KR20160090590A - Light source module and lighting device - Google Patents

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KR20160090590A
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곽재오
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엘지이노텍 주식회사
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    • Y10S362/80—Light emitting diode

Abstract

An embodiment relates to a light source module and to a lighting device. The light source module of an embodiment includes: a substrate; a plurality of light emitting device packages on the upper side of the substrate; a plurality of driving devices positioned on the upper side of the substrate; a connection terminal part positioned on the upper side of the substrate; and a wire pattern positioned on the wire of the substrate. The interval between both ends of the substrate and the connection terminal part is greater than the interval between the light emitting device package, adjacent to both ends of the substrate, and both ends of the substrate.

Description

광원 모듈 및 조명 장치{LIGHT SOURCE MODULE AND LIGHTING DEVICE}[0001] LIGHT SOURCE MODULE AND LIGHTING DEVICE [0002]

실시 예는 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a light source module and a lighting device.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode whose electrical energy is converted into light energy. It can be produced from compound semiconductor such as group III and group V on the periodic table and by controlling the composition ratio of compound semiconductor, It is possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are used in various applications such as color LED display devices, LED traffic signals, and white LEDs. In recent years, the luminous efficiency of a high efficiency white LED is superior to the efficiency of a conventional fluorescent lamp, and is expected to replace a fluorescent lamp in a general illumination field.

종래의 발광 소자를 포함하는 조명 장치는 발광 소자가 실장된 발광 모듈, 외부의 교류 전압을 정류하고, 발광 소자를 구동시키는 구동신호를 생성하는 구동소자를 포함하는 구동모듈 및 외부 케이스 등을 포함한다.An illumination device including a conventional light emitting device includes a light emitting module mounted with a light emitting device, a drive module including an excitation device for rectifying an external AC voltage and generating a drive signal for driving the light emitting device, and an external case .

그러나, 종래의 조명 장치는 발광 모듈 및 구동 모듈의 조립에 의해 작업성이 저하되고, 슬림화 및 박형화에 어려운 문제가 있었다.However, in the conventional lighting apparatus, the workability is lowered by assembling the light emitting module and the driving module, and it is difficult to make it slim and thin.

또한, 종래의 조명 장치는 복잡한 구성에 의해 발광 소자의 배열이 제한되어 전체적으로 균일한 휘도를 구현하기 어려운 문제가 있었다.In addition, the conventional lighting apparatus has a complicated configuration, which limits the arrangement of the light emitting elements and thus has a problem that it is difficult to realize a uniform luminance as a whole.

실시 예는 슬림화 및 박형화를 구현할 수 있는 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light source module and a lighting device capable of realizing slimming and thinning.

실시 예는 균일한 휘도를 구현할 수 있는 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light source module and a lighting device capable of realizing uniform luminance.

실시 예는 발광 소자 배열의 디자인 설계가 자유로운 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light source module and a lighting device free of design design of the light emitting device arrangement.

실시 예에 의한 광원 모듈은 기판; 상기 기판의 상면 상에 위치한 복수의 발광 소자 패키지; 상기 기판의 상면 상에 위치한 복수의 구동소자; 상기 기판의 상면 상에 위치한 연결 단자부; 및 상기 기판의 배면 상에 위치한 배선 패턴을 포함하고, 상기 기판의 양끝단과 상기 연결 단자부 사이의 간격은 상기 기판의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격 이상일 수 있다.A light source module according to an embodiment includes a substrate; A plurality of light emitting device packages positioned on an upper surface of the substrate; A plurality of driving elements positioned on an upper surface of the substrate; A connection terminal portion located on an upper surface of the substrate; And a wiring pattern disposed on a back surface of the substrate, wherein an interval between both ends of the substrate and the connection terminal portion may be equal to or greater than a distance between the light emitting device package and both ends of the substrate adjacent to both ends of the substrate.

실시예에 따른 조명 장치는 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.The illumination device according to the embodiment may include at least one or more of the light source modules.

실시예에 따른 광원 모듈은 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함하는 제1 광원 모듈, 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함하는 제2 광원 모듈, 및 상기 제1 및 제2 광원 모듈을 연결하는 연결 부재를 포함할 수 있다.The light source module may include a first light source module including at least one light source module, a second light source module including at least one light source module, and a connection member connecting the first and second light source modules, .

실시예에 따른 조명 장치는 상기 연결부재, 상기 제1 및 제2 광원 모듈을 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include the connecting member, the first and second light source modules.

실시 예에 따른 광원 모듈은 복수의 발광 소자 패키지를 구동시키는 구동전압을 생성하는 복수의 구동소자를 상기 발광 소자 패키지와 동일 기판에 실장하여 슬림화 및 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The light source module according to the embodiment is advantageous for slimming down and thinning by mounting a plurality of driving elements for generating a driving voltage for driving a plurality of light emitting device packages on the same substrate as the light emitting device package.

또한, 실시 예에 따른 광원 모듈은 연결 단자부와 기판의 양끝단 사이의 간격이 복수의 발광 소자 패키지와 기판의 양끝단 사이의 간격보다 멀거나 동일한 간격을 가짐으로써, 발광 소자 패키지 배열의 디자인 설계가 자유로운 장점을 갖는다.In addition, in the light source module according to the embodiment, the space between the connection terminal portions and the both ends of the substrate has distances greater than or equal to the intervals between the plurality of light emitting device packages and the ends of the substrate, It has a free advantage.

또한, 실시 예에 따른 조명장치는 상기 광원 모듈이 적어도 2 이상 결합되어 자유로운 발광 소자 패키지 배열의 디자인 설계에 의해 전체적으로 균일한 면광을 구현하거나, 특정 영역의 휘도를 제어할 수 있는 장점을 갖는다.In addition, the lighting apparatus according to the embodiment has an advantage that the light source module can be combined with at least two or more light emitting device package arrangements freely, thereby realizing a uniform surface light as a whole or controlling a luminance of a specific region.

또한, 실시 예에 따른 조명장치는 하부 커버의 내부 바닥면에 상기 광원 모듈의 기판 하부면이 인접하게 위치되어 방열에 우수한 장점을 갖는다.In addition, the illumination device according to the embodiment is advantageous in that the lower surface of the substrate of the light source module is positioned adjacent to the inner bottom surface of the lower cover to dissipate heat.

도 1은 실시 예에 따른 광원 모듈의 상면을 도시한 평면도이다.
도 2는 실시 예에 따른 광원 모듈의 배면을 도시한 평면도이다.
도 3은 도 1의 광원 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 조명장치를 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 복수의 광원 모듈이 결합된 조명장치를 도시한 평면도이다.
도 8은 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로를 도시한 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 광원 모듈에 포함되는 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 9의 발광 소자 패키지에 포함된 발광 소자의 실시 예를 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a top surface of a light source module according to an embodiment.
2 is a plan view showing the back surface of the light source module according to the embodiment.
FIG. 3 is a perspective view showing a lighting device including the light source module of FIG. 1;
4 is a cross-sectional view showing the illumination device cut along the line I-I 'in Fig.
5 to 7 are plan views showing a lighting device to which a plurality of light source modules are coupled.
8 is a view showing a driving circuit of a light source module according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package included in the light source module according to the embodiment.
10 and 11 are cross-sectional views illustrating an embodiment of a light emitting device included in the light emitting device package of FIG.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 광원 모듈의 상면을 도시한 평면도이고, 도 2는 실시 예에 따른 광원 모듈의 배면을 도시한 평면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a top surface of a light source module according to an embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing a back surface of a light source module according to an embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 기판(110), 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 연결 단자부 및 배선 패턴(150)을 포함한다.1 and 2, a light source module 100 according to an embodiment includes a substrate 110, a plurality of light emitting device packages 120, a plurality of driving elements 130, a connection terminal portion, and a wiring pattern 150 .

