KR20160096736A - 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법 - Google Patents

바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자소자의 기판상에 기능성 용액을 도포하여 코팅하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 이동하는 기판상에 기능성 용액을 도포한 후 바코터를 이용하여 코팅하는 바코팅공정 및 상기 바코팅 공정 후에 슬릿다이 코터를 이용하여 코팅하는 슬릿다이코팅 공정으로 이루어진 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법 및 이로부터 제조된 전자소자 박막을 제공한다.

Description

바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법 {Method of preparing thin film for electronic device}
본 발명은 바코팅과 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 전자소자 기판상에 기능성 용액을 도포하여 코팅을 통해 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 반도체 재료는 잉크화가 용이하여 롤투롤 등 인쇄 공정을 통한 저가격 전자소자 구현이 가능하다. 이러한 기술적 장점을 바탕으로 최근 들어 인쇄전자(printed electronics)라는 새로운 연구 분야로 활발히 연구 되고 있다. 용액 공정을 이용한 전자소자는 주로 박막형 전자소자로서 OTFT(organic thin film transistor), OLED(organic light emitting diode), OPV(organic photovoltaic) 등이 있다. 박막형 전자소자 제작에 있어 가장 중요한 공정이 박막을 형성하는 성막 공정이며 박막은 기능에 따라 다양한 특성이 요구된다. 용액 공정에서의 성막 공정에는 성막과 더불어 패터닝이 가능한 인쇄 공정과 저렴하며 성막과 더불어 제한적인 패터닝 공정이 가능한 코팅 공정이 있다.
현재 코팅 공정에서는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 슬릿 다이 코팅, 바코팅 등이 있다. 그 중에서 전자소자 제작 공정에 있어 스핀 코팅 방법이 가장 널리 사용되고 있다. 하지만 상기 스핀 코팅은 잉크 소모량이 많고 회전을 이용하므로 대면적 공정이 어렵다는 단점이 있다.
이에 비하여 바코팅 또는 슬릿 다이 코팅은 대면적의 인쇄가 용이하고 적은 재료를 이용하여 코팅이 가능하다. 또한 직선(stripe type)모양의 패터닝 등이 일부 가능하다.
그러나, 현재 다양한 코팅 공정들이 나름의 장점을 내세워 연구되고 있지만 아직 분야를 주도하기에는 보다 많은 연구 개발이 필요하다.
따라서, 대면적의 인쇄가 용이하면서도 잉크(기능성 용액)의 소모가 적은 코팅공정의 개발이 요구되었다.
대한민국등록특허 제0919922호, 대한민국공개특허 제2010-0126407호
상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 목적은 전자소자용 기판에 코팅을 실시함에 있어 분자 또는 고형분 상태의 배열 조절 및 표면의 거칠기 조절이 보다 용이한 전자소자용 박막을 구현하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 대면적의 인쇄가 용이하면서도 잉크(기능성 용액)의 소모가 적은 코팅공정을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 전자소자의 기판상에 기능성 용액을 도포하여 코팅하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 이동하는 기판상에 기능성 용액을 도포한 후 바코터를 이용하여 코팅하는 바코팅공정 및 상기 바코팅 공정 후에 슬릿다이 코터를 이용하여 코팅하는 슬릿다이코팅 공정으로 이루어진 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명의 상기 기능성 용액은 기판 상에 공급되어 도포되는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 바코터 상부에 추가적인 슬릿다이 코터를 배치함으로써,기판상에 기능성 용액을 도포하는 것 없이 추가적인 슬릿다이 코터를 통해 바코터 상에 기능성 용액을 공급함으로써 상기 바코터 전영역에 걸쳐 상기 기능성 용액이 골고루 공급되는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 코팅바의 회전속도를 제어함으로써 토출되는 기능성 용액에 인가되는 전단력(shear force)을 조절하여 박막 내부의 분자 배열을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막을 제공한다.
본 발명에 따른 또한 본 발명에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법은 전자소자에 코팅을 실시함에 있어서 분자 상태의 배열 조절 및 표면의 거칠기 조절이 보다 용이한 전자소자용 박막을 제조할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법은 대형기판이나 가요성 기판에 적용하면 롤투롤(Roll-to-roll)코팅을 통한 연속적인 작업이 가능하여 기판의 제조원가를 낮출 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이루는 공정의 개략도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅 중 바코팅의 코팅 공정의 개략도를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅으로 제조된 박막의 개략도를 나타낸 것이다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이루는 공정의 개략도를 나타낸 것이다.
이하 본 발명에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 우선, 도면들 중, 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의하여야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
