KR20160070096A - Carbon nano tube thin film transistor, amoled pixel flexible drive circuit and manufacturing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄소나노튜브 박막 트랜지스터, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로 및 그 제조방법에 대한 것으로서, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로는 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함하되, 상기 스위칭 TFT와 상기 구동 TFT는 기판; 및 상기 기판에 형성되는 게이트, 소스, 드레인, 능동 도전층과 유전체층을 포함하되, 상기 능동 도전층은 탄소나노튜브이다. 상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동 TFT의 게이트는 전기적으로 연결된다. 본 발명에서의 탄소나노튜브 박막 트랜지스터는 비교적 큰 전이율과 비교적 높은 스위칭 비율을 갖으며, OLED 픽셀 발광을 위한 조건을 충분히 만족시킨다. 본 발명에 의해 플렉서블 기판에 AMOLED 픽셀 구동회로를 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 공정이 간단하고, 조작이 편리하며, 비용이 적고, 중복성이 좋으며, 대규모 생산이 가능하게 되었으며, 큰 면적으로 플렉서블 디스플레이 장치를 프린팅할 수 있는 기초를 제공한다.The present invention relates to a carbon nanotube thin film transistor, an AMOLED pixel flexible driving circuit, and a method of manufacturing the same, wherein the AMOLED pixel flexible driving circuit includes a switching TFT and a driving TFT, wherein the switching TFT and the driving TFT comprise a substrate; And A gate, a source, a drain, an active conductive layer and a dielectric layer formed on the substrate, wherein the active conductive layer is a carbon nanotube. The drain of the switching TFT and the gate of the driving TFT are electrically connected. The carbon nanotube thin film transistor of the present invention has a relatively high transition ratio and a relatively high switching ratio, and sufficiently satisfies the conditions for OLED pixel emission. The present invention not only realizes an AMOLED pixel driver circuit on a flexible substrate, but also simplifies the process, is easy to operate, has low cost, has good redundancy, can be mass-produced, Provides the basis for printing.

Description

탄소나노튜브 박막 트랜지스터, AMOLED 픽셀 유닛 플렉서블 구동회로 및 그 제조방법 {CARBON NANO TUBE THIN FILM TRANSISTOR, AMOLED PIXEL FLEXIBLE DRIVE CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a carbon nanotube thin film transistor, an AMOLED pixel unit, a flexible driving circuit, and a manufacturing method thereof. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 모니터에 관한 것으로서, 특히 탄소 나노튜브 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, AMOLED 픽셀 유닛 플렉서블(flexible) 구동회로 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a monitor, and more particularly, to a carbon nanotube thin film transistor, a manufacturing method thereof, an AMOLED pixel unit flexible driving circuit, and a manufacturing method thereof.

일반적인 평판 스크린은 디스플레이 픽셀과 구동 회로의 두 가지 기본적인 부분으로 구성된다. 액정 디스플레이에서, 디스플레이 픽셀은 액정 원료를 주입하는 셀 어레이(cell array)이다. 구동 회로는 각 픽셀의 온,오프(발광, 반전)을 제어하는 트랜지스터 회로이다. 유기발광 다이오드（Organic Light Emitting Diode，OLED）는고휘도, 높은 콘트라스트, 초경량 초박형, 넓은 시각, 빠른 응답, 낮은 전력소모, 전고체상태(all solid state) 등의 우수한 장점이 있다. 이에 따라, 평판 디스플레이 제품 중에서 상당한 주목을 받고 있으며, LCD를 대체할 만한 디스플레이 디바이스로 가장 가능성이 높다. 그 구동회로는 LCD와 동일하며, 패시브식 구동과액티브식 구동（Active Matrix Organic Light Emitting Diode， AMOLED）으로 나뉜다. AMOLED 디스플레이 장치의 픽셀 구동 회로는 보통 TFT（Thin Film Transistor，박막 트렌지스터）를 이용하여, 두 개의 TFT를 포함하고, 출력 전류가 안정을 유지하도록 커패시터 하나가 더 추가되기도 하며 이 중 하나는 스위칭 TFT（Switching TFT）로, 다른 하나는 구동 TFT（Driving TFT）로 작용한다. 주사선(scanning line)이 켜질 때는 스위칭 TFT의 게이트쪽에 일정한 전압을 가하고, 전류는 게이트로부터 드레인쪽으로 흘러 전도성 링크를 거쳐 구동 TFT로 전송되어 구동 TFT가 도통되게 한다. 또한, 전류가 게이트로부터 드레인쪽으로 흘러 구동 TFT가 외부로 일정한 전류를 내보낼 수 있게 되고, 이로써 구동 OLED 픽셀 유닛이 외부로 발광할 수 있게 된다. 전류의 출력을 고정적으로 유지하기 위해 구동 TFT와 저장성 커패시터 한 개를 연결하여, 구동 TFT가 작동할 때 커패시터가 충전되고, 주사선이 꺼질 때 커패시터에 저장된 전압은 구동 TFT가 여전히 도통 상태를 유지할 수 있도록 하여, 하나의 화면 안에서 OLED 전류가 고정적으로 유지할 수 있게 된다. A typical flat screen consists of two basic parts: a display pixel and a driving circuit. In a liquid crystal display, a display pixel is a cell array for injecting a liquid crystal raw material. The driving circuit is a transistor circuit for controlling ON / OFF (light emission, inversion) of each pixel. Organic light emitting diodes (OLEDs) have excellent advantages such as high brightness, high contrast, ultra light and ultra thin, wide viewing angle, fast response, low power consumption, and all solid state. As a result, it has attracted considerable attention among flat panel display products, and it is most likely to be a display device to replace LCD. The driving circuit is the same as LCD, and is divided into passive driving and active driving (Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED). A pixel driving circuit of an AMOLED display device usually uses a TFT (Thin Film Transistor), and includes two TFTs, and one capacitor is further added so that an output current stays stable. One of them is a switching TFT Switching TFT), and the other serves as a driving TFT (Driving TFT). When a scanning line is turned on, a constant voltage is applied to the gate of the switching TFT, and current flows from the gate to the drain and is transmitted to the driving TFT through the conductive link to make the driving TFT conductive. In addition, a current flows from the gate to the drain so that the driving TFT can emit a constant current to the outside, whereby the driving OLED pixel unit can emit light to the outside. In order to keep the output of the current constant, one of the driving TFT and the storage capacitor is connected so that the capacitor is charged when the driving TFT is operated, and the voltage stored in the capacitor when the scanning line is turned off, So that the OLED current can be held constant in one screen.

