KR20160103534A - Sn-PLATED MATERIAL FOR ELECTRONIC COMPONENT - Google Patents

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Abstract

The purpose of the present invention is to provide an Sn-plated material which prevents the generation of Sn powder as a conductive spring material such as a connector or terminal, and also has good surface gloss. A reflow Sn-plated layer, as the Sn-plated material having an Sn-plated layer formed by performing a reflow process on a substrate of copper or copper alloy strip, comprises an upper Sn layer and a lower Cu-Sn alloy layer. On the uppermost surface of the Sn-plated material, there is one per 35 mm^2 in a radial Sn solidification structure. The surface roughness Ra of the rolling orthogonal direction of the outermost surface of the Sn-plated material is 0.05 um or less.

Description

전자 부품용 Sn 도금재{Sn-PLATED MATERIAL FOR ELECTRONIC COMPONENT}Sn-PLATED MATERIAL FOR ELECTRONIC COMPONENT FOR ELECTRONIC COMPONENTS

본 발명은 전자 부품, 특히 커넥터나 단자 등의 도전성 스프링재로서 바람직한 Sn 도금재에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a Sn plating material preferable as an electrically conductive spring material for electronic parts, particularly connectors and terminals.

단자나 커넥터 등의 도전성 스프링재로서 Sn 도금을 실시한 구리 또는 구리 합금조 (이하, 「Sn 도금재」라고 한다) 가 이용되고 있다. 일반적으로 Sn 도금재는, 연속 도금 라인에 있어서 탈지 및 산세 후, 전기 도금법에 의해 Cu 하지 도금층을 형성하고, 다음으로 전기 도금법에 의해 Sn 층을 형성하고, 마지막에 리플로우 처리를 실시하여 Sn 층을 용융시키는 공정으로 제조된다.A copper or copper alloy tank (hereinafter referred to as " Sn plating material ") in which Sn plating is applied as a conductive spring material such as a terminal or a connector is used. Generally, the Sn plating material is obtained by forming a Cu underlying layer by electroplating after degreasing and pickling in a continuous plating line, forming an Sn layer by electroplating, and finally reflowing the Sn layer Melting process.

상기 Sn 도금재를 프레스 가공하여 커넥터 등을 제조할 때 Sn 도금재를 패드로 누르는데, Sn 도금재의 표면에 패드가 접촉함으로써 Sn 도금재의 Sn 도금층으로부터 Sn 분말이 발생하여, 프레스기에 혼입되는 문제가 발생하였다.When the Sn plating material is pressed to produce a connector or the like, a Sn plating material is pressed by a pad. However, since the pad contacts the surface of the Sn plating material, Sn powder is generated from the Sn plating layer of the Sn plating material, Respectively.

또, 일반적으로 커넥터 등의 조립 라인에서는, 표면 결함을 검출하기 위한 검출기가 설치되어 있고, 결함은 단자 표면에 광을 조사하고, 그 반사광을 검출함으로써 기능한다. 따라서, 고정밀도로 결함을 검출하기 위해서는 단자의 표면 광택이 높은 것, 요컨대 도전성 스프링재의 표면 광택이 높은 것이 요구된다.In general, a detector for detecting surface defects is provided on an assembly line of a connector or the like, and the defect functions by irradiating the surface of the terminal with light and detecting the reflected light. Therefore, in order to detect defects with high precision, it is required that the surface of the terminal has a high gloss, that is, the surface gloss of the conductive spring material is high.

최근의 커넥터의 소형화에 수반하여, Sn 도금재에는 상기 Sn 분말의 발생 억제 및 양호한 표면 광택이 강하게 요구되고 있다.With the recent miniaturization of connectors, Sn plating materials are strongly required to suppress the generation of the Sn powder and to have good surface gloss.

상기 Sn 분말의 문제에 대하여, 특허문헌 1 에서는 구리 합금조에 하지 도금, Sn 도금을 실시한 후, 리플로우 처리의 팬의 주파수를 제어함으로써, Sn 도금재의 최표면에 Cu-Sn 합금층을 노출시키고, 그 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률을 0.5 ∼ 4 % 로, 개수를 0.033 ㎟ 당 100 ∼ 900 개로 하는 방법이 개시되어 있다.In relation to the problem of the Sn powder, in Patent Document 1, the Cu-Sn alloy layer is exposed on the outermost surface of the Sn plating member by controlling the frequency of the fan in the reflow process after the base alloy plating and the Sn plating are performed in the copper alloy tank, And the area ratio of the exposed Cu-Sn alloy layer is set to 0.5 to 4%, and the number of the exposed Cu-Sn alloy layer is set to 100 to 900 per 0.033 mm 2.

특허문헌 2 에서는 구리 합금조에 하지 도금, Sn 도금을 실시한 후, 리플로우로 (爐) 에서 가열하고, 공랭시킨 후, 수랭시킴으로써 리플로우 후의 Sn 층 중에 입경 10 ∼ 100 ㎚ 의 Cu-Sn 합금 입자가 50 ∼ 1000 개/㎛2 의 개수 밀도로 존재시키는 방법이 개시되어 있다.In Patent Document 2, Cu-Sn alloy particles having a particle diameter of 10 to 100 nm are contained in the reflowed Sn layer by cooling the copper alloy tank with base plating and Sn plating, heating in a reflow furnace, air cooling, At a number density of 50 to 1000 pieces / 占 퐉 2 .

일본 특허 제5389097호Japanese Patent No. 5389097 일본 특허 제5587935호Japanese Patent No. 5587935

상기 Sn 도금재는 Sn 분말의 발생을 억제하는 데에 있어서 유효하지만, 최근의 커넥터의 소형화에 수반하는 Sn 분말의 발생 억제의 요구에 부응하기에는 불충분하다. 또한, 높은 정밀도로 표면 검사를 실시하기 위해서, 표면 광택의 향상이 요구되고 있다.Although the Sn plating material is effective in suppressing the generation of Sn powder, it is insufficient to meet the demand for suppressing the occurrence of Sn powder accompanying the recent miniaturization of the connector. Further, in order to carry out surface inspection with high precision, it is required to improve surface gloss.

본 발명은 Sn 분말의 발생을 억제하기 위한 추가적인 개량과 동시에, 양호한 표면 광택을 얻는 것을 목적으로 한다. 본 발명자들이 아는 한, 종래에 있어서 Sn 분말의 발생을 억제하고, 또한 양호한 표면 광택이 얻어지는 발명은 발견되지 않았다.An object of the present invention is to further improve the suppression of generation of Sn powder and to obtain good surface gloss. As far as the inventors of the present invention know, no inventions have been found which suppress the generation of Sn powder and obtain good surface gloss.

