KR20160091116A

KR20160091116A - 노광장치

Info

Publication number: KR20160091116A
Application number: KR1020150011376A
Authority: KR
Inventors: 김종만; 이한승
Original assignee: 무진전자 주식회사
Priority date: 2015-01-23
Filing date: 2015-01-23
Publication date: 2016-08-02

Abstract

본 개시는 광을 가이드 하여 웨이퍼를 노광하는 노광장치(an exposure apparatus)에 있어서, 광을 방사하는 광원장치; 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 스테이지(a wafer stage); 그리고 광원장치로부터 광을 받는 광입력부를 가지며, 광을 가이드하여 웨이퍼로 조사되기 위한 광으로 변환하는 광 가이드 시스템;을 포함하며, 광원장치는: 제1 기판, 및 제1 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제1 광원모듈; 그리고 제2 기판, 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제2 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치에 관한 것이다.

Description

노광장치{EXPOSURE APPARATUS}

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 노광장치에 관한 것으로, 특히 유지 및 보수가 용이해진 노광장치에 관한 것이다.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).

컴퓨터 프로세서, 메모리칩, 평판표시장치 등의 디바이스 제조공정은 미세 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정을 포함한다. 포토리소그래피 공정에서 칩에 생성될 회로소자는 레티클(reticle) 또는,마스크(mask)의 표면에 투명 및 불투명 패턴으로 재현되어 있다. 노광장치는 마스크를 통해 광을 조사하여 웨이퍼 위에 마스크 패턴의 이미지를 생성한다. 노광장치의 렌즈는 상기 이미지를 포커싱하고 축소(reduced)하며, 이러한 이미지가 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼에 투사된다. 노광공정 이후, 웨이퍼는 사진 현상과 마찬가지로 현상 공정을 거치며, 포토레지스트 중 노광공정에서 광에 노출된 부분과 노출되지 않은 부분 중 하나가 제거된다. 이후, 웨이퍼는 에칭공정을 거치며, 그 결과 마스크의 패턴이 웨이퍼에 형성된다.

도 1은 종래의 수은램프를 광원으로 하는 노광장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 종래의 수은램프 노광장치는 기판(1)상에 형성하고자 하는 회로패턴이 설계된 마스크(4), 마스크(4)에 자외선 영역의 빛을 공급하는 광원부(10), 광원(6)에서 나오는 빛을 균일한 면 광원으로 확산시키며 기판(1)방향으로 빛의 방향을 전환하여 기판(1)상에 조사하는 조명부(20), 마스크(4)를 통과한 빛이 기판(1)의 원하는 위치에 일정한 배율로 전사되도록 하는 렌즈부(30) 및 마스크(4)를 지지하는 척과, 척을 원하는 위치에 정렬시키는 스테이지를 포함하는 정렬부(40)로 이루어진다. 또한, 렌즈부(30)는 광원의 구동을 제어하는 제어부(50)와도 연결된다.

이러한 구조의 수은램프 노광장치의 광원(6)인 수은 램프는 단일형의 고압 방전관 (예: 1kW ~ 수kW ) 구조로 되어있고, 아크(Arc)가 발생하는 금속전극의 기화로 유리구면이 흑화되어 조도가 감소하고, 약 2,000Hr 정도의 수명을 가지며, 수명기간내에서도 조도 보증시간이 짧은 편이어서 정기적으로 교환되어야 했다. 따라서, 노광장치의 유지 및 보수 비용이 많고, 노광장치의 Down 시간의 증가로 생산성 하락이 문제되었다.

노광장치로서, 스테퍼(stepper)의 성능 중 더 좁은 선폭의 해상도에 대한 요구가 크며, 스테퍼와 같은 노광장치에서 좁은 선폭의 해상도를 달성하는 능력(CD)은 CD=k*(λ/NA)와 같이 표시될 수 있다. 여기서,

λ: 노광에 사용되는 광의 파장,

NA(numerical aperture): 렌즈가 광을 캡쳐하는 능력(order of diffraction)으로서, 클수록 더 넓은 각도로 오는 광을 캡쳐함,

k : 공정상 다양한 향상 요소들을 나타낸다.

따라서, 더 짧은 파장의 광을 사용하면 스테퍼의 해상도가 증가한다. 수은 램프를 사용한 경우의 선폭보다 더 좁은 선폭이 요구되었고, 최근에는 excimer lasers를 사용한 스테퍼에 의해 수십 나노미터(nm)의 해상도가 가능해 지고 있다.

도 2는 미국 공개특허공보 제2007/0248898호에 개시된 스테퍼의 일 예를 나타내는 도면으로서, 스테퍼는 광원으로 엑시머 레이저(11)를 가지며, 엑시머 레이저(11)로부터 나온 빔(13)은 미러들(15a-15e)에 의해 방향이 가이드되며, 제1 렌즈 시리즈를 통해 마스크(17)로 조사되기 위한 형태를 갖는다. 또한, 제2 렌즈 시리즈를 통해 웨이퍼에 조사되기 위한 광의 형태를 갖는다.

