KR20140134425A - Light-emtting device package and method for making the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a light emitting device package and a method for manufacturing the same. The light emitting device package includes: a light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; a first electrode and a second electrode which are electrically connected to the fist conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively, and are extended from the lower surface of the light emitting structure downward; and a reflective material which covers the lower surface and a side surface of the light emitting structure and side surfaces of the first electrode and the second electrode. Lower surfaces of the first electrode and the second electrode are exposed. Therefore, the light emitting device package, which is miniaturized, can be provided.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT-EMTTING DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MAKING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 소형 발광소자 패키지 및 공정 수율이 개선된 발광소자 패키지 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a small light emitting device package and a method of manufacturing a light emitting device package with improved process yield.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빨라서, 발광 다이오드를 포함하는 발광소자 패키지는 종래의 광원을 대체할 것으로 기대된다.Light emitting diodes are inorganic semiconductor devices that emit light generated by the recombination of electrons and holes, and are recently used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. Since the light emitting diode has a long lifetime, low power consumption, and a high response speed, the light emitting device package including the light emitting diode is expected to replace the conventional light source.

종래에 플립 칩 형태의 발광 칩을 적용한 발광소자 패키지가 도 12에 도시되어 있다. 도 12를 참조하면, 종래의 발광소자 패키지는, 베이스 기판(11)과 측벽부(13)를 포함하는 하우징(10), 베이스 기판(11) 상에 실장되고 측벽부(13)에 둘러싸인 발광 칩(20), 제1 및 제2 리드 프레임(41, 43), 발광 칩(20)과 리드 프레임(41, 43)들을 전기적으로 연결하는 범프들(31, 33), 및 발광 칩(20)을 봉지하며, 형광체 등을 포함하는 몰딩부(50)로 구성되어 있다.A light emitting device package to which a flip chip type light emitting chip is applied is shown in Fig. 12, a conventional light emitting device package includes a housing 10 including a base substrate 11 and side wall portions 13, a light emitting chip 12 mounted on the base substrate 11 and surrounded by the side wall portions 13, Bumps 31 and 33 for electrically connecting the light emitting chip 20 and the lead frames 41 and 43 and the light emitting chip 20 to the first and second lead frames 41 and 43, And a molding part 50 including a phosphor or the like.

이와 같은 종래의 발광소자 패키지를 제조하기 위해서는, 발광 칩(20)과 하우징(10)을 별도로 제조하고, 상기 발광 칩(20)을 리드 프레임들(41, 43) 상에 실장하는 공정이 추가로 요구된다. 이때, 발광 칩(20)은 솔더 볼 또는 접착제를 이용하여 실장되거나, 또는 공정 본딩(eutectic bonding)을 통해 리드 프레임들(41, 43) 상에 실장된다. 이에 따라, 발광 칩(20)의 하면 상에 범프(31, 33)를 형성하는 공정이 추가로 요구되어 공정이 복잡해지고, 제조 비용이 증가한다. 또한, 발광 칩(20)을 실장하는 공정에서 공차가 발생하여 공정 수율이 떨어지며, 대량으로 발광소자 패키지를 제조하는 것이 어렵다.In order to manufacture such a conventional light emitting device package, a process of manufacturing the light emitting chip 20 and the housing 10 separately and mounting the light emitting chip 20 on the lead frames 41 and 43 is further performed Is required. At this time, the light emitting chip 20 is mounted using solder balls or an adhesive, or is mounted on the lead frames 41 and 43 through eutectic bonding. Accordingly, a step of forming the bumps 31 and 33 on the lower surface of the light emitting chip 20 is further required, complicating the process and increasing the manufacturing cost. In addition, tolerances are generated in the step of mounting the light emitting chip 20, which lowers the process yield, and it is difficult to manufacture the light emitting device package in large quantities.

또한, 종래의 발광소자 패키지는 발광 칩(20)을 실장하기 위한 하우징(10)이 반드시 요구되므로, 패키지 크기의 소형화에 한계가 있다. 최근, 고출력 소형 발광소자 패키지의 수요가 증가하고 있어서, 이 부분에 대한 개선이 요구된다.In addition, since the conventional light emitting device package requires the housing 10 for mounting the light emitting chip 20, the miniaturization of the package size is limited. 2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increase in the demand for a high-power small-sized light emitting device package.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 별도의 2차 기판을 포함하지 않으며, 구조가 단순화된 소형 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a small-sized light emitting device package that does not include a separate secondary substrate and has a simplified structure.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 공정이 단순화되고, 개선된 공정 수율을 제공하며, 대량으로 패키지를 제조할 수 있는 발광소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting device package which can simplify the process, provide an improved process yield, and manufacture a package in a large amount.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 연결되며, 상기 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 발광 구조체의 하면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극의 하면은 노출된다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first electrode and a second electrode electrically connected to the first and second conductivity type semiconductor layers and extending downward from a lower surface of the light emitting structure; And a reflective material covering the lower surface and the side surface of the light emitting structure and the side surfaces of the first and second electrodes, and the lower surfaces of the first and second electrodes are exposed.

상기 발광 구조체는, 그 상부에 위치하는 기판을 더 포함할 수 있다.The light emitting structure may further include a substrate disposed on the light emitting structure.

상기 기판은 경사진 측면을 가질 수 있다.The substrate may have inclined sides.

나아가, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층은 경사진 측면을 가질 수 있다.Furthermore, the first and second conductivity type semiconductor layers and the active layer may have inclined side surfaces.

상기 발광소자 패키지는, 상기 발광 구조체 상에 위치하는 파장변환층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a wavelength conversion layer disposed on the light emitting structure.

또한, 상기 발광소자 패키지는, 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 추가 전극, 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 추가 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 추가 전극은 상기 반사물질의 하면 상에 위치할 수 있다.The light emitting device package may further include a first additional electrode electrically connected to the first electrode and a second additional electrode electrically connected to the second electrode, The electrode may be located on the lower surface of the reflective material.

상기 반사물질은 절연성을 가질 수 있다.The reflective material may have insulating properties.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 발광 구조체; 상기 복수의 발광 구조체 중 하나의 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하나의 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제1 전극; 상기 복수의 발광 구조체 중 또 다른 하나의 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 또 다른 하나의 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제2 전극; 및 상기 복수의 발광 구조체의 하면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 포함하고, 상기 복수의 발광 구조체들은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2 전극의 하면은 노출된다.A light emitting device package according to another embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting structures including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first electrode electrically connected to one of the plurality of light emitting structures and extending downward from a lower surface of the one light emitting structure; A second electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer of another one of the plurality of light emitting structures and extending downward from the lower surface of the another one of the light emitting structures; And a reflective material covering the side surfaces of the plurality of light emitting structures and the side surfaces of the first and second electrodes, wherein the plurality of light emitting structures are electrically connected to each other, and the lower surface of the first and second electrodes Exposed.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 지지 기판 상에 서로 이격되도록 복수개 배열하고; 상기 발광 구조체들의 상면 및 측면을 덮으며, 적어도 두 개의 홀을 포함하는 반사물질을 형성하되, 상기 홀들에 의해 상기 발광 구조체의 상면의 일부가 노출되고; 상기 적어도 두 개의 홀을 채우는 제1 및 제2 전극을 형성하고; 그리고, 상기 발광 구조체들 사이의 반사물질을 분할하여, 서로 분리시키는 것을 포함하되, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된다.A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes arranging a plurality of light emitting structures on a support substrate so as to be spaced apart from each other, the first light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; Forming a reflective material covering at least two holes on an upper surface and side surfaces of the light emitting structures, wherein a part of the upper surface of the light emitting structure is exposed by the holes; Forming first and second electrodes filling the at least two holes; The first and second electrodes are electrically connected to the first and second conductive type semiconductor layers, respectively, by dividing and separating the reflective material between the light emitting structures.

