KR20160087615A

KR20160087615A - Equipment for manufacturing flexible circuit board

Info

Publication number: KR20160087615A
Application number: KR1020150006799A
Authority: KR
Inventors: 단성백; 황진수; 박효진
Original assignee: 주식회사 아모센스
Priority date: 2015-01-14
Filing date: 2015-01-14
Publication date: 2016-07-22
Also published as: KR102362127B1

Abstract

The present invention relates to a device for manufacturing a flexible printed circuit board and the flexible printed circuit board and, more specifically, to a device for manufacturing a flexible printed circuit board, wherein a plasma deposition apparatus is arranged on upper and lower portions of a via hole to perform a plasma deposition process on the upper and lower portions, when the flexible printed circuit board is deposited, so that the device is configured to be compact, manufacturing process speed is enhanced, and a seed layer or a metal layer may be uniformly formed in the via hole.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible printed circuit board (FPC)

본 발명은 연성인쇄회로기판 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible printed circuit board manufacturing apparatus.

일반적으로, 연성인쇄회로기판은 얇은 절연 필름에 회로패턴을 형성하여 유연하게 구부러질 수 있는 기판이며, 휴대용 전자기기 및 장착 사용 시 굴곡 및 유연성을 요구하는 자동화 기기 또는 디스플레이 제품 등에 많이 사용되고 있다.In general, a flexible printed circuit board is a substrate that can be flexibly bent by forming a circuit pattern on a thin insulating film, and is widely used in portable electronic devices and automation devices or display products that require flexibility and flexibility in use.

연성인쇄회로기판은 연성을 가지는 동박 적층 필름을 에칭하여 회로패턴을 형성하거나, 연성을 가지는 절연 필름에 도전성 페이스트 또는 도전성 잉크로 회로패턴을 인쇄하여 형성하고 있다.The flexible printed circuit board is formed by etching a flexible copper foil laminated film to form a circuit pattern or by printing a circuit pattern with a conductive paste or conductive ink on an insulating film having flexibility.

상기 연성인쇄회로기판은 회로패턴을 다른 연성인쇄회로기판 또는 배터리 등의 기기에 전기적으로 연결하기 위한 단자부를 구비한다. 상기 연성인쇄회로기판은 전기적 연결을 위해 두개의 단자부를 구비하며, 상기 두개의 단자부는 전기적 연결을 용이하게 하도록 서로 이웃하게 배치되는 것이 바람직하며, 이를 위해 두개의 단자부 중 적어도 어느 한 측은 절연필름에서 회로패턴이 형성된 면의 반대되는 면에 구비된다.The flexible printed circuit board includes a terminal portion for electrically connecting the circuit pattern to another flexible printed circuit board or a device such as a battery. Preferably, the flexible printed circuit board has two terminal portions for electrical connection, and the two terminal portions are disposed adjacent to each other to facilitate electrical connection. For this purpose, at least one of the two terminal portions is formed of an insulating film Is provided on the surface opposite to the surface on which the circuit pattern is formed.

그리고, 절연필름에서 서로 다른 면에 형성된 회로패턴과 상기 단자부를 연결하기 위해 상기 절연필름에 비아홀을 형성하고, 도금을 통해 상기 비아홀 내에 도금층을 형성하여 상기 회로패턴과 상기 단자부를 연결하고 있다.
A via hole is formed in the insulating film to connect the terminal portion to a circuit pattern formed on different surfaces of the insulating film, and a plating layer is formed in the via hole through plating to connect the circuit pattern and the terminal portion.

한국공개특허공보 제2006-0066971호에는 전도층을 형성하고, 전도층에 도금층을 형성한 것이 나타나 있으나, 회로 패턴 형성공정과 비아홀 벽면에 도금층을 형성하는 공정이 별도로 진행되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0066971 discloses that a conductive layer is formed and a plating layer is formed on a conductive layer. However, a process for forming a circuit pattern and a process for forming a plating layer on a wall surface of a via hole are separately performed, have.

또한, 한국등록특허공보 제1268101호에는 기판의 상부 및 하부를 순차적으로 플라즈마 코팅하는 장치가 나타나 있다. 이와 같이 기판을 수평하게 이동시키면서 상부 및 하부를 순차적으로 코팅할 경우 장치가 차지하는 공간이 커지게 되고 공정에 소요되는 시간도 길어지는 문제점이 있다.Korean Patent Registration No. 1268101 discloses an apparatus for sequentially plasma-coating an upper portion and a lower portion of a substrate. When the substrate is moved horizontally and the upper and lower portions are sequentially coated, the space occupied by the apparatus becomes larger and the time required for the process becomes longer.

한국공개특허공보 제2006-0066971호Korean Patent Publication No. 2006-0066971 한국공개특허공보 제2006-0018511호Korean Patent Publication No. 2006-0018511 한국등록특허공보 제1268101호Korean Patent Registration No. 1268101

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 장치가 컴팩트해지고, 공정 속도가 향상되고, 비아홀에 시드층 또는 금속층이 균일하게 형성될 수 있는 연성인쇄회로기판 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a flexible printed circuit board manufacturing apparatus in which a device is made compact, a process speed is improved, and a seed layer or a metal layer can be uniformly formed in a via hole have.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 연성인쇄회로기판 제조장치는, 비아홀이 형성된 기재 상부 및 하부에 각각 배치되어 플라즈마를 발생시키는 복수개의 플라즈마 발생부를 포함하며, 적어도 하나의 플라즈마 발생부는 나머지 플라즈마 발생부 중 적어도 하나의 상부에 배치되어 양면 동시 또는 단면을 증착하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing a flexible printed circuit board, the apparatus including a plurality of plasma generators disposed at upper and lower portions of a substrate having via holes formed therein to generate plasma, And the generating portion is disposed on at least one of the remaining plasma generating portions to simultaneously or both-sided or cross-section deposition.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 연성인쇄회로기판 제조장치는, 비아홀이 형성된 기재에 상기 비아홀의 상하 및 상기 기재 상면에 시드층을 증착하는 제1공정부, 상기 시드층 상부에 감광층을 형성하고 상기 감광층에 음각패턴을 형성하는 제2공정부, 상기 비아홀 내부에 배치되는 상기 시드층의 상하 및 상기 음각패턴에 금속층을 형성하는 제3공정부를 포함하며, 상기 제1공정부 또는 상기 제3공정부는 상기 기재 상부 및 하부에 각각 배치되어 플라즈마를 발생시키는 복수개의 플라즈마 발생부를 포함하며, 적어도 하나의 플라즈마 발생부는 나머지 플라즈마 발생부 중 적어도 하나의 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for fabricating a flexible printed circuit board according to another embodiment of the present invention. The flexible printed circuit board manufacturing apparatus includes a substrate having a via hole formed thereon, And a third processing unit for forming a metal layer on the upper and lower portions of the seed layer disposed in the via hole and on the engraved pattern, The first processing unit and the third processing unit may include a plurality of plasma generating units arranged at the upper and lower sides of the substrate to generate plasma, and at least one plasma generating unit may be disposed on at least one of the remaining plasma generating units .

