KR20160090681A - 에피택셜 웨이퍼의 성장을 위한 리액터의 재가동 준비 방법 - Google Patents

에피택셜 웨이퍼의 성장을 위한 리액터의 재가동 준비 방법 Download PDF

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Abstract

실시예는 웨이퍼에 대한 에피택셜 성장이 수행되는 반응 챔버의 재가동 준비단계로서, 반응 챔버 내부에 마련되며 상기 웨이퍼가 안착되는 서셉터를 기설정된 제1 위치에 유지하며, 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량을 슬릿 밸브에서 유입되는 수소가스의 유량보다 크도록 설정하는 단계, 상기 서셉터를 기설정된 제2 위치로 이동시키는 단계 및 상기 제2 위치에 서셉터가 유지되는 동안 상기 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양은 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양보다 작도록 설정하는 단계를 포함한다. 따라서, 반응 챔버 하부에 정체된 수분 및 오염물질이 수소 가스의 유동에 따라 배출구쪽으로 원할하게 배출될 수 있다.

Description

에피택셜 웨이퍼의 성장을 위한 리액터의 재가동 준비 방법{Method for Preparing Reactor For Epitaxial Wafer Growth}
본 발명은 챔버 내부의 재가동 준비 공정에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 에피택셜 웨이퍼의 성장이 종료된 후 챔버 내부에 잔여하는 불순물을 제거하여 또 다른 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위해 에피택셜 성장 장치를 재가동하기 위한 준비 방법에 대한 것이다.
통상적인 실리콘 웨이퍼는 단결정 성장 공정, 슬라이싱 공정, 그라인딩(Grimding) 공정, 랩핑 공정, 연마(Polishing) 공정 및 웨이퍼를 연마후에 웨이퍼에 부착된 연마제 또는 이물질을 제거하는 세정 공정을 거쳐 제작될 수 있다. 이러한 방법으로 제조된 웨이퍼를 폴리시드 웨이퍼(Polished wafer)라 하며, 폴리시드 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정막(에피층)을 성장시킨 웨이퍼를 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer)라 한다.
에피택셜 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼보다 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 가진다. 또한, 에피층은 순도가 높고 결정 특성이 우수하여 고집적화되고 있는 반도체 장치의 수율 및 소자 특성 향상에 유리한 장점을 가진다. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)은 반도체 웨이퍼와 같은 대상에 얇은 층의 물질을 성장시키는 처리이며, 이로 인해 상이한 전도성을 갖는 층이 웨이퍼에 증착되어 원하는 전기적 특성을 갖도록 제조될 수 있다.
웨이퍼 표면에 에피층을 증착하는 화학 기상 증착 장치는 에피층의 증착이 이루어지는 공정 챔버와, 내부에 장착되는 서셉터, 상기 공정 챔버 상하부에 구비된 가열 램프, 웨이퍼 상으로 소스 가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하여 구성된다. 가스분사유닛으로 분사된 소스 가스는 서셉터 상에 얹혀진 웨이퍼 상에 에피층을 형성하게 된다.
웨이퍼 상에 에피층을 성장시키는 에피 리액터의 챔버 내에는 고온에서 이루어지는 에피택셜 공정이 완료되면 메탈 불순물을 포함한 수분 등이 많이 포함되어 있다. 이러한, 불순물이 챔버 내에 존재하면 고품질의 에피택셜 웨이퍼의 제조가 불가능하므로 에피택셜 웨이퍼의 제조 공정이 완료되면, 챔버 내부에 잔존하는 불순물을 제거하여 다시 에피택셜 공정이 수행될 수 있는 분위기를 형성하여야 한다.
이에, 에피 리액터의 재가동을 위해서 상온 상태에 있는 챔버 내부에 질소 가스를 약 3시간동안 주입함으로써 챔버 내부의 불순물 입자를 환기시킨다. 이어서, 챔버 내부를 승온시킨 후에, 고온 상태로 일정 시간 동안 유지시키면서 수소 가스를 이용한 베이킹 공정을 수행하여 잔류하는 수분 또는 불순물을 제거하였다.
