KR20160046539A - Light emitting device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

A light emitting device and a manufacturing method thereof are disclosed. The light emitting device comprises: a light emitting structure including first and second surfaces; first and second contact electrodes which are located on a first surface of a light emitting structure and ohmic-contact first and second conductive semiconductor layers respectively; first and second electrodes which are located on the first surface of the light emitting structure and electrically connected to the first and second contact electrodes respectively; and an insulation unit which covers sides of the first and second electrodes and the first surface of the light emitting structure. Each of the first and second electrodes includes metal particles. A half value of the shortest distance of an interval between the first and second electrodes is smaller than the shortest distance from one side of one of the first and second electrodes to an outer side of the insulation unit.

Description

발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device,

본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 발광 소자의 열적 특성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 전극을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting device including an electrode capable of improving thermal and electrical characteristics of the light emitting device and a method of manufacturing the same.

최근 소형 고출력 발광 소자에 대한 요구가 증가하면서, 방열 효율이 우수한 대면적 플립칩형 발광 소자의 수요가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 직접 2차 기판에 접합되며, 또한 플립칩형 발광 소자에 외부 전원을 공급하기 위한 와이어를 이용하지 않으므로, 수평형 발광 소자에 비해 열 방출 효율이 매우 높다. 따라서 고밀도 전류를 인가하더라도 효과적으로 열을 2차 기판 측으로 전도시킬 수 있어서, 플립칩형 발광 소자는 고출력 발광원으로 적합하다.In recent years, there is an increasing demand for a small-sized high-output light-emitting device, and a demand for a large-area flip-chip type light-emitting device having excellent heat dissipation efficiency is increasing. Since the electrode of the flip chip type light emitting device is directly bonded to the secondary substrate and the wire for supplying external power to the flip chip type light emitting device is not used, the heat emission efficiency is much higher than that of the horizontal type light emitting device. Therefore, even when a high-density current is applied, the heat can be effectively conducted to the secondary substrate side, so that the flip chip type light emitting device is suitable as a high output light emitting source.

또한, 발광 소자의 소형화를 위하여, 발광 소자를 별도의 하우징 등에 패키징하는 공정을 생략하고, 발광 소자 자체를 패키지로서 이용하는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 대한 요구가 증가하고 있다. 플립칩형 발광 소자의 전극은 패키지의 리드와 유사한 기능을 할 수 있어서, 이러한 칩 스케일 패키지에 있어서도 유용하게 플립칩형 발광 소자가 적용될 수 있다.Further, in order to reduce the size of the light emitting device, there is an increasing demand for a chip scale package that uses the light emitting device itself as a package, omitting the step of packaging the light emitting device into a separate housing or the like. The electrode of the flip chip type light emitting device can function similar to the lead of the package, and a flip chip type light emitting device can be applied to such a chip scale package.

플립칩형 발광 소자가 칩 스케일 패키지에 적용되기 위해서는, n형 전극과 p형 전극이 수십 내지 수백 ㎛의 두께를 가질 것이 요구된다. 전자선 증착과 같은 증착 방법을 이용하면 금속의 성장 속도가 매우 느려 발광 소자의 생산성이 매우 저하된다. 따라서, 상술한 두께의 전극을 구현하기 위하여, n형 전극과 p형 전극은 도금법을 이용하여 형성된다. In order for the flip chip type light emitting device to be applied to a chip scale package, it is required that the n-type electrode and the p-type electrode have a thickness of tens to hundreds of mu m. If a deposition method such as electron beam deposition is used, the growth rate of the metal is very slow and the productivity of the light emitting device is very low. Therefore, in order to realize the electrode of the above-mentioned thickness, the n-type electrode and the p-type electrode are formed by the plating method.

그러나, 도금법을 이용하여 전극을 형성하는 경우, 도금 과정에서의 금속에 의한 반도체층에 스트레스가 인가되어 반도체층에 보잉(bowing)과 같은 변형, 크랙 또는 파손이 발생할 수 있다. 또한, 도금법을 이용하기 위해서는 전극을 형성하기 전에 별도의 시드층을 먼저 형성하여야 한다. 따라서 도금법을 이용하는 전극 형성 방법은 그 과정이 복잡하여, 발광 소자의 생산성을 저하시킨다.However, when the electrode is formed using the plating method, stress may be applied to the semiconductor layer by the metal in the plating process, so that the semiconductor layer may be deformed, cracked, or damaged such as bowing. In order to use the plating method, a separate seed layer must be formed before forming the electrode. Therefore, the electrode forming method using the plating method is complicated and lowers the productivity of the light emitting element.

나아가, 플립칩형 발광 소자를 칩 스케일 패지키에 적용하기 위해서 n형 및 p형 전극의 측면을 덮는 절연체를 형성한다. 도금법을 이용하여 형성된 전극과 상기 절연체 간의 계면 각도에 의해, 이들 사이에 이격이 발생하는 문제가 발생한다. 상기 이격에 의해 발광 소자의 불량이 발생할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성이 저하된다.Further, in order to apply the flip chip type light emitting device to the chip scale package, an insulator covering the side surfaces of the n-type and p-type electrodes is formed. There arises a problem that a gap is generated between the electrodes formed by the plating method and the insulator due to the interface angle between them. The spacing may cause a failure of the light emitting element, and the reliability of the light emitting element is deteriorated.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 신뢰성이 우수하고, 전기적 특성이 우수한 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having excellent reliability and excellent electrical characteristics and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하고, 제1 면 및 상기 제1 면에 반대하여 위치하는 제2 면을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체의 제1 면 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극; 상기 발광 구조체의 제1 면 상에 위치하며, 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면 및 상기 발광 구조체의 제1 면을 덮는 절연부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들을 포함하고, 상기 제1 전극과 제2 전극의 간격의 최단 거리의 절반 값은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나의 일 측면으로부터 상기 절연부의 외곽 측면까지의 최단 거리보다 작다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, A light emitting structure including a first side and a second side opposite to the first side; A first contact electrode and a second contact electrode located on a first surface of the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively; A first electrode and a second electrode that are disposed on a first surface of the light emitting structure and electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode, respectively; And an insulating portion covering the side surfaces of the first and second electrodes and the first surface of the light emitting structure, wherein each of the first and second electrodes includes metal particles, and the interval between the first electrode and the second electrode Of the shortest distance is smaller than the shortest distance from one side of one of the first electrode and the second electrode to the outer side of the insulating portion.

이에 따라, 낮은 순방향 전압을 갖고, 열 방출 효율 및 기계적 안정성이 우수한 발광 소자가 제공된다.Thus, a light emitting device having a low forward voltage and excellent in heat emission efficiency and mechanical stability is provided.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간의 최단 거리는 10 내지 80㎛일 수 있다.The shortest distance between the first electrode and the second electrode may be 10 to 80 탆.

나아가, 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함할 수 있다.Further, each of the first electrode and the second electrode may include a tilted side where a tangent slope with respect to a side of the vertical section changes.

상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면과 상기 발광 구조체의 상면이 이루는 각은 30°이상 90°미만일 수 있다.The angle formed between the side surfaces of the first electrode and the second electrode and the upper surface of the light emitting structure may be 30 ° or more and less than 90 °.

또한, 몇몇 실시예들에서, 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각의 측면은 상기 발광 구조체의 제1 면에 대해 수직일 수 있다.Further, in some embodiments, the sides of each of the first electrode and the second electrode may be perpendicular to the first surface of the light emitting structure.

상기 발광 소자는, 상기 절연부의 일 면 상에 위치하며, 각각 제1 및 제2 전극 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a first pad electrode and a second pad electrode located on one side of the insulating portion and positioned on the first and second electrodes, respectively.

상기 제1 및 제2 전극 각각은 상기 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수 있다.Each of the first and second electrodes may include a non-metallic material interposed between the metal particles and the metal particles.

또한, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 80 내지 98 wt%의 금속 입자를 포함할 수 있다.In addition, each of the first and second electrodes may include 80 to 98 wt% of metal particles.

상기 금속 입자는 Cu, Au, Ag, Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The metal particles may include at least one of Cu, Au, Ag, and Pt.

또한, 상기 발광 소자는, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 부분적으로 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역; 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 서로 절연시키는 제1 절연층; 및 상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮으며, 각각 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하는 제2 절연층을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역을 통해 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹 컨택할 수 있으며, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 및 제2 개구부를 통해 상기 제1 및 제2 컨택 전극에 직접적으로 접촉할 수 있다.The light emitting device may further include a region where the active layer and the second conductivity type semiconductor layer are partially removed to partially expose the first conductivity type semiconductor layer; A first insulating layer for insulating the first and second contact electrodes from each other; And a second insulating layer partially covering the first and second contact electrodes and including a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the second contact electrode, respectively, The first contact electrode may be in ohmic contact with the first conductive type semiconductor layer through the exposed region of the first conductive type semiconductor layer, and the first electrode and the second electrode may respectively have the first and second openings The first and second contact electrodes may be in direct contact with the first and second contact electrodes.

상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 및 제2 컨택 전극에 직접적으로 접촉할 수 있다.The first electrode and the second electrode may be in direct contact with the first and second contact electrodes, respectively.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광 소자 제조 방법은, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 포함하는 적어도 하나의 소자 영역을 포함하는 웨이퍼를 준비하고; 및 상기 웨이퍼 상에, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 형성함과 아울러, 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 절연부를 형성하는 것을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들을 포함하고, 상기 소자 영역에 위치하는 상기 제1 전극과 제2 전극의 간격의 최단 거리의 절반 값은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나의 일 측면으로부터 상기 소자 영역을 정의하는 부분의 측면까지의 최단 거리보다 작다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, including: forming a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer And at least one device region including a first contact electrode and a second contact electrode which are in ohmic contact with the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively; And forming a first electrode and a second electrode electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode on the wafer and forming an insulating portion covering the side surfaces of the first and second electrodes, Wherein each of the first and second electrodes includes metal particles and a half value of a shortest distance between the first electrode and the second electrode located in the device region is one of the first electrode and the second electrode, Is shorter than the shortest distance from one side of the first region to the side of the portion defining the element region.

또한, 상기 소자 영역에 위치하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간의 최단 거리는 10 내지 80㎛일 수 있다.In addition, the shortest distance between the first electrode and the second electrode located in the device region may be 10 to 80 탆.

상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은, 상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 절연부를 형성하고; 상기 절연부들의 이격 영역들을 채우는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고; 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하여 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion includes forming a plurality of insulating portions spaced apart from each other on the wafer; Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode to fill spacing regions of the insulation portions; And sintering the preliminary first electrode and the preliminary second electrode to form the first electrode and the second electrode, respectively.

다른 실시예들에서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은, 상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 마스크를 형성하고; 상기 마스크들의 이격 영역을 채우는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고; 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하여 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하고; 상기 마스크들을 제거하고; 상기 제1 전극 및 제2 전극의 이격 영역을 채우는 절연부를 형성하는 것을 포함할 수 있다.In other embodiments, forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion may include forming a plurality of masks spaced from each other on the wafer; Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode filling the spacing regions of the masks; Sintering the preliminary first electrode and the preliminary second electrode to form the first electrode and the second electrode, respectively; Removing the masks; And forming an insulating portion filling the spacing region of the first electrode and the second electrode.

상기 소결되어 형성된 제1 및 제2 전극 각각은 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극보다 작은 부피를 가질 수 있고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 경사진 측면을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각의 수평 단면적은, 상기 발광 구조체로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.Each of the first and second sintered electrodes may have a smaller volume than the preliminary first and second preliminary electrodes and each of the first and second electrodes includes an inclined side surface, The horizontal cross-sectional area of each of the second electrodes may become smaller in a direction away from the light emitting structure.

몇몇 실시예들에서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은, 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극이 소결되어 형성된 상기 제1 전극과 상기 절연부 사이의 이격 영역 및 상기 제2 전극과 상기 절연부 사이의 이격 영역을 채우는 절연부를 추가적으로 더 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion may include forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion so that the spacing between the first electrode and the insulating portion formed by sintering the preliminary first and preliminary second electrodes, And further forming an insulating portion that fills the spacing region between the electrode and the insulating portion.

상기 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극 각각이 상기 웨이퍼와 접촉하는 면적은 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각이 상기 웨이퍼와 접촉하는 면적과 동일할 수 있다.The area where the preliminary first electrode and the preliminary second electrode are in contact with the wafer may be the same as the area where each of the first electrode and the second electrode contacts the wafer.

몇몇 실시예들에서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은, 상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 절연부를 형성하고; 상기 절연부들의 이격 영역들을 채우며 상기 절연부들의 상면까지 덮는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고; 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하고; 상기 소결된 예비 제1 및 예비 제2 전극의 상부를 부분적으로 제거하여, 상기 절연부들의 상면을 노출시킴과 아울러, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments, forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion includes forming a plurality of insulating portions spaced from each other on the wafer; Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode which fill the spacing regions of the insulation portions and cover the upper surfaces of the insulation portions; Sintering the preliminary first and preliminary second electrodes; The upper portion of the sintered preliminary first electrode and the preliminary second electrode may be partially removed to expose the upper surface of the insulating portions and the first electrode and the second electrode may be formed.

다른 실시예들에서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은, 상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 마스크를 형성하고; 상기 마스크들의 이격 영역들을 채우며 상기 마스크들의 상면까지 덮는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고; 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하고; 상기 소결된 예비 제1 및 예비 제2 전극의 상부를 부분적으로 제거하여, 상기 마스크들의 상면을 노출시킴과 아울러, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하고; 상기 마스크들을 제거하고; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극의 이격 영역을 채우는 절연부를 형성하는 것을 포함할 수 있다.In other embodiments, forming the first electrode, the second electrode, and the insulating portion may include forming a plurality of masks spaced from each other on the wafer; Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode filling the spaced regions of the masks and covering the upper surfaces of the masks; Sintering the preliminary first and preliminary second electrodes; Partially removing the upper portions of the sintered preliminary first and preliminary second electrodes to expose an upper surface of the masks and to form the first electrode and the second electrode; Removing the masks; And forming an insulating portion filling the spacing regions of the first electrode and the second electrode.

나아가, 상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면은 상기 웨이퍼의 상면에 대해 수직을 이룰 수 있다.Further, the sides of the first electrode and the second electrode may be perpendicular to the upper surface of the wafer.

상기 발광 소자 제조 방법은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각 상에 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device may further include forming first and second pad electrodes on the first electrode and the second electrode, respectively.

상기 웨이퍼는 복수의 소자 영역을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 복수의 소자 영역의 각각 상에 형성될 수 있다.The wafer may include a plurality of device regions, and the first and second electrodes may be formed on each of the plurality of device regions.

또한, 상기 발광 소자 제조 방법은, 상기 웨이퍼 및 상기 절연부의 일부를 상기 복수의 소자 영역으로 분할하여 복수의 발광 소자를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device may further include forming a plurality of light emitting elements by dividing the wafer and a portion of the insulating portion into the plurality of element regions.

본 발명에 따르면, 금속 입자들을 포함하는 전극을 갖는 발광 소자를 제공함으로써, 전극의 기계적 안정성, 및 반도체층들의 신뢰성을 향상시킬 수 있어, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 소결 방법을 통해 전극을 형성하는 방법을 제공하여, 안정적이고 공정을 간소화시킬 수 있는 발광 소자 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 제조 공정에서, 마스크 또는 절연부를 전극을 형성하는 일종의 틀로 이용함으로써, 전극들 간의 간격의 최단거리를 줄일 수 있어, 발광 소자의 전기적 특성 및 열적 특성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by providing the light emitting element having the electrode including the metal particles, the mechanical stability of the electrode and the reliability of the semiconductor layers can be improved, and the reliability of the light emitting element can be improved. Also, it is possible to provide a method of manufacturing a light emitting device which can stably and simplify a process by providing a method of forming an electrode through a sintering method. Further, in the manufacturing process, by using the mask or the insulating portion as a kind of frame forming the electrode, the shortest distance between the electrodes can be shortened, and the electrical characteristics and the thermal characteristics of the light emitting device can be improved.

도 1 내지 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 내지 도 6b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 to 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments of the present invention.
4 to 6B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 9 and 10 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where another component is interposed between the two. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1 내지 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 본 실시예들의 도면들에 있어서, 도 1 및 도 2a의 제조 방법에 따라 도 3a의 발광 소자가 제공될 수 있으며, 도 1 및 도 2b의 제조 방법에 따라 도 3b의 발광 소자가 제공될 수 있다.1 to 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments of the present invention. In the drawings of the present embodiments, the light emitting device of FIG. 3A may be provided according to the manufacturing method of FIGS. 1 and 2A, and the light emitting device of FIG. 3B may be provided by the manufacturing method of FIGS. 1 and 2B .

먼저, 도 1을 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 적어도 하나의 절연부(170)를 형성한다.First, referring to FIG. 1, at least one insulating portion 170 is formed on a wafer 100.

구체적으로, 도 1의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 적어도 하나의 개구부(211)를 포함하는 마스크(210)를 형성한다.Specifically, referring to FIG. 1A, a mask 210 including at least one opening 211 on a wafer 100 is formed.

웨이퍼(100)는 성장 기판 및 상기 성장 기판 상에 성장되어 형성된 반도체층들을 포함할 수 있다. 특히, 웨이퍼(100)는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 포함할 수 있으며, 상기 발광 구조체는 성장 기판 상에 위치할 수 있다. 즉, 웨이퍼(100)는 발광 소자를 제조하기 위하여 대면적의 성장 기판 상에 발광 구조체가 형성된 구조를 포함할 수 있다. 따라서 성장 기판은 발광 구조체를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 성장 기판은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. The wafer 100 may include a growth substrate and semiconductor layers grown and formed on the growth substrate. In particular, the wafer 100 may include a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer, and the light emitting structure may be located on a growth substrate. That is, the wafer 100 may include a structure in which a light emitting structure is formed on a growth substrate having a large area for manufacturing a light emitting device. Therefore, the growth substrate is not limited as long as it can grow the light emitting structure. For example, the growth substrate may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, or the like.

웨이퍼(100)는 하나 이상의 소자 영역(DR)을 포함할 수 있고, 각각의 소자 영역(DR)은 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함할 수 있다. 이때, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극은 각각 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서 웨이퍼(100)로부터 적어도 하나 이상의 발광 소자가 제공될 수 있으며, 웨이퍼(100)가 복수의 소자 영역(DR)을 포함하는 경우 이를 개별 소자로 분할하는 공정을 통해 복수의 발광 소자가 제공될 수 있다. 이와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다. The wafer 100 may include one or more device regions DR, and each of the device regions DR may include a first contact electrode and a second contact electrode. At this time, the first contact electrode and the second contact electrode may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, respectively. Accordingly, at least one light emitting element may be provided from the wafer 100, and when the wafer 100 includes a plurality of element regions DR, a plurality of light emitting elements may be provided have. This will be described later in detail in connection with this.

