JP2005166438A - Circuit connecting material, and connection structure of circuit member using it - Google Patents

Circuit connecting material, and connection structure of circuit member using it Download PDF

Info

Publication number
JP2005166438A
JP2005166438A JP2003403482A JP2003403482A JP2005166438A JP 2005166438 A JP2005166438 A JP 2005166438A JP 2003403482 A JP2003403482 A JP 2003403482A JP 2003403482 A JP2003403482 A JP 2003403482A JP 2005166438 A JP2005166438 A JP 2005166438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
conductive particles
connection
connection material
material according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003403482A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5247968B2 (en
Inventor
Masahiro Arifuku
征宏 有福
Itsuo Watanabe
伊津夫 渡辺
Yasushi Goto
泰史 後藤
Koji Kobayashi
宏治 小林
Takashi Nakazawa
孝 中澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2003403482A priority Critical patent/JP5247968B2/en
Publication of JP2005166438A publication Critical patent/JP2005166438A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5247968B2 publication Critical patent/JP5247968B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit connecting material or the like by which better electrical connection between circuit electrodes confronted each other is attained and long-term reliability of electrical characteristics between the circuit electrodes is sufficiently improved, regardless of existence or non-existence of irregularities on the surface of the circuit electrodes. <P>SOLUTION: The circuit connecting material 50 includes an adhesive composition 51 and conductive particles 12 having projected portions on a surface side, and a storage elastic modulus at 40°C becomes 0.5 to 3GPa by hardening treatment, while an average coefficient of thermal expansion from 25 to 100°C becomes 30 to 200 ppm/°C by hardening treatment. Even if the adhesive composition enters between the conductive particles 12 and the circuit electrodes when pressurized, a pressure applied to the adhesive composition by the projected portions 14 becomes fully higher than a pressure applied by the conductive particles with no projected portion, by which the projected portions 14 penetrate the adhesive composition with ease and are brought into contact with the circuit electrodes, and a state in which the conductive particles 12 are kept to be connected to the circuit electrodes is held for a longer term. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、回路接続材料、及びこれを用いた回路部材の接続構造に関する。   The present invention relates to a circuit connecting material and a circuit member connecting structure using the same.

液晶ディスプレイとテープキャリアパッケージ(Tape Carrier Package:TCP)との接続、フレキシブル回路基板(Flexible Printed Circuit:FPC)とTCPとの接続、又はFPCとプリント配線板との接続といった回路部材同士の接続には、接着剤中に導電粒子を分散させた回路接続材料(例えば、異方導電性接着剤)が使用されている。また、最近では半導体シリコンチップを基板に実装する場合、回路部材同士の接続のためにワイヤボンドを使用することなく、半導体シリコンチップをフェイスダウンして基板に直接実装する、いわゆるフリップチップ実装が行われている。このフリップチップ実装においても、回路部材同士の接続には異方導電性接着剤等の回路接続材料が使用されている(例えば、特許文献1〜5参照)。   For connection between circuit members such as connection between liquid crystal display and tape carrier package (Tape Carrier Package: TCP), connection between flexible printed circuit (FPC) and TCP, or connection between FPC and printed wiring board A circuit connection material (for example, anisotropic conductive adhesive) in which conductive particles are dispersed in an adhesive is used. Recently, when a semiconductor silicon chip is mounted on a substrate, so-called flip chip mounting, in which the semiconductor silicon chip is directly mounted on the substrate face down without using a wire bond to connect circuit members, is performed. It has been broken. Also in this flip chip mounting, a circuit connection material such as an anisotropic conductive adhesive is used for connection between circuit members (see, for example, Patent Documents 1 to 5).

上述した回路接続材料は一般に、接着剤組成物と、導電粒子とを含有しており、導電粒子は、例えば有機高分子化合物からなる核体の表面上に金属メッキ層を形成することにより構成されている。そして、金属メッキ層の表面は、通常平坦となっている。
特開昭59−120436号公報 特開昭60−191228号公報 特開平1−251787号公報 特開平7−90237号公報 特開2001−189171号公報
The circuit connection material described above generally contains an adhesive composition and conductive particles, and the conductive particles are formed by forming a metal plating layer on the surface of a core made of an organic polymer compound, for example. ing. The surface of the metal plating layer is usually flat.
JP 59-120436 A JP-A-60-191228 JP-A-1-251787 JP-A-7-90237 JP 2001-189171 A

ところで、近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、回路部材に形成された回路の高密度化が進展し、隣接する電極との間隔や電極の幅が非常に狭くなる傾向がある。回路電極の形成は、回路の元となる金属を基板全面に形成し、回路電極部にレジストを塗布、硬化し、それ以外の部分を酸若しくは塩基でエッチングするという工程で行われるが、上述した高密度化された回路の場合には、基板全面に形成した金属の凹凸が大きいと凹部と凸部でエッチング時間が異なるために、精密なエッチングを行えず、隣接回路間のショートや断線が発生するという問題がある。このため、高密度回路の電極表面では凹凸が小さいこと、すなわち電極表面が平坦であることが望まれている。   By the way, in recent years, with the downsizing and thinning of electronic devices, the density of circuits formed on circuit members has been increased, and the distance between adjacent electrodes and the width of electrodes tend to be very narrow. The formation of the circuit electrode is performed by a process in which a metal that is the source of the circuit is formed on the entire surface of the substrate, a resist is applied to the circuit electrode portion and cured, and the other portions are etched with an acid or a base. In the case of high-density circuits, if the metal irregularities formed on the entire surface of the substrate are large, the etching time differs between the concave and convex portions, so precise etching cannot be performed, and short circuits and disconnections between adjacent circuits occur. There is a problem of doing. For this reason, it is desired that unevenness is small on the electrode surface of the high-density circuit, that is, the electrode surface is flat.

しかし、このような相対向する平坦な回路電極同士を、前述した従来の回路接続材料を用いて接続した場合には、回路接続材料中に含まれる導電粒子と平坦電極との間に接着剤樹脂が残り、回路電極間において十分な電気的接続及び長期信頼性を確保できないという問題があった。   However, when such flat circuit electrodes facing each other are connected using the above-described conventional circuit connection material, an adhesive resin is used between the conductive particles contained in the circuit connection material and the flat electrode. There remains a problem that sufficient electrical connection and long-term reliability cannot be secured between the circuit electrodes.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、回路電極の表面が平坦であっても、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる回路接続材料及び回路部材の接続構造を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and even if the surface of the circuit electrode is flat, it is possible to achieve good electrical connection between the facing circuit electrodes and to achieve a long-term electrical property between the circuit electrodes. It is an object of the present invention to provide a circuit connection material and a circuit member connection structure that can sufficiently enhance reliability.

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、上記課題の生じる原因が特に導電粒子の表面形状にあることを見出した。すなわち、上記従来の回路接続材料に含まれる導電粒子はその表面が平坦であるため、導電粒子と回路電極との間に接着剤組成物が入り込んだ場合に接着剤組成物に対する圧力が小さく、導電粒子と回路電極とを十分に接触させることが困難となり、回路電極間の電気的接続が不十分となることを見出した。そして、本発明者等は、上記課題を解決すべく更に鋭意研究を重ねた結果、硬化処理により40℃における貯蔵弾性率及び25℃〜100℃における平均熱膨張係数が特定の範囲となることが可能で、且つ、特定の表面形状の導電粒子を有する回路接続材料を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the cause of the above problems is particularly the surface shape of the conductive particles. That is, since the conductive particles contained in the conventional circuit connection material have a flat surface, when the adhesive composition enters between the conductive particles and the circuit electrode, the pressure on the adhesive composition is small and the conductive particles are conductive. It has been found that it is difficult to sufficiently contact the particles and the circuit electrodes, and the electrical connection between the circuit electrodes becomes insufficient. And as a result of further earnest studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that the storage modulus at 40 ° C. and the average thermal expansion coefficient at 25 ° C. to 100 ° C. are within a specific range by the curing treatment. It has been found that the above problems can be solved by using a circuit connecting material having conductive particles having a specific surface shape, and the present invention has been completed.

すなわち本発明の回路接続材料は、第1の回路基板の主面上に第1の回路電極が形成された第1の回路部材と、第1の回路部材に対向して配置され、第2の回路基板の主面上に第2の回路電極が形成された第2の回路部材と、第1の回路部材の主面と第2の回路部材の主面との間に設けられ、第1及び第2の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造における、回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、回路接続材料は、接着剤組成物と、表面側に導電性を有する複数の突起部を備えた導電粒子とを含有し、硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり、且つ硬化処理により25℃から100℃までの平均熱膨張係数が、30〜200ppm/℃となることが可能である、ことを特徴とする。   That is, the circuit connection material of the present invention is disposed so as to face the first circuit member, the first circuit member having the first circuit electrode formed on the main surface of the first circuit board, and the second circuit member. A second circuit member having a second circuit electrode formed on the main surface of the circuit board, and provided between the main surface of the first circuit member and the main surface of the second circuit member; A circuit connection material for forming a circuit connection member in a circuit member connection structure comprising a circuit connection member for connecting the second circuit members to each other, the circuit connection material comprising an adhesive composition, a surface Conductive particles having a plurality of conductive parts on the side, the storage elastic modulus at 40 ° C. is 0.5 to 3 GPa by the curing process, and the average heat from 25 ° C. to 100 ° C. by the curing process The expansion coefficient can be 30 to 200 ppm / ° C. The features.

この回路接続材料によれば、第1及び第2の回路部材の間に介在され、第1及び第2の回路部材を介して加圧される。このとき、導電粒子と第1及び第2の回路電極との間に接着剤組成物が入り込んでも、導電粒子の持つ突起部より接着剤組成物に加えられる圧力が、突起部が無い導電粒子より加えられる圧力に比べて十分に大きくなるため、導電粒子の突起部が接着剤組成物を容易に貫通して第1及び第2回路電極に接触することが可能となる。このことは、第1及び/又は第2回路電極の表面に凹凸があり、導電粒子と第1及び/又は第2回路電極との間に接着剤組成物が入り込みやすい状態であっても同様である。そして、回路接続材料が硬化処理されることにより、導電粒子と第1及び第2回路電極とが接触した状態が長期間にわたって保持される。   According to this circuit connection material, it is interposed between the first and second circuit members and is pressurized via the first and second circuit members. At this time, even if the adhesive composition enters between the conductive particles and the first and second circuit electrodes, the pressure applied to the adhesive composition from the protrusions of the conductive particles is higher than the conductive particles without the protrusions. Since it becomes sufficiently larger than the applied pressure, the protrusion of the conductive particles can easily penetrate the adhesive composition and come into contact with the first and second circuit electrodes. This is the same even when the surface of the first and / or second circuit electrode has irregularities and the adhesive composition easily enters between the conductive particles and the first and / or second circuit electrode. is there. And the state which the electrically-conductive particle and the 1st and 2nd circuit electrode contacted is hold | maintained over a long period of time by the hardening process of a circuit connection material.

また本発明は、上記回路接続材料をフィルム状に形成してなることを特徴とするフィルム状回路接続材料である。このフィルム状回路接続材料はフィルム状であり、取扱いが容易である。このため、このフィルム状回路接続材料によれば、第1の回路部材と第2の回路部材とを接続する際に、それらの間に容易に介在させることができ、第1の回路部材と第2の回路部材との接続作業を容易に行うことができる。   Moreover, this invention is a film-form circuit connection material formed by forming the said circuit connection material in a film form. This film-like circuit connecting material is film-like and easy to handle. For this reason, according to this film-like circuit connecting material, when connecting the first circuit member and the second circuit member, they can be easily interposed between them, Connection work with the circuit member of 2 can be performed easily.

また本発明は、第1の回路基板の主面上に第1の回路電極が形成された第1の回路部材と、第1の回路部材に対向して配置され、第2の回路基板の主面上に第2の回路電極が形成された第2の回路部材と、第1の回路部材の主面と第2の回路部材の主面との間に設けられ、第1及び第2の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造であって、回路接続部材が、絶縁性物質と、表面側に導電性を有する複数の突起部を備えた導電粒子とを含有し、回路接続部材の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり、且つ、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃であり、第1の回路電極と第2の回路電極とが、導電粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする。   The present invention also provides a first circuit member in which a first circuit electrode is formed on a main surface of a first circuit board, a first circuit member disposed opposite to the first circuit member, and the main circuit board of the second circuit board. A second circuit member having a second circuit electrode formed on the surface; and a first circuit member and a second circuit member provided between the main surface of the first circuit member and the main surface of the second circuit member. A circuit member connection structure comprising: a circuit connection member for connecting members, wherein the circuit connection member contains an insulating substance and conductive particles having a plurality of projecting portions having conductivity on the surface side. The storage elastic modulus at 40 ° C. of the circuit connecting member is 0.5 to 3 GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 ° C. to 100 ° C. is 30 to 200 ppm / ° C. The two circuit electrodes are electrically connected through conductive particles.

この回路部材の接続構造によれば、回路接続部材の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり、且つ、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃であることにより、第1の回路電極又は第2の回路電極との界面の応力緩和により、高い接着強度が実現され、且つその状態を長期間にわたって持続させることが可能となる。   According to this circuit member connection structure, the storage elastic modulus at 40 ° C. of the circuit connection member is 0.5 to 3 GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 ° C. to 100 ° C. is 30 to 200 ppm / ° C. Accordingly, stress relaxation at the interface with the first circuit electrode or the second circuit electrode achieves high adhesive strength, and the state can be maintained for a long period of time.

本発明の回路接続材料及び回路部材の接続構造によれば、回路電極の表面が平坦であっても、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる。   According to the circuit connection material and the circuit member connection structure of the present invention, even if the surface of the circuit electrode is flat, it is possible to achieve good electrical connection between the facing circuit electrodes and to improve the electrical characteristics between the circuit electrodes. Long-term reliability can be sufficiently increased.

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. For the convenience of illustration, the dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.

図1は、本発明に係る回路部材の接続構造の第1実施形態を示す概略断面図である。本実施形態の回路部材の接続構造1は、相互に対向する第1の回路部材30及び第2の回路部材40を備えており、第1の回路部材30と第2の回路部材40との間には、これらを接続する回路接続部材10が設けられている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a circuit member connection structure according to the present invention. The circuit member connection structure 1 according to the present embodiment includes a first circuit member 30 and a second circuit member 40 that face each other, and is provided between the first circuit member 30 and the second circuit member 40. Is provided with a circuit connecting member 10 for connecting them.

第1の回路部材30は、回路基板(第1の回路基板)31と、回路基板31の主面31a上に形成される回路電極(第1の回路電極)32とを備えている。第2の回路部材40は、回路基板41と、回路基板41の主面41a上に形成される回路電極(第1の回路電極)42とを備えている。回路基板31、41において、回路電極32、42の表面は平坦になっている。なお、本発明において「回路電極の表面が平坦」とは、回路電極の表面の凹凸が20nm以下であることをいう。   The first circuit member 30 includes a circuit board (first circuit board) 31 and a circuit electrode (first circuit electrode) 32 formed on the main surface 31 a of the circuit board 31. The second circuit member 40 includes a circuit board 41 and a circuit electrode (first circuit electrode) 42 formed on the main surface 41 a of the circuit board 41. In the circuit boards 31 and 41, the surfaces of the circuit electrodes 32 and 42 are flat. In the present invention, “the surface of the circuit electrode is flat” means that the unevenness of the surface of the circuit electrode is 20 nm or less.