상기 발광소자 패키지 제조 방법은, 상기 발광 구조체들을 서로 분리시키기 전에, 상기 지지 기판을 상기 발광 구조체들로부터 분리하고, 상기 발광 구조체들 하면 상에 파장변환층을 접착하는 것을 더 포함할 수 있고, 상기 반사물질을 분할하는 것과 아울러, 파장변환층이 분할될 수 있다.The method may further include separating the support substrate from the light emitting structures and bonding the wavelength conversion layer on the lower surface of the light emitting structures before separating the light emitting structures from each other, In addition to dividing the reflective material, the wavelength conversion layer can be divided.

상기 반사물질을 형성하는 것은, 상기 지지 기판 상에 수지를 도포하고, 상기 수지를 상하로 관통하는 적어도 두 개의 홀을 형성함과 아울러, 상기 수지를 경화시켜 반사물질을 형성하는 것을 포함할 수 있다.The forming of the reflective material may include applying a resin on the support substrate, forming at least two holes vertically through the resin, and curing the resin to form a reflective material .

상기 수지는 감광성 수지를 포함할 수 있다.The resin may include a photosensitive resin.

한편, 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 지지 기판은 파장변환층일 수 있다.On the other hand, in some embodiments, the supporting substrate may be a wavelength conversion layer.

나아가, 상기 파장변환층은 형광체 및 세라믹을 포함할 수 있다.Further, the wavelength conversion layer may include a phosphor and a ceramic.

상기 발광소자 패키지 제조 방법은, 상기 제1 전극 및 제2 전극이 노출된 하면 상에 각각 제1 추가 전극 및 제2 추가 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The method of fabricating a light emitting device package may further include forming a first additional electrode and a second additional electrode on a bottom surface of the first electrode and the second electrode, respectively.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 지지 기판 상에 서로 이격되도록 복수 개 배열하고; 상기 발광 구조체 상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하되, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고; 상기 발광 구조체들의 상면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 형성하고; 상기 발광 구조체들 사이의 반사물질을 분할하여, 서로 분리시키는 것을 포함한다.A method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention includes arranging a plurality of light emitting structures on a support substrate so as to be spaced apart from each other, the first light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; A first electrode and a second electrode are formed on the light emitting structure, the first electrode is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, and the second electrode is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer Being; Forming a reflective material covering the upper and side surfaces of the light emitting structures and the side surfaces of the first and second electrodes; And separating and separating the reflective material between the light emitting structures.

본 발명에 따르면, 반사물질이 발광 구조체의 측면과 하면, 및 전극의 측면을 덮도록 형성됨으로써, 반사물질에 의해 반도체층간 및 전극간의 절연을 구현할 수 있으며, 소형화된 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 또한, 발광 구조체를 덮는 절연층 형성으로 인한 신뢰성 감소를 방지할 수 있다.According to the present invention, since the reflective material is formed so as to cover the side surface and the bottom surface of the light emitting structure and the side surface of the electrode, insulation between the semiconductor layers and the electrodes can be realized by the reflective material, . Further, it is possible to prevent a decrease in reliability due to the formation of the insulating layer covering the light emitting structure.

또한, 본 발명은 제조 공정이 단순화되고, 비용이 절감된 발광소자 패키지 제조 방법을 제공할 수 있으며, 형광체 물질 형성 공정에서의 좌표 수율 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지 제조 공정의 수율이 개선될 수 있으며, 발광소자 패키지의 불량을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can provide a method of manufacturing a light emitting device package in which a manufacturing process is simplified and a cost is reduced, and a coordinate yield problem in a phosphor material forming process can be solved. Accordingly, the yield of the light emitting device package manufacturing process can be improved, and the failure of the light emitting device package can be prevented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
10 and 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 발광소자 패키지는, 발광구조체(110), 전극(120), 반사물질(140), 및 파장변환층(150)을 포함한다. 나아가, 상기 발광소자 패키지는 추가 전극(160)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a light emitting device package includes a light emitting structure 110, an electrode 120, a reflective material 140, and a wavelength conversion layer 150. Further, the light emitting device package may further include an additional electrode 160.

발광 구조체(110)는 기판(111), 기판(111) 아래에 위치하는 제1 도전형 반도체층(113), 제1 도전형 반도체층(113)의 아래에 위치하는 제2 도전형 반도체층(117), 및 제1 도전형 반도체층(113)과 제2 도전형 반도체층(117) 사이에 위치하는 활성층(115)을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(117) 및 활성층(115)의 면적은 제1 도전형 반도체층(113)의 면적보다 작을 수 있고, 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(113)의 하면의 일부가 노출될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(113)의 노출된 하면은, 예를 들어, 메사 식각을 통해서 형성될 수 있다.The light emitting structure 110 includes a substrate 111, a first conductive semiconductor layer 113 disposed under the substrate 111, a second conductive semiconductor layer 113 disposed under the first conductive semiconductor layer 113 And an active layer 115 located between the first conductive type semiconductor layer 113 and the second conductive type semiconductor layer 117. The area of the second conductivity type semiconductor layer 117 and the active layer 115 may be smaller than the area of the first conductivity type semiconductor layer 113. Accordingly, Can be exposed. The exposed lower surface of the first conductive type semiconductor layer 113 may be formed through, for example, a mesa etching.

기판(111)은 반도체층들(113, 115, 117)을 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 상기 기판(111)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS) 또는 질화갈륨 기판일 수 있다.The substrate 111 is not limited as long as it can grow the semiconductor layers 113, 115 and 117, and may be, for example, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a gallium nitride substrate, . In particular, in this embodiment, the substrate 111 may be a patterned sapphire substrate (PSS) or a gallium nitride substrate.

또한, 도시된 바와 같이, 기판(111)은 경사진 측면을 가질 수 있다. 기판(111)의 경사는 건식 또는 습식 식각 등의 공정을 통해서 형성될 수 있으며, 또한, 기판(111)을 소자 크기로 분리하는 공정에서 경사진 날을 갖는 블레이드를 이용하여 기판(111)을 분리함으로써 형성될 수도 있다. 예를 들어, 기판(111)이 사파이어 기판인 경우, 건식 식각을 이용하거나 또는 황인산 용액을 이용한 습식 식각을 통해서 측면을 경사지도록 형성할 수 있다. 도 1에 따르면, 기판(111)은 하부에서 상부쪽으로 갈수록 폭이 넓어지도록 측면이 경사진 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다양한 방향으로 경사진 측면을 갖는 기판(111) 역시 본 발명에 포함될 수 있다. 기판(111)이 경사진 측면을 가짐으로써, 발광소자 패키지의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Further, as shown, the substrate 111 may have inclined sides. The inclination of the substrate 111 may be formed through a process such as dry etching or wet etching and the substrate 111 may be separated using a blade having an inclined blade in a process of separating the substrate 111 into element sizes . For example, in the case where the substrate 111 is a sapphire substrate, the side surface may be formed to be inclined by dry etching or wet etching using a sulfuric acid phosphoric acid solution. 1, the substrate 111 is shown as being inclined such that the width thereof becomes wider from the lower side to the upper side. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 111, May be included in the invention. The light extraction efficiency of the light emitting device package can be improved by having the inclined side surface of the substrate 111.

한편, 기판(111)은 그 상면에 형성된 거칠어진 면(미도시)을 포함할 수 있고, 이에 따라, 활성층(115)에서 방출된 광의 광 추출 효율이 증가할 수 있다.On the other hand, the substrate 111 may include a roughened surface (not shown) formed on the upper surface thereof, thereby increasing the light extraction efficiency of the light emitted from the active layer 115.

다만, 기판(111)은 본 실시예에 있어서, 반드시 포함되어야 하는 구성은 아니며, 생략될 수도 있다.However, the substrate 111 is not necessarily included in this embodiment, and may be omitted.

