CN107357079A - 一种显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示面板，包括：第一基板；第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道，所述遮光层采用导电材料制成；控制芯片，与所述遮光层耦合，用于调节显示面板亮度；光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间，从而实现根据环境明暗程度调节显示亮度，光传感器内侧的遮光层可以把光传感器处的背光完全遮挡住。

Description

一种显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板。
背景技术
显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，主动开关显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，主动开关显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括第二基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和主动开关第一基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。显示面板的显示亮度根据环境调节自动调节效果不好。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种根据环境亮度自动调节显示亮度更好的显示面板。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种显示面板，包括第一基板，所述第一基板包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；
主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；
像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；
彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；
遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道，所述遮光层采用导电材料制成；
控制芯片，与所述遮光层耦合，用于调节显示面板亮度；
光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间。
其中，所述光传感器包括光电二极管。
光电二极管的PN结的面积相对较大，以便接收入射光，光电二极管没有光照时反向电流极其微弱，有光照时，反向电流迅速增大，反应灵敏。
其中，所述光传感器包括光电二极管。
光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
其中，所述第一基板还包括透明导电层，所述光传感器设置在透明导电层和遮光层之间。
不影响第一基板原先的设计，透明导电层不影响光传感器对入射光的获取。
其中，所述第一基板还包括透明导电层，所述光电二极管设置在透明导电层和遮光层之间，所述遮光层包括金属黑矩阵，所述金属黑矩阵耦合所述控制芯片耦合，所述透明导电层和金属黑矩阵为光电二极管的两侧电极。
第一基板的透明导电层(ITO共电极)和金属黑矩阵BM为光电二极管的两侧电极，金属黑矩阵BM电极接入控制芯片，遮光层与第二基板之间设置液晶，增加光电二极管对显示面板厚度影响几乎没有影响，利用现有的透明导电层(ITO共电极)和金属黑矩阵BM为光电二极管的两侧电极，改动小，易于实现。
其中，所述光电二极管包括三层半导体层，所述三层半导体层的第一层半导体层外侧直接连接透明导电层，所述三层半导体层的第三层半导体层外侧直接连接金属黑矩阵，所述三层半导体层宽度小于金属黑矩阵。
光电二极管在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区，这样PN结的内电场就基本上全集中于I层中。在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，故称I层，因此这种结构成为光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。使光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
其中，所述光传感器设置在显示面板的显示区域的边缘。
不影响显示区域的显示，对显示面板的影响小，光传感器贴近显示区域，对外界环境光获取更准确，光传感器的连接电路可以设置在显示区域外边，不影响显示面板的显示。
其中，所述显示面板的显示区域一边设有控制光传感器的控制电路。
节约空间，不会额外增加宽度，尤其适合窄边框和无边框的显示面板。
其中，所述光传感器设置在显示面板显示区域的上侧边上和左右两侧边上，所述显示面板显示区域的下侧边上设有控制光传感器的控制电路。
光传感器设置在显示面板显示区域的上侧边上和左右两侧边上可以更全面的获取外界环境光，获取范围更广，反应更灵敏全面，显示区域的下侧边上设有控制光传感器的控制电路可以节约空间，不会额外增加宽度，尤其适合窄边框和无边框的显示面板。
其中，所述光传感器设置在所述显示区域的中心位置。人的视觉中心在显示区域的中心位置，对该位置的亮度最为敏感，因此只需要在此中心位置设置光传感器就可以达到很好的调光效果，而且只需要一个光传感器，成本也更为低廉。
其中，所述光传感器仅设置于显示面板的显示区域的任意位置。在显示区域的任意位置都可以设置光传感器，方便设置光传感器。
本发明的目的还可以通过以下技术方案来实现的：
一种显示面板，所述显示面板包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；
主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；
像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；
彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；
遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道，
光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间，所述光传感器的宽度小于或等于遮光层的宽度，所述光传感器包括光电二极管；透明导电层，所述透明导电层设置在所述第一基板上，所述光电二极管设置在透明导电层和遮光层之间，所述遮光层包括金属黑矩阵，所述金属黑矩阵耦合调节显示面板亮度的控制芯片，所述透明导电层和金属黑矩阵为光电二极管的两侧电极。在显示面板的第一基板和遮光层之间设有光传感器，光传感器的宽度小于遮光层的宽度，显示面板的第一基板面对用户，第一基板为透光基板，外界环境光可以透过第一基板进入，光传感器可以获取通过第一基板进入的外界环境光，从而根据外界环境光的强弱发出不同的电信号，从而实现根据环境明暗程度调节显示亮度，光传感器内侧还有遮光层，遮光层宽度大于或等于光传感器的宽度，遮光层可以把光传感器处的背光完全遮挡住，使背光对光传感器获取外界环境光不受背光的影响，使光传感器获取外界环境光更准确，而且光传感器设置在显示面板内，更贴近显示区域，获取的对显示区域造成影响的外界环境光更准确。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明实施例第一基板示意图；
图2是本发明实施例第一基板另一示意图；
图3是本发明实施例第二基板示意图；
图4是本发明实施例显示面板示意图.