상기 기판(110)은 바(bar) 형상일 수 있고, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)은 내부에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)은 횡방향(Y)의 양끝단에 위치한 일단(111) 및 타단(112)을 포함한다. 상기 기판(110)은 기판(110)의 횡방향(Y)과 평행한 일측면(113) 및 타측면을 포함할 수 있다.The substrate 110 may be in the form of a bar and may be a resin printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, a FR-4 substrate . ≪ / RTI > The substrate 110 may include a printed circuit board having a metal layer therein. The substrate 110 includes one end 111 and the other end 112 located at both ends of the lateral direction Y. [ The substrate 110 may include one side 113 and the other side parallel to the lateral direction Y of the substrate 110.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(110)에는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 연결 단자부와 접속되는 패드들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 패드들은 상기 배선 패턴(150)과 전기적으로 연결될 수 있다.Although not shown in the drawing, the substrate 110 may include pads connected to the plurality of light emitting device packages 120, the plurality of driving elements 130, and the connection terminal portions. Here, the pads may be electrically connected to the wiring pattern 150.

상기 기판(110)의 양측면에는 제1 및 제2 걸림홈(115, 116)을 포함한다. 제1 및 제2 걸림홈(115, 116)은 광원모듈(100)과 조명장치의 기구물과의 얼라인 및 결합을 위한 기능을 포함한다.On both sides of the substrate 110, first and second locking grooves 115 and 116 are formed. The first and second latching grooves 115 and 116 include a function for aligning and coupling the light source module 100 and the illumination device.

상기 배선 패턴(150)은 상기 기판(110)의 배면(110b)에 형성될 수 있다. 상기 배선 패턴(150)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다중 층으로 형성될 수 있다. 상기 배선 패턴(150) 상에는 절연층이 형성될 수 있다. The wiring pattern 150 may be formed on the back surface 110b of the substrate 110. [ The wiring pattern 150 may be formed of a material selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, and phosphorous (P), or a selective alloy thereof, and may be formed as a single layer or multiple layers. An insulating layer may be formed on the wiring pattern 150.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(110)에는 상기 배선 패턴(150), 상기 복수의 구동소자(130), 상기 복수의 발광 소자 패키지(120) 및 연결 단자부를 연결하는 컨택홀을 더 포함할 수 있다.Although not shown in the drawing, the substrate 110 may further include a contact hole for connecting the wiring pattern 150, the plurality of driving elements 130, the plurality of light emitting device packages 120, have.

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110) 상면(110a) 상에 실장될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 횡방향(Y)과 대응되는 제1 방향으로 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 패키지 타입의 발광 소자 패키지(120)로 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 기판(110)의 상면(110a) 상에 칩이 직접 실장되는 COB(Chip on board)일 수 도 있다.The plurality of light emitting device packages 120 may be mounted on the upper surface 110a of the substrate 110. FIG. The plurality of light emitting device packages 120 may be spaced apart from each other by a predetermined distance in a first direction corresponding to the lateral direction Y of the substrate 110. The number of the light emitting device packages 120 is limited to the package type light emitting device package 120. The present invention is not limited to this and the COB chip on which the chips are directly mounted on the upper surface 110a of the substrate 110 board.

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 횡방향(Y)으로 일정한 간격을 두고 실장될 수 있다. 즉, 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 상에서 일정한 피치(P: pitch)를 가질 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)가 상기 기판(110) 상에서 서로 일정한 피치(P)를 가짐으로써, 상기 기판(110)의 횡방향(Y)으로 균일한 휘도를 구현할 수 있다. The plurality of light emitting device packages 120 may be mounted at regular intervals in the lateral direction Y of the substrate 110. That is, the plurality of light emitting device packages 120 may have a constant pitch (P) on the substrate 110. The plurality of light emitting device packages 120 may have a constant pitch P on the substrate 110 so that a uniform luminance can be realized in the lateral direction Y of the substrate 110. [

상기 기판(110)의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지(120)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)은 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이의 피치(P)의 1/2일 수 있다.The interval W1 between the ends of the substrate 110 and the light emitting device package 120 adjacent to both ends of the substrate 110 may be 1/2 of the pitch P between the plurality of light emitting device packages have.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 복수의 발광 소자 패키지(120)를 한정하여 설명하고 있지만, 특별히 한정하지는 않는다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 영역별로 상이한 피치를 가질 수 있다. 예컨대 상기 기판(110)의 일단(111) 또는 타단(112)으로 좁은 또는 넓은 피치를 가질 수 있다. Although a plurality of light emitting device packages 120 having a constant pitch are described in the embodiment, the present invention is not limited thereto. The plurality of light emitting device packages 120 may have different pitches in each region. For example, one end 111 or the other end 112 of the substrate 110 may have a narrow or wide pitch.

또한, 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 중심부로 갈 수록 좁은 피치를 가질 수 있다. 또한, 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 양끝단과 인접할 수록 좁은 피치를 가질 수 있다.In addition, the plurality of light emitting device packages 120 may have a narrow pitch toward the center of the substrate 110. Also, the plurality of light emitting device packages 120 may have a narrow pitch as they are adjacent to both ends of the substrate 110.

상기 복수의 구동소자(130)는 상기 기판(110)의 상면(110a) 상에 실장되고, 상기 기판(110)의 횡방향(Y)과 평행한 상기 기판(110)의 일측면(113)에 인접하게 위치할 수 있다. 상기 복수의 구동소자(130)는 상기 기판(110)의 일측면(113)과 상기 복수의 발광 소자 패키지(120) 사이에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of driving elements 130 are mounted on the upper surface 110a of the substrate 110 and are disposed on one side 113 of the substrate 110 parallel to the lateral direction Y of the substrate 110 Can be positioned adjacent. The plurality of driving elements 130 may be disposed between one side surface 113 of the substrate 110 and the plurality of light emitting device packages 120, but the present invention is not limited thereto.