그러나, 이러한 방식에서는 수소 가스의 흐름이 챔버 내부에서 전후 방향으로 흐르게 되고, 상하 방향의 유동이 일어나지 않게 되므로, 챔버의 하부에는 여전히 잔류 수분 또는 금속 오염물질이 존재할 가능성이 있으며, 이러한 조건에서 생산되는 에피택셜 웨이퍼의 품질을 확보하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 리액터의 재가동 준비 과정에 있어서, 고온에서 진행되는 베이킹 공정시 공정 챔버에 구비된 서셉터의 하부를 따라 흐르는 수소 가스를 상방향으로 유동시킴으로써 하부에 정체된 오염물질을 공정 챔버 외부로 배출시켜 리액터의 재가동 시간을 단축시키는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
실시예는 웨이퍼에 대한 에피택셜 성장이 수행되는 반응 챔버의 재가동 준비단계로서, 반응 챔버 내부에 마련되며 상기 웨이퍼가 안착되는 서셉터를 기설정된 제1 위치에 배치하며, 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량을 슬릿 밸브에서 유입되는 수소가스의 유량보다 크도록 설정하는 단계; 및 상기 서셉터를 기설정된 제2 위치로 이동시켜, 상기 제2 위치에 서셉터가 유지되는 동안 상기 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양은 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양보다 작도록 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 위치는 상기 서셉터의 외주부에 마련된 예열링과 동일한 높이로 설정될 수 있으며, 상기 제2 위치는 상기 제1 위치보다 소정의 높이만큼 낮도록 설정될 수 있다.
실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼를 위한 리액터의 준비 방법은 서셉터의 높이를 주기적으로 변경하면서, 슬릿 밸브에서 분사되는 수소 가스의 유압을 메인 밸브에서 분사되는 수소 가스의 유압보다 크도록 설정함으로써 반응 챔버 내부에서 가스의 상승 기류가 발생하게 되어 반응 챔버 하부에 정체된 오염 물질을 효과적으로 배출할 수 있다.
실시예에 따르면, 반응 챔버 하부에 정체된 오염 물질이 신속하게 제거됨에 따라 리액터의 재가동을 수행하기 위한 MCLT의 최소값에 도달하는 시간이 감소하고, 이에 따라 리액터의 재가동을 수행하기 위한 준비시간도 감소하기 때문에 에피택셜 웨이퍼의 생산 수율 또한 향상시킬 수 있다.
도 1은 에피택셜 성장 장치를 나타낸 도면이며, 공정 챔버 내부의 베이킹 공정을 수행시 서셉터의 제1 위치를 나타낸 단면도
도 2는 에피택셜 성장 장치에서 서셉터를 위에서 바라본 도면
도 3은 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 단계에서 서셉터가 예열링의 높이보다 일정거리만큼 하강하여 제2 위치에 이동된 상태를 나타낸 단면도
도 4는 에피택셜 리액터의 준비 방법에서 종래와 실시예에 따른 반응 챔버 내부의 MCLT 수준을 나타낸 그래프
도 5는 표 1의 실시예에 따른 에피택셜 리액터의 준비 방법에 있어서, 서셉터의 높이 변화에 따른 MCLT 수준을 나타낸 그래프
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.
실시예는 에피택셜 리액터(반응기) 내부의 공정 조건 및 서셉터의 위치를 변경하여, 에피택셜 리액터 하부의 정체된 오염물질이 상부로 이동할 수 있도록 상승 기류를 만들어 주는 방법을 제안한다.
도 1은 에피택셜 성장 장치를 나타낸 도면이며, 본 발명에서 서셉터의 제1 위치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 에피택셜 성장 장치(100)는 상부 라이너(105)와 하부 라이너(102), 상부 덮개(106), 하부 덮개(101), 서셉터(107), 예열링(108), 서셉터 지지대(109), 가스공급부(103), 가스배출부(104) 및 메인샤프트(110)를 포함하여 구성될 수 있다.
