KR20160092535A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 실시예는 유기발광표시장치에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting display.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. In recent years, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) have been used.
이들 중에서 유기발광표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광표시장치는 데이터라인들, 스캔라인들, 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부에 형성된 다수의 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터라인들에 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 화소들 각각은 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 게이트 전극의 전압에 따라 유기발광다이오드에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호에 응답하여 데이터라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.Of these, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has excellent viewing angle, and has a high response speed. The organic light emitting display includes a display panel having data lines, scan lines, a plurality of pixels formed at intersections of the data lines and the scan lines, a scan driver for supplying scan signals to the scan lines, And a data driver for supplying data voltages. Each of the pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for controlling the amount of current supplied to the organic light emitting diode according to the voltage of the gate electrode, And supplies a voltage to the gate electrode of the driving transistor.
하지만, 제조 공정의 불균일성으로 인해, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)이 화소마다 달라지는 문제가 있다. 이 경우, 화소들 각각에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도, 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압 차이로 인하여, 유기발광다이오드가 발광하는 휘도가 화소마다 달라진다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하는 보상 방법이 제안되었다.
However, there is a problem that the threshold voltage of the driving transistor varies from pixel to pixel due to the non-uniformity of the manufacturing process. In this case, even if the same data voltage is applied to each of the pixels, the luminance at which the organic light emitting diode emits light is different for each pixel due to the threshold voltage difference of the driving transistor between the pixels. To solve this problem, a compensation method for compensating the threshold voltage of the driving transistor has been proposed.
본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상함으로써 화소들의 휘도를 균일하게 할 수 있는 유기발광표시장치를 제공한다.
An embodiment of the present invention provides an organic light emitting display in which luminance of pixels can be made uniform by compensating a threshold voltage of a driving transistor.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 스캔라인들, 데이터라인들, 및 구동전압 라인들에 접속된 화소들을 갖는 표시패널, 상기 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 상기 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부, 및 상기 구동전압 라인들에 제1 레벨 전압과 상기 제1 레벨 전압보다 낮은 제2 레벨 전압 사이에서 스윙하는 구동전압들을 공급하는 구동전압 공급부를 구비한다. 상기 표시패널은 q(q는 2 이상의 양의 정수) 개의 블록들로 분할되고, 상기 q 개의 블록들 각각은 제1 내지 제p(p는 2 이상의 양의 정수) 구동전압 라인들에 접속된 화소들을 포함한다. 상기 q 개의 블록들 각각에서 상기 제2 레벨 전압의 구동전압이 공급되는 기간의 길이는 상기 제1 내지 제p 구동전압 라인들마다 서로 다르다.
An organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a display panel having pixels connected to scan lines, data lines, and driving voltage lines, a scan driver for supplying scan signals to the scan lines, And a driving voltage supply unit for supplying driving voltage lines swinging between a first level voltage and a second level voltage lower than the first level voltage to the driving voltage lines. The display panel is divided into q (q is a positive integer equal to or greater than two) blocks, and each of the q blocks is divided into a plurality of pixels, each of which is connected to one of the first to p (p is a positive integer of 2 or more) . The length of a period during which the driving voltage of the second level voltage is supplied to each of the q blocks is different from each other for each of the first to p driving voltage lines.
본 발명의 실시예는 소정의 기간 동안 구동 트랜지스터의 소스 전극에 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 문턱전압이 보상된 구동 트랜지스터의 전류에 따라 유기발광다이오드를 발광할 수 있다.The embodiment of the present invention senses the threshold voltage of the driving transistor to the source electrode of the driving transistor for a predetermined period. As a result, the embodiment of the present invention can emit the organic light emitting diode according to the current of the driving transistor whose threshold voltage is compensated.
또한, 본 발명의 실시예는 표시패널을 복수의 블록들로 분할하고, 블록들을 순차적으로 구동함과 동시에 블록별로 구동한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 블록별로 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱을 동시에 실시하고, 화소들에 데이터전압들을 순차적으로 공급할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예는 120Hz 이상의 고속 구동을 하는 경우에도, 데이터전압 공급기간을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.In addition, the embodiment of the present invention divides the display panel into a plurality of blocks, sequentially drives the blocks, and drives the blocks sequentially. As a result, the embodiment of the present invention can simultaneously perform threshold voltage sensing of the driving transistor for each block, and sequentially supply the data voltages to the pixels. Therefore, the embodiment of the present invention has an advantage that a data voltage supply period can be sufficiently secured even when high-speed driving is performed at 120 Hz or more.
또한, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하고, 소스 전극의 전압(Vs)을 "α"만큼 상승시킨다. 이때, 소스 전극의 전압(Vs)의 상승량인 "α"는 구동 트랜지스터의 전자이동도에 따라 달라진다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 전자이동도에 따라 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차를 조정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 전자이동도를 보상할 수 있다.Further, the embodiment of the present invention supplies the data voltage to the gate electrode of the driving transistor and raises the voltage (Vs) of the source electrode by "? &Quot;. At this time, "? &Quot;, which is an increase amount of the voltage (Vs) of the source electrode, varies depending on the electron mobility of the driving transistor. As a result, in the embodiment of the present invention, the voltage difference between the gate electrode and the source electrode can be adjusted according to the electron mobility of the driving transistor, so that the electron mobility of the driving transistor can be compensated.
또한, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터를 턴-오프시키는 기간 동안 구동전압 라인에 제2 레벨 전압의 구동전압을 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터의 소스전압 상승을 최소화할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention supplies the driving voltage of the second level voltage to the driving voltage line during the period in which the driving transistor is turned off. As a result, the embodiment of the present invention can minimize the source voltage rise of the driving transistor due to the leakage current of the driving transistor.
나아가, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터를 턴-오프시키는 기간 동안 게이트 오프 전압을 갖는 전압 제어신호를 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터를 턴-오프시키는 기간 동안 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 구동전압 라인의 접속을 차단할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터의 소스전압 상승을 최소화할 수 있다.
Furthermore, embodiments of the present invention supply a voltage control signal having a gate off voltage for a period of turning off the driving transistor. As a result, since the connection between the drain electrode of the driving transistor and the driving voltage line can be cut off during the period in which the driving transistor is turned off, the rise of the source voltage of the driving transistor due to the leakage current of the driving transistor can be minimized .
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도.
도 2는 도 1의 표시패널의 블록들을 보여주는 일 예시도면.
도 3은 도 1의 화소의 일 예를 보여주는 회로도.
도 4는 도 2의 표시패널에 공급되는 스캔신호들, 초기화신호들, 및 구동전압들의 일 예를 보여주는 파형도.
도 5는 제k 스캔신호, 제k 초기화신호, 제j 데이터전압, 제k 구동전압, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도.
도 6은 제1 내지 제6 기간들 동안 화소의 구동방법을 보여주는 흐름도.
도 7a 내지 도 7f는 제1 내지 제6 기간들 동안 도 3의 화소의 동작을 보여주는 회로도들.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도.
도 9는 도 8의 표시패널의 블록들을 보여주는 일 예시도면.
도 10은 도 8의 화소의 또 다른 예를 보여주는 회로도.
도 11은 도 9의 표시패널에 공급되는 스캔신호들, 초기화신호들, 및 전압 제어신호들의 일 예를 보여주는 파형도.
도 12는 제k 스캔신호, 제k 초기화신호, 제j 데이터전압, 제k 전압 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도.1 is a block diagram showing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is an exemplary view showing the blocks of the display panel of FIG. 1; FIG.
3 is a circuit diagram showing an example of the pixel of FIG.
FIG. 4 is a waveform diagram showing an example of scan signals, initialization signals, and driving voltages supplied to the display panel of FIG. 2. FIG.
5 is a waveform diagram showing a k-th scan signal, a k-th initialization signal, a j-th data voltage, a k-th driving voltage, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
6 is a flow chart showing a method of driving a pixel during the first to sixth periods.
7A to 7F are circuit diagrams showing the operation of the pixel of FIG. 3 during the first to sixth periods.
8 is a block diagram illustrating an OLED display according to another embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view showing the blocks of the display panel of Fig.
10 is a circuit diagram showing another example of the pixel of Fig.
FIG. 11 is a waveform diagram showing an example of scan signals, initialization signals, and voltage control signals supplied to the display panel of FIG. 9; FIG.
12 is a waveform diagram showing a k-th scan signal, a k-th initialization signal, a j-th data voltage, a k-th voltage control signal, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 구동전압 공급부(50), 타이밍 제어부(60), 및 기준전압 공급부(70)를 포함한다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an OLED display includes a
표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 초기화라인들(SEN1~SENn), 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)이 마련된다. 데이터라인들(D1~Dm)은 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)과 교차되도록 형성될 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)은 서로 나란하게 형성될 수 있다.Data lines (D1 to Dm, m is a positive integer of 2 or more), scan lines (S1 to Sn, n are positive integers of 2 or more), initialization lines (SEN1 to SENn), and Driving voltage lines VDL1 to VDLn are provided. The data lines D1 to Dm may be formed to cross the scan lines S1 to Sn, the initialization lines SEN1 to SENn, and the drive voltage lines VDL1 to VDLn. The scan lines S1 to Sn, the initialization lines SEN1 to SENn, and the drive voltage lines VDL1 to VDLn may be formed in parallel with each other.
표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm), 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)에 접속된 화소(P)들이 마련된다. 화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 스캔라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 초기화라인들(SEN1~SENn) 중 어느 하나, 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn) 에 접속될 수 있다. 화소(P)들 각각은 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호와 초기화 라인의 초기화신호에 의해 제어되는 제1 및 제2 트랜지스터들, 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 및 커패시터(capacitor)를 포함할 수 있다. 화소(P)에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.The pixels P connected to the data lines D1 to Dm, the scan lines S1 to Sn, the initialization lines SEN1 to SENn and the drive voltage lines VDL1 to VDLn are connected to the
표시패널(10)은 도 2와 같이 복수의 블록들로 분할될 수 있다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 표시패널(10)의 스캔라인들(S1~S3p), 초기화라인들(SEN1~SEN3p), 구동전압 라인들(VDL1~VDL3p), 화소(P)들, 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 및 구동전압 공급부(50)만을 예시하였다. 또한, 도 2에서는 설명의 편의를 위해 표시패널(10)이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.The
도 2를 참조하면, 블록들(BL1, BL2, BL3) 각각은 동일한 개수의 화소(P)들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 표시패널(10)이 q(q는 2 이상의 양의 정수) 개의 블록들로 분할되는 경우, q 개의 블록들 각각은 p(p는 2 이상의 양의 정수) 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 이때, "p"는 "n"(스캔라인들의 총 개수)을 "q"(블록들의 개수)로 나눈 값일 수 있다.Referring to FIG. 2, each of the blocks BL1, BL2, and BL3 may include the same number of pixels. Specifically, when the
예를 들어, 표시패널(10)이 도 2와 같이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할되는 경우, 블록들(BL1, BL2, BL3) 각각은 p 개의 스캔라인들(초기화라인들 또는 구동전압 라인들)에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 도 2와 같이 제1 블록(BL1)은 제1 내지 제p 스캔라인들(S1~Sp)에 접속된 화소(P)들을 포함하고, 제2 블록(BL2)은 제p+1 내지 제2p 스캔라인들(Sp+1~S2p)에 접속된 화소(P)들을 포함하며, 제3 블록(BL3)은 제2p+1 내지 제3p 스캔라인들(S2p+1~S3p)에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 한편, p 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들은 p 개의 구동전압 라인들에 접속된 화소(P)들과 실질적으로 동일하고, p 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들은 p 개의 초기화라인들에 접속된 화소(P)들과 실질적으로 동일하다.For example, when the
데이터 구동부(20)는 적어도 하나의 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit 이하 "IC"라 칭함)를 포함한다. 소스 드라이브 IC는 데이터라인들(D1~Dm)에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 구체적으로, 소스 드라이브 IC는 타이밍 제어부(60)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 소스 타이밍 제어신호(DCS)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC는 소스 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 데이터전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 또한, 소스 드라이브 IC는 데이터전압들 이외에 보상전압 및 턴-오프전압을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급할 수 있다. 소스 드라이브 IC의 보상전압, 턴-오프전압 및 데이터전압 공급에 대한 자세한 설명은 도 5를 결부하여 후술한다.The
스캔 구동부(30)는 스캔라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 구체적으로, 스캔 구동부(30)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 공급한다. 스캔신호들은 도 4 및 도 5와 같이 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙한다. 스캔 구동부(30)의 스캔신호 공급에 대한 자세한 설명은 도 4 및 도 5를 결부하여 후술한다.The
초기화 구동부(40)는 초기화라인들(SEN1~SENn)에 접속되어 초기화신호들을 공급한다. 구체적으로, 초기화 구동부(40)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 초기화 제어신호(SENCS)에 따라 초기화라인들(SEN1~SENn)에 초기화신호들을 공급한다. 초기화신호들은 도 4 및 도 5와 같이 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙한다. 초기화 구동부(40)의 초기화신호 공급에 대한 자세한 설명은 도 4 및 도 5를 결부하여 후술한다.The
구동전압 공급부(50)는 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)에 접속되어 구동전압들을 공급한다. 구체적으로, 구동전압 공급부(50)는 타이밍 제어부(60)로 입력되는 전압 타이밍 제어신호(VDDCS)에 따라 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)에 구동전압들을 공급한다. 구동전압들은 도 4 및 도 5와 같이 제1 레벨 전압과 제2 레벨 전압 사이에서 스윙한다. 구동전압 공급부(50)의 구동전압 공급에 대한 자세한 설명은 도 4 및 도 5를 결부하여 후술한다.The driving
타이밍 제어부(60)는 외부로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력받는다. 타이밍 제어부(60)는 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40) 및 구동전압 공급부(50)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 초기화 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 초기화 타이밍 제어신호(SENCS), 및 구동전압 공급부(50)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 전압 타이밍 제어신호(VDDCS)를 포함한다.The
타이밍 제어부(60)는 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔 구동부(30)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 초기화 타이밍 제어신호(SENCS)를 초기화 구동부(40)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 전압 타이밍 제어신호(VDDCS)를 구동전압 공급부(50)로 출력한다.The
기준전압 공급부(70)는 화소(P)들에 접속된 기준전압 라인(VRL)에 접속되어 직류 기준전압을 공급한다.
