KR102207602B1 - Method of forming wiring on side surface of substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 기판 측면부에 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 측면부 배선을 형성함으로써, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법을 이루는 구성수단은 기판 배선 형성 방법에 있어서, 기판 측면부 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트층 상에 마스크를 정렬 배치한 후, 상기 포토 레지스트층의 일부분을 노광시키는 단계, 상기 포토 레지스트층을 현상하여 측면부 회로 패턴이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부의 일부분을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 노출된 기판 측면부의 일부분에 금속층을 형성하고 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of forming a substrate wiring, and in particular, by forming a wiring on the side of the substrate through a photolithography process on the side of the substrate, a side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern can be easily and precisely formed. The present invention relates to a method for forming a wiring on a side surface of a substrate, thereby providing a substrate having improved electrical characteristics.
Constituent means constituting the method of forming a wiring on the side of a substrate according to the present invention comprises the steps of forming a photoresist layer on the side of a substrate, and after aligning and disposing a mask on the side of the substrate, a portion of the photoresist layer Exposing the photoresist layer, forming a photoresist pattern exposing a portion of the side surface of the substrate corresponding to the portion where the side circuit pattern is formed, forming a metal layer on a portion of the exposed side surface of the substrate, And forming the side circuit pattern by stripping the resist pattern.

Description

기판 측면부 배선 형성 방법{Method of forming wiring on side surface of substrate}Method of forming wiring on side surface of substrate

본 발명은 기판 배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 기판 측면부에 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 측면부 배선을 형성함으로써, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a substrate wiring, and in particular, by forming a wiring on the side of the substrate through a photolithography process on the side of the substrate, a side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern can be easily and precisely formed. The present invention relates to a method for forming a wiring on a side surface of a substrate, thereby providing a substrate having improved electrical characteristics.

다양한 반도체, 전자 소자가 실장되는 기판에는 소자 간의 연결 또는 전력 공급 및 전기 신호 송수신을 위한 회로 배선이 형성된다. 이러한 기판에 형성되는 배선은 다양한 배선 형성 방법이 적용될 수 있다.Circuit wiring for connection between devices or for supplying power and transmitting and receiving electric signals is formed on a substrate on which various semiconductors and electronic devices are mounted. Various wiring formation methods may be applied to the wiring formed on such a substrate.

최근에 기판의 배선을 형성하기 위하여 실크 프린팅 기술이 적용되고 있다. 즉, 이와 같은 실크 프린팅 기술을 이용한 기판 배선 형성 방법은 실크 프린팅 기술로 기판에 실버 페이스트를 도포하여 고전도성을 가지는 배선을 형성시키는 방법이다.Recently, silk printing technology has been applied to form the wiring of the substrate. That is, a method of forming a wiring line on a substrate using such a silk printing technique is a method of forming wiring having high conductivity by applying a silver paste to a substrate using a silk printing technique.

그런데, 이와 같은 종래의 실크 프린팅 기술을 이용한 기판 배선 방법은 배선의 저항이 높고 코팅하고자 하는 물질의 외부 영향과 도포시 낮은 균일도로 인해 회로 구현시 전기적 특성이 불균일할 수 있다는 단점을 가진다. 또한, 이와 같이 습식 공정이 적용되는 경우, 불순물에 의한 오염으로 최종 제품에서의 물리적 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다는 단점을 가진다.However, such a conventional method of wiring a substrate using a silk printing technique has a disadvantage in that the electrical characteristics may be non-uniform when implementing a circuit due to the high resistance of the wiring and the external influence of the material to be coated and low uniformity during application. In addition, when the wet process is applied as described above, there is a disadvantage that contamination by impurities may affect the physical and electrical properties of the final product.

한편, 최근 대면적이면서 선명한 디스플레이 구현을 위하여 베젤(Bezel)이 없는 기판을 형성하는 기술에 대한 관심이 증가하고 있다. 상기 베젤이 없는 기판을 제공하기 위해서는 기판 측면에 배선을 구현하는 기술이 요청된다.Meanwhile, interest in a technology for forming a bezel-free substrate for realizing a large-area and clear display is increasing. In order to provide a substrate without the bezel, a technique of implementing wiring on the side of the substrate is required.

상기 베젤 없는 기판을 제공하는 기술에 관련하여, 대한민국 등록특허 제10-1613773호(이하, "선행기술문헌"이라 함)는 Tx 전극 패턴 및 Rx 전극 패턴과 연결되는 메탈 배선을 디스플레이 장치의 측면 및 뒷면으로 확장하여 연결함으로써 베젤의 폭을 줄이고 활성영역을 증가시킬 수 있는 터치 패널에 대해 개시하고 있다.Regarding the technology for providing the bezel-free substrate, Korean Patent Registration No. 10-1613773 (hereinafter referred to as “prior technical literature”) refers to a Tx electrode pattern and a metal wire connected to the Rx electrode pattern on the side of the display device and Disclosed is a touch panel capable of reducing the width of a bezel and increasing an active area by extending and connecting to the back side.

그러나, 상기 선행기술문헌은 단순히 기판 측면으로 배선을 형성하여 베젤의 폭이 줄어든 패널을 개시하고 있을 뿐, 기판의 측면에 대한 배선을 형성하는 구체적인 방법에 대해서는 전혀 시사하지 못하고 있다.However, the prior art document merely discloses a panel in which the width of the bezel is reduced by simply forming wiring to the side of the substrate, and does not suggest a specific method of forming the wiring to the side of the substrate at all.

또한, 더 나아가 상기 선행기술문헌은 정교하고 전기 특성이 우수한 배선을 기판 측면부에 형성하는 구체적인 방법에 대해서는 전혀 제안하지 못하고 있다.In addition, furthermore, the prior art document does not propose any specific method of forming a wiring on the side of a substrate with elaborate and excellent electrical properties.

대한민국 등록특허 제10-1613773호(공고일자 : 2016년 04월 19일, 발명의 명칭 : 터치 패널 및 그 제조 방법)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1613773 (Notification date: April 19, 2016, title of invention: touch panel and its manufacturing method)

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기판 측면부에 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 측면부 배선을 형성함으로써, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was invented to solve the problems of the prior art as described above, and by forming wiring on the side of the substrate through a photolithography process on the side of the substrate, it is easy to create a side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern. It is an object of the present invention to provide a method of forming a wiring on the side of a substrate, which enables it to be precisely formed, thereby providing a substrate having improved electrical characteristics.

또한, 본 발명은 측면부 회로 패턴을 상부 회로 패턴 또는/및 하부 회로 패턴과 동시에 형성함으로써, 기판 측면부 배선을 포함하는 기판의 모든 배선을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention forms the side circuit pattern at the same time as the upper circuit pattern or/and the lower circuit pattern, thereby reducing time, effort, and cost for forming all wirings of the substrate including the substrate side wiring. An object thereof is to provide a wiring formation method.

또한, 본 발명은 기판의 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 기판의 측면부에 대한 포토리소그래피 공정을 통해 형성되는 배선을 통해 전기적으로 연결할 수 있도록 구성함으로써, 베젤(Bezel)을 없앨 수 있고, 이로 인하여 대면적이면서 선명한 디스플레이 장치를 구현할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention is configured so that the upper circuit pattern and the lower circuit pattern of the substrate can be electrically connected through wiring formed through a photolithography process on the side surface of the substrate, so that the bezel can be eliminated. It is an object of the present invention to provide a method of forming a wiring on a side surface of a substrate that enables a display device having a clear area and a clear area.

또한, 본 발명은 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 상부에 형성되는 상부 회로 패턴 및 기판 하부에 형성되는 하부 회로 패턴뿐만 아니라 동시에 기판 측면부에 형성되는 측면부 회로 패턴을 형성하기 위하여, 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부에 동시에 노광 광원을 조사할 수 있도록 구성함으로써, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 기판의 회로 패턴을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있고, 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention is to form the upper circuit pattern formed on the substrate and the lower circuit pattern formed under the substrate through a photolithography process, as well as the side circuit pattern formed on the side surface of the substrate. By configuring the side surface to irradiate the exposure light source at the same time, it is possible to easily and precisely form the side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern, thereby making it possible to form the circuit pattern of the substrate. It is an object of the present invention to provide a method for forming a wiring on the side of a substrate, which can reduce effort and cost, and provide a substrate with improved electrical properties.

또한, 본 발명은 측면부 광원과 상부 광원끼리 또는 측면부 광원과 하부 광원끼리 또는 측면부 광원끼리 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치 구성함으로써, 기판 측면부에 대한 노광 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 기판 측면부 배선 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention is arranged so that exposure light sources can be cross-irradiated with the side light source and the upper light source, or the side light source and the lower light source, or the side light source to each other, thereby improving the exposure efficiency of the side surface of the substrate. Its purpose is to provide a method of formation.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법을 이루는 구성수단은 기판 배선 형성 방법에 있어서, 기판 측면부 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트층 상에 마스크를 정렬 배치한 후, 상기 포토 레지스트층의 일부분을 노광시키는 단계, 상기 포토 레지스트층을 현상하여 측면부 회로 패턴이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부의 일부분을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 노출된 기판 측면부의 일부분에 금속층을 형성하고 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the constituent means constituting the method of forming a wiring on the side of a substrate according to the present invention is a method of forming a wiring on a substrate, comprising: forming a photoresist layer on the side of the substrate, aligning a mask on the photoresist layer After placement, exposing a portion of the photoresist layer, developing the photoresist layer to form a photoresist pattern exposing a portion of the side surface of the substrate corresponding to the portion where the side circuit pattern is formed, and the exposed And forming a side surface circuit pattern by forming a metal layer on a portion of the side surface of the substrate and stripping the photoresist pattern.

여기서, 상기 기판 측면부는 기판의 측면, 이 측면에 인접한 기판의 상부면 및 하부면을 포함하고, 상기 측면부 회로 패턴은 상기 기판의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the substrate side portion includes a side surface of the substrate, an upper surface and a lower surface of the substrate adjacent to the side surface, and the side circuit pattern is an upper circuit pattern formed on an upper surface of the substrate and a lower surface of the substrate. It is characterized in that it is formed so as to electrically connect the lower circuit pattern.

또한, 상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계는, 상기 포토 레지스트 패턴과 상기 노출된 기판 측면부의 일부분 상에 측면부 배선용 금속층을 증착 형성하는 과정 및 상기 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 포토 레지스트 패턴과 그 상부의 측면부 배선용 금속층을 제거하는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the forming of the side circuit pattern includes a process of depositing and forming a metal layer for side wiring on the photoresist pattern and a portion of the exposed side surface of the substrate, and stripping the photoresist pattern to form a photoresist pattern and a side surface thereof. It characterized in that it comprises a process of removing the metal layer for wiring.

또한, 상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계는, 상기 노출된 기판 측면부의 일부분 상에 금속 씨드층을 증착 형성하는 과정, 상기 금속 씨드층 상에 도금법으로 금속 도금층을 형성하는 과정 및 상기 포토 레지스트 패턴을 스트립하는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the forming of the side circuit pattern includes a process of depositing a metal seed layer on a portion of the exposed side surface of the substrate, forming a metal plating layer on the metal seed layer by a plating method, and forming the photoresist pattern. It characterized in that it is configured including the process of stripping.

상기와 같은 과제 및 해결 수단을 가지는 본 발명인 기판 측면부 배선 형성 방법에 의하면, 기판 측면부에 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 측면부 배선을 형성하기 때문에, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.According to the method for forming a wiring on the side of the substrate according to the present invention having the above problems and solutions, since the wiring on the side of the substrate is formed through a photolithography process on the side of the substrate, a side circuit pattern electrically connecting the upper circuit pattern and the lower circuit pattern It is possible to easily and precisely form, and thereby, an effect of providing a substrate with improved electrical properties occurs.