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 연성인쇄회로기판 제조장치는, 비아홀이 형성된 기재에 상기 비아홀의 상하에 시드층을 증착하는 제1공정부, 상기 비아홀 내부에 배치되는 상기 시드층의 상하에 금속층을 형성하는 제3공정부를 포함하며, 상기 제1공정부 또는 상기 제3공정부는 상기 기재 상부 및 하부에 각각 배치되어 플라즈마를 발생시키는 복수개의 플라즈마 발생부를 포함하며, 적어도 하나의 플라즈마 발생부는 나머지 플라즈마 발생부 중 적어도 하나의 상부에 배치되어 양면 또는 단면으로 진공 증착하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for fabricating a flexible printed circuit board according to another embodiment of the present invention, including: a first hollow portion for depositing a seed layer above and below a via hole formed in a via hole; And a third processing unit for forming a metal layer above and below the seed layer, wherein the first or third processing unit includes a plurality of plasma generating units arranged at the upper and lower portions of the substrate to generate plasma, One plasma generating part is disposed on at least one of the remaining plasma generating parts and is vacuum-deposited on both sides or in cross section.

여기서, 적어도 두개의 상기 플라즈마 발생부는 동일 수직선상에 배치되어 양면을 동시에 증착할 수 있다.Here, the at least two plasma generators may be disposed on the same vertical line to simultaneously deposit both surfaces.

또한, 상기 플라즈마 발생부는 상기 기재 상부에 배치되는 제1전극과, 상기 제1전극 하부에 가스를 공급하는 제1가스 공급부와, 상기 제1전극에 전력을 공급하는 제1전원부와, 상기 기재 하부에 배치되는 제2전극과, 상기 제2전극 상부에 가스를 공급하는 제2가스 공급부와, 상기 제2전극에 전력을 공급하는 제2전원부를 포함할 수 있다.The plasma generator may include a first electrode disposed on the substrate, a first gas supply unit for supplying a gas to a lower portion of the first electrode, a first power supply unit for supplying power to the first electrode, A second gas supply unit for supplying gas to the upper portion of the second electrode, and a second power supply unit for supplying power to the second electrode.

또한, 상기 플라즈마 발생부는 상기 기재 상부에 배치되는 제1전극과, 상기 제1전극 하부에 가스를 공급하는 제1가스 공급부와, 상기 제1전극에 전력을 공급하는 제1전원부와, 상기 제1전극 하부에 배치되는 제2전극과, 상기 제2전극 하부에 가스를 공급하는 제2가스 공급부와, 상기 제2전극에 전력을 공급하는 제2전원부와, 상기 기재 하부에 배치되는 제3전극을 포함하며, 상기 제1전극을 통과한 기재의 상하부가 뒤바뀌도록 방향을 전환해주는 방향전환부를 포함하며, 상기 제2전극과 상기 제3전극은 상기 방향전환부보다 하류측에 배치되어, 상기 제2전극은 상기 기재 사이에 배치될 수 있다.The plasma generating unit may include a first electrode disposed on the substrate, a first gas supply unit for supplying gas to the lower portion of the first electrode, a first power supply unit for supplying power to the first electrode, A second power supply unit for supplying power to the second electrode; a second power supply unit for supplying power to the third electrode disposed below the substrate; Wherein the second electrode and the third electrode are disposed on a downstream side of the direction switching unit so that the second electrode and the third electrode are disposed on the downstream side of the direction switching unit, The two electrodes may be disposed between the substrates.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 연성인쇄회로기판 제조장치에 따르면, 연성인쇄회로기판 증착시 비아홀의 상하부에 플라즈마 증착하는 장치가 상하부에 배치되어 장치가 컴팩트해지고, 공정 속도가 향상되고, 비아홀에 시드층 또는 금속층이 균일하게 형성될 수 있다.As described above, according to the flexible printed circuit board manufacturing apparatus of the present invention, devices for plasma-depositing the upper and lower portions of via holes in the flexible printed circuit board deposition are disposed at the upper and lower portions to make the apparatus compact and improve the process speed, A layer or a metal layer can be uniformly formed.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연성인쇄회로기판 제조공정도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연성인쇄회로기판 제조장치 개략도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제1공정부 및 제3공정부 개략도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1공정부 및 제3공정부 개략도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a process flow diagram for manufacturing a flexible printed circuit board according to a preferred embodiment of the present invention; Fig.
2 is a schematic view of a flexible printed circuit board manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic view of a first hollow and a third hollow according to a preferred embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 4 is a schematic view of a first hollow and a third hollow according to another embodiment of the present invention; FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

참고적으로, 이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.For reference, the same components as those of the conventional art will be described with reference to the above-described prior art, and a detailed description thereof will be omitted.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 연성인쇄회로기판 제조공정은 기재(1)에 시드층(2)을 형성하는 단계(300)와, 비아홀(1a)이 형성된 기재(1)에 형성된 감광층(3)에 비아홀(1a) 상부 또는 하부에 배치되는 제1음각 패턴(4b)과, 상기 비아홀(1a)로부터 상기 제1음각 패턴(4b)보다 멀리 배치되는 제2음각 패턴(4a)을 형성하는 음각 패턴(4) 형성 단계(410)와, 상기 제1음각 패턴(4b)과 상기 제2음각 패턴(4a)과 비아홀(1a) 내부에 금속층(20)을 각각 형성하는 단계(420)를 포함하는 것을 특징으로 한다.1, the manufacturing process of the flexible printed circuit board of this embodiment includes a step 300 of forming a seed layer 2 on a substrate 1, a step 300 of forming a photosensitive layer 2 on the substrate 1 on which the via hole 1a is formed, A first engraved pattern 4b disposed on the upper or lower side of the via hole 1a in the layer 3 and a second engraved pattern 4a disposed farther from the via hole 1a than the first engraved pattern 4b, A step 420 of forming a metal layer 20 in the first intaglio pattern 4b and the second intaglio pattern 4a and the via hole 1a, And a control unit.

연성인쇄회로기판의 기재(1)는, 연성을 가지는 절연 필름으로, 연성인쇄회로기판의 형상을 유지하기 위해 제공되는 매우 얇고 플렉서블하며 투명 또는 반투명의 절연필름을 사용한다. 상기 절연필름은 PET 필름 또는 PI 필름인 것을 일 예로 하며, PI필름은 두께가 얇고 유연하며 내열성, 내곡성이 우수하며 치수변경이 적고 열에 강하므로 열을 이용하는 타발된 금속박을 전사하는 경우 절연필름으로 적합하며, PET 필름은 가격이 상대적으로 상기 PI필름보더 저렴한 장점이 있다.The base material 1 of the flexible printed circuit board is an insulating film having flexibility and is an extremely thin, flexible, transparent or translucent insulating film provided to maintain the shape of the flexible printed circuit board. The insulating film may be a PET film or a PI film. The PI film is thin and flexible, excellent in heat resistance and resistance to crushing, has little dimensional change, and is resistant to heat. Therefore, when a metal foil is heat- And the PET film is advantageous in that the price of the PI film is comparatively low.