The reference
도 3은 도 1의 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔라인(Sk), 제k 초기화라인(SENk), 제k 구동전압 라인(VDLk), 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 및 기준전압라인(VRL)에 접속된 화소(P)를 예시하였다. 도 3을 참조하면, 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류를 공급하기 위한 화소 구동부(PD)를 포함한다. 화소 구동부(PD)는 구동 트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.3 is a circuit diagram showing an example of the pixel of FIG. In FIG. 3, for convenience of explanation, the scan line Sk, the kth initializing line SENk, the k th driving voltage line VDLk, the jth scanning line Sk, (j is a positive integer satisfying 1? j? m) data line Dj, and a pixel P connected to the reference voltage line VRL. Referring to FIG. 3, the pixel P includes an organic light emitting diode OLED and a pixel driver PD for supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED. The pixel driver PD may include a driving transistor DT, first and second transistors ST1 and ST2, and a capacitor C.
유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 제1 레벨 전압의 구동전압보다 낮은 저전위전압이 공급되는 저전위전압라인(EVSSL)에 접속될 수 있다.The organic light emitting diode OLED emits light according to the current supplied through the driving transistor DT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the source electrode of the driving transistor DT and the cathode electrode is connected to the low potential voltage line EVSSL to which a low potential voltage lower than the driving voltage of the first level voltage is supplied .
유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전극과 캐소드전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.The organic light emitting diode OLED may include an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode. have. In the organic light emitting diode (OLED), when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively.
구동 트랜지스터(DT)는 제k 구동전압라인(VDLk)과 유기발광다이오드(OLED)에 접속된다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극의 전압에 따라 제k 구동전압라인(VDLk)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 제어한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제k 구동전압이 공급되는 제k 구동전압라인(VDLk)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT is connected to the k th driving voltage line VDLk and the organic light emitting diode OLED. The driving transistor DT controls the current flowing from the k th driving voltage line VDLk to the organic light emitting diode OLED according to the voltage of the gate electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first transistor ST1, the source electrode of the driving transistor DT is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, k drive voltage line VDLk.
제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)에 게이트 온 전압의 제k 스캔신호가 공급되는 경우 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)의 전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first transistor ST1 is turned on when the kth scan signal of the gate-on voltage is supplied to the kth scan line Sk so that the voltage of the jth data line Dj is applied to the gate electrode of the driving transistor DT Supply. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the kth scan line Sk and the first electrode thereof is connected to the gate electrode of the driving transistor DT and the second electrode thereof is connected to the jth data line Dj .
제2 트랜지스터(ST2)는 제k 초기화라인(SENk)에 게이트 온 전압의 제k 초기화신호가 공급되는 경우 턴-온되어 기준전압라인(VRL)의 기준전압을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급한다. 제2 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극은 제k 초기화라인(SENk)에 접속되고, 제1 전극은 기준전압라인(VRL)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second transistor ST2 is turned on when the k-th initialization signal of the gate-on voltage is supplied to the k-th initialization line SENk, so that the reference voltage of the reference voltage line VRL is applied to the source electrode of the driving transistor DT Supply. The gate electrode of the second transistor ST2 is connected to the kth initialization line SENk and the first electrode thereof is connected to the reference voltage line VRL and the second electrode thereof is connected to the source electrode of the driving transistor DT .
커패시터(C)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 마련된다. 커패시터(C)의 일측 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되고, 타측 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다. 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차를 일정하게 유지한다.The capacitor C is provided between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. One electrode of the capacitor C may be connected to the gate electrode of the driving transistor DT and the other electrode may be connected to the source electrode of the driving transistor DT. The capacitor C maintains a constant voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT.
도 3에서 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)의 제1 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극, 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극이 소스 전극인 경우, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다.In FIG. 3, the first electrode of the first and second transistors ST1 and ST2 may be a source electrode or a drain electrode, and the second electrode may be a different electrode from the first electrode. For example, when the first electrode is a source electrode, the second electrode may be a drain electrode.
도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 도 4 및 도 5의 파형도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.3, the driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). However, it should be noted that the driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 are not limited thereto. The driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the waveform diagrams of FIGS. 4 and 5 may be modified as appropriate to the characteristics of the P- .
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 제j 데이터라인(Dj)과 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속된 제1 트랜지스터(ST1)와, 기준전압라인(VRL)과 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속된 제2 트랜지스터(ST2)를 포함한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)의 턴-온과 제j 데이터라인(Dj)에 공급되는 전압을 조정함으로써, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱할 수 있다. 도 3에 도시된 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 보상에 대한 자세한 설명은 도 5, 도 6 및 도 7a 내지 도 7d를 결부하여 후술한다.
As described above, the pixel P according to the embodiment of the present invention includes the first transistor ST1 connected to the gate electrode of the jth data line Dj and the driving transistor DT, And a second transistor ST2 connected to the source electrode of the driving transistor DT. As a result, in the embodiment of the present invention, by adjusting the turn-on of the first and second transistors ST1 and ST2 and the voltage supplied to the jth data line Dj, the threshold voltage of the driving transistor DT Sensing can be performed. A detailed description of the threshold voltage compensation of the driving transistor DT of the pixel P shown in Fig. 3 will be described later in conjunction with Fig. 5, Fig. 6 and Figs. 7A to 7D.
도 4는 도 2의 표시패널에 공급되는 스캔신호들, 초기화신호들, 및 구동전압들의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 4에는 도 2의 제1 내지 제3p 스캔라인들(S1~S3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 스캔신호들(SCAN1~SCAN3p), 제1 내지 제3p 구동전압 라인들(VDL1~VDL3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 구동전압들(VDD1~VDD3p), 제1 내지 제3p 초기화라인들(S1~S3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 초기화신호들(SENS1~SENS3p)이 나타나 있다.FIG. 4 is a waveform diagram showing an example of scan signals, initialization signals, and driving voltages supplied to the display panel of FIG. 2. Referring to FIG. 4, the first through third p scan signals SCAN1 through SCAN3p, the first through third p drive voltage lines VDL1 through VDL3p, and the first through third p scan lines S1 through S3p shown in FIG. And first to third p initializing signals SENS1 to SENS3p supplied to the first to third p initializing lines S1 to S3p are supplied to the first to third p driving voltages VDD1 to VDD3p,
도 4를 참조하면, 1 프레임 기간은 q 개의 서브 프레임 기간들을 포함한다. 예를 들어, 도 2와 같이 표시패널(10)이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할되는 경우, 1 프레임 기간은 3 개의 서브 프레임 기간들(SF1, SF2, SF3)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, one frame period includes q sub frame periods. For example, when the
q 개의 서브 프레임 기간들 각각은 도 4와 같이 문턱전압 센싱기간(ST)과 데이터전압 공급기간(DP)을 포함한다. 문턱전압 센싱기간(ST)은 블록 내 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하는 기간이다. 데이터전압 공급기간(DP)은 블록의 화소(P)들에 데이터전압들을 공급하는 기간이다. 문턱전압 센싱기간(ST)은 도 5의 제1 내지 제3 기간들(t1~t3)을 지시하고, 데이터전압 공급기간(DP)은 도 5의 제4 내지 제6 기간들(t4~t6)을 지시한다. 제1 내지 제6 기간들(t1~t6)에 대한 자세한 설명은 도 5를 결부하여 후술한다.Each of the q subframe periods includes a threshold voltage sensing period ST and a data voltage supply period DP as shown in FIG. The threshold voltage sensing period ST is a period for sensing the threshold voltage of the driving transistor DT of each of the pixels P in the block. The data voltage supply period DP is a period of supplying data voltages to the pixels P of the block. The threshold voltage sensing period ST indicates the first to third periods t1 to t3 in FIG. 5 and the data voltage supply period DP is the fourth to sixth periods t4 to t6 in FIG. . A detailed description of the first to sixth periods t1 to t6 will be given later with reference to FIG.