에피택셜 성장 장치(100)의 일측에는 가스공급 라인과 연결되는 가스공급부(103)가 형성되고, 타측에 가스배출 라인과 연결되는 가스 배출구(104)가 형성될 수 있고, 하부 덮개(101)와 상부 덮개(106)를 포함할 수 있다.
하부 라이너(102)는 서셉터(107)를 둘러싸도록 배치되고, 상부 라이너(105)는 하부 라이너(102)와 상부에 대향되도록 마련될 수 있다. 예열링(108)은 서셉터(107)에 인접하는 하부 라이너(102)의 내면을 따라 링 형상으로 형성되어 하부 라이너(102) 상에 안착되며, 서셉터(107)를 둘러싸도록 배치되어 웨이퍼의 전해지는 가스의 온도를 균일하도록 한다.
서셉터(107)는 에피택셜 반응시 웨이퍼가 장착되는 부분으로, 카본 그래파이트, 탄화규소 등의 재질로 이루어지는 플레이트로 구성될 수 있다. 상기 서셉터(107) 하부에 위치한 메인 샤프트(110)와 메인 샤프트(110)에서 서셉터(107)의 에지 방향으로 여러 갈래 형성된 서셉터 지지대(109)에 의해 지지된다. 도 1과 같이 서셉터(107)는 예열링(108)의 높이와 동일한 높이인 제1 위치에 고정된 채로 에피택셜 공정이 수행될 수 있다.
에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위해서는, 반응 챔버 내부를 고온으로 하여 에피택셜 막을 기상성장 시킨다. 따라서, 에피택셜막을 성장시킬시 반응 챔버 내부에 금속 불순물 또는 잔여수분이 존재하게 되면, 제조된 에피택셜 웨이퍼가 금속 불순물에 의해 오염이 발생하여 에피택셜 웨이퍼의 품질을 보장할 수 없게 된다.
이에 반응 챔버는 각종 공정의 실행 후에 예방 정비(Preventive Maintenance, PM)을 수행을 실시하게 되는데, PM 후에는 반응 챔버 내부에 잔류 수분이 발생된다.
챔버 내부를 고온 상태로 일정 시간 동안 유지시키고, 이후 수소 가스를 이용하여 베이킹 공정을 수행하는 반응 챔버의 재가동 준비과정을 수행으로써 잔류 수분을 제거할 수 있다.
도 2는 에피택셜 성장 장치에서 서셉터를 위에서 바라본 도면이다.
도 2를 참조하면, 가스 도입구가 마련된 상부 라이너(105) 측에는 상기 서셉터(107)보다 상부에 메인 밸브(111)가 마련되며, 상기 메인 밸브(111)에서는 반응 가스의 이동 및 공정 중 발생하는 불순물을 이동시키기 위한 캐리어 가스인 수소 가스가 유입되며, 유입되는 수소 가스는 상기 서셉터의 상면에서 가스 배출구 방향인 A 방향으로 흐르게 된다. 그리고, 상기 메인 밸브(111)와 직교하는 방향에는 상기 서셉터(107)보다 하부에 슬릿 밸브(112)가 마련되고, 상기 슬릿 밸브(112) 또한, 반응 가스의 이동 및 공정 중 발생하는 불순물을 이동시키기 위한 캐리어 가스인 수소 가스가 유입된다.상기 슬릿 밸브(112)에서 유입되는 수소 가스는 서셉터(107)의 하부로 흐르게 되며 B의 방향으로 이동하지만 실질적으로는 가스 배출구의 흡입력에 의해 A 방향으로 편향되어 이동이 이루어진다.
즉, 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스는 서셉터(107)의 상면과 상부 덮개(106) 사이에서 A 화살표의 방향으로 이동하며, 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스는 메인 밸브와 직교하는 방향에서부터 흘러들어와 서셉터의 하부에서 가스 배출구 쪽으로 이동한다.
