KR20220065229A - Method of forming wiring on side surface of substrate - Google Patents

Method of forming wiring on side surface of substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20220065229A
KR20220065229A KR1020200151519A KR20200151519A KR20220065229A KR 20220065229 A KR20220065229 A KR 20220065229A KR 1020200151519 A KR1020200151519 A KR 1020200151519A KR 20200151519 A KR20200151519 A KR 20200151519A KR 20220065229 A KR20220065229 A KR 20220065229A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wiring
forming
metal layer
deposition
Prior art date
Application number
KR1020200151519A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
안우영
박성완
Original Assignee
안우영
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안우영 filed Critical 안우영
Priority to KR1020200151519A priority Critical patent/KR20220065229A/en
Publication of KR20220065229A publication Critical patent/KR20220065229A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method for forming a substrate side line, and more specifically, to a method for forming a substrate side line, capable of reducing time, effort, and costs for forming a line on a side of a substrate by performing masking on a side of the substrate on which the line is to be formed by inserting and mounting a metal mask for deposition on the side of the substrate, and then forming the line on the side of the substrate through sputtering. The method for forming the wiring of a substrate side portion according to the present invention includes the steps of: masking a substrate side portion for forming the wiring by inserting and mounting a deposition metal mask on a substrate side portion; and forming the wiring on the substrate side portion through sputtering after inserting the masked substrate into a chamber.

Description

기판 측면부 배선 형성 방법{Method of forming wiring on side surface of substrate}Method of forming wiring on side surface of substrate

본 발명은 기판 배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 기판 측면부에 증착용 금속 마스크를 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부에 마스킹을 수행한 후, 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성함으로써, 기판 측면부에 대한 배선 형성을 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a wiring on a substrate, and in particular, by inserting a metal mask for deposition on the side of the substrate to perform masking on the side of the substrate to form wiring, and then forming wiring on the side of the substrate through sputtering. , and to a method of forming a wiring on a side of a substrate to reduce time, effort, and cost for forming a wiring on the side of the substrate.

다양한 반도체, 전자 소자가 실장되는 기판에는 소자 간의 연결 또는 전력 공급 및 전기 신호 송수신을 위한 회로 배선이 형성된다. 이러한 기판에 형성되는 배선은 다양한 배선 형성 방법이 적용될 수 있다.Circuit wiring for connection between devices or for power supply and electric signal transmission/reception is formed on a substrate on which various semiconductors and electronic devices are mounted. Various wiring forming methods may be applied to the wiring formed on the substrate.

최근에 기판의 배선을 형성하기 위하여 실크 프린팅 기술이 적용되고 있다. 즉, 이와 같은 실크 프린팅 기술을 이용한 기판 배선 형성 방법은 실크 프린팅 기술로 기판에 실버 페이스트를 도포하여 고전도성을 가지는 배선을 형성시키는 방법이다.Recently, silk printing technology has been applied to form wiring on a substrate. That is, the method of forming a substrate wiring using such a silk printing technology is a method of forming a wiring having high conductivity by applying a silver paste to a substrate using the silk printing technology.

그런데, 이와 같은 종래의 실크 프린팅 기술을 이용한 기판 배선 방법은 배선의 저항이 높고 코팅하고자 하는 물질의 외부 영향과 도포시 낮은 균일도로 인해 회로 구현시 전기적 특성이 불균일할 수 있다는 단점을 가진다. 또한, 이와 같이 습식 공정이 적용되는 경우, 불순물에 의한 오염으로 최종 제품에서의 물리적 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다는 단점을 가진다.However, this conventional method for wiring a substrate using silk printing technology has a disadvantage that the resistance of the wiring is high, and electrical characteristics may be non-uniform when implementing a circuit due to external influences of the material to be coated and low uniformity during application. In addition, when the wet process is applied as described above, there is a disadvantage that contamination by impurities may affect the physical and electrical properties of the final product.

한편, 최근 대면적이면서 선명한 디스플레이 구현을 위하여 베젤(Bezel)이 없는 기판을 형성하는 기술에 대한 관심이 증가하고 있다. 상기 베젤이 없는 기판을 제공하기 위해서는 기판 측면에 배선을 구현하는 기술이 요청된다.Meanwhile, interest in a technology for forming a bezel-free substrate for realizing a large-area and clear display is increasing recently. In order to provide the substrate without the bezel, a technology for implementing wiring on the side of the substrate is required.

상기 베젤 없는 기판을 제공하는 기술에 관련하여, 대한민국 등록특허 제10-1613773호(이하, "선행기술문헌"이라 함)는 Tx 전극 패턴 및 Rx 전극 패턴과 연결되는 메탈 배선을 디스플레이 장치의 측면 및 뒷면으로 확장하여 연결함으로써 베젤의 폭을 줄이고 활성영역을 증가시킬 수 있는 터치 패널에 대해 개시하고 있다.With respect to the technology for providing the bezel-free substrate, Republic of Korea Patent No. 10-1613773 (hereinafter referred to as "prior art literature") discloses a metal wire connected to a Tx electrode pattern and an Rx electrode pattern on the side of a display device and Disclosed is a touch panel capable of reducing the width of the bezel and increasing the active area by extending and connecting to the rear side.

그러나, 상기 선행기술문헌은 단순히 기판 측면으로 배선을 형성하여 베젤의 폭이 줄어든 패널을 개시하고 있을 뿐, 기판의 측면에 대한 배선을 형성하는 구체적인 방법에 대해서는 전혀 시사하지 못하고 있다.However, the prior art document merely discloses a panel in which the width of the bezel is reduced by simply forming the wiring on the side of the substrate, and does not suggest at all about a specific method of forming the wiring on the side of the substrate.

또한, 더 나아가 상기 선행기술문헌은 낮은 저항을 가지고 전기 특성이 우수한 배선을 기판 측면부에 형성하는 구체적인 방법에 대해서는 전혀 제안하지 못하고 있다.In addition, further, the prior art document does not suggest at all about a specific method of forming a wiring having a low resistance and excellent electrical characteristics on the side surface of the substrate.

