KR20160075461A - Organic emitting display device - Google Patents

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Abstract

Provided is an organic light emitting display (OLED) device. A switching thin-film transistor and a driving thin film transistor each having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate. The switching thin-film transistor is an oxide semiconductor thin film transistor, and the driving thin film transistor is a LTPS thin film transistor. At least one electrode of a first storage capacitor is an active layer of the driving thin film transistor. One electrode of a second storage capacitor is any one from the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor. The other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second capacitor are the active layer of the switching thin film transistor or the gate electrode of the driving thin film transistor. The present invention can use advantages of both the switching thin film transistor and the driving thin film transistor by using a mixed structure of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor to drive the OLED device. In addition, multi-capacitor is implemented, and an area that the storage capacitor occupies is reduced at the same time.

Description

유기 전계 발광 표시 장치{ORGANIC EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display device,

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액티브층이 산화물 반도체로 형성된 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 액티브층이 저온 폴리 실리콘으로 형성된 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 박막 트랜지스터가 동일한 게이트 라인으로부터의 게이트 전압을 공유하여 효율적인 개구율 확보가 가능하고, 고해상도 제품 구현에 유리한 유기 전계 발광 표시 장치 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 LTPS 박막 트랜지스터가 동일한 유기 발광 소자를 구동하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터로 사용되는 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to an oxide semiconductor thin film transistor in which an active layer is formed of an oxide semiconductor and an LTPS (Low Temperature Poly Silicon) thin film transistor in which an active layer is formed of low temperature polysilicon An organic electroluminescence display device and an oxide semiconductor thin film transistor which are advantageous for realizing a high resolution product and an LTPS thin film transistor are used as a switching thin film transistor and a driving thin film transistor for driving the same organic light emitting element Emitting display device.

최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보 신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저 소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시 장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Recently, as the information age has come to a full-scale information age, a display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various flat panel display devices having excellent performance of thinning, light- (Flat Display Device) has been developed to replace CRT (Cathode Ray Tube).

이와 같은 평판 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display: EPD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED) 및 전기 습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등을 들 수 있다. Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display (OLED), an electrophoretic display (EPD), a plasma display device A plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an electro-wetting display (EWD).

특히, 유기 전계 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 갖는 차세대 표시 장치로서, 액정 표시 장치에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도, 소비 전력 등의 측면에서 우수한 특성을 갖는다. In particular, an organic electroluminescence display device is a next generation display device having self-luminescence characteristics, and has excellent characteristics in terms of a viewing angle, a contrast, a response speed, and a power consumption as compared with a liquid crystal display device.

평판 표시 장치들은 공통적으로 영상을 구현하는 평판 표시 패널을 필수적인 구성요소로 하는데, 평판 표시 패널은 고유의 발광 물질 또는 편광 물질층을 사이에 두고 대면 합착된 한 쌍의 기판을 포함하여 이루어진다. 이러한 평판 표시 패널에 포함된 기판은 복수의 화소(Pixel) 어레이(Array)가 발광하는 발광 영역과 복수의 화소를 구동하기 위한 회로 소자들이 위치하는 소자 영역으로 나누어진다. 특히 소자 영역에는 복수의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 위치하여 복수의 화소를 구동하고, 회로 소자를 동작시킨다.A flat panel display panel, which commonly implements an image, is an essential component of a flat panel display device. The flat panel display panel includes a pair of substrates bonded to each other with an intrinsic light emitting material or a polarizing material layer interposed therebetween. A substrate included in such a flat panel display panel is divided into a light emitting area where a plurality of pixel arrays are emitted and an element area where circuit elements for driving a plurality of pixels are located. In particular, a plurality of thin film transistors (TFTs) are located in the device region to drive a plurality of pixels and operate circuit elements.

유기 전계 발광 표시 장치는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극으로 구성되는 유기 전계 발광 다이오드(diode)를 포함하며, 게이트 라인(gate line)과 데이터 라인(data line) 사이에 유기 전계 발광 다이오드가 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 패시브 매트릭스(passive matrix) 방식과, 각 화소의 동작이 스위치 역할을 하는 박막 트랜지스터에 의해 제어되는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 구성된다.The organic electroluminescent display device includes an organic electroluminescent diode composed of an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode. An organic electroluminescent diode is disposed between a gate line and a data line, A passive matrix method in which pixels are connected to each other and an active matrix method in which the operation of each pixel is controlled by a thin film transistor serving as a switch.

액티브 매트릭스 방식의 유기 전계 발광 표시 장치에서 화소 구동부는, 회로 소자에서 출력된 전압이 게이트 라인을 경유하여 화소의 스위칭 박막 트랜지스터가 동작하고, 데이터 라인을 통해 화소 구동을 위한 데이터 값이 입력되어 저장 커패시터(storage capacitor)에 저장되면, 구동 박막 트랜지스터에서 데이터 값에 해당하는 픽셀 구동 전류가 유기 전계 발광 다이오드에 흘러 유기 전계 발광 표시 장치의 각 화소가 발광한다.In an active matrix organic light emitting display device, a pixel driving section operates a switching thin film transistor of a pixel via a gate line and outputs a data value for pixel driving through a data line, the pixel driving current corresponding to the data value in the driving thin film transistor flows into the organic light emitting diode, and each pixel of the organic light emitting display emits light.

유기 전계 발광 표시 장치에 대한 고객의 눈높이가 올라감에 따라, 고개구율 및 고해상도의 유기 전계 발광 표시 장치에 대한 연구가 계속되고 있다. 그러나, 유기 전계 발광 다이오드를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터, 커패시터 및 각종 전압 공급 라인 자체의 크기를 감소시키는데에는 한계가 있다. 따라서, 고개구율 및 고해상도의 유기 전계 발광 표시 장치를 구현하기 위한 다양한 노력이 계속되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an eye level of an organic electroluminescence display device has increased, studies on an organic electroluminescence display device with a high aperture ratio and a high resolution have been continued. However, there is a limit in reducing the size of the thin film transistor, the capacitor, and various voltage supply lines for driving the organic light emitting diode. Accordingly, various attempts have been made to realize an organic light emitting display device having a high aperture ratio and a high resolution.

또한, 종래의 유기 전계 발광 표시 장치에서는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터로 LTPS 박막 트랜지스터만 사용하거나 산화물 반도체 박막 트랜지스터만을 사용하였다. 다만, 이와 같이 한 종류의 박막 트랜지스터만을 사용하는 경우, 충분한 크기의 저장 커패시터를 확보하기 위해 그만큼 넓은 면적이 요구되었다. 이에, 저장 커패시터의 면적을 충분히 크게 가져가는 경우, 화소자체의 크기가 증가하거나 화소 내에서 화소 구동부가 차지하는 면적이 증가하게 되므로, 고해상도 패널이나 고투과율 패널 제작에 어려움이 있다.In addition, in the conventional organic light emitting display device, only the LTPS thin film transistor or the oxide semiconductor thin film transistor is used as the switching thin film transistor and the driving thin film transistor. However, when only one type of thin film transistor is used in this manner, a large area is required to secure a sufficient storage capacitor. Accordingly, when the area of the storage capacitor is sufficiently increased, the size of the pixel itself increases or the area occupied by the pixel driver in the pixel increases, making it difficult to manufacture a high-resolution panel or a high-transmittance panel.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 하나의 화소 및 그에 인접한 다른 하나의 화소가 게이트 라인을 공통으로 사용하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device in which one pixel and another pixel adjacent thereto use gate lines in common.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 게이트 라인을 서로 공유하고 서로 인접하는 화소의 구동 박막 트랜지스터가 각각 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 LTPS 박막 트랜지스터로 형성되어 보다 용이한 구동이 가능한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display in which gate thin-film transistors and thin-film transistors are formed of oxide semiconductor thin-film transistors and gate thin-film transistors, respectively, will be.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 중 하나는 LTPS 박막 트랜지스터로 형성되고, 다른 하나는 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성되는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device in which one of a switching thin film transistor and a driving thin film transistor is formed of an LTPS thin film transistor and the other is formed of an oxide semiconductor thin film transistor.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 저장 커패시터의 면적 증가 없이 저장 커패시터를 다중 커패시터로 형성하여, 고해상도 및 고투과율 확보가 가능한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of forming a storage capacitor of a multi-capacitor without increasing the area of a storage capacitor, thereby ensuring high resolution and high transmittance.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치가 제공된다. 기판에는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 갖는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터가 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고, 구동 박막 트랜지스터는 LTPS 박막 트랜지스터이다. 제1 저장 커패시터의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이다. 제2 저장 커패시터의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나이다. 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층 또는 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이다. 유기 전계 발광 표시 장치를 구동하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터의 복합 구조를 사용하여, 각각의 장점을 활용할 수 있다. 또한, 다중 커패시터를 구현함과 동시에 저장 커패시터가 차지하는 면적을 감소시킬 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided. A switching thin film transistor and a driving thin film transistor each having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate. The switching thin film transistor is an oxide semiconductor thin film transistor and the driving thin film transistor is an LTPS thin film transistor. One electrode of the first storage capacitor is the active layer of the driving thin film transistor. One electrode of the second storage capacitor is one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor. The other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are the active layer of the switching thin film transistor or the gate electrode of the driving thin film transistor. Each of the advantages can be utilized by using a composite structure of a switching thin film transistor and a driving thin film transistor for driving an organic light emitting display. In addition, it is possible to reduce the area occupied by the storage capacitor while implementing multiple capacitors.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 모두는 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, both the other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are both active layers of the switching thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판 상에 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고, 게이트 절연층 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고, 층간 절연층 상에서 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 에치 스토퍼 상에서 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming an active layer of a driving thin film transistor on a substrate; forming a gate insulating layer to cover an active layer of the driving thin film transistor; An active layer of the switching thin film transistor is formed on the active layer of the driving thin film transistor on the interlayer insulating layer so that the gate electrode of the driving thin film transistor is formed and the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor are covered, And an etch stopper is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor and one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor is formed so as to overlap the active layer of the switching thin film transistor on the etch stopper .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 모두는 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, both the other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are gate electrodes of the driving thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판 상에 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고, 게이트 절연층 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하고, 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고, 층간 절연층 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 에치 스토퍼 상에서 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming an active layer of a driving thin film transistor on a substrate; forming a gate insulating layer to cover an active layer of the driving thin film transistor; The gate electrode of the driving thin film transistor is overlapped with the active layer of the driving thin film transistor and the interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor, An active layer of a switching thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer, an etch stopper is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor, and one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the gate Overlapping electrodes .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이고, 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the other electrode of the first storage capacitor is a gate electrode of the driving thin film transistor, and the other electrode of the second storage capacitor is an active layer of the switching thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판 상에 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고, 게이트 절연층 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하고, 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고, 층간 절연층 상에서 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 에치 스토퍼 상에서 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming an active layer of a driving thin film transistor on a substrate; forming a gate insulating layer to cover an active layer of the driving thin film transistor; The gate electrode of the driving thin film transistor is overlapped with the active layer of the driving thin film transistor and the interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor, An active layer of the switching thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer and an etch stopper is formed so as to cover the active layer of the switching thin film transistor and one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor is formed on the etch stopper, And overlap And that the lock is formed, it characterized.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the active layer of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor are electrically connected.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나를 하나의 전극으로 하고, 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 금속층을 다른 하나의 전극으로 하는 제3 저장 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor is one electrode, and the metal layer electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode of the switching thin film transistor is used as the other electrode And a third storage capacitor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 전계 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층 및 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로 향하는 광을 가려주는 광 차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, an organic light emitting display device further includes a light blocking layer for shielding light from the active layer of the switching thin film transistor and the active layer of the driving thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 전계 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 하나의 전극으로 하고, 광 차단층을 다른 하나의 전극으로 하는 제4 저장 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting display further includes a fourth storage capacitor having one electrode as the active layer of the driving thin film transistor and the other electrode as the light blocking layer .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 전계 발광 표시 장치는 기판과 구동 박막 트랜지스터의 액티브층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, an organic light emitting display further includes a buffer layer formed between the substrate and the active layer of the driving thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 박막 트랜지스터는 기판으로부터 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 코플래너(Coplanar) 구조인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the driving thin film transistor is characterized by being a coplanar structure in which an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode are stacked in this order from the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 스위칭 박막 트랜지스터는 기판으로부터 게이트 전극, 액티브층, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a switching thin film transistor is a bottom gate structure in which a gate electrode, an active layer, and a source electrode and a drain electrode are stacked in this order from a substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치가 제공된다. 기판에는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 갖는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터가 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터는 LTPS 박막 트랜지스터이고, 구동 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이다. 금속층이 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된다. 제1 저장 커패시터의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이다. 제2 저장 커패시터의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나이고, 다른 하나의 전극은 금속층이다. 유기 전계 발광 표시 장치를 구동하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터의 복합 구조를 사용하여, 각각의 장점을 활용할 수 있다. 또한, 다중 커패시터를 구현함과 동시에 저장 커패시터가 차지하는 면적을 감소시킬 수 있다.An organic light emitting display according to another embodiment of the present invention is provided. A switching thin film transistor and a driving thin film transistor each having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate. The switching thin film transistor is an LTPS thin film transistor, and the driving thin film transistor is an oxide semiconductor thin film transistor. A metal layer is electrically connected to one of a source electrode electrode and a drain electrode of the switching thin film transistor. One electrode of the first storage capacitor is the gate electrode of the driving thin film transistor and the other electrode is the active layer of the driving thin film transistor. One electrode of the second storage capacitor is one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor, and the other electrode is a metal layer. Each of the advantages can be utilized by using a composite structure of a switching thin film transistor and a driving thin film transistor for driving an organic light emitting display. In addition, it is possible to reduce the area occupied by the storage capacitor while implementing multiple capacitors.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 기판 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고, 게이트 절연층 상에 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고, 층간 절연층 상에서 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하도록 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고, 금속층은 에치 스토퍼 상에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결되고, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 중첩하도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming an active layer of a switching thin film transistor on a substrate; forming a gate insulating layer to cover an active layer of the switching thin film transistor; A gate electrode of the thin film transistor is formed, an interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor, and the active layer of the driving thin film transistor on the interlayer insulating layer is connected to the gate electrode of the driving thin film transistor And the metal layer is electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode of the switching thin film transistor formed on the etch stopper, and the source electrode of the driving thin film transistor And drain And is formed so as to overlap with one of the electrodes.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 스위칭 박막 트랜지스터는 기판으로부터 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 코플래너 구조인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a switching thin film transistor is a coplanar structure in which an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode are stacked in this order from the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 박막 트랜지스터는 기판으로부터 게이트 전극, 액티브층, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 바텀 게이트 구조인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the driving thin film transistor is a bottom gate structure formed by stacking a gate electrode, an active layer, and a source electrode and a drain electrode in this order from the substrate.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 게이트 라인을 서로 공유하고 서로 인접하는 화소의 구동 박막 트랜지스터가 각각 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 LTPS 박막 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하여 유기 전계 발광 표시 장치를 보다 용이하게 구동할 수 있다.The present invention is characterized in that the driving thin film transistors of the pixels sharing the gate lines and adjacent to each other are formed of an oxide semiconductor thin film transistor and an LTPS thin film transistor, respectively, so that the organic light emitting display can be more easily driven.