도 3은 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 단계에서 서셉터가 예열링의 높이보다 일정거리만큼 하강하여 제2 위치로 이동된 상태를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 실시예는 에피택셜 성장 장치(100)의 재가동 준비 단계에서 서셉터가 기설정된 제1 위치와 기설정된 제2 위치를 주기적으로 이동하면서 반응 챔버 내부의 베이킹 공정이 수행될 수 있다. 상기 기설정된 제1 위치는 상기 서셉터의 외주부에 마련된 예열링(108)과 동일한 높이로 설정되는 위치일 수 있으며, 상기 기설정된 제2 위치는 상기 서셉터가 상기 제1 위치보다 소정의 높이만큼 하강한 위치일 수 있다.
. 즉, 실시예는 에피택셜 성장 장치(100)의 재가동 준비 단계 중에서 반응 챔버 내부를 베이킹 하는 과정에서 서셉터(107)를 주기적으로 상승 또는 하강시켜 서셉터(107)의 상하부에 흐르는 수소 가스의 경로가 변경될 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
구체적으로, 에피택셜 성장 장치(100)의 재가동 준비 단계에서 서셉터(107)는 예열링(108)과 동일한 높이의 제1 위치에서 소정의 시간동안 유지된다. 즉 에피택셜 공정이 수행되는 제1 위치에 배치된 상태에서 메인 밸브에서 유입되는 수소가스의 유량은 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량보다 크도록 설정될 수 있으며, 이 때 메인 밸브에서는 90slm, 슬릿 밸브에서는 20slm의 유량으로 수소 가스가 유입될 수 있다.
이어서, 반응 챔버 내부를 소정의 온도로 승온하는 단계를 수행하는 과정에서, 서셉터(107)는 하부 덮개(101) 방향으로 소정 높이(H)만큼 하강한 제2 위치로 이동하여 소정의 시간 동안 유지된다. 실시예에서는 상기 서셉터가 제2 위치로 이동하면서, 메인 밸브와 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량이 변경될 수 있다. 실시예에서는 상기 서셉터가 제2 위치로 이동하면 슬랫 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량이 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량보다 커지도록 설정되며, 이에 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 경로가 변경될 수 있다.
서셉터가 제2 위치에 위치함에 따라서, 슬릿 밸브에서 유입된 수소 가스는 메인 밸브에서 유입된 수소 가스의 유동 선상으로 상승하는 C와 같은 흐름이 생성될 수 있다.
실시예에서는 서셉터의 상승 또는 하강이 주기적으로 수행되고, 서셉터의 하강시 순간적으로 메인 밸브의 수소 가스 유량은 슬릿 밸브의 수소 가스 유량보다 작도록 변경되며, 구체적으로 서셉터가 하강하는 경우에는 메인 벨브의 수소 가스 유량은 5~20 slm, 슬릿 밸브의 수소 가스 유량은 최대 30slm을 갖도록 설정될 수 있다.
표 1은 본 발명의 실시예를 적용한 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 과정에서 베이킹 단계에서 수행되는 레시피(Recipe)를 나타낸다.
step 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Ramp Ramp Ramp Ramp Ramp Ramp
Max time
300
60
300
60
300
60
300
60
300
60
300
10
Pos 1st 1st 1st 1st 2nd 1st 1st 1st 2nd 1st 1st 1st
Main 90 90 90 90 20 90 90 90 20 90 90 90
Slit 20 20 20 20 30 20 20 20 30 20 20 20
down down
표 1을 살펴보면, 본 발명의 베이킹 단계에서 수행되는 처리과정에 해당하는 하나의 사이클은 총 12단계로 이루어질 수 있으며, 상기와 같은 사이클이 총 4번 반복되어 실행될 수 있으며, 각 사이클에서는 상기 반응 챔버 내부가 일정한 온도로 유지되는 구간과 소정의 온도로 변동되는 과정이 반복적으로 수행될 수 있다.