마스크(210)는 성장 기판 상에 형성되며, 적어도 하나의 개구부(211)를 가질 수 있다. 개구부(211)를 통해 웨이퍼(100)의 상면이 부분적으로 노출된다.The mask 210 is formed on the growth substrate and may have at least one opening 211. The upper surface of the wafer 100 is partially exposed through the opening 211.

마스크(210)는 개구부(211)를 정의하여 웨이퍼(100)를 부분적으로 노출시킬 수 있는 물질이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 포토레지스트를 포함할 수 있다. 마스크(210)가 포토레지스트를 포함하는 경우, 웨이퍼(100) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 이를 패터닝하여 개구부(211)를 형성함으로써 마스크(210)가 형성될 수 있다.The mask 210 is not limited as long as it can define the opening 211 to partially expose the wafer 100, and may include, for example, a photoresist. When the mask 210 includes a photoresist, the mask 210 may be formed by applying a photoresist on the wafer 100 and then patterning the photoresist to form the opening 211.

한편, 마스크(210)의 개구부(211)는 후술하는 공정에서 절연부(170)가 형성되는 영역에 대응할 수 있다. 따라서, 개구부(211)의 폭(D1, D2)은 절연부(170)의 폭에 대응할 수 있고, 형성하고자 하는 절연부(170)의 폭에 따라 개구부(211)의 폭(D1, D2)이 결정될 수 있다. On the other hand, the opening 211 of the mask 210 may correspond to a region where the insulating portion 170 is formed in a process to be described later. The widths D1 and D2 of the opening 211 may correspond to the width of the insulating portion 170 and the widths D1 and D2 of the opening 211 may be set to be equal to the width of the insulating portion 170 to be formed Can be determined.

개구부(211)는 적어도 둘 이상의 서로 다른 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 개구부(211)들 중 일부는 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치할 수 있고, 나머지 개구부(211)들은 서로 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성될 수 있다. 이때, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 개구부(211)의 폭은 서로 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 개구부(211)의 폭은 서로 다를 수 있다. The openings 211 may be formed to have at least two different widths. Some of the openings 211 may be located on one device region DR and the remaining openings 211 may be formed across neighboring device regions DR. At this time, the width of the opening 211 located on one element region DR may be different from the width of the opening 211 formed across the adjacent element regions DR.

예를 들어, 하나의 소자 영역(DR)상에 위치하는 개구부(211)의 폭은 D1으로 정의되고, 서로 인접하는 소자 영역(DR)들 상에 걸쳐 위치하는 개구부(211)의 폭은 D2로 정의된다. 이때, D1과 D2는 서로 다를 수 있고, 또한, D2는 D1보다 클 수 있고, 나아가, D2의 절반 값은 D1의 절반 값보다 클 수 있다. 후술하는 개별 소자 분할 공정에서, D2의 폭을 갖는 개구부(211)에 대응하는 영역에 형성되는 절연부(170)는 소자 분할 라인(L)을 따라 분리된다. 이때, 각각의 개별 소자에 대해서, D2의 절반 값에 대응하는 만큼의 폭을 갖는 절연부(170)가 발광 소자의 외곽 측면을 따라 형성될 수 있다.For example, the width of the opening 211 located on one element region DR is defined as D1, and the width of the opening 211 located over the adjacent element regions DR is D2 Is defined. At this time, D1 and D2 may be different from each other, and D2 may be larger than D1, and further, a half value of D2 may be larger than a half value of D1. In the individual element dividing step to be described later, the insulating portion 170 formed in the region corresponding to the opening 211 having the width of D2 is separated along the element dividing line L. [ At this time, for each individual element, an insulating portion 170 having a width corresponding to half the value of D2 may be formed along the outer side surface of the light emitting element.

또한, 본 실시예에 있어서, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 개구부(211)의 폭(D1)은 100㎛ 이하일 수 있고, 특히, 약 10 내지 80㎛ 범위 내일 수 있다.In the present embodiment, the width D1 of the opening 211 located on one element region DR may be 100 mu m or less, particularly about 10 to 80 mu m.

이어서, 도 1의 (b)를 참조하면, 마스크(210)의 개구부(211)의 적어도 일부를 채우는 절연부(170)를 형성한다.1 (b), an insulating portion 170 filling at least a part of the opening 211 of the mask 210 is formed.

절연부(170)는 전기적 절연성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 웨이퍼(100) 상에 마스크(210)를 덮도록 도포한 후, 이를 경화시켜 절연부(170)를 형성할 수 있다. 상기 경화된 절연부(170)가 마스크(210)의 높이보다 높게 형성되어 마스크(210)가 완전이 덮이는 경우, 경화된 절연부(170)의 상부 일부를 제거하여 도시된 바와 같이 절연부(170)를 형성할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 절연부(170)는 증착 및 패터닝 공정을 이용하여 형성할 수도 있다.The insulating portion 170 may include a material having electrical insulation properties. For example, a material such as an EMC (Epoxy Molding Compound) or a Si resin may be coated on the wafer 100 so as to cover the mask 210, and then the insulating part 170 may be formed by curing the material. When the mask 210 is completely covered with the hardened insulating part 170 formed to be higher than the height of the mask 210, the upper part of the hardened insulating part 170 is removed, (170) can be formed. However, the present invention is not limited thereto, and the insulating portion 170 may be formed using a deposition and patterning process.

또한, 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 절연부(170)가 반사성을 가짐으로써, 발광 구조체로부터 방출된 광이 상부로 반사되어 발광 소자의 광 효율이 향상될 수 있다.Further, the insulating unit 170 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles. Since the insulating portion 170 has reflectivity, the light emitted from the light emitting structure can be reflected upward to improve the light efficiency of the light emitting device.

개구부(211)의 적어도 일부를 채우도록 형성된 절연부(170)는 개구부(211)의 폭(D)에 대응하는 폭을 가질 수 있다. 따라서, 절연부(170)는 약 10 내지 80㎛의 폭을 가질 수 있다. 또한, 절연부(170)는 마스크(210)의 높이에 대응하는 높이를 가질 수 있으며, 예를 들어, 약 50 내지 80㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.The insulating portion 170 formed to fill at least a part of the opening 211 may have a width corresponding to the width D of the opening 211. [ Therefore, the insulating portion 170 may have a width of about 10 to 80 mu m. In addition, the insulating portion 170 may have a height corresponding to the height of the mask 210, and may have a thickness of, for example, about 50 to 80 m or more.

한편, 절연부(170)를 형성하기 전에, 웨이퍼(100)의 각각의 소자 영역(DR)의 발광 구조체들을 소자 단위로 분할하는 아이솔레이션 공정을 수행한 후에, 절연부(170)를 형성할 수 있다. 도시되지 않았지만, 이 경우 성장 기판 상의 발광 구조체는 소자 단위로 분할되어 각각의 소자 단위의 발광 구조체들 사이에 홈이 형성될 수 있다. 절연부(170)는 상기 홈을 더 채우도록 형성될 수 있으며, 절연부(170)는 발광 구조체의 적어도 일부 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 제조된 발광 소자에 있어서, 절연부(170)가 발광 구조체의 측면을 더 덮도록 형성될 수도 있다.The insulating portion 170 may be formed after the isolation process of dividing the light emitting structures of the respective device regions DR of the wafer 100 into device units before forming the insulating portion 170 . Although not shown, in this case, the light emitting structure on the growth substrate may be divided into element units, and a groove may be formed between the light emitting structures of each element unit. The insulating portion 170 may be formed to further fill the groove, and the insulating portion 170 may be formed to cover at least a part of the side surface of the light emitting structure. Therefore, in the manufactured light emitting device, the insulating portion 170 may be formed to further cover the side surface of the light emitting structure.

다음, 도 1의 (c)를 참조하면, 마스크(210)를 제거하여 웨이퍼(100) 상에 서로 이격된 절연부(170)들을 형성한다. 따라서, 절연부(170)들 사이에는 웨이퍼(100)의 상면이 노출된다.Next, referring to FIG. 1C, the mask 210 is removed to form insulating portions 170 spaced apart from each other on the wafer 100. Therefore, the upper surface of the wafer 100 is exposed between the insulating portions 170. [

마스크(210)는 식각 공정 등의 공지된 다양한 방법을 통해 제거될 수 있다. 마스크(210)가 포토레지스트를 포함하는 경우, 포토레지스트가 반응하는 화학 용액 등을 이용하여 마스크(210)를 제거할 수 있다.The mask 210 may be removed through various known methods, such as an etching process. When the mask 210 includes a photoresist, the mask 210 may be removed using a chemical solution or the like to which the photoresist reacts.

이에 따라, 상부에 이격된 절연부(170)들이 형성된 웨이퍼(100)가 제공된다.Thereby, the wafer 100 having the insulating portions 170 spaced thereover is provided.

이어서, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 전극(160 또는 260)들을 형성하고, 웨이퍼(100)를 개별 소자 단위로 분할한다. 도 2a 및 도 2b는 서로 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이며, 도 2a의 방법에 따라 도 3a의 발광 소자가 제공될 수 있고, 도 2b의 방법에 따라 도 3b의 발광 소자가 제공될 수 있다.
2A and 2B, electrodes 160 or 260 are formed on the wafer 100, and the wafer 100 is divided into individual device units. 2A and 2B are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to different embodiments, and the light emitting device of FIG. 3A may be provided according to the method of FIG. 2A, A device can be provided.

먼저, 도 2a 및 도 3a를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명한다.First, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 3A.

도 2a의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 예비 전극(160a)을 형성한다.Referring to FIG. 2A, a spare electrode 160a is formed on the wafer 100. FIG.

예비 전극(160a)은 금속 입자들과 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함하는 점성체를 포함할 수 있다. 이때, 상기 점성체를 웨이퍼(100) 상에 절연부(170)들 사이에 노출된 웨이퍼(100) 상면을 덮도록 형성할 수 있다. 따라서, 절연부(170)를 사이에 두고, 서로 이격된 적어도 2 이상의 예비 전극(160a)들이 형성될 수 있다.The spare electrode 160a may include a viscous body including a non-metallic material interposed between the metal particles and the metal particles. At this time, the viscous body may be formed on the wafer 100 so as to cover the upper surface of the wafer 100 exposed between the insulating portions 170. Therefore, at least two spare electrodes 160a spaced apart from each other with the insulating portion 170 therebetween can be formed.

상기 점성체에 포함된 금속 입자들은 열전도성 및 전기적 도전성을 갖는 물질이면 한정되지 않으며, 예를 들어, Cu, Au, Ag, Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 본 실시예에서, 상기 금속 입자는 Ag 입자를 포함할 수 있다. 비금속성 물질은, 예를 들어, C를 포함하는 폴리머 물질일 수 있다.The metal particles included in the viscous body are not limited as long as they are thermally conductive and electrically conductive, and may include at least one of Cu, Au, Ag and Pt, for example. In particular, in the present embodiment, the metal particles may include Ag particles. The non-metallic material may be, for example, a polymeric material comprising C.

상기 점성체는, 예를 들어, 디스펜서(220)를 이용하여 웨이퍼(100) 상에 도포될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 스크린 프린팅과 같은 방식을 이용하여 예비 전극(160a)을 웨이퍼(100) 상에 형성할 수도 있다. 예비 전극(160a)은 그 상면이 대체로 절연부(170)의 상면과 나란하도록 형성될 수 있으며, 이에 따라, 예비 전극(160a)들 사이에 절연부(170)가 적어도 부분적으로 노출될 수 있다. The viscous body may be applied on the wafer 100 using, for example, a dispenser 220. However, the present invention is not limited thereto, and a spare electrode 160a may be formed on the wafer 100 using a method such as screen printing. The spare electrode 160a may be formed such that its upper surface is substantially parallel to the upper surface of the insulating portion 170 so that the insulating portion 170 may be at least partially exposed between the spare electrodes 160a.

이어서, 도 2a의 (b)를 참조하면, 예비 전극(160a)으로부터 전극(160)을 형성한다.Next, referring to FIG. 2A, the electrode 160 is formed from the spare electrode 160a.

전극(160)은 예비 전극(160a)을 소결하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 약 300℃ 이하의 온도로 예비 전극(160a)을 가열하여 전극(160)을 형성할 수 있다. 소결 과정에서 예비 전극(160a)의 금속 입자들은 소결된 형태로 변형될 수 있다. 이때, 일부 비금속성 물질은 금속 입자들 사이에 개재되어, 전극(160) 내에 포함될 수 있다. 전극(160) 내에서, 금속 입자들은 소결되어 복수의 그레인(grain)이 배치된 형태로 형성될 수 있고, 금속 입자들 사이의 적어도 일부 영역에는 비금속성 물질이 개재될 수 있다. 이러한 비금속성 물질은 전극(160)에 발생할 수 있는 스트레스를 완화시켜주는 버퍼 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 전극(160)의 기계적 안정성이 향상되어, 전극(160)으로부터 웨이퍼(100)에 인가될 수 있는 스트레스가 감소될 수 있다.The electrode 160 may be formed by sintering the spare electrode 160a. For example, the electrode 160 may be formed by heating the spare electrode 160a at a temperature of about 300 ° C or less. During the sintering process, the metal particles of the spare electrode 160a may be deformed into a sintered form. At this time, some non-metallic materials may be interposed between the metal particles and contained in the electrode 160. In the electrode 160, the metal particles may be sintered to form a plurality of grains, and a nonmetallic material may be interposed in at least some areas between the metal particles. Such a non-metallic material can serve as a buffer for relieving the stress that may occur in the electrode 160. Thus, the mechanical stability of the electrode 160 is improved, and the stress that can be applied to the wafer 100 from the electrode 160 can be reduced.

전극(160)의 금속 입자들은 전극(160)의 전체 질량 대비 80 내지 98wt%의 비율로 포함될 수 있다. 전극(160)이 상술한 비율의 금속 입자를 포함함으로써, 우수한 열전도성 및 전기 전도성을 가질 수 있고, 전극(160)에 발생할 수 있는 스트레스를 효과적으로 완충시켜 전극(160)의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.The metal particles of the electrode 160 may be contained in a proportion of 80 to 98 wt% based on the total mass of the electrode 160. By including the metal particles in the above-described ratio, the electrode 160 can have excellent thermal conductivity and electrical conductivity, effectively buffer the stress that may occur in the electrode 160, and improve the mechanical stability of the electrode 160 have.

한편, 전극(160)은 예비 전극(160a)보다 작은 부피를 가질 수 있다. 소결 과정에서 예비 전극(160a) 내에 포함된 비금속성 물질의 고화 및/또는 증발 등에 의해 예비 전극(160a)의 부피가 감소하게 되어, 전극(160)의 부피가 예비 전극(160a)의 부피보다 작을 수 있다. 또한, 소결 과정에서, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)가 접촉하는 부분에는, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)가 접착되어 소결과정에서도 이 부분의 예비 전극(160a)은 거의 그대로 접착 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)의 계면보다 위쪽에 위치하는 예비 전극(160a)의 부분에서 부피 감소가 발생할 수 있고, 도시된 바와 같이, 전극(160)의 측면(160s)은 경사질 수 있다. 특히, 전극(160)의 측면(160s)과 웨이퍼(100)가 이루는 각은 90°미만의 각, 예를 들어, 30°이상 90°미만의 각을 가질 수 있다. 또한, 이때 전극(160)은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 측면(160s)을 포함할 수 있다. 이는 소결 과정의 특성상, 전극(160)들 각각의 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 하부에서 상부를 향하는 방향으로 증가하다가, 소정의 변곡점을 지나 다시 기울기가 증가하는 형태로 제공될 수 있다.On the other hand, the electrode 160 may have a smaller volume than the spare electrode 160a. The volume of the preliminary electrode 160a is reduced by solidification and / or evaporation of the non-metallic material included in the preliminary electrode 160a during the sintering process so that the volume of the electrode 160 is smaller than the volume of the preliminary electrode 160a . In addition, in the sintering process, the spare electrode 160a and the wafer 100 are bonded to the portion where the preliminary electrode 160a and the wafer 100 are in contact with each other, and the preliminary electrode 160a in this portion is bonded State can be maintained. As a result, a volume reduction may occur at the portion of the spare electrode 160a located above the interface between the spare electrode 160a and the wafer 100, and the side surface 160s of the electrode 160, as shown in FIG. It can be inclined. In particular, the angle between the side surface 160s of the electrode 160 and the wafer 100 may have an angle of less than 90 degrees, for example, an angle of more than 30 degrees and less than 90 degrees. Also, at this time, the electrode 160 may include a side 160s where the slope of the tangent to the side of the vertical section changes. Because of the nature of the sintering process, the slope of the tangent line to the side of the vertical section of each of the electrodes 160 increases in the direction from the bottom to the top, and then the slope increases again after passing through the predetermined inflection point.

소결 과정을 거쳐 전극(160)이 형성되면, 예비 전극(160a)에 비해 그 부피가 감소되므로, 전극(160)과 절연부(170) 사이에 이격 영역이 형성될 수 있다.When the electrode 160 is formed through the sintering process, the volume of the electrode 160 is reduced compared to the spare electrode 160a, so that a spacing region may be formed between the electrode 160 and the insulating portion 170. [

본 실시예에 따르면, 소정의 폭을 갖는 절연부(170)들 사이의 이격 영역을 예비 전극(160a)으로 채우고, 예비 전극(160a)으로부터 전극(160)을 형성함으로써, 전극(160)들 간의 간격을 절연부(170)의 폭에 따라 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 단일의 발광 소자에 대해서 용이하게 전극(160)들 간의 간격을 100㎛이하로 형성할 수 있으며, 나아가, 10 내지 80㎛으로 형성할 수 있다. 따라서 본 실시예에 따라 제조된 발광 소자(200a)의 제1 전극(161)과 제2 전극(163)의 간의 간격을 10 내지 80㎛으로 할 수 있다. 이에 따라, 전극들 간의 간격이 멀어져 발광 소자(200a)의 순방향 전압(Vf)이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 전극들 간의 간격을 줄인 만큼 전극의 수평 단면적을 크게 할 수 있어서 발광 소자(200a)의 열 방출 효율이 향상될 수 있다.According to this embodiment, the spacing between the insulating portions 170 having a predetermined width is filled with the spare electrode 160a and the electrode 160 is formed from the spare electrode 160a, The interval can be determined freely according to the width of the insulating portion 170. Therefore, the distance between the electrodes 160 can be easily formed to 100 mu m or less for a single light emitting device, and further, 10 to 80 mu m can be formed. Therefore, the interval between the first electrode 161 and the second electrode 163 of the light emitting device 200a manufactured according to the present embodiment can be set to 10 to 80 占 퐉. Accordingly, it is possible to prevent the forward voltage (Vf) of the light emitting device 200a from increasing due to the distance between the electrodes, and to increase the horizontal cross-sectional area of the electrode by reducing the distance between the electrodes, 200a can be improved.

