KR20130040387A - Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof - Google Patents
Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130040387A KR20130040387A KR1020110105115A KR20110105115A KR20130040387A KR 20130040387 A KR20130040387 A KR 20130040387A KR 1020110105115 A KR1020110105115 A KR 1020110105115A KR 20110105115 A KR20110105115 A KR 20110105115A KR 20130040387 A KR20130040387 A KR 20130040387A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- oxide semiconductor
- load
- oxide
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/0883—Combination of depletion and enhancement field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
Abstract
Description
본 발명은 산화물 반도체 인버터 기술 분야에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 활성층으로서 산화물 반도체를 적용하고, 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널 길이를 조절하여 디플리션 부하(depletion load)를 형성함으로써 고이득 및 풀 스윙을 구현할 수 있는 산화물 반도체 인버터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oxide semiconductor inverter technology, and more particularly, to an oxide semiconductor inverter technology in which an oxide semiconductor is applied as an active layer and a channel length of a load TFT is adjusted to form a depletion load, To an oxide semiconductor inverter capable of realizing a full swing.
최근 모든 분야의 디스플레이 장치에서 산화물 반도체의 개발 및 적용이 빠르게 진행되고 있는 추세이다. 이에 따라 기본적인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 소자뿐 만 아니라 이를 이용한 회로도 상당 부분 연구가 진행되고 있으며, 일 예로서 한국공개특허공보 10-2010-0010507호 등의 기술이 있다.Recently, the development and application of oxide semiconductors are rapidly proceeding in display devices of all fields. Accordingly, not only a basic thin film transistor (TFT) device but also a circuit using the thin film transistor (TFT) device have been studied. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2010-0010507 discloses a technique.
그러나 상술한 산화물 반도체 구조의 경우 물질의 기본적인 특성상 p-타입 박막 트랜지스터의 구현이 어렵기 때문에 회로의 구현시 n-타입 구조로만 구현이 가능하다. 여기서 n-타입 구조로 구현된 회로는 인버터(inverter)와 링 오실레이터(ring oscillator)의 고이득(high gain)이 회로동작 속도에 있어서 주된 요인이며, n-타입 온리(n-type only)와 같은 비례 인버터(ratioed inverter)의 경우는 시모스(Complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)와 달리 고이득 값을 얻기 어려운 구조로 되어 있다. 도 1a는 종래의 n-타입 인버터의 회로도를 도시한 것이며, 도 1b는 도 1a에 도시된 인버터의 전압전달특성(Voltage Transfer Characteristic, VTC) 곡선을 나타낸 것이다.However, in the case of the above-described oxide semiconductor structure, since it is difficult to realize a p-type thin film transistor due to the basic characteristics of the material, it is possible to realize the n-type structure only in the circuit implementation. Here, a circuit implemented in an n-type structure is a main factor in the circuit operation speed, and high gain of an inverter and a ring oscillator is a factor such as n-type only Unlike Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS), a ratioed inverter has a structure that is difficult to obtain a high gain value. FIG. 1A shows a circuit diagram of a conventional n-type inverter, and FIG. 1B shows a voltage transfer characteristic (VTC) curve of the inverter shown in FIG. 1A.
도 1a및 도 1b를 참조하면, VDD를 10V로 설정하고, Vin에 0~10V까지 인가하면서 출력 전압을 측정한 경우, 도 1b와 같은 VTC 곡선을 얻을 수 있다. 여기서 M1은 구동 박막 트랜지스터 이고, M2는 부하 박막 트랜지스터이다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 종래의 n-타입 인버터의 경우 입력 전압이 0보다 큰 경우 출력 전압이 급격하게 떨어지는 단점을 가지고 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B, when the output voltage is measured while V DD is set to 10 V and Vin is applied to 0 to 10 V, the VTC curve as shown in FIG. 1B can be obtained. Where M1 is a driving thin film transistor and M2 is a load thin film transistor. As shown in FIG. 1B, the conventional n-type inverter has a drawback that the output voltage drops sharply when the input voltage is greater than zero.
