KR20160094528A - Gate shift register and display device using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a gate shift register capable of securing output safety, preventing signal distortion, and reducing the failure of image quality, and a display device using the same. The gate shift register and the display device using the same include stages comprising transistors. The transistors comprise a light shielding layer overlapped with a semiconductor layer. The light shielding layer can be electrically connected to one selected among the source electrode, the drain electrode, the gate electrode of each transistor.

Description

게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시 장치{GATE SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a gate shift register,

본 발명은 게이트 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 출력 안정성을 확보하고 신호 왜곡을 방지하여 화질 불량을 줄일 수 있는 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gate shift register, and more particularly, to a gate shift register capable of ensuring output stability and preventing signal distortion to reduce image quality defects and a display using the same.

최근 많이 이용되는 표시 장치(Display Device)로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, a display device widely used includes a liquid crystal display device and an organic light emitting display device.

일반적으로, 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널과, 표시 패널의 게이트 라인들에 스캔 펄스를 공급하기 위한 게이트 드라이버와, 표시 패널의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 드라이버와, 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함한다.In general, a display device includes a display panel for displaying an image, a gate driver for supplying a scan pulse to gate lines of the display panel, a data driver for supplying a data voltage to data lines of the display panel, And a timing controller for controlling the data driver.

상기 게이트 드라이버는 다수의 게이트 라인을 구동하기 위한 게이트 쉬프트 레지스터로 구성되며, 상기 게이트 쉬프트 레지스터는 스캔 펄스를 순차적으로 출력하는 다수의 스테이지를 포함하여 구성된다.The gate driver includes a gate shift register for driving a plurality of gate lines, and the gate shift register includes a plurality of stages for sequentially outputting scan pulses.

상기 다수의 스테이지 각각은 출력 버퍼부로서 풀업 트랜지스터 및 풀다운 트랜지스터를 포함한다. 상기 풀업 트랜지스터는 이전단 스테이지로부터 제공된 캐리 신호에 의해 충전되는 제 1 노드의 전압에 따라 스위칭되어 출력 단자로 스캔 펄스를 출력한다. 상기 풀다운 트랜지스터는 리셋 신호에 의해 충전되는 제 2 노드의 전압에 따라 스위칭되어 상기 출력 단자에 게이트 오프 전압을 공급한다.Each of the plurality of stages includes a pull-up transistor and a pull-up transistor as an output buffer portion. The pull-up transistor is switched according to the voltage of the first node charged by the carry signal provided from the previous stage to output a scan pulse to the output terminal. The pull-down transistor is switched according to a voltage of a second node charged by a reset signal to supply a gate-off voltage to the output terminal.

한편, 최근의 표시 장치는 높은 이동도와 정전류 테스트 조건을 만족하기 위하여 트랜지스터를 산화물 박막 트랜지스터로 구성하고 있다. 산화물 트랜지스터는 비정질 아연 산화물계 반도체를 이용함에 따라 높은 이동도와 정전류 테스트 조건을 만족하는 한편 균일한 특성이 확보되어 대면적 디스플레이에 적용 가능한 장점을 가지고 있다. 상기 아연 산화물(ZnO)은 산소 함량에 따라 전도성, 반도체성 및 저항성의 3가지 성질을 모두 구현할 수 있는 물질이다.On the other hand, in recent display devices, transistors are composed of oxide thin film transistors in order to satisfy high mobility and constant current test conditions. Oxide transistors have amorphous zinc oxide based semiconductors, which can satisfy high mobility and constant current test conditions, and have uniform characteristics and can be applied to large area displays. The zinc oxide (ZnO) is a material which can realize all three properties of conductivity, semiconductivity and resistance according to oxygen content.

한편, 산화물 트랜지스터는 빛에 의해 문턱 전압이 쉬프트되는 특징이 있다. 따라서, 산화물 트랜지스터를 코플래너 구조로 구성할 경우 외부 광에 의한 영향을 줄이기 위해 차광층(일명, 라이트 쉴드; Light Shield)을 반도체층의 배면에 배치하는 것이 요구된다.On the other hand, the oxide transistor is characterized in that the threshold voltage is shifted by light. Therefore, when the oxide transistor is formed of a coplanar structure, it is required to arrange a light shielding layer (also called a light shield) on the back surface of the semiconductor layer in order to reduce the influence of external light.

