KR20160047642A - 편광 소자의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 편광 소자의 제조 방법은 기판 상에 금속층을 형성한다. 상기 금속층 상에 하드 마스크를 형성한다. 상기 하드 마스크의 일부 위에 접착층을 형성한다. 상기 하드 마스크 및 상기 접착층 위에 고분자층을 형성한다. 상기 고분자층에 몰드를 접촉시키고 압력을 가하여 격자 패턴을 형성한다. 상기 몰드와 상기 격자 패턴의 일부를 함께 제거한다. 잔류 격자 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 접착층, 상기 하드 마스크 및 상기 금속층을 패터닝한다.
Description
본 발명은 편광 소자의 제조 방법 및 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시 장치용 편광 소자의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선 광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정의 분자 배열을 제어하기 위해 편광판을 포함한다. 일반적인 편광판은 투과축에 평행한 방향의 편광 성분을 투과하고, 투과축과 직교하는 방향의 편광 성분을 흡수한다. 상기 일반적인 편광판은 광원에서 생성된 광의 일부를 흡수하기 때문에 효율성이 떨어지는 문제가 있다.
한편, 상기 와이어 그리드 편광 소자가 알루미늄과 같은 반사율이 높은 금속을 포함할 경우 반사율이 높아져 표시 장치의 시인성이 낮아지는 문제가 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 편광 소자 및 상기 편광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법은 기판 상에 금속층을 형성한다. 상기 금속층 상에 하드 마스크를 형성한다. 상기 하드 마스크의 일부 위에 접착층을 형성한다. 상기 하드 마스크 및 상기 접착층 위에 고분자층을 형성한다. 상기 고분자층에 몰드를 접촉시키고 압력을 가하여 격자 패턴을 형성한다. 상기 몰드와 상기 격자 패턴의 일부를 함께 제거한다. 잔류 격자 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 접착층, 상기 하드 마스크 및 상기 금속층을 패터닝한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착층은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제 또는 우레탄계(urethane-based) 접착제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 격자 패턴은 열 또는 자외선에 의해 경화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 금속층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 금속층을 형성한다. 상기 금속층 상에 하드 마스크를 형성한다. 상기 하드 마스크 상에 접착층을 형성한다. 상기 접착층 위에 고분자층을 형성한다. 상기 고분자층에 몰드를 접촉시키고 차광 마스크를 이용하여, 상기 격자 패턴을 형성한다. 상기 몰드와, 상기 격자 패턴의 일부를 함께 제거한다. 잔류 격자 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 접착층, 상기 하드 마스크 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착층은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제 또는 우레탄계(urethane-based) 접착제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 격자 패턴은 열 또는 자외선에 의해 경화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 금속층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하며 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하고, 상기 제1 기판은 투과 영역에 배치되고, 서로 이격되는 복수의 금속 패턴을 포함하는 제1 편광 소자 및 차광 영역에 배치된 블랙 매트릭스를 포함하며, 상기 블랙 매트릭스 및 상기 제1 편광 소자는 동일 평면에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 흑색 착색제 및 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제1 편광 소자와 부분적으로 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판의 제1 면은 상기 제2 기판과 대향하며, 상기 제1 편광 소자는 상기 제1 면에 반대되는 제2 면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 편광 소자의 금속 패턴은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판의 투과 영역에 배치되고, 서로 이격되는 복수의 금속 패턴을 포함하는 제2 편광 소자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판의 차광 영역에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 반사 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 제2 편광 소자는 상기 제1 기판의 동일 평면에 배치될 수 있다.
상기 제2 편광 소자 및 상기 반사 패턴은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)을 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 편광 소자 및 상기 반사 패턴은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 물질을 포함하는 블랙 매트릭스에 의해 표시 패널의 전체 반사율을 줄일 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스와 편광 소자를 동일 평면에 형성하여 표시 패널의 두께를 줄일 수 있다.
또한, 편광 소자는 복수의 선형 패턴 및 상기 선형 패턴과 동일 평면에 형성되는 반사 패턴을 나노 임프린트 공정으로 동시에 형성하여 반사 패턴을 형성하는 별도의 공정 비용을 줄일 수 있다.
또한, 상기 편광 소자는 평탄한 면을 갖는 반사 패턴을 포함하여 부분적으로 광을 반사시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 2의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 2의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 편광 소자는 기판(100), 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(120)을 포함한다.
상기 기판(100)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속층(110)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제1 금속층(110)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 선형 패턴을 구성한다.
상기 제1 금속층(110)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(110)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 제1 금속층(110) 상에는 제2 금속층(120)이 배치된다. 상기 제2 금속층(120)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(120)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 편광 소자는 기판(200), 제2 금속층(220) 및 제1 금속층(210)을 포함한다.
상기 기판(200)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(200)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 금속층(220)은 상기 기판(200) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(220)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(210)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(220)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(220)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(220)상에 상기 제1 금속층(210)이 배치된다. 상기 제1 금속층(210)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(210)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(100) 상에 하부 금속층(112)을 형성한다. 상기 기판(100)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부 금속층(112)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 하부 금속층(112)은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 금속층(112)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 상기 하부 금속층(112)의 두께는 약 100nm 내지 150nm 일 수 있다.