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치를 구동하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 각각을 서로 상이한 박막 트랜지스터 종류로 형성하여 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있고, 보다 용이하게 고해상도 패널이나 고투과율 패널을 제조할 수 있다.The present invention can increase the capacitance of the storage capacitor by forming the switching thin film transistor and the driving thin film transistor for driving the organic light emitting display device into different kinds of thin film transistors and can easily manufacture a high resolution panel or a high transmittance panel can do.

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치를 구동하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터의 복합 구조를 사용하여 산화물 박막 트랜지스터의 장점 및 LTPS 박막 트랜지스터의 장점 둘 모두를 활용할 수 있다.The present invention can utilize both the advantages of the oxide thin film transistor and the advantage of the LTPS thin film transistor by using the composite structure of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor for driving the organic light emitting display.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제1 화소 및 제2 화소를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제1 화소 및 제2 화소가 공유하는 게이트 라인의 게이트 전압을 설명하기 위한 개략적인 타이밍 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic circuit diagram for explaining a first pixel and a second pixel of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic timing diagram for explaining gate voltages of a gate line shared by a first pixel and a second pixel in an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
4 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7 to 11 are schematic cross-sectional views illustrating an organic light emitting display according to various embodiments of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or entirely and technically various interlocking and driving is possible as will be appreciated by those skilled in the art, It may be possible to cooperate with each other in association.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제1 화소 및 제2 화소를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다. 도 1을 참조하면, 유기 전계 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 표시부(120), GIP(Gate In Panel) 회로부, COF(Chip On Film)(140) 및 인쇄 회로 기판(150)을 포함한다.1 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic circuit diagram for explaining a first pixel and a second pixel of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 1, an organic light emitting display 100 includes a substrate 110, a display unit 120, a GIP (Gate In Panel) circuit unit, a COF (Chip On Film) 140, and a printed circuit board 150 .

기판(110)은 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 여러 엘리먼트들을 지지하고 보호한다. 기판(110)은 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. The substrate 110 supports and protects various elements of the organic light emitting display 100. The substrate 110 may be formed of an insulating material, for example, glass or plastic, but it is not limited thereto and may be formed of various materials.

영상을 표시하기 위한 표시부(120)가 기판(110) 상에 형성된다. 표시부(120)는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자를 구동하기 위한 다양한 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함한다. 또한, 표시부(120)에는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), Vdd 전압 공급 라인(VDDL) 등과 같은 다양한 배선들이 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(DL)과 Vdd 전압 공급 라인(VDDL)은 서로 동일한 방향으로 연장하고, 게이트 라인(GL)은 데이터 라인(DL) 및 Vdd 전압 공급 라인(VDDL)과 상이한 방향, 예를 들어, 수직한 방향으로 연장한다. A display portion 120 for displaying an image is formed on the substrate 110. The display unit 120 includes various thin film transistors and capacitors for driving the organic light emitting device and the organic light emitting device. The display unit 120 may include various wirings such as a gate line GL, a data line DL, a Vdd voltage supply line VDDL, and the like. 1, the data line DL and the Vdd voltage supply line VDDL extend in the same direction with each other, and the gate line GL is different from the data line DL and the Vdd voltage supply line VDDL For example, in a vertical direction.

기판(110)은 특정 색의 광을 각각 발광하는 복수의 화소를 포함한다. 복수의 화소는 표시부(120)에 포함되는 것으로 정의될 수도 있다. 복수의 화소 각각은 적색광, 녹색광 및 청색광 중 하나를 발광할 수도 있고, 적색광, 녹색광, 청색광 및 백색광 중 하나를 발광할 수도 있다. 이하에서는, 복수의 화소 중 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)를 예로 하여 설명한다.The substrate 110 includes a plurality of pixels each emitting light of a specific color. The plurality of pixels may be defined as being included in the display unit 120. [ Each of the plurality of pixels may emit one of red light, green light, and blue light, or may emit one of red light, green light, blue light, and white light. Hereinafter, the first pixel P1 and the second pixel P2 of the plurality of pixels will be described as an example.

제1 화소(P1)는 홀수 화소 라인에 배치된 화소이고, 제2 화소(P2)는 짝수 화소 라인에 배치된 화소일 수 있다. 즉, 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)는 세로 방향으로 서로 인접하는 화소이고, 동일한 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된 화소이다.The first pixel P1 may be a pixel disposed on an odd-numbered pixel line, and the second pixel P2 may be a pixel disposed on an even-numbered pixel line. That is, the first pixel P1 and the second pixel P2 are adjacent to each other in the vertical direction, and are pixels electrically connected to the same data line DL.

제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2) 각각은 발광 영역(EA1, EA2) 및 소자 영역(DA1, DA2)을 구비한다. 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)은 제1 유기 발광 소자(EL1)가 배치되어 발광하는 영역이고, 제1 화소(P1)의 소자 영역(DA1)은 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1), 제1 저장 커패시터(SC1), 제1 구동 박막 트랜지스터(DR1) 등과 같은 제1 유기 발광 소자(EL1)를 구동하기 위한 다양한 소자들이 형성된 영역이다. 유기 전계 발광 표시 장치(100)가 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 전계 발광 표시 장치인 경우, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 소자 영역(DA1)은 서로 중첩하지 않으나, 유기 전계 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 전계 발광 표시 장치인 경우, 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 소자 영역(DA1)은 중첩할 수도 있다. 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)에는 제2 유기 발광 소자(EL2)가 배치되고, 제2 화소(P2)의 소자 영역(DA2)에는 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2), 제2 저장 커패시터(SC2), 제2 구동 박막 트랜지스터(DR2) 등과 같은 제2 유기 발광 소자(EL2)를 구동하기 위한 다양한 소자들이 형성된다.Each of the first pixel P1 and the second pixel P2 includes light emitting regions EA1 and EA2 and device regions DA1 and DA2. The light emitting region EA1 of the first pixel P1 is a region where the first organic light emitting element EL1 is disposed and emits light and the element region DA1 of the first pixel P1 is a region of the first switching thin film transistor SW1, , The first storage capacitor SC1, the first driving thin film transistor DR1, and the like are formed on the first organic light emitting device EL1. When the organic light emitting display 100 is a bottom emission organic light emitting display, as shown in FIG. 1, the light emitting area EA1 and the device area DA1 of the first pixel P1, When the organic light emitting display device 100 is a top emission type organic light emitting display device, the light emitting area EA1 of the first pixel P1 and the light emitting area DA1 of the first pixel P1 do not overlap each other, ) May overlap. The second organic EL element EL2 is arranged in the light emitting region EA2 of the second pixel P2 and the second switching thin film transistor SW2 is arranged in the element region DA2 of the second pixel P2, Various elements for driving the second organic light emitting element EL2 such as the capacitor SC2, the second driving thin film transistor DR2, and the like are formed.

제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이다. 즉, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 기판(110)으로부터 게이트 전극, 산화물 반도체로 형성된 액티브층, 및 소스 전극 및 드레인 전극이 순차적으로 적층된 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조이다. 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 n-타입 박막 트랜지스터일 수 있다. 제1 화소(P1)의 제1 구동 박막 트랜지스터(DR1)는 산화물 반도체 박막 트랜지스터일 수도 있고, LTPS 박막 트랜지스터일 수도 있다.The first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 is an oxide semiconductor thin film transistor. That is, the first switching thin film transistor SW1 is a bottom gate structure in which a gate electrode, an active layer formed of an oxide semiconductor, and a source electrode and a drain electrode are sequentially stacked from the substrate 110. [ The first switching thin film transistor SW1 may be an n-type thin film transistor. The first driving TFT DR1 of the first pixel P1 may be an oxide semiconductor thin film transistor or an LTPS thin film transistor.

제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 LTPS 박막 트랜지스터이다. 즉, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 기판(110)으로부터 저온 폴리 실리콘으로 형성된 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극이 순차적으로 적층된 코플래너(Coplanar) 구조이다. 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 p-타입 박막 트랜지스터일 수 있다. 제2 화소(P2)의 제2 구동 박막 트랜지스터(DR2)는 n-타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터일 수도 있고, p-타입 LTPS 박막 트랜지스터일 수도 있다.And the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 is an LTPS thin film transistor. That is, the second switching thin film transistor SW2 is a coplanar structure in which an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode formed in this order from the substrate 110 are sequentially formed. The second switching thin film transistor SW2 may be a p-type thin film transistor. The second driving TFT DR2 of the second pixel P2 may be an n-type oxide semiconductor thin film transistor or a p-type LTPS thin film transistor.

제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)는 서로 인접한다. 도 1을 참조하면, 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)는 데이터 라인(DL)이 연장하는 방향으로 서로 인접한다. 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)은 서로 인접한다. 다시 말해서, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)은 서로 마주본다.The first pixel P1 and the second pixel P2 are adjacent to each other. Referring to FIG. 1, the first pixel P1 and the second pixel P2 are adjacent to each other in a direction in which the data line DL extends. The light emitting region EA1 of the first pixel P1 and the light emitting region EA2 of the second pixel P2 are adjacent to each other. In other words, as shown in Fig. 1, the light emitting region EA1 of the first pixel P1 and the light emitting region EA2 of the second pixel P2 are opposed to each other.

상술한 바와 같이, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 n-타입 박막 트랜지스터이고 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 p-타입 박막 트랜지스터이므로, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 하나의 게이트 라인(GL)을 공유할 수 있다. 즉, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 동일한 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 전압을 공급받는다. 도 2를 참조하면, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)의 게이트 전극 및 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)의 게이트 전극은 동일한 게이트 라인(GL)으로부터 분지된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서는 게이트 라인(GL)의 개수가 절반으로 감소될 수 있으므로, 게이트 라인(GL)이 차지하던 면적 또한 감소될 수 있다. 따라서, 유기 전계 발광 표시 장치(100)에 포함되는 화소의 수 또는 화소의 면적이 증가될 수 있고, 이에 따라 고개구율 및 고해상도 유기 전계 발광 표시 장치 구현이 가능하다. 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)의 구동에 대한 보다 상세한 설명은 도 3을 참조하여 후술한다.As described above, since the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 is an n-type thin film transistor and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 is a p-type thin film transistor, The first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 may share one gate line GL. That is, the first switching thin film transistor SW1 and the second switching thin film transistor SW2 are supplied with the gate voltage from the same gate line GL. Referring to FIG. 2, the gate electrode of the first switching thin film transistor SW1 and the gate electrode of the second switching thin film transistor SW2 are branched from the same gate line GL. Therefore, in the organic light emitting display device 100 according to the embodiment of the present invention, the number of the gate lines GL can be reduced to half, so that the area occupied by the gate lines GL can also be reduced. Therefore, the number of pixels or the area of the pixels included in the organic light emitting display 100 can be increased, thereby realizing a high aperture ratio and a high resolution organic light emitting display. A more detailed description of the driving of the first pixel P1 and the second pixel P2 will be described later with reference to Fig.