그런데, 종래 기술에 따른 게이트 쉬프트 레지스터를 산화물 트랜지스터로 구성할 경우, 차광층이 풀업 트랜지스터의 문턱 전압에 영향을 미쳐 풀업 트랜지스터의 출력 안정성이 저하되어 신호가 왜곡되는 문제점이 있다.However, when the gate shift register according to the related art is composed of oxide transistors, there is a problem that the light shielding layer affects the threshold voltage of the pull-up transistor and the output stability of the pull-up transistor is degraded and the signal is distorted.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 출력 안정성을 확보하고 신호 왜곡을 방지하여 화질 불량을 줄일 수 있는 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a gate shift register and a display device using the gate shift register, which can reduce image quality by securing output stability and preventing signal distortion.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시 장치는 복수개의 트랜지스터로 구성된 다수의 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 트랜지스터는 반도체층과 중첩되는 차광층을 구비하며, 상기 차광층은 상기 각 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중에서 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a gate shift register and a display device using the same, including a plurality of stages including a plurality of transistors, the plurality of transistors including a light shielding layer overlapping a semiconductor layer, The light-shielding layer may be electrically connected to any one of a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode of each transistor.

상기 복수개의 트랜지스터는 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 출력 단자로 상기 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터, 및 제 2 노드의 전압 레벨에 따라 상기 출력 단자에 게이트 오프 전압을 공급하는 풀다운 트랜지스터를 포함하여 구성되고, 상기 풀업 트랜지스터에 마련된 상기 차광층은 상기 출력 단자와 전기적으로 연결될 수 있다.Wherein the plurality of transistors includes a pull-up transistor that outputs the scan pulse to an output terminal in accordance with a voltage level of the first node, and a pull-down transistor that supplies a gate-off voltage to the output terminal in accordance with a voltage level of the second node And the light-shielding layer provided in the pull-up transistor may be electrically connected to the output terminal.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution of the above-mentioned problems, the present invention has the following effects.

본 발명은 게이트 쉬프트 레지스터를 구성하는 복수개의 트랜지스터가 반도체층과 중첩되는 차광층을 구비하고, 상기 차광층은 상기 각 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중에서 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 특히, 풀업 트랜지스터에서 차광층과 소스 전극 간이 연결됨으로써, 출력 안정성을 확보되고 멀티 출력과 같은 신호 왜곡을 방지하여 화질 불량을 줄일 수 있다.The present invention is characterized in that a plurality of transistors constituting a gate shift register are provided with a light shielding layer overlapping a semiconductor layer, and the light shielding layer is electrically connected to any one of a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode of each transistor . Particularly, since the light-shielding layer and the source electrode are connected to each other in the pull-up transistor, the output stability can be ensured and signal distortion such as multi-output can be prevented and image quality defects can be reduced.

위에서 언급된 본 발명의 효과 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the effects of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below, or may be apparent to those skilled in the art from the description and the description.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터를 갖는 표시 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 게이트 드라이버(4)를 구성하는 게이트 쉬프트 레지스터의 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 k 번째 스테이지(STk)의 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 출력 버퍼부(12)의 구성 회로도이다.
도 5는 도 4에 도시된 풀업 트랜지스터(PU)의 모식도이다.
도 6은 도 3에 도시된 스테이지의 구동 파형도이다.
도 7은 본 발명의 일 예에 따른 풀업 트랜지스터(PU)의 단면도이다.
1 is a configuration diagram of a display device having a gate shift register according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram of a gate shift register constituting the gate driver 4 shown in FIG.
3 is a configuration diagram of the k-th stage STk shown in FIG.
4 is a configuration circuit diagram of the output buffer unit 12 shown in FIG.
5 is a schematic diagram of the pull-up transistor PU shown in FIG.
6 is a driving waveform diagram of the stage shown in Fig.
7 is a cross-sectional view of a pull-up transistor (PU) according to an example of the present invention.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제 3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The meaning of the terms described herein should be understood as follows. The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms. It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one. The term "on" means not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하에서는 본 발명에 따른 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a gate shift register and a display device using the gate shift register according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터를 갖는 표시 장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a display device having a gate shift register according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 표시 장치는 표시 패널(2)과, 게이트 드라이버(4)와, 데이터 드라이버(6)와, 타이밍 컨트롤러(8)를 포함하여 구성된다.1 includes a display panel 2, a gate driver 4, a data driver 6, and a timing controller 8. The display panel 2 includes a display panel 2, a gate driver 4, a data driver 6,

상기 표시 패널(2)은 서로 교차하는 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)을 구비하고, 이들(GL, DL)의 교차 영역에는 다수의 화소(P)들이 구비된다. 각 화소(P)들은 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 스캔 펄스(G)에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 영상 신호(데이터 전압)에 따른 영상을 표시한다. 이러한 표시 패널(2)은 액정 표시 패널, 전계 방출 표시 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 유기 발광 다이오드 표시 패널, 전기 영동 표시 패널 등이 될 수 있다.The display panel 2 includes a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL intersecting with each other and a plurality of pixels P are provided at intersections of the display lines GL and DL. Each pixel P displays an image according to a video signal (data voltage) supplied from the data line DL in response to the scan pulse G supplied from the gate line GL. The display panel 2 may be a liquid crystal display panel, a field emission display panel, a plasma display panel, an organic light emitting diode display panel, an electrophoretic display panel, or the like.

