness of the semiconductor device becomes thinner, the influence of the stress generated from the difference in linear expansion between the silicon chip and the metal lead frame increases in the temperature cycle test, and the defect of the adhesive bonding the silicon chip and the metal lead frame increases.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 선팽창의 차에 기인하는 응력을 완화하는 것이 가능한 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a film type adhesive capable of alleviating stress caused by a difference in linear expansion, a dicing tape having a film type adhesive, and a manufacturing method of a semiconductor device.

본 발명은, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 도전성 입자를 포함하고, 도전성 입자는, 종횡비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하며, 도전성 입자 100 중량％ 중의 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량％∼100 중량％이고, 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 5 ㎫∼100 ㎫인 열경화형의 필름형 접착제에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive particle comprising an acrylic resin, an epoxy resin and conductive particles, wherein the conductive particle comprises plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more, wherein the content of the plate-like particles in 100 wt% And a storage modulus at 150 ° C after thermal curing of from 5 MPa to 100 MPa.

본 발명의 필름형 접착제는, 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 100 ㎫ 이하이기 때문에, 선팽창의 차에 기인하는 응력을 완화하는 것이 가능하여, 온도 사이클 시험에서의 불량을 저감할 수 있다. 또한, 종횡비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하기 때문에, 플레이트형 입자끼리의 면접촉에 의해 도전 패스를 형성하는 것이 가능하다. 이 때문에, 점접촉에 의해 도전 패스가 형성되는 구형 입자만을 포함하는 접착제에 비해, 본 발명의 필름형 접착제에서는 우수한 도전성이 얻어진다.Since the film-type adhesive of the present invention has a storage elastic modulus at 150 캜 after heat curing of 100 MPa or less, the stress caused by the difference in linear expansion can be alleviated, and the defect in the temperature cycle test can be reduced . Further, since the plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more are included, it is possible to form a conductive path by surface contact between plate-like particles. Therefore, in the film-type adhesive of the present invention, excellent conductivity is obtained as compared with an adhesive containing only spherical particles in which a conductive path is formed by point contact.

에폭시기끼리의 거리가 멀어, 열경화 후의 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다고 하는 이유에서, 비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 180 g/eq.∼3500 g/eq.인 것이 바람직하다.An epoxy resin having a bisphenol-type skeleton is preferable because the distance between the epoxy groups is long and the storage elastic modulus after heat curing can be lowered. It is preferable that the epoxy equivalent of the epoxy resin is 180 g / eq. To 3500 g / eq.

본 발명의 필름형 접착제는, 페놀 수지를 더 포함하고, 페놀 수지의 수산기 당량이 200 g/eq. 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 열경화 후의 저장 탄성률을 용이하게 저하시킬 수 있다.The film-type adhesive of the present invention further comprises a phenol resin, wherein the phenolic resin has a hydroxyl group equivalent of 200 g / eq. Or more. Thereby, the storage elastic modulus after thermosetting can be easily lowered.

본 발명의 필름형 접착제는, 중량 평균 분자량이 20만∼100만의 고분자량 아크릴 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열경화 후의 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다.The film-type adhesive of the present invention preferably contains a high molecular weight acrylic resin having a weight average molecular weight of 200,000 to 1,000,000. As a result, the storage modulus after heat curing can be lowered.

본 발명의 필름형 접착제는, 에폭시기와 반응하는 작용기를 포함하는 저분자량 아크릴 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 저분자량 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 500∼10만인 것이 바람직하다. 저분자량 아크릴 수지를 경화시키는 것이 가능하여, 열경화 후의 저장 탄성률을 저하시킬 수 있기 때문이다.The film-type adhesive of the present invention preferably comprises a low molecular weight acrylic resin containing a functional group reactive with an epoxy group. The low molecular weight acrylic resin preferably has a weight average molecular weight of 500 to 100,000. The low molecular weight acrylic resin can be cured and the storage modulus after heat curing can be lowered.

본 발명의 필름형 접착제는, 인계 촉매를 더 포함하는 것이 바람직하다. 이미다졸계 촉매는, 가교 구조에 취입되기 때문에, 열경화 후의 저장 탄성률의 증가를 일으키는 경우가 있지만, 인계 촉매는 가교 구조에 취입되지 않기 때문에, 열경화 후의 저장 탄성률의 증가를 억제할 수 있기 때문이다.The film-type adhesive of the present invention preferably further comprises a phosphorus-based catalyst. Since the imidazole-based catalyst is incorporated into the crosslinked structure, the storage modulus after heat curing may increase, but since the phosphorus-based catalyst is not incorporated into the crosslinked structure, the increase of the storage modulus after heat curing can be suppressed to be.

본 발명은 또한, 필름형 접착제를 통해, 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정과, 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 필름형 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a semiconductor device comprising a step of die-bonding a semiconductor chip onto an adherend through a film-type adhesive, and a step of thermally curing the film-type adhesive after the step of die bonding the semiconductor chip onto an adherend And a manufacturing method thereof.

본 발명은 또한, 다이싱 테이프 및 다이싱 테이프 상에 배치된 열경화형의 필름형 접착제를 구비하는 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프에 관한 것이다.The present invention also relates to a dicing tape having a film-type adhesive comprising a dicing tape and a thermosetting film-like adhesive disposed on the dicing tape.

본 발명은 또한, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 필름형 접착제 상에 반도체 웨이퍼를 배치하는 공정과, 필름형 접착제 상에 배치된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정과, 반도체 칩을 필름형 접착제와 함께 픽업하는 공정과, 필름형 접착제를 통해, 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정과, 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 필름형 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: disposing a semiconductor wafer on a film type adhesive of a dicing tape having a film type adhesive; dicing the semiconductor wafer placed on the film type adhesive to form a semiconductor chip; Bonding the semiconductor chip to an adherend through a film-type adhesive; and a step of thermally curing the film-type adhesive after the step of die-bonding the semiconductor chip onto the adherend, To a method of manufacturing a semiconductor device.

본 발명은 또한, 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention also relates to a semiconductor device.

본 발명에 따르면, 선팽창의 차에 기인하는 응력을 완화시키는 것이 가능한 도전성 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a conductive film-type adhesive, a dicing tape having a film-type adhesive, and a manufacturing method of a semiconductor device capable of relieving stress caused by a difference in linear expansion.

도 1은 필름형 접착제의 개략 단면도이다.
도 2는 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.
도 3은 변형예에 따른 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.
도 4는 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 배치한 모양의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 5는 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)한 모양의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 6은 반도체 칩이 부착된 피착체의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a film-type adhesive.
2 is a schematic sectional view of a dicing tape having a film-type adhesive.
3 is a schematic cross-sectional view of a dicing tape having a film-type adhesive according to a modification.
4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor wafer is arranged on a dicing tape having a film-type adhesive.
Fig. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor wafer is divided into individual pieces.
6 is a schematic cross-sectional view of an adherend to which a semiconductor chip is attached.
7 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device.

이하에 실시형태를 게재하여, 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에만 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments.

[실시형태 1][Embodiment 1]

(필름형 접착제)(Film type adhesive)

도 1에 나타내는 바와 같이, 실시형태 1의 필름형 접착제(3)의 형태는, 필름형이다. 필름형 접착제(3)는 열경화성을 구비한다.As shown in Fig. 1, the form of the film-like adhesive 3 of the first embodiment is film type. The film-type adhesive 3 has a thermosetting property.

수지 성분에 대해서, 필름형 접착제(3)는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 고분자량 아크릴 수지를 포함한다. 실시형태 1에서는, 페놀 수지가 에폭시 수지의 경화제로서 기능하는 것이 가능하다.As for the resin component, the film type adhesive 3 includes an epoxy resin, a phenol resin, and a high molecular weight acrylic resin. In Embodiment 1, the phenol resin can function as a curing agent for the epoxy resin.

필름형 접착제(3)를 열경화시킨 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 5 ㎫ 이상이며, 바람직하게는 20 ㎫ 이상이다. 5 ㎫ 이상이기 때문에, 와이어 본드성을 담보할 수 있다. 한편, 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 100 ㎫ 이하이다. 100 ㎫ 이하이기 때문에, 선팽창의 차에 기인하는 응력을 완화시키는 것이 가능하여, 온도 사이클 시험에서의 불량을 저감할 수 있다.The storage elastic modulus at 150 캜 after thermosetting the film-type adhesive 3 is 5 MPa or more, preferably 20 MPa or more. Since it is 5 MPa or more, wire bondability can be secured. On the other hand, the storage elastic modulus at 150 캜 after heat curing is 100 MPa or less. The stress caused by the difference in linear expansion can be relaxed and the defect in the temperature cycle test can be reduced.

열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이란, 140℃에서 1 시간 가열하고, 이어서 200℃에서 1 시간 가열함으로써, 열경화시킨 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률을 말한다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The storage modulus at 150 캜 after thermosetting refers to the storage elastic modulus at 150 캜 after heating at 140 캜 for one hour and then at 200 캜 for one hour by thermal curing. Specifically, it can be measured by the method described in the examples.

열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 에폭시 수지의 에폭시 당량, 페놀 수지의 수산기 당량, 고분자량 아크릴 수지의 산가, 저분자량 아크릴 수지의 산가, 도전성 입자의 입경 등에 의해 조절할 수 있다. 예컨대, 에폭시 당량이 큰 에폭시 수지를 배합하는 것, 수산기 당량 이 큰 페놀 수지를 배합하는 것, 산가가 낮은 고분자량 아크릴 수지를 배합하는 것, 산가가 낮은 저분자량 아크릴 수지를 배합하는 것, 입경이 큰 도전성 입자를 배합하는 것 등에 의해, 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다.The storage modulus at 150 캜 after heat curing can be controlled by the epoxy equivalent of the epoxy resin, the hydroxyl equivalent of the phenol resin, the acid value of the high molecular weight acrylic resin, the acid value of the low molecular weight acrylic resin, and the particle size of the conductive particles. For example, an epoxy resin having a large epoxy equivalent is blended, a phenol resin having a large hydroxyl equivalent is blended, a high molecular weight acrylic resin having a low acid value is blended, a low molecular weight acrylic resin having a low acid value is blended, The storage elastic modulus at 150 캜 after thermosetting can be lowered by blending large conductive particles or the like.

에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기끼리의 거리가 멀어, 열경화 후의 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다고 하는 이유에서, 비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지로서는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy resin having a bisphenol skeleton, a cresol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin. Among them, an epoxy resin having a bisphenol skeleton is preferable because the distance between the epoxy groups is too long to reduce the storage modulus after heat curing. Examples of the epoxy resin having a bisphenol-type skeleton include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 180 g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 300 g/eq. 이상, 더욱 바람직하게는 400 g/eq. 이상이다. 한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 3500 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 1500 g/eq. 이하, 더욱 바람직하게는 1000 g/eq. 이하, 특히 바람직하게는 700 g/eq. 이하이다. The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 180 g / eq. Or more, more preferably 300 g / eq. More preferably 400 g / eq. Or more. On the other hand, the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 3500 g / eq. More preferably 1500 g / eq. More preferably 1000 g / eq. Particularly preferably 700 g / eq. Or less.

또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin can be measured by the method specified in JIS K 7236-2009.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것으로서, 예컨대, 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.The phenolic resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and examples thereof include phenol novolac resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, and novolac phenol novolac resins. , Resole-type phenol resin, and polyoxystyrene such as polyparaxyxystyrene.