따라서 종래의 n-타입 온리(n-type only) 인버터는 비례 인버터(ratioed inverter)의 특성상 고이득을 얻을 수 없으며, 도 1b에 도시된 바와 같이 노이즈 마진(noise margin, 잡음 여유) 관점에서도 불리하다는 문제점이 있다. Therefore, the conventional n-type only inverter can not obtain a high gain due to the characteristics of a ratioed inverter, and is disadvantageous from the viewpoint of noise margin (noise margin) as shown in FIG. 1B There is a problem.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 종래의 n-타입 인버터의 부하 박막 트랜지스터(load TFT) 채널을 단 채널로 형성하여 고이득을 구현할 수 있는 산화물 반도체 인버터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an oxide semiconductor inverter capable of realizing a high gain by forming a load thin film transistor (load TFT) channel of a conventional n- .
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 디플리션 모드 (depletion mode)를 이용한 산화물 반도체 인버터는, 서로 직렬 연결된 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 및 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)를 포함하고, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1 과 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT) 의 채널 길이 L2는, L1 < L2 의 관계를 가지는 것을 특징으로 한다.An oxide semiconductor inverter using a depletion mode according to the present invention for solving the above problems includes a load thin film transistor and a driving TFT connected in series with each other, The channel length L1 of the transistor (load TFT) and the channel length L2 of the driving TFT (driving TFT) have a relationship of L1 < L2.
본 발명의 산화물 반도체 인버터에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1은, 0.1 μm 내지 3 μm의 범위에서 구현될 수 있다.In the oxide semiconductor inverter of the present invention, the channel length L 1 of the load thin film transistor (load TFT) may be in the range of 0.1 μm to 3 μm.
본 발명의 산화물 반도체 인버터에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는, 비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO)중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비할 수 있다.In the oxide semiconductor inverter of the present invention, the load thin film transistor (load TFT) may be formed of amorphous-InGaZnO 4, zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) An oxide semiconductor comprising any one of zinc tin oxide (ZTO), gallium zinc oxide (GZO), hafnium indium zinc oxide (HIZO), zinc indium tin oxide (ZITO) and aluminum zinc tin oxide (AZTO) have.
본 발명의 산화물 반도체 인버터에 있어서, 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는, 비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO)중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비할 수 있다.In the oxide semiconductor inverter of the present invention, the driving TFT may be formed of amorphous-InGaZnO 4, zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) An oxide semiconductor comprising any one of zinc tin oxide (ZTO), gallium zinc oxide (GZO), hafnium indium zinc oxide (HIZO), zinc indium tin oxide (ZITO) and aluminum zinc tin oxide (AZTO) have.
이때, 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)와 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the driving TFT and the load TFT may be formed of the same material, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 산화물 반도체 인버터에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는 디플리션 모드로 구동하고, 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는 축적 모드(accumulation mode) 로 구동함이 바람직하다.In the oxide semiconductor inverter of the present invention, it is preferable that the load thin film transistor (load TFT) is driven in a depletion mode and the driving TFT is driven in an accumulation mode.
본 발명의 산화물 반도체 인버터에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)의 구조는, 코플라나 구조 또는 백 채널 에치 방식을 이용한 역스테거드 구조로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the oxide semiconductor inverter of the present invention, the structure of the load thin film transistor (load TFT) may be a reverse stagger structure using a coplanar structure or a back channel etch structure, but is not limited thereto.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 디스플레이 구동장치는, 상술한 산화물 반도체 인버터를 이용한 산화물 반도체 구동 회로 및 상기 산화물 반도체 구동 회로를 포함하여 이루어질 수 있다.The display driving apparatus of the present invention for solving the above-mentioned problems may include an oxide semiconductor driving circuit using the oxide semiconductor inverter and the oxide semiconductor driving circuit.
본 발명에 따르면, 기존의 n-타입 인버터의 부하 TFT(load TFT)에 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 단채널 특성을 적용함으로써, 공정 및 구조의 추가 없이 디플리션 부하(depletion load) 구조를 형성하고 CMOS와 같은 고이득(high gain)을 구현할 수 있는 효과를 갖게 된다.According to the present invention, by applying the short channel characteristic of a short channel oxide semiconductor thin film transistor to a load TFT (load TFT) of a conventional n-type inverter, a depletion load structure is formed without adding a process and a structure And a high gain such as CMOS can be implemented.
도 1a는 종래의 n-타입 인버터의 회로도를 도시한 것이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 인버터의 전압전달특성(Voltage Transfer Characteristic, VTC) 곡선 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명의 산화물 반도체 박막 트랜지스터 부하를 적용한 디플리션 모드의 산화물 반도체 인버터 회로도를 도시한 것이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 산화물 반도체 인버터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 일 실시예를 도시한 것이다.
