KR20160083856A - 전력 전자 부품을 위한 기판, 기판을 구비한 전력 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전력 전자 부품을 위한 기판, 기판을 구비한 전력 모듈 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20160083856A
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조나단 이드락
압더라멘 카비
이브 비엔베누
베르트랑 피에르
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그리셋
아소시아옹 뿌르 라 레케체 에 레 드벨로프먼트 데스 메소즈 에 프로세수스 인더스트리얼즈 (아.에르.엠.이.엔.으.에스.)
라보라트와 나시오날 드 메트롤로지 에 데세
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Abstract

전력 전자 부품을 위한 기판은 상기 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 적어도 하나의 내부 층(8) 및 상기 내부 층의 양 면을 커버하는 열 전도성 물질로 제조되고 열 전도성 물질로 제조된 우물(P) - 상기 우물은 내부 층에 배치됨 - 에 의해 함께 연결된 외부 층(6, 7)을 포함하는 코라미네이트된 멀티층 합성 물질을 포함한다.
각 내부 층은 부품을 장착하기 위한 구역 내에 배치되는 삽입부를 형성하여서, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장된다.

Description

전력 전자 부품을 위한 기판, 기판을 구비한 전력 모듈 및 이의 제조 방법{SUPPORT FOR ELECTRONIC POWER COMPONENTS, POWER MODULE PROVIDED WITH SUCH A SUPPORT, AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD}
일반적으로, 본 발명은 전력 전자장치에 관한 것이고, 좀 더 구체적으로, 전력 전자 소자를 위한 기판에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 전력 전자 모듈과 이러한 기판을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
전력 모듈은 특히 고전력 부하를 제어하기 위해, 가령, 전기 모터를 제어하기 위해 사용되는 전자 모듈이다.
이러한 사용은 가령 온보드 비행기나 자동차에서 증가하는 추세이다.
전력 전자 모듈은 전력 전자 부품, 특히, 실리콘 또는 갈륨 니트라이드, 실리콘 카바이드 등과 같은 또 다른 반도체로 구성된 전자 칩을 포함하는데, 이는 특히 부품이 냉각되어질 기판상에 장착된다.
전력 전자 부품 오류의 주요 원인 중 하나는, 한 편에는, 일반적으로 구리로 구성된 기판과, 다른 한 편에는, 전자 칩의 열 팽창간의 차이와 관련되고, 일반적으로 전자 칩의 열 팽창 계수는 구리의 열 팽창 계수의 대략 삼분의 일이다. 전자 부품의 전력과 동작 주파수의 지속적인 증가는 더 높은 열 손실로 이어지고, 이는 전력 전자 부품과 기판의 동작 온도를 증가시킨다. 기판과 부품의 서로 다른 금속 성질은 열에 대한 열적 행동의 차이로 이어진다. 그러므로, 온도 증가는 본딩 구역에서 상당한 전단 응력(shear stress)을 생성하고, 이는 칩/기판 조립체의 퇴화 또는 심지어 파괴를 야기할 수 있다.
실리콘 칩이 올바르게 동작하고 실리콘 칩의 긴 수명을 위해, 가능한 많은 열을 제거하는 것이 중요하다. 구리가 열 전도체로서 역할을 충분히 함에도 불구하고, 구리의 선형적인 열 팽창 계수는 실리콘이나 현재 사용되는 반도체의 열 팽창 계수의 세 배 이상이고, 이는 칩/기판 본딩에 불리하다.
따라서, 기판은 우수한 열 및 심지어 전기 전도성과 기판의 평면에서 유리나 실리콘의 팽창 계수와 유사하고 낮은 선형적인 팽창 계수를 가져야 한다. 그러나, 이들 두 특성은 본질적으로 상반된다. 구체적으로, 다이아몬드를 제외하고는, 원소의 주기적 분류에서 열 전도성과 낮은 팽창의 이들 두 가지 특성을 결합하는 물질은 없다.
다른 기판이 개발된 것은 이러한 이유 때문이다.
그러므로, 금속 매트릭스 복합물(metal matrix composite, MMC)에 기초한 기판을 사용하는 것이 제안되어 왔다. 예를 들어, Al/SiC [2, 3, 6], Cu/SiC [5], Cu/다이아몬드 [1, 2, 4], Cu/C (fibers) [1, 3, 8] 등을 사용하는 것이 제안되어 왔다. 이들 물질의 제조는 매우 복잡하고, 높은 단가와 관련된다. 더구나, 생산된 부분들은 일반적으로 기계공작이 거의 불가능하므로, 기판의 최종 치수를 가져야 하고, 이들의 낮은 생산성 때문에 투자에 대한 회수를 거의 할 수 없는 단 한번의 제조 공정이 사용되어야 한다.