본 발명은 전술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 커넥터나 단자 등의 도전성 스프링재로서 Sn 분말의 발생을 방지하고, 또한 양호한 표면 광택을 갖는 Sn 도금재를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a Sn plating material which prevents generation of Sn powder as a conductive spring material of a connector or a terminal and has good surface gloss.

본 발명자가 예의 연구한 결과, Sn 분말의 발생을 억제하기 위해서는 Sn 도금재의 표면 평활성을 향상시키는 것이 유효함을 알아내었다. Sn 분말은 프레스 가공시에 패드로 Sn 도금재를 유지할 때에 Sn 층이 깎여짐으로써 발생한다. 패드는 일정한 하중으로 Sn 도금재를 누르는데, Sn 도금재의 표면 조도가 크면, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 패드와 접촉하는 면적이 작아지기 때문에, 패드와 Sn 도금재의 접촉부의 단위 면적당 하중이 커져, 패드의 Sn 도금재에 대한 파고듦량이 커진다. 그 결과, Sn 도금재의 깎여지는 양이 많아져, Sn 분말의 발생량도 많아진다.As a result of intensive study by the present inventors, it has been found that it is effective to improve the surface smoothness of the Sn plating material in order to suppress the generation of Sn powder. The Sn powder is generated by cutting the Sn layer when holding the Sn plating material with the pad in the press working. 1, when the surface roughness of the Sn plating material is large, the area of contact with the pad becomes small, so that the load per unit area of the contact portion between the pad and the Sn plating material becomes large, The punching amount of the Sn plating material of the pad becomes large. As a result, the amount of Sn plating material is increased and the amount of Sn powder produced is increased.

반대로, Sn 도금재의 표면 조도가 작으면, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 패드와 접촉하는 면적이 넓어지기 때문에, 패드와 Sn 도금재의 접촉부의 단위 면적당 하중이 작아져, 패드의 Sn 도금재에 대한 파고듦량이 작아진다. 그 결과, Sn 도금재의 깎여지는 양이 적어져, Sn 분말의 발생량도 적어진다. 또한, Sn 도금재의 표면 조도가 작아지면, 표면 광택은 향상된다.On the contrary, if the surface roughness of the Sn plating material is small, as shown in Fig. 2, the area of contact with the pad is widened, so that the load per unit area of the contact portion between the pad and the Sn plating material becomes small, The build amount becomes smaller. As a result, the amount of the Sn plating material to be cut is reduced, and the amount of the Sn powder to be generated is reduced. Also, as the surface roughness of the Sn plating material becomes smaller, the surface gloss is improved.

Sn 도금재의 표면 조도를 작게 하기 위해서는, 리플로우 처리로 Sn 도금을 실시한 구리 합금조를 가열한 후, 냉각수를 Sn 도금재의 표면에 분무하고 (이하, 「박무상(狀) 수랭」이라고 한다), 이어서 Sn 도금재를 투입하는 방법으로 실시할 필요가 있다.In order to reduce the surface roughness of the Sn plating material, a copper alloy bath in which Sn plating is performed by reflow treatment is heated, and then cooling water is sprayed on the surface of the Sn plating material (hereinafter referred to as " It is necessary to apply Sn plating method.

일반적으로 리플로우 처리로 가열된 도금재의 냉각 방법은 가열 후에 수조에 투입하거나, 몇 초간 공랭시킨 후 수조에 투입하는 방법이다. 이 경우, 리플로우 가열로 용융시킨 Sn 은 수조에 투입 직후에 응고되기 때문에, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 그 Sn 의 응고 조직 형태는 기둥상이 된다. 따라서, 그 단면 형상은 도 1 과 같이 되어, 표면 조도는 커진다.In general, a method of cooling a plated material heated by a reflow treatment is a method of putting the plated material into a water tank after heating, or air-cooling the plated material for several seconds, and then introducing the plated material into a water tank. In this case, since the Sn melted by the reflow heating solidifies immediately after being introduced into the water tank, the solidified structure of the Sn becomes a columnar shape as shown in Fig. Therefore, the cross-sectional shape becomes as shown in Fig. 1, and the surface roughness becomes large.

한편, 리플로우 처리로 가열된 도금재를 수조에 투입 전에 박무상 수랭을 실시하면, 표면에 분무된 물 입자가 부착되어 냉각되기 때문에, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 그 Sn 의 응고 조직 형태는 방사상이 된다. 따라서, 그 단면 형상은 도 2 와 같이 되어, 표면 조도는 작아진다.On the other hand, when the plating material heated by the reflow treatment is applied to the bath before the plating bath is cooled, water particles sprayed on the surface are adhered to the surface and cooled, so that the solidified structure form of the Sn is radial do. Therefore, the sectional shape thereof is as shown in Fig. 2, and the surface roughness is reduced.

이와 같이, 리플로우 처리로 가열된 도금재를 박무상 수랭시킨 후, 수조에 투입하는 냉각을 실시하여, Sn 의 응고 조직 형태를 방사상으로 하고, 표면 조도를 작게 함으로써, Sn 분말의 발생을 억제할 수 있어 양호한 표면 광택을 얻을 수 있다.As described above, by cooling the plating material heated by the reflow treatment and cooling it by putting it into a water bath to make the solidified structure form of Sn radial and reducing the surface roughness, generation of Sn powder can be suppressed So that good surface gloss can be obtained.

즉, 본 발명은,That is,

(1) 구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 리플로우 처리를 실시한 Sn 도금층을 갖는 Sn 도금재로서, 리플로우 Sn 도금층은 상측의 Sn 층과 하측의 Cu-Sn 합금층으로 구성되고, Sn 도금재의 최표면에 있어서, 방사상의 Sn 응고 조직이 35 ㎟ 당 1 개 이상 존재하고, Sn 도금재의 최표면의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 0.05 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Sn 도금재.(1) A Sn plating material having a Sn plating layer subjected to reflow treatment on a substrate of copper or a copper alloy bath, wherein the reflow Sn plating layer is composed of an upper Sn layer and a lower Cu-Sn alloy layer, Wherein at least one radial Sn solidification structure is present on the surface at 35 mm 2 and the surface roughness Ra of the Sn plating material in the direction perpendicular to the rolling direction is 0.05 탆 or less.

(2) 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 이하이고, 표면으로부터 관찰했을 때의 상기 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경이 3 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 (1) 의 Sn 도금재.(2) The Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface has an area ratio of 40% or less, and the exposed Cu-Sn alloy layer has a crystal grain size of 3 m or less when observed from the surface. Sn plating material.

