KR20160064201A - 캡슐화된 광 배리어를 갖는 지지체 링 - Google Patents

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Abstract

본원에 설명된 실시예들은, 열원, 및 열원에 대향하는 회전 기판 지지체를 갖는 열 처리 장치를 제공하고, 회전 기판 지지체는 광 차단 부재를 갖는 지지체 부재를 포함한다. 광 차단 부재는 캡슐화된 컴포넌트일 수 있거나, 또는 지지체 부재 내부에 이동가능하게 배치될 수 있다. 광 차단 부재는 불투명 및/또는 반사성일 수 있고, 내화성 금속일 수 있다.

Description

캡슐화된 광 배리어를 갖는 지지체 링{SUPPORT RING WITH ENCAPSULATED LIGHT BARRIER}
본원에 설명된 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들의 열 처리에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본원에 설명된 실시예들은 열 처리 챔버 내의 광 잡음(light noise)을 제어하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
열 처리는 반도체 산업에서 일반적이다. 열 처리는 기판의 원자 구조 및 조성을 재구성(reorganize)하기 위해 반도체 기판들 내에서 화학적 및 물리적 변화를 활성화하는데 이용된다. 급속 열 처리로서 알려진 일반적으로 이용되는 접근방식에서, 기판은 최대 400℃/초의 레이트로 목표 온도로 가열되고, 1초와 같은 짧은 시간 동안 목표 온도로 유지되며, 다음으로 추가 변화가 발생하지 않는 온도 미만으로 급속 냉각된다.
기판의 모든 영역의 균일한 처리를 촉진하기 위해, 기판의 다양한 위치들에서의 온도를 모니터링하도록 온도 센서들이 일반적으로 배치된다. 기판의 온도를 측정하기 위해 고온계들이 널리 이용된다. 기판 온도의 제어와 측정, 및 그에 따른 국지적 층 형성 조건들의 제어와 측정은 챔버 컴포넌트들에 의한 열 흡수 및 광 방출, 그리고 처리 챔버 내부의 처리 조건들에 대한 센서들 및 챔버 표면들의 노출에 의해 복잡해진다. 균일성 및 반복가능성을 개선하기 위해, 온도 제어 및 온도 측정이 개선된 열 처리 챔버, 및 그러한 챔버를 동작시키는 방법에 대한 필요성이 남아있다.
본원에 설명된 실시예들은, 열원, 및 열원에 대향하는 회전 기판 지지체를 갖는 열 처리 장치를 제공하고, 회전 기판 지지체는 광 차단 부재를 갖는 지지체 부재를 포함한다. 광 차단 부재는 캡슐화된 컴포넌트일 수 있거나, 또는 지지체 부재 내부에 이동가능하게 배치될 수 있다. 광 차단 부재는 불투명 및/또는 반사성일 수 있고, 내화성 금속일 수 있다.
본원에 설명된 실시예들은 열 처리 챔버 내의 회전 기판 지지체를 위한 지지체 부재를 또한 제공하고, 이 지지체 부재는 자기 회전자(magnetic rotor), 자기 회전자에 접속된 벽 - 벽과 자기 회전자는 협력하여 내부 용적을 정의함 -; 및 내부 용적 내에 이동가능하게 배치된 광 차단 부재를 갖는다. 광 차단 부재는 팽창 조인트(expansion joint)를 갖는 금속 시트일 수 있고, 벽은 내부 용적 내에 금속 시트를 위치지정하는 포지셔너들(positioners)을 가질 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 발명의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 발명의 범위를 제한하는 것으로 고려되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 열 처리 챔버의 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 지지체 부재의 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유리하게 이용될 수 있다고 고려된다.