다시 도 1을 참조하면, 기판(110) 상에서 표시부(120)의 일 측에는 GIP 회로부(130)가 형성된다. GIP 회로부(130)는 표시부(120)의 복수의 화소에 게이트 전압을 인가하기 위한 다양한 회로가 형성된 것으로서, 박막 트랜지스터, 커패시터 등을 포함한다. GIP 회로부(130)는 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)를 순차적으로 구동시키는 교류 게이트 전압을 생성한다. 게이트 라인(GL)은 GIP 회로부(130)로부터 연장한다. 데이터 드라이버 IC 등이 형성된 COF(140)가 배치되고, COF(140)는 별도의 인쇄 회로 기판(150)(110)과 연결된다. 데이터 라인(DL) 및 Vdd 전압 공급 라인(VDDL)은 COF(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1에서는 GIP 회로부(130)가 표시부(120)의 일 측에 형성되는 것으로 도시되었으나, GIP 회로부(130)는 표시부(120)의 양 측에 형성될 수도 있다.Referring again to FIG. 1, a GIP circuit unit 130 is formed on one side of the display unit 120 on a substrate 110. The GIP circuit unit 130 includes various circuits for applying a gate voltage to a plurality of pixels of the display unit 120, and includes a thin film transistor, a capacitor, and the like. The GIP circuit unit 130 generates an AC gate voltage for sequentially driving the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2. The gate line GL extends from the GIP circuit portion 130. [ A data driver IC or the like is formed on the printed circuit board 150 and the COF 140 is connected to a separate printed circuit board 150 or 110. The data line DL and the Vdd voltage supply line VDDL may be electrically connected to the COF 140. Although the GIP circuit unit 130 is illustrated as being formed on one side of the display unit 120 in FIG. 1, the GIP circuit unit 130 may be formed on both sides of the display unit 120.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서 게이트 라인(GL)의 개수가 감소함에 따라, 게이트 라인(GL)과 관련된 라우팅 구성을 단순화할 수 있고, 이에 따라 GIP 회로부(130) 및 기타 배선들의 크기 및 개수가 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서는 베젤의 크기가 보다 감소될 수 있다.As described above, as the number of the gate lines GL in the organic light emitting display 100 according to the embodiment of the present invention is reduced, the routing configuration related to the gate lines GL can be simplified, The size and number of the GIP circuit unit 130 and other wirings can be reduced. Therefore, in the organic light emitting display device 100 according to the embodiment of the present invention, the size of the bezel can be further reduced.

몇몇 실시예에서, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2) 각각의 액티브층으로 향하는 광을 가려주는 광 차단층이 형성될 수 있다. 광 차단층은 기판(110)과 스위칭 박막 트랜지스터(SW1, SW2) 사이에 형성될 수 있다.In some embodiments, the light blocking layer blocking the light directed to the active layer of each of the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 . The light blocking layer may be formed between the substrate 110 and the switching thin film transistors SW1 and SW2.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제1 화소 및 제2 화소가 공유하는 게이트 라인의 게이트 전압을 설명하기 위한 개략적인 타이밍 다이어그램이다. 도 3은 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 공유하는 게이트 라인(GL)을 통해 GIP 회로부(130)에 의해 인가되는 교류 게이트 전압의 시간에 따른 변화를 도시하였다.FIG. 3 is a schematic timing diagram for explaining gate voltages of a gate line shared by a first pixel and a second pixel in an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3 shows a temporal change of the alternating gate voltage applied by the GIP circuit section 130 through the gate line GL shared by the first pixel P1 and the second pixel P2.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서는 n-타입 박막 트랜지스터와 p-타입 박막 트랜지스터의 차이점을 이용하여, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)를 하나의 게이트 라인(GL)을 이용하여 구동한다. 즉, 게이트 라인(GL)에 인가되는 게이트 전압이 높은 레벨의 전압 값인 경우, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)가 턴온되어 제1 화소(P1)의 제1 구동 박막 트랜지스터(DR1)를 구동시키고, 게이트 라인(GL)에 인가되는 게이트 전압이 낮은 레벨의 전압 값인 경우, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)가 턴온되어 제2 화소(P2)의 제2 구동 박막 트랜지스터(DR2)를 구동시킨다. In the organic light emitting display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, the first switching TFT SW1 of the first pixel P1 and the first switching TFT SW2 of the first pixel P1, The second switching TFT SW2 of the second pixel P2 is driven by using one gate line GL. That is, when the gate voltage applied to the gate line GL is a high level voltage value, the first switching thin film transistor SW1 is turned on to drive the first driving thin film transistor DR1 of the first pixel P1, When the gate voltage applied to the gate line GL is a low level voltage value, the second switching thin film transistor SW2 is turned on to drive the second driving thin film transistor DR2 of the second pixel P2.

구동 박막 트랜지스터를 턴온(turn on)시키고, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 것은 데이터 전압이다. 또한, 데이터 전압을 타이밍에 맞게 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달하는 역할은 스위칭 박막 트랜지스터에 의해 수행된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서는 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1) 및 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)에 인가되는 게이트 전압의 크기 및 인가 시간을 조절하여 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)를 구동한다.Turning on the driving thin film transistor and regulating the current flowing in the organic light emitting element is the data voltage. In addition, the role of transferring the data voltage to the gate electrode of the driving thin film transistor in timing is performed by the switching thin film transistor. The organic light emitting display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may be applied to the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 The first pixel P1 and the second pixel P2 are driven by adjusting the magnitude of the gate voltage and the application time.

도 3을 참조하면, Vg0 전압이 인가되는 시간(1h, 4h) 동안에는 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1) 및 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2) 모두 동작하지 않는다. Referring to FIG. 3, during the time 1h, 4h during which the voltage Vg0 is applied, both the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 it does not work.

시간(2h) 동안에는 게이트 라인(GL)을 통해 높은 레벨의 전압 값인 Vgh가 인가된다. 이 때, Vgh 전압은 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)뿐만 아니라 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)에도 전달된다. 다만, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 n-타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터인 반면, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 p-타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터이므로, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)만이 턴온되고, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 동작하지 않는다.During the time 2h, a high level voltage Vgh is applied through the gate line GL. At this time, the Vgh voltage is transmitted not only to the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 but also to the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2. However, since the first switching thin film transistor SW1 is an n-type oxide semiconductor thin film transistor, whereas the second switching thin film transistor SW2 is a p-type oxide semiconductor thin film transistor, only the first switching thin film transistor SW1 is turned on , The second switching thin film transistor SW2 does not operate.

시간(3h) 동안에는 게이트 라인(GL)을 통해 낮은 레벨의 전압 값인 Vgl이 인가된다. 이 때, Vgl 전압은 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)뿐만 아니라 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)에도 전달된다. 다만, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 n-타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터인 반면, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 p-타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터이므로, 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)만이 턴온되고, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 동작하지 않는다.During the time 3h, Vgl, which is a low-level voltage value, is applied through the gate line GL. At this time, the voltage Vgl is transferred not only to the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 but also to the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2. However, since the first switching thin film transistor SW1 is an n-type oxide semiconductor thin film transistor, while the second switching thin film transistor SW2 is a p-type oxide semiconductor thin film transistor, only the second switching thin film transistor SW2 is turned on , The first switching thin film transistor SW1 does not operate.

적합한 구동을 위한 도 3에 도시된 게이트 전압 값 및 박막 트랜지스터들의 문턱 전압 값은 아래와 같다. 다만, 이는 설명의 편의를 위한 일 예시일 뿐, 아래의 전압 값에 제한되는 것은 아니다.The gate voltage value and the threshold voltage value of the thin film transistors shown in FIG. 3 for proper driving are as follows. However, this is only an example for convenience of explanation, and is not limited to the following voltage values.

0V < 데이터 전압 < 5V0V <data voltage <5V

Vgl = -10V Vgl = -10 V

Vg0 = 3VVg0 = 3V

Vgh = 15VVgh = 15V

Vref = 1V (구동 박막 트랜지스터(DR1, DR2)의 게이트 전극에 걸리는 초기 전압)Vref = 1 V (initial voltage applied to the gate electrodes of the driving thin film transistors DR1 and DR2)

Vth_n = 3V (제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)의 문턱 전압)Vth_n = 3V (threshold voltage of the first switching thin film transistor SW1)

Vth_p = -2.5V (제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)의 문턱 전압)Vth_p = -2.5 V (threshold voltage of the second switching thin film transistor SW2)

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 4에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(400)는 투명 유기 전계 발광 표시 장치이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 유기 전계 발광 표시 장치(400)의 표시부(420)만을 도시하였다. 도 4의 유기 전계 발광 표시 장치(400)는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)가 투과 영역(TA1, TA2)을 더 구비한다는 것을 제외하면, 도 1 및 도 2의 유기 전계 발광 표시 장치(400)와 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.4 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display 400 shown in FIG. 4 is a transparent organic light emitting display. In FIG. 4, only the display unit 420 of the organic light emitting display 400 is shown for convenience of explanation. The organic light emitting display 400 of FIG. 4 has the same structure as the organic light emitting display of FIGS. 1 and 2 except that the first pixel P1 and the second pixel P2 further include transmission regions TA1 and TA2. Is substantially the same as that of the display device 400, and redundant description will be omitted.

도 4를 참조하면, 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2) 각각은 발광 영역(EA1, EA2) 및 투과 영역(TA1, TA2)을 구비한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 전계 발광 표시 장치(400)가 투명 유기 전계 발광 표시 장치인 경우, 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 제1 화소(P1)의 소자 영역(DA1)은 서로 중첩하고, 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)과 제2 화소(P2)의 소자 영역(DA2)은 서로 중첩할 수도 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 제1 화소(P1)의 소자 영역(DA1)은 서로 중첩하지 않고, 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)과 제2 화소(P2)의 소자 영역(DA2)은 서로 중첩하지 않을 수도 있다.Referring to FIG. 4, each of the first pixel P1 and the second pixel P2 includes luminescent regions EA1 and EA2 and transmissive regions TA1 and TA2. 4, when the organic light emitting display device 400 is a transparent organic light emitting display device, the light emitting area EA1 of the first pixel P1 and the device area DA1 of the first pixel P1 May overlap each other and the light emitting region EA2 of the second pixel P2 and the element region DA2 of the second pixel P2 may overlap each other. The light emitting region EA1 of the first pixel P1 and the element region DA1 of the first pixel P1 do not overlap with each other and the light emitting region EA2 of the second pixel P2 does not overlap with the light emitting region EA2 of the second pixel P2, And the element region DA2 of the second pixel P2 may not overlap with each other.

제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1)과 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)은 서로 인접한다. 즉, 제1 화소(P1)의 소자 영역(DA1)과 제2 화소(P2)의 소자 영역(DA1)은 서로 인접한다. 따라서, 제1 화소(P1)의 투과 영역(TA1)과 제2 화소(P2)의 투과 영역(TA2) 사이에 제1 화소(P1)의 발광 영역(EA1) 및 제2 화소(P2)의 발광 영역(EA2)이 배치된다. The light emitting region EA1 of the first pixel P1 and the light emitting region EA2 of the second pixel P2 are adjacent to each other. That is, the element region DA1 of the first pixel P1 and the element region DA1 of the second pixel P2 are adjacent to each other. Emitting region EA1 of the first pixel P1 and the light emission of the second pixel P2 between the transmissive region TA1 of the first pixel P1 and the transmissive region TA2 of the second pixel P2, The region EA2 is disposed.