(3) 구리 또는 구리 합금조의 기재 상이 Cu 하지 도금층, 또는 Ni 하지 도금층, 또는 Ni 및 Cu 를 이 순서로 적층한 Ni/Cu 2 층 하지 도금층으로 피복되어 있고, 그 위에 리플로우 Sn 도금층을 갖는 (1) 또는 (2) 의 Sn 도금재.(3) The base material of the copper or copper alloy bath is coated with a Cu undercoat layer or a Ni undercoat layer or a Ni / Cu two-layer undercoat layer in which Ni and Cu are stacked in this order, and a reflow Sn coating layer 1) or (2).

(4) 구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 Sn 도금, 또는 Cu, Sn 도금층을 이 순서로 형성한 후에, 리플로우 처리함으로써, 기재 상에 Cu-Sn 합금층을 개재하여 Sn 층을 형성한 Sn 도금재를 제조하는 방법으로서, 상기 Cu 도금층의 두께를 0 ∼ 0.5 ㎛, 상기 Sn 도금층의 두께를 0.5 ∼ 1.5 ㎛ 로 하고, 상기 리플로우 처리를 온도 300 ∼ 600 ℃ 에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 20 ∼ 90 ℃ 의 냉각수를 분무하고, 이어서 20 ∼ 90 ℃ 의 수조에 투입하는 것을 특징으로 하는 Sn 도금재의 제조 방법.(4) Sn plating in which an Sn layer is formed on a substrate via a Cu-Sn alloy layer by forming a Sn plating or a Cu and Sn plating layer on the base of a copper or copper alloy tank in this order, Wherein the reflow treatment is performed at a temperature of 300 to 600 占 폚 for 1 to 30 seconds while the thickness of the Cu plating layer is 0 to 0.5 占 퐉 and the thickness of the Sn plating layer is 0.5 to 1.5 占 퐉, Characterized in that cooling water at 20 to 90 캜 is sprayed and then charged into a water bath at 20 to 90 캜.

(5) 구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 Ni, Cu, Sn 도금층을 이 순서로 형성한 후에, 리플로우 처리함으로써, 기재 상에 Ni 하지 도금층, 또는 Ni/Cu 2 층 하지 도금층으로 피복되고, Cu-Sn 합금층을 개재하여 Sn 층을 형성한 Sn 도금재를 제조하는 방법으로서, 상기 Ni 도금층을 0.05 ∼ 3 ㎛, 상기 Cu 도금층의 두께를 0.05 ∼ 0.5 ㎛, 상기 Sn 도금층의 두께를 0.5 ∼ 1.5 ㎛ 로 하고, 상기 리플로우 처리를 온도 300 ∼ 600 ℃ 에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 20 ∼ 90 ℃ 의 냉각수를 분무하고, 이어서 20 ∼ 90 ℃ 의 수조에 투입하는 것을 특징으로 하는 Sn 도금재의 제조 방법.(5) An Ni plating layer or a Ni / Cu two-layer lower plating layer is formed on the substrate by forming a Ni, Cu, Sn plating layer in this order on a substrate of copper or a copper alloy bath and then subjected to reflow treatment, -Sn alloy layer, wherein the thickness of the Ni plating layer is 0.05 to 3 mu m, the thickness of the Cu plating layer is 0.05 to 0.5 mu m, the thickness of the Sn plating layer is 0.5 to 1.5 mu m Mu] m, the reflow treatment is performed at a temperature of 300 to 600 DEG C for 1 to 30 seconds, then a cooling water of 20 to 90 DEG C is sprayed, and then the coating is put into a water bath of 20 to 90 DEG C Gt;

(6) (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 Sn 도금재를 구비한 전자 부품.(6) An electronic component comprising the Sn plating material according to any one of (1) to (3).

본 발명에 관련된 Sn 도금재에서는, 특히 자동차 및 전자 부품 등에 사용되는 단자에 있어서, 접합시의 삽입력이 낮아 단자 조립시의 표면 검사를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.The Sn plating material according to the present invention has a low insertion force at the time of bonding, particularly in terminals used in automobiles and electronic parts, so that surface inspection at the time of terminal assembly can be performed with high accuracy.

도 1 은 Sn 도금재의 최표면의 표면 조도가 큰 경우의 단면 모식도이다.
도 2 는 Sn 도금재의 최표면의 표면 조도가 작은 경우의 단면 모식도이다.
도 3 은 리플로우 처리로 가열 후에 수조에 투입했을 경우의 Sn 도금재의 에칭 후의 최표면 조직 사진이다.
도 4 는 리플로우 처리로 가열 후에 박무상 수랭을 실시하고, 이어서 수조에 투입했을 경우의 Sn 도금재의 에칭 후의 최표면 조직 사진이다.
도 5 는 경면 반사율 측정 방법의 설명도이다.
Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a case where the surface roughness of the outermost surface of the Sn plating material is large.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view when the surface roughness of the outermost surface of the Sn plating material is small.
Fig. 3 is a photograph of the outermost surface texture after etching of the Sn plating material when it is put into the water tank after heating by the reflow treatment.
Fig. 4 is a photograph of the outermost surface texture after etching of the Sn plating material when the bath is cooled in a reflow process, followed by bathing in water.
5 is an explanatory diagram of a specular reflectance measurement method.

이하, 본 발명에 관련된 Sn 도금재의 일 실시형태에 대하여 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서 % 란, 특별히 언급하지 않는 한 질량% 를 나타내는 것으로 한다.Hereinafter, one embodiment of the Sn plating material according to the present invention will be described. In the present invention, "%" means% by mass unless otherwise specified.

(1) 기재의 조성(1) Composition of substrate

Sn 도금재의 기재가 되는 구리조로는, 순도 99.9 % 이상의 터프 피치 구리, 무산소 구리를 사용할 수 있고, 또 구리 합금조로는 요구되는 강도나 도전성에 따라 공지된 구리 합금을 사용할 수 있다. 공지된 구리 합금으로는, 예를 들어 Cu-Sn-P 계 합금, Cu-Zn 계 합금, Cu-Ti 계 합금, Cu-Ni-Si 계 합금, Cu-Sn-Zn 계 합금, Cu-Zr 계 합금 등을 들 수 있다.Tough pitch copper or oxygen-free copper having a purity of 99.9% or more can be used as the copper alloy to be a base material of the Sn plating material. As the copper alloy plating, a known copper alloy can be used depending on the required strength and conductivity. Examples of the known copper alloys include Cu-Sn-P alloys, Cu-Zn alloys, Cu-Ti alloys, Cu-Ni-Si alloys, Cu- Alloys, and the like.

