KR20160063311A - 픽오프 변환기 와이어 결합 비트 검출 - Google Patents

Abstract

센서 디바이스는 적어도 2개의 변환기; 센서 신호 처리 회로; 변환기 대 센서 신호 처리 회로 전기 접속부들(각각은 센서 신호 처리 회로에 대해서 변환기들 중 각각의 변환기를 접속함); 2개의 결합 와이어와 접속된 차동 증폭기를 포함하되, 결합 와이어들은 차동 증폭기의 차동 입력들에 접속되고, 증폭기 출력은 센서 신호 처리 회로에 접속된다.

Description

픽오프 변환기 와이어 결합 비트 검출{PICKOFF TRANSDUCER WIRE BOND BIT DETECTION}

본 발명은 센서의 결함, 특히 센서의 구성요소들을 접속하는 결합 와이어의 고장 혹은 파괴를 검출하는 회로에 관한 것이다.

전자 센서는 통상, 예컨대 ASIC으로서 개별적으로 제공될 수 있는, 제어 회로에 접속된 하나 이상의 변환기를 포함한다. 센서는 통상 예컨대 MEMS로서 결합 와이어들에 의해 재차 함께 접속된 수개의 변환기를 포함할 것이다. 이러한 센서의 응용의 예는 차량 내비게이션 시스템; 핸드헬드 내비게이션 시스템, 차량 ESP(전자식 안정성 제어 시스템); 차량 에어백 전개; 모델 헬리콥터 안정화; 농업 스프레이 분무 안정화; 위성 수신기 안정화; UAV 내비게이션 및 안정성 시스템; 및 경비행기 2차 기기장치를 포함한다. 이들 응용의 몇몇은 다른 것보다 결함 검출에 대한 더욱 엄격한 요건을 지닌다.

센서는 변환기들 간, 또는 변환기와 제어 회로 간의 와이어 결합이 파괴되거나 손상된 경우 신뢰할 수 없는 결과를 제공할 수 있다. 와이어 결합 고장은 타당한 것 같은 - 즉, 특정 동작 범위 내인 것으로 여겨지지만 사실은 오류인 센서 출력을 초래할 수 있다.

예를 들어, 증폭기에 접속된 4개의 감지 변환기를 포함하는 센서는, 하나의 변환기가 예컨대 리드 고장으로 인해 손실되었다면, 1/4(25%)만큼 저감된 그의 출력 신호를 지닐 것이다. 그러나, 출력 신호가 정상 동작 하에 온도 및 허용도에 비해서 32%까지 변하는 것이 가능하다. 따라서, 출력 신호의 저감이 변환기의 손실로 나타나는지 또는 단지 정상적인 변동에 기인하는지를 판정하는 것은 어렵다.

센서의 정확도 및 신뢰성을 증가시키지만 전형적으로 추가의 복잡성을 요구하는 디바이스 및 기술이 제안되어 있으며, 이러한 추가의 복잡성은, 결함 검출을 허용하여 회로 복잡성을 증가시키는 추적 신호의 측정 및 통상적으로 요구되는 신호로부터 추적 신호를 거부하도록 복조 기술에 의한 추적 신호의 투입, 연속적 결함 검출을 제공하지 못하지만 적용된 시험 동안 타당하지 않은 신호의 기간이 적용되는 호스트 시스템의 지령 하의 추적 신호의 투입, 온도 변화를 알고 있을 것을 요구하고 회로 복잡성을 증가시키는 온도에 따른 정상 수준의 변동을 보상하기 위하여 온도에 따라 조정되는 역치 한계를 가진 고장 검출 회로, 및 참조 신호에 대한 신호의 비교를 허용하여 MEMS의 복잡성을 증가시키고 검출 변환기에 대한 허용 가능한 영역을 저감시켜서 결과적으로 열화된 신호 대 잡음 비 및 감도를 통해서 센서 성능을 저감시키는 MEMS에 대한 추가의 변환기의 사용을 포함한다.

본 발명은,

적어도 2개의 변환기;

센서 신호 처리 회로; 및

변환기 대 센서 신호 처리 회로 전기 접속부들로서, 각각 센서 신호 처리 회로에 대해서 상기 변환기들 중 각각의 변환기를 접속하는, 상기 전기 접속부들;

2개의 결합 와이어와 접속된 차동 증폭기를 포함하되,

상기 결합 와이어들은 차동 증폭기의 차동 입력들에 접속되고, 증폭기 출력은 상기 센서 신호 처리 회로에 접속되는, 센서 디바이스를 제공한다.

전기 접속부들은, 기재된 실시형태에 있어서, 와이어 결합들이지만, 다른 형태, 예컨대, 플립 칩 땜납 범프들로 구성될 수 있다.

차동 증폭기의 사용이 종래 기술에 비해서 이점을 제공하지만, 감지 정확도는 적어도 2쌍의 변환기를 포함하는 시스템에서 더욱 증가될 수 있고, 이에 따라서 각 쌍의 변환기는 단일 결합 와이어에 의해 차동 증폭기에 접속된다.

