JP6867575B2 - Resin compositions, backgrind films, and cured products thereof - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物、バックグラインドフィルム、およびそれらの硬化物に関する。特に、MEMS(Micro Electro Mechanical System)工程におけるシリコンウエハのバックグラインドフィルム(バックグラインドの接着フィルム)に好適な樹脂組成物、バックグラインドフィルム、およびそれらの硬化物に関する。 The present invention relates to resin compositions, backgrinding films, and cured products thereof. In particular, the present invention relates to a resin composition suitable for a back grind film (adhesive film for back grind) of a silicon wafer in a MEMS (Micro Electro Electrical System) step, a back grind film, and a cured product thereof.

シリコンなどの半導体基板上や、ガラスなどの絶縁体基板上、または金属基板上などに、微細な構造を作製するための技術として、MEMSが、検討されている。このMEMSの製造工程には、通常、バックグラインドフィルムに貼り付けられた加工済シリコンウエハの厚さを薄くするために、加工済シリコンウエハをバックグラインドした後、バックグラインドフィルムを剥がす工程が含まれる。 MEMS is being studied as a technique for producing a fine structure on a semiconductor substrate such as silicon, an insulator substrate such as glass, or a metal substrate. The manufacturing process of this MEMS usually includes a step of backgrinding the processed silicon wafer and then peeling off the backgrinding film in order to reduce the thickness of the processed silicon wafer attached to the backgrinding film. ..

ここで、バックグラインドフィルムとして使用可能なものとして、橋架環式炭化水素基を有する橋架環式アクリレート(A)と極性基を有する非橋架環式ビニル系化合物(B)と多官能ビニル系化合物(C)とを重合成分として含むビニル系共重合体を含む接着剤であって、前記多官能ビニル系化合物(C)のラジカル重合性基の合計モル数が、橋架環式アクリレート(A)のラジカル重合性基及び非橋架環式ビニル系化合物(B)のラジカル重合性基の合計100モルに対して1〜7モルである接着剤(特許文献1)や、橋架環式炭化水素基を有する橋架環式メタクリレート(A1)と橋架環式炭化水素基を有する橋架環式アクリレート(A2)と極性基を有する非橋架環式ビニル系化合物(A3)とを重合成分として含むビニル系共重合体(特許文献2)が、報告されている。 Here, as a back grind film, a bridge ring acrylate (A) having a bridge ring hydrocarbon group, a non-bridge ring vinyl compound (B) having a polar group, and a polyfunctional vinyl compound ( An adhesive containing a vinyl copolymer containing C) as a polymerization component, wherein the total number of moles of the radically polymerizable groups of the polyfunctional vinyl compound (C) is the radical of the bridge ring type acrylate (A). An adhesive (Patent Document 1) having 1 to 7 mol with respect to a total of 100 mol of radically polymerizable groups of the polymerizable group and the non-bridge ring-type vinyl compound (B), and a bridge having a bridge ring-type hydrocarbon group. A vinyl copolymer containing a cyclic methacrylate (A1), a bridge ring acrylate (A2) having a bridge ring hydrocarbon group, and a non-bridge ring vinyl compound (A3) having a polar group as polymerization components (patented patent). Document 2) has been reported.

しかしながら、これらの接着剤やビニル系共重合体は、シリコンウエハから剥離するときに160℃(特許文献1の第0079段落)や、160℃以上(特許文献2の第0074段落)の加熱をしているが、加熱した後も接着力が完全にはなくならないため、剥離時にシリコンウエハに応力がかかってしまう、という問題がある。 However, these adhesives and vinyl-based copolymers are heated to 160 ° C. (paragraph 0079 of Patent Document 1) or 160 ° C. or higher (paragraph 0074 of Patent Document 2) when peeled from the silicon wafer. However, there is a problem that the silicon wafer is stressed at the time of peeling because the adhesive force is not completely lost even after heating.

これに対して、一方の面に接着剤層を介して基板の回路形成面が貼り合わされ、その中央付近において、厚み方向に形成された複数の第1の貫通孔と、前記接着剤層と接する前記一方の面に形成された前記第1の貫通孔に連通する溝と、その周縁部において、厚み方向に形成された前記溝に連通する複数の第2の貫通孔とを有するサポートプレートを用いた基板の薄板化方法であって、前記基板の回路形成面に、前記サポートプレートの溝が形成された一方の面を貼り合わせて積層体を形成する工程と、前記積層体において、前記サポートプレートの他方の面にシートを貼り合わせる工程と、前記シートを介して前記積層体が固定された状態で、前記基板の回路形成面とは反対側の面を研削する工程とを有することを特徴とする基板の薄板化方法(特許文献3)が、報告されている。 On the other hand, the circuit forming surface of the substrate is bonded to one surface via the adhesive layer, and a plurality of first through holes formed in the thickness direction are in contact with the adhesive layer in the vicinity of the center thereof. A support plate having a groove that communicates with the first through hole formed on one surface and a plurality of second through holes that communicate with the groove formed in the thickness direction at the peripheral edge thereof is used. In the method of thinning the substrate, the step of laminating one surface on which the groove of the support plate is formed to the circuit forming surface of the substrate to form a laminate, and the support plate in the laminate. It is characterized by having a step of adhering a sheet to the other surface of the substrate and a step of grinding a surface of the substrate opposite to the circuit forming surface of the substrate with the laminated body fixed via the sheet. A method for thinning a substrate to be used (Patent Document 3) has been reported.

この基板の薄板化方法によれば、シートを溶解することができるため、シートの剥離時にシリコンウエハに応力がかからない。 According to this method of thinning the substrate, the sheet can be melted, so that no stress is applied to the silicon wafer when the sheet is peeled off.

しかしながら、この基板の薄板化方法に適した接着剤層は、いまだ報告されていない。 However, an adhesive layer suitable for this method of thinning a substrate has not yet been reported.

特開2014−074128号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-074128 特開2014−074129号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-074129 特開2007−073798号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-073798

本発明は、溶剤で溶解可能で、シェア強度が高いバックグラインドフィルムを作製することができる樹脂組成物を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a resin composition that can be dissolved in a solvent and can produce a backgrinding film having a high share strength.

