KR20220051320A - Light source module and lighting device - Google Patents

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KR20220051320A
KR20220051320A KR1020220046094A KR20220046094A KR20220051320A KR 20220051320 A KR20220051320 A KR 20220051320A KR 1020220046094 A KR1020220046094 A KR 1020220046094A KR 20220046094 A KR20220046094 A KR 20220046094A KR 20220051320 A KR20220051320 A KR 20220051320A
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곽재오
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Abstract

An embodiment of the present invention relates to a light source module and a lighting device. The light source module of an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a plurality of light emitting packages located on one surface of the substrate; a plurality of driving elements located on one surface of the substrate; and a connection terminal unit located on one surface of the substrate. A gap between both end parts of the substrate and the connection terminal unit may be wider than a gap between a light emitting package adjacent to both end parts of the substrate and both end parts of the substrate.

Description

광원 모듈 및 조명 장치{LIGHT SOURCE MODULE AND LIGHTING DEVICE}LIGHT SOURCE MODULE AND LIGHTING DEVICE

실시 예는 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light source module and a lighting device.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) is a p-n junction diode with a characteristic in which electric energy is converted into light energy. It is possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율은(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are being used in various applications such as natural color LED displays, LED traffic signals, and white LEDs. Recently, the luminous efficiency of a high-efficiency white LED is superior to that of a conventional fluorescent lamp, so it is expected to replace the fluorescent lamp in the general lighting field.

종래의 발광 소자를 포함하는 조명 장치는 발광 소자가 실장된 발광 모듈, 외부의 교류 전압을 정류하고, 발광 소자를 구동시키는 구동신호를 생성하는 구동소자를 포함하는 구동모듈 및 외부 케이스 등을 포함한다.A conventional lighting device including a light emitting device includes a light emitting module on which the light emitting device is mounted, a driving module including a driving device for rectifying an external AC voltage and generating a driving signal for driving the light emitting device, and an external case. .

그러나, 종래의 조명 장치는 발광 모듈 및 구동 모듈의 조립에 의해 작업성이 저하되고, 슬림화 및 박형화에 어려운 문제가 있었다.However, the conventional lighting device has a problem in that workability is deteriorated due to the assembly of the light emitting module and the driving module, and it is difficult to reduce the thickness and the thickness.

또한, 종래의 조명 장치는 복잡한 구성에 의해 발광 소자의 배열이 제한되어 전체적으로 균일한 휘도를 구현하기 어려운 문제가 있었다.In addition, the conventional lighting device has a problem in that it is difficult to realize uniform luminance as a whole because the arrangement of the light emitting elements is limited due to a complicated configuration.

실시 예는 슬림화 및 박형화를 구현할 수 있는 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light source module and a lighting device capable of implementing slimming and thinning.

실시 예는 균일한 휘도를 구현할 수 있는 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light source module and a lighting device capable of implementing uniform luminance.

실시 예는 발광 소자 배열의 디자인 설계가 자유로운 광원 모듈 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light source module and a lighting device in which the design and design of the light emitting element arrangement is free.

실시 예에 의한 광원 모듈은 기판; 상기 기판의 일면 상에 위치한 복수의 발광 소자 패키지; 상기 기판의 일면 상에 위치한 복수의 구동소자; 및 상기 기판의 일면 상에 위치한 연결 단자부를 포함하고, 상기 기판의 양끝단과 상기 연결 단자부 사이의 간격은 상기 기판의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격 이상일 수 있다.A light source module according to an embodiment includes a substrate; a plurality of light emitting device packages positioned on one surface of the substrate; a plurality of driving elements positioned on one surface of the substrate; and a connection terminal portion positioned on one surface of the substrate, wherein a distance between both ends of the substrate and the connection terminal portion may be greater than or equal to a distance between the light emitting device package adjacent to both ends of the substrate and both ends of the substrate.

실시예에 따른 조명 장치는 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.The lighting device according to an embodiment may include at least one light source module.

실시예에 따른 광원 모듈은 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함하는 제1 광원 모듈, 상기 광원 모듈을 적어도 하나 이상 포함하는 제2 광원 모듈, 및 상기 제1 및 제2 광원 모듈을 연결하는 연결 부재를 포함할 수 있다.A light source module according to an embodiment includes a first light source module including at least one light source module, a second light source module including at least one light source module, and a connection member connecting the first and second light source modules. may include

실시예에 따른 조명 장치는 상기 연결부재, 상기 제1 및 제2 광원 모듈을 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the embodiment may include the connection member and the first and second light source modules.

실시 예에 따른 광원 모듈은 복수의 발광 소자 패키지를 구동시키는 구동전압을 생성하는 복수의 구동소자를 상기 발광 소자 패키지와 동일 기판에 실장하여 슬림화 및 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The light source module according to the embodiment has an advantage in slimming and thinning by mounting a plurality of driving devices generating a driving voltage for driving a plurality of light emitting device packages on the same substrate as the light emitting device packages.

또한, 광원 모듈은 연결 단자부와 기판의 양끝단 사이의 간격이 복수의 발광 소자 패키지와 기판의 양끝단 사이의 간격보다 멀거나 동일한 간격을 가짐으로써, 발광 소자 패키지 배열의 디자인 설계가 자유로운 장점을 갖는다.In addition, the light source module has the advantage that the design of the light emitting device package arrangement is free by having the distance between the connection terminal part and both ends of the substrate is greater than or equal to the distance between the plurality of light emitting device packages and the both ends of the substrate .

또한, 상기 광원 모듈이 적어도 2 이상 결합되는 조명 장치는 자유로운 발광 소자 패키지 배열의 디자인 설계에 의해 전체적으로 균일한 면광을 구현하거나, 특정 영역의 휘도를 제어할 수 있는 장점을 갖는다.In addition, the lighting device in which at least two light source modules are coupled has the advantage of being able to implement uniform surface light as a whole or control the luminance of a specific area by designing a free light emitting device package arrangement.

또한, 상기 광원 모듈을 포함하는 조명 장치는 하부 커버의 내부 바닥면에 상기 광원 모듈의 기판 하부면이 직접 접촉되어 방열에 우수한 장점을 갖는다.In addition, the lighting device including the light source module has an excellent heat dissipation advantage because the lower surface of the substrate of the light source module is in direct contact with the inner bottom surface of the lower cover.

도 1은 실시 예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 광원 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 조명장치를 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 복수의 광원 모듈이 결합된 조명장치를 도시한 평면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로를 도시한 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 광원 모듈에 포함되는 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 도 8의 발광 소자 패키지에 포함된 발광 소자의 실시 예를 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a light source module according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a lighting device including the light source module of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view illustrating a lighting device cut along line I-I' of FIG. 2 .
4 to 6 are plan views illustrating a lighting device in which a plurality of light source modules are combined.
7 is a diagram illustrating a driving circuit of a light source module according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package included in a light source module according to an embodiment.
9 and 10 are cross-sectional views illustrating an embodiment of a light emitting device included in the light emitting device package of FIG. 8 .

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structures are formed “on” or “under” each layer (film), region, pad or pattern of the substrate, When described as being, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a light source module according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 기판(110), 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 연결 단자부 및 배선 패턴(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the light source module 100 according to the embodiment includes a substrate 110 , a plurality of light emitting device packages 120 , a plurality of driving devices 130 , a connection terminal unit, and a wiring pattern 150 .