回路接続部材10においては、それを構成する材料の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり、25℃から100℃までの平均熱膨張係数は30〜200ppm/℃である。なお、本発明における貯蔵弾性率は動的粘弾性測定機(Rhomotorics Scientific社製、RSA−II)を用いて測定されたものであり、本発明における平均熱膨張係数はTMA(セイコーインスツルメンツ社製、TMA/SS6000)を用いて測定されたものである。   In the circuit connection member 10, the storage elastic modulus in 40 degreeC of the material which comprises it is 0.5-3GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 degreeC to 100 degreeC is 30-200 ppm / degrees C. In addition, the storage elastic modulus in this invention was measured using the dynamic viscoelasticity measuring machine (Rhomotorics Scientific company make, RSA-II), and the average thermal expansion coefficient in this invention is TMA (made by Seiko Instruments Inc., It was measured using TMA / SS6000).

また回路接続部材10は、絶縁性物質11と導電粒子12とを含有している。導電粒子12はその詳細については後述するが、図2(a)〜(d)に示すように、その表面側に複数の突起部14を有している。   The circuit connection member 10 contains an insulating material 11 and conductive particles 12. Although the details of the conductive particles 12 will be described later, as shown in FIGS. 2A to 2D, the conductive particles 12 have a plurality of protrusions 14 on the surface side.

そして、この回路部材の接続構造1においては、対向する回路電極32と回路電極42とが、導電粒子12を介して電気的に接続されている。即ち、導電粒子12が、回路電極32,42の双方に直接接触している。具体的には、導電粒子12の突起部14が、絶縁性物質11を貫通して第1回路電極32、第2の回路電極42に接触している。   In the circuit member connection structure 1, the circuit electrode 32 and the circuit electrode 42 facing each other are electrically connected via the conductive particles 12. That is, the conductive particles 12 are in direct contact with both the circuit electrodes 32 and 42. Specifically, the protrusion 14 of the conductive particle 12 penetrates the insulating substance 11 and is in contact with the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42.

このため、回路電極32,42間の接続抵抗が十分に低減され、回路電極32,42間の良好な電気的接続が可能となる。従って、回路電極32,42間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。   For this reason, the connection resistance between the circuit electrodes 32 and 42 is sufficiently reduced, and a good electrical connection between the circuit electrodes 32 and 42 becomes possible. Therefore, the flow of current between the circuit electrodes 32 and 42 can be made smooth, and the functions of the circuit can be fully exhibited.

また回路接続部材10の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり、且つ、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃であることにより、第1の回路電極32又は第2の回路電極42との界面の応力緩和により、高い接着強度が実現され、且つその状態を長期間にわたって持続させることが可能となる。即ち、第1回路電極32及び第2回路電極42間の距離の経時的変化が十分に防止され、第1回路電極32及び第2回路電極42間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる。   The circuit connecting member 10 has a storage elastic modulus at 40 ° C. of 0.5 to 3 GPa and an average coefficient of thermal expansion from 25 ° C. to 100 ° C. of 30 to 200 ppm / ° C., whereby the first circuit electrode Due to stress relaxation at the interface with the 32 or the second circuit electrode 42, high adhesive strength is realized, and the state can be maintained for a long period of time. That is, the change with time of the distance between the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42 is sufficiently prevented, and the long-term reliability of the electrical characteristics between the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42 is sufficiently enhanced. Can do.

なお、上記回路接続部材10を構成する材料の40℃における貯蔵弾性率が0.5GPa未満の場合は、接着強度が不十分となり、3GPaを超えると、内部応力によって回路接続部材10での接続抵抗が増大したり、回路接続部材10が第1又は第2の回路部材30,40から剥離したりする。また、上記平均熱膨張係数が30ppm/℃未満の場合は、接着強度が不十分となり、200ppm/℃を超えると、内部応力によって回路接続部材10での接続抵抗が増大したり、回路接続部材10が第1又は第2の回路部材30,40から剥離したりする。   In addition, when the storage elastic modulus at 40 ° C. of the material constituting the circuit connection member 10 is less than 0.5 GPa, the adhesive strength is insufficient, and when it exceeds 3 GPa, the connection resistance in the circuit connection member 10 due to internal stress. Or the circuit connecting member 10 peels from the first or second circuit member 30 or 40. Further, when the average thermal expansion coefficient is less than 30 ppm / ° C., the adhesive strength becomes insufficient. When the average thermal expansion coefficient exceeds 200 ppm / ° C., the connection resistance at the circuit connection member 10 increases due to internal stress, or the circuit connection member 10 Peels from the first or second circuit member 30 or 40.

次に、導電粒子12の構成について詳細に説明する。図2は、本発明に係る回路接続材料を構成する導電粒子の種々の形態を示す断面図である。図2(a)に示すように、導電粒子12は、導電性を有する粒子(本体部)12aと、この粒子12aの表面上に形成された複数の突起部14とから構成されている。ここで、複数の突起部14は導電性を有する金属で構成されている。粒子12aは、例えば金属粒子で構成され、金属粒子としては、例えばニッケル、銅、金、銀、コバルト等が挙げられる。なお、粒子12aは、有機高分子化合物からなる核体上に金属層が形成されたものであっても構わない。突起部14を構成する金属は、例えばニッケル、銅、金、銀、コバルト等で構成される。粒子12aと突起部14を構成する金属は同一でも異なっていても構わない。   Next, the configuration of the conductive particles 12 will be described in detail. FIG. 2 is a cross-sectional view showing various forms of conductive particles constituting the circuit connecting material according to the present invention. As shown in FIG. 2A, the conductive particles 12 are composed of conductive particles (main body portions) 12a and a plurality of protrusions 14 formed on the surfaces of the particles 12a. Here, the plurality of protrusions 14 are made of conductive metal. The particles 12a are composed of, for example, metal particles. Examples of the metal particles include nickel, copper, gold, silver, and cobalt. The particles 12a may have a metal layer formed on a nucleus composed of an organic polymer compound. The metal which comprises the projection part 14 is comprised with nickel, copper, gold | metal | money, silver, cobalt etc., for example. The metal constituting the particles 12a and the protrusions 14 may be the same or different.

上記突起部14は、粒子12aの表面に、導電性を有する金属を蒸着又はメッキ等することにより形成することができる。   The protrusion 14 can be formed by depositing or plating a conductive metal on the surface of the particle 12a.

導電粒子12の突起部14の高さHは50〜500nmであることが好ましく、100〜300nmであることがより好ましい。また、隣接する突起部14間の距離Sは1000nm以下であることが好ましく、500nm以下であることがより好ましい。また、隣接する突起部14間の距離Sは、導電粒子と回路電極との間に接着剤組成物が入り込まず、十分に導電粒子と回路電極とを接触させるためには、少なくとも50nm以上であることが望ましい。なお、導電粒子12の突起部14の高さH及び隣接する突起部14間の距離Sは、電子顕微鏡により測定することができる。   The height H of the protrusions 14 of the conductive particles 12 is preferably 50 to 500 nm, and more preferably 100 to 300 nm. In addition, the distance S between the adjacent protrusions 14 is preferably 1000 nm or less, and more preferably 500 nm or less. Further, the distance S between the adjacent protrusions 14 is at least 50 nm or more so that the adhesive composition does not enter between the conductive particles and the circuit electrode, and the conductive particles and the circuit electrode are sufficiently brought into contact with each other. It is desirable. The height H of the protrusions 14 of the conductive particles 12 and the distance S between the adjacent protrusions 14 can be measured with an electron microscope.

また図2(b)に示すように、導電粒子12は、有機高分子化合物からなる核体21と、核体21の表面上に形成される金属層22とで構成されてもよい。核体21は、中核部21aと、中核部21aの表面上に形成される突起部21bとで構成され、金属層22は、その表面側に、複数の突起部14を有している。   As shown in FIG. 2B, the conductive particles 12 may be composed of a nucleus 21 made of an organic polymer compound and a metal layer 22 formed on the surface of the nucleus 21. The core body 21 is composed of a core portion 21a and protrusions 21b formed on the surface of the core portion 21a, and the metal layer 22 has a plurality of protrusions 14 on the surface side.

核体21の中核部21aを構成する有機高分子化合物としては、例えばアクリル樹脂、スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂又はこれらの共重合体が挙げられ、これらを架橋したものを使用してもよい。なお、核体21の中核部21aの平均粒径は50〜500nmであることが好ましい。   Examples of the organic polymer compound constituting the core portion 21a of the core body 21 include acrylic resin, styrene resin, benzoguanamine resin, silicone resin, polybutadiene resin, or a copolymer thereof. May be. The average particle size of the core 21a of the core 21 is preferably 50 to 500 nm.

核体21の突起部21bを構成する有機高分子化合物としては、例えばアクリル樹脂、スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂又はこれらの共重合体が挙げられ、これらを架橋したものを使用してもよい。突起部21bを構成する有機高分子化合物は、中核部21aを構成する有機高分子化合物と同一であっても異なっていてもよい。   Examples of the organic polymer compound constituting the protruding portion 21b of the core 21 include acrylic resin, styrene resin, benzoguanamine resin, silicone resin, polybutadiene resin, or a copolymer thereof. May be. The organic polymer compound constituting the protruding portion 21b may be the same as or different from the organic polymer compound constituting the core portion 21a.

核体21は、中核部21aの表面に中核部21aよりも小さな径を有する突起部21bを複数個吸着させることにより形成することができる。   The core 21 can be formed by adsorbing a plurality of protrusions 21b having a smaller diameter than the core 21a on the surface of the core 21a.

核体21上に形成される金属層22は、例えば、銅、ニッケル、ニッケル合金、銀又は銀合金で構成されている。   The metal layer 22 formed on the core body 21 is made of, for example, copper, nickel, nickel alloy, silver, or silver alloy.

金属層22は、これらの金属を核体21に対して無電解メッキ法を用いてメッキすることにより形成することができる。   The metal layer 22 can be formed by plating these metals on the core 21 using an electroless plating method.

なお、上記ニッケル合金は、メッキ浴中に配合される添加剤により種々のものがある。よく知られているニッケル合金としては、ニッケル−リン、ニッケル−ホウ素等が挙げられる。銀合金も、ニッケル合金と同様にメッキ浴中に配合される添加剤により種々のものがある。   There are various nickel alloys depending on the additive added to the plating bath. Well-known nickel alloys include nickel-phosphorus, nickel-boron and the like. There are various types of silver alloys depending on the additives blended in the plating bath in the same manner as the nickel alloys.

金属層22の厚さ(メッキの厚さ)は50〜170nmであることが好ましく、より好ましくは50〜150nmである。金属層22の厚さをこのような範囲とすることで、回路電極32,42間の接続抵抗をより一層良好なものとすることができる。金属層22の厚さが50nm未満ではメッキの欠損等が発生して接続抵抗が大きくなる傾向があり、170nmを超えると導電粒子間で凝結が発生して隣接する回路電極間で短絡が生じる傾向がある。   The thickness of the metal layer 22 (plating thickness) is preferably 50 to 170 nm, more preferably 50 to 150 nm. By setting the thickness of the metal layer 22 in such a range, the connection resistance between the circuit electrodes 32 and 42 can be further improved. If the thickness of the metal layer 22 is less than 50 nm, plating defects tend to occur and the connection resistance tends to increase. If the thickness exceeds 170 nm, condensation occurs between the conductive particles and a short circuit occurs between adjacent circuit electrodes. There is.

更に導電粒子12は、図2(c)に示すように、核体21が中核部21aのみで構成されてもよい。この導電粒子12は、核体21の表面を金属メッキし、核体21の表面上に金属層22が形成されることにより得ることができる。但し、突起部14は、金属メッキの際、メッキ条件を変更して金属層22の厚さを変化させることで金属層22に形成することができる。なお、メッキ条件の変更は、例えば、最初に使用したメッキ液に、これよりも濃度の高いメッキ液を追加することでメッキ液濃度を不均一にすることにより行うことができる。   Furthermore, as shown in FIG.2 (c), as for the electrically-conductive particle 12, the nucleus 21 may be comprised only in the core part 21a. The conductive particles 12 can be obtained by metal plating the surface of the core 21 and forming a metal layer 22 on the surface of the core 21. However, the protrusion 14 can be formed on the metal layer 22 by changing the thickness of the metal layer 22 by changing the plating conditions during metal plating. The plating conditions can be changed, for example, by making the plating solution concentration non-uniform by adding a plating solution having a higher concentration to the plating solution used first.

また、導電粒子12は、図2(d)に示すように、表面が平滑な金属層22上に最外層23を備えていてもよい。この形態では、最外層23の表面側に突起部24が形成されている。最外層23は、金又はパラジウムで構成され、金属層22上を置換メッキすることにより形成することができる。但し、突起部24は、金属メッキの際、上述と同様にメッキ条件を変更して最外層の厚さを変化させることで最外層に形成することができる。また、図2(b)に示す導電粒子12の金属層22の表面に最外層23を備えても良い。この場合は、突起部24は、メッキ条件を変更することなく金属メッキを行えばよい。   Moreover, as shown in FIG.2 (d), the electrically-conductive particle 12 may be provided with the outermost layer 23 on the metal layer 22 with the smooth surface. In this embodiment, the protrusion 24 is formed on the surface side of the outermost layer 23. The outermost layer 23 is made of gold or palladium, and can be formed by displacement plating on the metal layer 22. However, the protrusion 24 can be formed on the outermost layer by changing the thickness of the outermost layer by changing the plating conditions in the same manner as described above during metal plating. Moreover, you may provide the outermost layer 23 on the surface of the metal layer 22 of the electrically-conductive particle 12 shown in FIG.2 (b). In this case, the protrusion 24 may be metal plated without changing the plating conditions.

最外層の厚さは15〜70nmであることが好ましく、25〜50nmであることがより好ましい。最外層の厚さが15nm未満の場合には、メッキの欠損により十分な効果が得ることが困難となる傾向がある。また、最外層の厚さが70nmを越える場合には、良好な接続抵抗を達成できるが、使用するメッキ液量が相乗的に増加するため非常に製造コストが高くなる傾向がある。また、最外層を設けた場合、金属層22bの膜厚は70〜170nmが好ましい。膜厚が70nm未満では、メッキの欠損(剥がれ)等が発生して接続抵抗が大きくなる傾向があり、170nmを超えると、隣接する回路電極間で短絡が生じる傾向がある。   The thickness of the outermost layer is preferably 15 to 70 nm, and more preferably 25 to 50 nm. When the thickness of the outermost layer is less than 15 nm, it tends to be difficult to obtain a sufficient effect due to plating defects. Further, when the thickness of the outermost layer exceeds 70 nm, a good connection resistance can be achieved, but the production cost tends to be very high because the amount of the plating solution used increases synergistically. When the outermost layer is provided, the thickness of the metal layer 22b is preferably 70 to 170 nm. If the film thickness is less than 70 nm, plating defects (peeling) or the like tends to occur and the connection resistance tends to increase. If the film thickness exceeds 170 nm, a short circuit tends to occur between adjacent circuit electrodes.