도 3은 미국 공개특허공보 제2006/0147845에 개시된 레이저 스케닝 스테퍼의 일 예를 나타내는 도면으로서, 스케너는 온도, 압력, 및 주변 조건이 정확히 제어된 챔버(도시되지 않음) 내에 구비된다. 스케너는 조광시스템을 포함하며, 조광시스템은 ArF 엑시머레이저 광원(101), 스케닝 미러(103), 웨이퍼에 광을 포커싱하기 위한 렌즈시스템(105), 스케닝 스테이지(107), 및 마스크(11)를 포함한다. 레이저로부터 나온 광은 마스크(11)를 통하며, 프로젝션 렌즈(13)에 의해 포커싱되며 웨이퍼(15)에 조사된다.

한편, 제조자들은 공정 계수 k를 감소하여 해상도를 향상하고자 시도해 왔다. 이 시도는 노광 전후 웨이퍼를 처리하는 기술뿐만 아니라 조광시스탬과 마스크를 통과하는 광을 조작하는 기술을 더 향상시켰다.

또 다른 한편, 제조자들은 NA 향상을 위한 수단으로서 더 큰 렌즈를 개발해 왔다. NA는 광이 통과하는 매질의 굴절률과 렌즈로 들어갈 수 있는 최대 각도의 함수이다.

도 4는 종래의 LED를 광원으로 하는 노광장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판 노광장치는 마스크(4)에 자외선을 공급하는 다수의 UV LED가 구비된 광원부(60), 마스크(4)를 통과한 빛이 웨이퍼(1)의 원하는 위치에 일정한 배율로 전사되도록 하는 렌즈부(31,30) 및 마스크(4)를 지지하는 척과, 척을 원하는 위치에 정렬시키는 스테이지를 포함하는 정렬부(40)로 이루어진다. 또한, 렌즈부(31,30)는 광원의 구동을 제어하는 제어부(70)와 더 연결된다. 이러한 구조의 노광장치는 전술한 수은 램프 노광장치의 흑화현상, 조도변화 등의 문제를 개선할 수 있으나, 수백 개의 UV LED가 실장된 대면적의 기판(7)을 사용함에 따라, 조광시스템은 대형 렌즈(31)를 필요로 하였다. 그러나 대형 렌즈(31)는 제작이 어렵고 UV 투과 렌즈는 크기와 두께에 따라 가격차가 크고, 대면적 기판(7)을 사용함에 따라 광의 방사각이 넓어서 집광 효율이 낮고, 장치의 사이즈를 증가시키는 문제점이 있었다.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 광을 가이드 하여 웨이퍼를 노광하는 노광장치(an exposure apparatus)에 있어서, 광을 방사하는 광원장치; 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 스테이지(a wafer stage); 그리고 광원장치로부터 광을 받는 광입력부를 가지며, 광을 가이드하여 웨이퍼로 조사되기 위한 광으로 변환하는 광 가이드 시스템;을 포함하며, 광원장치는: 제1 기판, 및 제1 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제1 광원모듈; 그리고 제2 기판, 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제2 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치가 제공된다.

도 1은 종래의 수은램프를 광원으로 하는 노광장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 공개특허공보 제2007/0248898호에 개시된 스테퍼의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 공개특허공보 제2006/0147845에 개시된 레이저 스케닝 스테퍼의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 종래의 LED 램프를 광원으로 하는 LED 노광장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 노광장치의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 개시에 따른 노광장치의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 14는 본 개시에 따른 노광장치의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 15 및 도 16은 도 14에 제시된 광원장치의 예들을 설명하기 위한 도면들,
도 17, 도 18 및 도 19는 본 개시에 따른 광원장치의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면들,
도 18은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 19는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 20은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 21은 본 개시에 따른 노광장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 22는 도 21에 제시된 광원장치의 예들을 설명하기 위한 도면,
도 23은 광원모듈의 광의 방사각을 설명하기 위한 도면,
도 24는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 25는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 26은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).

도 5는 본 개시에 따른 노광장치의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 노광장치(1001)는 광원장치(100), 및 광 가이드 시스템(170)을 포함한다. 광원장치(100)는 복수의 광원모듈(110,120)을 포함하며, 복수의 광원모듈(110,120)은 제1 광원모듈(110), 및 제2 광원모듈(120)을 포함한다. 제1 광원모듈(110)은 제1 기판(115), 및 제1 기판(115)에 실장된 적어도 하나의 반도체 발광소자(117)를 가진다(예: 도 6a 참조). 제2 광원모듈(120)은 제2 기판(125), 및 제2 기판(125)에 실장된 적어도 하나의 반도체 발광소자(127)를 가진다. 반도체 발광소자(117,127)로는 필요한 파장에 따라 선택될 수 있으며, 본 예에서는 노광용 광원으로 UV LED를 사용하며, 반도체 발광소자(117,127)는 COB 타입으로 제1 기판(115) 및 제2 기판(125)에 실장될 수 있다. 도 6에 제시된 바와 같이, 각 광원모듈(110,120)은 기판(115,125)이 장착 또는 기판(115,125)을 지지하는 베이스(111,121)를 포함할 수 있다. 또한, 광원장치(100)는 제1 광원모듈(110)과 광입력부(171a) 사이에 제1 집광렌즈(161), 제2 광원모듈(120)과 광입력부(171a) 사이에 제2 집광렌즈(162)를 포함할 수 있다.