상기 하부 금속층(112) 상에 상부 금속층(122)을 형성한다. 상기 상부 금속층(122)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 상부 금속층(122)은 화학 기상 증착에 의해 형성될 수 있다. 상기 상부 금속층(122)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 상부 금속층(122) 상에 하드 마스크(132)를 형성한다. 상기 하드 마스크(132)는 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 하드 마스크는 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하드 마스크(132)는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다.
상기 하드 마스크(132)의 일부 위에 접착층(142)을 형성한다. 상기 접착층(142)을 형성하는 영역은 편광 소자가 형성되는 영역과 대응된다. 상기 접착층(142)은 프린팅(printing) 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing)하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 접착층(142)은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제, 우레탄계(urethane-based) 접착제 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(142)은 아크릴계 폴리머 접착제나 비닐 에테르계 폴리머 접착제 등과 같은 감압성(pressure-sensitive) 접착제를 포함할 수 있다. 상기 감압성 접착제를 포함하는 접착층(142)에 압력이 가해지면 접착층(142)의 하부에 배치된 하드마스크(132)와 고분자층(152)의 접착력이 증가될 수 있다
도 3b를 참조하면, 상기 하드 마스크(132) 및 상기 접착층(142) 상에 고분자층(152)을 형성한다. 상기 고분자층(152)은 당해 기술 분야에서 사용되는 일반적인 열경화성 수지(thermosetting resin) 또는 광경화성 수지(photocurable resin)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 열경화성 수지는 요소수지, 멜라민수지 및 페놀수지 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 광경화성 수지는 중합성 관능기를 갖는 중합성 화합물, 광조사에 의해 상기 중합성 화합물의 중합 반응을 개시시키는 광중합 개시제, 계면 활성제 및 산화 방지제 등을 포함할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3c를 참조하면, 상기 고분자층(152) 상에 몰드(162)를 접촉시키고 상기 몰드(162)를 상기 고분자층(152) 방향으로 압력을 가하여 상기 고분자층(152) 상에 격자 패턴을 형성한다. 상기 몰드(162)는 복수의 돌출부 및 홈들이 형성되어 있다. 상기 고분자층(152)은 상기 몰드(162)의 돌출부와 반대되는 형상을 갖는 복수의 홈이 형성되고, 상기 몰드(162)의 홈과 반대되는 형상을 갖는 복수의 돌출부가 형성된다.
상기 고분자층(152)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(162)는 금속 또는 열팽창 계수가 낮은 물질을 포함할 수 있고, 상기 고분자층(152)이 광경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(162)는 투명한 고분자 물질 또는 광투과율이 높고 강도가 높은 물질을 포함할 수 있다.
상기 고분자층(152)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(162)를 상기 고분자층(152)에 접촉시킨 후, 상기 고분자층(152)을 상기 열경화성 수지의 유리 전이 온도(glass transition temperature) 보다 높게 가열하여 고분자의 유동성을 제공한 후, 상기 몰드(162)를 가압하여 상기 고분자층(152)에 상기 몰드(162)의 패턴이 전사되도록 한다. 이후 상기 고분자층(152)을 상기 유리 전이 온도(glass transition temperature) 이하로 냉각하여 상기 고분자층(152)을 경화시킨다.
상기 고분자층(152)이 광경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(162)를 상기 고분자층(152)에 접촉시킨 후, 상기 몰드(162)를 가압하여 상기 고분자층(152)에 상기 몰드(162)의 패턴이 전사되도록 한다. 상기 몰드(162)는 광투과율이 높은 물질을 포함하므로 상기 몰드(162)를 통해 상기 고분자층(152)에 광을 조사할 수 있다. 상기 고분자층(152)에 광을 조사하면 상기 고분자층(152)은 경화된다.
도 3d를 참조하면, 경화된 상기 고분자층(152)으로부터 상기 몰드(162)를 제거한다. 상기 접착층(142) 상에 배치되지 않은 고분자층(152)은 상기 몰드(162)가 제거될 때 함께 제거된다. 상기 접착층(142) 상에 배치된 고분자층(152)은 잔류하여 격자 패턴(152m)을 형성한다.
도 3e를 참조하면, 상기 격자 패턴(152m), 상기 접착층(142) 및 상기 하드 마스크(132)를 일부 제거한다. 예를 들면 상기 격자 패턴(152m), 상기 접착층(142) 및 상기 하드 마스크(132)는 건식 식각될 수 있다. 상기 격자 패턴(152m)은 상기 몰드(162)에 의해 상기 돌출부들을 가지므로, 상기 돌출부는 잔류하고, 상기 돌출부들 사이의 오목부 및 상기 오목부에 대응되는 상기 접착층(142) 및 상기 하드 마스크(132)는 식각된다. 상기 격자 패턴(152m)의 상기 돌출부들은 잔류 격자 패턴(152p)으로 남게 되고, 상기 격자 패턴(152m)의 상기 오목부에 대응되는 상부 금속층(122)은 노출된다.