AMOLED에 사용되는 TFT 액티브 재료(active material)는 여러 종류가 있는데, 이 중에서 비결정질 실리콘（α-Si）과 다결정 실리콘（Poly-Si） 두 가지가 가장 광범위하게 연구되는 것이고 그 외에 유기재료(예를 들어 펜타센 등), 단결정 규소, 마이크로 결정 규소 등이 있다. 평판 디스플레이 픽셀 구동 회로가 다르면 요구되는 트랜지스터의 성능도 다른데, 컬러 패시브 디스플레이 픽셀의 구동 회로의 전이율은 0.5 cm2V-1s-1 가 될 필요가 있고, 컬러 액티브AMOLED 디스플레이의 전이율은 2cm2V-1s-1이상일 필요가 있다. 비결정질 실리콘은 원가가 낮고 공정이 간단하나, 전이율이 낮아 OLED 발광 조건을 만족시킬 수가 없다. 다결정 실리콘은 공정이 복잡하고, 입자 주입이나 레이저 결정화 등이 복잡한 설비에 한정된다. 그 외에도, 디스플레이 픽셀의 재료 성질의 측면에서 고려하면, 어떠한 디스플레이 방식이든지 모두 유연성을 달성한다. 그러나, 픽셀 구동 회로의 트랜지스터는 줄곧 다결정 실리콘 또는 비결정질 실리콘을 재료로 했는데, 이러한 재료는 플라스틱 등의 유연한 재료상에는 증착이 어렵고, 증착되더라도 그 유연성을 보장하기 어렵다.There are many kinds of TFT active materials used in AMOLED. Of these, amorphous silicon (α-Si) and polycrystalline silicon (Poly-Si) are studied extensively. In addition, organic materials Pentacene, etc.), monocrystalline silicon, microcrystalline silicon, and the like. If the flat panel display pixel drive circuitry is different, the performance of the required transistor is different, the transfer rate of the drive circuit of the color passive display pixel needs to be 0.5 cm 2 V -1 s -1 and the transfer rate of the color active AMOLED display is 2 cm 2 V -1 s -1 or more. Amorphous silicon has a low cost and a simple process, but its transfer ratio is low, so it can not satisfy OLED emission conditions. The polycrystalline silicon is complicated in the process, and is limited to complex facilities such as particle injection and laser crystallization. In addition, in view of the material properties of the display pixels, any display method achieves flexibility. However, the transistors of the pixel drive circuit have always been made of polycrystalline silicon or amorphous silicon, which is difficult to deposit on a flexible material such as plastic, and it is difficult to ensure its flexibility even when deposited.

본 발명의 목적은 탄소 나노튜브 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로 및 그 제조방법을 제공함으로서, 종래기술에서 트랜지스터의 전이율이 낮고 OLED 발광을 위한 조건을 만족시키지 못한다는 점, 종래기술에서의 능동층 재료가 유연성 재료 위에 증착되기 어렵거나 또는 유연화를 보장할 수 없다는 문제들을 해결하고자 하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a carbon nanotube thin film transistor, a method of manufacturing the same, an AMOLED pixel flexible driving circuit, and a method of manufacturing the same, so that the transfer ratio of the transistor is low and the condition for OLED light emission can not be satisfied. The problem is that the active layer material in the technique is difficult to deposit on the flexible material or that the flexibility can not be guaranteed.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다음과 같은 기술적 방안을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides the following technical solutions.

본 발명은 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에 대한 것으로서, 기판; 및 상기 기판에 형성되는 게이트, 소스, 드레인, 능동 도전층과 유전체층을 포함하되, 상기 능동 도전층은 탄소나노튜브이다.The present invention relates to a carbon nanotube thin film transistor, comprising: a substrate; And A gate, a source, a drain, an active conductive layer and a dielectric layer formed on the substrate, wherein the active conductive layer is a carbon nanotube.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 기판은 플렉서블 기판이고, 상기 플렉서블 기판의 재질은 PET, PEN 또는 PI에서 선택된다.In particular, in the carbon nanotube thin film transistor, the substrate is a flexible substrate, and the material of the flexible substrate is selected from PET, PEN, or PI.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 소스와 드레인 사이에 채널 영역이 형성되고, 상기 능동 도전층은 상기 채널 영역 내에 위치하며, 상기 게이트는 상기 채널 영역의 위쪽에 위치한다. In particular, in the carbon nanotube thin film transistor, a channel region is formed between the source and the drain, the active conductive layer is located within the channel region, and the gate is located above the channel region.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 유전체층의 재료는 산화알루미늄, 산화하프늄, 이온아교 유전재료, 불소 중합체, 불소 중합체와 그래핀, 그래핀 산화물, 할로겐 그래핀과 탄소나노튜브의 복합유전재료 또는 전해질유전재료로부터 선택된다.Particularly, in the carbon nanotube thin film transistor, the material of the dielectric layer is preferably a composite dielectric material of aluminum oxide, hafnium oxide, ionic glue dielectric material, fluoropolymer, fluoropolymer and graphene, graphene oxide, halogen graphene and carbon nanotube Or an electrolyte dielectric material.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 게이트, 소스 및 드레인의 재질은 금, 은, 그래핀, 탄소나노튜브, ITO 또는 PEDOT에서 선택된다. Particularly, in the carbon nanotube thin film transistor, the material of the gate, the source, and the drain is selected from gold, silver, graphene, carbon nanotube, ITO, or PEDOT.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 기판의 재질은 PET, PEN 또는 PI에서 선택된다.In particular, in the carbon nanotube thin film transistor, the material of the substrate is selected from PET, PEN, or PI.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 탄소나노튜브는 농축된 대(大)직경 반도체 탄소나노튜브로서, 그 제조방법은, 0 이하의 온도조건에서, 직경이 1.3~2nm인 탄소나노튜브를 중합체를 함유한 유기용액에 분산시켜, 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액을 얻는 단계; 및 탄소나노튜브 용액에 대해 원심 처리를 진행하되 원심 속도는 10000g보다 크고, 원심 시간은 30 min~120min 사이로서, 상층 표면에 뜨는 액채를 분리해 내어, 농축된 대직경 반도체 탄소나노튜브를 얻는 단계를 포함한다. Particularly, in the carbon nanotube thin film transistor, the carbon nanotube is a concentrated large-diameter semiconductor carbon nanotube. The production method thereof includes a step of forming a carbon nanotube having a diameter of 1.3 to 2 nm Dispersing the carbon nanotube solution in an organic solution containing a polymer to obtain a uniform and uniform carbon nanotube solution; And carbon nanotube solution, centrifugal treatment is carried out at a centrifugal speed of more than 10000 g and a centrifugal time is between 30 min and 120 min. Separating the supernatant from the upper layer surface to obtain concentrated large diameter semiconductor carbon nanotubes .