제1 도전형 반도체층(113)과 제2 도전형 반도체층(117)은 질화물계 반도체층을 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층은(113)은 N형 불순물(예를 들어, Si)이 도핑된 N형 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(117)은 P형 불순물(예를 들어, Mg)이 도핑된 P형 반도체층일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 그 반대일 수도 있다. 나아가, 제1 도전형 반도체층(113) 및/또는 제2 도전형 반도체층(117)은 단일층 또는 다중층일 수 있으며, 초격자층을 포함할 수도 있다.The first conductivity type semiconductor layer 113 and the second conductivity type semiconductor layer 117 may include a nitride based semiconductor layer and may include (Al, Ga, In) N, for example. The first conductivity type semiconductor layer 113 may be an N-type semiconductor layer doped with an N-type impurity (for example, Si) and the second conductivity type semiconductor layer 117 may include a P-type impurity (for example, Mg ) May be a doped P-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto and vice versa. Furthermore, the first conductive semiconductor layer 113 and / or the second conductive semiconductor layer 117 may be a single layer or a multilayer, and may include a superlattice layer.

활성층(115)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있으며, 상기 다중 양자우물구조를 이루는 반도체층들이 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록, 상기 반도체층들을 이루는 원소 및 그 조성이 조절될 수 있다. 예를 들어, 활성층(115)의 우물층은 InxGa(1-x)N (0≤x≤1)과 같은 삼성분계 반도체층일 수 있고, 또는 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1)과 같은 사성분계 반도체층일 수 있으며, 이때, x 또는 y의 값을 조정하여 원하는 피크 파장의 광을 방출하도록 할 수 있다.The active layer 115 may include a multiple quantum well structure (MQW), and an element constituting the semiconductor layers and a composition thereof may be adjusted so that the semiconductor layers forming the multiple quantum well structure emit light of a desired peak wavelength. have. For example, the well layer of the active layer 115 may be a ternary semiconductor layer such as In x Ga y (1-x) N (0 x 1) or Al x In y Ga (1-xy) N 0? X? 1, 0? Y? 1). In this case, the value of x or y may be adjusted to emit light of a desired peak wavelength.

제1 도전형 반도체층(113), 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(115)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy) 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 기술을 이용하여 성장 기판(111) 상에 성장될 수 있다. 또한, 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(115)의 일부가 식각 등으로 제거되어 메사를 형성함으로써, 제1 도전형 반도체층(113)이 부분적으로 노출될 수 있다.The first conductive type semiconductor layer 113, the active layer 115 and the second conductive type semiconductor layer 115 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a molecular beam epitaxy (MBE), or a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) Grown on the growth substrate 111 using the technique described above. In addition, a portion of the active layer 115 and the second conductivity type semiconductor layer 115 is removed by etching or the like to form a mesa, so that the first conductivity type semiconductor layer 113 can be partially exposed.

한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(113, 117) 및 활성층(115)은, 도시된 바와 같이, 경사진 측면을 가질 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(113, 117) 및 활성층(115)의 경사진 측면은, 예를 들어, 건식 식각을 이용하여 형성할 수 있다. 도 1에 도시된 바에 따르면, 제1 및 제2 도전형 반도체층(113, 117) 및 활성층(115)의 측면이 경사각은 기판(111)의 경사각과 동일한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the first and second conductivity type semiconductor layers 113 and 117 and the active layer 115 may have inclined side surfaces, as shown in the figure. The inclined side surfaces of the first and second conductivity type semiconductor layers 113 and 117 and the active layer 115 can be formed using, for example, dry etching. 1, the inclination angle of the side surfaces of the first and second conductivity type semiconductor layers 113 and 117 and the active layer 115 is shown to be the same as the inclination angle of the substrate 111. However, It is not.

이하, 질화물계 반도체 물질을 포함하는 반도체층들(113, 115, 117)과 관련된 주지 기술내용의 설명은 생략한다.Hereinafter, a description of the well-known semiconductor layer related to the semiconductor layers 113, 115, and 117 including the nitride based semiconductor material is omitted.

전극(120)은 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(121, 123)은 각각 제1 도전형 반도체층(113)의 노출된 하면 및 제2 도전형 반도체층(117) 하면에 접촉되며, 각각의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 전극(120)의 하면은 반사물질(140)에 덮이지 않고, 전극(120)의 하면은 반사물질(140)의 하면과 대체로 나란하게 형성될 수 있다. 전극(120)의 노출된 하면을 통해서, 전극(120)은 발광소자 패키지 외부 전원과 연결될 수 있으며, 또한 추가 전극(160)이 접촉될 수 있다.The electrode 120 may include a first electrode 121 and a second electrode 123. The first and second electrodes 121 and 123 contact the bottom surface of the first conductivity type semiconductor layer 113 and the bottom surface of the second conductivity type semiconductor layer 117, . The lower surface of the electrode 120 may not be covered with the reflective material 140 and the lower surface of the electrode 120 may be formed substantially in parallel with the lower surface of the reflective material 140. The electrode 120 may be connected to the external power source of the light emitting device package through the exposed lower surface of the electrode 120 and the additional electrode 160 may be in contact with the power source.

제1 전극(121)과 제2 전극(123)은 각각 그 폭이 제1 도전형 반도체층(113)의 노출된 영역 및 제2 도전형 반도체층(117)의 하면보다 좁을 수 있다. 또한, 제1 전극(121)과 제2 전극(123)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어, 다각 기둥 형상, 원통 형상 등일 수 있다. The first electrode 121 and the second electrode 123 may be narrower than the exposed region of the first conductive type semiconductor layer 113 and the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 117, respectively. In addition, the first electrode 121 and the second electrode 123 may have various shapes, for example, a polygonal columnar shape, a cylindrical shape, or the like.

제1 전극(121)과 제2 전극(123)은 외부 전원과 발광 구조체(100)를 전기적으로 연결하는 기능을 할 수 있으며, 또한, 발광 구조체(100)의 발광에 따라 발생된 열을 외부로 방출하는 기능을 할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(121)과 제2 전극(123)은, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Cu, Cr, Co, Fe, Hf 및 Ta 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. The first electrode 121 and the second electrode 123 can function to electrically connect the external power source and the light emitting structure 100 and can also transmit heat generated due to the light emission of the light emitting structure 100 to the outside It can function to emit. For example, the first electrode 121 and the second electrode 123 may be formed of a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Co, Fe, Hf, and Ta, or an alloy thereof.

한편, 제1 전극(121)과 제2 전극(123)은 각각 반사 금속층(미도시) 및 장벽 금속층(미도시)을 포함할 수 있다. The first electrode 121 and the second electrode 123 may include a reflective metal layer (not shown) and a barrier metal layer (not shown), respectively.

상기 반사 금속층은 제1 도전형 반도체층(113) 또는 제2 도전형 반도체층(117)에 직접적으로 접하도록 위치할 수 있고, 상기 베리어 금속층은 상기 반사 금속층을 덮도록 형성될 수 있다. 반사 금속층은 광을 반사시키는 역할을 할 수 있고, 또한, 제1 도전형 반도체층(113) 및/또는 제2 도전형 반도체층(117)과 오믹 컨택하는 역할을 할 수도 있다. 따라서, 반사 금속층은 높은 반사도를 가지면서 오믹 접촉을 형성할 수 있는 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 반사 금속층은, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함하는 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베리어 금속층은 반사 금속층과 다른 물질의 상호 확산을 방지한다. 이에 따라, 상기 반사 금속층의 손상에 의한 접촉 저항 증가 및 반사도 감소를 방지할 수 있다. 베리어 금속층은 Ni, Cr, Ti을 포함할 수 있으며, 다중층으로 형성될 수 있다.The reflective metal layer may be disposed to directly contact the first conductive type semiconductor layer 113 or the second conductive type semiconductor layer 117, and the barrier metal layer may be formed to cover the reflective metal layer. The reflective metal layer may serve to reflect light and may also serve to make an ohmic contact with the first conductive type semiconductor layer 113 and / or the second conductive type semiconductor layer 117. Accordingly, the reflective metal layer preferably includes a material capable of forming an ohmic contact with high reflectivity. The reflective metal layer may include, for example, a metal containing at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag and Au. In addition, the barrier metal layer prevents interdiffusion of the reflective metal layer and other materials. Thus, it is possible to prevent an increase in contact resistance and a reduction in reflectivity due to damage to the reflective metal layer. The barrier metal layer may include Ni, Cr, Ti, and may be formed of multiple layers.