(2) 방사상의 Sn 응고 조직(2) radial Sn solidification structure

전술한 바와 같이 박무상 수랭을 실시함으로써, 용융된 Sn 은 방사상으로 응고된다. 이 방사상의 Sn 응고 조직은 35 ㎟ 당 1 개 이상 있으면, 표면 조도 Ra 가 0.05 ㎛ 이하가 된다. 방사상의 Sn 응고 조직의 개수는, 본 발명의 효과가 발휘되는 범위에서는 특별히 제한되지 않지만, 제조상 10 개를 초과하는 것은 곤란하다.As described above, by performing the slurry cooling, the molten Sn solidifies in a radial direction. If there is at least one radial Sn solidification structure per 35 mm 2, the surface roughness Ra is 0.05 탆 or less. The number of the radially-oriented Sn solidification structure is not particularly limited in the range in which the effect of the present invention is exhibited, but it is difficult to exceed 10 in the production.

(3) 표면 조도(3) Surface roughness

리플로우 처리 후의 Sn 도금재의 최표면에 있어서 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 는 0.05 ㎛ 이하로 한다. 바람직하게는 Ra 는 0.03 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 Ra 는 0.02 ㎛ 이하로 한다. 이 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 지나치게 크면, Sn 분말의 발생을 억제할 수 없고, 양호한 표면 광택도 얻어지지 않는다. 표면 조도의 하한은 본 발명의 효과가 발휘되는 범위에서는 특별히 제한되지 않지만, 제조상 Ra 가 0.001 ㎛ 미만은 곤란하다.The surface roughness Ra in the direction perpendicular to the rolling direction on the outermost surface of the Sn plating material after the reflow treatment is set to 0.05 m or less. Preferably, Ra is 0.03 占 퐉 or less, and more preferably Ra is 0.02 占 퐉 or less. If the surface roughness Ra in the direction perpendicular to the rolling direction is excessively large, the generation of the Sn powder can not be suppressed and good surface gloss can not be obtained. The lower limit of the surface roughness is not particularly limited in the range in which the effect of the present invention is exhibited, but it is difficult to make the Ra of less than 0.001 탆.

(4) Cu-Sn 계 합금층(4) Cu-Sn alloy layer

상기 Sn 도금 후에 리플로우 처리를 실시하면, 기재 및/또는 Cu 하지 도금층의 Cu 가 Sn 도금층에 확산되고, Sn 도금층의 하측에 Cu-Sn 합금층이 형성된다. 통상은 Cu6Sn5, 및/또는 Cu3Sn 의 조성을 갖고 있지만, 상기한 하지 도금의 성분이나, 기재를 구리 합금으로 했을 때의 첨가 원소를 함유해도 된다.When the reflow treatment is performed after the Sn plating, the Cu of the substrate and / or the Cu underlying layer diffuses into the Sn plating layer, and a Cu-Sn alloy layer is formed below the Sn plating layer. Normally, it has a composition of Cu 6 Sn 5 and / or Cu 3 Sn, but it may contain the above-mentioned components of the base metal and the additive element when the base material is made of a copper alloy.

Sn 층과 비교하여, Cu-Sn 합금층은 경질이기 때문에, 이를 Sn 도금재의 최표면에 노출시킴으로써 추가적인 Sn 분말의 발생을 억제할 수 있다. 단, Sn 도금재의 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률은 40 % 이하로 한다. 바람직하게는 35 % 이하, 더욱 바람직하게는 30 % 이하로 한다. 면적률이 지나치게 커지면, Sn 도금층의 표면 조도 Ra 가 지나치게 커져 버려 양호한 표면 광택이 얻어지지 않는다.Since the Cu-Sn alloy layer is hard in comparison with the Sn layer, it is possible to suppress the generation of additional Sn powder by exposing it to the outermost surface of the Sn plating material. However, the area ratio of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface of the Sn plating material is set to 40% or less. , Preferably not more than 35%, more preferably not more than 30%. If the area ratio is too large, the surface roughness Ra of the Sn-plated layer becomes excessively large, and good surface gloss can not be obtained.

또한, 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경은 3 ㎛ 이하로 한다. 바람직하게는 2.5 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 이하로 한다. 결정립경이 지나치게 크면, Sn 도금층의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 지나치게 커져 버려 양호한 표면 광택이 얻어지지 않는다. 결정립경의 하한은 본 발명의 효과가 발휘되는 범위에서는 특별히 제한되지 않지만, 제조상 0.1 ㎛ 미만은 곤란하다.The crystal grain size of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface is set to 3 占 퐉 or less. Preferably 2.5 mu m or less, and more preferably 2 mu m or less. If the crystal grain diameter is excessively large, the surface roughness Ra of the Sn plating layer in the direction perpendicular to the rolling direction becomes excessively large, and good surface gloss can not be obtained. The lower limit of the grain size of the crystal grain is not particularly limited in the range in which the effect of the present invention is exhibited, but it is difficult to make the grain size less than 0.1 μm.

(5) 제조 방법(5) Manufacturing method

본 발명의 실시형태에 관련된 Sn 도금재는, 연속 도금 라인에 있어서, 기재인 구리 또는 구리 합금조의 표면을 탈지 및 산세 후, 전기 도금법에 의해 하지 도금층을 형성하고, 다음으로 공지된 전기 도금법에 의해 Sn 층을 형성하고, 마지막에 리플로우 처리를 실시하여 Sn 층을 용융시키는 공정으로 제조할 수 있다. 하지 도금층은 생략해도 된다.A Sn plating material according to an embodiment of the present invention is a Sn plating material which is obtained by degreasing and pickling a surface of a copper or copper alloy tank as a base material in a continuous plating line and then forming a base plating layer by an electroplating method, And a reflow treatment is performed at the end to melt the Sn layer. The underlying plating layer may be omitted.

Cu 하지 도금은 실시하지 않아도 되지만, Cu 하지 도금을 실시하는 경우, 그 두께는 0.5 ㎛ 이하로 한다. 바람직하게는 0.4 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.35 ㎛ 이하로 한다. 두께가 지나치게 크면, 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경이 지나치게 커지고, Sn 도금층의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 지나치게 커져 버려 양호한 표면 광택이 얻어지지 않는다.It is not necessary to perform Cu undercoating, but when Cu undercoating is performed, the thickness is set to 0.5 占 퐉 or less. Preferably 0.4 mu m or less, and more preferably 0.35 mu m or less. If the thickness is excessively large, the crystal grain size of the exposed Cu-Sn alloy layer becomes excessively large, and the surface roughness Ra in the direction perpendicular to the rolling direction of the Sn plating layer becomes excessively large, and good surface gloss can not be obtained.