페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 200 g/eq. 이상이다. 200 g/eq. 이상이면, 열경화 후의 저장 탄성률을 용이하게 저하시킬 수 있다. 한편, 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 3500 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 1500 g/eq. 이하, 더욱 바람직하게는 1000 g/eq. 이하, 보다 더욱 바람직하게는 700 g/eq. 이하, 특히 바람직하게는 300 g/eq. 이하이다.The hydroxyl group equivalent of the phenolic resin is preferably 200 g / eq. Or more. 200 g / eq. , The storage modulus after heat curing can be easily lowered. On the other hand, the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is preferably 3500 g / eq. More preferably 1500 g / eq. More preferably 1000 g / eq. Even more preferably less than 700 g / eq. Particularly preferably 300 g / eq. Or less.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예컨대, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1 당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 당량∼2.0 당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 당량∼1.2 당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화하기 쉬워지기 때문이다.The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 equivalents to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured product tend to deteriorate.

필름형 접착제(3) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 5 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 8 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 10 중량％ 이상이다. 5 중량％ 이상이면, 경화 후의 필름형 접착제(3)에 대해서 적합한 경도가 얻어진다. 또한, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 30 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 20 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 15 중량％ 이하이다. 30 중량％ 이하이면, 적합한 도전성이 얻어진다.The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the film type adhesive 3 is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, and further preferably 10% by weight or more. If it is 5% by weight or more, suitable hardness is obtained for the film-like adhesive 3 after curing. The total content of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and still more preferably 15% by weight or less. When it is 30% by weight or less, suitable conductivity is obtained.

고분자량 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만 이상, 보다 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 50만 이상이다. 20만 이상이면, 경화 후의 필름형 접착제(3)에 대해서 적합한 인성(靭性)이 얻어진다. 한편, 고분자량 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100만 이하, 보다 바람직하게는 95만 이하이다. 100만 이하이면, 유기 용제에의 용해성 및 용해한 폴리머 용액의 작업성이 우수하다.The weight average molecular weight of the high molecular weight acrylic resin is preferably 200,000 or more, more preferably 300,000 or more, and even more preferably 500,000 or more. If it is 200,000 or more, suitable toughness can be obtained for the film-like adhesive 3 after curing. On the other hand, the weight average molecular weight of the high molecular weight acrylic resin is preferably 1,000,000 or less, more preferably 1,000,000 or less. If it is 1 million or less, the solubility in an organic solvent and the workability of a dissolved polymer solution are excellent.

또한, 중량 평균 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated by polystyrene conversion.

고분자량 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄 혹은 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The high molecular weight acrylic resin is not particularly limited and is a polymer comprising one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, Copolymer), and the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, A decyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, a dodecyl group or the like may be used as the alkyl group, the alkenyl group, the alkenyl group, .

또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-히드록시데실, (메타)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트 혹은 (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (Meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, stearylsulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as propyl (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.

고분자량 아크릴 수지는, 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 고분자량 아크릴 수지를 에폭시 수지와 가교시킬 수 있다.The high molecular weight acrylic resin preferably contains a functional group capable of reacting with an epoxy group. Thereby, the high molecular weight acrylic resin can be crosslinked with the epoxy resin.

고분자량 아크릴 수지에 있어서, 에폭시기와 반응 가능한 작용기로서는, 예컨대, 카르복실기, 히드록실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기와의 반응성이 높다고 하는 이유에서, 카르복실기가 바람직하다.Examples of the functional group capable of reacting with the epoxy group in the high molecular weight acrylic resin include a carboxyl group and a hydroxyl group. Among them, a carboxyl group is preferable because it is highly reactive with an epoxy group.

고분자량 아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 1 ㎎ KOH/g 이상, 보다 바람직하게는 3 ㎎ KOH/g 이상, 더욱 바람직하게는 4 ㎎ KOH/g 이상이다. 1 ㎎ KOH/g 이상이면, 고분자량 아크릴 수지와 에폭시 수지의 가교가 적합해져, 필름형 접착제(3)에 대해서 양호한 응집력이 얻어진다. 한편, 고분자량 아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 100 ㎎ KOH/g 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎎ KOH/g 이하, 더욱 바람직하게는 30 ㎎ KOH/g 이하이다. 100 ㎎ KOH/g 이하이면, 도전성 입자의 부식을 방지하는 것이 가능하여, 도전성의 저하를 방지할 수 있다.The acid value of the high molecular weight acrylic resin is preferably 1 mgKOH / g or more, more preferably 3 mgKOH / g or more, and even more preferably 4 mgKOH / g or more. If it is 1 mgKOH / g or more, crosslinking between the high molecular weight acrylic resin and the epoxy resin becomes suitable, and good cohesive force can be obtained for the film type adhesive 3. On the other hand, the acid value of the high molecular weight acrylic resin is preferably not more than 100 mg KOH / g, more preferably not more than 50 mg KOH / g, still more preferably not more than 30 mg KOH / g. When it is 100 mg KOH / g or less, corrosion of the conductive particles can be prevented, and deterioration of conductivity can be prevented.

또한, 산가는, JIS K 0070-1992에 규정되는 중화 적정법으로 측정할 수 있다.The acid value can be measured by a neutralization titration method specified in JIS K 0070-1992.

고분자량 아크릴 수지의 산 당량은, 바람직하게는 560 g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 1120 g/eq. 이상, 더욱 바람직하게는 1870 g/eq. 이상이다. 560 g/eq. 이상이면, 도전성 입자의 부식을 방지할 수 있다. 한편, 고분자량 아크릴 수지의 산 당량은, 바람직하게는 56110 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 18700 g/eq. 이하, 더욱 바람직하게는 14030 g/eq. 이하이다. 56110 g/eq. 이하이면, 양호한 응집력이 얻어진다.The acid equivalent weight of the high molecular weight acrylic resin is preferably 560 g / eq. More preferably 1120 g / eq. Or more, more preferably 1870 g / eq. Or more. 560 g / eq. , Corrosion of the conductive particles can be prevented. On the other hand, the acid equivalent weight of the high molecular weight acrylic resin is preferably 56110 g / eq. Or less, more preferably 18700 g / eq. More preferably 14030 g / eq. Or less. 56110 g / eq. Or less, a good cohesive force is obtained.

또한, 산 당량은, 산가로부터 구할 수 있다.The acid equivalent can be obtained from the acid value.

필름형 접착제(3)는, 고분자량 아크릴 수지 이외에, 저분자량 아크릴 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 저분자량 아크릴 수지를 에폭시 수지와 가교시킬 수 있다.The film-type adhesive 3 preferably contains a low molecular weight acrylic resin in addition to the high molecular weight acrylic resin. Thereby, the low molecular weight acrylic resin can be crosslinked with the epoxy resin.

저분자량 아크릴 수지에 있어서, 에폭시기와 반응 가능한 작용기로서는, 예컨대, 카르복실기, 히드록실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기와의 반응성이 높다고 하는 이유에서, 카르복실기가 바람직하다.Examples of the functional group capable of reacting with the epoxy group in the low molecular weight acrylic resin include a carboxyl group and a hydroxyl group. Among them, a carboxyl group is preferable because it is highly reactive with an epoxy group.

저분자량 아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 10 ㎎ KOH/g 이상, 보다 바람직하게는 30 ㎎ KOH/g 이상, 더욱 바람직하게는 50 ㎎ KOH/g 이상이다. 10 ㎎ KOH/g 이상이면, 열경화 후의 저장 탄성률을 용이하게 적합 범위로 조정할 수 있다. 한편, 저분자량 아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 1000 ㎎ KOH/g 이하, 보다 바람직하게는 500 ㎎ KOH/g 이하, 더욱 바람직하게는 300 ㎎ KOH/g 이하이다. 1000 ㎎ KOH/g 이하이면, 도전성 입자의 부식을 방지하는 것이 가능하여, 도전성의 저하를 방지할 수 있다.The acid value of the low molecular weight acrylic resin is preferably 10 mgKOH / g or more, more preferably 30 mgKOH / g or more, and even more preferably 50 mgKOH / g or more. If it is 10 mg KOH / g or more, the storage modulus after heat curing can be easily adjusted to the appropriate range. On the other hand, the acid value of the low molecular weight acrylic resin is preferably 1000 mg KOH / g or less, more preferably 500 mg KOH / g or less, and still more preferably 300 mg KOH / g or less. When it is 1000 mg KOH / g or less, corrosion of the conductive particles can be prevented, and deterioration of conductivity can be prevented.

저분자량 아크릴 수지의 산 당량은, 바람직하게는 56 g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 187 g/eq. 이상이다. 56 g/eq. 이상이면, 도전성 입자의 부식을 방지하는 것이 가능하여, 도전성의 저하를 방지할 수 있다. 한편, 저분자량 아크릴 수지의 산 당량은, 바람직하게는 5610 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 1120 g/eq. 이하이다. 5610 g/eq. 이하이면, 열경화 후의 저장 탄성률을 용이하게 적합 범위로 조정할 수 있다.The acid equivalent weight of the low molecular weight acrylic resin is preferably 56 g / eq. Or more, more preferably 187 g / eq. Or more. 56 g / eq. Or more, corrosion of the conductive particles can be prevented, and deterioration of conductivity can be prevented. On the other hand, the acid equivalent of the low molecular weight acrylic resin is preferably 5610 g / eq. More preferably 1120 g / eq. Or less. 5610 g / eq. Or less, the storage modulus after heat curing can be easily adjusted to a suitable range.

저분자량 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 1000 이상, 더욱 바람직하게는 1500 이상이다. 500 이상이면, 필름형 접착제(3)의 경화 전의 응집성을 높일 수 있다. 한편, 저분자량 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이하, 보다 바람직하게는 5만 이하, 더욱 바람직하게는 3만 이하이다. 10만 이하이면, 필름형 접착제(3)의 경화 전의 저장 탄성률의 상승을 억제하는 것이 가능하여, 양호한 다이 부착성이 얻어진다.The weight average molecular weight of the low molecular weight acrylic resin is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, and still more preferably 1500 or more. If it is 500 or more, the cohesiveness of the film-type adhesive 3 before curing can be increased. On the other hand, the weight average molecular weight of the low molecular weight acrylic resin is preferably 100,000 or less, more preferably 50,000 or less, and further preferably 30,000 or less. If it is 100,000 or less, the increase of the storage modulus before curing of the film-type adhesive 3 can be suppressed, and good die adhesion can be obtained.

저분자량 아크릴 수지로서는, 카르복실기를 포함하는 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 것 등을 들 수 있다. 카르복실기를 포함하는 모노머로서는, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리머 합성에서의 폴리머 중에의 도입의 용이함이라고 하는 이유에서 아크릴산이 바람직하다.Examples of the low molecular weight acrylic resin include a monomer-containing structural unit containing a carboxyl group. Examples of the monomer containing a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, and maleic acid. Of these, acrylic acid is preferable because of its ease of introduction into the polymer in polymer synthesis.

저분자량 아크릴 수지는, 카르복실기를 포함하는 모노머 유래의 구성 단위 이외의 다른 구성 단위를 포함하고 있어도 좋다. 다른 구성 단위로서는, 예컨대, 스티렌 유래의 구성 단위 등을 들 수 있다. 스티렌 유래의 구성 단위를 포함함으로써, 다른 배합 성분과의 분산성이 양호해진다.The low molecular weight acrylic resin may contain a structural unit other than a monomer-derived structural unit containing a carboxyl group. Examples of other structural units include styrene-derived structural units. By including the constituent unit derived from styrene, the dispersibility with other blending components becomes good.