도 1은 일 실시예에 따른 열 처리 챔버(100)의 단면도이다. 열 처리 챔버(100)는 기판(12)을 내부에서 처리하도록 구성된 처리 용적(14)을 정의하는 챔버 바디(35)를 포함한다. 챔버 바디(35)는 스테인리스 스틸로 이루어질 수 있고, 석영으로 라이닝될 수 있다. 처리 용적(14)은 석영 윈도우(18)에 인접하여 배치된 가열 램프 어셈블리(16)에 의해 복사 가열되도록 구성된다. 일 실시예에서, 석영 윈도우(18)는 수냉식일 수 있다.
슬릿 밸브(30)가 챔버 바디(35)의 측부 상에 형성되어, 기판(12)을 위해 처리 용적(14)으로의 통로를 제공할 수 있다. 처리 가스들, 퍼지 가스들 및/또는 세정 가스들을 처리 용적(14)에 제공하기 위해 가스 유입구(44)가 가스 소스(45)에 접속될 수 있다. 처리 용적(14)을 펌핑하기 위해 유출구(11)를 통해 처리 용적(14)에 진공 펌프(13)가 유체 접속될 수 있다.
원형 채널(27)이 챔버 바디(35)의 바닥 부근에 형성된다. 자기 회전자(21)가 원형 채널(27) 내에 배치될 수 있다. 지지체 부재(39)가 자기 회전자(21) 상에 놓이거나 자기 회전자(21)에 결합될 수 있다. 기판(12)은 지지체 부재(39) 상에 배치된 에지 링(20)에 의해 기판의 주변 에지에서 지지될 수 있다. 자기 고정자(magnetic stator)(23)가 자기 회전자(21) 외부에 위치될 수 있고, 자기 회전자(21)의 회전, 및 그에 따른 에지 링(20) 및 에지 링 위에 지지된 기판(12)의 회전을 유도하기 위해 챔버 바디(35)를 통해 자기 결합될 수 있다. 자기 고정자(23)는 자기 회전자(21)의 상승을 조절하도록 또한 구성될 수 있고, 그에 의해 처리 중인 기판(12)을 들어올린다.
챔버 바디(35)는 기판(12)을 향하여 위치된 반사기(22)를 포함할 수 있다. 반사기(22)는 기판(12)의 복사율(emissivity)을 증대시키기 위해서 기판(12)을 향하는 광학적으로 반사성 표면(28)을 갖는다. 일 실시예에서, 반사기(22)는 수냉식이다. 기판(12)의 표면과 반사성 표면(28)은 처리 용적(14)을 정의한다. 일 실시예에서, 반사기(22)는 처리 중인 기판(12)의 직경보다 약간 더 큰 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 열 처리 챔버(100)가 12인치 직경의 원형 기판을 처리하도록 구성되는 경우, 반사기(22)는 약 13인치의 직경을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 반사기(22)는 기판(12)의 직경보다 작은 직경을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 처리 용적(14)을 가열 구역(15)으로부터 분리시키기 위해 챔버 바디(35)와 에지 링(20) 사이에 외측 링(19)이 결합될 수 있다. 가열 구역(15)은 기판(12), 및 기판(12)에 대해 반사기(22)의 반대쪽에 위치된 가열 램프 어셈블리(16)에 의해 정의된다. 가열 램프 어셈블리(16)는 가열 요소들(37)의 어레이를 포함할 수 있다. 가열 요소들(37)의 어레이는 UV 램프, 할로겐 램프, 레이저 다이오드, 저항성 가열기, 마이크로웨이브 구동 가열기(microwave powered heaters), 발광 다이오드(LED), 또는 임의의 다른 적합한 가열 요소들 단독 또는 조합일 수 있다. 가열 요소들(37)의 어레이는 반사기 바디(43)에 형성된 홀들 내에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 가열 요소들(37)은 육각형 패턴으로 배열될 수 있다. 냉각 채널(40)이 반사기 바디(43)에 형성될 수 있다. 물과 같은 냉각제가 유입구(41)로부터 반사기 바디(43)에 들어가서, 수직 홀들에 인접하여 이동하여 가열 요소들(37)의 어레이를 냉각하고, 출구(42)로부터 반사기 바디(43)를 빠져나온다. 본 출원에서의 "수직"은 일반적으로 기판(12) 또는 석영 윈도우(18)에 의해 정의된 평면에 직각인 방향을 의미한다. "수직"은 중력 또는 지표면에 대한 절대적 방향이 아니라, 챔버(100)의 대칭에 대한 것이며, 챔버(100)의 축에 평행할 수 있다. 마찬가지로, "수평"은 일반적으로 "수직"에 직각이며, 절대적 방향이 아니다.