비아홀(1a)은 기재(1)의 양면에 형성되는 회로패턴을 연결하기 위해서 기재(1)에 상하방향으로 관통 형성된다.The via holes 1a are formed in the substrate 1 in the vertical direction so as to connect the circuit patterns formed on both surfaces of the substrate 1. [

비아홀(1a)은 기재(1)에 형성되는 회로패턴(1c)에서 비아홀(1a)이 형성될 위치 즉, 설계된 회로에서 기설정된 비아홀(1a)의 위치에 레이저 드릴링을 통해 형성된다.The via hole 1a is formed through laser drilling at the position where the via hole 1a is to be formed in the circuit pattern 1c formed on the base material 1, that is, the position of the predetermined via hole 1a in the designed circuit.

또한, 본 실시예에 따른 연성인쇄회로기판 제조 방법은, 시드층(2)을 형성하는 단계 이전에 증착 시 시드층(2)과 기재(1)와의 부착력을 증가시키기 위해 기재(1)의 상면 또는 하면과 같은 표면 또는 비아홀(1a) 벽면을 전처리하는 단계(200)를 더 포함한다.The method of manufacturing a flexible printed circuit board according to the present embodiment is characterized in that before the step of forming the seed layer 2, the upper surface of the base material 1 (200) a surface such as a bottom surface or a via hole (1a) wall surface.

기재(1)는 연성을 가지는 합성 수지재로 금속 증착 시 증착된 시드층(2)과의 접착이 미흡할 수 있다. 기재(1)의 표면을 전처리하는 단계(200)는 기재(1)의 표면을 전처리하여 기재(1)와 기재(1)에 증착되는 시드층(2)의 부착력을 증대시킨다.The base material 1 may be insufficiently adhered to the seed layer 2 deposited by metallization with a soft synthetic resin material. A step 200 of pretreating the surface of the substrate 1 preprocesses the surface of the substrate 1 to increase the adhesion of the substrate 1 and the seed layer 2 deposited on the substrate 1.

기재(1)의 표면을 전처리하는 단계(200)는, 기재(1)의 표면을 기설정된 거칠기 이상으로 표면 가공하는 과정일 수도 있고, 기재(1)의 표면에 증착 효과를 높이는 프라이머(1b)를 도포하는 과정일 수도 있다.The step of pretreating the surface of the base material 1 may be a process of surface-processing the surface of the base material 1 to a predetermined roughness or more, and a primer 1b which improves the deposition effect on the surface of the base material 1, Or the like.

본 실시예에서, 기재(1)의 표면을 전처리하는 단계(200)는 기재(1)의 표면에 증착 효과 즉, 증착 시 부착력을 높이는 프라이머(1b)를 도포하는 과정인 것을 일 예로 한다.In this embodiment, the step 200 of pretreating the surface of the substrate 1 is a process of applying the primer 1b which increases the deposition effect on the surface of the substrate 1, that is, the adhesion at the time of vapor deposition.

기재(1)의 표면을 전처리하는 단계는 비아홀(1a)을 형성하는 단계(100)의 이전에 이루어질 수도 있고, 비아홀(1a)을 형성하는 단계(100) 이후에 이루어질 수도 있다.The step of pretreating the surface of the substrate 1 may be performed before the step 100 of forming the via hole 1a or after the step 100 of forming the via hole 1a.

기재(1)의 표면을 전처리하는 단계(200)는 비아홀(1a)을 형성하는 단계(100) 이후에 이루어져 비아홀(1a)의 벽면에 프라이머(1b)가 도포되어 비아홀(1a)의 내주면에 증착되는 시드층(2)의 부착력을 향상시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다.The step of pretreating the surface of the base material 1 may be performed after the step 100 of forming the via hole 1a so that the primer 1b is applied to the wall surface of the via hole 1a to be deposited on the inner peripheral surface of the via hole 1a It is desirable to improve the adhesion of the seed layer 2 to be formed.

시드층(2)을 형성하는 단계(300)는, 금속을 기설정된 두께 이하로 증착하여 시드층(2)을 형성한다.The step 300 of forming the seed layer 2 deposits a metal to a predetermined thickness or less to form the seed layer 2.

시드층(2)은 비아홀(1a) 벽면과 기재(1)의 상면 또는 하면에 형성된다. 본 실시예에서는 비아홀(1a) 벽면과 기재(1)의 상면에 형성된다. 이와 다르게, 시드층(2)은 비아홀(1a) 벽면(비아홀(1a) 내부에 형성)과 기재(1)의 하면 또는 비아홀(1a) 벽면과 기재(1)의 상하면에 형성될 수 있다. 따라서, 시드층(2)은 비아홀(1a) 벽면에 형성되는 비아홀 시드층(2b)과 표면 시드층(2a)을 포함한다.The seed layer 2 is formed on the wall surface of the via hole 1a and the upper surface or the lower surface of the substrate 1. [ In this embodiment, a wall surface of the via hole 1a and an upper surface of the substrate 1 are formed. Alternatively, the seed layer 2 may be formed on the bottom surface of the via hole 1a (formed in the via hole 1a), the bottom surface of the base material 1, the via hole 1a wall surface, and the top and bottom surfaces of the base material 1. Therefore, the seed layer 2 includes the via seed layer 2b and the surface seed layer 2a formed on the wall surface of the via hole 1a.

비아홀(1a) 벽면에 형성되는 비아홀 시드층(2b)의 두께는 1nmm~19nmm로 형성될 수 있다.The via hole seed layer 2b formed on the wall surface of the via hole 1a may have a thickness of 1 nm to 19 nm.

시드층(2)을 형성하는 단계(300)는, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 등의 금속 또는, 구리,은, 금, 니켈, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 중 적어도 두개가 혼합된 합금을 기재(1)의 일면에 진공 증착하는 것을 일 예로 한다.The step 300 of forming the seed layer 2 may be performed using any one or more of the following materials selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Ni, Cr, W, Mo, (Al), or an alloy containing at least two of copper, silver, gold, nickel, chromium, tungsten, molybdenum and aluminum is vacuum-deposited on one surface of the base material 1 as an example.