상기 연결 단자부는 상기 기판(110)의 일단(111)과 인접한 제1 연결 단자(141)와, 상기 기판(110)의 타단(112)과 인접한 제2 연결 단자(143)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 상면(110a) 상에 실장되고, 상기 기판(110)의 횡방향(Y)과 평행한 상기 기판(110)의 일측면(113)에 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 일측면(113)과 상기 복수의 발광 소자 패키지(120) 사이에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The connection terminal portion may include a first connection terminal 141 adjacent to one end 111 of the substrate 110 and a second connection terminal 143 adjacent to the other end 112 of the substrate 110. The first and second connection terminals 141 and 143 are mounted on the upper surface 110a of the substrate 110 and extend parallel to the substrate 110 in parallel with the lateral direction Y of the substrate 110. [ May be located adjacent the side surface 113. The first and second connection terminals 141 and 143 may be located between one side surface 113 of the substrate 110 and the plurality of light emitting device packages 120. However, the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 구동소자(130)와 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 구동소자(130)를 사이에 두고 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 구동소자(130)와 나란하게 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be positioned adjacent to the plurality of driving elements 130. The first and second connection terminals 141 and 143 may be spaced apart with the plurality of driving elements 130 interposed therebetween. The first and second connection terminals 141 and 143 may be positioned in parallel with the plurality of driving elements 130. The first and second connection terminals 141 and 143 may be electrically connected to each other.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 외부의 구동전원으로부터 구동신호를 제공받기 위해 구동전원과 광원 모듈(100)을 전기적으로 연결하거나, 복수의 광원 모듈을 서로 전기적으로 연결하는 커넥터(connecter) 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 연결 단자(141)는 외부의 구동전원과 연결될 수 있고, 상기 제2 연결 단자(143)는 다른 광원 모듈의 연결 단자와 연결될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 electrically connect the driving power source and the light source module 100 to each other in order to receive driving signals from an external driving power source, and a connecter function. For example, the first connection terminal 141 may be connected to an external driving power source, and the second connection terminal 143 may be connected to a connection terminal of another light source module.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 양끝단으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W2)은 상기 기판(110)의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지(120)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)과 동일하거나 더 멀게 설계될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 상기 발광 소자 패키지(120)보다 상기 기판(110)의 양끝단으로부터 멀거나 동일한 간격을 가질 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be spaced apart from both ends of the substrate 110 by a predetermined distance. The distance W2 between the first and second connection terminals 141 and 143 and the both ends of the substrate 110 is larger than the distance W2 between the light emitting device package 120 and the substrate 110 The distance W1 between the both end portions of the first and second end portions of the first and second end portions 22 and 23 is equal to or greater than the distance W1. That is, the first and second connection terminals 141 and 143 may be farther from the ends of the substrate 110 than the light emitting device package 120, or may have the same spacing.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)은 상기 기판(110)의 횡방향(Y)과 수평한 방향으로 실장되며, 이에 한정되지는 않는다. 예컨대 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 종방향(X)으로 실장될 수도 있고, 상기 횡방향(Y)과 종방향(X) 사이로 기울어진 형태로 실장될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 외부의 구동전원과의 연결 구조 및 다른 광원 모듈과의 결합구조에 따라 실장된 형상은 변경될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 are mounted in a direction parallel to the lateral direction Y of the substrate 110, but are not limited thereto. For example, the first and second connection terminals 141 and 143 may be mounted in the longitudinal direction X of the substrate 110 and may be mounted in a slanted form between the lateral direction Y and the longitudinal direction X. [ . The mounted shape of the first and second connection terminals 141 and 143 may be changed depending on the connection structure with the external driving power source and the coupling structure with other light source modules.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be spaced apart from the plurality of light emitting device packages 120 at a predetermined interval.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)와 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 간격은 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM: Full Width at the Half Maximum)에 따라 따라 결정될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)은 발광 소자 패키지(120)의 지향각 특성에 따라 변경될 수 있다. The distance between the first and second connection terminals 141 and 143 and the plurality of light emitting device packages 120 may be determined according to a full width at the half maximum (FWHM) of the light emitting device package 120 . The FWHM of the light emitting device package 120 may be changed according to the orientation angle characteristics of the light emitting device package 120.

또한, 상기 복수의 구동소자(130)와 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 간격은 상기 반치폭에 따라 결정될 수 있다. The distance between the plurality of driving elements 130 and the plurality of light emitting device packages 120 may be determined according to the half width.

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와 상기 복수의 구동소자(130) 사이의 거리는 상기 복수의 구동소자(130)의 높이에 따라 변경될 수 있다. The distance between the plurality of light emitting device packages 120 and the plurality of driving elements 130 may be changed according to the height of the plurality of driving elements 130.

또한, 상기 복수의 발과 소자 패키지(120)와 상기 제1 및 제2 연결단자(141, 143) 사이의 거리는 상기 복수의 구동소자(130), 제1 및 제2 연결단자(141, 143)의 높이에 따라 변경될 수 있다. 예컨대 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)은 tan 10°내지 30°일 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)이 tan 30°(0.5774)일 경우, 상기 복수의 구동소자(130)와 상기 제1 및 제2 연결단자(141, 143)는 높이에 따라 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와의 최소 간격이 결정되고, 상기 높이 및 간격은 반비례할 수 있다.The distance between the plurality of foot and element packages 120 and the first and second connection terminals 141 and 143 may be smaller than the distance between the plurality of the drive elements 130 and the first and second connection terminals 141 and 143, As shown in FIG. For example, the full width at half maximum (FWHM) of the plurality of light emitting device packages 120 may be tan 10 ° to 30 °. When the FWHM of the plurality of light emitting device packages 120 is tan 30 ° (0.5774), the plurality of driving elements 130 and the first and second connection terminals 141 and 143 A minimum gap with the plurality of light emitting device packages 120 is determined, and the height and the gap may be inversely proportional to each other.

실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 기판(110)의 상면(110a) 상에 위치할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 복수의 발광 소자 패키지(120)를 구동시키는 구동전압을 생성하는 복수의 구동소자(130)를 상기 발광 소자 패키지(120)와 동일 기판(110)에 실장하여 슬림화 및 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The light source module 100 according to the embodiment includes a plurality of light emitting device packages 120, a plurality of driving devices 130 and first and second connection terminals 141 and 143 on the upper surface 110a of the substrate 110 Lt; / RTI > The light source module 100 according to the embodiment includes a plurality of driving elements 130 for generating driving voltages for driving the plurality of light emitting device packages 120 on the same substrate 110 as the light emitting device package 120 It is advantageous in that it is slim and thin.

또한, 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)보다 멀거나 동일한 간격을 가질 수 있다. 이와 같은 구조에 의해 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 기판의 양끝단에 위치한 연결 단자를 갖는 일반적인 광원 모듈보다 발광 소자 패키지(120)의 디자인 설계가 자유로운 장점을 갖는다.The first and second connection terminals 141 and 143 may have distances greater than or equal to the interval W1 between the ends of the plurality of light emitting device packages 120 and the substrate 110. [ According to this structure, the light source module 100 according to the embodiment has an advantage that the design of the light emitting device package 120 is more flexible than a general light source module having connection terminals located at both ends of the substrate.

도 3은 도 1의 광원 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 조명장치를 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a perspective view showing a lighting device including the light source module of FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view showing a lighting device cut along the line I-I 'of FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 조명 장치(200)는 광원 모듈(100), 하부 커버(210), 상부 커버(230) 및 사이드 커버(260)를 포함한다.3 and 4, the lighting apparatus 200 includes a light source module 100, a lower cover 210, an upper cover 230, and a side cover 260.

상기 광원 모듈(100)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(100)은 도 1의 실시 예와 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 하며, 상기 하부 커버(210), 상부 커버(230) 및 사이드 커버(260)의 특징 위주로 기술하기로 한다.The light source module 100 may employ the technical features of the embodiment of FIG. The light source module 100 is the same as the light source module 100 of FIG. 1, and thus the same reference numerals are used for the detailed description thereof. .

상기 하부 커버(210)는 상기 광원 모듈(100) 및 상기 상부 커버(230)를 수용한다. 상기 하부 커버(210)는 방열이 우수한 금속재질일 수 있다. 즉, 상기 하부 커버(210)는 열전도도가 높은 물질로 이루어질 수 있다.The lower cover 210 accommodates the light source module 100 and the upper cover 230. The lower cover 210 may be made of a metal material having excellent heat dissipation. That is, the lower cover 210 may be made of a material having a high thermal conductivity.

상기 하부 커버(210)는 상기 상부 커버(230)가 안착될 수 있도록 측면의 끝단이 구부러진 구조를 포함하고, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 하부 커버(210)는 내측면을 따라 내측으로 돌출된 돌기들과 상기 돌기들 사이에 형성된 홈으로 상부 커버(230)가 수납되는 구조를 포함할 수도 있다.The lower cover 210 includes a structure in which the end of the side is curved so that the upper cover 230 can be seated, but the present invention is not limited thereto. That is, the lower cover 210 may include a structure in which protrusions protruding inward along the inner side and grooves formed between the protrusions accommodate the upper cover 230.

상기 상부 커버(230)는 상기 광원 모듈(100)을 보호하고, 상기 광원 모듈(100)로부터 발광된 광을 확산시키는 기능을 포함한다.The upper cover 230 has a function of protecting the light source module 100 and diffusing light emitted from the light source module 100.

