KR20160084331A - Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle - Google Patents

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니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides conductive powder having conductivity and electric reliability which is equal to or higher than existing conductive powder consisting of conductive particles in the prior art having a gold plating film as an outermost layer. According to the present invention, conductive powder consists of conductive particles further having a palladium film on a nickel film particle surface having a nickel film on the surface of core material particles; conductive powder has 5 or more protruding portions, protruding from the surface of the palladium film, formed to be a continuum with the palladium film, and having a height of 50 nm or more, per one particle; a content of the palladium film is 3 wt% or less; and a ratio in which primary particles are occupied, of conductive particles, is 85 wt% or more with respect to the weight of conductive powder.

Description

도전성 분체 및 상기를 포함하는 도전성 재료 및 도전성 입자의 제조 방법{CONDUCTIVE POWDER AND CONDUCTIVE MATERIAL COMPRISING THEREOF AND METHOD FOR PREPARING CONDUCTIVE PARTICLE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive powder, a conductive material containing the conductive powder, and a method for manufacturing the conductive particle. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 도전성 분체 및 이를 포함하는 도전성 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 도전성 입자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive powder and a conductive material containing the conductive powder. The present invention also relates to a method for producing conductive particles.

종래부터, 도전성 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 접착제 등에 이용되고 있는 도전성 분체로서는 니켈, 구리, 은, 금, 땜납 등의 금속 분말; 카본 분말이나 카본 섬유, 카본 플레이크 등의 카본계 재료; 수지 입자의 표면을 무전해 니켈 도금하여, 니켈을 피복한 도전성 입자가 알려져 있다.Conventionally, as the conductive powder used in the conductive adhesive, the anisotropic conductive film, the anisotropic conductive adhesive, etc., metal powder such as nickel, copper, silver, gold, solder and the like; Carbon-based materials such as carbon powder, carbon fiber and carbon flake; There is known a conductive particle in which the surface of the resin particle is electroless nickel plated and coated with nickel.

이들 도전성 분체 중, 수지 입자의 표면에 니켈을 피복한 도전성 입자는 니켈 피막이 산화되기 쉽고, 이 때문에 경시적으로 전기 저항이 증가하는 경우가 있다. 또한, 도전성을 더욱 높이는 것을 목적으로 하여, 통상적으로 니켈 피막상에 귀금속인 금 도금 피막을 더 형성시켜서 사용된다.Among these conductive powders, the conductive particles coated with nickel on the surface of the resin particles tend to be oxidized in the nickel coating, which may increase the electrical resistance over time. Further, for the purpose of further enhancing the conductivity, a gold-plated coating film of a noble metal is usually formed on the nickel plating film.

금은 고가인 점에서, 다른 귀금속을 금의 대체로서 사용하는 것이 검토되고 있다. 예를 들면 팔라듐을 최외층으로서는 도전성 분체가 제안되고 있다(특허문헌 1 내지 3 참조). 그러나, 최외층이 금 도금 피막인 도전성 입자와 동등한 특성을 가진다고 하기는 어렵다.In view of the high price of gold, it is considered that other precious metals are used as substitutes for gold. For example, palladium is proposed as the outermost layer, and conductive powders have been proposed (see Patent Documents 1 to 3). However, it is difficult to say that the outermost layer has properties equivalent to those of the conductive particles which are gold-plated coatings.

일본 특허 공개 (평)11-134936호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 11-134936 일본 특허 공개 제2007-194210호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-194210 일본 특허 공개 제2004-238738호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-238738

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 금 도금층의 최외층을 가지는 도전성 분체와, 동등 또는 그 이상의 특성을 가지는 도전성 분체를 제공하는 것에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a conductive powder having the outermost layer of the above-mentioned gold plating layer and a conductive powder having the same or higher properties.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 팔라듐 또는 팔라듐 피막의 표면으로부터 돌출하고, 또한 상기 피막과 연속체로 되어있는 돌기부를 가지고, 상기 돌기부의 높이, 또한 그 개수 등, 돌기부의 특성을 특정 범위로 제조한 팔라듐 피복 입자를 이용하는 것, 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막으로서 실질적으로 인을 함유하지 않거나, 또는 인 함유량을 특정 범위 이하로 조정한 피막을 이용하는 것, 또한 도전성 분체로서 실질적으로 응집 입자가 존재하지 않는 도전성 분체를 제조함으로써 최외층이 금 도금 피막인 도전성 입자로 이루어지는 도전성 분체와, 동등 또는 그 이상의 우수한 도전성 및 전기 신뢰성을 가지는 것이 되는 것을 지견하였다.Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have conducted intensive studies and, as a result of intensive studies, have found that the present inventors have found that a film- A coating film prepared by using palladium-coated particles produced in a specific range, a coating film containing substantially no phosphorus or adjusting the content of phosphorus to a specific range or less as a palladium or palladium alloy coating film, It is found that the outermost layer is a conductive powder comprising conductive particles, which is a gold-plated coating, and has the same or superior electrical conductivity and electrical reliability.

본 발명은 상기 지견에 기초하여 이루어진 것이며, 코어재 입자의 표면에 니켈 또는 니켈 합금 피막이 형성된 니켈 피복 입자 표면에, 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막이 더 형성된 도전성 입자로 이루어지는 도전성 분체이며,The present invention is based on the above finding and is an electroconductive powder comprising conductive particles in which a nickel or nickel alloy coating is formed on the surface of core particles and further a coating of palladium or palladium alloy is formed on the surface of nickel-

상기 도전성 입자는 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막 표면으로부터 돌출하고, 또한 상기 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막과 연속체로 되어 있는, 높이가 50 nm 이상인 돌기부를 입자 1 개당 5 개 이상 가지고,Wherein the conductive particles have at least 5 protrusions each having a height of 50 nm or more and protruding from the surface of the palladium or palladium alloy coating film and continuing with the palladium or palladium alloy coating,

상기 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막중의 인 함유량이 3 중량% 이하이고,The content of phosphorus in the palladium or palladium alloy coating is 3 wt% or less,

상기 도전성 분체에서는, 상기 도전체 입자 중 일차 입자가 차지하는 비율이 도전성 분체의 중량에 대하여 85 중량% 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 분체를 제공하는 것이다.In the conductive powder, the proportion of the primary particles in the conductive particles is 85% by weight or more based on the weight of the conductive powder.

또한, 본 발명은 코어재 입자의 표면에, 니켈 또는 니켈 합금 피막이 형성되고, 상기 피막의 표면으로부터 돌출하고, 또한 상기 피막과 연속체로 되어 있는, 높이가 50 nm 이상인 돌기부를 입자 1 개당 5 개 이상 가지는 니켈 피복 입자를 분산체의 존재하에, 하기의 (D1) 내지 (D3) 중 어느 방법으로, 무전해 팔라듐 도금 처리하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조 방법을 제공하는 것이다.According to the present invention, there is also provided a method for manufacturing a core particle, comprising the steps of: forming a core material particle having a nickel or nickel alloy film on its surface and projecting from the surface of the core film and having a height of 50 nm or more, The present invention also provides a method for producing conductive particles characterized in that the nickel-coated particles are subjected to electroless palladium plating in the presence of a dispersion in any one of the following methods (D1) to (D3).

(D1) 순 팔라듐 도금욕으로 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D1) A method of reducing electroless palladium plating treatment with a pure palladium plating bath.

(D2) 환원제로서 차아인산 또는 그의 염을 이용하는 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리에서, 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비를 0.1 내지 100으로 하여 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D2) A method for reducing electroless palladium plating treatment wherein the molar ratio of the reducing agent to palladium ions is 0.1 to 100 in a reducing electroless palladium plating treatment using hypophosphoric acid or a salt thereof as a reducing agent.

(D3) 치환형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D3) substituted electroless palladium plating.

본 발명의 도전성 분체는 최외층으로서 금 도금 피막을 가지는 종래 기술의 도전성 입자로 이루어지는 도전성 분체와 동등하거나 또는 그 이상의 도전성과, 전기 신뢰성을 가지는 것이다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 이와 같은 도전성 분체를 용이하게 제조할 수 있다.The conductive powder of the present invention has a conductivity equal to or higher than that of the conductive powder comprising the conductive particles of the prior art having a gold plated film as the outermost layer and has electrical reliability. Further, according to the production method of the present invention, such conductive powder can be easily produced.

이하, 본 발명을 바람직한 실시 형태에 기초하여 설명한다. 본 발명의 도전성 분체는 코어재 입자의 표면에 니켈 또는 니켈 합금 피막(이하, 이들을 총칭하여 간단히 「니켈 피막」이라고 함)이 형성된 니켈 피막 입자 표면에, 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막(이하, 이들을 총칭하여 간단히 「팔라듐 피막」이라고 함)이 더 형성되어 이루어지는 것이다. 그리고, 본 발명의 도전성 분체는 팔라듐 피막의 표면으로부터 돌출된 돌기부를 다수 가지는 점에서 특징 중 하나를 가진다. 이하, 이 돌기부에 관하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described based on preferred embodiments. The conductive powder of the present invention can be produced by coating a nickel or nickel alloy film (hereinafter collectively referred to simply as a " nickel film ") on the surfaces of the core particles with a nickel film or a palladium or palladium alloy film Simply referred to as " palladium film ") is further formed. The conductive powder of the present invention has one of the features in that it has a plurality of protrusions protruding from the surface of the palladium coating. Hereinafter, the protrusion will be described.

본 발명에서, 도전성 입자에서의 개개의 돌기부는 팔라듐 피막과 연속체로 되어 있고, 돌기부의 최외층은 적어도 팔라듐 피막으로 구성되어 있다. 여기서 말하는 「연속체」란, 팔라듐 피막과 돌기부 사이에, 이음매 등의 일체감을 손상하는 것과 같은 부위가 존재하지 않는 것을 의미한다. 따라서, 예를 들면 코어재 입자상에 팔라듐 피막을 형성하고, 그 위에 돌기부 형성용 코어 입자를 부착시키고, 상기 코어 입자를 성장의 기점으로 하여 형성된 돌기부는 팔라듐 피막과 연속체로 되어 있지 않기 때문에, 본 발명에서 말하는 연속체에 포함되지 않는다. 돌기부가 팔라듐 피막과 연속체로 되어 있음으로써, 돌기부의 강도가 확보되기 때문에, 도전성 분체의 사용시에 압력이 가해져도 돌기부가 파손되기 어려워진다. 그 결과, 양호한 도전성을 얻을 수 있다.In the present invention, the individual protrusions in the conductive particles are continuous with the palladium coating, and the outermost layer of the protrusions is composed of at least a palladium coating. The term " continuum " as used herein means that there is no portion between the palladium coating and the protruding portion such as a joint which damages the sense of unity. Therefore, for example, since the protruding portion formed by forming the palladium coating on the core particle, adhering the core particle for forming the protrusion on the core particle, and the starting point of the growth of the core particle is not continuous with the palladium coating, Is not included in the continuum. Since the protrusions are continuous with the palladium coating, the strength of the protrusions is ensured, so that even when pressure is applied during use of the conductive powder, the protrusions are less prone to breakage. As a result, good conductivity can be obtained.

본 발명의 도전성 분체에서의 돌기부는 특정 이상의 높이를 가지는 것이 특정 범위에 존재하는 것도 특징 중 하나이다. 즉, 본 발명의 도전성 분체는 높이가 50 nm 이상의 돌기부를 입자 1 개당 5 개 이상 가지는 것이다. 높이가 5 nm 이상의 돌기부의 입자 1 개당 개수의 상한값은 1000 개 이하로 하는 것이 바람직하다. 그 이유는 돌기부가 너무 많으면, 돌기부와 돌기부의 간격이 좁아져서, 돌기로서의 효과가 저하될 가능성이 있기 때문이다. 특히, 높이가 50 nm 이상인 돌기부의 수가 입자 1 개당 5 내지 300 개이면, 도전성이 특히 우수한 것이 되는 점에서 바람직하다.The protrusions in the conductive powder of the present invention are characterized in that the protrusions having a specific height or more exist in a specific range. That is, the conductive powder of the present invention has five or more protrusions each having a height of 50 nm or more per one particle. The upper limit value of the number of protrusions having a height of 5 nm or more per one particle is preferably 1,000 or less. The reason is that if the protrusions are too large, the distance between the protrusions and the protrusions becomes narrow, and the effect of the protrusions may be deteriorated. Particularly, the number of protrusions having a height of 50 nm or more is preferably 5 to 300 per one particle, because the conductivity is particularly excellent.

높이가 50 nm 이상인 돌기부는 입자의 표면으로부터 대략 방사상으로 연장되는 가늘고 긴 돌기인 것이 바람직하다. 상기 돌기부는 그 종횡비가 바람직하게는 1.0 이상, 더욱 바람직하게는 1.1 이상인 것이 바람직하다. 그 이유는 본 발명의 도전성 분체를 이용하여 전극의 도통을 취하는 경우, 전극의 표면에는 얇은 산화 피막이 자연스럽게 형성되어 있거나, 또는 의도적으로 전극의 산화 피막을 형성하기도 하는 경우가 있는 바, 돌기부의 종횡비가 크면, 이 산화 피막을 용이하게 돌파할 수 있기 때문이라 생각된다. 또한, 도전성 분체를 이용하여 이방 도전 필름을 형성한 경우에는 돌기부의 종횡비가 크면, 수지 배제성이 높아지기 때문에, 도전성이 높아진다고 생각된다. 이와 같이, 돌기부의 종횡비를 1.0 이상으로 함으로써, 즉 돌기부의 형상을 가늘고 길게 함으로써, 도전성이 매우 높아지는 것이 본 발명자들의 검토 결과 판명되었다. 특히, 후술하는 실시예에서의 실시예 1 내지 7과, 실시예 8 내지 10의 대비로부터 분명한 바와 같이, 돌기부의 종횡비가 1.0 이상이면, 고온·고습하에 장기간 보존한 후의 도전성의 저하가 효과적으로 억제된다. 본 발명자들이 아는 한, 돌기부의 종횡비를 1 이상으로 하는 것은 용이하지 않다. 종래의 도전성 분체에서의 돌기부는 말하자면 땅딸막한 형상을 가지고 있다. 종횡비의 상한값은 돌기부에 압력이 가해졌을 때에 파손되기 쉬워지는 경향이 있으므로, 3.0 이하로 하는 것이 바람직하다. 이러한 종횡비가 큰 돌기부를 가지는 도전성 입자는 예를 들면 후술하는 방법에 의해 제조할 수 있다.The protrusions having a height of 50 nm or more are preferably elongated protrusions extending substantially radially from the surface of the particles. The protrusions preferably have an aspect ratio of 1.0 or more, more preferably 1.1 or more. The reason for this is that when the electrode is made conductive by using the conductive powder of the present invention, there is a case where a thin oxide film is naturally formed on the surface of the electrode, or an oxide film of the electrode is formed intentionally, , It is considered that this oxide film can break through easily. In addition, when the anisotropic conductive film is formed using the conductive powder, if the aspect ratio of the protruding portion is large, the resin excretability is high, and therefore, the conductivity is considered to be high. As described above, it has been found by the inventors of the present invention that the aspect ratio of the protruding portion is 1.0 or more, that is, the shape of the protruding portion is made elongated and the conductivity becomes very high. Particularly, as apparent from the comparison between Examples 1 to 7 and Examples 8 to 10 in Examples to be described later, when the aspect ratio of the protrusions is 1.0 or more, deterioration of conductivity after storage for a long time under high temperature and high humidity is effectively suppressed . As far as the present inventors know, it is not easy to set the aspect ratio of the protrusions to 1 or more. The protrusions in the conventional conductive powder have a stocky shape, so to speak. Since the upper limit value of the aspect ratio tends to be easily broken when pressure is applied to the protruding portion, it is preferable that the upper limit value is 3.0 or less. Conductive particles having protrusions having such a large aspect ratio can be produced by, for example, a method described later.

본 발명에서의 종횡비란, 돌기부의 높이 H와 돌기부의 기초부에서의 돌기부의 폭 D의 비, 즉 H/D로 정의되는 값이다. 이 정의로부터 분명한 바와 같이, 종횡비는 돌기부가 가늘고 길이가 김의 척도가 되는 것이고, 그 값이 클수록 돌기부가 가늘고 긴 형상을 하고 있는 것을 의미한다. 이 종횡비는 돌기부의 높이가 50 nm 이상인 돌기부의 평균값을 나타낸다.The aspect ratio in the present invention is a value defined by the ratio of the height H of the protrusion to the width D of the protrusion in the base of the protrusion, that is, H / D. As is clear from this definition, the aspect ratio means that the projecting portion is thin and the length is the measure of the steaming, and the larger the value, the thinner the projecting portion is. This aspect ratio represents an average value of protrusions having a protrusion height of 50 nm or more.

상술한 종횡비의 측정 방법은 다음과 같다. 전자 현미경에 의해 도전성 분체에서의 개개의 입자를 확대 관찰한다. 1 개의 입자에 관하여 적어도 1 개의 돌기부에 관해서, 그 기초부의 길이 D 및 높이 H를 측정한다. 이 경우, 관찰상에서 입자의 중앙에 존재하는 돌기부 보다도, 오히려 입자의 주변에 존재하는 돌기부를 측정 대상으로 하는 것이 치수가 정확한 측정의 관점에서 중요하다. 이러한 측정을 적어도 20 개의 상이한 입자를 대상으로 하여 행한다. 이렇게 하여 얻어진 복수의 종횡비의 데이터를 산술 평균하여, 그 값을 종횡비로 한다. 또한, 돌기부의 횡단면은 이방성이 작은 형상(예를 들면 거의 원형)을 하고 있기 때문에, 입자의 관찰 각도에 따라서 돌기부의 기초부의 길이 D의 값이 변해버릴 우려는 작다.The above-described aspect ratio measurement method is as follows. And enlarged and observed individual particles in the conductive powder by an electron microscope. With respect to at least one protrusion with respect to one particle, the length D and the height H of the base are measured. In this case, it is important from the viewpoint of accurate measurement that the protrusions existing in the periphery of the particle are to be measured rather than the protrusions present in the center of the particle on the observation. This measurement is performed on at least 20 different particles. The data of the plurality of aspect ratios thus obtained are arithmetically averaged, and the values are set as aspect ratios. Further, since the cross section of the projection has a small anisotropy shape (for example, almost circular shape), there is little possibility that the value of the length D of the base portion of the projection varies depending on the observation angle of the particle.