도 2c는 도 2a에 도시된 산화물 반도체 인버터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 2d는 도 2a에 도시된 구동 박막 트랜지스터에 적용되는 일반적인 채널 길이의 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적인 특성과, 부하 박막 트랜지스터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적인 특성을 도시한 것이다.
도 2e는 본 발명의 산화물 반도체 인버터의 바람직한 실시예로서, 구동(driving) TFT와 부하(load) TFT 사이의 폭비(width ratio)가 8 일 때의 VTC 그래프이다.Fig. 1A shows a circuit diagram of a conventional n-type inverter.
FIG. 1B is a graph showing a voltage transfer characteristic (VTC) curve of the inverter shown in FIG. 1A.
FIG. 2A shows a circuit diagram of an oxide semiconductor inverter in a depletion mode in which the oxide semiconductor thin film transistor load of the present invention is applied.
FIG. 2B shows an embodiment of a single channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the oxide semiconductor inverter shown in FIG. 2A.
FIG. 2C shows another embodiment of a single-channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the oxide semiconductor inverter shown in FIG. 2A.
FIG. 2D shows the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film transistor having a general channel length and the electrical characteristics of the short channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the load thin film transistor, which are applied to the drive thin film transistor shown in FIG. 2A.
2E is a VTC graph when the width ratio between the driving TFT and the load TFT is 8, which is a preferred embodiment of the oxide semiconductor inverter of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
도 2a는 본 발명의 디플리션 모드의 산화물 반도체 인버터 회로도를 도시한 것이다.2A shows a circuit diagram of an oxide semiconductor inverter in a depletion mode of the present invention.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 산화물 반도체 인버터는, 구동 박막 트랜지스터(Driving TFT)와 부하 박막 트랜지스터(Load TFT)가 직렬로 연결되어 있으며, 보다 구체적으로는 구동 박막 트랜지스터(Driving TFT)의 드레인 전극과 부하 박막 트랜지스터(Load TFT)의 소스 전극이 직렬로 연결되어 있다. 그리고 부하 박막 트랜지스터(Load TFT)는 게이트 전극과 소스 전극이 전기적으로 연결되어 디플리션 부하(depletion load) 구조를 이루는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 이루어진다. 즉, 본 발명의 산화물 반도체 인버터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 부하를 적용하여 디플리션 모드로 구현되어 있다.Referring to FIG. 2A, the oxide semiconductor inverter of the present invention includes a driving TFT and a load TFT connected in series, and more specifically, a drain electrode of a driving TFT And a source electrode of a load thin film transistor (Load TFT) are connected in series. The load thin film transistor (Load TFT) is composed of a short channel oxide semiconductor thin film transistor having a gate electrode and a source electrode electrically connected to each other to form a depletion load structure. That is, the oxide semiconductor inverter of the present invention is implemented in a depletion mode by applying an oxide semiconductor thin film transistor load.
본 발명의 구동 박막 트랜지스터(Driving TFT)는 게이트 전극, 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 형성된 일반적인 박막 트랜지스터 구조로 이루어진다. The driving TFT of the present invention comprises a general thin film transistor structure including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode.
이때, 구동 박막 트랜지스터(Driving TFT)의 채널 길이는 L1이고, 부하 박막 트랜지스터(Load TFT)의 채널 길이는 L2라고 하면, 본 발명의 산화물 반도체 인버터는 L1 < L2 의 관계를 갖도록 이루어지며, 이에 따라 별도의 공정 및 구조의 추가 없이 디플리션 부하(depletion load) 구조를 형성할 수 있게 되어, 결과적으로 CMOS와 같은 고이득(high gain)을 구현할 수 있는 효과를 갖게 된다At this time, when the channel length of the driving TFT is L1 and the channel length of the load TFT is L2, the oxide semiconductor inverter of the present invention has a relationship of L1 < L2, It is possible to form a depletion load structure without addition of a separate process and structure, and as a result, a high gain such as CMOS can be realized
도 2b는 도 2a에 도시된 산화물 반도체 인버터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 일 실시예를 도시한 것으로서, 보다 구체적으로는 코플라나 구조로 이루어진 단채널 산화물 반도체 박막 크랜지스터의 구조를 도시한 것이다.FIG. 2B illustrates an embodiment of a single channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the oxide semiconductor inverter shown in FIG. 2A, and more specifically, a structure of a single channel oxide semiconductor thin film capacitor having a coplanar structure is shown in FIG. It is.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 적용 가능한 코플라나 구조로 이루어진 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 기판(11), 버퍼층(12), 산화물 반도체(13), 게이트절연막(14), 게이트전극(15), 패시베이션층(16), 소스 및 드레인 전극(18, 19)를 포함하여 이루어질 수 있다.2A and 2B, a single channel oxide semiconductor thin film transistor having a coplanar structure applicable to the present invention includes a
기판(11)은 각 구성요소를 지지하는 부분으로서, 유리와 같은 절연물질 또는 실리콘 재질 등으로 이루어질 수 있다.The
버퍼층(12)은 기판상에 형성되며, 제조공정상에서 발생할 수 있는 불순물 유입을 방지하기 위해 형성된다. The
산화물 반도체(13)는 활성층으로 사용되는 부위로서, 비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO) 중 어느 하나의 물질 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The oxide semiconductor 13 is a region used as an active layer and includes amorphous-InGaZnO 4 , zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide ), Gallium zinc oxide (GZO), or a mixture thereof. However, the present invention is not limited thereto.