가열 요소들(37)의 어레이는 가열 요소들(37)의 어레이의 가열 효과를 조절하는 제어기(52)에 접속된다. 일 실시예에서, 가열 요소들(37)의 어레이는 복수의 동심 구역으로 기판(12)을 가열하기 위해 복수의 가열 그룹으로 분할될 수 있다. 각각의 가열 그룹은 기판(12)의 반경에 걸쳐 원하는 온도 프로파일을 제공하기 위해 독립적으로 제어될 수 있다. 일 실시예에서, 구역 그룹들(57) 각각은 각각의 구역을 개별적으로 제어하는 전원(55)에 접속된다.
각각의 온도 프로브(24)에 대해 하나의 개구씩, 반사기(22) 내의 복수의 개구(25)를 통해 복수의 온도 프로브(24)가 반사기(22)에 결합될 수 있다. 온도 프로브들(24)은 기판(12)에 의해 방출된 열 복사를 감지하는 하나 이상의 고온계를 포함할 수 있고, 온도를 나타내는 신호를 제어기(52)에 보낼 수 있다. 제어기(52)는 가열 구역 그룹들(57)을 대응하는 온도 프로브(24)로부터의 신호에 따라 제어할 수 있다.
지지체 부재(39)는 석영으로 이루어질 수 있고, 반투명할 수 있다. 일 실시예에서, 지지체 부재(39)의 대부분은 기포 석영(bubble quartz) 또는 다른 백색의 반투명 재료이다. 기포 석영 재료를 이용하면, 지지체 부재(39)의 내측 표면(50)에 접촉하는 광이 지지체 부재(39) 전체에 걸쳐 전파된다. 처리 동안 에지 링(20)이 외측 링(19) 위로 상승될 때, 투과된 광은 처리 용적(14) 내로 전파되어, 온도 프로브들(24)로서 이용될 수 있는 고온계들이 사실상 볼 수 없게 되거나, 고온계들의 유효성을 감소시킬 수 있다.
처리 용적(14)으로의 광 투과를 감소시키기 위해, 지지체 부재(39)는 광 차단 부재를 포함할 수 있다. 광 차단 부재는 광이 지지체 부재(39)를 통해 투과되는 것을 차단한다. 광 차단 부재는 불투명 부재 및/또는 반사성 부재일 수 있다. 지지체 부재(39)는 지지체 부재(39)의 임의의 표면에 부착되지 않는 광 차단 부재를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 광 차단 부재는 지지체 부재(39) 내에 캡슐화될 수 있고, 지지체 부재(39) 내부에 이동가능하게 배치될 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 따른 지지체 부재(200)의 단면도이다. 지지체 부재(200)는 도 1의 장치에서 지지체 부재(39)로서 이용될 수 있다.