本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決した樹脂組成物、バックグラインドフィルム、硬化物、半導体素子の製造方法に関する。
〔1〕(A)ガラス転移点(Tg)が80℃以下であり、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、
(B)エポキシ樹脂、および
(C)テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレート
を含み、硬化後のポリエチレンテレフタレートフィルムとのシェア強度が、10N以上であることを特徴とする、樹脂組成物。
〔2〕さらに、(D)フェノール樹脂を含む、上記〔1〕記載の樹脂組成物。
〔3〕(B)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して、5〜50質量部である、上記〔1〕または〔2〕記載の樹脂組成物。
〔4〕(A)成分のエポキシ樹脂と反応する官能基が、水酸基を有する、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の樹脂組成物。
〔5〕(A)成分の水酸基価が、1〜30[mg/KOH]である、上記〔4〕記載の樹脂組成物。
〔6〕(A)成分の質量平均分子量(Mw)が、300,000〜800,000である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の樹脂組成物。
〔7〕(D)成分が、テルペンフェノール樹脂である、上記〔2〕〜〔6〕のいずれか記載の樹脂組成物。
〔8〕(D)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して、10〜35質量部である、上記〔2〕〜〔7〕のいずれか記載の樹脂組成物。
〔9〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の樹脂組成物を含む、バックグラインドフィルム。
〔10〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の樹脂組成物の硬化物、または上記〔9〕記載のバックグラインドフィルムの硬化物。
〔11〕上記〔10〕記載の硬化物を除去する工程を含む、半導体素子の製造方法。
The present invention relates to a method for producing a resin composition, a back grind film, a cured product, and a semiconductor device that solves the above problems by having the following configurations.
[1] (A) An acrylic resin having a glass transition point (Tg) of 80 ° C. or lower and having a functional group that reacts with an epoxy resin.
A resin composition containing (B) an epoxy resin and (C) tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, and having a share strength with a polyethylene terephthalate film after curing of 10 N or more.
[2] The resin composition according to the above [1], which further comprises (D) a phenol resin.
[3] The resin composition according to the above [1] or [2], wherein the content of the component (B) is 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
[4] The resin composition according to any one of the above [1] to [3], wherein the functional group that reacts with the epoxy resin of the component (A) has a hydroxyl group.
[5] The resin composition according to the above [4], wherein the hydroxyl value of the component (A) is 1 to 30 [mg / KOH].
[6] The resin composition according to any one of the above [1] to [5], wherein the mass average molecular weight (Mw) of the component (A) is 300,000 to 800,000.
[7] The resin composition according to any one of the above [2] to [6], wherein the component (D) is a terpene phenol resin.
[8] The resin composition according to any one of [2] to [7] above, wherein the content of the component (D) is 10 to 35 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
[9] A back grind film containing the resin composition according to any one of the above [1] to [8].
[10] A cured product of the resin composition according to any one of the above [1] to [8], or a cured product of the back grind film according to the above [9].
[11] A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises the step of removing the cured product according to the above [10].

本発明〔1〕によれば、溶剤で溶解可能で、シェア強度が高いバックグラインドフィルムを作製することができる樹脂組成物を提供することができる。 According to the present invention [1], it is possible to provide a resin composition that can be dissolved in a solvent and can produce a backgrinding film having a high share strength.

本発明〔10〕によれば、溶剤で溶解可能で、シェア強度が高いバックグラインドフィルムを作製することができる樹脂組成物の硬化物により、高信頼性の半導体素子を製造することができる。本発明〔11〕によれば、溶剤で溶解可能で、シェア強度が高いバックグラインドフィルムを作製することができる樹脂組成物の硬化物を使用する、高信頼性の半導体素子の製造方法を提供することができる。 According to the present invention [10], a highly reliable semiconductor device can be manufactured by a cured product of a resin composition that can be dissolved in a solvent and has a high share strength. According to the present invention [11], a method for producing a highly reliable semiconductor device using a cured product of a resin composition that can be dissolved in a solvent and can produce a backgrinding film having a high share strength is provided. be able to.

以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

〔樹脂組成物〕
本発明の樹脂組成物(以下、樹脂組成物という)は、(A)ガラス転移点(Tg)が80℃以下であり、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、
(B)エポキシ樹脂、および
(C)テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレート
を含み、硬化後のポリエチレンテレフタレートフィルムとのシェア強度が、10N以上であることを特徴とする。
[Resin composition]
The resin composition of the present invention (hereinafter referred to as a resin composition) is an acrylic resin having a (A) glass transition point (Tg) of 80 ° C. or lower and having a functional group that reacts with an epoxy resin.
It contains an epoxy resin (B) and a tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate (C), and has a share strength of 10 N or more with a polyethylene terephthalate film after curing.

(A)成分であるアクリル樹脂は、樹脂組成物に、柔軟性、およびプレスによる熱圧着時の寸法安定性を付与する。また、樹脂フィルムを製造するとき、他成分との相溶性を向上させる。 The acrylic resin as the component (A) imparts flexibility and dimensional stability during thermocompression bonding by pressing to the resin composition. Further, when producing a resin film, the compatibility with other components is improved.

(A)成分であるアクリル樹脂は、樹脂組成物の加熱硬化時に、(B)成分であるエポキシ樹脂と反応するため、エポキシ樹脂と反応可能な官能基を有する。エポキシ樹脂と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基等が、挙げられる。この中で、水酸基が、(C)成分であるテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートを、(B)成分のエポキシ樹脂の硬化促進剤として作用させる場合に、エポキシ樹脂との反応が良好である観点から、好ましい。 Since the acrylic resin as the component (A) reacts with the epoxy resin as the component (B) when the resin composition is heat-cured, it has a functional group capable of reacting with the epoxy resin. Examples of the functional group capable of reacting with the epoxy resin include a hydroxyl group and a carboxyl group. Among these, when the hydroxyl group causes tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, which is the component (C), to act as a curing accelerator for the epoxy resin, which is the component (B), the reaction with the epoxy resin is good. From a certain point of view, it is preferable.