상기 게이트 드라이버(4)는 GIP(gate in panel)형 게이트 드라이버로서, 표시 패널(2)의 비표시 영역에 배치된다. 이러한 게이트 드라이버(4)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터 제공된 다수의 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 다수의 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스(G)를 공급하는 게이트 쉬프트 레지스터로 구성된다. 다수의 게이트 제어신호(GCS)는 서로 다른 위상을 갖는 다수의 클럭 신호(CLKs)와, 게이트 드라이버(4)의 구동 시작을 지시하는 게이트 스타트 신호(VST)를 포함한다.The gate driver 4 is a GIP (gate in panel) type gate driver and is disposed in a non-display area of the display panel 2. [ The gate driver 4 includes a gate shift register for supplying a plurality of gate lines GL with a scan pulse G in accordance with a plurality of gate control signals GCS provided from the timing controller 8. [ The plurality of gate control signals GCS include a plurality of clock signals CLKs having different phases and a gate start signal VST for instructing start of driving of the gate driver 4. [

상기 게이트 쉬프트 레지스터는 다수의 클럭 신호가 공급되는 라인들에 선택적으로 접속되어 스캔 펄스를 순차적으로 출력하고, 복수개의 트랜지스터로 구성된 다수의 스테이지로 이루어진다. 각 스테이지를 구성하는 복수개의 트랜지스터는 반도체층과 중첩되는 차광층(LS)을 구비하는데, 상기 차광층(LS)은 상기 각 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중에서 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 이러한 본 발명은 출력 안정성을 확보하고 신호 왜곡을 방지하여 화질 불량을 줄일 수 있다. 이와 같은 본 발명의 게이트 쉬프트 레지스터와 관하여서는 도 2 내지 도 7을 참조하여 구체적으로 후술한다.The gate shift register is selectively connected to the lines to which a plurality of clock signals are supplied to sequentially output the scan pulses and includes a plurality of stages composed of a plurality of transistors. The plurality of transistors constituting each stage includes a light-shielding layer LS overlapping the semiconductor layer, and the light-shielding layer LS is electrically connected to any one of a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode of each transistor . The present invention ensures output stability and prevents signal distortion, thereby reducing image quality defects. The gate shift register of the present invention will be described later in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

상기 데이터 드라이버(6)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터 입력되는 디지털 영상 데이터(RGB)를 기준 감마 전압을 이용하여 데이터 전압으로 변환하고, 변환된 데이터 전압을 다수의 데이터 라인(DL)에 공급한다. 이러한 데이터 드라이버(6)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터 제공된 다수의 데이터 제어 신호(DCS)에 따라 제어된다.The data driver 6 converts the digital image data RGB inputted from the timing controller 8 into a data voltage using a reference gamma voltage and supplies the converted data voltage to a plurality of data lines DL. This data driver 6 is controlled in accordance with a plurality of data control signals DCS provided from the timing controller 8. [

상기 타이밍 컨트롤러(8)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 표시 패널(2)의 크기 및 해상도에 알맞게 정렬하여 데이터 드라이버(6)에 공급한다. 타이밍 컨트롤러(8)는 외부로부터 입력되는 동기 신호(SYNC)들, 예를 들어 도트클럭(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수평 동기신호(Hsync), 수직 동기신호(Vsync)를 이용해 다수의 게이트 및 데이터 제어신호(GCS, DCS)를 생성하여 게이트 드라이버(4) 및 데이터 드라이버(6)에 각각 공급한다.The timing controller 8 arranges image data (RGB) input from the outside in accordance with the size and resolution of the display panel 2 and supplies the image data to the data driver 6. The timing controller 8 generates a plurality of signals by using synchronizing signals SYNC input from the outside, for example, a dot clock DCLK, a data enable signal DE, a horizontal synchronizing signal Hsync, and a vertical synchronizing signal Vsync And supplies the gate and data control signals GCS and DCS to the gate driver 4 and the data driver 6, respectively.