한편, 최근 기판 측면부에 대한 배선을 형성하는 연구가 진행되고 있는데, 예를 들어, 마스크를 기판 측면부에 부착한 후 기판 측면부에 배선을 형성하고, 이후 상기 필름 마스크를 제거하는 과정을 통해 기판 측면부의 배선을 완성한다. 그런데, 이와 같은 방법을 이용하면, 필름 마스크를 기판 측면부에 부착하기 위한 시간, 노력 및 비용이 필요 이상 소요되고, 기판 측면부에 배선을 형성할 때마다 필름 마스크를 부착해야 하는 번거로움이 남는 문제점을 가진다.On the other hand, recently, research on forming wiring for the side surface of the substrate is being conducted. For example, after attaching a mask to the side of the substrate, wiring is formed on the side of the substrate, and then, through the process of removing the film mask, the side of the substrate is Complete the wiring. However, using such a method, time, effort, and cost are required to attach the film mask to the side surface of the substrate, and the inconvenience of attaching the film mask every time wiring is formed to the side of the substrate is solved. have

대한민국 등록특허 제10-1613773호(공고일자 : 2016년 04월 19일, 발명의 명칭 : 터치 패널 및 그 제조 방법)Republic of Korea Patent No. 10-1613773 (Announcement Date: April 19, 2016, Title of Invention: Touch panel and manufacturing method thereof)

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기판 측면부에 증착용 금속 마스크를 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부에 마스킹을 수행한 후, 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성함으로써, 기판 측면부에 대한 배선 형성을 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the problems of the prior art as described above, and after performing masking on the side surface of the substrate on which the wiring is to be formed by inserting a metal mask for deposition on the side of the substrate, the wiring of the side of the substrate through sputtering It is an object of the present invention to provide a method for forming a wiring on the side of a substrate that can reduce time, effort, and cost for forming a wiring on the side of the substrate by configuring it to be formed.

또한, 본 발명은 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성함으로써, 낮은 저항의 배선을 형성할 수 있고 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention is configured to form the wiring on the side of the substrate through sputtering, so that wiring of low resistance can be formed and thereby providing a substrate with improved electrical properties. for that purpose

또한, 본 발명은 기판 측면부의 배선 형성을 위한 챔버와 동일한 챔버 내에서 이온빔 처리를 통하여 기판에 대한 전처리가 수행될 수 있도록 구성함으로써, 공정을 단순화시켜서 기판 측면부의 부착력 및 밀착력을 증대시킬 수 있고, 이로 인하여 양질의 기판을 제조하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있도록 하며, 더 나아가 기판 측면부 배선이 복수의 금속층으로 형성되는 경우 동일 챔버 내에서 각 금속층에 대한 이온빔 처리를 수행할 수 있어서 금속층 간 부착력 및 밀착력 역시 더욱더 증대시킬 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention simplifies the process by configuring so that pretreatment for the substrate can be performed through ion beam processing in the same chamber as the chamber for forming the wiring on the side of the substrate, thereby increasing the adhesion and adhesion of the side of the substrate, As a result, time, effort, and cost for manufacturing a high-quality substrate can be reduced, and further, when the wiring on the side of the substrate is formed of a plurality of metal layers, ion beam processing can be performed on each metal layer in the same chamber, so that the metal layer An object of the present invention is to provide a method of forming a wiring on the side of a substrate that can further increase adhesion and adhesion between the two sides.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법을 이루는 구성수단은 기판 배선 형성 방법에 있어서, 증착용 금속 마스크를 기판 측면부에 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부를 마스킹하는 단계; 상기 마스킹한 기판을 챔버 내로 인입한 후 스퍼터링을 통해 상기 기판 측면부에 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In the method of forming a substrate wiring, the constituent means for forming the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention proposed to solve the above problems is a step of masking the side of the substrate on which the wiring is to be formed by inserting a metal mask for deposition into the side of the substrate and mounting it ; and forming a wiring on the side surface of the substrate through sputtering after introducing the masked substrate into the chamber.

여기서, 상기 기판 측면부는 기판의 측면, 이 측면에 인접한 기판의 상부면 및 하부면을 포함하고, 상기 기판 측면부에 배선은 상기 기판의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the side surface of the substrate includes a side surface of a substrate, and an upper surface and a lower surface of the substrate adjacent to the side surface, and the wiring on the side surface of the substrate is formed on the upper circuit pattern formed on the upper surface of the substrate and the lower surface of the substrate. It is characterized in that it is formed so as to be electrically connected to the lower circuit pattern.

여기서, 상기 증착용 금속 마스크는 스테인레스(SUS) 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the metal mask for deposition is characterized in that it is formed of a stainless (SUS) material.

또한, 상기 증착용 금속 마스크는 디귿자(ㄷ) 형의 단면을 가지되, 상기 기판의 측면에 밀착하는 측면 마스킹부, 상기 기판의 측면에 인접한 기판의 상부면에 밀착하는 상부면 마스킹부 및 상기 기판의 측면에 인접한 기판의 하부면에 밀착하는 하부면 마스킹부로 구성되고, 상기 증착용 금속 마스크에는 상기 기판 측면부에 형성되는 측면부 배선의 패턴에 대응하는 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the metal mask for deposition has a cross section of the shape of a digit (c), a side masking part in close contact with the side surface of the substrate, an upper surface masking part in close contact with the upper surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate, and the substrate It is composed of a lower surface masking part in close contact with the lower surface of the substrate adjacent to the side of the metal mask for deposition, characterized in that the slit corresponding to the pattern of the side wiring formed on the side surface of the substrate is formed.

상기와 같은 과제 및 해결 수단을 가지는 본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법에 의하면, 기판 측면부에 증착용 금속 마스크를 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부에 마스킹을 수행한 후, 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성하기 때문에, 기판 측면부에 대한 배선 형성을 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 장점이 발생된다.According to the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention having the above problems and solutions, a metal mask for deposition is sandwiched and mounted on the side of the substrate to perform masking on the side of the substrate on which the wiring is to be formed, and then the wiring of the side of the substrate through sputtering Since it is configured to form a , an advantage of reducing time, effort, and cost for forming a wiring on the side surface of the substrate is generated.