음각 패턴(4) 형성 단계(410)는 표면 시드층(2a)의 표면에 형성되는 감광층(3)에 비아홀(1a) 상부 또는 하부에 배치되는 제1음각 패턴(4b)과 비아홀(1a)과 엇갈리게 배치되는 제2음각 패턴(4a)을 동시에 형성한다.The engraved pattern 4 forming step 410 includes forming a first engraved pattern 4b and a via hole 1a in the photosensitive layer 3 formed on the surface of the surface seed layer 2a, And a second engraved pattern 4a arranged to be staggered at the same time.

즉, 음각 패턴(4)은 비아홀(1a) 상부 또는 하부에 배치되어 비아홀(1a)에 연통되는 제1음각 패턴(4b)과, 비아홀(1a)의 상부 또는 하부의 좌측 또는 우측에 배치되어 비아홀(1a)로부터 제1음각 패턴(4b)보다 멀리 배치되는 제2음각 패턴(4a)을 포함한다. 즉, 제1음각 패턴(4b)은 비아홀(1a)과 상하방향으로 동축선상에 배치된다. 제1음각 패턴(4b)은 비아홀(1a)보다 넓은 폭을 갖도록 형성된다.That is, the engraved pattern 4 includes a first engraved pattern 4b disposed above or below the via hole 1a and communicating with the via hole 1a and a second engraved pattern 4b disposed on the left or right side of the upper or lower portion of the via hole 1a, (4a) arranged farther from the first engraved pattern (4b) than the first engraved pattern (4b). That is, the first engraved pattern 4b is arranged coaxially with the via hole 1a in the vertical direction. The first engraved pattern 4b is formed to have a wider width than the via hole 1a.

음각 패턴(4) 형성 단계(410)는 상세하게, 표면 시드층(2a)에 감광층(3)을 형성하는 과정(411), 음각 패턴(4)이 형성되는 부분을 커버하는 투광패턴(6a)을 구비하고, 투광패턴(6a)을 제외한 부분이 개방된 마스크(6)로 감광층(3)을 커버하는 과정(412); 및 마스크(6)로 커버된 감광층(3)을 노광하여 감광층(3)에 투광패턴(6a)을 제외한 부분을 경화시키고, 투광패턴(6a) 부분을 제거하여 음각 패턴(4)을 형성하는 과정(413)을 포함한다.The engraving pattern 4 forming step 410 includes a process 411 of forming the photosensitive layer 3 on the surface seed layer 2a and a process 411 of forming the light transmitting pattern 6a covering the portion where the engraved pattern 4 is formed (412) covering the photosensitive layer (3) with a mask (6) having a portion except for the light transmitting pattern (6a) opened; The photosensitive layer 3 covered with the mask 6 is exposed to cure the portion of the photosensitive layer 3 excluding the light transmitting pattern 6a and the portion of the light transmitting pattern 6a is removed to form the engraved pattern 4 (Step 413).

즉, 마스크(6)는 감광층(3)에 형성되는 음각 패턴(4)에 대응되는 부분을 커버하는 투광패턴(6a)을 포함하고, 투광패턴(6a)을 제외한 부분이 개방된 형태로 형성된다.That is, the mask 6 includes a light projecting pattern 6a covering a portion corresponding to the engraved pattern 4 formed on the photosensitive layer 3, and a portion except the light projecting pattern 6a is formed in an open form do.

금속층(20)을 형성하는 단계(420)는 제1음각 패턴(4b)과 제2음각 패턴(4a) 및 비아홀(1a) 내부에 형성되는 비아홀 시드층(2b)에 각각 제1,2,3금속층(20b, 20a, 20c)을 형성한다.The step 420 of forming the metal layer 20 may include forming the first intaglio pattern 4b and the second intaglio pattern 4a and the via hole seed layer 2b formed in the via hole 1a, Metal layers 20b, 20a and 20c are formed.

이와 같이 한번의 과정을 통해 제1,2,3금속층(20b, 20a, 20c)을 동시에 형성하여 제조공정이 단순해지고, 제1,2,3금속층(20b, 20a, 20c)의 거칠기도 동일하게 형성할 수 있다.The first, second, and third metal layers 20b, 20a, and 20c are formed at the same time to simplify the manufacturing process, and the roughness of the first, second, and third metal layers 20b, 20a, .

금속층(20)은 음각 패턴(4) 등으로 노출된 시드층(2)의 표면에 증착된다.The metal layer 20 is deposited on the surface of the seed layer 2 exposed by the engraved pattern 4 or the like.

금속층(20)은 금(Au), 은(Ag) 또는 구리(Cu)인 것을 일 예로 한다. 금속층(20)은 이하 서술되는 회로 패턴(1c)의 저항을 낮추는 역할을 하고, 전체 저항을 낮게 조절할 수 있다. 또한, 금속층(20)은 두께를 조절함으로써 전기 회로의 저항값을 조절할 수 있다. The metal layer 20 is, for example, gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu). The metal layer 20 serves to lower the resistance of the circuit pattern 1c described below, and the overall resistance can be adjusted to a low level. In addition, the metal layer 20 can adjust the resistance value of the electric circuit by adjusting the thickness.

금속층(20)을 형성하는 단계(420) 이후에, 감광층(3)을 제거하고, 시드층(2)을 에칭하여 시드층(2)에서 금속층(20)으로 커버된 부분을 제외한 부분을 제거하여 베이스 금속층(10a, 10b)을 형성할 수 있다.After the step 420 of forming the metal layer 20, the photosensitive layer 3 is removed and the seed layer 2 is etched to remove the portion of the seed layer 2 except for the portion covered with the metal layer 20 So that the base metal layers 10a and 10b can be formed.

베이스 금속층(10a, 10b)을 형성하는 단계(500)는, 포토리소그래피(Photolithography)로 표면 시드층(2a)을 제1,2금속층(20b, 20a)과 동일한 형상으로 에칭하여 베이스 금속층(10a, 10b)을 형성하는 것을 일 예로 한다.The step 500 of forming the base metal layers 10a and 10b may be performed by photolithography to etch the surface seed layer 2a in the same shape as the first and second metal layers 20b and 20a to form the base metal layers 10a, 10b are formed.