도 2는 도 1에 도시된 게이트 드라이버(4)를 구성하는 게이트 쉬프트 레지스터의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a gate shift register constituting the gate driver 4 shown in FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지(ST1~STn)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a gate shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages ST1 to STn, which are connected in a dependent manner.

상기 스테이지(ST1~STn)는 클럭 펄스(CLKs) 중에서 어느 하나와, 고전위 전압(VDD)과, 저전위 전압(VSS)이 입력된다. 고전위 전압(VDD)은 저전위 전압(VSS)보다 높은 전압으로 설정되는데, 고전위 전압(VDD)은 게이트 온 전압(VGH)이고, 저전위 전압(VSS)은 게이트 오프 전압(VGL)일 수 있다.The stages ST1 to STn receive any one of the clock pulses CLKs, a high potential voltage VDD and a low potential voltage VSS. The high-potential voltage VDD is set to a voltage higher than the low-potential voltage VSS. The high-potential voltage VDD is the gate-on voltage VGH and the low-potential voltage VSS is the gate- have.

상기 스테이지(ST1~STn)는 2개의 입력 단자와 1개의 출력 단자를 구비하고, 출력 단자를 통해 스캔 펄스(G; G1, G2, G3, ...)를 출력한다. 스캔 펄스(G)는 표시 패널(2)의 게이트 라인(GL)에 인가됨과 동시에, 후단 스테이지로 전달되는 캐리 신호(CR) 및 전단 스테이지로 전달되는 리셋 신호(RST)로서 역할을 한다. "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지(ST)의 상부에 위치하는 것으로, 예컨대 제 k(1<k<n) 스테이지(STk)에 기준한 전단 스테이지는 "제 1 스테이지(ST1)~제k-1 스테이지(STk-1)" 중 어느 하나를 지시한다. 그리고 "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것으로, 예컨대 제k 스테이지(STk)에 기준한 후단 스테이지는 "제k+1 스테이지(STk+1)~제n 스테이지(STn)" 중 어느 하나를 지시한다.The stages ST1 to STn have two input terminals and one output terminal and output scan pulses G (G1, G2, G3, ...) through output terminals. The scan pulse G is applied to the gate line GL of the display panel 2 and serves as a carry signal CR transferred to the subsequent stage and a reset signal RST transferred to the previous stage. The front stage based on k (1 &lt; k &lt; n) stages STk is referred to as "the first stage ST1 to the k- 1 stage (STk-1) &quot;. Stage is referred to as a " k + 1 stage (STk + 1) to an n-th stage STn " Indicate which one.

상기 각 스테이지(ST1~STn)는 전단 스테이지의 캐리 신호(CR)와, 후단 스테이지의 리셋 신호(RST)에 응답하여 동작한다. 단, 제 1 스테이지(ST1)는 캐리 신호(CR) 대신 게이트 스타트 신호(VST)가 입력된다. 그리고 제n 스테이지(STn)는 더미 스테이지(미도시)로부터 리셋 신호(RST)가 입력된다.Each of the stages ST1 to STn operates in response to the carry signal CR of the front stage and the reset signal RST of the rear stage. However, in the first stage ST1, the gate start signal VST is inputted instead of the carry signal CR. In the n-th stage STn, a reset signal RST is inputted from a dummy stage (not shown).

도 3은 도 2에 도시된 k 번째 스테이지(STk)의 구성도이다.3 is a configuration diagram of the k-th stage STk shown in FIG.

도 3을 참조하면, 제k 스테이지(STk)는 노드 제어부(10)와, 출력 버퍼부(12)를 구비한다. 도 4는 도 3에 도시된 출력 버퍼부(12)의 구성 회로도이다.Referring to FIG. 3, the k-th stage STk includes a node control unit 10 and an output buffer unit 12. 4 is a configuration circuit diagram of the output buffer unit 12 shown in FIG.

상기 노드 제어부(10)는 캐리 신호(CR) 및 리셋 신호(RST)에 응답하여 제 1 및 제 2 노드(Q, QB)의 전압을 제어하는 다수의 TFT(미도시)와 적어도 1개의 커패시터(미도시)를 구비한다. 이러한 노드 제어부(10)는 캐리 신호(CR)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 고전위 전압(VDD)으로 충전시킴과 동시에 제 2 노드(QB)의 전압을 저전위 전압(VSS)으로 방전시킨다. 그리고 노드 제어부(10)는 리셋 신호(RST)에 응답하여 제 2 노드(QB)의 전압을 고전위 전압(VDD)으로 충전시킴과 동시에 제 1 노드(Q)의 전압을 저전위 전압(VSS)으로 방전시킨다.The node control unit 10 includes a plurality of TFTs (not shown) and at least one capacitor (not shown) for controlling the voltages of the first and second nodes Q and QB in response to the carry signal CR and the reset signal RST (Not shown). The node controller 10 charges the first node Q to the high potential voltage VDD in response to the carry signal CR and simultaneously discharges the voltage of the second node QB to the low potential voltage VSS . The node controller 10 responds to the reset signal RST to charge the voltage of the second node QB to the high potential voltage VDD and at the same time the voltage of the first node Q to the low potential voltage VSS, .