(A)成分であるアクリル樹脂が、エポキシ樹脂と反応可能な官能基として水酸基を有する場合、アクリル樹脂の水酸基価は、1〜30[mg/KOH]であると、好ましい。アクリル樹脂の水酸基価が1[mg/KOH]未満であると、エポキシ樹脂との反応が起こりにくく、十分な接着力が得られないおそれがある。一方、アクリル樹脂の水酸基価が30[mg/KOH]を超えると、エポキシ樹脂との反応が過度に進行し、架橋密度が密になり易く、加熱硬化後の樹脂組成物を、有機溶剤で溶解除去できなくなるおそれがある。アクリル樹脂の水酸基は、5〜20[mg/KOH]であると、より好ましく、10〜15[mg/KOH]であると、さらに好ましい。 When the acrylic resin as the component (A) has a hydroxyl group as a functional group capable of reacting with the epoxy resin, the hydroxyl value of the acrylic resin is preferably 1 to 30 [mg / KOH]. If the hydroxyl value of the acrylic resin is less than 1 [mg / KOH], the reaction with the epoxy resin is unlikely to occur, and sufficient adhesive strength may not be obtained. On the other hand, when the hydroxyl value of the acrylic resin exceeds 30 [mg / KOH], the reaction with the epoxy resin proceeds excessively, the crosslink density tends to be dense, and the resin composition after heat curing is dissolved in an organic solvent. It may not be possible to remove it. The hydroxyl group of the acrylic resin is more preferably 5 to 20 [mg / KOH], and even more preferably 10 to 15 [mg / KOH].

(A)成分のアクリル樹脂は、ガラス転移点(Tg)は、80℃以下である。(A)成分のアクリル樹脂のTgは、20〜80℃であると好ましく、25〜80℃であると、より好ましく、30℃〜80℃であると、さらに好ましい。(A)成分のアクリル樹脂のTgが、20℃未満になると、樹脂組成物のTgが25℃未満になり易く、バックグラインドフィルムとして使用する時に、シリコンウエハ等がずれ易くなるおそれがある。一方、アクリル樹脂のTgが80℃を超えると、他成分との相溶性が低下し、樹脂組成物を製造する際の作業性が悪化し易くなる。また、樹脂組成物が、柔軟性に劣り易くなる。なお、アクリル樹脂のTgが30〜80℃であれば、樹脂組成物のタック発現温度が適度に高くなるため、30℃以下の常温で、樹脂組成物を載置する際にタックが発現することがないが、バックグラインドフィルムの用途では、タックの無さは、さほど重要ではない。 The acrylic resin of the component (A) has a glass transition point (Tg) of 80 ° C. or lower. The Tg of the acrylic resin as the component (A) is preferably 20 to 80 ° C., more preferably 25 to 80 ° C., and even more preferably 30 ° C. to 80 ° C. When the Tg of the acrylic resin of the component (A) is less than 20 ° C., the Tg of the resin composition tends to be less than 25 ° C., and the silicon wafer or the like may easily shift when used as a backgrinding film. On the other hand, when the Tg of the acrylic resin exceeds 80 ° C., the compatibility with other components decreases, and the workability in producing the resin composition tends to deteriorate. In addition, the resin composition tends to be inferior in flexibility. When the Tg of the acrylic resin is 30 to 80 ° C., the tack development temperature of the resin composition becomes moderately high. Therefore, tack is developed when the resin composition is placed at room temperature of 30 ° C. or lower. However, for backgrind film applications, the lack of tack is less important.

(A)成分は、特に限定されないが、メタクリル酸メチル成分と、アクリル酸ブチル成分と、を含有するメタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体が、好ましい。なお、メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体を構成するこれらの成分を、単独で使用しても、意図する効果を発揮することができない。メタクリル酸メチル単独では、フィルムが柔軟性に劣り易く、アクリル酸ブチル単独では、Tgとは関係なく、30℃以下の常温でタックを発現する。 The component (A) is not particularly limited, but a methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer containing a methyl methacrylate component and a butyl acrylate component is preferable. Even if these components constituting the methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer are used alone, the intended effect cannot be exhibited. With methyl methacrylate alone, the film tends to be inferior in flexibility, and with butyl acrylate alone, tack is developed at room temperature of 30 ° C. or lower regardless of Tg.

ここで、メタクリル酸メチル成分(x)と、アクリル酸ブチル成分(y)と、を、x/y=8/2〜6/4の割合で含有するメタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体が、タック発現温度を制御した樹脂組成物を比較的容易に得られ、かつ、フィルムが柔軟性に優れることから好ましい。x/y>8/2だとフィルムが柔軟性に劣る傾向があり、x/y<6/4だとフィルムのタック発現温度をアクリル樹脂のTgで制御しにくくなる。 Here, the methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer containing the methyl methacrylate component (x) and the butyl acrylate component (y) at a ratio of x / y = 8/2 to 6/4 , A resin composition in which the tack development temperature is controlled can be obtained relatively easily, and the film is excellent in flexibility, which is preferable. When x / y> 8/2, the film tends to be inferior in flexibility, and when x / y <6/4, it becomes difficult to control the tack development temperature of the film with the Tg of the acrylic resin.

また、メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体は、x/yが上記範囲内であることに加えて、質量平均分子量(Mw)が300,000〜800,000であると、他成分との相溶性およびフィルムの層間絶縁性保持の観点から、好ましい。Mwが300,000未満であると、フィルム貼り付け時にフィルムが変形しやすく厚みが不均一になるおそれがある。一方、Mwが800,000を超えると、他成分との相溶性が低下するため、フィルムの製造が困難になるおそれがある。メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体は、質量平均分子量(Mw)が400,000〜700,000であると、より好ましく、450,000〜600,000であると、さらに好ましい。ここで、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。なお、(A)成分は、単独でも、2種以上を併用してもよい。 Further, in the methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer, when x / y is within the above range and the mass average molecular weight (Mw) is 300,000 to 800,000, it is different from other components. It is preferable from the viewpoint of compatibility and maintenance of interlayer insulation of the film. If Mw is less than 300,000, the film is easily deformed when the film is attached, and the thickness may be uneven. On the other hand, if Mw exceeds 800,000, the compatibility with other components is lowered, which may make it difficult to produce a film. The methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer has a mass average molecular weight (Mw) of 400,000 to 700,000, more preferably 450,000 to 600,000. Here, the mass average molecular weight (Mw) is set to a value using a calibration curve using standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC). The component (A) may be used alone or in combination of two or more.

(B)成分であるエポキシ樹脂は、樹脂組成物に、熱硬化性および接着性を付与する。 The epoxy resin as the component (B) imparts thermosetting property and adhesiveness to the resin composition.

(B)成分のエポキシ樹脂は、特に限定されず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂が、挙げられる。これらの中でも、接着強度と耐熱性の相関性等の観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂が、好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が、より好ましい。 The epoxy resin of the component (B) is not particularly limited, and various epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and aliphatic type epoxy resin can be mentioned. .. Among these, bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are preferable, and bisphenol A type epoxy resin is more preferable, from the viewpoint of the correlation between adhesive strength and heat resistance.