낮은 열 팽창력을 가진 물질로 제조된 내부 층의 양 면에 위치된 열적으로 전도성인 금속으로 구성된 두 개의 외부 층을 포함하는 코라미네이트 기판(colaminated substrate)도 사용된다. 코라미네이트 기판의 예시는 Cu/Mo/Cu [2, 3, 7], Cu/Mo-Cu 합금/Cu [2, 3, 7] 또는 Cu/낮은-팽창 Fe-Ni alloys/Cu [9]의 층으로부터 생성되었다. 이들이 낮은 팽창 계수를 가지더라도, 열 제거의 방향으로의 이들 열 전도성은 만족스럽지 않다. 구체적으로, 내부 층은 열적 배리어를 형성한다. 특히, 이러한 것은 가령, Invar®의 경우에서, 열 전도성은 구리의 열 전도성에 비해 20배 이상 작다.
또한, Invar®로 구성된 내부 층과 열적으로 전도성인 물질, 가령, 구리나 구리 합금으로 구성된 외부 층(상기 외부 층은 내부 층의 양 면에 위치되고, 열적으로 전도성인 물질로 구성되고, 내부 층이 낮은 열 팽창 계수를 가지더라도 내부 층을 통해 열이 제거될 수 있도록 하는 열적 브리지를 생성하기 위해 내부 층에 배치된 우물(well)에 의해 함께 연결됨)을 포함하는 멀티 층 복합 물질을 사용하는 것이 제안되어 왔다.
이와 관련하여, 독자는 이러한 멀티 층 복합 물질을 기술한 문서 FR 09 56 865를 참조할 수 있다.
이러한 물질은 내부 층과 외부 층을 코라미네이트함에 의해 생성된다.
열 전도성과 선형 팽창 계수 사이에서 얻어진 가장 우수한 절충안이더라도, 이러한 물질이 특히 자동차에서 전력 전자 모듈 기판, 철도 분야, 항공 전자 공학 분야, 산업 기계 분야에서의 사용을 불리하게 하는 주요 단점을 가진다는 것이 관측 되어 왔다.
구체적으로, 코라미네이션 동안에 가해진 높은 압력과 그에 의한 플라스틱 변형은, 라미네이션 평면에 평행하게 놓은 내부 층과 외부 층의 마주보는 편 사이에 원자 본딩을 얻을 수 있고, 시트의 접촉 평면에서의 미세-울퉁불퉁함(micro-asperities)의 밀도를 높이고, 라미네이션 힘에 평행하게 놓인 열적 브리지를 수용하기 위해 내부 층에 생성된 홀의 측면 평면은 원자 본딩에서 약점을 형성하고, 층의 기계적 결합력은 이들 구역(zone)에서 더 약해질 것이다.
특히, Invar® 층과 외부 구리 층 사이의 본딩은 이들 구역에서 더 약한 것으로 관측되어 왔다.
Invar® 층과 외부 구리 층 사이의 본딩은 구역에서 끊어질 수 있는데, 여기서, 기판은 구부러지려고 한다. 열적 브리지의 존재는 거시적 규모에 대한 응력 특이성이고, 내부의 고체-상태 본딩의 더 낮은 품질과, 구부림 작업(bending operation) 동안에 로컬 약점을 강조하는 홀의 벽에 대한 미시적 규모에 대한 외부 층이다.
그러나, 전력 전자 모듈을 위한 기판의 생성 시간의 대부분은 전기화학적 하위조립체를 제공하기 위한 기판의 성형, 특히 구부림을 수반한다. 이러한 성형 작업은 특히, 전력모듈을 위한 전기적 입력부와 출력부를 생성하는 것이 요구되어서, 이들 입력부나 출력부를 기계적으로 연결 또는 납땜할 필요가 없고, 아니면, 이는 무시할 수 없는 추가 비용 및 전기적 불연속성의 위험으로 이어질 것이다.