투명 유기 전계 발광 표시 장치(400)를 구현하는데 있어서 투과 영역(TA1, TA2)의 면적 확보가 중요한 과제로 떠오르고 있다. 이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(400)에서, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)는 n-타입 박막 트랜지스터이고 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 p-타입 박막 트랜지스터이므로, 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 하나의 게이트 라인(GL)을 공유할 수 있다. 즉, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(SW1)와 제2 스위칭 박막 트랜지스터(SW2)는 동일한 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 전압을 공급받는다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(400)에서는 게이트 라인(GL)의 개수가 절반으로 감소될 수 있으므로, 게이트 라인(GL)이 차지하던 면적 또한 감소될 수 있다. 따라서, 유기 전계 발광 표시 장치(400)에 포함되는 투과 영역(TA1, TA2)의 면적이 증가될 수 있고, 투명 유기 전계 발광 표시 장치(400)의 개구율이 향상될 수 있다.In realizing the transparent organic electroluminescent display device 400, securing the area of the transmissive areas TA1 and TA2 is becoming an important issue. In the organic light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention, the first switching TFT SW1 of the first pixel P1 is an n-type thin film transistor and the second switching TFT SW2 of the second pixel P2 Since the switching thin film transistor SW2 is a p-type thin film transistor, the first switching thin film transistor SW1 of the first pixel P1 and the second switching thin film transistor SW2 of the second pixel P2 are connected to one gate And can share lines GL. That is, the first switching thin film transistor SW1 and the second switching thin film transistor SW2 are supplied with the gate voltage from the same gate line GL. Therefore, in the organic light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention, the number of the gate lines GL can be reduced to half, and the area occupied by the gate lines GL can also be reduced. Therefore, the areas of the transmissive areas TA1 and TA2 included in the organic light emitting display 400 can be increased, and the aperture ratio of the transparent organic light emitting display 400 can be improved.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 유기 전계 발광 표시 장치(1100)는 기판(1110), 스위칭 박막 트랜지스터(1120), 구동 박막 트랜지스터(1130), 제1 저장 커패시터(SC1) 및 제2 저장 커패시터(SC2)를 포함한다.5 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 5 and 6, an organic light emitting display 1100 includes a substrate 1110, a switching thin film transistor 1120, a driving thin film transistor 1130, a first storage capacitor SC1, and a second storage capacitor SC2).

기판(1110)은 유기 전계 발광 표시 장치(1100)의 여러 엘리먼트들을 지지하고 보호한다. 기판(1110)은 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. The substrate 1110 supports and protects various elements of the organic light emitting display device 1100. The substrate 1110 may be formed of an insulating material, for example, glass or plastic, but is not limited thereto, and may be formed of various materials.

기판(1110) 상에는 버퍼층(1111)이 형성된다. 버퍼층(1111)은 기판(1110)을 통한 수분 또는 산소의 침투를 최소화하며, 기판(1110) 상부를 평탄화한다. 버퍼층(1111)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 버퍼층(1111)을 구성하는 절연 물질은 기판(1110)의 종류나 스위칭 박막 트랜지스터(1120) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 종류에 따라 선택될 수 있다. 다만, 버퍼층(1111)은 필수적으로 유기 전계 발광 표시 장치(1100)에서 사용되는 것은 아니며, 버퍼층(1111)은 생략될 수도 있다.A buffer layer 1111 is formed on the substrate 1110. The buffer layer 1111 minimizes the penetration of moisture or oxygen through the substrate 1110 and flattens the top of the substrate 1110. The buffer layer 1111 may be formed of an insulating material. The insulating material constituting the buffer layer 1111 can be selected according to the type of the substrate 1110 and the type of the switching thin film transistor 1120 and the driving thin film transistor 1130. However, the buffer layer 1111 is not necessarily used in the organic light emitting display device 1100, and the buffer layer 1111 may be omitted.

버퍼층(1111) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1120) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)가 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)는 게이트 전극(1121), 액티브층(1122), 소스 전극 및 드레인 전극(1123)을 포함하고, 구동 박막 트랜지스터(1130) 또한 게이트 전극(1131), 액티브층(1132), 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)을 포함한다. 다만, 도 5 및 도 6에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극에 대한 도시를 생략하고, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 직접 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)과 접하도록 도시하였다. 만약, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극이 사용된다면, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)과 동일한 층 상에 동일한 물질로 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극이 임의의 위치에서 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)과 접하도록 구현될 수도 있다.A switching thin film transistor 1120 and a driving thin film transistor 1130 are formed on the buffer layer 1111. [ The switching thin film transistor 1120 includes a gate electrode 1121, an active layer 1122, a source electrode and a drain electrode 1123 and the driving thin film transistor 1130 also includes a gate electrode 1131, an active layer 1132, And includes a source electrode 1134 and a drain electrode 1133. 5 and 6, the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is not shown and the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 is directly connected to the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130, As shown in FIG. If the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is used, the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is formed of the same material on the same layer as the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120, The source electrode of the transistor 1120 may be arranged to contact the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 at an arbitrary position.

도 6을 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(1130)는 코플래너(Coplanar) 구조의 박막 트랜지스터이다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1130)는 기판(1110)으로부터 액티브층(1132), 게이트 전극(1131), 및 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)이 적층된 구조로 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막 트랜지스터이다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)는 기판(1110)으로부터 게이트 전극(1121), 액티브층(1122), 및 소스 전극 및 드레인 전극(1123)이 적층된 구조로 형성된다.Referring to FIG. 6, the driving thin film transistor 1130 is a thin film transistor of a coplanar structure. That is, the driving thin film transistor 1130 is formed in a structure in which the active layer 1132, the gate electrode 1131, the source electrode 1134, and the drain electrode 1133 are stacked from the substrate 1110. The switching thin film transistor 1120 is a thin film transistor having a bottom gate structure. That is, the switching thin film transistor 1120 is formed in a structure in which the gate electrode 1121, the active layer 1122, and the source electrode and the drain electrode 1123 are stacked from the substrate 1110.

도 5 및 도 6을 참조하면, 버퍼층(1111) 상에 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)이 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)은 저온 폴리 실리콘으로 형성된다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1130)는 LTPS 박막 트랜지스터이다.Referring to FIGS. 5 and 6, an active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 is formed on the buffer layer 1111. The active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 is formed of low-temperature polysilicon. That is, the driving thin film transistor 1130 is an LTPS thin film transistor.

구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132) 상에 게이트 절연층(1112)이 형성된다. 게이트 절연층(1112)은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)을 덮도록 형성된다. 게이트 절연층(1112)은 절연 물질로 형성되어 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 게이트 전극(1131)을 절연시킨다. A gate insulating layer 1112 is formed on the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130. A gate insulating layer 1112 is formed to cover the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130. The gate insulating layer 1112 is formed of an insulating material to insulate the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 from the gate electrode 1131.

게이트 절연층(1112) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121)은 게이트 라인(1142)으로부터 분지되고, 게이트 라인(1142)으로부터 게이트 신호를 인가받는다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 중첩되도록 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121)과 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1121)은 동일한 물질로 형성될 수 있다.The gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 are formed on the gate insulating layer 1112. [ The gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 is branched from the gate line 1142 and receives the gate signal from the gate line 1142. [ The gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 is formed to overlap with the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130. The gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1121 of the driving thin film transistor 1130 may be formed of the same material.

스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131) 상에 층간 절연층(1113)이 형성된다. 층간 절연층(1113)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)을 덮도록 형성된다. 층간 절연층(1113)은 절연 물질로 형성되어 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 게이트 전극(1121)을 절연시킨다. An interlayer insulating layer 1113 is formed on the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130. [ The interlayer insulating layer 1113 is formed to cover the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130. The interlayer insulating layer 1113 is formed of an insulating material to insulate the active layer 1122 and the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120.

층간 절연층(1113) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)은 산화물 반도체로 형성된다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이다. 액티브층(1122)으로 사용될 수 있는 산화물 반도체로서, 예를 들어, 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO)계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO)계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO)계 재료, 인듐 하프늄 아연 산화물(InHfZnO), 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO)계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO)계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO)계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO)계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO)계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO)계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO)계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO)계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO)계 재료나, 인듐 산화물(InO)계 재료, 주석 산화물(SnO)계 재료, 아연 산화물(ZnO)계 재료 등이 사용될 수 있다. 상술한 각각의 산화물 반도체 재료에서 포함되는 각각의 원소의 조성 비율은 특별히 한정되지 않고 다양하게 조정될 수 있다.An active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 is formed on the interlayer insulating layer 1113. [ The active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 is formed of an oxide semiconductor. That is, the switching thin film transistor 1120 is an oxide semiconductor thin film transistor. As the oxide semiconductor which can be used as the active layer 1122, for example, indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) based material which is a quaternary metal oxide, indium gallium zinc oxide (InGaZnO) based material which is a ternary metal oxide, Zinc oxide (InSnZnO) based material, indium aluminum zinc oxide (InAlZnO) based material, indium hafnium zinc oxide (InHfZnO), tin gallium zinc oxide (SnGaZnO) based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) (AlZnO) based material, zinc magnesium oxide (ZnMgO) based material, tin magnesium oxide (SnZnO) based material, tin zinc oxide (SnZnO) based material, (InGaO) -based materials, indium oxide (InO) -based materials, tin oxide (SnO 2) -based materials, zinc oxide Water (ZnO) -based materials and the like can be used. The composition ratio of each element included in each of the above-described oxide semiconductor materials is not particularly limited and can be variously adjusted.

스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121)과 중첩한다. 도 5 및 도 6에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극의 도시를 생략하였으므로, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 층간 절연층(1113)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)과 접할 수 있다.The active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 overlaps with the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120. The active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 is electrically connected to the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 because the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is omitted in FIGS. . 6, the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 is in contact with the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 through the contact hole formed in the interlayer insulating layer 1113 .

스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122) 상에 에치 스토퍼(1114)가 형성된다. 에치 스토퍼(1114)는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)을 덮도록 형성된다. 에치 스토퍼(1114)는 절연 물질로 형성되어 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123), 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)을 절연시킨다.An etch stopper 1114 is formed on the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120. An etch stopper 1114 is formed to cover the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120. The etch stopper 1114 is formed of an insulating material so that the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 and the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120, the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130, The drain electrode 1133 is insulated.

에치 스토퍼(1114) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)은 데이터 라인(1141)으로부터 분지되고, 데이터 라인(1141)으로부터 데이터 신호를 인가받는다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)은 에치 스토퍼(1114)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 전기적으로 연결된다. 도 5 및 도 6에서 도시는 생략되었지만, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극이 사용되는 경우, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극과 동일한 층 상에 동일한 물질로 형성되고, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극이 임의의 위치에서 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131)과 접하도록 구현될 수도 있다.A drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 is formed on the etch stopper 1114. [ The drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 is branched from the data line 1141 and receives a data signal from the data line 1141. [ The drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 is electrically connected to the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 through the contact hole formed in the etch stopper 1114. [ 5 and 6, when the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is used, the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 is connected to the same layer as the source electrode of the switching thin film transistor 1120 And the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is in contact with the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130 at an arbitrary position.

에치 스토퍼(1114) 상에 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)이 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)은 게이트 절연층(1112), 층간 절연층(1113) 및 에치 스토퍼(1114)에 형성된 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 전기적으로 연결된다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 중첩한다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 드레인 전극(1133)은 게이트 절연층(1112), 층간 절연층(1113) 및 에치 스토퍼(1114)에 형성된 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 전기적으로 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 드레인 전극(1133)은 Vdd 전압 공급 라인(1143)으로부터 분지되고, Vdd 전압 공급 라인(1143)으로부터 Vdd 전압을 공급받는다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134) 상에 평탄화층이 형성될 수 있고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)은 평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해 애노드(1170)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.A source electrode 1134 and a drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 are formed on the etch stopper 1114. [ The source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 is connected to the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 through the contact hole formed in the gate insulating layer 1112, the interlayer insulating layer 1113 and the etch stopper 1114. [ Respectively. In addition, the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 overlaps with the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120. The drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 is connected to the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 through the contact hole formed in the gate insulating layer 1112, the interlayer insulating layer 1113 and the etch stopper 1114. [ Respectively. The drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 is branched from the Vdd voltage supply line 1143 and supplied with the Vdd voltage from the Vdd voltage supply line 1143. [ A planarization layer may be formed on the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 may be electrically connected to the anode 1170 through a contact hole formed in the planarization layer Can be connected. The source electrode 1134 and the drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 may be formed of the same material as the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120.

기판(1110) 상에 제1 저장 커패시터(SC1)와 제2 저장 커패시터(SC2)가 형성되고, 제1 저장 커패시터(SC1)와 제2 저장 커패시터(SC2)가 하나의 저장 커패시터로서 기능한다. 제1 저장 커패시터(SC1)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 중첩하는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이다. 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)과 중첩하는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이다. A first storage capacitor SC1 and a second storage capacitor SC2 are formed on a substrate 1110 and a first storage capacitor SC1 and a second storage capacitor SC2 function as one storage capacitor. One electrode of the first storage capacitor SC1 is the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 and the other electrode is the switching thin film transistor 1132 overlapping the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 0.0 &gt; 1120 &lt; / RTI &gt; One electrode of the second storage capacitor SC2 is the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 and the other electrode is the switching thin film transistor 1134 overlapping the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 0.0 &gt; 1120 &lt; / RTI &gt;

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1100)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고 구동 박막 트랜지스터(1130)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터를 사용하여, 이중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 제1 저장 커패시터(SC1)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)과 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 제2 저장 커패시터(SC2)를 구성하여, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 이중 커패시터 구조에 따라 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1100) 구현이 가능하다. In the organic light emitting display device 1100 according to an exemplary embodiment of the present invention, the switching thin film transistor 1120 is an oxide semiconductor thin film transistor and the driving thin film transistor 1130 is an LTPS thin film transistor, Storage capacitor implementation is possible. That is, the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 and the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 constitute the first storage capacitor SC1 and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 And the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 constitute the second storage capacitor SC2 to increase the capacitance of the storage capacitor within a limited area. Accordingly, it is possible to realize an organic light emitting display device 1100 of high resolution and high transmittance according to the dual capacitor structure.