이어서, 도 2a의 (c)를 참조하면, 전극(160)과 절연부(170) 사이의 이격 영역을 채우는 절연부(170)를 더 형성한다.Referring to FIG. 2A, an insulating portion 170 is further formed to fill the space between the electrode 160 and the insulating portion 170.

이에 따라, 절연부(170)는 1차로 형성되는 1차 절연부(171) 및 2차로 형성되는 2차 절연부(173)를 포함할 수 있다. 1차 절연부(171)와 2차 절연부(173)는 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다. 2차 절연부(173)는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지 등을 포함할 수 있다. 2차 절연부(173)는 도포 등의 방식을 이용하여 전극(160) 및 1차 절연부(171)를 덮도록 형성한 후, 그 상부의 일부를 제거하여 전극(160)의 상면을 노출시키는 방식으로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Accordingly, the insulating portion 170 may include a primary insulating portion 171 formed in a first order and a secondary insulating portion 173 formed in a second order. The primary insulating portion 171 and the secondary insulating portion 173 may be formed of the same material, but may include different materials. The secondary insulating portion 173 may include an epoxy molding compound (EMC), a silicon resin, or the like. The secondary insulation portion 173 is formed to cover the electrode 160 and the primary insulation portion 171 using a coating method and then a portion of the upper portion is removed to expose the upper surface of the electrode 160 . ≪ / RTI > However, the present invention is not limited thereto.

2차 절연부(173)를 형성함으로써, 웨이퍼(100)의 상면 및 전극(160)의 측면을 덮는 절연부(170)가 형성될 수 있다.The insulating portion 170 covering the upper surface of the wafer 100 and the side surface of the electrode 160 can be formed by forming the secondary insulating portion 173.

전극(160)이 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함하여, 전극(160)과 전극(160)의 측면을 덮는 절연부(170)의 계면에서의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.The mechanical stability at the interface of the electrode 160 and the insulating portion 170 covering the side surface of the electrode 160, including the tilted side of the electrode 160 where the slope of the tangent to the side surface of the vertical cross- Can be improved.

이어서, 도 2a의 (d)를 참조하면, 전극(160)들 상에 위치하는 패드 전극(180)들을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2A, pad electrodes 180 may be formed on the electrodes 160. Referring to FIG.

패드 전극(180)들은 각각의 전극(160)들 상에 위치할 수 있으며, 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 패드 전극(180)들은, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등과 같은 금속을 포함하는 물질을 증착 또는 도금 등의 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(180)들 각각은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The pad electrodes 180 may be positioned on the respective electrodes 160 and spaced apart from each other. The pad electrodes 180 may comprise a metal such as, for example, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, The material may be formed using a process such as vapor deposition or plating. In addition, each of the pad electrodes 180 may be formed of a single layer or multiple layers.

패드 전극(180)들은 그 면적이 전극(160)들 각각의 상면 면적보다 큰 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 따라서 패드 전극(180)의 일부는 절연부(170)와 접촉할 수 있다. 또한, 패드 전극(180)은 전극(160)들에 전기적으로 연결될 수 있다.The pad electrodes 180 may be formed such that the area thereof is larger than the upper surface area of each of the electrodes 160. Accordingly, a part of the pad electrode 180 can contact the insulating portion 170. In addition, the pad electrode 180 may be electrically connected to the electrodes 160.

패드 전극(180)을 형성함으로써, 본 실시예에 따라 제조된 발광 소자를 모듈 등에 적용하는 경우, 별도의 추가적인 기판 등에 더욱 안정적으로 실장될 수 있도록 한다. 예를 들어, 전극(160)이 Cu 또는 Ag 입자 소결체를 포함하는 경우, 전극(160)은 솔더 등에 대한 퍼짐성(wettabillity)이 좋지 않다. 패드 전극(180)을 절연부(170) 상에 형성함으로써, 발광 소자가 안정적으로 실장될 수 있도록 할 수 있다.By forming the pad electrode 180, when the light emitting device manufactured according to the present embodiment is applied to a module or the like, the pad electrode 180 can be more stably mounted on a separate additional substrate or the like. For example, when the electrode 160 includes the Cu or Ag particle sintered body, the electrode 160 has poor wettability to the solder and the like. By forming the pad electrode 180 on the insulating portion 170, the light emitting element can be stably mounted.

다음, 도 2a의 (e)를 참조하면, 웨이퍼(100)를 소자 분할 라인(L)을 따라 분할하여, 도 3a에 도시된 바와 같은 하나의 발광 소자(200a)를 적어도 하나 이상 형성한다.Next, referring to FIG. 2A, the wafer 100 is divided along the device dividing line L to form at least one light emitting device 200a as shown in FIG. 3A.

소자 분할 라인(L)은 웨이퍼(100)의 소자 영역(DR)들의 사이 부분에 대응하며, 웨이퍼(100)를 복수의 개별 소자로 분할하는 것은 식각, 스크라이빙 및 브레이킹과 같은 물리적인 방법을 이용하는 것을 포함할 수 있다. 일부 절연부(170)들은 소자 분할 라인(L) 상에 위치하며, 웨이퍼(100)를 분할하는 과정에서 웨이퍼(100)와 함께 다이싱될 수 있다.The device dividing line L corresponds to a portion between the device regions DR of the wafer 100 and the division of the wafer 100 into a plurality of discrete devices is accomplished by a physical method such as etching, scribing, and braking . ≪ / RTI > Some insulating portions 170 are located on the device dividing line L and can be diced together with the wafer 100 in the process of dividing the wafer 100.

본 실시예에 따르면, 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 절연부(170)의 폭을 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 절연부(170)의 폭을 충분히 크게 할 수 있어, 개별 소자 분할 과정에서 레이저나 다이싱 도구 등에 의한 전극(160)의 손상을 방지할 수 있다.According to this embodiment, the width of the insulating portion 170 formed over the adjacent device regions DR can be freely determined. Therefore, it is possible to sufficiently increase the width of the insulating portion 170 formed over the adjacent device regions DR, and to prevent the electrode 160 from being damaged by the laser or the dicing tool during the individual element dividing process.

즉, 전극(160)들 사이에 형성되는 절연부(170)들의 폭을 자유롭게 결정함으로써, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 전극(160) 사이의 폭(D1에 대응)은 상대적으로 작게 형성할 수 있고, 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 위치하는 전극(160) 사이의 폭(D2에 대응)은 상대적으로 크게 형성할 수 있다. 이에 따라, 제조된 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있고, 순방향 전압이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 개별 소자 분할 과정에서 발광 소자가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.That is, by freely determining the widths of the insulating portions 170 formed between the electrodes 160, the width (corresponding to D1) between the electrodes 160 located on one element region DR is relatively small And the width (corresponding to D2) between the electrodes 160 positioned over the adjacent device regions DR can be formed to be relatively large. Accordingly, heat emission efficiency of the manufactured light emitting device can be improved, the forward voltage can be prevented from increasing, and damage to the light emitting device in the individual device dividing process can be effectively prevented.

한편, 본 실시예에 있어서, 상기 발광 소자 제조 방법은, 웨이퍼(100)를 개별 소자 단위로 분할하기 전에, 웨이퍼(100)의 성장 기판을 발광 구조체로부터 분리하는 것을 더 포함할 수 있다. 성장 기판은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 스트레스 리프트 오프, 열적 리프트 오프, 래핑 등의 방법을 이용하여 발광 구조체로부터 분리 및 제거될 수 있다. 또한, 성장 기판이 분리되어 노출된 발광 구조체의 일 면에는, 추가적인 표면 처리 공정이 더 수행될 수 있다. 이러한 표면 처리 공정을 통해 발광 구조체의 일면의 거칠기가 증가될 수 있고, 상기 거칠기가 증가된 발광 구조체의 일면으로 통해 방출되는 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, the light emitting device manufacturing method may further include separating the growth substrate of the wafer 100 from the light emitting structure before dividing the wafer 100 into individual device units. The growth substrate can be separated and removed from the light emitting structure using methods such as laser lift off, chemical lift off, stress lift off, thermal lift off, lapping, and the like. Further, an additional surface treatment process can be further performed on one side of the light emitting structure from which the growth substrate is separated and exposed. Through this surface treatment process, the roughness of one surface of the light emitting structure can be increased, and the light extraction efficiency of light emitted through one surface of the light emitting structure with increased roughness can be improved.

또한, 본 실시예에 있어서, 웨이퍼(100)를 개별 소자 단위로 분할하기 전 및/또는 후에, 웨이퍼(100)의 하면 상에 형광체를 포함하는 파장변환부를 더 형성할 수도 있다.Furthermore, in this embodiment, a wavelength conversion unit including a phosphor may be further formed on the lower surface of the wafer 100 before and / or after the wafer 100 is divided into individual device units.

도 3a를 참조하여, 본 실시예에 따른 발광 소자(200a)에 관하여 상세하게 설명한다.3A, the light emitting device 200a according to the present embodiment will be described in detail.

발광 소자(200a)는 발광부(100L), 전극(160)을 포함하고, 나아가, 절연부(170), 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)을 더 포함할 수 있다.The light emitting device 200a may include a light emitting portion 100L and an electrode 160 and may further include an insulating portion 170 and first and second pad electrodes 181 and 183.

발광부(100L)는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체를 포함할 수 있고, 또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층 각각에 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함할 수 있다. 상술한 제조 방법에 따라, 발광부(100L)는 웨이퍼(100)로부터 분할되어 제공될 수 있다. The light emitting portion 100L may include a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer and an active layer located between the first and second conductivity type semiconductor layers, And first and second contact electrodes for ohmic contact with the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively. According to the above-described manufacturing method, the light emitting portion 100L can be provided separately from the wafer 100. [

발광부(100L) 및 발광 구조체의 구조는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 발광부(100L)의 일 면(도면 상에서 발광부의 상면) 상에 위치할 수 있는 구조를 갖는 다양한 형태일 수 있다. 이와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다.The structure of the light emitting portion 100L and the light emitting structure is different from the structure of the light emitting portion 100L in that the first electrode 161 and the second electrode 163 can be positioned on a surface Lt; / RTI > This will be described later in detail in connection with this.

전극(160)은 발광부(100L) 상에 위치할 수 있고, 또한, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 각각 제1 및 제2 컨택 전극에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1 및 제2 전극(161, 163)은 발광 구조체와 직접적으로 접촉될 수 있다.The electrode 160 may be located on the light emitting portion 100L and may also include a first electrode 161 and a second electrode 163. At this time, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively, and the first and second electrodes 161 and 163 may be in direct contact with the light emitting structure .

제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각은 경사진 측면을 포함할 수 있다. 전극(160)들의 측면과 발광부(100L)의 상면이 이루는 각(θ)은 90°미만일 수 있고, 예를 들어, 상기 각(θ)은 30°≤θ＜90°일 수 있다.Each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may include an inclined side surface. The angle? Formed by the side surfaces of the electrodes 160 and the upper surface of the light emitting portion 100L may be less than 90 占 and the angle? May be 30 占?? <90 占 for example.

또한, 도시된 바와 같이, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각의 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기는 하부에서 상부를 향하는 방향으로 증가하다가, 소정의 변곡점을 지나 다시 기울기가 증가할 수 있다. Further, as shown, each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may include an inclined side surface in which the slope of the tangent line to the side surface of the vertical section changes. Further, the inclination of the tangent line with respect to the side surface of the vertical section of each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may increase in a direction from the bottom to the top, and then the inclination may be increased beyond a predetermined inflection point.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함하여, 제1 및 제2 전극(161, 163)과 절연부(170)의 계면에서의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.The first and second electrodes 161 and 163 and the insulating portion 170 (including the first electrode 161 and the second electrode 163) include inclined side surfaces in which the inclination of the tangent line to the side surface of the vertical cross- ) Can be improved.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 금속 입자를 포함할 수 있고, 나아가, 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 금속 입자들과 비금속성 물질은 소결된 형태로 형성될 수 있다. 금속 입자들은 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각의 질량 대비 80 내지 98wt%의 비율로 포함될 수 있다. 금속 입자들은 열전도성 및 전기적 도전성을 갖는 물질이면 한정되지 않으며, 예를 들어, Cu, Au, Ag, Pt 등을 포함할 수 있다. 비금속성 물질은 전극(160)을 형성하기 위한 소결 대상이 되는 물질로부터 유래된 것일 수 있고, 예를 들어, C를 포함하는 폴리머 물질일 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163 may include metal particles, and may further include a non-metallic material interposed between the metal particles. Further, the metal particles and the non-metallic material may be formed in a sintered form. The metal particles may be contained in a proportion of 80 to 98 wt% of the mass of the first and second electrodes 161 and 163, respectively. The metal particles are not limited as long as they are thermally conductive and electrically conductive, and may include, for example, Cu, Au, Ag, Pt, and the like. The non-metallic material may be derived from the material to be sintered to form the electrode 160, and may be, for example, a polymeric material comprising C, for example.

제1 전극(161)과 제2 전극(163) 간의 간격(160D1)의 최단 거리의 절반 값은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(160D2)보다 작을 수 있고, 나아가, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 간의 간격(160D1)의 최단 거리는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(160D2)보다 작을 수 있다. 즉, 전극(160)들은 상대적으로 발광 소자(200a)의 중심부에 쏠려 형성될 수 있다. 발광부(100L)에 있어서, 발광부(100L)의 측면에는 절연층 또는 컨택 전극 등이 위치할 수 있어, 발광 영역(활성층)은 주로 발광부(100L)의 중심부에 쏠려 위치할 수 있다. 발광 소자(200a)의 발광 시 발생하는 열은 대부분 발광 영역으로부터 기인할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 전극(160)이 상대적으로 발광 소자(200a)의 중심부에 쏠려 있어 발광 소자(200a)가 구동될 때 발생하는 열을 전극(160)을 통해 더욱 효과적으로 방출시킬 수 있다.The half value of the shortest distance of the interval 160D1 between the first electrode 161 and the second electrode 163 is set to be a distance from one side of the first electrode 161 and the second electrode 163 The shortest distance of the interval 160D1 between the first electrode 161 and the second electrode 163 may be smaller than the shortest distance 160D2 between the first electrode 161 and the second electrode 163, May be smaller than the shortest distance 160D2 from one side of one side of the insulating portion 170 to the outer side of the insulating portion 170. [ That is, the electrodes 160 may be relatively formed on the center of the light emitting device 200a. In the light emitting portion 100L, an insulating layer, a contact electrode, or the like may be disposed on a side surface of the light emitting portion 100L, and the light emitting region (active layer) may be positioned mainly on the center portion of the light emitting portion 100L. The heat generated when the light emitting element 200a emits light can be mostly caused by the light emitting region. According to this embodiment, since the electrode 160 is relatively positioned at the central portion of the light emitting device 200a, heat generated when the light emitting device 200a is driven can be more effectively discharged through the electrode 160. [

또한, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 간의 간격(160D1)의 최단 거리는 100㎛이하일 수 있고, 나아가, 10 내지 80㎛ 범위 내일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라 상기 간격(160D1)의 최단 거리가 상술한 범위로 제공될 수 있다. 이에 따라, 전극(160)들 간의 간격(160D1)이 멀어져 발광 소자(200a)의 순방향 전압(Vf)이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 전극들 간의 간격(160D1)을 줄인 만큼 전극의 수평 단면적을 크게 할 수 있어서 발광 소자(200a)의 열 방출 효율이 향상될 수 있다.In addition, the shortest distance between the first electrode 161 and the second electrode 163 (160D1) may be 100 mu m or less, and may be in the range of 10 to 80 mu m. According to the embodiment of the present invention, the shortest distance of the interval 160D1 may be provided in the above-described range. This can prevent the forward voltage Vf of the light emitting device 200a from increasing due to the spacing 160D1 between the electrodes 160. This can prevent the forward voltage Vf of the light emitting device 200a from increasing, The cross sectional area can be increased, and the heat emission efficiency of the light emitting device 200a can be improved.

또한, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 약 50 내지 80㎛의 두께를 가질 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 소자가 상술한 범위의 두께를 갖는 전극(160)을 포함하여, 상기 발광 소자는 그 자체로 칩 스케일 패키지로 이용될 수 있다. 나아가, 전극(160)이 금속 입자들을 포함하여, 전극(160)을 상술한 범위의 두께로 형성하더라도 발생하는 스트레스를 충분히 완화시킬 수 있다. 따라서 발광부(100L)에 인가되는 스트레스가 감소하여, 발광 소자의 기계적 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다. 다만, 전극(160)의 두께가 상술한 범위에 한정되는 것은 아니다.In addition, the first electrode 161 and the second electrode 163 may have a thickness of about 50 to 80 탆. The light emitting device according to the present embodiment includes the electrode 160 having a thickness in the above-described range, and the light emitting device can be used as a chip scale package by itself. Further, even if the electrode 160 includes the metal particles and the electrode 160 is formed in the above-described range of thickness, the stress generated can be sufficiently mitigated. Therefore, the stress applied to the light emitting portion 100L is reduced, and the mechanical stability and reliability of the light emitting element can be improved. However, the thickness of the electrode 160 is not limited to the above-mentioned range.

제1 전극(161)과 제2 전극(163)은 각각 제1 및 제2 컨택 전극 상에 직접적으로 접촉되도록 형성될 수 있어, 도금법을 이용하는 경우 필요한 시드층(seed layer) 또는 솔더를 이용하는 경우 필요한 웨팅층(wetting)과 같은 별도의 추가적인 구성이 생략될 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163 may be formed so as to directly contact the first and second contact electrodes, respectively. When the seed layer or the solder is used in the case of using the plating method, A separate additional configuration, such as wetting, may be omitted.