또한, 본 발명에 의하면, 측면부 회로 패턴을 상부 회로 패턴 또는/및 하부 회로 패턴과 동시에 형성하기 때문에, 기판 측면부 배선을 포함하는 기판의 모든 배선을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 장점이 발생된다.In addition, according to the present invention, since the side circuit pattern is simultaneously formed with the upper circuit pattern or/and the lower circuit pattern, it is possible to reduce time, effort, and cost for forming all wirings of the substrate including the substrate side wiring. The advantage arises.

또한, 본 발명은 기판의 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 기판의 측면부에 대한 포토리소그래피 공정을 통해 형성되는 배선을 통해 전기적으로 연결할 수 있도록 구성하기 때문에, 베젤(Bezel)을 없앨 수 있고, 이로 인하여 대면적이면서 선명한 디스플레이 장치를 구현할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, since the present invention is configured so that the upper circuit pattern and the lower circuit pattern of the substrate can be electrically connected through wiring formed through a photolithography process on the side surface of the substrate, the bezel can be eliminated. There is an effect of realizing a large-area and clear display device.

또한, 본 발명에 의하면, 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 상부에 형성되는 상부 회로 패턴 및 기판 하부에 형성되는 하부 회로 패턴뿐만 아니라 동시에 기판 측면부에 형성되는 측면부 회로 패턴을 형성하기 위하여, 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부에 동시에 노광 광원을 조사할 수 있도록 구성하기 때문에, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 기판의 회로 패턴을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있고, 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, according to the present invention, in order to form the upper circuit pattern formed on the substrate and the lower circuit pattern formed on the lower side of the substrate through a photolithography process, as well as the side circuit pattern formed on the side surface of the substrate, And because it is configured to simultaneously irradiate the exposure light source on the side of the substrate, it is possible to easily and precisely form the side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern, thereby forming the circuit pattern of the substrate. It is possible to save time, effort, and cost for doing so, and there is an effect of providing a substrate with improved electrical properties.

또한, 본 발명에 의하면, 측면부 광원과 상부 광원끼리 또는 측면부 광원과 하부 광원끼리 또는 측면부 광원끼리 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치 구성하기 때문에, 기판 측면부에 대한 노광 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 장점이 발생된다.In addition, according to the present invention, since the side light source and the upper light source or the side light source and the lower light source, or the side light source are arranged to cross-irradiate the exposure light source, the exposure efficiency for the side surface of the substrate can be improved. Advantages arise.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 플로차트이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 공정순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 적용하기 위한 예시적인 기판의 단면을 보여준다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법을 적용하여 기판 측면부에 배선이 형성된 상태의 기판의 단면을 보여준다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제1 형태에 따른 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제2 형태에 따른 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제3 형태에 따른 개략적인 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 and 3 are process flow charts for a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of an exemplary substrate for applying a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a substrate in a state in which a wiring is formed on a side surface of a substrate by applying a method of forming a wiring on the side of the substrate according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view according to a first form of an exposure apparatus applied to a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view according to a second form of an exposure apparatus applied to a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view according to a third form of an exposure apparatus applied to a method of forming a wiring on a side surface of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding constituent elements are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to what is shown.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.When a certain embodiment can be implemented differently, a specific process order may be performed differently from the described order. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the described order.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 플로차트(flowchart)이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 공정 순서도이다.1 is a flowchart of a method of forming a wiring on a side surface of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are a flowchart illustrating a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법은 먼저, 배선을 형성할 기판 측면부(도 4에서 도면 부호 10으로 표시됨) 상에 포토 레지스트층(20)을 형성하는 단계를 수행한다(s10). 즉, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 감광막에 해당하는 상기 포토 레지스트층(20)은 상기 기판(30)의 기판 측면부(10) 상에 형성된다. 상기 포토 레지스트층(20)은 포토 레지스트 용액으로 채워진 용기에 상기 기판(30)을 담가서 형성될 수도 있다. 물론, 상기 포토 레지스트층(20)은 포토 레지스트 용액을 상기 기판 측면부(10) 상에 스프레이로 뿌려서 형성될 수도 있고, 스크린 프린팅을 하거나 스핀 코팅에 의해서도 상기 기판 측면부(10) 상에 형성될 수도 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, in the method of forming a wiring on the side of a substrate according to an embodiment of the present invention, first, a photoresist layer 20 on the side of the substrate (indicated by reference numeral 10 in FIG. 4) to form a wiring. Performs the step of forming (s10). That is, as shown in FIG. 2A, the photoresist layer 20 corresponding to the photosensitive film is formed on the side surface portion 10 of the substrate 30. The photoresist layer 20 may be formed by immersing the substrate 30 in a container filled with a photoresist solution. Of course, the photoresist layer 20 may be formed by spraying a photoresist solution on the side surface 10 of the substrate, or may be formed on the side surface 10 of the substrate by screen printing or spin coating. .

상기 포토 레지스트층(20)은 네거티브(negative) 포토 레지스트로 형성될 수도 있고, 포지티브(positive) 포토 레지스트로도 형성될 수 있다. 소정의 측면부 회로 패턴(93)을 형성하고자 할 때, 상기 포토 레지스트층(20)을 네거티브(negative) 포토 레지스트로 형성할 때와 포지티브(positive) 포토 레지스트로 형성할 때에 따라, 적용되는 마스크(40)의 개구부(41) 패턴은 달라진다. 이에 대해서는 후술하겠다.The photoresist layer 20 may be formed of a negative photoresist, or may be formed of a positive photoresist. The mask 40 that is applied when a predetermined side circuit pattern 93 is to be formed, when the photoresist layer 20 is formed with a negative photoresist and when a positive photoresist is formed. ), the pattern of the opening 41 is different. This will be described later.

상기 단계(s10) 이후, 상기 포토 레지스트층(20) 상에 마스크(40)를 정렬 배치한 후, 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분을 노광시키는 단계를 수행한다(s30). 즉, 도 2의 (b) 또는 도 2의 (b')에 도시된 바와 같이, 상기 마스크(40)는 상기 포토 레지스트층(20)을 감싸도록 정렬 배치되고, 노광 장치를 이용하여 상기 마스크(40)의 개구부(41)에 의하여 노출되는 상기 포토레지스트층(20)의 일부분을 노광시킨다.After the step (s10), after aligning and disposing the mask 40 on the photoresist layer 20, a step of exposing a portion of the photoresist layer 20 is performed (s30). That is, as shown in (b) of FIG. 2 or (b') of FIG. 2, the mask 40 is arranged so as to surround the photoresist layer 20, and the mask ( A portion of the photoresist layer 20 exposed by the opening 41 of 40) is exposed.

상기 마스크(40)는 필름형 마스크 또는 기구형 마스크일 수 있다. 상기 필름형 마스크는 접착 성분을 발라서 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판(30)에 정렬하여 부착한다. 그리고, 상기 기구형 마스크는 메탈 구조물 형태의 마스크로서, 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판(30)에 끼워져서 정렬 장착된다. 정렬의 용이한 측면을 고려한다면, 기구형 마스크를 채택 적용하는 것이 더 바람직하다.The mask 40 may be a film-type mask or a mechanism-type mask. The film-type mask is attached by applying an adhesive component to the substrate 30 on which the photoresist layer 20 is formed. In addition, the mechanism-type mask is a metal structure-type mask, and is inserted into the substrate 30 on which the photoresist layer 20 is formed and mounted in alignment. Considering the easy aspect of alignment, it is more preferable to adopt and apply a mechanical mask.

상기 마스크(40)를 필름형 마스크로 채택 적용하는 경우, 상기 마스크(40)는 PI 필름으로 형성될 수 있다. 상기 마스크(40)를 PI 필름으로 형성하여 적용하는 경우, 상기 마스크(40)는 다양한 종류의 접착제를 개재하여 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판(30)에 밀착 부착된다. When the mask 40 is adopted and applied as a film-type mask, the mask 40 may be formed of a PI film. When the mask 40 is formed of a PI film and applied, the mask 40 is closely attached to the substrate 30 on which the photoresist layer 20 is formed through various types of adhesives.

상기 PI 필름의 마스크는 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판과의 사이에 접착재를 개재한 상태로, 소정 공정 조건에서 우선적으로 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판(30)에 가접되는 가접 공정을 수행받도록 하고, 소정 공정 조건에서 상기 포토 레지스트층(20)이 형성된 기판(30)에 본접될 수 있는 본접 공정을 수행받도록 하는 것이 바람직하다.The PI film mask has an adhesive material interposed between the substrate on which the photoresist layer 20 is formed, and is preferentially attached to the substrate 30 on which the photoresist layer 20 is formed under predetermined process conditions. It is preferable to perform a process and to perform a main contact process capable of being brought into contact with the substrate 30 on which the photoresist layer 20 is formed under predetermined process conditions.

상기 단계(s30) 이후, 상기 포토 레지스트층(20)을 현상하여 측면부 배선(도 5에서 도면 부호 90으로 표기됨)에 해당하는 측면부 회로 패턴(도 3의 (e)에서 도면 부호 93으로 표기됨)이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부의 일부분을 노출시키는 포토 레지스트 패턴(21)을 형성하는 단계를 수행한다(s50). 즉, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(21)은 상기 일부분이 노광된 포토 레지스트층(20)에 대한 현상 공정을 통하여 상기 기판(30)의 기판 측면부(10) 상에 형성된다. 상기 포토 레지스트 패턴(21)은 상기 측면부 배선(90)이 형성되는 기판 측면부(10)의 일부분, 좀 더 구체적으로 상기 기판 측면부(10) 중에, 상기 측면부 회로 패턴(93)이 형성되는 부분을 노출시키도록 형성된다. After the step (s30), the photoresist layer 20 is developed and the side circuit pattern corresponding to the side wiring (indicated by reference numeral 90 in FIG. 5) (indicated by reference numeral 93 in FIG. 3(e)) A step of forming the photoresist pattern 21 exposing a portion of the side surface of the substrate corresponding to the portion where) is formed is performed (s50). That is, as shown in (c) of FIG. 2, the photoresist pattern 21 is formed on the side surface 10 of the substrate 30 through a development process on the photoresist layer 20 on which the portion is exposed. Is formed on The photoresist pattern 21 exposes a portion of the substrate side portion 10 on which the side wiring 90 is formed, more specifically, a portion of the substrate side portion 10 where the side circuit pattern 93 is formed It is formed to let.

따라서, 상기 포토 레지스트 패턴(21)은 상기 측면부 회로 패턴(93)이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부(10)의 해당 부분을 노출시키는 개방부(23)를 구비한다. 상기 포토 레지스트 패턴(21)의 개방부(23)를 통하여 상기 기판 측면부(10) 중, 상기 측면부 회로 패턴(93)이 형성되는 부분이 노출되기 때문에, 이후 공정에서 상기 개방부(23)를 통해 노출되는 상기 기판 측면부(10)의 일부분에 금속층을 형성하여 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다.Accordingly, the photoresist pattern 21 includes an opening 23 exposing a corresponding portion of the side surface portion 10 corresponding to the portion where the side circuit pattern 93 is formed. Since the portion of the side surface portion 10 on which the side circuit pattern 93 is formed is exposed through the opening portion 23 of the photoresist pattern 21, the opening portion 23 The side circuit pattern 93 may be formed by forming a metal layer on a portion of the exposed side surface portion 10 of the substrate.