광가이드 시스템(170)은 광입력부(171a)를 포함한다. 본 예에서 광입력부(171a)는 미러(mirror)이며, 미러와 다른 형태도 가능하다. 광 가이드 시스템(170)은 더 후술된다. 도 6b에 제시된 광원장치는 비교예로서 후술된다. 광원장치(100)는 복수의 광원모듈(110,120)로 모듈화되어 있어서, 소형의 집광렌즈(161,162)를 사용할 수 있고, 문제가 있는 광원모듈만 교체하면 되므로, 유지 및 보수가 편리하며, LED를 사용하여 장시간 사용가능 등의 장점을 가진다.

도 7은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 광원장치(100)는 복수의 광원모듈을 포함한다. 예를 들어, 도 7a, 도 7b, 도 7d와 같이, 4개의 광원모듈(110,120,130,140)을 포함하거나, 도 7c와 같이 5개의 광원모듈((110,120,130,140,190)을 포함할 수 있으며, 광원모듈의 개수와 배열은 도 7에 제시된 예 이외에 다양한 변형이 가능할 것이다.

복수의 광원모듈의 배열 형태는 도 7a에 제시된 바와 같이, 4개의 광원모듈(110,120,130,140)이 코너를 마주하며, 서로 인접하게 배열되거나, 도 7b에 제시된 바와 같이, 중앙에 일정한 공간이 있고, 서로 떨어져 배열될 수 있다. 또는, 도 7a에 제시된 예에서 가운데에 광원모듈(190)을 추가하여 도 7c에 제시된 예가 가능하다. 각 광원모듈의 형상은 사각형뿐만 아니라, 도 7d에 제시된 바와 같이, 원형의 일부 형상(예: 부채꼴)을 가질 수도 있으며, 이들이 원판 형태로 배열될 수 있다.

다시 도 5를 참조하면, 광 가이드 시스템(170)은 필터들(Filters), 미러들(Mirrors), 어텐유에이터(Attenuator), 빔익스펜더(Beam expander), 노광센서(Exposure Sensor), 정렬센서(Alignment Sensor), 슬릿(Slit), 마스크(Mask; Reticle), 프로젝션 렌즈(Projection Lens) 등을 포함할 수 있다. 광 가이드 시스템(170)의 구성은 다양하게 변경이 가능하다. 본 예에서 광입력부(171a)는 미러(171a; mirror)이며, 예를 들어, 도 7a, 도7b, 및, 7c에 제시된 바와 같은 복수의 광원모듈(110,120,130,140)로부터 방사된 광은 미러(171a)에서 반사되어 광 가이드 시스템(170)에 의해 가이드된다. 미러(171a) 외의 추가의 미러, 필터 등을 거치며, 광은 마스크에 조사되기 위한 형태로 변경되며, 마스크를 통과한 광은 프로젝션 렌즈에 의해 배율이 조절되어 웨이퍼(200)에 조사된다.

도 8은 본 개시에 따른 노광장치의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 노광장치(1002)는 광원장치(100), 및 광 가이드 시스템(170)을 포함한다. 광 가이드 시스템(170)은 미러 형태의 광입력부(171a), 광을 가이드하기 위한 복수의 미러들(172a,172a), 반사 마스크(reflective Mask) 등을 포함할 수 있다.

광 가이드 시스템(170)의 구성은 도 5 및 도 8에서 제시한 예 외에도 다양한 변경이 가능하며, 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치(100)를 포함한다. 광원장치(100)는 모듈화된 구성을 가지며, 복수의 광원모듈이 미러 형태의 광입력부(171a)를 향하여 광을 방사하도록 구성된다.

도 5 내지 도 8에서 설명에 의하면, 본 개시 따른 노광장치용 광원장치(100)는 광원이 복수로 모듈화되어 있다. 그러나 도 4 또는 도 6b에 제시된 비교예의 경우, 하나의 대면적 기판(7, 510)을 사용한다. 따라서, 비교예의 경우, 일부의 반도체 발광소자가 문제가 되는 경우에도 광원 전체를 교체해야 하는 반면, 본 개시에 따른 광원장치(100)는 문제되는 광원모듈만 교체하면 되므로, 유지 및 보수 비용이 절감된다.

또한, 비교예의 경우, 하나의 대면적 기판(7,510)에는 수백 개의 UV LED가 실장되어 많은 열이 발생하는 반면, 본 예의 경우, 각 광원모듈(예: 110,120,130,140)에 반도체 발광소자(117,127)를 분산 배치할 수 있으므로, 각 광원모듈(110,120,130,140)에서 발열량이 비교예보다 작게 되고, 방열 구조의 부담이 비교예보다 감소할 수 있다. 예를 들어, 하나의 대면적 기판에 196×4 개의 UV LED를 모두 실장하는 경우, 제작이 어렵고 불량시에 유지 및 보수(Rework)에 불리하다. 반면, 본 개시에서 각 광원모듈(110,120,130,140) 196개 정도의 UV LED가 COB 타입으로 실장하여 제작, 유지 및 보수, 및 방열에 있어서 더 유리하다.

한편, 집광렌즈(예: 161,162,163,164; 도 9 참조)의 사이즈를 불필요하게 크게 할 필요가 없다. 예를 들어, 각 광원모듈(110,120,130,140)은 약 50mm×50mm 사이즈를 가질 수 있고, 미러 타입의 광입력부(171a)까지 대략 20cm~30cm 정도 떨어져 광입력부(171a)를 향해 광을 방사할 수 있다. 따라서, 각 집광렌즈(161,162,163,164)는 각 각 광원모듈(110,120,130,140)의 사이즈에 대응하는 사이즈를 가지게 하면, 도 4 또는 도 6b에 제시된 비교예와 같이 고비용이고 제작이 어려운 대형 렌즈(31,561) 대신 원가가 절감되며 가공이 쉬운 소형 렌즈를 사용할 수 있다.