상기 기판(110)은 바(bar) 형상일 수 있고, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. The substrate 110 may have a bar shape, and a resin-based Printed Circuit Board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, a FR-4 substrate may include

상기 기판(110)은 내부에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(110)은 길이방향과 대응되는 횡방향의 양끝단에 위치한 일단(111) 및 타단(112)을 포함한다. 상기 기판(110)은 기판(110)의 횡방향과 평행한 일측면(113) 및 타측면(114)을 포함할 수 있다.The substrate 110 may include a printed circuit board having a metal layer therein. The substrate 110 includes one end 111 and the other end 112 positioned at both ends in the transverse direction corresponding to the longitudinal direction. The substrate 110 may include one side 113 and the other side 114 parallel to the lateral direction of the substrate 110 .

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(110)에는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 연결 단자부와 접속되는 패드들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 패드들은 상기 배선 패턴(150)과 전기적으로 연결될 수 있다.Although not shown in the drawings, the substrate 110 may include the plurality of light emitting device packages 120 , the plurality of driving devices 130 , and pads connected to the connection terminal unit. Here, the pads may be electrically connected to the wiring pattern 150 .

상기 배선 패턴(150)은 상기 기판(110)의 일면 상에 형성될 수 있다. 상기 배선 패턴(150)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다중 층으로 형성될 수 있다. 상기 배선 패턴(150) 상에는 절연층이 형성될 수 있다. The wiring pattern 150 may be formed on one surface of the substrate 110 . The wiring pattern 150 includes titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver ( Ag), may be formed of at least one of phosphorus (P), or an optional alloy thereof, and may be formed of a single layer or multiple layers. An insulating layer may be formed on the wiring pattern 150 .

상기 배선 패턴(150)은 상기 복수의 구동소자(130)와 상기 연결 단자부를 연결하는 연결 패턴(151)을 포함한다. 예컨대 상기 연결 패턴(151)은 상기 기판(110)의 일단(111)과 이와 인접한 발광 소자 패키지(120) 사이에 위치할 수 있다. The wiring pattern 150 includes a connection pattern 151 connecting the plurality of driving elements 130 and the connection terminal unit. For example, the connection pattern 151 may be positioned between one end 111 of the substrate 110 and the light emitting device package 120 adjacent thereto.

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110) 일면 상에 실장될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 횡방향과 대응되는 제1 방향으로 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 패키지 타입의 발광 소자 패키지(120)로 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 기판(110)의 일면 상에 칩이 직접 실장되는 COB(Chip on board)일 수 도 있다.The plurality of light emitting device packages 120 may be mounted on one surface of the substrate 110 . The plurality of light emitting device packages 120 may be spaced apart from each other by a predetermined interval in a first direction corresponding to the lateral direction of the substrate 110 . The plurality of light emitting device packages 120 are limited to a package type light emitting device package 120 , but the present invention is not limited thereto, and a chip on board (COB) in which a chip is directly mounted on one surface of the substrate 110 . can also

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)이 횡방향과 대응되는 횡방향으로 일정한 간격을 두고 실장될 수 있다. 즉, 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 상에서 일정한 피치(P: pitch)를 가질 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)가 상기 기판(110) 상에서 서로 일정한 피치(P)를 가짐으로써, 상기 기판(110)의 횡방향으로 균일한 휘도를 구현할 수 있다. 상기 기판(110)의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지(120)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)은 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이의 피치(P)의 1/2일 수 있다.The plurality of light emitting device packages 120 may be mounted at regular intervals in a lateral direction corresponding to the lateral direction of the substrate 110 . That is, the plurality of light emitting device packages 120 may have a constant pitch (P: pitch) on the substrate 110 . Since the plurality of light emitting device packages 120 have a constant pitch P on the substrate 110 , uniform luminance in the lateral direction of the substrate 110 may be realized. A distance W1 between both ends of the substrate 110 and the adjacent ends of the light emitting device package 120 and both ends of the substrate 110 may be 1/2 of the pitch P between the plurality of light emitting device packages. there is.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 복수의 발광 소자 패키지(120)를 한정하여 설명하고 있지만, 특별히 한정하지는 않는다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 영역별로 상이한 피치를 가질 수 있다. 예컨대 상기 기판(110)의 일단(111) 또는 타단(112)으로 좁은 또는 넓은 피치를 가질 수 있다. 또한, 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 중심부로 갈 수록 좁은 피치를 가질 수 있다. 또한, 상기 복수이 발광 소자 패키지(120)는 상기 기판(110)의 양끝단과 인접할 수록 좁은 피치를 가질 수 있다.In the embodiment, although a plurality of light emitting device packages 120 having a constant pitch are limited and described, it is not particularly limited. The plurality of light emitting device packages 120 may have different pitches for each area. For example, one end 111 or the other end 112 of the substrate 110 may have a narrow or wide pitch. In addition, the plurality of light emitting device packages 120 may have a narrower pitch toward the center of the substrate 110 . In addition, the plurality of light emitting device packages 120 may have a narrower pitch as they are adjacent to both ends of the substrate 110 .

상기 복수의 구동소자(130)는 상기 기판(110)의 일면 상에 실장되고, 상기 기판(110)의 횡방향과 평행한 상기 기판(110)의 일측면(113)에 인접하게 위치할 수 있다. 상기 복수의 구동소자(130)는 상기 기판(110)의 일측면(113)과 상기 복수의 발광 소자 패키지(120) 사이에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of driving devices 130 may be mounted on one surface of the substrate 110 and located adjacent to one side 113 of the substrate 110 parallel to the lateral direction of the substrate 110 . . The plurality of driving devices 130 may be positioned between one side 113 of the substrate 110 and the plurality of light emitting device packages 120 , but the present invention is not limited thereto.

상기 연결 단자부는 상기 기판(110)의 일단(111)과 인접한 제1 연결 단자(141)와, 상기 기판(110)의 타단(112)과 인접한 제2 연결 단자(143)를 포함할 수 있다. The connection terminal unit may include a first connection terminal 141 adjacent to one end 111 of the substrate 110 and a second connection terminal 143 adjacent to the other end 112 of the substrate 110 .

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 일면 상에 실장되고, 상기 기판(110)의 횡방향과 평행한 상기 기판의 타측면(114)에 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 타측면(114)과 상기 복수의 발광 소자 패키지(120) 사이에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second connection terminals 141 and 143 are mounted on one surface of the substrate 110 and positioned adjacent to the other side 114 of the substrate parallel to the lateral direction of the substrate 110 . can The first and second connection terminals 141 and 143 may be positioned between the other side 114 of the substrate 110 and the plurality of light emitting device packages 120 , but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be electrically connected to each other.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 외부의 구동전원으로부터 구동신호를 제공받기 위해 구동전원과 광원 모듈(100)을 전기적으로 연결하거나, 북수의 광원 모듈을 서로 전기적으로 연결하는 커넥터(connecter) 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 연결 단자(141)는 외부의 구동전원과 연결될 수 있고, 상기 제2 연결 단자(143)는 다른 광원 모듈의 연결 단자와 연결될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 are connectors for electrically connecting a driving power source and the light source module 100 to receive a driving signal from an external driving power source, or electrically connecting the north number light source modules to each other. (connecter) function may be included. For example, the first connection terminal 141 may be connected to an external driving power source, and the second connection terminal 143 may be connected to a connection terminal of another light source module.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 양끝단으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W2)은 상기 기판(110)의 양끝단과 인접한 상기 발광 소자 패키지(120)와 상기 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)과 동일하거나 더 멀게 설계될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 상기 발광 소자 패키지(120)보다 상기 기판(110)의 양끝단으로부터 멀거나 동일한 간격을 가질 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be spaced apart from both ends of the substrate 110 by a predetermined distance. A distance W2 between the first and second connection terminals 141 and 143 and both ends of the substrate 110 is a distance between the light emitting device package 120 and the substrate 110 adjacent to both ends of the substrate 110 . ) may be designed to be the same as or farther apart from the distance W1 between both ends. That is, the first and second connection terminals 141 and 143 may be farther from both ends of the substrate 110 than the light emitting device package 120 or may have the same distance.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)은 상기 기판(110)의 횡방향과 수평한 방향으로 실장되며, 이에 한정되지는 않는다. 예컨대 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 기판(110)의 종방향으로 실장될 수도 있고, 상기 횡방향과 종방향 사이로 기울어진 형태로 실장될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 외부의 구동전원과의 연결 구조 및 다른 광원 모듈과의 결합구조에 따라 실장된 형상은 변경될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 are mounted in a horizontal direction and a horizontal direction of the substrate 110 , but are not limited thereto. For example, the first and second connection terminals 141 and 143 may be mounted in the longitudinal direction of the substrate 110 or may be mounted in a manner inclined between the transverse direction and the longitudinal direction. The shape of the first and second connection terminals 141 and 143 may be changed according to a connection structure with an external driving power source and a coupling structure with other light source modules.

