KR20160057514A - 파장 선택적 광열변환 필름 및 이를 이용한 oled용 전사 필름 - Google Patents

파장 선택적 광열변환 필름 및 이를 이용한 oled용 전사 필름 Download PDF

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Abstract

기재 필름 및 상기 기재 필름상에 형성되는 광열변환 층을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 광열변환 필름을 제공한다.

Description

파장 선택적 광열변환 필름 및 이를 이용한 OLED용 전사 필름{LIGHT TO HEAT CONVERSION FILM WITH WAVELENGTH SELECTIVITY AND TRANSFER FILM FOR OLED USING THE SAME}
본 발명은 파장 선택적 광열변환 필름 및 이를 이용한 OLED용 전사 필름에 관한 것이다.
디스플레이에 있어서, OLED(Organic Light Emitting Diode)는 LCD(Liquid Crystal Display)에 비하여 자체 발광성, 고휘도, 빠른 응답속도 등의 여러 장점이 있어, 많은 연구가 이루어지고 있다.
OLED에는 유기발광 물질이 포함된다. 이러한 유기발광 물질의 경우 종래에는 주로 증착 방법이 이용되었다. 그러나, 증착 방법의 경우, 형성되는 유기발광 물질 층의 균질화가 어려운 문제점이 있었다.
최근에는 전사 필름에 광열변환 층과 유기발광물질층을 형성하고, 레이저 등으로 광을 조사할 때, 광열변환 층에 포함된 물질이 광을 흡수하여 열을 방출하는 과정을 통하여 유기발광물질층이 기판에 전사되는 열전사 방법이 이용되고 있다. 열전사 방법의 경우, 증착 방법에 비하여 유기발광물질층의 균질화가 용이한 장점이 있다.
그런데, 전사 필름의 광열변환 층에 사용되는 광 흡수 물질은 통상 카본 블랙이 이용된다. 이러한 카본 블랙의 경우, 가시광 투과가 어려워 필름의 투명성을 확보하기 어려우며, 이에 따라 전사 필름과 기판의 정확한 정렬이 어려운 문제점이 있다.
본 발명에 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0069708호(2011.06.23. 공개)에 개시된 광열변환 시트, 그것을 사용한 유기 전계 발광 소재 시트, 및 유기 전계 발광 장치의 제조 방법이 있다.
본 발명은 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 형성되는 광열변환 층을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 광열변환 필름을 제공하고자 한다.
그러나, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 형성되는 광열변환 층을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 광열변환 필름을 제공한다.
상기 광열변환 층은 파장 400nm 투과율이 20 내지 70이고, 파장 600nm 투과율이 20 내지 70 이고, 파장 900nm 투과율이 2 내지 5, 파장 1000nm 투과율이 1 내지 5인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 산화텅스텐계 물질은 제1 입자직경이 15 내지 25nm이고, 제2 입자직경이 25 내지 35nm인 산화텅스텐 분말인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비는 약 1 : 2 내지 약 4 : 1인 광열변환 필름. 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 산화텅스텐계 물질은 수소 또는 금속 함유 산화텅스텐(MxWO3, M은 수소 또는 금속, 0.1<x<1) 분말을 포함하는 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Ba, Sr, Fe, Sn, Mo, Nb, Ta, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl 및 이들의 조합 중 어느 하나인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 조성물 고형분 100중량부에 대하여, 상기 산화텅스텐계 물질은 20 내지 50 중량부, 상기 바인더는 50 내지 80 중량부로 포함하는 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 조성물은 카본블랙을 추가로 포함하는 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 광열변환 층의 두께는 2㎛ 내지 3㎛인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 광열변환 층 상부에 중간층이 추가로 형성된 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
상기 중간층의 두께는 0.1 내지 3㎛인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
본 발명은 기재 필름; 상기 기재 필름 상부에 형성된 광열변환 층; 및 상기 광열변환 층 상부에 형성된 유기발광 물질층;을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 OLED용 전사 필름을 제공한다.
상기 광열변환 층은 파장 400nm 투과율이 20 내지 70이고, 파장 600nm 투과율이 20 내지 70 이고, 파장 900nm 투과율이 2 내지 5, 파장 1000nm 투과율이 1 내지 5인 OLED용 전사 필름을 제공할 수 있다.