구체적으로, 상기 단계(s50) 이후, 상기 노출된 기판 측면부(10)의 일부분에 금속층을 형성하고 잔존하는 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하여 상기 측면부 회로 패턴(93)을 형성하는 단계를 수행한다(s70). 즉, 상기 측면부 회로 패턴(93)은 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 개방부(23)를 통해 노출되는 상기 기판 측면부(10)의 일부분에 다양한 방법을 통해 금속층을 형성하고 상기 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하여 형성될 수 있다.Specifically, after the step (s50), a step of forming the side circuit pattern 93 by forming a metal layer on a portion of the exposed side surface portion 10 of the substrate and stripping the remaining photoresist pattern 21 is performed. (s70). That is, as shown in FIG. 3, the side circuit pattern 93 forms a metal layer on a portion of the side surface portion 10 of the substrate exposed through the opening 23 through various methods, and the photoresist pattern ( 21) can be formed by stripping.

상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계(s70)는 상기 개방부(23)를 통해 노출된 상기 기판 측면부(10)의 일부분에 금속층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하여 최종적으로 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다면 다양한 방법을 통해 수행될 수 있다. 본 발명에서는 별도의 에칭 공정을 수행하지 않고 최종적으로 측면부 회로 패턴(93)을 형성하는 공정을 채택 적용한다. 이를 위하여 상술한 도 2에 도시된 공정을 채택 적용하고, 이에 연계하여 이후 공정에서 에칭 공정 없이 최종적으로 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다.In the step of forming the side circuit pattern (s70), after forming a metal layer on a portion of the side surface portion 10 of the substrate exposed through the opening portion 23, the photoresist pattern 21 is stripped to finally form the side circuit pattern. If the pattern 93 can be formed, it can be performed through various methods. In the present invention, a process of finally forming the side circuit pattern 93 is adopted without performing a separate etching process. To this end, the process illustrated in FIG. 2 is adopted and applied, and in connection thereto, the side circuit pattern 93 can be finally formed without an etching process in a subsequent process.

본 발명에서 첫 번째로 적용하는 상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계(s70)는 도 3의 (d) 및 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(21)과 상기 노출된 기판 측면부(10)의 일부분 상에 측면부 배선용 금속층(91)을 증착 형성하는 과정(도 3의 (d) 참조) 및 상기 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하여 상기 포토 레지스트 패턴(21)과 그 상부의 측면부 배선용 금속층(91)을 동시에 제거하는 과정을 포함하여 최종적으로 상기 기판 측면부(10)에 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다(도 3의 (e) 참조).In the first step (s70) of forming the side circuit pattern applied in the present invention, as shown in Figs. 3(d) and 3(e), the photoresist pattern 21 and the exposed The process of depositing and forming the metal layer 91 for side wiring on a part of the side surface 10 of the substrate (see Fig. 3(d)) and stripping the photoresist pattern 21 to form the photoresist pattern 21 and the upper portion thereof. The side circuit pattern 93 may be finally formed on the side surface 10 of the substrate including the process of simultaneously removing the metal layer 91 for wiring at the side of the substrate (see FIG. 3E).

상기 단계(s50) 이후, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 기판(30)의 기판 측면부(10)에, 구체적으로 상기 포토 레지스트 패턴(21) 상부와 상기 개방부(23)를 통해 노출된 상기 기판 측면부(10)의 일부분 상부에, 측면부 배선(도 7에서 도면 부호 90으로 표기됨), 즉 측면부 회로 패턴(93)을 형성하기 위한 기본 금속층에 해당하는 측면부 배선용 금속층(91)을 증착 형성한다. 상기 측면부 배선용 금속층(91)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 진공 증착법을 통해 기판(30)의 기판 측면부(10)에 증착 형성된다. 따라서, 상기 측면부 배선용 금속층(91)은 상기 포토 레지스트 패턴(21) 상부와 상기 개방부(23)를 통해 노출된 기판 측면부(10)의 일부분 상부에 증착 형성될 수 있다.After the step (s50), as shown in (d) of FIG. 3, through the substrate side portion 10 of the substrate 30, specifically, the photoresist pattern 21 and the opening 23 A metal layer 91 for side wiring corresponding to a basic metal layer for forming the side wiring (indicated by reference numeral 90 in FIG. 7), that is, the side circuit pattern 93, on a portion of the exposed side surface 10 of the substrate is provided. Evaporation forms. The metal layer 91 for wiring of the side portion is deposited on the side surface portion 10 of the substrate 30 through a vacuum deposition method such as PVD (Physical Vapor Deposition). Accordingly, the metal layer 91 for side wiring may be deposited on the photoresist pattern 21 and on a portion of the side surface portion 10 of the substrate exposed through the opening 23.

이후, 박리 용액을 이용하여 상기 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하는 과정을 수행한다. 그러면, 상기 포토 레지스트 패턴(21)이 박리 용액에 의해 스트립되고, 이 과정에서 상기 포토 레지스트 패턴(21) 상부에 존재하는 측면부 배선용 금속층(91) 역시 제거될 수 있다. 결국, 상기 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하는 공정을 통해, 상기 포토 레지스트 패턴(21)과 그 상부에 존재하는 측면부 배선용 금속층(91)을 동시에 제거할 수 있고, 최종적으로 상기 기판 측면부(10)에는 상기 개방부(23)를 통해 상기 기판 측면부(10)에 증착 형성된 측면부 배선용 금속층만이 잔존하게 되어, 상기 기판 측면부(10)에 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다.Thereafter, a process of stripping the photoresist pattern 21 is performed using a stripping solution. Then, the photoresist pattern 21 is stripped by a stripping solution, and in this process, the metal layer 91 for side wiring on the photoresist pattern 21 may also be removed. As a result, through the process of stripping the photoresist pattern 21, the photoresist pattern 21 and the metal layer 91 for side wiring on the side may be simultaneously removed, and finally, the side surface 10 of the substrate Only the metal layer for wiring the side portion formed by deposition on the side surface portion 10 of the substrate through the opening portion 23 remains, so that the side circuit pattern 93 may be formed on the side surface portion 10 of the substrate.

다음, 본 발명에서 두 번째로 적용하는 상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계(s70)는 도 3의 (d'), 도 3의 (d") 및 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 노출된 기판 측면부(10)의 일부분 상에 금속 씨드층(95)을 증착 형성하는 과정(도 3의 (d') 참조), 상기 금속 씨드층(95) 상에 도금법으로 금속 도금층(97)을 형성하는 과정(도 3의 (d") 참조) 및 상기 포토 레지스트 패턴(21)을 스트립하는 과정을 포함하여 최종적으로 상기 기판 측면부(10)에 측면부 회로 패턴(93)을 형성할 수 있다(도 3의 (e) 참조).Next, the step (s70) of forming the side circuit pattern secondly applied in the present invention is as shown in (d') of FIG. 3, (d") and (e) of FIG. 3, A process of depositing and forming a metal seed layer 95 on a portion of the exposed side surface portion 10 of the substrate (refer to FIG. 3(d')), a metal plating layer 97 on the metal seed layer 95 by a plating method The side circuit pattern 93 may be finally formed on the side surface 10 of the substrate, including a process of forming (see FIG. 3(d")) and stripping the photoresist pattern 21 ( See Fig. 3(e)).

상기 단계(s50) 이후, 도 3의 (d')에 도시된 바와 같이, 상기 개방부(23)를 통해 노출된 상기 기판 측면부(10)의 일부분 상부에 금속 씨드층(95)을 증착 형성한다. 상기 금속 씨드층(95)은 도금법을 이용하기 위한 씨드층으로 활용하기 위하여 상기 포토 레지스트 패턴(21)의 개방부(23)를 통해 노출된 상기 기판 측면부(10)의 일부분에만 얇게 증착 형성된다. After the step (s50), as shown in (d') of FIG. 3, a metal seed layer 95 is deposited on a portion of the side surface 10 of the substrate exposed through the opening 23. . The metal seed layer 95 is thinly deposited on only a portion of the side surface portion 10 of the substrate exposed through the open portion 23 of the photoresist pattern 21 in order to be used as a seed layer for using a plating method.

이후, 다양한 도금법을 통해 상기 금속 씨드층(95) 상에 금속 도금층(97)을 도금 형성한다. 상기 금속 도금층(97)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수도 있고, 각 층은 단일 금속층 또는 적어도 두개 이상의 금속이 혼합된 합금일 수도 있다. 다만, 상기 금속 도금층(97)은 측면부 회로 패턴(93)에 해당되기 때문에, 전도성이 우수할 필요가 있다.Thereafter, a metal plating layer 97 is formed on the metal seed layer 95 through various plating methods. The metal plating layer 97 may be formed of at least one layer, and each layer may be a single metal layer or an alloy in which at least two or more metals are mixed. However, since the metal plating layer 97 corresponds to the side circuit pattern 93, it is necessary to have excellent conductivity.

이후, 상기 기판 측면부(10) 상의 포토 레지스트 패턴(21)을 박리액을 이용하여 스트립하면 도 3의 (e) 상태가 된다. 결과적으로, 상기 기판(30)의 기판 측면부(10)에 측면부 배선(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴(93)이 형성된다.Thereafter, when the photoresist pattern 21 on the side surface 10 of the substrate is stripped using a stripper, the state (e) of FIG. 3 is obtained. As a result, the side circuit pattern 93 corresponding to the side wiring 90 is formed on the side surface 10 of the substrate 30.

이상에서 설명한 기판 측면부 배선 형성 방법에 의하면, 기판 측면부(10)에 에칭 공정을 포함하지 않는 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 측면부 배선(90)을 형성하기 때문에, 기판(30)의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴(93)을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.According to the above-described method for forming a wiring on the side of the substrate, since the wiring 90 is formed on the side of the substrate through a photolithography process that does not include an etching process, the upper portion formed on the upper surface of the substrate 30 The side circuit pattern 93 that electrically connects the circuit pattern and the lower circuit pattern formed on the lower surface of the substrate can be easily and precisely formed, thereby providing a substrate with improved electrical characteristics. Occurs.

한편, 이상에서 설명한 기판 측면부 배선 형성 방법은 기판 측면부(10)에만 측면부 배선(90)에 해당하는 측면부 회로 패턴(93)을 형성하는 공정에 대해서만 설명하고 있지만, 상술한 상기 기판 측면부(10)에 대한 측면부 회로 패턴(93) 형성 공정은 기판(30)의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴 또는/및 기판(30)의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 형성하는 공정과 동시에 수행되는 것이 바람직하다.On the other hand, the above-described method of forming a side-side wiring of the substrate only describes the process of forming the side circuit pattern 93 corresponding to the side-side wiring 90 only on the side surface 10 of the substrate, but the above-described substrate side portion 10 The process of forming the side circuit pattern 93 is preferably performed simultaneously with the process of forming the upper circuit pattern formed on the upper surface of the substrate 30 or/and the lower circuit pattern formed on the lower surface of the substrate 30. .