반사물질(140)은 발광 구조체(110)의 측면 및 하면, 그리고 전극(120)의 측면을 덮는다. 이에 따라, 반사물질(140)의 하면은 전극(120)의 하면과 대체로 나란하게 형성될 수 있고, 전극(120)의 하면이 반사물질(140)에 덮이지 않고 노출될 수 있다.The reflective material 140 covers the sides and bottom surfaces of the light emitting structure 110, and the side surfaces of the electrode 120. Accordingly, the lower surface of the reflective material 140 can be formed substantially parallel to the lower surface of the electrode 120, and the lower surface of the electrode 120 can be exposed without covering the reflective material 140.

반사물질(140)은 활성층(115)에서 방출된 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 반사물질(140)이 발광소자 패키지의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광 구조체(110)에서 방출되는 광을 패키지 상부로 집중시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 반사물질(140)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광 구조체(110)로부터 방출된 광의 지향각을 조절할 수도 있다.The reflective material 140 may serve to reflect the light emitted from the active layer 115. Since the reflective material 140 is formed on the outer side of the light emitting device package, the light emitted from the light emitting structure 110 can be concentrated on the package. However, the present invention is not limited thereto, and the directional angle of the light emitted from the light emitting structure 110 may be adjusted by adjusting the reflectance and the light transmittance of the reflective material 140 as necessary.

반사물질(140)은 절연성일 수 있고, 투명하거나 반투명한 물질을 포함할 수 있고, 또한, 내열, 내광 특성을 갖는 감광성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사물질(140)은 실리콘, 또는 에폭시, 폴리이미드, 우레탄 등과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지가 작동하는 동안 반사물질(140)이 변형되거나 손상되는 것을 방지할 수 있어서, 발광소자 패키지의 신뢰성이 더욱 개선될 수 있다.The reflective material 140 may be insulating and may include a transparent or semi-transparent material, and may also include a photosensitive material having heat resistance and light resistance properties. For example, the reflective material 140 may comprise silicon, or polymers such as epoxy, polyimide, urethane, and the like. Accordingly, it is possible to prevent the reflective material 140 from being deformed or damaged during operation of the light emitting device package, so that the reliability of the light emitting device package can be further improved.

반사물질(140)은 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 필러는 상기 반사물질(140) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 반사물질(130)은 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 반사물질(140)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.The reflective material 140 may further include a filler (not shown) capable of reflecting or scattering light. The filler may be uniformly dispersed within the reflective material 140. The filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light, and may be, for example, titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ) or the like. The reflective material 130 may include at least one of the fillers. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the reflective material 140 or the degree of light scattering can be controlled.

상기 발광소자 패키지는 발광 구조체(110)의 측면 및 하면, 그리고 전극(120)의 측면을 덮는 절연성 반사물질(140)을 포함함으로써, 종래의 발광 구조체(110)의 측면 및/또는 하면을 덮으며, 발광 구조체(110)을 보호하고, 전기적 불량을 방지하는 기능을 하는 절연층이 생략될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지의 구조가 단순해 질 수 있어서 신뢰성이 개선될 수 있고, 또한, 발광소자 패키지의 제조가 용이해질 수 있다.The light emitting device package includes the insulating reflective material 140 covering the side surfaces and the bottom surface of the light emitting structure 110 and the side surfaces of the electrode 120 to cover the side surface and / or the bottom surface of the conventional light emitting structure 110 , The insulating layer that protects the light emitting structure 110 and functions to prevent electrical failure can be omitted. Therefore, the structure of the light emitting device package can be simplified, reliability can be improved, and the manufacture of the light emitting device package can be facilitated.

또한, 반사물질(140)이 경사진 측면을 갖는 발광 구조체(110)의 측면을 덮도록 형성되어, 종래의 발광소자 패키지의 경사진 측벽(도 13의 도면부호 13)과 같은 기능을 할 수 있다. 이에 따라, 종래의 발광소자 패키지와 비교하여 광 손실률이 떨어지지 않으면서, 아울러 소형화된 발광소자 패키지가 제공될 수 있다.Also, the reflective material 140 is formed to cover the side surface of the light emitting structure 110 having the inclined side surface, and can function as the inclined side wall (reference numeral 13 in FIG. 13) of the conventional light emitting device package . Accordingly, the light emitting device package can be miniaturized without deteriorating the light loss rate as compared with the conventional light emitting device package.

파장변환층(150)은 발광구조체(110) 상에 위치할 수 있고, 파장변환층(150)의 측면은 반사물질(140)의 측면과 나란하게 형성될 수 있다. 파장변환층(150)의 크기는 도 1에 도시된 것과 달리 다양하게 형성될 수 있으나, 기판(111) 상면을 전체적으로 덮도록 기판(111) 상면의 크기보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 파장변환층(150)으로부터 방출된 광을 균일하게 유지할 수 있어서, 발광소자 패키지의 광 특성을 균일하게 할 수 있다. 또한, 파장변환층(150)의 두께를 조절하여 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 색 특성을 조절할 수 있다.The wavelength conversion layer 150 may be disposed on the light emitting structure 110 and the side surface of the wavelength conversion layer 150 may be formed in parallel with the side surface of the reflective material 140. 1, the size of the wavelength conversion layer 150 may be larger than the size of the upper surface of the substrate 111 so as to cover the entire upper surface of the substrate 111. Accordingly, the light emitted from the wavelength conversion layer 150 can be uniformly maintained, so that the optical characteristics of the light emitting device package can be made uniform. In addition, the thickness of the wavelength conversion layer 150 may be adjusted to control the color characteristics of light emitted from the light emitting device package.

파장변환층(150)은 형광체 및 레진을 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 레진과 혼합되어, 레진 내에 무작위로 또는 균일하게 배치될 수 있다. 이와 달리, 파장변환층(150)은 형광체 및 세라믹 물질을 포함할 수도 있다. 파장변환층(150)은 형광체를 포함함으로써, 발광 구조체(110)에서 방출된 광을 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지에서 방출되는 광을 다양하게 할 수 있으며, 나아가 백색 발광소자 패키지를 구현할 수 있다. 상기 레진은 에폭시나 아크릴과 같은 폴리머, 또는 실리콘을 포함할 수 있으며, 형광체를 분산시키는 매트릭스 역할을 할 수 있다. The wavelength conversion layer 150 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be mixed with the resin and randomly or uniformly arranged in the resin. Alternatively, the wavelength conversion layer 150 may include a phosphor and a ceramic material. The wavelength conversion layer 150 includes a phosphor to convert light emitted from the light emitting structure 110 into light having a different wavelength. Accordingly, light emitted from the light emitting device package can be varied, and further, a white light emitting device package can be realized. The resin may include a polymer such as epoxy or acrylic, or silicon, and may serve as a matrix for dispersing the phosphor.

형광체는 발광 구조체(110)에서 방출된 광을 여기시켜 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The phosphor can excite the light emitted from the light emitting structure 110 and convert it into light having a different wavelength. The phosphor may include various phosphors commonly known to those skilled in the art and may include at least one of a garnet fluorescent material, an aluminate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, a nitride fluorescent material, a fluoride fluorescent material, and a silicate fluorescent material can do. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 발광소자 패키지는 추가 전극(160)을 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include an additional electrode 160.