스캔 구동부(30)와 초기화 구동부(40)는 제1 블록(BL1)의 화소(P)들에 접속된 스캔라인들(S1~Sp)과 초기화라인들(SEN1~SENp)에 제1 서브 프레임 기간(SF1)의 문턱전압 센싱기간(SP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCAN1~SCANp)와 게이트 온 전압(Von)의 초기화신호들(SENS1~SENSp)을 동시에 공급하고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCAN1~SCANp)을 순차적으로 공급한다. 이로 인해, 제1 서브 프레임 기간(SF1)의 문턱전압 센싱기간(ST) 동안 제1 블록(BL1)의 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱되고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 제1 블록(BL1)의 화소(P)들 각각에 데이터전압이 공급되므로 제1 블록(BL1)의 화소(P)들은 발광한다.The
스캔 구동부(30)와 초기화 구동부(40)는 제2 블록(BL2)의 화소(P)들에 접속된 스캔라인들(Sp+1~S2p)과 초기화라인들(SENp+1~SEN2p)에 제2 서브 프레임 기간(SF2)의 문턱전압 센싱기간(SP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCANp+1~SCAN2p)과 게이트 온 전압(Von)의 초기화신호들(SENSp+1~SENS2p)을 동시에 공급하고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCANp+1~SCAN2p)을 순차적으로 공급한다. 이로 인해, 제2 서브 프레임 기간(SF2)의 문턱전압 센싱기간(ST) 동안 제2 블록(BL2)의 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱되고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 제2 블록(BL2)의 화소(P)들 각각에 데이터전압이 공급되므로 제2 블록(BL2)의 화소(P)들은 발광한다.The
스캔 구동부(30)와 초기화 구동부(40)는 제3 블록(BL3)의 화소(P)들에 접속된 스캔라인들(S2p+1~S3p)과 초기화라인들(SEN2p+1~SEN3p)에 제3 서브 프레임 기간(SF3)의 문턱전압 센싱기간(SP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCAN2p+1~SCAN3p)과 게이트 온 전압(Von)의 초기화신호들(SENS2p+1~SENS3p)을 동시에 공급하고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들(SCAN2p+1~SCAN3p)을 순차적으로 공급한다. 이로 인해, 제3 서브 프레임 기간(SF3)의 문턱전압 센싱기간(ST) 동안 제3 블록(BL3)의 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱되고, 데이터전압 공급기간(DP) 동안 제3 블록(BL3)의 화소(P)들 각각에 데이터전압이 공급되므로 제3 블록(BL3)의 화소(P)들은 발광한다.The
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 표시패널(10)을 복수의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할하고, 블록들(BL1, BL2, BL3)을 순차적으로 구동함과 동시에 블록별로 구동한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 블록별로 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 센싱을 동시에 실시하고, 화소(P)들에 데이터전압들을 순차적으로 공급할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예는 120Hz 이상의 고속 구동을 하는 경우에도, 데이터전압 공급기간(DP)을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the embodiment of the present invention, the
한편, 서브 프레임 기간들(SF1, SF2, SF3) 각각에서 문턱전압 센싱기간(SP)과 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호가 공급되는 기간 사이의 기간은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전압을 유지하는 전압 유지기간(t4)으로 정의될 수 있다. 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들이 순차적으로 스캔라인들에 공급되기 때문에, 전압 유지기간(t4)의 길이는 제1 스캔라인(S1)으로부터 제p 스캔라인(Sp)으로 갈수록, 제p+1 스캔라인(Sp+1)으로부터 제2p 스캔라인(S2p)으로 갈수록, 제2p+1 스캔라인(S2p+1)으로부터 제3p 스캔라인(S3p)으로 갈수록 길어진다.On the other hand, a period between the periods in which the scan signals of the gate-on voltage Von are supplied during the threshold voltage sensing period SP and the data voltage supply period DP in the sub-frame periods SF1, SF2, and SF3, And a voltage holding period t4 for holding the gate-source voltage of the data signal DT. Since the scan signals of the gate-on voltage Von are sequentially supplied to the scan lines during the data voltage supply period DP, the length of the voltage sustain period t4 is shorter than the length of the first scan line S1 to the p- (Sp + 1) to the second p scan line (S2p), and the second p + 1 scan line (S2p + 1) to the third p scan line (S3p) .
또한, 본 발명의 실시예는 전압 유지기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압 상승을 최소화하기 위해, 구동전압들을 제2 레벨 전압(V2)으로 공급한다. 이로 인해, 제2 레벨 전압의 구동전압이 공급되는 기간의 길이는 구동전압 라인마다 서로 다르다. 즉, 제2 레벨 전압(V2)의 구동전압이 공급되는 기간의 길이는 제1 구동전압 라인(VDL1)으로부터 제p 구동전압 라인(VDLp)으로 갈수록, 제p+1 구동전압 라인(VDLp+1)으로부터 제2p 구동전압 라인(VDL2p)으로 갈수록, 제2p+1 구동전압 라인(VDLp+1)으로부터 제3p 구동전압 라인(VDL2p)으로 갈수록 길어진다.Further, the embodiment of the present invention supplies the driving voltages to the second level voltage V2 in order to minimize the voltage rise of the source electrode of the driving transistor DT during the voltage sustain period t4. Thus, the length of the period during which the driving voltage of the second level voltage is supplied differs from one driving voltage line to another. That is, the length of the period during which the driving voltage of the second level voltage V2 is supplied becomes longer from the first driving voltage line VDL1 to the p driving voltage line VDLp as the p + 1 driving voltage
한편, 전압 유지기간(t4)은 스캔라인에 따라 달라지므로, 전압 유지기간(t4) 동안 구동전압들을 제2 레벨 전압(V2)으로 공급하기 위해서, 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 구동전압 라인들(VDL1~VDLn)은 서로 나란하게 형성되는 것이 바람직하다.
In order to supply the driving voltages to the second level voltage V2 during the voltage sustain period t4, since the voltage sustain period t4 varies depending on the scan lines, the scan lines S1 to Sn, The sustain electrodes SEN1 to SENn and the driving voltage lines VDL1 to VDLn are preferably formed in parallel with each other.
도 5는 제k 스캔신호, 제k 초기화신호, 제j 데이터전압, 제k 구동전압, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다. 도 5에는 도 3의 화소(P)에 접속된 제k 구동전압 라인(VDLk)에 공급되는 제k 구동전압(VDDk), 제k 스캔라인(Sk)에 공급되는 제k 스캔신호(SCANk), 제k 초기화라인(SENk)에 공급되는 제k 초기화신호(SENSk), 제j 데이터라인(Dj)에 공급되는 전압(DVj), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs)이 나타나 있다.5 is a waveform diagram showing a k-th scan signal, a k-th initialization signal, a j-th data voltage, a k-th driving voltage, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor. 5 shows the k th driving voltage VDDk supplied to the k th driving voltage line VDLk connected to the pixel P of Fig. 3, the k th scanning signal SCANk supplied to the k th scanning line Sk, A voltage DVj supplied to the jth data line Dj, a gate voltage Vg and a source voltage Vs of the driving transistor DT supplied to the kth initializing line SENk, .
도 5를 참조하면, 서브 프레임 기간은 제1 내지 제6 기간들(t1~t6)로 구분될 수 있다. 제1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(Vref)으로 초기화하고, 게이트 전극을 보상전압(Vcomp)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하는 기간이다. 제3 기간(t3)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 턴-오프 전압(Vt)을 공급하는 기간이다. 제4 기간(t4)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 유지하는 기간이다. 제5 기간(t5)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터전압(Vdata)을 공급하는 기간이다. 제6 기간(t6)은 구동 트랜지스터(DT)의 전류에 따라 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 기간이다.Referring to FIG. 5, a subframe period may be divided into first through sixth periods t1 through t6. The first period t1 is a period in which the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref and the gate electrode is initialized to the compensation voltage Vcomp. The second period t2 is a period for sensing the threshold voltage of the driving transistor DT. The third period t3 is a period for supplying the turn-off voltage Vt to the gate electrode of the driving transistor DT. The fourth period t4 is a period for maintaining the gate-source voltage Vgs of the driving transistor DT. The fifth period t5 is a period for supplying the data voltage Vdata to the gate electrode of the driving transistor DT. The sixth period t6 is a period during which the organic light emitting diode OLED emits light according to the current of the driving transistor DT.
제2 기간(t2)은 제1, 제3 및 제5 기간들(t1, t3, t5) 각각보다 길게 구현되는 것이 바람직하다. 도 4와 같이 서브 프레임 기간들(SF1, SF2, SF3) 각각의 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들은 스캔라인들에 순차적으로 공급되기 때문에, 제4 기간(t4)의 길이는 제1 스캔라인(S1)으로부터 제p 스캔라인(Sp)으로 갈수록, 제p+1 스캔라인(Sp+1)으로부터 제2p 스캔라인(S2p)으로 갈수록, 제2p+1 스캔라인(S2p+1)으로부터 제3p 스캔라인(S3p)으로 갈수록 길어진다.The second period t2 is preferably longer than the first, third and fifth periods t1, t3 and t5, respectively. Since the scan signals of the gate-on voltage Von are sequentially supplied to the scan lines during the data voltage supply period DP of each of the sub-frame periods SF1, SF2 and SF3 as shown in FIG. 4, The length of the second p + 1 scan line Sp from the first scan line S1 to the pth scan line Sp, and from the p + 1 scan line Sp + 1 to the second p scan line S2p, (S2p + 1) to the third p scan line (S3p).
데이터 구동부(20)는 제1 및 제2 기간들(t1, t2) 동안 제j 데이터라인(Dj)에 보상전압(Vcomp)을 공급한다. 보상전압(Vcomp)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보상하기 위한 전압이다. 구동 트랜지스터(DT)가 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 보상전압(Vcomp)은 도 5와 같이 기준전압(Vref)보다 높은 전압일 수 있다.The
데이터 구동부(20)는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 제j 데이터라인(Dj)에 턴-오프전압(Vt)을 공급한다. 턴-오프전압(Vt)은 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시킬 수 있는 전압이다. 구동 트랜지스터(DT)가 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 턴-오프전압(Vt)은 도 5와 같이 보상전압(Vcomp)보다 낮은 전압일 수 있으며, 턴-오프 전압(Vt)은 기준전압(Vref)과 동일한 전압으로 설정될 수 있다. 구체적으로, 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시키기 위해서 턴-오프전압(Vt)과 제3 기간(t3) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압 간의 전압 차는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압보다 낮게 설정되어야 한다.The
데이터 구동부(20)는 제5 기간(t5) 동안 제j 데이터라인(Dj)에 데이터전압(Vdata)을 공급한다. 데이터전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)를 소정의 휘도로 발광하기 위해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되는 전압이다. 예를 들어, 데이터 구동부(20)에 공급되는 디지털 비디오 데이터(DATA)가 8 비트인 경우, 데이터전압(Vdata)은 256 개의 전압들 중 어느 하나로 공급될 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)가 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 데이터전압(Vdata)은 도 5와 같이 보상전압(Vcomp)보다 높은 전압일 수 있다.The
스캔 구동부(30)는 도 5와 같이 제1 내지 제3 및 제5 기간들(t1~t3, t5) 동안 제k 스캔라인(Sk)에 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급한다. 스캔 구동부(30)는 제4 및 제6 기간들(t4, t6) 동안 제k 스캔라인(Sk)에 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급한다.5, the
초기화 구동부(40)는 도 5와 같이 제1 기간(t1) 동안 제k 초기화라인(SENk)에 게이트 온 전압(Von)의 제k 초기화신호(SENSk)를 공급한다. 초기화 구동부(40)는 제2 내지 제6 기간들(t2~t6) 동안 제k 초기화라인(SENk)에 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 초기화신호(SENSk)를 공급한다.The
구동전압 공급부(50)는 도 5와 같이 제1, 제2, 제5 및 제6 기간들(t1, t2, t5, t6) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에 제1 레벨 전압의 제k 구동전압(VDDk)를 공급한다. 구동전압 공급부(50)는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에 제1 레벨 전압의 제k 구동전압(VDDk)를 공급한다.
The driving
도 6은 제1 내지 제6 기간들 동안 화소의 구동방법을 보여주는 흐름도이다. 도 7a 내지 도 7f는 제1 내지 제6 기간들 동안 도 3의 화소의 동작을 보여주는 회로도들이다.6 is a flowchart showing a method of driving pixels during the first to sixth periods. 7A to 7F are circuit diagrams showing the operation of the pixel of FIG. 3 during the first to sixth periods.
화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보상하는 보상방법은 크게 내부 보상방법과 외부 보상방법으로 구분된다. 내부 보상방법은 화소(P)의 내부에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하여 보상하는 방법이다. 외부 보상방법은 화소(P)에 미리 설정된 전압을 공급하고, 상기 미리 설정된 전압에 따라 상기 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압을 소정의 센싱라인을 통해 센싱하며, 센싱된 전압을 이용하여 상기 화소(P)에 공급될 디지털 비디오 데이터를 보상하는 방법이다. 본 발명의 실시예는 내부 보상방법에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보상한다.The compensation method for compensating the threshold voltage of the driving transistor DT of the pixel P is classified into an internal compensation method and an external compensation method. The internal compensation method is a method of sensing and compensating the threshold voltage of the driving transistor DT in the pixel P. The external compensation method supplies a preset voltage to the pixel P and senses the voltage of the source electrode of the driving transistor DT of the pixel P through a predetermined sensing line according to the preset voltage, And compensates digital video data to be supplied to the pixel P using a voltage. The embodiment of the present invention compensates the threshold voltage of the driving transistor DT by an internal compensation method.
이하에서는 도 5, 도 6 및 도 7a 내지 도 7f를 결부하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 구동방법을 상세히 살펴본다. 도 7a 내지 도 7f에서 턴-오프되는 트랜지스터는 점선으로 도시하였다.Hereinafter, a driving method of the pixel P according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5, 6, and 7A to 7F. The transistors turned off in Figures 7A-7F are shown in phantom.
첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(Vref)으로 초기화하고, 게이트 전극을 보상전압(Vcomp)으로 초기화한다.First, during the first period t1, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref, and the gate electrode is initialized to the compensation voltage Vcomp.
제1 기간(t1) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 보상전압(Vcomp)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제1 레벨 전압(V1)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the first period t1, the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von is supplied to the kth scan line Sk. During the first period t1, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-on voltage Von. During the first period t1, the compensation voltage Vcomp is supplied to the j-th data line Dj. During the first period t1, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the first level voltage V1.
제1 기간(t1) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 도 5 및 도 7a와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 보상전압(Vcomp)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-온된다. 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 도 5 및 도 7a와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 기준전압 라인(VRL)의 기준전압(Vref)이 공급된다. (도 6의 S101)During the first period t1, the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the first transistor ST1, the compensation voltage Vcomp of the jth data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT as shown in Figs. 5 and 7A. During the first period t1, the second transistor ST2 is turned on by the k-th initialization signal SENk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the second transistor ST2, the reference voltage Vref of the reference voltage line VRL is supplied to the source electrode of the driving transistor DT as shown in Figs. 5 and 7A. (S101 in Fig. 6)
두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱한다.Secondly, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed during the second period t2.
제2 기간(t2) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제2 기간(t2) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제2 기간(t2) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 보상전압(Vcomp)이 공급된다. 제2 기간(t2) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제1 레벨 전압(V1)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the second period t2, the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von is supplied to the kth scan line Sk. During the second period t2, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. And the compensation voltage Vcomp is supplied to the j-th data line Dj during the second period t2. During the second period t2, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the first level voltage V1.
제2 기간(t2) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 도 5 및 도 7b와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 보상전압(Vcomp)이 공급된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다.During the second period t2, the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the first transistor ST1, the compensation voltage Vcomp of the jth data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT as shown in Figs. 5 and 7B. During the second period t2, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff.
제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=Vcomp-Vref)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)은 도 5 및 도 7b와 같이 "Vcomp-Vth"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱된다. (도 6의 S102)Since the voltage difference (Vgs = Vcomp-Vref) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is larger than the threshold voltage Vth of the driving transistor DT during the second period t2, DT flows a current until the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode reaches the threshold voltage Vth. As a result, the source voltage Vs of the driving transistor DT rises to "Vcomp-Vth" as shown in Figs. 5 and 7B. Therefore, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2. (S102 in Fig. 6)
세 번째로, 제3 기간(t3) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 턴-오프전압(Vt)을 공급한다.Thirdly, the turn-off voltage Vt is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT during the third period t3.
제3 기간(t3) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제2 레벨 전압(V2)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the third period t3, the kth scan line SC is supplied with the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. During the third period t3, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. During the third period t3, the turn-off voltage Vt is supplied to the j-th data line Dj. During the third period t3, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the second level voltage V2.
제3 기간(t3) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 도 5 및 도 7c와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다.During the third period t3, the first transistor ST1 is turned on by the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the first transistor ST1, the turn-off voltage Vt is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT as shown in Figs. 5 and 7C. During the third period t3, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff.
한편, 제3 기간(t3) 동안 도 5 및 도 7c와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 턴-오프전압(Vt)이고, 커패서터(C)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압 변화량이 반영되므로 소스전압(Vs)은 "Vcomp-Vth-β"로 하강한다. 이때, β는 수학식 1과 같이 정의될 수 있다.5 and 7C, the gate voltage Vg of the driving transistor DT is the turn-off voltage Vt during the third period t3, and the driving transistor DT is driven by the capacitor C, The source voltage Vs is lowered to "Vcomp-Vth-beta ". At this time,? Can be defined as shown in Equation (1).
수학식 1에서, "Vcomp"는 보상전압, "Vt"는 턴-오프전압, "CCc"는 커패시터(C)의 용량, "CCcp"는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 형성되는 기생 커패시터의 용량을 의미한다. (도 6의 S103)CCc is the capacitance of the capacitor C and CCcp is the capacitance of the parasitic capacitor formed in the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. ≪ / RTI > (S103 in Fig. 6)
네 번째로, 제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압(Vs)을 유지한다.Fourth, the voltage Vs of the source electrode of the driving transistor DT is maintained during the fourth period t4.
제4 기간(t4) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제4 기간(t4) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제4 기간(t4) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제4 기간(t4) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제2 레벨 전압(V2)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the fourth period t4, the kth scan signal SCANk having the gate off voltage Voff is supplied to the kth scan line Sk. During the fourth period t4, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. The turn-off voltage Vt is supplied to the j-th data line Dj during the fourth period t4. During the fourth period t4, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the second level voltage V2.
제4 기간(t4) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제4 기간(t4) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다.During the fourth period t4, the first transistor ST1 is turned off by the kth scan signal SCANk having the gate-off voltage Voff. During the fourth period t4, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff.
제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압(Vg)은 도 5 및 도 7d와 같이 제3 기간(t3) 동안 공급된 턴-오프 전압(Vt)을 유지한다. 따라서, 제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)는 제3 기간(t3)에 이어서 턴-오프된 상태를 유지한다.The voltage Vg of the gate electrode of the driving transistor DT during the fourth period t4 maintains the turn-off voltage Vt supplied during the third period t3 as shown in Figs. 5 and 7D. Therefore, during the fourth period t4, the driving transistor DT remains in the turned-off state following the third period t3.
결국, 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 도 5와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압보다 작기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 턴-오프된다. 하지만, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프되더라도 미세하게 누설 전류가 흐를 수 있다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)이 미세하게 상승할 수 있다. 특히, 도 4에서 살펴본 바와 같이 화소(P)가 어느 스캔라인에 접속되는지에 따라 제4 기간(t4)의 길이가 달라질 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)은 화소(P)가 어느 스캔라인에 접속되는지에 따라 달라질 수 있다.5, since the gate-source voltage Vgs of the driving transistor DT is smaller than the threshold voltage of the driving transistor DT during the third and fourth periods t3 and t4, Is turned off. However, even if the driving transistor DT is turned off, a leakage current can flow finely. As a result, the source voltage Vs of the driving transistor DT can be slightly increased. 4, the length of the fourth period t4 may vary depending on which scan line the pixel P is connected to, so that the source voltage Vs of the driving transistor DT is set to the pixel P, May be different depending on which scan line is connected.
따라서, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시키는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에 제2 레벨 전압(V2)의 제k 구동전압(VDDk)을 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs) 상승을 최소화할 수 있다. 한편, 제2 레벨 전압(V2)과 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs) 간의 차이가 작을수록 구동 트랜지스터(DT)의 누설전류가 작아진다. 따라서, 제2 레벨 전압(V2)은 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)와의 차이가 최소화되도록 설정되는 것이 바람직하다. (도 6의 S104)Therefore, the embodiment of the present invention is applicable to the kth driving voltage line VDLk during the third and fourth periods t3 and t4, which turn off the driving transistor DT, And supplies the driving voltage VDDk. As a result, the embodiment of the present invention can minimize the rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT due to the leakage current of the driving transistor DT. On the other hand, the smaller the difference between the second level voltage V2 and the source voltage Vs of the driving transistor DT during the third and fourth periods t3 and t4, the smaller the leakage current of the driving transistor DT . Therefore, it is preferable that the second level voltage V2 is set so as to minimize the difference from the source voltage Vs of the driving transistor DT during the third and fourth periods t3 and t4. (S104 in Fig. 6)
다섯 번째로, 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터전압이 공급된다.Fifth, the data voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT during the fifth period t5.
제5 기간(t5) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제5 기간(t5) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제5 기간(t5) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 데이터전압(Vdata)이 공급된다. 제5 기간(t5) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제1 레벨 전압(V1)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the fifth period t5, the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von is supplied to the kth scan line Sk. During the fifth period t5, the k-th initialization line SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. During the fifth period (t5), the data voltage (Vdata) is supplied to the j-th data line (Dj). During the fifth period t5, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the first level voltage V1.
제5 기간(t5) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 데이터전압(Vdata)이 공급된다. 제5 기간(t5) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다.During the fifth period t5, the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the first transistor ST1, the data voltage Vdata is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. During the fifth period t5, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff.
한편, 본 발명의 실시예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(mobility, μ)를 보상할 수 있다. 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극간의 전압 차(Vgs=Vdata-(Vcomp-Vth-β))가 문턱전압(Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 문턱전압에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 하지만, 제5 기간(t5)은 제2 기간(t2)보다 짧으며, 이로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)이 "Vdata-Vth"에 도달하기 전에 제5 기간(t5)이 끝나게 된다.Meanwhile, the embodiment of the present invention can compensate for the electron mobility () of the driving transistor DT during the fifth period (t5). During the fifth period t5, the driving transistor DT has a voltage difference (Vgs = Vdata- (Vcomp-Vth-beta)) between the gate electrode and the source electrode is larger than the threshold voltage Vth, The current is allowed to flow until the voltage difference between the gate electrode and the source electrode reaches the threshold voltage. However, the fifth period t5 is shorter than the second period t2, so that the fifth period t5 ends before the source voltage Vs of the driving transistor DT reaches "Vdata-Vth" do.
구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 비례하므로, 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도가 클수록 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 더욱 커진다.The rising amount of the source voltage Vs of the driving transistor DT during the fifth period t5 is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT, And is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT. That is, the greater the electron mobility of the driving transistor DT, the greater the amount of rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT during the fifth period t5.
결국, 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 따라 소스전압(Vs)의 상승량이 달라지며, 이로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 달라진다. 즉, 본 발명의 실시 예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 따라 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)를 조정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)를 보상할 수 있다.As a result, the amount of rise of the source voltage Vs varies depending on the electron mobility K of the driving transistor DT during the fifth period t5. As a result, the voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT (Vgs). That is, in the embodiment of the present invention, the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode can be adjusted according to the electron mobility K of the driving transistor DT during the fifth period t5, Can be compensated for.
한편, 제5 기간(t5) 동안 도 5 및 도 7e와 같이 구동 트랜지스터의 게이트전압(Vg)은 "Vdata"이고, 소스전압(Vs)은 "Vcomp-Vth-β+α"까지 상승한다. 이때, "α"는 제5 기간(t5) 동안 소스전압(Vs)의 상승량으로 정의될 수 있다. 그러므로, 제5 기간(t5) 동안 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)인 "Vdata-(Vcomp-Vth-β+α)"를 저장한다. (도 6의 S105)On the other hand, during the fifth period t5, the gate voltage Vg of the driving transistor is "Vdata ", and the source voltage Vs rises to" Vcomp-Vth-beta + alpha " At this time, "alpha" may be defined as the amount of increase of the source voltage Vs during the fifth period t5. Therefore, during the fifth period t5, the capacitor C stores "Vdata- (Vcomp-Vth-beta + alpha) ", which is the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. (S105 in Fig. 6)
여섯 번째로, 제6 기간(t6) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전류에 따라 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다.Sixth, during the sixth period t6, the organic light emitting diode OLED emits light according to the current of the driving transistor DT.
제6 기간(t6) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제6 기간(t6) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제6 기간(t6) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에는 제1 레벨 전압(V1)의 제k 구동전압(VDDk)이 공급된다.During the sixth period t6, the k-th scan line SC is supplied with the k-th scan signal SCANk having the gate-off voltage Voff. During the sixth period t6, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. During the sixth period t6, the k th driving voltage line VDLk is supplied with the k th driving voltage VDDk of the first level voltage V1.
제6 기간(t6) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제6 기간(t6) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다.During the sixth period t6, the first transistor ST1 is turned off by the kth scan signal SCANk having the gate-off voltage Voff. During the sixth period t6, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff.