이 밖에도 LED를 사용하는 광원장치(100)는 10000hr 이상의 상대적으로 긴 수명시간을 가지며, 전술한 바와 같이, 유지 및 보수가 용이하여 노광장치의 다운(Down) 시간을 단축하여 생산성이 향상된다.

도 9는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치(100)의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 광원장치(100)는 제1 내지 제4 광원모듈(110,120,130,140), 제1 내지 제4 집광렌즈(161,162,163,164), 하우징(310), 제1 내지 제4 지지부(330,330,330,330), 및 방열부(210)를 포함한다.

각 광원모듈(110,120,130,140)은 기판(115), 및 복수의 UV LED(예: 117; 도 6a 참조)를 포함한다. 기판(115)은 메탈 PCB일 수 있고, 복수의 UV LED(117)는 기판(115)에 어레이를 이루도록 COB 타입으로 실장될 수 있다. 각 집광렌즈(161,162,163,164)는 각 광원모듈(110,120,130,140)에 대응하여 위치하며, 각 광원모듈(110,120,130,140)로부터 방사된 광을 1차로 집광하여 광 가이드 시스템(170)의 광입력부(171a)를 향하도록 한다.

방열부(210)는 광원모듈(110,120,130,140)의 후면에 구비되어 광원모듈(110,120,130,140)로부터의 열을 방열한다. 예를 들어, 방열부(210)는 몸체(220), 유입통로(230), 및 유출통로(240)를 포함한다. 몸체(220)는 내부 공간, 및 내부 공간에 형성된 방열핀(215)을 가지며, 몸체(220)의 전면에 광원모듈(110,120,130,140)의 기판(115)이 접합되거나, 스크류 체결되는 등의 방법으로 고정된다. 유입통로(230)는 몸체(220)의 내부 공간으로 연통되며, 냉각용 유체가 유입된다. 유출통로(240)는 몸체(220)의 내부 공간으로 연통되며, 온도가 상승한 냉각용 유체가 몸체(220)의 외부로 유출된다. 하우징(310)에는 몸체(220)를 수용하는 홈이 형성되어 있고, 유입통로(230) 및 유출통로(240)가 하우징(310)의 후방으로 인출되도록 개구가 형성되어 있다. 냉각용 유체로는 물과 같은 액제나 찬 공기(cold air) 등 기체도 가능하다.

도 10에 제시된 바와 같이, 제1 내지 제4 광원모듈(110,120,130,140)이 하나의 몸체(220)에 고정되거나, 도 11에 제시된 바와 같이, 각 광원모듈(110,120,130,140)에 각각 별개의 방열부(210)가 결합하도록 할 수 있다.

지지부(330)는 집광렌즈(161,162,163,164)와 하우징(310) 사이에 개재되어 집광렌즈(161,162,163,164)를 지지하며, 광원모듈(110,120,130,140)이 집광렌즈(161,162,163,164) 측으로 노출되도로 개구가 형성되어 있다. 지지부(330)는 도 9 및 도 10에 제시된 바와 같이, 각 집광렌즈(161,162,163,164)에 대응하여 개별적으로 구비되거나, 도 11에 제시된 바와 같이, 지지부(330)가 하나의 틀로서 각 집광렌즈(161,162,163,164)에 대응하는 복수의 개구가 형성된 예가 가능하다.

도 12는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 12b는 도 12a에서 B-B 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 본 예에서, 제1 내지 제4 광원모듈(110,120,130,140)에 대응하여 하나의 집광렌즈(169)가 구비되며, 이로 인해 부품수를 줄리고, 조립이 간편해지는 이점을 가질 수 있다.

도 13은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치(100)의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서는 각 광원모듈(110,120)과 미러(171a) 사이에 집광렌즈가 생략되어 있다. 미러(171a)를 향하지 못하는 광을 미러(171a) 측으로 향하도록 하기 위해 광원모듈(110,120) 둘레에 추가의 미러(171b,171c)를 배치할 수 있다. 추가의 미러(171b,171c)는 각 광원모듈(110,120)의 사이드에 개별적으로 배치되거나, 통형태로서 광원모듈(110,120) 둘레에 구비될 수 있다.

도 14는 본 개시에 따른 노광장치의 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 15 및 도 16은 도 14에 제시된 광원장치(100)의 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 노광장치(1003)는 웨이퍼 로더(187; wafer loder), 웨이퍼 스테이지(179; wafer stage), 웨이퍼 얼라인먼트 시스템(185; wafer alignment system), 마스크 로더(183; mask loader), 마스크 스테이지(175; mask stage), 마스크 얼라인먼트 시스템(181; mask alignment system), 리덕션 렌즈(173g; 또는 프로젝션 렌즈), 및 조광 시스템(illumination system)을 포함한다. 조광 시스템은 광원장치(100), 및 광 가이드 시스템(170)을 포함한다. 광 가이드 시스템(170)은 광입력부(171a)로서 미러와, 마스크(173f)로 광을 가이드하기 위한 필터(도시되지 않음), 렌즈(173b,173d,173e,173g) 추가의 미러(173c) 등을 포함할 수 있다. 마스크(173f)는 리덕션 렌즈(173g)와 렌즈(173d)의 사이에 구비되며, 리덕션 렌즈(177)는 웨이퍼(200)와 마스크 스테이지(175) 사이에 구비된다. 광 가이드 시스템(170)은 광원장치(100)로부터 공급된 광을 가이드하여 마스크(175)를 통해 웨이퍼(200)에 광을 조사한다.