其中：10、第一基板，11、遮光层/金属黑矩阵，12、光传感器，13、光电二极管，14、透明导电层，20、第二基板，21、第一层导线，211、栅极导线段，22、绝缘介质层，23、非晶硅层，24、欧姆接触层，25、源极导线段，26、漏极导线段，27、沟道，28、过孔，40、第一保护层，50、CF层，60、第二保护层，70、像素电极层，900、控制芯片。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。
下面参考图1至图4描述本发明实施例的显示面板。
如图1和图4所示，在图1和图4的实施中显示面板包括：第一基板10、第二基板20、主动开关、像素(图中未示出)、彩色滤光层50、遮光层11和光传感器12。其中第一基板10和第二基板20相对设置，所述第二基板20上设有主动开关，所述主动开关包括导电沟道。所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；所述遮光层11设置在第一基板10上，所述遮光层11对应主动开关的导电沟道27设置，所述遮光层11遮住主动开关导电沟道27，所述遮光层11采用导电材料制成；控制芯片900，与所述遮光层11耦合，用于调节显示面板亮度；；所述光传感器12设置在第一基板10和遮光层11之间，所述光传感器12的宽度小于或等于遮光层11的宽度。
在第一基板10和遮光层11之间设有光传感器12，光传感器12的宽度小于遮光层11的宽度，显示面板的第一基板10面对用户，第一基板10为透光基板，外界环境光可以透过第一基板10进入，光传感器12可以获取通过第一基板10进入的外界环境光，从而根据外界环境光的强弱发出不同的电信号，从而实现根据环境明暗程度调节显示亮度，光传感器12内侧还有遮光层11，遮光层11宽度大于或等于光传感器12的宽度，遮光层11可以把光传感器12处的背光完全遮挡住，使背光对光传感器12获取外界环境光不受背光的影响，使光传感器12获取外界环境光更准确，而且光传感器12设置在显示面板内，更贴近显示区域，获取的对显示区域造成影响的外界环境光更准确。而且遮光层11对应主动开关的导电沟道27设置，并遮住主动开关导电沟道27，主动开关对应的区域不在显示区域内，遮光层11遮住主动开关导电沟道27设置，可以不降低开口率，还可以避免显示面板前侧的外界环境光射入影响主动开关的导电沟道27，能够进一步降低光生载流子浓度，提高器件操作特性。可选的，光传感器12可以包括独立封装的光传感器，独立封装的光传感器引出两条信号线连接控制芯片。优选的，所述光传感器12包括光电二极管。光电二极管的PN结的面积相对较大，以便接收入射光，光电二极管没有光照时反向电流极其微弱，有光照时，反向电流迅速增大，反应灵敏。更优选的，所述光传感器12包括光电二极管。光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
如图2所示，在图2的实施中显示面板包括第一基板10，所述第一基板10包括遮光层11和光传感器，所述遮光层11设置在第一基板10上；所述光传感器设置在第一基板10和遮光层11之间，所述光传感器的宽度小于或等于遮光层11的宽度。
所述光传感器包括光电二极管13。光电二极管13具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
其中，所述第一基板10还包括透明导电层14，所述透明导电层14设置在第一基板10和光传感器之间。不影响第一基板10原先的设计，透明导电层14ITO不影响光传感器对入射光的获取。所述光传感器为光电二极管13，所述遮光层11包括金属黑矩阵11，所述金属黑矩阵11与所述控制芯片900耦合，所述透明导电层14和金属黑矩阵11为光电二极管13的两侧电极。第一基板10的透明导电层14(ITO共电极)和金属黑矩阵(BM)11为光电二极管13的两侧电极，金属黑矩阵(BM)11电极接入控制芯片900，遮光层11与第二基板20之间设置液晶，增加光电二极管13对显示面板厚度影响几乎没有影响，利用现有的透明导电层14(ITO共电极)和金属黑矩阵(BM)11为光电二极管13的两侧电极，改动小，易于实现。
其中，所述光电二极管13包括三层半导体层，所述三层半导体层的第一层半导体层外侧直接连接透明导电层14，所述三层半导体层的第三层半导体层外侧直接连接金属黑矩阵11，所述三层半导体层宽度小于金属黑矩阵11。光电二极管13在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区，这样PN结的内电场就基本上全集中于I层中。在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，故称I层，因此这种结构成为光电二极管13。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。使光电二极管13具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