제6 기간(t6) 동안 커패시터(C)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=Vdata-(Vcomp-Vth-β+α))는 일정하게 유지될 수 있다. 그 결과, 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)는 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.The voltage difference (Vgs = Vdata- (Vcomp-Vth-beta + alpha)) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT can be kept constant by the capacitor C during the sixth period t6. As a result, the current Ids of the driving transistor DT flowing into the organic light emitting diode OLED can be defined as shown in Equation (2).
수학식 2를 정리하면, 수학식 3이 도출된다.Summarizing the expression (2), the expression (3) is derived.
결국, 수학식 3과 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)에 의존하지 않게 된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)은 보상된다. 결국, 유기발광다이오드(OLED)는 도 7f와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 보상된 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광한다. (도 6의 S106)As a result, the current Ids of the driving transistor DT does not depend on the threshold voltage Vth of the driving transistor DT as shown in Equation (3). That is, the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is compensated. As a result, the organic light emitting diode OLED emits light according to the current Ids of the driving transistor DT whose threshold voltage Vth of the driving transistor DT is compensated, as shown in FIG. 7F. (S106 in Fig. 6)
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 기간(t1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(Vref)으로 초기화하고, 제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 수학식 3과 같이 문턱전압이 보상된 구동 트랜지스터의 전류(Ids)에 따라 유기발광다이오드(OLED)를 발광할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref during the first period t1, and the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2. And the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode. As a result, the embodiment of the present invention can emit the organic light emitting diode OLED according to the current Ids of the driving transistor whose threshold voltage is compensated as shown in Equation (3).
또한, 본 발명의 실시예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하고, 소스 전극의 전압(Vs)을 "α"만큼 상승시킨다. 이때, 소스 전극의 전압(Vs)의 상승량인 "α"는 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도에 따라 달라진다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 따라 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)를 조정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)를 보상할 수 있다.Further, the embodiment of the present invention supplies the data voltage to the gate electrode of the driving transistor DT during the fifth period t5, and raises the voltage Vs of the source electrode by "?". At this time, "? &Quot;, which is an amount of rise of the voltage Vs of the source electrode, varies depending on the electron mobility of the driving transistor DT. As a result, the embodiment of the present invention can adjust the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode in accordance with the electron mobility K of the driving transistor DT during the fifth period t5, The electron mobility K of the electron beam can be compensated.
나아가, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시키는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 제k 구동전압 라인(VDLk)에 제2 레벨 전압(V2)의 제k 구동전압(VDDk)을 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs) 상승을 최소화할 수 있다.
Furthermore, the embodiment of the present invention is also applicable to the kth driving voltage line VDLk during the third and fourth periods t3 and t4, which turn off the driving transistor DT, And supplies the driving voltage VDDk. As a result, the embodiment of the present invention can minimize the rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT due to the leakage current of the driving transistor DT.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 타이밍 제어부(60), 전압 제어신호 구동부(80), 및 전압 공급부(90)를 포함한다.8 is a block diagram illustrating an OLED display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the OLED display includes a
도 8의 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 타이밍 제어부(60)는 도 1을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 8의 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 타이밍 제어부(60)에 대한 자세한 설명은 생략한다.The
도 8을 참조하면, 표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 초기화라인들(SEN1~SENn), 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)이 마련된다. 데이터라인들(D1~Dm)은 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)과 교차되도록 형성될 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)은 서로 나란하게 형성될 수 있다.8, data lines (D1 to Dm, m is a positive integer of 2 or more), scan lines (S1 to Sn, n are positive integers of 2 or more), initialization lines ( SEN1 to SENn, and voltage control signal lines VCL1 to VCLn. The data lines D1 to Dm may be formed to intersect the scan lines S1 to Sn, the initialization lines SEN1 to SENn, and the voltage control signal lines VCL1 to VCLn. The scan lines S1 to Sn, the initialization lines SEN1 to SENn, and the voltage control signal lines VCL1 to VCLn may be formed in parallel with each other.
표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm), 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn) 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)에 접속된 화소(P)들이 마련된다. 화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 스캔라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 초기화라인들(SEN1~SENn) 중 어느 하나, 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)에 접속될 수 있다. 화소(P)들 각각은 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호, 초기화라인의 초기화신호, 및 전압 제어신호 라인의 전압 제어신호에 의해 제어되는 제1 내지 제3 트랜지스터들, 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 및 커패시터(capacitor)를 포함할 수 있다. 화소(P)에 대한 자세한 설명은 도 10을 결부하여 후술한다.The
표시패널(10)은 도 9와 같이 복수의 블록들로 분할될 수 있다. 도 9에서는 설명의 편의를 위해 표시패널(10)의 스캔라인들(S1~S3p), 초기화라인들(SEN1~SEN3p), 구동 제어신호 라인들(VDL1~VDL3p), 구동전압 라인(VDL), 화소(P)들, 스캔 구동부(30), 초기화 구동부(40), 구동 제어신호 구동부(80), 및 전압 공급부(90)만을 예시하였다. 또한, 도 9에서는 설명의 편의를 위해 표시패널(10)이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.The
도 9를 참조하면, 블록들(BL1, BL2, BL3) 각각은 동일한 개수의 화소(P)들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 표시패널(10)이 q 개의 블록들로 분할되는 경우, q 개의 블록들 각각은 p 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 이때, "p"는 "n"(스캔라인들의 총 개수)을 "q"(블록들의 개수)로 나눈 값일 수 있다.Referring to FIG. 9, each of the blocks BL1, BL2, and BL3 may include the same number of pixels. Specifically, when the
예를 들어, 표시패널(10)이 도 9와 같이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할되는 경우, 블록들(BL1, BL2, BL3) 각각은 p 개의 스캔라인들(초기화라인들 또는 구동전압 라인들)에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 도 9와 같이 제1 블록(BL1)은 제1 내지 제p 스캔라인들(S1~Sp)에 접속된 화소(P)들을 포함하고, 제2 블록(BL2)은 제p+1 내지 제2p 스캔라인들(Sp+1~S2p)에 접속된 화소(P)들을 포함하며, 제3 블록(BL3)은 제2p+1 내지 제3p 스캔라인들(S2p+1~S3p)에 접속된 화소(P)들을 포함할 수 있다. 한편, p 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들은 p 개의 구동전압 라인들에 접속된 화소(P)들과 실질적으로 동일하다. 또한, p 개의 스캔라인들에 접속된 화소(P)들은 p 개의 초기화라인들에 접속된 화소(P)들과 실질적으로 동일하다.For example, when the
전압 제어신호 구동부(80)는 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)에 접속되어 전압 제어신호들을 공급한다. 구체적으로, 전압 제어신호 구동부(80)는 타이밍 제어부(60)로 입력되는 전압 타이밍 제어신호(VDDCS)에 따라 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)에 전압 제어신호들을 공급한다. 전압 제어신호들은 도 11 및 도 12와 같이 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙한다. 전압 제어신호 구동부(80)의 전압 제어신호 공급에 대한 자세한 설명은 도 11 및 도 12를 결부하여 후술한다.The voltage
전압 공급부(90)는 화소(P)들에 접속된 구동전압 라인(VDL)에 접속되어 직류 구동전압을 공급한다. 구동전압 라인(VDL)은 도 9와 같이 스캔라인들(S1~Sn), 초기화라인들(SEN1~SENn), 및 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCLn)과 교차될 수 있다. 전압 공급부(90)는 화소(P)들에 접속된 기준전압 라인(VRL)에 접속되어 직류 기준전압을 공급한다.
The
도 10은 도 8의 화소의 또 다른 예를 보여주는 회로도이다. 도 10에서는 설명의 편의를 위해 제k 스캔라인(Sk), 제k 초기화라인(SENk), 제k 전압 제어신호 라인(VCLk), 제j 데이터라인(Dj), 및 기준전압라인(VRL)에 접속된 화소(P)를 예시하였다. 도 10을 참조하면, 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류를 공급하기 위한 화소 구동부(PD)를 포함한다. 화소 구동부(PD)는 구동 트랜지스터(DT), 제1 내지 제3 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.10 is a circuit diagram showing another example of the pixel of Fig. In FIG. 10, for convenience of description, the kth scan line Sk, the k th initialization line SENk, the k th voltage control signal line VCLk, the j th data line Dj, and the reference voltage line VRL The connected pixel P is exemplified. Referring to FIG. 10, the pixel P includes an organic light emitting diode OLED and a pixel driver PD for supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED. The pixel driving part PD may include a driving transistor DT, first through third transistors ST1, ST2, ST3, and a capacitor C. [
도 10의 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 커패시터(C)는 도 3을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 10의 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 커패시터(C)에 대한 자세한 설명은 생략한다.The organic light emitting diode OLED, the driving transistor DT, the first and second transistors ST1 and ST2, and the capacitor C shown in Fig. 10 are substantially the same as those described with reference to Fig. Therefore, detailed description of the organic light emitting diode OLED, the driving transistor DT, the first and second transistors ST1 and ST2, and the capacitor C of FIG. 10 will be omitted.
제3 트랜지스터(ST3)는 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에 게이트 온 전압의 제k 전압 제어신호가 공급되는 경우 턴-온되어 구동전압라인(VDL)의 구동전압을 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 공급한다. 제3 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에 접속되고, 제1 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 접속되며, 제2 전극은 구동전압라인(VDL)에 접속될 수 있다.The third transistor ST3 is turned on when the k-th voltage control signal of the gate-on voltage is supplied to the k-th voltage control signal line VCLk to turn on the driving voltage of the driving voltage line VDL Drain electrode. The gate electrode of the third transistor ST3 is connected to the kth voltage control signal line VCLk and the first electrode thereof is connected to the drain electrode of the driving transistor DT and the second electrode thereof is connected to the driving voltage line VDL Can be connected.
도 10에서 제3 트랜지스터(ST3)의 제1 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극, 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극이 소스 전극인 경우, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다.In FIG. 10, the first electrode of the third transistor ST3 may be a source electrode or a drain electrode, and the second electrode may be a different electrode from the first electrode. For example, when the first electrode is a source electrode, the second electrode may be a drain electrode.
도 10에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 내지 제3 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 내지 제3 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 도 11 및 도 12의 파형도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.10, the driving transistor DT and the first to third transistors ST1, ST2, and ST3 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). However, do. The driving transistor DT and the first to third transistors ST1, ST2, and ST3 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the waveforms of FIGS. 11 and 12 are appropriately matched to the characteristics of the P- Can be modified.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 제j 데이터라인(Dj)과 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속된 제1 트랜지스터(ST1), 기준전압라인(VRL)과 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속된 제2 트랜지스터(ST2), 및 구동전압라인(VDL)과 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 접속된 제3 트랜지스터(ST3)를 포함한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 내지 제3 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3)의 턴-온과 제j 데이터라인(Dj)에 공급되는 전압을 조정함으로써, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱할 수 있다. 도 10에 도시된 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 보상에 대한 자세한 설명은 도 6 및도 12를 결부하여 후술한다.
As described above, the pixel P according to the embodiment of the present invention includes the first transistor ST1 connected to the gate electrode of the jth data line Dj and the driving transistor DT, the first transistor ST1 connected to the reference voltage line VRL A second transistor ST2 connected to the source electrode of the driving transistor DT and a third transistor ST3 connected to the driving voltage line VDL and the drain electrode of the driving transistor DT. As a result, in the embodiment of the present invention, by adjusting the turn-on of the first to third transistors ST1, ST2, and ST3 and the voltage supplied to the jth data line Dj, Voltage can be sensed. A detailed description of the threshold voltage compensation of the driving transistor DT of the pixel P shown in Fig. 10 will be described later in conjunction with Fig. 6 and Fig.