추가적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1100)에서는 오프-전류(Off-Current)가 낮은 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 스위칭 박막 트랜지스터(1120)로 사용함으로써 소비 전력을 낮출 수 있다. 또한, 이동도가 우수한 LTPS 박막 트랜지스터를 구동 박막 트랜지스터(1130)로 사용함으로써 구동 박막 트랜지스터(1130)의 크기를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1100) 구현에 유리하고, 장시간 구동에도 안정적인 구동 박막 트랜지스터(1130) 구현이 가능하고, 유기 전계 발광 표시 장치(1100)의 신뢰성이 향상된다.In addition, in the organic light emitting display device 1100 according to an exemplary embodiment of the present invention, an oxide semiconductor thin film transistor having a low off-current may be used as the switching thin film transistor 1120 to reduce power consumption. Further, by using the LTPS thin film transistor having excellent mobility as the driving thin film transistor 1130, it is possible to reduce the size of the driving thin film transistor 1130, thereby realizing an organic light emitting display device 1100 of high resolution and high transmittance It is possible to realize a driving thin film transistor 1130 which is advantageous for a long time and is stable, and reliability of the organic light emitting display device 1100 is improved.

도 5 및 도 6에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)이 데이터 라인(1141)으로부터 분지되는 것으로 도시하였으나, 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 소스 전극이 데이터 라인(1141)으로부터 분지되고 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)의 사용이 생략될 수도 있다. 또한, 도 5 및 도 6에서는 구동 박막 트랜지스터(1130)의 드레인 전극(1133)이 Vdd 전압 공급 라인(1143)으로부터 분지되고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 중첩하여 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극으로 기능하는 것으로 도시하였으나, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이 Vdd 전압 공급 라인(1143)으로부터 분지되고 구동 박막 트랜지스터(1130)의 드레인 전극(1133)이 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)과 중첩하여 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극으로 기능할 수도 있다.5 and 6, the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 is branched from the data line 1141. However, since the source electrode of the switching thin film transistor 1120 is branched from the data line 1141, The use of the drain electrode 1123 of the thin film transistor 1120 may be omitted. 5 and 6, the drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 is branched from the Vdd voltage supply line 1143 and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 is connected to the switching thin film transistor 1120 The source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 is connected to the source electrode 1134 of the second storage capacitor SC2 from the Vdd voltage supply line 1143, And the drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 may overlap with the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 and serve as one electrode of the second storage capacitor SC2.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 7에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1300)는 도 6에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1100)와 비교하여, 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 액티브층(1322), 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331), 제1 저장 커패시터(SC1) 및 제2 저장 커패시터(SC2)의 배치 관계만이 상이할 뿐 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.7 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 1300 shown in FIG. 7 is different from the organic light emitting display device 1100 shown in FIG. 6 in that the active layer 1322, the driving thin film transistor 1330, The first storage capacitor SC1 and the second storage capacitor SC2 of FIG. 6A are different from each other only in the arrangement relationship of the gate electrode 1331, the first storage capacitor SC1 and the second storage capacitor SC2.

도 7을 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1322)을 덮도록 게이트 절연층(1112)이 형성되고, 게이트 절연층(1112) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)이 형성된다. 여기서, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1132)은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)과 중첩하는데, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1322)은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133) 사이에 위치하여 구동 박막 트랜지스터(1330)가 온(on) 상태인 경우 채널이 형성되는 부분뿐만 아니라, 채널이 형성되지 않는 위치에서도 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)과 중첩한다. 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)을 덮도록 층간 절연층(1113)이 형성되고, 층간 절연층(1113) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 액티브층(1322)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 액티브층(1322)을 덮도록 에치 스토퍼(1114)가 형성되고, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134)이 에치 스토퍼(1114) 상에서 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)과 중첩하도록 형성된다.7, a gate insulating layer 1112 is formed to cover the active layer 1322 of the driving thin film transistor 1330 and a gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1320 is formed on the gate insulating layer 1112 And the gate electrode 1331 of the driving thin film transistor 1330 are formed. The active layer 1132 of the driving thin film transistor 1330 overlaps with the gate electrode 1331 of the driving thin film transistor 1330 while the active layer 1322 of the driving thin film transistor 1330 overlaps with the driving thin film transistor 1330, When the driving thin film transistor 1330 is in the ON state, the driving thin film transistor 1330 can be formed not only at the portion where the channel is formed but also at the portion where the channel is not formed, The gate electrode 1331 of FIG. An interlayer insulating layer 1113 is formed so as to cover the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1320 and the gate electrode 1331 of the driving thin film transistor 1330 and a switching thin film transistor The active layer 1322 is formed. An etch stopper 1114 is formed so as to cover the active layer 1322 of the switching thin film transistor 1320 and a source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1330 is formed on the etch stopper 1114 And is formed to overlap with the gate electrode 1331.

이에 따라, 제1 저장 커패시터(SC1)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1132)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1132)과 중첩하는 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)이다. 또한, 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134)과 중첩하는 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)이다. One electrode of the first storage capacitor SC1 is an active layer 1132 of the driving thin film transistor 1330 and the other electrode is a driving electrode of the driving thin film transistor 1330 overlapping with the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1330 And the gate electrode 1331 of the thin film transistor 1330. One electrode of the second storage capacitor SC2 is the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1330 and the other electrode is the driving thin film 1303 overlapping the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1330. [ And the gate electrode 1331 of the transistor 1330.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1300)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1320)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고, 구동 박막 트랜지스터(1330)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터를 사용하여, 이중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 액티브층(1132)과 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)이 제1 저장 커패시터(SC1)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134)과 구동 박막 트랜지스터(1330)의 게이트 전극(1331)이 제2 저장 커패시터(SC2)를 구성하여, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 이중 커패시터 구조에 따라 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1300) 구현이 가능하다. In the organic light emitting display device 1300 according to another embodiment of the present invention, the switching thin film transistor 1320 is an oxide semiconductor thin film transistor and the driving thin film transistor 1330 is an LTPS thin film transistor, A storage capacitor implementation with a capacitor structure is possible. That is, the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1330 and the gate electrode 1331 of the driving thin film transistor 1330 constitute the first storage capacitor SC1, and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1330 And the gate electrode 1331 of the driving thin film transistor 1330 constitute the second storage capacitor SC2 so that the capacitance of the storage capacitor can be increased within a limited area. Accordingly, it is possible to realize the organic light emitting display device 1300 of high resolution and high transmittance according to the dual capacitor structure.

도 7에 도시된 스위칭 박막 트랜지스터(1320)의 드레인 전극(1133)은 소스 전극으로 변경될 수 있고, 도 7에 도시된 구동 박막 트랜지스터(1330)의 소스 전극(1134)이 드레인 전극(1133)으로 변경되고 드레인 전극(1133)이 소스 전극(1134)으로 변경될 수도 있다.The drain electrode 1133 of the switching thin film transistor 1320 shown in Figure 7 can be changed to a source electrode and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1330 shown in Figure 7 is connected to the drain electrode 1133 And the drain electrode 1133 may be changed to the source electrode 1134. [

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 8에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1400)는 도 6에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1100)와 비교하여, 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422), 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431), 제1 저장 커패시터(SC1) 및 제2 저장 커패시터(SC2)의 배치 관계만이 상이할 뿐 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.8 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 1400 shown in FIG. 8 is different from the organic light emitting display device 1100 shown in FIG. 6 in that the active layer 1422, the driving thin film transistor 1430, The gate electrode 1431, the first storage capacitor SC1, and the second storage capacitor SC2 are different from each other only in the arrangement of the gate electrode 1431, the first storage capacitor SC1, and the second storage capacitor SC2.

도 8을 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1132)을 덮도록 게이트 절연층(1112)이 형성되고, 게이트 절연층(1112) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)이 형성된다. 여기서, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1422)은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)과 중첩하는데, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1132)은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133) 사이에 위치하여 구동 박막 트랜지스터(1430)가 온(on) 상태인 경우 채널이 형성되는 부분뿐만 아니라, 채널이 형성되지 않는 위치에서도 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)과 중첩한다. 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)을 덮도록 층간 절연층(1113)이 형성되고, 층간 절연층(1113) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)과 전기적으로 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)을 덮도록 에치 스토퍼(1114)가 형성되고, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134)이 에치 스토퍼(1114) 상에서 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)과 중첩하도록 형성된다.8, a gate insulating layer 1112 is formed to cover the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1430 and a gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1420 is formed on the gate insulating layer 1112 And the gate electrode 1431 of the driving thin film transistor 1430 are formed. The active layer 1422 of the driving thin film transistor 1430 overlaps with the gate electrode 1431 of the driving thin film transistor 1430 while the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1430 overlaps the driving thin film transistor 1430, The driving thin film transistor 1430 is positioned between the source electrode 1134 and the drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1430 and not only at the portion where the channel is formed but also at the portion where the channel is not formed, The gate electrode 1431 of FIG. An interlayer insulating layer 1113 is formed so as to cover the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1420 and the gate electrode 1431 of the driving thin film transistor 1430 and a switching thin film transistor 1420 are formed. The active layer 1422 of the switching thin film transistor 1420 is electrically connected to the gate electrode 1431 of the driving thin film transistor 1430. An etch stopper 1114 is formed so as to cover the active layer 1422 of the switching thin film transistor 1420 and a source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1430 is formed on the etch stopper 1114 And is formed to overlap with the active layer 1422.

이에 따라, 제1 저장 커패시터(SC1)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1132)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1132)과 중첩하는 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)이다. 또한, 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134)과 중첩하는 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)이다. One electrode of the first storage capacitor SC1 is an active layer 1132 of the driving thin film transistor 1430 and the other electrode is a driving circuit which overlaps with the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1430 And the gate electrode 1431 of the thin film transistor 1430. One electrode of the second storage capacitor SC2 is the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1430 and the other electrode of the second thin film transistor SC2 overlaps the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1430. [ And the active layer 1422 of the transistor 1420.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1400)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1420)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고 구동 박막 트랜지스터(1430)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터를 사용하여, 이중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 액티브층(1132)과 구동 박막 트랜지스터(1430)의 게이트 전극(1431)이 제1 저장 커패시터(SC1)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134)과 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 액티브층(1422)이 제2 저장 커패시터(SC2)를 구성하여, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 이중 커패시터 구조에 따라 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1400) 구현이 가능하다. In the organic light emitting display device 1400 according to another embodiment of the present invention, the switching thin film transistor 1420 is an oxide semiconductor thin film transistor and the driving thin film transistor 1430 is an LTPS thin film transistor, A storage capacitor implementation with a capacitor structure is possible. That is, the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1430 and the gate electrode 1431 of the driving thin film transistor 1430 constitute the first storage capacitor SC1, and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1430 And the active layer 1422 of the switching thin film transistor 1420 constitute the second storage capacitor SC2 to increase the capacitance of the storage capacitor within a limited area. Accordingly, it is possible to realize the organic light emitting display device 1400 having high resolution and high transmittance according to the dual capacitor structure.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1400)에서는, 제1 저장 커패시터(SC1)의 전극 사이의 간격 및 제2 저장 커패시터(SC2)의 전극 사이의 간격을 좁게하여, 저장 커패시터가 차지하는 면적이 더욱 감소될 수 있다.In addition, in the organic light emitting display device 1400 according to another embodiment of the present invention, the interval between the electrodes of the first storage capacitor SC1 and the interval between the electrodes of the second storage capacitor SC2 are narrowed, The area occupied by the storage capacitor can be further reduced.

도 8에 도시된 스위칭 박막 트랜지스터(1420)의 드레인 전극(1123)은 소스 전극으로 변경될 수 있고, 도 8에 도시된 구동 박막 트랜지스터(1430)의 소스 전극(1134)이 드레인 전극(1133)으로 변경되고 드레인 전극(1133)이 소스 전극(1134)으로 변경될 수도 있다.The drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1420 shown in FIG. 8 can be changed to a source electrode and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1430 shown in FIG. 8 is connected to the drain electrode 1133 And the drain electrode 1133 may be changed to the source electrode 1134. [

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 9에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1500)는 도 6에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1100)와 비교하여, 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 소스 전극(1524), 패시베이션층(1515) 및 금속층(1550)이 추가되어, 제3 저장 커패시터(SC3)가 추가되었다는 것만이 상이할 뿐 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.9 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display 1500 shown in FIG. 9 is different from the organic light emitting display 1100 shown in FIG. 6 in that the source electrode 1524, the passivation layer 1515, The metal layer 1550 is added, and only the third storage capacitor SC3 is added, and the other components are substantially the same, so redundant description is omitted.