상기 상부 금속층(122) 및 상기 하부 금속층(112)을 식각하여 상기 상부 금속층(122)의 노출된 부분 및 상기 노출된 부분과 대응하는 상기 하부 금속층(112)의 부분이 식각되어 선형 패턴을 형성한다. 상기 선형 패턴의 크기는 상기 하부 금속층(112) 및 상기 상부 금속층(122)의 두께, 및 상기 몰드(162)의 폭을 조절하여 원하는 크기로 조절될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 잔류 격자 패턴(152p), 상기 접착층(142) 및 상기 하드 마스크(132)를 동시에 제거한다. 따라서, 제1 금속층(110) 및 상기 제1 금속층(110) 위에 배치된 제2 금속층(120)을 포함하는 편광 소자가 형성된다. 다른 실시예에서, 상기 하드 마스크(132)는 제거되지 않고 잔류할 수도 있다.
도 4a 내지 도 4f는 도 2의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(200) 상에 하부 금속층(222)을 형성한다. 상기 기판(200)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(200)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 하부 금속층(222)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 하부 금속층(222)은 화학 기상 증착에 의해 형성될 수 있다. 상기 하부 금속층(222)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 하부 금속층(222) 상에 상부 금속층(212)을 형성한다. 상기 상부금속층(212)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 상부 금속층(212)은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 금속층(212)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 상기 상부 금속층(212)의 두께는 약 100nm 내지 200nm 일 수 있다.
상기 상부 금속층(212) 상에 하드 마스크(232)를 형성한다. 상기 하드 마스크(232)는 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 하드 마스크(232)는 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하드 마스크(232)는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다.
상기 하드 마스크(232) 상에 접착층(242)을 형성한다. 상기 접착층(242)은 몰드(262)를 제거할 경우, 상기 몰드(262)에 결합된 상기 고분자층(252)이 상기 기판(200)으로부터 함께 제거되는 것을 방지한다.
상기 접착층(242)은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제, 우레탄계(urethane-based) 접착제 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(242)은 아크릴계 폴리머 접착제나 비닐 에테르계 폴리머 접착제 등과 같은 감압성(pressure-sensitive) 접착제를 포함할 수 있다. 상기 감압성 접착제를 포함하는 접착층(242)에 압력이 가해지면 접착층(140)의 하부에 배치된 하드마스크(232)와 고분자층(252)의 접착력이 증가될 수 있다
상기 접착층(242) 상에 고분자층(252)을 형성한다. 상기 고분자층(252)은 당해 기술 분야에서 사용되는 일반적인 열경화성 수지(thermosetting resin) 또는 광경화성 수지(photocurable resin)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 열경화성 수지는 요소수지, 멜라민수지 및 페놀수지 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 광경화성 수지는 중합성 관능기를 포함하는 중합성 화합물, 광조사에 의해 상기 중합성 화합물의 중합 반응을 개시시키는 광중합 개시제, 계면 활성제 및 산화 방지제 등을 포함할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4c를 참조하면, 상기 고분자층(252) 상에 몰드(262)를 접촉시키고 상기 몰드(262)를 상기 고분자층(252) 방향으로 가압하여 상기 고분자층(252) 상에 패턴을 형성한다. 상기 몰드(262)는 복수의 돌출부 및 홈들이 형성되어 있다. 상기 고분자층(252)은 상기 몰드(262)의 돌출부와 반대되는 형상을 갖는 복수의 홈이 형성되고, 상기 몰드(162)의 홈과 반대되는 형상을 갖는 복수의 돌출부가 형성된다.
상기 고분자층(252)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(262)는 금속 또는 열팽창 계수가 낮은 물질을 포함할 수 있고, 상기 고분자층(252)이 광경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(262)는 투명한 고분자 물질 또는 광투과율이 높고 강도가 높은 물질을 포함할 수 있다.
상기 고분자층(252)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(262)를 상기 고분자층(252)에 접촉시킨 후, 상기 고분자층(252)을 상기 열경화성 수지의 유리 전이 온도(glass transition temperature) 보다 높게 가열하여 고분자의 유동성을 제공한 후, 상기 고분자층(252)을 가압하여 상기 몰드(262)의 패턴이 상기 고분자층(252)으로 전사되도록 한다. 이후 상기 고분자층(252)을 상기 유리 전이 온도(glass transition temperature) 이하로 냉각하여 상기 고분자층(252)을 경화 시킨다.
상기 고분자층(252)이 광경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 몰드(262)를 상기 고분자층(252)에 접촉시킨 후, 상기 몰드(262)를 가압하여 상기 고분자층(252)에 상기 몰드(262)의 패턴이 전사되도록 한다. 상기 몰드(262)는 광투과율이 높은 물질을 포함하므로 상기 몰드(262)를 통해 상기 고분자층(252)에 광을 조사할 수 있다. 상기 고분자층(252)에 광을 조사하면 상기 고분자층(252)은 경화된다.
상기 고분자층(252)을 경화시킬 경우, 편광 소자를 형성하지 않는 영역에 차광 마스크(BP)를 배치한다. 상기 차광 마스크(BP)는 열 또는 자외선과 같은 광 에너지를 차단한다. 따라서, 상기 차광 마스크(BP)가 배치된 영역에 형성된 고분자층(252)은 상기 차광 마스크(BP)에 의해 경화되지 않는다.