따라서, 상기 기판 측면부(10)에 포토 레지스트층(20)을 증착 형성하는 단계(s10)에서 상기 기판(30)의 상부면 및 하부면 중 적어도 하나의 면에 포토 레지스트층이 동시에 형성된다. 그리고, 단계(s30)에서 상기 기판 측면부(10)뿐만 아니라 기판의 상부면 및/또는 하부면 상에 함께 형성되는 상기 포토 레지스트층(20) 상에 마스크가 정렬 배치된 후 노광 장치를 통해 노광 공정을 수행하고, 단계(s50)에서 현상 공정을 통하여 상기 기판 측면부(10)뿐만 아니라 기판의 상부면 및/또는 하부면 상에 개방부(23)를 구비한 포토 레지스트 패턴(21)을 형성시키며, 단계(70)에서 증착 공정 또는/및 도금 공정을 통해 개방부(23)를 통해 노출된 기판 측면부(10)의 일부분 및 기판의 상부면 및/또는 하부면의 일부분에 측면부 회로 패턴(93)뿐만 아니라 상부 회로 패턴 또는/및 하부 회로 패턴이 동시에 형성된다.Therefore, in the step of depositing and forming the photoresist layer 20 on the side surface 10 of the substrate (s10), a photoresist layer is simultaneously formed on at least one of the upper and lower surfaces of the substrate 30. In step s30, after the mask is aligned and disposed on the photoresist layer 20 formed together on the upper surface and/or lower surface of the substrate as well as the side surface 10 of the substrate, the exposure process is performed through an exposure apparatus. And forming a photoresist pattern 21 having an opening 23 on the upper surface and/or lower surface of the substrate as well as the side surface portion 10 of the substrate through a developing process in step S50, In step 70, a portion of the side surface portion 10 of the substrate exposed through the opening portion 23 through a deposition process or/and a plating process, and a portion of the upper and/or lower surface of the substrate, only the side circuit pattern 93 In addition, the upper circuit pattern or/and the lower circuit pattern are simultaneously formed.

한편, 상기 단계(s30) 즉, 도 2의 (b)에 도시된 공정에서 적용되는 상기 마스크(40)의 패턴은 상기 포토 레지스트층(20)을 포지티브 포토 레지스트로 형성될 때와 네거티브 포토 레지스트로 형성될 때 서로 다르다. 즉, 상기 마스크(40)의 개구부(41) 형성 패턴은 특정 측면부 회로 패턴(93)을 형성하기 위하여 채택 적용하는 포토 레지스트층(20)을 포지티브 포토 레지스트로 형성될 때와 네거티브 포토 레지스트로 형성될 때 서로 다르게 형성된다.On the other hand, the pattern of the mask 40 applied in the step (s30), that is, the process shown in Fig. 2(b), when the photoresist layer 20 is formed as a positive photoresist and as a negative photoresist. When formed, they are different. In other words, the pattern of forming the opening 41 of the mask 40 is when the photoresist layer 20 adopted and applied to form the specific side circuit pattern 93 is formed of a positive photoresist and a negative photoresist. When formed differently.

구체적으로, 상기 마스크(40)는 상기 포토 레지스트층(20)을 포지티브 포토 레지스트로 형성되느냐 또는 네거티브 포토 레지스트로 형성되는냐에 따라, 최종 형성하고자 하는 측면부 배선(90)에 대응하는 측면부 회로 패턴(93)에 대응하는 부분에 개구부(41)가 형성될 수도 있고, 대응하는 부분을 제외한 부분에 개구부(41)가 형성될 수도 있다. 전자가 도 2의 (b)를 통해 설명될 수 있고, 후자가 도 2의 (b')를 통해 설명될 수 있다.Specifically, depending on whether the photoresist layer 20 is formed of a positive photoresist or a negative photoresist, the mask 40 has a side circuit pattern 93 corresponding to the side wiring 90 to be finally formed. An opening 41 may be formed in a portion corresponding to ), or an opening 41 may be formed in a portion excluding the corresponding portion. The former may be described through (b) of FIG. 2, and the latter may be described through (b') of FIG. 2.

좀 더 구체적으로, 도 2의 (b)에 도시된 공정도에서, 상기 포토 레지스트층(20)은 포지티브 포토 레지스트로 형성되고, 상기 마스크(40)는 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴(93)에 대응하는 부분에 개구부(41)가 형성된다.More specifically, in the process diagram shown in (b) of FIG. 2, the photoresist layer 20 is formed of a positive photoresist, and the mask 40 is the side circuit corresponding to the side wiring 90. An opening 41 is formed in a portion corresponding to the pattern 93.

따라서, 상기 단계(s30)에 대응하여 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 정렬 배치하고 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분을 노광시킨 후, 현상액을 이용하여 현상 공정을 수행하면, 도 3의 (c)에 도시된 상태가 된다. 구체적으로, 상기 포토 레지스트층(20)이 포지티브 포토 레지스트로 형성되기 때문에, 상기 측면부 회로 패턴(93)에 대응하는 위치에 형성되는 상기 개구부(41)를 통해 노출된 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분은 현상액에 의해 제거되며, 광을 조사받지 않는 부분, 즉 상기 개구부(41)를 통해 노출되지 않는 부분은 모두 잔존하게 된다. 따라서, 현상 공정을 진행 완료하면 도 3의 (c)에 도시된 상태가 된다.Therefore, in response to the step (s30), as shown in Fig. 2(b), when the mask is aligned and a part of the photoresist layer 20 is exposed, and then a developing process is performed using a developer , It is in the state shown in Figure 3 (c). Specifically, since the photoresist layer 20 is formed of a positive photoresist, the photoresist layer 20 exposed through the opening 41 formed at a position corresponding to the side circuit pattern 93 A part is removed by the developer, and a part that is not irradiated with light, that is, a part that is not exposed through the opening 41, remains. Accordingly, when the developing process is completed, the state shown in FIG. 3C is achieved.

또한, 도 2의 (b')에 도시된 공정도에서, 상기 포토 레지스트층(20)은 네거티브 포토 레지스트로 형성되고, 상기 마스크(40)는 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴(93)에 대응하는 부분을 제외한 나머지 부분에 개구부(41)가 형성된다.In addition, in the process diagram shown in FIG. 2(b'), the photoresist layer 20 is formed of a negative photoresist, and the mask 40 is the side circuit pattern corresponding to the side wiring 90 ( The opening 41 is formed in the remaining portions except for the portion corresponding to 93).

따라서, 상기 단계(s30)에 대응하여 도 2의 (b')에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 정렬 배치하고 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분을 노광시킨 후, 현상액을 이용하여 현상 공정을 수행하면, 도 2의 (c)에 도시된 상태가 된다. 구체적으로, 상기 포토 레지스트층(20)이 네거티브 포토 레지스트로 형성되기 때문에, 상기 측면부 회로 패턴(93)에 대응하는 부분을 제외한 나머지 부분의 위치에 형성되는 상기 개구부(41)를 통해 노출된 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분은 현상액에 의해 제거되지 않고 모두 잔존하게 되며, 광을 조사받지 않는 부분, 즉 상기 개구부(41)를 통해 노출되지 않는 부분만이 제거된다. 따라서, 현상 공정을 진행 완료하면 도 2의 (c)에 도시된 상태가 된다.Therefore, in response to the step (s30), as shown in (b') of FIG. 2, after the mask is aligned and a part of the photoresist layer 20 is exposed, a developing process is performed using a developer. When it is done, it is in the state shown in FIG. 2(c). Specifically, since the photoresist layer 20 is formed of a negative photoresist, the photo exposed through the opening 41 formed at a position other than the portion corresponding to the side circuit pattern 93 A portion of the resist layer 20 is not removed by the developer, but remains, and only a portion not exposed to light, that is, a portion not exposed through the opening 41 is removed. Accordingly, when the developing process is completed, the state shown in FIG. 2C is achieved.

한편, 본 발명에서 적용되는 포토 리소그래피 공정을 적용한 기판 측면부(10) 배선 형성 방법은 기판(30)의 측면부에 대해 에칭 공정을 제외하고 포토 리소그래피 공정을 통해 배선을 형성하는 방법으로서, 적용되는 기판(30)은 회로 패턴을 형성할 필요가 있고, 측면부를 통해 회로 패턴을 연결할 필요가 있는 기판이면 모두 적용될 수 있다. 즉, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 글라스, 플라스틱, 필름 등 회로 패턴이 형성되고, 이 회로 패턴을 전기적으로 연결하기 위해 측면부에 배선이 형성될 가능성이 있는 기판들을 모두 포함하는 개념이다.On the other hand, the method of forming wiring on the side surface of the substrate 10 to which the photolithography process applied in the present invention is applied is a method of forming a wiring through a photolithography process except for the etching process on the side surface of the substrate 30, and the applied substrate ( 30) can be applied to any substrate that needs to form a circuit pattern and connects the circuit pattern through the side surface. That is, the substrate 30 applied to the present invention is a concept including all substrates on which circuit patterns such as glass, plastic, film, etc. are formed, and wirings may be formed on side surfaces to electrically connect the circuit patterns.

특히, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 상부와 하부에 다양한 소자들이 실장될 수 있고, 상부와 하부에 각각 회로 패턴이 형성되는 기판인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 배선이 형성되는 기판 측면부(10)는 도 4에 도시된 바와 같이 기판의 에지부를 형성하는 기판의 측면(11), 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 상부면, 즉 측면 인접 상부면(13) 및 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 하부면, 즉 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분이다.Particularly, the substrate 30 applied to the present invention is preferably a substrate on which various devices may be mounted on top and bottom, and circuit patterns are formed on the top and bottom, respectively. In addition, the substrate side portion 10 on which the wiring is formed is a side surface 11 of the substrate forming an edge portion of the substrate as shown in FIG. 4, an upper surface of the substrate 30 adjacent to the side surface 11 of the substrate, That is, a portion including the side adjacent upper surface 13 and the lower surface of the substrate 30 adjacent to the side surface 11 of the substrate, that is, the side adjacent lower surface 15.

구체적으로, 본 발명에 적용되는 상기 기판 측면부(10)는 도 4에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11), 이 기판의 측면(11)에 인접한 기판의 상부면(측면 인접 상부면(13)) 및 하부면(측면 인접 하부면(15))을 포함하고, 상기 기판 측면부(10)에 배선, 즉, 상기 측면부 배선(도 5에서 도면 부호 90으로 표기됨)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴(93)은 상기 기판(30)의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴(60)과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성된다. 상술한 바와 같이, 상기 측면부 회로 패턴(93)은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되는 것이 바람직하다.Specifically, the substrate side portion 10 applied to the present invention is the side surface 11 of the substrate and the upper surface of the substrate adjacent to the side surface 11 of the substrate (the upper surface 13 adjacent to the side surface 13), as shown in FIG. )) and a lower surface (the lower surface adjacent to the side surface 15), and the side circuit pattern corresponding to the wiring to the side surface 10 of the substrate, that is, the side wiring (indicated by reference numeral 90 in FIG. 5) 93 is formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 formed on the upper surface of the substrate 30 and the lower circuit pattern 80 formed on the lower surface of the substrate 30. As described above, the side circuit pattern 93 is preferably formed simultaneously through the same process as the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80.

좀 더 구체적으로, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 다양한 소자, 기기, 장치에 적용되는 기판일 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 도 4에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)를 위해 적용될 수 있다. 따라서, 상기 기판(30) 상부에는 디스플레이 소자(50)들, 예를 들어 LCD, OLED, 마이크로 LED가 실장되어 디스플레이 소자 메트릭스가 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(30) 하부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 제어하고 전기 신호를 송수신하기 위한 컨트롤러 소자(70) 및 다양한 관련 소자들이 형성될 수 있다.More specifically, the substrate 30 applied to the present invention may be a substrate applied to various devices, devices, and devices. For example, the substrate 30 applied to the present invention may be applied for the display device 100 as shown in FIG. 4. Accordingly, display elements 50, for example, LCD, OLED, and micro LED are mounted on the substrate 30 to form a display element matrix. In addition, a controller element 70 for controlling the display elements 50 and transmitting and receiving electric signals and various related elements may be formed under the substrate 30.