돌기부의 종횡비는 상술한 대로인 바, 상기 돌기부의 기초부의 길이 D 자체 및 돌기부의 높이 H 자체는 기초부의 길이 D에 대해서는 0.05 내지 0.5 μm, 특히 0.1 내지 0.4 μm인 것이 바람직하고, 높이 H 에 대해서는 0.05 내지 0.5 μm, 특히 0.1 내지 0.4 μm인 것이 바람직하다. 돌기부의 기초부의 길이 D 및 돌기부의 높이 H가 범위내이면, 도전성이 한층 더 향상된다.It is preferable that the aspect ratio of the protruding portion is as described above. The length D itself of the base portion of the protruding portion and the height H itself of the protruding portion are preferably 0.05 to 0.5 占 퐉, particularly 0.1 to 0.4 占 퐉 with respect to the length D of the base portion. 0.05 to 0.5 [mu] m, particularly preferably 0.1 to 0.4 [mu] m. When the length D of the base portion of the protrusion and the height H of the protrusion are within the range, the conductivity is further improved.

높이가 50 nm 이상인 돌기부는 입자 1 개당 상술한 수가 존재하면 좋고, 이와 같은 돌기부에 더하여, 도전성 입자중에 높이가 50 nm 이하인 돌기부가 존재하는 것은 본 발명에서 아무런 방해가 되지 않는다. 다만, 높이가 50 nm 이하인 돌기부가 다수 존재하면, 돌기부와 돌기부의 간격이 좁아져서, 돌기로서의 효과가 저하될 가능성이 있는 점에서, 종횡비가 상술한 범위를 만족시키는 돌기부의 비율은 전체 돌기부의 수에 대해 바람직하게는 40 % 이상, 더욱 바람직하게는 45 % 이상, 한층 더 바람직하게는 50 % 이상으로 한다.The protrusions having a height of 50 nm or more may have the above-mentioned number per particle. In addition to such protrusions, the presence of protrusions having a height of 50 nm or less in the conductive particles does not interfere with the present invention. However, if there are a plurality of protrusions having a height of 50 nm or less, the distance between the protrusions and the protrusions is narrowed, and the effect of the protrusions may be deteriorated. Therefore, the ratio of the protrusions having the aspect ratio satisfying the above- , Preferably not less than 40%, more preferably not less than 45%, still more preferably not less than 50%.

본 발명의 도전성 분체는 팔라듐 피막에 포함되는 인(P)의 함유량에 의해 특징지어진다. 상세하게는 본 발명자들의 검토 결과, 팔라듐 피막중에 인이 3 중량%보다 많이 함유되면, 도전성, 및 전기 신뢰성에 영향을 미치는 것이 판명되었다. 따라서, 본 발명에서는 팔라듐 피막중의 인 함유량을 3 중량% 이하, 바람직하게는 2 중량% 이하로 한다. 인 함유량의 하한값에 특별히 제한은 없고, 작으면 작을수록 바람직하다. 팔라듐 피막중의 인 함유량은 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정된다.The conductive powder of the present invention is characterized by the content of phosphorus (P) contained in the palladium coating. Specifically, as a result of a study conducted by the present inventors, it has been found that when the palladium film contains more than 3% by weight of phosphorus, it affects conductivity and electrical reliability. Therefore, in the present invention, the content of phosphorus in the palladium coating is 3 wt% or less, preferably 2 wt% or less. The lower limit value of the phosphorus content is not particularly limited, and a smaller value is more preferable. The phosphorus content in the palladium film is measured by the method described in the following Examples.

팔라듐 피막의 하측에 위치하는 니켈 피막에 관해서는 상기 피막중에 포함되는 인 함유량에 특별히 제한은 없다.The content of phosphorus contained in the coating film is not particularly limited as far as the nickel coating film located below the palladium coating film is concerned.

팔라듐 피막의 두께에 관해서는 이것이 너무 얇으면 도전성 분체가 충분한 도전성을 나타내기 어려워지고, 반대로 너무 두꺼우면 코어재 입자의 표면에서 박리되기 쉬워진다. 이들 관점으로부터, 돌기부가 존재하지 않는 부위에서의 팔라듐 피막의 두께는 5 내지 500 nm인 것이 바람직하고, 10 내지 300 nm인 것이 바람직하다.Regarding the thickness of the palladium coating, if it is too thin, the conductive powder tends not to exhibit sufficient conductivity. On the other hand, if it is too thick, it tends to peel off from the surface of the core particles. From these viewpoints, it is preferable that the thickness of the palladium coating at the portion where the protrusions do not exist is preferably 5 to 500 nm, more preferably 10 to 300 nm.

니켈 피막은 팔라듐 피막과 마찬가지로, 너무 얇으면 도전 성능이 불충분한 경우가 있고, 반대로 너무 두꺼우면 입자가 응집하기 쉬워지는 경향이 있으므로, 그 두께를 10 내지 300 nm, 특히 50 내지 250 nm로 하는 것이 바람직하다.As the nickel film is too thin, the conductive performance tends to be inadequate. On the other hand, when the nickel film is too thick, the particles tends to flocculate. Thus, the thickness of the nickel film is preferably 10 to 300 nm, more preferably 50 to 250 nm desirable.

도전성 입자에서의 팔라듐 피막의 두께 및 니켈 피막의 두께는 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정된다.The thickness of the palladium coating and the thickness of the nickel coating on the conductive particles were measured by the method described in the following Examples.

팔라듐 피막의 하측에 위치하는 니켈 피막은 코어재 입자의 표면을 피복하여 니켈 피복 입자를 형성하고 있다. 이 니켈 피복 입자는 코어재 입자를 무전해 니켈 도금 처리하고, 상기 코어재 입자의 표면에 니켈 피막을 형성함과 동시에 돌기부도 형성하는 것이 바람직하다. 이렇게 하여 형성된 돌기부는 한층 더 파손하기 어려워지기 때문이다. 이러한 관점에서, 본 발명의 도전성 분체에서는 개개의 입자에서의 돌기부는 니켈 또는 니켈 합금으로 이루어지는 돌기부 코어체와, 상기 코어체의 표면을 피복하는 팔라듐 또는 팔라듐 합금으로 이루어지는 돌기부 피복층으로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 돌기부가 이러한 구조인 경우, 돌기부 코어체는 팔라듐 피막의 하측에 위치하는 니켈 피막과 연속체로 되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 돌기부 피복층은 팔라듐 피막과 연속체로 되어 있는 것이 바람직하다.The nickel coating located on the lower side of the palladium coating covers the surface of the core material particles to form nickel coating particles. Preferably, the nickel-coated particles are subjected to electroless nickel plating treatment of the core material particles to form a nickel film on the surface of the core material particles and to form protrusions. This is because the protrusions thus formed are more difficult to break. From this point of view, in the conductive powder of the present invention, the protrusions in the individual particles are preferably composed of protruding portion cores made of nickel or a nickel alloy and protruded portion covering layers made of palladium or palladium alloy covering the surface of the core Do. When the projecting portion has such a structure, it is preferable that the projecting portion core body is a continuous body with the nickel coating located below the palladium coating. It is preferable that the protruding portion coating layer is continuous with the palladium coating.

상기 니켈 피막에 의해 피복되어 있는 코어재 입자로서는 후술하는 바와 같이 각종 재질로 이루어지는 것을 이용할 수 있다. 특히, 코어재 입자로서 수지 입자를 이용하면, 얻어지는 도전성 분체의 입도 분포가 샤프해지고, 또한 압축 회복 특성이 우수한 관점에서 특히 바람직하다.As the core material particles covered with the nickel coating, various materials may be used as described later. Particularly, when resin particles are used as the core material particles, the particle size distribution of the conductive powder to be obtained becomes sharp and the compression recovery property is excellent.

본 발명의 도전성 분체에서는 개개의 입자의 형상은 구형인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 입자의 형상이란, 돌기부를 제외한 입자의 형상인 것이다. 입자가 구형인 것과, 돌기부를 가지는 것에 기인하여, 본 발명의 도전성 분체는 그 도전성이 높은 것이 된다.In the conductive powder of the present invention, the shape of each particle is preferably spherical. The shape of the particles referred to herein is the shape of the particles excluding the projecting portion. The conductive powder of the present invention has high conductivity because of its spherical shape and its protruding portion.

또한, 본 발명의 도전성 분체는 앞서 진술한 돌기부의 개수와의 관계에서, 후술하는 콜터 카운터법에 의해 구해지는 평균 입경이 1 내지 50 μm, 특히 1 내지 40 μm, 그중에서도 특히 1.5 내지 30 μm인 도전성 입자로 구성되는 것이 바람직하다. 이 범위의 입경의 도전성 입자로 함으로써, 입자 1 개당 돌기부의 수와 돌기부의 밀도가 균형잡혀서, 도전성을 높이는 것이 용이해진다.In the conductive powder of the present invention, the conductive powder having an average particle diameter of 1 to 50 μm, particularly 1 to 40 μm, particularly 1.5 to 30 μm, determined by the Coulter counter method described below in relation to the number of the projections described above Particles. By making conductive particles having particle diameters in this range, the number of protrusions per one particle and the density of the protrusions are balanced, and it is easy to increase the conductivity.

도전성 입자는 그 입경이 작아지면 응집되기 쉬운 경향이 있다. 응집이 발생하면, 도전성 입자를 이용한 이방 도전 필름이 단락을 일으키기 쉽다는 문제점이 있다. 또한, 응집을 풀기 위해 분쇄 등의 처리를 실시하면, 팔라듐 피막 및/또는 니켈 피막이 박리되어 도전성 저하의 원인이 된다. 이러한 관점에서, 본 발명의 도전성 분체에서는 개개의 입자의 분산성을 높이는 것이 중요하다. 따라서, 본 발명의 도전성 분체에서는 도전성 입자 중, 일차 입자가 차지하는 비율이 도전성 분체의 중량에 대하여 85 중량% 이상, 바람직하게는 90 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 92 중량% 이상으로 되어 있다. 도전성 입자의 분산성을 높이기 위해서는 예를 들면 후술하는 방법에 따라서 도전성 입자를 제조하면 좋다. 일차 입자가 차지하는 비율은 다음 방법으로 측정된다. 도전성 분체 0.1 g을 100 mL의 물에 넣고 초음파 균질기로 1 분간 분산시킨다. 다음에, 콜터 카운터법으로 입도 분포를 측정한다. 그 결과로부터 일차 입자의 중량 비율을 산출한다.Conductive particles tend to flocculate when their particle diameters become smaller. If aggregation occurs, there is a problem that the anisotropic conductive film using conductive particles tends to cause a short circuit. In addition, when the treatment such as grinding is performed to solve the aggregation, the palladium coating and / or the nickel coating are peeled off, which causes the conductivity to deteriorate. From this point of view, in the conductive powder of the present invention, it is important to improve the dispersibility of individual particles. Therefore, in the conductive powder of the present invention, the proportion of the primary particles in the conductive particles is 85% by weight or more, preferably 90% by weight or more, more preferably 92% by weight or more based on the weight of the conductive powder. In order to enhance the dispersibility of the conductive particles, the conductive particles may be produced by, for example, a method described later. The ratio of primary particles is measured by the following method. 0.1 g of the conductive powder is added to 100 mL of water and dispersed for 1 minute in an ultrasonic homogenizer. Next, the particle size distribution is measured by a Coulter counter method. From the result, the weight ratio of the primary particles is calculated.

도전성 입자에서의 팔라듐 피막은 금속 팔라듐 또는 팔라듐 합금으로 구성되어 있다. 팔라듐 합금에는 예를 들면 팔라듐-인 합금이 포함된다. 팔라듐-인 합금은 후술하는 도전성 분체의 제조에서, 팔라듐의 환원제로서 차아인산나트륨을 이용한 경우에 발생하는 합금이다.The palladium film in the conductive particles is composed of a metal palladium or a palladium alloy. Palladium alloys include, for example, palladium-phosphorus alloys. Palladium-phosphorus alloy is an alloy which is generated when sodium hypophosphite is used as a reducing agent of palladium in the production of a conductive powder to be described later.

또한, 도전성 입자에서의 니켈 피막은 금속 니켈 또는 니켈 합금으로 구성되어 있다. 니켈 합금에는 예를 들면 니켈-인 합금이 포함된다. 니켈-인 합금도 후술하는 도전성 분체의 제조에서, 니켈의 환원제로서 차아인산나트륨을 이용한 경우에 발생하는 합금이다.Further, the nickel coating on the conductive particles is composed of metallic nickel or a nickel alloy. Nickel alloys include, for example, nickel-phosphorus alloys. The nickel-phosphorus alloy is an alloy which is generated when sodium hypophosphite is used as a reducing agent of nickel in the production of a conductive powder to be described later.

다음으로, 본 발명의 도전성 분체의 적합한 제조 방법에 관하여 설명한다. 본 제조 방법에서는 코어재 입자의 표면에, 니켈 또는 니켈 합금 피막이 형성되고, 상기 피막의 표면으로부터 돌출하고, 또한 상기 피막과 연속체로 되어 있는, 높이가 50 nm 이상인 돌기부를 입자 1 개당 5 개 이상 가지는 니켈 피복 입자(이하, 「니켈 피복 입자」라 간단히 칭함)를 분산제의 존재하에 하기의 (D1) 내지 (D3) 중 어느 방법으로, 무전해 팔라듐 도금 처리한다.Next, a suitable production method of the conductive powder of the present invention will be described. According to the present manufacturing method, a protruding portion having a height of 50 nm or more, which is formed on the surface of the core material particles and has a coating of nickel or nickel alloy and which protrudes from the surface of the coating and is continuous with the coating, Nickel-coated particles (hereinafter simply referred to as " nickel-coated particles ") are subjected to electroless palladium plating in any one of the following methods (D1) to (D3) in the presence of a dispersant.

(D1) 순 팔라듐 도금욕으로 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D1) A method of reducing electroless palladium plating treatment with a pure palladium plating bath.

(D2) 환원제로서 차아인산 또는 그의 염을 이용하는 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리에서, 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비를 0.1 내지 100으로 하여 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D2) A method for reducing electroless palladium plating treatment wherein the molar ratio of the reducing agent to palladium ions is 0.1 to 100 in a reducing electroless palladium plating treatment using hypophosphoric acid or a salt thereof as a reducing agent.

(D3) 치환형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D3) substituted electroless palladium plating.

니켈 피복 입자는 이하의 (b1) 및 (b2)의 2개 중 어느 방법으로 얻어지는 것이면, 돌기부의 강도가 강하여 도전성 분체의 사용시에 압력이 가해져도 돌기부가 파손되기 어려워지고, 그 결과 양호한 도전성을 얻을 수 있는 관점에서 바람직하다.If the nickel-coated particles are obtained by any one of the following two methods (b1) and (b2), the strength of the protrusions is so strong that the protrusions are unlikely to break even when pressure is applied during use of the conductive powder, It is preferable from the viewpoint of possibility.

(b1) 분산제 및 니켈 이온을 포함하는 무전해 니켈 도금욕과, 표면에 귀금속이 담지된 코어재 입자를 혼합하고, 상기 코어재 입자의 표면에 니켈 초기 박막층을 형성할 때에, 니켈 이온의 농도가 0.0001 내지 0.008 몰/리터로 조정된 상기 무전해 니켈 도금욕 1 리터에 대하여, 표면적의 총합이 1 내지 15 m2가 되는 것과 같은 양의 상기 코어재 입자를 이용하는 A1 공정과,(b1) an electroless nickel plating bath containing a dispersant and nickel ions, and a core material particle carrying noble metal on its surface, and forming a nickel initial thin film layer on the surface of the core material particle, An A1 step of using the core particles in an amount such that the sum of the surface areas is 1 to 15 m 2 per 1 liter of the electroless nickel plating bath adjusted to 0.0001 to 0.008 mol /

A1 공정에서 얻어진, 니켈 초기 박막층을 가지는 상기 코어재 입자 및 상기 분산제를 포함하는 수성 슬러리를, 상기 분산제의 분산 효과가 발현되는 pH 범위로 유지하면서, 상기 수성 슬러리에 1 시간당 니켈의 석출량이 25 내지 100 nm가 되는 양에 상당하는 양의 니켈 이온 및 환원제를 경시적으로 첨가하는 A2 공정을 가지는 방법(이하, 「b1의 제조법」이라 칭함).The aqueous slurry containing the core particles having the nickel initial thin film layer obtained in the step A1 and the aqueous slurry containing the dispersing agent is kept in the pH range in which the dispersing effect of the dispersing agent is exhibited, (Hereinafter referred to as " b1 production method ") in which an amount of nickel ions and an reducing agent are added with time in an amount equivalent to 100 nm.

(b2)(b2)

코어재 입자의 수성 슬러리를 분산제, 니켈염, 환원제, 착화제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕에 첨가하여, 무전해 니켈 도금 처리하는 B1 공정, 이어서 상기 무전해 니켈 도금욕에, 무전해 니켈 도금액의 구성 성분을 적어도 2 액으로 분리하고, 각각을 동시에 또한 경시적으로 첨가하는 무전해 니켈 도금 처리하는 B2 공정을 가지는 방법(이하, 「b2의 제조법」이라 칭함).A step B1 of adding an aqueous slurry of the core particles to an electroless nickel plating bath containing a dispersant, a nickel salt, a reducing agent, a complexing agent, and the like, followed by electroless nickel plating, and then, the electroless nickel plating bath was immersed in an electroless nickel plating solution (Hereinafter, referred to as " b2 production method ") in which at least two liquid components are separated, and each of them is simultaneously and agedly electroless nickel plated.