추가 전극(160)은 제1 추가 전극(161) 및 제2 추가 전극(163)을 포함할 수 있고, 각각 제1 전극(121)과 제2 전극(123) 아래에 위치할 수 있다. 제1 및 제2 추가 전극(161, 163)은 각각 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)에 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다.The additional electrode 160 may include a first additional electrode 161 and a second additional electrode 163 and may be positioned below the first electrode 121 and the second electrode 123, respectively. The first and second additional electrodes 161 and 163 may be electrically connected to the first electrode 121 and the second electrode 123, respectively.

제1 추가 전극(161) 및 제2 추가 전극(163)은 서로 대향하는 방향에 대해 반대방향으로 연장될 수 있고, 나아가, 전극들(120)의 폭보다 넓은 폭을 가지면서 반사물질(140)의 측면으로부터 돌출될 수 있다.The first additional electrode 161 and the second additional electrode 163 may extend in opposite directions with respect to each other and may further include a reflective material 140 having a width greater than the width of the electrodes 120. [ As shown in Fig.

제1 추가 전극(161) 및 제2 추가 전극(163)은 종래의 발광소자 패키지의 리드 프레임에 대응하는 기능을 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광소자 패키지가 추가 전극(160)을 더 포함함으로써, 상기 발광소자 패키지를 다른 피실장부에 용이하게 실장할 수 있다.The first additional electrode 161 and the second additional electrode 163 may function as corresponding to the lead frame of the conventional light emitting device package. Therefore, the light emitting device package of the present invention further includes the additional electrode 160, so that the light emitting device package can be easily mounted on other parts to be mounted.

추가 전극(160)은 전극(120)과 접촉되는 부분에 형성된 본딩층(미도시)을 포함할 수 있고, 이에 따라, 추가 전극(160)이 전극(120)에 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 추가 전극(160)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Cu, Cr, Co, Fe, Hf 및 Ta 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. The additional electrode 160 may include a bonding layer (not shown) formed at a portion contacting the electrode 120, so that the additional electrode 160 can be stably bonded to the electrode 120. The additional electrode 160 may be formed of a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Cu, , At least one of Hf and Ta, or an alloy thereof.

덧붙여, 상기 발광소자 패키지는 파장변환층(150) 상에 위치하는 렌즈(미도시) 및/또는 광 확산부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 더욱 개선시킬 수 있으며, 또한 지향각을 필요에 따라 용이하게 조절할 수 있다.In addition, the light emitting device package may further include a lens (not shown) and / or a light diffuser positioned on the wavelength conversion layer 150. Accordingly, the light extraction efficiency of the light emitting device package can be further improved, and the directivity angle can be easily adjusted as needed.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 발광 구조체(110)를 덮는 반사물질(140) 및 반사물질(140)의 하면에 노출된 전극(120)을 포함하는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 이에 따라, 소형화된 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 나아가, 상기 발광소자 패키지는 발광 구조체(110)의 하면 및 측면을 덮는 절연층을 포함하지 않고, 반사물질(140)에 의해 다른 극성의 반도체층 또는 전극 간의 절연구조를 실현함으로써, 절연층 형성으로 인한 신뢰성 감소를 방지할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide the light emitting device package including the reflective material 140 covering the light emitting structure 110 and the electrode 120 exposed on the lower surface of the reflective material 140. Thus, it is possible to provide a light emitting device package that is miniaturized. Further, the light emitting device package does not include the insulating layer covering the lower surface and the side surface of the light emitting structure 110, and the insulating material between the semiconductor layers or electrodes having different polarities is realized by the reflective material 140, It is possible to prevent a decrease in reliability due to the use of the apparatus.

덧붙여, 본 실시예에 있어서, 발광소자 패키지는 플립칩 형태의 발광 구조체를 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 하부로 연장된 전극을 갖는 다른 다양한 형태의 발광 구조체 또는 발광 칩을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 복수의 발광셀을 가지며, 전극이 하부로 연장된 형태의 발광 칩을 이용할 수도 있다.In addition, although the light emitting device package is described as including a light emitting structure in the form of a flip chip, the present invention is not limited thereto, and various other types of light emitting structure or light emitting chip May be used. For example, a light emitting chip having a plurality of light emitting cells and electrodes extending downward may be used.

도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 발광소자 패키지는, 적어도 두 개의 발광 구조체(110), 전극(170), 반사물질(140), 파장변환층(150), 제1 전극 패드(175), 제2 전극 패드(177), 및 배선(135)을 포함한다. 나아가, 상기 발광소자 패키지는 추가 전극(160) 및 절연층(135)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting device package includes at least two light emitting structures 110, an electrode 170, a reflective material 140, a wavelength conversion layer 150, a first electrode pad 175, (177), and a wiring (135). Further, the light emitting device package may further include an additional electrode 160 and an insulating layer 135.

본 실시예의 발광소자 패키지는 도 1의 발광소자 패키지와 대체로 유사하나, 복수의 발광 구조체(10, 20), 제1 및 제2 전극 패드(175, 177), 및 배선(135)을 포함한다는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 상기 발광소자 패키지를 설명한다.The light emitting device package of this embodiment is substantially similar to the light emitting device package of FIG. 1 but includes a plurality of light emitting structures 10 and 20, first and second electrode pads 175 and 177, and a wiring 135 . Hereinafter, the light emitting device package will be described, focusing on differences.

상기 발광소자 패키지는 적어도 두 개의 발광 구조체, 즉 제1 발광 구조체(10) 및 제2 발광 구조체(20)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)는 도 1의 발광 구조체(110)와 대체로 동일하므로, 각각의 반도체층들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 파장 변환층(150) 및 반사물질(140)에 관해서는 도 1을 참조하여 설명한 내용과 대체로 동일하므로, 이하 자세한 설명은 생략한다.The light emitting device package includes at least two light emitting structures, that is, a first light emitting structure 10 and a second light emitting structure 20. Since the first and second light emitting structures 10 and 20 are substantially the same as the light emitting structure 110 of FIG. 1, a detailed description of each semiconductor layer is omitted. Since the wavelength conversion layer 150 and the reflective material 140 are substantially the same as those described with reference to FIG. 1, detailed description thereof will be omitted.

도시된 바와 같이, 제1 발광 구조체(10)와 제2 발광 구조체(20)는 서로 이격되도록 배치된다. 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)의 측면 및 하면은 반사물질(140)에 의해 덮여지고, 또한, 반사물질(140)은 제1 발광 구조체(10)와 제2 발광 구조체(20)의 사이 영역에 채워진다.As shown, the first and second light emitting structures 10 and 20 are spaced apart from each other. The side surfaces and the bottom surface of the first and second light emitting structures 10 and 20 are covered by the reflective material 140 and the reflective material 140 is covered by the first and second light emitting structures 10 and 20, As shown in FIG.

전극(170)은 제1 전극(171) 및 제2 전극(173)을 포함할 수 있다. 제1 전극(171)과 제2 전극(173)은 각각 제1 발광 구조체(10) 및 제2 발광 구조체(20)의 아래에 위치하며, 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)의 하면으로부터 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(171)과 제2 전극(173)의 측면은 반사물질(140)에 의해 덮여질 수 있고, 제1 전극(171)과 제2 전극(173)의 하면은 노출될 수 있다.The electrode 170 may include a first electrode 171 and a second electrode 173. The first electrode 171 and the second electrode 173 are located below the first and second light emitting structures 10 and 20 and are disposed on the lower surface of the first and second light emitting structures 10 and 20, As shown in FIG. The side surfaces of the first electrode 171 and the second electrode 173 may be covered with the reflective material 140 and the lower surfaces of the first electrode 171 and the second electrode 173 may be exposed .