상기와 같은 기판(30)의 상부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 위한 배선, 즉 상부 회로 패턴(60)이 형성되고, 상기 기판(30)의 하부에는 상기 컨트롤러 소자(70)들 등을 위한 배선, 즉 하부 회로 패턴(80)이 형성된다. 따라서, 상기 기판 측면부(10)에는 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결하기 위한 측면부 배선(90)이 도 5에 도시된 바와 같이 형성되어야 한다. 여기서 상기 측면부 배선(90)은 상술한 기판 측면부 배선 형성 방법에 의해서 형성되는 측면부 회로 패턴(93)에 해당된다.A wiring for the display elements 50, that is, an upper circuit pattern 60 is formed on the substrate 30, and a wiring for the controller elements 70, etc. is formed on the lower portion of the substrate 30 That is, the lower circuit pattern 80 is formed. Accordingly, a side wiring 90 for electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80 to the substrate side portion 10 must be formed as shown in FIG. 5. Here, the side wiring 90 corresponds to the side circuit pattern 93 formed by the method of forming the side wiring on the substrate.

상기 기판 측면부(10)에 형성되는 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴(93)은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되어야 하기 때문에, 도 5에 도시된 바와 같이, 기본적으로 단면이 "ㄷ" 형상을 가진다. 이와 같이 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 측면부 회로 패턴(93)이 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있는 "ㄷ"자 형상을 가지기 때문에, 상기 측면부 배선(90)이 형성되는 상기 기판 측면부(10)는 도 6에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11)뿐만 아니라, 측면 인접 상부면(13)와 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분에 해당한다.The side circuit pattern 93 corresponding to the side wiring 90 formed on the side surface portion 10 of the substrate should be formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80. Therefore, as shown in FIG. 5, the cross section basically has a "c" shape. As described above, since the side circuit pattern 93 corresponding to the side wiring 90 has a "c" shape capable of electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80, the side part The substrate side portion 10 on which the wiring 90 is formed is a portion including not only the side surface 11 of the substrate, but also the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15, as shown in FIG. Corresponds to.

이상에서 설명한 본 발명에 의하면, 측면부 회로 패턴을 상부 회로 패턴 또는/및 하부 회로 패턴과 동시에 형성하기 때문에, 기판 측면부 배선을 포함하는 기판의 모든 배선을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있도록 하는 장점이 발생된다.According to the present invention described above, since the side circuit pattern is formed simultaneously with the upper circuit pattern or/and the lower circuit pattern, it is possible to save time, effort, and cost for forming all the wirings of the substrate including the substrate side wiring. There is an advantage of being able to do so.

또한, 본 발명은 기판의 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 기판의 측면부에 대한 포토리소그래피 공정을 통해 형성되는 배선을 통해 전기적으로 연결할 수 있도록 구성하기 때문에, 베젤(Bezel)을 없앨 수 있고, 이로 인하여 대면적이면서 선명한 디스플레이 장치를 구현할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, since the present invention is configured so that the upper circuit pattern and the lower circuit pattern of the substrate can be electrically connected through wiring formed through a photolithography process on the side surface of the substrate, the bezel can be eliminated. There is an effect of realizing a large-area and clear display device.

한편, 이상에서 설명한 기판 측면부 배선 형성 방법에 관한 단계(s30)에서 적용하는 노광 공정은 다양한 형태의 노광 장치에 의하여 진행될 수 있다.Meanwhile, the exposure process applied in step s30 of the method for forming wiring on the side of the substrate described above may be performed by various types of exposure apparatuses.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제1 형태에 따른 개략적인 단면도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제2 형태에 따른 개략적인 단면도이며, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면부 배선 형성 방법에 적용되는 노광 장치의 제3 형태에 따른 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view according to a first form of an exposure apparatus applied to a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an exposure applied to a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an embodiment of the present invention. It is a schematic cross-sectional view according to a second form of the apparatus, and FIG. 8 is a schematic cross-sectional view according to a third form of an exposure apparatus applied to a method of forming a wiring on a side of a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 적용되는 노광 공정을 위한 노광 장치(200)는 기판 측면부(10)를 포함한 기판 상에 형성된 포토 레지스트층(20) 상에 정렬 배치되는 마스크(40), 기판 상측에 배치되는 상부 광원(110), 기판 하측에 배치되는 하부 광원(130) 및 기판 측부에 배치되는 측면부 광원(150)을 포함하여 구성된다.6 to 8, the exposure apparatus 200 for the exposure process applied to the present invention includes a mask arranged on the photoresist layer 20 formed on the substrate including the side surface 10 of the substrate. 40), an upper light source 110 disposed above the substrate, a lower light source 130 disposed below the substrate, and a side light source 150 disposed at the side of the substrate.

상기 기판(30)은 상술한 바와 같이, 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부(10)로 구성되고, 각각에 회로 패턴이 형성된다. 상기 각각의 회로 패턴은 포토 리소그래피 공정을 적용하여 동시에 형성될 수 있기 때문에, 상기 기판(30)의 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부(10)에는 포토 레지스트층(20)이 형성되고, 상기 포토 레지스트층(20)을 패터닝하기 위하여 상기 마스크(40)를 장착한 후 광원을 이용하여 노광 광원을 상기 마스크(40)의 개구부(41)를 통해 상기 포토 레지스트층(20)에 조사한다.As described above, the substrate 30 includes an upper substrate, a lower substrate, and a side surface portion 10, and circuit patterns are formed on each of the substrates. Since each of the circuit patterns can be simultaneously formed by applying a photolithography process, a photoresist layer 20 is formed on the upper, lower, and side surfaces 10 of the substrate 30, and the photoresist After mounting the mask 40 to pattern the layer 20, an exposure light source is irradiated to the photoresist layer 20 through the opening 41 of the mask 40 using a light source.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 단계(s10)에 따라 상기 기판(30) 상에 상기 포토 레지스트층(20)이 바로 형성되는 것을 예시하고 있지만, 기판 상에 회로 패턴을 형성하기 위하여 채택 적용하는 포토 리소그래피 공정들에 따라, 본 발명의 단계(s10)와 같이, 상기 기판(30) 상에 포토 레지스트층(20)이 바로 형성될 수도 있고, 상기 기판(30) 상에 회로 패턴을 위한 금속층(측면 배선용 금속층(91))이 먼저 형성된 후, 이 금속층 상에 상기 포토 레지스트층(20)이 형성될 수도 있다.6 to 8 illustrate that the photoresist layer 20 is directly formed on the substrate 30 according to the step (s10) of the present invention, but it is adopted and applied to form a circuit pattern on the substrate. Depending on the photolithography processes, as in step (s10) of the present invention, a photoresist layer 20 may be directly formed on the substrate 30, or a metal layer for a circuit pattern on the substrate 30 ( After the metal layer 91 for side wiring is first formed, the photoresist layer 20 may be formed on the metal layer.

상기 마스크(40)는 상기 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부(10)에 형성된 포토 레지스트층(20) 상에 정렬 배치된다. 상기 마스크(40)는 상기 포토 레지스트층(20)의 일부분만이 조사되는 광에 노출될 수 있도록 개구부(41)가 형성되어 있다. 상기 마스크(40)의 개구부(41)의 패턴은 상술한 바와 같이, 기판 상부에 형성되는 상부 회로 패턴, 기판 하부에 형성되는 하부 회로 패턴 및 기판 측면부(10)에 형성되는 측면부 회로 패턴의 형태에 따라, 그리고 상기 포토 레지스트층(20)이 포지티브 포토 레지스트로 형성되느냐 또는 네거티브 포토 레지스트로 형성되느냐에 따라 형성된다.The mask 40 is arranged on the photoresist layer 20 formed on the upper, lower, and side surfaces 10 of the substrate. The mask 40 has an opening 41 formed so that only a portion of the photoresist layer 20 can be exposed to irradiated light. As described above, the pattern of the opening 41 of the mask 40 is in the shape of the upper circuit pattern formed on the substrate, the lower circuit pattern formed on the lower substrate, and the side circuit pattern formed on the side surface 10 of the substrate. Accordingly, it is formed according to whether the photoresist layer 20 is formed of a positive photoresist or a negative photoresist.

상기 기판 상부에 상부 회로 패턴을 형성하기 위하여 적용되는 노광 공정은 상기 기판 상측에 배치되는 상부 광원(110)에 의하여 진행된다. 상기 상부 광원(110)은 상기 기판 상부에 대하여 노광 광원을 조사한다. 즉, 상기 상부 광원(110)은 상기 기판(30)의 기판 상부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 노광 광원을 조사한다. 상기 상부 광원(110)에 의해 조사되는 노광 광원은 상기 기판 상부에 정렬 배치되는 상기 마스크(40)의 개구부(41)를 통해 상기 기판 상부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 조사된다.The exposure process applied to form the upper circuit pattern on the substrate is performed by the upper light source 110 disposed on the substrate. The upper light source 110 irradiates an exposure light source onto the substrate. That is, the upper light source 110 irradiates an exposure light source onto the photoresist layer 20 formed on the substrate 30. The exposure light source irradiated by the upper light source 110 is irradiated to the photoresist layer 20 formed on the substrate through the opening 41 of the mask 40 arranged on the substrate.

또한, 상기 기판 하부에 하부 회로 패턴을 형성하기 위하여 적용되는 노광 공정은 상기 기판 하측에 배치되는 하부 광원(130)에 의하여 진행된다. 상기 하부 광원(130)은 상기 기판 하부에 대하여 노광 광원을 조사한다. 즉, 상기 하부 광원(130)은 상기 기판(30)의 기판 하부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 노광 광원을 조사한다. 상기 하부 광원(130)에 의해 조사되는 노광 광원은 상기 기판 하부에 정렬 배치되는 상기 마스크(40)의 개구부(41)를 통해 상기 기판 하부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 조사된다.In addition, the exposure process applied to form the lower circuit pattern under the substrate is performed by the lower light source 130 disposed under the substrate. The lower light source 130 irradiates an exposure light source to the lower portion of the substrate. That is, the lower light source 130 irradiates an exposure light source onto the photoresist layer 20 formed under the substrate of the substrate 30. The exposure light source irradiated by the lower light source 130 is irradiated to the photoresist layer 20 formed under the substrate through the opening 41 of the mask 40 arranged under the substrate.

또한, 상기 기판 측면부(10)에 측면부 회로 패턴을 형성하기 위하여 적용되는 노광 공정은 상기 기판 측부에 배치되는 측면부 광원(150)에 의하여 진행된다. 상기 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부에 대하여 노광 광원을 조사한다. 즉, 상기 측면부 광원(150)은 상기 기판(30)의 기판 측면부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 노광 광원을 조사한다. 상기 측면부 광원(150)에 의해 조사되는 노광 광원은 상기 기판 측면부에 정렬 배치되는 상기 마스크(40)의 개구부(41)를 통해 상기 기판 측면부에 형성되어 있는 포토 레지스트층(20)에 조사된다.In addition, the exposure process applied to form the side circuit pattern on the side surface 10 of the substrate is performed by the side light source 150 disposed at the side of the substrate. The side light source 150 irradiates an exposure light source onto the side surface of the substrate. That is, the side light source 150 irradiates an exposure light source onto the photoresist layer 20 formed on the side surface of the substrate 30. The exposure light source irradiated by the side light source 150 is irradiated to the photoresist layer 20 formed on the side surface of the substrate through the opening 41 of the mask 40 arranged in alignment on the side surface of the substrate.

도 6 내지 도 8에서, 상기 측면부 광원(150)은 한쪽(도 6 내지 도 8에서 오른쪽)의 기판 측면부(10)에 대해서만 노광 광원을 조사할 수 있도록 배치되는 것을 예시하고 있지만, 다른쪽(도 6 내지 도 8에서 왼쪽)에도 배치되어 다른쪽의 기판 측면부에 대해서도 노광 광원을 조사할 수 있다.6 to 8, the side light source 150 is exemplified that the side light source 150 is arranged to irradiate the exposure light source only to the side surface portion 10 of the substrate on one side (right side in FIGS. 6 to 8), but the other side (Fig. It is also disposed on the left side in Figs. 6 to 8, and the exposure light source can be irradiated to the other side of the substrate.