如图3和图4所示，在图3和图4的实施中显示面板包括第一基板10，所述第一基板10包括遮光层11和光传感器，所述遮光层11设置在第一基板10上；所述光传感器设置在第一基板10和遮光层11之间，所述光传感器的宽度小于或等于遮光层11的宽度。
在第一基板10和遮光层11之间设有光传感器，光传感器的宽度小于遮光层11的宽度，显示面板的第一基板10面对用户，第一基板10为透光基板，外界环境光可以透过第一基板10进入，光传感器可以获取通过第一基板10进入的外界环境光，从而根据外界环境光的强弱发出不同的电信号，从而实现根据环境明暗程度调节显示亮度，光传感器内侧还有遮光层11，遮光层11宽度大于或等于光传感器的宽度，遮光层11可以把光传感器处的背光完全遮挡住，使背光对光传感器获取外界环境光不受背光的影响，使光传感器获取外界环境光更准确，而且光传感器设置在显示面板内，更贴近显示区域，获取的对显示区域造成影响的外界环境光更准确。
可选的，光传感器可以包括独立封装的光传感器，独立封装的光传感器引出两条信号线连接控制芯片900。优选的，所述光传感器包括光电二极管。光电二极管的PN结的面积相对较大，以便接收入射光，光电二极管没有光照时反向电流极其微弱，有光照时，反向电流迅速增大，反应灵敏。更优选的，所述光传感器包括光电二极管13。光电二极管13具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
其中，所述第一基板10还包括透明导电层14，所述透明导电层14设置在第一基板10和光电二极管13之间，所述遮光层11包括金属黑矩阵11，所述金属黑矩阵11耦合调节显示面板亮度的控制芯片900，所述透明导电层14和金属黑矩阵11为光电二极管13的两侧电极。第一基板10的透明导电层14(ITO共电极)和金属黑矩阵(BM)11为光电二极管13的两侧电极，金属黑矩阵(BM)11电极接入控制芯片900，遮光层11与第二基板20之间设置液晶，增加光电二极管13对显示面板厚度影响几乎没有影响，利用现有的透明导电层14(ITO共电极)和金属黑矩阵(BM)11为光电二极管13的两侧电极，改动小，易于实现。
其中，所述光电二极管13包括三层半导体层，所述三层半导体层的第一层半导体层外侧直接连接透明导电层14，所述三层半导体层的第三层半导体层外侧直接连接金属黑矩阵11，所述三层半导体层宽度小于金属黑矩阵11。光电二极管13在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区，这样PN结的内电场就基本上全集中于I层中。在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，故称I层，因此这种结构成为光电二极管13。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。使光电二极管13具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
可选的，所述光传感器设置在显示面板的显示区域的边缘。不影响显示区域的显示，对显示面板的影响小，光传感器贴近显示区域，对外界环境光获取更准确，光传感器的连接电路可以设置在显示区域外边，不影响显示面板的显示。
可选的，所述显示面板的显示区域一边设有控制光传感器的控制电路。节约空间，不会额外增加宽度，尤其适合窄边框和无边框的显示面板。
优选的，所述光传感器设置在显示面板显示区域的上侧边上和左右两侧边上，所述显示面板显示区域下侧边对应的非显示区域设有控制光传感器的控制电路。光传感器设置在显示面板显示区域的上侧边上和左右两侧边上可以更全面的获取外界环境光，获取范围更广，反应更灵敏全面，显示区域的下侧边上设有控制光传感器的控制电路可以节约空间，不会额外增加宽度，尤其适合窄边框和无边框的显示面板。
可选的，所述光传感器设置在所述显示区域的中心位置。人的视觉中心在显示区域的中心位置，对该位置的亮度最为敏感，因此只需要在此中心位置设置光传感器就可以达到很好的调光效果，而且只需要一个光传感器，成本也更为低廉。
可选的，所述光传感器仅设置于显示面板的显示区域的任意位置。在显示区域的任意位置都可以设置光传感器，方便设置光传感器。
其中，显示面板包括第二基板20，所述第二基板20上设置有若干条第一层导线21；所述若干条第一层导线21上设置有绝缘介质层22，所述绝缘介质层22上对应第一层导线21的栅极导线段211设有非晶硅层23，所述非晶硅层23上设有与非晶硅层23对应的欧姆接触层24，所述欧姆接触层24上设有分隔的源极导线段25和漏极导线段26，所述源极导线段25和漏极导线段26之间设有导电沟道27，所述导电沟道27穿过欧姆接触层24，所述沟道底部为非晶硅层23，所述源极导线段25和漏极导线段26上设有第一保护层40，所述第一保护层40上设有彩色滤光层(CF层)50，所述CF层50上设有第二保护层60，所述第二保护层60上设有像素电极层70，所述像素电极对应漏极导线段26设有过孔28，所述像素电极层70通过过孔2828与漏极导线段26连接，所述过孔28穿过像素电极层70、第二保护层60、CF层50和第一保护层40。