また、回路電極32,42は通常、その全体が金、銀、錫、白金族の金属又はインジウム−錫酸化物(ITO)で構成されているが、回路電極32,42は、表面のみを上記物質で構成してもよい。更に回路基板31,41の材質は特に制限されないが、通常は有機絶縁性物質、ガラス又はシリコンである。   The circuit electrodes 32 and 42 are generally composed entirely of gold, silver, tin, a platinum group metal, or indium-tin oxide (ITO). It may be composed of a substance. Further, the material of the circuit boards 31 and 41 is not particularly limited, but is usually an organic insulating material, glass or silicon.

上記回路部材の接続構造1は、第1回路電極32,第2回路電極42の少なくとも一方の表面積が15000μm以下であり、且つ、第1の回路電極32と第2の回路電極42との間における平均導電粒子数が3個以上であることが好ましい。ここで、平均導電粒子数とは、回路電極1つあたりの導電粒子数の平均値を言う。この場合、対向する回路電極32,42間の接続抵抗をより十分に低減することができる。また、平均導電粒子数が6個以上である場合には、さらに良好な接続抵抗を達成できる。これは、対向する回路電極32,42間の接続抵抗が十分に低くなるからである。また回路電極32,42間における平均導電粒子数が2個以下の場合には、接続抵抗が高くなりすぎ、電子回路が正常に動作しなくなる虞がある。 In the circuit member connection structure 1, the surface area of at least one of the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42 is 15000 μm 2 or less, and between the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42. The average number of conductive particles in is preferably 3 or more. Here, the average number of conductive particles refers to the average value of the number of conductive particles per circuit electrode. In this case, the connection resistance between the circuit electrodes 32 and 42 facing each other can be more sufficiently reduced. Further, when the average number of conductive particles is 6 or more, even better connection resistance can be achieved. This is because the connection resistance between the circuit electrodes 32 and 42 facing each other is sufficiently low. Further, when the average number of conductive particles between the circuit electrodes 32 and 42 is 2 or less, the connection resistance becomes too high and the electronic circuit may not operate normally.

また、上記回路部材の接続構造1においては、回路接続部材10のガラス転移温度が60〜200℃であることが好ましい。ガラス転移温度が60℃未満の場合には、高温下で、接着強度が低下し、接続抵抗が上昇する傾向があり、200℃を超える場合には、回路接続部材10にクラックが発生して、第1又は第2の回路部材30、40との界面応力が大きくなり、接着強度が低下する傾向がある。   In the circuit member connection structure 1, the glass transition temperature of the circuit connection member 10 is preferably 60 to 200 ° C. If the glass transition temperature is less than 60 ° C., the adhesive strength tends to decrease and the connection resistance tends to increase at a high temperature, and if it exceeds 200 ° C., a crack occurs in the circuit connection member 10, The interface stress with the first or second circuit member 30 or 40 tends to increase, and the adhesive strength tends to decrease.

第1の回路部材30及び第2の回路部材40の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、プリント基板等の基板が挙げられる。これらの回路部材には、回路電極(回路端子)が通常は多数(場合によっては単数でもよい)設けられている。また、接続構造の形態としては、ICチップとチップ搭載基板との接続構造、電気回路相互の接続構造の形態もある。   Specific examples of the first circuit member 30 and the second circuit member 40 include chip components such as a semiconductor chip, a resistor chip, and a capacitor chip, and a substrate such as a printed circuit board. These circuit members are usually provided with a large number (in some cases, a single number) of circuit electrodes (circuit terminals). In addition, as a form of the connection structure, there are a connection structure between the IC chip and the chip mounting substrate and a connection structure between the electric circuits.

また、上記実施形態では、回路部材の接続構造1に絶縁層が設けられていないが、第1の回路部材30において、第1の回路電極32に隣接して第1の絶縁層が形成されてもよいし、第2の回路部材40において、第2の回路電極42に隣接して第2の絶縁層が形成されていてもよい。絶縁層は、絶縁材料で構成されていれば特に制限されないが、通常は有機絶縁性物質、二酸化珪素又は窒化珪素から構成される。   Moreover, in the said embodiment, although the insulating layer is not provided in the connection structure 1 of a circuit member, in the 1st circuit member 30, the 1st insulating layer is formed adjacent to the 1st circuit electrode 32. Alternatively, a second insulating layer may be formed adjacent to the second circuit electrode 42 in the second circuit member 40. The insulating layer is not particularly limited as long as it is made of an insulating material, but is usually made of an organic insulating material, silicon dioxide or silicon nitride.

[回路部材の接続構造の製造方法]
次に、上述した回路部材の接続構造1の製造方法について説明する。
[Method of manufacturing circuit member connection structure]
Next, the manufacturing method of the circuit member connection structure 1 described above will be described.

先ず、上述した第1の回路部材30と、第2の回路部材40と、回路接続材料とを準備する。回路接続材料としては、例えば、フィルム状に成形した回路接続材料(以下、フィルム状回路接続材料と言う。)50を準備する(図3参照)。フィルム状回路接続材料50は、第1の回路部材30及び第2の回路部材40に対して硬化処理により硬化する接着剤組成物51と、導電粒子12とを含有し、且つ硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃となることが可能なものである。フィルム状回路接続材料50の厚さは、10〜50μmであることが好ましい。   First, the first circuit member 30, the second circuit member 40, and the circuit connection material described above are prepared. As the circuit connection material, for example, a circuit connection material (hereinafter referred to as a film-like circuit connection material) 50 formed into a film shape is prepared (see FIG. 3). The film-like circuit connecting material 50 contains an adhesive composition 51 that is cured by a curing process on the first circuit member 30 and the second circuit member 40, and the conductive particles 12, and is 40 ° C. by the curing process. The storage elastic modulus in can be 0.5 to 3 GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 ° C. to 100 ° C. can be 30 to 200 ppm / ° C. The thickness of the film-like circuit connecting material 50 is preferably 10 to 50 μm.

次に、第1の回路部材30の上に、フィルム状回路接続材料50を載せる。そして、第2の回路部材40を、フィルム状回路接続材料50の上に載せる。これにより、第1の回路部材30と第2の回路部材40との間にフィルム状回路接続材料50を介在させることが可能となる。このとき、フィルム状回路接続材料50はフィルム状であり、取扱いが容易である。このため、このフィルム状回路接続材料50によれば、第1の回路部材30と第2の回路部材40とを接続する際に、それらの間に容易に介在させることができ、第1の回路部材30と第2の回路部材40との接続作業を容易に行うことができる。   Next, the film-like circuit connecting material 50 is placed on the first circuit member 30. Then, the second circuit member 40 is placed on the film-like circuit connecting material 50. Thereby, the film-like circuit connecting material 50 can be interposed between the first circuit member 30 and the second circuit member 40. At this time, the film-like circuit connecting material 50 is film-like and easy to handle. For this reason, according to the film-like circuit connecting material 50, when the first circuit member 30 and the second circuit member 40 are connected, they can be easily interposed between them. Connection work between the member 30 and the second circuit member 40 can be easily performed.

次に、第1の回路部材30及び第2の回路部材40を介してフィルム状回路接続材料50を加熱しながら加圧して硬化処理を施し、第1及び第2の回路部材30,40の間に回路接続部材10を形成する。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、その方法は接着剤組成物により適宜選択される。このとき、導電粒子12と第1及び第2の回路電極32,42との間に接着剤組成物が入り込んでも、導電粒子12の持つ複数の突起部14より接着剤組成物に加えられる圧力が、突起部が無い導電粒子より加えられる圧力に比べて十分に大きくなるため、導電粒子12の突起部14が接着剤組成物を容易に貫通して第1及び第2回路電極32,42に接触することが可能となる。このことは、第1及び/又は第2回路電極32,42の表面に凹凸があり、導電粒子12と第1及び/又は第2回路電極32,42との間に接着剤組成物が入り込みやすい状態であっても同様である。そして、回路接続材料が硬化処理されることにより接着剤組成物51が硬化し、第1の回路部材30及び第2の回路部材40に対する高い接着強度が実現され、導電粒子12と第1及び第2回路電極32,42とがしっかりと接触した状態が長期間にわたって保持される。   Next, the film-like circuit connecting material 50 is heated and pressurized via the first circuit member 30 and the second circuit member 40 to perform a curing treatment, and between the first and second circuit members 30 and 40. The circuit connection member 10 is formed on the substrate. The curing treatment can be performed by a general method, and the method is appropriately selected depending on the adhesive composition. At this time, even if the adhesive composition enters between the conductive particles 12 and the first and second circuit electrodes 32 and 42, the pressure applied to the adhesive composition from the plurality of protrusions 14 of the conductive particles 12 is increased. The protrusion 14 of the conductive particles 12 easily penetrates the adhesive composition and contacts the first and second circuit electrodes 32 and 42 because the pressure is sufficiently larger than the pressure applied from the conductive particles having no protrusion. It becomes possible to do. This is because the surface of the first and / or second circuit electrodes 32 and 42 is uneven, and the adhesive composition is likely to enter between the conductive particles 12 and the first and / or second circuit electrodes 32 and 42. The same applies to the state. Then, the adhesive composition 51 is cured by curing the circuit connecting material, and a high adhesive strength with respect to the first circuit member 30 and the second circuit member 40 is realized. The state in which the two-circuit electrodes 32 and 42 are in firm contact is maintained for a long time.

従って、第1及び/又は第2の回路電極32,42の表面における凹凸の有無に拘わらず、対向する第1及び第2回路電極32,42間の接続抵抗を充分に低減することができ、第1回路電極32と第2回路電極42との良好な電気的接続を達成できると共に第1及び第2回路電極32,42間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる。   Accordingly, the connection resistance between the first and second circuit electrodes 32 and 42 facing each other can be sufficiently reduced irrespective of the presence or absence of irregularities on the surfaces of the first and / or second circuit electrodes 32 and 42, A good electrical connection between the first circuit electrode 32 and the second circuit electrode 42 can be achieved, and the long-term reliability of the electrical characteristics between the first and second circuit electrodes 32 and 42 can be sufficiently enhanced.

なお、上記実施形態では、フィルム状回路接続材料50を用いて回路部材の接続構造を製造しているが、フィルム状回路接続材料50に代えて、後述する回路接続材料を用いてもよい。この場合でも、回路接続材料を溶媒に溶解させ、その溶液を、第1の回路部材30又は第2の回路部材40のいずれかに塗布し乾燥させれば、第1及び第2の回路部材30、40間に介在させることができる。   In the above embodiment, the circuit member connection structure is manufactured using the film-like circuit connection material 50. However, instead of the film-like circuit connection material 50, a circuit connection material described later may be used. Even in this case, if the circuit connecting material is dissolved in a solvent and the solution is applied to either the first circuit member 30 or the second circuit member 40 and dried, the first and second circuit members 30 are used. , 40 can be interposed.

[回路接続材料]
次に、上述したフィルム状回路接続材料50の構成について詳細に説明する。
[Circuit connection material]
Next, the configuration of the above-described film-like circuit connecting material 50 will be described in detail.

フィルム状回路接続材料50は、回路接続材料をフィルム状に成形してなるものであり、回路接続材料は、表面側に突起部14を有する導電粒子12と、接着剤組成物51とを含有し、硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり且つ25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃(好ましくは30〜100ppm/℃)となることが可能な材料で構成されている。   The film-like circuit connection material 50 is formed by forming a circuit connection material into a film shape, and the circuit connection material contains conductive particles 12 having protrusions 14 on the surface side and an adhesive composition 51. By the curing treatment, the storage elastic modulus at 40 ° C. can be 0.5 to 3 GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 ° C. to 100 ° C. can be 30 to 200 ppm / ° C. (preferably 30 to 100 ppm / ° C.). Consists of materials.

硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5GPa未満となる回路接続材料では接着強度が不十分となり、上記貯蔵弾性率が3GPaを超える回路接続材料では内部応力によって回路接続部材10での接続抵抗が増大したり、接着剤が剥離したりする。また、硬化処理により25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30ppm/℃未満となる回路接続材料では接着強度が不十分となり、上記平均熱膨張係数が200ppm/℃を超えると内部応力によって接続部での接続抵抗が増大したり、接着剤が剥離したりする。   The circuit connection material having a storage elastic modulus of less than 0.5 GPa at 40 ° C. due to curing treatment has insufficient adhesive strength, and the circuit connection material having a storage elastic modulus of greater than 3 GPa has a connection resistance at the circuit connection member 10 due to internal stress. Increase or the adhesive peels off. In addition, the circuit connection material having an average coefficient of thermal expansion from 25 ° C. to 100 ° C. of less than 30 ppm / ° C. due to the curing treatment has insufficient adhesive strength. The connection resistance at the portion increases or the adhesive peels off.

回路接続材料は、硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.7〜2GPaであることが可能なものであることが好ましい。この場合、適当な凝集力が得られ、且つ、回路電極32,42間と回路接続材料界面における応力緩和による高い接着強度がより期待できる。   The circuit connecting material is preferably one that can have a storage elastic modulus at 40 ° C. of 0.7 to 2 GPa by a curing treatment. In this case, an appropriate cohesive force can be obtained, and high adhesive strength can be expected due to stress relaxation between the circuit electrodes 32 and 42 and the interface of the circuit connection material.

また、回路接続材料は、硬化処理によりガラス転移温度が60〜200℃となるものが好ましく、60〜180℃となるものがより好ましい。硬化処理によってガラス転移温度が60℃未満となる回路接続材料では、回路部材の接続構造1において、高温における接着強度の低下、接続抵抗の上昇が起こる傾向があり、硬化処理によりガラス転移温度が200℃を超える回路接続材料では、高温且つ長時間で硬化させることとなるため、回路接続部材10における内部応力が増大し、クラックが発生することがある。また、回路部材30又は40との界面応力が大きくなるため回路接続部材10による接着強度が低下する傾向がある。   In addition, the circuit connection material is preferably a glass transition temperature of 60 to 200 ° C., more preferably 60 to 180 ° C. due to the curing treatment. In the circuit connection material having a glass transition temperature of less than 60 ° C. due to the curing treatment, the circuit member connection structure 1 tends to cause a decrease in adhesive strength and an increase in connection resistance at a high temperature. Since the circuit connection material exceeding ° C. is cured at a high temperature for a long time, the internal stress in the circuit connection member 10 may increase and cracks may occur. Further, since the interfacial stress with the circuit member 30 or 40 increases, the adhesive strength by the circuit connection member 10 tends to decrease.