본 명세서에서 사용되는 "기능성 용액"은 전자소자로 활용될 수 있는 용액으로써, 트랜지스터의 전극, 반도체층, 절연체, OLED 및 OPV의 전자재료층 등을 구성할 수 있는 재료를 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이루는 공정의 개략도를 나타낸 것이며, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅 중 바코팅의 코팅 공정의 개략도를 나타낸 것이며, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅으로 제조된 박막의 개략도를 나타낸 것이다.
바코터(120)는 일반적으로 원통형의 바에 와이어를 촘촘하게 감아 형성되어 있으며, 상기 와이어 간에는 미세한 갭이 형성되어 있다. 상기 바코터(120)는 작동시에 회전하면서 코팅이 이루어지는 데, 기능성 용액이 기판 위에 올려지면 바코터(120)를 이용하여 박막을 형성한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 바코팅으로 기판을 도포하게 되면 기판상에 박막을 형성하게 되는 데, 상기 바코팅은 코팅바에 와이어가 조밀하게 감겨있으며, 이들 와이어 간의 미세한 갭(gap)을 통하여 잉크가 코팅바의 뒷부분으로 토출되고, 잉크의 표면장력에 의해 평탄화되면서 박막이 형성된다.
바코팅을 이용해서 대면적 유기반도체 활성층을 제조하기 위해서 필요한 기판(110)을 준비한다.
본 발명에서 사용되는 기판(110)은 유리를 포함하여 PET, PEN 등과 같은 투명한 기판이 사용되거나, 실리콘 웨이퍼 기판 등이 사용될 수 있다.
기판(110)은 아세톤, 이소프로핀알코올, 증류수 등을 이용하여 초음파세척 장비를 통해서 세척한다. 그런 다음 기판(110)에 남은 용매를 제거하기 위해서 100℃ 이상의 온도의 챔버에서 약 10분 이상 열처리하여 남아있는 수분 및 용매를 완벽히 제거한다. 그 후 산소플라즈마 장비를 이용해서 기판(110)을 세척한다. 이렇게 세척된 기판(110)위에 특정 농도로 제조된 유기반도체 용액을 바코팅 방법으로 도포할 수 있다.
상기 기판(110) 상에 기능성 용액을 도포하고 바코터(120)를 통해 박막을 형성한다. 상기 바코터(120)는 기판(110)의 진행속도에 따라 바코터(120)의 바가 회전하는 것을 특징으로 하는 데, 바코팅 공정은 일반적으로 기판(110)과 접촉하여 진행하며 코팅이 이뤄지며 이는 기판(110) 표면 또는 하부 패턴에 물리적 손상을 야기시킬 수 있다. 따라서, 이러한 손상을 예방하기 위해서 코팅바의 회전속도에 맞춰 기판(110)의 진행속도를 조절하는 것이 바람직하다.
즉, 코팅바의 회전 속도를 기판(110)의 진행속도보다 빠르게 또는 느리게 제어함으로써 토출되는 기능성 용액에 인가되는 전단력(shear force)을 조절할 수 있으며, 이에 따라 박막 내부의 분자 배열 등이 조절된 박막을 얻을 수 있다.
상기 기능성 용액은 기판(110) 상에 공급되어 도포되며, 바코터(120)에 있는 와이어로 인해 기판(110)상에 도포된 용액이 정렬무늬를 형성하게 된다.
그러나, 일반적으로 바코팅만으로 용액을 공급하여 박막을 형성하는 경우 바코터(120)에 형성된 와이어 간격에 의해 갭이 형성되어 이를 이용하여 박막을 형성할 경우 분자배열 상태가 고르지 못하고 표면 평활도도 안좋은 현상이 발생한다.
즉, 박막형 전자소자에서 분자(및 고형분)의 농도와 배열은 전기적, 광학적 특성에 영향을 줄 수 있는 데, 단순히 바코터(120)만을 이용하여 박막을 형성하는 경우에는 박막 표면이 거칠어 이를 이용하여 전자소자에 적용하기에는 적절하기 못한 박막이 형성되기 쉽다.
따라서 이러한 단점을 보완하기 위해 본 발명은 바코팅이 실시된 이후에 슬릿다이 코터(130)를 이용하여 슬릿다이코팅을 실시하는 것이 특징이다.
상기 슬릿다이 코터(130)의 코팅을 통해 박막 표면의 거칠기를 감소시킴과 동시에 제공된 고분자 물질의 배열이 일정하며, 표면 평활도가 낮아지는 효과가 있다.
상기 슬릿다이 코팅은 기판(110)위에 일정한 간격을 두고 위치한 선형 형태의 노즐을 통하여 기능성 용액(잉크)를 토출시켜 기판(110)을 코팅하는 것이다. 본 발명은 선택적으로 블래이드(blade)를 함께 사용할 수도 있다. 상기 블래이드(blade)를 사용함으로써 박막 표면을 더욱 평탄하게 할 수도 있다.
바코팅을 통해 표면이 일정한 거칠기기 형성된 박막(111)을 이후에 슬릿다이 코팅을 실시함으로써 박막 상에 기능성 용액이 추가적으로 공급됨과 동시에 블래이드를 통해 평탄하여 박막(112)을 형성될 수 있다.
이렇게 함으로써 본 발명은 바코팅과 슬릿 다이 코팅을 통하여 새로운 분자 (및 고형분) 배열 조절 및 표면의 거칠기를 조절된 전자소자용 박막(112)을 구현할 수 있다.
도 3을 참조하면, 바코팅에 의해 형성된 표면의 거칠기가 발생하는 데, 이 후 슬릿다이 코팅을 통해 고분자의 배열 조절 및 표면 거칠기를 조절된 상태로 박막(112)이 형성됨을 확인할 수 있다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이루는 공정의 개략도를 나타낸 것이다.
본 발명은 이동하는 바코터(120)를 이용하여 코팅하는 바코팅공정 및 상기 바코팅 공정 후에 슬릿다이 코터(130)를 이용하여 코팅하는 슬릿다이코팅 공정으로 이루어지는 데 있어 바코터(120)에 용액을 공급하는 슬릿다이 코터(130')를 추가적으로 형성할 수 있다.
보다 구체적으로 상기 바코터(120) 상부에 추가적인 슬릿다이 코터(130')를 배치함으로써, 기판(110)상에 기능성 용액을 도포하는 것 없이 추가적인 슬릿다이 코터(130')를 통해 바코터(120) 상에 기능성 용액을 공급함으로써 상기 바코터(120) 전영역에 걸쳐 상기 기능성 용액이 골고루 공급되도록 할 수 있다.
이렇게 바코터(120) 상에 슬릿다이 코터(130')를 통해 용액이 공급됨으로 인해 전자소자용 박막을 보다 균일하게 제조할 수 있는 장점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.