상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)와 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 간격은 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM: Full Width at the Half Maximum)에 따라 따라 결정될 수 있다.The first and second connection terminals 141 and 143 may be spaced apart from the plurality of light emitting device packages 120 by a predetermined interval. A distance between the first and second connection terminals 141 and 143 and the plurality of light emitting device packages 120 may be determined according to a Full Width at the Half Maximum (FWHM) of the light emitting device package 120 . .

상기 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)은 발광 소자 패키지(120)의 지향각 특성에 따라 변경될 수 있다. The full width at half maximum (FWHM) of the light emitting device package 120 may be changed according to the directional angle characteristic of the light emitting device package 120 .

또한, 상기 복수의 구동소자(130)와 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 간격은 상기 반치폭에 따라 결정될 수 있다. Also, an interval between the plurality of driving devices 130 and the plurality of light emitting device packages 120 may be determined according to the half width at half maximum.

상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와 상기 복수의 구동소자(130) 사이의 거리는 상기 복수의 구동소자(130)의 높이에 따라 변경될 수 있다.A distance between the plurality of light emitting device packages 120 and the plurality of driving devices 130 may be changed according to heights of the plurality of driving devices 130 .

또한, 상기 복수의 발과 소자 패키지(120)와 상기 제1 및 제2 연결단자(141, 143) 사이의 거리는 상기 복수의 구동소자(130), 제1 및 제2 연결단자(141, 143)의 높이에 따라 변경될 수 있다. 예컨대 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)은 tan 10°내지 30°일 수 있다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)의 반치폭(FWHM)이 tan 30°(0.5774)일 경우, 상기 복수의 구동소자(130)와 상기 제1 및 제2 연결단자(141, 143)는 높이에 따라 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와의 최소 간격이 결정되고, 상기 높이 및 간격은 반비례할 수 있다.In addition, the distance between the plurality of feet and the device package 120 and the first and second connection terminals 141 and 143 is the plurality of driving devices 130 and the first and second connection terminals 141 and 143 . can be changed according to the height of For example, the full width at half maximum (FWHM) of the plurality of light emitting device packages 120 may be tan 10° to 30°. When the full width at half maximum (FWHM) of the plurality of light emitting device packages 120 is tan 30° (0.5774), the plurality of driving devices 130 and the first and second connection terminals 141 and 143 are formed according to heights. A minimum distance from the plurality of light emitting device packages 120 is determined, and the height and the distance may be inversely proportional to each other.

실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 배선 패턴(150), 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 기판(110)의 일면 상에 모두 위치할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 복수의 발광 소자 패키지(120)를 구동시키는 구동전압을 생성하는 복수의 구동소자(130)를 상기 발광 소자 패키지(120)와 동일 기판(110)에 실장하여 슬림화 및 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The light source module 100 according to the embodiment includes a plurality of light emitting device packages 120 , a plurality of driving devices 130 , a wiring pattern 150 , and first and second connection terminals 141 and 143 on the substrate 110 . All of them may be located on one side of Accordingly, in the light source module 100 according to the embodiment, the plurality of driving devices 130 generating a driving voltage for driving the plurality of light emitting device packages 120 are provided on the same substrate 110 as the light emitting device packages 120 . It has an advantage in slimming and thinning by mounting.

또한, 상기 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(120)와 기판(110)의 양끝단 사이의 간격(W1)보다 멀거나 동일한 간격을 가질 수 있다. 이와 같은 구조에 의해 실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 기판의 양끝단에 위치한 연결 단자를 갖는 일반적인 광원 모듈보다 발광 소자 패키지(120)의 디자인 설계가 자유로운 장점을 갖는다.In addition, the first and second connection terminals 141 and 143 may have a distance equal to or greater than a distance W1 between the plurality of light emitting device packages 120 and both ends of the substrate 110 . Due to such a structure, the light source module 100 according to the embodiment has an advantage in that the design of the light emitting device package 120 is free compared to a general light source module having connection terminals located at both ends of the substrate.

도 2는 도 1의 광원 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 조명장치를 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a lighting device including the light source module of FIG. 1 , and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the lighting device cut along line I-I' of FIG. 2 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 조명 장치(200)는 광원 모듈(100), 하부 커버(210) 및 상부 커버(230)를 포함한다.2 and 3 , the lighting device 200 includes a light source module 100 , a lower cover 210 , and an upper cover 230 .

상기 광원 모듈(100)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(100)은 도 1의 실시 예와 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 하며, 상기 하부 커버(210) 및 상부 커버(230)의 특징 위주로 기술하기로 한다.The light source module 100 may employ the technical features of the embodiment of FIG. 1 . Accordingly, since the light source module 100 is the same as the embodiment of FIG. 1 , the same reference numerals are used and detailed descriptions thereof will be omitted, and the characteristics of the lower cover 210 and the upper cover 230 will be mainly described.

상기 하부 커버(210)는 상기 광원 모듈(100) 및 상기 상부 커버(230)를 수용한다. 상기 하부 커버(210)는 방열이 우수한 금속재질일 수 있다. 즉, 상기 하부 커버(210)는 열전도도가 높은 물질로 이루어질 수 있다.The lower cover 210 accommodates the light source module 100 and the upper cover 230 . The lower cover 210 may be made of a metal material having excellent heat dissipation. That is, the lower cover 210 may be made of a material having high thermal conductivity.

상기 하부 커버(210)는 상기 상부 커버(230)가 길이방향과 대응되는 횡방향으로 수납되는 제1 걸림홈(211)과, 상기 광원 모듈(100)이 횡방향으로 수납되는 제2 걸림홈(213)을 포함한다.The lower cover 210 includes a first locking groove 211 in which the upper cover 230 is accommodated in a transverse direction corresponding to the longitudinal direction, and a second locking groove in which the light source module 100 is received in a horizontal direction ( 213).

상기 제1 걸림홈(211)은 상기 하부 커버(210)의 내측면으로부터 내측 방향으로 돌출된 제1 돌기들(212)에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1 돌기들(212)은 상기 상기 하부 커버(210)의 횡방향으로 연장될 수 있다.The first locking groove 211 may be formed by first protrusions 212 protruding inward from the inner surface of the lower cover 210 . The first protrusions 212 may extend in a transverse direction of the lower cover 210 .