回路接続材料中に含まれる接着剤組成物は接着性を有し、第1及び第2の回路部材30,40に対する硬化処理により硬化する。また、接着剤組成物は、硬化処理により回路接続材料の40℃における貯蔵弾性率を0.5〜3GPa(好ましく0.7〜2GPa)とし且つ25℃から100℃までの平均熱膨張係数を30〜200ppm/℃(好ましくは30〜100ppm/℃)とし得るものであれば如何なるものでもよいが、このような接着剤組成物としては、(1)エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有する組成物、(2)ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有する組成物、又は(1)と(2)との混合組成物が好ましい。   The adhesive composition contained in the circuit connecting material has adhesiveness, and is cured by a curing process for the first and second circuit members 30 and 40. Further, the adhesive composition has a storage elastic modulus at 40 ° C. of the circuit connecting material of 0.5 to 3 GPa (preferably 0.7 to 2 GPa) by curing treatment, and an average coefficient of thermal expansion from 25 ° C. to 100 ° C. is 30. Any adhesive composition may be used as long as it can be set to ˜200 ppm / ° C. (preferably 30 to 100 ppm / ° C.). Examples of such an adhesive composition include (1) an epoxy resin and a latent curing agent for the epoxy resin. (2) A composition containing (2) a radical polymerizable substance and a curing agent that generates free radicals upon heating, or a mixed composition of (1) and (2).

まず、(1)エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有する組成物について説明する。   First, a composition containing (1) an epoxy resin and a latent curing agent for the epoxy resin will be described.

上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、ハロゲン化されていてもよく、水素添加されていてもよい。これらのエポキシ樹脂は、2種以上を併用してもよい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bisphenol F novolak type epoxy resin, Examples thereof include alicyclic epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, hydantoin type epoxy resins, isocyanurate type epoxy resins, and aliphatic chain epoxy resins. These epoxy resins may be halogenated or hydrogenated. Two or more of these epoxy resins may be used in combination.

潜在性硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化させることができるものであればよく、このような潜在性硬化剤としては、アニオン重合性の触媒型硬化剤、カチオン重合性の触媒型硬化剤、重付加型の硬化剤等が挙げられる。これらは、単独又は2種以上の混合物として使用できる。これらのうち、速硬化性において優れ、化学当量的な考慮が不要である点からは、アニオン又はカチオン重合性の触媒型硬化剤が好ましい。   Any latent curing agent can be used as long as it can cure the epoxy resin. Examples of such latent curing agents include anionic polymerizable catalyst-type curing agents, cationic polymerizable catalyst-type curing agents, Addition type curing agents and the like can be mentioned. These can be used alone or as a mixture of two or more. Of these, anionic or cationic polymerizable catalyst-type curing agents are preferred because they are excellent in rapid curability and do not require chemical equivalent considerations.

アニオン又はカチオン重合性の触媒型硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ジアミノマレオニトリル、メラミン及びその誘導体、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらの変成物も使用することができる。重付加型の硬化剤としては、ポリアミン類、ポリメルカプタン、ポリフェノール、酸無水物等が挙げられる。   Examples of the anionic or cationic polymerizable catalyst-type curing agent include imidazole, hydrazide, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amine imide, diaminomaleonitrile, melamine and derivatives thereof, polyamine salt, dicyandiamide and the like. These modifications can also be used. Examples of the polyaddition type curing agent include polyamines, polymercaptans, polyphenols, and acid anhydrides.

アニオン重合型の触媒型硬化剤として第3級アミン類やイミダゾール類を配合した場合、エポキシ樹脂は160℃〜200℃程度の中温で数10秒〜数時間程度の加熱により硬化する。このため、可使時間(ポットライフ)が比較的長くなるので好ましい。   When a tertiary amine or imidazole is blended as an anionic polymerization type catalyst curing agent, the epoxy resin is cured by heating at a medium temperature of about 160 ° C. to 200 ° C. for several tens of seconds to several hours. For this reason, the pot life is relatively long, which is preferable.

カチオン重合型の触媒型硬化剤としては、例えば、エネルギー線照射によりエポキシ樹脂を硬化させる感光性オニウム塩(芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩等が主として用いられる)が好ましい。また、エネルギー線照射以外に加熱によって活性化しエポキシ樹脂を硬化させるものとして、脂肪族スルホニウム塩等がある。この種の硬化剤は、速硬化性という特徴を有することから好ましい。   As the cationic polymerization type catalyst-type curing agent, for example, a photosensitive onium salt (an aromatic diazonium salt, an aromatic sulfonium salt or the like is mainly used) that cures an epoxy resin by irradiation with energy rays is preferable. In addition to irradiation with energy rays, there are aliphatic sulfonium salts and the like that are activated by heating to cure the epoxy resin. This type of curing agent is preferable because it has a feature of fast curing.

これらの潜在性硬化剤を、ポリウレタン系又はポリエステル系等の高分子物質や、ニッケル、銅等の金属薄膜及びケイ酸カルシウム等の無機物で被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長できるため好ましい。   When these latent hardeners are coated with polymer materials such as polyurethane or polyester, metal thin films such as nickel or copper, and inorganic materials such as calcium silicate, the pot life is extended. This is preferable because it is possible.

次いで、(2)ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有する組成物について説明する。   Next, a composition containing (2) a radical polymerizable substance and a curing agent that generates free radicals upon heating will be described.

ラジカル重合性物質は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質である。このようなラジカル重合性物質としては、アクリレート(対応するメタクリレートも含む。以下同じ。)化合物、アクリロキシ(対応するメタアクリロキシも含む。以下同じ。)化合物、マレイミド化合物、シトラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂等が挙げられる。ラジカル重合性物質は、モノマー又はオリゴマーの状態で用いてもよく、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。   The radical polymerizable substance is a substance having a functional group that is polymerized by radicals. Examples of such radically polymerizable substances include acrylate (including corresponding methacrylates; the same shall apply hereinafter) compounds, acryloxy (including corresponding methacryloxy; the same shall apply hereinafter) compounds, maleimide compounds, citraconic imide resins, nadiimide resins, and the like. It is done. The radically polymerizable substance may be used in a monomer or oligomer state, and the monomer and oligomer may be used in combination.

上記アクリレート化合物の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロイロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を混合して用いることができる。また、必要によりハドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。またさらに、耐熱性の向上の観点から、アクリレート化合物がジシクロペンテニル基、トリシクロデカニル基及びトリアジン環からなる群より選ばれる少なくとも1種の置換基を有することが好ましい。   Specific examples of the acrylate compound include methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, 2-hydroxy-1,3- Diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxypolyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate , Tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate and the like. These can be used alone or in admixture of two or more. Moreover, you may use polymerization inhibitors, such as a hydroquinone and methyl ether hydroquinones, suitably if needed. Furthermore, from the viewpoint of improving heat resistance, the acrylate compound preferably has at least one substituent selected from the group consisting of a dicyclopentenyl group, a tricyclodecanyl group, and a triazine ring.

上記マレイミド化合物は、分子中にマレイミド基を少なくとも2個以上含有するものである。このようなマレイミド化合物としては、例えば、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−m−トルイレンビスマレイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメチルビフェニレン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジエチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−3,3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−4,8−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンを挙げることができる。これらは単独で又は2種以上を混合して使用できる。   The maleimide compound contains at least two maleimide groups in the molecule. Examples of such maleimide compounds include 1-methyl-2,4-bismaleimide benzene, N, N′-m-phenylene bismaleimide, N, N′-p-phenylene bismaleimide, N, N′-m. -Toluylene bismaleimide, N, N'-4,4-biphenylene bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-dimethylbiphenylene) bismaleimide, N, N'-4,4- ( 3,3′-dimethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N′-4,4- (3,3′-diethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N′-4,4-diphenylmethane bismaleimide, N, N′- 4,4-diphenylpropane bismaleimide, N, N′-3,3′-diphenylsulfone bismaleimide, N, N′-4,4-diphenyl ether bismale 2,2-bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-4,8- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane, 1,1- Bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) decane, 4,4′-cyclohexylidene-bis (1- (4-maleimidophenoxy) -2-cyclohexylbenzene, 2,2-bis (4- (4- And maleimidephenoxy) phenyl) hexafluoropropane, which can be used alone or in admixture of two or more.

上記シトラコンイミド樹脂は、分子中にシトラコンイミド基を少なくとも1個有するシトラコンイミド化合物を重合させてなるものである。シトラコンイミド化合物としては、例えば、フェニルシトラコンイミド、1−メチル−2,4−ビスシトラコンイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−p−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルビフェニレン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルスルホンビスシトラコンイミド、2,2−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−3,4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、2,2−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を混合して使用できる。   The citraconic imide resin is obtained by polymerizing a citraconic imide compound having at least one citraconic imide group in the molecule. Examples of the citraconimide compound include phenyl citraconimide, 1-methyl-2,4-biscitraconimide benzene, N, N′-m-phenylene biscitraconimide, N, N′-p-phenylene biscitraconimide, N , N′-4,4-biphenylenebiscitraconimide, N, N′-4,4- (3,3-dimethylbiphenylene) biscitraconimide, N, N′-4,4- (3,3-dimethyldiphenylmethane ) Biscitraconimide, N, N′-4,4- (3,3-diethyldiphenylmethane) biscitraconimide, N, N′-4,4-diphenylmethane biscitraconimide, N, N′-4,4-diphenyl Propane biscitraconimide, N, N'-4,4-diphenyl ether biscitraconimide, N, N'- , 4-Diphenylsulfonebiscitraconimide, 2,2-bis (4- (4-citraconimidophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-3,4- (4-citraconimidephenoxy) ) Phenyl) propane, 1,1-bis (4- (4-citraconimidophenoxy) phenyl) decane, 4,4′-cyclohexylidene-bis (1- (4-citraconimidophenoxy) phenoxy) -2-cyclohexyl Examples include benzene and 2,2-bis (4- (4-citraconimidophenoxy) phenyl) hexafluoropropane. These can be used alone or in admixture of two or more.

上記ナジイミド樹脂は、分子中にナジイミド基を少なくとも1個有しているナジイミド化合物を重合してなるものである。ナジイミド化合物としては、例えば、フェニルナジイミド、1−メチル−2,4−ビスナジイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスナジイミド、N,N’−p−フェニレンビスナジイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルビフェニレン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルスルホンビスナジイミド、2,2−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−3,4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−ナジイミドフェノキシ)フェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、2,2−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を混合して使用できる。   The nadiimide resin is obtained by polymerizing a nadiimide compound having at least one nadiimide group in the molecule. Examples of the nadiimide compound include phenyl nadiimide, 1-methyl-2,4-bisnadiimidebenzene, N, N′-m-phenylenebisnadiimide, N, N′-p-phenylenebisnadiimide, N, N′— 4,4-biphenylenebisnadiimide, N, N′-4,4- (3,3-dimethylbiphenylene) bisnadiimide, N, N′-4,4- (3,3-dimethyldiphenylmethane) bisnadiimide, N, N ′ -4,4- (3,3-diethyldiphenylmethane) bisnadiimide, N, N'-4,4-diphenylmethane bisnadiimide, N, N'-4,4-diphenylpropane bisnadiimide, N, N'-4,4 -Diphenyl ether bisnadiimide, N, N'-4,4-diphenylsulfone bisnadiimide, 2,2-bis (4- (4-nazii Dophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-3,4- (4-nadiimidophenoxy) phenyl) propane, 1,1-bis (4- (4-nadiimidophenoxy) phenyl ) Decane, 4,4′-cyclohexylidene-bis (1- (4-nadiimidophenoxy) phenoxy) -2-cyclohexylbenzene, 2,2-bis (4- (4-nadiimidophenoxy) phenyl) hexafluoro Propane is mentioned. These can be used alone or in admixture of two or more.

また、上記ラジカル重合性物質に下記化学式(I)で示されるリン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質を併用することが好ましい。この場合、金属等の無機物表面に対する接着強度が向上するため、回路電極同士の接着に好適である。

Figure 2005166438
[上記式中、nは1〜3の整数を示す。] Moreover, it is preferable to use together with the radical polymerizable substance a radical polymerizable substance having a phosphate structure represented by the following chemical formula (I). In this case, since the adhesive strength to the surface of an inorganic material such as metal is improved, it is suitable for bonding circuit electrodes.
Figure 2005166438
[In the above formula, n represents an integer of 1 to 3. ]

リン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質は、無水リン酸と2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応させることにより得られる。リン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質として、具体的には、モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)アシッドフォスフェート、ジ(2−メタクリロイルオキシエチル)アシッドフォスフェート等がある。これらは単独で又は2種以上を混合して使用できる。   The radically polymerizable substance having a phosphoric ester structure is obtained by reacting phosphoric anhydride with 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. Specific examples of the radical polymerizable substance having a phosphate structure include mono (2-methacryloyloxyethyl) acid phosphate, di (2-methacryloyloxyethyl) acid phosphate, and the like. These can be used alone or in admixture of two or more.

上記化学式(I)で示されるリン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質の配合量は、ラジカル重合性物質と必要により配合するフィルム形成材との合計100質量部に対して、0.01から50質量部であることが好ましく、0.5〜5質量部がより好ましい。   The blending amount of the radical polymerizable substance having the phosphate ester structure represented by the chemical formula (I) is 0.01 to 50 with respect to 100 parts by mass in total of the radical polymerizable substance and the film forming material to be blended as necessary. It is preferable that it is a mass part, and 0.5-5 mass parts is more preferable.

上記ラジカル重合性物質は、アリルアクリレートと併用することもができる。この場合、アリルアクリレートの配合量は、ラジカル重合性物質と、必要により配合されるフィルム形成材との合計100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましく、0.5〜5質量部がより好ましい。   The radical polymerizable substance can be used in combination with allyl acrylate. In this case, it is preferable that the compounding quantity of allyl acrylate is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts in total of a radically polymerizable substance and the film formation material mix | blended if necessary, 0.5 -5 mass parts is more preferable.

加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤は、加熱により分解して遊離ラジカルを発生する硬化剤である。このような硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。このような硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選定される。高反応性とポットライフの向上の観点から、半減期10時間の温度が40℃以上、かつ、半減期1分の温度が180℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期10時間の温度が60℃以上、かつ、半減期1分の温度が170℃以下の有機過酸化物がより好ましい。   The curing agent that generates free radicals upon heating is a curing agent that decomposes upon heating to generate free radicals. Examples of such curing agents include peroxide compounds and azo compounds. Such a curing agent is appropriately selected depending on the intended connection temperature, connection time, pot life, and the like. From the viewpoint of high reactivity and improvement in pot life, organic peroxides having a half-life of 10 hours at a temperature of 40 ° C. or more and a half-life of 1 minute at a temperature of 180 ° C. or less are preferred. An organic peroxide having a temperature of 60 ° C. or higher and a half-life of 1 minute is 170 ° C. or lower is more preferable.

上記硬化剤の配合量は、接続時間を25秒以下とする場合、充分な反応率を得るためにラジカル重合性物質と必要により配合されるフィルム形成材との合計100質量部に対して、2〜10質量部程度であることが好ましく、4〜8質量部がより好ましい。なお、接続時間を限定しない場合の硬化剤の配合量は、ラジカル重合性物質と必要により配合されるフィルム形成材との合計100質量部に対して、0.05〜20質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部がより好ましい。   When the connection time is 25 seconds or less, the amount of the curing agent is 2 parts with respect to a total of 100 parts by mass of the radically polymerizable substance and the film-forming material blended as necessary to obtain a sufficient reaction rate. It is preferably about 10 to 10 parts by mass, and more preferably 4 to 8 parts by mass. In addition, the compounding quantity of the hardening | curing agent in the case where connection time is not limited may be 0.05-20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of a radically polymerizable substance and the film formation material mix | blended as needed. Preferably, 0.1-10 mass parts is more preferable.