상기 b1 및 b2의 제조법에서 이용하는 코어재 입자의 형상은 목적으로 하는 도전성 입자의 형상에 큰 영향을 미친다. 앞서 진술한 바와 같이, 코어재 입자의 표면을 피복하는 니켈 피막의 두께 및 팔라듐 피막은 얇은 것이기 때문에, 코어재 입자의 형상이 대부분 그대로 도전성 입자의 형상에 반영된다. 도전성 입자가 구형인 것이 바람직한 것은 앞서 진술한 바와 같기 때문에, 코어재 입자의 형상도 구형인 것이 바람직하다.The shape of the core material particles used in the production methods of b1 and b2 has a great influence on the shape of the intended conductive particles. As described above, since the thickness of the nickel coating film covering the surface of the core material particles and the palladium coating are thin, the shape of the core material particles is mostly reflected in the shape of the conductive particles. Since the conductive particles are preferably spherical as described above, it is preferable that the shape of the core material particles is spherical.

코어재 입자가 구형인 경우, 코어재 입자의 입경은 목적으로 하는 도전성 입자의 입경에 큰 영향을 미친다. 앞서 진술한 바와 같이, 코어재 입자의 표면을 피복하는 니켈 피막 및 팔라듐 피막의 두께는 얇은 것이기 때문에, 코어재 입자의 입경이 대부분 도전성 입자의 입경에 반영된다. 이러한 관점에서 코어재 입자의 입경은 목적으로 하는 도전성 입자의 입경과 동일한 정도로 할 수 있다. 구체적으로는 콜터 카운터법에 의해 구해진 평균 입경이 1 내지 50 μm, 특히 1 내지 40 μm, 그중에서도 특히 1.5 내지 30.0 μm인 것이 바람직하다.When the core particles are spherical, the particle size of the core particles greatly affects the particle diameter of the intended conductive particles. As described above, since the thicknesses of the nickel coating and the palladium coating covering the surface of the core material particles are thin, the particle size of the core material particles is mostly reflected in the particle diameter of the conductive particles. From this viewpoint, the particle size of the core particles can be made to be the same as the particle size of the intended conductive particles. Specifically, the average particle size determined by the Coulter counter method is preferably 1 to 50 μm, particularly 1 to 40 μm, particularly preferably 1.5 to 30.0 μm.

상술한 방법에 의해 측정된 코어재 분체의 입도 분포에는 폭이 있다. 일반적으로, 분체의 입도 분포의 폭은 하기 계산식 1로 표시되는 변동 계수에 의해 나타낸다.The particle size distribution of the core material powder measured by the above method is wide. Generally, the width of the particle size distribution of the powder is represented by the coefficient of variation represented by the following expression (1).

<계산식 1><Formula 1>

변동 계수(%)=(표준 편차/평균 입경)×100Coefficient of variation (%) = (standard deviation / average particle diameter) x 100

변동 계수가 큰 것은 분포에 폭이 있는 것을 나타내고, 한편 변동 계수가 작은 것은 입도 분포가 샤프한 것을 나타낸다. 본 발명에서는 코어재 입자로서 이 변동 계수가 30 % 이하, 특히 20 % 이하, 그중에서도 특히 10 % 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는 본 발명의 도전성 입자를 이방 도전 필름중의 도전 입자로서 이용한 경우에, 접속에 유효한 기여 비율이 높아진다는 이점이 있기 때문이다.A larger coefficient of variation indicates that the distribution has a width, while a smaller coefficient of variation indicates that the particle size distribution is sharp. In the present invention, it is preferable to use this core particle having a coefficient of variation of 30% or less, particularly 20% or less, and particularly 10% or less. This is because, when the conductive particles of the present invention are used as the conductive particles in the anisotropic conductive film, there is an advantage that the effective contribution ratio to the connection is increased.

코어재 입자의 구체예로서는 무기물로서, 금속(합금도 포함함), 유리, 세라믹, 실리카, 카본, 금속 또는 비금속의 산화물(함수물도 포함함), 알루미노 규산염을 포함하는 금속 규산염, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 탄산염, 금속 황산염, 금속 인산염, 금속 황화물, 금속산염, 금속 할로겐화물 및 탄소 등을 들 수 있다. 유기물로서는, 천연 섬유, 천연 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리부텐, 폴리아미드, 폴리아크릴산에스테르, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아세탈, 아이오노머, 폴리에스테르 등의 열가소성 수지, 알키드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 멜라민 수지, 크실렌 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 디알릴프탈레이트 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도 사용할 수도 있고, 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수도 있다.Specific examples of the core particles include an oxide (including hydrous) of a metal (including an alloy), glass, ceramics, silica, carbon, a metal or a nonmetal, a metal silicate including an aluminosilicate, Nitrides, metal carbonates, metal sulfates, metal phosphates, metal sulfides, metal halides, metal halides and carbon. Examples of the organic material include natural fibers, natural resins, thermoplastic resins such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polybutene, polyamide, polyacrylic acid ester, polyacrylonitrile, polyacetal, ionomer and polyester, , Phenol resin, urea resin, melamine resin, benzoguanamine resin, melamine resin, xylene resin, silicone resin, epoxy resin or diallyl phthalate resin. These may be used alone or as a mixture of two or more.

또한, 코어재 입자의 그 밖의 물성은 특별히 제한되는 것이 아니지만, 코어재 입자가 수지 입자인 경우는 하기 계산식 2로 정의되는 K의 값이 20 ℃에서 10 kgf/mm2 내지 10000 kgf/mm2의 범위이고, 또한 10 % 압축 변형 후의 회복률이 20 ℃에서 1 % 내지 100 %의 범위인 것이 바람직하다. 이들 물성값을 만족시킴으로써, 전극끼리를 압착시킬 때에 전극을 손상시키지 않고서, 전극과 충분히 접촉시킬 수 있기 때문이다.Further, the other physical properties of the core particles are not particularly limited, but when the core particles are resin particles, the K value defined by the following formula 2 is preferably 10 kgf / mm 2 to 10000 kgf / mm 2 , And the recovery rate after 10% compression deformation is preferably in the range of 1% to 100% at 20 캜. By satisfying these physical property values, it is possible to sufficiently bring the electrodes into contact with each other without damaging the electrodes when the electrodes are pressed against each other.

<계산식 2><Formula 2>

Figure pat00001
Figure pat00001

계산식 2로 표시되는 F 및 S는 미세 압축 시험기 MCTM-500((주) 시마즈 세이사꾸쇼 제조)으로 측정했을 때의, 각각 상기 미세 구체의 10 % 압축 변형에서의 하중값(kgf) 및 압축 변위(mm)이고, R은 상기 미세 구체의 반경(mm)이다.F and S denoted by the formula 2 are the load value (kgf) at 10% compressive strain of the microspheres and the compressive displacement (kgf) when measured with a micro compression tester MCTM-500 (manufactured by Shimadzu Corporation) (mm), and R is the radius (mm) of the microspheres.

코어재 입자는 그 표면이 귀금속 이온의 포착능을 가지거나, 또는 귀금속 이온의 포착능을 가지도록 표면 개질되는 것이 바람직하다. 귀금속 이온은 팔라듐이나 은의 이온인 것이 바람직하다. 귀금속 이온의 포착능을 가진다는 것은 귀금속 이온을 킬레이트 또는 염으로서 포착할 수 있는 것을 말한다. 예를 들면 코어재 입자의 표면에, 아미노기, 이미노기, 아미드기, 이미드기, 시아노기, 수산기, 니트릴기, 카르복실기 등이 존재하는 경우에는, 상기 코어재 입자의 표면은 귀금속 이온의 포착능을 가진다. 귀금속 이온의 포착능을 가지도록 표면 개질하는 경우에는, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)61-64882호 공보에 기재된 방법을 이용할 수 있다.It is preferable that the surface of the core particle is surface-modified so as to have a trapping ability of a noble metal ion or a trapping ability of a noble metal ion. The noble metal ions are preferably palladium or silver ions. The ability to trap noble metal ions means that noble metal ions can be captured as chelates or salts. For example, when an amino group, an imino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a hydroxyl group, a nitrile group or a carboxyl group is present on the surface of the core material particles, the surface of the core material particles has a capping ability I have. When the surface is modified to have a trapping ability of a noble metal ion, for example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-64882 can be used.

이러한 코어재 입자를 이용하여, 그 표면에 귀금속을 담지시킨다. 구체적으로는 코어재 입자를 염화팔라듐이나 질산은과 같은 귀금속염이 희박한 산성 수용액에 분산시킨다. 이것에 의해 귀금속 이온을 입자의 표면에 포착시킨다. 귀금속염의 농도는 입자의 표면적 1 m2당 1×10-7 내지 1×10-2 몰의 범위로 충분하다. 귀금속 이온이 포착된 코어재 입자는 계에서 분리되어 수세된다. 계속해서, 코어재 입자를 물에 현탁시키고, 이것에 환원제를 가하여 귀금속 이온의 환원 처리를 행한다. 이것에 의해 코어재 입자의 표면에 귀금속을 담지시킨다. 환원제로서는, 예를 들면 차아인산나트륨, 수산화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 디메틸아민보란, 히드라진, 포르말린 등이 이용된다.By using such core particles, a noble metal is carried on the surface thereof. Specifically, the core material particles are dispersed in an acidic aqueous solution in which a noble metal salt such as palladium chloride or silver nitrate is lean. This allows noble metal ions to be trapped on the surface of the particles. The concentration of the noble metal salt in the range of 1 x 10 -7 to 1 x 10 -2 moles per m 2 of the surface area of the particles is sufficient. The core particles in which noble metal ions are trapped are separated from the system and washed with water. Subsequently, the core material particles are suspended in water, and a reducing agent is added thereto to perform reduction treatment of noble metal ions. Whereby the noble metal is carried on the surface of the core material particles. As the reducing agent, for example, sodium hypophosphite, sodium borohydride, potassium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine, and formalin are used.

귀금속 이온을 코어재 입자의 표면에 포착시키기 전에, 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 실시할 수 있다. 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키는데는 예를 들면 표면 개질 처리된 코어재 입자를 염화 제1 주석의 수용액에 투입하여 소정 시간 교반하면 좋다.Before the noble metal ions are trapped on the surface of the core particles, a sensitization treatment may be performed in which tin ions are adsorbed on the surface of the particles. In order to adsorb tin ions to the surfaces of the particles, for example, the surface-modified core particles may be put into an aqueous solution of tin chloride and stirred for a predetermined time.

이하, 상기 b1의 제조 방법에 관하여 더욱 자세하게 설명한다. 본 제조 방법은 (1) 코어재 입자의 표면에 니켈 초기 박막층을 형성하는 A1 공정과, (2) A1 공정에서 얻어진 입자를 원료로서 이용하여, 목적으로 하는 도전성 입자를 형성하는 A2 공정의 2 공정으로 대별된다. 이하, 각각의 공정에 관하여 설명한다.Hereinafter, the production method of the above-mentioned b1 will be described in more detail. The present manufacturing method includes (1) an A1 step of forming a nickel initial thin film layer on the surface of the core material particles, and (2) a step A2 of forming an objective conductive particle by using the particles obtained in the A1 step as a raw material . Hereinafter, each step will be described.

A1 공정에서는 분산제 및 니켈 이온을 포함하는 무전해 니켈 도금욕과, 표면에 귀금속이 담지된 코어재 입자를 혼합하여, 코어재 입자의 표면에 니켈 초기 박막층을 형성한다.In the step A1, an electroless nickel plating bath containing a dispersant and nickel ions and a core material particle bearing noble metal on its surface are mixed to form a nickel initial thin film layer on the surface of the core material particles.

상술한 코어재 입자를, 분산제 및 니켈 이온을 포함하는 무전해 니켈 도금욕과 혼합한다. 무전해 니켈 도금욕은 물을 매체로 하는 용액이고, 이것에 포함되는 분산제로서는 예를 들면 비이온 계면 활성제, 양성 이온 계면 활성제 및/또는 수용성 고분자를 들 수 있다. 비이온 계면 활성제로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 등의 폴리옥시알킬렌에테르계의 계면 활성제를 이용할 수 있다. 양성 이온 계면 활성제로서는 알킬디메틸아세트산베타인, 알킬디메틸카르복시메틸아세트산베타인, 알킬디메틸아미노아세트산베타인 등의 베타인계의 계면 활성제를 이용할 수 있다. 수용성 고분자로서는 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리디논, 히드록시에틸셀룰로오스 등을 이용할 수 있다. 분산제의 사용량은 그 종류에도 의존하지만, 일반적으로 액체(무전해 니켈 도금욕)의 부피에 대하여 0.5 내지 30 g/L이다. 특히, 분산제의 사용량이 액체(무전해 니켈 도금욕)의 부피에 대하여 1 내지 10 g/L의 범위이면, 니켈 피막의 밀착성이 향상되는 관점에서 바람직하다.The core particles described above are mixed with an electroless nickel plating bath containing a dispersant and nickel ions. The electroless nickel plating bath is a solution containing water as a medium. Examples of the dispersing agent include nonionic surfactants, amphoteric surfactants and / or water-soluble polymers. As the nonionic surfactant, polyoxyalkylene ether surfactants such as polyethylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether can be used. Examples of the amphoteric surfactant include betaine surfactants such as alkyldimethyl acetate betaine, alkyldimethylcarboxymethylacetate betaine, and alkyldimethylaminoacetic acid betaine. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidinone, hydroxyethyl cellulose and the like can be used. The amount of the dispersing agent to be used depends on the kind thereof, but is generally 0.5 to 30 g / L based on the volume of the liquid (electroless nickel plating bath). Particularly, when the amount of the dispersing agent used is in the range of 1 to 10 g / L with respect to the volume of the liquid (electroless nickel plating bath), it is preferable from the viewpoint of improving the adhesion of the nickel coating.

무전해 니켈 도금욕에 포함되는 니켈 이온은 그의 니켈원으로서 수용성 니켈염이 이용된다. 수용성 니켈염으로서는 황산 니켈이나, 염화니켈을 이용할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 무전해 니켈 도금욕에 포함되는 니켈 이온의 농도는 0.0001 내지 0.008 몰/리터, 특히 0.0001 내지 0.005 몰/리터인 것이 바람직하다.The nickel ion contained in the electroless nickel plating bath uses a water-soluble nickel salt as its nickel source. As the water-soluble nickel salt, nickel sulfate or nickel chloride can be used, but it is not limited thereto. The concentration of nickel ions contained in the electroless nickel plating bath is preferably 0.0001 to 0.008 mol / liter, particularly 0.0001 to 0.005 mol / liter.

무전해 니켈 도금욕에는 상술한 성분 외에 환원제를 함유시킬 수 있다. 환원제로서는 앞서 진술한 귀금속 이온의 환원에 이용되고 있는 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 무전해 니켈 도금욕에서의 환원제의 농도는 4×10-4 내지 2.0 몰/리터, 특히 2.0×10-3 내지 0.2 몰/리터인 것이 바람직하다.The electroless nickel plating bath may contain a reducing agent in addition to the above-mentioned components. As the reducing agent, the same one as used for the reduction of the noble metal ions described above can be used. The concentration of the reducing agent in the electroless nickel plating bath is preferably 4 × 10 -4 to 2.0 mol / liter, particularly preferably 2.0 × 10 -3 to 0.2 mol / liter.

무전해 니켈 도금욕에는 착화제를 더 함유시켜 놓을 수 있다. 착화제를 함유시킴으로써 도금액의 분해가 억제된다는 유리한 효과가 나타난다. 착화제로서는 유기 카르복실산 또는 그의 염, 예를 들면 시트르산, 히드록시아세트산, 타르타르산, 사과산, 락트산 또는 글루콘산 또는 그의 알칼리 금속염이나 암모늄염을 들 수 있다. 이들 착화제는 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 무전해 니켈 도금욕에서의 착화제의 농도는 0.005 내지 6 몰/리터, 특히 0.01 내지 3 몰/리터인 것이 바람직하다.The electroless nickel plating bath may further contain a complexing agent. The advantageous effect that the decomposition of the plating liquid is suppressed by containing the complexing agent appears. Examples of the complexing agent include an organic carboxylic acid or a salt thereof, such as citric acid, hydroxyacetic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid or gluconic acid or an alkali metal salt or ammonium salt thereof. These complexing agents may be used alone or in combination of two or more. The concentration of the complexing agent in the electroless nickel plating bath is preferably 0.005 to 6 mol / liter, particularly 0.01 to 3 mol / liter.

전처리가 실시된 코어재 입자와 무전해 니켈 도금욕을 혼합하는 방법에 특별히 제한은 없다. 예를 들면 무전해 니켈 도금욕을 니켈 이온의 환원이 가능한 온도로 가열해 놓고, 그 상태하에 전처리가 실시된 코어재 입자를 무전해 니켈 도금욕 중에 투입할 수 있다. 이 조작에 의해, 니켈 이온이 환원되고, 환원에 의해 발생한 니켈이 코어재 입자의 표면에 초기 박막층을 형성한다. 초기 박막층은 그 두께가 0.1 내지 10 nm, 특히 0.1 내지 5 nm가 되도록 형성되는 것이 바람직하다. 이 시점에는 돌기부는 아직 형성되어 있지 않다.There is no particular limitation on the method of mixing the pretreated core particles and the electroless nickel plating bath. For example, the electroless nickel plating bath may be heated to a temperature at which the nickel ion can be reduced, and the pre-treated core particles may be introduced into the electroless nickel plating bath under the condition. By this operation, nickel ions are reduced, and nickel generated by the reduction forms an initial thin film layer on the surface of the core material particles. The initial thin film layer is preferably formed to have a thickness of 0.1 to 10 nm, particularly 0.1 to 5 nm. At this point, protrusions are not yet formed.