절연부(170)는 발광부(100L) 상에 전극(160)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 절연부(170)의 상면에는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 노출될 수 있다. 절연부(170)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연부(170)는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 절연부(170)의 하면은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 하면들과 대체로 동일한 높이로 나란하게 형성될 수 있다. The insulating portion 170 may be formed to cover the side surface of the electrode 160 on the light emitting portion 100L. The first electrode 161 and the second electrode 163 may be exposed on the upper surface of the insulating portion 170. The insulating portion 170 is electrically insulative and covers the sides of the first electrode 161 and the second electrode 163, effectively insulating them from each other. At the same time, the insulating portion 170 may serve to support the first electrode 161 and the second electrode 163. The lower surface of the insulating portion 170 may be formed to be substantially flush with the lower surfaces of the first electrode 161 and the second electrode 163.

절연부(170)는 절연성 폴리머 및/또는 절연성 세라믹을 포함할 수 있고, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. 절연부(170)가 반사성을 가짐으로써, 발광부(100L)로부터 방출된 광이 상부로 반사되어 발광 소자의 광 효율이 향상될 수 있다.The insulating portion 170 may include an insulating polymer and / or an insulating ceramic, and may include materials such as EMC (Epoxy Molding Compound), Si resin, and the like. Further, the insulating unit 170 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles. Since the insulating portion 170 has reflectivity, the light emitted from the light emitting portion 100L can be reflected upward and the light efficiency of the light emitting device can be improved.

또한, 도시된 바와 달리, 절연부(170)는 발광부(100L)의 측면을 더 덮을 수도 있고, 발광부(100L)에서 방출된 광의 발광 각도가 달라질 수 있다. 예를 들어, 절연부(170)가 발광부(100L)의 측면을 더 덮는 경우, 발광부(100L)의 측면으로 방출된 광 중 일부가 상부로 반사될 수 있다. 이와 같이, 절연부(170)가 배치되는 영역을 조절함으로써, 발광 소자(200a)의 발광 각도를 조절할 수 있다.In addition, unlike the illustrated example, the insulating portion 170 may further cover the side surface of the light emitting portion 100L, and the light emitting angle of the light emitted from the light emitting portion 100L may vary. For example, when the insulating portion 170 further covers the side surface of the light emitting portion 100L, a part of the light emitted to the side surface of the light emitting portion 100L may be reflected upward. Thus, by adjusting the region where the insulating portion 170 is disposed, the light emitting angle of the light emitting element 200a can be adjusted.

제1 패드 전극(181) 및 제2 패드 전극(183)은 절연부(170) 상에 위치할 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(181) 및 제2 패드 전극(183) 각각은 절연부(170)의 상면에서 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각에 접촉하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)은 각각 제1 및 제2 전극(161, 163)에 전기적으로 연결된다. The first pad electrode 181 and the second pad electrode 183 may be positioned on the insulating portion 170. The first pad electrode 181 and the second pad electrode 183 may be formed to be in contact with the first and second electrodes 161 and 163 on the upper surface of the insulating portion 170, have. Accordingly, the first and second pad electrodes 181 and 183 are electrically connected to the first and second electrodes 161 and 163, respectively.

제1 및 제2 패드 전극(181, 183)은 발광 소자(200a)를 모듈 등에 적용하는 경우, 별도의 추가적인 기판 등에 더욱 안정적으로 실장될 수 있도록 한다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(161, 163)이 Cu 또는 Ag 입자 소결체를 포함하는 경우, 제1 및 제2 전극(161, 163)의 하면은 솔더 등에 대한 퍼짐성(wettability)이 좋지 않다. 따라서 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)을 절연부(170)의 하면 상에 더 배치함으로써, 발광 소자가 안정적으로 실장될 수 있도록 할 수 있다.The first and second pad electrodes 181 and 183 can be more reliably mounted on a separate additional substrate or the like when the light emitting device 200a is applied to a module or the like. For example, when the first and second electrodes 161 and 163 include a sintered body of Cu or Ag particles, the lower surfaces of the first and second electrodes 161 and 163 have poor wettability to solder and the like . Therefore, by disposing the first and second pad electrodes 181 and 183 on the lower surface of the insulating portion 170, the light emitting element can be stably mounted.

제1 및 제2 패드 전극(181, 183) 각각의 수평 면적은 절연부(170)의 하면에 노출된 제1 및 제2 전극(161, 163)의 수평 면적보다 클 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(161, 163)이 노출된 영역은 각각 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)이 형성되는 영역 내에 위치할 수 있다. 절연부(170)의 하면에 노출된 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각의 영역의 면적보다 제1 및 제2 패드 전극(181, 183) 각각의 면적을 더 크게 형성함으로써, 발광 소자가 별도의 추가적인 기판 등에 더욱 안정적으로 실장될 수 있다.The horizontal area of each of the first and second pad electrodes 181 and 183 may be larger than the horizontal area of the first and second electrodes 161 and 163 exposed on the lower surface of the insulating portion 170. Accordingly, the exposed regions of the first and second electrodes 161 and 163 may be located in regions where the first and second pad electrodes 181 and 183 are formed, respectively. The area of each of the first and second pad electrodes 181 and 183 is made larger than the area of each of the areas of the first and second electrodes 161 and 163 exposed on the lower surface of the insulating portion 170, Can be more reliably mounted on a separate additional substrate or the like.

제1 전극 패드(181) 및 제2 전극 패드(183)는 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극 패드(181, 183) 각각은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first electrode pad 181 and the second electrode pad 183 may include a conductive material such as a metal and may be formed of a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, , Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb, and the like. In addition, each of the first and second electrode pads 181 and 183 may be a single layer or a multilayer.

한편, 발광 소자(200a)는 발광부(100L)의 하면 상에 위치하는 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 파장변환부는 발광부(100L)에서 방출된 광을 파장변환 시켜, 다양한 파장대의 광을 방출하는 발광 소자(200a)를 구현할 수 있도록 한다.
Meanwhile, the light emitting device 200a may further include a wavelength converting unit (not shown) positioned on the lower surface of the light emitting unit 100L. The wavelength converter converts the light emitted from the light emitting unit 100L into a wavelength-converted light, thereby realizing a light emitting device 200a that emits light of various wavelengths.

다음, 도 2b 및 도 3b를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명한다. 본 실시예의 발광 소자 제조 방법은, 도 2a 및 도 3a를 참조하여 설명한 실시예와 대체로 유사하나, 예비 전극(260a) 및 전극(260)에 있어서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예에 대해 설명하며, 도 2a 및 도 3a에서 설명한 기술적 특징, 구성 및 한정은 모두 본 실시예에 대해서도 적용될 수 있다. 또한, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Next, a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2B and 3B. FIG. The method of manufacturing the light emitting device of this embodiment is substantially similar to the embodiment described with reference to FIGS. 2A and 3A, but differs in the spare electrode 260a and the electrode 260. FIG. The present embodiment will be described focusing on the following differences, and all of the technical features, configurations, and limitations described in FIGS. 2A and 3A can be applied to the present embodiment. A detailed description of the same configuration will be omitted.

도 2b의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 예비 전극(260a)을 형성한다.Referring to FIG. 2B, a spare electrode 260a is formed on the wafer 100. FIG.

예비 전극(260a)은 웨이퍼(100) 상에 절연부(170)들 사이에 노출된 웨이퍼(100) 상면을 덮도록 형성할 수 있으며, 특히, 절연부(170)들까지 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 예비 전극(260a)은 금속 입자들 및 비금속성 물질을 포함하는 점성체를 웨이퍼(100) 상에 도포하여 형성할 수 있다. 이때, 예비 전극(260a)은 절연부(170)들까지 완전히 덮도록, 절연부(170)들의 높이보다 큰 두께로 웨이퍼(100) 상에 도포될 수 있다.The spare electrode 260a may be formed on the wafer 100 so as to cover the upper surface of the wafer 100 exposed between the insulating portions 170 and may be formed to completely cover the insulating portions 170 have. The spare electrode 260a can be formed by applying a viscous body containing metal particles and a non-metallic material onto the wafer 100. [ At this time, the spare electrode 260a may be coated on the wafer 100 to a thickness larger than the height of the insulating portions 170 so as to completely cover the insulating portions 170. [

이어서, 도 2b의 (b)를 참조하면, 예비 전극(260a)으로부터 전극(260)을 형성한다.Next, referring to FIG. 2B, an electrode 260 is formed from the spare electrode 260a.

전극(260)은 예비 전극(260a)을 소결하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 약 300℃ 이하의 온도로 예비 전극(260a)을 가열하여 전극(260)을 형성할 수 있다. 소결 과정에서 예비 전극(260a)의 금속 입자들은 소결된 형태로 변형될 수 있다. 전극(260)을 소결을 통해 형성하는 과정에서, 예비 전극(260a)의 부피가 감소되어 전극(260)으로 형성될 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 전극(260)은 예비 전극(260a)보다 작은 부피를 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 예비 전극(260a)이 소결되어 부피가 감소된 이후에도, 전극(260)은 절연부(170)들을 덮고 있는 상태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 전극(260)의 측면(260s)은 웨이퍼(100)의 상면과 대체로 수직을 이루도록 형성될 수 있다.The electrode 260 may be formed by sintering the spare electrode 260a. For example, the electrode 260 may be formed by heating the spare electrode 260a at a temperature of about 300 ° C or less. In the sintering process, the metal particles of the spare electrode 260a may be deformed into a sintered shape. In the process of forming the electrode 260 through sintering, the volume of the spare electrode 260a may be reduced to form the electrode 260. [ Thus, as shown, the electrode 260 may have a smaller volume than the spare electrode 260a. Also, in this embodiment, the electrode 260 may be formed to cover the insulating portions 170 even after the spare electrode 260a is sintered and reduced in volume. Accordingly, the side surface 260s of the electrode 260 may be formed to be substantially perpendicular to the upper surface of the wafer 100. [

예비 전극(260a)과 전극(260)은 도 2a의 예비 전극(160a) 및 전극(160)과 비교하여, 그 제조 방법에 차이가 있으나, 실질적으로 동일한 물질일 수 있다.The spare electrode 260a and the electrode 260 are different from each other in the manufacturing method of the spare electrode 160a and the electrode 160 of FIG. 2A, but may be substantially the same material.

이어서, 도 2b의 (c)를 참조하면, 전극(260)을 부분적으로 제거하여, 절연부(170)를 노출시킨다.Next, referring to FIG. 2B (c), the electrode 260 is partially removed to expose the insulating portion 170.

전극(260)은 그 상부의 일부가 제거될 수 있고, 예를 들어, 도시된 바와 같이 소정의 가상선(F-F) 상부에 위치하는 전극(260)의 일부를 제거하여 절연부(170)의 상면이 노출되도록 할 수 있다. 전극(260)의 일부를 제거하는 것은, 예를 들어, 래핑 공정을 이용할 수 있다. A portion of the electrode 260 may be removed and a portion of the electrode 260 located above the predetermined imaginary line FF may be removed as shown, for example, Can be exposed. Removing a part of the electrode 260 can use, for example, a lapping process.

이에 따라, 절연부(170)들 사이의 영역에 위치하는 복수의 전극들(260)이 형성될 수 있다. 또한, 형성된 전극(260)들 각각은 절연부(170)의 측면에 접하도록 형성되며, 전극(260)의 측면은 웨이퍼(100)의 상면과 거의 수직을 이루도록 형성될 수 있다.Accordingly, a plurality of electrodes 260 positioned in a region between the insulating portions 170 may be formed. In addition, each of the formed electrodes 260 is formed to be in contact with the side surface of the insulating portion 170, and the side surface of the electrode 260 may be formed to be substantially perpendicular to the upper surface of the wafer 100.

도 2b의 (d)를 참조하면, 전극(260)들 상에 위치하는 패드 전극(180)들을 형성할 수 있고, 다음, 도 2b의 (e)를 참조하면, 웨이퍼(100)를 소자 분할 라인(L)을 따라 분할하여, 도 3b에 도시된 바와 같은 하나의 발광 소자(200b)를 적어도 하나 이상 형성한다.Referring to FIG. 2 (d), pad electrodes 180 may be formed on the electrodes 260. Referring to FIG. 2 (e) (L) to form at least one light emitting device 200b as shown in FIG. 3B.

본 실시예의 제조 방법에 따라, 도 3b에 도시된 바와 같이, 전극들(261, 263)의 측면(260s)이 발광부(100L)의 상면에 대해 거의 수직으로 형성된 발광 소자(200b)가 제공될 수 있다. According to the manufacturing method of this embodiment, as shown in FIG. 3B, a light emitting device 200b is provided in which side surfaces 260s of the electrodes 261 and 263 are formed so as to be substantially perpendicular to the upper surface of the light emitting portion 100L .

제1 전극(261)과 제2 전극(263) 간의 간격(260D1)의 최단 거리의 절반 값은 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(260D2)보다 작을 수 있고, 나아가, 제1 전극(261)과 제2 전극(263) 간의 간격(260D1)의 최단 거리는 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(260D2)보다 작을 수 있다. 즉, 전극(260)들은 상대적으로 발광 소자(200b)의 중심부에 쏠려 형성될 수 있다. 발광부(100L)에 있어서, 발광부(100L)의 측면에는 절연층 또는 컨택 전극 등이 위치할 수 있어, 발광 영역(활성층)은 주로 발광부(100L)의 중심부에 쏠려 위치할 수 있다. 발광 소자(200b)의 발광 시 발생하는 열은 대부분 발광 영역으로부터 기인할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 전극(160)이 상대적으로 발광 소자(200b)의 중심부에 쏠려 있어 발광 소자(200b)가 구동될 때 발생하는 열을 전극(160)을 통해 더욱 효과적으로 방출시킬 수 있다. 또한, 제1 전극(261)과 제2 전극(263) 간의 간격(260D1)은 100㎛이하일 수 있고, 나아가, 10 내지 80㎛ 범위 내일 수 있다.A half value of the shortest distance of the interval 260D1 between the first electrode 261 and the second electrode 263 is set to be a distance from a side of one of the first electrode 261 and the second electrode 263 The shortest distance of the interval 260D1 between the first electrode 261 and the second electrode 263 may be smaller than the shortest distance 260D2 between the first electrode 261 and the second electrode 263, The shortest distance 260D2 from one side of one side of the insulating portion 170 to the outer side of the insulating portion 170. [ That is, the electrodes 260 may be formed to be relatively centered on the center of the light emitting device 200b. In the light emitting portion 100L, an insulating layer, a contact electrode, or the like may be disposed on a side surface of the light emitting portion 100L, and the light emitting region (active layer) may be positioned mainly on the center portion of the light emitting portion 100L. The heat generated when the light emitting element 200b emits light can be mostly caused by the light emitting region. According to this embodiment, since the electrode 160 is relatively positioned at the central portion of the light emitting device 200b, the heat generated when the light emitting device 200b is driven can be more effectively discharged through the electrode 160. [ The gap 260D1 between the first electrode 261 and the second electrode 263 may be 100 mu m or less and may be in the range of 10 to 80 mu m.

본 실시예에 따르면, 전극(260)의 측면(260s)이 발광부(100L)와 대체로 수직을 이루도록 형성됨으로써, 전극(260)에 의한 열 방출 효율이 더욱 향상될 수 있다.
According to this embodiment, since the side surface 260s of the electrode 260 is formed to be substantially perpendicular to the light emitting portion 100L, the efficiency of heat emission by the electrode 260 can be further improved.

도 4 내지 도 6b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 본 실시예들의 도면들에 있어서, 도 4 및 도 5a의 제조 방법에 따라 도 6a의 발광 소자가 제공될 수 있으며, 도 4 및 도 5b의 제조 방법에 따라 도 6b의 발광 소자가 제공될 수 있다. 또한, 본 실시예들에서, 도 1 내지 도 3b의 실시예에서 설명한 구성과 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호가 적용된다.
4 to 6B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. In the drawings of the embodiments, the light emitting device of Fig. 6A may be provided according to the manufacturing method of Figs. 4 and 5A, and the light emitting device of Fig. 6B may be provided by the manufacturing method of Figs. 4 and 5B . Further, in the present embodiments, the detailed description of the components substantially the same as those described in the embodiments of Figs. 1 to 3B will be omitted. The same reference numerals are applied to the same configurations.

먼저, 도 4를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 적어도 둘 이상의 개구부(213)를 포함하는 마스크(210)를 형성한다.First, referring to FIG. 4, a mask 210 including at least two openings 213 is formed on a wafer 100.

마스크(210)는 포토레지스트를 웨이퍼 상에 도포한 후, 이를 패터닝하여 개구부(213)를 형성함으로써 제공될 수 있다. 이때, 인접하는 적어도 두 개의 개구부(213)는 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치할 수 있다. The mask 210 may be provided by applying a photoresist on a wafer and then patterning it to form an opening 213. [ At this time, the adjacent at least two openings 213 may be located on one device region DR.

마스크(210)의 마스킹 영역은 적어도 둘 이상의 서로 다른 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 마스킹 영역들 중 일부는 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치할 수 있고, 나머지 마스킹 영역들은 서로 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성될 수 있다. 이때, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 마스크(210)의 마스킹 영역의 폭(D1')은 서로 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 마스킹 영역(D2')의 폭과 서로 다를 수 있다. The masking region of the mask 210 may be formed to have at least two different widths. Some of the masking regions may be located on one device region DR, and the remaining masking regions may be formed over adjacent device regions DR. At this time, the width D1 'of the masking region of the mask 210 located on one device region DR is different from the width of the masking region D2' formed over the adjacent device regions DR .

예를 들어, 하나의 소자 영역(DR)상에 위치하는 마스킹 영역의 폭은 D1'으로 정의되고, 서로 인접하는 소자 영역(DR)들 상에 걸쳐 위치하는 마스킹 영역의 폭은 D2'으로 정의된다. 이때, D1'과 D2'는 서로 다를 수 있고, 또한, D2'는 D1'보다 클 수 있고, 나아가, D2'의 절반 값은 D1'의 절반 값보다 클 수 있다. 후술하는 개별 소자 분할 공정에서, D2'의 폭을 갖는 마스킹 영역에 대응하는 영역에 형성되는 절연부(170)는 소자 분할 라인(L)을 따라 분리된다. 이때, 각각의 개별 소자에 대해서, D2'의 절반 값에 대응하는 만큼의 폭을 갖는 절연부(170)가 발광 소자의 외곽 측면을 따라 형성될 수 있다.For example, the width of a masking region located on one device region DR is defined as D1 ', and the width of a masking region located over adjacent device regions DR is defined as D2' . At this time, D1 'and D2' may be different from each other, and D2 'may be larger than D1', and further, a half value of D2 'may be larger than a half value of D1'. In the individual element dividing step to be described later, the insulating portion 170 formed in the region corresponding to the masking region having the width of D2 'is separated along the element dividing line L. [ At this time, for each individual element, an insulating portion 170 having a width corresponding to a half value of D2 'may be formed along the outer side surface of the light emitting element.