산화물 반도체(13)상에는 게이트 절연막(14) 및 게이트 전극(5)이 순차형성될 수 있다. 이때 게이트 절연막(14) 및 게이트 전극(5)의 형성은 게이트 절연막(14) 형성물질 및 게이트 전극(15)의 형성물질을 순차 적층한 후 공지의 식각공정을 거침으로써 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A
게이트 전극(15) 형성 후, 산화물 반도체(13)에 광식각공정을 수행하고, 이후 패시베이션층(16)을 증착하게 된다. After the formation of the
그리고, 패시베이션층(16)의 일부를 패터닝하여 산화물 반도체(13)가 노출되도록 컨택홀(17)을 형성하고, 증착 및 패터닝 공정을 거쳐 소스 및 드레인 전극(18, 9)를 형성하게 된다.A part of the
코플라나 구조의 박막 트랜지스터에서 채널 길이(31)은 게이트 전극(15)의 길이로 정의되며, 본 발명의 실시예에서 부하 박막 트랜지스터의 채널 길이 L1, 또는 구동 박막 트랜지스터의 채널길이 L2에 해당한다. 이때, 도 2b에 도시된 코플라나 구조의 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 채널 길이(31)는 0.1 μm 내지3 μm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 μm 내지 2 μm 이하로 구현함이 바람직하다. 채널 길이를 단채널 특성이 나타나는 2 μm 이하로 구현함으로써, 본 발명의 디플리션 모드의 산화물 반도체 인버터를 구현하기 위함이다.The
도 2c는 도 2a에 도시된 산화물 반도체 인버터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 다른 실시예를 도시한 것으로서, 보다 자세하게는 역 스테거드 구조의 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 도시한 것이다.FIG. 2C illustrates another embodiment of a single-channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the oxide semiconductor inverter shown in FIG. 2A, and more particularly, a single-channel oxide semiconductor thin film transistor having an inverted-staggered structure.