광원장치(100)는 복수의 광원모듈(110,120,130,140)을 포함한다. 도 14에는 2개의 광원모듈(110,120)이 도시되어 있지만, 이를 다른 각도에서 보면, 도 7에서 설명된 바와 같이, 4개, 5 개 등의 광원모듈(110,120,130,140,190)도 물론 가능하다. 본 예에서, 광원모듈(110,120,130,140)은 광입력부(171a)에 대한 각도를 변경가능하게 구비된다.

제어 시스템(103)에 의해 웨이퍼(200) 상에 프린트될 각 층의 프로그램이 실행된다. 컴퓨터(101)는 각 층의 실행 프로그램을 저장하고 있고, 실행에 있어서 상기 요소들과 커뮤니케이션을 수행한다. 노광장치(예: 스테퍼)의 구성요소들은 밀폐된 챔버(도시되지 않음) 내에 구비될 수 있으며, 챔버는 정확히 제어된 온도로 유지되어 웨이퍼(200)에 형성된 패턴이 열팽창수축에 따른 왜곡을 방지한다. 챔버는 또한 공정을 위한 다른 시스템, 예를 들어, 에어컨디션 시스템, 파워서플라이, 콘트롤 보드 등을 포함할 수 있다. 웨이퍼 스테이지(179)에 의해 미세한 얼라인이 완료되면, 조광 시스템으로부터의 광에 의해 웨이퍼(200)가 노광된다. 광은 마스크(173f)를 통과하고 리덕션 렌즈(177)를 통해 웨이퍼(200)의 표면에 조사된다. 프로세스 프로그램 또는 레시피가 노광시간을 정할 수 있다.

광원모듈(110,120,130,140)의 각도를 제어 시스템(103)에 의해 제어할 수 있으며, 이를 위해 광원장치(100)는 미러(171a)에 대한 광원모듈(110,120,130,140)의 기울어진 정도를 변경하기 위해 각도(101)를 변경할 수 있는 조절 수단(150)을 포함할 수 있다. 조절 수단(150)은 광원모듈(110,120,130,140)에 결합할 수 있고, 제어 시스템(103)에 연결될 수 있다. 조절 수단(150)은 광입력부(171a) 측으로 집광 효율이 향상되도록 광원모듈(110,120)을 조절할 수 있다. 각도(101)의 조절은 수동으로 하거나 기계적 구조를 사용하여 자동 및/또는 반자동으로 가능하다.

도 15에 제시된 광원모듈의 경우, 도 7b에 제시된 복수의 광원모듈(110,120,130,140)이 광 가이드 시스템(170)의 광입력부(171a)에 대해 각도를 가지거나 기울어지도록 배열되는 일 예일 수 있으며, 선 C-C을 따른 측면에서 바라본 형태의 일 예이다. 도 16에 제시된 광원모듈의 경우, 7c에 제시된 복수의 광원모듈(110,120,130,140,190)이 광 가이드 시스템(170)의 광입력부(171a)에 대해 배열되는 일 예일 수 있으며, D-D 선을 따른 측면에서 바라본 형태의 일 예이다.

도 15에 제시된 예에서, 복수의 광원모듈(110,120,130,140)이 광입력부(171a)에 대해 기울어지도록 배열되고, 각 광원모듈(110,120,130,140)에는 각각 집광렌즈(161,162,163,164; 도 9참조)가 구비된다. 광원모듈(110,120,130,140)은 서로 일정 정도 거리로 떨어져 있고, 각 집광렌즈(161,163)는 각 광원모듈(110,120,130,140)과 연동하여 움직일 수 있다(예: 도 9 및 도 10 참조). 광입력부(171a)는 미러가 예시되어 있지만, 다른 기구(예: 렌즈)일 수 있다.

도 14, 도 15, 및 도 16에 제시된 예들은 도 4 및 도 6b에 제시된 바와 같은 단일한 대면적 기판을 사용하는 대신 복수의 광원모듈(110,120,130,140)이 집광 효율 향상을 위해 광입력부(171a)를 향하여 오므려져, 또는 기울어져 있다. 따라서 각 광원모듈(110,120,130,140)의 사이즈를 작게 할 수 있고, 이에 따라 각 광원모듈(110,120,130,140)에 대응하는 집광렌즈(161,162)의 사이즈도 불필요하게 크게 할 필요가 없다.

도 17, 도 18 및 도 19는 본 개시에 따른 광원장치의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면들로서, 도 17에는 조절 수단(150)의 예들이 제시되어 있다. 본 예에서, 조절 수단(150)은 광원모듈(110,120,130,140) 각각에 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 17a에 제시된 바와 같이, 조절 수단(150)은 베이스(111)의 후면에 구비된 힌지부(152), 및 힌지부(152)에 결합되어 힘을 전달하는 바(151; bar)를 포함한다. 베이스(111)는 바(151)에 대해 회전될 수 있다. 복수의 바(151)를 당기거나 밀어서, 광원모듈(110,120,130,140)의 각도가 변경될 수 있다.