도 9를 참조하면, 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 소스 전극(1524) 및 드레인 전극(1123)과 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134) 및 드레인 전극(1133)을 덮도록 패시베이션층(1515)이 형성된다. 패시베이션층(1515)은 절연 물질로 형성되어, 구동 박막 트랜지스터(1130) 및 스위칭 박막 트랜지스터(1520)를 보호한다.9, a passivation layer 1515 is formed to cover the source electrode 1134 and the drain electrode 1133 of the driving thin film transistor 1130 and the source electrode 1524 and the drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1520, Is formed. The passivation layer 1515 is formed of an insulating material to protect the driving thin film transistor 1130 and the switching thin film transistor 1520.

패시베이션층(1515) 상에 금속층(1550)이 형성된다. 금속층(1550)은 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 소스 전극(1524)과 전기적으로 연결되고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1524)과 중첩할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1500)에서는 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이 하나의 전극을 구성하고, 금속층(1550)이 다른 하나의 전극을 구성하는 제3 저장 커패시터(SC3)를 더 포함한다. A metal layer 1550 is formed on the passivation layer 1515. The metal layer 1550 is electrically connected to the source electrode 1524 of the switching thin film transistor 1520 and may overlap the source electrode 1524 of the driving thin film transistor 1130. The source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 constitutes one electrode and the metal layer 1550 constitutes one electrode of the driving thin film transistor 1130 according to another embodiment of the present invention, And a third storage capacitor (SC3) constituting the second storage capacitor (SC3).

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1500)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1520)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고 구동 박막 트랜지스터(1130)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터 및 금속층(1550)을 사용하여, 삼중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 액티브층(1122)이 제1 저장 커패시터(SC1)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)과 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 액티브층(1122)이 제2 저장 커패시터(SC2)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)과 금속층(1550)이 제3 저장 커패시터(SC3)를 구성하여, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 삼중 커패시터 구조에 따라 저장 커패시터가 차지하는 면적을 보다 감소시킬 수 있으므로, 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1500) 구현이 가능하다. In the organic light emitting display device 1500 according to another embodiment of the present invention, the switching TFT 1520 is an oxide semiconductor thin film transistor, the driving thin film transistor 1130 is an LTPS thin film transistor, a metal thin film transistor 1550, , A storage capacitor implementation with a triple capacitor structure is possible. That is, the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 and the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1520 constitute the first storage capacitor SC1, and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 And the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1520 constitute the second storage capacitor SC2 and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 and the metal layer 1550 constitute the third storage capacitor SC3 ), Thereby increasing the capacitance of the storage capacitor within a limited area. Therefore, since the area occupied by the storage capacitor can be further reduced according to the triple capacitor structure, it is possible to realize the organic light emitting display 1500 with high resolution and high transmittance.

도 9에서는 도 6에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1100)에 금속층(1550)이 추가되는 것을 도시하였으나, 도 9에서 사용된 금속층(1550)은 도 7에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1300) 및 도 8에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1400)에도 적용될 수 있다.Although FIG. 9 illustrates the addition of the metal layer 1550 to the organic light emitting display device 1100 shown in FIG. 6, the metal layer 1550 used in FIG. 9 corresponds to the organic light emitting display device 1300 And the organic light emitting display device 1400 shown in FIG.

도 9에 도시된 스위칭 박막 트랜지스터(1520)의 소스 전극(1524)이 드레인 전극(1123)으로 변경되고 드레인 전극(1123)이 소스 전극(1524)으로 변경될 수 있고, 도 9에 도시된 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이 드레인 전극(1133)으로 변경되고 드레인 전극(1133)이 소스 전극(1134)으로 변경될 수도 있다.The source electrode 1524 of the switching thin film transistor 1520 shown in Figure 9 may be changed to the drain electrode 1123 and the drain electrode 1123 may be changed to the source electrode 1524, The source electrode 1134 of the transistor 1130 may be changed to the drain electrode 1133 and the drain electrode 1133 may be changed to the source electrode 1134. [

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 10에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1600)는 도 6에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1100)와 비교하여, 광 차단층(1660)이 추가되어, 제4 저장 커패시터(SC4)가 추가되었다는 것만이 상이할 뿐 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.10 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 1600 shown in FIG. 10 is different from the organic light emitting display device 1100 shown in FIG. 6 in that a light blocking layer 1660 is added and a fourth storage capacitor SC4 is added And the other components are substantially the same, so redundant description is omitted.

도 10을 참조하면, 기판(1110) 상에 광 차단층(1660)이 형성된다. 광 차단층(1660)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)으로 향하는 광을 가려준다. 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)은 광에 상당히 민감하고, 특히, 산화물 반도체로 형성되는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)은 광에 보다 더 민감하다. 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 액티브층에 광이 입사하는 경우, 누설 전류가 증가하고 문턱 전압이 시프트되는 현상이 발생할 수 있고, 이는 패널 전체의 구동 불량, 소비 전력 증가, 패널 균일성과 같은 패널 신뢰성 문제로 이어진다. LTPS 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 비해 광에 덜 민감하지만, 상술한 문제점은 LTPS 박막 트랜지스터에도 동일하게 발생할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1600)가 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 전계 발광 표시 장치라면 편광판을 사용하여 외광에 의한 신뢰성 문제 발생이 상대적으로 적다. 그러나, 유기 전계 발광 표시 장치(1600)가 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 전계 발광 표시 장치인 경우, 유기 전계 발광 표시 장치(1600) 상부에만 편광판이 배치되므로, 유기 전계 발광 표시 장치(1600) 하부로 입사하는 외광에 매우 취약하다. 또한, 유기 전계 발광 표시 장치(1600)가 투명 유기 전계 발광 표시 장치인 경우 편광판이 제거되기 때문에, 투과부를 통해서도 광이 지속적으로 들어오게 되고, 이에 따라 박막 트랜지스터 특성 변화가 더욱 가속화된다.Referring to FIG. 10, a light blocking layer 1660 is formed on a substrate 1110. The light blocking layer 1660 covers the light directed toward the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 and the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130. The active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 and the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 are sensitive to light and are particularly sensitive to light and particularly to the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 formed of an oxide semiconductor ) Are more sensitive to light. When light is incident on the active layer of the oxide semiconductor thin film transistor, a phenomenon may occur in which the leakage current increases and the threshold voltage shifts. This leads to panel reliability problems such as drive failure of the entire panel, increase of power consumption, and uniformity of the panel . Although the LTPS thin film transistor is less sensitive to light than the oxide semiconductor thin film transistor, the above-described problem may occur in an LTPS thin film transistor as well. If the organic light emitting display device 1600 according to another embodiment of the present invention is a bottom emission organic light emitting display device, a reliability problem due to external light is relatively small using a polarizing plate. However, when the organic light emitting display device 1600 is a top emission type organic light emitting display device, since the polarizing plate is disposed only on the organic light emitting display device 1600, ) Is very vulnerable to external light incident thereunder. In addition, when the organic light emitting display device 1600 is a transparent organic light emitting display device, since the polarizer is removed, light is continuously introduced through the transmissive portion, thereby further accelerating the change of the characteristics of the thin film transistor.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1600)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)으로 향하는 광을 가려주는 광 차단층(1660)이 사용되어, 상술한 바와 같은 문제점들을 해결할 수 있다.Thus, in the organic light emitting display device 1600 according to another embodiment of the present invention, the light directed toward the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 and the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 is covered A light blocking layer 1660 may be used to solve the above-described problems.

도 10에 도시되지는 않았으나, 광 차단층(1660)은 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 광 차단층(1660)이 단순히 패터닝된 상태, 즉, 플로팅 상태로 유지되는 경우, 광 차단층(1660)은 임의의 전압을 갖게 되고, 이에 따라 구동 박막 트랜지스터(1130) 또는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)에 채널이 형성되고 전류가 흐르게 되어 박막 트랜지스터의 오작동이 발생할 수도 있다. 즉, 복합 형태 박막 트랜지스터 구조에서 광 차단층(1660)이 정확한 전압값으로 고정되지 않는다면 박막 트랜지스터의 온/오프 조절이 어렵게 된다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1600)에서는 광 차단층(1660)을 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 게이트 전극(1121) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 게이트 전극(1131) 중 하나와 전기적으로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(1130) 및 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 오작동의 위험을 제거한다.Although not shown in FIG. 10, the light blocking layer 1660 may be electrically connected to one of the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1131 of the driving thin film transistor 1130. When the light blocking layer 1660 is simply kept in a patterned state, that is, in a floating state, the light blocking layer 1660 has a certain voltage, so that the driving thin film transistor 1130 or the switching thin film transistor 1120, The channel may be formed and the current may flow to cause a malfunction of the thin film transistor. That is, if the light blocking layer 1660 is not fixed at the correct voltage value in the complex type thin film transistor structure, on / off control of the thin film transistor becomes difficult. The light blocking layer 1660 may be formed on the gate electrode 1121 of the switching thin film transistor 1120 and the gate electrode 1121 of the driving thin film transistor 1130 in the organic light emitting display device 1600 according to another embodiment of the present invention. 1131 so as to eliminate the risk of malfunction of the driving thin film transistor 1130 and the switching thin film transistor 1120.

또한, 광 차단층(1660)은 제4 저장 커패시터(SC4)의 하나의 전극으로 기능할 수도 있다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이 광 차단층(1660) 및 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)이 제4 저장 커패시터(SC4)의 전극으로 기능할 수 있다.In addition, the light blocking layer 1660 may function as one electrode of the fourth storage capacitor SC4. That is, as shown in FIG. 10, the light blocking layer 1660 and the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 may serve as electrodes of the fourth storage capacitor SC4.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1600)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1120)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고 구동 박막 트랜지스터(1130)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터 및 광 차단층(1660)을 사용하여, 삼중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 제1 저장 커패시터(SC1)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)과 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 액티브층(1122)이 제2 저장 커패시터(SC2)를 구성하고, 구동 박막 트랜지스터(1130)의 액티브층(1132)과 광 차단층(1660)이 제4 저장 커패시터(SC4)를 구성하여, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 삼중 커패시터 구조에 따라 저장 커패시터가 차지하는 면적을 보다 감소시킬 수 있으므로, 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1600) 구현이 가능하다. In the organic light emitting display device 1600 according to another embodiment of the present invention, the switching thin film transistor 1120 is an oxide semiconductor thin film transistor, the driving thin film transistor 1130 is an LTPS thin film transistor, 1660), a storage capacitor implementation with a triple capacitor structure is possible. That is, the active layer 1132 of the driving thin film transistor 1130 and the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 constitute the first storage capacitor SC1 and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 And the active layer 1122 of the switching thin film transistor 1120 constitute the second storage capacitor SC2 and the active layer 1132 and the light blocking layer 1660 of the driving thin film transistor 1130 constitute the fourth storage capacitor (SC4), thereby increasing the capacitance of the storage capacitor within a limited area. Accordingly, since the area occupied by the storage capacitor can be further reduced according to the triple capacitor structure, it is possible to realize the organic light emitting display device 1600 of high resolution and high transmittance.

도 10에서 설명된 광 차단층(1660)은 도 7 내지 도 9의 유기 전계 발광 표시 장치(1300, 400, 500)에도 적용될 수 있고, 광 차단층(1660)이 적용됨에 따라 제4 저장 커패시터(SC4) 또한 도 7 내지 도 9의 유기 전계 발광 표시 장치(1300, 400, 500)에 포함될 수 있다.The light blocking layer 1660 illustrated in FIG. 10 may be applied to the organic light emitting display devices 1300, 400, and 500 of FIGS. 7 through 9 and may be applied to the fourth storage capacitor SC4 may also be included in the organic light emitting display devices 1300, 400, and 500 of FIGS.

도 10에 도시된 스위칭 박막 트랜지스터(1120)의 드레인 전극(1123)은 소스 전극으로 변경될 수 있고, 도 10에 도시된 구동 박막 트랜지스터(1130)의 소스 전극(1134)이 드레인 전극(1133)으로 변경되고 드레인 전극(1133)이 소스 전극(1134)으로 변경될 수도 있다.The drain electrode 1123 of the switching thin film transistor 1120 shown in Figure 10 may be changed to a source electrode and the source electrode 1134 of the driving thin film transistor 1130 shown in Figure 10 is connected to the drain electrode 1133 And the drain electrode 1133 may be changed to the source electrode 1134. [

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 11을 참조하면, 유기 전계 발광 표시 장치(1700)는 기판(1110), 스위칭 박막 트랜지스터(1720), 구동 박막 트랜지스터(1730), 금속층(1750), 제1 저장 커패시터(SC1) 및 제2 저장 커패시터(SC2)를 포함한다. 도 11에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1700)는 도 9에 도시된 유기 전계 발광 표시 장치(1500)와 비교하여, 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 게이트 전극(1721), 액티브층(1722), 소스 전극(1724) 및 드레인 전극(1723), 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731), 액티브층(1732), 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733)의 형성 위치 만이 상이할 뿐 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.11 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. 11, an organic light emitting display device 1700 includes a substrate 1110, a switching thin film transistor 1720, a driving thin film transistor 1730, a metal layer 1750, a first storage capacitor SC1, And a capacitor SC2. The organic light emitting display device 1700 shown in FIG. 11 is different from the organic light emitting display device 1500 shown in FIG. 9 in that the gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720, the active layer 1722, Only the forming positions of the source electrode 1724 and the drain electrode 1723, the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730, the active layer 1732, the source electrode 1734 and the drain electrode 1733 are different from each other Since components are substantially the same, redundant description is omitted.