상기 사이드 커버(260)는 상기 광원 모듈(100)의 양측단을 덮는다. 상기 사이즈 커버(260)는 상기 하부 커버(210)의 양측단 상에 위치하고, 상기 상부 커버(230)의 하부에 위치한다. 상기 사이드 커버(260)는 상기 광원 모듈(100)을 고정시키고, 상기 광원 모듈(100)의 양측단으로 발광된 광을 반사시켜 광 추출을 향상시키는 기능을 포함한다. The side cover 260 covers both ends of the light source module 100. The size cover 260 is positioned on both sides of the lower cover 210 and is located below the upper cover 230. The side cover 260 includes a function of fixing the light source module 100 and enhancing light extraction by reflecting light emitted from both side ends of the light source module 100.

상기 사이드 커버(260)는 제1 홀(265)을 포함한다. 상기 제1 홀(265)은 상기 사이드 커버(260), 광원 모듈(100), 하부 커버(210)를 결합시키는 고정 부재(270)를 수용할 수 있다. 즉, 상기 제1 홀(265)은 상기 광원 모듈(100)의 제1 및 제2 결합홈(115, 116)과 중첩될 수 있고, 상기 하부 커버(210)에 양측단 바닥면에 형성된 제2 홀(215)과 중첩될 수 있다.The side cover 260 includes a first hole 265. The first hole 265 may receive a fixing member 270 for coupling the side cover 260, the light source module 100, and the lower cover 210. That is, the first hole 265 may overlap the first and second coupling grooves 115 and 116 of the light source module 100, and the second hole 265 may overlap the first and second coupling grooves 115 and 116 of the light source module 100, Hole 215. [0050]

상기 고정 부재(270)는 상기 제1 홀(265), 제1 및 제2 결합홈(115, 116), 제2 홀(215)에 체결되어 상기 사이드 커버(260), 광원 모듈(100) 및 하부 커버(210)를 결합시키는 기능을 포함한다. 실시 예의 조명 장치(200)는 스크류(screw) 타입을 한정하여 설명하지만, 이에 대해 한정되지 않는다. 즉, 상기 고정 부재(270)는 후크 타입 등의 결합구조로 대체될 수 있다.The fixing member 270 is coupled to the first hole 265, the first and second coupling grooves 115 and 116 and the second hole 215 to form the side cover 260, the light source module 100, And a function of engaging the lower cover 210. Although the illumination device 200 of the embodiment is limited to the screw type, it is not limited thereto. That is, the fixing member 270 may be replaced with a coupling structure such as a hook type.

상기 광원 모듈(100)과 상기 하부 커버(210) 사이에는 절연부재(220)가 위치한다. 상기 절연 부재(220)는 상기 광원 모듈(100)의 배면과 직접 접촉할 수 있고, 상기 하부 커버(210)의 바닥면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 절연 부재(220)는 상기 광원 모듈(100)의 배면에 노출된 배선 패턴(150)과 상기 하부 커버(210)의 바닥면 사이를 절연시킬 수 있다.An insulating member 220 is disposed between the light source module 100 and the lower cover 210. The insulating member 220 may directly contact the back surface of the light source module 100 and may directly contact the bottom surface of the lower cover 210. The insulating member 220 may insulate the bottom surface of the lower cover 210 from the wiring pattern 150 exposed on the back surface of the light source module 100.

상기 광원 모듈(100)로부터의 열은 열전도도가 높은 상기 하부 커버(210)로 전도될 수 있다. 따라서, 실시 예의 조명 장치(200)는 슬림화 및 박형화뿐만 아니라 방열에 우수한 장점을 갖는다.The heat from the light source module 100 can be conducted to the lower cover 210 having high thermal conductivity. Therefore, the lighting apparatus 200 of the embodiment has an advantage of not only slimming and thinning but also excellent heat dissipation.

상기 광원 모듈(100)은 기판(110)의 상면상에 복수의 발광 소자 패키지(120) 및 복수의 구동소자(130)가 모두 위치하므로 기판(110)의 하부면에 노출된 배선 패턴(150)은 절연 부재(220)에 의해 쇼트와 같은 전기적인 특성 저하를 방지할 수 있다.The light source module 100 includes a plurality of light emitting device packages 120 and a plurality of driving devices 130 on the upper surface of the substrate 110 so that the wiring patterns 150 exposed on the lower surface of the substrate 110, It is possible to prevent electrical property degradation such as short-circuiting by the insulating member 220. [

실시 예에 따른 조명 장치(200)는 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 기판(110)의 상면 상에 모두 위치한 광원 모듈(100)이 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면에 절연 부재(220)를 사이에 두고 결합되어 슬림화 및 박형화에 유리하고, 상기 기판(110)의 하부면은 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면과 절연 부재(220)를 사이에 두고 인접하게 위치하므로 방열에 우수한 장점을 갖는다.The illumination device 200 according to the embodiment includes the plurality of light emitting device packages 120, the plurality of driving devices 130, and the first and second connection terminals 141 and 143 on the upper surface of the substrate 110 The light source module 100 is bonded to the inner bottom surface of the lower cover 210 with the insulating member 220 sandwiched therebetween so that the lower surface of the substrate 110 is slim and thin, Since the inner bottom surface of the insulating member 220 is positioned adjacent to the inner bottom surface of the insulating member 220, the heat radiation is advantageous.

도 5 내지 도 7은 복수의 광원 모듈이 결합된 조명장치를 도시한 평면도이다.5 to 7 are plan views showing a lighting device to which a plurality of light source modules are coupled.

도 5를 참조하면, 일 실시 예의 조명 장치(300)는 제1 및 제2 광원 모듈(110a, 110b)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the illumination device 300 of one embodiment includes first and second light source modules 110a and 110b.

상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light source modules 100a and 100b may employ the technical features of the embodiment of FIG.

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 143a)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a and first and second connection terminals 141a and 143a and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting modules An element package 120b, and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 연결부재에 의해 서로 연결될 수 있다. 예컨대 상기 연결부재는 와이어(W)일 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a connection member. For example, the connecting member may be a wire (W), but is not limited thereto.

즉, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 횡방향으로 배치되고, 상기 제1 및 제4 연결 단자(141a, 143b)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(300)를 제공한다.That is, the first and second light source modules 100a and 100b are disposed in the lateral direction, and the first and fourth connection terminals 141a and 143b are electrically connected to provide one illumination device 300 .

상기 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향으로 서로 일정한 피치를 가짐으로써, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향으로 균일한 휘도를 구현할 수 있다.The first and second light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch. The first and second light emitting device packages 120a and 120b have a constant pitch in the lateral direction of the first and second light source modules 100a and 100b, 100a, and 100b in the horizontal direction.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다. Although the first and second light emitting device packages 120a and 120b having a constant pitch are described in the embodiment, the present invention is not limited thereto. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have different pitches depending on the application.

도 6을 참조하면, 조명 장치(400)는 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the illumination device 400 includes first and second light source modules 100a and 100b.

상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light source modules 100a and 100b may employ the technical features of the embodiment of FIG.

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 141b)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a and first and second connection terminals 141a and 141b and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting modules An element package 120b, and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 와이어(W)에 의해 서로 연결될 수 있다.The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a wire W. [

즉, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 종방향으로 배치되고, 상기 제1 및 제4 연결 단자(141a, 143b)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(400)를 제공한다.That is, the first and second light source modules 100a and 100b are disposed in the longitudinal direction, and the first and fourth connection terminals 141a and 143b are electrically connected to each other to provide one illumination device 400 .