우선 1단계에서는 반응챔버가 승온되어 일정한 온도에서 최대 300초(Max time) 동안 반응 챔버 내부의 안정화 상태가 이루어지고, 서셉터의 위치(Position, Pos)는 에피택셜 공정이 이루어지는 제1 위치(1st)에 위치하며, 메인 밸브와 슬릿 밸브에선 각각 90slm, 20slm의 유량으로 수소 가스가 유입된다.
이어서, 2단계에서는 반응 챔버의 내부의 온도가 1단계와는 다르게 설정되어 이에 대한 반응 챔버 내부의 온도가 증가하거나 감소하는 단계이며, 최대 60초간 서셉터는 제1 위치에 유지되고, 메인 밸브와 슬릿 밸브에서는 각각 90slm, 20slm의 유량으로 수소 가스가 계속 유입된다.
4단계까지의 과정이 수행된 후에, 5단계에서는 서셉터의 위치가 소정의 높이만큼 하강한 제2 위치(2nd)로 이동하면서, 메인 밸브와 슬릿 밸브에서는 각각 20slm, 30slm의 유량으로 반응 챔버 내부로 수소 가스가 유입되도록 변경되고, 최대 300초동안 수행될 수 있다.
이어서, 6단계부터는 반응 챔버 내부의 온도를 최대 60초간 변경하고, 최대 300초동안 안정화시키는 과정이 12단계까지 반복적으로 수행되고, 메인 밸브와 슬릿 밸브에서는 다시 90slm, 20slm의 유량으로 수소 가스가 반응 챔버 내부로 유입된다. 이 때, 9단계에서 다시 서셉터의 위치가 제2 위치로 변경되며, 슬릿 밸브에서의 수소 가스 유량이 메인 밸브에서의 수소 가스 유량보다 크도록 설정값이 변경될 수 있다.
상술한 바와 같은 12단계의 과정이 하나의 사이클을 이루며, 실시예는 상기 사이클이 총 4회 반복됨에 따라서 반응 챔버 내부에 잔존한 수분 및 오염물질을 제거하여 에피택셜 성장 장치의 재가동 시간을 감소시킬 수 있다.
즉, 실시예는 메인 밸브 슬릿 밸브의 유량이 역전됨에 따라서, 슬릿 밸브를 통해 흐르는 수소 가스가 상방향으로 이동할 수 있게 되고, 반응 챔버 하부에 갇혀 빠져 나가지 못한 수분 및 오염원을 서셉터 상부 방향으로 날려보낼 수 있다. 이는, 하방향으로 흐르던 수소 가스의 유량이 상방향으로 흐르던 수소 가스의 유량보다 크도록 역전됨과 동시에 서셉터가 하방향으로 이동하여 하방향으로 흐르던 수소 가스의 유동 경로를 제공하기 때문이다. 즉, 서셉터 하부에서 흐르던 수소 가스의 경로가 상방향으로 변경될 수 있음을 의미한다.
도 4는 에피택셜 리액터의 준비 방법에서 종래와 실시예에 따른 반응 챔버 내부의 MCLT 수준을 나타낸 그래프이다. 구체적으로, 실시예에 따라 서셉터의 위치 변경을 실시하면서 공정 챔버 내부를 베이킹한 경우, 공정 챔버 내부의 MCLT 수준을 비교한 것이다.
MCLT(Minority carrier life time)는 에피택셜 성장 장치에서 재가동 준비 완료를 판단하는 하나의 척도가 될 수 있다. MCLT는 과잉된 소수 전자가 재결합하는데 걸리는 평균 시간을 의미하며, 반응 챔버 내부에 불순물이 많을수록 MCLT는 감소하게 된다. 일반적으로, 재가동 준비 단계에서는 상기 MCLT가 일정한 값에 다다를 때까지 재가동 준비 단계의 여러 과정들을 수행할 수 있다.