A1 공정에서 중요한 점은 무전해 니켈 도금욕 중에 포함되는 니켈 이온의 양과, 투입하는 코어재 입자의 양의 관계이다. 구체적으로는 니켈 이온의 농도가 0.0001 내지 0.008 몰/리터, 바람직하게는 0.0001 내지 0.005 몰/리터로 조정된 무전해 니켈 도금욕 1 리터에 대하여, 표면적의 총합이 1 내지 15 m2, 바람직하게는 2 내지 8 m2가 되는 것과 같은 양의 코어재 입자를 이용한다. 이것에 의해, 상술한 두께를 가지는 초기 박막층을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 니켈 이온의 양과 코어재 입자의 양의 관계를 상술한 바와 같이 함으로써, 초기 박막층이 형성된 코어재 입자끼리의 응집을 효과적으로 방지할 수 있다. 이것은 코어재 입자의 입경이 작은 경우, 예를 들면 입경이 3 μm 이하인 경우에 특히 유효하다.An important point in the A1 process is the relationship between the amount of nickel ions contained in the electroless nickel plating bath and the amount of core particles injected. Concretely, the total sum of the surface areas is 1 to 15 m 2 , preferably 1 to 10 m 2 per 1 liter of the electroless nickel plating bath whose nickel ion concentration is adjusted to 0.0001 to 0.008 mol / liter, preferably 0.0001 to 0.005 mol / 2 uses the amount of the core particles as it is a 2 to 8 m. Thus, the initial thin film layer having the above-mentioned thickness can be easily formed. Furthermore, by making the relationship between the amount of nickel ions and the amount of core particles as described above, it is possible to effectively prevent aggregation of core particles in which the initial thin film layer is formed. This is particularly effective when the particle size of the core particles is small, for example, when the particle size is 3 μm or less.

니켈 이온의 환원이 완료되면, 이어서 A2 공정을 행한다. A2 공정은 A1 공정에 계속해서 행하고, A1 공정에서 얻어진 니켈 초기 박막층을 가지는 코어재 입자를 액체로부터 분리하는 등의 조작은 행하지 않는다. 따라서, 니켈 초기 박막층을 가지는 코어재 입자를 포함하는 수성 슬러리 중에는 A1 공정에서 첨가한 분산제가 잔존한다. A2 공정에서는 A1 공정에서 얻어진 니켈 초기 박막층을 가지는 코어재 입자 및 A1 공정에서 이용한 분산제를 포함하는 수성 슬러리에, 니켈 이온 및 환원제를 경시적으로 첨가한다. 「경시적으로 첨가」란, 니켈 이온 및 환원제를 일괄하여 첨가하는 것을 제외하는 취지이고, 어떤 일정한 시간에 걸쳐 니켈 이온 및 환원제를 연속적으로 또는 단속적으로 첨가하는 것을 의도한다. 이 경우, 니켈 이온 및 환원제의 첨가 타이밍은 완전히 일치할 수도 있고, 또는 니켈 이온의 첨가가 선행되고, 환원제의 첨가가 그것에 이어질 수도 있다. 그 반대일 수도 있다. 또한, 첨가의 종점에서는 니켈 이온의 첨가의 종료가 선행되고, 환원제의 첨가의 종료가 그것에 이어질 수도 있다. 그 반대일 수도 있다.When the reduction of nickel ions is completed, the A2 step is performed. The step A2 is continued to the step A1, and the operation such as separating the core material particles having the nickel initial thin film layer obtained in the step A1 from the liquid is not performed. Therefore, the dispersant added in the Al process remains in the aqueous slurry containing the core material particles having the nickel initial thin film layer. In the step A2, nickel ions and a reducing agent are added over time to the aqueous slurry containing the core material particles having the nickel initial thin film layer obtained in the step A1 and the dispersant used in the step A1. The term &quot; addition over time &quot; is intended to exclude adding nickel ions and a reducing agent at a time, and it is intended to add nickel ions and a reducing agent continuously or intermittently over a certain period of time. In this case, the addition timing of the nickel ion and the reducing agent may be completely matched, or the addition of the nickel ion may be preceded, and the addition of the reducing agent may be followed. It could be the opposite. Further, at the end of the addition, the addition of the nickel ion may precede the addition, and the addition of the reducing agent may be followed by the addition. It could be the opposite.

A2 공정에서 이용하는 니켈 이온의 니켈원으로서는 A1 공정에서 이용한 니켈원과 동일한 것을 이용할 수 있다. 환원제에 관해서도 동일하다.As the nickel source of the nickel ion used in the step A2, the same nickel sources as those used in the A1 process can be used. The same is true for the reducing agent.

A2 공정에서는 니켈 이온의 환원에 의해, 우선 액 중에 미소한 니켈의 핵 입자를 생성시키고, 그 핵 입자를 공정에서 얻어진 니켈 초기 박막층을 가지는 코어재 입자의 표면에 부착시키고, 부착된 핵 입자를 기점으로 하여 이것을 성장시켜서, 니켈로 이루어지는 돌기부 코어체를 형성한다. 이 방법을 채용함으로써, 입자끼리의 응집을 효과적으로 방지할 수 있고, 또한 높이가 50 nm 이상에서 종횡비가 1 이상인 돌기부를 용이하게 형성할 수 있다.In the step A2, nickel particles of minute nickel are first produced in the solution by the reduction of nickel ions, the nuclear particles are adhered to the surface of the core material particles having the nickel initial thin film layer obtained in the process, And this is grown to form a protruding core body made of nickel. By employing this method, aggregation of particles can be effectively prevented, and protrusions having an aspect ratio of 1 or more at a height of 50 nm or more can be easily formed.

A2 공정에서의 니켈 이온의 환원에서는 수성 슬러리를, A1 공정에서 첨가한 분산제(이 분산제는 A2 공정에서도 잔존함)의 분산 효과가 발현되는 pH 범위로 유지하는 것이 중요하다. 이것에 의해, 입자끼리의 응집을 효과적으로 방지할 수 있다. pH의 조정에는 수성 슬러리의 pH를 감시하면서 각종 무기산 등의 산 또는 수산화나트륨 등의 알칼리를 수성 슬러리에 첨가하면 좋다. pH의 조정 범위는 사용하는 분산제에 따라서 적절한 값을 채용하면 좋다. 분산제로서 예를 들면 비이온 계면 활성제를 이용하는 경우에는 수성 슬러리의 pH를 5 내지 10의 범위로 유지하는 것이 바람직하다. 분산제로서 양성 이온 계면 활성제를 이용하는 경우에는 수성 슬러리의 pH를 5 내지 8의 범위로 유지하는 것이 바람직하다. 분산제로서 수용성 고분자를 이용하는 경우에도, 수성 슬러리의 pH를 5 내지 8의 범위로 유지하는 것이 바람직하다.In the reduction of the nickel ion in the step A2, it is important to maintain the aqueous slurry in a pH range in which the dispersing effect of the dispersing agent added in the step A1 (the dispersing agent remains in the step A2) is exhibited. Thus, aggregation of the particles can be effectively prevented. To adjust the pH, an acid such as various inorganic acids or an alkali such as sodium hydroxide may be added to the aqueous slurry while monitoring the pH of the aqueous slurry. The adjustment range of the pH may be appropriately selected depending on the dispersing agent to be used. When a nonionic surfactant is used as the dispersant, for example, the pH of the aqueous slurry is preferably maintained in the range of 5 to 10. When a positive ion surfactant is used as the dispersing agent, it is preferable to maintain the pH of the aqueous slurry in the range of 5 to 8. [ Even when a water-soluble polymer is used as the dispersing agent, it is preferable to maintain the pH of the aqueous slurry in the range of 5 to 8. [

A2 공정에서의 니켈 이온의 환원에서는 수성 슬러리에 첨가하는 니켈 이온의 양 및 환원제의 양도 중요하다. 이것에 의해, 종횡비가 높은 돌기부 코어체를 시종 잘 형성하는 것이 가능해진다. 구체적인 조건으로서는 수성 슬러리에 1 시간 당 니켈의 석출량이 25 내지 100 nm, 바람직하게는 40 내지 60 nm가 되는 양에 상당하는 양의 니켈 이온 및 환원제를 경시적으로 첨가한다. 이러한 첨가의 조건을 채용함으로써, 니켈의 석출이 초기 박막층보다도 핵 입자에서 우선적으로 발생하게 되어, 종횡비가 높은 돌기부 코어체가 용이하게 형성된다.In the reduction of the nickel ion in the step A2, the amount of nickel ion added to the aqueous slurry and the amount of the reducing agent are also important. As a result, it is possible to form the projecting portion cores with high aspect ratios well. As concrete conditions, an amount of nickel ion and a reducing agent are added to the aqueous slurry in an amount corresponding to the amount of nickel precipitation of 25 to 100 nm, preferably 40 to 60 nm per hour, over time. By adopting such a condition of addition, nickel precipitation occurs more preferentially in the core particle than in the initial thin film layer, and the projected core having a high aspect ratio is easily formed.

니켈 이온 및 환원제의 첨가에서는 수성 슬러리를 소정 온도로 가열하여, 환원제에 의한 니켈 이온의 환원이 원활하게 진행되도록 할 수 있다. 니켈 이온 및 환원제의 첨가에서는 수성 슬러리를 교반해 놓고, 환원된 니켈의 부착이 균일하게 발생하도록 할 수 있다. 이렇게 하여, 목적으로 하는 니켈 피복 입자가 얻어진다.In the addition of the nickel ion and the reducing agent, the aqueous slurry may be heated to a predetermined temperature so that the reduction of the nickel ion by the reducing agent proceeds smoothly. In the addition of the nickel ion and the reducing agent, the aqueous slurry may be stirred so that the reduced nickel is uniformly adhered. Thus, the intended nickel-coated particles are obtained.

다음으로, 상기 b2의 제조 방법에 관하여 상세하게 설명한다. 본 제조 방법에서의 B1 공정은 코어재 입자의 수성 슬러리와, 분산제, 니켈염, 환원제 및 착화제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕을 혼합하는 무전해 니켈 도금 공정이다. 이러한 B1 공정에서는 코어재 입자상에의 니켈 피막의 형성과 동시에, 도금욕의 자기 분해가 발생한다. 이 자기 분해는 코어재 입자의 근방에서 발생하기 때문에, 니켈 피막의 형성시에 자기 분해물이 코어재 입자 표면상에 포착됨으로써, 미소 돌기의 핵이 생성되고, 그와 동시에 니켈 피막의 형성이 이루어진다. 생성된 미소 돌기의 핵을 기점으로 하여 돌기부 코어체가 성장한다.Next, the production method of the above-mentioned b2 will be described in detail. Step B1 in this manufacturing method is an electroless nickel plating process in which an aqueous slurry of core particles and an electroless nickel plating bath including a dispersant, a nickel salt, a reducing agent, and a complexing agent are mixed. In this B1 step, the nickel plating film is formed on the core particles, and the plating bath self-decomposes. Since the magnetorolysis occurs in the vicinity of the core particles, the magnetostriction is trapped on the surface of the core material particles at the time of formation of the nickel coating, so that nuclei of the fine protrusions are formed, and at the same time, the nickel coating is formed. And the protruding core body is grown starting from the nucleus of the generated fine protrusions.

B1 공정에서는 상술한 코어재 입자를 바람직하게는 1 내지 500 g/L, 더욱 바람직하게는 5 내지 300 g/L의 범위에서 물에 충분히 분산시켜서, 수성 슬러리를 제조한다. 분산 조작은 통상적으로 교반, 고속 교반 또는 콜로이드 밀 또는 균질기와 같은 전단 분산 장치를 이용하여 행할 수 있다. 또한, 분산 조작에 초음파를 병용해도 상관 없다. 필요에 따라서, 분산 조작에서는 계면 활성제 등의 분산제를 첨가하는 경우도 있다. 이어서, 니켈염, 환원제, 착화제 및 각종 첨가제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕에, 분산 조작을 행한 코어재 입자의 수성 슬러리를 첨가하여, 무전해 도금 B1 공정을 행한다.In the step B1, an aqueous slurry is prepared by thoroughly dispersing the core particles mentioned above in water preferably in the range of 1 to 500 g / L, more preferably 5 to 300 g / L. The dispersion operation can be usually carried out using a shear dispersion apparatus such as stirring, high-speed stirring or a colloid mill or a homogenizer. Ultrasonic waves may also be used in combination for the dispersion operation. If necessary, a dispersing agent such as a surfactant may be added in the dispersing operation. Then, an electroless plating B1 step is carried out by adding an aqueous slurry of the core particles subjected to the dispersion operation to an electroless nickel plating bath containing a nickel salt, a reducing agent, a complexing agent and various additives.

상술한 분산제로서는 예를 들면 비이온 계면 활성제, 양성 이온 계면 활성제 및/또는 수용성 고분자를 들 수 있다. 비이온 계면 활성제로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 등의 폴리옥시알킬렌에테르계의 계면 활성제를 이용할 수 있다. 양성 이온 계면 활성제로서는 알킬디메틸아세트산베타인, 알킬디메틸카르복시메틸아세트산베타인, 알킬디메틸아미노아세트산베타인 등의 베타인계 계면 활성제를 이용할 수 있다. 수용성 고분자로서는 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리디논, 히드록시에틸셀룰로오스 등을 이용할 수 있다. 이들 분산제는 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 분산제의 사용량은 그 종류에도 의존하지만, 일반적으로 액체(무전해 니켈 도금욕)의 부피에 대하여 0.5 내지 30 g/L이다. 특히, 분산제의 사용량이 액체(무전해 이차 도금욕)의 부피에 대하여 1 내지 10 g/L의 범위이면, 니켈 피막의 밀착성이 한층 더 향상되는 관점에서 바람직하다.Examples of the above-mentioned dispersant include nonionic surfactants, amphoteric surfactants and / or water-soluble polymers. As the nonionic surfactant, polyoxyalkylene ether surfactants such as polyethylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether can be used. Examples of the amphoteric surfactant include betaine surfactants such as alkyldimethyl acetate betaine, alkyldimethylcarboxymethylacetate betaine, and alkyldimethylaminoacetic acid betaine. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidinone, hydroxyethyl cellulose and the like can be used. These dispersants may be used alone or in combination of two or more. The amount of the dispersing agent to be used depends on the kind thereof, but is generally 0.5 to 30 g / L based on the volume of the liquid (electroless nickel plating bath). Particularly, when the amount of the dispersing agent used is in the range of 1 to 10 g / L with respect to the volume of the liquid (electroless secondary plating bath), it is preferable from the viewpoint of further improving the adhesion of the nickel coating.

니켈염으로서는 예를 들면 염화니켈, 황산 니켈 또는 아세트산니켈 등이 이용되고, 그 농도는 0.1 내지 50 g/L의 범위로 하는 것이 바람직하다. 환원제로서는 예를 들면 차아인산나트륨, 디메틸아미노보란, 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨 또는 히드라진 등이 이용되고, 그 농도는 0.1 내지 50 g/L의 범위인 것이 바람직하다. 착화제로서는 예를 들면 시트르산, 히드록시아세트산, 타르타르산, 사과산, 락트산, 글루콘산 또는 그의 알칼리 금속염이나 암모늄 등의 카르복실산(염), 글리신 등의 아미노산, 에틸렌디아민, 알킬아민 등의 아민산, 그 외의 암모늄, EDTA 또는 피롤린산(염) 등, 니켈 이온에 대하여 착화 작용이 있는 화합물이 사용되고, 이들은 1종 또는 2종 이상일 수 있다. 그 농도는 바람직하게는 1 내지 100 g/L, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 g/L의 범위이다. 이 단계에서의 바람직한 무전해 니켈 도금욕의 pH는 4 내지 14의 범위이다. 무전해 니켈 도금 반응은 코어재 입자의 수성 슬러리를 첨가하면 빠르게 시작되고, 수소 가스의 발생을 수반한다. 무전해 도금 B1 공정은 그 수소 가스의 발생이 완전히 보이지 않게 된 시점을 들어 종료로 한다.As the nickel salt, for example, nickel chloride, nickel sulfate or nickel acetate is used, and the concentration thereof is preferably set in the range of 0.1 to 50 g / L. As the reducing agent, for example, sodium hypophosphite, dimethylaminoborane, sodium borohydride, potassium borohydride or hydrazine is used, and the concentration is preferably in the range of 0.1 to 50 g / L. Examples of the complexing agent include carboxylic acids (salts) such as citric acid, hydroxyacetic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid, gluconic acid or its alkali metal salts or ammonium salts, amino acids such as glycine, amine acids such as ethylenediamine, Other compounds having a complexing action with respect to nickel ions such as ammonium, EDTA or pyrophosphoric acid (salt) may be used, and these may be used singly or in combination of two or more. The concentration thereof is preferably in the range of 1 to 100 g / L, more preferably 5 to 50 g / L. The pH of the preferred electroless nickel plating bath at this stage is in the range of 4-14. The electroless nickel plating reaction starts quickly when an aqueous slurry of core particles is added and involves the generation of hydrogen gas. The electroless plating B1 process is terminated when the generation of the hydrogen gas becomes completely invisible.

이어서 B2 공정에서는 상기 B1 공정에 계속해서, (i) 니켈염, 환원제 및 알칼리 중의 1종을 포함하는 제1의 수용액과, 나머지의 2종을 포함하는 제2 수용액을 이용하거나, 또는 (ii) 니켈염을 포함하는 제1 수용액과, 환원제를 포함하는 제2 수용액과, 알칼리를 포함하는 제3 수용액을 이용하고, 이들 수용액을 각각을 동시에 또한 경시적으로, B1 공정의 액체에 첨가하여 무전해 니켈 도금을 행한다. 이들 액체를 첨가하면 재차 도금 반응이 시작되지만, 그 첨가량을 조정함으로써 형성되는 니켈 피막을 원하는 막 두께로 제어할 수 있다. 무전해 니켈 도금액의 첨가 종료 후, 수소 가스의 발생이 완전히 보이지 않게 되고 나서 잠시 액체 온도를 유지하면서 교반을 계속하여 반응을 완결시킨다.Subsequently, in step B2, the first aqueous solution containing (i) one of the nickel salt, the reducing agent and the alkali and the second aqueous solution containing the remaining two species are used, or (ii) A first aqueous solution containing a nickel salt, a second aqueous solution containing a reducing agent, and a third aqueous solution containing an alkali, and these aqueous solutions are simultaneously added to the liquid of the step B1, Nickel plating is performed. When these liquids are added, the plating reaction is started again, but the nickel coating formed by adjusting the addition amount can be controlled to a desired film thickness. After the completion of the addition of the electroless nickel plating solution, the generation of the hydrogen gas becomes completely invisible, and stirring is continued while maintaining the liquid temperature for a while to complete the reaction.