결함을 검출하는 능력은 통상적으로 이용되는 값에 비해서 변환기에 대해서 높은 커패시턴스 값 요소들을 이용함으로써 더욱 증가될 수 있다.

실시형태들은 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.

도 1은 종래 기술 구성을 도시한 도면;
도 2는 본 발명의 시스템의 회로 다이어그램; 및
도 3은 MEMS 변환기 구성의 일례를 도시한 도면.

이하의 도 1은 종래 기술 구성을 도시하되, 여기서 픽오프 변환기들은 각각 차동 신호를 제공하기 위하여 합해지기 전에 개별의 역전(또는 비반전) 증폭기에 접속된다.

이 구성에서, 단일 와이어 결합의 손실은 이하에 더욱 기술되는 바와 같이 온도에 따라 일어나는 변동보다 작은 25%만큼의 신호 저감을 초래할 뿐이다.

또한, 개별의 변환기가 단지 소량의 커패시턴스만을 지니는 경우에, 이들이 차동 증폭기에 접속되더라도, 하나의 변환기(허브 와이어 결합)의 손실은, 와이어 결합 및 트래킹으로부터의 부유 커패시턴스가 고려된 경우 커패시턴스의 변화가 비례적으로 보다 낮게 되므로 더 작은 이득 손실을 초래하게 되고, 이는 단일의 변환기의 손실과 합해지는 경우 온도에 따른 정상의 변화를 초과하도록 충분한 신호를 생성하지 못하게 된다.

이들 경우에, 온도에 따른 정상의 변화를 넘어 검출되기에 충분한 수준을 달성하도록 하나보다 많은 변환기의 불연속을 필요로 한다.

개량된 시스템의 바람직한 실시형태는 도 2의 회로 다이어그램에 도시되어 있다.

센서는, 이 예에서, 4개의 변환기(2a, 2b, 2c, 2d)를 구비하는 MEMS(1)로서 제공된다. 이들은, 임의의 공지된 유형, 예컨대, 압전 변환기, PZT 디바이스 또는 커패시턴스일 수 있다. 물론 더 적거나 더 많은 변환기가 이용될 수도 있다. 도시된 실시형태에 있어서, 센서와 변환기는 쌍으로 접속된다.

이 회로 다이어그램에 도시된 바와 같이, 각 변환기는 AC 공급원으로서 도시된 AC 출력 신호를 제공하고, 부하 커패시턴스를 구비한다. MEMS 상의 변환기들은, 도시된 실시형태에 있어서, 쌍으로 접속되고, 각 쌍의 두 변환기는 허브 와이어 결합(3a, 3b)에 의해서 서로 접속된다.

변환기들은 도 3에 도시된 바와 같은 링 구조의 중립축의 어느 한쪽 상에 그리고 해당 링 구조 둘레에 90° 각도로 위치될 수 있다. 이것은 차동 출력을 부여하기 위하여 하나의 위상의 4개의 변환기(SPO+)와 반대쪽 위상의 4개의 변환기(SPO-)를 제공한다. 링 상에의 위치 결정으로 인해, 변환기들의 쌍은 링의 허부 부분을 통해서 금속 및 PZT의 정상 패터닝으로 접속된다. 이 구성은 따라서 하나의 위상의 4개의 변환기를 함께 접속하기 위한 허브 상의 하나의 와이어 결합과, 다른 위상의 4개의 변환기를 함께 접속하기 위한 허브 상의 하나의 와이어 결합을 단지 필요로 한다. 이어서 후속적으로 MEMS를 전자기기에 접속하기 위하여 위상 당 단일 와이어 결합을 단지 필요로 한다. 이하의 도 3은 MEMS 구조의 개략도를 나타낸다.

MEMS는, 전형적으로 픽오프 증폭기(4)에 이어서, 예를 들어, ASIC 상에 별도의 회로의 복조기 및 필터 회로(5)로 구성된 전자기기에 접속되는 센서 출력을 제공한다. 그 후 복조되고 필터링된 신호는 별개의 논리 결함 신호를 제공하기 위하여 논리 결함 조건 처리가 실시된다.

각 쌍의 변환기들, 이 예에서는 4개의 변환기를 접속하는 허브 와이어 결합(3a, 3b) 중 하나에서 고장이 발생하면, 이것은 MEMS로부터의 출력 신호의 1/4, 즉, 25%의 손실을 초래할 것이다.

종래 기술 시스템이 가진 문제점을 극복하고 그리고 결함 검출의 정확도를 증가시키기 위하여, 이 저감은 MEMS(1)와 복조/필터 회로(5) 사이에 접속된 차동 픽오프 증폭기(4)에 의해 증폭된다.

차동 증폭기 또는 '픽오프' 증폭기는 커패시턴스 접속부 C피드백(6)을 통해서 차동 입력으로 도로 접속되는 두 출력과 차동 입력을 지니는 충전 증폭기로서 구성된다.

MEMS 상의 변환기들의 각 쌍의 출력들은 재차 와이어 결합(7a, 7b)에 의해 차동 증폭기의 각각의 입력에 접속된다.