또한, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 마스크(210)의 마스킹 영역의 폭(D1')은 100㎛ 이하일 수 있고, 특히, 10 내지 80㎛ 범위 내일 수 있다. In addition, the width D1 'of the masking region of the mask 210 located on one element region DR may be 100 탆 or less, particularly 10 to 80 탆.

마스크(210)의 마스킹 영역의 폭에 따라, 후술하는 공정에서 전극(160)들의 간격이 결정될 수 있다.Depending on the width of the masking region of the mask 210, the spacing of the electrodes 160 may be determined in a later-described process.

이어서, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 전극(160 또는 260) 및 절연부(170)들을 형성하고, 웨이퍼(100)를 개별 소자 단위로 분할한다. 도 5a 및 도 5b는 서로 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이며, 도 5a의 방법에 따라 도 6a의 발광 소자가 제공될 수 있고, 도 5b의 방법에 따라 도 6b의 발광 소자가 제공될 수 있다.
5A and 5B, electrodes 160 or 260 and insulating portions 170 are formed on the wafer 100, and the wafer 100 is divided into individual device units. 5A and 5B are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to different embodiments. Referring to FIG. 5A, the light emitting device of FIG. 6A may be provided, A device can be provided.

먼저, 도 5a 및 도 6a를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명한다.First, a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A and 6A.

도 5a의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 예비 전극(160a)을 형성한다.Referring to FIG. 5A, a spare electrode 160a is formed on the wafer 100. FIG.

예비 전극(160a)은 금속 입자들과 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함하는 점성체를 웨이퍼(100) 상에 절연부(170)들 사이에 노출된 웨이퍼(100) 상면을 덮도록 형성함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 절연부(170)를 사이에 두고, 서로 이격된 적어도 2 이상의 예비 전극(160a)들이 형성될 수 있다. 예비 전극(160a)은 그 상면이 대체로 절연부(170)의 상면과 나란하도록 형성될 수 있으며, 이에 따라, 예비 전극(160a)들 사이에 절연부(170)가 적어도 부분적으로 노출될 수 있다.The preliminary electrode 160a covers the upper surface of the wafer 100 exposed between the insulating portions 170 on the wafer 100 with the viscous body containing the non-metallic material interposed between the metal particles and the metal particles. Or the like. Therefore, at least two spare electrodes 160a spaced apart from each other with the insulating portion 170 therebetween can be formed. The spare electrode 160a may be formed such that its upper surface is substantially parallel to the upper surface of the insulating portion 170 so that the insulating portion 170 may be at least partially exposed between the spare electrodes 160a.

이어서, 도 5a의 (b)를 참조하면, 예비 전극(160a)으로부터 전극(160)을 형성한다.Next, referring to FIG. 5A, the electrode 160 is formed from the spare electrode 160a.

전극(160)은 예비 전극(160a)을 소결하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 약 300℃ 이하의 온도로 예비 전극(160a)을 가열하여 전극(160)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 마스크(210)의 개구부(213)들을 채우는 복수의 전극(160)들이 형성될 수 있다.The electrode 160 may be formed by sintering the spare electrode 160a. For example, the electrode 160 may be formed by heating the spare electrode 160a at a temperature of about 300 ° C or less. Accordingly, a plurality of electrodes 160 filling the openings 213 of the mask 210 can be formed.

소결 과정에서 예비 전극(160a)의 금속 입자들은 소결된 형태로 변형될 수 있고, 비금속성 물질은 금속 입자들 사이에 개재될 수 있다. 따라서, 전극(160)은 금속 입자 및 금속 입자들 사이에 개재된 비금속 물질을 포함할 수 있다. 전극(160)의 금속 입자들은 전극(160)의 전체 질량 대비 80 내지 98wt%의 비율로 포함될 수 있다. During the sintering process, the metal particles of the spare electrode 160a may be deformed into a sintered form, and the non-metallic material may be interposed between the metal particles. Thus, the electrode 160 may include metal particles and non-metallic materials interposed between the metal particles. The metal particles of the electrode 160 may be contained in a proportion of 80 to 98 wt% based on the total mass of the electrode 160.

또한, 소결 과정에서 예비 전극(160a) 내에 포함된 비금속성 물질의 고화 및/또는 증발 등에 의해 예비 전극(160a)의 부피가 감소하게 되어, 전극(160)의 부피가 예비 전극(160a)의 부피보다 작을 수 있다. 다만, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)가 접촉하는 부분에는, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)가 접착되어 소결과정에서도 이 부분의 예비 전극(160a)은 거의 그대로 접착 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 예비 전극(160a)과 웨이퍼(100)의 계면보다 위쪽에 위치하는 예비 전극(160a)의 부분에서 부피 감소가 발생할 수 있고, 도시된 바와 같이, 전극(160)의 측면(160s)은 경사질 수 있다. 특히, 전극(160)의 측면(160s)과 웨이퍼(100)가 이루는 각은 90°이하의 각을 가질 수 있다. 또한, 이때 전극(160)은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 측면(160s)을 포함할 수 있다. 이는 소결 과정의 특성상, 전극(160)들 각각의 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 하부에서 상부를 향하는 방향으로 증가하다가, 소정의 변곡점을 지나 다시 기울기가 증가하는 형태로 제공될 수 있다.The volume of the preliminary electrode 160a is reduced by the solidification and / or evaporation of the non-metallic material included in the preliminary electrode 160a during the sintering process so that the volume of the electrode 160 is reduced to the volume of the preliminary electrode 160a . The preliminary electrode 160a and the wafer 100 are bonded to the portion where the preliminary electrode 160a and the wafer 100 are in contact with each other so that the preliminary electrode 160a of the preliminary electrode 160a can be maintained in the bonded state have. As a result, a volume reduction may occur at the portion of the spare electrode 160a located above the interface between the spare electrode 160a and the wafer 100, and the side surface 160s of the electrode 160, as shown in FIG. It can be inclined. In particular, the angle formed between the side surface 160s of the electrode 160 and the wafer 100 may have an angle of 90 degrees or less. Also, at this time, the electrode 160 may include a side 160s where the slope of the tangent to the side of the vertical section changes. Because of the nature of the sintering process, the slope of the tangent line to the side of the vertical section of each of the electrodes 160 increases in the direction from the bottom to the top, and then the slope increases again after passing through the predetermined inflection point.

도 5a의 (c)를 참조하면, 마스크(210)를 제거하여 웨이퍼(100) 상에 서로 이격된 전극(160)들을 형성한다. 따라서, 전극(160)들 사이에는 웨이퍼(100)의 상면이 노출된다.Referring to FIG. 5 (c), the mask 210 is removed to form spaced electrodes 160 on the wafer 100. Therefore, the upper surface of the wafer 100 is exposed between the electrodes 160. [

마스크(210)는 식각 공정 등의 공지된 다양한 방법을 통해 제거될 수 있다. 마스크(210)가 포토레지스트를 포함하는 경우, 포토레지스트가 반응하는 화학 용액 등을 이용하여 마스크(210)를 제거할 수 있다.The mask 210 may be removed through various known methods, such as an etching process. When the mask 210 includes a photoresist, the mask 210 may be removed using a chemical solution or the like to which the photoresist reacts.

본 실시예에서, 전극(160)을 형성하고 마스크(210)를 제거하는 것으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 그 순서는 반대일 수도 있다.In this embodiment, it is described that the electrode 160 is formed and the mask 210 is removed, but the present invention is not limited thereto, and the order may be reversed.

다음, 도 5a의 (d)를 참조하면, 전극(160)들 사이의 이격 영역에 절연부(170)를 형성한다.Next, referring to FIG. 5 (d), an insulating portion 170 is formed in a spaced-apart region between the electrodes 160.

절연부(170)는 전기적 절연성을 갖는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 웨이퍼(100) 상에 전극(160)들을 덮도록 도포한 후, 이를 경화시켜 형성될 수 있다. 절연부(170)는 전극(160)들 사이 영역을 채우도록 형성될 수 있으며, 전극(160)들의 측면은 절연부(170)와 접촉될 수 있다. 이에 따라, 전극(160)들이 서로 절연된다. 또한, 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. The insulating portion 170 may be formed by applying a material such as EMC (Epoxy Molding Compound) or Si resin having electrical insulation to cover the electrodes 160 on the wafer 100 and curing the coated material. The insulating portion 170 may be formed to fill an area between the electrodes 160 and the side surface of the electrodes 160 may contact the insulating portion 170. [ Thus, the electrodes 160 are insulated from each other. Further, the insulating unit 170 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles.

도 5a의 (e)를 참조하면, 전극(160)들 상에 위치하는 패드 전극(180)들을 형성할 수 있고, 다음, 도 5a의 (f)를 참조하면, 웨이퍼(100)를 소자 분할 라인(L)을 따라 분할하여, 도 6a에 도시된 바와 같은 하나의 발광 소자(200a)를 적어도 하나 이상 형성한다.Referring to FIG. 5A, the pad electrodes 180 positioned on the electrodes 160 can be formed. Next, referring to FIG. 5A, (L) to form at least one light emitting device 200a as shown in FIG. 6A.

상기 발광 소자(200a)는 도 3a의 발광 소자(200a)와 실질적으로 동일하며, 이하 상세한 설명은 생략한다.The light emitting device 200a is substantially the same as the light emitting device 200a of FIG. 3A, and a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에서는, 도 1 내지 도 2a의 실시예와 달리 전극(160)이 절연부(170)보다 먼저 형성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 전극(160)을 형성한 후 절연부(170)를 형성하므로, 전극(160)의 형성과정에서 예비 전극(160a)의 부피가 감소하여 형성되는 전극(160)과 절연부(170)의 이격 영역을 채우기 위한 2차 절연부(173)를 별도로 형성할 필요가 없다. 따라서 발광 소자 제조 공정이 간소화될 수 있다.
In this embodiment, the electrode 160 may be formed before the insulating portion 170, unlike the embodiment of FIGS. 1 to 2A. According to the present embodiment, since the insulating portion 170 is formed after the electrode 160 is formed, the electrode 160 formed by reducing the volume of the spare electrode 160a in the process of forming the electrode 160, It is not necessary to separately form the secondary insulating portion 173 for filling the spacing region of the insulating film 170. [ Accordingly, the manufacturing process of the light emitting device can be simplified.

다음, 도 5b 및 도 6b를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명한다. 본 실시예의 발광 소자 제조 방법은, 도 5a 및 도 6a를 참조하여 설명한 실시예와 대체로 유사하나, 예비 전극(260a) 및 전극(260)에 있어서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예에 대해 설명하며, 도 5a 및 도 6a에서 설명한 기술적 특징, 구성 및 한정은 모두 본 실시예에 대해서도 적용될 수 있다. 또한, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Next, a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5B and 6B. FIG. The light emitting device manufacturing method of this embodiment is substantially similar to the embodiment described with reference to Figs. 5A and 6A, but differs in the spare electrode 260a and the electrode 260. Fig. The present embodiment will be described focusing on the differences below, and all the technical features, configurations, and limitations described in FIGS. 5A and 6A are applicable to the present embodiment. A detailed description of the same configuration will be omitted.

도 5b의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 예비 전극(260a)을 형성한다.Referring to FIG. 5B, a spare electrode 260a is formed on the wafer 100. FIG.

예비 전극(260a)은 웨이퍼(100) 상에 개구부(213)에 노출된 웨이퍼(100) 상면을 덮도록 형성할 수 있으며, 특히, 마스크(210)까지 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 예비 전극(260a)은 금속 입자들 및 비금속성 물질을 포함하는 점성체를 웨이퍼(100) 상에 도포하여 형성할 수 있다. 이때, 예비 전극(260a)은 마스크(210)까지 완전히 덮도록, 마스크(210)의 높이보다 큰 두께로 웨이퍼(100) 상에 도포될 수 있다.The spare electrode 260a may be formed on the wafer 100 so as to cover the upper surface of the wafer 100 exposed in the opening 213 and in particular to completely cover the mask 210. [ The spare electrode 260a can be formed by applying a viscous body containing metal particles and a non-metallic material onto the wafer 100. [ At this time, the spare electrode 260a may be coated on the wafer 100 to a thickness larger than the height of the mask 210 so as to completely cover the mask 210. [

이어서, 도 5b의 (b)를 참조하면, 예비 전극(260a)으로부터 전극(260)을 형성한다.Next, referring to FIG. 5B, an electrode 260 is formed from the spare electrode 260a.

전극(260)은 예비 전극(260a)을 소결하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 약 300℃ 이하의 온도로 예비 전극(260a)을 가열하여 전극(260)을 형성할 수 있다. 소결 과정에서 예비 전극(260a)의 금속 입자들은 소결된 형태로 변형될 수 있다. 전극(260)을 소결을 통해 형성하는 과정에서, 예비 전극(260a)의 부피가 감소되어 전극(260)으로 형성될 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 전극(260)은 예비 전극(260a)보다 작은 부피를 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 예비 전극(260a)이 소결되어 부피가 감소된 이후에도, 전극(260)은 마스크(210)를 덮고 있는 상태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 전극(260)의 측면(260s)은 웨이퍼(100)의 상면과 대체로 수직을 이루도록 형성될 수 있다.The electrode 260 may be formed by sintering the spare electrode 260a. For example, the electrode 260 may be formed by heating the spare electrode 260a at a temperature of about 300 ° C or less. In the sintering process, the metal particles of the spare electrode 260a may be deformed into a sintered shape. In the process of forming the electrode 260 through sintering, the volume of the spare electrode 260a may be reduced to form the electrode 260. [ Thus, as shown, the electrode 260 may have a smaller volume than the spare electrode 260a. Also, in this embodiment, the electrode 260 may be formed to cover the mask 210 even after the spare electrode 260a is sintered and reduced in volume. Accordingly, the side surface 260s of the electrode 260 may be formed to be substantially perpendicular to the upper surface of the wafer 100. [

예비 전극(260a)과 전극(260)은 도 5a의 예비 전극(160a) 및 전극(160)과 비교하여, 그 제조 방법에 차이가 있으나, 실질적으로 동일한 물질일 수 있다.The spare electrode 260a and the electrode 260 are different from each other in the manufacturing method as compared with the spare electrode 160a and the electrode 160 of FIG. 5a, but may be substantially the same material.

이어서, 도 5b의 (c) 및 (d)를 참조하면, 전극(260)을 부분적으로 제거하여, 마스크(210)를 노출시킨다.Next, referring to FIGS. 5C and 5D, the electrode 260 is partially removed to expose the mask 210.

전극(260)은 그 상부의 일부가 제거될 수 있고, 예를 들어, 도시된 바와 같이 소정의 가상선(F-F) 상부에 위치하는 전극(260)의 일부를 제거하여 마스크(210)의 상면이 노출되도록 할 수 있다. 전극(260)의 일부를 제거하는 것은, 예를 들어, 래핑 공정을 이용할 수 있다. The electrode 260 may be partially removed therefrom and the upper surface of the mask 210 may be removed, for example, by removing a portion of the electrode 260 located above a given imaginary line FF as shown, To be exposed. Removing a part of the electrode 260 can use, for example, a lapping process.

이에 따라, 절연부(170)들 사이의 영역에 위치하는 복수의 전극들(260)이 형성될 수 있다. 또한, 형성된 전극(260)들 각각은 절연부(170)의 측면에 접하도록 형성되며, 전극(260)의 측면(260s)은 웨이퍼(100)의 상면과 거의 수직을 이루도록 형성될 수 있다.Accordingly, a plurality of electrodes 260 positioned in a region between the insulating portions 170 may be formed. Each of the formed electrodes 260 is formed to be in contact with the side surface of the insulating portion 170 and the side surface 260s of the electrode 260 may be formed to be substantially perpendicular to the upper surface of the wafer 100.

도 5b의 (e)를 참조하면, 전극(260)들 사이의 마스크(210)를 제거하여 웨이퍼(100)의 상면을 부분적으로 노출시킨다. 이에 따라, 서로 이격된 복수의 전극(260)들이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5 (e), the mask 210 between the electrodes 260 is removed to partially expose the upper surface of the wafer 100. Accordingly, a plurality of electrodes 260 spaced from each other can be formed.

마스크(210)는 식각 공정 등의 공지된 다양한 방법을 통해 제거될 수 있다. 마스크(210)가 포토레지스트를 포함하는 경우, 포토레지스트가 반응하는 화학 용액 등을 이용하여 마스크(210)를 제거할 수 있다.The mask 210 may be removed through various known methods, such as an etching process. When the mask 210 includes a photoresist, the mask 210 may be removed using a chemical solution or the like to which the photoresist reacts.

다음, 도 5b의 (f)를 참조하면, 전극(260)들 사이의 이격 영역에 절연부(170)를 형성한다.Next, referring to FIG. 5B (f), an insulating portion 170 is formed in a spacing region between the electrodes 260. FIG.

절연부(170)는 전기적 절연성을 갖는 EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 웨이퍼(100) 상에 전극(260)들을 덮도록 도포한 후, 이를 경화시켜 형성될 수 있다. 절연부(170)는 전극(160)들 사이 영역을 채우도록 형성될 수 있으며, 전극(260)들의 측면(260s)은 절연부(170)와 접촉될 수 있다. 이에 따라, 전극(160)들이 서로 절연된다. 또한, 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. The insulating portion 170 may be formed by applying a material such as an EMC (Epoxy Molding Compound) or an Si resin having electrical insulation on the wafer 100 so as to cover the electrodes 260, and then curing the electrode 260. The insulating portion 170 may be formed to fill an area between the electrodes 160 and the side surface 260s of the electrodes 260 may contact the insulating portion 170. Thus, the electrodes 160 are insulated from each other. Further, the insulating unit 170 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles.

도 5b의 (g)를 참조하면, 전극(260)들 상에 위치하는 패드 전극(180)들을 형성할 수 있고, 다음, 도 5a의 (h)를 참조하면, 웨이퍼(100)를 소자 분할 라인(L)을 따라 분할하여, 도 6b에 도시된 바와 같은 하나의 발광 소자(200b)를 적어도 하나 이상 형성한다.Referring to FIG. 5B, the pad electrodes 180 may be formed on the electrodes 260. Next, referring to FIG. 5A, (L) to form at least one light emitting device 200b as shown in FIG. 6B.