도 2a 및 도 2c를 참조하면, 본 발명에 적용 가능한 역 스테거드 구조로 이루어진 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터는, 기판(21), 게이트전극(25), 게이트절연막(24), 산화물 반도체(23), 소스 및 드레인 전극(28, 29), 패시베이션층(26) 및 화소전극(22)를 포함하여 이루어질 수 있다.2A and 2C, a single channel oxide semiconductor thin film transistor having a reverse stagger structure applicable to the present invention includes a
기판(21)은 각 구성요소를 지지하는 부분으로서, 유리와 같은 절연물질 또는 실리콘 재질 등으로 이루어질 수 있음은 도 2b에서 상술한 바와 같다.The
기판(21)상에는 게이트전극(25) 및 게이트절연막(24)가 순차형성된다. 이때 게이트전극(25)의 형성은 공지의 증착 및 식각공정을 통해 이루어질 수 있으며, 게이트전극(25) 형성 후 게이트 절연막(24)이 증착된다.A
게이트 절연막(24)상에는 증착 및 광식각공정을 거쳐 산화물 반도체(23)가 형성되고, 순차적으로 증착 및 패터닝 공정을 거쳐 소스 및 드레인 전극(28, 29)이 형성된다. 여기서 산화물 반도체(23)는 비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4) 반도체, 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO)중 어느 하나의 물질 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않음은 도 2b에서 상술한 바와 같다.The
이후 패시베이션층(16)을 증착하고, 패시베이션층(16)의 일부를 패터닝하여 드레인 전극(29)이 노출되도록 컨택홀(27)을 형성하고, 증착 및 패터닝 공정을 거쳐 화소전극(22)을 형성하게 된다. 역 스테거드 구조의 채널 길이(32)는 소스 전극(28)과 드레인 전극(29) 사이로 정의되며, 본 본 발명의 실시예에서 부하 박막 트랜지스터의 채널 길이 L1, 또는 구동 박막 트랜지스터의 채널길이 L2에 해당한다.A
이때, 도 2c에 도시된 역 스테거드 구조의 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 채널 길이(32)는 0.1 μm 내지3 μm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 μm 내지 2 μm 이하로 구현함이 바람직하다. 채널 길이를 단채널 특성이 나타나는 2 μm 이하로 구현함으로써, 본 발명의 디플리션 모드의 산화물 반도체 인버터를 구현하기 임은 도 2b에서 상술한 바와 동일하다.At this time, the
도 2d는 도 2a에 도시된 구동 박막 트랜지스터에 적용되는 일반적인 채널 길이의 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적인 특성과, 부하 박막 트랜지스터에 적용되는 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적인 특성을 도시한 것이다.FIG. 2D shows the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film transistor having a general channel length and the electrical characteristics of the short channel oxide semiconductor thin film transistor applied to the load thin film transistor, which are applied to the drive thin film transistor shown in FIG. 2A.
구체적으로 도 2d는 채널의 길이가 2 μm 이상인 일반적인 산화물 반도체 박막 트랜지스터(또는 구동 박막 트랜지스터)의 전류-전압 특성과, 채널의 길이가 2 μm 이하인 단채널 산화물 반도체 박막 트랜지스터(또는 부하 박막 트랜지스터)의 전류-전압 특성을 나타낸다. 도 2a 및 2d를 참조하면, 채널의 길이가 짧게 되면 단채널 소자 특성을 나타내는 것과 동시에 문턱 전압의 값이 (-) 방향으로 급격하게 이동함을 확인할 수 있다. 또한, 우측에 도시된 부하 박막 트랜지스터의 경우 전이곡선이 디플리션 모드로 동작함을 확인할 수 있으며, 좌측에 도시된 구동 박막 트랜지스터의 경우 축적모드로 구동하고 있음을 확인할 수 있다.More specifically, FIG. 2D shows the current-voltage characteristics of a general oxide semiconductor thin film transistor (or a driving thin film transistor) having a channel length of 2 μm or more and the current-voltage characteristics of a single channel oxide semiconductor thin film transistor Current-voltage characteristics. Referring to FIGS. 2A and 2D, when the channel length is short, it can be seen that the short-channel device characteristics and the threshold voltage value are rapidly shifted in the negative (-) direction. Also, it can be seen that the transition curve of the load thin film transistor shown in the right side operates in the depletion mode, and that the driving thin film transistor shown in the left side is driven in the accumulation mode.
따라서 본 발명에 따르면, 추가적인 마스크, 공정 단계 없이 채널의 길이 조정만으로 인핸스드 모드(enhanced mode)와 디플리션 모드(depletion mode)의 각기 다른 구동 모드를 가지는 박막 트랜지스터 소자를 구현 할 수 있음을 확인할 수 있다.Therefore, according to the present invention, it can be realized that a thin film transistor device having different driving modes, that is, an enhanced mode and a depletion mode, can be realized by merely adjusting the length of a channel without additional mask and process steps .