또한, 본 발명에 의하면, 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성하기 때문에, 낮은 저항의 배선을 형성할 수 있고 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, according to the present invention, since it is configured to form the wiring on the side of the substrate through sputtering, it is possible to form low-resistance wiring, thereby providing an effect of providing a substrate with improved electrical characteristics.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 측면부의 배선 형성을 위한 챔버와 동일한 챔버 내에서 이온빔 처리를 통하여 기판에 대한 전처리가 수행될 수 있도록 구성하기 때문에, 공정을 단순화시켜서 기판 측면부의 부착력 및 밀착력을 증대시킬 수 있고, 이로 인하여 양질의 기판을 제조하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있도록 하며, 더 나아가 기판 측면부 배선이 복수의 금속층으로 형성되는 경우 동일 챔버 내에서 각 금속층에 대한 이온빔 처리를 수행할 수 있어서 금속층 간 부착력 및 밀착력 역시 더욱더 증대시킬 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, according to the present invention, since the pretreatment of the substrate can be performed through the ion beam treatment in the same chamber as the chamber for forming the wiring on the side of the substrate, the process is simplified to increase the adhesion and adhesion of the side of the substrate. Therefore, it is possible to reduce time, effort, and cost for manufacturing a high-quality substrate, and furthermore, when the wiring on the side of the substrate is formed of a plurality of metal layers, ion beam processing for each metal layer in the same chamber can be performed. Therefore, there is an effect of further increasing the adhesion and adhesion between the metal layers.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 플로차트이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 적용하기 위한 예시적인 기판의 단면을 보여준다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 적용하여 기판 측면부에 배선이 형성된 상태의 기판의 단면을 보여준다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 수행하기 위해 적용되는 증착용 금속 마스크의 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 증착용 금속 마스크를 기판 측면부에 끼워서 장착하는 과정을 예시하는 개략적인 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 수행하기 위해 적용되는 증착용 금속 마스크가 기판 측면부에 장착된 상태의 개략적인 단면도이다.1 is a flowchart of a method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.
2 shows a cross-section of an exemplary substrate for applying a method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.
3 shows a cross-section of the substrate in a state in which wiring is formed on the side of the substrate by applying the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the embodiment of the present invention.
4 is a schematic perspective view of a metal mask for deposition applied to perform a method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic perspective view illustrating a process of mounting the metal mask for deposition shown in FIG. 4 by inserting it into the side surface of the substrate.
6 is a schematic cross-sectional view of a state in which a metal mask for deposition applied to perform a method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention is mounted on a side surface of a substrate.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.In cases where certain embodiments may be implemented otherwise, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 플로차트(flowchart)이다.1 is a flowchart of a method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법은 먼저, 배선을 형성할 기판 측면부(도 2에서 도면 부호 10으로 표시됨)를 마스킹하는 단계를 수행한다. 구체적으로, 본 발명에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법은 스퍼터링법을 적용하기 때문에, 증착용 금속 마스크를 기판, 구체적으로 기판 측면부(도 2에서 도면 부호 10으로 표기됨)에 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부(10)를 마스킹하는 단계를 수행한다(s10).As shown in FIG. 1 , in the method for forming a wiring on a side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention, first, a step of masking a side portion of a substrate (indicated by reference numeral 10 in FIG. 2 ) on which wiring is to be formed is performed. Specifically, since the sputtering method is applied to the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention, a metal mask for deposition is mounted on the substrate, specifically, on the side of the substrate (indicated by reference numeral 10 in FIG. 2 ) to form the wiring. A step of masking the side part 10 is performed (s10).

상기 기판 측면부를 마스킹하는 단계(s10)는 스퍼터링을 통해 기판 측면부(10)에 배선을 증착할 수 있도록 증착용 금속 마스크를 기판(도 2 내지 도 6에 도면 부호 30으로 표기함)에 장착하는 단계에 해당한다. 본 발명에서 적용되는 마스크는 기판 측면부(10)에 배선을 형성하기 위하여 적용되는 마스크이되, 필름 마스크가 아니라, 금속 재질로 형성된 마스크, 구체적으로 증착용 금속 마스크인 것이 바람직하다.The step of masking the side surface of the substrate (s10) is a step of mounting a metal mask for deposition to the substrate (indicated by reference numeral 30 in FIGS. 2 to 6) so that wiring can be deposited on the side surface of the substrate 10 through sputtering. corresponds to The mask applied in the present invention is a mask applied to form a wiring on the side surface of the substrate 10, but is not a film mask, but is preferably a mask formed of a metal material, specifically, a metal mask for deposition.

본 발명에 적용되는 증착용 금속 마스크(도 4 및 도 5에서 도면 부호 20으로 표기됨)는 금속 재질로 형성되기 때문에, 기판 측면부(10)에 끼워져서 장착된다. 즉, 상기 기판 측면부(10)는 상기 증착용 금속 마스크(20)가 끼워져서 간단하게 마스킹될 수 있다. 상기 증착용 금속 마스크는 디귿자(ㄷ) 형상으로 형성되어 상기 기판(30)의 측면뿐만 아니라, 기판의 상부 및 하부에도 장착된다. 이에 대해서는 후술하겠다.Since the metal mask for deposition (indicated by reference numeral 20 in FIGS. 4 and 5 ) applied to the present invention is made of a metal material, it is fitted to the side surface of the substrate 10 . That is, the substrate side portion 10 may be masked simply by inserting the metal mask 20 for deposition. The metal mask for deposition is formed in the shape of a digit (c) and is mounted not only on the side surface of the substrate 30 but also on the upper and lower portions of the substrate. This will be discussed later.

상기와 같이 배선을 형성할 기판 측면부(10)에 증착용 금속 마스크를 장착하여 마스킹을 수행하는 단계를 완료하면, 상기 마스킹한 기판(30)에 대하여 스퍼터링 공정을 수행한다. 즉, 상기 마스킹한 기판(30)을 챔버 내로 인입한 후, 스퍼터링을 통해 상기 기판 측면부(10)에 배선을 형성하는 단계를 수행한다(S30).When the masking step is completed by mounting a metal mask for deposition on the side surface portion 10 of the substrate on which the wiring is to be formed as described above, a sputtering process is performed on the masked substrate 30 . That is, after the masked substrate 30 is introduced into the chamber, a step of forming a wiring on the side surface of the substrate 10 through sputtering is performed ( S30 ).

본 발명에 따른 기판 측면부(10)에 대한 배선은 진공 챔버(110) 내에서 스퍼터링으로 증착되어 형성된다. 따라서, 상기 기판(30)은 배선이 형성되는 기판 측면부(10)에 디귿자(ㄷ) 형의 단면을 가지는 증착용 금속 마스크가 끼워져서 장착되면, 스퍼터링을 수행할 수 있는 챔버(100) 내로 인입되어 스퍼터링 공정을 수행받는다. The wiring for the substrate side portion 10 according to the present invention is formed by deposition by sputtering in the vacuum chamber 110 . Therefore, when the substrate 30 is mounted with a metal mask for deposition having a digwan (c)-shaped cross-section in the side surface portion 10 of the substrate on which wiring is formed, it is introduced into the chamber 100 for performing sputtering. A sputtering process is performed.

상기 스퍼터링 공정은 상기 배선을 형성할 기판 측면부(10)에 증착이 집중될 수 있도록 수행된다. 즉, 본 발명에서 적용되는 스퍼터링은 기판(30) 전체에 대해 수행되는 것이 아니라, 기판 측면부(10)에 대해 증착될 수 있도록 수행된다. 한편, 상기 기판의 상부면 및 하부면 역시 스퍼터링 과정에서 증착되거나 증착 물질에 의해 오염되지 않도록 필름 등을 이용하여 마스킹되는 것이 바람직하다.The sputtering process is performed so that deposition can be concentrated on the side surface portion 10 of the substrate on which the wiring is to be formed. That is, sputtering applied in the present invention is not performed on the entire substrate 30 , but is performed so as to be deposited on the substrate side portion 10 . Meanwhile, it is preferable that the upper and lower surfaces of the substrate are also masked using a film or the like so as not to be deposited in the sputtering process or contaminated by the deposition material.