加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤として、より具体的には、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステルパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられる。また、回路電極32、42の腐食を抑えるという観点から、硬化剤は、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸の濃度が5000ppm以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。このような硬化剤として、具体的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられ、高反応性が得られるパーオキシエステルから選定されることがより好ましい。なお、上記硬化剤は、適宜混合して用いることができる。   More specifically, examples of the curing agent that generates free radicals upon heating include diacyl peroxide, peroxydicarbonate, peroxyester peroxyketal, dialkyl peroxide, hydroperoxide, and silyl peroxide. Further, from the viewpoint of suppressing the corrosion of the circuit electrodes 32 and 42, the curing agent preferably has a chlorine ion or organic acid concentration of 5000 ppm or less contained in the curing agent, and further, an organic matter generated after thermal decomposition. Those with less acid are more preferred. Specific examples of such a curing agent include peroxyesters, dialkyl peroxides, hydroperoxides, silyl peroxides, and the like, and it is more preferable to select them from peroxyesters that provide high reactivity. In addition, the said hardening | curing agent can be mixed and used suitably.

パーオキシエステルとしては、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノデート、t−ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ2−エチルヘキサノネート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。   Peroxyesters include cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxynoedecanoate, and t-hexyl. Peroxyneodecanodate, t-butyl peroxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanate, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethyl) Hexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanate, t-butylperoxy-2-ethylhexanate T-butylperoxyisobutyrate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, t Hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanonate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy ) Hexane, t-butyl peroxyisopropyl monocarbonate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxybenzoate, t-butyl peroxyacetate and the like.

ジアルキルパーオキサイドとしては、α,α’ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド等が挙げられる。   Dialkyl peroxides include α, α ′ bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, and t-butylcumi. Examples include ruperoxide.

ハイドロパーオキサイドとして、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。   Examples of the hydroperoxide include diisopropylbenzene hydroperoxide and cumene hydroperoxide.

ジアシルパーオキサイドとしては、イソブチルパーオキサイド、2,4―ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。   Diacyl peroxides include isobutyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, succinic peroxide, benzoyl Examples include peroxytoluene and benzoyl peroxide.

パーオキシジカーボネートとしては、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が挙げられる。   Examples of peroxydicarbonate include di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropyl peroxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-2-ethoxymethoxyperoxydicarbonate, di ( 2-ethylhexyl peroxy) dicarbonate, dimethoxybutyl peroxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) dicarbonate and the like.

パーオキシケタールとしては、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1―(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)デカン等が挙げられる。   Peroxyketals include 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t- Butyl peroxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1- (t-butylperoxy) cyclododecane, 2,2-bis (t-butylperoxy) decane and the like.

シリルパーオキサイドとしては、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジビニルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)ビニルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジアリルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)アリルシリルパーオキサイド等が挙げられる。   Examples of silyl peroxides include t-butyltrimethylsilyl peroxide, bis (t-butyl) dimethylsilyl peroxide, t-butyltrivinylsilyl peroxide, bis (t-butyl) divinylsilyl peroxide, and tris (t-butyl). Examples thereof include vinylsilyl peroxide, t-butyltriallylsilyl peroxide, bis (t-butyl) diallylsilyl peroxide, and tris (t-butyl) allylsilyl peroxide.

これらの硬化剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化してもよい。マイクロカプセル化した硬化剤は、可使時間が延長されるために好ましい。   These curing agents can be used alone or in admixture of two or more, and may be used by mixing a decomposition accelerator, an inhibitor and the like. Further, these curing agents may be coated with a polyurethane-based or polyester-based polymer substance to form microcapsules. A microencapsulated curing agent is preferred because the pot life is extended.

本実施形態の回路接続材料には、必要に応じて、フィルム形成材を添加して用いてもよい。フィルム形成材とは、液状物を固形化し構成組成物をフィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いを容易とし、容易に裂けたり、割れたり、べたついたりしない機械的特性等を付与するものであり、通常の状態(常温常圧)でフィルムとしての取扱いができるものである。フィルム形成材としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着性、相溶性、耐熱性、機械的強度に優れることからフェノキシ樹脂が好ましい。   You may add and use a film formation material for the circuit connection material of this embodiment as needed. The film-forming material is a material that solidifies a liquid material and forms a composition composition into a film shape to facilitate the handling of the film and impart mechanical properties that do not easily tear, break, or stick. Yes, it can be handled as a film in a normal state (normal temperature and normal pressure). Examples of the film forming material include phenoxy resin, polyvinyl formal resin, polystyrene resin, polyvinyl butyral resin, polyester resin, polyamide resin, xylene resin, polyurethane resin and the like. Among these, a phenoxy resin is preferable because of excellent adhesiveness, compatibility, heat resistance, and mechanical strength.

フェノキシ樹脂は、2官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子化するまで反応させるか、又は2官能エポキシ樹脂と2官能フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂である。フェノキシ樹脂は、例えば2官能フェノール類1モルとエピハロヒドリン0.985〜1.015モルとをアルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下、非反応性溶媒中で40〜120℃の温度で反応させることにより得ることができる。また、フェノキシ樹脂としては、樹脂の機械的特性や熱的特性の観点からは、特に2官能性エポキシ樹脂と2官能性フェノール類の配合当量比をエポキシ基/フェノール水酸基=1/0.9〜1/1.1とし、アルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒の存在下、沸点が120℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が50質量部以下の条件で50〜200℃に加熱して重付加反応させて得たものが好ましい。   A phenoxy resin is a resin obtained by reacting a bifunctional phenol and epihalohydrin until they are polymerized or by polyaddition of a bifunctional epoxy resin and a bifunctional phenol. The phenoxy resin, for example, reacts 1 mol of a bifunctional phenol with 0.985 to 1.015 mol of epihalohydrin in a non-reactive solvent at a temperature of 40 to 120 ° C. in the presence of a catalyst such as an alkali metal hydroxide. Can be obtained. Moreover, as a phenoxy resin, especially from the viewpoint of the mechanical characteristics and thermal characteristics of the resin, the mixing equivalent ratio of the bifunctional epoxy resin and the bifunctional phenols is epoxy group / phenol hydroxyl group = 1 / 0.9- 1/1, organic amides, ethers, ketones, lactones, alcohols, etc. having a boiling point of 120 ° C. or higher in the presence of catalysts such as alkali metal compounds, organophosphorus compounds, cyclic amine compounds, etc. What was obtained by heating to 50-200 degreeC and carrying out the polyaddition reaction on the conditions whose reaction solid content is 50 mass parts or less in a solvent is preferable.

上記2官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニルジグリシジルエーテル、メチル置換ビフェニルジグリシジルエーテル等が挙げられる。2官能フェノール類は、2個のフェノール性水酸基を有するものである。2官能フェノール類としては、例えば、ハイドロキノン類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールフルオレン、メチル置換ビスフェノールフルオレン、ジヒドロキシビフェニル、メチル置換ジヒドロキシビフェニル等のビスフェノール類等が挙げられる。フェノキシ樹脂は、ラジカル重合性の官能基や、その他の反応性化合物により変性(例えば、エポキシ変性)されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単独で又は2種以上を混合して用いてもよい。   Examples of the bifunctional epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, biphenyl diglycidyl ether, and methyl-substituted biphenyl diglycidyl ether. Bifunctional phenols have two phenolic hydroxyl groups. Examples of the bifunctional phenols include hydroquinones, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, bisphenol fluorene, methyl-substituted bisphenol fluorene, bisphenols such as dihydroxybiphenyl and methyl-substituted dihydroxybiphenyl. The phenoxy resin may be modified (for example, epoxy-modified) with a radical polymerizable functional group or other reactive compound. You may use a phenoxy resin individually or in mixture of 2 or more types.

本実施形態の回路接続材料は、更に、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びアクリロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とした重合体又は共重合体を含んでいてもよい。ここで、応力緩和に優れることから、グリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを併用することが好ましい。これらのアクリルゴムの重量平均分子量は、接着剤の凝集力を高める点から20万以上が好ましい。   The circuit connection material of this embodiment may further contain a polymer or copolymer containing at least one of acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and acrylonitrile as a monomer component. Here, since it is excellent in stress relaxation, it is preferable to use together the copolymer type acrylic rubber containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate containing a glycidyl ether group. The weight average molecular weight of these acrylic rubbers is preferably 200,000 or more from the viewpoint of increasing the cohesive strength of the adhesive.

導電粒子12の配合量は、接着剤組成物100体積部に対して0.1〜30体積部であることが好ましく、その配合量は用途により使い分けることができる。過剰な導電粒子12による回路電極の短絡等を防止する観点から、導電粒子12の配合量は0.1〜10体積部であることがより好ましい。   The blending amount of the conductive particles 12 is preferably 0.1 to 30 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the adhesive composition, and the blending amount can be properly used depending on the application. From the viewpoint of preventing short circuit of the circuit electrode due to excessive conductive particles 12, the blending amount of the conductive particles 12 is more preferably 0.1 to 10 parts by volume.

本実施形態の回路接続材料には、更に、ゴム微粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート類等を含有することもできる。   The circuit connection material of this embodiment further includes rubber fine particles, fillers, softeners, accelerators, anti-aging agents, colorants, flame retardants, thixotropic agents, coupling agents, phenol resins, melamine resins, Isocyanates can also be contained.

ゴム微粒子は、粒子の平均粒径が、配合する導電粒子12の平均粒径の2倍以下であり、且つ室温(25℃)での貯蔵弾性率が導電粒子12及び接着剤組成物の室温での貯蔵弾性率の1/2以下であるものであればよい。特に、ゴム微粒子の材質が、シリコーン、アクリルエマルジョン、SBR、NBR、ポリブタジエンゴムである微粒子は、単独で又は2種以上を混合して用いることが好適である。3次元架橋したこれらゴム微粒子は、耐溶剤性が優れており、接着剤組成物中に容易に分散される。   The rubber fine particles have an average particle size of not more than twice the average particle size of the conductive particles 12 to be blended, and a storage elastic modulus at room temperature (25 ° C.) at the room temperature of the conductive particles 12 and the adhesive composition. What is necessary is just to be 1/2 or less of the storage elastic modulus. In particular, it is preferable that the fine particles whose material of the rubber fine particles is silicone, acrylic emulsion, SBR, NBR, or polybutadiene rubber are used alone or in admixture of two or more. These three-dimensionally crosslinked rubber fine particles have excellent solvent resistance and are easily dispersed in the adhesive composition.

回路接続材料に充填剤を含有させる場合、接続信頼性等が向上するので好ましい。充填剤は、その最大径が導電粒子12の粒径の1/2以下であれば使用できる。その最大径が導電粒子の粒径の1/2以下であれば使用できる。また、導電性を持たない粒子を併用する場合には、導電性を持たない粒子の直径以下であれば使用できる。充填剤の配合量は、接着剤組成物100体積部に対して5〜60体積部であることが好ましい。配合量が60体積部を超えると、接続信頼性向上効果が飽和する傾向があり、他方、5体積部未満では充填剤添加の効果が不充分となる傾向がある。   It is preferable to include a filler in the circuit connection material because connection reliability and the like are improved. The filler can be used if its maximum diameter is ½ or less of the particle diameter of the conductive particles 12. If the maximum diameter is 1/2 or less of the particle diameter of the conductive particles, it can be used. Moreover, when using together the particle | grains which do not have electroconductivity, if it is below the diameter of the particle | grains which do not have electroconductivity, it can be used. It is preferable that the compounding quantity of a filler is 5-60 volume parts with respect to 100 volume parts of adhesive compositions. If the blending amount exceeds 60 parts by volume, the effect of improving the connection reliability tends to be saturated, and if it is less than 5 parts by volume, the effect of adding the filler tends to be insufficient.

上記カップリング剤としては、ビニル基、アクリル基、エポキシ基又はイソシアネート基を含有する化合物が、接着性が向上するので好ましい。   As said coupling agent, the compound containing a vinyl group, an acryl group, an epoxy group, or an isocyanate group is preferable since adhesiveness improves.

上記回路接続材料においては、導電粒子12は、上記接着剤組成物100体積部に対して0.1〜30体積部添加することが好ましく、その添加量は用途により使い分ける。なお、過剰な導電粒子12による隣接回路電極の短絡等を防止するためには、0.1〜10体積部添加することがより好ましい。   In the circuit connection material, the conductive particles 12 are preferably added in an amount of 0.1 to 30 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the adhesive composition. In addition, in order to prevent the short circuit of the adjacent circuit electrode by the excessive conductive particle 12, etc., it is more preferable to add 0.1-10 volume parts.

なお、フィルム状回路接続材料50は、支持体(PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム等)上に塗工装置(図示せず)を用いて上記回路接続材料を塗布し、所定時間熱風乾燥することにより作製することができる。   The film-like circuit connection material 50 is produced by applying the circuit connection material on a support (PET (polyethylene terephthalate) film or the like) using a coating apparatus (not shown) and drying with hot air for a predetermined time. can do.

(導電粒子の作製)
テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマーの混合比を変えて、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを用いて懸濁重合し、得られた重合体を分級することで約5μmの粒径を有する核体を得た。
(Preparation of conductive particles)
Suspension polymerization is performed using benzoyl peroxide as a polymerization initiator by changing the mixing ratio of tetramethylolmethanetetraacrylate, divinylbenzene and styrene monomer, and the resulting polymer is classified to have a particle size of about 5 μm. Nucleus was obtained.

得られた核体の表面を無電解Niメッキ処理をして、均一な厚さ100nmのNi層(金属層)を有する導電粒子No.1を得た。   The surface of the obtained core was subjected to electroless Ni plating treatment to obtain conductive particles No. 1 having a uniform Ni layer (metal layer) having a thickness of 100 nm. 1 was obtained.

また、Niメッキ処理の際のメッキ液の仕込量、処理温度及び時間によりメッキ厚を変更することにより、導電粒子No.1の表面に突起部を形成し、導電粒子No.2を得た。   In addition, by changing the plating thickness according to the amount of plating solution charged, the processing temperature, and the time during the Ni plating process, the conductive particle No. 1 is formed on the surface of the conductive particles No. 1; 2 was obtained.

また、導電粒子No.1上にAuを25nm置換メッキすることにより、均一な厚さを有するAu層を形成し、導電粒子No.3を得た。   In addition, conductive particle No. 1 is plated by Au to a thickness of 25 nm to form an Au layer having a uniform thickness. 3 was obtained.

さらに、導電粒子No.2上にAuを置換メッキすることにより、複数の突起部を有するAu層を形成し、導電粒子No.4を得た。   Further, conductive particle No. The Au layer having a plurality of protrusions is formed by substitution plating of Au on the conductive particles No. 2. 4 was obtained.