필름형 접착제(3) 중의 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 1 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 4 중량％ 이상이다. 1 중량％ 이상이면, 양호한 필름 형성성이 얻어진다. 한편, 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 20 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 10 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 7 중량％ 이하이다. 20 중량％ 이하이면, 적합한 도전성이 얻어진다.The content of the acrylic resin in the film-type adhesive 3 is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and further preferably 4% by weight or more. If it is 1% by weight or more, good film formability can be obtained. On the other hand, the content of the acrylic resin is preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, further preferably 7% by weight or less. When it is 20% by weight or less, suitable conductivity is obtained.

필름형 접착제(3)가 고분자량 아크릴 수지 및 저분자량 아크릴 수지를 포함하는 경우, 아크릴 수지 100 중량％ 중의 고분자량 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 70 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 80 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 85 중량％ 이상이다. 70 중량％ 이상이면, 양호한 필름 형성성이 얻어진다. 한편, 아크릴 수지 100 중량％ 중의 고분자량 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 97 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 95 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 93 중량％ 이하이다. 97 중량％ 이하이면, 다이 부착 온도에 있어서 적합한 용융 점도로 조정하는 것이 가능하여, 양호한 다이 부착성이 얻어진다.When the film type adhesive 3 contains a high molecular weight acrylic resin and a low molecular weight acrylic resin, the content of the high molecular weight acrylic resin in 100% by weight of the acrylic resin is preferably 70% by weight or more, more preferably 80% Or more, more preferably 85 wt% or more. If it is 70% by weight or more, good film formability can be obtained. On the other hand, the content of the high molecular weight acrylic resin in 100 wt% of the acrylic resin is preferably 97 wt% or less, more preferably 95 wt% or less, further preferably 93 wt% or less. If it is 97% by weight or less, it is possible to adjust to a melt viscosity suitable for die attaching temperature, and good die attachability can be obtained.

필름형 접착제(3)는, 경화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열경화를 촉진시킬 수 있다. 경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 인계 촉매, 이미다졸계 촉매 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 촉매가 바람직하다. 이미다졸계 촉매는, 가교 구조에 취입되기 때문에, 열경화 후의 저장 탄성률의 증가를 야기하는 경우가 있지만, 인계 촉매는 가교 구조에 취입되지 않기 때문에, 열경화 후의 저장 탄성률의 증가를 억제할 수 있기 때문이다.The film type adhesive 3 preferably includes a curing catalyst. Thereby, thermal curing can be promoted. The curing catalyst is not particularly limited, and examples thereof include phosphorus catalysts, imidazole catalysts and the like. Among them, a phosphorus-based catalyst is preferable. Since the imidazole-based catalyst is incorporated into the crosslinked structure, the storage modulus after heat curing may increase, but since the phosphorus-based catalyst is not incorporated into the crosslinked structure, the increase of the storage modulus after heat curing can be suppressed Because.

인계 촉매로서는 특별히 한정되지 않지만, 보존성이라는 이유에서, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트가 바람직하다.The phosphorus-based catalyst is not particularly limited, but tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate are preferable because of preservability.

경화 촉매의 함유량은, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5 중량부 이상, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이상이다. 한편, 경화 촉매의 함유량은, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 10 중량부 이하, 보다 바람직하게는 5 중량부 이하이다. 10 중량부 이하이면, 적합한 보존성이 얻어진다.The content of the curing catalyst is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more, and even more preferably 1 part by weight or more, based on 100 parts by weight of the epoxy resin. On the other hand, the content of the curing catalyst is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the epoxy resin. When it is 10 parts by weight or less, suitable storage stability is obtained.

필름형 접착제(3)는, 도전성 입자를 포함한다. 이에 의해, 도전성을 부여할 수 있다. 도전성 입자로서는, 금 입자, 은 입자, 구리 입자, 피복 입자 등을 들 수 있다.The film type adhesive 3 includes conductive particles. Thereby, conductivity can be imparted. Examples of the conductive particles include gold particles, silver particles, copper particles, and coated particles.

피복 입자는, 코어 입자 및 코어 입자를 피복하는 피복막을 구비한다. 코어 입자는, 도전성, 비도전성 중 어느 것이어도 좋고, 예컨대, 유리 입자 등을 사용할 수 있다. 피복막으로서는, 금을 포함하는 막, 은을 포함하는 막, 구리를 포함하는 막 등을 들 수 있다.The coated particles include core particles and a coating film covering the core particles. The core particles may be either conductive or non-conductive, and for example, glass particles or the like may be used. Examples of the coating film include a film containing gold, a film containing silver, a film containing copper, and the like.

도전성 입자의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여, 0.001배 이상[필름형 접착제(3)의 두께×0.001 이상]이 바람직하고, 0.1배 이상이 보다 바람직하다. 0.001배 미만이면, 도전 패스의 형성이 어려워, 도전성이 안정되지 않는 경향이 있다. 또한, 도전성 입자의 평균 입경은 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여, 1배 이하[필름형 접착제(3)의 두께 이하]가 바람직하고, 0.8배 이하가 보다 바람직하다. 1배를 넘으면, 칩 균열을 일으킬 위험성이 있다.The average particle diameter of the conductive particles is not particularly limited, but is preferably not less than 0.001 times the thickness of the film-type adhesive 3 (the thickness of the film-type adhesive 3 is not less than 0.001), more preferably not less than 0.1 times. If it is less than 0.001 times, it is difficult to form a conductive path, and conductivity tends not to be stabilized. The average particle diameter of the conductive particles is preferably not more than 1 time (not more than the thickness of the film-like adhesive 3) with respect to the thickness of the film-like adhesive 3, more preferably not more than 0.8 times. If it exceeds 1 times, there is a risk of causing chip cracking.

또한, 도전성 입자의 평균 입경은, 광도식의 입도 분포계(HORIBA 제조, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다.The average particle diameter of the conductive particles is a value obtained by a photometric particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, device name: LA-910).

도전성 입자의 비중은 0.7 이상이 바람직하고, 1 이상이 보다 바람직하다. 0.7 미만이면, 접착제 조성물 용액(바니시)의 제작 시에 도전성 입자가 부유하여 버려, 도전성 입자의 분산이 불균일해질 우려가 있다. 또한, 도전성 입자의 비중은 22 이하가 바람직하고, 21 이하가 보다 바람직하다. 22를 넘으면, 도전성 입자가 가라앉기 쉬워, 도전성 입자의 분산이 불균일해질 우려가 있다.The specific gravity of the conductive particles is preferably 0.7 or more, more preferably 1 or more. If it is less than 0.7, the conductive particles will float during the production of the adhesive composition solution (varnish), and the dispersion of the conductive particles may be uneven. The specific gravity of the conductive particles is preferably 22 or less, more preferably 21 or less. If it exceeds 22, the conductive particles tend to sink, and dispersion of the conductive particles may be uneven.

도전성 입자는, 플레이트형 입자를 포함한다.The conductive particles include plate-like particles.

플레이트형 입자로서는, 예컨대, 종횡비가 5 이상인 플레이트형의 입자를 들 수 있다. 5 이상이면, 플레이트형 입자끼리가 면접촉하기 쉬워, 도전 패스가 용이하게 형성된다.As plate-like particles, for example, plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more may be mentioned. If it is 5 or more, the plate-like particles are easily in surface contact with each other, and a conductive path is easily formed.

종횡비는, 바람직하게는 8 이상, 보다 바람직하게는 10 이상이다. 한편, 종횡비는, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 100 이하, 더욱 바람직하게는 70 이하, 특히 바람직하게는 50 이하이다.The aspect ratio is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more. On the other hand, the aspect ratio is preferably 10000 or less, more preferably 100 or less, still more preferably 70 or less, particularly preferably 50 or less.

플레이트형 입자의 종횡비는, 평균 장경의 평균 두께에 대한 비(평균 장경/평균 두께)이다.The aspect ratio of the plate-like particles is the ratio (average long diameter / average thickness) of the average long diameter to the average thickness.

본 명세서에 있어서, 플레이트형 입자의 평균 장경은, 필름형 접착제(3)의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰하여, 랜덤으로 선택한 100개의 플레이트형 입자의 장경을 측정함으로써 얻어지는 평균 값이다.In the present specification, the average long diameter of the plate-shaped particles is determined by observing the cross section of the film-like adhesive 3 with a scanning electron microscope (SEM) and measuring the long diameter of 100 randomly selected plate- to be.

또한, 플레이트형 입자의 평균 두께는, 필름형 접착제(3)의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰하여, 랜덤으로 선택한 100개의 플레이트형 입자의 두께를 측정함으로써 얻어지는 평균 값이다.The average thickness of the plate-like particles is an average value obtained by observing the cross section of the film-like adhesive 3 with a scanning electron microscope (SEM) and measuring the thickness of 100 plate-shaped particles randomly selected.

플레이트형 입자의 평균 장경은, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이상이다. 0.5 ㎛ 이상이면, 플레이트형 입자의 접촉 확률이 높아져 도통(導通)을 취하기 쉬워진다.The average long diameter of the plate-like particles is preferably 0.5 탆 or more, and more preferably 1.0 탆 or more. If it is 0.5 m or more, the probability of contact of the plate-shaped particles is increased, and conduction is easily obtained.

한편, 플레이트형 입자의 평균 장경은, 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이하이다. 50 ㎛ 이하이면, 도포 바니시 단계에서의 입자의 침강이 생기기 어려워, 안정된 도포 바니시를 제작할 수 있다.On the other hand, the average long diameter of the plate-like particles is preferably 50 占 퐉 or less, and more preferably 30 占 퐉 or less. If it is 50 탆 or less, it is difficult for the particles to settle in the coating varnish step, and a stable coating varnish can be produced.

도전성 입자 100 중량％ 중의 플레이트형 입자의 함유량은, 5 중량％ 이상이며, 바람직하게는 40 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 60 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70 중량％ 이상이다. 도전성 입자 100 중량％ 중의 플레이트형 입자의 함유량은, 100 중량％여도 좋지만, 바람직하게는 90 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 85 중량％ 이하이다.The content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is 5 wt% or more, preferably 40 wt% or more, more preferably 60 wt% or more, and still more preferably 70 wt% or more. The content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles may be 100 wt%, but is preferably 90 wt% or less, and more preferably 85 wt% or less.

도전성 입자는, 구형 입자를 포함하는 것이 바람직하다.The conductive particles preferably include spherical particles.

도전성 입자 100 중량％ 중의 구형 입자의 함유량은, 바람직하게는 10 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 15 중량％ 이상이다. 도전성 입자 100 중량％ 중의 구형 입자의 함유량은, 바람직하게는 95 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 40 중량％ 이하, 특히 바람직하게는 30 중량％ 이하이다.The content of the spherical particles in 100 wt% of the conductive particles is preferably 10 wt% or more, and more preferably 15 wt% or more. The content of the spherical particles in 100 wt% of the conductive particles is preferably 95 wt% or less, more preferably 60 wt% or less, further preferably 40 wt% or less, particularly preferably 30 wt% or less.

도전성 입자는, 바늘형 입자, 필라멘트형 입자 등을 포함하여도 좋다.The conductive particles may include needle-like particles, filament-type particles, and the like.

필름형 접착제(3) 중의 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 30 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 60 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70 중량％ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 75 중량％ 이상, 특히 바람직하게는 80 중량％ 이상이다. 30 중량％ 미만이면, 도전 패스의 형성이 어려운 경향이 있다. 또한, 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 95 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 90 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 88 중량％ 이하이다. 95 중량％를 넘으면, 필름화가 어려운 경향이 있다.The content of the conductive particles in the film type adhesive 3 is preferably 30% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, still more preferably 75% by weight or more, Preferably 80% by weight or more. If it is less than 30% by weight, formation of a conductive path tends to be difficult. The content of the conductive particles is preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 88% by weight or less. If it exceeds 95% by weight, film formation tends to be difficult.