내열성의 향상을 위해서, Cu 하지 도금 전에 Ni 하지 도금을 실시해도 된다. 이 경우, Ni 하지 도금의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 두께가 0.05 ㎛ 를 밑돌면 Ni 하지 도금의 효과가 발휘되지 않고, 3 ㎛ 를 초과하면, 경제성이 나쁠 뿐만 아니라, 굽힘 가공성의 열화를 초래한다. 그 때문에 Ni 하지 도금의 두께는 0.05 ∼ 3 ㎛ 가 바람직하다. 또, Ni 하지 도금 후의 Cu 하지 도금의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 두께가 0.05 ㎛ 를 밑돌거나 또는 0.5 ㎛ 를 초과하면, Ni 하지 도금 후의 Cu 하지 도금의 효과가 발휘되지 않는다. 그 때문에 Ni 하지 도금 후의 Cu 하지 도금의 두께는 0.05 ∼ 0.5 ㎛ 가 바람직하다.In order to improve heat resistance, Ni undercoating may be performed before Cu undercoating. In this case, the thickness of the Ni underlying plating is not particularly limited, but if the thickness is less than 0.05 占 퐉, the effect of Ni plating is not exhibited, and if it exceeds 3 占 퐉, not only the economical efficiency is deteriorated but also the bending workability is deteriorated. Therefore, the thickness of the Ni underlying plating is preferably 0.05 to 3 mu m. The thickness of the Cu undercoating after Ni plating is not particularly limited. However, if the thickness is less than 0.05 占 퐉 or exceeds 0.5 占 퐉, the effect of Cu undercoating after Ni plating is not exerted. Therefore, the thickness of the Cu undercoating after Ni plating is preferably 0.05 to 0.5 mu m.

Sn 도금의 두께는 0.5 ∼ 1.5 ㎛ 로 한다. 바람직하게는 0.6 ∼ 1.2 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.7 ∼ 1.1 ㎛ 로 한다. Sn 도금의 두께가 지나치게 작으면, 리플로우 처리 후의 Sn 층의 두께가 지나치게 작아져 버려, 결과적으로 Sn 도금층의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 지나치게 커져 버리고, 및 Cu-Sn 합금층의 면적률이 지나치게 커져 버려 양호한 표면 광택이 얻어지지 않는다. Sn 도금 두께의 상한은 본 발명의 효과가 발휘되는 범위에서는 특별히 제한되지 않지만, Sn 도금 두께가 두꺼우면 경제성이 나빠지기 때문에, 상한은 1.5 ㎛ 로 한다.The thickness of the Sn plating is 0.5 to 1.5 占 퐉. Preferably 0.6 to 1.2 mu m, and more preferably 0.7 to 1.1 mu m. If the thickness of the Sn plating is excessively small, the thickness of the Sn layer after the reflow process becomes excessively small, and consequently the surface roughness Ra in the direction perpendicular to the rolling direction of the Sn plating layer becomes excessively large, and the area ratio of the Cu- The surface gloss becomes excessively large and good surface gloss can not be obtained. The upper limit of the Sn plating thickness is not particularly limited within the range in which the effects of the present invention are exhibited. However, since the Sn plating thickness is too large, the upper limit is set to 1.5 占 퐉.

리플로우 처리는, Sn 도금재를 노 내 온도 300 ∼ 600 ℃ 에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 20 ∼ 90 ℃ 의 냉각수를 Sn 도금재의 표면에 분무하고, 이어서 20 ∼ 90 ℃ 의 수조에 Sn 도금재를 투입하는 방법으로 실시한다.The reflow treatment is performed by heating the Sn plating material at a furnace temperature of 300 to 600 ° C for 1 to 30 seconds, spraying cooling water of 20 to 90 ° C onto the surface of the Sn plating material, This is done by injecting ashes.

가열 온도가 300 ℃, 및/또는 가열 시간이 1 초를 밑돌면, Sn 의 용융이 불충분해질 가능성이 있어 제조가 불안정해진다. 반대로, 가열 온도가 600 ℃, 및/또는 가열 시간이 30 초를 초과하면, 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 를 초과하고, 그 결정립경이 3 ㎛ 를 초과하고, 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하여, 양호한 표면 광택이 얻어지지 않는다.If the heating temperature is 300 占 폚 and / or the heating time is less than 1 second, the melting of Sn may be insufficient, resulting in unstable production. On the contrary, when the heating temperature is 600 占 폚 and / or the heating time exceeds 30 seconds, the area ratio of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface exceeds 40%, the crystal grain diameter exceeds 3 占 퐉, When the surface roughness Ra in the perpendicular direction is more than 0.05 占 퐉, good surface gloss can not be obtained.

전술한 바와 같이, 가열 후에 냉각수를 분무함으로써 방사상의 Sn 응고 조직이 얻어진다. 또한, 가열된 도금재의 표면에 분무된 물 입자가 부착되고, 그 부분은 급냉되어 Cu-Sn 합금층의 성장은 억제된다. 한편, 물 입자가 부착되지 않은 부분은 급냉되지 않아 Cu-Sn 합금층의 성장은 억제되지 않는다. 따라서, 가열 후의 도금 표면에 국소적인 냉각 속도의 차이를 일으키게 할 수 있어, 도금재의 표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경을 미세화시키는 효과도 있다.As described above, radial Sn solidification structure is obtained by spraying cooling water after heating. In addition, sprayed water particles adhere to the surface of the heated plating material, and the portion is quenched to inhibit the growth of the Cu-Sn alloy layer. On the other hand, the portion to which the water particles are not adhered is not quenched, so that the growth of the Cu-Sn alloy layer is not suppressed. Therefore, it is possible to cause a difference in the local cooling rate on the surface of the plated layer after heating, and it is also effective to make the crystal grain size of the Cu-Sn alloy layer exposed on the surface of the plated material finer.

실시예Example

이하에 실시예를 나타내지만, 이하의 실시예에 본 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Examples are shown below, but the present invention is not intended to be limited to the following examples.

터프 피치 구리를 원료로 하여, 표 1 에 나타내는 비율 (질량%) 이 되도록 각 원소를 첨가한 잉곳을 주조하고, 900 ℃ 이상에서 두께 10 ㎜ 까지 열간 압연을 실시하여, 표면의 산화 스케일을 면삭한 후, 냉간 압연과 열처리를 반복하여 두께 0.2 ㎜ 의 판 (기재) 으로 마무리하였다.The tough pitch copper was used as a raw material and an ingot to which the respective elements were added so as to be the ratio shown in Table 1 (mass%) was cast and hot-rolled at a temperature of 900 캜 or higher to a thickness of 10 탆, After that, cold rolling and heat treatment were repeated to finish with a plate (substrate) having a thickness of 0.2 mm.