도 11은 도 9의 표시패널에 공급되는 스캔신호들, 초기화신호들, 및 전압 제어신호들의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 11에는 도 9의 제1 내지 제3p 스캔라인들(S1~S3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 스캔신호들(SCAN1~SCAN3p), 제1 내지 제3p 전압 제어신호 라인들(VCL1~VCL3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 전압 제어신호들(VCS1~VCS3p), 제1 내지 제3p 초기화라인들(S1~S3p)에 공급되는 제1 내지 제3p 초기화신호들(SENS1~SENS3p)이 나타나 있다.11 is a waveform diagram showing an example of scan signals, initialization signals, and voltage control signals supplied to the display panel of FIG. 11, the first to third p scan signals SCAN1 to SCAN3p, the first to third p voltage control signal lines VCL1 to VCL3p (shown in FIG. 9) supplied to the first to third p scan lines S1 to S3p, The first to third p voltage control signals VCS1 to VCS3p and the first to third p initialization signals S1 to S3p supplied to the first to third p initialization lines S1 to S3p have.
도 11을 참조하면, 1 프레임 기간은 q 개의 서브 프레임 기간들을 포함한다. 예를 들어, 도 9와 같이 표시패널(10)이 3 개의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할되는 경우, 1 프레임 기간은 3 개의 서브 프레임 기간들(SF1, SF2, SF3)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, one frame period includes q subframe periods. For example, when the
q 개의 서브 프레임 기간들 각각은 도 11과 같이 문턱전압 센싱기간(ST)과 데이터전압 공급기간(DP)을 포함한다. 문턱전압 센싱기간(ST)은 블록 내 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하는 기간이다. 데이터전압 공급기간(DP)은 블록의 화소(P)들에 데이터전압들을 공급하는 기간이다.Each of the q subframe periods includes a threshold voltage sensing period ST and a data voltage supply period DP as shown in FIG. The threshold voltage sensing period ST is a period for sensing the threshold voltage of the driving transistor DT of each of the pixels P in the block. The data voltage supply period DP is a period of supplying data voltages to the pixels P of the block.
도 11의 스캔 구동부(30)의 제1 내지 제3p 스캔신호들(SCAN1~SCAN3p) 공급과 초기화 구동부(40)의 제1 내지 제3p 초기화신호들(SENS1~SENS3p) 공급은 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 11의 스캔 구동부(30)의 제1 내지 제3p 스캔신호들(SCAN1~SCAN3p) 공급과 초기화 구동부(40)의 제1 내지 제3p 초기화신호들(SENS1~SENS3p) 공급에 대한 자세한 설명은 생략한다.The supply of the first to third p scan signals SCAN1 to SCAN3p of the
본 발명의 실시예는 표시패널(10)을 복수의 블록들(BL1, BL2, BL3)로 분할하고, 블록들(BL1, BL2, BL3)을 순차적으로 구동함과 동시에 블록별로 구동한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 블록별로 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 센싱을 동시에 실시하고, 화소(P)들에 데이터전압들을 순차적으로 공급할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예는 120Hz 이상의 고속 구동을 하는 경우에도, 데이터전압 공급기간(DP)을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.The embodiment of the present invention divides the
한편, 서브 프레임 기간들(SF1, SF2, SF3) 각각에서 문턱전압 센싱기간(SP)과 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호가 공급되는 기간 사이의 기간은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전압을 유지하는 전압 유지기간(t4)으로 정의될 수 있다. 데이터전압 공급기간(DP) 동안 게이트 온 전압(Von)의 스캔신호들이 순차적으로 스캔라인들에 공급되기 때문에, 전압 유지기간(t4)의 길이는 제1 스캔라인(S1)으로부터 제p 스캔라인(Sp)으로 갈수록, 제p+1 스캔라인(Sp+1)으로부터 제2p 스캔라인(S2p)으로 갈수록, 제2p+1 스캔라인(S2p+1)으로부터 제3p 스캔라인(S3p)으로 갈수록 길어진다.On the other hand, a period between the periods in which the scan signals of the gate-on voltage Von are supplied during the threshold voltage sensing period SP and the data voltage supply period DP in the sub-frame periods SF1, SF2, and SF3, And a voltage holding period t4 for holding the gate-source voltage of the data signal DT. Since the scan signals of the gate-on voltage Von are sequentially supplied to the scan lines during the data voltage supply period DP, the length of the voltage sustain period t4 is shorter than the length of the first scan line S1 to the p- (Sp + 1) to the second p scan line (S2p), and the second p + 1 scan line (S2p + 1) to the third p scan line (S3p) .
또한, 본 발명의 실시예는 전압 유지기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압 상승을 최소화하기 위해, 전압 제어신호들(VCS1~VCS3p)을 게이트 오프 전압(Voff)의 공급하여 구동전압 라인(VDDL)의 구동전압이 화소에 공급되는 것을 방지한다. 이로 인해, 게이트 오프 전압(Voff)의 전압 제어신호가 공급되는 기간의 길이는 구동전압 라인마다 서로 다르다. 즉, 게이트 오프 전압(Voff)의 전압 제어신호가 공급되는 기간의 길이는 제1 전압 제어신호 라인(VCL1)으로부터 제p 전압 제어신호 라인(VCLp)로 갈수록, 제p+1 전압 제어신호 라인(VCLp+1)으로부터 제2p 전압 제어신호 라인(VCL2p)로 갈수록, 제2p+1 전압 제어신호 라인(VCLp+1)으로부터 제3p 전압 제어신호 라인(VCL2p)로 갈수록 길어진다.The embodiment of the present invention also provides the voltage control signals VCS1 to VCS3p to the gate-off voltage Voff in order to minimize the voltage rise of the source electrode of the driving transistor DT during the voltage sustain period t4 Thereby preventing the driving voltage of the driving voltage line VDDL from being supplied to the pixel. Therefore, the length of the period during which the voltage control signal of the gate-off voltage Voff is supplied differs from one driving voltage line to another. That is, the length of the period during which the voltage control signal of the gate-off voltage Voff is supplied becomes longer from the first voltage control signal line VCL1 to the p-th voltage control signal line VCLp, 1 voltage control signal line VCLp + 1 to the second p voltage control signal line VCL2p from the second p + 1 voltage control signal line VCLp + 1 to the third p voltage control signal line VCL2p.
한편, 문턱전압 센싱기간(ST)은 도 12의 제1 내지 제3 기간들(t1~t3)을 지시하고, 데이터전압 공급기간(DP)은 도 12의 제4 내지 제6 기간들(t4~t6)을 지시한다. 제1 내지 제6 기간들(t1~t6)에 대한 자세한 설명은 도 12를 결부하여 후술한다.
The threshold voltage sensing period ST indicates the first to third periods t1 to t3 in FIG. 12, and the data voltage supply period DP is the fourth to sixth periods t4- t6. A detailed description of the first to sixth periods t1 to t6 will be given later with reference to FIG.
도 12는 제k 스캔신호, 제k 초기화신호, 제j 데이터전압, 제k 전압 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다. 도 12에는 도 10의 화소(P)에 접속된 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에 공급되는 제k 전압 제어신호(VCSk), 제k 스캔라인(Sk)에 공급되는 제k 스캔신호(SCANk), 제k 초기화라인(SENk)에 공급되는 제k 초기화신호(SENSk), 제j 데이터라인(Dj)에 공급되는 전압(DVj), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs)이 나타나 있다.12 is a waveform diagram showing a k-th scan signal, a k-th initialization signal, a j-th data voltage, a k-th voltage control signal, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor. 12 shows the kth voltage control signal VCSk supplied to the k th voltage control signal line VCLk connected to the pixel P of Fig. 10, the k th scan signal SCANk supplied to the kth scan line Sk, A voltage DVj supplied to the jth data line Dj, a gate voltage Vg of the driving transistor DT, and a source voltage Vg supplied to the kth initialization line SENk, Vs).
도 12의 제1 내지 제6 기간들(t1~t6), 제1 내지 제6 기간들(t1~t6) 동안 데이터 구동부(20)의 전압 공급, 스캔 구동부(30)의 스캔신호 공급, 및 초기화 구동부(40)의 초기화신호 공급은 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 12의 제1 내지 제6 기간들(t1~t6), 제1 내지 제6 기간들(t1~t6) 동안 데이터 구동부(20)의 전압 공급, 스캔 구동부(30)의 스캔신호 공급, 및 초기화 구동부(40)의 초기화신호 공급에 대한 자세한 설명은 생략한다.The voltage supply of the
전압 제어신호 구동부(80)는 도 12와 같이 제1, 제2, 제5 및 제6 기간들(t1, t2, t5, t6) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에 게이트 온 전압(Von)의 제k 전압 제어신호(VCSk)를 공급한다. 전압 제어신호 구동부(80)는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 전압 제어신호(VCSk)를 공급한다.The voltage
이하에서는, 도 6, 도 10, 및 도 12를 결부하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소(P)의 구동방법을 상세히 살펴본다.Hereinafter, a driving method of the pixel P according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6, 10, and 12. FIG.
첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(Vref)으로 초기화한다. 제1 기간(t1) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 온 전압(Von)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급되며, 이로 인해 제3 트랜지스터(ST3)가 턴-온된다. 그 결과, 제1 기간(t1) 동안 도 10의 화소(P)의 동작은 도 5, 도 6 및 도 7a를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로 생략한다. (도 6의 S101)First, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref during the first period t1. During the first period t1, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate on voltage Von, thereby turning on the third transistor ST3. As a result, the operation of the pixel P in Fig. 10 during the first period t1 is substantially the same as that described with reference to Figs. 5, 6, and 7A, and therefore will not be described. (S101 in Fig. 6)
두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱한다. 제2 기간(t2) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 온 전압(Von)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급되며, 이로 인해 제3 트랜지스터(ST3)가 턴-온된다. 그 결과, 제2 기간(t2) 동안 도 10의 화소(P)의 동작은 도 5, 도 6 및 도 7b를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로 생략한다. (도 6의 S102)Secondly, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed during the second period t2. During the second period t2, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate on voltage Von, thereby turning on the third transistor ST3. As a result, the operation of the pixel P in Fig. 10 during the second period t2 is substantially the same as that described with reference to Figs. 5, 6, and 7B, and therefore will not be described. (S102 in Fig. 6)
세 번째로, 제3 기간(t3) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 턴-오프전압(Vt)을 공급한다.Thirdly, the turn-off voltage Vt is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT during the third period t3.
제3 기간(t3) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급된다.During the third period t3, the kth scan line SC is supplied with the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. During the third period t3, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. During the third period t3, the turn-off voltage Vt is supplied to the j-th data line Dj. During the third period t3, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate off voltage Voff.
제3 기간(t3) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 온 전압(Von)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 도 5 및 도 7c와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다. 제3 기간(t3) 동안 제3 트랜지스터(ST3)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 전압 제어신호(VCSk)에 의해 턴-오프된다.During the third period t3, the first transistor ST1 is turned on by the kth scan signal SCANk having the gate-on voltage Von. Due to the turn-on of the first transistor ST1, the turn-off voltage Vt is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT as shown in Figs. 5 and 7C. During the third period t3, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff. During the third period t3, the third transistor ST3 is turned off by the k-th voltage control signal VCSk having the gate-off voltage Voff.
한편, 제3 기간(t3) 동안 도 12와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 턴-오프전압(Vt)이고, 커패서터(C)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압 변화량이 반영되므로 소스전압(Vs)은 "Vcomp-Vth-β"로 하강한다. 이때, β는 수학식 1과 같이 정의될 수 있다. (도 6의 S103)During the third period t3, the gate voltage Vg of the driving transistor DT is the turn-off voltage Vt as shown in FIG. 12, The source voltage Vs falls to "Vcomp-Vth-beta ". At this time,? Can be defined as shown in Equation (1). (S103 in Fig. 6)
네 번째로, 제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압(Vs)을 유지한다.Fourth, the voltage Vs of the source electrode of the driving transistor DT is maintained during the fourth period t4.
제4 기간(t4) 동안 제k 스캔라인(Sk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)가 공급된다. 제4 기간(t4) 동안 제k 초기화라인(SENk)에는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENSk)가 공급된다. 제4 기간(t4) 동안 제j 데이터라인(Dj)에는 턴-오프전압(Vt)이 공급된다. 제3 기간(t3) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급된다.During the fourth period t4, the kth scan signal SCANk having the gate off voltage Voff is supplied to the kth scan line Sk. During the fourth period t4, the k-th initialization signal SENk is supplied with the k-th initialization signal SENSk having the gate-off voltage Voff. The turn-off voltage Vt is supplied to the j-th data line Dj during the fourth period t4. During the third period t3, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate off voltage Voff.