버퍼층(1111) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1720) 및 구동 박막 트랜지스터(1730)가 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1720)는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터이다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터(1720)는 기판(1110)으로부터 액티브층(1722), 게이트 전극(1721), 및 소스 전극(1724) 및 드레인 전극(1723)이 적층된 구조로 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(1730)는 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터이다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1730)는 기판(1110)으로부터 게이트 전극(1731), 액티브층(1732), 및 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733)이 적층된 구조로 형성된다.A switching thin film transistor 1720 and a driving thin film transistor 1730 are formed on the buffer layer 1111. [ The switching thin film transistor 1720 is a thin film transistor of a coplanar structure. That is, the switching thin film transistor 1720 is formed in a structure in which the active layer 1722, the gate electrode 1721, the source electrode 1724, and the drain electrode 1723 are stacked from the substrate 1110. The driving thin film transistor 1730 is a thin film transistor of a bottom gate structure. That is, the driving thin film transistor 1730 is formed in a structure in which the gate electrode 1731, the active layer 1732, the source electrode 1734, and the drain electrode 1733 are stacked from the substrate 1110.

도 11을 참조하면, 버퍼층(1111) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 액티브층(1722)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 액티브층(1722)은 저온 폴리 실리콘으로 형성된다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터(1720)는 LTPS 박막 트랜지스터이다.Referring to FIG. 11, an active layer 1722 of a switching thin film transistor 1720 is formed on a buffer layer 1111. The active layer 1722 of the switching thin film transistor 1720 is formed of low temperature polysilicon. That is, the switching thin film transistor 1720 is an LTPS thin film transistor.

스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 액티브층(1722) 상에 게이트 절연층(1712)이 형성된다. 게이트 절연층(1712)은 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 액티브층(1722)을 덮도록 형성된다. 게이트 절연층(1712)은 절연 물질로 형성되어 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 액티브층(1722)과 게이트 전극(1721)을 절연시킨다. A gate insulating layer 1712 is formed on the active layer 1722 of the switching thin film transistor 1720. A gate insulating layer 1712 is formed to cover the active layer 1722 of the switching thin film transistor 1720. The gate insulating layer 1712 is formed of an insulating material to insulate the active layer 1722 and the gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720.

게이트 절연층(1712) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 게이트 전극(1721) 및 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 게이트 전극(1721)과 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)은 동일한 물질로 형성될 수 있다.The gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720 and the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730 are formed on the gate insulating layer 1712. [ The gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720 and the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730 may be formed of the same material.

스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 게이트 전극(1721) 및 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731) 상에 층간 절연층(1713)이 형성된다. 층간 절연층(1713)은 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 게이트 전극(1721) 및 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)을 덮도록 형성된다. 층간 절연층(1713)은 절연 물질로 형성되어 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)과 게이트 전극(1731)을 절연시킨다. An interlayer insulating layer 1713 is formed on the gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720 and the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730. [ The interlayer insulating layer 1713 is formed so as to cover the gate electrode 1721 of the switching thin film transistor 1720 and the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730. The interlayer insulating layer 1713 is formed of an insulating material to insulate the active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 from the gate electrode 1731.

층간 절연층(1713) 상에 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)이 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)은 산화물 반도체로 형성된다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(1730)는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이다. An active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 is formed on the interlayer insulating layer 1713. The active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 is formed of an oxide semiconductor. That is, the driving thin film transistor 1730 is an oxide semiconductor thin film transistor.

구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)과 중첩한다. 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733) 사이에 위치하여 구동 박막 트랜지스터(1730)가 온(on) 상태인 경우 채널이 형성되는 부분뿐만 아니라, 채널이 형성되지 않는 위치에서도 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)과 중첩한다.The active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 overlaps with the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730. The active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 is positioned between the source electrode 1734 and the drain electrode 1733 of the driving thin film transistor 1730 so that when the driving thin film transistor 1730 is on, Is overlapped with the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730 not only at the portion where the channel is formed but also at the position where the channel is not formed.

구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732) 상에 에치 스토퍼(1714)가 형성된다. 에치 스토퍼(1714)는 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)을 덮도록 형성된다. 에치 스토퍼(1714)는 절연 물질로 형성되어 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)과 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733), 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 소스 전극(1724) 및 드레인 전극(1723)을 절연시킨다.An etch stopper 1714 is formed on the active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730. The etch stopper 1714 is formed so as to cover the active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730. The etch stopper 1714 is formed of an insulating material so as to cover the active layer 1732 of the driving thin film transistor 1730 and the source electrode 1734 and the drain electrode 1733 of the driving thin film transistor 1730 and the switching thin film transistor 1720 The source electrode 1724 and the drain electrode 1723 are insulated.

에치 스토퍼(1714) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 소스 전극(1724) 및 드레인 전극(1723)과 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 소스 전극(1724) 및 드레인 전극(1723)과 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734) 및 드레인 전극(1733) 상에 패시베이션층(1715)이 형성된다. 패시베이션층(1715) 상에 금속층(1750)이 형성되고, 금속층(1750)은 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 소스 전극(1724)과 전기적으로 연결된다. 또한, 금속층(1750)은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734)과 중첩한다.The source electrode 1724 and the drain electrode 1723 of the switching thin film transistor 1720 and the source electrode 1734 and the drain electrode 1733 of the driving thin film transistor 1730 are formed on the etch stopper 1714. [ A passivation layer 1715 is formed on the source electrode 1724 and the drain electrode 1723 of the switching thin film transistor 1720 and on the source electrode 1734 and the drain electrode 1733 of the driving thin film transistor 1730. [ A metal layer 1750 is formed on the passivation layer 1715 and the metal layer 1750 is electrically connected to the source electrode 1724 of the switching thin film transistor 1720. Further, the metal layer 1750 overlaps the source electrode 1734 of the driving thin film transistor 1730.

기판(1110) 상에 제1 저장 커패시터(SC1)와 제2 저장 커패시터(SC2)가 형성되고, 제1 저장 커패시터(SC1)와 제2 저장 커패시터(SC2)가 하나의 저장 커패시터로서 기능한다. 제1 저장 커패시터(SC1)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)이고, 다른 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 게이트 전극(1731)과 중첩하는 구동 박막 트랜지스터(1730)의 액티브층(1732)이다. 제2 저장 커패시터(SC2)의 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734)이고, 다른 하나의 전극은 금속층(1750)이다.A first storage capacitor SC1 and a second storage capacitor SC2 are formed on a substrate 1110 and a first storage capacitor SC1 and a second storage capacitor SC2 function as one storage capacitor. One electrode of the first storage capacitor SC1 is the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730 and the other electrode of the driving thin film transistor 1730 overlaps the gate electrode 1731 of the driving thin film transistor 1730 1730). &Lt; / RTI &gt; One electrode of the second storage capacitor SC2 is the source electrode 1734 of the driving thin film transistor 1730 and the other electrode is the metal layer 1750. [

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1700)에서는 스위칭 박막 트랜지스터(1720)가 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고 구동 박막 트랜지스터(1730)가 LTPS 박막 트랜지스터인 복합 구조 박막 트랜지스터를 사용하여, 이중 커패시터 구조를 갖는 저장 커패시터 구현이 가능하다. 따라서, 제한된 면적 내에서 저장 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있고, 이중 커패시터 구조에 따라 고해상도 및 고투과율의 유기 전계 발광 표시 장치(1700) 구현이 가능하다. In an organic light emitting display device 1700 according to another embodiment of the present invention, a composite thin film transistor in which the switching thin film transistor 1720 is an oxide semiconductor thin film transistor and the driving thin film transistor 1730 is an LTPS thin film transistor, A storage capacitor implementation with a capacitor structure is possible. Therefore, the capacitance of the storage capacitor can be increased within a limited area, and it is possible to realize the organic light emitting display 1700 having a high resolution and a high transmittance according to the dual capacitor structure.

추가적으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1700)에서는 포화(saturation) 특성이 우수한 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구동 박막 트랜지스터(1730)로 사용함으로써 유기 발광 소자의 안정적인 구동이 구현될 수 있고, 소비 전력이 감소될 수 있다.In addition, in the organic light emitting display device 1700 according to another embodiment of the present invention, an oxide semiconductor thin film transistor having excellent saturation characteristics is used as the driving thin film transistor 1730 to realize stable driving of the organic light emitting device And the power consumption can be reduced.

도 11에 도시된 스위칭 박막 트랜지스터(1720)의 소스 전극(1724)이 드레인 전극(1723)으로 변경되고 드레인 전극(1723)이 소스 전극(1724)으로 변경될 수 있고, 도 11에 도시된 구동 박막 트랜지스터(1730)의 소스 전극(1734)이 드레인 전극(1733)으로 변경되고 드레인 전극(1733)이 소스 전극(1734)으로 변경될 수도 있다.The source electrode 1724 of the switching thin film transistor 1720 shown in Fig. 11 may be changed to the drain electrode 1723 and the drain electrode 1723 may be changed to the source electrode 1724, The source electrode 1734 of the transistor 1730 may be changed to the drain electrode 1733 and the drain electrode 1733 may be changed to the source electrode 1734. [

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

110: 기판
120, 420: 표시부
130: GIP 회로부
140: COF
150: 인쇄 회로 기판
100, 400: 유기 발광 전계 표시 장치
P1: 제1 화소
EA1: 제1 화소의 발광 영역
DA1: 제1 화소의 소자 영역
TA1: 제1 화소의 투과 영역
P2: 제2 화소
EA2: 제2 화소의 발광 영역
DA2: 제2 화소의 소자 영역
TA2: 제2 화소의 투과 영역
GL: 게이트 라인
DL: 데이터 라인
VDDL: Vdd 전압 공급 라인
SW1: 제1 스위칭 박막 트랜지스터
SW2: 제2 스위칭 박막 트랜지스터
DR1: 제1 구동 박막 트랜지스터
DR2: 제2 구동 박막 트랜지스터
SC1: 제1 저장 커패시터
SC2: 제2 저장 커패시터
EL1: 제1 유기 발광 소자
EL2: 제2 유기 발광 소자
1110: 기판
1111: 버퍼층
1112, 1712: 게이트 절연층
1113, 1713: 층간 절연층
1114, 1714: 에치 스토퍼
1515, 1715: 패시베이션층
1120, 1320, 1420, 1520, 1720: 스위칭 박막 트랜지스터
1121, 1721: 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극
1122, 1322, 1422, 1722: 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층
1123, 1723: 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극
1524, 1724: 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극
1130, 1330, 1430, 1730: 구동 박막 트랜지스터
1131, 1331, 1431, 1731: 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극
1132, 1732: 구동 박막 트랜지스터의 액티브층
1133, 1733: 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극
1134, 1734: 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극
1141: 데이터 라인
1142: 게이트 라인
1143: Vdd 전압 공급 라인
1550, 1750: 금속층
1660: 광 차단층
1170: 애노드
1100, 1300, 1400, 1500, 1600, 1700: 유기 전계 발광 표시 장치
SC1: 제1 저장 커패시터
SC2: 제2 저장 커패시터
SC3: 제3 저장 커패시터
SC4: 제4 저장 커패시터110: substrate
120, 420:
130: GIP circuit section
140: COF
150: printed circuit board
100, 400: organic electroluminescence field display device
P1: first pixel
EA1: emission area of the first pixel
DA1: element region of the first pixel
TA1: Transmission region of the first pixel
P2: second pixel
EA2: emission area of the second pixel
DA2: element region of the second pixel
TA2: Transmission region of the second pixel
GL: gate line
DL: Data line
VDDL: Vdd voltage supply line
SW1: first switching thin film transistor
SW2: second switching thin film transistor
DR1: first driving thin film transistor
DR2: second driving thin film transistor
SC1: first storage capacitor
SC2: Second storage capacitor
EL1: First organic light emitting element
EL2: second organic light emitting element
1110: substrate
1111: buffer layer
1112, 1712: Gate insulating layer
1113, 1713: interlayer insulating layer
1114, 1714: etch stopper
1515, 1715: Passivation layer
1120, 1320, 1420, 1520, 1720: switching thin film transistor
1121 and 1721: gate electrodes of switching thin film transistors
1122, 1322, 1422, and 1722: an active layer of a switching thin film transistor
1123 and 1723: the drain electrode of the switching thin film transistor
1524, and 1724: the source electrode of the switching thin film transistor
1130, 1330, 1430, and 1730: a driving thin film transistor
1131, 1331, 1431, and 1731: gate electrodes of the driving thin film transistors
1132, 1732: the active layer of the driving thin film transistor
1133 and 1733: the drain electrode of the driving thin film transistor
1134, and 1734: source electrodes of the driving thin film transistors
1141: Data line
1142: gate line
1143: Vdd voltage supply line
1550, 1750: metal layer
1660: light blocking layer
1170: anode
1100, 1300, 1400, 1500, 1600, and 1700: organic electroluminescent display device
SC1: first storage capacitor
SC2: Second storage capacitor
SC3: Third storage capacitor
SC4: fourth storage capacitor