상기 (i)의 경우에는 니켈염을 포함하는 제1 수용액과, 환원제 및 알칼리를 포함하는 제2 수용액을 이용하는 것이 바람직하지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 이 경우에는 제1 수용액에는 환원제 및 알칼리는 포함되지 않고, 제2 수용액에는 니켈염은 포함되지 않는다. 니켈염 및 환원제로서는 앞서 진술한 것을 이용할 수 있다. 알칼리로서는 예를 들면 수산화나트륨이나 수산화칼륨 등 알칼리 금속의 수산화물을 이용할 수 있다. 상기의 (ii)의 경우에 대해서도 동일하다.In the case of (i), it is preferable to use a first aqueous solution containing a nickel salt, and a second aqueous solution containing a reducing agent and an alkali, but the combination is not limited thereto. In this case, the reducing agent and the alkali are not included in the first aqueous solution, and the nickel salt is not included in the second aqueous solution. As the nickel salt and the reducing agent, those described above can be used. As the alkali, for example, a hydroxide of an alkali metal such as sodium hydroxide or potassium hydroxide can be used. The same applies to the case (ii).

상기 (ii)의 경우에는 제1 내지 제3 수용액에 니켈염, 환원제 및 알칼리가 각각 포함되고, 또한 각 수용액에는 해당 성분 이외의 다른 2 성분은 포함되지 않는다.In the case of (ii) above, the first to third aqueous solutions each contain a nickel salt, a reducing agent and an alkali, and each of the aqueous solutions does not contain two components other than the component.

(i) 및 (ii)의 경우 모두, 수용액 중의 니켈염의 농도는 50 내지 400 g/L, 특히 100 내지 300 g/L인 것이 바람직하다. 환원제의 농도는 50 내지 1000 g/L, 특히 50 내지 900 g/L인 것이 바람직하다. 알칼리의 농도는 10 내지 300 g/L, 특히 20 내지 250 g/L인 것이 바람직하다.In both cases (i) and (ii), the concentration of the nickel salt in the aqueous solution is preferably 50 to 400 g / L, especially 100 to 300 g / L. The concentration of the reducing agent is preferably 50 to 1000 g / L, particularly preferably 50 to 900 g / L. The concentration of the alkali is preferably 10 to 300 g / L, particularly preferably 20 to 250 g / L.

B2 공정은 B1 공정의 종료 후에 연속하여 행하지만, 이것 대신에 B1 공정과 B2 공정을 단속하여 행할 수도 있다. 이 경우에는 B1 공정의 종료 후, 여과 등의 방법에 의해 코어재 입자와 도금액을 분별하여, 새롭게 코어재 입자를 물에 분산시켜서 수성 슬러리를 제조하고, 거기에 착화제를 바람직하게는 1 내지 100 g/L, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 g/L의 농도 범위로 용해시킨 수용액을 첨가하고, 분산제를 바람직하게는 0.5 내지 30 g/L, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 g/L의 범위로 용해시켜서 수성 슬러리를 제조하고, 상기 수성 슬러리에 상기의 각 수용액을 첨가하는 B2 공정을 행하는 방법도 좋다. 이렇게 하여 목적으로 하는 니켈 피복 입자가 얻어진다.The B2 step is performed continuously after the end of the B1 step, but the B1 step and the B2 step may be interrupted instead. In this case, after the completion of the step B1, the core particles and the plating liquid are separated by a method such as filtration to newly disperse the core particles in water to prepare an aqueous slurry, and the complexing agent is added thereto in an amount of preferably 1 to 100 g / L, more preferably 5 to 50 g / L, and the dispersing agent is added in the range of preferably 0.5 to 30 g / L, more preferably 1 to 10 g / L A method in which an aqueous slurry is prepared by dissolving the aqueous slurry in the aqueous slurry, and the above-mentioned aqueous solution is added to the aqueous slurry. Thus, the intended nickel-coated particles are obtained.

또한, b1 및 b2의 제조 방법에서, 니켈 피복 입자를 볼 밀을 이용한 분쇄공정을 행할 수 있다. 이 분쇄 공정을 행함으로써, 단분쇄된 니켈 피복 입자를 얻을 수 있고, 또한 상기 단분쇄된 니켈 피복 입자를 후술하는 무전해 팔라듐 도금 처리 함으로써, 개개의 입자의 입자 표면에 균일한 팔라듐 도금 피막을 형성할 수 있고, 또한 도전성 분체의 중량에 대한 일차 입자가 차지하는 비율을 무전해 팔라듐 도금 처리 후에, 상술한 범위내로 더욱 용이하게 설정할 수 있다.Further, in the production methods of b1 and b2, the nickel-coated particles can be subjected to a pulverizing step using a ball mill. This pulverization step can provide mono-pulverized nickel-coated particles, and the mono-pulverized nickel-coated particles can be subjected to electroless palladium plating treatment to be described later to form a uniform palladium-plated film on the particle surfaces of the individual particles And the ratio of the primary particles to the weight of the conductive powder can be more easily set within the above-mentioned range after the electroless palladium plating treatment.

본 발명에서, b1의 제조 방법은 코어재 입자의 크기 등에 관계 없이, 유효하게 이용할 수 있지만, 특히 코어재 입자의 평균 입경이 1 내지 10 μm의 미세 입자인 코어재 입자에 대하여 무전해 니켈 도금하여, 돌기부 코어체를 가지는 니켈 피복 입자를 얻는 경우에 특히 유효한 방법이다. 한편, b2의 제조 방법은 3 내지 50 μm의 비교적 큰 코어재 입자에 대하여 무전해 니켈 도금하여, 돌기부 코어체를 가지는 니켈 피복 입자를 얻는 경우에, 특히 유효한 방법이다.In the present invention, the production method of b1 can be effectively used regardless of the size of the core material particles, but in particular, the core material particles having fine core particles having an average particle diameter of 1 to 10 mu m are electroless nickel plated , And is particularly effective when nickel-coated particles having protruding core bodies are obtained. On the other hand, the production method of b2 is particularly effective when nickel-coated particles having protruding core bodies are obtained by electroless nickel plating on relatively large core particles of 3 to 50 mu m.

이렇게 하여 얻어진 니켈 피복 입자를 분산제의 존재하에, 하기의 (D1) 내지 (D3) 중 어느 방법으로, 무전해 팔라듐 도금 처리함으로써, 목적으로 하는 도전성 분체를 얻을 수 있다.The nickel-coated particles thus obtained can be subjected to electroless palladium plating treatment in any one of the following methods (D1) to (D3) in the presence of a dispersant to obtain a desired conductive powder.

(D1) 순 팔라듐 도금욕으로 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D1) A method of reducing electroless palladium plating treatment with a pure palladium plating bath.

(D2) 환원제로서 차아인산 또는 그의 염을 이용하는 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리에서, 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비를 0.1 내지 100으로 하여 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D2) A method for reducing electroless palladium plating treatment wherein the molar ratio of the reducing agent to palladium ions is 0.1 to 100 in a reducing electroless palladium plating treatment using hypophosphoric acid or a salt thereof as a reducing agent.

(D3) 치환형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법.(D3) substituted electroless palladium plating.

상기 (D1) 및 (D2)의 환원형 무전해 팔라듐 도금 방법은 도금액중의 팔라듐 이온을 환원제의 기능에 의해, 니켈 피막상에 팔라듐을 석출시키는 것이다. 그리고, (D1)의 도금 방법에서는 환원제로서 예를 들면 포름산 화합물을 사용함으로써, 무전해 팔라듐 도금 피막으로서 순도가 99 중량% 이상인 것이 얻어진다. 한편, (D2)의 환원형 무전해 팔라듐 도금 방법에서는 환원제로서 차아인산 또는 그의 염을 사용함으로써, 팔라듐-인 합금으로 이루어지는 도금 피막이 얻어진다.The reduction type electroless palladium plating method of (D1) and (D2) is to deposit palladium ions in the plating liquid by the function of a reducing agent to deposit palladium on the nickel plating film. Further, in the plating method of (D1), for example, by using a formic acid compound as a reducing agent, an electroless palladium plating film having a purity of 99 wt% or more can be obtained. On the other hand, in the reducing electroless palladium plating method of (D2), a plating film made of a palladium-phosphorus alloy is obtained by using hypophosphoric acid or a salt thereof as a reducing agent.

이하에, (D1)의 순 팔라듐 도금욕으로 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법에 관하여 설명한다. 순 팔라듐 도금욕은 팔라듐 화합물, 환원제 및 착화제를 필수 성분으로서 함유하는 수용액으로 이루어진다. 본 발명에서는 상기 순 팔라듐 도금욕에 분산제 및 상기 니켈 피복 입자를 함유시켜서 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리를 행한다.Hereinafter, a method for performing reduction type electroless palladium plating treatment with a pure palladium plating bath of (D1) will be described. The pure palladium plating bath is composed of an aqueous solution containing a palladium compound, a reducing agent and a complexing agent as essential components. In the present invention, the palladium plating treatment is performed by reducing the palladium plating bath containing the dispersant and the nickel-coated particles.

상기 팔라듐 화합물로서는 도금액에 가용이며, 소정의 농도의 수용액이 얻어지는 것이면 특별히 제한은 없다. 예를 들면 황산팔라듐, 염화팔라듐, 질산팔라듐, 아세트산팔라듐, 디클로로디에틸렌디아민팔라듐, 테트라아민팔라듐디클로라이드 등의 수용성 팔라듐 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상으로 이용할 수 있다. 또한, 팔라듐 화합물로서 팔라듐을 용액화한 팔라듐 용액을 이용할 수도 있다. 팔라듐 용액으로서는 예를 들면 디클로로디에틸렌디아민팔라듐 용액이나 테트라암민디클로라이드 용액을 사용할 수 있다. 순 팔라듐 도금욕에서의 팔라듐 화합물의 함유량은 팔라듐으로서 바람직하게는 0.1 내지 30 g/L, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 10 g/L이다.The palladium compound is not particularly limited as long as it is soluble in a plating solution and can obtain an aqueous solution having a predetermined concentration. And water-soluble palladium compounds such as palladium sulfate, palladium chloride, palladium nitrate, palladium acetate, dichlorodiethylenediamine palladium, and tetraamine palladium dichloride. These may be used alone or in combination of two or more. A palladium solution obtained by dissolving palladium as a palladium compound may also be used. As the palladium solution, for example, a dichlorodiethylenediaminepalladium solution or a tetraammine dichloride solution can be used. The content of the palladium compound in the pure palladium plating bath is preferably 0.1 to 30 g / L, more preferably 0.3 to 10 g / L as palladium.

환원제는 포름산 또는 그의 염이 이용된다. 순 팔라듐 도금욕에서의 환원제의 함유량은 바람직하게는 0.1 내지 100 g/L, 더욱 바람직하게는 1 내지 50 g/L이다.Formic acid or a salt thereof is used as the reducing agent. The content of the reducing agent in the pure palladium plating bath is preferably 0.1 to 100 g / L, more preferably 1 to 50 g / L.

착화제로서는 예를 들면 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민 등의 아민류; 에틸렌디아민디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산 등의 아미노폴리카르복실산, 이들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등; 글리신, 알라닌, 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, L-글루타민산, L-글루타민산 2 아세트산, L-아스파라긴산, 타우린 등의 아미노산, 이들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등; 아미노트리메틸렌포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산, 이들의 암모늄염, 칼륨염, 나트륨염 등을 배합할 수 있다. 착화제는 1종 단독 또는 2종 이상 혼합하여 이용할 수 있다. 순 팔라듐 도금욕에서의 착화제의 함유량은 0.5 내지 100 g/L 정도로 하는 것이 바람직하고, 5 내지 50 g/L 정도로 하는 것이 한층 더 바람직하다.Examples of the complexing agent include amines such as ethylenediamine and diethylenetriamine; Aminopolycarboxylic acids such as ethylenediamine diacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and diethylenetriamine pentaacetic acid, and sodium, potassium, and ammonium salts thereof; Amino acids such as glycine, alanine, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, L-glutamic acid, L-glutamic acid diacetic acid, L-aspartic acid and taurine; sodium salts, potassium salts and ammonium salts thereof; Aminoethyltrimethylenephosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, ammonium salts thereof, potassium salts and sodium salts thereof. The complexing agent may be used alone or in combination of two or more. The content of the complexing agent in the pure palladium plating bath is preferably about 0.5 to 100 g / L, and more preferably about 5 to 50 g / L.

분산제로서는 예를 들면 비이온 계면 활성제, 양성 이온 계면 활성제 및 수용성 고분자를 들 수 있다. 비이온 계면 활성제로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 등의 폴리옥시알킬렌에테르계의 계면 활성제를 이용할 수 있다. 양성 이온 계면 활성제로서는 알킬디메틸아세트산베타인, 알킬디메틸카르복시메틸아세트산베타인, 알킬디메틸아미노아세트산베타인등의 베타인계의 계면 활성제를 이용할 수 있다. 수용성 고분자로서는 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리디논, 히드록시에틸셀룰로오스 등을 이용할 수 있다. 분산제의 사용량은 그 종류에도 의존하지만, 일반적으로 액체(순 팔라듐 도금욕)의 부피에 대하여 0.5 내지 30 g/L이다. 특히 분산제의 사용량이 액체(순 팔라듐 도금욕)의 부피에 대하여 1 내지 10 g/L의 범위이면, 팔라듐 피막의 밀착성이 향상하고, 응집 입자의 생성을 추가로 억제하는 효과가 높아지는 관점에서 바람직하다.Examples of the dispersing agent include nonionic surfactants, amphoteric surfactants and water-soluble polymers. As the nonionic surfactant, polyoxyalkylene ether surfactants such as polyethylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether can be used. Examples of the amphoteric surfactant include betaine surfactants such as alkyldimethyl acetate betaine, alkyldimethylcarboxymethylacetate betaine, and alkyldimethylaminoacetic acid betaine. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidinone, hydroxyethyl cellulose and the like can be used. The amount of the dispersing agent to be used depends on the kind thereof, but it is generally 0.5 to 30 g / L based on the volume of the liquid (pure palladium plating bath). In particular, when the amount of the dispersing agent used is in the range of 1 to 10 g / L with respect to the volume of the liquid (pure palladium plating bath), the adhesion of the palladium coating is improved and the effect of further suppressing the generation of aggregated particles is enhanced .

상기 무전해 팔라듐 도금 반응의 pH는 3 내지 10, 특히 4 내지 7이면, 안정된 석출 속도가 얻어지기 때문에 바람직하다. pH 조정에는 예를 들면 황산, 염산, 수산화나트륨, 암모니아수 등을 사용할 수 있다. 반응 온도는 20 내지 90 ℃, 특히 40 내지 80 ℃이면, 평활하고 치밀한 피막이 얻어지는 관점에서 바람직하다.The pH of the electroless palladium plating reaction is preferably 3 to 10, more preferably 4 to 7 because a stable precipitation rate is obtained. For pH adjustment, for example, sulfuric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide, ammonia water and the like can be used. The reaction temperature is preferably from 20 to 90 캜, particularly from 40 to 80 캜, from the viewpoint of obtaining a smooth and dense coating film.

또한, 순 팔라듐 도금욕은 안정제 등의 상용의 첨가제가 함유될 수 있다. 이와 같은 첨가제를 함유하는 순 팔라듐 도금욕으로서는 예를 들면 닛본 카니젠 가부시끼 가이샤, 고지마 가가꾸 야꾸힌 가부시끼 가이샤, 주오 가가꾸 산교 가부시끼 가이샤 등에서 시판되고 있는 시판품을 이용할 수 있다.In addition, the pure palladium plating bath may contain a common additive such as a stabilizer. As the pure palladium plating bath containing such an additive, for example, a commercially available product commercially available from Nippon Kanzhen Kabushiki Kaisha, Kojima Kagaku Kohin Kabushiki Kaisha, and Chuo Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha may be used.

다음으로, (D2)의 환원제로서 차아인산 또는 그의 염을 이용하는 환원형 무전해 팔라듐 도금 방법에 관하여 설명한다. (D2)의 도금욕으로서는 팔라듐-인 도금욕이 이용된다. 상기 팔라듐-인 도금욕은 팔라듐 화합물, 차아인산 또는 그의 염의 환원제 및 착화제를 필수 성분으로서 함유하는 수용액으로 이루어진다. 본 발명에서는 상기 팔라듐-인 도금욕과, 분산제 및 상기 니켈 피복 입자를 혼합하여, 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리를 행한다.Next, a reduction type electroless palladium plating method using hypophosphoric acid or a salt thereof as the reducing agent (D2) will be described. (D2), a palladium-phosphorus plating bath is used. The palladium-phosphorus plating bath is composed of an aqueous solution containing a palladium compound, a reducing agent of hypophosphoric acid or its salt, and a complexing agent as essential components. In the present invention, the palladium-phosphorus plating bath, the dispersant, and the nickel-coated particles are mixed to perform reduction electroless palladium plating treatment.

팔라듐 화합물, 환원제, 착화제 및 분산제로서는 상술한 (D1)의 환원형 무전해 팔라듐 도금 방법과 동일한 것을, 동일한 첨가량으로 이용할 수 있다.As the palladium compound, the reducing agent, the complexing agent and the dispersing agent, the same amount as that of the reduced electroless palladium plating method of the above-mentioned (D1) can be used in the same addition amount.