필름형 접착제(3)는, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예컨대, 가교제 등을 적절하게 함유하여도 좋다.In addition to the above components, the film-type adhesive 3 may suitably contain a compounding agent generally used for producing a film, such as a crosslinking agent.

필름형 접착제(3)는, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예컨대, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하여, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 건조시킴으로써, 필름형 접착제(3)를 제조할 수 있다.The film-like adhesive 3 can be produced by a usual method. For example, a solution of an adhesive composition containing the above components is prepared, a solution of the adhesive composition is coated on the substrate separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried to produce the film- .

접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예컨대, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 코팅의 방법으로서는, 예컨대, 다이 코터, 그라비어 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프 닥터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도포 두께의 균일성이 높다고 하는 점에서, 다이 코터가 바람직하다.The solvent used in the adhesive composition solution is not particularly limited, but an organic solvent capable of uniformly dissolving, kneading or dispersing the above components is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene. The application method is not particularly limited. Examples of the solvent coating method include a die coater, a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, a comma coater, a pipe doctor coater, a screen printing, and the like. Among them, a die coater is preferable in that the uniformity of coating thickness is high.

기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등을 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예컨대, 롤 코팅, 스크린 코팅, 그라비어 코팅 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 건조 온도 70℃∼160℃, 건조 시간 1 분∼5 분간으로 행할 수 있다.As the substrate separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used. Examples of the application method of the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying condition of the coating film is not particularly limited, and can be carried out, for example, at a drying temperature of 70 ° C to 160 ° C and a drying time of 1 minute to 5 minutes.

필름형 접착제(3)의 제조 방법으로서는, 예컨대, 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 필름형 접착제(3)를 제조하는 방법 등도 적합하다. 믹서로서는 플라네터리 믹서 등을 들 수 있다.As a method of producing the film-type adhesive 3, for example, a method of mixing the above components with a mixer and press-molding the resulting mixture to produce a film-type adhesive 3 is also suitable. As the mixer, a planetary mixer and the like can be mentioned.

필름형 접착제(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 15 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 5 ㎛ 미만이면, 휨이 생긴 반도체 웨이퍼나 반도체 칩과 접착하지 않는 부분이 발생하여, 접착 면적이 불안정해지는 경우가 있다. 또한, 필름형 접착제(3)의 두께는 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 100 ㎛를 넘으면, 다이 부착의 하중에 의해 필름형 접착제(3)가 과도하게 비어져 나와, 패드를 오염시키는 경우가 있다.The thickness of the film-type adhesive 3 is not particularly limited, but is preferably 5 占 퐉 or more, more preferably 15 占 퐉 or more. If it is less than 5 mu m, there may be a case where a semiconductor wafer having a warp or a portion not bonded to the semiconductor chip is generated, and the bonding area becomes unstable. The thickness of the film-type adhesive 3 is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less. If the thickness exceeds 100 탆, the film-like adhesive 3 may be excessively pushed out by the load of die attachment, resulting in contamination of the pad.

필름형 접착제(3)의 표면 거칠기(Ra)는, 0.1 ㎚∼5000 ㎚가 바람직하다. 0.1 ㎚ 미만은, 배합 상 어렵다. 한편, 5000 ㎚를 넘으면, 다이 부착 시의 피착체에의 부착성이 저하할 우려가 있다.The surface roughness (Ra) of the film-type adhesive (3) is preferably 0.1 nm to 5000 nm. When it is less than 0.1 nm, it is difficult to formulate. On the other hand, if it exceeds 5000 nm, adhesion to an adherend upon die attachment may be deteriorated.

필름형 접착제(3)의 전기 저항률은 낮을수록 바람직하고, 예컨대, 9×10-2 Ω·m 이하이다. 9×10-2 Ω·m 이하이면, 도전성이 좋아, 소형·고밀도 실장에 대응할 수 있다. 한편, 전기 저항률은, 바람직하게는 1×10-6 Ω·m 이상이다.The lower the electrical resistivity of the film-type adhesive 3 is, for example, preferably 9 x 10 < -2 > When it is 9 x 10 < -2 > OMEGA. M or less, it is good in conductivity and can cope with small and high density packaging. On the other hand, the electrical resistivity is preferably 1 x 10 < -6 >

필름형 접착제(3)의 열 전도율은 높을수록 바람직하고, 예컨대, 0.5 W/m·K 이상이다. 0.5 W/m·K 이상이면, 방열성이 좋아, 소형·고밀도 실장에 대응할 수 있다. 한편, 0.5 W/m·K 미만이면, 방열성이 나빠, 열이 쌓여, 도전성을 악화시킬 우려가 있다.The higher the thermal conductivity of the film-type adhesive 3 is, for example, 0.5 W / m · K or more. If it is 0.5 W / m · K or more, heat dissipation is good, and it is possible to cope with small and high density mounting. On the other hand, if it is less than 0.5 W / m · K, heat dissipation is poor and heat may accumulate, thereby deteriorating the conductivity.

필름형 접착제(3)의 120℃의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 10 ㎫ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎫ 이하이다. 10 ㎫ 이하이면, 열경화 온도 부근에 있어서의 필름형 접착제(3)의 유동성이 높아, 압력 하에서의 가열에 의해 보이드를 소멸시키는 것이 용이하다. 120℃의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 0.01 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 ㎫ 이상이다. 0.01 ㎫ 이상이면, 필름형 접착제(3)가 비어져 나오기 어렵다.The tensile storage modulus at 120 캜 of the film-like adhesive 3 is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less. If it is 10 MPa or less, the flowability of the film-like adhesive 3 in the vicinity of the thermosetting temperature is high, and it is easy to extinguish the voids by heating under pressure. The tensile storage modulus at 120 캜 is preferably 0.01 MPa or more, and more preferably 0.05 MPa or more. If it is 0.01 MPa or more, the film-like adhesive 3 is hardly released.

120℃의 인장 저장 탄성률은, 이하의 방법으로 측정할 수 있다.The tensile storage modulus at 120 占 폚 can be measured by the following method.

120℃의 인장 저장 탄성률의 측정Measurement of tensile storage modulus at 120 ° C

필름형 접착제(3)로부터, 세로 30 ㎜, 폭 10 ㎜, 두께 400 ㎛의 단책형의 측정편을 절취한다. 측정편에 대해서, 고정 점탄성 측정 장치(RSA-II, 레오메트릭사이언티픽사 제조)를 이용하여 척 폭 22.6 ㎜, 0℃∼200℃에서의 인장 저장 탄성률을 주파수 1 ㎐, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정한다.From the film-type adhesive 3, measuring strips of 30 mm in length, 10 mm in width and 400 占 퐉 in thickness are cut out. The measurement was carried out using a fixed viscoelasticity measuring device (RSA-II, manufactured by Rheometric Scientific Co.) at a chuck width of 22.6 mm and a tensile storage elastic modulus at 0 to 200 캜 at a frequency of 1 Hz and a temperature raising rate of 10 캜 / minute Lt; / RTI >

120℃의 인장 저장 탄성률은, 열 가소성 수지의 유리 전이 온도, 도전성 입자의 배합량 등에 의해 조절할 수 있다. 예컨대, 유리 전이 온도가 낮은 열 가소성 수지를 배합함으로써, 120℃의 인장 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다.The tensile storage modulus at 120 占 폚 can be controlled by the glass transition temperature of the thermoplastic resin, the amount of conductive particles to be blended, and the like. For example, by adding a thermoplastic resin having a low glass transition temperature, the tensile storage modulus at 120 캜 can be lowered.

필름형 접착제(3)는, 반도체 장치의 제조에 사용된다. 그 중에서도, 파워 반도체 장치의 제조에 특히 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리드 프레임 등의 피착체와 반도체 칩을 접착하는(다이 부착하는) 다이 부착 필름으로서 사용된다. 피착체로서는, 리드 프레임, 인터포저, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 리드 프레임이 바람직하다.The film-type adhesive 3 is used for manufacturing a semiconductor device. In particular, it can be suitably used for manufacturing a power semiconductor device. Specifically, it is used as a die attach film for adhering (attaching to a die) an adherend such as a lead frame and the semiconductor chip. Examples of the adherend include a lead frame, an interposer, and a semiconductor chip. Among them, a lead frame is preferable.

필름형 접착제(3)는, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 이 형태로 사용하면, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프에 접착된 상태의 반도체 웨이퍼를 핸들링할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼 단체로 핸들링하는 기회를 줄일 수 있어, 핸들링성이 양호하다. 따라서, 최근의 박형의 반도체 웨이퍼라도 양호하게 핸들링할 수 있다.The film type adhesive 3 is preferably used in the form of a dicing tape having a film type adhesive. When used in this form, it is possible to handle a semiconductor wafer adhered to a dicing tape having a film-type adhesive, thereby reducing the chance of handling with a single semiconductor wafer, and handling property is good. Therefore, recent thin semiconductor wafers can be handled well.

[필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프][Dicing tape having a film type adhesive]

필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프에 대해서 설명한다.A description will be given of a dicing tape having a film-type adhesive.

도 2에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)는, 다이싱 테이프(1) 및 다이싱 테이프(1) 상에 배치된 필름형 접착제(3)를 구비한다. 다이싱 테이프(1)는, 기재(11) 및 기재(11) 상에 배치된 점착제층(12)을 구비한다. 필름형 접착제(3)는 점착제층(12) 상에 배치되어 있다.As shown in Fig. 2, the dicing tape 10 having a film-type adhesive has a dicing tape 1 and a film-like adhesive 3 disposed on the dicing tape 1. As shown in Fig. The dicing tape 1 has a substrate 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12 disposed on the substrate 11. The pressure- The film-type adhesive 3 is disposed on the pressure-sensitive adhesive layer 12.

도 3에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)는, 워크[반도체 웨이퍼(4) 등] 접착 부분에만 필름형 접착제(3)를 형성한 구성이어도 좋다.As shown in Fig. 3, the dicing tape 10 having a film-type adhesive may have a structure in which the film-like adhesive 3 is formed only on a work (semiconductor wafer 4, etc.)

기재(11)는, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)의 강도 모체가 되는 것으로서, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재(11)로서는, 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 (랜덤, 교호)공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 클로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 11 is preferably a base material for the dicing tape 10 having a film-like adhesive and has ultraviolet transmittance. Examples of the substrate 11 include polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, (Meth) acrylic acid ester (random or alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ionomer resin, Polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper), glass, ceramics, and the like, such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate and the like, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, Glass cloth, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose There may be mentioned resins, a silicone resin, metal (foil), paper or the like.

기재(11)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예컨대, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 11 is subjected to chemical or physical treatments such as surface treatments for common use such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure, and ionizing radiation treatment in order to improve the adhesion with the adjacent layer, , And a coating agent with a primer (for example, an adhesive material to be described later).

기재(11)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 ㎛∼200 ㎛ 정도이다.The thickness of the base material 11 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 mu m.

점착제층(12)의 형성에 이용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예컨대, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 이용할 수 있다. 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, and for example, common pressure-sensitive adhesives such as an acrylic pressure-sensitive adhesive and a rubber pressure-sensitive adhesive can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part which does not like to be contaminated with a semiconductor wafer or glass, cleanliness by an organic solvent such as alcohol, and the like.