上記各導電粒子No.1〜4を、電子顕微鏡(日立製作所製、S−800)を用いて観察し、突起部の高さと隣接する突起部間の距離を計測した。結果を表1に示す。

Figure 2005166438
Each of the above conductive particles No. 1-4 were observed using an electron microscope (manufactured by Hitachi, Ltd., S-800), and the height of the protrusion and the distance between adjacent protrusions were measured. The results are shown in Table 1.
Figure 2005166438

(実施例1)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂50質量部と、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤(旭チバ株式会社製、商品名ノバキュア3941HPS)50質量部とを混合した。この接着剤組成物100体積部に対して導電粒子No.2を5体積部分散させて回路接続材料No.1を得た。なお、潜在性硬化剤であるノバキュア3941HPSは、イミダゾール変性体を核とし、その表面をポリウレタンで被覆してなる平均粒径5μmのマイクロカプセル型硬化剤を、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂中に分散したマスターバッチ型硬化剤である。
(Example 1)
50 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin and 50 parts by mass of an epoxy resin latent curing agent (trade name NOVACURE 3941HPS, manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd.) were mixed. With respect to 100 parts by volume of the adhesive composition, the conductive particles No. No. 2 is dispersed in 5 parts by volume, and circuit connection material No. 2 is dispersed. 1 was obtained. In addition, NovaCure 3941HPS, which is a latent curing agent, was obtained by dispersing a microcapsule type curing agent having an average particle size of 5 μm having an imidazole modified body as a core and covering the surface with polyurethane in a liquid bisphenol F type epoxy resin. It is a master batch type curing agent.

(実施例2)
実施例1における導電粒子No.2の代わりに導電粒子No.4を用いた他は、実施例1と同様の方法により回路接続材料No.2を得た。
(Example 2)
Conductive particle No. 1 in Example 1. In place of conductive particles No. 2 4 except that circuit connection material No. 4 was used in the same manner as in Example 1. 2 was obtained.

(実施例3)
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド株式会社製、商品名PKHC、平均重量分子量45,000)50gを、トルエン/酢酸エチル=50/50(質量比)の混合溶剤に溶解して、固形分40質量%のフェノキシ樹脂溶液とした。
(Example 3)
50 g of phenoxy resin (trade name PKHC, manufactured by Union Carbide Co., Ltd., average weight molecular weight 45,000) was dissolved in a mixed solvent of toluene / ethyl acetate = 50/50 (mass ratio) to obtain a phenoxy having a solid content of 40% by mass. A resin solution was obtained.

次いで、上記溶液から固形分質量が10g含まれるように量り取ったフェノキシ樹脂溶液と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂40gと、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤(旭チバ株式会社製、商品名ノバキュア3941HPS)50gとを混合し、接着剤組成物含有液を得た。この接着剤組成物含有液100体積部に対して導電粒子No.2を5体積部分散させて回路接続材料含有液を調製した。   Next, a phenoxy resin solution weighed out from the above solution so as to contain 10 g of a solid content, 40 g of a bisphenol A type epoxy resin, and a latent curing agent for epoxy resin (trade name Novacure 3941HPS manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd.) And an adhesive composition-containing liquid was obtained. With respect to 100 parts by volume of the adhesive composition-containing liquid, conductive particle No. 5 parts by volume of 2 was dispersed to prepare a circuit connecting material-containing solution.

そして、この回路接続材料含有液を、片面を表面処理した厚み80μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で10分の熱風乾燥により、PETフィルム上に厚みが20μmのフィルム状回路接続材料No.3を得た。   And this circuit connection material containing liquid is apply | coated to an 80-micrometer-thick polyethylene terephthalate (PET) film which surface-treated one side using a coating apparatus, and thickness is put on PET film by hot-air drying for 10 minutes at 70 degreeC. 20 μm film-like circuit connection material No. 3 was obtained.

(実施例4)
平均重量分子量800のポリカプロラクトンジオール400質量部、2−ヒドロキシプロピルアクリレート131質量部、触媒としてのジブチル錫ジラウレート0.5質量部および重合禁止剤としてのハイドロキノンモノメチルエーテル1.0質量部を攪拌しながら50℃に加熱して混合した。次いで、この混合液に、イソホロンジイソシアネート222質量部を滴下し更に攪拌しながら80℃に昇温してウレタン化反応を行った。イソシアネート基の反応率が99%以上になったことを確認した後、反応温度を下げてウレタンアクリレートを得た。
Example 4
While stirring 400 parts by mass of polycaprolactone diol having an average molecular weight of 800, 131 parts by mass of 2-hydroxypropyl acrylate, 0.5 parts by mass of dibutyltin dilaurate as a catalyst and 1.0 part by mass of hydroquinone monomethyl ether as a polymerization inhibitor Heat to 50 ° C. and mix. Next, 222 parts by mass of isophorone diisocyanate was dropped into this mixed solution, and the mixture was further heated to 80 ° C. while stirring to carry out a urethanization reaction. After confirming that the reaction rate of the isocyanate group was 99% or more, the reaction temperature was lowered to obtain urethane acrylate.

次いで、上記実施例3において調整したフェノキシ樹脂溶液から固形分質量が50g含まれるように量り取ったフェノキシ樹脂溶液と、上記ウレタンアクリレート49gと、リン酸エステル型アクリレート1gと、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤としてのt−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート5gとを混合して接着剤組成物含有液を得た。そして、この接着剤組成物含有液100体積部に対して導電粒子No.2を5体積部分散させて回路接続材料含有液を調製した。   Next, a phenoxy resin solution weighed out from the phenoxy resin solution prepared in Example 3 so as to contain 50 g of solid content, 49 g of the urethane acrylate, 1 g of phosphate ester acrylate, and free radicals are generated by heating. Then, 5 g of t-hexylperoxy-2-ethylhexanate as a curing agent to be mixed was mixed to obtain an adhesive composition-containing liquid. And conductive particle No. with respect to 100 volume parts of this adhesive composition containing liquid. 5 parts by volume of 2 was dispersed to prepare a circuit connecting material-containing solution.

そして、この回路接続材料含有液を、片面を表面処理した厚み80μmのPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で10分の熱風乾燥により、PETフィルム上に厚みが20μmのフィルム状回路接続材料No.4を得た。   And this circuit connection material containing liquid is apply | coated to the PET film of thickness 80micrometer which carried out surface treatment of one side using a coating apparatus, and the film form whose thickness is 20 micrometers on PET film by hot-air drying for 10 minutes at 70 degreeC. Circuit connection material No. 4 was obtained.

(比較例1)
実施例1における導電粒子No.2の代わりに導電粒子No.1を用いた他は、実施例1と同様の方法により回路接続材料No.5を得た。
(Comparative Example 1)
Conductive particle No. 1 in Example 1. In place of conductive particles No. 2 1 except that circuit connection material No. 1 was used in the same manner as in Example 1. 5 was obtained.

(比較例2)
実施例1における導電粒子No.2の代わりに導電粒子No.3を用いた他は、実施例1と同様の方法により回路接続材料No.6を得た。
(Comparative Example 2)
Conductive particle No. 1 in Example 1. In place of conductive particles No. 2 3 except that circuit connection material No. 3 was used in the same manner as in Example 1. 6 was obtained.

(回路部材の接続)
第1の回路部材として、ポリイミドフィルム(厚さ40μm)と、銅箔(厚さ18μm)と、ポリイミドフィルム及び銅箔を接着する接着剤と、からなる3層構造を有するフレキシブル回路板(FPC)を準備した。このフレキシブル回路板の銅回路については、ライン幅7μm、ピッチ30μmとした。
(Connection of circuit members)
As a first circuit member, a flexible circuit board (FPC) having a three-layer structure comprising a polyimide film (thickness 40 μm), a copper foil (thickness 18 μm), and an adhesive for bonding the polyimide film and the copper foil. Prepared. For the copper circuit of this flexible circuit board, the line width was 7 μm and the pitch was 30 μm.

次いで、ガラス基板(厚さ1.1mm)上にインジュウム−錫酸化物(ITO)を蒸着により形成し、第2の回路部材として、表面上にITO回路電極を備えるガラス基板(表面抵抗<20Ω)を作製した(以下、第2の回路部材Aと言う)。この第2の回路部材Aについて、電子顕微鏡(日立製作所製、S−800)を用いてITO回路電極の表面を観察し、ITO回路電極の表面の凹凸の高低差(厚さの差)を計測したところ、その高低差は4nmであった。   Subsequently, indium-tin oxide (ITO) is formed by vapor deposition on a glass substrate (thickness 1.1 mm), and a glass substrate (surface resistance <20Ω) having ITO circuit electrodes on the surface as a second circuit member. (Hereinafter referred to as second circuit member A). About this 2nd circuit member A, the surface of an ITO circuit electrode is observed using an electron microscope (made by Hitachi, S-800), and the unevenness | corrugation height difference (thickness difference) of the surface of an ITO circuit electrode is measured. As a result, the height difference was 4 nm.

一方、ガラス基板(厚さ1.1mm)上にインジュウム−亜鉛酸化物(IZO)を蒸着により形成し、第2の回路部材として、表面にIZO回路電極を備えるガラス基板(表面抵抗<20Ω)を作製した(以下、第2の回路部材Bと言う)。この第2の回路部材Bについて、IZO回路電極の表面の凹凸の高低差(厚さの差)を上記と同様にして測定したところ、その高低差は1.0nmであった。   On the other hand, indium zinc oxide (IZO) is formed by vapor deposition on a glass substrate (thickness 1.1 mm), and a glass substrate (surface resistance <20Ω) having an IZO circuit electrode on the surface is formed as a second circuit member. It produced (henceforth the 2nd circuit member B). With respect to the second circuit member B, the height difference (thickness difference) of the irregularities on the surface of the IZO circuit electrode was measured in the same manner as described above, and the height difference was 1.0 nm.

そして、第2の回路部材A,B上に幅1mmになるように実施例1〜2及び比較例1〜2の回路接続材料を塗布して乾燥させた。その後、第2の回路部材AとBを並べて配置し、これら第2の回路部材A,Bに対し、第1の回路部材であるFPCと第2の回路部材A及びBとで回路接続材料を挟むようにFPCを配置した。次いで、回路接続材料をFPC及び第2の回路部材A,Bを介して180℃、3MPaで10秒間加熱しながら加圧してFPCと第2の回路部材A,Bとを接続した。こうして、FPC上に2つの第2の回路部材A,Bが並列に配置された回路部材の接続構造を得た。   And the circuit connection material of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-2 was apply | coated and dried so that it might become 1 mm in width on 2nd circuit member A, B. After that, the second circuit members A and B are arranged side by side, and the circuit connection material is provided by the FPC which is the first circuit member and the second circuit members A and B with respect to the second circuit members A and B. The FPC was arranged so as to be sandwiched. Next, the FPC and the second circuit members A and B were connected by pressurizing the circuit connecting material through the FPC and the second circuit members A and B while heating them at 180 ° C. and 3 MPa for 10 seconds. Thus, a circuit member connection structure in which two second circuit members A and B were arranged in parallel on the FPC was obtained.

また、実施例3〜4のフィルム状回路接続材料(幅1mm)においては、その接着面を第2の回路部材A,B上に貼り付けた後、70℃、0.5MPaで5秒間加熱しながら加圧してフィルム状回路接続材料を第2の回路部材A,Bに仮接続した。次いで、PETフィルムを剥離した後、FPCと第2の回路部材A,Bとでフィルム状回路接続材料を挟むようにFPCを配置した。次いで、フィルム状回路接続材料をFPC及び第2の回路部材A,Bを介して180℃、3MPaで10秒間加熱しながら加圧してFPCと第2の回路部材とを接続した。こうして、FPC上に2つの第2の回路部材A,Bが並列に配置された回路部材の接続構造を得た。   Moreover, in the film-form circuit connection material (width 1mm) of Examples 3-4, after sticking the adhesive surface on the 2nd circuit members A and B, it heated at 70 degreeC and 0.5 MPa for 5 second. The film-like circuit connecting material was temporarily connected to the second circuit members A and B by applying pressure. Next, after peeling off the PET film, the FPC was arranged so that the film-like circuit connecting material was sandwiched between the FPC and the second circuit members A and B. Next, the FPC and the second circuit member were connected by pressurizing the film-like circuit connecting material through the FPC and the second circuit members A and B while heating at 180 ° C. and 3 MPa for 10 seconds. Thus, a circuit member connection structure in which two second circuit members A and B were arranged in parallel on the FPC was obtained.

(接続抵抗の測定)
上記のようにして得られた回路部材の接続構造について、FPCの回路電極と、第2の回路部材A,Bの回路電極との間の接続抵抗値をマルチメータを用いて測定した。接続抵抗値は、初期(接続直後)と、80℃、95%RHの高温高湿槽中に1000時間保持(高温高湿処理)した後に測定した。接続抵抗値の測定結果を表2に示す。なお、表2において、接続抵抗値は、隣接回路間の抵抗150点の平均値と標準偏差を3倍した値との和(x+3σ)で示した。
(Measurement of connection resistance)
With respect to the circuit member connection structure obtained as described above, the connection resistance value between the circuit electrode of the FPC and the circuit electrodes of the second circuit members A and B was measured using a multimeter. The connection resistance value was measured at the initial stage (immediately after connection) and after being held for 1000 hours (high temperature and high humidity treatment) in a high temperature and high humidity bath at 80 ° C. and 95% RH. Table 2 shows the measurement results of the connection resistance value. In Table 2, the connection resistance value is represented by the sum (x + 3σ) of an average value of 150 resistances between adjacent circuits and a value obtained by triple the standard deviation.

(回路電極上に存在する導電粒子数)
上記回路部材の接続構造における各回路電極上に存在する導電粒子数を顕微鏡による目視にて計数した。なお、151個の電極上に存在する導電粒子の数の平均値を回路電極上の導電粒子数とした。結果を表2に示す。
(Number of conductive particles present on circuit electrode)
The number of conductive particles present on each circuit electrode in the circuit member connection structure was counted visually with a microscope. Note that the average value of the number of conductive particles present on 151 electrodes was defined as the number of conductive particles on the circuit electrode. The results are shown in Table 2.

(回路接続部材の貯蔵弾性率及び平均熱膨張係数の測定)
実施例1〜4及び比較例1〜3の回路接続材料の硬化処理後の40℃における貯蔵弾性率は0.5〜3GPaの範囲内にあり、25℃から100℃までの平均熱膨張係数は30〜200ppm/℃の範囲内にあることを確認した。

Figure 2005166438
(Measurement of storage modulus and average thermal expansion coefficient of circuit connecting member)
The storage elastic modulus in 40 degreeC after the hardening process of the circuit connection material of Examples 1-4 and Comparative Examples 1-3 exists in the range of 0.5-3 GPa, and the average thermal expansion coefficient from 25 degreeC to 100 degreeC is It confirmed that it existed in the range of 30-200 ppm / degreeC.
Figure 2005166438

表2に示す結果から明らかなように、実施例1に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造における初期の接続抵抗が、第2の回路部材に形成される回路電極がITO回路電極であるとIZO回路電極であるとにかかわらず、比較例1に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造における初期の接続抵抗に比べて十分に低減されることが分かった。このことから、本発明の回路接続材料によれば、回路電極の表面が平坦あっても、突起部を有しない導電粒子を含有する回路接続材料に比べて回路電極間の接続抵抗を十分に低減でき、回路電極間の電気的接続を良好なものにすることができることが分かった。   As is apparent from the results shown in Table 2, the initial connection resistance in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Example 1 is that the circuit electrode formed on the second circuit member is an ITO circuit electrode. Regardless of the presence of the IZO circuit electrode, it was found that the connection resistance was sufficiently reduced compared to the initial connection resistance in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Comparative Example 1. Therefore, according to the circuit connection material of the present invention, even when the surface of the circuit electrode is flat, the connection resistance between the circuit electrodes is sufficiently reduced as compared with the circuit connection material containing conductive particles having no protrusions. It was found that the electrical connection between the circuit electrodes can be improved.