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액이 중합체를 함유하는 농도는 0.0001-5 wt %로 제어되고; 상기 중합체는 폴리티오펜 유도체, 폴리플루오렌 및/또는 폴리플루오렌 유도체, 폴리카바졸 및/또는 폴리카바졸 유도체, 폴리벤젠아세틸렌 유도체 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 포함한다. In particular, in the carbon nanotube thin film transistor, the concentration of the dispersed uniform carbon nanotube solution containing the polymer is controlled to 0.0001-5 wt%; The polymer includes any one or a combination of two or more of polythiophene derivatives, polyfluorene and / or polyfluorene derivatives, polycarbazole and / or polycarbazole derivatives, and polybenzene acetylene derivatives.

또한, 본 발명은 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 제조하는 방법을 공개하는데, 이는 The present invention also discloses a method of manufacturing a carbon nanotube thin film transistor,

a. 상기 기판에 전자속, 열증발 또는 프린팅을 통해(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)하여 소스와 드레인을 제조하는 단계; a. Fabricating a source and a drain on the substrate by electron flow, thermal evaporation, or printing (including inkjet printing, nanometer eutectic, open reel method, intaglio printing, aerosol jet printing, and other printing methods);

b. 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계; b. Forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;

c. 상기 기판의 표면에 스핀 코팅, 원자층 증착(ALD), 화학기상증착, 마그네트론 스퍼터링 또는 프린팅(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)등의 방식으로 유전체층을 증착시키는 단계; 및 c. (ALD), chemical vapor deposition, magnetron sputtering, or printing (including inkjet printing, nanometer esters, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, and other printing methods) Depositing a dielectric layer in such a manner as to form a dielectric layer; And

d. 상기 채널 영역의 위쪽에 프린팅 방식을 통해 (잉크젯 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 및 그 외 인쇄 방법을 포함)게이트를 제조하는 단계;를 포함한다. d. Forming a gate over the channel region (including inkjet printing, aerosol spray printing, open reel method, intaglio printing, and other printing methods) by a printing method.

본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 공개하는데, 이는 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함하되, 상기 스위칭 TFT와 상기 구동 TFT는 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 이용하며, 상기 스위칭 TFT의 드레인은 상기 구동 TFT의 게이트에 전기적으로 연결된다. The present invention also discloses an AMOLED pixel flexible driver circuit comprising a switching TFT and a driving TFT, wherein the switching TFT and the driving TFT use the carbon nanotube thin film transistor, and the drain of the switching TFT is connected to the driving TFT As shown in FIG.

특히, 상기 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로에서는, 상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동 TFT의 게이트는 서로 동일한 층이 연결된다. Particularly, in the AMOLED pixel flexible driving circuit, the drain of the switching TFT and the gate of the driving TFT are connected to the same layer.

또한, 본 발명은 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로의 제조 방법을 공개하는데, 이는 The present invention also discloses a method of manufacturing an AMOLED pixel flexible driver circuit,

S1: 상기 기판에 전자속, 열증발 또는 프린팅을 통해(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)하여 스위칭 TFT와 구동 TFT의 소스와 드레인을 각각 제조하는 단계;S1: a source and a drain of a switching TFT and a driving TFT are formed on the substrate by electron flow, thermal evaporation or printing (including inkjet printing, nanometer etching, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, Drain, respectively;

S2: 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계;S2: forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;

S3: 상기 기판의 표면에 스핀 코팅, 원자층 증착(ALD), 화학기상증착, 마그네트론 스퍼터링 또는 프린팅(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)등의 방식으로 유전체층을 증착시키는 단계;S3: The surface of the substrate is subjected to spin coating, atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition, magnetron sputtering or printing (inkjet printing, nanometer escape, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, Depositing a dielectric layer in such a manner as to form a dielectric layer;

S4: 상기 채널 영역의 위쪽에 프린팅 방식을 통해 (잉크젯 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 및 그 외 인쇄 방법을 포함)게이트를 제조하여 두 개의 독립적인 트랜지스터 소자인 스위칭 TFT와 구동 TFT를 얻어내는 단계; 및S4: A gate is formed above the channel region (including ink jet printing, aerosol injection printing, open reel method, intaglio printing, and other printing methods) through a printing method, and two independent transistor elements, Obtaining a TFT; And

S5: 상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동회로의 TFT의 게이트를 전기적으로 연결하고, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 얻어내는 단계;를 포함한다. S5: electrically connecting the drain of the switching TFT to the gate of the TFT of the driving circuit, and obtaining an AMOLED pixel flexible driving circuit.