각각의 변환기를 쌍으로 접속시키는 허브 와이어 결합이 온전하고 MEMS로부터의 출력 신호가 완전한 신호이면, 문제는 MEMS를 출력 회로에 접속시키는 와이어 결합들 중 하나가 손상된 경우 여전히 일어날 수 있다. 두 쌍의 변환기 및 2개의 와이어 결합을 구비하는 이 경우에, 이들 와이어 중 하나가 손상되면, 이것은 MEMS 출력 신호의 절반의 손실을 초래한다.

차동 증폭기 단계의 이득은 변환기의 피드백 커패시터(C_피드백) 및 부하 커패시턴스(C_부하)에 의해 설정된다. 회로가 차동 모드에서 동작함에 따라서, 이득은 하기 식에 따라서 피드백 커패시터와 부하 커패시터 둘 다에 의해 정의된다.

이러한 증폭기 단계에 의하면, 특히 허브 와이어 결합들 중 하나에 대한 손상으로 인한 단일의 변환기의 손실은, 4개의 변환기의 경우에, 정상의 픽오프 변환기 커패시턴스(C_부하)의 1/4(25%)의 단절을 초래할 것이다. 이 방정식에 따르면, 부하 커패시턴스의 변화로 인해 픽오프 증폭기의 이득이 원래의 이득의 68%로 변경된다. 이 이득 변화는 정상의 픽오프 신호의 1/4의 손실과 합해져서 전체 픽오프 신호 이득을 원래의 수준의 (0.75 x 0.68) x 100 = 51%로 저감시킬 것이다.

또한, 위에서 언급된 바와 같이, 이 구성은 MEMS 변환기를 차동 증폭기에 접속시키는 단지 2개의 와이어 결합(7a, 7b)만이 있도록 된다. 이것은 MEMS와 출력 회로 간의 결함 와이어 결합이 MEMS 변환기로부터의 신호의 50% 손실, 따라서 픽오프 변환기 커패시턴스(C_부하)의 절반(50%)의 손실을 초래하는 상태를 형성한다.

부하 커패시턴스의 변화로 인해 증폭기의 이득이 원래의 이득의 11%로 저감된다. 이 이득 변화는 정상의 픽오프 신호의 절반의 손실과 합해져서, 전체 픽오프 신호 이득을 원래의 수준의 (0.5 x 0.11) x 100 = 5.5%로 저감시킬 것이다.

검출 정확도를 더욱 개선시키기 위하여, 커패시터들은 비교적 높은 값을 지녀야 한다. 예를 들어, 변환기들의 각 쌍의 커패시턴스는 80 pF 내지 250 pF의 범위일 수 있다. 허브 와이어 결합은 두 쌍의 변환기를 함께 접속하며, 따라서 차동 증폭기의 각 측 상의 변환기 커패시턴스는 160 pF 내지 500 pF의 범위일 수 있다.

마찬가지의 구성의 이전의 센서들은 0.1 pF 내지 2 pF 범위의 변환기 커패시턴스를 지닌다. 따라서 1쌍의 변환기는 0.2 pF 내지 4 pF 범위의 커패시턴스를 지닐 것이다. 마찬가지 방식으로 접속되면, 차동 증폭기의 각 측 상의 변환기 커패시턴스는 0.4 pF 내지 8 pF의 범위일 것이다. 따라서 더 높은 커패시턴스는 검출을 크게 개선시킨다. 그러나 더욱 통상의 커패시턴스값들을 이용해서 여전히 이점이 얻어질 수 있다.

이들 변화는 픽오프 증폭기 이후에 적절한 검출 회로를 이용해서 검출될 수 있다(통상적으로 이용 가능한 회로는 공지되어 있으므로, 시스템의 이 부분은 더 설명되지 않는다). 표시된 예는 복조 및 필터링 단계를 기술하지만, 다른 처리 단계 및 검출 회로가 이용될 수 있다.

회로 내의 다른 지점들은, 가장 적합하게 여겨지는 바와 같이, 이득의 변화를 검출하기 위하여 사용될 수 있다.

Claims (3)

1. 센서 디바이스로서,
   적어도 2개의 변환기;
   센서 신호 처리 회로; 및
   변환기 대 센서 신호 처리 회로 전기 접속부들로서, 각각 상기 센서 신호 처리 회로에 대해서 상기 변환기들 중 각각의 변환기를 접속하는, 상기 전기 접속부들;
   2개의 결합 와이어와 접속된 차동 증폭기를 포함하되,
   상기 결합 와이어들은 상기 차동 증폭기의 차동 입력들에 접속되고, 증폭기 출력은 상기 센서 신호 처리 회로에 접속되는, 센서 디바이스.
2. 제1항에 있어서, 상기 전기 접속부들은 와이어 결합들을 포함하는, 센서 디바이스.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 2개의 변환기는 적어도 2쌍의 변환기를 포함함으로써, 각 쌍의 변환기가 단일 결합 와이어에 의해 상기 차동 증폭기에 접속되는, 센서 디바이스.

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