제1 전극(171)은 제1 발광 구조체(10)의 제1 도전형 반도체층(113)의 하면에 접촉되어 서로 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(173)은 제2 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(117)의 하면에 접촉되어 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 171 may be in contact with the lower surface of the first conductive semiconductor layer 113 of the first light emitting structure 10 to be electrically connected to each other and the second electrode 173 may be electrically connected to the second light emitting structure 20, The second conductive semiconductor layer 117 can be electrically connected to the lower surface of the second conductive semiconductor layer 117.

제1 전극 패드(175)는 제1 발광 구조체(10)의 아래에 위치하며, 제1 발광 구조체(10)의 제2 도전형 반도체층(117) 하면에 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다. 유사하게, 제2 전극 패드(177)는 제2 발광 구조체(20)의 아래에 위치하며, 제2 발광 구조체(20)의 제1 도전형 반도체층(113)의 하면에 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode pad 175 is located below the first light emitting structure 10 and may be electrically connected to the bottom surface of the second conductive type semiconductor layer 117 of the first light emitting structure 10. Similarly, the second electrode pad 177 may be located under the second light emitting structure 20 and may be electrically connected to the lower surface of the first conductive semiconductor layer 113 of the second light emitting structure 20 have.

한편, 전극 패드들(175, 177)은 전극(170)에 비해 얇은 두께를 가질 수 있으며, 그 측면 및 하면이 반사물질(140)에 덮이도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 전극 패드들(175, 177)은 발광소자 패키지 외부로 노출되지 않을 수 있다.The electrode pads 175 and 177 may have a thickness smaller than that of the electrode 170, and the side surfaces and the bottom surface of the electrode pads 175 and 177 may be formed to cover the reflective material 140. Accordingly, the electrode pads 175 and 177 may not be exposed to the outside of the light emitting device package.

전극(170) 및 전극 패드들(175, 177)에 관한 설명은 도 1의 전극(120)과 대체로 유사하므로, 이하 자세한 설명은 생략한다.The electrode 170 and the electrode pads 175 and 177 are substantially similar to the electrode 120 shown in FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted.

배선(179)은, 도시된 바와 같이, 제1 발광 구조체(10) 및 제2 발광 구조체(20)의 사이에 위치하여, 제1 전극 패드(175)와 제2 전극 패드(177) 양측에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 배선(179)에 의해 제1 전극 패드(175)와 제2 전극 패드(177)가 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 발광 구조체(10)의 제2 도전형 반도체층(117)과 제2 발광 구조체(20)의 제1 도전형 반도체층(113)이 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 배선(179)은 제1 발광 구조체(10)와 제2 발광 구조체(20)를 직렬 연결할 수 있다.The wiring 179 is disposed between the first and second light emitting structures 10 and 20 so as to be in contact with both the first electrode pad 175 and the second electrode pad 177, . Accordingly, the first electrode pad 175 and the second electrode pad 177 can be electrically connected by the wiring 179, and the second conductive semiconductor layer 117 of the first light emitting structure 10 and the second electrode pad 177 of the first light emitting structure 10 can be electrically connected. The first conductive semiconductor layer 113 of the two light emitting structure 20 may be electrically connected. That is, the wiring 179 can connect the first light emitting structure 10 and the second light emitting structure 20 in series.

배선(179)은 금속을 포함할 수 있으며, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Cu, Cr, Co, Fe, Hf 및 Ta 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. The wiring 179 may include a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Mo, Sn, Ta, Cu, Cr, Co, Ta, or an alloy thereof.

나아가, 배선(179) 하부에 절연층(135)이 더 형성될 수 있고, 절연층(135)은 배선(179)을 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)의 측면으로부터 이격시킨다. 이에 따라, 절연층(135)은 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)의 측면에 배선(179)이 접촉되어 층간 쇼트가 발생하는 것을 방지한다.Further, an insulating layer 135 may be further formed under the wiring 179, and the insulating layer 135 may separate the wiring 179 from the side surfaces of the first and second light emitting structures 10 and 20. Thus, the insulating layer 135 prevents the wiring 179 from contacting the side surfaces of the first and second light emitting structures 10 and 20, thereby preventing the occurrence of an interlayer short circuit.

한편, 상기 절연층(135)은 SiO2, SiNx 등을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 또한, 절연층(135)은 서로 다른 굴절률을 갖는 층들이 교대로 배치된 분포브래그반사기(DBR)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 발광 구조체(10, 20)에서 방출된 광이 절연층(135)에 의해서도 반사될 수 있으므로, 발광소자 패키지의 발광 효율을 더욱 개선할 수 있다.Meanwhile, the insulating layer 135 may include SiO 2 , SiN x , and the like, and may be a single layer or multiple layers. In addition, the insulating layer 135 may comprise a distributed Bragg reflector (DBR) with alternating layers of different refractive indices. In this case, since the light emitted from the first and second light emitting structures 10 and 20 can be reflected by the insulating layer 135, the luminous efficiency of the light emitting device package can be further improved.

도 2의 발광소자 패키지에 따르면, 두 개의 발광 구조체들(10, 20)이 패키지 내에서 서로 직렬로 연결되고, 각각의 발광 구조체들(10, 20)로부터 연장된 전극(120)에 의해 외부로부터 전원을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 더욱 높은 출력을 갖는 발광소자 패키지가 제공될 수 있으며, 복수의 발광 구조체들을 포함하면서도 소형화된 발광소자 패키지가 제공될 수 있다.According to the light emitting device package of Fig. 2, two light emitting structures 10 and 20 are connected in series to each other in a package, and are connected to each other by an electrode 120 extending from each light emitting structure 10, Power can be supplied. Accordingly, a light emitting device package having a higher output can be provided, and a light emitting device package including a plurality of light emitting structures can be provided.

본 실시예에서는 서로 직렬로 연결된 두 개의 발광 구조체들을 포함하는 발광소자 패키지를 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 세 개 이상의 발광 구조체 또는 발광 칩을 포함하는 발광소자 패키지 역시 본 발명의 범위에 포함되며, 또한, 복수의 발광 구조체 또는 발광 칩들이 직렬연결 외에, 병렬, 역병렬, 직렬·병렬 혼합 연결, 직렬·역병렬 혼합 연결된 구성을 포함하는 발광소자 패키지 역시 본 발명의 범위에 포함된다.In the present embodiment, a light emitting device package including two light emitting structures connected in series is described, but the present invention is not limited thereto. That is, a light emitting device package including three or more light emitting structures or light emitting chips is also included in the scope of the present invention, and a plurality of light emitting structures or light emitting chips may be connected in series, parallel connection, A light emitting device package including a series-antiparallel mixed-connected configuration is also included in the scope of the present invention.

도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 지지 기판(210) 상에 복수의 발광 구조체(110)들을 서로 이격되도록 배치한다. Referring to FIG. 3, a plurality of light emitting structures 110 are disposed on a support substrate 210 so as to be spaced apart from each other.

지지 기판(210)은 발광 구조체(110)들을 배치할 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 유리 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판 등일 수 있다.The supporting substrate 210 is not limited as long as it can arrange the light emitting structures 110, and may be, for example, a glass substrate, a sapphire substrate, a ceramic substrate, or the like.

발광 구조체(110)는 도 1을 참조하여 설명한 바와 대체로 동일하므로, 이하, 자세한 설명은 생략한다.The light emitting structure 110 is substantially the same as that described with reference to FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted.

이어서, 도 4를 참조하면, 지지 기판(210) 상에 복수의 발광 구조체(110)들을 덮는 수지(140a)를 형성한다.Referring to FIG. 4, a resin 140a covering the plurality of light emitting structures 110 is formed on the support substrate 210. Referring to FIG.