본 발명은 종래 기술에 비해 다음과 같은 장점이 있다:The present invention has the following advantages over the prior art:

(1) 능동 전도층이 용액화된 반도체 탄소나노튜브로서, 프린팅 방식을 통해 구동회로의 TFT를 보다 편리하게 제조하게 되고, 플렉서블 디스필레이 픽셀의 제조와 통합되어, 큰 면적을 플렉서블 디스플레이 장치로 프린팅할 수 있다. (One) As a semiconductor carbon nanotube in which an active conduction layer is dissolved, a TFT of a driving circuit is more conveniently manufactured through a printing method, and it is integrated with the manufacture of a flexible display pixel, so that a large area can be printed with a flexible display device .

(2) TFT가 사용하는 탑 게이트 구조는 자기이력현상이 작고, 안정성이 높으며, 전력 소모가 적고, 작업 전압이 작으며, 10 cm2V-1s-1이상의 전이율을 구비하며, 출력 전류도 10-4A이상으로서, OLED 발광 조건을 만족시킬 뿐만 아니라, 스위칭TFT와 구동 TFT의 동일한 층이 연결되도록 실현하여 회로가 층을 벗어나 연결되는 문제를 방지할 수 있다.(2) The top gate structure used by the TFT has a small hysteresis, a high stability, a low power consumption, a small working voltage, a transfer ratio of 10 cm 2 V -1 s -1 or more, 10 -4 a or more a, as well as to meet the OLED light-emitting conditions, has to be realized with the same layer of a switching TFT and a driving TFT connected to the circuit to avoid the problem that the outside layer connection.

본 발명의 실시예 또는 종래기술에서의 기술 방안을 보다 명확하게 설명하도록 하기 위해, 이하에서는 실시예 또는 종래기술에서 설명하는데 필요한 도면에 대해 간단하게 설명할 것이며, 분명하게도, 이하에서 설명하는 도면은 단지 본 발명에서 기재하는 일 실시예일 뿐이고, 본 기술 영역의 통상의 기술자가 창조적인 노력을 들이지 않는 범위 안에서 본 도면을 통해 다른 실시 형태까지도 설명할 수 있는 것으로 보아야 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to more clearly explain the embodiments of the present invention or the technical solutions in the prior art, a brief description will be given below of the drawings required for describing the embodiments or the prior art, It is to be understood that other embodiments may be devised by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the invention as set forth in the following claims.

도 1은 본 발명의 구체적 실시예에서 장효과 트랜지스터의 박막 트랜지스터를 나타내는 구조 단면도이다.
도 2는 본 발명의 구체적 실시예에서 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로의 조감도이다.
도 3의 a), b)는 본 발명의 실시예에서 제조하여 얻어내는 단일의 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 측정한 그래프이고, c), d), e), f)는 구동회로의 전기적 특성을 측정한 그래프이다.1 is a structural cross-sectional view showing a thin film transistor of a field effect transistor in a specific embodiment of the present invention.
2 is a bird's-eye view of an AMOLED pixel flexible driving circuit in a specific embodiment of the present invention.
3 (a) and 3 (b) are graphs showing electrical characteristics of a single thin film transistor fabricated and manufactured in an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 c), 3 d), 3 e) and 3 f) FIG.

다량의 실험 결과를 통해, 본 발명의 탄소나노튜브는 능동층의 무기박막 트랜지스터 소자가 OLED 발광을 위한 기본적인 요구조건을 잘 충족함을 임증하였다. 또한, 본 발명에서 사용하는 중합체 분리된 반도체 대(大)직경 반도체 탄소나노튜브의 성능이 상당히 향상되어 실리콘 반도체 트랜지스터와 비교해도 뒤지지 않는다. 탄소나노튜브 도전재료는 용액화가 가능하여, 프린팅 방식으로 플렉서블 구동 회로를 제조할 수 있으며, 이에 따라 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 또는 실린더 프린팅 방식으로 용액화된 탄소나노튜브를 플렉서블 기질 재료상에 증착하여, 종래의 도안화 공정방식을 사용하지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명은 플렉서블 구동회로와 플렉서블 디스플레이 부품을 함께 통합하여 프린팅 방식을 이용하여 큰 면적을 제조할 수 있어, 제조 원가를 상당히 낮추고, 적용 분야를 보다 빠르게 늘릴 수 있다. From a large amount of experimental results, the carbon nanotubes of the present invention demonstrated that the inorganic thin film transistor element of the active layer satisfies the basic requirement for the OLED light emission well. In addition, the performance of polymer separated semiconductor (large) semiconductor carbon nanotubes used in the present invention is considerably improved, and is comparable to that of a silicon semiconductor transistor. The carbon nanotube conductive material can be dissolved and the flexible driving circuit can be manufactured by a printing method. Accordingly, carbon nanotubes dissolved by inkjet printing, screen printing or cylinder printing are deposited on a flexible substrate material, It is not necessary to use the patterning process of FIG. Therefore, the present invention can integrate the flexible driving circuit and the flexible display part together to manufacture a large area using the printing method, thereby significantly lowering the manufacturing cost and increasing the application field more quickly.

본 발명은 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에 대한 것으로서, 기판; 및 상기 기판에 형성되는 게이트, 소스, 드레인, 능동 도전층과 유전체층을 포함하되, 상기 능동 도전층은 탄소나노튜브이다.The present invention relates to a carbon nanotube thin film transistor, comprising: a substrate; And A gate, a source, a drain, an active conductive layer and a dielectric layer formed on the substrate, wherein the active conductive layer is a carbon nanotube.

상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터는 비교적 큰 전이율과 높은 스위칭비를 구비하고, OLED 픽셀 발광의 요구조건을 매우 잘 만족시킨다. The carbon nanotube thin film transistor has a relatively high transition ratio and a high switching ratio and satisfies the requirements of the OLED pixel emission very well.