제4 기간(t4) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제4 기간(t4) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 초기화신호(SENk)에 의해 턴-오프된다. 제4 기간(t4) 동안 제3 트랜지스터(ST3)는 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 전압 제어신호(VCSk)에 의해 턴-오프된다.During the fourth period t4, the first transistor ST1 is turned off by the kth scan signal SCANk having the gate-off voltage Voff. During the fourth period t4, the second transistor ST2 is turned off by the k-th initialization signal SENk having the gate-off voltage Voff. During the fourth period t4, the third transistor ST3 is turned off by the k-th voltage control signal VCSk having the gate-off voltage Voff.
제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압(Vg)은 도 12와 같이 제3 기간(t3) 동안 공급된 턴-오프 전압(Vt)을 유지한다. 따라서, 제4 기간(t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)는 제3 기간(t3)에 이어서 턴-오프된 상태를 유지한다.The voltage Vg of the gate electrode of the driving transistor DT during the fourth period t4 maintains the turn-off voltage Vt supplied during the third period t3 as shown in Fig. Therefore, during the fourth period t4, the driving transistor DT remains in the turned-off state following the third period t3.
결국, 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 도 12와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압보다 작기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 턴-오프된다. 하지만, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프되더라도 미세하게 누설 전류가 흐를 수 있다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)이 미세하게 상승할 수 있다. 특히, 도 4에서 살펴본 바와 같이 화소(P)가 어느 스캔라인에 접속되는지에 따라 제4 기간(t4)의 길이가 달라질 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)은 화소(P)가 어느 스캔라인에 접속되는지에 따라 달라질 수 있다.12, since the gate-source voltage Vgs of the driving transistor DT is smaller than the threshold voltage of the driving transistor DT during the third and fourth periods t3 and t4, Is turned off. However, even if the driving transistor DT is turned off, a leakage current can flow finely. As a result, the source voltage Vs of the driving transistor DT can be slightly increased. 4, the length of the fourth period t4 may vary depending on which scan line the pixel P is connected to, so that the source voltage Vs of the driving transistor DT is set to the pixel P, May be different depending on which scan line is connected.
따라서, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시키는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 전압 제어신호(VCSk)를 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 구동전압 라인(VDL)의 접속을 차단할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs) 상승을 최소화할 수 있다. (도 6의 S104)Therefore, the embodiment of the present invention supplies the k-th voltage control signal VCSk having the gate-off voltage Voff during the third and fourth periods t3 and t4 that turn off the driving transistor DT . As a result, the embodiment of the present invention can cut off the connection between the drain electrode of the driving transistor DT and the driving voltage line VDL during the third and fourth periods t3 and t4, The rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT due to the leakage current can be minimized. (S104 in Fig. 6)
다섯 번째로, 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터전압이 공급된다. 제5 기간(t5) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 온 전압(Von)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급되며, 이로 인해 제3 트랜지스터(ST3)가 턴-온된다. 그 결과, 제5 기간(t5) 동안 도 10의 화소(P)의 동작은 도 5, 도 6 및 도 7e를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로 생략한다. (도 6의 S105)Fifth, the data voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT during the fifth period t5. During the fifth period t5, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate on voltage Von, whereby the third transistor ST3 is turned on. As a result, during the fifth period t5, the operation of the pixel P in Fig. 10 is substantially the same as that described with reference to Figs. 5, 6, and 7E, and therefore will not be described. (S105 in Fig. 6)
여섯 번째로, 제6 기간(t6) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전류에 따라 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. 제6 기간(t6) 동안 제k 전압 제어신호 라인(VCLk)에는 게이트 온 전압(Von)의 제k 전압 제어신호(VCSk)가 공급되며, 이로 인해 제3 트랜지스터(ST3)가 턴-온된다. 그 결과, 제6 기간(t6) 동안 도 10의 화소(P)의 동작은 도 5, 도 6 및 도 7f를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로 생략한다. (도 6의 S106)Sixth, during the sixth period t6, the organic light emitting diode OLED emits light according to the current of the driving transistor DT. During the sixth period t6, the k th voltage control signal line VCLk is supplied with the k th voltage control signal VCSk of the gate on voltage Von, thereby turning on the third transistor ST3. As a result, during the sixth period t6, the operation of the pixel P in Fig. 10 is substantially the same as that described with reference to Figs. 5, 6 and 7F, and thus will not be described. (S106 in Fig. 6)
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 기간(t1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(Vref)으로 초기화하고, 제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 수학식 3과 같이 문턱전압이 보상된 구동 트랜지스터의 전류(Ids)에 따라 유기발광다이오드(OLED)를 발광할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref during the first period t1, and the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2. And the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode. As a result, the embodiment of the present invention can emit the organic light emitting diode OLED according to the current Ids of the driving transistor whose threshold voltage is compensated as shown in Equation (3).
또한, 본 발명의 실시예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하고, 소스 전극의 전압(Vs)을 "α"만큼 상승시킨다. 이때, 소스 전극의 전압(Vs)의 상승량인 "α"는 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도에 따라 달라진다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제5 기간(t5) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)에 따라 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)를 조정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전자이동도(K)를 보상할 수 있다.Further, the embodiment of the present invention supplies the data voltage to the gate electrode of the driving transistor DT during the fifth period t5, and raises the voltage Vs of the source electrode by "?". At this time, "? &Quot;, which is an amount of rise of the voltage Vs of the source electrode, varies depending on the electron mobility of the driving transistor DT. As a result, the embodiment of the present invention can adjust the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode in accordance with the electron mobility K of the driving transistor DT during the fifth period t5, The electron mobility K of the electron beam can be compensated.
나아가, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시키는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 게이트 오프 전압(Voff)을 갖는 제k 전압 제어신호(VCSk)를 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제3 및 제4 기간들(t3, t4) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 구동전압 라인(VDL)의 접속을 차단할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 누설전류에 의한 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs) 상승을 최소화할 수 있다.Further, the embodiment of the present invention supplies the k-th voltage control signal VCSk having the gate-off voltage Voff during the third and fourth periods t3 and t4 for turning off the driving transistor DT . As a result, the embodiment of the present invention can cut off the connection between the drain electrode of the driving transistor DT and the driving voltage line VDL during the third and fourth periods t3 and t4, The rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT due to the leakage current can be minimized.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10: 표시패널
20: 데이터 구동부
30: 스캔 구동부
40: 초기화 구동부
50: 구동전압 공급부
60: 타이밍 제어부
70: 기준전압 공급부
80: 전압 제어신호 구동부
90: 전압 공급부
P: 화소
DT: 구동 트랜지스터
ST1: 제1 트랜지스터
ST2: 제2 트랜지스터
ST3: 제3 트랜지스터
OLED: 유기발광다이오드
C: 커패시터
VRL: 기준전압 라인
VDL: 구동전압 라인
Sk: 제k 스캔라인
VCLk: 제k 전압 제어신호 라인
SENk: 제k 초기화라인
Dj: 제j 데이터라인
SCANk: 제k 스캔신호
SENSk: 제k 초기화신호
VCSk: 제k 전압 제어신호
Vg: 게이트전압
Vs: 소스전압
Vref: 기준전압
Vcomp: 보상전압
Vt: 턴-오프전압
Vdata: 데이터전압
Von: 게이트 온 전압
Voff: 게이트 오프 전압10: display panel 20: data driver
30: scan driver 40: initialization driver
50: driving voltage supply unit 60: timing control unit
70: reference voltage supply unit 80: voltage control signal driver
90: voltage supply unit P: pixel
DT: driving transistor ST1: first transistor
ST2: second transistor ST3: third transistor
OLED: Organic Light Emitting Diode C: Capacitor
VRL: reference voltage line VDL: drive voltage line
Sk: kth scan line VCLk: kth voltage control signal line
SENk: kth initialization line Dj: jth data line
SCANk: kth scan signal SENSk: kth initialization signal
VCSk: kth voltage control signal Vg: gate voltage
Vs: source voltage Vref: reference voltage
Vcomp: compensation voltage Vt: turn-off voltage
Vdata: data voltage Von: gate-on voltage
Voff: gate-off voltage
Claims (16)
상기 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부;
상기 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 구동전압 라인들에 제1 레벨 전압과 상기 제1 레벨 전압보다 낮은 제2 레벨 전압 사이에서 스윙하는 구동전압들을 공급하는 구동전압 공급부를 구비하고,
상기 표시패널은 q(q는 2 이상의 양의 정수) 개의 블록들로 분할되고, 상기 q 개의 블록들 각각은 제1 내지 제p(p는 2 이상의 양의 정수) 구동전압 라인들에 접속된 화소들을 포함하며,
상기 q 개의 블록들 각각에서 상기 제2 레벨 전압의 구동전압이 공급되는 기간의 길이는 상기 제1 내지 제p 구동전압 라인들마다 서로 다른 유기발광표시장치.A display panel having pixels connected to scan lines, data lines, and drive voltage lines;
A scan driver for supplying scan signals to the scan lines;
A data driver for supplying data voltages to the data lines; And
And a driving voltage supply unit for supplying driving voltages swinging between a first level voltage and a second level voltage lower than the first level voltage to the driving voltage lines,
The display panel is divided into q (q is a positive integer equal to or greater than 2) blocks, and each of the q blocks is divided into a plurality of pixels, each of which is connected to the first to the p / RTI >
Wherein a length of a period during which the driving voltage of the second level voltage is supplied to each of the q blocks is different for each of the first to p driving voltage lines.
상기 q 개의 블록들 각각에서 상기 제2 레벨 전압의 구동전압이 공급되는 기간의 길이는 상기 제1 구동전압 라인으로부터 제p 구동전압 라인으로 갈수록 길어지는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein a length of a period during which the driving voltage of the second level voltage is supplied to each of the q blocks becomes longer from the first driving voltage line to the p driving voltage line.
상기 화소는,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드와 구동전압이 공급되는 상기 구동전압 라인에 접속된 구동 트랜지스터;
상기 데이터라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제1 트랜지스터;
상기 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속된 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 접속된 커패시터를 포함하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The pixel includes:
Organic light emitting diodes;
A driving transistor connected to the organic light emitting diode and the driving voltage line to which a driving voltage is supplied;
A first transistor connected to the data line and a gate electrode of the driving transistor;
A second transistor connected to the reference voltage line and a source electrode of the driving transistor; And
And a capacitor connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor.
상기 구동전압 공급부는,
상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 초기화하는 제1 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제2 기간 동안 상기 제1 레벨 전압의 구동전압을 상기 구동전압 라인에 공급하고, 상기 구동 트랜지스터를 턴-오프시키는 제3 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압을 유지하는 제4 기간 동안 상기 제2 레벨 전압의 구동전압을 상기 구동전압 라인에 공급하며, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하는 제5 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 전류에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광하는 제6 기간 동안 상기 제1 레벨 전압의 구동전압을 상기 구동전압 라인에 공급하는 유기발광표시장치.The method of claim 3,
The driving voltage supply unit includes:
Supplying a driving voltage of the first level voltage to the driving voltage line during a first period for initializing a source electrode of the driving transistor and a second period for sensing a threshold voltage of the driving transistor, And supplying a driving voltage of the second level voltage to the driving voltage line during a fourth period for maintaining the gate-source voltage of the driving transistor, and supplying a data voltage to the gate electrode of the driving transistor And supplies the driving voltage of the first level voltage to the driving voltage line during a sixth period during which the organic light emitting diode emits light by the fifth period and the current of the driving transistor.