본 발명의 목적은 이러한 단점을 완화시키고, 코라미네이트된 멀티 층 복합 물질로 제조된 전력 전자 부품을 위한 기판을 제공하는 것이고, 이러한 기판은 그 전체 영역에 걸쳐 우수한 열 및 전기 전도성을 가지고, 전자 칩을 수용하도로 된 구역에서 실리콘이나 그 밖의 다른 반도체의 선형 팽창 계수와 근접한 선형 팽창 계수를 가지며, 이들 기판은 넓은 온도 범위에 걸쳐 사용되어서, 현재 사용되는 기판의 수명 보다 훨씬 더 긴 수명을 가진다.
본 발명의 또 다른 목적은 멀티 층 물질의 층들 사이에 결합(cohesion)도 보장하는 기판을 제공하는 것이다.
그러므로, 제1 태양에 따르면 본 발명의 주제는, 상기 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열적 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 적어도 하나의 내부 층 및 상기 내부 층의 양 면을 커버하고 열적 전도성 물질로 제조되고, 열적 전도성 물질로 제조된 우물에 의해 함께 연결된 외부 층을 포함하는 코라미네이트된 멀티 층 복합 물질을 포함하고, 상기 우물은 내부 층에 배치되는 전력 전자 부품을 위한 기판이다.
각각의 내부 층은 부품을 장착하기 위한 구역에 배치된 삽입부를 형성하고, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장된다.
다시 말해, 낮은 열 팽창 계수의 내부 층을 통해 열 전도성 외부 층들 사이에 연장되는 열적 우물은 열을 제거할 수 있다. 그러나, 낮은 열 팽창 계수의 물질과 열 전도성 물질의 우물은 전자 부품 아래에만 위치되어서, 측면으로, 삽입부 없이 외부 층의 코라미네이션은 이들 층들 사이에, 기판을 구부러지게 하고 모양을 형성하기 위한 능력이 보존되는 충분히 강한 기계적 본딩을 생성한다.
예를 들어, 내부 층의 물질은 Invar®, 낮은-팽창 Fe-Ni 합금, 몰리브데넘과 몰리브데넘 합금, 니오븀과 니오븀 합금 및 텅스텐과 텅스텐 합금을 포함하는 그룹에서 선택된다.
본 발명에 따른 기판의 또 다른 특징에 따르면, 외부 층 및/또는 우물의 전도성 물질은 구리와 구리 합금, 은과 은 합금 및 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함한다.
본 발명에 따른 기판의 또 다른 특징에 따르면, 외부 층들 중 적어도 하나는 적어도 하나의 제1 구역을 포함하는데, 상기 외부 층들 중 적어도 하나는 내부 층을 넘어 측면으로 연장되고, 제1 두께를 가지며, 적어도 하나의 제2 구역은 부품을 장착하기 위한 구역에 배치되고, 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가진다.
예를 들어, 내부 층의 양 면을 커버하는 외부 층은 제1 두께와 제2 두께를 가진 구역을 각각 포함한다.
변형예로서, 내부 층의 면들 중 하나를 커버하고, 상기 제1 두께와 제2 두께를 가진 구역들을 포함하는 외부 층을 포함하고, 다른 외부 층은 라미네이트되고 일정한 두께를 가진다.
예를 들어, 브리지는 물질에 주기적으로 분포된다.
가령, 단위 면적 당 우물의 비율은 35% 보다 작도록 준비될 수 있다.
또한, 제2 태양에 따른 본 발명의 주제는 부품을 장착하기 위한 구역들내의 기판상에 장착된 전자 전력 부품과 기판을 포함하는 전력 모듈에 있어서, 기판은 상기 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 적어도 하나의 내부 층 및 상기 내부 층의 양 면을 커버하는 열 전도성 물질로 제조되고 열 전도성 물질로 제조된 우물 - 상기 우물은 내부 층에 배치됨 - 에 의해 연결된 외부 층을 포함하는 코라미네이트된 멀티층 합성 물질을 포함한다.
각 내부 층은 부품을 장착하기 위한 구역내에만 배치된 삽입부를 형성하여, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장된다.
전력 모듈의 또 다른 특징에 따르면, 기판은 구부러지는 구역을 포함한다. 이들 구부러지는 구역에서, 외부 층은 삽입부 없이 코라미네이트된다.
다시 말해, 부품을 장착하기 위한 구역의 외부에서, 외부 층은 삽입부 없이 코라미네이트된다.