상기 하부 커버(210) 및 상기 상부 커버(230)는 슬라이딩(sliding) 타입으로 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 상부 커버(230)는 상기 제1 걸림홈(211)으로 삽입되어 상기 하부 커버(210)와 결할될 수 있다. 상기 상부 커버(230)는 상기 광원 모듈(100)을 보호하고, 상기 광원 모듈(100)로부터 발광된 광을 확산시키는 기능을 포함한다.The lower cover 210 and the upper cover 230 may be coupled in a sliding type, but is not limited thereto. That is, the upper cover 230 may be inserted into the first locking groove 211 to be coupled to the lower cover 210 . The upper cover 230 protects the light source module 100 and includes a function of diffusing the light emitted from the light source module 100 .

상기 제2 걸림홈(213)은 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면으로부터 상부방향으로 일정 간격 이격된 제2 돌기(214)에 의해 형성될 수 있다.The second locking groove 213 may be formed by a second protrusion 214 spaced apart from the inner bottom surface of the lower cover 210 by a predetermined interval in the upper direction.

상기 제2 돌기(214)는 상기 하부 커버(210)의 내측방향으로 돌출되고, 상기 하부 커버(210)의 횡방향으로 연장될 수 있다.The second protrusion 214 may protrude inward of the lower cover 210 and extend in a lateral direction of the lower cover 210 .

상기 하부 커버(210) 및 상기 광원 모듈(100)은 슬라이딩(sliding) 타입으로 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 광원 모듈(100)은 기판(110)이 상기 제2 걸림홈(213)으로 삽입되어 상기 하부 커버(210)와 결할될 수 있다. The lower cover 210 and the light source module 100 may be coupled in a sliding type, but is not limited thereto. That is, in the light source module 100 , the substrate 110 may be inserted into the second locking groove 213 to be coupled to the lower cover 210 .

상기 기판(110)의 하부면은 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면과 직접 접촉될 수 있고, 상기 광원 모듈(100)로부터의 열은 열전도도가 높은 상기 하부 커버(210)로 전도될 수 있다. 따라서, 실시 예의 조명 장치(200)는 슬림화 및 박형화뿐만 아니라 방열에 우수한 장점을 갖는다.The lower surface of the substrate 110 may be in direct contact with the inner bottom surface of the lower cover 210 , and heat from the light source module 100 may be conducted to the lower cover 210 having high thermal conductivity. there is. Accordingly, the lighting device 200 of the embodiment has excellent advantages in heat dissipation as well as in slimming and thinning.

상기 광원 모듈(100)은 기판(110)의 일면상에 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130) 및 배선 패턴이 모두 위치하므로 기판(110)의 하부면은 절연재질로써, 열전도도가 높은 전도성 물질로 이루어진 하부 커버(210)과 직접 접촉되더라도 배선 패턴의 쇼트와 같은 전기적인 특성 저하를 방지할 수 있다.In the light source module 100, a plurality of light emitting device packages 120, a plurality of driving devices 130 and wiring patterns are all located on one surface of the substrate 110, so that the lower surface of the substrate 110 is an insulating material, Even in direct contact with the lower cover 210 made of a conductive material with high thermal conductivity, deterioration of electrical properties such as a short circuit of the wiring pattern can be prevented.

실시 예에 따른 조명 장치(200)는 복수의 발광 소자 패키지(120), 복수의 구동소자(130), 배선 패턴(150), 제1 및 제2 연결 단자(141, 143)가 기판(110)의 일면 상에 모두 위치한 광원 모듈(100)이 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면에 슬라이딩 타입으로 결합되어 슬림화 및 박형화에 유리하고, 상기 기판(110)의 하부면은 상기 하부 커버(210)의 내부 바닥면과 직접 접촉되므로 방열에 우수한 장점을 갖는다.In the lighting device 200 according to the embodiment, a plurality of light emitting device packages 120 , a plurality of driving devices 130 , a wiring pattern 150 , and first and second connection terminals 141 and 143 are provided on a substrate 110 . The light source module 100 located on one surface of the lower cover 210 is coupled to the inner bottom surface of the lower cover 210 in a sliding type, which is advantageous for slimming and thinning, and the lower surface of the substrate 110 is the lower cover 210 . It has an excellent advantage in heat dissipation because it is in direct contact with the inner bottom surface of the

도 4 내지 도 6은 복수의 광원 모듈이 결합된 조명장치를 도시한 평면도이다.4 to 6 are plan views illustrating a lighting device in which a plurality of light source modules are combined.

도 4를 참조하면, 일 실시 예의 조명 장치(300)는 제1 및 제2 광원 모듈(110a, 110b)을 포함한다.Referring to FIG. 4 , the lighting apparatus 300 according to an embodiment includes first and second light source modules 110a and 110b.

상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light source modules 100a and 100b may employ the technical characteristics of the embodiment of FIG. 1 .

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 143a)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a and first and second connection terminals 141a and 143a, and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting devices. It includes a device package 120b and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 연결부재에 의해 서로 연결될 수 있다. 예컨대 상기 연결부재는 와이어(W)일 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a connection member. For example, the connecting member may be a wire (W), but is not limited thereto.

즉, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 횡방향으로 배치되고, 상기 제1 및 제4 연결 단자(141a, 143b)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(300)를 제공한다.That is, the first and second light source modules 100a and 100b are arranged in the transverse direction, and the first and fourth connection terminals 141a and 143b are electrically connected to provide one lighting device 300 . .

상기 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향으로 서로 일정한 피치를 가짐으로써, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향으로 균일한 휘도를 구현할 수 있다.The first and second light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch. The first and second plurality of light emitting device packages (120a, 120b) have a constant pitch with each other in the lateral direction of the first and second light source modules (100a, 100b), so that the first and second light source modules ( A uniform luminance may be implemented in the transverse direction of 100a and 100b).

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다. Although the embodiment describes the first and second light emitting device packages 120a and 120b having a constant pitch, the present invention is not limited thereto. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have different pitches for each area according to their use.

도 5를 참조하면, 조명 장치(400)는 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)을 포함한다.Referring to FIG. 5 , the lighting apparatus 400 includes first and second light source modules 100a and 100b.

상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light source modules 100a and 100b may employ the technical characteristics of the embodiment of FIG. 1 .

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 141b)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a, first and second connection terminals 141a and 141b, and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting devices. It includes a device package 120b and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 와이어(W)에 의해 서로 연결될 수 있다.The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a wire W.

즉, 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)은 종방향으로 배치되고, 상기 제1 및 제4 연결 단자(141a, 143b)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(400)를 제공한다.That is, the first and second light source modules 100a and 100b are disposed in the longitudinal direction, and the first and fourth connection terminals 141a and 143b are electrically connected to provide one lighting device 400 . .

상기 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a, 100b)의 횡방향 및 종방향으로 서로 일정한 피치를 가질 수 있다. 따라서, 조명 장치(400)는 전체 영역에서 균일한 휘도를 구현할 수 있다.The first and second light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have a constant pitch to each other in the transverse and longitudinal directions of the first and second light source modules 100a and 100b. Accordingly, the lighting device 400 may implement uniform luminance in the entire area.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 및 제2 발광 소자 패키지(120a, 120b)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 복수의 발광 소자 패키지(120a, 120b)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다. Although the embodiment describes the first and second light emitting device packages 120a and 120b having a constant pitch, the present invention is not limited thereto. The first and second plurality of light emitting device packages 120a and 120b may have different pitches for each area according to their use.