지지체 부재(200)는 내부 용적(208)을 정의하는 벽(206)을 갖는다. 광 차단 부재(210)가 내부 용적(208) 내에 이동가능하게 배치되도록, 광 차단 부재(210)는 내부 용적(208) 내에 배치될 수 있다. 내부 용적(208)은, 광 차단 부재(210)의 양측에서 광 차단 부재(210)와 벽(206) 사이에 갭이 유지될 수 있도록 광 차단 부재(210)의 두께보다 큰 치수(204)를 갖는다. 벽(206)은, 광 차단 부재(210)의 열 노출이 감소되도록 가열 구역(15)과 내부 용적(208) 사이에 열 절연(thermal insulation)을 제공하는 두께를 갖는다. 따라서, 지지체 부재(200)는 약 0.1cm 내지 약 3.0cm인 전체 두께(202)를 갖는다. 지지체 부재(200)는 직원기둥(right circular cylinder)의 형상을 가질 수 있고, 전형적으로는 램프 어셈블리(16)(도 1)를 둘러싼다. 지지체 부재(200)의 벽(206)은 석영으로 형성될 수 있고, 투명하거나 반투명할 수 있다. 일 실시예에서, 벽(206)은 기포 석영이다. 일 실시예에서, 지지체 부재(200)는, 수직 벽 섹션, 및 내측 방사상 확장부(inward radial extension)일 수 있는 방사상 확장부를 갖는 플랜지 형상일 수 있다. 수직 벽 섹션 및 방사상 확장부는 하나의 통합체(unitary piece)로서 이루어지거나, 또는 함께 융합 또는 다른 방식으로 접속될 수 있거나 서로 이동가능하게 접촉할 수 있는 둘 이상의 별개의 조각으로서 이루어질 수 있다. 그러한 실시예에서, 도 1의 에지 링(20)은 방사상 확장부 상에 놓일 것이다. 예를 들어, 에지 링(20)의 외측 에지는 방사상 확장부의 내측 에지 상에 놓일 수 있다.
지지체 부재(200)가 둘 이상의 별개의 조각으로 이루어지는 실시예에서, 둘 이상의 조각이 접촉하는 표면들에서 광 미로(light labyrinth)가 제공될 수 있다. 그러한 광 미로는 조각들 사이의 계면을 통한 광 누설을 극복(defeat)하기 위한 구불구불한 경로를 제공하는 연동(interlocking) 홈들 또는 힐들을 포함할 수 있다.
광 차단 부재(210)는 내부 용적(208) 내에 배치된 금속 시트일 수 있다. 광 차단 부재(210)는 전형적으로 램프 어셈블리(16)(도 1)에 의해 방출된 광에 대해 실질적으로 불투명하고, 광 차단 부재(210)는 반사성이거나 부분적으로 반사성일 수 있다. 광 차단 부재(210)는 지지체 부재(200)의 임의의 윤곽을 대체로 따르면서 실질적으로 평활하고 평평할 수 있거나, 또는 광 차단 부재(210)는 지지체 부재(200)의 임의의 윤곽에 독립적인 윤곽을 가질 수 있다. 예를 들어, 광 차단 부재(210)는 주름들(corrugations)이나 표면 텍스쳐들과 같은 광 산란 피쳐들을 가질 수 있다. 광 차단 부재(210)는 전형적으로 약 0.5mm 내지 약 5mm의 두께를 갖고, 일부 실시예들에서 광 차단 부재(210)는 금속 포일일 수 있는 한편, 다른 실시예들에서는 광 차단 부재(210)는 금속 시트일 수 있다. 광 차단 부재(210)는 자기 회전자(21)에 부착될 수 있거나, 또는 단순히 자기 회전자(21) 상에 놓일 수 있다. 광 차단 부재(210)는 또한 금속 또는 흑연 입자들을 포함하는 미립자 막일 수 있다. 텅스텐과 같은 금속 입자들이 이용될 수 있다.