상기 상부 광원(110)에 의한 상기 기판 상부에 대한 노광 광원 조사, 상기 하부 광원(130)에 의한 상기 기판 하부에 대한 노광 광원 조사 및 상기 측면부 광원(150)에 의한 상기 기판 측면부(10)에 대한 노광 광원 조사는 순차적으로 수행될 수도 있지만 동시에 수행되는 것이 노광 효율을 향상시키기 위하여 더 바람직하다.The upper light source 110 irradiates an exposure light source on the upper portion of the substrate, the lower light source 130 irradiates an exposure light source to the lower portion of the substrate, and the side light source 150 irradiates the side surface portion 10 of the substrate. The exposure light source irradiation may be performed sequentially, but it is more preferable to perform simultaneously in order to improve exposure efficiency.

이와 같이 구성되는 본 발명에 적용되는 노광 공정을 위한 노광 장치(200)는 기존의 노광 장치와 달리 기판 상부 또는 기판 하부 또는 기판 상부 및 기판 하부에 대해서만 노광 공정을 수행하는 것이 아니라, 기판 측면부(10)에 대해서도 상기 기판 상부 및 기판 상부에 대한 노광 공정과 함께 동시에 노광 공정을 수행할 수 있다.The exposure apparatus 200 for an exposure process applied to the present invention configured as described above does not perform an exposure process only on the upper or lower substrate or the upper and lower substrates, unlike the conventional exposure apparatus, but the side surface of the substrate 10 For ), the exposure process may be performed simultaneously with the exposure process on the substrate and the substrate.

따라서, 본 발명에 적용되는 노광 장치(200)는 기판 상에 회로 패턴을 형성하기 위해 진행되는 노광 공정을 수행하되, 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부(10)에 동시에 노광 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 본 발명에 적용되는 기판(30)의 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부(10)에는 각각의 회로 패턴(순서대로 상부 회로 패턴, 하부 회로 패턴, 측면부 회로 패턴)이 형성될 수 있다.Accordingly, the exposure apparatus 200 applied to the present invention performs an exposure process performed to form a circuit pattern on a substrate, but may simultaneously perform an exposure process on the upper, lower, and side surfaces 10 of the substrate. . Accordingly, each circuit pattern (an upper circuit pattern, a lower circuit pattern, and a side circuit pattern) may be formed on the upper, lower, and side surfaces 10 of the substrate 30 applied to the present invention.

한편, 본 발명에 적용되는 기판 측면부(10)는 상술한 바와 같이, 단지 기판의 측면 자체만을 의미하는 것이 아니라, 기판의 측면(11)과, 이 측면(11)에 인접한 기판의 상부면인 측면 인접 상부면(13) 및 이 측면(11)에 인접한 기판의 하부면인 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 것이고, 이와 같이 구성되는 기판 측면부(10)에 상기 측면부 회로 패턴이 형성되고, 상기 측면부 회로 패턴이 상기 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결한다.On the other hand, as described above, the substrate side portion 10 applied to the present invention does not mean only the side surface of the substrate itself, but the side surface 11 of the substrate and the side surface that is the upper surface of the substrate adjacent to the side surface 11 It includes an adjacent upper surface 13 and a side adjacent lower surface 15 that is a lower surface of the substrate adjacent to the side surface 11, and the side circuit pattern is formed on the substrate side surface 10 configured as described above, and the The side circuit pattern electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern.

이와 같이, 본 발명에 적용되는 상기 기판 상부에는 상부 회로 패턴(도 4 및 도 5에서 도면 부호 60으로 표기됨)이 형성되고, 상기 기판 하부에는 하부 회로 패턴(도 4 및 도 5에서 도면 부호 80으로 표기됨)이 형성되고, 상기 기판 측면부(10)에는 측면 배선부(도 5에서 도면 부호 90으로 표기됨), 즉 측면부 회로 패턴이 형성되며, 상기 기판 측면부(10)는 기판의 측면(11), 상기 측면에 인접한 기판의 상부면에 해당하는 측면 인접 상부면(13) 및 상기 측면(11)에 인접한 기판의 하부면에 해당하는 측면 인접 하부면(15)을 포함하고, 상기 측면 배선부(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성된다.As described above, an upper circuit pattern (indicated by reference numeral 60 in FIGS. 4 and 5) is formed on the substrate applied to the present invention, and a lower circuit pattern (indicated by reference numeral 80 in FIGS. 4 and 5) is formed under the substrate. ) Is formed, and a side wiring portion (indicated by reference numeral 90 in FIG. 5), that is, a side circuit pattern is formed on the side surface portion 10 of the substrate, and the side surface portion 10 of the substrate is formed with the side surface 11 ), a side adjacent upper surface 13 corresponding to an upper surface of the substrate adjacent to the side surface and a side adjacent lower surface 15 corresponding to a lower surface of the substrate adjacent to the side surface 11, and the side wiring part The side circuit pattern corresponding to 90 is formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80.

본 발명에 적용되는 기판(30)은 상부와 하부에 다양한 소자들이 실장될 수 있고, 상부와 하부에 각각 회로 패턴이 형성되는 기판인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 배선이 형성되는 기판 측면부(10)는 도 4에 도시된 바와 같이 기판의 에지부를 형성하는 기판의 측면(11), 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 상부면, 즉 측면 인접 상부면(13) 및 상기 기판의 측면(11)에 인접한 기판(30)의 하부면, 즉 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분이다.The substrate 30 applied to the present invention is preferably a substrate in which various devices may be mounted on top and bottom, and circuit patterns are formed on the top and bottom, respectively. In addition, the substrate side portion 10 on which the wiring is formed is a side surface 11 of the substrate forming an edge portion of the substrate as shown in FIG. 4, an upper surface of the substrate 30 adjacent to the side surface 11 of the substrate, That is, a portion including the side adjacent upper surface 13 and the lower surface of the substrate 30 adjacent to the side surface 11 of the substrate, that is, the side adjacent lower surface 15.

구체적으로, 본 발명에 적용되는 상기 기판 측면부(10)는 도 4에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11), 이 기판의 측면(11)에 인접한 기판의 상부면(측면 인접 상부면(13)) 및 하부면(측면 인접 하부면(15))을 포함하고, 상기 기판 측면부(10)에 배선, 즉, 상기 측면부 배선(도 5에서 도면 부호 90으로 표기됨)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴은 상기 기판(30)의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴(60)과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성된다. 상술한 바와 같이, 상기 측면부 회로 패턴은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되는 것이 바람직하다.Specifically, the substrate side portion 10 applied to the present invention is the side surface 11 of the substrate and the upper surface of the substrate adjacent to the side surface 11 of the substrate (the upper surface 13 adjacent to the side surface 13), as shown in FIG. )) and a lower surface (the lower surface adjacent to the side surface 15), and the side circuit pattern corresponding to the wiring to the side surface 10 of the substrate, that is, the side wiring (indicated by reference numeral 90 in FIG. 5) Is formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 formed on the upper surface of the substrate 30 and the lower circuit pattern 80 formed on the lower surface of the substrate 30. As described above, the side circuit pattern is preferably formed simultaneously through the same process as the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80.

좀 더 구체적으로, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 다양한 소자, 기기, 장치에 적용되는 기판일 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 적용되는 기판(30)은 도 4에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)를 위해 적용될 수 있다. 따라서, 상기 기판(30) 상부에는 디스플레이 소자(50)들, 예를 들어 LCD, OLED, 마이크로 LED가 실장되어 디스플레이 소자 메트릭스가 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(30) 하부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 제어하고 전기 신호를 송수신하기 위한 컨트롤러 소자(70) 및 다양한 관련 소자들이 형성될 수 있다.More specifically, the substrate 30 applied to the present invention may be a substrate applied to various devices, devices, and devices. For example, the substrate 30 applied to the present invention may be applied for the display device 100 as shown in FIG. 4. Accordingly, display elements 50, for example, LCD, OLED, and micro LED are mounted on the substrate 30 to form a display element matrix. In addition, a controller element 70 for controlling the display elements 50 and transmitting and receiving electric signals and various related elements may be formed under the substrate 30.

상기와 같은 기판(30)의 상부에는 상기 디스플레이 소자(50)들을 위한 배선, 즉 상부 회로 패턴(60)이 형성되고, 상기 기판(30)의 하부에는 상기 컨트롤러 소자(70)들 등을 위한 배선, 즉 하부 회로 패턴(80)이 형성된다. 따라서, 상기 기판 측면부(10)에는 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결하기 위한 측면부 배선(90)에 해당하는 측면부 회로 패턴이 도 5에 도시된 바와 같이 형성되어야 한다. 여기서 상기 측면부 배선(90)은 상술한 본 발명에 적용되는 노광 장치를 적용하여 형성되는 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)과 동시에 형성되는 측면부 회로 패턴에 해당된다.A wiring for the display elements 50, that is, an upper circuit pattern 60 is formed on the substrate 30, and a wiring for the controller elements 70, etc. is formed on the lower portion of the substrate 30 That is, the lower circuit pattern 80 is formed. Accordingly, a side circuit pattern corresponding to the side wiring 90 for electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80 to the substrate side portion 10 is formed as shown in FIG. 5. Should be. Here, the side wiring 90 corresponds to a side circuit pattern formed simultaneously with the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80 formed by applying the exposure apparatus applied to the present invention.

상기 기판 측면부(10)에 형성되는 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 상기 측면부 회로 패턴은 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되어야 하기 때문에, 도 5에 도시된 바와 같이, 기본적으로 단면이 "ㄷ" 형상을 가진다. 이와 같이 상기 측면부 배선(90)에 해당하는 측면부 회로 패턴이 상기 상부 회로 패턴(60)과 상기 하부 회로 패턴(80)을 전기적으로 연결할 수 있는 "ㄷ"자 형상을 가지기 때문에, 상기 측면부 배선(90)이 형성되는 상기 기판 측면부(10)는 도 4에 도시된 바와 같이, 기판의 측면(11)뿐만 아니라, 측면 인접 상부면(13)와 측면 인접 하부면(15)을 포함하는 부분에 해당한다.Since the side circuit pattern corresponding to the side wiring 90 formed on the side surface portion 10 of the substrate must be formed to electrically connect the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80, Fig. As shown in 5, the cross section basically has a "c" shape. As described above, since the side circuit pattern corresponding to the side wiring 90 has a "c" shape capable of electrically connecting the upper circuit pattern 60 and the lower circuit pattern 80, the side wiring 90 The substrate side portion 10 in which) is formed corresponds to a portion including not only the side surface 11 of the substrate, but also the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15, as shown in FIG. 4. .

한편, 본 발명에 적용되는 노광 장치(200)의 측면부 광원(150)은 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 다양한 형태로 배치될 수 있다. 다만, 본 발명에 따른 상기 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)에 대한 광원 효율이 보장되고 향상될 수 있는 형상을 가지고 배치 구조를 가지는 것이 바람직하다.Meanwhile, the light source 150 at the side of the exposure apparatus 200 applied to the present invention may be formed in various shapes and may be arranged in various shapes. However, it is preferable that the side light source 150 according to the present invention has a shape and an arrangement structure in which light source efficiency for the side surface portion 10 of the substrate is guaranteed and improved.

본 발명에 따른 상기 측면부 광원(150)은 첫째, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 평면형 광원으로 배치 형성될 수 있고, 둘째, 도 7에 도시된 바와 같이, 두 개의 평면형 광원으로 배치 형성될 수도 있으며, 셋째, 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 굴곡형 광원으로 배치 형성될 수도 있다.The side light source 150 according to the present invention may be disposed as a single planar light source, first, as shown in FIG. 6, and second, as shown in FIG. 7, to be disposed as two planar light sources. Alternatively, thirdly, as shown in FIG. 8, it may be arranged and formed as one curved light source.