이와 다르게, 도 17b에 제시된 바와 같이, 조절 수단(150)은 베이스(111)에 결합하는 엑츄에이터(153; 예: 모터)와, 엑츄에이터(153)에 결합한 바(151)를 포함할 수 있다. 엑츄에이터(153)가 회전하거나 직선 운동 등을 하면, 광원모듈(110,120,130,140)이 회전된다. 또 다른 예로서, 도 17c에 제시된 바와 같이, 조절 수단(150)은 베이스(111)의 에지에 설치된 바(151), 및 바(151)에 설치된 엑츄에이터(153)를 포함할 수 있다.

도 18은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 베이스가 방열핀(113)을 가지는 히트싱크(111)이고, 조절 수단(150)은 복수의(예: 4개)의 바(151)와 힌지부(152)를 포함한다. 복수의 바(151)를 조절하면, 2차원뿐만 아니라, 3차원 회전 또는 각도 조절이 가능하다.

도 19는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 노광장치의 광원은 수백 개에 이르는 반도체 발광소자(117)를 사용할 수 있으며, 고출력 UV LED를 사용하는 경우, 많은 열이 발생하고, 방열을 통해 온도를 적절한 범위로 제어하지 않으면, 성능이 저하되거나 정상적 작동이 어렵다. 본 예에서, 조절 수단(150)은 힌지부(152), 및 힌지부(152)와 결합된 바(151)를 포함한다. 바(151)는 내부 공간을 가지는 파이프 형태일 수 있고, 도 19a에 제시된 바와 같이, 이 내부 공간을 통해 차가운 유체(157; 공기, 또는 액체)를 히트싱크(111)에 공급하여 광원모듈(110,120,130,140)을 방열하는 수단으로도 사용할 수 있다. 물론 히트싱크(111) 및/또는 바(151)에 유체(157)의 흐름과 접촉면적을 증가시키기 위한 구조, 예를 들어, 도 19b에 제시된 바와 같이, 유동 흐름 통로(158) 같은 것을 형성하는 것도 고려할 수 있으며, 방열핀(113) 사이로 유체(157)가 흐르게 할 수 있다.

도 20은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 복수의 광원모듈(110,120,130)이 중첩되거나 펼쳐져서 광입력부(171a)로 제공되는 광량 및 광의 방사각을 조절할 수 있다. 예를 들어 각 광원모듈(110,120,130)에 조절 수단(150)이 구비되며, 조절 수단(150)은 각 광원모듈(110,120,130)의 각도뿐만 아니라 각 광원모듈(110,120,130) 간의 간격도 조절할 수 있다. 조절 수단(150)은 하우징(310)에 결합하여 하우징(310) 상에서 이동하거나 당겨지거나 밀어서 각 광원모듈(110,120,130)의 각도가 조절될 수 있다. 예를 들어, 도 20a와 같이, 복수의 광원모듈(110,120,130)이 중첩되어 있고, 가장 앞에 배치된 제1 광원모듈(110)만 광을 방사할 수 있다. 도 20b와 같이 조절 수단(150)에 의해 제2 광원모듈(120)이 제1 광원모듈(110)의 옆으로 이동되어 제1 및 제2 광원모듈(110,120)이 광을 방사한다. 또한, 조절 수단(150)에 의해 제3 광원모듈(130)이 제2 광원모듈(120)의 옆으로 이동되어 제1 내지 제3 광원모듈(110,120,130)이 모두 광을 방사한다. 반대의 과정으로 광을 방사하는 광원모듈의 개수를 줄일 수 있다.

도 21은 본 개시에 따른 노광장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 22는 도 21에 제시된 광원장치의 예들을 설명하기 위한 도면이며, 도 23은 광원모듈의 광의 방사각을 설명하기 위한 도면으로서, 노광장치(1004)는 광원장치(100), 및 광 가이드 시스템(170)을 포함한다. 광원장치(100)는 복수의 광원모듈(110,120,130,140)을 포함하며, 복수의 광원모듈(110,120,130,140)은 광 가이드 시스템(170)의 광입력측(171a)을 향하여 광을 방사한다. 광 가이드 시스템(170)은 광입력부(171a), 마스크(174h) 측으로 광을 가이드하기 위한 필터(174b), 렌즈(174c,174e,174g) 추가의 미러(174d,174f) 등을 포함한다. 본 예에서는 광원모듈(110,120,130,140)의 간격을 도 15 및 도 16에 제시된 예들보다 더 좁게 하고, 집광의 효율을 향상하기 위해 광의 방사각이 더 좁도록 광원모듈(110,120,130,140) 간의 각도를 더 좁게 한다. 이와 같이 하면, 도 23a에 제시된 바와 같이, 광의 방사각이 도 23b에 제시된 단일 평면형 기판(510)을 사용하는 경우보다 좁게되고, 집광렌즈를 생략할 수 있다.