아크릴계 폴리머로서는, 예컨대, (메타)아크릴산알킬에스테르(예컨대, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1∼30, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄형 또는 분기쇄형의 알킬에스테르 등) 및 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르(예컨대, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 중 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메타)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메타)란 전부 동일한 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (e.g., methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopentyl And examples thereof include esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Octadecyl ester, and eicosyl ester), and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl (meth) acrylate, Esters, etc.) as the monomer component, Based polymer and the like. Further, (meth) acrylic acid ester refers to acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth)

아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메타)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-히드록시데실, (메타)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40 중량％ 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; (Meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl Monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해, 다작용성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다작용성 모노머로서, 예컨대, 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30 중량％ 이하가 바람직하다.In order to crosslink the acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like may be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, (Meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부침으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만∼300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by impregnating a single monomer or a mixture of two or more monomers into the polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In this respect, the number average molecular weight of the acryl-based polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교하여야 하는 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 또한, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 5 중량부 정도 이하, 더욱 0.1 중량부∼5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종의 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용하여도 좋다.In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer or the like as the base polymer, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. In the case of using an external crosslinking agent, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked and also in accordance with the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is 5 parts by weight or less, more preferably 0.1 parts by weight to 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the base polymer. In addition to the above components, various additives known in the art such as tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.

점착제층(12)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily lower the adhesive force.

도 2에 나타내는 점착제층(12)의 워크 접착 부분에 대응하는 부분(12a)만을 방사선 조사함으로써 다른 부분(12b)과의 점착력의 차를 마련할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(12b)은 필름형 접착제(3)와 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다.Only the portion 12a corresponding to the work adhesion portion of the pressure-sensitive adhesive layer 12 shown in Fig. 2 can be irradiated with a radiation, whereby a difference in adhesive force with the other portion 12b can be provided. In this case, the portion 12b formed by the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive adheres to the film-like adhesive 3, and the holding force at the time of dicing can be ensured.

또한, 도 3에 나타내는 필름형 접착제(3)에 합하여 방사선 경화형의 점착제층(12)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저히 저하한 상기 부분(12a)을 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(12b)에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.Further, by curing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 in combination with the film-like adhesive 3 shown in Fig. 3, the portion 12a in which the adhesive force is remarkably decreased can be formed. In this case, the wafer ring can be fixed to the portion 12b formed by the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive.

즉, 점착제층(12)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층(12)에 있어서의 상기 부분(12a)의 점착력 ＜ 그 외의 부분(12b)의 점착력이 되도록 상기 부분(12a)을 방사선 조사하는 것이 바람직하다.That is, when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed by the radiation-curing pressure-sensitive adhesive, the adhesive strength of the portion 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive strength of the other portion 12b It is preferable to irradiate with radiation.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가지고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be used without any particular limitation, which has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. As the radiation-curing pressure-sensitive adhesive, for example, an addition-type radiation-curing pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or an oligomer component is blended with a common pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive and the rubber pressure-

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100∼30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 5 중량부∼500 중량부, 바람직하게는 40 중량부∼150 중량부 정도이다.Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri , Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-curable oligomer component include urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based and polybutadiene-based oligomers, and the molecular weight thereof is suitably in the range of about 100 to 30000. The amount of the radiation-curable monomer component or the oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, the amount is, for example, about 5 parts by weight to 500 parts by weight, preferably about 40 parts by weight to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 이외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 재중을 이동하는 일없이, 안정된 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Examples of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive include internal-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives using, as the base polymer, those having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal, in addition to the addition type radiation- The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type does not need to contain or contain a low molecular component such as an oligomer component or the like. Therefore, the oligomer component or the like does not move over the pressure- Can be formed.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.The above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond may have a carbon-carbon double bond and have a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리, 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method for introducing a carbon-carbon double bond to the acryl-based polymer is not particularly limited, and various methods can be employed. However, molecular design is easy to introduce a carbon-carbon double bond into a polymer side chain. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed or adhered while maintaining the radiation curability of the carbon- And the like.

이들 작용기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리디닐기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 반응 추적이 용이하기 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 것 같은 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 좋지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 가지고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예컨대, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridinyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. A combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable because it is easy to track the reaction among these combinations of functional groups. The functional group may be present either on the acrylic polymer or on the side of the compound, provided that the combination of these functional groups is such as to produce the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond. In the preferred combination, It is suitable that the compound has an isocyanate group with a carboxyl group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethylbenzyl isocyanate and the like . As the acryl-based polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, or an ether compound of diethylene glycol monovinyl ether may be used.

상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 30 중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 중량부∼10 중량부의 범위이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type may use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (in particular acrylic polymer) alone, but it is also possible to mix the radiation curable monomer component or oligomer component have. The radiation-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably 0 parts by weight to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예컨대, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일 안식향산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.05 중량부∼20 중량부 정도이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when it is cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? -Dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropylphenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; A photoactive oxime-based compound such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoyl benzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Campquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대, 일본 특허 공개 소화60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.Examples of radiation-curable pressure-sensitive adhesives include those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-196956, such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, a photopolymerizable compound such as an alkoxysilane having an epoxy group, A rubber-based pressure-sensitive adhesive or an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt compound.

상기 방사선 경화형의 점착제층(12) 중에는, 필요에 따라, 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해, 착색되는 화합물을 점착제층(12)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색시킬 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 방사선 조사 이전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이며, 예컨대, 류코 염료 등을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물의 사용 비율은, 적절하게 설정할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 may contain a compound that is colored by irradiation, if necessary. By incorporating a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer 12 by irradiation with radiation, only the irradiated portion can be colored. The compound that is colored by irradiation with light is a colorless or pale color before irradiation, but a compound that becomes colored by irradiation, and examples thereof include leuco dyes. The use ratio of the compound that is colored by irradiation with radiation can be appropriately set.

점착제층(12)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 깨짐 방지나 필름형 접착제(3)의 고정 유지의 양립성 등의 점으로부터는, 1 ㎛∼50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 ㎛∼30 ㎛, 더욱 5 ㎛∼25 ㎛이 바람직하다.Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, it is preferably about 1 to 50 占 퐉, from the viewpoint of prevention of cracking of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the film-type adhesive 3. Preferably 2 mu m to 30 mu m, further preferably 5 mu m to 25 mu m.

필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)의 필름형 접착제(3)는, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 필름형 접착제(3)를 보호하는 보호재로서의 기능을 가지고 있다. 세퍼레이터는 필름형 접착제(3) 상에 워크를 점착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.It is preferable that the film type adhesive 3 of the dicing tape 10 having a film type adhesive is protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the film-type adhesive 3 until it is provided for practical use. The separator is peeled off when the workpiece is adhered on the film type adhesive 3. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used.

필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)는, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예컨대, 다이싱 테이프(1)의 점착제층(12)과 필름형 접착제(3)를 접합시킴으로써, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)를 제조할 수 있다.The dicing tape 10 having a film-type adhesive can be produced by a usual method. For example, the dicing tape 10 having a film-type adhesive can be manufactured by bonding the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the dicing tape 1 and the film-type adhesive 3 to each other.

박리 온도 25℃, 박리 속도 300 ㎜/min의 조건 하에서, 필름형 접착제(3)를 다이싱 테이프(1)로부터 떼었을 때의 박리력이 0.01 N/20 ㎜∼3.00 N/20 ㎜인 것이 바람직하다. 0.01 N/20 ㎜ 미만이면, 다이싱 시에 칩 날림이 발생할 우려가 있다. 한편, 3.00 N/20 ㎜를 넘으면, 픽업이 곤란해지는 경향이 있다.It is preferable that the peeling force is 0.01 N / 20 mm to 3.00 N / 20 mm when the film-like adhesive 3 is detached from the dicing tape 1 under the conditions of a peeling temperature of 25 占 폚 and a peeling speed of 300 mm / Do. If it is less than 0.01 N / 20 mm, there is a fear that chips are broken during dicing. On the other hand, if it exceeds 3.00 N / 20 mm, pick-up tends to become difficult.

[반도체 장치의 제조 방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]

반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.A method of manufacturing a semiconductor device will be described.

도 4에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)에 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)를 압착한다. 반도체 웨이퍼(4)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.As shown in Fig. 4, the dicing tape 10 having a film-type adhesive is pressed onto the semiconductor wafer 4. Fig. Examples of the semiconductor wafer 4 include silicon wafers, silicon carbide wafers, and compound semiconductor wafers. As the compound semiconductor wafer, a gallium nitride wafer can be given.

압착 방법으로서는, 예컨대, 압착 롤 등의 압박 수단에 의해 압박하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the pressing method include a method of pressing by a pressing means such as a pressing roll.

압착 온도(접착 온도)는, 35℃ 이상이 바람직하고, 50℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 편이 바람직하고, 바람직하게는 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 50℃ 이하, 더욱 바람직하게는 45℃ 이하이다. 저온에서 압착함으로써, 반도체 웨이퍼(4)에의 열 영향을 방지하는 것이 가능하여, 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 억제할 수 있다.The compression bonding temperature (bonding temperature) is preferably 35 DEG C or higher, more preferably 50 DEG C or higher. The upper limit of the compression temperature is preferably as low as possible, preferably 80 DEG C or lower, more preferably 50 DEG C or lower, further preferably 45 DEG C or lower. By pressing at a low temperature, it is possible to prevent the semiconductor wafer 4 from being affected by heat, and the warpage of the semiconductor wafer 4 can be suppressed.

또한, 압력은, 1×105 ㎩∼1×107 ㎩인 것이 바람직하고, 2×105 ㎩∼8×106 ㎩인 것이 보다 바람직하다.The pressure is preferably 1 x 10 5 Pa to 1 x 10 7 Pa, more preferably 2 x 10 5 Pa to 8 x 10 6 Pa.

다음에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 즉, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 사이즈로 절단하여 개편화하여, 반도체 칩(5)을 절취한다. 다이싱은, 통상법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예컨대 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)까지 절입을 행하는 풀 컷트라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)에 의해 접착 고정되어 있기 때문에, 칩 깨짐이나 칩 날림을 억제할 수 있음과 동시에, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.Next, as shown in Fig. 5, the semiconductor wafer 4 is diced. That is, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and cut into individual pieces to cut the semiconductor chip 5. Dicing is performed in accordance with a conventional method. In this step, for example, a cutting method called full cutting in which the dicing tape 10 having a film type adhesive is cut is adopted. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited and conventionally known dicing apparatuses can be used. Further, since the semiconductor wafer 4 is adhered and fixed by the dicing tape 10 having a film-type adhesive agent, chip breakage and chip warping can be suppressed, and breakage of the semiconductor wafer 4 can be suppressed can do.

필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예컨대, 개개의 반도체 칩(5)을 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The semiconductor chip 5 is picked up in order to peel off the semiconductor chip 5 adhered and fixed to the dicing tape 10 having the film type adhesive. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which individual semiconductor chips 5 are pushed up by needles from the side of the dicing tape 10 having a film-type adhesive and the picked-up semiconductor chips 5 are picked up by a pickup device .

여기서 픽업은, 점착제층(12)이 자외선 경화형인 경우, 그 점착제층(12)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(12)의 필름형 접착제(3)에 대한 점착력이 저하하여, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키는 일없이 픽업이 가능해진다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절하게 필요에 따라 설정하면 좋다.Here, the pick-up is carried out after irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 with ultraviolet rays when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is of the ultraviolet curing type. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12 to the film-type adhesive 3 is lowered, and the semiconductor chip 5 is easily peeled off. As a result, the semiconductor chip 5 can be picked up without damaging it. The conditions such as the irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, the irradiation time, and the like are not particularly limited and may be suitably set as needed.