(D2)의 환원형 팔라듐 도금 방법에서는 팔라듐 이온에 대한 환원제의 배합량을 특정 범위로 조정함으로써, 팔라듐 피막중의 인 함유량이 조정된다. 통상적으로 팔라듐 피막중의 인 함유량은 팔라듐 이온에 대한 환원제의 차아인산 또는 그의 염의 배합량이 많아짐에 따라서 많아진다. (D2)의 환원형 무전해 팔라듐 도금에서는, 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비를, 종래에 비하여 낮은 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비를 0.1 내지 100으로 설정하여 환원형 무전해 팔라듐 도금 처리함으로써, 팔라듐 피막중의 인 함유량을 3 중량% 이하, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%로 조정한다. 팔라듐 이온에 대한 환원제의 첨가량이 몰비로 0.1보다 작아지면 석출 속도가 저하되어 실용적이지 않고, 한편 100보다 커지면 상술한 바와 같이 팔라듐 피막중의 인 함유량이 5 중량%보다 커져서, 인 함유량이 3 중량% 이하인 팔라듐 피막이 얻어지지 않는다. 특히, 본 발명에서는 팔라듐 이온에 대한 환원제의 몰비가 1 내지 30의 범위인 것이 바람직하다.In the reduced palladium plating method of (D2), the phosphorus content in the palladium coating is adjusted by adjusting the amount of the reducing agent to the palladium ion in a specific range. Generally, the phosphorus content in the palladium coating increases as the amount of the hypophosphorous acid or its salt of the reducing agent is increased relative to the palladium ion. In the reduced electroless palladium plating of (D2), it is preferable to set the molar ratio of the reducing agent to palladium ion to a lower range than the conventional one. That is, the phosphorus content in the palladium coating is adjusted to 3 wt% or less, preferably 0.5 to 3 wt% by reducing electroless palladium plating treatment by setting the molar ratio of the reducing agent to the palladium ion to 0.1 to 100. If the amount of the reducing agent added to the palladium ion is less than 0.1, the precipitation rate decreases and it is not practical. On the other hand, if the amount of the reducing agent is larger than 100, the phosphorus content in the palladium film becomes greater than 5 wt% Or less. In particular, in the present invention, the molar ratio of the reducing agent to palladium ions is preferably in the range of 1 to 30. [

상기 무전해 팔라듐-인 도금 반응의 pH는 바람직하게는 5 내지 10, 더욱 바람직하게는 5.5 내지 9로 한다. pH를 이 범위 내로 설정함으로써, 도금액의 안정성이 높아지고, 또한 팔라듐 피막에 균열 등의 결함이 발생하기 어려워진다. pH의 조정에는 예를 들면 황산, 염산, 수산화나트륨, 암모니아수 등을 사용할 수 있다. 반응 온도가 25 내지 80 ℃, 특히 40 내지 70 ℃이면, 평활하면서 치밀한 피막이 얻어지는 관점에서 바람직하다.The pH of the electroless palladium-phosphorus plating reaction is preferably 5 to 10, more preferably 5.5 to 9. By setting the pH within this range, the stability of the plating solution is enhanced and defects such as cracks are less likely to occur in the palladium coating. For adjustment of the pH, for example, sulfuric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide, ammonia water and the like can be used. The reaction temperature is preferably 25 to 80 DEG C, particularly 40 to 70 DEG C, from the viewpoint of obtaining a smooth and dense coating film.

또한, 팔라듐-인 도금욕에는 안정제 등의 상용의 첨가제가 함유될 수 있다. 이와 같은 첨가제를 함유하는 팔라듐-인 도금욕으로서는 예를 들면 고지마 가가꾸 야꾸힌 가부시끼 가이샤, 이시하라 야꾸힌 가부시끼 가이샤 등에서 시판되고 있는 시판품을 이용할 수 있다.In addition, the palladium-phosphorus plating bath may contain a common additive such as a stabilizer. As the palladium-phosphorus plating bath containing such an additive, for example, a commercially available product commercially available from Kojima Kagaku Co., Ltd., Ishihara Yakuhin Kabushiki Kaisha, etc. can be used.

이어서, (D3)의 치환형 무전해 팔라듐 도금 방법에 관하여 설명한다. (D3)의 치환형 무전해 팔라듐 도금 처리하는 방법에서는 팔라듐 이온과 니켈 이온의 치환 반응에 의해 치환형 무전해 팔라듐 도금하여 니켈 피복 입자에 팔라듐 도금 피막을 형성한다.Next, the method of plating the substituted electroless palladium of (D3) will be described. (D3), a substitutional electroless palladium plating is carried out by a substitution reaction of palladium ions and nickel ions to form a palladium-plated film on the nickel-coated particles.

치환형 무전해 팔라듐 도금욕은 팔라듐 화합물 및 착화제를 필수 성분으로서 함유하는 수용액으로 이루어진다. 본 발명에서는 상기 치환형 무전해 팔라듐 도금욕에 분산제 및 상기 니켈 피복 입자를 함유시켜 치환형 무전해 팔라듐 도금 처리를 행한다.The substitutional electroless palladium plating bath is composed of an aqueous solution containing a palladium compound and a complexing agent as essential components. In the present invention, the substitutional electroless palladium plating bath contains a dispersant and the nickel-coated particles to carry out the substitutional electroless palladium plating treatment.

팔라듐 화합물, 착화제 및 분산제는 상술한 (D1)의 환원형 무전해 팔라듐 도금 방법과 동일한 것을 동일한 첨가량으로 이용할 수 있다. 팔라듐 화합물로서, 특히 테트라암민팔라듐염을 이용한 경우에는 치밀한 팔라듐 피막이 얻어지기 때문에 바람직하다.The palladium compound, the complexing agent and the dispersing agent can be used in the same amount as that in the above-mentioned reduced electroless palladium plating method of (D1). In the case of using a tetraammine palladium salt as the palladium compound, a dense palladium film is preferably obtained.

치환형 무전해 팔라듐 도금 반응을 pH 3 내지 10, 특히 4 내지 8로 행하면, 평활하면서 치밀한 피막이 얻어지기 쉽기 때문에 바람직하다. pH 조정에는 예를 들면 황산, 염산, 수산화나트륨, 암모니아수 등을 사용할 수 있다. 반응 온도는 25 내지 80 ℃, 특히 30 내지 70 ℃인 것이, 반응 속도가 실용적인 정도로 빨라지고, 또한 정밀한 팔라듐 피막이 얻어지기 쉬운 점에서 바람직하다.When the substitutional electroless palladium plating reaction is carried out at a pH of 3 to 10, particularly 4 to 8, a smooth and dense film is easily obtained, which is preferable. For pH adjustment, for example, sulfuric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide, ammonia water and the like can be used. The reaction temperature is preferably from 25 to 80 캜, particularly from 30 to 70 캜, because the reaction speed is as high as practicable, and a precise palladium film is easily obtained.

상기 (D1) 내지 (D3)의 도금 반응 종료 후, 통상법에 의해 여과 분리, 건조하여 도전성 분체를 얻는다. 필요에 따라서, 도전성 분체를 상기 니켈 피복 입자의 제조 방법에서 진술한, 볼 밀을 이용한 분쇄 공정을 행할 수도 있다. 이 분쇄 공정을 행함으로써, 도전성 분체의 중량에 대한 일차 입자가 차지하는 비율을 상술한 범위내로 더욱 용이하게 설정할 수 있다.After completion of the plating reaction of (D1) to (D3), the powder is separated by filtration by a conventional method and dried to obtain a conductive powder. If necessary, the conductive powder may be subjected to a pulverizing step using a ball mill as described in the method for producing the nickel-coated particles described above. By carrying out the pulverizing step, the ratio of the primary particles to the weight of the conductive powder can be more easily set within the above-mentioned range.

이렇게 하여 얻어진 본 발명의 도전성 입자는 예를 들면 이방 도전 필름(ACF)이나 히트 실 커넥터(HSC), 액정 디스플레이 패널의 전극을 구동용 LSI 칩의 회로 기판에 접속하기 위한 도전 재료 등으로서 적합하게 사용된다. 특히, 본 발명의 도전성 분체는 도전성 접착제의 도전성 충전재로서 바람직하게 이용된다.The conductive particles of the present invention thus obtained are suitably used, for example, as an anisotropic conductive film (ACF), a heat seal connector (HSC), a conductive material for connecting electrodes of a liquid crystal display panel to a circuit board of a driving LSI chip do. In particular, the conductive powder of the present invention is preferably used as a conductive filler of a conductive adhesive.

상기 도전성 접착제는 도전성 기재가 형성된 2 매의 기판 사이에 배치되고, 가열 가압에 의해 상기 도전성 기재를 접착시켜서 도통하는 이방 도전성 접착제로서 바람직하게 이용된다. 이 이방 도전성 잡착제는 본 발명의 도전성 입자와 접착제 수지를 포함한다. 접착제 수지로서는 절연성이면서 접착제 수지로서 이용되고 있는 것이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 열가소성 수지 및 열경화성 중 어느 것이라도 좋고, 가열에 의해 접착 성능이 발현되는 것이 바람직하다. 이와 같은 접착제 수지에는 예를 들면 열가소성 타입, 열경화성 타입, 자외선 경화 타입 등이 있다. 또한, 열가소성 타입과 열경화성 타입의 중간적인 성질을 나타내는, 이른바 반 열경화성 타입, 열경화성 타입과 자외선 경화 타입의 복합 타입 등이 있다. 이들 접착제 수지는 피착 대상인 회로 기판 등의 표면 특성이나 사용 형태에 맞춰서 적절하게 선택할 수 있다. 특히, 열경화성 수지를 함유하여 구성되는 접착제 수지가, 접착 후의 재료적 강도가 우수한 점에서 바람직하다.The conductive adhesive agent is preferably used as an anisotropic conductive adhesive agent which is disposed between two substrates on which an electrically conductive substrate is formed and conducts by bonding the electrically conductive substrate by heating and pressing. The anisotropic conductive adhesive includes the conductive particles of the present invention and the adhesive resin. The adhesive resin is not particularly limited as long as it is insulating and used as an adhesive resin. Thermoplastic resin and thermosetting property, and it is preferable that adhesion performance is exhibited by heating. Such adhesive resins include, for example, a thermoplastic type, a thermosetting type, and an ultraviolet curing type. There are also so-called semi-thermosetting type, thermosetting type and ultraviolet curing type combined type which exhibit the intermediate property between the thermoplastic type and the thermosetting type. These adhesive resins can be appropriately selected in accordance with the surface characteristics of the circuit board or the like to be adhered or the use form thereof. Particularly, an adhesive resin comprising a thermosetting resin is preferable in view of excellent material strength after bonding.

접착제로서는 구체적으로는 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 카르복실 변성 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-이소부틸아크릴레이트 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리비닐에테르, 폴리비닐부티랄, 폴리우레탄, SBS 블록 공중합체, 카르복실 변성 SBS 공중합체, SIS 공중합체, SEBS 공중합체, 말레산 변성 SEBS 공중합체, 폴리부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 카르복실 변성 클로로프렌 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 고무(이하, NBR로 나타냄), 카르복실 변성 NBR, 아민 변성 NBR, 에폭시 수지, 에폭시에스테르 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 또는 실리콘 수지 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 조합에 의해 얻어지는 것을 주요제로서 제조되는 것을 들 수 있다. 이들 중, 열가소성 수지로서는 스티렌-부타디엔 고무나 SEBS 등이 리워크성이 우수하기 때문에 바람직하다. 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 중, 접착력이 높고, 내열성, 전기 절연성이 우수하고, 게다가 용융 점도가 낮아서, 저압력으로 접속이 가능하다는 이점으로부터, 에폭시 수지가 가장 바람직하다.Specific examples of the adhesive include ethylene-vinyl acetate copolymer, carboxyl-modified ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-isobutyl acrylate copolymer, polyamide, polyimide, polyester, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, poly Butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, One or two selected from the group consisting of an isoprene copolymer, an acrylonitrile-butadiene rubber (hereinafter referred to as NBR), a carboxyl-modified NBR, an amine-modified NBR, an epoxy resin, an epoxy ester resin, an acrylic resin, Or a combination of two or more of them. Of these, styrene-butadiene rubber, SEBS and the like are preferable as the thermoplastic resin because of excellent reworkability. As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. Of these, an epoxy resin is most preferable from the viewpoint of high adhesion, heat resistance, electrical insulation, low melt viscosity and connection at low pressure.

상기 에폭시 수지로서는 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시기를 가지는 다가 에폭시 수지이면, 일반적으로 이용되고 있는 에폭시 수지가 사용 가능하다. 구체적인 것으로서는 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 노볼락 수지, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 레조르신, 비스히드록시디페닐에테르 등의 다가 페놀류, 에틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 폴리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류, 에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라민, 아닐린 등의 폴리아미노 화합물, 아디프산, 프탈산, 이소프탈산 등의 다가 카르복시 화합물 등과 에피클로로히드린 또는 2-메틸에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 글리시딜형 에폭시 수지가 예시된다. 또한, 디시클로펜타디엔에폭시드, 부타디엔 이량체 디에폭시드 등의 지방족 및 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the epoxy resin, a commonly used epoxy resin can be used as long as it is a polyvalent epoxy resin having two or more epoxy groups in a molecule. Specific examples thereof include novolak resins such as phenol novolak and cresol novolak; polyhydric phenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, resorcin and bishydroxydiphenyl ether; polyhydric phenols such as ethylene glycol, neopentyl glycol, glycerol, trimethylol Propane and polypropylene glycol, polyamino compounds such as ethylenediamine, triethylenetetramine and aniline, polyhydric carboxy compounds such as adipic acid, phthalic acid and isophthalic acid, and epichlorohydrin or 2-methyl epichlorohydrin And glycidyl type epoxy resins obtained by reacting hydrin. And aliphatic and alicyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene epoxide and butadiene dimer diepoxide. These may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상술한 각종 접착 수지는 불순물 이온(Na나 Cl 등)이나 가수 분해성 염소 등이 감소된 고순도품을 이용하는 것이, 이온 마이그레이션의 방지의 관점에서 바람직하다.It is preferable to use a high-purity product in which the impurity ions (such as Na and Cl) and hydrolyzable chlorine are reduced in the above-mentioned various adhesive resins from the viewpoint of prevention of ion migration.

이방 도전성 접착제에서의 본 발명의 도전성 입자의 사용량은 접착제 수지 성분 100 중량부에 대하여 통상 0.1 내지 30 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 25 중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다. 도전성 입자의 사용량이 이 범위내에 있음으로써, 접속 저항이나 용융 점도가 높아지는 것이 억제되어, 접속 신뢰성을 향상시켜서, 접속의 이방성을 충분히 확보할 수 있다.The amount of the conductive particles of the present invention in the anisotropic conductive adhesive is usually 0.1 to 30 parts by weight, preferably 0.5 to 25 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the adhesive resin component. When the amount of the conductive particles used is within this range, it is possible to suppress the increase of the connection resistance and the melt viscosity, thereby improving the connection reliability and sufficiently securing the anisotropy of the connection.

상기 이방 도전성 접착제에는 상술한 도전성 입자 및 접착제 수지 외에, 해당 기술 분야에서 공지된 첨가제를 배합할 수 있고, 그 배합량도 해당 기술 분야에서 공지된 범위내로 할 수 있다. 다른 첨가제로서는 예를 들면 점착 부여제, 반응성 보조제, 에폭시 수지 경화제, 금속 산화물, 광 개시제, 증감제, 경화제, 가황제, 열화 방지제, 내열 첨가제, 열전도 향상제, 연화제, 착색제, 각종 커플링제 또는 금속 불활성제 등을 예시할 수 있다. In addition to the conductive particles and the adhesive resin described above, additives known in the art can be blended into the anisotropically conductive adhesive, and the blending amount thereof can be within the range known in the art. Examples of other additives include additives such as a tackifier, a reactive additive, an epoxy resin curing agent, a metal oxide, a photoinitiator, a sensitizer, a curing agent, a vulcanizing agent, a deterioration inhibitor, a heat resistant additive, a thermal conductivity improving agent, a softening agent, And the like can be exemplified.

점착 부여제로서는 예를 들면 로진, 로진 유도체, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 석유 수지, 쿠마론-인덴 수지, 스티렌계 수지, 이소프렌계 수지, 알킬페놀 수지, 크실렌 수지 등을 들 수 있다. 반응성 보조제 즉, 가교제로서는 예를 들면 폴리올, 이소시아네이트류, 멜라민 수지, 요소 수지, 우트로핀류, 아민류, 산무수물, 과산화물 등을 들 수 있다. 에폭시 수지 경화제로서는 1 분자 중에 2 개 이상의 활성 수소를 가지는 것이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적인 것으로서는 예를 들면 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 메타페닐렌디아민, 디시안디아미드, 폴리아미드아민 등의 폴리아미노 화합물; 무수프탈산, 무수메틸나스산, 헥사히드로무수프탈산, 무수피로멜리트산 등의 유기산 무수물; 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 용도나 필요에 따라서 잠재성 경화제를 이용할 수 있다. 사용할 수 있는 잠재성 경화제로서는 예를 들면 이미다졸계, 히드라지드계, 삼불화붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등 및 이들의 변성물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 혼합체로서 사용할 수 있다.Examples of the tackifier include rosin, rosin derivatives, terpene resins, terpene phenol resins, petroleum resins, coumarone-indene resins, styrene resins, isoprene resins, alkylphenol resins and xylene resins. Examples of the reactive auxiliary agent, that is, the crosslinking agent include polyols, isocyanates, melamine resins, urea resins, utopin, amines, acid anhydrides, peroxides and the like. The epoxy resin curing agent is not particularly limited as long as it has two or more active hydrogens in one molecule. Specific examples thereof include polyamino compounds such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, metaphenylenediamine, dicyandiamide and polyamidoamine; Organic acid anhydrides such as phthalic anhydride, methylnaphthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and pyromellitic anhydride; Novolak resins such as phenol novolak and cresol novolak, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. In addition, a latent curing agent can be used depending on the application and the necessity. Examples of the latent curing agent that can be used include imidazole-based, hydrazide-based, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, salts of polyamines, dicyandiamides and the like and modifications thereof. These may be used alone or as a mixture of two or more kinds.

상기 이방 도전성 접착제는 통상적으로 당업자 사이에서 넓게 사용되고 있는 제조 장치를 이용하여, 본 발명의 도전성 입자 및 접착제 수지 및 필요에 따라 경화제나 각종 첨가제를 배합하고, 접착제 수지가 열경화성 수지인 경우에는 유기 용매중에서 혼합함으로써, 열가소성 수지인 경우에는 접착제 수지의 연화점 이하의 온도에서, 구체적으로는 바람직하게는 약 50 내지 130 ℃ 정도, 더욱 바람직하게는 약 60 내지 110 ℃ 정도에서 용융 혼련함으로써 제조된다. 이렇게 하여 얻어진 이방 도전성 접착제는 도포할 수도 있고, 필름상으로 하여 적용할 수도 있다.The anisotropic conductive adhesive may be prepared by blending the conductive particles and the adhesive resin of the present invention and, if necessary, a curing agent and various additives, using a manufacturing apparatus widely used among those skilled in the art. When the adhesive resin is a thermosetting resin, By mixing, in the case of a thermoplastic resin, it is produced by melt-kneading at a temperature equal to or lower than the softening point of the adhesive resin, specifically about 50 to 130 ° C, and more preferably about 60 to 110 ° C. The anisotropic conductive adhesive thus obtained may be applied or may be applied in the form of a film.