상기 발광 소자(200b)는 도 3b의 발광 소자(200b)와 실질적으로 동일하며, 이하 상세한 설명은 생략한다.The light emitting device 200b is substantially the same as the light emitting device 200b of FIG. 3B, and a detailed description thereof will be omitted.

도 4 내지 도 6b의 실시예에 따르면, 절연부(170)를 형성하기 전에 전극(160 또는 260)을 형성한다. 이에 따라, 마스크(210)의 마스킹 영역의 폭에 따라 전극(160 또는 260)들 간의 간격을 조절할 수 있다. According to the embodiment of Figs. 4 to 6B, the electrode 160 or 260 is formed before the insulating portion 170 is formed. Accordingly, the gap between the electrodes 160 and 260 can be adjusted according to the width of the masking region of the mask 210. [

구체적으로, 본 실시예에 따르면 마스크(210)의 마스킹 영역의 폭에 따라 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 절연부(170)의 폭을 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 형성된 절연부(170)의 폭을 충분히 크게 할 수 있어, 개별 소자 분할 과정에서 레이저나 다이싱 도구 등에 의한 전극(160)의 손상을 방지할 수 있다.Specifically, according to the present embodiment, the width of the insulating portion 170 formed over the adjacent device regions DR can be freely determined according to the width of the masking region of the mask 210. Therefore, it is possible to sufficiently increase the width of the insulating portion 170 formed over the adjacent device regions DR, and to prevent the electrode 160 from being damaged by the laser or the dicing tool during the individual element dividing process.

즉, 마스크(210)의 형성 과정에서 전극(160)들 사이에 형성되는 절연부(170)들의 폭을 자유롭게 결정함으로써, 하나의 소자 영역(DR) 상에 위치하는 전극(160) 사이의 폭(D1'에 대응)은 상대적으로 작게 형성할 수 있고, 인접하는 소자 영역(DR)들에 걸쳐 위치하는 전극(160) 사이의 폭(D2'에 대응)은 상대적으로 크게 형성할 수 있다. 이에 따라, 제조된 발광 소자의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있고, 순방향 전압이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 개별 소자 분할 과정에서 발광 소자가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
That is, by freely determining the widths of the insulating portions 170 formed between the electrodes 160 in the process of forming the mask 210, the widths ( D1 ') may be formed relatively small, and the width (corresponding to D2') between the electrodes 160 located over the adjacent device regions DR may be relatively large. Accordingly, heat emission efficiency of the manufactured light emitting device can be improved, the forward voltage can be prevented from increasing, and damage to the light emitting device in the individual device dividing process can be effectively prevented.

도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.7 and 8 are cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8은 일반적인 플립칩형 구조를 갖는 발광 소자에 관한 것으로, 이하 상세하게 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 6b를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도 1 내지 도 6b의 실시예들에서, 부가적으로 설명한 기술적 특징, 구성 및 한정은 본 실시예에도 모두 적용될 수 있다.Figs. 7 and 8 relate to a light emitting device having a general flip chip type structure, which will be described in detail below. However, the same reference numerals are assigned to the same components as those described with reference to Figs. 1 to 6B, and a detailed description thereof will be omitted. Further, in the embodiments of Figs. 1 to 6B, the technical features, constructions, and limitations described additionally can be applied to all of the embodiments.

먼저, 도 7을 참조하면, 발광 소자(200c)는 발광 구조체(120), 전극(160), 및 컨택 전극들(130, 140), 및 절연부(170)를 포함하고, 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(181, 183), 절연층(150) 및 파장변환부(190)를 더 포함할 수 있다.7, the light emitting device 200c includes a light emitting structure 120, an electrode 160, and contact electrodes 130 and 140, and an insulating portion 170, Second pad electrodes 181 and 183, an insulating layer 150, and a wavelength conversion unit 190. The first and second pad electrodes 181 and 183 may be formed of the same material.

발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 제1 도전형 반도체층(121) 상에 위치하는 활성층(123), 및 활성층(123) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(125)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 n형 불순물 (예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 불순물 (예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(123)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다.The light emitting structure 120 includes a first conductivity type semiconductor layer 121, an active layer 123 located on the first conductivity type semiconductor layer 121, and a second conductivity type semiconductor layer 125). The first conductivity type semiconductor layer 121, the active layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 may include a III-V compound semiconductor, for example, (Al, Ga, In) N, And may include the same nitride-based semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 121 may include an n-type impurity (for example, Si) and the second conductivity type semiconductor layer 125 may include a p-type impurity (for example, Mg) have. It may also be the opposite. The active layer 123 may comprise a multiple quantum well structure (MQW).

또한, 발광 구조체(120)는 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다.The light emitting structure 120 may include a region where the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer 121 is partially exposed.

컨택 전극들(130, 140)은 제1 컨택 전극(130) 및 제2 컨택 전극(140)을 포함할 수 있다. 제1 컨택 전극(130)과 제2 컨택 전극(140)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 125) 상에 위치하여 접촉할 수 있고, 또한 각각에 오믹 컨택할 수 있다.The contact electrodes 130 and 140 may include a first contact electrode 130 and a second contact electrode 140. The first contact electrode 130 and the second contact electrode 140 may be positioned on the first and second conductive semiconductor layers 121 and 125 and may be in ohmic contact with the first and second conductive semiconductor layers 121 and 125, respectively.

제1 컨택 전극(130) 및 제2 컨택 전극(140)은 질화물계 반도체와 오믹 컨택을 형성할 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 금속 또는 도전성 산화물, 도전성 질화물 등을 포함할 수 있다.The first contact electrode 130 and the second contact electrode 140 are not limited as long as they can form an ohmic contact with the nitride-based semiconductor, and may include, for example, a metal, a conductive oxide, a conductive nitride, .

절연층(150)은 발광 구조체(120) 및 컨택 전극(130, 140)들을 부분적으로 덮을 수 있다. 절연층(150)은 발광 구조체(120)의 상면, 제2 도전형 반도체층(125)과 활성층(123)을 포함하는 메사의 측면, 및 컨택 전극(130, 140)들의 일부를 덮을 수 있다. 절연층(150)은 더욱 효과적으로 제1 컨택 전극(130)과 제2 컨택 전극(140)을 절연시키는 역할을 할 수 있으며, 또한 발광 구조체(120)를 외부 환경으로부터 보호하는 역할도 할 수 있다.The insulating layer 150 may partially cover the light emitting structure 120 and the contact electrodes 130 and 140. The insulating layer 150 may cover the upper surface of the light emitting structure 120, the side surfaces of the mesa including the second conductive type semiconductor layer 125 and the active layer 123, and a part of the contact electrodes 130 and 140. The insulating layer 150 may more effectively insulate the first contact electrode 130 and the second contact electrode 140 from each other and also protect the light emitting structure 120 from the external environment.

전극(160)은 발광 구조체(120) 상에 위치할 수 있고, 또한, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 각각 제1 컨택 전극(130) 및 제2 컨택 전극(140) 상에 위치하여, 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(161, 163)은 각각 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(125)과 전기적으로 연결될 수 있다.The electrode 160 may be positioned on the light emitting structure 120 and may also include a first electrode 161 and a second electrode 163. At this time, the first electrode 161 and the second electrode 163 are positioned on the first contact electrode 130 and the second contact electrode 140, respectively, and can be electrically connected to each other. Accordingly, the first and second electrodes 161 and 163 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 121 and the second conductivity type semiconductor layer 125, respectively.

또한, 제1 및 제2 전극(161, 163)은 컨택 전극들(130, 140)에 직접적으로 접촉될 수 있다.Also, the first and second electrodes 161 and 163 may be in direct contact with the contact electrodes 130 and 140.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각은 경사진 측면을 포함할 수 있다. 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 각각의 경사진 측면은 상기 접선의 기울기가 증가하는 영역과 상기 접선의 기울기가 감소하는 영역을 포함할 수 있다.Each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may include an inclined side surface. Each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may include a sloped side where the slope of the tangent line to the side of the vertical section changes. Further, the inclined side surfaces of each of the first electrode 161 and the second electrode 163 may include a region where the inclination of the tangent line increases and a region where the inclination of the tangent line is decreased.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 그 수직 단면의 측면에 대한 접선의 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함하여, 제1 및 제2 전극(161, 163)과 절연부(170)의 계면에서의 기계적 안정성이 향상될 수 있다.The first and second electrodes 161 and 163 and the insulating portion 170 (including the first electrode 161 and the second electrode 163) include inclined side surfaces in which the inclination of the tangent line to the side surface of the vertical cross- ) Can be improved.

이와 달리, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 각각의 측면은, 발광 구조체(120)의 상면과 대체로 수직을 이루도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)에 의한 열 방출 효율이 향상될 수 있다.Alternatively, the side surfaces of the first electrode 161 and the second electrode 163 may be formed to be substantially perpendicular to the upper surface of the light emitting structure 120. In this case, the efficiency of heat emission by the first electrode 161 and the second electrode 163 can be improved.

한편, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)의 최단 거리에 있는 간격은 약 100㎛이하일 수 있고, 나아가, 약 10 내지 80㎛일 수 있다. 구체적으로 본 실시예에서, 제1 전극(161)이 절연부(150)와 접하는 부분으로부터 제2 전극(163)이 절연부(150)와 접하는 부분까지의 최단 거지를 약 10 내지 80㎛일 수 있다. 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 사이의 간격 중 최단 거리가 상술한 범위로 제공됨으로써, 순방향 전압(Vf)이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 전극들(161, 163)의 수평 단면적을 크게 할 수 있어서 발광 소자(200c)의 열 방출 효율이 향상될 수 있다.On the other hand, the distance between the first electrode 161 and the second electrode 163 at the shortest distance may be about 100 탆 or less, and further, about 10 to 80 탆. Specifically, in this embodiment, the shortest edge from the portion where the first electrode 161 contacts the insulating portion 150 to the portion where the second electrode 163 contacts the insulating portion 150 may be about 10 to 80 μm have. The shortest distance among the distances between the first electrode 161 and the second electrode 163 is provided in the range described above to prevent the forward voltage Vf from increasing, The horizontal cross-sectional area of the light emitting device 200c can be increased, and the heat emission efficiency of the light emitting device 200c can be improved.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 금속 입자들 및 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각은 상기 금속 입자들을 포함할 수 있다. 금속 입자들은 제1 및 제2 전극(161, 163) 각각의 질량 대비 80 내지 98wt%의 비율로 포함될 수 있다. 금속 입자들은 열전도성 및 전기적 도전성을 갖는 물질이면 한정되지 않으며, 예를 들어, Cu, Au, Ag, Pt 등을 포함할 수 있다. 비금속성 물질은 전극(160)을 형성하기 위한 소결 대상이 되는 물질로부터 유래된 것일 수 있고, 예를 들어, C를 포함하는 폴리머 물질일 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163 may include metal particles and non-metallic materials interposed between the metal particles. In addition, each of the first and second electrodes 161 and 163 may include the metal particles. The metal particles may be contained in a proportion of 80 to 98 wt% of the mass of the first and second electrodes 161 and 163, respectively. The metal particles are not limited as long as they are thermally conductive and electrically conductive, and may include, for example, Cu, Au, Ag, Pt, and the like. The non-metallic material may be derived from the material to be sintered to form the electrode 160, and may be, for example, a polymeric material comprising C, for example.

또한, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)은 약 50 내지 80㎛의 두께를 가질 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 소자가 상술한 범위의 두께를 갖는 전극(160)을 포함하여, 상기 발광 소자는 그 자체로 칩 스케일 패키지로 이용될 수 있다. In addition, the first electrode 161 and the second electrode 163 may have a thickness of about 50 to 80 탆. The light emitting device according to the present embodiment includes the electrode 160 having a thickness in the above-described range, and the light emitting device can be used as a chip scale package by itself.

절연부(170)는 발광 구조체(120) 상에 전극(160)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 절연부(170)의 상면에는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)이 노출될 수 있다.The insulating portion 170 may be formed to cover the side surface of the electrode 160 on the light emitting structure 120. The first electrode 161 and the second electrode 163 may be exposed on the upper surface of the insulating portion 170.

절연부(170)는 전기적으로 절연성을 가지며, 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 측면을 덮어, 효과적으로 이들을 서로 절연시킨다. 동시에, 절연부(170)는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 절연부(170)의 하면은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)의 하면들과 대체로 동일한 높이로 나란하게 형성될 수 있다. The insulating portion 170 is electrically insulative and covers the sides of the first electrode 161 and the second electrode 163, effectively insulating them from each other. At the same time, the insulating portion 170 may serve to support the first electrode 161 and the second electrode 163. The lower surface of the insulating portion 170 may be formed to be substantially flush with the lower surfaces of the first electrode 161 and the second electrode 163.

절연부(170)는 절연성 폴리머 및/또는 절연성 세라믹을 포함할 수 있고, 예를 들어, EMC(Epoxy Molding Compound), Si 수지와 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연부(170)는 TiO2입자와 같은 광 반사성 및 광 산란 입자를 포함할 수도 있다. The insulating portion 170 may include an insulating polymer and / or an insulating ceramic, and may include materials such as EMC (Epoxy Molding Compound), Si resin, and the like. Further, the insulating unit 170 may include a light-reflective and light-scattering particles, such as TiO 2 particles.

제1 패드 전극(181) 및 제2 패드 전극(183)은 절연부(170)의 일면 상에 위치할 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(181) 및 제2 패드 전극(183)은 절연부(170)의 일 면들 중 제1 및 제2 전극(161, 163)이 노출된 절연부(170)의 하면 상에 위치할 수 있다. 제1 전극 패드(181) 및 제2 전극 패드(183)는 금속과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극 패드(181, 183) 각각은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first pad electrode 181 and the second pad electrode 183 may be located on one side of the insulating portion 170. The first pad electrode 181 and the second pad electrode 183 are electrically connected to each other through the insulating portion 170 in which the first and second electrodes 161 and 163 of one side of the insulating portion 170 are exposed As shown in FIG. The first electrode pad 181 and the second electrode pad 183 may include a conductive material such as a metal and may be formed of a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, , Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb, and the like. In addition, each of the first and second electrode pads 181 and 183 may be a single layer or a multilayer.

파장변환부(190)는 발광 구조체(120)의 하면 상에 위치할 수 있다.The wavelength converting unit 190 may be positioned on the bottom surface of the light emitting structure 120.

파장변환부(190)는 발광 구조체(120)에서 방출된 광의 파장을 변환시켜, 발광 소자가 원하는 파장대의 광을 방출할 수 있도록 한다. 파장변환부(190)는 형광체 및 상기 형광체가 담지되는 담지체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 담지체 역시 통상의 기술자에게 널리 알려진 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지, 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 또한, 파장변환부(190)는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The wavelength converting unit 190 converts the wavelength of the light emitted from the light emitting structure 120 so that the light emitting device can emit light of a desired wavelength band. The wavelength converter 190 may include a phosphor and a support on which the phosphor is supported. The phosphor may include various phosphors commonly known to those of ordinary skill in the art, and may include at least one of a garnet fluorescent material, an aluminate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, a nitride fluorescent material, a fluoride fluorescent material, and a silicate fluorescent material. The carrier may also be a material well known to a person skilled in the art, for example, an epoxy resin, a polymer resin such as an acrylic resin, or a silicone resin. In addition, the wavelength converter 190 may be a single layer or a multi-layer.

상기 발광 소자(200c)는 성장 기판(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 이때, 성장 기판은 발광 구조체(120)와 파장변환부(190) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 절연부(170)는 발광 구조체(120)의 측면까지 더 덮도록 형성될 수도 있으며, 이 경우, 파장변환부(190)와 절연부(170)가 접촉될 수도 있다. The light emitting device 200c may further include a growth substrate (not shown), wherein the growth substrate may be interposed between the light emitting structure 120 and the wavelength conversion unit 190. FIG. The insulating portion 170 may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 120. In this case, the wavelength converting portion 190 and the insulating portion 170 may be in contact with each other.

한편, 발광 구조체(120)의 하면, 즉 제1 도전형 반도체층(121)의 하면은 성장 기판으로부터 분리된 후, 그 거칠기가 증가되어 러프니스를 포함할 수 있다. 이에 따라, 도 8에 도시된 바와 같은 발광 소자(200d)가 제공될 수 있다. 도 8에는 파장변환부(190)는 생략되어 도시되어 있으나, 상기 발광 소자(200d)는 파장변환부(190)를 더 포함할 수도 있다.On the other hand, the lower surface of the light emitting structure 120, that is, the lower surface of the first conductivity type semiconductor layer 121, may be separated from the growth substrate, and then the roughness thereof may be increased to include roughness. Accordingly, the light emitting device 200d as shown in Fig. 8 can be provided. Although the wavelength converter 190 is omitted in FIG. 8, the light emitting device 200d may further include a wavelength converter 190. FIG.

상기 러프니스는 제1 도전형 반도체층(121)의 표면을 건식 식각, 습식 식각 및/또는 전기 화학 식각하여 형성할 수 있다. 예를 들어, KOH 및 NaOH 중 적어도 하나를 포함하는 용액을 이용하여 발광 구조체(120)의 일면을 습식 식각함으로써 러프니스가 형성될 수 있으며, 또는 PEC 식각을 이용할 수도 있다. 또한, 건식 식각과 습식 식각을 조합하여 러프니스를 형성할 수도 있다. 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(121)의 표면에 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함하는 러프니스가 형성될 수 있다. 상술한 러프니스를 형성하는 방법들은 예시들에 해당하며, 통상의 기술자에게 공지된 다양한 방법을 이용하여 발광 구조체(120) 표면에 러프니스를 형성할 수 있다. 발광 구조체(120)의 표면에 러프니스를 형성함으로써, 발광 소자의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
The roughness may be formed by dry etching, wet etching, and / or electrochemical etching on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 121. For example, a roughness may be formed by wet etching one side of the light emitting structure 120 using a solution containing at least one of KOH and NaOH, or a PEC etching may be used. In addition, a roughness may be formed by combining dry etching and wet etching. As a result, a roughness including protrusions and / or depressions in the range of 탆 to nm scale can be formed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 121. The above-described methods of forming the roughness correspond to examples, and various methods known to those skilled in the art can be used to form the roughness on the surface of the light emitting structure 120. By forming the roughness on the surface of the light emitting structure 120, the extraction efficiency of the light emitting element can be improved.