구체적으로, 본 발명에 적용되는 측면부 광원(150)은 도 6에 도시된 바와 같이, 평면형으로 형성되어 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 대향 배치되어 구성된다. 즉, 상기 측면부 광원(150)은 평면 형상으로 구성되어 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 평행하게 대향 배치되도록 구성 배치된다. Specifically, as shown in FIG. 6, the side light source 150 applied to the present invention is formed in a planar shape and is configured to be disposed opposite to the side surface 11 of the substrate side portion 10. That is, the side light source 150 is configured to have a planar shape and disposed so as to be parallel to the side surface 11 of the side surface portion 10 of the substrate.

이와 같은 구성 배치에서, 상기 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10) 중, 상기 측면(11)에 대해서만 노광 광원을 조사할 수 있고, 상기 측면 인접 상부면(13)와 상기 측면 인접 하부면(15)에 대해서는 광을 조사할 수 없다. 따라서, 이와 같은 구성에서, 본 발명에 적용되는 상기 상부 광원(110)은 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13) 상측까지 연장 배치되어 상기 측면 인접 상부면(13)에 노광 광원을 조사할 수 있도록 하고, 상기 하부 광원(130)은 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 하부면(15) 하측까지 연장 배치되어 상기 측면 인접 하부면(15)에 노광 광원을 조사할 수 있도록 한다.In such a configuration arrangement, the side light source 150 may irradiate an exposure light source only to the side surface 11 of the side surface portion 10 of the substrate, and the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface For (15), light cannot be irradiated. Accordingly, in such a configuration, the upper light source 110 applied to the present invention extends to an upper side of the side adjacent upper surface 13 of the substrate side portion 10 to provide an exposure light source on the side adjacent upper surface 13. The lower light source 130 is extended to the lower side of the lower surface 15 adjacent to the side surface of the substrate side portion 10 so as to irradiate the exposure light source onto the lower surface 15 adjacent to the side surface.

이와 같은 배치 구성에서, 상기 측면부 광원(150)은 형상과 배치 구조를 단순화시킬 수 있다. 반면, 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13)과 측면 인접 하부면(15)에 대해 효과적으로 노광 광원을 조사할 수 없다. 이를 보강하기 위하여, 본 발명에서는 상기 상부 광원(110)과 상기 하부 광원(130)을 각각 측면 인접 상부면(13)의 상측과 측면 인접 하부면(15)의 하측까지 연장 배치하여 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13)과 측면 인접 하부면(15)에 대해서도 노광 효율이 보장될 수 있도록 한다.In such an arrangement configuration, the side light source 150 may simplify the shape and arrangement structure. On the other hand, the exposure light source cannot be effectively irradiated to the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15 of the substrate side portion 10. In order to reinforce this, in the present invention, the upper light source 110 and the lower light source 130 are respectively extended to the upper side of the side adjacent upper surface 13 and the lower side of the side adjacent lower surface 15 to extend the side surface of the substrate ( The exposure efficiency can also be ensured for the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15 of 10).

다음, 본 발명에 적용되는 측면부 광원(150)은 도 7에 도시된 바와 같이, 평면형으로 형성되는 두 개로 구성되되, 하나는 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 상부면(13)을 향하도록 배치되고, 다른 하나는 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 하부면(15)을 향하도록 배치되어 구성된다. 즉, 상기 측면부 광원(150)은 평면 형상인 광원을 두 개로 구성하여 배치하되, 하나의 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 상부면(13)에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치되고, 다른 하나의 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 하부면(15)에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치된다.Next, as shown in FIG. 7, the side light source 150 applied to the present invention is composed of two, which are formed in a planar shape, one is the side surface 11 and the side adjacent upper surface 13 of the side surface 10 of the substrate. ), and the other is arranged and configured to face the side surface 11 and the side adjacent lower surface 15 of the side surface portion 10 of the substrate. That is, the side light source 150 consists of two light sources having a planar shape, and one side light source 150 is exposed to the side surface 11 of the substrate side 10 and the upper surface 13 adjacent to the side surface. The other side light source 150 is inclined so as to irradiate the light source, and the other side light source 150 is inclined to irradiate the exposure light source on the side surface 11 and the lower surface 15 adjacent to the side surface 10 of the substrate.

이와 같은 배치 구성에서, 상기 한 쌍의 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 대하여 노광 광원을 직사 조사하지 못하고 경사지게 조사하기 때문에, 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 대한 노광 효율이 담보되지 못하거나 떨어질 수 있다. 따라서, 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 대한 노광 효율을 보장하고 더 나아가 노광 효율을 향상시키기 위하여, 본 발명에 적용되는 상기 한 쌍의 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)의 측면(11)에 대하여 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치되는 것이 바람직하다. In this arrangement, since the pair of side light sources 150 does not directly irradiate the exposure light source to the side surface 11 of the substrate side portion 10 but obliquely irradiates it, the side surface of the substrate side portion 10 ( 11) exposure efficiency may not be guaranteed or may decrease. Accordingly, in order to ensure the exposure efficiency of the side surfaces 11 of the substrate side parts 10 and further improve the exposure efficiency, the pair of side light sources 150 applied to the present invention is the substrate side part 10 It is preferable that the exposure light source is disposed so as to cross-irradiate each other with respect to the side surface 11 of the

또한, 이와 같은 배치 구성에서, 상기 한 쌍의 측면부 광원(150) 중 하나(상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 상부면(13)에 노광 광원을 조사하는 측면부 광원)는 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13)에 대하여 노광 광원을 직사 조사하지 못하고 경사지게 조사하고, 다른 하나(상기 기판 측면부(10)의 측면(11)과 측면 인접 하부면(15)에 노광 광원을 조사하는 측면부 광원)는 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 하부면(15)에 대하여 노광 광원을 직사 조사하지 못하고 경사지게 조사하기 때문에, 각각 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13)과 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 하부면(15)에 대한 노광 효율이 담보되지 못하거나 떨어질 수 있다.In addition, in this arrangement, one of the pair of side light sources 150 (a side light source for irradiating an exposure light source to the side surface 11 and the side adjacent upper surface 13 of the substrate side portion 10) is The exposure light source is not directly irradiated to the upper surface 13 adjacent to the side of the substrate side portion 10, but is irradiated obliquely, and the other (exposed to the side surface 11 of the side surface portion 10 and the lower surface adjacent the side surface 15) Since the side light source that irradiates the light source) does not directly irradiate the exposure light source to the lower surface 15 adjacent to the side of the side surface 10 of the substrate, but irradiates it obliquely, ) And the lower surface 15 adjacent to the side of the side surface 10 of the substrate may not be guaranteed or may be degraded.

따라서, 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13)과 측면 인접 하부면(15)에 대한 노광 효율을 보장하고 더 나아가 노광 효율을 향상시키기 위하여, 본 발명에 적용되는 상기 상부 광원(110)은 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13) 상측까지 연장 배치되어 상기 하나의 측면부 광원(150)과 함께 상기 측면 인접 상부면(13)에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 하고, 상기 하부 광원(130)은 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 하부면(15) 하측까지 연장 배치되어 상기 다른 하나의 측면부 광원(150)과 함께 상기 측면 인접 하부면(15)에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 한다.Accordingly, in order to ensure exposure efficiency for the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15 of the substrate side portion 10 and further improve exposure efficiency, the upper light source 110 applied to the present invention ) Is extended to the upper side of the side adjacent upper surface 13 of the substrate side portion 10 so that the exposure light source can be cross-irradiated on the side adjacent upper surface 13 together with the one side light source 150 , The lower light source 130 extends to a lower side of the lower surface 15 adjacent to the side of the side surface 10 of the substrate to provide an exposure light source on the lower surface 15 adjacent to the side surface together with the other side light source 150. Make it possible to cross-examine each other.

다음, 본 발명에 적용되는 측면부 광원(150)은 도 8에 도시된 바와 같이, 굴곡형으로 형성되어 상기 기판 측면부(10)의 측면(11), 측면 인접 상부면(13) 및 측면 인접 하부면(15)을 향하도록 배치되어 구성된다. 즉, 본 발명에 적용되는 측면부 광원(150)은 하나의 굴곡형 광원을 형성되되, 굴곡형 형상을 통해 상기 기판 측면부(10)의 측면(11), 측면 인접 상부면(13) 및 측면 인접 하부면(15)에 노광 광원을 동시에 조사할 수 있도록 배치된다.Next, the side light source 150 applied to the present invention is formed in a curved shape, as shown in FIG. 8, so that the side surface 11, the side adjacent upper surface 13, and the side adjacent lower surface of the substrate side 10 It is arranged and configured to face (15). That is, the side light source 150 applied to the present invention forms one curved light source, and the side surface 11, the side adjacent upper surface 13, and the side adjacent lower side of the substrate side 10 through the curved shape It is arranged so that the exposure light source can be simultaneously irradiated on the surface 15.

이와 같은 측면부 광원(150)의 형상 및 배치 구조에서, 상기 측면부 광원(150)은 굴곡형 형상으로 인하여 상기 기판 측면부(10)의 측면 인접 상부면(13) 및 측면 인접 하부면(15)까지 연장 배치될 수 있고, 더 나아가 상기 기판 측면부(10)의 측면(11), 상기 측면 인접 상부면(13) 및 측면 인접 하부면(15) 각각에 대하여 노광 광원을 직사 조사할 수 있다.In such a shape and arrangement structure of the side light source 150, the side light source 150 extends to the side adjacent upper surface 13 and the side adjacent lower surface 15 of the substrate side surface 10 due to the curved shape. In addition, the exposure light source may be directly irradiated to each of the side surfaces 11, the side adjacent upper surfaces 13, and the side adjacent lower surfaces 15 of the side surface 10 of the substrate.

이와 같은 배치 구조에서, 상기 측면부 광원(150)은 상기 기판 측면부(10)의 측면(11), 상기 측면 인접 상부면(13) 및 측면 인접 하부면(15) 각각에 대하여 노광 광원을 직사 조사할 수 있기 때문에, 노광 효율을 보장할 수 있고 더 나아가 노광 효율을 향상시킬 수 있으며, 다른 광원(상부 광원 또는 하부 광원)의 보강 조사 없이 단독으로 노광 효율을 담보할 수 있기 때문에, 노광 공정에 소요되는 에너지 소비를 절감할 수 있는 효과가 발생한다.In such an arrangement structure, the side light source 150 can directly irradiate the exposure light source to each of the side surface 11, the side adjacent upper surface 13, and the side adjacent lower surface 15 of the side surface portion 10 of the substrate. Because the exposure efficiency can be guaranteed, exposure efficiency can be improved, and exposure efficiency can be secured alone without reinforcing irradiation of other light sources (upper light source or lower light source). There is an effect that can reduce energy consumption.

이상에서 설명한, 본 발명에 의하면, 포토 리소그래피 공정을 통해 기판 상부에 형성되는 상부 회로 패턴 및 기판 하부에 형성되는 하부 회로 패턴뿐만 아니라 동시에 기판 측면부에 형성되는 측면부 회로 패턴을 형성하기 위하여, 기판 상부, 기판 하부 및 기판 측면부에 동시에 노광 광원을 조사할 수 있도록 구성하기 때문에, 상부 회로 패턴과 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 측면부 회로 패턴을 용이하고 정밀하게 형성할 수 있도록 하고, 이로 인하여 기판의 회로 패턴을 형성하기 위한 시간, 노력 및 비용을 절감할 수 있고, 전기적 특성이 향상된 기판을 제공할 수 있도록 하는 효과가 발생한다.As described above, according to the present invention, in order to form not only the upper circuit pattern formed on the upper part of the substrate and the lower circuit pattern formed under the substrate through a photolithography process, but also the side circuit pattern formed at the side surface of the substrate, the upper part of the substrate, Since it is configured to simultaneously irradiate the exposure light source under the substrate and the side surface of the substrate, it is possible to easily and precisely form the side circuit pattern that electrically connects the upper circuit pattern and the lower circuit pattern, and thereby, the circuit pattern of the substrate. It is possible to reduce the time, effort, and cost for forming, and there is an effect of providing a substrate with improved electrical properties.