(B)成分として使用するエポキシ樹脂は、質量平均分子量(Mw)が100〜5,000であると、反応性、接着力、溶解性などの観点から、好ましい。エポキシ樹脂は、質量平均分子量(Mw)が200〜2,000であると、より好ましく、300〜1,000であると、さらに好ましい。なお、(B)成分は、単独でも、2種以上を併用してもよい。 The epoxy resin used as the component (B) preferably has a mass average molecular weight (Mw) of 100 to 5,000 from the viewpoints of reactivity, adhesive strength, solubility and the like. The epoxy resin has a mass average molecular weight (Mw) of 200 to 2,000, more preferably 300 to 1,000, and even more preferably 300 to 1,000. The component (B) may be used alone or in combination of two or more.

(C)成分であるテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートは、樹脂組成物において、(B)成分であるエポキシ樹脂の硬化促進剤として作用する。なお、エポキシ樹脂の硬化促進剤として、一般的なイミダゾールを使用すると、エポキシ樹脂間で硬化反応が進行し、三次元的な架橋が形成されるため、架橋密度が密になり、加熱硬化後の樹脂組成物を、有機溶剤で溶解除去することができない。 The component (C), tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, acts as a curing accelerator for the epoxy resin, which is the component (B), in the resin composition. When general imidazole is used as a curing accelerator for the epoxy resin, the curing reaction proceeds between the epoxy resins and three-dimensional crosslinks are formed, so that the crosslink density becomes dense and after heat curing. The resin composition cannot be dissolved and removed with an organic solvent.

樹脂組成物において、(B)成分のエポキシ樹脂の含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して、5〜50質量部であると、好ましい。(B)成分のエポキシ樹脂の含有量が、5質量部未満であると、接着強度が不十分になるおそれがある。一方、(B)成分のエポキシ樹脂の含有量が、50質量部を超えると、他成分との相溶性やタック発現温度の調整が難しくなる。また、バックグラインドフィルムとした後のプレスによる熱圧着時の寸法変化が、大きくなり易くなる。(B)成分のエポキシ樹脂の含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して、30〜50質量部であると、より好ましく、35〜45質量部であると、さらに好ましい。 In the resin composition, the content of the epoxy resin of the component (B) is preferably 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A). If the content of the epoxy resin of the component (B) is less than 5 parts by mass, the adhesive strength may be insufficient. On the other hand, if the content of the epoxy resin of the component (B) exceeds 50 parts by mass, it becomes difficult to adjust the compatibility with other components and the tack development temperature. In addition, the dimensional change during thermocompression bonding by pressing after the back grind film is formed tends to be large. The content of the epoxy resin of the component (B) is more preferably 30 to 50 parts by mass and further preferably 35 to 45 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A).

樹脂組成物において、(C)成分のテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートの含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して0.1〜5質量部であると、好ましい。(C)成分のテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートの含有量が、0.1質量部未満であると、エポキシ樹脂の硬化反応が進行せず、硬化不足により接着力不足になるおそれがある。一方、(C)成分のテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートの含有量が5質量部を超えると、エポキシ樹脂の硬化反応の進行が速すぎるため、樹脂組成物をバックグラインドフィルムとして使用するときに、シリコンウエハ等の凹凸への埋め込み性が発現し難くなるなどの問題が生じるおそれがある。(C)成分のテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートの含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して、0.1〜3質量部であると、より好ましく、0.1〜2質量部であると、さらに好ましい。 In the resin composition, the content of the tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate of the component (C) is preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A). .. If the content of the tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate of the component (C) is less than 0.1 parts by mass, the curing reaction of the epoxy resin does not proceed, and there is a risk that the adhesive strength will be insufficient due to insufficient curing. is there. On the other hand, if the content of the tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate of the component (C) exceeds 5 parts by mass, the curing reaction of the epoxy resin proceeds too quickly, so that the resin composition is used as a back grind film. Occasionally, there may be a problem that it becomes difficult to develop the embedding property in the unevenness of a silicon wafer or the like. The content of the tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate of the component (C) is more preferably 0.1 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A). It is more preferably 1 to 2 parts by mass.

樹脂組成物は、さらに、(D)成分であるフェノール樹脂を含むと、好ましい。(D)成分は、樹脂組成物の粘着性付与剤、および、(B)成分のエポキシ樹脂の硬化剤として、作用する。また、樹脂組成物を製造するときに、他成分との相溶性に寄与する。 It is preferable that the resin composition further contains a phenol resin as the component (D). The component (D) acts as a tackifier for the resin composition and a curing agent for the epoxy resin of the component (B). In addition, it contributes to compatibility with other components when producing a resin composition.

(D)成分として使用するフェノール樹脂は、特に限定されず、テルペンフェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の各種フェノール樹脂が、挙げられる。これらの中でも、樹脂組成物の粘着性および接着性の観点から、テルペンフェノール樹脂がより好ましい。(D)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。 The phenol resin used as the component (D) is not particularly limited, and examples thereof include various phenol resins such as terpenphenol resin, bisphenol A type phenol resin, bisphenol F type phenol resin, and novolak type phenol resin. Among these, the terpene phenol resin is more preferable from the viewpoint of the adhesiveness and adhesiveness of the resin composition. The component (D) may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物において、(D)成分のフェノール樹脂の含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して、10〜35質量部であると、より好ましい。(D)成分のフェノール樹脂の含有量が、10質量部未満であると、(D)成分による接着強度向上の効果が十分でないおそれがある。一方、(D)成分のフェノール樹脂の含有量が30質量部を超えると、他成分との相溶性の調整が難しくなる。(D)成分のフェノール樹脂の含有量は、(A)成分のアクリル樹脂100質量部に対して、10〜30質量部であると、より好ましく、15〜25質量部であると、さらに好ましい。 In the resin composition, the content of the phenol resin of the component (D) is more preferably 10 to 35 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A). If the content of the phenol resin of the component (D) is less than 10 parts by mass, the effect of improving the adhesive strength by the component (D) may not be sufficient. On the other hand, if the content of the phenol resin of the component (D) exceeds 30 parts by mass, it becomes difficult to adjust the compatibility with other components. The content of the phenol resin of the component (D) is more preferably 10 to 30 parts by mass and further preferably 15 to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin of the component (A).