Claims (5)

  1. 전자소자의 기판상에 기능성 용액을 도포하여 코팅하여 박막을 제조하는 방법에 있어서,
    이동하는 기판상에 기능성 용액을 도포한 후 바코터를 이용하여 코팅하는 바코팅공정 및 상기 바코팅 공정 후에 슬릿다이 코터를 이용하여 코팅하는 슬릿다이코팅 공정으로 이루어진 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기능성 용액은 기판 상에 공급되어 도포되는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 바코터 상부에 추가적인 슬릿다이 코터를 배치함으로써,
    기판상에 기능성 용액을 도포하는 것 없이 추가적인 슬릿다이 코터를 통해 바코터 상에 기능성 용액을 공급함으로써 상기 바코터 전영역에 걸쳐 상기 기능성 용액이 골고루 공급되는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코팅바의 회전속도를 제어함으로써 토출되는 기능성 용액에 인가되는 전단력(shear force)을 조절하여 박막 내부의 분자 배열을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 바코팅 및 슬릿다이 코팅을 이용한 전자소자 박막 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조된 전자소자용 박막.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102126041B1 (ko) 2019-11-26 2020-06-23 손형복 멀티 코터
KR20200077766A (ko) 2018-12-21 2020-07-01 (주)크래프터 능동형 슬롯다이 코팅장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100919922B1 (ko) 2008-05-22 2009-10-07 경희대학교 산학협력단 바코팅을 이용한 배향 정도가 조절된 액정 고분자 필름의제조

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091292A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 光学補償シート用透明支持体、光学補償シート及びその製造方法、偏光板及びそれを用いた液晶表示装置並びに疎水性透明支持体の親水化処理方法
KR100969332B1 (ko) * 2009-09-07 2010-07-09 주식회사 디씨엔 멀티 코터
KR20120135603A (ko) * 2011-06-07 2012-12-17 한밭대학교 산학협력단 바코팅을 이용한 유기반도체 박막의 제조방법
KR101309275B1 (ko) * 2011-12-20 2013-09-16 주식회사 나래나노텍 필름의 양면 코팅 디바이스 및 방법, 및 이를 구비한 필름의 양면 코팅 장치
KR101587374B1 (ko) * 2012-04-24 2016-01-20 코니카 미놀타 가부시키가이샤 하드 코팅 필름의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100919922B1 (ko) 2008-05-22 2009-10-07 경희대학교 산학협력단 바코팅을 이용한 배향 정도가 조절된 액정 고분자 필름의제조

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200077766A (ko) 2018-12-21 2020-07-01 (주)크래프터 능동형 슬롯다이 코팅장치
KR102126041B1 (ko) 2019-11-26 2020-06-23 손형복 멀티 코터

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