상기 출력 버퍼부(12)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터 제공된 다수의 클럭 펄스(CLKs) 중 어느 하나가 입력된다. 이러한 출력 버퍼부(20)는 제 1 노드(Q)의 전압이 고전위 전압(VDD)으로 충전되면 입력된 클럭 펄스(CLK)를 스캔 펄스(Gk)로서 출력 단자에 인가한다. 그리고 출력 버퍼부(12)는 제 2 노드(QB)의 전압이 고전위 전압(VDD)으로 충전되면 출력 단자의 전압을 저전위 전압(VSS)으로 방전시킨다.The output buffer unit 12 receives any one of a plurality of clock pulses CLKs provided from the timing controller 8. The output buffer unit 20 applies the input clock pulse CLK to the output terminal as the scan pulse Gk when the voltage of the first node Q is charged to the high potential voltage VDD. When the voltage of the second node QB is charged to the high potential voltage VDD, the output buffer unit 12 discharges the voltage of the output terminal to the low potential voltage VSS.

상기 출력 버퍼부(12)는 도 4에 도시된 바와 같이, 풀업 트랜지스터(PU) 및 풀다운 트랜지스터(PD)를 포함하여 구성된다. 상기 풀업 트랜지스터(PU)는 제 1 노드(Q)의 전압 레벨에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 입력된 드레인을 통해 입력되는 클럭 신호(CLK)를 출력 단자에 인가한다. 상기 풀다운 트랜지스터(PD)는 제 2 노드(QB)의 전압 레벨에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 저전위 전압(VSS)을 출력 단자에 인가한다.The output buffer unit 12 includes a pull-up transistor PU and a pull-down transistor PD, as shown in FIG. The pull-up transistor PU is turned on or off according to the voltage level of the first node Q, and applies a clock signal CLK inputted through the drain inputted at turn-on to the output terminal. The pull-down transistor PD is turned on or off according to the voltage level of the second node QB and applies the low-potential voltage VSS to the output terminal when the turn-on transistor PD is turned on.

특히, 풀업 트랜지스터(PU)에 마련된 차광층(LS)은 스테이지(STk)의 출력 단자, 즉 풀업 트랜지스터(PU)의 소스 전극과 전기적으로 연결된다. 이러한 본 발명은 풀업 트랜지스터(PU)의 게이트 전극과 중첩되는 차광층(LS)이 출력 단자와 동일하게 전압 레벨이 상승 또는 하강하게 되어 풀업 트랜지스터(PU)의 출력 안정성이 확보될 수 있다. 이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In particular, the light-shielding layer LS provided in the pull-up transistor PU is electrically connected to the output terminal of the stage STk, that is, the source electrode of the pull-up transistor PU. In the present invention, the voltage level of the light-shielding layer LS which overlaps with the gate electrode of the pull-up transistor PU is raised or lowered like the output terminal, so that the output stability of the pull-up transistor PU can be secured. This will be described in detail as follows.

도 5는 도 4에 도시된 풀업 트랜지스터(PU)의 모식도이다. 도 6은 도 3에 도시된 스테이지의 구동 파형도이다. 도 5 및 도 6을 결부하여 각 스테이지의 구동 방법을 설명하고, 풀업 트랜지스터(PU)에서 차광층(LS)과 소스 전극 간의 연결에 따른 출력 안정 효과를 설명하기로 한다.5 is a schematic diagram of the pull-up transistor PU shown in FIG. 6 is a driving waveform diagram of the stage shown in Fig. The driving method of each stage will be described with reference to FIGS. 5 and 6, and the output stabilizing effect according to the connection between the light-shielding layer LS and the source electrode in the pull-up transistor PU will be described.

상기 다수의 클럭 신호(CLKs)는 일정 기간씩 쉬프트 되어 출력 되는 4 상의 클럭 신호, 즉 제 1 내지 제 4 클럭 신호(CLK1~CLK4)를 포함할 수 있다.The plurality of clock signals CLKs may include four-phase clock signals, i.e., first to fourth clock signals CLK1 to CLK4, which are shifted and output by a predetermined period.