도 6에 나타내는 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을, 필름형 접착제(3)를 통해 피착체(6)에 접착 고정하여, 반도체 칩이 부착된 피착체(61)를 얻는다. 반도체 칩이 부착된 피착체(61)는, 피착체(6), 피착체(6) 상에 배치된 필름형 접착제(3) 및 필름형 접착제(3) 상에 배치된 반도체 칩(5)을 구비한다.6, the semiconductor chip 5 picked up is adhered and fixed to the adherend 6 via the film-like adhesive 3 to obtain an adherend 61 to which the semiconductor chip is attached. The adherend 61 to which the semiconductor chip is adhered is bonded to the semiconductor chip 5 placed on the adherend 6, the film type adhesive 3 disposed on the adherend 6, and the film type adhesive 3, Respectively.

다이 부착 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 130℃ 이상이다. 또한, 다이 부착 온도는, 바람직하게는 170℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 170℃ 이하로 함으로써, 다이 부착 후의 휨의 발생을 방지할 수 있다.The die attach temperature is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, and still more preferably 130 占 폚 or higher. The die attach temperature is preferably 170 占 폚 or lower, and more preferably 160 占 폚 or lower. By setting the temperature to 170 占 폚 or less, occurrence of warpage after die attaching can be prevented.

계속해서, 반도체 칩이 부착된 피착체(61)를 가열함으로써 필름형 접착제(3)를 열경화시켜, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 반도체 칩이 부착된 피착체(61)를 가압 하에서 가열함으로써 필름형 접착제(3)를 열경화시키는 것이 바람직하다. 가압 하에서 필름형 접착제(3)를 열경화시킴으로써, 필름형 접착제(3)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하여, 필름형 접착제(3)가 피착체(6)와 접촉하는 면적을 확보할 수 있다.Subsequently, the adherend 61 to which the semiconductor chip is attached is heated to thermally cure the film-type adhesive 3, thereby fixing the semiconductor chip 5 and the adherend 6 thereto. It is preferable to thermally cure the film-type adhesive 3 by heating the adherend 61 to which the semiconductor chip is attached under pressure. The voids existing between the film-like adhesive 3 and the adherend 6 can be annihilated by thermally curing the film-type adhesive 3 under pressure so that the film-like adhesive 3 is adhered to the adherend 6 The contact area can be ensured.

가압 하에서 가열하는 방법으로서는, 예컨대, 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된, 반도체 칩이 부착된 피착체(61)를 가열하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of heating under pressure, for example, there can be mentioned a method of heating an adherend 61 provided with a semiconductor chip and disposed in a chamber filled with an inert gas.

가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5 ㎏/㎠(4.9×10-2 ㎫) 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎏/㎠(9.8×10-2 ㎫) 이상, 더욱 바람직하게는 5 ㎏/㎠(4.9×10-1 ㎫) 이상이다. 0.5 ㎏/㎠ 이상이면, 필름형 접착제(3)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20 ㎏/㎠(1.96 ㎫) 이하, 보다 바람직하게는 18 ㎏/㎠(1.77 ㎫) 이하, 더욱 바람직하게는 15 ㎏/㎠(1.47 ㎫) 이하이다. 20 ㎏/㎠ 이하이면, 과도한 가압에 의한 필름형 접착제(3)의 비어져 나옴을 억제할 수 있다.The pressure of the pressurized atmosphere is preferably at least 0.5 kg / cm 2 (4.9 × 10 -2 MPa), more preferably at least 1 kg / cm 2 (9.8 × 10 -2 MPa), and still more preferably at most 5 kg / 4.9 x 10 < -1 > MPa) or more. If it is 0.5 kg / cm 2 or more, the voids existing between the film-like adhesive 3 and the adherend 6 can be easily extinguished. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably 20 kg / cm 2 (1.96 MPa) or less, more preferably 18 kg / cm 2 (1.77 MPa) or less, and further preferably 15 kg / cm 2 (1.47 MPa) or less. If it is 20 kg / cm 2 or less, it is possible to suppress the release of the film-type adhesive 3 due to excessive pressure.

가압 하에서 가열할 때의 가열 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상, 특히 바람직하게는 170℃ 이상이다. 80℃ 이상이면, 필름형 접착제(3)를 적절한 경도로 하는 것이 가능하고, 가압 경화에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. 가열 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 260℃ 이하이면, 경화 전의 필름형 접착제(3)의 분해를 막을 수 있다.The heating temperature at the time of heating under pressure is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, further preferably 120 占 폚 or higher, particularly preferably 170 占 폚 or higher. If it is 80 DEG C or higher, the film type adhesive 3 can be made to have an appropriate hardness, and voids can be effectively lost by pressure hardening. The heating temperature is preferably 260 占 폚 or lower, more preferably 200 占 폚 or lower, and more preferably 180 占 폚 or lower. If it is 260 占 폚 or lower, decomposition of the film-like adhesive 3 before curing can be prevented.

가열 시간은, 바람직하게는 0.1 시간 이상, 보다 바람직하게는 0.2 시간 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 시간 이상이다. 0.1 시간 이상이면, 가압의 효과를 충분히 얻을 수 있다. 가열 시간은, 바람직하게는 24 시간 이하, 보다 바람직하게는 3 시간 이하, 더욱 바람직하게는 1 시간 이하이다.The heating time is preferably 0.1 hour or more, more preferably 0.2 hour or more, and still more preferably 0.5 hour or more. If the time is 0.1 hour or more, the effect of pressurization can be sufficiently obtained. The heating time is preferably 24 hours or less, more preferably 3 hours or less, further preferably 1 hour or less.

다음에, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)로서는, 예컨대 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 이용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이며, 그 온도는, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한, 그 가열 시간은 수 초∼수 분간(예컨대, 1초∼1분간) 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태로, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.Next, a wire bonding step for electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with the bonding wire 7 is performed. As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is preferably 80 DEG C or higher, more preferably 120 DEG C or higher, and the temperature is preferably 250 DEG C or lower, more preferably 175 DEG C or lower. Further, the heating time is performed for several seconds to several minutes (for example, 1 second to 1 minute). The connection is carried out by the combination of the vibration energy by the ultrasonic wave and the pressing energy by the application pressure in a state of being heated to be within the above temperature range.

계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예컨대 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이며, 그 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.Subsequently, a sealing step for sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. [ This step is carried out by molding a resin for sealing into a metal mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably 165 DEG C or higher, more preferably 170 DEG C or higher, and the heating temperature is preferably 185 DEG C or lower, more preferably 180 DEG C or lower.

필요에 따라, 밀봉물을 더 가열을 하여도 좋다(후경화 공정). 이에 의해, 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킬 수 있다. 가열 온도는 적절하게 설정할 수 있다.If necessary, the sealing material may be further heated (post-curing step). This makes it possible to completely harden the sealing resin 8 which is insufficiently cured in the sealing step. The heating temperature can be appropriately set.

이상과 같이, 실시형태 1에서는, 필름형 접착제(3)를 통해, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이 본딩하는 공정과, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 필름형 접착제(3)를 열경화시키는 공정을 포함하는 방법에 의해, 반도체 장치를 제조한다.As described above, in the first embodiment, the semiconductor chip 5 is die-bonded on the adherend 6 via the film-type adhesive 3, and the step of bonding the semiconductor chip 5 to the adherend 6 After the step of die bonding, a semiconductor device is manufactured by a method including a step of thermally curing the film-type adhesive agent (3).

보다 구체적으로는, 실시형태 1의 방법은, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프(10)의 필름형 접착제(3) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 배치하는 공정과, 필름형 접착제(3) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하여 반도체 칩(5)을 형성하는 공정과, 반도체 칩(5)을 필름형 접착제(3)와 함께 픽업하는 공정과, 필름형 접착제(3)를 통해, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이 본딩하는 공정과, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 필름형 접착제(3)를 열경화시키는 공정을 포함한다.More specifically, the method of Embodiment 1 includes the steps of disposing a semiconductor wafer 4 on a film-like adhesive 3 of a dicing tape 10 having a film-type adhesive, A step of forming a semiconductor chip 5 by dicing the semiconductor wafer 4 placed on the semiconductor chip 4 disposed on the semiconductor chip 4 with the film type adhesive 3, , A step of die bonding the semiconductor chip 5 onto the adherend 6 and a step of thermally curing the film type adhesive 3 after the step of die bonding the semiconductor chip 5 to the adherend 6 .

이상, 실시형태 1에 대해서 설명하였다.The first embodiment has been described above.

[실시형태 2][Embodiment 2]

(필름형 접착제)(Film type adhesive)

실시형태 2는, 필름형 접착제(3)의 조성에 있어서 실시형태 1과 상이하다.Embodiment 2 differs from Embodiment 1 in the composition of the film-like adhesive 3.

수지 성분에 대해서, 실시형태 2의 필름형 접착제(3)는, 에폭시 수지, 고분자량 아크릴 수지 및 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 포함하는 저분자량 아크릴 수지를 포함한다. 실시형태 2에서는, 저분자량 아크릴 수지가 에폭시 수지의 경화제로서 기능하는 것이 가능하다. 따라서, 실시형태 2에서는, 페놀 수지를 배합하지 않아도 좋다.Regarding the resin component, the film-like adhesive (3) of Embodiment 2 includes an epoxy resin, a high molecular weight acrylic resin and a low molecular weight acrylic resin containing a functional group capable of reacting with an epoxy group. In Embodiment 2, the low molecular weight acrylic resin can function as a curing agent for the epoxy resin. Therefore, in Embodiment 2, a phenol resin may not be blended.

적합한 에폭시 수지는, 실시형태 1과 동일하다.A suitable epoxy resin is the same as in Embodiment 1.

필름형 접착제(3) 중의 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 1 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 3 중량％ 이상이다. 1 중량％ 이상이면, 적합한 경화물이 얻어진다. 또한, 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 15 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 10 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 7 중량％ 이하이다. 15 중량％ 이하이면, 적합한 도전성이 얻어진다.The content of the epoxy resin in the film type adhesive 3 is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and further preferably 3% by weight or more. If it is 1% by weight or more, a suitable cured product is obtained. The content of the epoxy resin is preferably 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, further preferably 7% by weight or less. If it is 15% by weight or less, suitable conductivity is obtained.

적합한 고분자량 아크릴 수지는, 실시형태 1과 동일하다.A suitable high molecular weight acrylic resin is the same as in Embodiment 1.

저분자량 아크릴 수지는, 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 포함한다. 에폭시기와 반응 가능한 작용기로서는, 예컨대, 카르복실기, 히드록실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기와의 반응성이 높다고 하는 이유에서, 카르복실기가 바람직하다.The low molecular weight acrylic resin includes a functional group capable of reacting with an epoxy group. Examples of the functional group capable of reacting with an epoxy group include a carboxyl group and a hydroxyl group. Among them, a carboxyl group is preferable because it is highly reactive with an epoxy group.

저분자량 아크릴 수지의 적합한 산가, 산 당량, 중량 평균 분자량 등은, 실시형태 1과 동일하다.Suitable acid value, acid equivalent, weight average molecular weight and the like of the low molecular weight acrylic resin are the same as those in Embodiment 1.

필름형 접착제(3) 중의 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 1 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 5 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 10 중량％ 이상, 특히 바람직하게는 12 중량％ 이상이다. 1 중량％ 이상이면, 양호한 필름 형성성이 얻어진다. 한편, 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 20 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 17 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 15 중량％ 이하이다. 20 중량％ 이하이면, 적합한 도전성이 얻어진다.The content of the acrylic resin in the film-type adhesive 3 is preferably 1% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 12% by weight or more. If it is 1% by weight or more, good film formability can be obtained. On the other hand, the content of the acrylic resin is preferably 20% by weight or less, more preferably 17% by weight or less, and still more preferably 15% by weight or less. When it is 20% by weight or less, suitable conductivity is obtained.