도 6을 참조하면, 조명 장치(500)는 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)을 포함한다.Referring to FIG. 6 , the lighting device 500 includes first to eighth light source modules 100a to 100h.

상기 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first to eighth light source modules 100a to 100h may employ the technical characteristics of the embodiment of FIG. 1 .

상기 제1 광원 모듈(100a)은 복수의 제1 발광 소자 패키지(120a), 제1 및 제2 연결 단자(141a, 143a)를 포함하고, 상기 제2 광원 모듈(100b)은 복수의 제2 발광 소자 패키지(120b), 제3 및 제4 연결 단자(141b, 143b)를 포함한다.The first light source module 100a includes a plurality of first light emitting device packages 120a and first and second connection terminals 141a and 143a, and the second light source module 100b includes a plurality of second light emitting devices. It includes a device package 120b and third and fourth connection terminals 141b and 143b.

상기 제3 광원 모듈(100c)은 복수의 제3 발광 소자 패키지(120c), 제5 및 제6 연결 단자(141c, 143c)를 포함하고, 상기 제4 광원 모듈(100d)은 복수의 제4 발광 소자 패키지(120d), 제7 및 제8 연결 단자(141d, 143d)를 포함한다.The third light source module 100c includes a plurality of third light emitting device packages 120c and fifth and sixth connection terminals 141c and 143c, and the fourth light source module 100d includes a plurality of fourth light emitting devices. It includes a device package 120d and seventh and eighth connection terminals 141d and 143d.

상기 제5 광원 모듈(100e)은 복수의 제5 발광 소자 패키지(120e), 제9 및 제10 연결 단자(141e, 143e)를 포함하고, 상기 제6 광원 모듈(100f)은 복수의 제6 발광 소자 패키지(120f), 제11 및 제12 연결 단자(141f, 143f)를 포함한다.The fifth light source module 100e includes a plurality of fifth light emitting device packages 120e and ninth and tenth connection terminals 141e and 143e, and the sixth light source module 100f includes a plurality of sixth light emitting devices. It includes a device package 120f and eleventh and twelfth connection terminals 141f and 143f.

상기 제7 광원 모듈(100g)은 복수의 제7 발광 소자 패키지(120g), 제13 및 제14 연결단자(141g, 143g)를 포함하고, 상기 제8 광원 모듈(100h)은 복수의 제8 발광 소자 패키지(120h), 제15 및 제16 연결 단자(141h, 143h)를 포함한다.The seventh light source module 100g includes a plurality of seventh light emitting device packages 120g, and thirteenth and fourteenth connection terminals 141g and 143g, and the eighth light source module 100h includes a plurality of eighth light emitting devices. It includes a device package 120h and fifteenth and sixteenth connection terminals 141h and 143h.

상기 제1 연결 단자(141a)는 상기 제4 연결 단자(143b)와 와이어(W)에 의해 서로 연결될 수 있다. The first connection terminal 141a may be connected to the fourth connection terminal 143b by a wire W.

상기 제3 연결 단자(141b)는 상기 제6 연결 단자(143b)와 연결될 수 있다.The third connection terminal 141b may be connected to the sixth connection terminal 143b.

상기 제5 연결 단자(141c)는 상기 제8 연결단자(143d)와 연결될 수 있다.The fifth connection terminal 141c may be connected to the eighth connection terminal 143d.

상기 제7 연결 단자(141d)는 상기 제10 연결 단자(143e)와 연결될 수 있다.The seventh connection terminal 141d may be connected to the tenth connection terminal 143e.

상기 제9 연결 단자(141e)는 상기 제12 연결 단자(143f)와 연결될 수 있다.The ninth connection terminal 141e may be connected to the twelfth connection terminal 143f.

상기 제11 연결 단자(141f)는 상기 제14 연결 단자(143g)와 연결될 수 있다.The eleventh connection terminal 141f may be connected to the fourteenth connection terminal 143g.

상기 제13 연결 단자(141g)는 상기 제16 연결 단자(143h)와 연결될 수 있다.The thirteenth connection terminal 141g may be connected to the sixteenth connection terminal 143h.

즉, 상기 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)은 종방향 및 횡방향으로 상기 제1, 제3 내지 제14, 제16 연결 단자(141a, 141b 내지 143g, 143h)가 전기적으로 연결되어 하나의 조명 장치(500)를 제공한다.That is, the first to eighth light source modules 100a to 100h are electrically connected to the first, third to fourteenth, and sixteenth connection terminals 141a, 141b to 143g, and 143h in the longitudinal and lateral directions. One lighting device 500 is provided.

상기 제4 광원 모듈(100d) 및 제6 광원 모듈(100f)은 서로 대칭되는 방향으로 위치한 제7, 제8, 제11 및 제12 연결 단자(141d, 143d, 141f, 143f)를 포함한다. 실시 예의 조명 장치(500)는 제1 내지 제8 광원 모듈(100a 내지 100h)의 결합되는 위치에 따라 제7, 제8, 제11 및 제12 연결 단자(141d, 143d, 141f, 143f)의 위치가 변경될 수 있다.The fourth light source module 100d and the sixth light source module 100f include seventh, eighth, eleventh, and twelfth connection terminals 141d, 143d, 141f, and 143f positioned symmetrically to each other. In the lighting device 500 of the embodiment, the positions of the seventh, eighth, eleventh and twelfth connection terminals 141d, 143d, 141f, and 143f according to the coupling positions of the first to eighth light source modules 100a to 100h. may be changed.

상기 제1 내지 제8 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)는 일정한 피치를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제8 복수의 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)가 상기 제1 및 제2 광원 모듈(100a 내지 100h)의 횡방향 및 종방향으로 서로 일정한 피치를 가질 수 있다. 따라서, 상기 조명 장치(500)는 대화면 표시장치와 같은 대화면의 균일한 면광을 제공할 수 있는 장점을 갖는다.The first to eighth light emitting device packages 120a to 120h may have a constant pitch. The first to eighth plurality of light emitting device packages 120a to 120h may have a constant pitch to each other in the transverse and longitudinal directions of the first and second light source modules 100a to 100h. Accordingly, the lighting device 500 has the advantage of providing uniform surface light on a large screen like a large screen display device.

실시 예에서는 일정한 피치를 갖는 제1 내지 제8 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)를 설명하고 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 내지 제8 복수의 발광 소자 패키지(120a 내지 120h)는 용도에 따라 영역별로 상이한 피치를 가질 수도 있다.Although the embodiment describes the first to eighth light emitting device packages 120a to 120h having a constant pitch, the present invention is not limited thereto. The first to eighth plurality of light emitting device packages 120a to 120h may have different pitches for each area according to their use.

도 2 내지 도 6의 실시 예에 따른 조명 장치(200, 300, 400, 500)는 적어도 하나 이상의 광원 모듈을 이용하여 다양한 형태의 면광을 제공할 수 있는 장점을 갖는다.The lighting apparatuses 200 , 300 , 400 , and 500 according to the embodiments of FIGS. 2 to 6 have the advantage of providing various types of surface light using at least one light source module.