상기 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향 및 종방향으로 서로 일정한 피치를 가질 수 있다. 따라서, 조명 장치(400)는 전체 영역에서 균일한 휘도를 구현할 수 있다.The first and second light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch in the lateral and longitudinal directions of the first and second light source modules 100a and 100b. Therefore, the illumination device 400 can realize a uniform luminance in the entire area.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다. Although the first and second light emitting device packages 120a and 120b having a constant pitch are described in the embodiment, the present invention is not limited thereto. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have different pitches depending on the application.

도 7을 참조하면, 조명 장치(500)는 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the illumination device 500 includes first through eighth light source modules 100a through 100h.

상기 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first to eighth light source modules 100a to 100h may adopt the technical features of the embodiment of FIG.

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 143a)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a and first and second connection terminals 141a and 143a and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting modules An element package 120b, and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제3 광원 모듈(100c)은 복수의 제3 발광 소자 패키지(120c), 제5 및 제6 연결 단자(141c, 143c)를 포함하고, 상기 제4 광원 모듈(100d)은 복수의 제4 발광 소자 패키지(120d), 제7 및 제8 연결 단자(141d, 143d)를 포함한다.The third light source module 100c includes a plurality of third light emitting device packages 120c, fifth and sixth connection terminals 141c and 143c, and the fourth light source module 100d includes a plurality of fourth light emitting modules An element package 120d, and seventh and eighth connection terminals 141d and 143d.

상기 제5 광원 모듈(100e)은 복수의 제5 발광 소자 패키지(120e), 제9 및 제10 연결 단자(141e, 143e)를 포함하고, 상기 제6 광원 모듈(100f)은 복수의 제6 발광 소자 패키지(120f), 제11 및 제12 연결 단자(141f, 143f)를 포함한다.The fifth light source module 100e includes a plurality of fifth light emitting device packages 120e, ninth and tenth connection terminals 141e and 143e, and the sixth light source module 100f includes a plurality of sixth light emitting modules An element package 120f, and eleventh and twelfth connection terminals 141f and 143f.

상기 제7 광원 모듈(100g)은 복수의 제7 발광 소자 패키지(120g), 제13 및 제14 연결단자(141g, 143g)를 포함하고, 상기 제8 광원 모듈(100h)은 복수의 제8 발광 소자 패키지(120h), 제15 및 제16 연결 단자(141h, 143h)를 포함한다.The seventh light source module 100h includes a plurality of seventh light emitting device packages 120g, thirteenth and fourteenth connection terminals 141g and 143g, and the eighth light source module 100h includes a plurality of eighth light emitting modules An element package 120h, and fifteenth and sixteenth connection terminals 141h and 143h.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 와이어(W)에 의해 서로 연결될 수 있다.The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a wire W. [

상기 제3 연결 단자(141b)는 상기 제6 연결 단자(143b)와 연결될 수 있다.The third connection terminal 141b may be connected to the sixth connection terminal 143b.

상기 제5 연결 단자(141c)는 상기 제8 연결단자(143d)와 연결될 수 있다.The fifth connection terminal 141c may be connected to the eighth connection terminal 143d.

상기 제7 연결 단자(141d)는 상기 제10 연결 단자(143e)와 연결될 수 있다.The seventh connection terminal 141d may be connected to the tenth connection terminal 143e.

상기 제9 연결 단자(141e)는 상기 제12 연결 단자(143f)와 연결될 수 있다. The ninth connection terminal 141e may be connected to the twelfth connection terminal 143f.

상기 제11 연결 단자(141f)는 상기 제14 연결 단자(143g)와 연결될 수 있다. The eleventh connection terminal 141f may be connected to the fourteenth connection terminal 143g.

상기 제13 연결 단자(141g)는 상기 제16 연결 단자(143h)와 연결될 수 있다.The thirteenth connection terminal 141g may be connected to the sixteenth connection terminal 143h.

즉, 상기 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)은 종방향 및 횡방향으로 상기 제1, 제3 내지 제14, 제16 연결 단자(141a, 141b 내지 143g, 143h)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(500)를 제공한다.That is, the first to eighth light source modules 100a to 100h are electrically connected to the first, third to fourteenth and sixteenth connection terminals 141a, 141b to 143g, and 143h in the longitudinal and lateral directions Thereby providing one illumination device 500. [

상기 제4 광원 모듈(100d) 및 제6 광원 모듈(100f)은 서로 대칭되는 방향으로 위치한 제7, 제8, 제11 및 제12 연결 단자(141d, 143d, 141f, 143f)를 포함한다. The fourth light source module 100d and the sixth light source module 100f include seventh, eighth, eleventh and twelfth connection terminals 141d, 143d, 141f and 143f located in directions symmetrical to each other.

실시 예의 조명 장치(500)는 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)의 결합되는 위치에 따라 제7, 제8, 제11 및 제12 연결 단자(141d, 143d, 141f, 143f)의 위치가 변경될 수 있다.The lighting apparatus 500 of the embodiment is configured such that the positions of the seventh, eighth, eleventh, and twelfth connection terminals 141d, 143d, 141f, and 143f are determined according to the positions of the first through eighth light source modules 100a through 100h, Can be changed.

상기 제1 내지 제8 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제8 복수의 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a 내지 100h)의 횡방향 및 종방향으로 서로 일정한 피치를 가질 수 있다. 따라서, 상기 조명 장치(500)는 대화면 표시장치와 같은 대화면의 균일한 면광을 제공할 수 있는 장점을 갖는다.The first to eighth light emitting device packages 120a to 120h may have a constant pitch. The first to eighth light emitting device packages 120a to 120h may have a constant pitch in the lateral and longitudinal directions of the first and second light source modules 100a to 100h. Therefore, the illumination device 500 has an advantage that it can provide a uniform surface light of a large surface such as a large-screen display device.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 내지 제8 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 내지 제8 복수의 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다.Although the first to eighth light emitting device packages 120a to 120h having a constant pitch are described in the embodiment, the present invention is not limited thereto. The first to eighth light emitting device packages 120a to 120h may have different pitches depending on the application.

도 3 내지 도 7의 실시 예에 따른 조명 장치(200, 300, 400, 500)는 적어도 하나 이상의 광원 모듈을 이용하여 다양한 형태의 면광을 제공할 수 있는 장점을 갖는다.The lighting apparatuses 200, 300, 400, and 500 according to the embodiments of FIGS. 3 to 7 have an advantage that they can provide various types of surface light using at least one light source module.

도 8은 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로를 도시한 도면이다.8 is a view showing a driving circuit of a light source module according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로(600)는 교류 전원(VAC), 정류부(610), 구동 모듈(620), 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)를 포함한다.8, the driving circuit 600 of the light source module according to the embodiment includes an AC power source V AC , a rectifying unit 610, a driving module 620, and first and second light emitting groups 630 and 640 .

상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 복수의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈일 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 도 1의 광원 모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light emitting groups 630 and 640 may be a light source module including a plurality of light emitting device packages. That is, the first and second light emitting groups 630 and 640 may adopt the technical features of the light source module of FIG.

상기 광원 모듈의 구동회로(600)는 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 실시 예로 설명하고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 따라서, 상기 발광 그룹은 적어도 3 이상일 수 있다. Although the first and second light emitting groups 630 and 640 are illustrated as an example in the driving circuit 600 of the light source module, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the light emitting group may be at least three or more.

상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 각각 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)이 각각 상이한 수의 발광소자 패키지를 포함하는 경우, 서로 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다.The first and second light emitting groups 630 and 640 may have different forward voltage levels, respectively. For example, if the first and second light emitting groups 630 and 640 each include a different number of light emitting device packages, they may have different forward voltage levels.