본 발명에서 적용되는 스퍼터링을 통한 기판 측면부(10) 배선 형성 방법은 기판(30)의 측면부에 대해 스퍼터링을 통해 배선을 형성하는 방법으로서, 적용되는 기판(30)은 회로 패턴을 형성할 필요가 있고, 측면부를 통해 회로 패턴을 연결할 필요가 있는 기판이면 모두 적용될 수 있다. 즉, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 글라스, 플라스틱, 필름 등 회로 패턴이 형성되고, 이 회로 패턴을 전기적으로 연결하기 위해 측면부에 배선이 형성될 가능성이 있는 기판들을 모두 포함하는 개념이다.The method of forming wiring on the side surface of the substrate 10 through sputtering applied in the present invention is a method of forming wiring through sputtering for the side portion of the substrate 30, and the substrate 30 to be applied needs to form a circuit pattern and , any substrate that needs to connect a circuit pattern through the side part can be applied. That is, the substrate 30 applied to the present invention is a concept including all of the substrates in which a circuit pattern such as glass, plastic, film, etc. is formed, and a wiring is likely to be formed on the side portion to electrically connect the circuit pattern.

특히, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 상부와 하부에 다양한 소자들이 실장될 수 있고, 상부와 하부에 각각 회로 패턴이 형성되는 기판인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 배선이 형성되는 기판 측면부(10)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판의 에지부를 형성하는 기판의 측면(11), 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 상부면, 즉 측면 인접 상부면(13) 및 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 하부면, 즉 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분이다.In particular, the substrate 30 applied to the present invention is preferably a substrate on which various elements can be mounted on the upper and lower portions, and circuit patterns are formed on the upper and lower portions, respectively. And, the side surface of the substrate 10 on which the wiring is formed is the side 11 of the substrate forming the edge portion of the substrate, the upper surface of the substrate 30 adjacent to the side 11 of the substrate, as shown in FIG. 2; That is, it is a portion including the upper surface 13 adjacent to the side surface and the lower surface of the substrate 30 adjacent to the side surface 11 of the substrate, that is, the lower surface 15 adjacent to the side surface.

구체적으로, 본 발명에 적용되는 상기 기판 측면부(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11), 이 기판의 측면(11)에 인접한 기판의 상부면(측면 인접 상부면(13)) 및 하부면(측면 인접 하부면(15))을 포함하고, 상기 기판 측면부(10)에 배선, 즉 측면부 배선(도 3에서 도면 부호 90으로 표기됨)은 상기 기판(30)의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴(60)과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성된다.Specifically, as shown in FIG. 2, the side surface of the substrate 10 applied to the present invention includes the side surface 11 of the substrate, and the upper surface of the substrate adjacent to the side surface 11 (the upper surface 13 adjacent to the side). )) and a lower surface (the lower surface 15 adjacent to the side), and the wiring on the side surface 10 of the substrate, that is, the wiring on the side portion (indicated by reference numeral 90 in FIG. 3 ) is the upper surface of the substrate 30 . It is formed so as to electrically connect the upper circuit pattern 60 formed on the substrate and the lower circuit pattern 80 formed on the lower surface of the substrate.

좀 더 구체적으로, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 다양한 소자, 기기, 장치에 적용되는 기판일 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)를 위해 적용될 수 있다. 따라서, 상기 기판(30) 상부에는 디스플레이 소자(50)들, 예를 들어 LCD, OLED, 마이크로 LED가 실장되어 디스플레이 소자 메트릭스가 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(30) 하부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 제어하고 전기 신호를 송수신하기 위한 컨트롤러 소자(70) 및 다양한 관련 소자들이 형성될 수 있다.More specifically, the substrate 30 applied to the present invention may be a substrate applied to various elements, devices, and devices. For example, the substrate 30 applied to the present invention may be applied for the display apparatus 100 as shown in FIG. 2 . Accordingly, the display elements 50, for example, LCD, OLED, and micro LED are mounted on the substrate 30 to form a display element matrix. In addition, a controller element 70 for controlling the display elements 50 and transmitting and receiving electrical signals and various related elements may be formed under the substrate 30 .

상기와 같은 기판(30)의 상부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 위한 배선, 즉 상부 회로 패턴(60)이 형성되고, 상기 기판(30)의 하부에는 상기 컨트롤러 소자(70)들 등을 위한 배선, 즉 하부 회로 패턴(80)이 형성된다. 따라서, 상기 기판 측면부(10)에는 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결하기 위한 측면부 배선(90)이 도 3에 도시된 바와 같이 형성되어야 한다.Wiring for the display elements 50 , that is, an upper circuit pattern 60 is formed on the upper portion of the substrate 30 as described above, and wiring for the controller elements 70 , etc. is formed on the lower portion of the substrate 30 . , that is, the lower circuit pattern 80 is formed. Accordingly, side wiring 90 for electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80 to the side surface of the substrate 10 should be formed as shown in FIG. 3 .

상기 기판 측면부(10)에 형성되는 상기 측면부 배선(90)은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되어야 하기 때문에, 도 3에 도시된 바와 같이, 단면이 디귿자(ㄷ) 형상을 가진다. 이와 같이 상기 측면부 배선(90)이 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있는 디귿자 형상을 가지기 때문에, 상기 측면부 배선(90)이 형성되는 상기 기판 측면부(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11)뿐만 아니라, 측면 인접 상부면(13)와 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분에 해당한다.Since the side wiring 90 formed on the side surface of the substrate 10 must be formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80, as shown in FIG. 3 , The cross section has the shape of a digit (c). As described above, since the side wiring 90 has a divisor shape capable of electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80 , the side surface portion 10 of the substrate on which the side wiring 90 is formed. ) corresponds to a portion including not only the side surface 11 of the substrate, but also an upper surface 13 adjacent to the side and a lower surface 15 adjacent to the side, as shown in FIG. 2 .

상술한 바와 같이, 상기 마스킹한 기판(30)은 진공 챔버 내로 인입되어 스퍼터링을 수행받는다. 그런데, 상기 진공 챔버 내에서의 스퍼터링은 상기 기판 측면부(10)에 측면부 배선(90)을 형성하기 위한 공정이다. 따라서, 상기 진공 챔버 내에서의 스퍼터링은 상기 기판 측면부(10)에 대해 집중적으로 증착될 수 있도록 수행된다.As described above, the masked substrate 30 is introduced into the vacuum chamber and subjected to sputtering. However, sputtering in the vacuum chamber is a process for forming the side wiring 90 on the side surface of the substrate 10 . Accordingly, sputtering in the vacuum chamber is performed so that deposition can be concentrated on the side surface of the substrate 10 .