상기 제1 기간 동안 상기 제1 및 제2 트랜지스터들이 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 데이터라인의 보상전압이 공급되고, 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에는 상기 기준전압 라인의 기준전압이 공급되고,
상기 제2 기간 동안 상기 제1 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 보상전압이 공급되며,
상기 제3 기간 동안 상기 제1 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 턴-오프전압이 공급되고,
상기 제4 및 제6 기간들 동안 상기 제1 및 제2 트랜지스터들은 턴-오프되며,
상기 제5 기간 동안 상기 제1 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 데이터라인의 데이터전압이 공급되는 유기발광표시장치.5. The method of claim 4,
The first and second transistors are turned on during the first period so that a compensation voltage of the data line is supplied to a gate electrode of the driving transistor and a reference voltage of the reference voltage line is supplied to a source electrode of the driving transistor And,
The first transistor is turned on during the second period so that the compensation voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor,
The first transistor is turned on during the third period so that the turn-off voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor,
The first and second transistors are turned off during the fourth and sixth periods,
Wherein the first transistor is turned on during the fifth period and a data voltage of the data line is supplied to a gate electrode of the driving transistor.
상기 화소들에 접속된 초기화라인들을 더 구비하고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 스캔라인에 게이트 온 전압의 스캔 신호가 공급되는 경우 턴-온되어 상기 데이터라인의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 초기화라인에 게이트 온 전압의 초기화 신호가 공급되는 경우 턴-온되어 상기 기준전압 라인의 상기 기준전압을 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 공급하는 유기발광표시장치.5. The method of claim 4,
Further comprising initialization lines connected to the pixels,
Wherein the first transistor is turned on when a scan signal of a gate-on voltage is supplied to the scan line to supply a voltage of the data line to a gate electrode of the drive transistor,
Wherein the second transistor is turned on when an initialization signal of a gate-on voltage is supplied to the initialization line to supply the reference voltage of the reference voltage line to the source electrode of the driving transistor.
상기 스캔라인들, 상기 초기화라인들, 및 상기 구동전압 라인들은 서로 나란한 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the scan lines, the initialization lines, and the driving voltage lines are parallel to each other.
상기 초기화라인들에 초기화신호들을 공급하는 초기화 구동부를 더 구비하고,
상기 데이터 구동부는 상기 데이터라인에 상기 제1 및 제2 기간들 동안 보상전압을 공급하고, 상기 제3 및 제4 기간들 동안 턴-오프전압을 공급하며, 상기 제5 기간 동안 상기 데이터전압을 공급하고,
상기 스캔 구동부는 상기 스캔라인에 상기 제1 내지 제3 기간들 및 상기 제5 기간 동안 게이트 온 전압을 갖는 스캔신호를 공급하고, 상기 제4 및 제6 기간들 동안 게이트 오프 전압을 갖는 스캔신호를 공급하며,
상기 초기화 구동부는 상기 초기화라인에 상기 제1 기간 동안 게이트 온 전압을 갖는 초기화신호를 공급하고, 상기 제2 내지 제6 기간들 동안 게이트 오프 전압을 갖는 초기화신호를 공급하는 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
Further comprising an initialization driver for supplying initialization signals to the initialization lines,
Wherein the data driver supplies a compensation voltage for the first and second periods to the data line and supplies a turn-off voltage during the third and fourth periods, and,
The scan driver supplies a scan signal having a gate-on voltage to the scan line during the first period to the third period and the scan signal having a gate-off voltage during the fourth and sixth periods, Supply,
Wherein the initialization driver supplies an initialization signal having a gate-on voltage for the first period to the initialization line, and supplies an initialization signal having a gate-off voltage during the second to the sixth periods.
상기 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부;
상기 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부;
상기 구동전압 라인들에 직류 구동전압을 공급하는 구동전압 공급부; 및
상기 전압 제어신호 라인들에 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하는 전압 제어신호들을 공급하는 전압 제어신호 구동부를 구비하고,
상기 표시패널은 q(q는 2 이상의 양의 정수) 개의 블록들로 분할되고, 상기 q 개의 블록들 각각은 제1 내지 제p(p는 2 이상의 양의 정수) 전압 제어신호 라인들에 접속된 화소들을 포함하며,
상기 q 개의 블록들 각각에서 상기 게이트 오프 전압의 전압 제어신호가 공급되는 기간의 길이는 상기 제1 내지 제p 전압 제어신호 라인들마다 서로 다른 유기발광표시장치.A display panel having scan lines, data lines, voltage control signal lines, and pixels connected to drive voltage lines;
A scan driver for supplying scan signals to the scan lines;
A data driver for supplying data voltages to the data lines;
A driving voltage supplier for supplying a DC driving voltage to the driving voltage lines; And
And a voltage control signal driver for supplying voltage control signals swinging between a gate-on voltage and a gate-off voltage to the voltage control signal lines,
The display panel is divided into q (q is a positive integer of 2 or more) blocks, and each of the q blocks is connected to first to p (p is a positive integer equal to or more than two) voltage control signal lines Pixels,
Wherein a length of a period during which the voltage control signal of the gate off voltage is supplied to each of the q blocks is different for each of the first through p voltage control signal lines.
상기 q 개의 블록들 각각에서 상기 게이트 오프 전압의 전압 제어신호가 공급되는 기간의 길이는 상기 제1 전압 제어신호 라인으로부터 제p 전압 제어신호 라인으로 갈수록 길어지는 유기발광표시장치.10. The method of claim 9,
Wherein a length of a period during which the voltage control signal of the gate off voltage is supplied to each of the q blocks becomes longer from the first voltage control signal line to the p voltage control signal line.
상기 화소는,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드와 구동전압이 공급되는 상기 구동전압 라인에 접속된 구동 트랜지스터;
상기 데이터라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제1 트랜지스터;
상기 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속된 제2 트랜지스터;
상기 구동전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 제3 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 접속된 커패시터를 포함하는 유기발광표시장치.10. The method of claim 9,
The pixel includes:
Organic light emitting diodes;
A driving transistor connected to the organic light emitting diode and the driving voltage line to which a driving voltage is supplied;
A first transistor connected to the data line and a gate electrode of the driving transistor;
A second transistor connected to the reference voltage line and a source electrode of the driving transistor;
A third transistor connected to the driving voltage line and the drain electrode of the driving transistor; And
And a capacitor connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor.
상기 전압 제어신호 구동부는,
상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 초기화하는 제1 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제2 기간 동안 상기 게이트 온 전압의 전압 제어신호를 상기 전압 제어신호 라인에 공급하고, 상기 구동 트랜지스터를 턴-오프시키는 제3 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압을 유지하는 제4 기간 동안 상기 게이트 오프 전압의 전압 제어신호를 상기 전압 제어신호 라인에 공급하며, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하는 제5 기간 및 상기 구동 트랜지스터의 전류에 의해 상기 유기발광다이오드가 발광하는 제6 기간 동안 상기 게이트 온 전압의 전압 제어신호를 상기 전압 제어신호 라인에 공급하는 유기발광표시장치.12. The method of claim 11,
Wherein the voltage control signal driver comprises:
A voltage control signal of the gate-on voltage is supplied to the voltage control signal line during a first period for initializing a source electrode of the driving transistor and a second period for sensing a threshold voltage of the driving transistor, Off voltage is supplied to the voltage control signal line during a third period during which the gate-source voltage of the driving transistor is maintained and during a fourth period during which the gate-source voltage of the driving transistor is maintained, And supplies a voltage control signal of the gate-on voltage to the voltage control signal line during a sixth period during which the organic light emitting diode emits light by a current of the driving transistor.
상기 제1 기간 동안 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들이 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 데이터라인의 보상전압이 공급되고, 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에는 상기 기준전압 라인의 기준전압이 공급되며, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 구동전압이 공급되고,
상기 제2 기간 동안 상기 제1 및 제3 트랜지스터들이 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 보상전압이 공급되며, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 구동전압이 공급되고,
상기 제3 기간 동안 상기 제1 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 턴-오프전압이 공급되고,
상기 제4 기간 동안 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들은 턴-오프되며,
상기 제5 기간 동안 상기 제1 및 제3 트랜지스터들이 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 데이터라인의 데이터전압이 공급되고, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 구동전압이 공급되며,
상기 제6 기간 동안 상기 제3 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 구동전압이 공급되는 유기발광표시장치.13. The method of claim 12,
The first to third transistors are turned on during the first period so that a compensation voltage of the data line is supplied to a gate electrode of the driving transistor and a reference voltage of the reference voltage line is supplied to a source electrode of the driving transistor The driving voltage is supplied to the drain electrode of the driving transistor,
The first and third transistors are turned on during the second period so that the compensation voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor, the driving voltage is supplied to the drain electrode of the driving transistor,
The first transistor is turned on during the third period so that the turn-off voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor,
During the fourth period, the first to third transistors are turned off,
The first and third transistors are turned on during the fifth period so that a data voltage of the data line is supplied to a gate electrode of the driving transistor and the driving voltage is supplied to a drain electrode of the driving transistor,
And the third transistor is turned on during the sixth period so that the driving voltage is supplied to the drain electrode of the driving transistor.
상기 화소들에 접속된 초기화라인들을 더 구비하고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 스캔라인에 게이트 온 전압의 스캔 신호가 공급되는 경우 턴-온되어 상기 데이터라인의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 초기화라인에 게이트 온 전압의 초기화 신호가 공급되는 경우 턴-온되어 상기 기준전압 라인의 상기 기준전압을 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 공급하며,
상기 제3 트랜지스터는 상기 전압 제어신호 라인에 게이트 온 전압의 전압 제어신호가 공급되는 경우 턴-온되어 상기 구동전압 라인의 상기 구동전압을 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 공급하는 유기발광표시장치.13. The method of claim 12,
Further comprising initialization lines connected to the pixels,
Wherein the first transistor is turned on when a scan signal of a gate-on voltage is supplied to the scan line to supply a voltage of the data line to a gate electrode of the drive transistor,
Wherein the second transistor is turned on when an initialization signal of a gate-on voltage is supplied to the initialization line to supply the reference voltage of the reference voltage line to the source electrode of the driving transistor,
And the third transistor is turned on when a voltage control signal of a gate-on voltage is supplied to the voltage control signal line to supply the driving voltage of the driving voltage line to the drain electrode of the driving transistor.
상기 초기화라인들에 초기화신호들을 공급하는 초기화 구동부를 더 구비하고,
상기 데이터 구동부는 상기 데이터라인에 상기 제1 및 제2 기간들 동안 보상전압을 공급하고, 상기 제3 및 제4 기간들 동안 상기 턴-오프전압을 공급하며, 상기 제5 기간 동안 상기 데이터전압을 공급하고,
상기 스캔 구동부는 상기 스캔라인에 상기 제1 내지 제3 기간들 및 상기 제5 기간 동안 게이트 온 전압을 갖는 스캔신호를 공급하고, 상기 제4 및 제6 기간들 동안 게이트 오프 전압을 갖는 스캔신호를 공급하며,
상기 초기화 구동부는 상기 초기화라인에 상기 제1 기간 동안 게이트 온 전압을 갖는 초기화신호를 공급하고, 상기 제2 내지 제6 기간들 동안 게이트 오프 전압을 갖는 초기화신호를 공급하는 유기발광표시장치.15. The method of claim 14,
Further comprising an initialization driver for supplying initialization signals to the initialization lines,
Wherein the data driver supplies the data line with a compensation voltage during the first and second periods, supplies the turn-off voltage during the third and fourth periods, and supplies the data voltage during the fifth period Supply,
The scan driver supplies a scan signal having a gate-on voltage to the scan line during the first period to the third period and the scan signal having a gate-off voltage during the fourth and sixth periods, Supply,
Wherein the initialization driver supplies an initialization signal having a gate-on voltage for the first period to the initialization line, and supplies an initialization signal having a gate-off voltage during the second to the sixth periods.
상기 보상전압은 상기 기준전압보다 높은 레벨의 전압이고, 상기 데이터전압은 상기 보상전압보다 높은 레벨의 전압이며, 상기 턴-오프전압은 상기 보상전압보다 낮은 레벨인 유기발광표시장치.The method according to claim 5, 8, 13, or 15,
Wherein the compensation voltage is higher than the reference voltage, the data voltage is higher than the compensation voltage, and the turn-off voltage is lower than the compensation voltage.
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