なお、(C)成分のテトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートと、(D)成分のフェノール樹脂と、ともに使用すると、(B)成分のエポキシ樹脂間での硬化反応が進行せず、樹脂組成物に含まれる異なる成分間、すなわち、(A)成分のアクリル樹脂と、(B)成分のエポキシ樹脂と、の間、(A)成分のアクリル樹脂と、(D)成分のフェノール樹脂と、の間、または、(B)成分のエポキシ樹脂と、(D)成分のフェノール樹脂と、の間で硬化反応が進行するため、架橋密度が密になることがなく、加熱硬化後の樹脂組成物を、有機溶剤で溶解除去することができる。 When the tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate of the component (C) and the phenol resin of the component (D) are used together, the curing reaction does not proceed between the epoxy resin of the component (B), and the resin Between the different components contained in the composition, that is, between the acrylic resin of the component (A) and the epoxy resin of the component (B), the acrylic resin of the component (A), and the phenol resin of the component (D). Since the curing reaction proceeds between, or between the epoxy resin of the component (B) and the phenol resin of the component (D), the crosslink density does not become dense, and the resin composition after heat curing. Can be dissolved and removed with an organic solvent.

樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、カーボンブラックなどの顔料、染料、シランカップリング剤、消泡剤、酸化防止剤、その他の添加剤等、更に有機溶剤等を配合することができる。 The resin composition may further contain organic pigments such as carbon black, dyes, silane coupling agents, antifoaming agents, antioxidants, other additives, etc., as long as the object of the present invention is not impaired. A solvent or the like can be blended.

樹脂組成物は、(A)〜(C)成分等が、所望の含有割合となるように、溶剤中に溶解または分散させることによって得ることができる。この際に使用する溶剤としては、比較的沸点の低いメチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、ブチルセロソルブ、2−エトキシエタノール、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等が、挙げられる。 The resin composition can be obtained by dissolving or dispersing the components (A) to (C) in a solvent so as to have a desired content ratio. Examples of the solvent used in this case include methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, butyl cellosolve, 2-ethoxyethanol, methanol, ethanol, isopropyl alcohol and the like having a relatively low boiling point.

樹脂組成物は、150℃以上の温度で硬化し、接着力が増加する。 The resin composition is cured at a temperature of 150 ° C. or higher, and the adhesive strength is increased.

また、樹脂組成物の硬化後のポリエチレンテレフタレートフィルムとのシェア強度(剪断強度)は、10N以上である。ここで、ポリエチレンテレフタレートフィルムの替わりにシリコンウエハを用いた場合、シェア強度測定時に、シリコンウエハが破壊されてしまい、シェア強度を正確に測定できない。このため、本発明ではポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いて、シェア強度の測定を行う。シェア強度の測定方法は、以下である。フィルムを、剥離処理されていない2枚のPETフィルム(厚さ100μm)で挟み、プレスにより熱圧着(160℃、60分、0.5MPa)させて積層体とした後、試験片1.5cm×2cmを切り出し、オートグラフを用い、硬化フィルムとPETフィルム間のシェア強度を測定する。 The shear strength (shear strength) of the resin composition with the polyethylene terephthalate film after curing is 10 N or more. Here, when a silicon wafer is used instead of the polyethylene terephthalate film, the silicon wafer is broken during the shear strength measurement, and the shear strength cannot be measured accurately. Therefore, in the present invention, the shear strength is measured using a polyethylene terephthalate (PET) film. The method for measuring the share strength is as follows. The film is sandwiched between two PET films (thickness 100 μm) that have not been peeled off, and thermocompression bonded (160 ° C., 60 minutes, 0.5 MPa) by pressing to form a laminate, and then a test piece 1.5 cm × Cut out 2 cm and measure the shear strength between the cured film and the PET film using an autograph.

〔バックグラインドフィルム〕
本発明のバックグラインドフィルム(以下、バックグラインドフィルムという)は、上述の樹脂組成物を含む。バックグラインドフィルムは、通常、支持体・バックグラインドフィルム・シリコンウエハの順に積層された構造で、バックグラインド工程に用いられる。
[Backgrind film]
The back grind film of the present invention (hereinafter referred to as back grind film) contains the above-mentioned resin composition. The back grind film usually has a structure in which a support, a back grind film, and a silicon wafer are laminated in this order, and is used in the back grind process.

バックグラインドフィルムは、厚さが5〜50μmであると、好ましい。バックグラインドフィルムの厚さが、50μmを超えると、厚すぎるため、フィルムの柔軟性が低下して、取扱い性が悪化し易い。また、泡の巻き込みや溶剤の残留による後工程での気泡の生成などにより、製造されるフィルムに気泡が残留し易くなる。また、組成が均一なフィルムを製造するのが難しくなる。一方、フィルムの厚さが、5μm未満であると、薄すぎるため、接着時または取扱時にフィルムが裂けるおそれがある。また、静電気を帯びやすくなるので、取扱い性が悪化する。バックグラインドフィルムは、厚さが10〜40μmであると、より好ましく、10〜35μmであると、さらに好ましい。 The back grind film preferably has a thickness of 5 to 50 μm. If the thickness of the back grind film exceeds 50 μm, the thickness of the back grind film is too thick, so that the flexibility of the film is lowered and the handleability is likely to be deteriorated. In addition, bubbles are likely to remain in the produced film due to the entrainment of bubbles and the generation of bubbles in the subsequent process due to the residual solvent. In addition, it becomes difficult to produce a film having a uniform composition. On the other hand, if the thickness of the film is less than 5 μm, the film is too thin and may be torn during bonding or handling. In addition, since it is easily charged with static electricity, the handleability is deteriorated. The thickness of the back grind film is more preferably 10 to 40 μm, and even more preferably 10 to 35 μm.

バックグラインドフィルムは、樹脂組成物を、基材に塗布した後、基材を加熱して溶剤を除去し、その後、基材から剥離することによって得ることができる。 The backgrinding film can be obtained by applying the resin composition to the base material, heating the base material to remove the solvent, and then peeling from the base material.

基材としては、(A)成分のアクリル樹脂と疎水性または親水性が同傾向でない基材が、用いられる。(A)成分のアクリル樹脂と疎水性または親水性が同傾向でない基材としては、ポリイミド、ガラス、ポリプロピレンやポリエチレンテレフタレート等を撥水成分もしくは疎水成分でコートした高分子フィルム材料、または無機材料の基材が、好ましく用いられる。 As the base material, a base material whose hydrophobicity or hydrophilicity does not have the same tendency as that of the acrylic resin of the component (A) is used. Examples of the base material whose hydrophobicity or hydrophilicity is not the same as that of the acrylic resin of the component (A) are a polymer film material or an inorganic material in which polyimide, glass, polypropylene, polyethylene terephthalate or the like is coated with a water-repellent component or a hydrophobic component. A substrate is preferably used.