한편, 본 발명에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법은 상술한 기판 측면부를 마스킹하는 단계(s10) 이전에 수행되는 기판 클리닝 단계(s11)를 더 포함하여 구성하는 것이 바람직하다. On the other hand, it is preferable that the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention further includes a cleaning step (s11) of the substrate performed before the step (s10) of masking the side of the substrate.

상기 기판 클리닝 단계(s11)는 스퍼터링을 통한 증착 품질을 보장하기 위하여 진행될 필요가 있고, 특히 기판이 글라스인 경우 모서리 부분 등에 대해 면취 공정을 수행하게 되는데, 이 경우에 플라즈마 처리 등을 통해 기판에 대한 클리닝 단계를 반드시 수행하는 것이 바람직하다.The substrate cleaning step (s11) needs to be performed to ensure the deposition quality through sputtering, and in particular, when the substrate is glass, a chamfering process is performed on the corners, etc. In this case, the substrate is subjected to plasma treatment or the like. It is preferable to always perform a cleaning step.

이와 같이, 마스킹 전의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 통해 기판 표면을 클리닝하는 공정을 수행한다. 마스킹 전의 기판(30) 표면에는 미세 입자들이 묻어 있을 수 있고, 이와 같은 미세 입자를 제거하는 미세 세정을 위하여 플라즈마를 이용한 기판 클리닝 단계를 더 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 기판 클리닝 단계를 수행한 기판에 대하여 마스킹하는 단계를 수행하는 것이 미세 입자에 의한 악영향을 방지할 수 있다.As described above, a process of cleaning the surface of the substrate through plasma treatment is performed on the substrate before masking. The surface of the substrate 30 before masking may have fine particles, and it is preferable to further perform a substrate cleaning step using plasma for fine cleaning to remove such fine particles. In this way, performing the masking step on the substrate on which the substrate cleaning step has been performed can prevent adverse effects due to the fine particles.

또한, 본 발명에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법은 상기 기판 측면부(10)에 배선(측면부 배선(90))을 형성하는 단계 이전에, 상기 챔버 내에서 이온빔 처리를 통해 상기 기판(30)에 대한 전처리를 수행하는 전처리 단계(s31)를 더 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.In addition, in the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention, before the step of forming the wiring (the wiring 90 on the side of the substrate) on the side of the substrate 10, the substrate 30 is pretreated through ion beam processing in the chamber. It is preferably configured to further include a pre-processing step (s31) of performing a.

즉, 상기 기판 측면부(10)에 소정 패턴을 가지는 상기 측면부 배선(90)을 부착력 및 밀착력이 좋게 증착하기 위하여, 상기 기판 측면부(10)에 측면부 배선(90)을 형성하는 단계(s30) 이전에 상기 진공 챔버 내에서 이온빔 처리를 수행한다. 상기 진공 챔버 내에는 이온빔 처리를 위한 이온빔 발생 수단(이온빔 건)만 간단하게 추가하면 된다.That is, in order to deposit the side wiring 90 having a predetermined pattern on the substrate side part 10 with good adhesion and adhesion, forming the side wiring 90 on the substrate side part 10 before the step (s30) An ion beam treatment is performed in the vacuum chamber. In the vacuum chamber, only an ion beam generating means (ion beam gun) for ion beam processing is simply added.

이와 같이, 상기 챔버 내에서 이온빔을 통한 전처리 공정과 측면부 배선(90) 형성 공정을 동시에 연속적으로 수행할 수 있기 때문에, 공정을 단순화시켜서 기판 제조 공정을 효율적으로 진행할 수 있다. As described above, since the pretreatment process through the ion beam and the process for forming the side wiring 90 can be simultaneously and continuously performed in the chamber, the process can be simplified and the substrate manufacturing process can be efficiently performed.

한편, 상술한 기판 측면부에 배선을 형성하는 단계(s30)는 상기 챔버 내에서 스퍼터링을 통한 증착 공정을 통해 진행되는데, 상기 기판 측면부(10)에 형성되는 배선은 하나의 금속층, 즉 배선으로서 최소한의 금속층에 해당하는 도전 금속층만으로 형성될 수도 있지만, 양질의 배선을 형성하기 위하여 접착 금속층, 도전 금속층 및 보호 금속층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the step (s30) of forming the wiring on the side surface of the substrate is performed through a deposition process through sputtering in the chamber, and the wiring formed on the side of the substrate 10 is a single metal layer, that is, as a wiring, Although it may be formed only with the conductive metal layer corresponding to the metal layer, it is preferable that the adhesive metal layer, the conductive metal layer, and the protective metal layer be sequentially stacked to form a high-quality wiring.

즉, 예시적으로, 본 발명에 따라 상기 기판 측면부(10)에 형성되는 배선(측면부 배선(90))은 접착 금속층, 도전 금속층, 보호 금속층이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다.That is, for example, the wiring (side wiring 90 ) formed on the side surface of the substrate 10 according to the present invention may be formed by sequentially stacking an adhesive metal layer, a conductive metal layer, and a protective metal layer.

상기 접착 금속층은 도전성 물질, 예컨대 금속성 물질을 포함할 수 있다. 금속성 물질은 니켈(Ni)과 크롬(Cr)의 합금, 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 스테인레스(SUS), 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다층일 수 있다. The adhesive metal layer may include a conductive material, for example, a metallic material. The metallic material may include any one of an alloy of nickel (Ni) and chromium (Cr), titanium (Ti), molybdenum (Mo), stainless (SUS), or an alloy thereof, and may be a single layer or multiple layers. can

예를 들어, 상기 접착 금속층은 니켈과 크롬의 합금층일 수 있다. 니켈과 크롬의 합금을 포함하는 접착 금속층의 니켈과 크롬의 중량비는 8:2 내지 9.5:0.5의 범위에서 선택될 수 있다. 크롬은 기판(특히 플라스틱 기판)과 상기 도전 금속층 간의 점착력 향상을 증가시킬 수 있다. 니켈로만 형성된 접착 금속층에 비하여, 니켈과 크롬의 합금의 접착 금속층의 경우, 기판과 도전 금속층 사이의 점착력을 약 1.5배 이상 향상시킬 수 있다. For example, the adhesive metal layer may be an alloy layer of nickel and chromium. The weight ratio of nickel and chromium of the adhesive metal layer including an alloy of nickel and chromium may be selected in the range of 8:2 to 9.5:0.5. Chromium may increase adhesion between a substrate (especially a plastic substrate) and the conductive metal layer. Compared to the adhesive metal layer formed only of nickel, in the case of the adhesive metal layer of an alloy of nickel and chromium, the adhesive force between the substrate and the conductive metal layer can be improved by about 1.5 times or more.