수지(140a)는 점성을 갖는 물질일 수 있고, 투명하거나 반투명한 물질일 수 있으며, 나아가, 감광성을 가지며, 내열 및 내광 특성을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들어, 수지(140a)는 실리콘, 또는 에폭시, 폴리이미드, 우레탄 등과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. The resin 140a may be a material having a viscosity, and may be a transparent or semitransparent material, and furthermore, a material having photosensitivity and heat and light resistance properties. For example, the resin 140a may comprise silicon or a polymer such as epoxy, polyimide, urethane, and the like.

수지(140a)는 다양한 방법으로 복수의 발광 구조체(110)를 덮도록 지지 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에 있어서, 상기 수지(140a)는 실리콘을 포함하는 감광성 수지일 수 있고, 이러한 수지(140a)는 지지 기판(210) 상에 도포됨으로써 형성될 수 있다. 수지(140a)가 지지 기판(210) 상에 도포되어, 복수의 발광 구조체(110)의 상면 및 측면을 덮을 수 있고, 또한, 발광 구조체(110)들 사이의 영역에 채워질 수 있다. 이에 따라, 도포된 수지(140a)의 상면은 대체로 편평하게 형성될 수 있다.The resin 140a may be formed on the supporting substrate 210 so as to cover the plurality of the light emitting structures 110 in various ways. For example, in the present embodiment, the resin 140a may be a photosensitive resin containing silicon, and such resin 140a may be formed by being coated on the support substrate 210. [ The resin 140a may be applied on the support substrate 210 to cover the top and side surfaces of the plurality of the light emitting structures 110 and may also be filled in the area between the light emitting structures 110. [ Accordingly, the upper surface of the applied resin 140a can be formed to be generally flat.

나아가, 수지(140a)는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 필러는 상기 수지 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다.Further, the resin 140a may further include a filler (not shown) capable of reflecting or scattering light. The filler can be uniformly dispersed in the resin. The filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light, and may be, for example, titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ) or the like.

도 5를 참조하면, 수지(140a)를 부분적으로 제거하여, 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)을 형성함으로써, 적어도 두 개의 홀을 포함하는 반사물질(140)을 형성한다.5, the resin 140a is partly removed to form the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a, thereby forming the reflective material 140 including at least two holes .

수지(140a)를 부분적으로 제거하는 것은 다양한 방법을 통해서 수행될 수 있다. 예를 들어, 수지(140a)가 감광성 물질을 포함하는 경우, 상기 감광성 물질은 양성 감광성 물질일 수 있고, 또는 음성 감광성 물질일 수 있다. 수지(140a)가 양성 감광성 물질을 포함하는 경우, 전극 형성 영역들(121a, 123a)을 제외한 다른 영역의 상면을 덮는 마스크 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 수지(140a)에 자외선광을 조사하고, 마스크 패턴에 덮이지 않은 영역을 화학 물질을 이용하여 제거함과 아울러, 잔류하는 수지(140a)를 경화시키면, 도 5에 도시된 바와 같은 반사물질(140) 및 전극 형성 영역들(121a, 123a)이 형성될 수 있다. 또는, 이와 반대로, 수지(140a)가 음성 감광성 물질을 포함하는 경우, 전극 형성 영역들(121a, 123a) 상면을 덮는 마스크 패턴을 형성하고, 수지(140a)에 자외선광을 조사하면, 노광된 부분이 경화된다. 이 후, 마스크 패턴에 덮여있던 부분의 수지(140a)를 화학 물질을 이용하여 제거하면, 전극 형성 영역들(121a, 123a)이 형성될 수 있다. 상기와 같은 방법을 통해서, 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)에 대응하는 적어도 두 개의 홀을 갖는 반사물질(140)이 제공될 수 있다.The partial removal of the resin 140a can be performed through various methods. For example, when the resin 140a includes a photosensitive material, the photosensitive material may be a positive photosensitive material, or may be a negative photosensitive material. When the resin 140a includes a positive photosensitive material, a mask pattern is formed to cover the upper surface of the other region except for the electrode forming regions 121a and 123a. Subsequently, the resin 140a is irradiated with ultraviolet light, and a region not covered with the mask pattern is removed by using a chemical and the remaining resin 140a is cured. As a result, (140) and electrode formation regions (121a, 123a) may be formed. Alternatively, when the resin 140a includes a negative photosensitive material, a mask pattern covering the upper surface of the electrode formation regions 121a and 123a is formed. When the resin 140a is irradiated with ultraviolet light, Is hardened. Thereafter, when the resin 140a covered with the mask pattern is removed using a chemical, the electrode forming regions 121a and 123a can be formed. Through such a method, a reflective material 140 having at least two holes corresponding to the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a may be provided.

다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에 다양한 방법으로 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)에 대응하는 홀을 갖는 반사물질(140)을 형성하는 것 역시 본 발명의 범위에 포함된다. 예를 들어, 수지(140a)를 열경화 또는 자외선 경화 등의 방법으로 경화시킨 후, 건식 식각 등을 통해서 수지(140a)를 부분적으로 제거하여 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)을 형성할 수도 있다. 또 다른 예로서, 수지(140a)를 형성한 후, 펀칭 공정을 통해서 수지(140a)의 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)에 대응하는 부분에 홀을 형성하여 반사물질(140)을 형성할 수도 있다. 이외에 다양한 공지의 기술이 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)을 형성하는 공정에 적용될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible to form the reflective material 140 having holes corresponding to the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a by various methods, . For example, after the resin 140a is cured by a method such as thermal curing or ultraviolet curing, the resin 140a is partially removed through dry etching or the like to form the first electrode forming region 121a and the second electrode forming region 121a, (123a) may be formed. As another example, after the resin 140a is formed, a hole is formed in a portion corresponding to the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a of the resin 140a through a punching process, Material 140 may also be formed. In addition, various known techniques can be applied to the process of forming the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a.

제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)에 의해, 각각의 발광 구조체(110)의 제1 도전형 반도체층(113) 및 제2 도전형 반도체층(117)의 상면이 부분적으로 노출될 수 있다. The upper surfaces of the first conductivity type semiconductor layer 113 and the second conductivity type semiconductor layer 117 of each light emitting structure 110 are formed by the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a, Can be partially exposed.

이어서, 도 6을 참조하면, 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)을 채우는 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)을 형성한다. 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)은 도금, 전자선 증착(E-beam evaporation), 또는 스퍼터링 등과 리프트 오프를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 전극 형성 영역들(121a, 123a)을 제외한 다른 부분의 반사물질(140) 상에 마스크를 형성하고, 도금 및/또는 전자선 증착을 통해 제1 전극(121)과 제2 전극(123)을 형성한 후, 마스크를 제거하는 공정을 이용할 수 있다. 이와 달리, 전도성 페이스트를 제1 전극 형성 영역(121a) 및 제2 전극 형성 영역(123a)에 도포하고, 이를 경화시킨 후 전극들(121, 123)을 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 6, a first electrode 121 and a second electrode 123 filling the first and second electrode formation regions 121a and 123a are formed. The first electrode 121 and the second electrode 123 may be formed by plating, E-beam evaporation, sputtering, or the like and lift-off. For example, a mask may be formed on the reflective material 140 of another portion except for the electrode formation regions 121a and 123a, and a first electrode 121 and a second electrode 123 may be formed through plating and / And then removing the mask can be used. Alternatively, the conductive paste may be applied to the first electrode formation region 121a and the second electrode formation region 123a, and then the electrodes 121 and 123 may be formed after the conductive paste is cured.

제1 전극(121) 및 제2 전극(123)의 상면은 반사물질(140)의 상면과 대체로 나란하게(flush) 형성될 수 있다. 이에 따라, 후속 공정에서 추가전극들(160)를 형성하는 공정이 용이해질 수 있다.The upper surface of the first electrode 121 and the upper surface of the second electrode 123 may be flush with the upper surface of the reflective material 140. Accordingly, the process of forming additional electrodes 160 in a subsequent process can be facilitated.