도 24는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 광원장치(100)는 복수의 광원모듈(110,120,130,140)이 설치되는 하우징(310)을 포함한다. 광의 방사각을 좁히기 위해 광원모듈(110,120,130,140)은 평탄하게 배열되지 않고 광 가이드 시스템(170)의 미러(171a)를 향해 기울어지거나 오므려지도록 배열되며, 광원모듈(110,120,130,140)은 도 14에 제시된 각도(101)를 예를 들면, 각도(101)은 0도 초과 및 90도 미만일 수 있다. 이에 따라, 광원모듈(110,120,130,140)이 서로 간에 이루는 각도는 0도~180도가 될 수 있다. 이러한 각도는 광의 포커싱을 어디로 하느냐에 따라 변경될 수 있다. 이를 위해 도 24에 제시된 바와 같이, 각 광원모듈(110,120,130,140)이 설치되는 하우징(310)의 면이 서로 각도를 이루도록 형성하는 것을 고려할 수 있다. 집광렌즈를 생략하고 광원모듈(110,120,130,140)로부터 미러(171a)로 직접 광이 방사된다.

도 25는 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 복수의 광원모듈(110a,110b,110c,110d,110e,110f)이 광 가이드 시스템(170)의 광입력부(171a) 둘레에 배열되도록 하고, 광원모듈(110a,110b,110c,110d,110e,110f)과 광입력부(171a) 사이에 집광렌즈가 생략된다. 예를 들어, 광원모듈(110a,110b,110c,110d,110e,110f)은 원의 일부 형태로 호를 이루도록 배열될 수 있다. 광입력부(171a)가 미러일 수도 있지만, 렌즈도 가능하다.

도 26은 본 개시에 따른 노광장치용 광원장치의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 복수의 광원모듈(120a,120b,120c,120d,120e,120f)이 광 가이드 시스템(170)의 광입력부(171a) 둘레에 배열되도록 하고, 집광렌즈를 생략한 구성을 가진다. 복수의 광원모듈(120a,120b,120c,120d,120e,120f)이 접어지고 펴지는 형태로 제어될 수 있다. 예를 들어, 각 광원모듈(120a,120b,120c,120d,120e,120f)에 조절 수단(150)이 구비될 수 있다.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.

(1) 광을 가이드 하여 웨이퍼를 노광하는 노광장치(an exposure apparatus)에 있어서, 광을 방사하는 광원장치; 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 스테이지(a wafer stage); 그리고 광원장치로부터 광을 받는 광입력부를 가지며, 광을 가이드하여 웨이퍼로 조사되기 위한 광으로 변환하는 광 가이드 시스템;을 포함하며, 광원장치는: 제1 기판, 및 제1 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제1 광원모듈; 그리고 제2 기판, 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제2 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(2) 광원장치는: 제3 기판, 및 제3 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제3 광원모듈; 그리고 제4 기판, 및 제4 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제4 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(3) 제1 내지 제4 광원모듈로부터 광입력부 측으로의 광의 방사각을 좁혀 집광효율이 향상되도록 제1 내지 제4 광원모듈이 서로 이루는 각도는 ---도보다 작은 것을 특징으로 하는 노광장치.

(4) 제1 내지 제4 광원모듈과 광입력부 사이에 집광렌즈 없이, 제1 내지 제4 광원모듈은 미러(mirror) 형태의 광입력부를 향해 광을 방사하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(5) 광입력부와 제1 광원모듈 사이에 제1 집광렌즈(plus lens); 광입력부와 제2 광원모듈 사이에 제2 집광렌즈; 광입력부와 제3 광원모듈 사이에 제3 집광렌즈; 그리고 광입력부와 제4 광원모듈 사이에 제4 집광렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(6) 제1 내지 제4 집광렌즈는 제1 내지 제4 기판에 대응한 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(7) 제1 내지 제4 광원모듈을 광입력부를 향해 기울기를 조절하는 조절 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(8) 제1 내지 제4 광원모듈이 각도를 이루도록 설치되는 하우징;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(9) 제1 내지 제4 광원모듈의 후면에 각각 결합한 베이스;를 포함하며, 조절 수단은: 베이스에 설치된 힌지부; 그리고 힌지부에 결합된 바(bar);를 포함하며, 베이스는 바에 대해 회전가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.

(10) 제1 내지 제4 광원모듈이 설치되는 하우징; 제1 내지 제4 집광렌즈를 지지하도록 제1 내지 제4 집광렌즈와 하우징 사이에 개재되며, 제1 내지 제4 광원모듈을 제1 내지 제4 집광렌즈 측으로 노출하는 적어도 하나의 개구가 형성된 지지부; 그리고 제1 내지 제4 광원모듈의 후면에 결합하여 하우징에 수용되는 방열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(11) 방열부는: 내부 공간을 가지는 몸체; 하우징의 외부로부터 몸체의 내부 공간으로 연통되며, 냉각용 유체가 유입되는 유입통로; 그리고 몸체의 내부 공간으로부터 하우징의 외부로 통하며, 온도가 상승한 냉각용 유체가 유출되는 유출통로;를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(12) 제1 기판 및 제4 기판은 몸체에 고정되는 메탈 PCB이며, 제1 기판 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자는 복수의 UV LED를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(13) 제1 광원모듈 및 제2 광원모듈이 수용되는 하우징; 그리고 하우징에 설치되어 제1 광원모듈 및 제2 광원모듈을 움직이는 조절 수단;을 포함하며, 제2 광원모듈은 조절 수단에 의해 제1 광원모듈과 하우징 사이의 제1 위치로부터 제1 광원모듈의 옆으로 이동되는 것을 특징으로 하는 노광장치.