지지체 부재(200)는 내부 용적(208)을 갖는 벽(206)을 형성하기 위해 상이한 반경들을 갖는 2개의 원통형 부재를 각각의 부재의 최상부 부분에서 함께 용접함으로써 이루어질 수 있다. 광 차단 부재(210)는 금속일 수 있고, 전형적으로는 열 저항성이다. 2개의 원통형 부재는 융합된 원통형 부재들의 최상부 부분에 슬롯을 남겨두고서 부재들의 바닥 부분에서 함께 용접될 수 있다. 다음으로, 광 차단 부재(210)는 슬롯 내로 미끄러져 들어갈 수 있고, 슬롯은 원통형 부재들의 최상부 부분에서 폐쇄될 수 있다. 폐쇄 후에, 용적(208)은 약 1μTorr 내지 약 10Torr의 내부 압력을 가질 수 있다. 요구되는 경우, 가스들이 가열 구역(15)으로부터 내부 용적(208)으로 누설될 때 진공을 유지하기 위해 게터가 내부 용적에 포함될 수 있다. 예를 들어, 수소 가스를 흡수하기 위해 지르코늄 화합물이 용적(208) 내에 포함될 수 있다. 지지체 부재(200)를 가스로 채우고 지지체 부재(200)로부터 가스를 배출하기 위해 지지체 부재(200)의 원하는 위치에 포트가 포함될 수 있다. 예를 들어, 슬롯이 폐쇄 용접되기 전에, 최상부 부분에서 슬롯 내로 충진 튜브(fill tube)가 삽입될 수 있다.
특정 실시예들에서, 광 차단 부재(210)는 복수의 섹션(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 복수의 섹션은 섹션들이 서로 인접하는 곳에서 중첩하도록 위치될 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 섹션은 중첩하는 것이 아니라, 반사성 부재가 복사에 노출될 때 실질적으로 어떠한 복사도 복수의 부분 사이의 갭을 관통할 수 없게 하는 방식으로 위치지정될 수 있다. 어느 실시예에서도, 광 차단 부재(210)의 간격 및 위치는 복사에 대한 노출 동안 광 차단 부재(210)의 팽창을 고려할 수 있다. 더 구체적으로는, 광 차단 부재(210)의 위치지정은 열 응력 하에서의 광 차단 부재(210)의 물리적 이동을 수용하도록 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 광 차단 부재(210)는, 광 차단 부재(210)의 열 팽창 및 수축 동안 광 밀봉(light seal)을 유지하도록, 광 차단 부재(210)의 2개의 에지가 중첩할 수 있는 팽창 조인트(도시되지 않음)를 갖는 단일의 통합체일 수 있다.
광 차단 부재(210)는 광 차단 부재(210)에 제공되는 광이 반사 각도와 동일한 입사 각도를 갖도록 정반사체(specular reflector)일 수 있다. 광 차단 부재(210)는 광대역 반사체, 예컨대 금속 반사체 또는 유전체 막 스택 또는 그들의 조합일 수 있다. 특정 실시예들에서, 광 차단 부재(210)는 실리카와 같은 투명 배리어 재료에 의해 코팅되거나 투명 배리어 재료 내에 넣어질(encased) 수 있다. 일례에서, 광 차단 부재(210)는 실리카(SiO2), 티타니아(TiO2), 탄탈룸 산화물(Ta2O5), 또는 그들의 조합을 포함하는 유전체 스택으로 형성될 수 있다. 다른 예에서, 광 차단 부재(210)는 처리 온도들을 견디도록 선택된 금속으로 형성될 수 있다. 예시들은 알루미늄, 금, 은, 백금, 텅스텐, 탄탈룸, 티타늄 또는 그들의 조합을 포함한다.
특정 실시예들에서, 용적(208)을 정의하는 표면들은 반사성 재료로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 용적(208)을 정의하는 모든 표면이 반사성 재료로 코팅될 수 있다. 표면들은 무전해 니켈 또는 무전해 은 도금과 같은 무전해 도금에 의해 반사성 재료로 코팅될 수 있다. 용적(208)을 폐쇄하기 전에, 용적(208)은 수성 도금 용액으로 채워질 수 있고, 무전해 도금 프로세스는 용적(208)을 정의하는 표면들을 니켈, 은, 금, 구리 또는 다른 반사성 재료로 도금하도록 진행될 수 있다. 무전해 도금 프로세스 후에, 수성 용액은 용적(208)으로부터 배출되고, 용적(208)은 석영 용접에 의해 폐쇄된다. 본 실시예에서, 용적(208)은 앞에서 설명된 실시예들과 유사하게 진공 하에 제공될 수 있다. 반사성 재료로 코팅된, 용적(208)을 정의하는 표면들은 정반사체의 역할을 할 수 있다.