상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비는 약 1 : 2 내지 약 4 : 1인 광열변환 필름을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 광열변환 필름은 입자 직경이 다른 2가지 이상의 산화텅스텐 계 물질을 광열변환물질로 포함함으로써, 광열변환 효과와 더불어, 다양한 파장대에서 특정 투과도를 구현할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 광열변환 필름을 이용한 OLED용 전사 필름의 경우, 상기와 같은 효과로 인하여 종래 카본블랙을 이용한 OLED 전사 필름 대비, 유기발광 물질의 전사 대상이 되는 기판과의 얼라인이 용이하고, OLED의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광열변환 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광열변환 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED용 전사 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED용 전사 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
본 발명자들은 광열변환 필름에 대하여 연구하던 중, 입자 직경이 다른 2가지 이상의 산화텅스텐계 물질을 광열변환물질로 첨가함으로써, 우수한 광열변환 효율과 넓은 파장 흡수 스펙트럼을 구현할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
이하에서 기재의 “상부 (또는 하부)” 또는 기재의 “상 (또는 하)”에 임의의 구성이 형성된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 형성되는 것을 의미할 뿐만 아니라, 상기 기재와 기재 상에 (또는 하에) 형성된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.
본 발명은 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 형성되는 광열변환 층을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 광열변환 필름을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광열변환 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것으로, 본 발명의 광열변환 필름은 기재 필름(110) 및 광열변환 층(120)을 포함한다.
기재 필름(110)은 PE(polyethylene), PET(polyethylene terephthalate), PP(polypropylene), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), PVC(polyvinyl chloride), PC (polycarbonate), PS(polystyrene) 등 다양한 재질의 고분자 필름을 이용할 수 있다. 기재 필름(110)은 특히 PET 필름을 이용하는 것이 바람직하다. PET 필름의 경우, 광열변환을 위한 광 조사시에 광 투과율이 높아 변형 방지를 통한 형상 유지가 용이한 장점이 있다.
광열변환 층(120)은 기재 필름(110) 상에 형성된다. 광열변환 층(120)은 광을 흡수하여 열로 방출한다. 열이 방출되면서 광열변환 층(120)은 필름의 두께 방향으로 팽창하게 된다. 이때, 광열변환 층 상부에 유기발광 물질층이 형성되어 있는 경우, 광열변환시 광열변환 층의 팽창에 의해 광열변환 층과 유기발광 물질층의 부착력이 약해지게 되고, 이에 따라 기판과 같은 전사 대상물에 전사가 이루어지게 된다.
본 발명의 광열변환 층(120)은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성된다.
산화텅스텐계 물질은 적외선 흡수능이 우수하여, 레이저 조사시 광열변환 효과가 우수하다.
본 발명은 광열변환 물질로서 입자 직경이 다른 2이상의 산화텅스텐계 물질을 사용함으로써, 단일 금속산화물을 사용하는 것에 비해 같은 양을 사용하여도 우수한 광열변환 효율을 구현하고, 파장 흡수 스펙트럼이 넓어질 수 있다.
상기 산화텅스텐계 물질은 제1 입자직경이 약 15 내지 약 25nm이고, 제2 입자직경이 약 25 내지 약 35nm인 산화텅스텐 분말일 수 있다.
또한, 상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비는 약 1 : 2 내지 약 4 : 1일 수 있다.
상기 산화텅스텐계 물질에서, 상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비가 상기 범위를 벗어 나는 경우, 예를 들어 약 1 : 3 인 경우, 입자의 부피비율이 큰입자 쪽으로 커져서 입자가 큰 입자만의 물성만 나올 우려가 있고, 예를 들어 약 6 : 1 인 경우 큰입자가 작은입자사이에 분산되어 작은입자만의 물성만 나오게된다.
또한 산화텅스텐계 물질은 수소 또는 금속 함유 산화텅스텐(MxWO3, M은 수소 또는 금속, 0.1<x<1) 분말을 포함할 수 있다. 상기 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Ba, Sr, Fe, Sn, Mo, Nb, Ta, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In 및 Tl 중에서 1종 이상 선택될 수 있다. 금속 함유 산화텅스텐의 예로, Rb0.33WO3, Cs0.33WO3등을 제시할 수 있으며, Cs0.33WO3를 이용하는 것이 광열변환효율 및 광투과도 측면에서 보다 바람직하다.