먼저, 제 1 기간(P1)에는 캐리 신호(CR)로서 이전단 스테이지(STk-1)로부터 스캔 펄스(Gk-1)가 스테이지(STk)에 공급되거나, 외부로부터 제공된 게이트 스타트 신호(VST)가 스테이지(STk)에 공급된다. 그러면, 노드 제어부(10)는 상기 캐리 신호(CR)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 게이트 온 전압(VGH)으로 프리 차징 하고, 제 2 노드(QB)를 게이트 오프 전압(VGL)으로 방전시킨다.First, in the first period P1, the scan pulse Gk-1 is supplied from the previous stage STk-1 as the carry signal CR to the stage STk, or the gate start signal VST supplied from the outside And is supplied to the stage STk. Then, the node controller 10 precharges the first node Q to the gate-on voltage VGH in response to the carry signal CR and discharges the second node QB to the gate-off voltage VGL. .

이어서, 제 2 기간(P2)에는 상기 다수의 클럭 신호(CLKs) 중 어느 하나, 예를 들어, 제 1 클럭 신호(CLK1)가 게이트 온 전압(VGH) 상태로 풀업 트랜지스터(PU)의 드레인 전극에 공급된다. 그러면, 제 1 노드(Q)의 전압 레벨은 제 1 클럭 신호(CLK1)의 공급 라인에 접속된 풀업 트랜지스터(PU)의 기생 용량에 의해, 부트스트래핑(bootstrapping)되어 게이트 온 전압(VGH)보다 높은 레벨로 상승된다.In the second period P2, any one of the plurality of clock signals CLKs, for example, the first clock signal CLK1 is applied to the drain electrode of the pull-up transistor PU in the gate-on voltage VGH state . Then, the voltage level of the first node Q is bootstrapped by the parasitic capacitance of the pull-up transistor PU connected to the supply line of the first clock signal CLK1 to be higher than the gate-on voltage VGH Level.

이에 따라, 풀업 트랜지스터(PU)는 완전한 턴-온 상태가 되며, 풀업 트랜지스터(PU)는 제 1 클럭 신호(CLK1)를 k 번째 스캔 펄스(Gk)로서 출력 단자에 공급한다. 이때, 풀업 트랜지스터(PU)의 소스 전극, 즉 출력 단자는 차광층(LS)과 전기적으로 연결되어 차광층(LS)을 구성하는 메탈 전극이 게이트 온 전압(VGH) 레벨로 충전된다.Thus, the pull-up transistor PU is in a complete turn-on state, and the pull-up transistor PU supplies the first clock signal CLK1 as the kth scan pulse Gk to the output terminal. At this time, the source electrode, that is, the output terminal of the pull-up transistor PU is electrically connected to the light-shielding layer LS so that the metal electrode constituting the light-shielding layer LS is charged to the gate-on voltage VGH level.

이러한 차광층(LS)은 풀업 트랜지스터(PU)의 게이트 전극과 중첩되는 바, 풀업 트랜지스터(PU)의 문턱 전압을 네가티브(-) 방향으로 쉬프트시킨다. 이에 따라, 풀업 트랜지스터(PU)는 더욱 안정적으로 턴-온 상태를 유지하게 되며, 결과적으로 풀업 트랜지스터(PU)의 출력 안정성이 확보되고 신호 왜곡을 방지할 수 있게 된다.This light shielding layer LS overlaps the gate electrode of the pull-up transistor PU, and shifts the threshold voltage of the pull-up transistor PU in the negative direction. As a result, the pull-up transistor PU maintains a more stable turn-on state, consequently, the output stability of the pull-up transistor PU is ensured and the signal distortion can be prevented.

이어서, 제 3 기간(P3)에는 상기 제 1 클럭 신호(CLK1)가 게이트 온 전압(VGH)으로부터 게이트 오프 전압(VGL)으로 천이되며, 따라서 출력 단자(OUT)로 출력되는 스캔 펄스(Gk)는 게이트 오프 전압(VGL)이 된다. 이때, 제 1 노드(Q)의 전압은 제 1 노드(Q)와 출력 단자의 사이에 마련된 커패시터(C)에 의해 프리 차지된 전압을 계속 유지한다.Then, in the third period P3, the first clock signal CLK1 transitions from the gate-on voltage VGH to the gate-off voltage VGL, and thus the scan pulse Gk output to the output terminal OUT And becomes the gate-off voltage VGL. At this time, the voltage of the first node (Q) keeps the voltage precharged by the capacitor (C) provided between the first node (Q) and the output terminal.