이로 인해, 기재(1)의 표면에는 회로 패턴(1c)이 형성되고, 비아홀(1a) 내부 및 기재(1)의 표면에는 비아홀 금속층(1d)이 형성된다.The circuit pattern 1c is formed on the surface of the base material 1 and the via hole metal layer 1d is formed in the via hole 1a and on the surface of the base material 1. [

본 실시예에 따른 연성인쇄회로기판 제조 방법은, 회로패턴(1c)이 형성된 기재(1)의 표면을 코팅하여 보호층(30)을 형성하는 단계(600)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 보호층(30)을 형성하는 단계(600)는 기재(1)의 일면에 PI또는 PAI를 도포한 후 건조 또는 가열 경화시켜 보호층(30)을 형성하는 것으로, 회로 패턴(1c)을 보호하고, 회로 패턴(1c)이 기재(1)로부터 박리되지 않도록 하며, 휨에 의해 회로 패턴(1c)의 형상이 변형되거나 박리되는 것을 방지하고, 휨이 반복되는 것에 대해 충분한 내구성을 확보할 수 있게 한다.
The method of manufacturing a flexible printed circuit board according to the present embodiment may further include a step 600 of forming a protective layer 30 by coating a surface of a base material 1 on which a circuit pattern 1c is formed. The step 600 of forming the protective layer 30 is to protect the circuit pattern 1c by applying PI or PAI to one side of the substrate 1 and then drying or heating and curing to form the protective layer 30 , The circuit pattern 1c is prevented from being peeled off from the base material 1 and the shape of the circuit pattern 1c is prevented from being deformed or peeled due to the warpage so that sufficient durability can be secured against repetition of warpage .

이하 서술되는 연성인쇄회로기판 제조장치는 전술한 연성인쇄회로기판 제조공정 중 시드층(2)을 형성하는 단계(300)와, 음각 패턴(4) 형성 단계(410)와, 금속층(20)을 형성하는 단계(420)를 연속적으로 수행한다. 이와 다르게, 연성인쇄회로기판 제조장치는 이전 공정 및 이후 공정도 수행할 수 있도록 추가적인 장치를 구비할 수도 있다.The flexible printed circuit board manufacturing apparatus described below includes a step 300 of forming the seed layer 2 in the flexible printed circuit board manufacturing process described above, a step of forming the engraved pattern 4 410, the step of forming the metal layer 20 (Step 420). Alternatively, the flexible printed circuit board manufacturing apparatus may be provided with an additional device so as to perform the previous process and the subsequent process.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 연성인쇄회로기판 제조장치는, 비아홀(1a)이 형성된 기재(1)에 상기 비아홀(1a)의 상하 및 상기 기재(1) 상면에 시드층(2)을 증착하는 제1공정부(50,50'), 상기 시드층(2) 상부에 감광층(3)을 형성하고 상기 감광층(3)에 음각 패턴(4)을 형성하는 제2공정부(60), 상기 비아홀(1a) 내부에 배치되는 상기 시드층(2)의 상하 및 상기 음각 패턴(4)에 금속층(20)을 형성하는 제3공정부(70)를 포함하며, 상기 제1공정부(50,50') 또는 상기 제3공정부(70)는 상기 기재(1) 상부 및 하부에 각각 배치되어 플라즈마를 발생시키는 복수개의 플라즈마 발생부를 포함하며, 적어도 하나의 플라즈마 발생부는 나머지 플라즈마 발생부 중 적어도 하나의 상부에 배치되어 양면 동시 또는 단면을 증착하는 것을 특징으로 하는 한다.2, the flexible printed circuit board manufacturing apparatus of the present embodiment includes a substrate 1 on which a via hole 1a is formed, a seed layer 2 on upper and lower portions of the via hole 1a and on the upper surface of the substrate 1, And a second spacer (5) for forming an engraved pattern (4) on the photosensitive layer (3) by forming a photosensitive layer (3) on the seed layer (2) And a third spacer 70 for forming a metal layer 20 on the upper and lower portions of the seed layer 2 and the engraved pattern 4 disposed in the via hole 1a, The first and second apertures 50 and 50 'or the third apertures 70 may include a plurality of plasma generators disposed above and below the substrate 1 to generate plasma, Wherein at least one of the parts is disposed on the upper part so as to deposit the both sides simultaneously or the cross section.

연성인쇄회로기판 제조장치는 기재(1)의 상하부 증착이 동시에 수행되는 챔버(1000) 및 롤투롤(roll to roll) 방식으로 챔버(1000) 내에서 기재(1)의 연속적인 이동이 이루어지도록 챔버(1000)의 양측에 대응되게 설치된 롤링부(40,80)를 포함한다. 롤링부(40,80)에는 비아홀(1a)이 형성된 기재(1)가 감겨져 있다. 롤링부(40,80)는 두개의 롤링부를 포함하며, 상류 측에 배치되는 롤링부(40)는 롤 피더(roll feeder) 역할을 하며, 하류 측에 배치되는 롤링부(80)는 리와인더(rewinder) 역할을 한다. 또한, 롤링부(40,80)에 감겨있는 기재(1)는 접지되도록 할 수 있다.The flexible printed circuit board manufacturing apparatus comprises a chamber 1000 in which upper and lower deposition of the substrate 1 are simultaneously performed and a chamber 1000 in which a continuous movement of the substrate 1 in the chamber 1000 is performed in a roll- (40, 80) provided corresponding to both sides of the stator (1000). In the rolling parts 40 and 80, a base material 1 having a via hole 1a is wound. The rolling parts 40 and 80 include two rolling parts. The rolling part 40 disposed on the upstream side serves as a roll feeder and the rolling part 80 disposed on the downstream side serves as a rewinder ). Further, the base material 1 wound on the rolling parts 40 and 80 can be grounded.

여기서, 롤링부(40,80)가 챔버(1000) 내부에 동일 수평선상에 배치될 경우, 제1,2,3공정부(50,60,70)를 경계 짓도록 격벽이 설치될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다른 실시 예에서는, 격벽 없이 각 공정이 별도의 챔버를 구비할 수도 있다.When the rolling units 40 and 80 are disposed on the same horizontal line in the chamber 1000, a partition wall may be provided to border the first, second, and third holes 50, 60, and 70. However, without limitation, in other embodiments, each process may have a separate chamber without a septum.

연성인쇄회로기판 제조장치는 제1,2,3공정부(50,60,70)를 통과하는 기재(1)를 평평하게 유지시키는 장력 조절부(91)를 포함한다. 장력 조절부(91)는 롤링부(40, 80)의 후단과 전단에 각각 배치되어 기재(1)가 평평하게 유지된 채 챔버(1000)내에서 이동되도록 한다.The flexible printed circuit board manufacturing apparatus includes a tension adjusting portion 91 for holding the base material 1 passing through the first, second and third hollow portions 50, 60, and 70 in a flat state. The tension adjusting portion 91 is disposed at the rear end and the front end of the rolling portions 40 and 80 so that the substrate 1 is moved in the chamber 1000 while being kept flat.

제1공정부(50,50')는 비아홀(1a)이 형성된 기재(1)에 비아홀(1a) 벽면의 상하 및 기재(1) 상면에 시드층(2)을 증착한다.The first openings 50 and 50 'deposit the seed layer 2 on the upper and lower surfaces of the via hole 1a and on the upper surface of the substrate 1 in the substrate 1 on which the via hole 1a is formed.

이어서, 제2공정부(60)는 시드층(2) 상부에 감광층(3)을 형성하고 상기 감광층(3)에 음각 패턴(4)을 형성한다.The second spacer 60 then forms the photosensitive layer 3 on the seed layer 2 and forms the engraved pattern 4 on the photosensitive layer 3.