도 4d를 참조하면, 경화된 상기 고분자층(252)으로부터 상기 몰드(262)를 제거한다. 상기 차광 마스크(BP)가 배치된 영역의 고분자층(252)은 상기 몰드(262)가 제거될 때 함께 제거된다. 상기 차광 마스크(BP)가 배치되지 않은 영역의 고분자층(252)은 잔류하여 격자 패턴(252m)을 형성한다.
도 4e를 참조하면, 상기 격자 패턴(252m), 상기 접착층(242) 및 상기 하드 마스크(232)를 일부 제거한다. 예를 들면 상기 격자 패턴(252m), 상기 접착층(242) 및 상기 하드 마스크(230)는 건식 식각될 수 있다. 상기 격자 패턴(252m)은 상기 몰드(262)에 의해 상기 돌출부들을 가지므로, 상기 돌출부는 남게 되고, 상기 돌출부들 사이의 오목부 및 상기 오목부에 대응되는 상기 접착층(242) 및 상기 하드 마스크(232)는 식각된다. 상기 격자 패턴(252m)의 상기 돌출부들은 잔류 격자 패턴(152p)으로 남게 되고, 상기 격자 패턴(152m)의 상기 오목부에 대응되는 상부 금속층(212)은 노출된다.
상기 상부 금속층(212) 및 상기 하부 금속층(222)을 식각한다. 상기 상부 금속층(212)의 노출된 부분 및 상기 노출된 부분과 대응하는 상기 하부 금속층(222)의 부분이 식각되어 선형 패턴을 형성한다. 상기 선형 패턴의 크기는 상기 상부 금속층(212) 및 상기 하부 금속층(222)의 두께, 및 상기 몰드(262)의 폭을 조절하여 원하는 크기로 조절될 수 있다.
도 4f를 참조하면, 잔류 격자 패턴(252p), 상기 접착층(242) 및 상기 하드 마스크(232)를 제거한다. 따라서, 제2 금속층(220) 및 상기 제2 금속층(220) 위에 배치된 제1 금속층(210)을 포함하는 편광 소자가 형성된다. 다른 실시예에서, 상기 하드 마스크(232)는 제거되지 않고 잔류할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
상기 표시 패널은 어레이 기판과 대향 기판 및 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층(550)을 포함한다. 상기 표시 패널은 백라이트 유닛으로부터 제공되는 광이 투과되는 투과 영역(DA) 및 상기 광이 차단되는 차광 영역(PA)을 포함한다.
상기 어레이 기판은 제1 기판(500), 하부 제2 금속층(520) 및 하부 제1 금속층(510)을 포함하는 하부 선형 패턴, 반사 패턴(530), 제1 절연막(540), 게이트 절연막(542), 박막 트랜지스터(TFT), 보호막(544) 및 제1 전극(EL1)을 포함한다.
상기 제 1 기판(500) 상에 하부 제2 금속층(520)이 배치된다. 상기 하부 제2 금속층(520) 상에 상기 하부 제1 금속층(510)이 배치된다. 상기 하부 제2 금속층(520) 및 상기 하부 제1 금속층(510)은 하부 선형 패턴을 형성한다. 상기 하부 제1 금속층(510) 및 상기 하부 제2 금속층(520)은 도 2에 나타난 제1 금속층(210) 및 제2 금속층(220)과 실질적으로 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
상기 반사 패턴(530)은 상기 차광 영역(PA)에 대응하여 상기 기판(500) 상에 배치된다. 상기 반사 패턴(530)은 평탄한 면을 가지며, 백라이트 유닛으로부터 제공되는 광을 반사한다. 상기 반사 패턴(530)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다. 상기 반사 패턴(530)은 상기 하부 선형 패턴과 동일 평면에 배치된다. 상기 반사 패턴(530)은 상기 하부 선형 패턴과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 패턴(530)은 하부 제2 금속층(522) 및 상기 제2 금속층(522) 상에 배치된 하부 제1 금속층(512)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 반사 패턴(530)은 복수 개의 금속 물질들이 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 하부 선형 패턴 및 상기 반사 패턴(530)이 배치된 상기 제1 기판(500) 상에는 제1 절연막(540)이 배치된다. 상기 제1 절연막(540)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(540) 상에는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(미도시)이 배치된다.
상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인이 배치된 상기 제1 절연막(540) 상에는 게이트 절연막(542)이 배치된다. 상기 게이트 절연막(542)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(542) 상에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 채널층(CH)이 배치된다.
상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(indium: In), 아연(zinc: Zn), 갈륨(gallium: Ga), 주석(tin: Sn) 또는 하프늄(hafnium: Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다.
상기 채널층 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 데이터 라인(미도시)과 연결되고, 상기 드레인 전극(DE)은 콘택홀(CNT)을 통해 상기 제1 전극(EL1)과 연결된다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 채널층(CH)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 상기 보호막(544)이 배치된다. 상기 보호막(544)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수도 있고, 저유전율 유기 절연막으로 형성될 수도 있다. 또한, 무기 절연막과 유기 절연막의 이중막으로 형성될 수도 있다. 상기 보호막(544)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 상기 콘택홀(CNT)을 포함한다.
상기 하부 제1 금속층(510) 및 상기 하부 제2 금속층(520)은 상기 하부 선형 패턴을 형성한다. 상기 하부 선형 패턴은 상기 게이트 라인을 기준으로 수직 방향, 수평 방향 또는 소정의 각도를 포함하는 사선 방향으로 형성될 수 있다.