(14) 광 가이드 시스템은: 웨이퍼에 전사될 패턴이 구비된 마스크; 미러(mirror) 형태의 광입력부로부터의 반사광을 마스크 측으로 가이드하기 위한 적어도 하나의 추가의 미러, 및 적어도 하나의 렌즈; 그리고 마스크와 웨이퍼 사이에 구비된 프로젝션 렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.

본 개시에 따른 하나의 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치에 의하면, 광원장치가 복수의 광원모듈로 모듈화되어 유지 및 보수가 편리한 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치가 제공된다.

본 개시에 따른 다른 하나의 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치에 의하면, 집광효율이 향상된 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치가 제공된다.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치에 의하면, 복수의 광원모듈 각각에 대응하는 렌즈를 사용할 수 있어서, 대형 렌즈를 사용하지 않아도 되는 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치가 제공된다.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치에 의하면, 광원모듈의 각도를 조절하여 집광효율이 향상된 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치가 제공된다.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치에 의하면, 각 광원모듈에 집광렌즈를 생략한 노광장치용 광원장치 및 이를 가지는 노광장치가 제공된다.

110,120,130,140: 광원모듈 161,162,163,164: 집광렌즈
150: 조절 수단 100: 광원장치 1001: 노광장치
111: 베이스 115: 기판 117: 반도체 발광소자
171a: 광입력부

Claims

광을 가이드 하여 웨이퍼를 노광하는 노광장치(an exposure apparatus)에 있어서,
광을 방사하는 광원장치;
웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 스테이지(a wafer stage); 그리고
광원장치로부터 광을 받는 광입력부를 가지며, 광을 가이드하여 웨이퍼로 조사되기 위한 광으로 변환하는 광 가이드 시스템;을 포함하며,
광원장치는:
제1 기판, 및 제1 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제1 광원모듈; 그리고
제2 기판, 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제2 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 1에 있어서,
광원장치는:
제3 기판, 및 제3 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입력부를 향하여 광을 방사하는 제3 광원모듈; 그리고
제4 기판, 및 제4 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자를 포함하며, 광입렵부를 향하여 광을 방사하는 제4 광원모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 2에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈로부터 광입력부 측으로의 광의 방사각을 좁혀 집광효율이 향상되도록 제1 내지 제4 광원모듈이 서로 이루는 각도는 ---도보다 작은 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 3에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈과 광입력부 사이에 집광렌즈 없이, 제1 내지 제4 광원모듈은 미러(mirror) 형태의 광입력부를 향해 광을 방사하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 2에 있어서,
광입력부와 제1 광원모듈 사이에 제1 집광렌즈(plus lens);
광입력부와 제2 광원모듈 사이에 제2 집광렌즈;
광입력부와 제3 광원모듈 사이에 제3 집광렌즈; 그리고
광입력부와 제4 광원모듈 사이에 제4 집광렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 5에 있어서,
제1 내지 제4 집광렌즈는 제1 내지 제4 기판에 대응한 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈을 광입력부를 향해 기울기를 조절하는 조절 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈이 각도를 이루도록 설치되는 하우징;을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 7에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈의 후면에 각각 결합한 베이스;를 포함하며,
조절 수단은:
베이스에 설치된 힌지부; 그리고
힌지부에 결합된 바(bar);를 포함하며,
베이스는 바에 대해 회전가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 5에 있어서,
제1 내지 제4 광원모듈이 설치되는 하우징;
제1 내지 제4 집광렌즈를 지지하도록 제1 내지 제4 집광렌즈와 하우징 사이에 개재되며, 제1 내지 제4 광원모듈을 제1 내지 제4 집광렌즈 측으로 노출하는 적어도 하나의 개구가 형성된 지지부; 그리고
제1 내지 제4 광원모듈의 후면에 결합하여 하우징에 수용되는 방열부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 11에 있어서,
방열부는:
내부 공간을 가지는 몸체;
하우징의 외부로부터 몸체의 내부 공간으로 연통되며, 냉각용 유체가 유입되는 유입통로; 그리고
몸체의 내부 공간으로부터 하우징의 외부로 통하며, 온도가 상승한 냉각용 유체가 유출되는 유출통로;를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 12에 있어서,
제1 기판 및 제4 기판은 몸체에 고정되는 메탈 PCB이며,
제1 기판 및 제2 기판에 구비된 적어도 하나의 반도체 발광소자는 복수의 UV LED를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 1에 있어서,
제1 광원모듈 및 제2 광원모듈이 수용되는 하우징; 그리고
하우징에 설치되어 제1 광원모듈 및 제2 광원모듈을 움직이는 조절 수단;을 포함하며,
제2 광원모듈은 조절 수단에 의해 제1 광원모듈과 하우징 사이의 제1 위치로부터 제1 광원모듈의 옆으로 이동되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 1에 있어서,
광 가이드 시스템은:
웨이퍼에 전사될 패턴이 구비된 마스크;
미러(mirror) 형태의 광입력부로부터의 반사광을 마스크 측으로 가이드하기 위한 적어도 하나의 추가의 미러, 및 적어도 하나의 렌즈; 그리고
마스크와 웨이퍼 사이에 구비된 프로젝션 렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.