마지막으로, 제3 태양에 따른 본 발명의 주제는, 전력 전자 부품을 위한 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
- 부품의 열 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질의 제1 층을, 열 전도성 물질로 제조된 외부 층 사이에 배치시키는 단계 - 물질의 제1 층은 부품을 장착하기 위한 구역에 배치된 삽입부를 형성하고, 외부 층들은 열 전도성 물질로 제조된 우물에 의해 함께 연결되며, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장됨 - 와,
- 상기 내부 층과 외부 층을 롤링 밀의 갭을 통한 통로를 통해 코라미네이트(colaminating) 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은 비제한적인 예시와 첨부된 도면을 참조하여 주어진 상세한 설명을 읽으면 명백해질 것이다.
도 1은 전력 전자 모듈을 위한 본 발명에 따른 기판의 단면도이다.
도 2는 부분적인 컷어웨이인 도 1의 기판의 사시도이다.
도 3 및 4는 본 발명에 따른 기판의 일 실시예를 도시한다.
도 5는 구부림 이후에 도 1의 기판을 개략적으로 도시한다.
도 6 및 7은 본 발명에 따른 기판의 또 다른 실시예를 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 기판의 다양한 실시예를 도시한다.
도 9는 본 발명과 종래 기술에 따른, 기판이 포함하는 칩에 의한 심각한 열 응력을 받는 기판의 다양한 구역의 온도를 도시한 히스토그램이다.
도 10은 본 발명과 종래 기술에 따른 기판에서의 응력 레벨을 도시하는 히스토그램이다.
도 1은 일반적인 참조 번호 1로 지정된, 본 발명에 따른 기판을 도시한다.
기판은, 땜납의 층(4 및 5)에 의해 기판(10)에 각각 장착된, 가령 트랜지스터와 다이오드인 전력 전자 부품(2 및 3)을 포함하는 가령 전력 모듈인 전력 전자 모듈의 요소를 형성하도록 의도된다.
볼 수 있는 바와 같이, 기판(1)은 본 발명에서 전도성 금속으로 제조된 두 개의 외부 층(6 및 7)을 포함하는데, 이들 층은 낮은 열적 팽창률을 가진 물질로 제조된 내부 층(8)의 양 면에 배치된다.
외부 층(6 및 7)은 구리로 제조되는 것이 바람직하여, 층의 평면에서 우수한 열 및 전기적 전도성을 제공하여서, 열 및 전류 밀도가 균일하게 분산되는 것을 보장한다.
외부 층(6, 7)은 변형예로서, 구리 합금, 은이나 은 합금, 또는 알루미늄이나 알루미늄 함금으로도 제조될 수 있다.
구성의 일부를 위한 내부 층(8)은, 기판(1)에 장착된 부품(2 및 3)의 열 팽창성에 대응되는 열정 팽창 계수를 얻기 위해, 낮은 열 팽창성, 즉 실리콘의 열 팽창성과 유사한 낮은 열 팽창성을 가진 물질로 제조된 층으로 구성된다.
그러나, 내부 층(8)은 빠르게 열을 전도시키기 위해 우물(P)을 형성하는 채널로 천공되는 것을 볼 수 있다. 이들 채널은 매우 높은 열 전도성의 물질로 채워져서, 열적 브리지를 형성한다. 이 경우에, 국부적으로 채널을 채우는 물질은 내부 층의 물질을 대신한다는 것을 이해할 것이다. 다시 말해, 기판은 외부 층(6 및 7) 사이에 연장된 우물에 의해 형성된 국부적인 열적 브리지를 포함한다. 내부 층(8) 내에 바람직하게는 균일하게 분포된 이러한 우물은, 이하에 설명되는 바와 같이, 내부 층을 천공시킴 또는 기계 작업에 의해 얻어질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 일 실시예에서, 단위 면적 당 우물의 비율은 35% 미만인 것이 바람직하다는 것을 유의할 것이다.
바람직하게는, 열적 브리지는 외부 층을 생성하는데 사용되는 것과 동일한 물질로 제조될 것이다.
내부 층(8)을 생성하는데 사용되는 물질에 관해서는, 몰리브데넘, 니오븀 등 또는 Invar®와 같은 낮은 팽창성을 가진 금속을 사용하는 것이 가능하다는 것을 유의할 것이다.
일반적으로, 이들 물질은 구리와 금속성 본딩(metallurgical bond)을 잘 형성할 수 있다.
몰리브데넘은 구성중인 사용에 적합한 열기계적 특성을 가진다.