また、実施例1に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造においては、第2の回路部材に形成される回路電極がITO回路電極であるとIZO回路電極であるとにかかわらず、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は十分に小さく、初期の接続抵抗値からの上昇が十分に抑えられているのに対し、比較例1に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造においては、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は小さいとは言えず、初期の接続抵抗値からの上昇が十分に抑えられていないことが分かった。特に、比較例1に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造において、回路電極としてIZO回路電極を用いた場合には、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は極めて大きくなっていた。このことから、本発明の回路接続材料により、回路電極の表面が平坦であっても、突起部を有しない導電粒子を含有する回路接続材料に比べて回路電極間の接続抵抗を十分に低減できるだけでなく、その接続抵抗を長期間にわたって維持できることが分かった。   Moreover, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to the first embodiment, the circuit electrode formed on the second circuit member is an ITO circuit electrode or an IZO circuit electrode, regardless of whether it is an IZO circuit electrode. The difference between the connection resistance value after the high-humidity treatment and the initial connection resistance value is sufficiently small, and the rise from the initial connection resistance value is sufficiently suppressed, whereas the circuit connection material according to Comparative Example 1 is used. In the connection structure of the circuit member used, it cannot be said that the difference between the connection resistance value after the high temperature and high humidity treatment and the initial connection resistance value is small, and the rise from the initial connection resistance value is not sufficiently suppressed. I understood that. In particular, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Comparative Example 1, when the IZO circuit electrode is used as the circuit electrode, the connection resistance value after the high-temperature and high-humidity treatment and the initial connection resistance value The difference was extremely large. Therefore, the circuit connection material of the present invention can sufficiently reduce the connection resistance between the circuit electrodes even when the surface of the circuit electrode is flat as compared with the circuit connection material containing conductive particles having no protrusions. However, it was found that the connection resistance can be maintained over a long period of time.

更に、実施例2〜4に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造においても、第2の回路部材に形成される回路電極がITO回路電極であるとIZO回路電極であるとにかかわらず、初期における接続抵抗が十分に低減されることが分かった。   Further, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Examples 2 to 4, regardless of whether the circuit electrode formed on the second circuit member is an ITO circuit electrode or an IZO circuit electrode, It was found that the connection resistance in the initial stage was sufficiently reduced.

また、実施例2〜4に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造においては、第2の回路部材に形成される回路電極がITO回路電極であるとIZO回路電極であるとにかかわらず、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は十分に小さく、初期の接続抵抗値からの上昇が十分に抑えられることが分かった。これに対し、比較例2に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造においては、第2の回路部材に形成される回路電極がITO回路電極であるとIZO回路電極であるとにかかわらず、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は小さいとは言えず、初期の接続抵抗値からの上昇が十分に抑えられていないことが分かった。特に、比較例2に係る回路接続材料を用いた回路部材の接続構造において、回路電極としてIZO回路電極を用いた場合には、高温高湿処理後の接続抵抗値と初期の接続抵抗値との差は極めて大きくなっていた。   In addition, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Examples 2 to 4, regardless of whether the circuit electrode formed on the second circuit member is an ITO circuit electrode or an IZO circuit electrode It was found that the difference between the connection resistance value after the high temperature and high humidity treatment and the initial connection resistance value was sufficiently small, and the rise from the initial connection resistance value was sufficiently suppressed. On the other hand, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Comparative Example 2, regardless of whether the circuit electrode formed on the second circuit member is an ITO circuit electrode or an IZO circuit electrode, The difference between the connection resistance value after the high-temperature and high-humidity treatment and the initial connection resistance value cannot be said to be small, and it was found that the increase from the initial connection resistance value was not sufficiently suppressed. In particular, in the circuit member connection structure using the circuit connection material according to Comparative Example 2, when the IZO circuit electrode is used as the circuit electrode, the connection resistance value after the high temperature and high humidity treatment and the initial connection resistance value The difference was extremely large.

本発明の回路接続材料は、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、プリント基板等の基板等の回路部材同士の接続に有用である。   The circuit connecting material of the present invention is useful for connecting circuit members such as chip parts such as semiconductor chips, resistor chips and capacitor chips, and substrates such as printed boards.

本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the connection structure of the circuit member which concerns on this invention. 本発明に係る回路接続材料を構成する導電粒子の種々の形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the various form of the electrically-conductive particle which comprises the circuit connection material which concerns on this invention. 本発明に係るフィルム状回路接続材料の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the film-form circuit connection material which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…回路部材の接続構造、10…回路接続部材、11…絶縁性物質、12…導電粒子、12a…核体、12b…金属層、14…突起、30…第一の回路部材、31…回路基板(第一の回路基板)、31a…主面、32…回路電極(第一の回路電極)、40…第二の回路部材、41…回路基板(第二の回路基板)、41a…主面、42…回路電極(第二の回路電極)、43…絶縁層(第二の絶縁層)、50…フィルム状回路接続材料、51…接着剤組成物。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit member connection structure, 10 ... Circuit connection member, 11 ... Insulative substance, 12 ... Conductive particle, 12a ... Core body, 12b ... Metal layer, 14 ... Projection, 30 ... First circuit member, 31 ... Circuit Substrate (first circuit board), 31a ... main surface, 32 ... circuit electrode (first circuit electrode), 40 ... second circuit member, 41 ... circuit substrate (second circuit board), 41a ... main surface 42 ... Circuit electrode (second circuit electrode), 43 ... Insulating layer (second insulating layer), 50 ... Film-like circuit connecting material, 51 ... Adhesive composition.

Claims (21)

第1の回路基板の主面上に第1の回路電極が形成された第1の回路部材と、
前記第1の回路部材に対向して配置され、第2の回路基板の主面上に第2の回路電極が形成された第2の回路部材と、
前記第1の回路部材の主面と前記第2の回路部材の主面との間に設けられ、前記第1及び第2の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備える回路部材の接続構造における、前記回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、
前記回路接続材料は、接着剤組成物と、表面側に導電性を有する複数の突起部を備えた導電粒子とを含有し、
硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり、且つ
硬化処理により25℃から100℃までの平均熱膨張係数が、30〜200ppm/℃となることが可能である、
ことを特徴とする回路接続材料。
A first circuit member having a first circuit electrode formed on the main surface of the first circuit board;
A second circuit member disposed opposite to the first circuit member and having a second circuit electrode formed on a main surface of the second circuit board;
A circuit connection member provided between the main surface of the first circuit member and the main surface of the second circuit member, and connecting the first and second circuit members;
A circuit connection material for forming the circuit connection member in a circuit member connection structure comprising:
The circuit connection material contains an adhesive composition and conductive particles provided with a plurality of protrusions having conductivity on the surface side,
The storage modulus at 40 ° C. can be 0.5-3 GPa by the curing treatment, and the average thermal expansion coefficient from 25 ° C. to 100 ° C. can be 30-200 ppm / ° C. by the curing treatment.
A circuit connection material characterized by that.
前記突起部の高さが50〜500nmであり、
隣接する前記突起部間の距離が1000nm以下であることを特徴とする請求項1記載の回路接続材料。
The protrusion has a height of 50 to 500 nm,
The circuit connection material according to claim 1, wherein a distance between adjacent protrusions is 1000 nm or less.
前記導電粒子が、導電性を有する本体部を有し、
前記複数の突起部が、前記本体部の表面上に設けられている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の回路接続材料。
The conductive particles have a conductive main body,
The plurality of protrusions are provided on the surface of the main body,
The circuit connection material according to claim 1 or 2, wherein
前記導電粒子が、有機高分子化合物からなる核体と、前記核体上に形成された銅、ニッケル、ニッケル合金、銀又は銀合金からなる金属層とを備えており、
前記複数の突起部が、前記金属層の表面側に設けられ、
前記金属層の厚さが50〜170nmである、ことを特徴とする請求項1又は2記載の回路接続材料。
The conductive particles include a nucleus composed of an organic polymer compound, and a metal layer composed of copper, nickel, nickel alloy, silver or silver alloy formed on the nucleus,
The plurality of protrusions are provided on the surface side of the metal layer,
The circuit connection material according to claim 1, wherein the metal layer has a thickness of 50 to 170 nm.
前記導電粒子が金又はパラジウムからなる最外層を備えており、前記複数の突起部が前記最外層の表面側に設けられ、
前記最外層の厚さが15〜70nmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の回路接続材料。
The conductive particles have an outermost layer made of gold or palladium, and the plurality of protrusions are provided on the surface side of the outermost layer;
5. The circuit connection material according to claim 1, wherein the outermost layer has a thickness of 15 to 70 nm.
前記接着剤組成物が、エポキシ樹脂と、前記エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路接続材料。 The said adhesive composition contains an epoxy resin and the latent hardening | curing agent of the said epoxy resin, The circuit connection material as described in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 前記接着剤組成物が、ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to any one of claims 1 to 6, wherein the adhesive composition contains a radical polymerizable substance and a curing agent that generates free radicals upon heating. 硬化処理によりガラス転移温度が60〜200℃となることが可能であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to any one of claims 1 to 7, wherein the glass transition temperature can be 60 to 200 ° C by a curing treatment. フィルム形成材を更に含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to claim 1, further comprising a film forming material. 前記フィルム形成材がフェノキシ樹脂であることを特徴とする請求項9記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to claim 9, wherein the film forming material is a phenoxy resin. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の回路接続材料をフィルム状に形成してなることを特徴とするフィルム状回路接続材料。 A circuit connection material according to any one of claims 1 to 10, wherein the circuit connection material is formed into a film shape. 第1の回路基板の主面上に第1の回路電極が形成された第1の回路部材と、
前記第1の回路部材に対向して配置され、第2の回路基板の主面上に第2の回路電極が形成された第2の回路部材と、
前記第1の回路部材の主面と前記第2の回路部材の主面との間に設けられ、前記第1及び第2の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備える回路部材の接続構造であって、
前記回路接続部材が、絶縁性物質と、表面側に導電性を有する複数の突起部を備えた導電粒子とを含有し、
前記回路接続部材の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり、且つ、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃であり、
前記第1の回路電極と前記第2の回路電極とが、前記導電粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする回路部材の接続構造。
A first circuit member having a first circuit electrode formed on the main surface of the first circuit board;
A second circuit member disposed opposite to the first circuit member and having a second circuit electrode formed on a main surface of the second circuit board;
A circuit connection member provided between the main surface of the first circuit member and the main surface of the second circuit member, and connecting the first and second circuit members;
A circuit member connection structure comprising:
The circuit connection member contains an insulating material and conductive particles including a plurality of protrusions having conductivity on the surface side,
The circuit connecting member has a storage elastic modulus at 40 ° C. of 0.5 to 3 GPa and an average coefficient of thermal expansion from 25 ° C. to 100 ° C. of 30 to 200 ppm / ° C.,
The circuit member connection structure, wherein the first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected via the conductive particles.
前記突起部の高さが50〜500nmであり、
隣接する前記突起部間の距離が1000nm以下であることを特徴とする請求項12記載の回路接続材料。
The protrusion has a height of 50 to 500 nm,
The circuit connection material according to claim 12, wherein a distance between adjacent protrusions is 1000 nm or less.
前記導電粒子が、導電性を有する本体部を有し、前記複数の突起部が前記本体部の表面上に設けられていることを特徴とする請求項12に記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to claim 12, wherein the conductive particles have a conductive main body, and the plurality of protrusions are provided on a surface of the main body. 前記導電粒子が、有機高分子化合物からなる核体と、前記核体上に形成された銅、ニッケル、ニッケル合金、銀又は銀合金からなる金属層とを備えており、
前記複数の突起部が、前記金属層の表面側に設けられ、
前記金属層の厚さが50〜150nmであることを特徴とする請求項11又は12記載の回路接続材料。
The conductive particles include a nucleus composed of an organic polymer compound, and a metal layer composed of copper, nickel, nickel alloy, silver or silver alloy formed on the nucleus,
The plurality of protrusions are provided on the surface side of the metal layer,
The circuit connection material according to claim 11 or 12, wherein the metal layer has a thickness of 50 to 150 nm.
前記導電粒子が、金又はパラジウムからなる最外層を備えており、前記複数の突起部が前記最外層の表面側に設けられ、
前記最外層の厚さが15〜70nmであることを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の回路接続材料。
The conductive particles have an outermost layer made of gold or palladium, and the plurality of protrusions are provided on the surface side of the outermost layer;
The circuit connection material according to claim 12, wherein the outermost layer has a thickness of 15 to 70 nm.
前記回路接続部材のガラス転移温度が60〜200℃であることを特徴とする請求項12〜16のいずれか一項に記載の回路接続材料。 The circuit connection material according to any one of claims 12 to 16, wherein a glass transition temperature of the circuit connection member is 60 to 200 ° C. 前記第1の回路部材の主面上に形成され、前記第1の回路電極に隣接する第1の絶縁層と、
前記第2の回路部材の主面上に形成され、前記第2の回路電極に隣接する第2の絶縁層とを更に備えており、
前記第1及び第2絶縁層は、有機絶縁性物質、二酸化珪素又は窒化珪素からなることを特徴とする請求項12〜17のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
A first insulating layer formed on a main surface of the first circuit member and adjacent to the first circuit electrode;
A second insulating layer formed on the main surface of the second circuit member and adjacent to the second circuit electrode;
The circuit member connection structure according to any one of claims 12 to 17, wherein the first and second insulating layers are made of an organic insulating material, silicon dioxide, or silicon nitride.
前記第1及び第2の回路電極の少なくとも一方の表面積が15,000μm以下であり、前記第1の回路電極と前記第2の回路電極との間における平均導電粒子数が3個以上であることを特徴とする請求項12〜18のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。 The surface area of at least one of the first and second circuit electrodes is 15,000 μm 2 or less, and the average number of conductive particles between the first circuit electrode and the second circuit electrode is 3 or more. The circuit member connection structure according to any one of claims 12 to 18, wherein the connection structure is a circuit member connection structure. 前記第1及び第2の回路電極の少なくとも一方は、金、銀、錫、白金族の金属又はインジウム錫酸化物からなる表面層を有することを特徴とする請求項12〜19のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。 20. At least one of the first and second circuit electrodes has a surface layer made of gold, silver, tin, a platinum group metal, or indium tin oxide. The connection structure of the circuit member described in 1. 前記第1及び第2の回路基板の少なくとも一方は、有機絶縁性物質、ガラス又はシリコンからなることを特徴とする請求項12〜20のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。 21. The circuit member connection structure according to claim 12, wherein at least one of the first and second circuit boards is made of an organic insulating material, glass, or silicon.
JP2003403482A 2003-12-02 2003-12-02 Circuit connection material and circuit member connection structure using the same Expired - Lifetime JP5247968B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003403482A JP5247968B2 (en) 2003-12-02 2003-12-02 Circuit connection material and circuit member connection structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003403482A JP5247968B2 (en) 2003-12-02 2003-12-02 Circuit connection material and circuit member connection structure using the same