또한, 본 발명에 의하면, 측면부 광원과 상부 광원끼리 또는 측면부 광원과 하부 광원끼리 또는 측면부 광원끼리 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치 구성하기 때문에, 기판 측면부에 대한 노광 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 장점이 발생된다.In addition, according to the present invention, since the side light source and the upper light source or the side light source and the lower light source, or the side light source are arranged to cross-irradiate the exposure light source, the exposure efficiency for the side surface of the substrate can be improved. Advantages arise.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the embodiments according to the present invention have been described above, these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent ranges of embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the following claims.

10 : 기판 측면부 11 : 측면
13 : 측면 인접 상부면 15 : 측면 인접 하부면
20 : 포토 레지스트층 21 : 포토 레지스트 패턴
23 : 개방부 40 : 마스크
41 : 개구부 30 : 기판
50 : 디스플레이 소자 60 : 상부 회로 패턴
70 : 컨트롤러 소자 80 : 하부 회로 패턴
90 : 측면부 배선 91 : 측면부 배선용 금속층
93 : 측면부 회로 패턴 95 : 금속 씨드층
97 : 금속 도금층 100 : 디스플레이 장치
110 : 상부 광원 130 : 하부 광원
150 : 측면부 광원 200 : 기판 회로 패턴 형성용 노광 장치10: substrate side portion 11: side
13: side adjacent upper surface 15: side adjacent lower surface
20: photoresist layer 21: photoresist pattern
23: opening portion 40: mask
41: opening 30: substrate
50: display element 60: upper circuit pattern
70: controller element 80: lower circuit pattern
90: side wiring 91: side wiring metal layer
93: side circuit pattern 95: metal seed layer
97: metal plating layer 100: display device
110: upper light source 130: lower light source
150: side light source 200: exposure apparatus for substrate circuit pattern formation

Claims (4)

삭제delete 삭제delete 기판 배선 형성 방법에 있어서,
기판 측면부 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토 레지스트층 상에 마스크를 정렬 배치한 후, 상기 포토 레지스트층의 일부분을 노광시키는 단계; 상기 포토 레지스트층을 현상하여 측면부 회로 패턴이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부의 일부분을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 기판 측면부의 일부분에 금속층을 형성하고 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 기판 측면부는 기판의 측면, 이 측면에 인접한 기판의 상부면 및 하부면을 포함하고, 상기 측면부 회로 패턴은 상기 기판의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되고,
상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계는, 상기 포토 레지스트 패턴과 상기 노출된 기판 측면부의 일부분 상에 측면부 배선용 금속층을 증착 형성하는 과정 및 상기 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 포토 레지스트 패턴과 그 상부의 측면부 배선용 금속층을 제거하는 과정을 포함하고,
상기 마스크는 상기 포토 레지스트층이 형성된 기판에 끼워져서 정렬 장착되고,
상기 노광시키는 단계는 기판 상측에 배치되는 상부 광원, 기판 하측에 배치되는 하부 광원 및 기판 측부에 배치되는 측면부 광원을 통해 진행되고, 상기 상부 광원에 의한 상기 기판 상부에 대한 노광 광원 조사, 상기 하부 광원에 의한 상기 기판 하부에 대한 노광 광원 조사 및 상기 측면부 광원에 의한 상기 기판 측면부에 대한 노광 광원 조사는 동시에 수행되고,
상기 측면부 광원은 평면 형상인 광원을 두 개로 구성하여 배치하되, 하나의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면과 측면 인접 상부면에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치되고, 다른 하나의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면과 측면 인접 하부면에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치되고,
상기 두 개의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면에 대하여 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치되고,
상기 상부 광원은 상기 기판 측면부의 측면 인접 상부면 상측까지 연장 배치되어 상기 하나의 측면부 광원과 함께 상기 측면 인접 상부면에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 하고, 상기 하부 광원은 상기 기판 측면의 측면 인접 하부면 하측까지 연장 배치되어 상기 다른 하나의 측면부 광원과 함께 상기 측면 인접 하부면에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
In the method of forming a substrate wiring,
Forming a photoresist layer on the side surface of the substrate; Aligning and disposing a mask on the photoresist layer and exposing a portion of the photoresist layer; Developing the photoresist layer to form a photoresist pattern exposing a portion of the side surface of the substrate corresponding to the portion where the side circuit pattern is formed; Forming a metal layer on a portion of the exposed side surface of the substrate and stripping a photoresist pattern to form a side circuit pattern,
The side surface of the substrate includes a side surface of the substrate, an upper surface and a lower surface of the substrate adjacent to the side surface, and the side circuit pattern includes an upper circuit pattern formed on the upper surface of the substrate and a lower circuit formed on the lower surface of the substrate. It is formed so that the pattern can be electrically connected,
The forming of the side circuit pattern includes a process of depositing and forming a metal layer for side wiring on the photoresist pattern and a portion of the exposed side surface of the substrate, and stripping the photoresist pattern to form a photoresist pattern and a metal layer for side wiring above the photoresist pattern. Including the process of removing,
The mask is aligned and mounted on the substrate on which the photoresist layer is formed,
The exposing step is performed through an upper light source disposed on the upper side of the substrate, a lower light source disposed on the lower side of the substrate, and a side light source disposed on the side of the substrate, and irradiating an exposure light source to the upper portion of the substrate by the upper light source, and the lower light source. The exposure light source irradiation to the lower portion of the substrate by and the exposure light source irradiation to the side surface of the substrate by the side light source are simultaneously performed,
The side light source consists of two planar light sources, and one side light source is inclined to irradiate the exposure light source on the side surface of the substrate side and the upper surface adjacent to the side surface, and the other side light source is the It is arranged inclined to irradiate the exposure light source on the side surface of the side surface of the substrate and the lower surface adjacent the side surface
The two side light sources are arranged to cross-irradiate an exposure light source with respect to a side surface of the side surface of the substrate,
The upper light source is disposed to extend to an upper surface adjacent to the side of the side surface of the substrate so as to cross-irradiate an exposure light source to the upper surface adjacent to the side surface together with the one side light source, and the lower light source is a side surface of the side surface of the substrate. The method of forming a wiring on a side of a substrate, characterized in that it extends to a lower side of an adjacent lower surface so as to cross-irradiate an exposure light source to the lower surface adjacent to the side surface together with the other side light source.
 기판 배선 형성 방법에 있어서,
기판 측면부 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토 레지스트층 상에 마스크를 정렬 배치한 후, 상기 포토 레지스트층의 일부분을 노광시키는 단계; 상기 포토 레지스트층을 현상하여 측면부 회로 패턴이 형성되는 부분에 해당하는 기판 측면부의 일부분을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 기판 측면부의 일부분에 금속층을 형성하고 포토 레지스트 패턴을 스트립하여 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 기판 측면부는 기판의 측면, 이 측면에 인접한 기판의 상부면 및 하부면을 포함하고, 상기 측면부 회로 패턴은 상기 기판의 상부면에 형성되는 상부 회로 패턴과 상기 기판의 하부면에 형성되는 하부 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있도록 형성되고,
상기 측면부 회로 패턴을 형성하는 단계는, 상기 노출된 기판 측면부의 일부분 상에 금속 씨드층을 증착 형성하는 과정, 상기 금속 씨드층 상에 도금법으로 금속 도금층을 형성하는 과정 및 상기 포토 레지스트 패턴을 스트립하는 과정을 포함하고,
상기 마스크는 상기 포토 레지스트층이 형성된 기판에 끼워져서 정렬 장착되고,
상기 노광시키는 단계는 기판 상측에 배치되는 상부 광원, 기판 하측에 배치되는 하부 광원 및 기판 측부에 배치되는 측면부 광원을 통해 진행되고, 상기 상부 광원에 의한 상기 기판 상부에 대한 노광 광원 조사, 상기 하부 광원에 의한 상기 기판 하부에 대한 노광 광원 조사 및 상기 측면부 광원에 의한 상기 기판 측면부에 대한 노광 광원 조사는 동시에 수행되고,
상기 측면부 광원은 평면 형상인 광원을 두 개로 구성하여 배치하되, 하나의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면과 측면 인접 상부면에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치되고, 다른 하나의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면과 측면 인접 하부면에 노광 광원을 조사할 수 있도록 경사 배치되고,
상기 두 개의 측면부 광원은 상기 기판 측면부의 측면에 대하여 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 배치되고,
상기 상부 광원은 상기 기판 측면부의 측면 인접 상부면 상측까지 연장 배치되어 상기 하나의 측면부 광원과 함께 상기 측면 인접 상부면에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 하고, 상기 하부 광원은 상기 기판 측면의 측면 인접 하부면 하측까지 연장 배치되어 상기 다른 하나의 측면부 광원과 함께 상기 측면 인접 하부면에 노광 광원을 상호 교차 조사할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 측면부 배선 형성 방법.
In the method of forming a substrate wiring,
Forming a photoresist layer on the side surface of the substrate; Aligning and disposing a mask on the photoresist layer and exposing a portion of the photoresist layer; Developing the photoresist layer to form a photoresist pattern exposing a portion of the side surface of the substrate corresponding to the portion where the side circuit pattern is formed; Forming a metal layer on a portion of the exposed side surface of the substrate and stripping a photoresist pattern to form a side circuit pattern,
The side surface of the substrate includes a side surface of the substrate, an upper surface and a lower surface of the substrate adjacent to the side surface, and the side circuit pattern includes an upper circuit pattern formed on the upper surface of the substrate and a lower circuit formed on the lower surface of the substrate. It is formed so that the pattern can be electrically connected,
The forming of the side circuit pattern may include depositing a metal seed layer on a portion of the exposed side surface of the substrate, forming a metal plating layer on the metal seed layer by plating, and stripping the photoresist pattern. Includes the process,
The mask is aligned and mounted on the substrate on which the photoresist layer is formed,
The exposing step is performed through an upper light source disposed on the upper side of the substrate, a lower light source disposed on the lower side of the substrate, and a side light source disposed on the side of the substrate, and irradiating an exposure light source to the upper portion of the substrate by the upper light source, and the lower light source. The exposure light source irradiation to the lower portion of the substrate by and the exposure light source irradiation to the side surface of the substrate by the side light source are performed simultaneously,
The side light source consists of two planar light sources, and one side light source is inclined to irradiate the exposure light source on the side surface of the substrate side and the upper surface adjacent to the side surface, and the other side light source is the It is arranged inclined to irradiate the exposure light source on the side surface of the side surface of the substrate and the lower surface adjacent to the side surface,
The two side light sources are arranged to cross-irradiate the exposure light source with respect to the side surface of the substrate side portion,
The upper light source is disposed to extend to an upper surface adjacent to the side of the side surface of the substrate so as to cross-irradiate an exposure light source to the upper surface adjacent to the side surface together with the one side light source, and the lower light source is a side surface of the side surface of the substrate. The method of forming a wiring on a side of a substrate, characterized in that it extends to a lower side of an adjacent lower surface so as to cross-irradiate an exposure light source to the lower surface adjacent to the side surface together with the other side light source.
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