<실시예><Examples>

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명의 범위는 이러한 실시예에 제한되지 않는다. 특히 미리 언급하지 않는 한, 「%」는 「중량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the scope of the present invention is not limited to these embodiments. Unless specifically stated otherwise, "%" means "% by weight".

[니켈 피복 입자 시료 N1의 제조][Production of nickel-coated particle sample N1]

(1) A1 공정(1) Step A1

진비중이 1.1인 구형 스티렌-실리카 복합 수지[평균 입경 3 μm, (주) 닛본 쇼꾸바이 제조, 상품명 솔리오스타, 변동 계수 (C.V) 3.2 %]를 코어재 입자(1 L당 표면적의 총합 5.46 m2)로서 이용하였다. 그 9 g을, 400 mL의 컨디셔너 수용액(롬·앤드·하스 전자재료 제조의 「클리너-컨디셔너 231」)에 교반하면서 투입하였다. 컨디셔너 수용액의 농도는 40 ml/L였다. 계속해서, 액체 온도 60 ℃로 초음파를 부여하면서 30 분간 교반하여 코어재 입자의 표면 개질 및 분산 처리를 행하였다. 수용액을 여과하여, 일회 리펄프 수세한 코어재 입자를 200 mL의 슬러리로 하였다. 이 슬러리에 염화 제1 주석 수용액 200 ml를 투입하였다. 이 수용액의 농도는 5×10-3 mol/L였다. 상온에서 5 분 교반하고, 주석 이온을 코어재 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 행하였다. 계속해서 수용액을 여과하고, 1 회 리펄프 수세하였다. 이어서 코어재 입자를 400 ml의 슬러리로 하고, 60 ℃로 유지하였다. 초음파를 병용하여 슬러리를 교반하면서 0.11 mol/L의 염화팔라듐 수용액 2 mL를 첨가하였다. 그대로의 교반 상태를 5 분간 유지시키고, 코어재 입자의 표면에 팔라듐이온을 포착시키는 활성화 처리를 행하였다.(Total particle size: 3 μm, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd .; trade name: Soliostar, coefficient of variation (CV): 3.2%]] having a true specific gravity of 1.1 was added to the core particles 2 ). 9 g thereof was added to 400 mL of a conditioner aqueous solution ("Cleaner-conditioner 231" manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials) with stirring. The concentration of the conditioner aqueous solution was 40 ml / L. Subsequently, the mixture was stirred for 30 minutes while applying ultrasonic waves at a liquid temperature of 60 占 폚 to carry out surface modification and dispersion treatment of the core particles. The aqueous solution was filtered to make a 200 mL slurry of the core material particles that had been washed once with repulp. 200 ml of an aqueous solution of tin chloride was added to this slurry. The concentration of this aqueous solution was 5 × 10 -3 mol / L. The mixture was stirred at room temperature for 5 minutes, and subjected to a sensitization treatment in which tin ions were adsorbed on the surface of the core particles. Subsequently, the aqueous solution was filtered and rinsed with water once. The core particles were then made into 400 ml slurry and maintained at 60 占 폚. 2 mL of a 0.11 mol / L aqueous solution of palladium chloride was added while stirring the slurry using ultrasonic waves. The same stirring state was maintained for 5 minutes to carry out an activation treatment for trapping palladium ions on the surface of the core material particles.

이어서, 20 g/L의 타르타르산나트륨, 5.4 g/L의 차아인산나트륨, 황산 니켈 육수화물(무수 환산으로 0.45 g/L), 폴리에틸렌글리콜 5 g/L를 용해시킨 수용액으로 이루어지는 무전해 도금욕 3 L를 70 ℃로 승온하고, 이 무전해 도금욕에 팔라듐을 담지한 코어재 입자 9 g을 투입하여, A1 공정을 개시하였다. 5 분간 교반한 수소의 발포가 정지하는 것을 확인하고, A1 공정을 완료시켰다.Then, an electroless plating bath 3 composed of an aqueous solution of 20 g / L of sodium tartrate, 5.4 g / L of sodium hypophosphite, nickel sulfate hexahydrate (0.45 g / L in anhydrous form) and 5 g / L of polyethylene glycol L was heated to 70 占 폚, and 9 g of core particles carrying palladium on this electroless plating bath was introduced to start the A1 process. It was confirmed that the foaming of the hydrogen which had been stirred for 5 minutes was stopped, and the step A1 was completed.

(2) A2 공정(2) Step A2

224 g/L 황산 니켈 수용액과, 210 g/L의 차아인산나트륨 및 80 g/L의 수산화 나트륨을 포함하는 혼합 수용액을 각각 300 mL 이용하고, 이들을 A1 공정에서 얻어진 코어재 입자의 슬러리에 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하여, 무전해 도금 A2 공정을 개시하였다. 첨가 속도는 모두 2.5 mL/분으로 하였다. 또한, 적하 개시시부터 적하 종료까지의 pH는 5.8 내지 6.2이고, 1 시간당 니켈 석출량은 48 nm였다. 액체를 전량 첨가한 후, 70 ℃의 온도를 유지하면서 5 분 교반을 계속하였다. 이어서 액체를 여과하고, 여과물을 3 회 세정한 후, 100 ℃의 진공 건조기로 건조하여 니켈-인 합금 피막을 가지는 니켈 피복 입자 시료 N1을 얻었다.300 mL of a mixed aqueous solution containing 224 g / L of nickel sulfate aqueous solution, 210 g / L of sodium hypophosphite and 80 g / L of sodium hydroxide was used, and these were mixed with a slurry of the core material particles obtained in the step A1, To initiate the electroless plating A2 process. All the addition rates were 2.5 mL / min. The pH from the start of dropping to the end of dropping was 5.8 to 6.2, and the deposition amount of nickel per hour was 48 nm. After the whole amount of the liquid was added, stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70 캜. Subsequently, the liquid was filtered, the filtrate was washed three times, and then dried with a vacuum dryer at 100 ° C to obtain a nickel-coated particle sample N1 having a nickel-phosphorus alloy coating.

[니켈 피복 입자 시료 N2의 제조][Production of nickel-coated particle sample N2]

(1) B1 공정(1) Step B1

N1 제작시에 이용한 코어재 입자를 A1 공정과 동일한 표면 개질 처리를 행하고, 코어재 표면에 팔라듐을 포착시키는 활성화 처리를 행하였다. 이어서, 20 g/L의 타르타르산나트륨, 4.5 g/L의 황산 니켈 육수화물, 5.4 g/L의 차아인산나트륨 및 5 g/L의 폴리에틸렌글리콜을 용해시킨 수용액으로 이루어지는 무전해 도금욕 3 L를 70 ℃로 승온하고, 이 무전해 도금욕에 팔라듐을 담지한 코어재 입자 9 g을 투입하여, B1 공정을 개시하였다. 5 분간 교반하고 수소의 발포가 정지하는 것을 확인하여, B1 공정을 완료시켰다.The core particles used in the production of N1 were subjected to the same surface modification treatment as that in the A1 process to carry out an activation treatment for trapping palladium on the surface of the core material. Subsequently, 3 L of an electroless plating bath consisting of 20 g / L of sodium tartrate, 4.5 g / L of nickel sulfate hexahydrate, 5.4 g / L of sodium hypophosphite and 5 g / L of polyethylene glycol dissolved was dissolved in 70 Deg.] C, and 9 g of the core material particles carrying palladium on this electroless plating bath were introduced to start the B1 step. The mixture was stirred for 5 minutes to confirm that the foaming of hydrogen stopped, and the step B1 was completed.

(2) B2 공정(2) Step B2

224 g/L의 황산 니켈 수용액과, 210 g/L의 차아인산나트륨 및 80 g/L의 수산화나트륨을 포함하는 혼합 수용액을 각각 300 mL 이용하고, 이들을 B1 공정에서 얻어진 코어재 입자의 슬러리에, 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하여, 무전해 도금 B2 공정을 개시하였다. 첨가 속도는 모두 2.5 mL/분으로 하였다. 액체를 전량 첨가한 후, 70 ℃의 온도를 유지하면서 5 분 교반을 계속하였다. 이어서 액체를 여과하고, 여과물을 3 회 세정한 후, 100 ℃의 진공 건조기로 건조하여, 니켈-인 합금 피막을 가지는 니켈 피복 입자 시료 N2를 얻었다.300 mL of a mixed aqueous solution containing 224 g / L of an aqueous solution of nickel sulfate, 210 g / L of sodium hypophosphite and 80 g / L of sodium hydroxide was used, and these were added to the slurry of the core material particles obtained in the step B1, And the mixture was continuously added by fractionation pump to initiate the electroless plating B2 process. All the addition rates were 2.5 mL / min. After the whole amount of the liquid was added, stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70 캜. Subsequently, the liquid was filtered, the filtrate was washed three times, and then dried with a vacuum dryer at 100 ° C to obtain a nickel-coated particle sample N2 having a nickel-phosphorus alloy coating.

[니켈 피복 입자 N3의 제조(비교품)][Preparation of nickel-coated particle N3 (comparative product)]

N1 제작시에 이용한 코어재 입자에 대하여 A1 공정과 동일한 표면 개질 처리를 행하고, 코어재 표면에 팔라듐을 포착한 후, 65 ℃로 가열한 20 g/L의 타르타르산나트륨 및 5 g/L의 폴리에틸렌글리콜이 들어간 수용액 3 L에 교반하면서 투입하고, 충분히 교반 분산시켜서 수성 슬러리를 제조한 후, 224 g/L 황산 니켈 수용액과, 210 g/L의 차아인산나트륨 및 80 g/L의 수산화나트륨을 포함하는 혼합 수용액을 각각 300 mL 이용하였다. 첨가 속도는 각각 5 mL/분으로 하였다. 액체를 전량 첨가한 후, 70 ℃의 온도를 유지하면서 5 분 교반을 계속하였다. 이어서 액체를 여과하고, 여과물을 3 회 세정한 후, 100 ℃의 진공 건조기로 건조하여, 니켈-인 합금 피막을 가지는 니켈 피복 입자 시료 N3을 얻었다. 이 방법으로 평활성이 우수한 피막이 얻어졌다.The surface of the core material was subjected to surface modification treatment with respect to the core material particles used in the production of N1, palladium was captured on the surface of the core material, and 20 g / L of sodium tartrate and 5 g / L of polyethylene glycol Was added to 3 L of the aqueous solution with stirring and sufficiently stirred and dispersed to prepare an aqueous slurry. Then, an aqueous slurry containing 224 g / L of an aqueous solution of nickel sulfate, 210 g / L of sodium hypophosphite and 80 g / 300 mL of the mixed aqueous solution was used. The addition rates were 5 mL / min. After the whole amount of the liquid was added, stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70 캜. Subsequently, the liquid was filtered, the filtrate was washed three times, and then dried with a vacuum dryer at 100 ° C to obtain a nickel-coated particle sample N3 having a nickel-phosphorus alloy coating. By this method, a film excellent in smoothness was obtained.

[니켈 피복 입자 N4의 제조(비교품)][Preparation of nickel-coated particle N4 (comparative product)]

N1 제작시에 이용한 코어재 입자에 대하여 A1 공정과 동일한 표면 개질 처리를 행하고, 코어재 표면에 팔라듐을 포착시키는 활성화 처리를 행하였다. 이어서, 도금욕 중에 폴리에틸렌글리콜을 첨가하지 않은 것 이외에는 N2 제작시와 동일한 조작을 행하여, 니켈-인 합금 피막을 가지는 니켈 피복 입자 시료 N4를 얻었다.The surface of the core material used in the production of N1 was subjected to the same surface modification treatment as that in the step A1, and an activation treatment for capturing palladium on the surface of the core material was carried out. Subsequently, a nickel-coated particle sample N4 having a nickel-phosphorus alloy coating film was obtained, except that polyethylene glycol was not added to the plating bath.

[니켈 피복 입자의 물성 평가][Evaluation of physical properties of nickel-coated particles]

니켈 피복 입자 N1 내지 N4의 평균 입경, 니켈 피막의 두께, 니켈 피막의 밀착성을 각각 측정·평가하였다. 또한, 높이가 50 nm 이상의 돌기부 코어체의 개수, 높이가 50 nm의 돌기부 코어체의 종횡비를 각각 측정하였다. 각 물성 평가는 다음 방법에 의해 행하였다. 이들 결과를 표 1에 나타내었다.The average particle diameter of the nickel-coated particles N1 to N4, the thickness of the nickel coating, and the adhesion of the nickel coating were measured and evaluated, respectively. Further, the number of protruding core bodies having a height of 50 nm or more and the aspect ratio of the protruding core bodies having a height of 50 nm were measured. Each physical property was evaluated by the following method. These results are shown in Table 1.

[니켈 피막의 두께][Thickness of Nickel Coating]

니켈 피복 입자를 왕수에 침지하여 니켈 피막을 용해시키고, 피막 성분을 ICP 또는 화학 분석하여, 이하의 계산식 3 및 4로부터 니켈 피막의 두께를 산출하였다.The nickel-coated particles were immersed in aqua regia to dissolve the nickel coating, ICP or chemical analysis of the coating component, and the thickness of the nickel coating was calculated from the following equations (3) and (4).

<계산식 3><Expression 3>

Figure pat00002
Figure pat00002

<계산식 4><Formula 4>

Figure pat00003
Figure pat00003

식 중, r은 코어재 입자의 반경(μm), t는 니켈 피막의 두께, d1은 니켈 피막의 비중, d2는 코어재 입자의 비중, W는 니켈 함유율(중량%)이다.Wherein, r is the radius (μm), t is the thickness of the nickel coating film, d 1 is the proportion of the nickel coating film, d 2 is the proportion of the core material particles, W, Ni content (% by weight) of core particle.

[돌기부 코어체의 개수 및 종횡비][Number of protrusion core bodies and aspect ratio]

SEM을 이용하여, 니켈 피복 입자를 30000 배로 확대하여 10 시야를 관찰하여, 니켈 피복 입자 1 개가 가지는 높이 50 nm 이상의 돌기부 코어체의 개수 및 높이 50 nm 이상의 돌기부 코어체에 대하여 종횡비의 평균값을 산출하였다.SEM was used to enlarge the nickel-coated particles by 30,000 times to observe 10 fields of view to calculate the average value of aspect ratios for the number of protruding core bodies having a height of 50 nm or more and the protruding core bodies having a height of 50 nm or more .

[니켈 피막의 밀착성][Adhesion of Nickel Coating]

100 mL의 비이커에 니켈 피복 입자 2 g 및 직경 1 mm의 지르코니아비즈 90 g을 넣고, 추가로 톨루엔을 10 mL 넣었다. 교반 장치로 10 분 교반한 후, 지르코니아비즈와 슬러리를 분리하여 건조시켰다. 건조 후의 니켈 피복 입자를 SEM을 이용하여 2000 배로 확대하여 10 시야를 관찰하고, 교반에 의해 발생한 박리편의 개수의 평균값을 산출하였다. 박리편의 개수 10 개 미만을 ○로 하고, 10 내지 30 개를 △, 30 개 초과를 ×로 하였다.2 g of nickel-coated particles and 90 g of zirconia beads having a diameter of 1 mm were placed in a 100 mL beaker, and 10 mL of toluene was further added. After stirring for 10 minutes with an agitator, the zirconia beads and the slurry were separated and dried. The dried nickel-coated particles were magnified 2000 times using SEM to observe the 10 field of view, and the average value of the number of peeling pieces generated by stirring was calculated. The number of delamination pieces was less than 10, the delamination was 10, the number of delamination was 30, and the number of delamination was more than 30 pieces.

Figure pat00004
Figure pat00004

[실시예 1 내지 3][Examples 1 to 3]

10 g/L의 EDTA-2 Na, 10 g/L의 시트르산-2 Na 및 20 g/L의 테트라암민팔라듐염산염(Pd(NH3)4Cl2) 용액(팔라듐으로서 2 g/L), 카르복시메틸셀룰로오스(분자량 250000, 에테르화도 0.9) 100 ppm으로 이루어지는 무전해 팔라듐 도금액을 제조하였다. 이 팔라듐 도금액 0.65 리터(실시예 1), 1.3 리터(실시예 2), 2.6 리터(실시예 3)를 70 ℃로 가열하였다. 이것을 교반하면서, 상기에서 얻어진 니켈 피복 입자 시료(N1) 10 g을 첨가하였다. 이것에 의해 입자의 표면에 무전해 도금 처리를 행하였다. 처리 시간은 60 분으로 하였다. 처리 완료 후, 액체를 여과하고, 여과물을 3 회 리펄프하였다. 이어서 110 ℃의 진공 건조기로 건조하였다. 이렇게 하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐 도금 피복 처리를 실시하였다.10 g / L of EDTA-2 Na, 10 g / L of citric acid-2 Na and 20 g / L of tetraammine palladium hydrochloride (Pd (NH 3 ) 4 Cl 2 ) solution (2 g / L as palladium) An electroless palladium plating solution consisting of methyl cellulose (molecular weight: 250000, etherification degree: 0.9) and 100 ppm was prepared. 0.65 L of this palladium plating solution (Example 1), 1.3 L (Example 2) and 2.6 L (Example 3) were heated to 70 캜. With stirring, 10 g of the nickel-coated particle sample (N1) obtained above was added. Thus, electroless plating was performed on the surface of the particles. The treatment time was 60 minutes. After completion of the treatment, the liquid was filtered and the filtrate was repulped three times. Followed by drying in a vacuum dryer at 110 deg. Thus, the nickel-phosphorus alloy film was coated with palladium plating.