다른 실시예들에서, 용적(208)을 정의하는 표면들은 흡수성 재료로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 용적(208)을 정의하는 모든 표면이 흡수성 재료로 코팅될 수 있다. 표면들은 입자들의 현탁액 또는 졸을 도포함으로써 코팅될 수 있다. 용적(208)의 폐쇄 이전에, 용적(208)은 유체 캐리어 내의 흡수성 입자들의 현탁액 또는 졸로 채워질 수 있다. 임의의 현탁액 첨가제들을 제거하기 위한 가열, 또는 입자들의 산화 상태를 세팅하기 위한 산화 환원제(redox agent)를 동반한 가열에 의해 선택적으로 도움을 받아서, 증발에 의해 유체 캐리어를 제거하고 표면들 상에 입자들을 퇴적한 후, 용적(208)이 석영 용접에 의해 폐쇄된다. 본 실시예에서, 용적(208)은 앞에서 설명된 실시예들과 유사하게 진공 하에 제공될 수 있다. 적합한 현탁액들은 흑연 현탁액(graphite suspensions)(예를 들어, AquadagTM, ICI), 세라믹 현탁액(ceramic suspensions)(예를 들어, HiE-Coat™ 840-C, Aremco)을 포함한다. 적합한 졸들은 요구되는 경우에 금속 상태로 환원될 수 있는 텅스텐 산화물 및 금속 알콕시드에 기초한 것들을 포함한다.
지지체 부재(200)는 하나 이상의 포지셔너(212)를 포함할 수 있고, 예를 들어 복수의 포지셔너(212)는 벽(206)의 모든 부분들에 대해 이격된 관계를 갖도록 광 차단 부재(210)를 유지한다. 포지셔너들(212)은 벽(206)으로부터 내부 용적(208)으로 돌출한다. 포지셔너들(212)은 광 차단 부재(210)를 벽(206)의 한 부분으로부터 특정의 원하는 거리에, 또는 벽(206)의 일부와 접촉하여 배치하기 위한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 광 차단 부재(210)가 벽을 향한 방향으로 이동하는 것이 억제되도록, 포지셔너들(212)은 벽(206)과 광 차단 부재(210) 사이의 전체 거리를 가로지를 수 있다. 대안적으로, 광 차단 부재(210)가 벽(206)을 향한 방향으로 이동하는 데에 있어서 자유를 갖도록, 포지셔너들(212)은 벽(206)과 광 차단 부재(210) 사이의 도중까지 가로지를 수 있다.
포지셔너들(212)은, 임의의 원하는 방식에 따라, 광 차단 부재(210)의 동일 측에 배열될 수 있거나 광 차단 부재(210)의 양측에 분산될 수 있다. 포지셔너들(212)은 벽(206)을 향한 광 차단 부재(210)의 이동에 대한 억제자들(restraints)의 역할을 하고, 광 차단 부재(210)가 벽(206)에 닿는 것을 방지할 수 있다. 그러한 배열은 가열 구역(15)(도 1)과 광 차단 부재(210) 사이에 추가의 열 배리어를 유지할 수 있다. 따라서, 내부 용적(208) 내에서의 광 차단 부재(210)의 위치는 광 차단 부재(210)와 벽(206) 사이에 진공 배리어를 제공하도록 선택될 수 있다. 추가로, 진공 배리어의 치수는 포지셔너들(212)의 길이를 지정함으로써 선택될 수 있다.