상기 대향 기판은 제2 기판(600), 제2 금속층(620) 및 제1 금속층(610)을 포함하는 상부 선형 패턴, 제2 절연막(640), 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터(CF), 오버 코팅층(642) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
상기 제2 기판(600)은 상기 제1 기판(500)과 대향한다.
상기 제2 기판(600) 하부에 제2 금속층(620)이 배치된다. 상기 제2 금속층(620) 하부에 상기 제1 금속층(610)이 배치된다. 상기 제2 금속층(620) 및 상기 제1 금속층(610)은 상부 선형 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속층(620) 및 상기 제1 금속층(610)은 도 2에 나타난 제1 금속층(210) 및 제2 금속층(220)과 실질적으로 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
상기 상부 선형 패턴은 상기 투과 영역(DA)에 배치된다. 상기 상부 선형 패턴은 상기 차광 영역(PA)에는 배치되지 않는다.
상기 제1 금속층(610) 및 상기 제2 금속층(620)이 배치된 상기 제2 기판(600) 하부에는 제2 절연막(640)이 배치된다. 상기 제2 절연막(640)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 절연막(640) 하부에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되어 배치되고, 광을 차단한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다.
상기 블랙매트릭스(BM)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제2 절연막(640)의 하부에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(550)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 각 화소 영역에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩되어 있으나, 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(642)은 상기 컬러 필터(CF)와 상기 컬러 필터(CF)가 덮고 있지 않은 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하부에 배치된다. 상기 오버 코팅층(642)은 상기 컬러 필터(CF)를 평탄화 하면서, 상기 컬러 필터(CF)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 화소 영역에 대응되게 배치된다. 상기 제2 전극(EL2)은 공통 라인(미도시)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 전극(EL2)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
상기 액정층(550)은 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(550)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(550)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 표시 패널은 하부 편광 소자를 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 표시 패널은 하부 편광 소자 및 상부 편광 소자를 포함한다. 상기 상부 편광 소자는 도 2의 편광 소자와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 하부 편광 소자는 기판(700) 및 하부 선형 패턴을 포함한다. 상기 기판(700)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(700)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부 선형 패턴은 제2 금속층(720) 및 제1 금속층(710)을 포함한다. 상기 하부 선형 패턴은 투과 영역(DA) 및 차광 영역(PA)에 배치된다.
상기 제2 금속층(720)은 상기 기판(700) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(720)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(710)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(720)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(720)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(720)상에 상기 제1 금속층(710)이 배치된다. 상기 제1 금속층(710)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(710)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 표시 패널은 상부 편광 소자를 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 표시 패널은 하부 편광 소자 및 상부 편광 소자를 포함한다. 상기 하부 편광 소자는 도 5의 하부 편광 소자와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 상부 편광 소자는 기판(1000) 및 상부 선형 패턴을 포함한다. 상기 기판(1000)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1000)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 상부 선형 패턴은 제2 금속층(1020) 및 제1 금속층(1010)을 포함한다. 상기 상부 선형 패턴은 투과 영역(DA)에 배치된다.
상기 제2 금속층(1020)은 상기 기판(1000) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(1020)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(1010)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(1020)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1020)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(1020)상에 상기 제1 금속층(1010)이 배치된다. 상기 제1 금속층(1010)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1010)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
블랙 매트릭스(BM3)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되어 상기 기판(1000) 위에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM3)는 상기 제1 금속층(1010) 및 상기 제2 금속층(1020)을 포함하는 상기 상부 선형 패턴의 일부를 중첩한다. 따라서, 상기 상부 선형 패턴과 상기 블랙 매트릭스(BM3)의 사이로 들어오는 광을 차단할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM3) 및 상기 상부 선형 패턴은 동일 평면에 배치된다.
상기 블랙매트릭스(BM3)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 표시 패널은 상부 편광 소자 및 하부 편광 소자를 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 하부 편광 소자는 기판(1100) 및 하부 선형 패턴을 포함한다. 상기 기판(1100)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1100)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부 선형 패턴은 제2 금속층(1120) 및 제1 금속층(1110)을 포함한다. 상기 하부 선형 패턴은 투과 영역(DA) 및 차광 영역(PA)에 배치된다.
상기 제2 금속층(1120)은 상기 기판(1100) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(1120)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(1110)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(1120)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1120)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(1120)상에 상기 제1 금속층(1110)이 배치된다. 상기 제1 금속층(1110)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1110)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 상부 편광 소자는 기판(1200) 및 상부 선형 패턴을 포함한다. 상기 기판(1200)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1200)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 상부 선형 패턴은 제2 금속층(1220) 및 제1 금속층(1210)을 포함한다. 상기 하부 선형 패턴은 투과 영역(DA)에 배치된다.
상기 제2 금속층(1220)은 상기 기판(1200) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(1220)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(1210)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(1220)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1220)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(1220)상에 상기 제1 금속층(1210)이 배치된다. 상기 제1 금속층(1210)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1210)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
블랙 매트릭스(BM4)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되어 상기 기판(1200) 위에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM4)는 상기 제1 금속층(1210) 및 상기 제2 금속층(1220)을 포함하는 상기 상부 선형 패턴의 일부를 중첩한다. 따라서, 상기 상부 선형 패턴과 상기 블랙 매트릭스(BM4)의 사이로 들어오는 광을 차단할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM4) 및 상기 상부 선형 패턴은 동일 평면에 배치된다.