상기 조성물 고형분 100중량부에 대하여, 상기 산화텅스텐계 물질은 약 10 내지 약 50 중량부로 포함할 수 있다. 산화 텅스텐계 물질의 함량이 약 10중량부 미만일 경우에는 광열변환효율이 낮아져 전사효율 또한 낮아질 가능성이 있고, 약 50중량부를 초과하는 경우에는 산화텅스텐계 물질이 기재 필름에 균일하게 도포되기가 어렵고 응집될 수 있다. 또한 산화텅스텐계 물질의 방해로 수지들이 고분자 도막을 형성하기 어렵게 된다. 따라서 전사의 균질도가 떨어질 가능성이 있다.
상기 조성물은 카본블랙을 추가로 포함할 수 있다. 카본블랙은 레이저광을 흡수하여 열로 방출하는 능력이 우수하여, 광열변환을 이용한 전사에 널리 이용되었다. 그러나, 카본블랙의 경우, 가시광 투과도가 극히 낮은 물질로서, 카본블랙이 적용된 광열변환 필름은 투명도가 거의 없다. 따라서 카본 블랙을 단독으로 사용할 경우, 가시광선 구역을 모두 흡수하여 공정상 어려움이 있는데, 본 발명의 산화텅스텐계 물질에 추가로 포함할 경우 광열변환 효율도 높이고 넓은 파장 흡수 스펙트럼도 구현할 수 있다.
또한, 광열변환 층은, 상기 기재한 것 이외에 예를 들어 염료(예컨대, 가시광선 염료, 자외선 염료, 적외선 염료, 형광 염료 및 방사선 편광 염료), 안료, 금속, 금속 화합물, 금속 필름, 및 다른 적합한 흡수 재료를 광열변환 물질로 추가로 포함할 수 있다.
산화텅스텐계 물질을 포함하는 광열변환 층은 산화텅스텐계 물질, 바인더, 광개시제 및 용매를 포함하는 조성물의 도포 및 건조를 통하여 형성될 수 있다. 이 중, 용매의 경우 제거되는 것이므로, 광열변환 층은 산화텅스텐계 물질, 바인더 및 광개시제를 포함한다고 볼 수 있다.
바인더는 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 등 광중합 가능한 것이라면 공지된 것을 제한 없이 이용할 수 있다.
상기 조성물 고형분 100중량부에 대하여, 상기 바인더는 약 50 내지 약 90 중량부로 포함할 수 있다. 바인더 함량이 약 50중량부 미만일 경우, 경화도막이 형성되지 않을 수 있다. 반대로, 바인더 함량이 약 90중량부를 초과하는 경우, 광투과율이 높아 광열변환효율이 낮아지는 우려가 있다.
용매의 경우, 공지된 유기 용매를 단독으로 혹은 혼합하여 이용할 수 있으며, 도포가 용이하도록 조성물의 점도가 대략 약 100 내지 약 1000cps 정도가 되도록 사용할 수 있다. 점도가 약 100 미만인 경우 도막의 두께 조절 문제가 있고, 약 1000을 초과할 경우 공정성 및 도막의 평편도에 우려가 있다.
상기 광열변환 층(120)의 두께는 약 2 내지 약 3㎛일 수 있다. 광열변환 층(120)의 두께가 약 2㎛미만인 경우에는 광 조사시 광열변환물질이 필름 두께 방향으로 전사에 필요한 충분한 두께로 팽창하지 않을 수 있다. 반대로, 광열변환 층(120)의 두께가 약 3㎛초과인 경우에는 두께가 약 3㎛까지 증가할 때 얻을 수 있는 전사 효율 증가 등의 효과없이 단순히 두께만 증가할 수 있다.
한편, 상기와 같은 조성을 통하여 본 발명은 파장 400nm 투과율이 20 내지 약 70이고, 파장 600nm 투과율이 약 20 내지 약 70 이고, 파장 900nm 투과율이 약 2 내지 약 5, 파장 1000nm 투과율이 약 1 내지 약 5인 광열변환 필름을 제공한다.
같은 세기의 레이저를 조사하였을 때 각 파장대에 따른 상기 투과율을 가짐으로써, 필름의 파장 흡수 스펙트럼이 넓어져 각 공정에 적합한 필름을 제공할 수 있어, 결과적으로 공정의 전사효율이 증대되는 효과가 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광열변환 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것으로, 본 발명의 광열변환 필름은 광열변환 층(120) 상부에 중간층(130)을 포함할 수 있다.