상기 정류부(610)는 교류 전원(VAC)으로부터의 교류전압을 정류하여 구동전압을 생성하고, 생성된 구동전압을 출력한다. 상기 정류부(610)는 특별히 한정되지 않고, 전파 정류회로, 반파 정류회로 등 공지된 다양한 정류회로 중 하나가 이용될 수 있다. 예컨대 상기 정류부(610)는 4개의 다이오드들로 구성된 브릿지 전파 정류회로일 수 있다.The rectifying unit 610 rectifies the AC voltage from the AC power source (V AC ) to generate a driving voltage, and outputs the generated driving voltage. The rectifying unit 610 is not particularly limited, and one of various known rectifying circuits such as a full-wave rectifying circuit, a half-wave rectifying circuit, and the like can be used. For example, the rectifier 610 may be a bridge full wave rectifier circuit including four diodes.

상기 구동 모듈(620)은 상기 구동전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 제어한다. 상기 구동 모듈(620)은 복수의 구간동안 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차 구동시킬 수 있다. 예컨대 실시 예의 구동 모듈(620)은 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차구동시키는 제1 및 제2 구간동안 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차구동 시킬 수 있다. The driving module 620 controls the first and second light emitting groups 630 and 640 using the driving voltage. The driving module 620 may sequentially drive the first and second light emitting groups 630 and 640 during a plurality of periods. For example, the driving module 620 of the embodiment sequentially drives the first and second light emitting groups 630 and 640 during the first and second sections for sequentially driving the first and second light emitting groups 630 and 640 .

구체적으로 제1 구간은 상기 정류부(610)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제1 순방향 전압레벨과 제2 순방향 전압레벨 사이의 구동전압이 공급되는 구간으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제2 순방향 전압레벨은 상기 제1 순방향 전압레벨보다 크다. 상기 구동 모듈(620)은 상기 제1 구간동안 제1 발광 그룹(630)이 구동되도록 제어한다.Specifically, the first period may be defined as a period during which the voltage level of the driving voltage input from the rectifying unit 610 is supplied with the driving voltage between the first forward voltage level and the second forward voltage level. Here, the second forward voltage level is greater than the first forward voltage level. The driving module 620 controls the first light emitting group 630 to be driven during the first period.

상기 제2 구간은 정류부(610)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨과 제3 순방향 전압레벨 사이의 구동전압이 공급되는 구간으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제3 순방향 전압레벨은 상기 제2 순방향 전압레벨보다 크다. 상기 구동 모듈(620)은 상기 제2 구간동안 제1 및 제1 발광 그룹(630, 640)이 구동되도록 제어한다.The second period may be defined as a period during which the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifier 610 is supplied with the driving voltage between the second forward voltage level and the third forward voltage level. Here, the third forward voltage level is greater than the second forward voltage level. The driving module 620 controls the first and second light emitting groups 630 and 640 to be driven during the second period.

실시 예의 광원 모듈의 구동회로(600)는 플리커 보상부(650)를 포함한다.The driving circuit 600 of the light source module of the embodiment includes a flicker compensating unit 650.

상기 플리커 보상부(650)는 순차구동시에 발생하는 플리커를 개선하기 위한 기능을 포함한다. 상기 플리커 보상부(650)는 캐패시터(C), 제1 및 제2 저항(R1, R2)을 포함하며, 이에 한정되지는 않는다.The flicker compensating unit 650 includes a function for improving flicker occurring at the time of sequential driving. The flicker compensating unit 650 includes a capacitor C, first and second resistors R1 and R2, but is not limited thereto.

상기 플리커 보상부(650)는 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)과 병렬 접속될 수 있다. The flicker compensating unit 650 may be connected in parallel with the first and second light emitting groups 630 and 640.

상기 플리커 보상부(650)는 상기 제1 순방향 전압레벨 이상에서 전하가 충전되고, 상기 제1 순방향 전압레벨 이하에서 충전된 전하가 방전될 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해 상기 제1 순방향 전압레벨 이하의 구동전압이 공급되는 구간을 제3 구간으로 정의한다. 실시 예의 광원 모듈의 구동회로(600)는 제1 순방향 전압레벨 이하의 구간에서 상기 캐패시터(C)에 충전된 전하를 이용하여 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 구동시킬 수 있다.The flicker compensating unit 650 may be charged at a level higher than the first forward voltage level and discharged at a level lower than the first forward voltage level. Here, for convenience of description, a period in which the driving voltage lower than the first forward voltage level is supplied is defined as a third period. The driving circuit 600 of the light source module of the embodiment can drive the first and second light emitting groups 630 and 640 using charges charged in the capacitor C in a period shorter than the first forward voltage level .

상기 플리커 보상부(650)는 상기 캐패시터(C)에 충전된 전하를 이용하여 제3 구간동안 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 구동시켜 광원 모듈의 오프구간을 제거하여 플리커를 개선할 수 있다.The flicker compensating unit 650 drives the first and second light emitting groups 630 and 640 during the third period using the charge charged in the capacitor C to remove the off period of the light source module, Can be improved.

도 9는 실시 예에 따른 광원 모듈에 포함되는 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package included in the light source module according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지(700)는 몸체(750)와, 상기 몸체(750)에 적어도 일부가 배치된 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)과, 상기 몸체(750) 상에 상기 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)과 전기적으로 연결되는 상기 발광 소자(800)와, 상기 몸체(750) 상에 상기 발광 소자(800)를 포위하는 몰딩부재(730)를 포함한다.9, the light emitting device package 700 includes a body 750, a first lead electrode 721 and a second lead electrode 723 disposed at least partially in the body 750, The light emitting device 800 is electrically connected to the first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 on the body 750 and the molding 750 surrounding the light emitting device 800 on the body 750 Member 730 as shown in FIG.

상기 몸체(750)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The body 750 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material.

상기 제1 리드전극(721) 및 상기 제2 리드전극(723)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 몸체(750) 내부를 관통하도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 리드전극(721) 및 상기 제2 리드전극(723)은 일부는 상기 캐비티 내부에 배치되고, 다른 부분은 상기 몸체(750)의 외부에 배치될 수 있다. The first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 are electrically separated from each other and may be formed to pass through the inside of the body 750. That is, some of the first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 may be disposed inside the cavity, and other portions may be disposed outside the body 750.

상기 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)은 상기 발광 소자(800)에 전원을 공급하고, 상기 발광 소자(800)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(800)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.The first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 may supply power to the light emitting device 800 and may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 800, And may discharge the heat generated from the light emitting device 800 to the outside.

상기 발광 소자 패키지(700)는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device package 700 may be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arrayed, and may include an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, and the like.

도 10 및 도 11은 도 9의 발광 소자 패키지에 포함된 발광 소자의 실시 예를 도시한 단면도이다.10 and 11 are cross-sectional views illustrating an embodiment of a light emitting device included in the light emitting device package of FIG.

도 10를 참조하면, 일 실시 예의 발광 소자(801)는 수평 타입으로 기판(11), 버퍼층(13), 발광 구조체(20), 전극층(30), 제1 전극 패드(51), 제2 전극 패드(53) 및 전류 차단층(40)을 포함한다.10, the light emitting device 801 of the embodiment includes a substrate 11, a buffer layer 13, a light emitting structure 20, an electrode layer 30, a first electrode pad 51, A pad 53 and a current blocking layer 40.