使用前のバックグラインドフィルムは、異物が付着することを防止するため、保護フィルムで挟んだ状態で保管されると、好ましい。保護フィルムとしては、基材として記載したものを用いることができる。 It is preferable that the back grind film before use is stored in a state of being sandwiched between protective films in order to prevent foreign matter from adhering to the back grind film. As the protective film, the one described as a base material can be used.

バックグラインドフィルムは、150℃以上の温度で硬化し、接着力が増加する。バックグラインドフィルムを使用するときには、バックグラインドフィルムを所定の部位のうちの一方(すなわち、バックグラインドフィルムを挟んで上下となる位置関係の構成要素のうち、下方の構成要素)に載置し、バックグラインドフィルムに所定の部位のうちの他方(すなわち、バックグラインドフィルムを挟んで上下となる位置関係の構成要素のうち、上方の構成要素)を、バックグラインドフィルムの露出面と接するように載置した状態で、所定温度及び所定時間、具体的には160℃で60〜90分間、プレスによる熱圧着を行えばよい。ここで、下方の構成要素としては支持体、上方の構成要素としてはシリコンウエハ等が、挙げられる。なお、プレスにより熱圧着した際に、バックグラインドフィルムは、加熱硬化する。以下、本明細書において、熱圧着後のバックグラインドフィルムの特性のことを、加熱硬化後のバックグラインドフィルムの特性(樹脂組成物の硬化物の特性も同じ)として記載する。 The back grind film cures at a temperature of 150 ° C. or higher, and the adhesive strength increases. When using the back grind film, the back grind film is placed on one of the predetermined parts (that is, the lower component of the positional relationship components above and below the back grind film) and backed. The other of the predetermined parts (that is, the upper component of the positional relationship components above and below the back grind film) was placed on the grind film so as to be in contact with the exposed surface of the back grind film. In this state, thermal pressure bonding by pressing may be performed at a predetermined temperature and a predetermined time, specifically, at 160 ° C. for 60 to 90 minutes. Here, examples of the lower component include a support, and examples of the upper component include a silicon wafer. The back grind film is heat-cured when it is thermocompression-bonded by a press. Hereinafter, in the present specification, the characteristics of the backgrinding film after thermocompression bonding will be described as the characteristics of the backgrinding film after heat curing (the characteristics of the cured product of the resin composition are also the same).

バックグラインドフィルムは、プレスによる熱圧着時の寸法変化が少ない。具体的には、後述する実施例に記載の手順にしたがって、プレスによる熱圧着時のバックグラインドフィルムの厚さの変化を測定した際に、バックグラインドフィルムの厚さの変化が10μm未満であり、好ましくは5μm以下であり、より好ましくは2μm以下であり、さらに好ましくは1μm以下である。 The back grind film has little dimensional change during thermocompression bonding by pressing. Specifically, when the change in the thickness of the back grind film during thermocompression bonding by pressing was measured according to the procedure described in Examples described later, the change in the thickness of the back grind film was less than 10 μm. It is preferably 5 μm or less, more preferably 2 μm or less, and further preferably 1 μm or less.

加熱硬化後のバックグラインドフィルムは、十分な接着強度を有している。具体的には、上述のように、シェア強度が10N以上である。 The back grind film after heat curing has sufficient adhesive strength. Specifically, as described above, the share strength is 10 N or more.

加熱硬化後のバックグラインドフィルムは、適切な有機溶剤を選択することにより、溶解除去することができる。このような目的で使用される有機溶剤としては、ケトン系溶剤として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、DIBK(ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、DAA(ジアセトンアルコール)など、炭化水素系溶剤として、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、ノルマルヘキサン、イソヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等が挙げられる。これらの中でも、メチルエチルケトン、アセトンが、溶解性に優れ、低温での乾燥が可能である観点から、好ましい。 The backgrinding film after heat curing can be dissolved and removed by selecting an appropriate organic solvent. Organic solvents used for this purpose include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, DIBK (diisobutyl ketone), cyclohexanone, DAA (diacetone alcohol) as ketone solvents, and toluene as hydrocarbon solvents. Examples thereof include xylene, solvent naphtha, normal hexane, isohexane, cyclohexane, methylcyclohexane and the like. Among these, methyl ethyl ketone and acetone are preferable from the viewpoint of having excellent solubility and being able to be dried at a low temperature.

加熱硬化後のバックグラインドフィルムを溶解除去する方法は、特に限定されないが、例えば、バックグラインドフィルムの硬化物の外周から溶解除去する方法や、支持体に孔や溝を形成し、バックグラインドフィルムの硬化物の外周に加えて、これらの孔や溝から有機溶剤を浸漬させることにより、バックグラインドフィルムの硬化物を溶解除去する方法が、挙げられる。この際、特開2007−073798号公報で開示されているように、有機溶剤を供給、排出(回収)しながら、硬化物の溶解除去を行ってもよい。支持体に形成される孔や溝の形状についても、特に限定されず、例えば、特開2007−073798号公報や特開2007−073929号公報のサポートプレートに形成されているものを適宜利用することができる。孔や溝の形成の例としては、直径0.5〜5mmの孔、または0.1〜1mm幅の溝を、1mm間隔、2.5mm間隔、5mm間隔で形成する方法が、挙げられる。 The method for dissolving and removing the backgrinding film after heat curing is not particularly limited, but for example, a method for dissolving and removing the cured product of the backgrinding film from the outer periphery, or a method of forming holes or grooves in the support to form a backgrinding film. Examples thereof include a method of dissolving and removing the cured product of the backgrinding film by immersing an organic solvent through these holes and grooves in addition to the outer periphery of the cured product. At this time, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-073798, the cured product may be dissolved and removed while supplying and discharging (recovering) the organic solvent. The shape of the holes and grooves formed in the support is also not particularly limited, and for example, those formed in the support plates of JP-A-2007-073798 and JP-A-2007-073929 are appropriately used. Can be done. Examples of the formation of the holes and grooves include a method of forming holes having a diameter of 0.5 to 5 mm or grooves having a width of 0.1 to 1 mm at 1 mm intervals, 2.5 mm intervals, and 5 mm intervals.