특히, 높은 녹는점, 높은 탄성 계수, 평균 온도에서 높은 기계적 강도, 우수한 전기 및 열적 전도성, 낮은 팽창 계수 및 많은 매체에서 부식에 대한 우수한 저항성의 문제이다. 코라미네이트("Cu/Mo/Cu" 및 "Co/Mo70Cu30/Cu")와 같은 Cu-Mo 기반의 다른 합성물도 사용되고, 전력 모듈 기판으로 메카트로닉 분야에 사용된다.
대안적으로, 상기에 나타난 바와 같이, 내부 층을 생성하기 위해 Invar®를 사용하는 것이 가능하다. 약 -100℃ 내지 +100℃의 매우 넓은 범위의 온도에 걸쳐 매우 낮은 열 팽창성과 관련된 FeNi(36%) 합금의 문제이다. 이러한 합금은 이러한 구체적인 특성뿐만 아니라 그 기계적 특징을 위해 사용된다.
그러나, 도 1과 2에 도시된 바와 같이, 구체적으로 도 2에서, C, E 및 T는 각각 코라미네이션 방향, 기판의 두께, 및 기판의 가로 방향을 나타내고, 내부 층은 부품(2 및 3)을 장착하기 위한 구역(Z)의 위치에 배치된다. 이러한 내부 층은 이러한 구역에만 배치된 삽입부를 형성하여서, 측면으로, 즉, 부품(2 및 3)을 장착하기 위한 구역의 각각의 측면상에서, 기판은, 결과적으로 기판이 구부러질 수 있는 충분히 강한 원자 본딩을 가진 두 개의 코라미네이트된 외부 층만 포함한다.
이제 도 3 및 4를 참조하면, 방금 기술된 기판은 외부 층(6 및 7)과 배치된 내부 층(8)을 코라미네이트함에 의해 생성된다.
우선, 외부 층(6 또는 7)은 두 개의 두께, 즉, 제1 두께를 가진 제1 측면 구역(9)(내부 층을 넘어 측면으로 연장됨) 및 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가진 구역(10)(내부 층(8)을 수용하도록 의도됨)을 가진 층을 얻기 위해 형성된다.
가령, 커팅에 의한 물질 제거 단계를 수행하는 것 또는 제2 구역(10)의 위치에서 해머링 및/또는 롤링 작업을 수행하는 것이 문제가 될 수 있다.
층(6 및 7)은 서로 마주보도록 위치되고, 그 사이에 내부 층(8)이 삽입되고, 열-브리지-포함 구역의 양 면에서, 결과적으로 기판이 구부러질 수 있도록 되고, 특히, 기판이 코라미네이션에 의해 생성된 고체-상태 본딩에 손상을 주지 않으면서 작은 반지름(R)로 구부러질 수 있는 코라미네이트된 구리 층(도 5)으로부터 생성된 구역을 얻기 위하여 조립체가 코라미네이트된다.
도 3 및 4를 참조하여 기술된 예시적 실시예에서, 기판은 단일 삽입부(8)를 포함한다. 물론 기판이 이러한 삽입부의 어레이를 포함한다면(도 6 및 7), 본 발명의 범위를 초과하지 않는다.
마찬가지로, 도 8을 참조하면, 도 3 및 4의 것과 동일한 요소는 동일한 참조 번호로 주어지고, 상이한 두께의 두 구역(9 및 10)을 포함하는 외부 층으로 기판을 생성할 수 있는데, 전자 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 삽입부를 수용할 수 있는 임프린트(imprint) 및 일정한 두께를 가지고 롤링에 의해 생성된 카운터 층(7)을 형성한다.
상기 기술되었던 바와 같이, 열적 브리지가 구비되고 부품을 장착하기 위한 구역의 위치에 배치된 내부 층을 가진 전력 전자 부품을 위한 기판을 제조하는 것은 우수한 열 및 전기 전도성을 갖도록 하고, 얻어진 부품의 선형 팽창 계수와 근접한 선형 팽창 계수를 갖도록 한다. 더구나, 구역(Z`)에서, 기판은 구부러지게 되고, 기판은 삽입부가 없어서, 외부 층은 코라미네이트되어서, 기판이 구부러지기에 충분한 원자 본딩을 얻을 수 있게된다.
도 9는 도 1의 기판상의 다양한 위치에서, 특히, 트랜지스터 칩(2), 다이오드(3), 칩(2)의 땜납(4)과의 레벨, 다이오드(3)의 땜납(5)과의 레벨, 기판(1)과의 레벨 및 이들 모든 요소에 대한 위치에서, 평균 온도의 변화를 도시한다. 이러한 히스토그램은 부품하에서, 도 1의 구역(A)에서의 온도값, 구역(A)와 이웃하는 구역(B)에서의 온도값, 및 구역(B)로부터 측면으로 이동된 구역(C)의 온도값을 나타낸다.