상기 블랙매트릭스(BM4)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 표시 패널은 상부 편광 소자를 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 표시 패널은 하부 편광 소자 및 상부 편광 소자를 포함한다. 상기 하부 편광 소자는 도 2의 편광 소자와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 상부 편광 소자는 기판(1400), 제1 금속층(1410) 및 제2 금속층(1420)을 포함하는 상부 선형 패턴 및 상부 보호층(1444)을 포함한다.
상기 기판(1400)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1400)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 상부 선형 패턴은 상기 제1 금속층(1410) 및 상기 제2 금속층(1420)을 포함한다. 상기 상부 선형 패턴은 투과 영역(DA)에 배치된다.
상기 제1 금속층(1410)이 기판(1400) 상부에 배치된다. 상기 제1 금속층(1410) 상부에 상기 제2 금속층(1420)이 배치된다. 상기 상부 보호층(1444)은 상기 제1 금속층(1410) 및 상기 제2 금속층(1420)이 형성하는 상부 선형 패턴을 커버하여 보호한다.
상기 제1 금속층(1410)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제2 금속층(1420)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제1 금속층(1210)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1210)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 제2 금속층(1420)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1220)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
블랙 매트릭스(BM5)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되고, 상기 상부 선형 패턴이 배치된 상기 기판(1400)의 반대 면에 배치된다.
상기 블랙매트릭스(BM5)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 표시 패널은 상부 편광 소자 및 하부 편광 소자를 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 하부 편광 소자는 기판(1500) 및 하부 선형 패턴을 포함한다. 상기 기판(1500)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1500)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부 선형 패턴은 제2 금속층(1520) 및 제1 금속층(1510)을 포함한다. 상기 하부 선형 패턴은 투과 영역(DA) 및 차광 영역(PA)에 배치된다.
상기 제2 금속층(1520)은 상기 기판(1500) 상에 배치된다. 상기 제2 금속층(1520)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제1 금속층(1510)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(1520)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1520)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
상기 제2 금속층(1520)상에 상기 제1 금속층(1510)이 배치된다. 상기 제1 금속층(1510)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1510)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 상부 편광 소자는 기판(1600), 제1 금속층(1610) 및 제2 금속층(1620)을 포함하는 상부 선형 패턴 및 상부 보호층(1644)을 포함한다.
상기 기판(1600)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(1600)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 상부 선형 패턴은 상기 제1 금속층(1610) 및 상기 제2 금속층(1620)을 포함한다. 상기 상부 선형 패턴은 투과 영역(DA)에 배치된다.
상기 제1 금속층(1610)이 기판(1600) 상부에 배치된다. 상기 제1 금속층(1610) 상부에 상기 제2 금속층(1620)이 배치된다. 상기 상부 보호층(1644)은 상기 제1 금속층(1610) 및 상기 제2 금속층(1620)이 형성하는 상부 선형 패턴을 커버하여 보호한다.
상기 제1 금속층(1610)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제2 금속층(1620)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제1 금속층(1610)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(1610)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 제2 금속층(1620)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(1620)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
블랙 매트릭스(BM6)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되고, 상기 상부 선형 패턴이 배치된 상기 기판(1600)의 반대 면에 배치된다.
상기 블랙매트릭스(BM6)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
상기 어레이 기판은 제1 기판(1700), 하부 제1 금속층(1710) 및 하부 제2 금속층(1720)을 포함하는 하부 선형 패턴, 반사 패턴(1730), 제1 절연막(1740), 게이트 절연막(1742), 박막 트랜지스터(TFT), 보호막(1744), 블랙 매트릭스(BM7), 컬러 필터(CF2), 오버 코팅층(1746), 제1 전극(EL3), 보호막(1748) 및 제2 전극(EL4)을 포함한다.
상기 표시 패널은 어레이 기판과 대향 기판 및 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층(1750)을 포함한다. 상기 표시 패널은 백라이트 유닛으로부터 제공되는 광이 투과되는 투과 영역(DA) 및 상기 광이 차단되는 차광 영역(PA)을 포함한다.
상기 제 1 기판(1700) 상에 하부 제2 금속층(1720)이 배치된다. 상기 하부 제2 금속층(1720) 상에 상기 하부 제1 금속층(1710)이 배치된다. 상기 하부 제2 금속층(1720) 및 상기 하부 제1 금속층(1710)은 하부 선형 패턴을 형성한다. 상기 하부 선형 패턴은 상기 투과 영역(DA)에 대응하여 상기 기판(1700) 상에 배치된다. 상기 하부 선형 패턴은 상기 게이트 라인을 기준으로 수직 방향, 수평 방향 또는 소정의 각도를 포함하는 사선 방향으로 형성될 수 있다.