이어서, 제 4 기간(P4)에는 리셋 신호로서 제 3 클럭 신호(CLK3)나, 적어도 하나의 다음단 스테이지로부터 출력된 스캔 펄스(Gk+2)가 스테이지(STk)로 입력된다. 그러면, 노드 제어부(10)는 상기 리셋 신호(RST)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 게이트 오프 전압(VGL)으로 방전시키고, 제 2 노드(QB)를 게이트 온 전압(VGH)으로 충전시킨다. 그러면, 풀업 트랜지스터(PU)는 턴-오프되고, 풀다운 트랜지스터(PD)가 턴-온되어 게이트 오프 전압(VGL)을 출력 단자에 공급한다.Subsequently, in the fourth period P4, the third clock signal CLK3 as a reset signal and the scan pulse Gk + 2 output from at least one subsequent stage are input to the stage STk. Then, in response to the reset signal RST, the node controller 10 discharges the first node Q to the gate-off voltage VGL and charges the second node QB to the gate-on voltage VGH . Then, the pull-up transistor PU is turned off and the pull-down transistor PD is turned on to supply the gate-off voltage VGL to the output terminal.

이에 따라, 차광층(LS)을 구성하는 메탈 전극은 게이트 오프 전압(VGL)으로 방전된다. 이러한 차광층(LS)은 풀업 트랜지스터(PU)의 게이트 전극과 중첩되는 바, 풀업 트랜지스터(PU)의 문턱 전압을 포지티브(+) 방향으로 쉬프트시킨다. 그러면, 풀업 트랜지스터(PU)는 상대적으로 문턱 전압이 높아져 안정적으로 턴-오프 상태를 유지하게 되며, 이른 바 멀티 출력을 방지하고 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Thus, the metal electrode constituting the light-shielding layer LS is discharged to the gate-off voltage VGL. The light-shielding layer LS overlaps the gate electrode of the pull-up transistor PU, and shifts the threshold voltage of the pull-up transistor PU in the positive direction. Then, the pull-up transistor PU has a relatively high threshold voltage and stably maintains the turn-off state. Thus, the multi-output can be prevented and the reliability can be improved.

도 7은 본 발명의 일 예에 따른 풀업 트랜지스터(PU)의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a pull-up transistor (PU) according to an example of the present invention.

본 발명의 게이트 쉬프트 레지스터는 코플래너(coplanar) 구조를 갖는 산화물 박막 트랜지스터들로 구성될 수 있다. 그리고 상기 차광층(LS)이 상기 트랜지스터의 반도체층의 배면에 구비될 수 있다.The gate shift register of the present invention can be composed of oxide thin film transistors having a coplanar structure. The light-shielding layer LS may be provided on the back surface of the semiconductor layer of the transistor.

따라서, 상기 풀업 트랜지스터도 도 7에 도시된 바와 같이 코플래너 구조의 산화물 박막 트랜지스터로 구성될 수 있다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터의 단면 구조는 기판(GLS)과, 기판(GLS) 상에 메탈 전극으로 구성된 차광층(LS)(LS)과, 차광층(LS)을 덮는 버퍼층(BUF)과, 버퍼층(BUF) 상에 구비되고 비정질 아연 산화물계 반도체로 구성된 반도체층(ACT)과, 반도체층(ACT)을 덮는 게이트 절연막(GI)과, 게이트 절연막(GI) 상에 구비되고 반도체층(ACT)과 중첩되는 게이트 전극(G)과, 게이트 전극(G)을 덮는 층간 절연막(ILD)과, 층간 절연막(ILD) 상에 구비되고 층간 절연막(ILD) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 반도체층(ACT)에 접속되는 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과, 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 덮는 보호층(PAS)을 포함하여 구성된다.Therefore, the pull-up transistor may also be composed of an oxide thin film transistor of a coplanar structure as shown in FIG. That is, the cross-sectional structure of the pull-up transistor includes a substrate GLS, a light-shielding layer LS composed of metal electrodes on the substrate GLS, a buffer layer BUF covering the light-shielding layer LS, A gate insulating film GI covering the semiconductor layer ACT and provided on the gate insulating film GI and overlapped with the semiconductor layer ACT; (ILD) covering the gate electrode G, a semiconductor layer (ACT) provided on the interlayer insulating film (ILD) and penetrating the interlayer insulating film (ILD) and the gate insulating film (GI) And a protective layer PAS covering the source electrode S and the drain electrode D connected to the source electrode S and the drain electrode D,

상기 드레인 전극(D)은 클럭 신호 공급 라인(미도시)에 접속되고, 상기 소스 전극(S)은 스테이지(STk)의 출력 단자에 접속된다. 특히, 소스 전극(S)은 복수개의 절연층, 즉 층간 절연막(ILD), 게이트 절연막(GI), 및 버퍼층(BUF)을 관통하여 차광층(LS)과 접속된다.The drain electrode D is connected to a clock signal supply line (not shown), and the source electrode S is connected to the output terminal of the stage STk. In particular, the source electrode S is connected to the light-shielding layer LS through a plurality of insulating layers, that is, an interlayer insulating film (ILD), a gate insulating film GI, and a buffer layer BUF.