도 2e는 본 발명의 산화물 반도체 인버터의 바람직한 실시예로서, 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)와 부하 박막 트랜지스터(load TFT) 사이의 폭비(width ratio)가 8 일 때의 VTC 그래프이다. 도1b와 도2e를 비교하여 보면, 기존의 인핸스드 모드(enhanced mode)의 인버터는 전압 10 V 를 인가하면 부하 박막 트랜지스터의 (load TFT) 문턱 전압 (Vth) 만큼의 전압 손실을 나타낸다. 반면에 본 발명에서 제안하는 단 채널을 이용한 디플리션 모드(depletion mode)의 인버터에서는 도 2e에 결과와 같이 부하 박막 트랜지스터(load TFT)의 문턱 전압 (Vth) 손실없이 인가 전압 10 V 가 그대로 출력으로 나오는 풀 스윙 (full swing) 구동을 보여준다. 그리고 인버터 구동에 있어서 게인 (gain) 값에서도 인핸스드 모드(enhanced mode) 인버터에 비하여 디플리션 모드(depletion mode) 인버터가 높은 값을 획득함 알 수 있다. 따라서 도 2e의 경우가 출력 전압의 면 및 노이즈 마진의 면에서 도 1b에 비해 우수함을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 산화물 반도체 인버터는 안정적인 동작 및 고이득(high gain)을 구현할 수 있는 효과를 갖게 됨을 알 수 있다.2E is a VTC graph when the width ratio between the driving TFT and the load TFT is 8, which is a preferred embodiment of the oxide semiconductor inverter of the present invention. Comparing FIG. 1B and FIG. 2E, a conventional enhanced mode inverter exhibits a voltage loss of a threshold voltage (Vth) of a load TFT of a load thin film transistor when a voltage of 10V is applied. On the other hand, in the inverter of the depletion mode using the short channel proposed in the present invention, as shown in FIG. 2E, the applied voltage of 10 V is directly output without loss of the threshold voltage (Vth) of the load TFT And a full swing drive. Also, it can be seen that the depletion mode inverter obtains a higher value than the enhanced mode inverter even when the gain of the inverter is increased. Therefore, it can be confirmed that the case of FIG. 2E is superior to the case of FIG. 1B in terms of the output voltage and the noise margin. That is, it can be seen that the oxide semiconductor inverter of the present invention has a stable operation and an effect of realizing a high gain.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 부가 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined by the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
11, 21: 기판
12: 버퍼층
13, 23: 산화물 반도체
14, 24: 게이트 절연막
15, 25: 게이트전극
16, 26: 패시베이션 층
17, 27: 컨택 홀
18, 28: 소스 전극
19, 29: 드레인 전극
22: 화소전극
31, 32: 채널 길이11, 21: substrate
12: buffer layer
13, 23: oxide semiconductor
14, 24: gate insulating film
15, 25: gate electrode
16, 26: passivation layer
17, 27: Contact hole
18, 28: source electrode
19, 29: drain electrode
22:
31, 32: Channel length
Claims (9)
서로 직렬 연결된 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 및 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)를 포함하고,
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1 과 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT) 의 채널 길이 L2 는,
L1 < L2 의 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터.
In an oxide semiconductor inverter using a depletion mode,
A load thin film transistor (driving TFT) and a load thin film transistor (TFT) connected in series,
The channel length L1 of the load thin film transistor (load TFT) and the channel length L2 of the driving thin film transistor (driving TFT)
L1 < L2. ≪ / RTI >
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1은,
0.1 μm 내지 3 μm의 범위에서 구현되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터.
The method according to claim 1,
The channel length L1 of the load thin film transistor (load TFT)
Wherein the oxide semiconductor inverter is implemented in a range of 0.1 m to 3 m.
상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT) 의 채널길이 L2는 3 μm이상인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터.
The method according to claim 1,
And the channel length L2 of the driving TFT is 3 m or more.
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는,
비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO)중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 버터.
The method according to claim 1,
The load thin film transistor (load TFT)
Amorphous indium gallium zinc oxide (Amorphous-InGaZnO 4), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), gallium zinc oxide (GZO), hafnium indium zinc oxide Wherein the oxide semiconductor comprises an oxide semiconductor comprising any one of HIZO, zinc indium tin oxide (ZITO) and aluminum zinc tin oxide (AZTO).
상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는,
비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO)중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터.
The method according to claim 1,
The driving TFT (driving TFT)
Amorphous indium gallium zinc oxide (Amorphous-InGaZnO 4), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), gallium zinc oxide (GZO), hafnium indium zinc oxide Wherein the oxide semiconductor comprises an oxide semiconductor comprising any one of HIZO, zinc indium tin oxide (ZITO) and aluminum zinc tin oxide (AZTO).
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 및 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는 동일 물질로 형성된 디플리션 모드를 이용한 산화물 반도체 인버터.
The method of claim 5,
Wherein the load thin film transistor (TFT) and the driving thin film transistor (Driving TFT) are formed using the same material.