상기 반사 패턴(1730)은 상기 차광 영역(PA)에 대응하여 상기 기판(1700) 상에 배치된다. 상기 반사 패턴(1730)은 평탄한 면을 가지며, 백라이트 유닛으로부터 제공되는 광을 차단한다. 상기 반사 패턴(1730)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다. 상기 반사 패턴(1730)은 상기 하부 선형 패턴과 동일 평면에 배치된다. 상기 반사 패턴(1730)은 상기 하부 선형 패턴과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 패턴(1730)은 하부 제2 금속층(1722) 및 상기 제2 금속층 상에 배치된 하부 제1 금속층(1712)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 반사 패턴(1730)은 복수 개의 금속 물질들이 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 하부 선형 패턴 및 상기 반사 패턴(1730)이 배치된 상기 제1 기판(1700) 상에는 제1 절연막(1740)이 배치된다. 상기 제1 절연막(1740)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(1740) 상에는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(미도시)이 배치된다.
상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인이 배치된 상기 제1 절연막(1740) 상에는 게이트 절연막(1742)이 배치된다. 상기 게이트 절연막(1742)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(1742) 상에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 채널층(CH)이 배치된다.
상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(indium: In), 아연(zinc: Zn), 갈륨(gallium: Ga), 주석(tin: Sn) 또는 하프늄(hafnium: Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다.
상기 채널층 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 데이터 라인(미도시)과 연결되고, 상기 드레인 전극(DE)은 콘택홀(CNT)을 통해 상기 제1 전극(EL3)과 연결된다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 채널층(CH)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 상기 보호막(1744)이 배치된다. 상기 보호막(1744)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수도 있고, 저유전율 유기 절연막으로 형성될 수도 있다. 또한, 무기 절연막과 유기 절연막의 이중막으로 형성될 수도 있다. 상기 보호막(1744)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 상기 콘택홀(CNT)을 포함한다.
상기 블랙 매트릭스(BM7)는 상기 차광 영역(PA)에 대응되어 상기 보호막(1744) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM7)는 상기 제1 금속층(1712) 및 상기 제2 금속층(1722)을 포함하는 상기 반사 패턴(1730)과 중첩한다.
상기 블랙매트릭스(BM7)는 무기 흑색 착색제 또는 유기 흑색 착색제 등의 흑색 재질을 포함할 수 있다. 상기 흑색 착색제는, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 흑색 재질 및, 아크릴 수지 등과 같은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터(CF2)는 상기 블랙 매트릭스(BM7) 및 상기 보호막 (1744)상에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF2)는 상기 액정층(1750)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF2)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF2)는 각 화소 영역에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 컬러 필터(CF2)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF2)에 의해 중첩되어 있으나, 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(1746)은 상기 컬러 필터(CF2)와 상기 컬러 필터(CF2)가 덮고 있지 않은 상기 블랙 매트릭스(BM7)의 상에 배치된다. 상기 오버 코팅층(1746)은 상기 컬러 필터(CF2)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(CF2)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(EL3)은 상기 오버 코팅층(1746) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL3)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(EL3)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL3)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
상기 보호막(1748)은 상기 제1 전극(EL3) 상에 배치된다. 상기 보호막(1748)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수도 있고, 저유전율 유기 절연막으로 형성될 수도 있다. 또한, 무기 절연막과 유기 절연막의 이중막으로 형성될 수도 있다. 상기 보호막(1748)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 상기 콘택홀(CNT)을 포함한다.
상기 제2 전극(EL4)은 상기 보호막(1748) 상에 배치된다. 상기 제2 전극(EL4)은 화소 영역에 대응되게 배치된다. 상기 제2 전극(EL4)은 공통 라인(미도시)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 전극(EL4)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(EL4)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
즉, 상기 제1 기판은 컬러 필터가 박막 트랜지스터 기판에 형성된 COA(color filter on array) 구조 및 블랙 매트릭스가 박막 트랜지스터 기판에 형성된 BOA 구조(black matrix on array)를 갖는다.
상기 대향 기판은 제2 기판(1800), 제1 금속층(1820) 및 제2 금속층(1820)을 포함하는 상부 선형 패턴 및 제2 절연막(1844)을 포함한다.
상기 제2 기판(1800)은 상기 제1 기판(1700)과 대향한다.
상기 제2 기판(600) 하부에 제2 금속층(1820)이 배치된다. 상기 제2 금속층(1820) 하부에 상기 제1 금속층(1810)이 배치된다. 상기 제2 금속층(1820) 및 상기 제1 금속층(1810)은 상부 선형 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속층(1820) 및 상기 제1 금속층(1810)은 도 2에 나타난 제1 금속층(610) 및 제2 금속층(620)과 실질적으로 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
상기 상부 선형 패턴은 상기 투과 영역(DA)에 배치된다. 상기 차광 영역(PA)에는 상기 상부 선형 패턴이 형성되지 않는다.
상기 제1 금속층(1810) 및 상기 제2 금속층(1820)이 배치된 상기 제2 기판(1800) 하부에는 제2 절연막(1840)이 배치된다. 상기 제2 절연막(1840)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
상기 액정층(1750)은 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(1750)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(1750)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 상기 표시 패널은 상부 편광 소자를 제외하고 도 11의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 상부 편광 소자는 기판(2000), 제1 금속층(2010) 및 제2 금속층(2020)을 포함하는 상부 선형 패턴 및 상부 보호층(2044)을 포함한다.