〔半導体素子の製造方法〕
本発明の半導体素子の製造方法は、例えば、バックグラインドフィルムに貼り付けられた加工済(パターンや構造体が形成されたもの)シリコンウエハを、バックグラインドした後、バックグラインドフィルムの硬化物を除去する工程を含み、その後、個片化して得られる。
[Manufacturing method of semiconductor element]
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, for example, a processed (pattern or structure is formed) silicon wafer attached to a backgrinding film is backgrinded, and then the cured product of the backgrinding film is removed. After that, it is obtained by individualizing.

本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、%はことわりのない限り、質量部、質量%を示す。 The present invention will be described with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. In the following examples, parts and% indicate parts by mass and% by mass unless otherwise specified.

〔実施例1〜7、比較例1〜5〕
表1、2に示す配合割合(質量部)になるように成分(A)〜(D)を溶剤(メチルエチルケトン)中に溶解させた溶液を基材(離型処理をほどこしたPETフィルム)に塗布した後、基材を加熱して溶剤を除去し、その後、基材から剥離することにより、フィルム(厚さ:30μm)を得た。なお、成分(A)〜(D)はそれぞれ以下の通り。
[Examples 1 to 7, Comparative Examples 1 to 5]
A solution prepared by dissolving the components (A) to (D) in a solvent (methyl ethyl ketone) so as to have the blending ratios (parts by mass) shown in Tables 1 and 2 is applied to a base material (a PET film subjected to a mold release treatment). After that, the base material was heated to remove the solvent, and then the film (thickness: 30 μm) was obtained by peeling from the base material. The components (A) to (D) are as follows.

《(A)成分》
アクリル樹脂A1:メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体(比率=7/3、Tg:50℃、Mw:500,000、水酸基価:10[mg/KOH])
アクリル樹脂A2:メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体(比率=7/3、Tg:50℃、Mw:510,000、水酸基価:1[mg/KOH])
アクリル樹脂A3:メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体(比率=4/6、Tg:20℃、Mw:650,000、水酸基価:10[mg/KOH])
アクリル樹脂a1:メタクリル酸メチル・アクリル酸ブチル共重合体(比率=8/2、Tg:90℃、Mw:400,000、水酸基価:10[mg/KOH])
アクリル樹脂a2:メタクリル酸メチル(Tg:120℃、Mw:18,000、水酸基価:150[mg/KOH])
<< (A) component >>
Acrylic resin A1: Methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer (ratio = 7/3, Tg: 50 ° C., Mw: 500,000, hydroxyl value: 10 [mg / KOH])
Acrylic resin A2: Methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer (ratio = 7/3, Tg: 50 ° C., Mw: 510,000, hydroxyl value: 1 [mg / KOH])
Acrylic resin A3: Methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer (ratio = 4/6, Tg: 20 ° C., Mw: 650,000, hydroxyl value: 10 [mg / KOH])
Acrylic resin a1: Methyl methacrylate / butyl acrylate copolymer (ratio = 8/2, Tg: 90 ° C., Mw: 400,000, hydroxyl value: 10 [mg / KOH])
Acrylic resin a2: Methyl methacrylate (Tg: 120 ° C., Mw: 18,000, hydroxyl value: 150 [mg / KOH])

《(B)成分》
エポキシ樹脂B:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(Mw:370)
《(C)成分》
硬化触媒C:テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレート
硬化触媒c1:イミダゾール
硬化触媒c2:テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
《(D)成分》
フェノール樹脂D1:テルペンフェノール樹脂(Mw:1100、水酸基価:50[mg/KOH])
フェノール樹脂D2:テルペンフェノール樹脂(Mw:700、水酸基価:35[mg/KOH])
<< (B) component >>
Epoxy resin B: Bisphenol A type liquid epoxy resin (Mw: 370)
<< (C) component >>
Curing catalyst C: Tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate Curing catalyst c1: Imidazole curing catalyst c2: Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate << (D) component >>
Phenol resin D1: Terpene phenol resin (Mw: 1100, hydroxyl value: 50 [mg / KOH])
Phenol resin D2: Terpene phenol resin (Mw: 700, hydroxyl value: 35 [mg / KOH])

〔評価方法〕
得られたフィルム、または、フィルムとする前の溶液に対して、以下の物性評価を実施した。
〔Evaluation method〕
The following physical property evaluations were carried out on the obtained film or the solution before making the film.

《相溶性》
(A)〜(D)成分(実施例7と比較例5は、(A)〜(C)成分)を、溶剤(メチルエチルケトン)中に溶解させた溶液を、均一になるまで攪拌し、その後、静置したものを、以下の基準で評価した。表1、2に、結果を示す。
○:室温で1週間静置したものを目視したとき、均一状態となっている。
△:室温で2日間静置したものを目視したとき、不均一状態となっている。
×:撹拌中において、均一にならなかった。
《Compatibility》
A solution prepared by dissolving the components (A) to (D) (components (A) to (C) in Example 7 and Comparative Example 5) in a solvent (methyl ethyl ketone) is stirred until uniform, and then. Those that had been allowed to stand were evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 1 and 2.
◯: When visually observed what was allowed to stand at room temperature for one week, it was in a uniform state.
Δ: When a product left at room temperature for 2 days was visually observed, it was in a non-uniform state.
X: Not uniform during stirring.

《溶解性》
フィルムを、150℃、60分加熱硬化させた後、有機溶剤(メチルエチルケトン)に溶解させた。以下の基準で評価した。表1、2に、結果を示す。
○:有機溶剤に完全に溶解した。
×:膨潤したが溶解しなかった。
《Solubility》
The film was heat-cured at 150 ° C. for 60 minutes and then dissolved in an organic solvent (methyl ethyl ketone). Evaluation was made based on the following criteria. The results are shown in Tables 1 and 2.
◯: Completely dissolved in an organic solvent.
X: Swelled but did not dissolve.

《シェア強度》
フィルムを、剥離処理されていない2枚のPETフィルム(厚さ100μm)で挟み、プレスにより熱圧着(160℃、60分、0.5MPa)させて積層体とした後、試験片1.5cm×2cmを切り出し、オートグラフを用い、硬化フィルムとPETフィルム間のシェア強度を測定した。表1、2に、結果を示す。
○:シェア強度が10N以上である。
×:シェア強度が10N未満である。
《Share strength》
The film is sandwiched between two PET films (thickness 100 μm) that have not been peeled off, and thermocompression bonded (160 ° C., 60 minutes, 0.5 MPa) by pressing to form a laminate, and then a test piece 1.5 cm × A 2 cm piece was cut out, and the shear strength between the cured film and the PET film was measured using an autograph. The results are shown in Tables 1 and 2.
◯: The share strength is 10 N or more.
X: The share strength is less than 10N.