[실시예 4][Example 4]

10 g/L의 에틸렌디아민, 10 g/L의 포름산 나트륨 및 20 g/L의 테트라암민팔라듐염산염(Pd(NH3)4Cl2) 용액(팔라듐으로서 2 g/L), 카르복시메틸셀룰로오스(분자량 250000, 에테르화도 0.9) 100 ppm으로 이루어지는 무전해 순 팔라듐 도금액을 제조하였다. 이 팔라듐 도금액 1.3 L를 70 ℃로 가열하고, 이것을 교반하면서 상기에서 얻어진 니켈 피복 입자 시료(N1) 10 g을 첨가하였다. 이것에 의해 입자의 표면에 무전해 도금 처리를 행하였다. 처리 시간은 30 분으로 하였다. 처리 완료 후, 액체를 여과 분별하고, 이후에는 실시예 1과 동일한 공정을 행하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐 도금 피복 처리를 실시하였다.A solution of 10 g / L ethylenediamine, 10 g / L sodium formate and 20 g / L tetraammine palladium hydrochloride (Pd (NH 3 ) 4 Cl 2 ) solution (2 g / L as palladium), carboxymethylcellulose 250000, etherification degree: 0.9) and 100 ppm of palladium. 1.3 L of the palladium plating solution was heated to 70 캜, and 10 g of the nickel-coated particle sample (N1) obtained above was added thereto while stirring. Thus, electroless plating was performed on the surface of the particles. The treatment time was 30 minutes. After the completion of the treatment, the liquid was separated by filtration. Thereafter, the same processes as in Example 1 were carried out, and palladium plating coating treatment was performed on the nickel-phosphorus alloy film.

[실시예 5][Example 5]

10 g/L의 에틸렌디아민, 50 g/L의 차아인산나트륨 및 20 g/L의 테트라암민팔라듐염산염 (Pd(NH3)4Cl2) 용액(팔라듐으로서 2 g/L), 카르복시메틸셀룰로오스(분자량 250000, 에테르화도 0.9) 100 ppm으로 이루어지는 무전해 팔라듐-인 도금액을 제조하였다. 이 팔라듐 도금액 1.3 L를 50 ℃로 가열하고, 이것을 교반하면서 상기에서 얻어진 니켈 피복 입자 시료(N1) 10 g을 첨가하였다. 이것에 의해 입자의 표면에 무전해 도금 처리를 행하였다. 처리 시간은 30 분으로 하였다. 처리 완료 후, 액체를 여과 분별하고, 이후에는 실시예 1과 동일한 공정을 행하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐 도금 피복 처리를 실시하였다.10 g / L of ethylene diamine, 50 g / L of sodium hypophosphite in and 20 g / L of tetra-ammin palladium hydrochloride (Pd (NH 3) 4 Cl 2) solution (2 g / L as palladium), carboxymethyl cellulose ( A molecular weight of 250,000, and an etherification degree of 0.9) of 100 ppm. 1.3 L of the palladium plating solution was heated to 50 캜, and 10 g of the nickel-coated particle sample (N1) obtained above was added thereto while stirring. Thus, electroless plating was performed on the surface of the particles. The treatment time was 30 minutes. After the completion of the treatment, the liquid was separated by filtration. Thereafter, the same processes as in Example 1 were carried out, and palladium plating coating treatment was performed on the nickel-phosphorus alloy film.

[실시예 6 및 7][Examples 6 and 7]

치아 인산 나트륨의 농도를 10 g/L(실시예 6), 25 g/L(실시예 7)로 하는 것 이외에는 실시예 5와 동일한 조작을 행하여, 니켈 합금 피막상에 팔라듐-인 도금 피복 처리를 실시하였다.The procedure of Example 5 was repeated except that the concentration of sodium hypophosphite was changed to 10 g / L (Example 6) and 25 g / L (Example 7), palladium-phosphorus plating treatment was performed on the nickel alloy film Respectively.

[실시예 8 내지 10][Examples 8 to 10]

니켈 피복 입자를 N2로 하는 것 이외에는 실시예 2, 실시예 4, 실시예 5와 동일한 조작을 행하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐-인 도금 피복 처리를 실시하였다.The procedure of Example 2, Example 4, and Example 5 was repeated except that N2 was used as the nickel-coated particles, and palladium-phosphorus plating coating treatment was performed on the nickel-phosphorus alloy film.

[비교예 1 내지 3][Comparative Examples 1 to 3]

니켈 피복 입자를 N3으로 하는 것 이외에는 실시예 2, 실시예 4, 실시예 5와 동일한 조작을 행하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐 도금 피복 또는 팔라듐-인 도금 피복 처리를 실시하였다.The procedure of Example 2, Example 4, and Example 5 was repeated except that N3 was used as the nickel-coated particles, and palladium plating or palladium-phosphorus plating coating treatment was performed on the nickel-phosphorus alloy film.

[비교예 4 내지 6][Comparative Examples 4 to 6]

니켈 피복 입자를 N4로 하는 것 이외에는 실시예 2, 실시예 4, 실시예 5와 동일한 조작을 행하여, 니켈-인 합금 피막상에 팔라듐 도금 피복 또는 팔라듐-인 도금 피복 처리를 실시하였다.The procedure of Example 2, Example 4, and Example 5 was repeated except that N4 was used as the nickel-coated particles, and palladium plating or palladium-phosphorus plating coating treatment was performed on the nickel-phosphorus alloy film.

[비교예 7][Comparative Example 7]

차아인산나트륨의 농도를 200 g/L로 하는 것 이외에는 실시예 5와 동일한 조작을 행하여, 니켈 합금 피막상에 팔라듐-인 도금 피복 처리를 실시하였다.The procedure of Example 5 was repeated except that the concentration of sodium hypophosphite was changed to 200 g / L, and palladium-phosphorus plating coating treatment was performed on the nickel alloy film.

[참고예 1(금 도금)][Reference Example 1 (gold plating)]

10 g/L의 EDTA-4 Na, 10 g/L의 시트르산-2 Na 및 2.9 g/L의 시안화금칼륨(Au로서 2.0 g/L)로 이루어지는 무전해 금 도금액을 제조하였다. 이 금 도금액 2 리터를 79 ℃로 가열하고, 이것을 교반하면서, 니켈 피복 입자 N1을 10 g 첨가하였다. 이것에 의해 입자의 표면에 무전해 도금 처리를 행하였다. 처리 시간은 20 분으로 하였다. 처리 완료 후, 액체를 여과하고, 여과물을 3 회 리펄프하였다. 이어서 110 ℃의 진공 건조기로 건조하였다. 이렇게 하여, 니켈-인 합금 피막상에 금 도금 피복 처리를 실시하였다. An electroless gold plating solution consisting of 10 g / L of EDTA-4 Na, 10 g / L of citric acid-2 Na and 2.9 g / L of gold potassium cyanide (2.0 g / L as Au) was prepared. 2 liters of the gold plating solution was heated to 79 DEG C, and 10 g of the nickel-coated particles N1 was added thereto while stirring. Thus, electroless plating was performed on the surface of the particles. The treatment time was 20 minutes. After completion of the treatment, the liquid was filtered and the filtrate was repulped three times. Followed by drying in a vacuum dryer at 110 deg. Thus, the nickel-phosphorus alloy film was subjected to gold plating coating treatment.

[도전성 분체의 물성 평가][Evaluation of physical properties of conductive powder]

실시예, 비교예 및 참고예에서 얻어진 도전성 입자의 평균 입경, 니켈 피막의 두께, 팔라듐 피막의 두께, 금 피막의 두께, 팔라듐 피막 중의 인 함유량, 높이 50 nm 이상인 돌기부의 개수, 높이 50 nm 이상인 돌기부의 종횡비, 일차 입자가 차지하는 비율을 각각 측정·평가하였다. 이들 결과를 이하의 표 2에 나타내었다. 또한, 팔라듐 피막 또는 금 피막의 밀착성, 도전성, 쇼트의 발생(전기 신뢰성), 저항값을 각각 측정·평가하였다. 이들 결과를, 이하의 표 3에 나타내었다. 또한, 도전성 입자의 입경, 높이 50 nm 이상인 돌기부의 개수, 높이 50 nm 이상인 돌기부의 종횡비, 팔라듐 피막 또는 금 피막의 밀착성은 상기 니켈 피복 입자와 동일한 방법으로 측정·평가하였다. 또한, 니켈 피막의 두께, 팔라듐 피막 또는 금 피막의 두께, 팔라듐 피막 중의 인 함유량, 도전성, 쇼트의 발생(전기 신뢰성), 저항값은 이하와 같이 측정·평가하였다.The thickness of the palladium coating, the thickness of the gold coating, the phosphorus content in the palladium coating, the number of protrusions having a height of 50 nm or more, the height of the protrusions having a height of 50 nm or more, the average particle diameter of the conductive particles obtained in Examples, And the ratio of the primary particles to each other were measured and evaluated. These results are shown in Table 2 below. Further, adhesion, conductivity, occurrence of short (electrical reliability) and resistance value of the palladium coating or gold coating were measured and evaluated, respectively. These results are shown in Table 3 below. The particle size of the conductive particles, the number of protrusions having a height of 50 nm or more, the aspect ratio of the protrusions having a height of 50 nm or more, and the adhesion of the palladium coating or gold coating were measured and evaluated in the same manner as in the nickel covering particles. The thickness of the nickel film, the thickness of the palladium film or gold film, the phosphorus content in the palladium film, the conductivity, the occurrence (electrical reliability), and the resistance value of the shot were measured and evaluated as follows.

[팔라듐 도금 또는 금 도금 후의 니켈 피막의 두께][Thickness of Nickel Coating after Palladium Plating or Gold Plating]

도전성 입자를 왕수에 침지하여 금속 피막을 용해시키고, 피막 성분을 ICP 또는 화학 분석하여, 이하의 계산식 5 및 6으로부터 니켈 피막의 두께를 산출하였다.The conductive particles were immersed in aqua regia to dissolve the metal coating, ICP or chemical analysis of the coating component, and the thickness of the nickel coating was calculated from the following equations (5) and (6).

<계산식 5><Expression 5>

Figure pat00005
Figure pat00005

<계산식 6><Expression 6>

Figure pat00006
Figure pat00006

식 중, r은 코어재 입자의 반경(μm), t는 니켈 피막의 두께, d1은 니켈 피막의 비중, d2는 코어재 입자의 비중, W는 니켈 함유율(중량%), X는 금 또는 팔라듐의 함유율이다.Wherein, r is the radius of the core material particles (μm), t is the thickness of the nickel coating film, d 1 is the proportion of the nickel coating film, d 2 is the proportion of the core material particles, W is a nickel content (wt.%), X is gold Or the content of palladium.

[금 피막·팔라듐 피막의 두께][Thickness of Gold Film and Palladium Film]

도전성 입자를 왕수에 침지하여, 니켈, 금 또는 팔라듐 피막을 용해시키고, 피막 성분을 ICP 또는 화학 분석하여, 이하의 7 및 8로부터 금 또는 팔라듐 피막의 두께를 산출하였다.The conductive particles were immersed in aqua regia to dissolve the nickel, gold or palladium coating, ICP or chemical analysis of the coating component, and the thickness of the gold or palladium coating was calculated from the following 7 and 8.

<계산식 7><Expression 7>

Figure pat00007
Figure pat00007

<계산식 8><Expression 8>

Figure pat00008
Figure pat00008

식 중, u는 금, 또는 팔라듐의 두께, d3은 금, 또는 팔라듐 피막의 비중, d4는 Ni품의 비중, X는 금, 또는 팔라듐의 함유율(중량%)이다. 여기서, Ni품의 비중 d4는 계산식을 이용하였다. 비중은 이하의 계산식 9를 이용하여 산출하였다.In the formula, u is the thickness of gold or palladium, d 3 is the specific gravity of the gold or palladium coating, d 4 is the specific gravity of the Ni product, and X is the content of gold or palladium (wt%). Here, the specific gravity d 4 of the Ni product is calculated. The specific gravity was calculated using the following equation (9).

<계산식 9><Expression 9>

Figure pat00009
Figure pat00009

[팔라듐 피막 중의 인 함유량][Phosphorus content in palladium film]

팔라듐 피복 전의 니켈 입자를 왕수에 침지하여 니켈 피막을 용해시키고, 피막 성분을 ICP 또는 화학 분석하여, 금속화율을 산출하였다. 또한, 팔라듐 피복 후의 입자의 니켈, 팔라듐 피막을 용해 후 피막 성분을 ICP 또는 화학 분석하여, 금속화율을 산출하고, 이하의 계산식에 의해 팔라듐 피막 중의 인 함유율을 산출하였다.The nickel particles before the palladium coating were immersed in aqua regia to dissolve the nickel coating, and the component of the coating was subjected to ICP or chemical analysis to calculate the metallization ratio. Further, after dissolving the nickel and palladium coatings of the palladium-coated particles, ICP or chemical analysis of the coating components was performed to calculate the metallization ratio, and the phosphorus content in the palladium coating was calculated by the following calculation formula.

니켈 피복 입자 중의 인 함유량(g)The phosphorus content (g) in the nickel-

<계산식 10><Expression 10>

Figure pat00010
Figure pat00010

팔라듐 피복 입자 중의 인 함유량(g)The phosphorus content (g) in the palladium-

<계산식 11><Expression 11>

Figure pat00011
Figure pat00011

팔라듐 피복 입자 중의 팔라듐 함유량(g)The palladium content (g) in the palladium-

<계산식 12><Expression 12>

Figure pat00012
Figure pat00012

따라서, 팔라듐 피막중의 인 함유율 E(중량%)는Therefore, the phosphorus content E (% by weight) in the palladium coating is

<계산식 13><Expression 13>

Figure pat00013
Figure pat00013

여기서, V는 팔라듐 처리 전의 니켈 피복 입자의 중량(g), Y1은 니켈 피복 입자의 인 함유율(중량%), Y2는 팔라듐 피막 입자의 인 함유율(중량%), W는 팔라듐의 금속화율이다. 다만, 여기서 니켈 피막으로부터의 니켈 및 인의 용출은 매우 적었기 때문에 0으로 하여 계산하였다.V is the weight (g) of the nickel-coated particles before the palladium treatment, Y 1 is the phosphorus content (wt%) of the nickel-coated particles, Y 2 is the phosphorus content (wt%) of the palladium coating particles, W is the metallization rate to be. However, since the elution of nickel and phosphorus from the nickel film was very small, it was calculated as 0.

[도전성, 쇼트의 발생(전기 신뢰성), 저항값][Conductivity, occurrence of short (electrical reliability), resistance value]

에폭시 수지 100 부, 경화제 150 부, 톨루엔 70 부를 혼합하여, 절연성 접착제를 제조하였다. 이것에 도전성 입자 15 부를 배합하여 페이스트를 얻었다. 바 코터를 이용하여 이 페이스트를 실리콘 처리 폴리에스테르 필름상에 도포하여 건조시켰다. 얻어진 도공 필름을 이용하여, 전면을 알루미늄으로 증착한 유리와 50 μm 피치로 구리 패턴을 형성한 폴리이미드 필름 기판 사이의 접속을 행하였다. 그리고 전극간의 도통 저항을 측정함으로써, 도전성 입자의 도전성을 평가하였다. 평가는 저항값 2 Ω 이하를 ○로 하고, 2 내지 5 Ω를 △, 5 Ω 이상을 ×로 하였다. 또한, 쇼트 발생의 유무도 관찰하였다. 추가로, 85 ℃·85 % RH의 조건으로 500 h 유지 후에 측정한 저항값도 측정하였다.100 parts of an epoxy resin, 150 parts of a curing agent and 70 parts of toluene were mixed to prepare an insulating adhesive. And 15 parts of the conductive particles were blended to obtain a paste. The paste was applied on a silicone-treated polyester film using a bar coater and dried. Using the obtained coated film, a connection was made between a glass on which the entire surface was vapor-deposited with aluminum and a polyimide film substrate on which a copper pattern was formed with a pitch of 50 μm. The conductivity of the conductive particles was evaluated by measuring the conduction resistance between the electrodes. The evaluation was evaluated as?, The resistance value was 2? Or less,? Was 2 to 5? And? Was 5 or more. In addition, the presence or absence of occurrence of a shot was also observed. Further, the resistance value measured after holding at 500 캜 under the condition of 85 캜 and 85% RH was also measured.

Figure pat00014
Figure pat00014

Figure pat00015
Figure pat00015

Claims (4)

평균 입경이 1 내지 50 μm인 코어재 입자의 표면에 니켈 또는 니켈 합금 피막이 형성된 니켈 피복 입자 표면에, 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막이 더 형성된 도전성 입자로 이루어지는 도전성 분체이며,
상기 도전성 입자는 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막 표면으로부터 돌출하고, 또한 상기 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막과 연속체로 되어 있는, 높이가 50 nm 이상이고 종횡비가 1.0 이상인 돌기부를 입자 1 개당 5 개 이상 가지고,
상기 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막중의 인 함유량이 3 중량% 이하이고,
상기 도전성 분체에 있어서는, 상기 도전성 입자 중 일차 입자가 차지하는 비율이 도전성 분체의 중량에 대하여 85 중량% 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 분체.
A conductive powder comprising conductive particles having a nickel or nickel alloy coating formed on the surface of core particles having an average particle diameter of 1 to 50 占 퐉 and further coated with a palladium or palladium alloy coating on the surface of the nickel-
The conductive particles having at least 5 protrusions each having a height of 50 nm or more and an aspect ratio of 1.0 or more and protruding from the surface of the palladium or palladium alloy coating film and continuing with the palladium or palladium alloy coating,
The content of phosphorus in the palladium or palladium alloy coating is 3 wt% or less,
In the conductive powder, the proportion of the primary particles in the conductive particles is 85% by weight or more based on the weight of the conductive powder.
제1항에 있어서, 상기 팔라듐 또는 팔라듐 합금 피막의 두께가 5 내지 500 nm인 도전성 분체.The conductive powder according to claim 1, wherein the palladium or palladium alloy coating has a thickness of 5 to 500 nm. 제1항에 있어서, 상기 니켈 또는 니켈 합금 피막의 두께가 10 내지 300 nm인 도전성 분체.The conductive powder according to claim 1, wherein the nickel or nickel alloy coating has a thickness of 10 to 300 nm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 분체와 절연성 수지를 포함하는 도전성 재료.A conductive material comprising the conductive powder according to any one of claims 1 to 3 and an insulating resin.
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