상기 기판(2000)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(2000)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리아크릴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 상부 선형 패턴은 상기 제1 금속층(2010) 및 상기 제2 금속층(2020)을 포함한다. 상기 상부 선형 패턴은 투과 영역(DA)에 배치된다.
상기 제1 금속층(2010)이 기판(2000) 상부에 배치된다. 상기 제1 금속층(2010) 상부에 상기 제2 금속층(2020)이 배치된다. 상기 상부 보호층(2044)은 상기 제1 금속층(2010) 및 상기 제2 금속층(2020)이 형성하는 상부 선형 패턴을 커버하여 보호한다.
상기 제1 금속층(2010)은 돌출부를 포함한다. 인접하는 상기 돌출부들은 서로 이격되어 있다. 상기 돌출부들은 상기 제2 금속층(2020)과 함께 선형 패턴을 구성한다. 상기 제1 금속층(2010)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(2010)의 두께는 바람직하게 약 100nm 내지 150nm일 수 있다.
상기 제2 금속층(2020)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층(2020)의 두께는 바람직하게 약 10 내지 100nm 일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 물질을 포함하는 블랙 매트릭스에 의해 표시 패널의 전체 반사율을 줄일 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스와 편광 소자를 동일 평면에 형성하여 표시 패널의 두께를 줄일 수 있다.
또한, 편광 소자는 복수의 선형 패턴 및 상기 선형 패턴과 동일 평면에 형성되는 반사 패턴을 나노 임프린트 공정으로 동시에 형성하여 반사 패턴을 형성하는 별도의 공정 비용을 줄일 수 있다.
또한, 상기 편광 소자는 평탄한 면을 갖는 반사 패턴을 포함하여 부분적으로 광을 반사시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200, 300: 기판
112: 제1 금속층
122: 제2 금속층 132: 하드 마스크
530: 반사 패턴 142: 접착층
152, 252: 고분자층 152m, 252m: 격자 패턴
152p, 252p: 잔류 격자 패턴
122: 제2 금속층 132: 하드 마스크
530: 반사 패턴 142: 접착층
152, 252: 고분자층 152m, 252m: 격자 패턴
152p, 252p: 잔류 격자 패턴
Claims (20)
- 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 하드 마스크를 형성하는 단계;
상기 하드 마스크의 일부 위에 접착층을 형성하는 단계;
상기 하드 마스크 및 상기 접착층 위에 고분자층을 형성하는 단계;
상기 고분자층에 몰드를 접촉시키고 압력을 가하여 격자 패턴을 형성하는 단계;
상기 몰드와 상기 격자 패턴의 일부를 함께 제거하는 단계; 및
잔류 격자 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 접착층, 상기 하드 마스크 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계를 포함하는 편광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 접착층은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제 및 우레탄계(urethane-based) 접착제로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 격자 패턴은 열 또는 자외선에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2 금속층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 하드 마스크를 형성하는 단계;
상기 하드 마스크 상에 접착층을 형성하는 단계;
상기 접착층 위에 고분자층을 형성하는 단계;
상기 고분자층에 몰드를 접촉시키고 차광 마스크를 이용하여, 상기 격자 패턴을 형성하는 단계;
상기 몰드와, 상기 격자 패턴의 일부를 함께 제거하는 단계; 및
잔류 격자 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 접착층, 상기 하드 마스크 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계를 포함하는 편광 소자의 제조 방법. - 제6항에 있어서, 상기 접착층은 고무계(rubber-based) 접착제. 아크릴계(acryl-based) 접착제, 비닐 에테르계(vinyl ester-based) 접착제, 실리콘계(silicon-based) 접착제 및 우레탄계(urethane-based) 접착제로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 격자 패턴은 열 또는 자외선에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제2 금속층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
- 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하며 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 기판; 및
상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하고,
상기 제1 기판은,
투과 영역에 배치되고, 서로 이격되는 복수의 금속 패턴을 포함하는 제1 편광 소자; 및
차광 영역에 배치된 블랙 매트릭스를 포함하며,
상기 블랙 매트릭스 및 상기 제1 편광 소자는 동일 평면에 배치되는 표시 패널. - 제11항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 흑색 착색제 및 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제11항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제1 편광 소자와 부분적으로 중첩 하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 기판의 제1 면은 상기 제2 기판과 대향하며, 상기 제1 편광 소자는 상기 제1 면에 반대되는 제2 면에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 편광 소자의 금속 패턴은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 기판의 투과 영역에 배치되고, 서로 이격되는 복수의 금속 패턴을 포함하는 제2 편광 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 기판의 차광 영역에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 반사 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제17항에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 제2 편광 소자는 상기 제1 기판의 동일 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제17항에 있어서, 상기 제2 편광 소자 및 상기 반사 패턴은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제17항에 있어서, 상기 제2 편광 소자 및 상기 반사 패턴은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR20130008166A (ko) * | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20140007648A (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자, 이를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR20140046604A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광판, 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130008166A (ko) * | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20140007648A (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자, 이를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR20140046604A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광판, 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| KR20140069495A (ko) * | 2012-11-29 | 2014-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자 및 이의 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180009823A (ko) * | 2016-07-19 | 2018-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광소자, 편광소자 제조방법 및 표시 장치 |
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