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011024167A Division JP5387592B2 (en) 2011-02-07 2011-02-07 Circuit connection material and method of manufacturing circuit member connection structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005166438A true JP2005166438A (en) 2005-06-23
JP5247968B2 JP5247968B2 (en) 2013-07-24

Family

ID=34726778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003403482A Expired - Lifetime JP5247968B2 (en) 2003-12-02 2003-12-02 Circuit connection material and circuit member connection structure using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5247968B2 (en)

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344416A (en) * 2005-06-07 2006-12-21 Sekisui Chem Co Ltd Conductive fine particle and anisotropic conductive material
WO2007058159A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, circuit connecting material, connecting structure and circuit member connecting method
WO2008053873A1 (en) 2006-10-31 2008-05-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connection structure
WO2008140094A1 (en) 2007-05-15 2008-11-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
JP2008308682A (en) * 2007-05-15 2008-12-25 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection material
JP2009004593A (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Corp Semiconductor laminate structure, semiconductor device using it and their manufacturing method
WO2009017200A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connection material, and connection structure of circuit member and connection method of circuit member using the circuit connection material
WO2009017001A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit member connecting structure
WO2009057612A1 (en) * 2007-10-31 2009-05-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material and connecting structure for circuit member
JP2009111327A (en) * 2007-10-12 2009-05-21 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material and connection structure for circuit member using the same
WO2009063827A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material and structure for connecting circuit member
JP2009135086A (en) * 2007-11-01 2009-06-18 Hitachi Chem Co Ltd Conductive particle, insulating coating conductive particle, method of manufacturing the same, and anisotropically conductive adhesive
JP2009277769A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Circuits connecting material and connection structure of circuit member using the same
JP2009275079A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Circuit-connecting material and connected structure of circuit member using the same
WO2010010768A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 Conductive particle, anisotropic conductive film, joined body, and connecting method
JP2010034045A (en) * 2008-07-01 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection material, and circuit connection structure
JP2010277997A (en) * 2009-04-28 2010-12-09 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material, film-like-circuit connecting material using the same circuit connecting material, circuit-member connecting structure, and circuit-member connecting method
JP2011012180A (en) * 2009-07-02 2011-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material and circuit connection structure
WO2011016524A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 日立化成工業株式会社 Conductive particle
JP2011049184A (en) * 2010-11-16 2011-03-10 Sony Chemical & Information Device Corp Anisotropic conductive film, connected body, and method for manufacturing connected body
JP2011054988A (en) * 2006-10-31 2011-03-17 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material
JP2011202173A (en) * 2011-05-16 2011-10-13 Sony Chemical & Information Device Corp Anisotropic conductive film and process for producing the same
JP2011243456A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particles, anisotropic conductive materials, and connection structure
JP2011243455A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure
CN102332324A (en) * 2011-08-31 2012-01-25 上海大学 Composite conducting particles and preparation method thereof
JP2012079520A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure
JP4930598B2 (en) * 2007-10-18 2012-05-16 日立化成工業株式会社 Circuit connection material, circuit connection body and circuit member connection method
WO2013157552A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive adhesive, method for manufacturing same, light emitting device, and method for manufacturing same
JP2014130824A (en) * 2014-02-04 2014-07-10 Nippon Chem Ind Co Ltd Conductive powder, conductive material containing the same, and manufacturing method of conductive particle
WO2014129325A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 日東電工株式会社 Underfill sheet, underfill sheet integrated with tape for grinding rear surface, underfill sheet integrated with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2014156882A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 日東電工株式会社 Underfill material, sealing sheet, and method for producing semiconductor device
KR20160084331A (en) * 2010-01-29 2016-07-13 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle
KR20210149675A (en) * 2014-03-10 2021-12-09 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Conductive particle, anisotropic conductive adhesive, connecting structure and method for producing conductive particle
JP7435001B2 (en) 2020-02-17 2024-02-21 株式会社レゾナック Anisotropic conductive adhesive film, connected structure and manufacturing method thereof

Cited By (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4589810B2 (en) * 2005-06-07 2010-12-01 積水化学工業株式会社 Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP2006344416A (en) * 2005-06-07 2006-12-21 Sekisui Chem Co Ltd Conductive fine particle and anisotropic conductive material
WO2007058159A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, circuit connecting material, connecting structure and circuit member connecting method
JP4877230B2 (en) * 2005-11-18 2012-02-15 日立化成工業株式会社 Adhesive composition, circuit connection material, connection structure, and circuit member connection method
CN102063949A (en) * 2006-10-31 2011-05-18 日立化成工业株式会社 Using method of circuit connection material
WO2008053873A1 (en) 2006-10-31 2008-05-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connection structure
JP2008135734A (en) * 2006-10-31 2008-06-12 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection structure
JP2011054988A (en) * 2006-10-31 2011-03-17 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material
US20100025097A1 (en) * 2006-10-31 2010-02-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connection structure
CN103198878A (en) * 2006-10-31 2013-07-10 日立化成工业株式会社 Circuit connection structure
JP4737177B2 (en) * 2006-10-31 2011-07-27 日立化成工業株式会社 Circuit connection structure
JP2008308682A (en) * 2007-05-15 2008-12-25 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection material
KR101410108B1 (en) 2007-05-15 2014-06-25 히타치가세이가부시끼가이샤 Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
JP2011091044A (en) * 2007-05-15 2011-05-06 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material, and connection structure for circuit member
JP4743322B2 (en) * 2007-05-15 2011-08-10 日立化成工業株式会社 Circuit connection material and circuit member connection structure
TWI402326B (en) * 2007-05-15 2013-07-21 Circuit connection material and circuit structure of the connection structure
CN102174299A (en) * 2007-05-15 2011-09-07 日立化成工业株式会社 Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
WO2008140094A1 (en) 2007-05-15 2008-11-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
JPWO2008140094A1 (en) * 2007-05-15 2010-08-05 日立化成工業株式会社 Circuit connection material and circuit member connection structure
JP2009004593A (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Corp Semiconductor laminate structure, semiconductor device using it and their manufacturing method
WO2009017001A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit member connecting structure
JPWO2009017001A1 (en) * 2007-07-27 2010-10-21 日立化成工業株式会社 Circuit member connection structure
CN101689410B (en) * 2007-08-02 2013-10-16 日立化成株式会社 Circuit connection material, and connection structure of circuit member and connection method of circuit member using the circuit connection material
JPWO2009017200A1 (en) * 2007-08-02 2010-10-21 日立化成工業株式会社 Circuit connection material, circuit member connection structure using the same, and circuit member connection method
WO2009017200A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connection material, and connection structure of circuit member and connection method of circuit member using the circuit connection material
JP5316410B2 (en) * 2007-08-02 2013-10-16 日立化成株式会社 Circuit member connection structure
KR101302778B1 (en) * 2007-08-02 2013-09-02 히타치가세이가부시끼가이샤 Circuit connection material, and connection structure of circuit member and connection method of circuit member using the circuit connection material
JP2009111327A (en) * 2007-10-12 2009-05-21 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material and connection structure for circuit member using the same
JP4930598B2 (en) * 2007-10-18 2012-05-16 日立化成工業株式会社 Circuit connection material, circuit connection body and circuit member connection method
KR101180571B1 (en) * 2007-10-31 2012-09-06 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Circuit connecting material and connecting structure for circuit member
JP5051221B2 (en) * 2007-10-31 2012-10-17 日立化成工業株式会社 Circuit member connection structure and circuit member connection method
CN105778815A (en) * 2007-10-31 2016-07-20 日立化成工业株式会社 Connecting structure for circuit members, and connecting method for circuit members
WO2009057612A1 (en) * 2007-10-31 2009-05-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material and connecting structure for circuit member
CN105778815B (en) * 2007-10-31 2018-03-20 日立化成株式会社 The attachment structure of circuit block and the connection method of circuit block
TWI456852B (en) * 2007-10-31 2014-10-11 Hitachi Chemical Co Ltd Connection structure of circuit member and connection method of circuit member
JP2012190806A (en) * 2007-11-01 2012-10-04 Hitachi Chem Co Ltd Conductive particle, insulating coating conductive particle, method of manufacturing the same, and anisotropic conductive adhesive
JP2012190807A (en) * 2007-11-01 2012-10-04 Hitachi Chem Co Ltd Conductive particle, insulating coating conductive particle, method of manufacturing the same, and anisotropic conductive adhesive
JP2009135086A (en) * 2007-11-01 2009-06-18 Hitachi Chem Co Ltd Conductive particle, insulating coating conductive particle, method of manufacturing the same, and anisotropically conductive adhesive
WO2009063827A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material and structure for connecting circuit member
TWI395801B (en) * 2007-11-12 2013-05-11 Circuit connection material and circuit structure of the connection structure
JPWO2009063827A1 (en) * 2007-11-12 2011-03-31 日立化成工業株式会社 Circuit connection material and circuit member connection structure
JP2009277769A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Circuits connecting material and connection structure of circuit member using the same
JP2009275079A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd Circuit-connecting material and connected structure of circuit member using the same
JP2010034045A (en) * 2008-07-01 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection material, and circuit connection structure
TWI502608B (en) * 2008-07-24 2015-10-01 Conducting particle, anisotropic conductive film, and connected structure, and method of connecting
JP2010027569A (en) * 2008-07-24 2010-02-04 Sony Chemical & Information Device Corp Conductive particle, anisotropic conductive film, joined body and connecting method
WO2010010768A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 Conductive particle, anisotropic conductive film, joined body, and connecting method
US8395052B2 (en) 2008-07-24 2013-03-12 Dexerials Corporation Conductive particle, anisotropic conductive film, joined structure, and joining method
CN102089832B (en) * 2008-07-24 2014-03-26 迪睿合电子材料有限公司 Conductive particle, anisotropic conductive film, joined body, and connecting method
JP2010277997A (en) * 2009-04-28 2010-12-09 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material, film-like-circuit connecting material using the same circuit connecting material, circuit-member connecting structure, and circuit-member connecting method
JP2011012180A (en) * 2009-07-02 2011-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connecting material and circuit connection structure
WO2011016524A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 日立化成工業株式会社 Conductive particle
KR101205041B1 (en) 2009-08-06 2012-11-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Conductive particle
CN102719814A (en) * 2009-08-06 2012-10-10 日立化成工业株式会社 Conductive particle
CN102292780A (en) * 2009-08-06 2011-12-21 日立化成工业株式会社 Conductive particle
JP2011175956A (en) * 2009-08-06 2011-09-08 Hitachi Chem Co Ltd Conductive particle
KR20170087068A (en) * 2010-01-29 2017-07-27 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle
KR102001723B1 (en) * 2010-01-29 2019-07-18 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle
KR20160084331A (en) * 2010-01-29 2016-07-13 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle
KR101714323B1 (en) 2010-01-29 2017-03-08 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive powder and conductive material comprising thereof and method for preparing conductive particle
JP2011243455A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure
JP2011243456A (en) * 2010-05-19 2011-12-01 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particles, anisotropic conductive materials, and connection structure
JP2012079520A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure
JP2011049184A (en) * 2010-11-16 2011-03-10 Sony Chemical & Information Device Corp Anisotropic conductive film, connected body, and method for manufacturing connected body
JP2011202173A (en) * 2011-05-16 2011-10-13 Sony Chemical & Information Device Corp Anisotropic conductive film and process for producing the same
CN102332324A (en) * 2011-08-31 2012-01-25 上海大学 Composite conducting particles and preparation method thereof
WO2013157552A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive adhesive, method for manufacturing same, light emitting device, and method for manufacturing same
JP2013221104A (en) * 2012-04-17 2013-10-28 Dexerials Corp Anisotropic conductive adhesive agent, method for producing the same, light emitting device and method for manufacturing the same
CN105027271A (en) * 2013-02-21 2015-11-04 日东电工株式会社 Underfill sheet, underfill sheet integrated with tape for grinding rear surface, underfill sheet integrated with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
US20150380277A1 (en) * 2013-02-21 2015-12-31 Nitto Denko Corporation Underfill sheet, underfill sheet integrated with tape for grinding rear surface, underfill sheet integrated with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2014129325A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 日東電工株式会社 Underfill sheet, underfill sheet integrated with tape for grinding rear surface, underfill sheet integrated with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
JP2014165206A (en) * 2013-02-21 2014-09-08 Nitto Denko Corp Underfill sheet, tape-integrated underfill sheet for back grinding, dicing tape-integrated underfill sheet and method of manufacturing semiconductor device
JP2014192238A (en) * 2013-03-26 2014-10-06 Nitto Denko Corp Underfill material, sealing sheet and method for manufacturing semiconductor device
WO2014156882A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 日東電工株式会社 Underfill material, sealing sheet, and method for producing semiconductor device
JP2014130824A (en) * 2014-02-04 2014-07-10 Nippon Chem Ind Co Ltd Conductive powder, conductive material containing the same, and manufacturing method of conductive particle
KR20210149675A (en) * 2014-03-10 2021-12-09 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Conductive particle, anisotropic conductive adhesive, connecting structure and method for producing conductive particle
KR102489993B1 (en) * 2014-03-10 2023-01-18 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Conductive particle, anisotropic conductive adhesive, connecting structure and method for producing conductive particle
JP7435001B2 (en) 2020-02-17 2024-02-21 株式会社レゾナック Anisotropic conductive adhesive film, connected structure and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5247968B2 (en) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5247968B2 (en) Circuit connection material and circuit member connection structure using the same
JP4737177B2 (en) Circuit connection structure
JP4743322B2 (en) Circuit connection material and circuit member connection structure
JP4293187B2 (en) Circuit connection material, film-like circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
JP5051221B2 (en) Circuit member connection structure and circuit member connection method
JP2013055058A (en) Circuit connection material and connection structure of circuit member
JPWO2009017001A1 (en) Circuit member connection structure
JP2011100605A (en) Circuit connecting material and connection structure of circuit member using the same
JP4154919B2 (en) Circuit connection material and circuit terminal connection structure using the same
JP4844461B2 (en) Circuit connection material and circuit terminal connection structure using the same
JP2019065062A (en) Conductive adhesive film
JP4325379B2 (en) Circuit connection material, film-like circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
JP2011054988A (en) Circuit connecting material
JP5387592B2 (en) Circuit connection material and method of manufacturing circuit member connection structure
JP2011119154A (en) Connection method and connection structure
JP4400674B2 (en) Circuit connection material and circuit terminal connection structure using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060628

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080703

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080908

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081028

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090105

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090225

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090403

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130410

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5247968

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

EXPY Cancellation because of completion of term