이어서, 제3공정부(70)는 비아홀(1a) 내부에 배치되는 시드층(2)의 상하 및 음각 패턴(4)에 금속층(20)을 형성한다.Next, the third insulating layer 70 forms the metal layer 20 on the upper and lower surfaces and the engraved pattern 4 of the seed layer 2 disposed inside the via hole 1a.

기재(1)의 상하부를 동시에 증착하는 제1공정부(50,50') 및/또는 제3공정부(70,70')는 상기 기재(1) 상부 및 하부에 각각 배치되어 플라즈마를 발생시키는 복수개의 플라즈마 발생부를 포함하며, 적어도 하나의 플라즈마 발생부는 나머지 플라즈마 발생부 중 적어도 하나의 상부에 동일 수직선상에 배치된다.The first openings 50, 50 'and / or the third openings 70, 70' for simultaneously depositing the upper and lower portions of the substrate 1 are disposed at the upper and lower portions of the substrate 1, Wherein at least one plasma generating portion is disposed on the same vertical line on the upper portion of at least one of the remaining plasma generating portions.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1공정부(50,50') 및/또는 제3공정부(70,70')의 상기 플라즈마 발생부는 기재(1) 상부에 배치되는 제1전극(51)과, 제1전극(51) 하부에 가스를 공급하는 제1가스 공급부(54)와, 제1전극(51)에 전력을 공급하는 제1전원부(53)와, 기재(1) 하부에 배치되는 제2전극(52)과, 제2전극(52) 상부에 가스를 공급하는 제2가스 공급부(56)와, 제2전극(52)에 전력을 공급하는 제2전원부(55)를 포함할 수 있다.3, the plasma generating portion of the first hollow portion 50, 50 'and / or the third hollow portion 70, 70' includes a first electrode 51 disposed on the substrate 1, A first power supply unit 53 for supplying power to the first electrode 51 and a second power supply unit 53 for supplying power to the first electrode 51. The first power supply unit 53 supplies the gas to the lower portion of the first electrode 51, A second gas supply unit 56 for supplying a gas to the upper portion of the second electrode 52 and a second power supply unit 55 for supplying power to the second electrode 52 have.

제1,2전극(51,52)은 각각 수평하게 배치되며, 서로 마주보도록 배치된다. The first and second electrodes 51 and 52 are arranged horizontally and arranged to face each other.

제1,2전극(51,52)에 가스 및 전원을 공급하게 되면 제1전극(51)과 기재(1) 상부 및 제2전극(52)과 기재(1) 하부 사이에는 플라즈마가 형성된다.Plasma is formed between the first electrode 51 and the upper portion of the substrate 1 and between the second electrode 52 and the lower portion of the substrate 1 when the first and second electrodes 51 and 52 are supplied with gas and power.

기재(1)는 제1,2전극(51, 52)과 비접촉식으로 이동하여 기재(1)에 스크래치가 나지 않도록 할 수 있다. 이와 다르게, 기재(1)가 어느 하나의 전극에 접촉하여 이동할 수도 있다.The substrate 1 can be moved in a non-contact manner with the first and second electrodes 51 and 52 so that scratches do not occur on the substrate 1. Alternatively, the substrate 1 may move in contact with any one of the electrodes.

제1전극(51)과 제2전극(52) 사이를 기재(1)가 지나가면서, 기재(1)의 상부는 기재(1)의 상부에 형성된 플라즈마에 의해 증착되고, 기재(1)의 하부는 기재(1)의 하부에 형성된 플라즈마에 의해 증착되어, 기재(1)의 상하부가 동시에 증착되게 된다.As the substrate 1 passes between the first electrode 51 and the second electrode 52, the upper portion of the substrate 1 is deposited by the plasma formed on the upper side of the substrate 1, Are deposited by the plasma formed at the lower portion of the substrate 1, and the upper and lower portions of the substrate 1 are simultaneously deposited.

또한, 기재(1)의 상면 또는 하면에만 증착할 경우에는 제2전극(52) 또는 제1전극(51)에 가스 또는 전원 공급을 중단하도록 하여 양면이 아닌 한면만 증착되도록 제어부(미도시)는 제어할 수 있다.In the case of depositing only on the upper surface or the lower surface of the substrate 1, the control unit (not shown) may supply gas or power to the second electrode 52 or the first electrode 51 to deposit only one surface, Can be controlled.

제1,2전원부(53)는 RF전원으로 공급될 수 있다.The first and second power supply units 53 may be supplied with RF power.

또한, 챔버(1000)의 내부를 진공화하기 위한 진공펌프(57)가 구비될 수 있다.In addition, a vacuum pump 57 for evacuating the inside of the chamber 1000 may be provided.

전술한 바와 다르게, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생부는 기재(1) 상부에 배치되는 제1전극(51)과, 상기 제1전극(51) 하부에 가스를 공급하는 제1가스 공급부(54)와, 상기 제1전극(51)에 전력을 공급하는 제1전원부(53)와, 상기 제1전극(51) 하부에 배치되는 제2전극(52')과, 상기 제2전극(52') 하부에 가스를 공급하는 제2가스 공급부(56')와, 상기 제2전극(52')에 전력을 공급하는 제2전원부(55)와, 상기 기재(1) 하부에 배치되는 제3전극(58)을 포함하며, 상기 제1전극(51)을 통과한 기재(1)의 상하부가 뒤바뀌도록 방향을 전환해주는 방향전환부(59)를 포함하며, 상기 제2전극(52')과 상기 제3전극(58)은 상기 방향전환부(59)보다 하류측에 배치되어, 상기 제2전극(52')은 상기 기재(1) 사이에 배치될 수 있다.4, the plasma generating unit includes a first electrode 51 disposed on the substrate 1, a first gas supply unit 51 for supplying gas under the first electrode 51, A second electrode 52 'disposed under the first electrode 51, and a second electrode 52' disposed under the first electrode 51. The first electrode 51 and the second electrode 52 ' A second power supply unit 55 for supplying power to the second electrode 52 ', a second power supply unit 55 for supplying power to the second electrode 52' And a direction switching unit 59 including three electrodes 58 for switching the direction of the upper and lower portions of the substrate 1 passing through the first electrode 51 to be reversed, And the third electrode 58 may be disposed downstream of the direction switching unit 59 and the second electrode 52 'may be disposed between the substrates 1.

전술한 실시예에서와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.Description of the same configuration as in the above-described embodiment will be omitted.