Figure pat00001
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다음으로, 이 기재의 표면을 탈지 및 산세 후, 전기 도금법에 의해 Ni 도금층, Cu 도금층의 순서로 하지 도금층을 형성하고, 경우에 따라서는 Ni 하지 도금 및 Cu 하지 도금을 생략하고, 다음으로 전기 도금법에 의해 Sn 도금층을 형성하였다. Ni 하지 도금을 실시하는 경우에는 황산욕 (액온 약 50 ℃, 전류 밀도 5 A/d㎡) 으로 전기 도금하고, Ni 하지 도금의 두께를 0.3 ㎛ 로 하였다. Cu 하지 도금을 실시하는 경우에는 황산욕 (액온 약 25 ℃, 전류 밀도 30 A/d㎡) 으로 전기 도금하였다. Sn 도금은, 페놀술폰산욕 (액온 약 35 ℃, 전류 밀도 12 A/d㎡) 으로 전기 도금하였다. Cu 하지 도금 및 Sn 도금의 각 도금 두께는 전착 시간을 조정함으로써 조정하였다.Subsequently, after degreasing and pickling the surface of the substrate, a Ni plating layer and a Cu plating layer are formed in this order by an electroplating method in this order. Ni plating and Cu plating are omitted in some cases, A Sn plating layer was formed. In the case of performing Ni undercoating, electroplating was performed with a sulfuric acid bath (liquid temperature: about 50 캜, current density: 5 A / dm 2), and the thickness of Ni undercoat was set to 0.3 탆. In the case of Cu undercoating, electroplating was performed with a sulfuric acid bath (liquid temperature: about 25 ° C, current density: 30 A / dm 2). The Sn plating was electroplated with a phenol sulfonic acid bath (liquid temperature: about 35 캜, current density: 12 A / dm 2). The plating thicknesses of the Cu undercoating and Sn plating were adjusted by adjusting the electrodeposition time.

다음으로, 300 ∼ 650 ℃ 로 가열한 노 안에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 70 ℃ 의 냉각수를 박무상으로 하여 내뿜은 후, 70 ℃ 의 수조에 투입하였다. 일부의 실시예에 대해서는 가열한 후, 박무상의 수랭을 실시하지 않고 70 ℃ 의 수조에 투입하였다.Next, after heating for 1 to 30 seconds in a furnace heated at 300 to 650 占 폚, cooling water having a temperature of 70 占 폚 was blown out, and then poured into a water bath at 70 占 폚. In some embodiments, the mixture was heated and then put into a water bath at 70 DEG C without bathing.

이와 같이 하여 얻어진 각 Sn 도금재에 대하여 여러 특성의 평가를 실시하였다.Each Sn plating material thus obtained was evaluated for various properties.

(1) Sn 도금 두께(1) Sn plating thickness

CT-1 형 전해식 막두께계 (주식회사 덴소쿠 제조) 를 이용하여 Sn 도금층의 두께를 측정하였다.The thickness of the Sn-plated layer was measured using a CT-1 type electrolytic film thickness meter (manufactured by Denso Corporation).

(2) 최표면의 Sn 응고 조직(2) Sn superficial structure on the outermost surface

Sn 도금재를 65 % 페놀술폰산 수용액에 5 분간 침지시켜, Sn 응고 조직을 출현시킨 후, 마이크로스코프 (키엔스사 (주) 제조 VW-6000) 를 이용하여 35 ㎟ 의 범위를 관찰하여, 도 4 와 같이 Sn 응고 조직의 개수를 측정하였다.Sn plating material was immersed in a 65% aqueous solution of phenolsulfonic acid for 5 minutes, and Sn coagulated structure appeared. Thereafter, a range of 35 mm 2 was observed using a microscope (VW-6000 manufactured by Keens Co., Ltd.) Similarly, the number of Sn solidification tissues was measured.

(3) 표면 조도(3) Surface roughness

콘포칼 현미경 (Lasertec (주) 사 제조 HD100) 를 이용하여, JIS B0601 에 준거하여 Sn 도금재의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 및 RSm 을 측정하였다.The surface roughness Ra and the RSm of the Sn plating material in the direction perpendicular to the rolling direction were measured according to JIS B0601 using a cone-shaped microscope (HD100 manufactured by Lasertec Co., Ltd.).

(4) 표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률(4) Area ratio of exposed Cu-Sn alloy layer

FE-SEM (닛폰 FEI (주) 제조 XL30SFEG) 을 이용하여, 750 배의 배율로 0.017 ㎟ 의 시야의 반사 전자상을 관찰하였다. 표면에 노출된 Cu-Sn 합금층은, Sn 층과 비교하여 어두운 화상이 되기 때문에, 이 이미지를 2 치화하고, Cu-Sn 합금층의 면적을 구함으로써 면적률을 산출하였다. 2 치화는 고도 레인지 255 중 170 으로 설정하여 실시하였다.Using a FE-SEM (XL30SFEG manufactured by Nippon FEI Co., Ltd.), a reflection electron image with a field of view of 0.017 mm 2 was observed at a magnification of 750 times. Since the Cu-Sn alloy layer exposed on the surface becomes a dark image as compared with the Sn layer, this image is binarized and the area ratio of the Cu-Sn alloy layer is obtained by calculating the area ratio. The binarization was performed by setting 170 out of 255 in the altitude range.

(5) 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경(5) The crystal grain size of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface

FE-SEM (니혼 FEI (주) 제조 XL30SFEG) 을 이용하여, 2000 배의 배율로 노출된 Cu-Sn 합금층의 반사 전자상을 관찰하였다. 그 후, Cu-Sn 합금층을 무작위로 10 개 선택하여, 각 Cu-Sn 합금층이 포함되는 최대 원의 직경을 각각 구하여, 10 개의 최대 원의 직경 평균치를 Cu-Sn 합금층의 결정립경으로 하였다.The reflection electron image of the Cu-Sn alloy layer exposed at a magnification of 2000 times was observed using FE-SEM (XL30SFEG manufactured by Nihon FEI Co., Ltd.). Thereafter, 10 randomly selected Cu-Sn alloy layers were selected, and the maximum diameter of each Cu-Sn alloy layer was obtained, and the average diameter of the 10 largest circles was determined as the grain diameter of the Cu-Sn alloy layer Respectively.