도 7은 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating a driving circuit of a light source module according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈의 구동회로(600)는 교류 전원(VAC), 정류부(610), 구동 모듈(620), 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the driving circuit 600 of the light source module according to the embodiment includes an AC power source (V AC ), a rectifier 610 , a driving module 620 , and first and second light emitting groups 630 and 640 . include

상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 복수의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈일 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 도 1의 광원 모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light emitting groups 630 and 640 may be a light source module including a plurality of light emitting device packages. That is, the first and second light emitting groups 630 and 640 may employ the technical characteristics of the light source module of FIG. 1 .

상기 광원 모듈의 구동회로(600)는 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 실시 예로 설명하고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 따라서, 상기 발광 그룹은 적어도 3 이상일 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)은 각각 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)이 각각 상이한 수의 발광소자 패키지를 포함하는 경우, 서로 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다.Although the first and second light emitting groups 630 and 640 are described as an embodiment of the driving circuit 600 of the light source module, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the number of light emitting groups may be at least three. The first and second light emitting groups 630 and 640 may have different forward voltage levels, respectively. For example, when the first and second light emitting groups 630 and 640 each include a different number of light emitting device packages, they may have different forward voltage levels.

상기 정류부(610)는 교류 전원(VAC)으로부터의 교류전압을 정류하여 구동전압을 생성하고, 생성된 구동전압을 출력한다. 상기 정류부(610)는 특별히 한정되지 않고, 전파 정류회로, 반파 정류회로 등 공지된 다양한 정류회로 중 하나가 이용될 수 있다. 예컨대 상기 정류부(610)는 4개의 다이오드들로 구성된 브릿지 전파 정류회로일 수 있다.The rectifying unit 610 rectifies the AC voltage from the AC power supply (VAC ) to generate a driving voltage, and outputs the generated driving voltage. The rectifying unit 610 is not particularly limited, and one of various well-known rectifying circuits such as a full-wave rectifier circuit and a half-wave rectifier circuit may be used. For example, the rectifier 610 may be a bridge full-wave rectifier circuit composed of four diodes.

상기 구동 모듈(620)은 상기 구동전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 제어한다. 상기 구동 모듈(620)은 복수의 구간동안 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차 구동시킬 수 있다. 예컨대 실시 예의 구동 모듈(620)은 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차구동시키는 제1 및 제2 구간동안 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 순차구동 시킬 수 있다. The driving module 620 controls the first and second light emitting groups 630 and 640 using the driving voltage. The driving module 620 may sequentially drive the first and second light emitting groups 630 and 640 for a plurality of periods. For example, the driving module 620 of the embodiment may sequentially drive the first and second light emitting groups 630 and 640 during the first and second periods in which the first and second light emitting groups 630 and 640 are sequentially driven. can

구체적으로 제1 구간은 상기 정류부(610)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제1 순방향 전압레벨과 제2 순방향 전압레벨 사이의 구동전압이 공급되는 구간으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제2 순방향 전압레벨은 상기 제1 순방향 전압레벨보다 크다. 상기 구동 모듈(620)은 상기 제1 구간동안 제1 발광 그룹(630)이 구동되도록 제어한다. Specifically, the first section may be defined as a section in which the voltage level of the driving voltage input from the rectifier 610 is supplied with a driving voltage between the first forward voltage level and the second forward voltage level. Here, the second forward voltage level is greater than the first forward voltage level. The driving module 620 controls the first light emitting group 630 to be driven during the first period.

상기 제2 구간은 정류부(610)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨과 제3 순방향 전압레벨 사이의 구동전압이 공급되는 구간으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제3 순방향 전압레벨은 상기 제2 순방향 전압레벨보다 크다. 상기 구동 모듈(620)은 상기 제2 구간동안 제1 및 제1 발광 그룹(630, 640)이 구동되도록 제어한다.The second section may be defined as a section in which the voltage level of the driving voltage input from the rectifier 610 is supplied with a driving voltage between the second forward voltage level and the third forward voltage level. Here, the third forward voltage level is greater than the second forward voltage level. The driving module 620 controls the first and first light emitting groups 630 and 640 to be driven during the second period.

실시 예의 광원 모듈의 구동회로(600)는 플리커 보상부(650)를 포함한다.The driving circuit 600 of the light source module according to the embodiment includes a flicker compensator 650 .

*상기 플리커 보상부(650)는 순차구동시에 발생하는 플리커를 개선하기 위한 기능을 포함한다. 상기 플리커 보상부(650)는 캐패시터(C), 제1 및 제2 저항(R1, R2)을 포함하며, 이에 한정되지는 않는다.* The flicker compensator 650 includes a function for improving flicker generated during sequential driving. The flicker compensator 650 includes a capacitor C and first and second resistors R1 and R2, but is not limited thereto.

상기 플리커 보상부(650)는 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)과 병렬 접속될 수 있다. 상기 플리커 보상부(650)는 상기 제1 순방향 전압레벨 이상에서 전하가 충전되고, 상기 제1 순방향 전압레벨 이하에서 충전된 전하가 방전될 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해 상기 제1 순방향 전압레벨 이하의 구동전압이 공급되는 구간을 제3 구간으로 정의한다. 실시 예의 광원 모듈의 구동회로(600)는 제1 순방향 전압레벨 이하의 구간에서 상기 캐패시터(C)에 충전된 전하를 이용하여 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 구동시킬 수 있다. 따라서, 상기 플리커 보상부(650)는 제3 구간동안 상기 제1 및 제2 발광 그룹(630, 640)을 구동시켜 광원 모듈의 오프구간을 제거하여 플리커를 개선할 수 있다.The flicker compensator 650 may be connected in parallel to the first and second light emitting groups 630 and 640 . The flicker compensator 650 may be charged with a charge above the first forward voltage level and discharged from a charge below the first forward voltage level. Here, for convenience of description, a section to which a driving voltage equal to or less than the first forward voltage level is supplied is defined as a third section. The driving circuit 600 of the light source module of the embodiment may drive the first and second light emitting groups 630 and 640 using the charge charged in the capacitor C in a section below the first forward voltage level. . Accordingly, the flicker compensator 650 may drive the first and second light emitting groups 630 and 640 during the third period to remove the off period of the light source module to improve flicker.

도 8은 실시 예에 따른 광원 모듈에 포함되는 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package included in a light source module according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(700)는 몸체(750)와, 상기 몸체(750)에 적어도 일부가 배치된 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)과, 상기 몸체(750) 상에 상기 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)과 전기적으로 연결되는 상기 발광 소자(800)와, 상기 몸체(750) 상에 상기 발광 소자(800)를 포위하는 몰딩부재(730)를 포함한다.Referring to FIG. 8 , the light emitting device package 700 includes a body 750 , a first lead electrode 721 and a second lead electrode 723 at least partially disposed on the body 750 , and the body ( The light emitting element 800 electrically connected to the first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 on the 750 , and a molding enclosing the light emitting element 800 on the body 750 . member 730 .

상기 몸체(750)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The body 750 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material.

상기 제1 리드전극(721) 및 상기 제2 리드전극(723)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 몸체(750) 내부를 관통하도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 리드전극(721) 및 상기 제2 리드전극(723)은 일부는 상기 캐비티 내부에 배치되고, 다른 부분은 상기 몸체(750)의 외부에 배치될 수 있다. The first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 may be electrically separated from each other and formed to penetrate the inside of the body 750 . That is, a part of the first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 may be disposed inside the cavity, and the other part may be disposed outside the body 750 .

상기 제1 리드전극(721) 및 제2 리드전극(723)은 상기 발광 소자(800)에 전원을 공급하고, 상기 발광 소자(800)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(800)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.The first lead electrode 721 and the second lead electrode 723 may supply power to the light emitting device 800 and reflect light generated from the light emitting device 800 to increase light efficiency, It may also function to discharge the heat generated by the light emitting device 800 to the outside.