특히, 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 소스와 드레인 사이에 채널 영역이 형성되고, 상기 능동 도전층은 상기 채널 영역 내에 위치하며, 상기 게이트는 상기 채널 영역의 위쪽에 위치한다. 탑 게이트 구조를 채용하여, 자기이력현상이 작고, 안정성이 높으며, 10 cm2V-1s-1이상의 전이율을 구비하며, 출력 전류도 10-4A이상으로서, OLED 발광 조건을 만족시킨다. In particular, in the carbon nanotube thin film transistor, a channel region is formed between the source and the drain, the active conductive layer is located within the channel region, and the gate is located above the channel region. It adopts top gate structure, has small self-hysteresis, high stability, has a transfer ratio of 10 cm 2 V -1 s -1 or more, and has an output current of 10 -4 A or more, thereby satisfying the OLED emission condition.

또한, 본 발명은 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 제조하는 방법을 공개하는데, 이는 The present invention also discloses a method of manufacturing a carbon nanotube thin film transistor,

a. 상기 기판에 전자속, 열증발 또는 프린팅을 통해(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)하여 소스와 드레인을 제조하는 단계; a. Fabricating a source and a drain on the substrate by electron flow, thermal evaporation, or printing (including inkjet printing, nanometer eutectic, open reel method, intaglio printing, aerosol jet printing, and other printing methods);

b. 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계; b. Forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;

c. 상기 기판의 표면에 스핀 코팅, 원자층 증착(ALD), 화학기상증착, 마그네트론 스퍼터링 또는 프린팅(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)등의 방식으로 유전체층을 증착시키는 단계; 및 c. (ALD), chemical vapor deposition, magnetron sputtering, or printing (including inkjet printing, nanometer esters, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, and other printing methods) Depositing a dielectric layer in such a manner as to form a dielectric layer; And

d. 상기 채널 영역의 위쪽에 프린팅 방식을 통해 (잉크젯 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 및 그 외 인쇄 방법을 포함)게이트를 제조하는 단계;를 포함한다. d. Forming a gate over the channel region (including inkjet printing, aerosol spray printing, open reel method, intaglio printing, and other printing methods) by a printing method.

본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 공개하는데, 이는 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함하되, 상기 스위칭 TFT와 상기 구동 TFT는 청구항 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 탄소나노튜브 박막트랜지스터을 이용하며, 상기 스위칭 TFT의 드레인은 상기 구동 TFT의 게이트에 전기적으로 연결된다. The present invention also discloses an AMOLED pixel flexible driving circuit comprising a switching TFT and a driving TFT, wherein the switching TFT and the driving TFT use the carbon nanotube thin film transistor according to any one of claims 1 to 8 , And the drain of the switching TFT is electrically connected to the gate of the driving TFT.

또한, 본 발명은 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로의 제조 방법을 공개하는데, 이는 The present invention also discloses a method of manufacturing an AMOLED pixel flexible driver circuit,

S1: 상기 기판에 전자속, 열증발 또는 프린팅을 통해(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)하여 스위칭 TFT와 구동 TFT의 소스와 드레인을 각각 제조하는 단계;S1: a source and a drain of a switching TFT and a driving TFT are formed on the substrate by electron flow, thermal evaporation or printing (including inkjet printing, nanometer etching, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, Drain, respectively;

S2: 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계;S2: forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;

S3: 상기 기판의 표면에 스핀 코팅, 원자층 증착(ALD), 화학기상증착, 마그네트론 스퍼터링 또는 프린팅(잉크젯 프린팅, 나노미터 에스탕프, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅 및 그 외 인쇄 방법을 포함)등의 방식으로 유전체층을 증착시키는 단계;S3: The surface of the substrate is subjected to spin coating, atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition, magnetron sputtering or printing (inkjet printing, nanometer escape, open reel printing, intaglio printing, aerosol jet printing, Depositing a dielectric layer in such a manner as to form a dielectric layer;

S4: 상기 채널 영역의 위쪽에 프린팅 방식을 통해 (잉크젯 프린팅, 에어로졸 분사 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 및 그 외 인쇄 방법을 포함)게이트를 제조하여 두 개의 독립적인 트랜지스터 소자인 스위칭 TFT와 구동 TFT를 얻어내는 단계; 및S4: A gate is formed above the channel region (including ink jet printing, aerosol injection printing, open reel method, intaglio printing, and other printing methods) through a printing method, and two independent transistor elements, Obtaining a TFT; And

S5: 상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동회로의 TFT의 게이트를 전기적으로 연결하고, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 얻어내는 단계;를 포함한다. S5: electrically connecting the drain of the switching TFT to the gate of the TFT of the driving circuit, and obtaining an AMOLED pixel flexible driving circuit.

이하에서는 본 발명의 실시예에와 도면을 결합하여 본 발명의 실시예에서의 기술적 방안에 대해 상세한 설명을 할 것이다. 물론 이하에서 설명하는 도면은 단지 본 발명에서 기재하는 일 실시예일 뿐이다. 본 발명의 실시예를 토대로, 본 기술 영역의 통상의 기술자가 창조적인 노력을 들이지 않는 범위 안에서 얻을 수 있는 다른 실시예들도 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 보아야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Of course, the drawings described below are merely one embodiment described in the present invention. On the basis of the embodiments of the present invention, other embodiments, which can be obtained by a person skilled in the art without departing from the creative efforts, should also be considered to be within the scope of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 발명의 최선 실시예에서, 탄소나노튜브 트랜지스터는 플렉서블한 기판(1), 기판(1)상에 형성되는 소스(2)와 드레인(3), 소스(2)와 드레인(3) 사이의 채널 구역 내에 형성되는 능동 도전층(4), 능동 도전층(4)의 위쪽에 형성되는 유전체층(5), 및 채널 구역의 위쫏에 위치하는 게이트(6)를 포함한다. 1, a carbon nanotube transistor includes a flexible substrate 1, a source 2 and a drain 3 formed on the substrate 1, a source 2 and a drain 3 formed on the substrate 1, An active conductive layer 4 formed in the channel region between the active layer 3 and the active layer 4, a dielectric layer 5 formed above the active conductive layer 4, and a gate 6 located above the channel region.