상기 접착 금속층이 니켈과 크롬의 합금을 포함하는 금속층인 경우, 니켈만 포함하는 접착 금속층에 비하여 스퍼터링 공정에서의 박막 형성 효율을 향상시킬 수 있다. 자성을 갖는 니켈만으로 스퍼터링를 수행하는 경우, 접착 금속층의 박막의 두께 균일도 등에서 품질이 저하되는 문제가 있을 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예와 같이 크롬을 포함하는 니켈과 크롬의 합금의 경우, 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있으며, 전술한 바와 같이 기판과 도전 금속층 간의 점착력을 향상시킬 수 있다.When the adhesive metal layer is a metal layer including an alloy of nickel and chromium, the thin film formation efficiency in the sputtering process may be improved as compared to the adhesive metal layer including only nickel. When sputtering is performed only with nickel having magnetism, there may be a problem in that the quality is deteriorated in the thickness uniformity of the thin film of the adhesive metal layer. However, in the case of an alloy of nickel and chromium containing chromium as in the embodiment of the present invention, the quality of the thin film formed through the sputtering process can be improved, and the adhesion between the substrate and the conductive metal layer can be improved as described above. there is.

상기 접착 금속층이 스퍼터링을 통해 기판 측면부(10)에 형성되면, 상기 접착 금속층 상에 상기 도전 금속층을 형성한다. 상기 도전 금속층은 다양한 금속 또는 합금으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전 금속층은 구리를 포함할 수도 있고, 주석(Sn)을 베이스로 한 무연(lead-free) 금속층으로서, 주석(Sn)을 약 85wt% 이상 포함할 수 있다. 상기 도전 금속층은 주석(Sn) 외에 은(Ag), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 아연(Zn), 및 인듐(In) 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 도전 금속층이 은(Ag)과 구리(Cu)를 포함하는 경우, 융점을 낮추기 위해 은(Ag)은 구리(Cu)보다 많이 포함될 수 있다.When the adhesive metal layer is formed on the side surface of the substrate 10 through sputtering, the conductive metal layer is formed on the adhesive metal layer. The conductive metal layer may be formed of various metals or alloys. For example, the conductive metal layer may include copper or, as a lead-free metal layer based on tin (Sn), may include tin (Sn) in an amount of about 85 wt% or more. The conductive metal layer may further include at least one of silver (Ag), copper (Cu), bismuth (Bi), zinc (Zn), and indium (In) in addition to tin (Sn). When the conductive metal layer includes silver (Ag) and copper (Cu), silver (Ag) may be included more than copper (Cu) in order to lower the melting point.

상기와 같이 접착 금속층 상에 상기 도전 금속층이 스퍼터링을 통하여 증착되면, 동일 챔버(110) 내에서 상기 도전 금속층 상에 스퍼터링을 통해 증착하여 보호 금속층을 형성한다.When the conductive metal layer is deposited on the adhesive metal layer through sputtering as described above, the protective metal layer is formed by sputtering deposition on the conductive metal layer in the same chamber 110 .

상기 보호 금속층은 금속성 소재를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 보호 금속층은 상기 접착 금속층과 동일하게 니켈(Ni)과 크롬(Cr)의 합금, 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 스테인레스(SUS), 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 가장 바람직하게, 상기 보호 금속층은 상기 접착 금속층(13)과 동일한 챔버 내에서 동일한 물질로 형성된다. 이와 같이, 상기 접착 금속층과 보호 금속층은 동일 챔버 내에서 동일한 재질로 형성되기 때문에, 전체 공정을 단순화시키고 이를 통해 기판 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 최소화시킬 수 있다. 상기 보호 금속층은 상기 도전 금속층의 부식을 방지하고, 제조 공정 및 유통 과정 등에서 상기 도전 금속층의 오염을 방지할 수 있다. The protective metal layer may include a metallic material. For example, the protective metal layer includes any one of an alloy of nickel (Ni) and chromium (Cr), titanium (Ti), molybdenum (Mo), stainless (SUS), or an alloy thereof, in the same way as the adhesive metal layer. can do. Most preferably, the protective metal layer is formed of the same material in the same chamber as the adhesive metal layer 13 . As such, since the adhesive metal layer and the protective metal layer are formed of the same material in the same chamber, the overall process can be simplified, thereby minimizing time, effort, and cost for manufacturing the substrate. The protective metal layer may prevent corrosion of the conductive metal layer, and may prevent contamination of the conductive metal layer in a manufacturing process and distribution process.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 기판 측면부(10)에 형성되는 배선은 접착 금속층, 도전 금속층 및 보호 금속층이 동일 챔버 내에서 스퍼터링을 통해 순차적으로 적층되어 형성되기 때문에, 각 금속층에 대한 이온빔 처리도 가능하다. 즉, 본 발명에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 챔버는 상술한 바와 같이 이온빔 처리를 수행할 수 있기 때문에, 각 금속층을 형성하기 전에 이온빔 처리를 진행하여 기판과 접착 금속층 간 및 금속층 간의 부착력, 접착력 및 밀착력을 증대시킬 수 있다.On the other hand, as described above, since the wiring formed on the side surface of the substrate 10 is formed by sequentially stacking the adhesive metal layer, the conductive metal layer, and the protective metal layer through sputtering in the same chamber, ion beam treatment for each metal layer is also possible. Do. That is, since the chamber applied to the method for forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention can perform the ion beam treatment as described above, the ion beam treatment is performed before each metal layer is formed so that the adhesion between the substrate and the adhesive metal layer and between the metal layer, Adhesion and adhesion can be increased.

구체적으로, 동일 챔버 내에서 먼저, 상기 기판 측면부(10)에 대한 이온빔 처리를 수행한 후, 상기 접착 금속층을 스퍼터링을 통해 상기 기판 측면부(10)에 증착 형성한다. 다음, 상기 접착 금속층에 대하여 이온빔 처리를 수행한 후, 상기 접착 금속층 상에 스퍼터링을 통해 상기 도전 금속층을 증착 형성한다. 그런 다음, 상기 도전 금속층에 대하여 이온빔 처리를 수행한 후, 상기 도전 금속층 상에 스퍼터링을 통해 상기 보호 금속층을 증착 형성한다. 이와 같이, 각 금속층을 형성하기 전에 이온빔 처리를 동일한 챔버에서 수행할 수 있기 때문에, 간소화된 공정 및 장비 구조를 통하여 기판과 금속층 간, 금속층 간의 밀착력을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 기판 제조의 효율을 향상시킬 수 있다.Specifically, in the same chamber, first, an ion beam treatment is performed on the side surface of the substrate 10 , and then the adhesive metal layer is deposited on the side surface of the substrate 10 through sputtering. Next, after ion beam treatment is performed on the adhesive metal layer, the conductive metal layer is deposited on the adhesive metal layer by sputtering. Then, after ion beam treatment is performed on the conductive metal layer, the protective metal layer is deposited on the conductive metal layer by sputtering. In this way, since the ion beam treatment can be performed in the same chamber before each metal layer is formed, the adhesion between the substrate and the metal layer and between the metal layers can be improved through a simplified process and equipment structure, thereby increasing the efficiency of substrate manufacturing. can be improved

한편, 상술한 기판 측면부(10)에 배선을 형성하는 단계(s30)를 완료하면, 상기 기판(30)은 외부로 반출되고, 상기 반출된 기판(30)은 마스크 제거 후 배선, 외관 검사 등을 수행받는다(s50).On the other hand, when the above-described step (s30) of forming the wiring on the side surface of the substrate 10 is completed, the substrate 30 is transported to the outside, and the transported substrate 30 is subjected to wiring, external inspection, etc. after removing the mask. to be performed (s50).