可选的，所述源极导线段25和漏极导线段26宽度等于非晶硅层23的宽度，所述源极导线段25外侧的第一保护层40直接与绝缘介质层22连接，所述绝缘介质层22对应过孔28上方依次设有非晶硅层23、欧姆接触层24和漏极导线段26。
可选的，所述源极导线段25和漏极导线段26宽度大于非晶硅层23的宽度，所述源极导线段25超出非晶硅层23部分一侧直接连接绝缘介质层22另一侧直接连接低介电常数保护层，所述绝缘介质层22对应过孔28部分与漏极导线段26之间连接。
在上述实施例中，像素可以为红绿蓝三色像素，还可以为红绿蓝白四色像素，还可以为红绿蓝黄四色像素。
在上述实施例中，非晶硅层采用a-Si材料，当然也可以采用其他半导体层材料。
在上述实施例中，所述第一基板和第二基板的材料可以选用玻璃、塑料、树脂等。
在上述实施例中，显示面板包括液晶面板、OLED面板、曲面面板和等离子面板等，以液晶面板为例，液晶面板包括阵列基板(即第二基板)和彩膜基板(即第一基板)，所述阵列基板与彩膜基板相对设置，所述阵列基板与彩膜基板之间设有液晶和间隔单元(photospacer，PS)。
在上述实施例中，彩色滤光层及主动开关阵列可形成于同一基板上，阵列基板可包括彩色滤光层。
在上述实施例中，本发明的显示面板可为曲面型面板，本发明的主动开关可选用薄膜晶体管(TFT)。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；
主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；
像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；
彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；
遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道，所述遮光层采用导电材料制成；
控制芯片，与所述遮光层耦合，用于调节显示面板亮度；
光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间。
2.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述光传感器包括光电二极管。
3.如权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括透明导电层，所述光电二极管设置在透明导电层和遮光层之间，所述遮光层包括金属黑矩阵，所述金属黑矩阵与所述控制芯片耦合，所述透明导电层和金属黑矩阵为光电二极管的两侧电极。
4.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述光电二极管包括三层半导体层，所述三层半导体层的第一层半导体层外侧直接连接透明导电层，所述三层半导体层的第三层半导体层外侧直接连接金属黑矩阵，所述三层半导体层宽度小于金属黑矩阵。
5.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括透明导电层，所述光传感器设置在透明导电层和遮光层之间。
6.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述光传感器的宽度小于或等于遮光层的宽度。
7.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述光传感器设置在显示面板的显示区域的边缘。
8.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述光传感器设置在所述显示区域的两侧边，以及远离显示面板支撑底座的顶边。
9.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述光传感器设置在所述显示区域的中心位置。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；
主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；
像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；
彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；
遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道；
光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间，所述光传感器的宽度小于或等于遮光层的宽度，所述光传感器包括光电二极管；透明导电层，所述透明导电层设置在所述第一基板上，所述光电二极管设置在透明导电层和遮光层之间，所述遮光层包括金属黑矩阵，所述金属黑矩阵耦合调节显示面板亮度的控制芯片，所述透明导电层和金属黑矩阵为光电二极管的两侧电极。
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