상기 중간층(130)은 전사물의 손상 및 오염을 최소화하고, 전사물의 왜곡을 감소시키는 역할을 한다.
이를 위하여 중간층(130)은 높은 내열성을 갖는 것이 바람직한바, 중간층(130)은 중합체 필름, 금속층(예컨대 증착 금속층), 무기층(예컨대 무기 산화물(예컨대 실리카, 티타니아 및 다른 금속 산화물)의 졸-겔 침착층 및 증착층) 및 유기/무기 복합층을 포함한다. 여기에서 유기재료는 열경화성 및 열가소성 재료를 포함한다.
상기 열경화성 재료로는 가교 결합되거나 가교 결합 가능한 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르, 에폭시 및 폴리우레탄을 포함하지만, 이에 제한되지 않으며, 열, 방사 또는 화학적 처리에 의해 가교 결합될 수 있는 수지를 포함한다.
또한 상기 열가소성 재료는 예를 들어 열가소성 전구체로서 광열변환 층 상에 코팅된 후 가교 결합되어 가교 결합 중간층을 형성할 수 있는 것이라면 제한이 없다.
본 발명에 있어서 상기 중간층(130)은 광개시제, 계면활성제, 안료, 가소제 및 코팅 보조제를 포함한 첨가제를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층(130)의 두께는 약 0.1 내지 약 3㎛일 수 있다. 중간층의 두께가 약 0.1㎛ 미만일 경우, 광열변환 층(120) 보호 효과가 불충분할 수 있다. 반대로, 중간층의 두께가 약 3㎛를 초과하는 경우, 광 조사시 광열변환 층의 팽창에도 불구하고, 중간층으로부터 전사물의 부착력이 약해지지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED용 전사 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것으로, 본 발명은 기재 필름(110); 상기 기재 필름 상부에 형성된 광열변환 층(120); 및 상기 광열변환 층 상부에 형성된 유기발광 물질층(210);을 포함하고, 상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는 OLED용 전사 필름을 제공한다.
예를 들어, 레이저를 이용하여 광 조사시 광열변환 층(120)에 포함된 산화 텅스텐계 물질이 적외선을 흡수한 후 열로 방출하면서 광열변환 층이 필름 두께방향으로 팽창하게 되고, 이에 따라, 유기발광 물질층(210)이 박리되면서 전사 대상이 되는 기판에 전사가 이루어질 수 있게 된다.
상기 광열변환 층 의 조성은 전술한 광열변환 필름을 형성하는 조성물에서 설명된 바와 같다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED용 전사 필름의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 4을 참조하면, 도시된 OLED용 전사 필름은 기재 필름(110), 광열변환 층(120), 중간층 (130) 및 유기발광 물질층(210)을 포함한다.
도 4에 도시된 예의 경우, 중간층(130)에 의하여 광열변환 층(120)이 보호되는 것을 제외하고는 도 3에 도시된 예와 동일하므로, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실시예 비교예
하기 표 1에 기재된 조성으로 광열변환 물질을 포함하는 2.5㎛ 두께의 광열변환 층을 형성함으로써 광열변환 필름 시편을 제조하였다. 함량은 조성물 고형분 100중량부 기준이다.
구 분 광열변환물질 아크릴레이트 수지(바인더)
실시예 1 금속 산화물A 20 중량부 금속 산화물B 20 중량부 60 중량부
실시예 2 금속 산화물A 30 중량부 금속 산화물B 10 중량부 60 중량부
비교예 1 금속산화물A 40 중량부 60 중량부
비교예 2 금속산화물B 40 중량부 60 중량부
비교예 3 금속 산화물A 34 중량부 금속 산화물B 6 중량부 60 중량부
비교예 4 금속 산화물A 8 중량부 금속 산화물B 32 중량부 60 중량부
비교예 5 카본 블랙 10 중량부 90 중량부
금속산화물 A : 입자 직경 20nm의 세슘 텅스텐 옥사이드
금속산화물 B : 입자 직경 30nm의 세슘 텅스텐 옥사이드
카본 블랙 : 입자 직경 30nm
물성 평가
광열변환 효율은 Laser Continuous wave를 이용하여 50W로 PET 필름의 이면에서 1.0m/min으로 조사하여 초기 두께 대비 부푼 정도를 평가하였다.