도 2를 참고하면, 본 발명의 최선 실시예에서, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로는 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함하되, 상기 스위칭 TFT와 상기 구동 TFT는 모두 도 1의 탄소나노튜브 박막트랜지스터을 이용하며, 상기 스위칭 TFT의 드레인(10)은 도전물질(20)을 통해 상기 구동 TFT의 게이트(30)에 전기적으로 연결되는데, 여기에서의 도전물질(20)은 은 나노 와이어, 은 나노 입자, 도전성 중합체 또는 다른 도전성 재료이다. Referring to FIG. 2, in the best mode of the present invention, the AMOLED pixel flexible driver circuit includes a switching TFT and a driving TFT, wherein both the switching TFT and the driving TFT use the carbon nanotube thin film transistor of FIG. 1, The drain 10 of the switching TFT is electrically connected to the gate 30 of the driver TFT via a conductive material 20 wherein the conductive material 20 is a silver nanowire, silver nanoparticle, Conductive material.

상기 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로의 제조 방법은 다음 단계들을 포함한다:The manufacturing method of the AMOLED pixel flexible driving circuit includes the following steps:

1) 플렉서블 PET 기판상에 Au를 증착하여, 스위칭 TFT와 구동 TFT의 소스 드레인 전도성 전극을 형성한다. 구체적으로, 여기에서의 소스 드레인 전도성 전극의 재료는 여러가지가 될 수 있는데, 예를 들어, Au，Cu，Ag, 그래핀, 탄소나노튜브일 수 있으며, 제조 방식은 전자빔 증발, 마그네트론 스퍼터링, 잉크젯 프린팅 및 에스탕프 등의 방식일 수 있다. 1) Au is deposited on the flexible PET substrate to form a source-drain conductive electrode of the switching TFT and the driving TFT. For example, the material of the source-drain conductive electrode may be Au, Cu, Ag, graphene, or carbon nanotube. The manufacturing method may be electron beam evaporation, magnetron sputtering, inkjet printing And E-tang.

2) 0 이하의 온도조건에서, 직경이 1.3~2nm인 탄소나노튜브를 중합체를 함유한 유기용액에 분산시켜, 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액을 얻는다; 그리고 탄소나노튜브 용액에 대해 원심 처리를 진행하되 원심 속도는 10000g보다 크고, 원심 시간은 30 min~120min 사이로서, 상층 표면에 뜨는 액채를 분리해 내어, 농축된 대직경 반도체 탄산나노튜브를 얻는다. 직경이 1.3~2nm인 탄소나노튜브는 특히 상업화된 대(大) 직경 P2 단일벽 탄소나노튜브(아크방전 방법으로 제조)를 사용한다; 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터에서, 상기 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액이 중합체를 함유하는 농도는 0.0001-5 wt %로 제어되고; 상기 중합체는 폴리티오펜 유도체, 폴리플루오렌 및/또는 폴리플루오렌 유도체, 폴리카바졸 및/또는 폴리카바졸 유도체, 폴리벤젠아세틸렌 유도체 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 포함한다.2) dispersing carbon nanotubes having a diameter of 1.3 to 2 nm in an organic solution containing a polymer at a temperature of not more than 0 to obtain a dispersed uniform carbon nanotube solution; Centrifugal treatment is applied to carbon nanotube solution, centrifugal speed is more than 10000g and centrifugation time is between 30 min and 120 min, and the liquid floating on the upper surface is separated to obtain concentrated large diameter semiconductor carbon nanotubes. Carbon nanotubes with diameters of 1.3 to 2 nm use especially commercialized large diameter P2 single wall carbon nanotubes (manufactured by arc discharge method); In the carbon nanotube thin film transistor, the concentration of the dispersed uniform carbon nanotube solution containing the polymer is controlled to 0.0001-5 wt%; The polymer includes any one or a combination of two or more of polythiophene derivatives, polyfluorene and / or polyfluorene derivatives, polycarbazole and / or polycarbazole derivatives, and polybenzene acetylene derivatives.

3) 잉크젯 프린팅, 에어로졸 프린팅, 첨지, 드롭 도포(滴)등의 방식으로, 잘 분리된 대 직경 반도체 탄소나노튜브를 소스 드레인 전극 사이의 채널에 증착한다. 구동 TFT의 출력 전류가 충분히 OLED 픽셀을 발광시킬 수 있도록 하기 위해 채널의 탄소 튜브 농도를 제어할 필요가 있는데, 기본적으로 매 1?m2 당 30에서 40개의 탄소나노튜브를 유지하고, 채널의 길이를 20?m로 했을 때, 전류는 10-4A이상이 될 수 있다. 3) A well-separated large-diameter semiconductor carbon nanotube is deposited on the channel between the source and drain electrodes in such a manner as inkjet printing, aerosol printing, peeling and drop application. It is necessary to control the carbon tube concentration of the channel so that the output current of the driving TFT can sufficiently emit the OLED pixel. Basically, it holds 30 to 40 carbon nanotubes per 1 m 2 , Is 20 m, the current can be 10 -4 A or more.

4) 120oC 온도에서, 원자층 증착을 통해 한 층 두께가 50nm인 산화 하프늄（HfOX）유전체층 재료를 증착하는데, 증착 온도와 증착 두께를 조절함으로써 유전제층이 누전되지 않고 능동층 재료의 도전성능에 영향이 없도록 보장한다; 또는 100nmAl2O3 및 다른 일정한 두께의 유전 재료를 증착한 것일 수 있다; 또는 프린팅을 통해 제조된 이온 아교 유전재료, 불소 중합체 및 불소 중합체와 그래핀, 그래핀 산화물, 할로겐 그래핀과 탄소나노튜브의 복합유전재료 또는 전해질유전재료일 수 있다.4) At a temperature of 120 ° C, a hafnium oxide (HfO x ) dielectric layer material with a thickness of 50 nm is deposited through atomic layer deposition. By adjusting the deposition temperature and deposition thickness, the dielectric layer can be prevented from shorting Ensure that performance is not affected; Or 100 nm Al 2 O 3 and other constant thickness dielectric materials; Or an ionic gluing dielectric material prepared by printing, a fluoropolymer and a composite dielectric material of fluorine polymer and graphene, graphene oxide, halogen graphene and carbon nanotube, or an electrolyte dielectric material.