본 발명에 적용되는 증착용 금속 마스크(20)는 부식이 쉽게 발생하지 않고 오염이 쉽게 되지 않으며 산화가 쉽게 되지 않는 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 본 발명에 적용되는 증착용 금속 마스크(20)는 스테인레스(SUS) 재질로 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the metal mask 20 for deposition applied to the present invention is made of a metal material that does not easily corrode, is not easily contaminated, and is not easily oxidized. Specifically, the metal mask 20 for deposition applied to the present invention is preferably formed of a stainless (SUS) material.

한편, 본 발명에 적용되는 증착용 금속 마스크는 상술한 바와 같이, 기판 측면부(10)에 끼워져서 장착될 수 있는 구조를 가지고, 상기 기판 측면부(10)에 안정적으로 밀착되어 장착될 수 있으며, 장탈착이 용이한 구조 및 형상을 가지는 것이 바람직하다.On the other hand, as described above, the metal mask for deposition applied to the present invention has a structure that can be fitted by being fitted to the side surface of the substrate 10, and can be mounted in close contact with the side of the substrate 10 in a stable manner. It is preferable to have a structure and shape that is easy to detach.

이를 위하여, 본 발명에서 적용되는 상기 증착용 마스크(20)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 디귿자(ㄷ) 형의 단면을 가지되, 상기 기판 측면부(10)를 구성하는 기판의 측면(11)에 밀착하는 측면 마스킹부(21), 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판의 상부면, 즉 측면 인접 상부면(13)에 밀착하는 상부면 마스킹부(22) 및 상기 기판의 측면에 인접한 기판의 하부면, 즉 측면 인접 하부면(15)에 밀착하는 하부면 마스킹부(23)로 구성된다. 그리고, 상기 증착용 금속 마스크(20)에는 상기 기판 측면부(10)에 형성되는 측면부 배선(90)의 패턴에 대응하는 슬릿(25)이 형성되는 것이 바람직하다.To this end, as shown in FIGS. 4 and 5 , the deposition mask 20 applied in the present invention has a cross section of a digut character (c), and the side surface of the substrate constituting the substrate side part 10 . The side masking part 21 in close contact with 11, the upper surface of the substrate adjacent to the side surface 11 of the substrate, that is, the upper surface masking part 22 in close contact with the upper surface 13 adjacent to the side, and the side surface of the substrate It is composed of a lower surface masking portion 23 in close contact with the lower surface of the substrate adjacent to, that is, the lower surface 15 adjacent to the side. In addition, it is preferable that the slit 25 corresponding to the pattern of the side wiring 90 formed on the side surface of the substrate 10 is formed in the metal mask 20 for deposition.

구체적으로, 본 발명에 적용되는 증착용 금속 마스크(20)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 전체적으로 단면이 디귿자 형상을 가져서 기판 측면부(10)가 끼워질 수 있는 구조를 가지고, 이 구조를 통해 상기 기판 측면부(10)가 상기 증착용 금속 마스크(20)에 밀착될 수 있고, 이로 인하여 상기 증착용 금속 마스크(20)가 안정적으로 고정될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 4 and 5, the metal mask 20 for deposition applied to the present invention has a structure in which the substrate side part 10 can be fitted as the overall cross-section has a digit shape, and this structure Through the , the substrate side portion 10 may be in close contact with the metal mask 20 for deposition, whereby the metal mask 20 for deposition may be stably fixed.

상기 증착용 금속 마스크(20)가 상기 기판 측면부(10)에 끼워져서 장착되면, 상기 증착용 금속 마스크(20)의 측면 마스킹부(21)는 상기 기판의 측면(11)에 밀착되고, 상기 상부면 마스킹부(22)는 상기 측면 인접 상부면(13)에 밀착되며, 상기 하부면 마스킹부(23)는 상기 측면 인접 하부면(15)에 밀착된다. 도 5는 상기 증착용 금속 마스크(20)가 측방향으로 상기 기판 측면부(10)에 끼워져서 장착되는 과정을 보여주고 있고, 도 6은 상기 증착용 금속 마스크(20)가 상기 기판 측면부(10)에 밀착되어 장착된 상태의 단면을 보여주고 있다.When the deposition metal mask 20 is fitted to the side surface portion 10 of the substrate, the side masking portion 21 of the deposition metal mask 20 is in close contact with the side surface 11 of the substrate, and the upper portion The face masking part 22 is in close contact with the upper surface 13 adjacent to the side surface, and the lower surface masking part 23 is in close contact with the lower surface 15 adjacent to the side surface. FIG. 5 shows a process in which the metal mask for deposition 20 is fitted to the side surface 10 of the substrate in the lateral direction. It shows the cross-section of the attached state.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 증착용 금속 마스크(20)는 측면부 배선(90)의 패턴에 대응하는 슬릿(25)을 구비하고 있다. 상기 측면부 배선(90)이 디귿자 형상을 가지기 때문에, 상기 슬릿(25) 역시 전체적으로 디귿자 형상을 가진다.As shown in FIGS. 4 and 5 , the metal mask 20 for deposition has slits 25 corresponding to the pattern of the side wiring 90 . Since the side wiring 90 has a curved shape, the slit 25 also has an overall curved shape.

상기 슬릿(25)은 상기 측면 마스킹부(21)에 형성되는 측면 슬릿부(26)와, 상기 상부면 마스킹부(22)에 형성되는 상부면 슬릿부(27) 및 상기 하부면 마스킹부(23)에 형성되는 하부면 슬릿부(28)를 포함하여 구성되고, 상기 측면 슬릿부(26), 상기 상부면 슬릿부(27) 및 상기 하부면 슬릿부(28)는 서로 통하도록 연결되어 디귿자 형상의 슬릿(25)을 형성한다.The slit 25 includes a side slit part 26 formed in the side masking part 21 , an upper surface slit part 27 formed in the upper surface masking part 22 , and the lower surface masking part 23 . ) is configured to include a lower surface slit portion 28 formed in, and the side slit portion 26, the upper surface slit portion 27 and the lower surface slit portion 28 are connected to communicate with each other to form a digit to form a slit 25 of

이상에서 설명한 본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법에 의하면, 기판 측면부에 증착용 금속 마스크를 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부에 마스킹을 수행한 후, 스퍼터링을 통해 기판 측면부의 배선을 형성할 수 있도록 구성하기 때문에, 기판 측면부에 대한 배선 형성을 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 장점이 발생된다.According to the method of forming the wiring on the side of the substrate according to the present invention described above, a metal mask for deposition is inserted and mounted on the side of the substrate to perform masking on the side of the substrate on which the wiring is to be formed, and then the wiring of the side of the substrate can be formed through sputtering. For this reason, there is an advantage in that it is possible to reduce time, effort, and cost for forming a wiring on the side surface of the substrate.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the embodiments according to the present invention have been described above, these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent ranges of embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the following claims.