도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.FIGS. 9 and 10 are plan views and cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 9 및 도 10은 발광 소자의 구조에 관한 것으로, 이하 상세하게 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 6b를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도 1 내지 도 6b의 실시예들에서, 부가적으로 설명한 기술적 특징, 구성 및 한정은 본 실시예에도 모두 적용될 수 있다.9 and 10 relate to the structure of the light emitting device, which will be described in detail below. However, the same reference numerals are assigned to the same components as those described with reference to Figs. 1 to 6B, and a detailed description thereof will be omitted. Further, in the embodiments of Figs. 1 to 6B, the technical features, constructions, and limitations described additionally can be applied to all of the embodiments.

도 9의 (a)는 발광 소자(200e)의 평면도이고, (b)는 홀(120h)의 위치 및 제3 개구부(153a)와 제4 개구부(153b)의 위치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 10은 도 9의 (a)와 (b)의 A-A선에 대응하는 영역의 단면을 도시하는 단면도이다.9A is a plan view of the light emitting device 200e, FIG. 9B is a plan view for explaining the positions of the holes 120h and the positions of the third and fourth openings 153a and 153b, 10 is a cross-sectional view showing a cross section of a region corresponding to line AA in Figs. 9 (a) and 9 (b).

도 9 및 도 10을 참조하면, 발광 소자(200e)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 발광 구조체(120), 제1 컨택 전극(130), 제2 컨택 전극(140), 제1 절연층(151), 제2 절연층(153), 제1 전극(161) 및 제2 전극(163)을 포함할 수 있다. 나아가, 발광 소자(200e)는 절연부(170), 제1 및 제2 패드 전극(181, 183), 성장 기판(미도시) 및 파장변환부(미도시)를 더 포함할 수 있다.9 and 10, the light emitting device 200e includes a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 121, an active layer 123, and a second conductive semiconductor layer 125, And may include a contact electrode 130, a second contact electrode 140, a first insulating layer 151, a second insulating layer 153, a first electrode 161 and a second electrode 163. Furthermore, the light emitting device 200e may further include an insulating portion 170, first and second pad electrodes 181 and 183, a growth substrate (not shown), and a wavelength conversion portion (not shown).

발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 제1 도전형 반도체층(121) 상에 위치하는 활성층(123), 및 활성층(123) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(125)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 구조체(120)는 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)이 부분적으로 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 발광 구조체(120)는 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(121)을 노출시키는 적어도 하나의 홀(120h)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 홀(120h)의 배치 형태 및 개수는 다양하게 변형될 수 있다.The light emitting structure 120 includes a first conductivity type semiconductor layer 121, an active layer 123 located on the first conductivity type semiconductor layer 121, and a second conductivity type semiconductor layer 125). The light emitting structure 120 may include a region where the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 are partially removed and the first conductivity type semiconductor layer 121 is partially exposed. The light emitting structure 120 may include at least one hole 120h through which the first conductivity type semiconductor layer 121 is exposed through the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123. For example, ). However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement and the number of the holes 120h may be variously modified.

또한, 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 형태는 홀(120h) 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(121) 노출되는 영역은 라인 형태, 홀 및 라인이 복합된 형태 등으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)이 노출되는 영역이 복수의 라인 형태로 형성되는 경우, 발광 구조체(120)는 상기 라인을 따라 형성되며, 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 하나 이상의 메사를 포함할 수도 있다.In addition, the exposed form of the first conductivity type semiconductor layer 121 is not limited to the hole 120h. For example, the exposed region of the first conductive semiconductor layer 121 may be formed in a line shape, a combination of holes and lines, or the like. The light emitting structure 120 is formed along the line and the active layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 are formed in a plurality of lines, As shown in FIG.

발광 구조체(120)는 그 하면에 형성된 러프니스(120R)를 더 포함할 수 있다. 러프니스(120R)는 제1 도전형 반도체층(121)의 표면에 형성된 ㎛ 내지 nm 스케일의 돌출부 및/또는 오목부를 포함할 수 있다. 발광 구조체(120)의 표면에 러프니스를 형성함으로써, 발광 소자의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting structure 120 may further include a roughness 120R formed on the bottom surface thereof. The roughness 120R may include protrusions and / or depressions of a mu m to nm scale formed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 121. [ By forming the roughness on the surface of the light emitting structure 120, the extraction efficiency of the light emitting element can be improved.

제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125) 상에 위치한다. 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 적어도 부분적으로 덮고, 오믹 컨택될 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)의 상면을 전반적으로 덮도록 배치될 수 있으며, 단일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(120)의 전체에 대해 전류를 균일하게 공급하여, 전류 분산 효율이 향상될 수 있다.The second contact electrode 140 is located on the second conductive type semiconductor layer 125. The second contact electrode 140 may at least partly cover the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 125 and may be ohmic-contacted. In addition, the second contact electrode 140 may be disposed to cover the entire upper surface of the second conductive type semiconductor layer 125, and may be formed as a single body. Accordingly, current can be uniformly supplied to the entire light emitting structure 120, and the current dispersion efficiency can be improved.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 컨택 전극(140)이 일체로 형성되지 않고, 복수의 단위 반사 전극층들이 제2 도전형 반도체층(125)의 상면 상에 배치될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the second contact electrodes 140 may not be integrally formed, and a plurality of unit reflection electrode layers may be disposed on the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 125.

제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)에 오믹 컨택할 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질 및/또는 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The second contact electrode 140 may include a material that can be in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 125 and may include, for example, a metal material and / or a conductive oxide.

제2 컨택 전극(140)이 금속 물질을 포함하는 경우, 제2 컨택 전극(140)은 반사층 및 상기 반사층을 덮는 커버층을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 컨택 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(125)과 오믹 컨택되는 것과 더불어, 광을 반사시키는 기능을 할 수 있다. 따라서, 상기 반사층은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(125)과 오믹 접촉을 형성할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.When the second contact electrode 140 includes a metal material, the second contact electrode 140 may include a reflective layer and a cover layer covering the reflective layer. As described above, the second contact electrode 140 can perform the function of reflecting light in addition to ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 125. Accordingly, the reflective layer may include a metal having high reflectivity and capable of forming an ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 125. For example, the reflective layer may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag and Au. Also, the reflective layer may comprise a single layer or multiple layers.

상기 커버층은 상기 반사층과 다른 물질 간의 상호 확산을 방지할 수 있고, 외부의 다른 물질이 상기 반사층에 확산하여 상기 반사층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 커버층은 상기 반사층의 하면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 커버층은 상기 반사층과 함께 제2 도전형 반도체층(125)과 전기적으로 연결될 수 있어서, 상기 반사층과 함께 일종의 전극 역할을 할 수 있다. 상기 커버층은, 예를 들어, Au, Ni, Ti, Cr 등을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층을 포함할 수도 있다. The cover layer may prevent mutual diffusion between the reflective layer and other materials, and may prevent external substances from diffusing to the reflective layer and damaging the reflective layer. Accordingly, the cover layer may be formed to cover the bottom surface and the side surface of the reflective layer. The cover layer may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 125 together with the reflective layer so as to serve as an electrode together with the reflective layer. The cover layer may comprise, for example, Au, Ni, Ti, Cr, etc., and may comprise a single layer or multiple layers.

한편, 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 상기 도전성 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO 등일 수 있다. On the other hand, when the second contact electrode 140 includes a conductive oxide, the conductive oxide may be ITO, ZnO, AZO, IZO, or the like.

제1 절연층(151)은 발광 구조체(120)의 상면 및 제2 컨택 전극(140)을 부분적으로 덮을 수 있다. 또한, 제1 절연층(151)은 복수의 홀(120h)들의 측면을 덮되, 홀(120h)의 상면을 노출시켜 제1 도전형 반도체층(121)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 나아가, 제1 절연층(151)은 발광 구조체(120)의 적어도 일부의 측면을 더 덮을 수 있다.The first insulating layer 151 may partly cover the upper surface of the light emitting structure 120 and the second contact electrode 140. The first insulating layer 151 covers the side surfaces of the plurality of holes 120h and exposes the top surface of the hole 120h to partially expose the first conductivity type semiconductor layer 121. [ Further, the first insulating layer 151 may further cover at least a part of the side surface of the light emitting structure 120.

한편, 제1 절연층(151)이 발광 구조체(120)의 측면을 덮는 정도는, 발광 소자의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있다.Meanwhile, the extent to which the first insulating layer 151 covers the side surface of the light emitting structure 120 may vary depending on the chip unit isolation in the manufacturing process of the light emitting device.

제1 절연층(151)은 복수의 홀(120h)들에 대응하는 부분에 위치하는 제1 개구부와 제2 컨택 전극(140)의 일부를 노출시키는 제2 개구부를 포함할 수 있다. 제1 개구부 및 홀(120h)들을 통해 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출될 수 있고, 제2 개구부를 통해 제2 컨택 전극(140)이 부분적으로 노출될 수 있다.The first insulating layer 151 may include a first opening portion located at a portion corresponding to the plurality of holes 120h and a second opening portion exposing a portion of the second contact electrode 140. [ The first conductive semiconductor layer 121 may be partially exposed through the first opening and the holes 120h and the second contact electrode 140 may be partially exposed through the second opening.

제1 절연층(151)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 절연층(151)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다. 특히, 제2 컨택 전극(140)이 도전성 산화물을 포함하는 경우, 제1 절연층(151)이 분포 브래그 반사기를 포함하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The first insulating layer 151 may include an insulating material, for example, SiO 2 , SiN x , MgF 2, or the like. Further, the first insulating layer 151 may include multiple layers, and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked. In particular, when the second contact electrode 140 includes a conductive oxide, the first insulating layer 151 may include a distributed Bragg reflector to improve luminous efficiency.

제1 컨택 전극(130)은 발광 구조체(120)를 부분적으로 덮을 수 있으며, 복수의 홀(120h) 및 제1 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택할 수 있다. 이때, 제1 컨택 전극(130)은 상기 홀(120h)을 채울 수 있다. 제1 컨택 전극(130)은 제1 절연층(151) 하면의 일부 영역을 제외한 다른 부분을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(130)은 발광 구조체(120)의 측면까지 덮도록 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(130)이 발광 구조체(120)의 측면에도 형성되는 경우, 활성층(123)으로부터 측면으로 방출되는 광을 상부로 반사시켜 발광 소자(200e)의 상면으로 방출되는 광의 비율을 증가시킬 수 있다. 한편, 제1 컨택 전극(130)은 제1 절연층(151)의 제2 개구부에 대응하는 영역에는 형성되지 않고, 제2 컨택 전극(140)과 이격되어 절연된다.The first contact electrode 130 may partly cover the light emitting structure 120 and may make ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 121 through the plurality of holes 120h and the first openings. At this time, the first contact electrode 130 may fill the hole 120h. The first contact electrode 130 may be formed to cover the entirety of the lower surface of the first insulating layer 151 except the partial region. In addition, the first contact electrode 130 may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 120. When the first contact electrode 130 is also formed on the side surface of the light emitting structure 120, the light emitted to the side from the active layer 123 is reflected upward to increase the ratio of light emitted to the upper surface of the light emitting device 200e . The first contact electrode 130 is not formed in a region corresponding to the second opening of the first insulating layer 151 but is isolated from the second contact electrode 140 and isolated.

제1 컨택 전극(130)이 일부 영역을 제외하고 발광 구조체(120)의 상면을 전반적으로 덮도록 형성됨으로써, 전류 분산 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 제2 컨택 전극(140)에 의해 덮이지 않는 부분을 제1 컨택 전극(130)이 커버할 수 있으므로, 광을 더욱 효과적으로 반사시켜 발광 소자(200e)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The first contact electrode 130 is formed so as to cover the entire upper surface of the light emitting structure 120 except for a part of the region, thereby further improving the current dispersion efficiency. In addition, since the first contact electrode 130 can cover a portion not covered by the second contact electrode 140, the light can be more effectively reflected and the light emitting efficiency of the light emitting device 200e can be improved.

제1 컨택 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택함과 아울러, 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제1 컨택 전극(130)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있고, Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있다. 상기 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The first contact electrode 130 may serve to reflect the light as well as the ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 121. Accordingly, the first contact electrode 130 may be a single layer or a multilayer, and may include a highly reflective metal layer such as an Al layer. The highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr or Ni. However, the present invention is not limited thereto.

제1 컨택 전극(130)은 홀(120h)들을 통해서 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택되므로, 제1 도전형 반도체층(121)과 연결된 전극 등을 형성하기 위하여 활성층(123)이 제거되는 영역이 복수의 홀(120h)들에 대응하는 영역과 동일하다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(121)과 금속층의 오믹 컨택을 위한 영역이 최소화될 수 있고, 전체 발광 구조체의 수평 면적에 대한 발광 영역의 면적 비율이 상대적으로 큰 발광 다이오드가 제공될 수 있다.The first contact electrode 130 is in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 121 through the holes 120h so that the active layer 123 is formed to form an electrode connected to the first conductive semiconductor layer 121. [ The area to be removed is the same as the area corresponding to the plurality of holes 120h. Therefore, the region for the ohmic contact between the first conductive type semiconductor layer 121 and the metal layer can be minimized, and the light emitting diode having a relatively large area ratio of the light emitting region to the horizontal area of the entire light emitting structure can be provided.

발광 소자(200e)는 제2 절연층(153)을 더 포함할 수 있고, 제2 절연층(153)은 제1 컨택 전극(130)을 덮을 수 있다. 제2 절연층(153)은 제1 컨택 전극(130)을 부분적으로 노출시키는 제3 개구부(153a), 및 제2 컨택 전극(140)을 부분적으로 노출시키는 제4 개구부(153b)를 포함할 수 있다. 이때, 제4 개구부(153b)는 제2 개구부(151b)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다.The light emitting device 200e may further include a second insulating layer 153 and the second insulating layer 153 may cover the first contact electrode 130. [ The second insulating layer 153 may include a third opening 153a partially exposing the first contact electrode 130 and a fourth opening 153b partially exposing the second contact electrode 140 have. At this time, the fourth opening 153b may be formed at a position corresponding to the second opening 151b.

제3 및 제4 개구부(153a, 153b) 각각은 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 제3 개구부(153a)가 발광 소자(200e)의 일 측 모서리에 인접하여 위치하는 경우, 제4 개구부(153b)는 타 측 모서리에 인접하도록 위치할 수 있다.One or more of the third and fourth openings 153a and 153b may be formed. 3 (b), when the third opening 153a is located adjacent to one side edge of the light emitting element 200e, the fourth opening 153b is adjacent to the other side edge Can be located.

제2 절연층(153)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiNx, MgF2을 포함할 수 있다. 나아가, 제2 절연층(153)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기를 포함할 수도 있다.The second insulating layer 153 may include an insulating material, and may include, for example, SiO 2 , SiN x , and MgF 2 . Further, the second insulating layer 153 may include multiple layers and may include a distributed Bragg reflector in which materials having different refractive indices are alternately stacked.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163S)은 제2 절연층(153) 상에 위치할 수 있다. 또한, 제1 전극(161)은 제3 개구부(153a) 상에 위치하여 제1 컨택 전극(130)과 접촉될 수 있고, 제2 전극(163)은 제4 개구부(153b) 상에 위치하여 제2 컨택 전극(140)과 접촉될 수 있다.The first electrode 161 and the second electrode 163S may be located on the second insulating layer 153. [ The first electrode 161 may be positioned on the third opening 153a to be in contact with the first contact electrode 130 and the second electrode 163 may be positioned on the fourth opening 153b, 2 contact electrode 140, as shown in FIG.

이와 같이, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 각각은 제1 및 제2 컨택 전극(130, 140)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 따라서, 제1 전극(161)과 제2 전극(163)을 형성하기 전에, 추가적인 시드층 또는 웨팅층을 형성하는 것이 생략될 수 있으므로, 발광 소자의 제조 공정이 단순화될 수 있다. In this manner, the first electrode 161 and the second electrode 163 may be in direct contact with the first and second contact electrodes 130 and 140, respectively. Therefore, before forming the first electrode 161 and the second electrode 163, it is possible to omit forming an additional seed layer or a wetting layer, so that the manufacturing process of the light emitting device can be simplified.

제1 전극(161)과 제2 전극(163) 간의 간격(160D1)의 최단 거리의 절반 값은 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(160D2)보다 작을 수 있고, 나아가, 제1 전극(161)과 제2 전극(163) 간의 간격(160D1)의 최단 거리는 제1 전극(161) 및 제2 전극(163) 중 하나의 일 측면으로부터 절연부(170)의 외곽 측면까지의 최단 거리(160D2)보다 작을 수 있다. 즉, 전극(160)들은 상대적으로 발광 소자(200a)의 중심부에 쏠려 형성될 수 있다. 본 실시예의 발광 소자(200e)에 있어서, 발광 구조체(120)의 측면 상에는 절연층(151, 153) 또는 컨택 전극들(130, 140) 등이 위치할 수 있어, 활성층(123)은 주로 발광 구조체(120)의 중심부에 쏠려 위치할 수 있다. 전극(160)이 상대적으로 발광 소자(200e)의 중심부에 쏠려 있어 발광 소자(200e)가 구동될 때 활성층(123)으로부터 발생하는 열을 전극(160)을 통해 더욱 효과적으로 방출시킬 수 있다.The half value of the shortest distance of the interval 160D1 between the first electrode 161 and the second electrode 163 is set to be a distance from one side of the first electrode 161 and the second electrode 163 The shortest distance of the interval 160D1 between the first electrode 161 and the second electrode 163 may be smaller than the shortest distance 160D2 between the first electrode 161 and the second electrode 163, May be smaller than the shortest distance 160D2 from one side of one side of the insulating portion 170 to the outer side of the insulating portion 170. [ That is, the electrodes 160 may be relatively formed on the center of the light emitting device 200a. In the light emitting device 200e of this embodiment, the insulating layers 151 and 153 or the contact electrodes 130 and 140 may be positioned on the side surface of the light emitting structure 120, As shown in FIG. The electrode 160 is relatively positioned at the central portion of the light emitting device 200e so that the heat generated from the active layer 123 can be more effectively emitted through the electrode 160 when the light emitting device 200e is driven.

제1 전극(161) 및 제2 전극(163)과 관련된 설명은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 대체로 유사하므로, 상세한 설명은 생략한다. 특히, 제1 및 제2 전극(161, 163)의 간격(160D1)의 최단 거리는 10 내지 80㎛ 범위 내로 제공될 수 있다.The description related to the first electrode 161 and the second electrode 163 is substantially similar to that described with reference to FIGS. 1 to 8, and thus a detailed description thereof will be omitted. In particular, the shortest distance of the interval 160D1 between the first and second electrodes 161 and 163 can be provided within a range of 10 to 80 mu m.