파장 400nm
투과율
파장 600nm
투과율
파장 900nm
투과율
파장 1000nm
투과율
광열변환 효율
실시예1 55~60 60~65 3~4 2~3 200%
실시예2 60~65 60~65 3.5~4.5 3~4 220%
비교예1 65~70 65~70 5~6 3~4 140%
비교예2 45~50 55~60 1~2 1~2 150%
비교예3 45~50 55~60 1~2 1~2 155%
비교예4 65~70 65~70 5~6 3~4 145%
비교예5 0~1 0~1 1~2 2~3 125%
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 2의 광열변환 필름은 200% 이상의 광열변환 효율을 구현하는 것을 알 수 있다. 이와 동시에, 상기 광열변환 필름은 각 파장대에 상기 투과율을 가짐으로써 같은 세기의 레이저를 조사하였을 때 광열변환의 효율이 높아서 상대적으로 전사효율이 증대되는 효과가 있다.
상기 비교예 1 내지 2는 한 종류의 입자 직경을 갖는 금속산화물을 사용한 경우로, 광열변환 효율이 150% 이하로 낮게 나타났다. 비교예 3 내지 4는 본 발명의 제1 입자직경의 금속산화물과 제2 입자직경의 금속산화물의 혼합비의 범위를 넘어서는 약 6 대 1 및 1 대 4 인 경우로, 역시 광열변환 효율이 낮게 나타났다. 카본블랙을 사용한 비교예 5의 경우 각 파장대별 투과율 및 광열변환 효율이 매우 낮게 나타나 광열변환 필름으로서의 광학 특성이 좋지 않음을 알 수 있다.
110 : 기재 필름
120 : 광열변환 층
130 : 보호층
210 : 유기발광 물질층

Claims (14)

  1. 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 형성되는 광열변환 층을 포함하고,
    상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는
    광열변환 필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 광열변환 층은 파장 400nm 투과율이 20 내지 70이고, 파장 600nm 투과율이 20 내지 70 이고, 파장 900nm 투과율이 2 내지 5, 파장 1000nm 투과율이 1 내지 5인
    광열변환 필름.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 산화텅스텐계 물질은 제1 입자직경이 15 내지 25nm이고, 제2 입자직경이 25 내지 35nm인 산화텅스텐 분말인
    광열변환 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비는 약 1 : 2 내지 약 4 : 1인
    광열변환 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화텅스텐계 물질은
    수소 또는 금속 함유 산화텅스텐(MxWO3, M은 수소 또는 금속, 0.1<x<1) 분말을 포함하는
    광열변환 필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 금속은
    Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Ba, Sr, Fe, Sn, Mo, Nb, Ta, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl 및 이들의 조합 중 어느 하나인
    광열변환 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조성물 고형분 100중량부에 대하여, 상기 산화텅스텐계 물질은 20 내지 50 중량부, 상기 바인더는 50 내지 80 중량부로 포함하는
    광열변환 필름.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 카본블랙을 추가로 포함하는
    광열변환 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광열변환 층의 두께는 2㎛ 내지 3㎛인
    광열변환 필름.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광열변환 층 상부에 중간층이 추가로 형성된
    광열변환 필름.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 중간층의 두께는 0.1 내지 3㎛인
    광열변환 필름.
  12. 기재 필름;
    상기 기재 필름 상부에 형성된 광열변환 층; 및
    상기 광열변환 층 상부에 형성된 유기발광 물질층;을 포함하고,
    상기 광열변환 층은 제1 입자직경 및 제2 입자직경을 가지는 산화텅스텐계 물질 및 바인더를 포함하는 조성물로 형성되는
    OLED용 전사 필름.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 광열변환 층은 파장 400nm 투과율이 20 내지 70이고, 파장 600nm 투과율이 20 내지 70 이고, 파장 900nm 투과율이 2 내지 5, 파장 1000nm 투과율이 1 내지 5인
    OLED용 전사 필름.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 입자직경인 산화텅스텐계 물질과 상기 제2 입자직경인 산화텅스텐계 물질의 중량비는 약 1 : 2 내지 약 4 : 1인
    광열변환 필름.
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KR20220150600A (ko) 2021-05-04 2022-11-11 김두식 가전제품의 디스플레이 필름 및 제조방법

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