(6) 표면 광택(6) Surface gloss

디지털 변각 광택도계 (니혼 전측 공업 (주) 제조 VG-1D) 를 이용하여, Sn 도금재의 경면 반사율을 측정하였다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 투광부로부터 입사각 30°로 광을 입사시키고, Sn 도금재에 각도 30°로 반사시킨 광을 수광부에서 검출함으로써 Sn 도금재의 경면 반사율을 측정하였다. 투광부로부터 직접 수광시켰을 때의 경면 반사율이 100 % 이기 때문에, 이 수치가 높을수록 Sn 도금재의 표면 광택은 양호해진다.The specular reflectance of the Sn plating material was measured using a digital gloss gloss meter (VG-1D manufactured by Nihon Kogaku Kogyo Co., Ltd.). As shown in Fig. 5, the mirror-reflectance of the Sn-plated material was measured by introducing light at an incident angle of 30 DEG from the transparent portion and reflecting the light reflected by the Sn plating material at an angle of 30 deg. Since the specular reflectance when receiving light directly from the transparent portion is 100%, the higher the value is, the better the surface gloss of the Sn plating material becomes.

(7) Sn 분말(7) Sn powder

시료를 마찰 시험 장치 (스가 시험기 주식회사 제조, 스가 마모 시험기) 상에 놓고, 시료 표면에 펠트를 얹어, 펠트 상에 30 g 의 웨이트의 하중을 가한 상태로, 펠트를 시료 표면에서 1 ㎝ 의 진폭으로 왕복 운동 (주사 거리 10 ㎜, 주사 속도 13 ㎜/s, 왕복 횟수 30 회) 시켰다.The sample was placed on a friction tester (Suga Tester, manufactured by Suga Tester Co., Ltd.), the felt was placed on the surface of the sample, and a load of 30 g weight was applied to the felt. (Scanning distance: 10 mm, scanning speed: 13 mm / s, reciprocation frequency: 30 times).

그 후, 시료측의 펠트 표면을 관찰하여, Sn 분말의 부착 정도를 육안으로 평가하였다. 평가 기준은 이하와 같다. 평가가 △ 이면, Sn 분말의 발생이 거의 없어 실용상 문제가 없지만, ○ 이면 보다 바람직하다.Thereafter, the surface of the felt on the sample side was observed, and the degree of attachment of the Sn powder was visually evaluated. The evaluation criteria are as follows. If the evaluation is?, There is almost no generation of Sn powder and there is no practical problem, but it is more preferable that it is?.

○ : 펠트에 Sn 분말의 부착을 볼 수 없다.○: The adhesion of Sn powder to the felt can not be seen.

△ : 펠트에 Sn 분말의 부착이 옅게 관찰된다.DELTA: Adhesion of the Sn powder to the felt was observed lightly.

× : 펠트에 Sn 분말의 부착이 진하게 관찰된다.X: The adhesion of the Sn powder to the felt is observed to be deep.

실시예를 표 2 및 표 3 에 나타낸다.Examples are shown in Tables 2 and 3.

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

발명예 1 ∼ 39 는, 모두 Sn 도금재의 최표면의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 0.05 ㎛ 이하이고, 방사상의 Sn 응고 조직은 35 ㎟ 당 1 개 이상이며, 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 이하이고, Cu-Sn 합금층이 최표면에 노출되었을 경우, 그 결정립경은 3 ㎛ 이하였다. 이들 Sn 도금재의 경면 반사율은 70 % 이상이며, 양호한 표면 광택이 얻어져 Sn 분말의 발생은 억제되었다.In Examples 1 to 39, all of the Sn plating materials had a surface roughness Ra of 0.05 μm or less on the outermost surface in the rolling direction, a radial Sn solidification structure of 1 or more per 35 mm 2, and a Cu-Sn alloy When the area ratio of the layer was 40% or less and the Cu-Sn alloy layer was exposed to the outermost surface, the grain diameter of the Cu-Sn alloy layer was 3 占 퐉 or less. These Sn plating materials had a mirror-surface reflectance of 70% or more, good surface gloss was obtained, and generation of Sn powder was suppressed.

비교예 1 은 도금시의 Sn 도금 두께가 0.5 ㎛ 를 밑돈 예이다. 리플로우 후의 Sn 층두께가 0.2 ㎛ 미만, 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 를 초과하고, 압연 직각 방향의 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하고, 경면 반사율이 70 % 미만이었다.Comparative Example 1 is an example in which the Sn plating thickness during plating is less than 0.5 占 퐉. The Sn layer thickness after reflow was less than 0.2 占 퐉, the area ratio of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface exceeded 40%, the Ra in the direction perpendicular to the rolling direction exceeded 0.05 占 퐉, and the specular reflectance was less than 70% .

비교예 2 는 도금시의 Cu 하지 도금 두께가 0.5 ㎛ 를 초과한 예이다. 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경이 3 ㎛ 를 초과하고, 압연 직각 방향의 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하고, 경면 반사율이 70 % 미만이었다.Comparative Example 2 is an example in which the thickness of the Cu undercoating at the time of plating exceeds 0.5 占 퐉. The Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface had a grain size exceeding 3 占 퐉, Ra in the direction perpendicular to the rolling direction exceeding 0.05 占 퐉, and a specular reflectance of less than 70%.

비교예 3 은 리플로우 처리의 노온이 600 ℃ 를 초과하고, 비교예 4 는 리플로우 처리의 가열 시간이 30 초를 초과한 예이다. 양방 모두 리플로우 후의 Sn 층두께가 0.2 ㎛ 미만, 최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 를 초과하고, 결정립경이 3 ㎛ 를 초과하고, 압연 직각 방향의 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하고, 경면 반사율이 70 % 미만이었다.Comparative Example 3 is an example in which the furnace temperature of the reflow treatment exceeds 600 ° C and the heating time of the reflow treatment exceeds 30 seconds in Comparative Example 4. Both of the both sides have a Sn layer thickness of less than 0.2 占 퐉 after reflow, an area ratio of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface exceeds 40%, a crystal grain size exceeds 3 占 퐉, and an Ra in the direction perpendicular to the rolling direction is 0.05 占 퐉 And the specular reflectance was less than 70%.

비교예 5 및 6 은 박무상의 수랭을 실시하지 않고, 최표면에 Cu-Sn 합금층이 노출되지 않은 예이다. 모두 방사상의 Sn 응고 조직은 관찰되지 않고, Sn 분말의 발생이 현저하였다.Comparative Examples 5 and 6 are examples in which the Cu-Sn alloy layer is not exposed on the outermost surface without bathing. No radial Sn solidification structure was observed, and generation of Sn powder was remarkable.

비교예 7 은 박무상의 수랭을 실시하지 않고, 최표면에 Cu-Sn 합금층이 약간 노출된 예이다. 방사상의 Sn 응고 조직은 관찰되지 않고, 압연 직각 방향의 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하고, 경면 반사율이 70 % 미만이며, Sn 분말의 발생은 현저하였다.Comparative Example 7 is an example in which the Cu-Sn alloy layer is slightly exposed on the outermost surface without performing the bathing. The radial Sn solidification structure was not observed, the Ra in the direction perpendicular to the rolling direction exceeded 0.05 mu m, the specular reflectance was less than 70%, and the occurrence of the Sn powder was remarkable.