5) 소드 드레인 전극 태널의 바로 위쪽에, 잉크젯 프린팅 또는 에어로졸 프린팅을 통해 도전성 은 나노입자를 프린팅하여 게이트를 형성하고, 120oC에서 90min 동안 열처리하여 은의 우수한 도전성을 보장한다. 5) Directly above the soddrain electrode tangent, the conductive silver nanoparticles are printed by inkjet printing or aerosol printing to form a gate and heat treated at 120 ° C for 90 min to ensure good conductivity of silver.

도 3의 a)와 b)는 획득한 단일 트랜지스터의 전기적 성능에 대한 것으로서, 트랜지스터의 전류가 5?10-4A까지 용이하게 도달함을 볼 수 있고, 스위칭 비도 10-3이상으로서 OLED 픽셀 발광을 위한 조건을 만족시킬 수 있다. Figures 3 (a) and 3 (b) illustrate the electrical performance of the obtained single transistor and show that the current of the transistor easily reaches 5? 10 -4 A, and the switching ratio is 10 -3 or higher. Can be satisfied.

6) 스위칭 TFT의 드레인과 구동 TFT의 게이트 사이에 도전성 은 나노 입자 또는 다른 도전성 재료를 프린팅하되, 120oC에서 90min 동안 열처리하여 은의 우수한 도전성을 보장하고, 스위칭 TFT와 구동 TFT를 연결한다. 6) Conductive silver nanoparticles or other conductive materials are printed between the drain of the switching TFT and the gate of the driving TFT, and heat treated at 120 ° C for 90 minutes to ensure good conductivity of silver and to connect the switching TFT and the driving TFT.

도 3의 c), d), e) 그리고 f)는 구동회로의 전기적 성능을 측정한 그래프로서, Vscan=-3.5 V 및 Vdd= 0.8 V에서，출력 전류가 2.5?10-4A에 이를 수 있어 OLED 를 충분히 작동시킬 수 있다. C), d), e) of Figure 3 and f) is a graph measuring the electrical performance of the drive circuit, in Vscan = -3.5 V and Vdd = 0.8 V, the output current could result in 2.5? 10 -4 A So that the OLED can be fully operated.

결국, 제작된 OLED 픽셀의 플렉서블 구동회로의 스위칭 TFT와 구동 TFT 의 동일한 층이 연결되도록 실현하여 회로가 층을 벗어나 연결되는 문제를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 성공적인 OLED 발광을 실현할 수 있다. As a result, it is possible to realize that the same layer of the switching TFT and the driving TFT of the flexible driving circuit of the fabricated OLED pixel are connected to each other so that the circuit is prevented from being connected out of the layer, and successful OLED light emission can be realized.

본 명세서에서, 예를 들어, 제1 및 제2와 같은 방식으로 설명한 것은 단지 하나의 실시 방식과 다른 실시 방식 간에 구별을 위한 것일 뿐이니, 이들 실시 방식이 서로 어떠한 실질적 관계를 가지고 있다거나 혹은 순서를 의미하는 것은 아니다. 또한, "포함한다" 또는 "포괄한다"는 것의 의미는 개방형 서술 방식으로서, 일련의 구성요소로서 과정, 방법, 물건 또는 설비 등을 포함한다는 것은 단지 그러한 구성요소만을 포함한다는 것이 아니라, 명시하지는 않은 구성요소 또는 그러한 과정, 방법, 물건 또는 설비의 고유의 구성요소들을 더 포함할 수 있음을 의미한다. 다른 한정 표현이 없는 한, "하나의 ...를 포함한다"는 식으로 한정된 표현 역시 언급된 과정, 방법, 물건 또는 설비 이외에도 다른 동일한 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. In this specification, for example, the description in the same manner as the first and second embodiments is merely for distinguishing between one embodiment and another embodiment, and it is to be understood that these embodiments have any substantial relationship with each other, It does not mean anything. It is also to be understood that the meaning of "comprises" or "comprising" is an open-ended description, and that the inclusion of a process, method, article, or apparatus as a series of elements does not imply Means that the invention can further include elements or components of the process, method, article, or facility. As used herein, unless expressly stated to the contrary, the expression "includes a single" means that the expression may also include other identical elements in addition to the stated process, method, article, or apparatus.

이상에서 설명한 실시예는 단지 본 발명에서 기재하는 일 실시예일 뿐으로서, 본 발명의 실시예를 토대로, 본 기술 영역의 통상의 기술자가 창조적인 노력을 들이지 않는 범위 안에서 얻을 수 있는 다른 실시예들도 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 보아야 한다.The embodiments described above are merely one embodiment described in the present invention, and other embodiments, which can be obtained without departing from the creative efforts of the ordinary artisan in the technical field based on the embodiment of the present invention And should be considered to fall within the scope of the present invention.