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 형성되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 기판 상에 형성되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 구동 박막 트랜지스터;
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 하나의 전극으로 하는 제1 저장 커패시터; 및
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나를 하나의 전극으로 하는 제2 저장 커패시터를 포함하고,
상기 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 상기 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층 또는 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터이고,
상기 구동 박막 트랜지스터는 LTPS 박막 트랜지스터인, 유기 전계 발광 표시 장치.Board;
A switching thin film transistor formed on the substrate and having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A driving thin film transistor formed on the substrate and having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A first storage capacitor having the active layer of the driving thin film transistor as one electrode; And
And a second storage capacitor having one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor as one electrode,
The other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are the active layer of the switching thin film transistor or the gate electrode of the driving thin film transistor,
Wherein the switching thin film transistor is an oxide semiconductor thin film transistor,
Wherein the driving thin film transistor is an LTPS thin film transistor. 제1항에 있어서,
상기 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 상기 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 모두는 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층인, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are both active layers of the switching thin film transistor. 제2항에 있어서,
상기 기판 상에 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고,
상기 게이트 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고,
상기 층간 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 상기 에치 스토퍼 상에서 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성된, 유기 전계 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
An active layer of the driving thin film transistor is formed on the substrate,
A gate insulating layer is formed to cover the active layer of the driving thin film transistor,
A gate electrode of the switching thin film transistor and a gate electrode of the driving thin film transistor are formed on the gate insulating layer,
An interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor,
An active layer of the switching thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer so as to overlap an active layer of the driving thin film transistor,
An etch stopper is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor,
Wherein one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor is formed to overlap an active layer of the switching thin film transistor on the etch stopper. 제1항에 있어서,
상기 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 및 상기 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극 모두는 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극인, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the other electrode of the first storage capacitor and the other electrode of the second storage capacitor are gate electrodes of the driving thin film transistor. 제4항에 있어서,
상기 기판 상에 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고,
상기 게이트 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연막이 형성되고,
상기 층간 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 상기 에치 스토퍼 상에서 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하도록 형성된, 유기 전계 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
An active layer of the driving thin film transistor is formed on the substrate,
A gate insulating layer is formed to cover the active layer of the driving thin film transistor,
A gate electrode of the switching thin film transistor and a gate electrode of the driving thin film transistor are formed on the gate insulating layer,
Wherein a gate electrode of the driving thin film transistor overlaps an active layer of the driving thin film transistor,
An interlayer insulating film is formed to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor,
An active layer of the switching thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer,
An etch stopper is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor,
Wherein one of the source electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor is formed on the etch stopper so as to overlap the gate electrode of the driving thin film transistor. 제1항에 있어서,
상기 제1 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이고,
상기 제2 저장 커패시터의 다른 하나의 전극은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층인, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The other electrode of the first storage capacitor is a gate electrode of the driving thin film transistor,
And the other electrode of the second storage capacitor is an active layer of the switching thin film transistor. 제6항에 있어서,
상기 기판 상에 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고,
상기 게이트 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고,
상기 층간 절연층 상에서 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 상기 에치 스토퍼 상에서 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 중첩하도록 형성된, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 6,
An active layer of the driving thin film transistor is formed on the substrate,
A gate insulating layer is formed to cover the active layer of the driving thin film transistor,
A gate electrode of the switching thin film transistor and a gate electrode of the driving thin film transistor are formed on the gate insulating layer,
Wherein a gate electrode of the driving thin film transistor overlaps an active layer of the driving thin film transistor,
An interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor,
An active layer of the switching thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer,
An etch stopper is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor,
Wherein one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor is formed to overlap an active layer of the switching thin film transistor on the etch stopper. 제7항에 있어서,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층과 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 전기적으로 연결된, 유기 전계 발광 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the active layer of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor are electrically connected to each other. 제1항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나를 하나의 전극으로 하고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 금속층을 다른 하나의 전극으로 하는 제3 저장 커패시터를 더 포함하는, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a third storage capacitor having one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor as one electrode and the metal layer electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of the switching thin film transistor as another electrode And the organic electroluminescent display device. 제1항에 있어서,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로 향하는 광을 가려주는 광 차단층을 더 포함하는, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a light blocking layer for shielding light directed toward the active layer of the switching thin film transistor and the active layer of the driving thin film transistor. 제10항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 하나의 전극으로 하고, 상기 광 차단층을 다른 하나의 전극으로 하는 제4 저장 커패시터를 더 포함하는, 유기 전계 발광 표시 장치.11. The method of claim 10,
Further comprising a fourth storage capacitor having the active layer of the driving thin film transistor as one electrode and the light blocking layer as another electrode. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a buffer layer formed between the substrate and the active layer of the driving thin film transistor. 제1항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 기판으로부터 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 코플래너(Coplanar) 구조인, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the driving thin film transistor is a Coplanar structure in which an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode are stacked in this order from the substrate. 제1항에 있어서,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 기판으로부터 게이트 전극, 액티브층, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조인, 유기 전계 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the switching thin film transistor is a bottom gate structure in which a gate electrode, an active layer, and a source electrode and a drain electrode are stacked in this order from the substrate. 기판;
상기 기판 상에 형성되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 기판 상에 형성되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 구동 박막 트랜지스터;
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 금속층;
상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 하나의 전극으로 하고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 다른 하나의 전극으로 하는 제1 저장 커패시터; 및
상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나를 하나의 전극으로 하고, 상기 금속층을 다른 하나의 전극으로 하는 제2 저장 커패시터를 포함하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 LTPS 반도체 박막 트랜지스터이고,
상기 구동 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터인, 유기 전계 발광 표시 장치.Board;
A switching thin film transistor formed on the substrate and having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A driving thin film transistor formed on the substrate and having a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A metal layer electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of the switching thin film transistor;
A first storage capacitor having the gate electrode of the driving thin film transistor as one electrode and the active layer of the driving thin film transistor as another electrode; And
And a second storage capacitor having one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor as one electrode and the metal layer as another electrode,
Wherein the switching thin film transistor is an LTPS semiconductor thin film transistor,
Wherein the driving thin film transistor is an oxide semiconductor thin film transistor. 제15항에 있어서,
상기 기판 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층이 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 게이트 절연층이 형성되고,
상기 게이트 절연층 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층이 형성되고,
상기 층간 절연층 상에서 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층이 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하도록 형성되고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 덮도록 에치 스토퍼가 형성되고,
상기 금속층은 상기 에치 스토퍼 상에 형성된 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 중첩하도록 형성된, 유기 전계 발광 표시 장치.16. The method of claim 15,
An active layer of the switching thin film transistor is formed on the substrate,
A gate insulating layer is formed to cover the active layer of the switching thin film transistor,
A gate electrode of the switching thin film transistor and a gate electrode of the driving thin film transistor are formed on the gate insulating layer,
An interlayer insulating layer is formed so as to cover the gate electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor,
Wherein an active layer of the driving thin film transistor is formed on the interlayer insulating layer so as to overlap a gate electrode of the driving thin film transistor,
An etch stopper is formed to cover the active layer of the driving thin film transistor,
The metal layer is electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of the switching thin film transistor formed on the etch stopper, and overlaps with one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor. 제15항에 있어서,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 기판으로부터 액티브층, 게이트 전극 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 코플래너 구조인, 유기 전계 발광 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the switching thin film transistor is a coplanar structure in which an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode are stacked in this order from the substrate. 제15항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 기판으로부터 게이트 전극, 액티브층, 및 소스 전극 및 드레인 전극 순서로 적층된 바텀 게이트 구조인, 유기 전계 발광 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the driving thin film transistor is a bottom gate structure formed by stacking a gate electrode, an active layer, and a source electrode and a drain electrode in this order from the substrate.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3503187A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-26 LG Display Co., Ltd. Display device
KR20190113757A (en) * 2018-03-28 2019-10-08 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 Array Boards, Display Panels, and Display Devices
KR20200045100A (en) * 2018-10-22 2020-05-04 엘지디스플레이 주식회사 Thin film trnasistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same
WO2022179142A1 (en) * 2021-02-24 2022-09-01 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and manufacturing method therefor, and display device

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102330860B1 (en) * 2015-10-05 2021-11-25 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device And Driving Method Of The Same
KR102567318B1 (en) * 2015-12-30 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor, display device having built-in gate driver using the same
KR20180004370A (en) 2016-07-01 2018-01-11 삼성디스플레이 주식회사 Pixel and stage circuit and organic light emitting display device having the pixel and the stage circuit
KR102561294B1 (en) 2016-07-01 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 Pixel and stage circuit and organic light emitting display device having the pixel and the stage circuit
KR102617314B1 (en) * 2016-07-07 2023-12-21 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor and organic light emitting display device including the same
KR20180025354A (en) 2016-08-29 2018-03-09 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and method of manufacturing the same
JP6698486B2 (en) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
KR102571610B1 (en) 2017-02-13 2023-08-30 삼성디스플레이 주식회사 Semiconductor device and method for fabricating the same
KR20180098442A (en) 2017-02-24 2018-09-04 삼성디스플레이 주식회사 Pixel and organic light emitting display device having the pixel
KR102347796B1 (en) * 2017-05-31 2022-01-07 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescence display
KR102339644B1 (en) 2017-06-12 2021-12-15 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescence display
KR102358573B1 (en) 2017-09-15 2022-02-04 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR102480481B1 (en) 2017-09-22 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
KR20180058673A (en) * 2018-04-24 2018-06-01 포항공과대학교 산학협력단 3d sram core cell having vertical stacking structure and core cell assembly compring the same
US10490128B1 (en) * 2018-06-05 2019-11-26 Apple Inc. Electronic devices having low refresh rate display pixels with reduced sensitivity to oxide transistor threshold voltage
KR102596361B1 (en) * 2018-11-26 2023-10-30 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor and display apparatus comprising the same
KR102199338B1 (en) * 2019-09-04 2021-01-06 연세대학교 산학협력단 Driving Transistor in AMOLED Display Using LTPO Technology

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130015448A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Chao-Shun Yang Semiconductor device and electroluminescent device and method of making the same
US20130168666A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Industrial Technology Research Institute Semiconductor device and method of forming the same
US20130280858A1 (en) * 2008-12-05 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659053B1 (en) * 2004-05-21 2006-12-18 삼성에스디아이 주식회사 Organic electro-luminescent display device
JP4581759B2 (en) * 2005-03-14 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, IMAGE FORMING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
KR101073301B1 (en) * 2009-07-15 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic Light emitting Display device and fabrication method thereof
KR101711870B1 (en) * 2009-12-23 2017-03-06 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor, manufacturing method thereof and display substrate using the thin film transistor
KR101680768B1 (en) * 2010-12-10 2016-11-29 삼성전자주식회사 Transistor and electronic device including the same
KR20130089044A (en) * 2012-02-01 2013-08-09 삼성디스플레이 주식회사 Semiconductor device and flat panel display device having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130280858A1 (en) * 2008-12-05 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130015448A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Chao-Shun Yang Semiconductor device and electroluminescent device and method of making the same
US20130168666A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Industrial Technology Research Institute Semiconductor device and method of forming the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3503187A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-26 LG Display Co., Ltd. Display device
US11417867B2 (en) 2017-12-19 2022-08-16 Lg Display Co., Ltd. Display device
KR20190113757A (en) * 2018-03-28 2019-10-08 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 Array Boards, Display Panels, and Display Devices
US11094766B2 (en) 2018-03-28 2021-08-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display device
KR20200045100A (en) * 2018-10-22 2020-05-04 엘지디스플레이 주식회사 Thin film trnasistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same
WO2022179142A1 (en) * 2021-02-24 2022-09-01 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and manufacturing method therefor, and display device

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Publication number Publication date
KR20150100459A (en) 2015-09-02
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KR101672091B1 (en) 2016-11-02
KR20150100462A (en) 2015-09-02

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