비교예 8 ∼ 11 은 박무상의 수랭을 실시하지 않고, 최표면에 Cu-Sn 합금층이 많이 노출된 예이다. Cu-Sn 합금층이 노출되어 있기 때문에, Sn 분말의 발생은 억제되고 있지만, 방사상의 Sn 응고 조직은 관찰되지 않고, 압연 직각 방향의 Ra 가 0.05 ㎛ 를 초과하고, 경면 반사율이 70 % 미만이었다. 요컨대, Sn 분말의 발생 억제와 양호한 표면 광택이 양립할 수 없었다.In Comparative Examples 8 to 11, the Cu-Sn alloy layer was exposed on the outermost surface without bathing. Since the Cu-Sn alloy layer is exposed, generation of Sn powder is suppressed, but radial Sn solidification structure is not observed, Ra in the direction perpendicular to the rolling direction exceeds 0.05 占 퐉, and the specular reflectance is less than 70%. In other words, suppression of the occurrence of Sn powder and good surface luster can not be achieved at the same time.

Claims (6)

구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 리플로우 처리를 실시한 Sn 도금층을 갖는 Sn 도금재로서, 리플로우 Sn 도금층은 상측의 Sn 층과 하측의 Cu-Sn 합금층으로 구성되고, Sn 도금재의 최표면에 있어서, 방사상의 Sn 응고 조직이 35 ㎟ 당 1 개 이상 존재하고, Sn 도금재의 최표면의 압연 직각 방향의 표면 조도 Ra 가 0.05 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Sn 도금재.A Sn plating material having a Sn plating layer subjected to a reflow treatment on a substrate of copper or a copper alloy bath, wherein the reflow Sn plating layer is composed of an upper Sn layer and a lower Cu-Sn alloy layer, , Wherein at least one radial Sn solidification structure is present per 35 mm 2, and the surface roughness Ra of the Sn plating material in the direction perpendicular to the rolling direction is 0.05 탆 or less. 제 1 항에 있어서,
최표면에 노출된 Cu-Sn 합금층의 면적률이 40 % 이하이고, 표면으로부터 관찰했을 때의 상기 노출된 Cu-Sn 합금층의 결정립경이 3 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Sn 도금재.
The method according to claim 1,
Wherein an area ratio of the Cu-Sn alloy layer exposed on the outermost surface is 40% or less and a crystal grain size of the exposed Cu-Sn alloy layer when viewed from the surface is 3 m or less.
제 1 항에 있어서,
구리 또는 구리 합금조의 기재 상이 Cu 하지 도금층, 또는 Ni 하지 도금층, 또는 Ni 및 Cu 를 이 순서로 적층한 Ni/Cu 2 층 하지 도금층으로 피복되어 있고, 그 위에 리플로우 Sn 도금층을 갖는 Sn 도금재.
The method according to claim 1,
A Sn plating material having a base material of a copper or copper alloy tank covered with a Cu undercoating layer or a Ni undercoat layer or a Ni / Cu two-layer undercoat layer in which Ni and Cu are stacked in this order, and having a reflow Sn plating layer thereon.
구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 Sn 도금, 또는 Cu, Sn 도금층을 이 순서로 형성한 후에, 리플로우 처리함으로써, 기재 상에 Cu-Sn 합금층을 개재하여 Sn 층을 형성한 Sn 도금재를 제조하는 방법으로서, 상기 Cu 도금층의 두께를 0 ∼ 0.5 ㎛, 상기 Sn 도금층의 두께를 0.5 ∼ 1.5 ㎛ 로 하고, 상기 리플로우 처리를 온도 300 ∼ 600 ℃ 에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 20 ∼ 90 ℃ 의 냉각수를 분무하고, 이어서 20 ∼ 90 ℃ 의 수조에 투입하는 것을 특징으로 하는 Sn 도금재의 제조 방법.A Sn plating material in which a Sn layer is formed on a substrate via a Cu-Sn alloy layer is manufactured by forming a Sn plating or a Cu and Sn plating layer on a substrate of a copper or copper alloy tank in this order and then performing a reflow treatment Wherein the reflow treatment is carried out at a temperature of 300 to 600 ° C for 1 to 30 seconds and then a reflow treatment is carried out at a temperature of 20 to 90 ° C for 1 to 30 seconds while the Cu plating layer has a thickness of 0 to 0.5 μm and the Sn plating layer has a thickness of 0.5 to 1.5 μm, Lt; RTI ID = 0.0 > C, < / RTI > and then putting it in a water bath at 20 to 90 deg. 구리 또는 구리 합금조의 기재 상에 Ni, Cu, Sn 도금층을 이 순서로 형성한 후에, 리플로우 처리함으로써, 기재 상에 Ni 하지 도금층, 또는 Ni/Cu 2 층 하지 도금층으로 피복되고, Cu-Sn 합금층을 개재하여 Sn 층을 형성한 Sn 도금재를 제조하는 방법으로서, 상기 Ni 도금층을 0.05 ∼ 3 ㎛, 상기 Cu 도금층의 두께를 0.05 ∼ 0.5 ㎛, 상기 Sn 도금층의 두께를 0.5 ∼ 1.5 ㎛ 로 하고, 상기 리플로우 처리를 온도 300 ∼ 600 ℃ 에서 1 ∼ 30 초 가열한 후, 20 ∼ 90 ℃ 의 냉각수를 분무하고, 이어서 20 ∼ 90 ℃ 의 수조에 투입하는 것을 특징으로 하는 Sn 도금재의 제조 방법.A Ni plating layer or a Ni / Cu two-layered lower plating layer is formed on the substrate by forming a Ni, Cu, Sn plating layer on the substrate of copper or a copper alloy in this order and then subjected to reflow treatment to form a Cu- Wherein the thickness of the Ni plating layer is 0.05 to 3 占 퐉, the thickness of the Cu plating layer is 0.05 to 0.5 占 퐉, and the thickness of the Sn plating layer is 0.5 to 1.5 占 퐉 , Heating the reflow treatment at a temperature of 300 to 600 占 폚 for 1 to 30 seconds, spraying cooling water of 20 to 90 占 폚, and then introducing the refractory treatment into a water bath of 20 to 90 占 폚. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 Sn 도금재를 구비한 전자 부품.An electronic part comprising the Sn plating material according to any one of claims 1 to 3.
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