도 4의 그래프를 살펴보면, 실시예의 방법을 적용한 반응 챔버에서는 반응 챔버에 대한 베이킹 공정을 수행하는 과정에서 MCLT가 종래와 비교하여 현저히 증가하였으며, 매 런을 수행할 때마다 종래와의 방법에 비해 그 차이가 더욱 커지는 것을 알 수 있다.
도 5는 표 1의 실시예에 따른 에피택셜 리액터의 준비 방법에 있어서, 서셉터의 높이 변화에 따른 MCLT 수준을 나타낸 그래프이다.
도 5를 참조하면, 서셉터가 Up 인 경우는 서셉터가 에피택셜 공정이 이루어지는 제1 위치에 있는 경우이며, Down의 경우는 본 실시예에서 서셉터가 9mm만큼 하강하여 제 2위치에 있는 경우이고, Middle의 경우에는 서셉터가 4.5mm만큼 하강한 경우를 나타낸다. 도 4에 개시된 바와 같이, 서셉터를 반응 챔버 내에서 소정의 거리만큼 하강시킬시 MCLT의 수준이 크게 달라짐을 알 수 있다.
즉, 서셉터를 4.5mm 정도로 하강시킨 경우에는 서셉터가 제1 위치에 있는 경우와 MCLT의 수준이 큰 차이가 발생하지 않음을 알 수 있으나, 서셉터가 9mm정도로 하강한 경우에는 제1 위치에 있는 경우와 MCLT의 수준에 있어 큰 차이를 보임을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에서 서셉터는 반응 챔버 내부에서 9mm 정도로 하강되도록 함으로써, 수소 가스의 유동이 상방향으로 더욱 잘 일어나 반응 챔버 내에 정체된 수분 및 오염물질을 효과적으로 배출할 수 있음을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 실시예에 따르면, 반응 챔버 하부에 정체된 수분 및 오염물질이 효과적으로 제거됨에 따라 리액터의 재가동을 수행하기 위한 MCLT의 최소값에 도달하는 시간이 감소하고, 이에 따라 리액터의 재가동을 수행하기 위한 준비시간도 감소하기 때문에 에피택셜 웨이퍼의 생산 수율 또한 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 웨이퍼에 대한 에피택셜 성장이 수행되는 반응 챔버의 재가동 준비단계로서,
    반응 챔버 내부에 마련되며 상기 웨이퍼가 안착되는 서셉터를 기설정된 제1 위치에 배치하며, 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 유량을 슬릿 밸브에서 유입되는 수소가스의 유량보다 크도록 설정하는 단계; 및
    상기 서셉터를 기설정된 제2 위치로 이동시키고, 상기 제2 위치에 서셉터가 유지되는 동안 상기 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양은 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스의 양보다 작도록 설정하는 단계;
    를 포함하는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 위치는 상기 서셉터의 외주부에 마련된 예열링과 동일한 높이로 설정되는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 위치는 상기 제1 위치보다 낮도록 설정되는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 반응 챔버 내부에 대한 베이킹을 실시하는 단계에서 주기적으로 상기 제1 위치와 제2 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 제1 위치와 제2 위치로 이동시에 메인 밸브와 슬릿 밸브의 유량이 변경되는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터가 제1 위치인 경우, 상기 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스는 90slm이며, 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스는 20slm인 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터가 제2 위치인 경우, 상기 메인 밸브에서 유입되는 수소 가스는 5~20slm이며, 상기 슬릿 밸브에서 유입되는 수소 가스는 30slm인 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 반응 챔버 내부를 베이킹하는 과정에서, 상기 반응 챔버 내부는 일정한 온도가 유지되는 구간과 소정의 온도로 변동되는 구간이 반복적으로 나타나는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 반응 챔버 내부를 베이킹하는 과정에서, 상기 반응 챔버 내부는 일정한 온도로 승온되어 최대 300초간 유지되고, 최대 60초 동안 반응 챔버 내부의 온도가 변하는 과정이 반복적으로 수행되는 에피택셜 성장 장치의 재가동 준비 방법.
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