상기 발광 소자 패키지(700)는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device package 700 may be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arrayed, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlamp, an electric sign, and the like.

도 9 및 도 10은 도 8의 발광 소자 패키지에 포함된 발광 소자의 실시 예를 도시한 단면도이다.9 and 10 are cross-sectional views illustrating an embodiment of a light emitting device included in the light emitting device package of FIG. 8 .

도 9를 참조하면, 일실시 예의 발광 소자(801)는 수평 타입으로 기판(11), 버퍼층(13), 발광 구조체(20), 전극층(30), 제1 전극 패드(51), 제2 전극 패드(53) 및 전류 차단층(40)을 포함한다.Referring to FIG. 9 , the light emitting device 801 according to an embodiment is a horizontal type substrate 11 , a buffer layer 13 , a light emitting structure 20 , an electrode layer 30 , a first electrode pad 51 , and a second electrode It includes a pad 53 and a current blocking layer 40 .

상기 기판(11)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 성장 기판으로서, 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3, 석영(quartz) 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스(Roughness)와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11) 상에 위치하고, 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층 기능을 할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The substrate 11 is a growth substrate capable of growing a gallium nitride-based semiconductor layer, and a light-transmitting, insulating or conductive substrate may be used, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Any one of Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 , and quartz may be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 11 , and the plurality of protrusions may be formed by etching the substrate 11 or formed as a light extraction structure such as a separate roughness. can The protrusion may have a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The buffer layer 13 is positioned on the substrate 11 and may be formed to alleviate a difference in lattice constant between the substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer, and may function as a defect control layer. . The buffer layer 13 may have a value between the lattice constant between the substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 13 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto.

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is positioned on the substrate 11 . The light emitting structure 20 includes a first conductivity type semiconductor layer 21 , an active layer 22 , and a second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 21 may be formed as a single layer or a multilayer. When the first conductivity-type semiconductor layer 21 is an n-type semiconductor layer, it may be a Group III-5 compound semiconductor doped with a first conductivity-type dopant. The first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto. The first conductivity type semiconductor layer 21 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can The first conductivity type semiconductor layer 21 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP.

상기 활성층(22)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 어느 하나일 수 있다. 상기 활성층(22)은 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 우물층 및 장벽층을 포함할 수 있다. The active layer 22 may have any one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 22 may include a well layer and a barrier layer formed of a gallium nitride-based semiconductor layer.

예를 들어, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the active layer 22 may include any one or more pairs of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, and InGaP/AlGaP. It may be formed in a structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than a band gap of the barrier layer.

상기 활성층(22)의 장벽층 및 우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.The barrier layer and the well layer of the active layer 22 may be formed as undoped layers that are not doped with impurities in order to improve the crystal quality of the active layer, but some or all of the active regions may be doped with impurities to lower the forward voltage. there is.

상기 제2 도전형 반도체층(23)은 상기 활성층(22) 상에 위치하고, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 23 is positioned on the active layer 22 and may be formed as a single layer or a multilayer. When the second conductivity-type semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, it may be a Group III-5 compound semiconductor doped with a second conductivity-type dopant. The second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include, but is not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 23 may be formed of, for example, any one of compound semiconductors such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and GaP.

상기 제1 전극 패드(51)은 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 위치한다.The first electrode pad 51 is positioned on the first conductivity-type semiconductor layer 21 .

상기 제2 전극 패드(53)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 위치한다.The second electrode pad 53 is positioned on the second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제1 전극 패드(51) 및 제2 전극 패드(53)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad 51 and the second electrode pad 53 include Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag and Au, and these may be selected from the optional alloys of

상기 전극층(30)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(30)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. 상기 전극층(30)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 형성되어 상기 제2 도전형 반도체층(23)과 오믹콘택할 수 있다. 상기 전극층(30)은 투명 도전성 산화물 또는 투명 금속층일 수 있다. 예컨대 상기 전극층(30)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다.The electrode layer 30 is a current diffusion layer and may be formed of a material having transparency and electrical conductivity. The electrode layer 30 may have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer. The electrode layer 30 may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 23 to be in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 23 . The electrode layer 30 may be a transparent conductive oxide or a transparent metal layer. For example, the electrode layer 30 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), or indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, and the like, and may be formed as at least one layer.

상기 전류 차단층(40)은 제2 전극 패드(53)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps the second electrode pad 53 , and has a function of preventing current from being concentrated under the second electrode pad 53 .

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of, for example, an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed by selecting at least one from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. The present invention is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately stacked, but is not limited thereto.

도 10은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 10을 참조하면, 다른 실시 예의 발광 소자(802)는 수직 타입으로 발광 구조체(20)와, 상기 발광 구조체(20) 상에 위치한 제1 전극 패드(51), 상기 발광 구조체(20) 아래에 위치한 제2 전극 패드(53), 상기 발광 구조체(20)와 제2 전극 패드(53) 사이에 위치하고, 제1 전극 패드(51)와 수직 방향으로 대응된 전류 차단층(40), 및 지지부재(60)를 포함한다.Referring to FIG. 10 , the light emitting device 802 according to another embodiment has a vertical type light emitting structure 20 , a first electrode pad 51 positioned on the light emitting structure 20 , and a light emitting structure 20 under the light emitting structure 20 . A second electrode pad 53 positioned, a current blocking layer 40 positioned between the light emitting structure 20 and the second electrode pad 53 and corresponding to the first electrode pad 51 in a vertical direction, and a support member (60).

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is positioned on the substrate 11 . The light emitting structure 20 includes a first conductivity type semiconductor layer 21 , an active layer 22 , and a second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제2 전극 패드(53)는 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 위치하는 접촉층(55), 반사층(56), 및 본딩층(57)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 53 may include a contact layer 55 , a reflective layer 56 , and a bonding layer 57 positioned under the second conductivity-type semiconductor layer 23 of the light emitting structure 20 . .

상기 접촉층(55)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면에 접촉되며, 일부는 상기 전류 차단층(40)의 하부면으로 연장될 수 있다. 상기 접촉층(55)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다.The contact layer 55 is in contact with the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 23 , and a portion thereof may extend to the lower surface of the current blocking layer 40 . The contact layer 55 may be a conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, or a metal of Ni or Ag.

상기 접촉층(55) 아래에 반사층(56)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층(56)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(56)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective layer 56 may be formed under the contact layer 55 , and the reflective layer 56 is Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or a combination thereof. It may be formed in a structure including at least one layer made of a material selected from the group consisting of The reflective layer 56 may be in contact under the second conductivity type semiconductor layer 23 and may be in ohmic contact with a metal or a conductive material such as ITO, but is not limited thereto.

상기 반사층(56) 아래에는 본딩층(57)이 형성될 수 있으며, 상기 본딩층(57)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 57 may be formed under the reflective layer 56, and the bonding layer 57 may be used as a barrier metal or a bonding metal, and the material thereof is, for example, Ti, Au, Sn, Ni, It may include at least one of Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag and Ta and an optional alloy.

상기 발광 구조체(20) 아래에는 채널층(70)이 배치될 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(70)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(70)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조체(20)의 측면보다 더 외측에 위치할 수 있다. A channel layer 70 may be disposed under the light emitting structure 20 . The channel layer 70 is formed along the lower surface edge of the second conductivity type semiconductor layer 23 and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 70 is at least one of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 may include An inner portion of the channel layer 70 may be disposed under the second conductivity-type semiconductor layer 23 , and an outer portion may be positioned more outside than a side surface of the light emitting structure 20 .