《Tg(ガラス転移温度)測定(TMA)》
フィルムを、プレスにより熱硬化(160℃、60分、0.5MPa)させた後、試験片0.5cm×2.5cmを切り出し、TMA(熱機械分析装置)の引張り法で、Tgを測定した。Tgは、高い方が好ましい。
<< Tg (Glass Transition Temperature) Measurement (TMA) >>
After the film was thermoset (160 ° C., 60 minutes, 0.5 MPa) by a press, a test piece 0.5 cm × 2.5 cm was cut out, and Tg was measured by a tensile method of TMA (thermomechanical analyzer). .. The higher the Tg, the better.

《引張弾性率の測定方法》
フィルムを、プレスにより熱硬化(160℃、60分、0.5MPa)させた後、試験片2.5cm×25cmを切り出し、オートグラフにて引張弾性率を測定した。弾性率は、1GPa以上であると好ましい。
<< Measurement method of tensile elastic modulus >>
After the film was thermoset (160 ° C., 60 minutes, 0.5 MPa) by a press, a test piece 2.5 cm × 25 cm was cut out, and the tensile elastic modulus was measured by an autograph. The elastic modulus is preferably 1 GPa or more.

Figure 0006867575
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表1、2から明らかなように、Tgが50℃、20℃のアクリル樹脂(A1,A2,A3)を使用した実施例1〜7は、いずれも、相溶性、溶解性、シェア強度の結果が、良好であった。表には記載していないが、実施例1のシェア強度は25N、実施例7のシェア強度は、22Nであった。また、弾性率は、実施例1〜実施例7で0.2GPa〜2MPaの範囲内であり、例えば、実施例1で1.5GPa、実施例7で1GPaであった。硬化物のTgは、実施例1〜実施例7で25℃〜100℃の範囲内であり、例えば、実施例1では60℃であった。これらに対して、(C)成分の代わりにイミダゾールを使用した比較例1は、溶解性が悪かったため、シェア強度の測定を行わなかった。(C)成分の代わりにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートを使用した比較例2、(A)成分の代わりにTgが高過ぎるアクリル樹脂a1を使用した比較例3、(A)成分の代わりにTgが高過ぎるアクリル樹脂a2を使用した比較例4は、いずれも、相溶性に劣っていたため、フィルム化を行わなかった。(C)成分の代わりにイミダゾールを使用し、(D)成分を含まない比較例5は、溶解性が悪かったため、シェア強度の測定を行わなかった。 As is clear from Tables 1 and 2, Examples 1 to 7 using acrylic resins (A1, A2, A3) having Tg of 50 ° C. and 20 ° C. are all results of compatibility, solubility, and shear strength. However, it was good. Although not shown in the table, the share strength of Example 1 was 25 N, and the share strength of Example 7 was 22 N. The elastic modulus was in the range of 0.2 GPa to 2 MPa in Examples 1 to 7, for example, 1.5 GPa in Example 1 and 1 GPa in Example 7. The Tg of the cured product was in the range of 25 ° C. to 100 ° C. in Examples 1 to 7, and was, for example, 60 ° C. in Example 1. On the other hand, in Comparative Example 1 in which imidazole was used instead of the component (C), the solubility was poor, so the shear strength was not measured. Comparative Example 2 in which tetraphenylphosphonium tetraphenylborate was used instead of the component (C), Comparative Example 3 in which the acrylic resin a1 having an excessively high Tg instead of the component (A) was used, and Tg was used instead of the component (A). In Comparative Example 4 in which the acrylic resin a2, which was too expensive, was used, the compatibility was inferior, so that the film was not formed. In Comparative Example 5 in which imidazole was used instead of the component (C) and the component (D) was not contained, the solubility was poor, so the shear strength was not measured.

本発明の樹脂組成物は、溶剤で溶解可能で、シェア強度が高いため、MEMS工程におけるシリコンウエハのバックグラインドフィルムの作製用として、非常に適している。 Since the resin composition of the present invention can be dissolved in a solvent and has a high share strength, it is very suitable for producing a back grind film of a silicon wafer in a MEMS process.

Claims (10)

(A)ガラス転移点(Tg)が80℃以下であり、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、
(B)エポキシ樹脂、および
(C)テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレート
を含み、硬化後のポリエチレンテレフタレートフィルムとのシェア強度が、10N以上であることを特徴とする、バックグラインドフィルム
(A) An acrylic resin having a glass transition point (Tg) of 80 ° C. or lower and having a functional group that reacts with an epoxy resin.
A backgrind film containing (B) an epoxy resin and (C) tetraphenylphosphonium tetra (p-tolyl) borate, and having a share strength of 10 N or more with a cured polyethylene terephthalate film.
さらに、(D)フェノール樹脂を含む、請求項1記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to claim 1, further comprising (D) a phenol resin. (B)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して、5〜50質量部である、請求項1または2記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to claim 1 or 2, wherein the content of the component (B) is 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). (A)成分のエポキシ樹脂と反応する官能基が、水酸基を有する、請求項1〜3のいずれか1項記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to any one of claims 1 to 3, wherein the functional group that reacts with the epoxy resin of the component (A) has a hydroxyl group. (A)成分の水酸基価が、1〜30[mg/KOH]である、請求項4記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to claim 4, wherein the hydroxyl value of the component (A) is 1 to 30 [mg / KOH]. (A)成分の質量平均分子量(Mw)が、300,000〜800,000である、請求項1〜5のいずれか1項記載のバックグラインドフィルム The backgrind film according to any one of claims 1 to 5, wherein the mass average molecular weight (Mw) of the component (A) is 300,000 to 800,000. (D)成分が、テルペンフェノール樹脂である、請求項2〜6のいずれか1項記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to any one of claims 2 to 6, wherein the component (D) is a terpene phenol resin. (D)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して、10〜35質量部である、請求項2〜7のいずれか1項記載のバックグラインドフィルム The back grind film according to any one of claims 2 to 7, wherein the content of the component (D) is 10 to 35 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 請求項1〜8のいずれか1項記載のバックグラインドフィルムの硬化物。 The cured product of the back grind film according to any one of claims 1 to 8. 請求項9記載の硬化物を除去する工程を含む、半導体素子の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises the step of removing the cured product according to claim 9.
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