낮은 팽창 물질을 부품으로 제한하는 것은 기판의 열 행동을 수정하지 않는다는 것이 관측될 것이다.
마찬가지로, 기판의 구역 A, B 및 C에서의 시그마 본 마일 스트레스(Sigma von Mises stress)의 변화를 나타내는 도 10은, 전자 부품하에서 낮은-팽창 물질을 배치시킴에 의해 야기되는 기판의 기계적 행동의 실질적인 수정이 없다는 것을 도시한다.

Claims (12)

  1. 전력 전자 부품을 위한 기판에 있어서, 상기 기판은 상기 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열적 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 적어도 하나의 내부 층(8) 및 상기 내부 층의 양 면을 커버하고 열적 전도성 물질로 제조되고, 열적 전도성 물질로 제조된 우물(P)에 의해 함께 연결된 외부 층(6, 7)을 포함하는 코라미네이트된 멀티 층 복합 물질을 포함하고, 상기 우물은 내부 층에 배치되고, 각각의 내부 층은 부품을 장착하기 위한 구역에 배치된 삽입부를 형성하고, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장되는 것을 특징으로 하는 전력 전자 부품을 위한 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 내부 층의 물질은 Invar®, 낮은-팽창 Fe-Ni 합금, 몰리브데넘과 몰리브데넘 합금, 니오븀과 니오븀 합금 및 텅스텐과 텅스텐 합금을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 외부 층 및/또는 우물의 전도성 물질은 구리와 구리 합금, 은과 은 합금 및 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 외부 층들 중 적어도 하나는 적어도 하나의 제1 구역을 포함하는데, 상기 외부 층들 중 적어도 하나는 내부 층을 넘어 측면으로 연장되고, 제1 두께를 가지며, 적어도 하나의 제2 구역은 부품을 장착하기 위한 구역에 배치되고, 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판.
  5. 제 4 항에 있어서, 내부 층의 양 면을 커버하는 외부 층은 제1 두께와 제2 두께를 가진 구역을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
  6. 제 4 항에 있어서, 내부 층의 면들 중 하나를 커버하고, 상기 제1 두께와 제2 두께를 가진 구역들을 포함하는 외부 층을 포함하고, 라미네이트된 외부 층은 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 우물은 물질에 주기적으로 분포된 것을 특징으로 하는 기판.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 단위 면적 당 우물의 비율은 35% 보다 작은 것을 특징으로 하는 기판.
  9. 부품을 장착하기 위한 구역들(Z) 내의 기판상에 장착된 전자 전력 부품(2, 3)과 기판(1)을 포함하는 전력 모듈에 있어서, 기판은 상기 부품의 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질로 제조된 적어도 하나의 내부 층(8) 및 상기 내부 층의 양 면을 커버하는 열 전도성 물질로 제조되고 열 전도성 물질로 제조된 우물(P) - 상기 우물은 내부 층에 배치됨 - 에 의해 연결된 외부 층(6, 7)을 포함하는 코라미네이트된 멀티층 합성 물질을 포함하되, 각 내부 층은 부품을 장착하기 위한 구역내에만 배치된 삽입부를 형성하여, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장되는 것을 특징으로 하는 전력 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서, 기판은 구부러지는 구역(Z`)을 포함하고, 상기 구부러지는 구역에서 외부 층은 코라미네이트되는 것을 특징으로 하는 전력 모듈.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 부품을 장착하기 위한 구역의 외부에서, 외부 층은 코라미네이트되는 것을 특징으로 하는 전력 모듈.
  12. 전력 전자 부품을 위한 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
    - 부품의 열 팽창 계수에 따라 선택된 열 팽창 계수를 가진 물질의 제1 층(8)을, 열 전도성 물질로 제조된 외부 층(6, 7) 사이에 배치시키는 단계 - 물질의 제1 층은 부품을 장착하기 위한 구역(Z)에 배치된 삽입부를 형성하고, 외부 층들은 열 전도성 물질로 제조된 우물에 의해 함께 연결되며, 외부 층은 삽입부를 넘어 측면으로 연장됨 - 와,
    - 상기 내부 층과 외부 층을 롤링 밀의 갭을 통한 통로를 통해 코라미네이트(colaminating) 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 전자 부품을 위한 기판을 제조하는 방법.
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