아크릴 수지 100 중량％ 중의 고분자량 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 20 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 40 중량％ 이상이다. 20 중량％ 이상이면, 다이 부착 시의 온도에서 필름형 접착제(3)가 과도하게 용융하는 것을 막는 것이 가능하여, 필름형 접착제(3)의 비어져 나옴을 억제할 수 있다. 한편, 아크릴 수지 100 중량％ 중의 고분자량 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 98 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 60 중량％ 이하이다. 98 중량％ 이하이면, 적합한 도전성이 얻어진다.The content of the high molecular weight acrylic resin in 100 wt% of the acrylic resin is preferably 20 wt% or more, more preferably 30 wt% or more, and even more preferably 40 wt% or more. If it is 20% by weight or more, it is possible to prevent the film-type adhesive agent 3 from being excessively melted at the temperature at the time of die attachment, and the release of the film-type adhesive agent 3 can be suppressed. On the other hand, the content of the high molecular weight acrylic resin in 100 wt% of the acrylic resin is preferably 98 wt% or less, more preferably 80 wt% or less, further preferably 60 wt% or less. If it is 98% by weight or less, suitable conductivity is obtained.

필름형 접착제(3)는, 경화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 적합한 경화 촉매는 실시형태 1과 동일하다. 경화 촉매의 적합한 함유량은 실시형태 1과 동일하다.The film type adhesive 3 preferably includes a curing catalyst. A suitable curing catalyst is the same as in Embodiment 1. A suitable content of the curing catalyst is the same as in Embodiment 1.

필름형 접착제(3)는, 도전성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 적합한 도전성 입자는 실시형태 1과 동일하다. 도전성 입자의 적합한 함유량은 실시형태 1과 동일하다.The film-type adhesive 3 preferably includes conductive particles. Suitable conductive particles are the same as in the first embodiment. The preferable content of the conductive particles is the same as in the first embodiment.

이상, 실시형태 2에 대해서 설명하였다.The second embodiment has been described above.

실시예Example

이하, 본 발명에 관하여 실시예를 이용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following Examples unless it goes beyond the gist of the present invention.

실시예에서 사용한 성분에 대해서 설명한다.The components used in the examples will be described.

테이산레진 SG-70L: 나가세켐텍스(주) 제조의 테이산레진 SG-70L(카르복실기 및 히드록실기를 포함하는 아크릴 공중합체, Mw: 90만, 산가: 5 ㎎ KOH/g, 산 당량: 11222 g/eq.)(Acrylic copolymer containing carboxyl and hydroxyl groups, Mw: 900,000, acid value: 5 mg KOH / g, acid equivalent: < RTI ID = 0.0 & 11222 g / eq.)

파라크론 W-248E: 네가미코교(주) 제조의 파라크론 W-248E(히드록실기를 포함하는 아크릴 수지, Mw: 45만, 산가: 8.5 ㎎ KOH/g, 산 당량: 6601 g/eq.)Paracron W-248E: Paraquon W-248E (acrylic resin containing a hydroxyl group, Mw: 45,000, acid value: 8.5 mg KOH / g, acid equivalent: 6601 g / eq. )

알폰 UC-3510: 토아고세이(주) 제조의 알폰 UC-3510(카르복실기를 포함하는 아크릴 수지, Mw: 2000, 산가: 70 ㎎ KOH/g, 산 당량: 802 g/eq.)Alpone UC-3510 (acrylic resin containing carboxyl group, Mw: 2000, acid value: 70 mg KOH / g, acid equivalent: 802 g / eq.) Manufactured by Toagosei Co.,

알폰 UC-3080: 토아고세이(주) 제조의 알폰 UC-3080(카르복실기를 포함하는 아크릴 수지, Mw: 14000, 산가: 230 ㎎ KOH/g, 산 당량: 244 g/eq.)Alfon UC-3080: Alphon UC-3080 (acrylic resin containing carboxyl group, Mw: 14000, acid value: 230 mg KOH / g, acid equivalent: 244 g / eq.) Manufactured by Toagosei Co.,

JER828: 미츠비시카가쿠(주) 제조의 JER828(비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 184 g/eq.∼194 g/eq.)JER828: JER828 (an epoxy resin having a bisphenol type skeleton, epoxy equivalent 184 g / eq. To 194 g / eq.) Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

EXA-4850-150: DIC(주) 제조의 EPICLON EXA-4850-150(비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 450 g/eq.)EXA-4850-150: EPICLON EXA-4850-150 (epoxy resin having a bisphenol skeleton, epoxy equivalent weight: 450 g / eq.) Manufactured by DIC Co.,

JER1001: 미츠비시카가쿠(주) 제조의 JER1001(비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 450 g/eq.∼500 g/eq.)JER1001: JER1001 (an epoxy resin having a bisphenol skeleton, epoxy equivalence of 450 g / eq. To 500 g / eq.) Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

JER1004: 미츠비시카가쿠(주) 제조의 JER1004(비스페놀형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 875 g/eq.∼975 g/eq.)JER1004: JER1004 (epoxy resin having a bisphenol type skeleton, epoxy equivalent weight 875 g / eq. To 975 g / eq.) Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

HP-4032D: DIC(주) 제조의 EPICLON HP-4032D(나프탈렌형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 136 g/eq.∼148 g/eq.)HP-4032D: EPICLON HP-4032D (an epoxy resin having a naphthalene skeleton, epoxy equivalent weight of 136 g / eq. To 148 g / eq.) Manufactured by DIC Co.,

EPPN-501HY: 니혼카야쿠(주)의 EPPN-501HY(다작용형 골격을 갖는 에폭시 수지, 에폭시 당량 163 g/eq.∼175 g/eq.)EPPN-501HY: EPPN-501HY (polyfunctional epoxy resin having epoxy equivalent of 163 g / eq. To 175 g / eq.) Of Nippon Kayaku Co.,

MEH-7851SS: 메이와카세이(주) 제조의 MEH-7851SS(페놀 수지, 수산기 당량 201 g/eq.∼205 g/eq.)MEH-7851SS: MEH-7851SS (phenol resin, hydroxyl equivalent of 201 g / eq. To 205 g / eq.) Manufactured by Meiwakasei Co.,

MEH-7851-4H: 메이와카세이(주) 제조의 MEH-7851-4H(페놀 수지, 수산기 당량 235 g/eq.∼245 g/eq.)MEH-7851-4H: MEH-7851-4H (phenol resin, hydroxyl equivalent of 235 g / eq. To 245 g / eq.) Manufactured by Meiwakasei Co.,

MEH-8000H: 메이와카세이(주) 제조의 MEH-8000H(페놀 수지, 수산기 당량 139 g/eq.∼143 g/eq.)MEH-8000H: MEH-8000H (phenol resin, hydroxyl equivalent of 139 g / eq. To 143 g / eq.) Manufactured by Meiwakasei Co.,

TPP-K: 홋코카가쿠(주) 제조의 TPP-K(테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트)TPP-K: TPP-K (tetraphenylphosphonium tetraphenylborate) manufactured by Hokokakagaku Co.,

1200YP: 미츠이킨조쿠코교(주) 제조의 1200YP(플레이크형 구리 가루, 평균 입경 3.5 ㎛, 종횡비: 10, 비중 8.9)1200YP (flake type copper powder, average particle diameter 3.5 mu m, aspect ratio: 10, specific gravity: 8.9) manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co.,

EHD: 미츠이킨조쿠코교(주) 제조의 EHD(은 가루, 구형, 평균 입경 0.7 ㎛, 비중 10.5)EHD: EHD (silver powder, spherical, average particle diameter 0.7 mu m, specific gravity 10.5) manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co.,

[필름형 접착제 및 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 제작][Production of dicing tape having a film type adhesive and a film type adhesive]

(실시예 1∼7 및 비교예 1)(Examples 1 to 7 and Comparative Example 1)

표 1에 기재된 배합비에 따라, 표 1에 기재된 각 성분 및 용매(메틸에틸케톤)를, 하이브리드 믹서(키엔스 제조 HM-500)의 교반 가마에 넣어, 교반 모드, 3분으로 교반·혼합하였다. 얻어진 바니시를, 이형 처리 필름(미츠비시 쥬시(주) 제조의 MRA50)에 다이 코터로 도포한 후, 건조시켜, 두께 30 ㎛의 필름형 접착제를 제작하였다.Each component and solvent (methyl ethyl ketone) shown in Table 1 were put into a stirring mixer of a hybrid mixer (HM-500 manufactured by Keans) according to the compounding ratios shown in Table 1, and stirred and mixed for 3 minutes in a stirring mode. The obtained varnish was applied to a mold release film (MRA50, manufactured by Mitsubishi Jushi Co., Ltd.) by a die coater and then dried to produce a film-type adhesive having a thickness of 30 탆.

얻어진 필름형 접착제를 직경 230 ㎜의 원형으로 절취하여, 다이싱 테이프(닛토덴코(주) 제조의 P2130G)의 점착제층 상에 25℃에서 접착하여, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프를 제작하였다.The resulting film-type adhesive was cut into a circular shape having a diameter of 230 mm and adhered onto a pressure-sensitive adhesive layer of a dicing tape (P2130G, manufactured by Nitto Denko Corporation) at 25 캜 to prepare a dicing tape having a film-type adhesive.

[미러 실리콘 웨이퍼의 제작][Fabrication of Mirror Silicon Wafer]

백 그라인더((주)DISCO 제조의 DFG-8560)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼(신에츠카가쿠코교(주) 제조, 두께 0.6 ㎜)의 두께가 0.1 ㎜가 되도록 연삭하여, 미러 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.(Thickness: 0.6 mm, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was ground to a thickness of 0.1 mm by using a back grinder (DFG-8560 manufactured by DISCO Corporation) to prepare a mirror silicon wafer.

[평가][evaluation]

얻어진 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프에 대해서, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The dicing tape having the obtained film type adhesive and film type adhesive was subjected to the following evaluations. The results are shown in Table 1.

(열경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률)(Storage elastic modulus at 150 占 폚 after thermosetting)

필름형 접착제를 두께가 500 ㎛가 될 때까지 필름형 접착제를 중합시켰다. 그 후, 140℃에서 1 시간 가열하고, 더욱, 200℃에서 1 시간 가열하여 열경화시켰다. 다음에, 길이 22.5 ㎜(측정 길이), 폭 10 ㎜의 단책형으로 컷터 나이프로 절취하여, 고체 점탄성 측정 장치(RSAII, 레오메트릭사이언티픽(주) 제조)를 이용하여, -50℃∼300℃에 있어서의 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은, 주파수 1 ㎐, 승온 속도 10℃/min으로 하였다. 그때의 150℃에서의 값을 열경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률의 측정값으로 하였다.The film-type adhesive was polymerized until the thickness of the film-type adhesive became 500 mu m. Thereafter, the resultant was heated at 140 占 폚 for 1 hour and further heated at 200 占 폚 for 1 hour to thermally cure it. Next, a cutter knife having a length of 22.5 mm (measuring length) and a width of 10 mm was cut out with a cutter knife, and the resultant was subjected to a measurement with a solid viscoelasticity measuring apparatus (RSAII, manufactured by Rheometric Scientific) The storage modulus was measured. The measurement conditions were a frequency of 1 Hz and a temperature raising rate of 10 DEG C / min. The value at that time at 150 占 폚 was taken as the measured value of the storage modulus at 150 占 폚 after thermosetting.