Claims (12)

기판; 및
상기 기판에 형성되는 게이트, 소스, 드레인, 능동 도전층과 유전체층을 포함하되,
상기 능동 도전층은 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.Board; And
A gate, a source, a drain, an active conductive layer, and a dielectric layer formed on the substrate,
Wherein the active conductive layer is a carbon nanotube. 제1항에 있어서,
상기 기판은 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a flexible substrate. 제1항에 있어서,
상기 소스와 드레인 사이에 채널 영역이 형성되고, 상기 능동 도전층은 상기 채널 영역 내에 위치하며, 상기 게이트는 상기 채널 영역의 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein a channel region is formed between the source and the drain, the active conductive layer is located within the channel region, and the gate is located above the channel region. 제1항에 있어서,
상기 유전체층의 재료는 산화알루미늄, 산화하프늄, 이온아교 유전재료, 불소 중합체, 불소 중합체와 그래핀, 그래핀 산화물, 할로겐 그래핀과 탄소나노튜브의 복합유전재료 또는 전해질유전재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein the material of the dielectric layer is selected from a composite dielectric material of aluminum oxide, hafnium oxide, ionic glue dielectric material, fluoropolymer, fluoropolymer and graphene, graphene oxide, halogen graphene and carbon nanotube, or an electrolyte dielectric material A carbon nanotube thin film transistor. 제1항에 있어서,
상기 게이트, 소스 및 드레인의 재질은 금, 은, 그래핀, 탄소나노튜브, ITO 또는 PEDOT에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein the gate, the source, and the drain are made of gold, silver, graphene, carbon nanotube, ITO, or PEDOT. 제1항에 있어서,
상기 기판의 재질은 PET, PEN 또는 PI에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein the material of the substrate is selected from PET, PEN or PI. 제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 농축된 대(大)직경 반도체 탄소나노튜브로서, 그 제조방법은,
0 이하의 온도조건에서, 직경이 1.3~2nm인 탄소나노튜브를 중합체를 함유한 유기용액에 분산시켜, 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액을 얻는 단계; 및
탄소나노튜브 용액에 대해 원심 처리를 진행하되 원심 속도는 10000g보다 크고, 원심 시간은 30 min~120min 사이로서, 상층 표면에 뜨는 액채를 분리해 내어, 농축된 대직경 반도체 탄산나노튜브를 얻는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
The carbon nanotube is a concentrated large-diameter semiconductor carbon nanotube,
Dispersing a carbon nanotube having a diameter of 1.3 to 2 nm in an organic solution containing a polymer at a temperature of 0 or less to obtain a uniform and uniform carbon nanotube solution; And
Centrifuging the carbon nanotube solution, centrifuging at a centrifugal speed of more than 10000 g, centrifuging at 30 to 120 minutes, separating the supernatant from the supernatant surface to obtain concentrated, large diameter semiconductor nanotubes; And a carbon nanotube thin film transistor. 제7항에 있어서,
상기 분산된 균일한 탄소나노튜브 용액이 중합체를 함유하는 농도는 0.0001-5 wt %로 제어되고;
상기 중합체는 폴리티오펜 유도체, 폴리플루오렌 및/또는 폴리플루오렌 유도체, 폴리카바졸 및/또는 폴리카바졸 유도체, 폴리벤젠아세틸렌 유도체 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 포함하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터.8. The method of claim 7,
The concentration of the dispersed uniform carbon nanotube solution containing the polymer is controlled to 0.0001-5 wt%;
Wherein the polymer comprises any one or a combination of two or more of polythiophene derivatives, polyfluorene and / or polyfluorene derivatives, polycarbazole and / or polycarbazole derivatives, and polybenzene acetylene derivatives. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,
a. 상기 기판에 소스와 드레인을 제조하는 단계;
b. 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계;
c. 상기 기판의 표면에 유전체층을 증착시키는 단계; 및
d. 상기 채널 영역의 위쪽에 게이트를 제조하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 제조하는 방법.9. A method of manufacturing a carbon nanotube thin film transistor according to any one of claims 1 to 8,
a. Fabricating a source and a drain on the substrate;
b. Forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;
c. Depositing a dielectric layer on the surface of the substrate; And
d. And forming a gate over the channel region. ≪ Desc / Clms Page number 21 > 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함하되,
상기 스위칭 TFT와 상기 구동 TFT는 청구항 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 탄소나노튜브 박막트랜지스터을 이용하며,
상기 스위칭 TFT의 드레인은 상기 구동 TFT의 게이트에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로.A switching TFT and a driving TFT,
Wherein the switching TFT and the driving TFT use the carbon nanotube thin film transistor of any one of claims 1 to 8,
And the drain of the switching TFT is electrically connected to the gate of the driving TFT. 제10항에 있어서,
상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동 TFT의 게이트는 서로 동일한 층이 연결되는 것을 특징으로 하는 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로.11. The method of claim 10,
Wherein a drain of the switching TFT and a gate of the driving TFT are connected to the same layer. 상기 제10항 또는 제11항의 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 제조하는 방법으로서,
S1: 플렉서블 기판에 스위칭 TFT와 구동 TFT의 소스와 드레인을 각각 제조하는 단계;
S2: 상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 영역에서 탄소나노튜브용액을 에어로졸 분사 프린팅, 잉크젯 프린팅, 오픈 릴 방식, 요판 프린팅, 침지 코팅 또는 드롭 코팅하여, 능동 도전층을 형성하는 단계;
S3: 상기 플렉서블 기판의 표면에 유전체층을 증착시키는 단계;
S4: 상기 채널 영역의 위쪽에 게이트를 제조하고, 두 개의 독립적인 트랜지스터 소자인 스위칭 TFT와 구동 TFT를 얻어내는 단계; 및
S5: 상기 스위칭 TFT의 드레인과 상기 구동회로의 TFT의 게이트를 전기적으로 연결하고, AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 얻어내는 단계;를 포함하는 AMOLED 픽셀 플렉서블 구동회로를 제조하는 방법.

11. A method of manufacturing an AMOLED pixel flexible driver circuit according to claim 10 or claim 11,
S1: fabricating a source and a drain of a switching TFT and a driving TFT, respectively, on a flexible substrate;
S2: forming an active conductive layer by aerosol spray printing, inkjet printing, open reel method, intaglio printing, dip coating or drop coating in a channel region between the source and the drain;
S3: depositing a dielectric layer on the surface of the flexible substrate;
S4: fabricating a gate above the channel region and obtaining two independent transistor elements, a switching TFT and a driving TFT; And
S5: electrically connecting the drain of the switching TFT and the gate of the TFT of the driving circuit to obtain an AMOLED pixel flexible driving circuit.

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