상기 기판(11)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 성장 기판으로서, 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3, 석영(quartz) 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스(Roughness)와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11) 상에 위치하고, 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층 기능을 할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The substrate 11 is a growth substrate on which a gallium nitride-based semiconductor layer can be grown. The substrate 11 may be a light-transmissive, insulative or conductive substrate. Examples of the substrate include sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Any one of Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 , and quartz may be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 11, and the plurality of protrusions may be formed through etching of the substrate 11 or may be formed of a light extracting structure such as a separate roughness . The protrusions may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The buffer layer 13 may be formed on the substrate 11 to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 11 and the nitride based semiconductor layer and function as a defect control layer . The buffer layer 13 may have a value between a lattice constant between the substrate 11 and a nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 13 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto.

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is located on the substrate 11. The light emitting structure 20 includes a first conductive semiconductor layer 21, an active layer 22, and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 21 may be formed as a single layer or a multilayer. When the first conductive semiconductor layer 21 is an n-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 21 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant. The first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto. The first conductive semiconductor layer 21 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . The first conductive semiconductor layer 21 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 활성층(22)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 어느 하나일 수 있다. 상기 활성층(22)은 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 우물층 및 장벽층을 포함할 수 있다. The active layer 22 may be a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 22 may include a well layer and a barrier layer formed of a gallium nitride-based semiconductor layer.

예를 들어, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the active layer 22 may include one or more of a pair of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaInP / AlGaInP, GaP / AlGaP, But the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(22)의 장벽층 및 우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.The barrier layer and the well layer of the active layer 22 may be formed of undoped undoped layers to improve the crystal quality of the active layer, but impurities may be doped in some or all of the active regions to lower the forward voltage have.

상기 제2 도전형 반도체층(23)은 상기 활성층(22) 상에 위치하고, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second conductive semiconductor layer 23 may be formed on the active layer 22 and may be a single layer or a multi-layer. When the second conductivity type semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer 23 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductivity type dopant. The second conductive dopant may include, but is not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 23 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP.

상기 제1 전극 패드(51)은 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 위치한다.The first electrode pad 51 is located on the first conductive semiconductor layer 21.

상기 제2 전극 패드(53)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 위치한다.The second electrode pad 53 is located on the second conductive semiconductor layer 23.

상기 제1 전극 패드(51) 및 제2 전극 패드(53)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad 51 and the second electrode pad 53 may be formed of a metal such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, ≪ / RTI >

상기 전극층(30)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(30)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. 상기 전극층(30)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 형성되어 상기 제2 도전형 반도체층(23)과 오믹콘택할 수 있다.The electrode layer 30 may be formed of a material having permeability and electrical conductivity as a current diffusion layer. The electrode layer 30 may have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer. The electrode layer 30 may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 23 to make an ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 23.

상기 전극층(30)은 투명 도전성 산화물 또는 투명 금속층일 수 있다. 예컨대 상기 전극층(30)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. The electrode layer 30 may be a transparent conductive oxide or a transparent metal layer. For example, the electrode layer 30 may include at least one of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide) oxide, AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO and the like.

상기 전류 차단층(40)은 제2 전극 패드(53)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps with the second electrode pad 53 and has a function of preventing current from being concentrated on the lower portion of the second electrode pad 53.

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed of at least one selected from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , and AlN But is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include, but is not limited to, a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately laminated.

도 11은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 11을 참조하면, 다른 실시 예의 발광 소자(802)는 수직 타입으로 발광 구조체(20)와, 상기 발광 구조체(20) 상에 위치한 제1 전극 패드(51), 상기 발광 구조체(20) 아래에 위치한 제2 전극 패드(53), 상기 발광 구조체(20)와 제2 전극 패드(53) 사이에 위치하고, 제1 전극 패드(51)와 수직 방향으로 대응된 전류 차단층(40), 및 지지부재(60)를 포함한다.11, a light emitting device 802 according to another embodiment includes a light emitting structure 20 in a vertical type, a first electrode pad 51 positioned on the light emitting structure 20, A current blocking layer 40 positioned between the light emitting structure 20 and the second electrode pad 53 and vertically aligned with the first electrode pad 51, (60).

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is located on the substrate 11. The light emitting structure 20 includes a first conductive semiconductor layer 21, an active layer 22, and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 제2 전극 패드(53)는 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 위치하는 접촉층(55), 반사층(56), 및 본딩층(57)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 53 may include a contact layer 55, a reflective layer 56, and a bonding layer 57 positioned under the second conductive semiconductor layer 23 of the light emitting structure 20 .

상기 접촉층(55)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면에 접촉되며, 일부는 상기 전류 차단층(40)의 하부면으로 연장될 수 있다. 상기 접촉층(55)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다.The contact layer 55 may be in contact with the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 23 and may extend to the lower surface of the current blocking layer 40. The contact layer 55 may be a conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO, or may be a metal of Ni or Ag.

상기 접촉층(55) 아래에 반사층(56)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층(56)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(56)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective layer 56 may be formed under the contact layer 55. The reflective layer 56 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, And at least one layer made of a material selected from the group consisting of silicon nitride and silicon nitride. The reflective layer 56 may be in contact with the second conductive semiconductor layer 23 and may be in ohmic contact with a metal or ohmic contact with a conductive material such as ITO.

상기 반사층(56) 아래에는 본딩층(57)이 형성될 수 있으며, 상기 본딩층(57)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 57 may be formed under the reflective layer 56 and the bonding layer 57 may be used as a barrier metal or a bonding metal. Examples of the material include Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 발광 구조체(20) 아래에는 채널층(70)이 배치될 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(70)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(70)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조체(20)의 측면보다 더 외측에 위치할 수 있다. A channel layer 70 may be disposed under the light emitting structure 20. The channel layer 70 is formed along the lower surface of the second conductive semiconductor layer 23, and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 70 is an ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO at least one of the 2 . The inner portion of the channel layer 70 may be disposed below the second conductive semiconductor layer 23 and the outer portion may be located further outward than the side surface of the light emitting structure 20. [

상기 본딩층(57) 아래에는 지지 부재(60)가 형성되며, 상기 지지 부재(60)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. A supporting member 60 is formed below the bonding layer 57. The supporting member 60 may be formed of a conductive material such as copper-copper, gold-gold, nickel (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), and carrier wafers (e.g., Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC and the like).

상기 지지부재(60)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 제2 전극 패드(53)는 상기 지지부재(60)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 패드(53)의 층들 중 적어도 하나 또는 복수의 층은 상기 지지부재(60)와 동일한 너비로 형성될 수 있다. As another example, the support member 60 may be embodied as a conductive sheet. The second electrode pad 53 may include the support member 60 and at least one or a plurality of layers of the second electrode pad 53 may be formed to have the same width as the support member 60 .

상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(51)는 상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상면 중 평탄한 면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조체(20)의 측면 및 상면에는 절연층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light extraction structure such as a roughness may be formed on the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 21. The first electrode pad 51 may be disposed on a flat surface of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 21, but the present invention is not limited thereto. An insulating layer (not shown) may be further formed on side surfaces and top surfaces of the light emitting structure 20, but the present invention is not limited thereto.

상기 전류 차단층(40)은 제1 전극 패드(51)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps with the first electrode pad 51 and has a function of preventing current from concentrating on a lower portion of the second electrode pad 53.

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed of at least one selected from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , and AlN But is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include, but is not limited to, a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately laminated.