방향전환부(59)는 제1전극(51)의 하류측에 배치되는 롤러로 구비될 수 있다. 이러한 방향전환부(59)로 인해 상부가 증착된 기재(1)는 180도 회전되어 이송된다. 따라서, 기재(1)에서 먼저 증착된 부분은 아래를 향하게 되고, 증착되지 않은 부분은 위를 향하게 된다. The direction changing unit 59 may be provided as a roller disposed on the downstream side of the first electrode 51. Due to the direction switching portion 59, the substrate 1 on which the upper portion is deposited is rotated by 180 degrees and transported. Thus, the first deposited portion of the substrate 1 faces downward, and the un-deposited portion faces upwards.

제2전극(52')은 방향전환부(59)보다 하류에 배치되어, 기재(1)에서 증착되지 않은 부분에 증착이 되도록 할 수 있다.The second electrode 52 'may be disposed downstream of the direction switching unit 59 so as to be deposited on a portion of the substrate 1 that is not deposited.

제2전극(52') 및 제3전극(58)은 수평하게 배치되어, 기재(1)와 평행하게 배치된다.The second electrode 52 'and the third electrode 58 are arranged horizontally and arranged in parallel with the substrate 1.

제2전극(52')은 상면이 제1전극(51)에 대향되게 배치되고, 하면이 제3전극(58)에 대향되도록 배치된다. 즉, 제1전극(51) 아래에 제2전극(52')이 배치되고, 제2전극(52') 아래에 제3전극(58)이 배치된다. 제3전극(58)은 제2전극(52')에 대향된다. 또한, 각각의 전극 사이에는 기재(1)가 각각 배치된다. 따라서, 제1,2,3전극(51,52',58)이 모두 하나의 수직선상에 배치된다.The second electrode 52 'is disposed such that the upper surface thereof is opposed to the first electrode 51 and the lower surface thereof is opposed to the third electrode 58. That is, the second electrode 52 'is disposed under the first electrode 51, and the third electrode 58 is disposed under the second electrode 52'. And the third electrode 58 is opposed to the second electrode 52 '. Further, a substrate 1 is disposed between the respective electrodes. Therefore, the first, second, and third electrodes 51, 52 ', 58 are all disposed on one vertical line.

제2가스 공급부(56')는 제2전극(52') 하부에 플라즈마가 생성되도록 제2전극(52')에 가스를 공급한다.The second gas supply unit 56 'supplies gas to the second electrode 52' so that plasma is generated under the second electrode 52 '.

제3전극(58)에는 RF 바이어스를 공급할 수 있다. RF 바이오스에 의한 쉬스(sheath) 영역으로 인해 접촉식 또는 비접촉식의 박막 증착이 거의 차이가 나지 않게 된다.The third electrode 58 may be supplied with RF bias. Due to the sheath region due to the RF biasing, contact or non-contact thin film deposition hardly makes a difference.

이와 같이 제조장치를 통해 기재(1)에 시드층(2)과 금속층(20)이 형성되면, 감광층(1)을 제거한다. 또한, 시드층(2)에서 금속층(20)으로 덮히지 않은 부분을 제거하면 베이스 금속층(10a, 10b)이 형성된다. 이러한 후속 과정은 별도의 장치 또는 공정부를 추가하여 형성할 수 있다.
When the seed layer 2 and the metal layer 20 are formed on the base material 1 through the manufacturing apparatus, the photosensitive layer 1 is removed. When the portion not covered with the metal layer 20 is removed from the seed layer 2, the base metal layers 10a and 10b are formed. Such a subsequent process may be formed by adding a separate apparatus or process unit.

전술한 바와 같은 연성인쇄회로기판 제조 장치로 제조된 연성인쇄회로기판은, 비아홀(1a)이 형성된 기재(1)와, 상기 비아홀(1a)의 벽면에 형성되는 베이스 금속층(10b)과, 상기 베이스 금속층(10b)에 형성되는 금속층(20)을 포함한다.The flexible printed circuit board fabricated by the above-described flexible printed circuit board manufacturing apparatus includes a substrate 1 on which a via hole 1a is formed, a base metal layer 10b formed on a wall surface of the via hole 1a, And a metal layer 20 formed on the metal layer 10b.

기재(1)는 시트형상으로 형성되고, 기재(1)에는 상하방향으로 관통된 비아홀(1a)이 형성된다.The base material 1 is formed in a sheet shape, and a via hole 1a penetrating in the up and down direction is formed in the base material 1. [

베이스 금속층(10a, 10b)은 기재(1)의 상면 일부 및 비아홀(1a)의 벽면 상하부에 형성된다.The base metal layers 10a and 10b are formed on a part of the upper surface of the substrate 1 and on the upper and lower parts of the wall surface of the via hole 1a.

비아홀(1a)의 벽면에 형성되는 베이스 금속층(10b)은 비아홀(1a)의 상하에 동일재질로 연속적으로 형성된다.The base metal layer 10b formed on the wall surface of the via hole 1a is formed continuously with the same material on the upper and lower sides of the via hole 1a.

베이스 금속층(10a, 10b)은, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 등의 금속 또는, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 중 적어도 두개가 혼합된 합금인 것이 바람직하다.The base metal layers 10a and 10b are formed of a metal such as copper, silver, gold, nickel, chromium, tungsten, molybdenum or aluminum or a mixture of at least two of copper, silver, gold, nickel, chromium, tungsten, molybdenum, Alloy.

베이스 금속층(10a, 10b)은 전술한 바와 같은 제조장치를 통해 형성되며, 검은색 계열의 색상을 가지는 것이 바람직하다.The base metal layers 10a and 10b are formed through the above-described manufacturing apparatus, and preferably have a black-based color.

베이스 금속층(10a, 10b)은 검은색 계열의 색상을 가져 빛반사 현상을 제거하고, 빛의 난반사를 줄이는 역할을 하여 시인성을 향상시킨다.The base metal layers 10a and 10b have a black-based color, thereby eliminating light reflection phenomenon and reducing irregular reflection of light, thereby improving visibility.

금속층(20)은 베이스 금속층(10a, 10b)에 형성된다.A metal layer 20 is formed on the base metal layers 10a and 10b.

금속층(20)은 기재(1)의 상면 또는 하면과 같은 표면에 배치되는 제1,2금속층(20b, 20a)과, 비아홀(1a) 내부에 배치되는 제3금속층(20c)을 포함한다. 제1금속층(20b)은 비아홀(1a)의 상부 또는 하부에 배치되고, 제2금속층(20a)은 비아홀(1a)로부터 제1금속층(20b)보다 멀리 배치된다. 즉, 제1금속층(20b)은 제2금속층(20a)보다 비아홀(1a)에 근접하게 배치된다.The metal layer 20 includes first and second metal layers 20b and 20a disposed on a surface such as an upper surface or a lower surface of the substrate 1 and a third metal layer 20c disposed inside the via hole 1a. The first metal layer 20b is disposed on the upper portion or the lower portion of the via hole 1a and the second metal layer 20a is disposed farther from the via hole 1a than the first metal layer 20b. That is, the first metal layer 20b is disposed closer to the via hole 1a than the second metal layer 20a.