10 : 기판 측면부 11 : 측면
13 : 측면 인접 상부면 15 : 측면 인접 하부면
20 : 증착용 금속 마스크 21 : 측면 마스킹부
22 : 상부면 마스킹부 23 : 하부면 마스킹부
25 : 슬릿 26 : 측면 슬릿부
27 : 상부면 슬릿부 28 : 하부면 슬릿부
30 : 기판 50 : 디스플레이 소자
60 : 상부 회로 패턴 70 : 컨트롤러 소자
80 : 하부 회로 패턴 90 : 측면부 배선
100 : 디스플레이 장치10: substrate side part 11: side
13: side adjacent upper surface 15: side adjacent lower surface
20: metal mask for deposition 21: side masking part
22: upper surface masking part 23: lower surface masking part
25: slit 26: side slit part
27: upper surface slit portion 28: lower surface slit portion
30: substrate 50: display element
60: upper circuit pattern 70: controller element
80: lower circuit pattern 90: side wiring
100: display device

Claims (4)

기판 배선 형성 방법에 있어서,
증착용 금속 마스크를 기판 측면부에 끼워서 장착하여 배선을 형성할 기판 측면부를 마스킹하는 단계;
상기 마스킹한 기판을 챔버 내로 인입한 후 스퍼터링을 통해 상기 기판 측면부에 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
A method for forming a substrate wiring, comprising:
masking the side surface of the substrate on which wiring is to be formed by inserting and mounting a metal mask for deposition on the side of the substrate;
and forming a wiring on the side surface of the substrate through sputtering after introducing the masked substrate into the chamber.
 청구항 1에 있어서,
상기 기판 측면부는 기판의 측면, 이 측면에 인접한 기판의 상부면 및 하부면을 포함하고, 상기 기판 측면부에 배선은 상기 기판의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
The method according to claim 1,
The side surface of the substrate includes a side surface of a substrate, and an upper surface and a lower surface of the substrate adjacent to the side surface, and the wiring on the side surface of the substrate includes an upper circuit pattern formed on the upper surface of the substrate and a lower portion formed on the lower surface of the substrate. A method of forming a wiring on the side of a substrate, characterized in that it is formed to electrically connect circuit patterns.
 청구항 2에 있어서,
상기 증착용 금속 마스크는 스테인레스(SUS) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
3. The method according to claim 2,
The metal mask for deposition is formed of a stainless (SUS) material.
 청구항 2에 있어서,
상기 증착용 금속 마스크는 디귿자(ㄷ) 형의 단면을 가지되, 상기 기판의 측면에 밀착하는 측면 마스킹부, 상기 기판의 측면에 인접한 기판의 상부면에 밀착하는 상부면 마스킹부 및 상기 기판의 측면에 인접한 기판의 하부면에 밀착하는 하부면 마스킹부로 구성되고,
상기 증착용 금속 마스크에는 상기 기판 측면부에 형성되는 측면부 배선의 패턴에 대응하는 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
3. The method according to claim 2,
The metal mask for deposition has a cross section of the shape of a digit (c), a side masking part in close contact with the side surface of the substrate, an upper surface masking part in close contact with the upper surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate, and a side surface of the substrate Consists of a lower surface masking part in close contact with the lower surface of the substrate adjacent to the
The method of claim 1, wherein a slit corresponding to the pattern of the side wiring formed on the side surface of the substrate is formed in the metal mask for deposition.
KR1020200151519A 2020-11-13 2020-11-13 Method of forming wiring on side surface of substrate KR20220065229A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200151519A KR20220065229A (en) 2020-11-13 2020-11-13 Method of forming wiring on side surface of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200151519A KR20220065229A (en) 2020-11-13 2020-11-13 Method of forming wiring on side surface of substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220065229A true KR20220065229A (en) 2022-05-20

Family

ID=81801344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200151519A KR20220065229A (en) 2020-11-13 2020-11-13 Method of forming wiring on side surface of substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220065229A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101613773B1 (en) 2013-11-04 2016-04-19 주식회사 동부하이텍 Touch Panel and Method Manufacturing the Same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101613773B1 (en) 2013-11-04 2016-04-19 주식회사 동부하이텍 Touch Panel and Method Manufacturing the Same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3712940B1 (en) Led display module
KR102149680B1 (en) Substrate side deposition apparatus
US7992293B2 (en) Method of manufacturing a patterned conductive layer
JPH0515071B2 (en)
KR101322333B1 (en) Touch screen panel of metal mesh and method of fabricating the same
CN101743639A (en) Contact structure for a semiconductor component and a method for production thereof
KR101877931B1 (en) Manufacturing method for Solder particle
KR20070106669A (en) Circuit board and the method of its fabrication
JP2007149633A (en) Method of manufacturing translucent conductive film substrate
TWI804720B (en) Led display module and led display
US9363900B2 (en) Mounting device and method of manufacturing the same
KR20220065229A (en) Method of forming wiring on side surface of substrate
CN110719699B (en) Method of forming wiring on side portion of substrate
US20070269935A1 (en) Fabrication of conductive micro traces using a deform and selective removal process
KR102207602B1 (en) Method of forming wiring on side surface of substrate
CA2343386A1 (en) Method for assembling metal printed conductors as electrodes on a channel plate for ultrawide flat screens
US10822712B2 (en) Electroplating apparatus
KR102362127B1 (en) Equipment for manufacturing flexible circuit board
CN108962943A (en) PM-OLED display base plate and preparation method thereof
KR101118801B1 (en) Substrate for display
US20140246226A1 (en) Method of fabricating copper-nickel micro mesh conductors
CN115621307A (en) Metal conductive film, preparation method thereof and thin film transistor
KR20200125124A (en) Substrate Side Deposition Apparatus Improved Deposition Adhesive Force
KR20160086609A (en) Method for manufacturing flexible circuit board and flexible circuit board manufactured by the method
JPH01304427A (en) Formation of terminal

Legal Events

Date Code Title Description
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2022101001873; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20221017

Effective date: 20230117