도 10 및 도 11의 발광 소자(801, 802)는 수평 및 수직 타입에 관해 기재하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 전극 패드가 하부에만 위치한 플립 타입도 포함될 수 있다.Although the light emitting devices 801 and 802 in Figs. 10 and 11 are described in terms of the horizontal and vertical types, the present invention is not limited to this, and a flip type in which the electrode pad is located only at the bottom may be included.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

100: 광원 모듈 120: 복수의 발광 소자 패키지
130: 복수의 구동소자 150: 배선 패턴100: light source module 120: plural light emitting device packages
130: plurality of driving elements 150: wiring pattern

Claims (27)

기판;
상기 기판의 상면 상에 위치한 복수의 발광 소자 패키지;
상기 기판의 상면 상에 위치한 복수의 구동소자;
상기 기판의 상면 상에 위치한 연결 단자부; 및
상기 기판의 배면 상에 위치한 배선 패턴을 포함하고,
상기 기판의 양끝단과 상기 연결 단자부 사이의 간격은 상기 기판의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격 이상인 광원 모듈.Board;
A plurality of light emitting device packages positioned on an upper surface of the substrate;
A plurality of driving elements positioned on an upper surface of the substrate;
A connection terminal portion located on an upper surface of the substrate; And
And a wiring pattern disposed on a back surface of the substrate,
Wherein a gap between both ends of the substrate and the connection terminal portion is equal to or greater than a distance between both ends of the light emitting device package and the substrate adjacent to both ends of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 기판에는 상기 배선 패턴, 상기 복수의 발광 소자 패키지, 상기 복수의 구동소자, 및 상기 연결 단자부를 전기적으로 연결하는 컨택홀을 더 포함하는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the substrate further includes a contact hole electrically connecting the wiring pattern, the plurality of light emitting device packages, the plurality of driving elements, and the connection terminal portion. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 구동소자는 상기 기판의 횡방향과 평행한 일측면에 인접하게 위치한 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of driving elements are disposed adjacent to one side of the substrate parallel to the lateral direction of the substrate. 제3 항에 있어서,
상기 복수의 구동소자는 상기 기판의 일측면과 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이에 위치하는 광원 모듈.The method of claim 3,
Wherein the plurality of driving elements are located between one side of the substrate and the plurality of light emitting device packages. 제3 항에 있어서,
상기 연결 단자부는 상기 기판의 일측면에 인접하고, 상기 복수의 구동소자와 인접하게 위치하는 광원 모듈.The method of claim 3,
Wherein the connection terminal portion is adjacent to one side surface of the substrate and is located adjacent to the plurality of driving elements. 제3 항에 있어서,
상기 연결 단자부는 상기 기판의 횡방향으로 상기 복수의 구동소자와 나란하게 위치하는 광원 모듈.The method of claim 3,
And the connection terminal portion is positioned in parallel with the plurality of driving elements in a lateral direction of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 연결 단자부는 상기 기판의 일단과 인접한 제1 연결 단자와, 상기 기판의 타단과 인접한 제2 연결 단자를 포함하는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the connection terminal portion includes a first connection terminal adjacent to one end of the substrate and a second connection terminal adjacent to the other end of the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 단자는 상기 기판의 횡방향과 평행한 방향으로 실장된 광원 모듈.8. The method of claim 7,
And the first and second connection terminals are mounted in a direction parallel to the lateral direction of the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 단자는 상기 기판의 종방향과 평행한 방향으로 실장된 광원 모듈.8. The method of claim 7,
And the first and second connection terminals are mounted in a direction parallel to the longitudinal direction of the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 단자는 상기 기판의 횡방향 및 종방향 사이의 방향으로 기울어지게 실장된 광원 모듈.8. The method of claim 7,
Wherein the first and second connection terminals are obliquely mounted in a direction between a lateral direction and a longitudinal direction of the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 단자는 서로 전기적으로 연결된 광원 모듈.8. The method of claim 7,
And the first and second connection terminals are electrically connected to each other. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지는 일정한 피치(pitch)를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of light emitting device packages have a constant pitch. 제1 항에 있어서,
상기 기판의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격은 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이의 피치의 1/2의 길이를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein an interval between the light emitting device package and both ends of the substrate adjacent to both ends of the substrate has a length of 1/2 of a pitch between the plurality of light emitting device packages. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지는 영역별로 상이한 피치(pitch)를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of light emitting device packages have different pitches in each region. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지는 상기 기판의 중심부로 갈 수록 좁은 피치(pitch)를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of light emitting device packages have a narrow pitch toward the central portion of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지는 상기 기판의 양끝단과 인접할 수록 좁은 피치(pitch)를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of light emitting device packages have a narrow pitch as being closer to both ends of the substrate. 제2 항에 있어서,
상기 배선 패턴은 상기 연결 단자부와 상기 복수의 구동소자를 연결하는 연결 배선을 포함하고, 상기 연결 배선은 상기 기판의 일측 가장자리에 위치한 광원 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the wiring pattern includes a connection terminal for connecting the connection terminal portion and the plurality of driving elements, and the connection wiring is located at one side edge of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 기판의 양끝단과 상기 연결 단자부 사이의 간격은 상기 기판의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격보다 큰 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein an interval between both ends of the substrate and the connection terminal portion is larger than an interval between the light emitting device package and both ends of the substrate adjacent to both ends of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 기판의 양끝단에는 각각 제1 및 제2 걸림홈이 형성된 광원 모듈.The method according to claim 1,
And the first and second latching grooves are formed at both ends of the substrate. 제1 항 내지 제19 항 중 어느 하나에 기재된 광원 모듈을 포함하는 조명 장치.A lighting device comprising the light source module according to any one of claims 1 to 19. 제20 항에 있어서,
상기 광원 모듈을 수납하는 하부 커버;
상기 하부 커버를 덮는 상부 커버; 및
상기 상기 광원 모듈과 상기 하부 커버 사이에는 절연부재를 포함하는 조명 장치.21. The method of claim 20,
A lower cover for accommodating the light source module;
An upper cover covering the lower cover; And
And an insulating member between the light source module and the lower cover. 제21 항에 있어서,
상기 하부 커버의 양측단에는 상기 광원 모듈의 양측단을 덮는 사이드 커버를 더 포함하는 조명 장치.22. The method of claim 21,
And a side cover covering both ends of the light source module at both side ends of the lower cover. 제22 항에 있어서,
상기 사이드 커버는 고정부재가 삽입되는 제1 홀을 포함하고, 상기 하부 커버의 바닥면에는 상기 제1 홀과 대응되는 제2 홀을 포함하고, 상기 광원 모듈의 제1 및 제2 걸림홈 각각은 상기 제1 및 제2 홀과 중첩된 조명 장치.23. The method of claim 22,
Wherein the side cover includes a first hole into which a fixing member is inserted and a second hole corresponding to the first hole on a bottom surface of the lower cover, And the first and second holes overlap each other. 제1 항 내지 제19 항 중 어느 하나에 기재된 제1 광원 모듈;
제1 항 내지 제19 항 중 어느 하나에 기재된 제2 광원 모듈; 및
상기 제1 광원 모듈과 상기 제2 광원 모듈을 연결하는 연결부재;를 포함하는 광원 모듈.A first light source module according to any one of claims 1 to 19;
A second light source module according to any one of claims 1 to 19; And
And a connection member for connecting the first light source module and the second light source module. 청구항 24에 있어서,
상기 제1 및 제2 광원 모듈을 횡방향 또는 종방향으로 연결되는 광원 모듈.27. The method of claim 24,
And the first and second light source modules are connected in a lateral direction or a longitudinal direction. 청구항 24에 있어서,
상기 제1 광원 모듈은 복수개로 이루어지고,
상기 제2 광원 모듈은 복수개로 이루어지고,
상기 제1 및 제2 광원 모듈은 횡방향 및 종방향으로 서로 연결되는 광원 모듈.27. The method of claim 24,
Wherein the first light source module comprises a plurality of first light source modules,
Wherein the second light source module comprises a plurality of light source modules,
Wherein the first and second light source modules are connected to each other in a lateral direction and a longitudinal direction. 제24항의 광원 모듈을 포함하는 조명 장치.A lighting device comprising the light source module of claim 24.
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