베이스 금속층(10a, 10b)과 금속층(20)은 대응되게 형성된다.The base metal layers 10a and 10b and the metal layer 20 are formed to correspond to each other.

제3금속층(20c)은 비아홀(1a)의 벽면에 형성되는 베이스 금속층(10b)의 상하에 동일재질로 연속적으로 형성된다.The third metal layer 20c is continuously formed on and under the base metal layer 10b formed on the wall surface of the via hole 1a with the same material.

회로 패턴(1c)은 베이스 금속층(10a)과 베이스 금속층(10a) 표면에 형성되는 제2금속층(20a)을 포함한다.The circuit pattern 1c includes a base metal layer 10a and a second metal layer 20a formed on the surface of the base metal layer 10a.

비아홀 금속층(1d)은 베이스 금속층(10b)과 베이스 금속층(10b)에 형성되는 제1,3금속층(20b, 20c)을 포함한다.The via-hole metal layer 1d includes a base metal layer 10b and first and third metal layers 20b and 20c formed on the base metal layer 10b.

금속층(20)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 어느 하나인 것을 일 예로한다.The metal layer 20 is one example of gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu).

금속층(20)은 베이스 금속층(10a, 10b)의 저항값을 낮추는 역할을 하며, 도금되는 두께에 따라 베이스 금속층(10a)과 제2금속층(20a)으로 이루어지는 회로패턴(1c)의 저항값을 조절할 수 있다.The metal layer 20 functions to lower the resistance value of the base metal layers 10a and 10b and adjusts the resistance value of the circuit pattern 1c composed of the base metal layer 10a and the second metal layer 20a according to the thickness to be plated .

또한, 본 실시예에 따른 연성인쇄회로기판은, 기재(1)의 표면을 커버하는 보호층(30)을 더 포함하는 것이 바람직하다.Further, the flexible printed circuit board according to the present embodiment preferably further includes a protective layer 30 covering the surface of the base material 1.

보호층(30)은 PI 또는 PAI를 도포하여 건조시킴으로서 코팅한 코팅층인 것을 일 예로 한다.The protective layer 30 is a coating layer coated by applying PI or PAI and drying it.

보호층(30)은 베이스 금속층(10a, 10b) 및 제1,2금속층(20b, 20a) 및 비아홀(1a)을 커버할 수 있는 면적으로 기재(1)의 표면에 코팅되어 회로패턴(1c)을 보호하고, 회로패턴(1c)이 기재(1)로부터 박리되지않도록 하며, 휨에 의해 회로패턴(1c)의 형상이 변형되거나 박리되는 것을 방지하고, 휨이 반복되는 것에 대해 충분한 내구성을 확보할 수 있게 한다.The protective layer 30 is coated on the surface of the base material 1 with an area covering the base metal layers 10a and 10b and the first and second metal layers 20b and 20a and the via hole 1a, The circuit pattern 1c is prevented from being peeled off from the base material 1 and the shape of the circuit pattern 1c is prevented from being deformed or peeled due to warping and sufficient durability is ensured against repeated bending I will.

회로 패턴(1c)은 연성인쇄회로기판의 설계 시 설계된 회로로, 안테나 일 수도 있고, 전자부품을 실장하는 회로일 수 있으며, 설계 시 기설정된 회로임을 밝혀둔다.The circuit pattern 1c is a circuit designed at the time of designing a flexible printed circuit board, and may be an antenna or a circuit for mounting electronic components, and it is determined that the circuit is a predetermined circuit at the time of designing.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims .

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1 : 기재 2 : 시드층
3 : 감광층 4 : 음각 패턴
6 : 마스크
10a, 10b : 베이스 금속층 20 : 금속층
30 : 보호층
40, 80 : 롤링부 50, 50' : 제1공정부
51 : 제1전극 52, 52' : 제2전극
53 : 제1전원부 54 : 제1가스 공급부
55 : 제2전원부 56, 56' : 제2가스 공급부
57 : 진공펌프 58 : 제3전극
59 : 방향전환부
60 : 제2공정부 70, 70' : 제3공정부
91 : 장력 조절부 DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
1: substrate 2: seed layer
3: photosensitive layer 4: engraved pattern
6: Mask
10a, 10b: base metal layer 20: metal layer
30: Protective layer
40, 80: a rolling part 50, 50 '
51: first electrode 52, 52 ': second electrode
53: first power supply unit 54: first gas supply unit
55: second power supply unit 56, 56 ': second gas supply unit
57: Vacuum pump 58: Third electrode
59:
60: second public service 70, 70 ': third public service
91:

Claims

And a plurality of plasma generators disposed at upper and lower portions of the substrate on which the via holes are formed to generate plasma,
Wherein at least one plasma generating portion is disposed on at least one of the remaining plasma generating portions to simultaneously or both-sidedly deposit the cross-section.

A first core part for depositing a seed layer on upper and lower surfaces of the via hole and on the upper surface of the via hole on a substrate having a via hole formed therein, a second core part for forming a photosensitive layer on the seed layer and forming an engraved pattern on the photosensitive layer, And a third process unit for forming a metal layer on the upper and lower portions of the seed layer and in the engraved pattern,
The first and second process units may include a plurality of plasma generating units arranged at the upper and lower sides of the substrate to generate plasma,
Wherein at least one plasma generating portion is disposed on at least one of the remaining plasma generating portions.

And a third processing unit for forming a metal layer on the upper and lower sides of the seed layer disposed in the via hole, wherein the seed layer is formed on the upper and lower sides of the via hole,
The first and second process units may include a plurality of plasma generating units arranged at the upper and lower sides of the substrate to generate plasma,
Wherein the at least one plasma generating part is disposed on at least one of the remaining plasma generating parts and is vacuum-deposited on both sides or in sections.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the at least two plasma generators are disposed on the same vertical line to deposit copper on both sides.

5. The method of claim 4,
The plasma generating unit may include a first electrode disposed on the substrate, a first gas supply unit configured to supply a gas to a lower portion of the first electrode, a first power supply unit configured to supply power to the first electrode, A second gas supply unit for supplying a gas to the upper portion of the second electrode; and a second power supply unit for supplying power to the second electrode.

5. The method of claim 4,
The plasma generating unit may include a first electrode disposed on the substrate, a first gas supply unit for supplying a gas to a lower portion of the first electrode, a first power supply unit for supplying power to the first electrode, A second power supply unit for supplying power to the second electrode, and a third electrode disposed below the substrate, wherein the second electrode is disposed at a lower portion of the substrate, ,
And a direction changing unit for changing the direction of the upper and lower portions of the substrate, which has passed through the first electrode,
Wherein the second electrode and the third electrode are disposed on a downstream side of the direction switching unit, and the second electrode is disposed between the substrates.