포지셔너들(212)은 벽(206)의 일체형 부분으로서 형성될 수 있거나, 또는 포지셔너들은 광 차단 부재(210)의 삽입 전에 벽(206)에 용접될 수 있다. 임의의 개수의 포지셔너(212)가 이용될 수 있고, 포지셔너들(212)은 도 2에 도시된 바와 같이 수직으로 그리고/또는 수평으로 정렬될 수 있거나, 또는 포지셔너들(212)은 포지셔너들(212)이 정렬하지 않도록 스태거형 배열(staggered arrangement)을 가질 수 있다. 포지셔너들(212)은 광 차단 부재(210) 또는 포지셔너들(212) 중 어느 것에 대한 임의의 마찰 손상을 회피하기 위해 광 차단 부재(210)에 닿는 둥근 접촉 표면(rounded contact surface)을 가질 수 있다.
위에서 도 1과 관련하여 언급된 바와 같이, 지지체 부재(39)(도 2의 지지체 부재(200)일 수 있음)는 램프 어셈블리(16)를 둘러싼다. 지지체 부재(39)는 실질적으로 연속적이어서, 지지체 부재(39)의 둘레 주위의 모든 지점에서 에지 링(20)에 접촉할 수 있거나, 또는 지지체 부재(39)는 불연속적으로 또는 주기적으로 에지 링(20)에 접촉할 수 있다. 요구되는 경우, 지지체 부재(39) 및/또는 지지체 부재 안에 캡슐화된 광 차단 부재(예를 들어, 도 2의 광 차단 부재(210))는 가열 구역(15)으로부터의 광 샘플을 지지체 부재(39)를 통해 투과시키기 위한 하나 이상의 개구를 가질 수 있다. 투과된 광을 검출하기 위해 지지체 부재(39) 외부에 검출기가 배치되어, 지지체 부재(39)의 회전 위치를 검출하고, 더 나아가 기판(12)의 회전 위치를 검출하기 위한 수단을 제공할 수 있다. 검출기는 포토다이오드 또는 임의의 적합한 광 검출기일 수 있고, 원형 채널(27) 내에 위치될 수 있다. 개구를 통해 투과되는 광이 검출기를 조명할 때, 검출기는 기판 지지체의 위치를 기록(register)할 수 있다.
전술한 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 열 처리 장치로서,
    열원; 및
    상기 열원에 대향하는 회전 기판 지지체
    를 포함하고,
    상기 회전 기판 지지체는 광 차단 부재를 갖는 지지체 부재를 포함하는, 열 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 차단 부재는 캡슐화된 컴포넌트를 포함하는, 열 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광 차단 부재는 상기 회전 기판 지지체 내부에 이동가능하게 배치된 반사성 부재를 포함하는, 열 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 캡슐화된 컴포넌트는 내화성 금속을 포함하는, 열 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광 차단 부재는 반사성인, 열 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광 차단 부재는 미립자 막(particulate film)인, 열 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 미립자 막은 흑연을 포함하는, 열 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 미립자 막은 금속 입자들을 포함하는, 열 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속 입자들은 텅스텐인, 열 처리 장치.
  10. 열 처리 챔버 내의 회전 기판 지지체를 위한 지지체 부재로서,
    자기 회전자;
    상기 자기 회전자에 접속된 벽 - 상기 벽과 상기 자기 회전자는 협력하여 내부 용적을 정의함 -; 및
    상기 내부 용적 내에 이동가능하게 배치된 광 차단 부재
    를 포함하는 지지체 부재.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광 차단 부재는 금속 시트인 지지체 부재.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 금속 시트는 내화성 금속이고, 상기 금속 시트는 팽창 조인트(expansion joint)를 포함하는, 지지체 부재.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 벽은 복수의 포지셔너(positioners)를 포함하는, 지지체 부재.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 벽은 반투명 재료이고, 상기 금속 시트는 알루미늄, 금, 은, 백금, 텅스텐, 탄탈룸, 티타늄 및 그들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료인, 지지체 부재.
  15. 열 처리 챔버를 위한 지지체 부재로서,
    내부 용적을 정의하는 벽; 및
    상기 내부 용적 내에 이동가능하게 배치된 반사성 금속 시트
    를 포함하는 지지체 부재.
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