(온도 사이클 평가)(Temperature cycle evaluation)

필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 필름형 접착제면에, 미러 실리콘 웨이퍼를 접합시켰다. 접합은, 웨이퍼 마운터(닛토세이키 제조) MA-3000III를 이용하여, 접착 속도 10 ㎜/min, 접착 온도 70℃에서 행하였다. 다음에, 다이싱 머신으로 다이싱을 행하여, 5 ㎜×5 ㎜의 필름형 접착제를 갖는 칩을 얻었다. 그 후, 다이 본더로, 필름형 접착제를 갖는 칩을 구리제의 리드 프레임(다이니폰인사츠사 제조, 제품명: QFN32,64)에 다이 부착하였다. 다이 부착 조건은, 온도: 150℃, 유지 시간: 0.5 초간, 압력: 0.5 ㎫로 하였다. 그 후, 140℃에서 1 시간 유지한 후, 200℃에서 1 시간 가열하여 필름형 접착제를 열경화시켜 온도 사이클 평가용의 패키지를 얻었다. 패키지 10개를 온도: -55℃∼150℃에서 1000 사이클의 열 사이클 시험을 행하였다. 시험은, JEDEC 규격 22-A104C 조건 H에 준거하여 행하였다.A mirror silicon wafer was bonded to the film-type adhesive surface of a dicing tape having a film-type adhesive. The bonding was carried out using a wafer mounter (manufactured by Nitto Seiki) MA-3000III at a bonding speed of 10 mm / min and an adhesion temperature of 70 占 폚. Next, dicing was performed with a dicing machine to obtain a chip having a film-like adhesive of 5 mm x 5 mm. Thereafter, a chip having a film-type adhesive was die-attached to a lead frame made of copper (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc., product name: QFN32,64) with a die bonder. The die attaching conditions were temperature: 150 占 폚, holding time: 0.5 second, and pressure: 0.5 MPa. Thereafter, the sample was held at 140 占 폚 for 1 hour and then heated at 200 占 폚 for 1 hour to thermally cure the film-type adhesive to obtain a package for evaluating the temperature cycle. 10 packages were subjected to a thermal cycle test at a temperature of -55 ° C to 150 ° C for 1000 cycles. The test was conducted in accordance with JEDEC Standard 22-A104C Condition H.

열 사이클 시험 후에 10개의 패키지를 초음파 현미경으로 관찰하여, 칩의 박리가 1개라도 확인된 경우를 ×라고 판정하고, 10개의 패키지 전부에서 박리가 확인되지 않은 경우를 ○라고 판정하였다.Ten packages after the heat cycle test were observed with an ultrasonic microscope to determine that the chip was peeled even once and the case where peeling was not confirmed in all 10 packages was evaluated as?

[종합 판정][Total judgment]

이하의 모든 조건을 만족시키는 경우를 ○라고 판정하고, 어느 하나라도 만족시키지 않는 경우를 ×라고 판정하였다.A case in which all of the following conditions were satisfied was evaluated as & cir &, and a case in which any one of them was not satisfied was evaluated as X:

조건(1): 열경화 후의 150℃의 저장 탄성률이 5 ㎫∼100 ㎫이다.Condition (1): The storage elastic modulus at 150 캜 after heat curing is 5 MPa to 100 MPa.

조건(2): 온도 사이클 평가의 판정 결과가 ○이다.Condition (2): The judgment result of the temperature cycle evaluation is?.

Figure pct00001
Figure pct00001

10: 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프
1: 다이싱 테이프
11: 기재
12: 점착제층
3: 필름형 접착제
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
61: 반도체 칩이 부착된 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지10: Dicing tape with film-type adhesive
1: Dicing tape
11: substrate
12: pressure-sensitive adhesive layer
3: Film type adhesive
4: Semiconductor wafer
5: Semiconductor chip
6: adherend
61: an adherend to which a semiconductor chip is attached
7: Bonding wire
8: Sealing resin

Claims (12)

아크릴 수지, 에폭시 수지 및 도전성 입자를 포함하고,
상기 도전성 입자는 종횡비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하며,
상기 도전성 입자 100 중량％ 중의 상기 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량％∼100 중량％이고,
열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 5 ㎫∼100 ㎫인 열경화형의 필름형 접착제.An acrylic resin, an epoxy resin, and conductive particles,
Wherein the conductive particles comprise plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more,
Wherein the content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is 5 wt% to 100 wt%
And a storage modulus at 150 占 폚 after thermal curing of 5 to 100 MPa. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 비스페놀형 골격을 갖는 것인 필름형 접착제.The film-type adhesive according to claim 1, wherein the epoxy resin has a bisphenol-type skeleton. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 180 g/eq.∼3500 g/eq.인 필름형 접착제.The film-type adhesive according to claim 1 or 2, wherein the epoxy equivalent of the epoxy resin is 180 g / eq. To 3500 g / eq. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 페놀 수지를 더 포함하고,
상기 페놀 수지의 수산기 당량이 200 g/eq. 이상인 필름형 접착제.4. The composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising a phenolic resin,
Wherein the phenolic resin has a hydroxyl group equivalent of 200 g / eq. Or more. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아크릴 수지는 중량 평균 분자량이 20만∼100만인 고분자량 아크릴 수지를 포함하는 것인 필름형 접착제.The film type adhesive according to any one of claims 1 to 4, wherein the acrylic resin comprises a high molecular weight acrylic resin having a weight average molecular weight of 200,000 to 1,000,000. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아크릴 수지는 중량 평균 분자량이 500∼10만인 저분자량 아크릴 수지를 포함하고,
상기 저분자량 아크릴 수지는 에폭시기와 반응하는 작용기를 포함하는 것인 필름형 접착제.The acrylic resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the acrylic resin comprises a low molecular weight acrylic resin having a weight average molecular weight of 500 to 100,000,
Wherein the low molecular weight acrylic resin comprises a functional group reactive with an epoxy group. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 인계 촉매를 더 포함하는 필름형 접착제.The film-type adhesive according to any one of claims 1 to 6, further comprising a phosphorus-based catalyst. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 필름형 접착제를 통해, 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정과,
상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 상기 필름형 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: die-bonding a semiconductor chip onto an adherend through the film-type adhesive according to any one of claims 1 to 7;
And a step of thermally curing the film-type adhesive after the step of die-bonding the semiconductor chip onto an adherend. 제8항에 기재된 제조 방법에 따라 얻어지는 반도체 장치.A semiconductor device obtained by the manufacturing method according to claim 8. 다이싱 테이프, 및 상기 다이싱 테이프 상에 배치된 열경화형의 필름형 접착제를 구비하고,
상기 필름형 접착제는 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 도전성 입자를 포함하며,
상기 도전성 입자는 종횡비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하고,
상기 도전성 입자 100 중량％ 중의 상기 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량％∼100 중량％이며,
상기 필름형 접착제는 열경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 5 ㎫∼100 ㎫인, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프.A dicing tape, and a thermosetting film-like adhesive disposed on the dicing tape,
The film-type adhesive includes an acrylic resin, an epoxy resin, and conductive particles,
Wherein the conductive particles comprise plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more,
The content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is 5 wt% to 100 wt%
Wherein the film type adhesive has a storage elastic modulus at 150 占 폚 after heat curing of 5 to 100 MPa. 제10항에 기재된 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프의 상기 필름형 접착제 상에 반도체 웨이퍼를 배치하는 공정과,
상기 필름형 접착제 상에 배치된 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정과,
상기 반도체 칩을 상기 필름형 접착제와 함께 픽업하는 공정과,
상기 필름형 접착제를 통해, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정과,
상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본딩하는 공정 후에, 상기 필름형 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: disposing a semiconductor wafer on the film type adhesive of a dicing tape having the film type adhesive according to claim 10;
A step of forming a semiconductor chip by dicing the semiconductor wafer placed on the film type adhesive,
A step of picking up the semiconductor chip together with the film type adhesive,
Bonding the semiconductor chip to an adherend through the film type adhesive;
And a step of thermally curing the film-type adhesive after the step of die-bonding the semiconductor chip onto an adherend. 제11항에 기재된 제조 방법에 따라 얻어지는 반도체 장치.A semiconductor device obtained by the manufacturing method according to claim 11.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510579B2 (en) 2016-10-05 2019-12-17 Lg Chem, Ltd. Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film
US10818610B2 (en) 2016-11-29 2020-10-27 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102530711B1 (en) * 2015-09-01 2023-05-09 린텍 가부시키가이샤 adhesive sheet
JP6505571B2 (en) * 2015-09-30 2019-04-24 日東電工株式会社 Thermal bonding sheet and thermal bonding sheet with dicing tape
JP6858520B2 (en) * 2015-09-30 2021-04-14 日東電工株式会社 Sheet for heat bonding and sheet for heat bonding with dicing tape
JP6870943B2 (en) * 2015-09-30 2021-05-12 日東電工株式会社 Heat-bonding sheet and heat-bonding sheet with dicing tape
JP6636306B2 (en) * 2015-11-27 2020-01-29 日東電工株式会社 Adhesive sheet, dicing tape-integrated adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device
JP7361447B2 (en) * 2015-12-11 2023-10-16 Dic株式会社 Conductive resin composition, conductive adhesive sheet and laminate
JP6660771B2 (en) * 2016-03-03 2020-03-11 ナミックス株式会社 Film-shaped resin composition
CN107828351B (en) 2016-09-15 2021-07-27 E·I·内穆尔杜邦公司 Conductive paste for bonding
JP6795362B2 (en) * 2016-09-15 2020-12-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ Conductive paste for joining
JP6867575B2 (en) * 2017-05-24 2021-04-28 ナミックス株式会社 Resin compositions, backgrind films, and cured products thereof
DE102017113432A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-20 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Film adhesive and process for its preparation
CN107459943A (en) * 2017-08-12 2017-12-12 山东金鼎电子材料有限公司 A kind of high-performance low resistance high performance-price ratio conducting resinl and preparation method thereof
JP6858315B1 (en) 2019-08-22 2021-04-14 古河電気工業株式会社 Adhesive compositions, film-like adhesives and methods for manufacturing them, and semiconductor packages using film-like adhesives and methods for manufacturing them.
JP2021066838A (en) * 2019-10-25 2021-04-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 Adhesive agent composition, film-like adhesive agent, dicing/die-bonding all-in-one film, and semiconductor and method for producing same
JP6905579B1 (en) * 2019-12-27 2021-07-21 株式会社有沢製作所 Adhesive tape
TW202234982A (en) * 2021-02-24 2022-09-01 日商拓自達電線股份有限公司 Electromagnetic wave shield film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06145639A (en) 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd Conductive adhesive film, its production and adhesion method therefor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07286148A (en) * 1994-04-18 1995-10-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Electrically-conductive adhesive for electronic material
JP4635412B2 (en) * 2003-07-22 2011-02-23 住友ベークライト株式会社 Conductive adhesive film and semiconductor device using the same
JP2005247953A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Toray Ind Inc Adhesive composition for semiconductor and adhesive sheet for semiconductor using the same
JP4961761B2 (en) * 2005-02-09 2012-06-27 東レ株式会社 Adhesive composition for semiconductor device, adhesive sheet for semiconductor device using the same, substrate for semiconductor connection, and semiconductor device
JP4976532B2 (en) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 Film for semiconductor devices
JP5580701B2 (en) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP6033734B2 (en) * 2013-04-30 2016-11-30 日東電工株式会社 Film adhesive, dicing tape integrated film adhesive, and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06145639A (en) 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd Conductive adhesive film, its production and adhesion method therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510579B2 (en) 2016-10-05 2019-12-17 Lg Chem, Ltd. Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film
US10818610B2 (en) 2016-11-29 2020-10-27 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

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