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는 디플리션 모드로 구동하고,
상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는 축적 모드(accumulation mode) 로 구동 하는 것을 특징으로 하는 디플리션 모드를 이용한 산화물 반도체 인버터.
The method according to claim 1,
The load thin film transistor (load TFT) is driven in a depletion mode,
Wherein the driving TFT of the driving TFT is driven in an accumulation mode.
상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)의 구조는, 코플라나 구조 또는 백 채널 에치 방식을 이용한 역스테거드 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the structure of the load thin film transistor (TFT) is an inverse staggered structure using a coplanar structure or a back channel etch method.
청구항 8항에 기재된 산화물 반도체 인버터를 이용한 산화물 반도체 구동 회로; 및
상기 산화물 반도체 구동 회로를 포함하는 디스플레이 구동 장치.In the display device,
An oxide semiconductor driver circuit using the oxide semiconductor inverter according to claim 8; And
And the oxide semiconductor driver circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110105115A KR101275713B1 (en) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110105115A KR101275713B1 (en) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130040387A true KR20130040387A (en) | 2013-04-24 |
| KR101275713B1 KR101275713B1 (en) | 2013-06-17 |
Family
ID=48440220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110105115A KR101275713B1 (en) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101275713B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140143108A (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device |
| KR20150050609A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Integrated gate driver |
| KR20160094528A (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5616935A (en) | 1994-02-08 | 1997-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors |
| KR101623958B1 (en) * | 2008-10-01 | 2016-05-25 | 삼성전자주식회사 | Inverter, method of operating the same and logic circuit comprising inverter |
| KR101522400B1 (en) * | 2008-11-10 | 2015-05-21 | 삼성전자주식회사 | Inverter and logic device comprising the same |
| KR101153824B1 (en) * | 2009-12-30 | 2012-06-18 | 전자부품연구원 | Thin film transistor inverter device using top and bottom gate structure and method for manufacturing thereof |
-
2011
- 2011-10-14 KR KR1020110105115A patent/KR101275713B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140143108A (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device |
| KR20150050609A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Integrated gate driver |
| KR20160094528A (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101275713B1 (en) | 2013-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9184300B2 (en) | Transistor, method of manufacturing the same, and electronic device including transistor | |
| US8089301B2 (en) | Inverter and logic device comprising the same | |
| US10170503B2 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal panel | |
| WO2015194417A1 (en) | Semiconductor device | |
| KR101275710B1 (en) | Oxide semiconductor inverter using depletion mode of dual gate thin film transistor | |
| US20110220878A1 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| US9825058B2 (en) | Oxide semiconductor transistor used as pixel element of display device and manufacturing method therefor | |
| US20120007085A1 (en) | Electronic device, method of isolating elements of electronic device, method of producing electronic device, and display apparatus including electronic device | |
| WO2016176878A1 (en) | Dual-gate tft substrate structure using coa technology | |
| He et al. | Implementation of fully self-aligned homojunction double-gate a-IGZO TFTs | |
| Lee et al. | Bulk-accumulation oxide thin-film transistor circuits with zero gate-to-drain overlap capacitance for high speed | |
| US10424672B2 (en) | Oxide semiconductor transistor | |
| US9412769B2 (en) | Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor | |
| KR101275713B1 (en) | Oxide semiconductor inverter and display driving apparatus using thereof | |
| US9768324B2 (en) | Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof | |
| WO2012063752A1 (en) | Semiconductor device and method of driving the same | |
| US8866141B2 (en) | Thin film transistor and method for fabricating the same | |
| KR20110080118A (en) | Thin film transistor having etch stop multi-layers and method of manufacturing the same | |
| KR101778223B1 (en) | Thin film transistor and manufacturing methof of the same | |
| Nag et al. | P‐12: High performance dual‐gate dual‐layer amorphous oxide semiconductors TFTs on PI foil for display application | |
| KR101308809B1 (en) | Fabrication method of oxide semiconductor thin film transistor and display devices and sensor device applying it | |
| US10976627B2 (en) | Active matrix substrate and liquid crystal display panel comprising same | |
| US9793302B1 (en) | Active device | |
| KR101420967B1 (en) | Inverter used for light emitting element driving circuit and method for manufacturing the same | |
| US20190319134A1 (en) | Thin film transistor array substrate, low temperature poly-silicon thin film transistor, and method for manufacturing low temperature poly-silicon thin film transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160607 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180611 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190423 Year of fee payment: 7 |