상기 본딩층(57) 아래에는 지지부재(60)가 형성되며, 상기 지지부재(60)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. A support member 60 is formed under the bonding layer 57, and the support member 60 may be formed of a conductive member, and the material is copper (Cu-copper), gold (Au-gold), nickel. It may be formed of a conductive material such as (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), or a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, etc.).

상기 지지부재(60)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 제2 전극 패드(53)는 상기 지지부재(60)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 패드(53)의 층들 중 적어도 하나 또는 복수의 층은 상기 지지부재(60)와 동일한 너비로 형성될 수 있다. As another example, the support member 60 may be implemented as a conductive sheet. The second electrode pad 53 may include the support member 60 , and at least one or a plurality of layers of the second electrode pad 53 are formed to have the same width as the support member 60 . can be

상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(51)는 상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상면 중 평탄한 면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조체(20)의 측면 및 상면에는 절연층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light extraction structure such as roughness may be formed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 21 . The first electrode pad 51 may be disposed on a flat top surface of the first conductivity-type semiconductor layer 21 , but is not limited thereto. An insulating layer (not shown) may be further formed on the side and upper surfaces of the light emitting structure 20 , but the present invention is not limited thereto.

상기 전류 차단층(40)은 제1 전극 패드(51)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps the first electrode pad 51 , and has a function of preventing current from being concentrated under the second electrode pad 53 .

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of, for example, an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed by selecting at least one from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. The present invention is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately stacked, but is not limited thereto.

도 9 및 도 10의 발광 소자(801, 802)는 수평 및 수직 타입에 관해 기재하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 전극 패드가 하부에만 위치한 플립 타입도 포함될 수 있다.Although the light emitting devices 801 and 802 of FIGS. 9 and 10 have been described with respect to horizontal and vertical types, they are not limited thereto, and a flip type in which electrode pads are located only at the bottom may be included.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by a person skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

100: 광원 모듈 120: 복수의 발광 소자 패키지
130: 복수의 구동소자 150: 배선 패턴100: light source module 120: a plurality of light emitting device packages
130: a plurality of driving elements 150: wiring pattern

Claims (10)

기판, 상기 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자 패키지, 상기 기판의 제1 측면과 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이에 배치되는 복수의 구동소자, 및 상기 제1 측면에 대향하는 상기 기판의 제2 측면과 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이에 배치되는 적어도 하나의 연결 단자부를 포함하는 적어도 하나의 광원 모듈;
상기 적어도 하나의 광원 모듈을 수용하는 하부 커버; 및
상기 하부 커버를 덮는 상부 커버를 포함하고,
상기 기판의 바닥면은 상기 하부 커버의 바닥면의 내측과 직접 연결되는 조명 장치. A substrate, a plurality of light emitting device packages disposed on the substrate, a plurality of driving devices disposed between the first side surface of the substrate and the plurality of light emitting device packages, and a second side surface of the substrate facing the first side and at least one light source module including at least one connection terminal disposed between the plurality of light emitting device packages;
a lower cover accommodating the at least one light source module; and
and an upper cover covering the lower cover;
The bottom surface of the substrate is directly connected to the inner side of the bottom surface of the lower cover. 제1 항에 있어서,
상기 하부 커버는 제1 걸림홈과 제2 걸림홈을 포함하고,
상기 상부 커버는 상기 제1 걸림홈으로 삽입되어 상기 하부 커버와 결합되며, 상기 광원 모듈의 기판은 상기 제2 걸림홈에 삽입되어 상기 하부 커버와 결합되 는 조명 장치.According to claim 1,
The lower cover includes a first locking groove and a second locking groove,
The upper cover is inserted into the first locking groove to be coupled to the lower cover, and the substrate of the light source module is inserted into the second locking groove to be coupled to the lower cover. 제2 항에 있어서,
상기 제1 걸림홈은 상기 하부 커버의 내측면으로부터 돌출된 적어도 하나의 제1 돌출부에 의해 형성되고,
상기 제2 걸림홈은 상기 하부 커버의 내측면으로부터 돌출된 적어도 하나의 제2 돌출부에 의해 형성되는 조명 장치.3. The method of claim 2,
The first locking groove is formed by at least one first protrusion protruding from the inner surface of the lower cover,
The second locking groove is formed by at least one second protrusion protruding from the inner surface of the lower cover. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 구동소자와 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이의 간격은 반치폭에 따라 결정되는 조명 장치. According to claim 1,
A distance between the plurality of driving devices and the plurality of light emitting device packages is determined according to a half width at half maximum. 제1 항에 있어서,
상기 기판의 양끝단과 상기 연결 단자부 사이의 간격은 상기 기판의 양끝단에 인접한 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 간격과 같거나 큰 조명 장치.According to claim 1,
A distance between both ends of the substrate and the connection terminal portion is equal to or greater than a distance between the light emitting device package adjacent to both ends of the substrate and both ends of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 광원 모듈은 서로 인접하여 배열된 제1 광원 모듈과 제2 광원 모듈을 포함하고,
상기 적어도 하나의 연결 단자부는 상기 제1 광원 모듈과 상기 제2 광원 모듈을 연결하는 조명 장치. According to claim 1,
The at least one light source module includes a first light source module and a second light source module arranged adjacent to each other,
The at least one connection terminal unit is a lighting device for connecting the first light source module and the second light source module. 제6 항에 있어서,
상기 제1 광원 모듈의 적어도 하나의 연결 단자부는 제1 방향으로 서로 이격되도록 배치된 제1 연결 단자부 및 제2 연결 단자부를 포함하고,
상기 제2 광원 모듈의 적어도 하나의 연결 단자부는 상기 제2 연결 단자부에 인접 배치된 제3 연결 단자부, 및 상기 제3 연결 단자부로부터 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 제4 연결 단자부를 포함하며,
상기 제2 연결 단자부와 상기 제3 연결 단자부는 연결 부재에 의해 서로 연결되는 조명 장치.7. The method of claim 6,
At least one connection terminal part of the first light source module includes a first connection terminal part and a second connection terminal part arranged to be spaced apart from each other in a first direction,
At least one connection terminal part of the second light source module is spaced apart from a third connection terminal part disposed adjacent to the second connection terminal part, and in the first direction or a second direction crossing the first direction from the third connection terminal part It includes a fourth connection terminal part,
The second connection terminal part and the third connection terminal part are connected to each other by a connection member. 제1 항에 있어서,
상기 기판의 양끝단에 인접한 상기 발광 소자 패키지와 상기 기판의 양끝단 사이의 거리는 상기 복수의 발광 소자 패키지 사이의 피치의 1/2인 조명 장치.According to claim 1,
A distance between the light emitting device package adjacent to both ends of the substrate and both ends of the substrate is 1/2 of a pitch between the plurality of light emitting device packages. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지는 상기 기판의 중심 또는 상기 기판의 양끝단으로 갈수록 일정한 피치 또는 좁은 피치를 갖는 조명 장치.According to claim 1,
The plurality of light emitting device packages have a constant pitch or a narrow pitch toward the center of the substrate or both ends of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 구동소자와 상기 발광 소자 패키지 사이의 간격은 상기 구동소자의 높이에 반비례하는 조명 장치.According to claim 1,
A distance between the driving device and the light emitting device package is inversely proportional to a height of the driving device.
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