절연부(170)는 제2 절연층(153) 및 제1 전극(161)과 제2 전극(163)의 측면을 덮을 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이, 절연부(170)는 발광 구조체(120)의 측면까지 더 덮을 수 있다. The insulating portion 170 may cover the side surfaces of the second insulating layer 153 and the first electrode 161 and the second electrode 163. In particular, as illustrated, the isolation 170 may further cover the sides of the light emitting structure 120.

한편, 절연부(170)가 발광 구조체(120)의 측면을 덮는 정도는, 발광 소자의 제조 과정에서 칩 단위 개별화(isolation)의 여부에 따라 달라질 수 있으며, 이와 관련하여 후술하여 상세하게 설명한다.The extent to which the insulating portion 170 covers the side surface of the light emitting structure 120 may vary depending on the chip unit isolation in the manufacturing process of the light emitting device, and will be described in detail later.

절연부(170), 제1 패드 전극(181) 및 제2 패드 전극(183)과 관련된 설명은 도 1 내지 8을 참조하여 설명한 바와 대체로 유사하므로, 상세한 설명은 생략한다.The description related to the insulating portion 170, the first pad electrode 181, and the second pad electrode 183 is substantially similar to that described with reference to FIGS. 1 to 8, and thus a detailed description thereof will be omitted.

파장변환부(미도시)는 발광 구조체(120)의 하면 상에 위치할 수 있다. 파장변환부의 일부는 제1 절연층(151)과 접할 수도 있다. 또한, 파장변환부는 발광 구조체(120)의 측면까지 덮도록 형성될 수도 있으며, 나아가, 절연부(170)의 측면까지 더 덮도록 형성될 수도 있다.The wavelength converting portion (not shown) may be positioned on the lower surface of the light emitting structure 120. A part of the wavelength converting portion may be in contact with the first insulating layer 151. In addition, the wavelength converting portion may be formed to cover the side surface of the light emitting structure 120 and further cover the side surface of the insulating portion 170.

파장변환부와 관련된 설명은 도 7을 참조하여 설명한 바와 대체로 유사하므로, 상세한 설명은 생략한다.The description related to the wavelength converter is substantially similar to that described with reference to FIG. 7, and therefore, detailed description thereof will be omitted.

한편, 상기 발광 소자(200e)는 발광 구조체(120)의 하면 상에 위치하는 성장 기판(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 발광 소자(200e)가 파장변환부를 포함하는 경우, 상기 성장 기판은 발광 구조체(120)와 파장변환부의 사이에 위치할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 200e may further include a growth substrate (not shown) positioned on the lower surface of the light emitting structure 120. When the light emitting device 200e includes a wavelength conversion unit, the growth substrate may be positioned between the light emitting structure 120 and the wavelength conversion unit.

본 실시예에 따르면, 구동 시 수평 방향으로 전류가 균일하게 분산될 수 있는 구조를 갖는 발광 소자에 소결된 형태의 금속 입자들을 포함하는 제1 및 제2 전극이 채택된다. 따라서, 발광 소자 구동 시 발열로 인하여 제1 및 제2 전극에 스트레스가 인가되더라도, 전극에 포함된 비금속 물질에 의해 이러한 스트레스가 완화될 수 있다. 따라서, 발광 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극(161, 163)의 간격의 최단 거리(160D1)가 10 내지 80㎛ 범위 내로 제공되므로, 낮은 순방향 전압을 구현할 수 있고, 구동 시 발생하는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.
According to this embodiment, first and second electrodes including metal particles in a sintered form are employed in a light emitting element having a structure in which current can be uniformly dispersed in a horizontal direction at the time of driving. Therefore, even when stress is applied to the first and second electrodes due to the heat generated when the light emitting device is driven, such stress can be alleviated by the non-metallic materials included in the electrodes. Therefore, the reliability of the light emitting element can be improved. Also, since the shortest distance 160D1 between the first and second electrodes 161 and 163 is in the range of 10 to 80 mu m, a low forward voltage can be realized and the heat generated during driving can be effectively emitted .

도 11 및 12는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.11 and 12 are cross-sectional views illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 상기 발광 장치는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 및 기판(300)을 포함한다. 발광 소자는 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 발광 소자들이 적용될 수 있으며, 기판(300) 상에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 11, the light emitting device includes a light emitting device and a substrate 300 according to embodiments of the present invention. The light emitting device can be applied to the light emitting devices described with reference to FIGS. 1 to 10, and can be mounted on the substrate 300.

기판(300)은, 예를 들어, 제1 도전 패턴(311), 제2 도전 패턴(313) 및 이들을 절연시키는 절연막(320)을 포함하는 PCB일 수 있다. 특히, 상기 PCB는 제1 및 제2 도전 패턴(311, 313)이 금속으로 형성된 금속 PCB일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(300)은 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 구조의 기판일 수 있다.The substrate 300 may be a PCB including, for example, a first conductive pattern 311, a second conductive pattern 313, and an insulating film 320 for insulating them. In particular, the PCB may be a metal PCB having the first and second conductive patterns 311 and 313 formed of metal. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 300 may be a substrate having various structures well known to those skilled in the art.

발광 소자(200a)는 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)이 각각 제1 및 제2 도전 패턴(311, 313)에 접착됨으로써 발광 소자(200a)가 기판(300) 상에 실장될 수 있다. 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)은 솔더 또는 도전성 접착제를 통해 각각 제1 및 제2 도전 패턴(311, 313)에 접착될 수 있다.The light emitting device 200a may include first and second pad electrodes 181 and 183 and the first and second pad electrodes 181 and 183 may include first and second conductive patterns 311 and 313 So that the light emitting device 200a can be mounted on the substrate 300. [ The first and second pad electrodes 181 and 183 may be bonded to the first and second conductive patterns 311 and 313 through solder or a conductive adhesive, respectively.

이와 같이, 본 발명의 발광 소자는 별도의 패키징 과정없이 바로 이용될 수 있는 칩 스케일 패키지로써 이용 가능하다.As described above, the light emitting device of the present invention can be used as a chip scale package which can be used immediately without a separate packaging process.

한편, 본 발명에 따른 발광 소자는 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)을 포함하지 않고, 기판(300) 상에 실장될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device according to the present invention may be mounted on the substrate 300 without including the first and second pad electrodes 181 and 183.

도 12를 참조하면, 발광 소자(200a)는 제1 및 제2 패드 전극(181, 183)을 포함하지 않으며, 별도의 본딩층(231, 233)에 의해 기판(300)과 접착될 수 있다.Referring to FIG. 12, the light emitting device 200a does not include the first and second pad electrodes 181 and 183, and may be bonded to the substrate 300 by separate bonding layers 231 and 233.

상기 본딩층(231, 233)은 금속과 같은 금속성 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 공정 본딩(Eutectic bonding)을 통해 발광 소자(200a)와 기판(300)을 접착할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전 패턴(311, 313)이 Au를 포함하는 경우, 공정 구조(Eutectic structure)를 갖는 Au/Sn 합금을 포함하는 본딩층(231, 233)을 통해 발광 소자(200a)를 기판(300) 상에 효과적으로 접착할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The bonding layers 231 and 233 may include a metallic material such as a metal. For example, the light emitting device 200a may be bonded to the substrate 300 through eutectic bonding. For example, in the case where the first and second conductive patterns 311 and 313 include Au, the light emitting element (or the first and second conductive patterns) 311 and 313 may be formed through bonding layers 231 and 233 including an Au / Sn alloy having an eutectic structure 200a can be effectively adhered onto the substrate 300. However, the present invention is not limited thereto.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 각각의 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 실시예들에서 설명하는 기술적 특징들의 결합 및 치환을 통하여 변경된 발명 역시 본 발명의 범위에 모두 포함되며, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the following claims.

Claims (24)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하고, 제1 면 및 상기 제1 면에 반대하여 위치하는 제2 면을 포함하는 발광 구조체;
상기 발광 구조체의 제1 면 상에 위치하며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극;
상기 발광 구조체의 제1 면 상에 위치하며, 상기 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극; 및
상기 제1 및 제2 전극의 측면 및 상기 발광 구조체의 제1 면을 덮는 절연부를 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들을 포함하고,
상기 제1 전극과 제2 전극의 간격의 최단 거리의 절반 값은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나의 일 측면으로부터 상기 절연부의 외곽 측면까지의 최단 거리보다 작은 발광 소자.A first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light-emitting structure including a first surface;
A first contact electrode and a second contact electrode located on a first surface of the light emitting structure and ohmically contacting the first and second conductive type semiconductor layers, respectively;
A first electrode and a second electrode that are disposed on a first surface of the light emitting structure and electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode, respectively; And
And an insulating portion covering the side surfaces of the first and second electrodes and the first surface of the light emitting structure,
Wherein each of the first and second electrodes comprises metal particles,
Wherein a half value of a shortest distance between the first electrode and the second electrode is smaller than a shortest distance from one side of one of the first electrode and the second electrode to an outer side surface of the insulating portion. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간의 최단 거리는 10 내지 80㎛인 발광 소자.The method according to claim 1,
And a shortest distance between the first electrode and the second electrode is 10 to 80 占 퐉. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 그 수직 단면의 측면에 대한 접선 기울기가 변화하는 경사진 측면을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein each of the first electrode and the second electrode includes an inclined side surface on which a tangential slope with respect to a side surface of the vertical section changes. 청구항 3에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면과 상기 발광 구조체의 상면이 이루는 각은 30°이상 90°미만인 발광 소자.The method of claim 3,
Wherein an angle formed between the side surfaces of the first electrode and the second electrode and the upper surface of the light emitting structure is 30 DEG or more and less than 90 DEG. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각의 측면은 상기 발광 구조체의 제1 면에 대해 수직인 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein a side surface of each of the first electrode and the second electrode is perpendicular to the first surface of the light emitting structure. 청구항 1에 있어서,
상기 절연부의 일 면 상에 위치하며, 각각 제1 및 제2 전극 상에 위치하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 더 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
And a first pad electrode and a second pad electrode located on one side of the insulating portion and positioned on the first and second electrodes, respectively. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 상기 금속 입자들 및 상기 금속 입자들 사이에 개재된 비금속성 물질을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second electrodes includes a non-metallic material interposed between the metal particles and the metal particles. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 80 내지 98 wt%의 금속 입자를 포함하는 발광 소자.The method of claim 7,
Wherein each of the first and second electrodes comprises 80 to 98 wt% of metal particles. 청구항 1에 있어서,
상기 금속 입자는 Cu, Au, Ag, Pt 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the metal particles include at least one of Cu, Au, Ag, and Pt. 청구항 1에 있어서,
상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 부분적으로 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출된 영역;
상기 제1 및 제2 컨택 전극을 서로 절연시키는 제1 절연층; 및
상기 제1 및 제2 컨택 전극을 부분적으로 덮으며, 각각 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 노출시키는 제1 개구부 및 제2 개구부를 포함하는 제2 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역을 통해 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹 컨택하며,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 및 제2 개구부를 통해 상기 제1 및 제2 컨택 전극에 직접적으로 접촉하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the active layer and the second conductive type semiconductor layer are partially removed to partially expose the first conductive type semiconductor layer;
A first insulating layer for insulating the first and second contact electrodes from each other; And
Further comprising a second insulating layer partially covering the first and second contact electrodes and including a first opening and a second opening exposing the first contact electrode and the second contact electrode, respectively,
Wherein the first contact electrode is in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer through the exposed region of the first conductive semiconductor layer,
Wherein the first electrode and the second electrode are in direct contact with the first and second contact electrodes through the first and second openings, respectively. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 제1 및 제2 컨택 전극에 직접적으로 접촉하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are in direct contact with the first and second contact electrodes, respectively. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 오믹 컨택하는 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극을 포함하는 적어도 하나의 소자 영역을 포함하는 웨이퍼를 준비하고; 및
상기 웨이퍼 상에, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극 각각에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 형성함과 아울러, 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 절연부를 형성하는 것을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극 각각은 금속 입자들을 포함하고,
상기 소자 영역에 위치하는 상기 제1 전극과 제2 전극의 간격의 최단 거리의 절반 값은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 하나의 일 측면으로부터 상기 소자 영역을 정의하는 부분의 측면까지의 최단 거리보다 작은 발광 소자 제조 방법.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, Preparing a wafer including at least one device region including a first contact electrode and a second contact electrode, each of which is in ohmic contact with a semiconductor layer; And
A first electrode and a second electrode electrically connected to the first contact electrode and the second contact electrode are formed on the wafer and an insulating portion covering the side surfaces of the first and second electrodes is formed ,
Wherein each of the first and second electrodes comprises metal particles,
A half value of a shortest distance between the first electrode and the second electrode located in the device region is a shortest distance from one side of one of the first electrode and the second electrode to a side of a portion defining the device region, Emitting device. 청구항 12에 있어서,
상기 소자 영역에 위치하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간의 최단 거리는 10 내지 80㎛인 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
Wherein the shortest distance between the first electrode and the second electrode located in the device region is 10 to 80 占 퐉. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은,
상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 절연부를 형성하고;
상기 절연부들의 이격 영역들을 채우는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고;
상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하여 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
The formation of the first electrode, the second electrode,
Forming a plurality of insulating portions spaced apart from each other on the wafer;
Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode to fill spacing regions of the insulation portions;
And sintering the preliminary first electrode and the preliminary second electrode to form the first electrode and the second electrode, respectively. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은,
상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 마스크를 형성하고;
상기 마스크들의 이격 영역을 채우는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고;
상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하여 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하고;
상기 마스크들을 제거하고; 및
상기 제1 전극 및 제2 전극의 이격 영역을 채우는 절연부를 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
The formation of the first electrode, the second electrode,
Forming a plurality of masks spaced apart from each other on the wafer;
Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode filling the spacing regions of the masks;
Sintering the preliminary first electrode and the preliminary second electrode to form the first electrode and the second electrode, respectively;
Removing the masks; And
And forming an insulating portion that fills a spacing region between the first electrode and the second electrode. 청구항 14 또는 청구항 15에 있어서,
상기 소결되어 형성된 제1 및 제2 전극 각각은 상기 예비 제1 및 예비 제2 전극보다 작은 부피를 갖고,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 경사진 측면을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각의 수평 단면적은, 상기 발광 구조체로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 작아지는 발광 소자 제조 방법.The method according to claim 14 or 15,
Wherein each of the first and second sintered electrodes has a smaller volume than the preliminary first and second preliminary electrodes,
Wherein each of the first electrode and the second electrode includes an inclined side surface, and a horizontal cross-sectional area of each of the first and second electrodes decreases in a direction away from the light emitting structure. 청구항 16에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은,
상기 예비 제1 및 예비 제2 전극이 소결되어 형성된 상기 제1 전극과 상기 절연부 사이의 이격 영역 및 상기 제2 전극과 상기 절연부 사이의 이격 영역을 채우는 절연부를 추가적으로 더 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
The formation of the first electrode, the second electrode,
Further comprising forming an insulating portion that fills a spaced region between the first electrode and the insulating portion formed by sintering the preliminary first and the preliminary second electrodes and a spaced region between the second electrode and the insulating portion, Gt; 청구항 16에 있어서,
상기 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극 각각이 상기 웨이퍼와 접촉하는 면적은 각각 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각이 상기 웨이퍼와 접촉하는 면적과 동일한 발광 소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
Wherein an area of each of the preliminary first electrode and the preliminary second electrode in contact with the wafer is equal to an area in which each of the first electrode and the second electrode is in contact with the wafer. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은,
상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 절연부를 형성하고;
상기 절연부들의 이격 영역들을 채우며 상기 절연부들의 상면까지 덮는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고;
상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하고;
상기 소결된 예비 제1 및 예비 제2 전극의 상부를 부분적으로 제거하여, 상기 절연부들의 상면을 노출시킴과 아울러, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
The formation of the first electrode, the second electrode,
Forming a plurality of insulating portions spaced apart from each other on the wafer;
Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode which fill the spacing regions of the insulation portions and cover the upper surfaces of the insulation portions;
Sintering the preliminary first and preliminary second electrodes;
And partially removing the upper portions of the sintered preliminary first and preliminary second electrodes to expose an upper surface of the insulating portions and to form the first electrode and the second electrode. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극 및 절연부를 형성하는 것은,
상기 웨이퍼 상에 서로 이격된 복수의 마스크를 형성하고;
상기 마스크들의 이격 영역들을 채우며 상기 마스크들의 상면까지 덮는 예비 제1 전극 및 예비 제2 전극을 형성하고;
상기 예비 제1 및 예비 제2 전극을 소결하고;
상기 소결된 예비 제1 및 예비 제2 전극의 상부를 부분적으로 제거하여, 상기 마스크들의 상면을 노출시킴과 아울러, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로 형성하고;
상기 마스크들을 제거하고; 및
상기 제1 전극 및 제2 전극의 이격 영역을 채우는 절연부를 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
The formation of the first electrode, the second electrode,
Forming a plurality of masks spaced apart from each other on the wafer;
Forming a preliminary first electrode and a preliminary second electrode filling the spaced regions of the masks and covering the upper surfaces of the masks;
Sintering the preliminary first and preliminary second electrodes;
Partially removing the upper portions of the sintered preliminary first and preliminary second electrodes to expose an upper surface of the masks and to form the first electrode and the second electrode;
Removing the masks; And
And forming an insulating portion that fills a spacing region between the first electrode and the second electrode. 청구항 19 또는 청구항 20에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극의 측면은 상기 웨이퍼의 상면에 대해 수직을 이루는 발광 소자 제조 방법.The method according to claim 19 or 20,
Wherein a side surface of the first electrode and a side surface of the second electrode are perpendicular to an upper surface of the wafer. 청구항 12에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각 상에 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
And forming a first pad electrode and a second pad electrode on the first electrode and the second electrode, respectively. 청구항 12에 있어서,
상기 웨이퍼는 복수의 소자 영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 복수의 소자 영역의 각각 상에 형성되는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 12,
Wherein the wafer includes a plurality of element regions, and the first and second electrodes are formed on each of the plurality of element regions. 청구항 23에 있어서,
상기 웨이퍼 및 상기 절연부의 일부를 상기 복수의 소자 영역으로 분할하여 복수의 발광 소자를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법.



24. The method of claim 23,
Further comprising dividing the wafer and a portion of the insulating portion into the plurality of element regions to form a plurality of light emitting elements.



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