상술한 바와 같이, 본 발명은 게이트 쉬프트 레지스터를 구성하는 복수개의 트랜지스터가 반도체층과 중첩되는 차광층을 구비하고, 상기 차광층은 상기 각 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중에서 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 특히, 풀업 트랜지스터(PU)에서 차광층(LS)과 소스 전극 간이 연결됨으로써, 출력 안정성을 확보되고 멀티 출력과 같은 신호 왜곡을 방지하여 화질 불량을 줄일 수 있다.As described above, the present invention is characterized in that a plurality of transistors constituting a gate shift register are provided with a light-shielding layer superimposed on a semiconductor layer, and the light-shielding layer is formed of any one selected from a source electrode, a drain electrode, Respectively. In particular, since the light-shielding layer LS is connected between the light-shielding layer LS and the source electrode in the pull-up transistor PU, the output stability can be ensured and signal distortion such as multi-output can be prevented.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

PU: 풀업 트랜지스터
PD: 풀다운 트랜지스터
LD: 차광층
Q: 제 1 노드
QB: 제 2 노드
PU: pull-up transistor
PD: pull-down transistor
LD: Shading layer
Q: First node
QB: Second node

Claims (6)

반도체층과 중첩된 차광층을 구비한 복수개의 트랜지스터를 포함하고;
상기 차광층은 상기 각 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중에서 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결되는, 게이트 쉬프트 레지스터.
A plurality of transistors having a light-shielding layer superimposed on the semiconductor layer;
And the light shielding layer is electrically connected to any one of a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode of each transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 트랜지스터는
제 1 노드의 전압 레벨에 따라 출력 단자로 상기 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터; 및
제 2 노드의 전압 레벨에 따라 상기 출력 단자에 게이트 오프 전압을 공급하는 풀다운 트랜지스터를 포함하여 구성되고;
상기 풀업 트랜지스터에 마련된 상기 차광층은 상기 출력 단자와 전기적으로 연결되는, 게이트 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The plurality of transistors
A pull-up transistor for outputting the scan pulse to an output terminal according to a voltage level of the first node; And
And a pull-down transistor for supplying a gate-off voltage to the output terminal in accordance with the voltage level of the second node;
And the light shield layer provided in the pull-up transistor is electrically connected to the output terminal.
제 2 항에 있어서,
상기 각 트랜지스터는 코플래너(coplanar) 구조를 가지며, 상기 차광층이 상기 트랜지스터의 반도체층의 배면에 구비되는, 게이트 쉬프트 레지스터.
3. The method of claim 2,
Wherein each of the transistors has a coplanar structure, and the light shielding layer is provided on a back surface of the semiconductor layer of the transistor.
제 3 항에 있어서,
상기 풀업 트랜지스터는
상기 제 1 노드에 접속된 게이트 전극;
클럭 신호 공급 라인에 접속된 드레인 전극; 및
상기 출력 단자에 접속된 소스 전극을 포함하고;
상기 소스 전극은 복수개의 절연층을 관통하여 상기 차광층과 전기적으로 연결되는, 게이트 쉬프트 레지스터.
The method of claim 3,
The pull-up transistor
A gate electrode connected to the first node;
A drain electrode connected to a clock signal supply line; And
And a source electrode connected to the output terminal;
And the source electrode is electrically connected to the light shielding layer through a plurality of insulating layers.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터로 구성되는, 게이트 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
And the plurality of transistors are composed of oxide thin film transistors.
다수의 게이트 라인을 구비한 표시 패널; 및
상기 표시 패널의 비표시 영역에 내장되어 상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 쉬프트 레지스터를 포함하고;
상기 게이트 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 상기 게이트 쉬프트 레지스터로 이루어진, 표시 장치.
A display panel having a plurality of gate lines; And
And a gate shift register embedded in a non-display area of the display panel to drive the plurality of gate lines;
Wherein the gate shift register comprises the gate shift register according to any one of claims 1 to 5.
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