도 7을 참조하면, 발광 구조체(110)들로부터 지지 기판(210)을 제거하고, 파장변환층(150)을 형성한다. 도 7은 도 6의 도면과 비교하여 상하가 반전되어 도시되어 있다. 따라서, 이하 설명에 있어서, 상하의 개념은 도 3 내지 도 6의 상하 개념과는 반대로 이해될 수 있다.Referring to FIG. 7, the support substrate 210 is removed from the light emitting structures 110, and the wavelength conversion layer 150 is formed. Fig. 7 is shown inverted upside down compared with the Fig. Therefore, in the following description, the concept of the up and down can be understood as contrary to the concept of the up and down of Fig. 3 to Fig.

파장변환층(150)은 발광 구조체(110)들의 기판(111) 및 반사물질(140) 상에 형성될 수 있다. 파장변환층(150)은 형광체 및 레진을 포함할 수 있고, 형광체가 레진에 균일하게 분산 배치되어 있을 수 있다. 또한, 파장변환층(150)은 형광체 및 세라믹 물질을 포함할 수도 있다.The wavelength conversion layer 150 may be formed on the substrate 111 of the light emitting structure 110 and the reflective material 140. The wavelength conversion layer 150 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be uniformly dispersed in the resin. In addition, the wavelength conversion layer 150 may include a phosphor and a ceramic material.

파장변환층(150) 내부에 형광체가 균일하게 배치된 레진을 기판(111) 및 반사물질(140) 상에 도포한 후, 이를 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 파장변환층(150)은 내부에 형광체가 균일하게 배치된 세라믹 시트를 기판(111) 및 반사물질(140) 상에 접착함으로써 형성될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.A resin in which phosphors are uniformly disposed in the wavelength conversion layer 150 may be coated on the substrate 111 and the reflective material 140 and then cured. Alternatively, the wavelength conversion layer 150 may be formed by adhering a ceramic sheet having phosphors uniformly disposed therein to the substrate 111 and the reflective material 140. However, the present invention is not limited thereto.

이어서, 도 8을 참조하면, 발광 구조체(110)들 사이의 다이싱 라인(S1)을 따라 파장변환층(150) 및 반사물질(140)을 분할하여, 발광 구조체(110)들을 서로 분리한다.8, the wavelength conversion layer 150 and the reflective material 140 are divided along the dicing line S1 between the light emitting structures 110 to separate the light emitting structures 110 from each other.

이 후에, 추가적으로 제1 추가 전극(161) 및 제2 추가 전극(163)을 각각 제1 전극(121) 및 제2 전극(123) 아래에 형성하여, 서로 전기적으로 연결시키면, 도 1에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지가 제공된다. 한편, 제1 추가 전극(161) 및 제2 추가 전극(163)의 형성 시점은 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)의 형성하는 것과 동시에 형성할 수도 있다.Thereafter, the first additional electrode 161 and the second additional electrode 163 are formed below the first electrode 121 and the second electrode 123, respectively, and are electrically connected to each other. As a result, A light emitting device package such as the one shown in Fig. The first additional electrode 161 and the second additional electrode 163 may be formed at the same time when the first electrode 121 and the second electrode 123 are formed. It is possible.

상기 실시예의 제조 방법에 따르면, 적어도 두 개의 홀을 포함하는 반사물질(140)을 발광 구조체(110)의 측면 및 하면을 덮도록 형성함으로써, 전극 간 및 반도체층간의 전기적 절연을 구현할 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(110)의 측면 및/또는 하면을 덮는 절연층을 형성하는 공정을 생략할 수 있어서, 발광소자 패키지 제조 공정이 단순화될 수 있고, 비용이 절감될 수 있다. 또한, 파장변환층(150)을 복수의 발광 구조체(110)가 배열된 상태에서 간단하게 형성할 수 있으므로, 종래의 형광체 물질 형성 공정에서의 좌표 수율이 저하되는 문제가 해결될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지 제조 공정 수율이 개선될 수 있으며, 불량이 감소하여 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다. According to the manufacturing method of the embodiment, electrical insulation between the electrodes and between the semiconductor layers can be realized by forming the reflective material 140 including at least two holes to cover the side surface and the bottom surface of the light emitting structure 110. Accordingly, the step of forming the insulating layer covering the side surface and / or the bottom surface of the light emitting structure 110 can be omitted, so that the manufacturing process of the light emitting device package can be simplified and the cost can be reduced. In addition, since the wavelength conversion layer 150 can be easily formed in a state in which the plurality of the light emitting structures 110 are arranged, the problem of lowering the coordinate yield in the conventional phosphor material forming process can be solved. Accordingly, the yield of the light emitting device package manufacturing process can be improved, and the reliability of the light emitting device package can be improved by reducing the defects.

나아가, 본 발명의 발광소자 패키지는 전극이 발광 구조체의 아래에 형성된 경우이면, 어느 경우에서도 적용될 수 있다. 따라서, 발광 구조체 또는 발광 칩의 종류에 관계없이 소형 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.Furthermore, the light emitting device package of the present invention can be applied to any case where electrodes are formed under the light emitting structure. Therefore, the light emitting device package can be provided regardless of the type of the light emitting structure or the light emitting chip.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 9의 발광소자 패키지 제조 방법은 도 3 내지 도 8을 참조하여 설명한 실시예와 대체로 유사하다. 다만, 도 3과 같이 발광 구조체(110)들을 지지 기판(210) 상에 배열하지 않고, 도 9에 도시된 바와 같이 발광 구조체(110)들을 파장변환층(250) 상에 배열한 후, 도 4 내지 도 8의 공정을 수행하는 점에서 차이가 있다.The light emitting device package manufacturing method of FIG. 9 is substantially similar to the embodiment described with reference to FIGS. 9, after the light emitting structures 110 are arranged on the wavelength conversion layer 250, as shown in FIG. 9, without arranging the light emitting structures 110 on the supporting substrate 210 as shown in FIG. 3, And the process of FIG. 8 is carried out.

상기 파장변환층(250)은 형광체를 포함할 수 있으며, 또한, 발광 구조체(110)들을 지지할 수 있는 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환층(250)은 세라믹 형광체 시트일 수 있다.The wavelength conversion layer 250 may include a phosphor and may include a ceramic material capable of supporting the light emitting structures 110. For example, the wavelength conversion layer 250 may be a ceramic phosphor sheet.

본 실시예에 따르면, 반사물질(140) 및 전극(120) 형성 후, 지지 기판(210)을 분리하고 파장변환층(150)을 발광 구조체(110)들 상에 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 발광소자 패키지 제조 공정이 더욱 단순화될 수 있으며, 비용을 절감할 수 있다.The process of separating the supporting substrate 210 and forming the wavelength conversion layer 150 on the light emitting structures 110 may be omitted after the reflective material 140 and the electrode 120 are formed . Accordingly, the manufacturing process of the light emitting device package of the present invention can be further simplified, and the cost can be reduced.

도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.10 and 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

본 실시예의 발광소자 패키지 제조 방법은, 도 3 내지 도 8의 발광소자 패키지 제조 방법과 대체로 유사하나, 전극(120)을 먼저 형성한 후, 반사물질(140)을 형성하는 점에서 차이가 있다. 따라서, 도 4 내지 도 6을 도 10 및 도 11로 대체하면, 본 실시예의 발광소자 패키지 제조 방법과 같다. 이하, 차이점을 중심으로 설명한다.The light emitting device package manufacturing method of this embodiment is substantially similar to the light emitting device package manufacturing method of FIGS. 3 to 8 except that the electrode 120 is first formed and then the reflective material 140 is formed. Therefore, replacing FIGS. 4 to 6 with FIGS. 10 and 11 is the same as the method of manufacturing the light emitting device package of this embodiment. Hereinafter, differences will be mainly described.

도 10을 참조하면, 각각의 발광 구조체(110) 상에 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)을 형성한다. 제1 전극(121)은 제1 도전형 반도체층(113)이 노출된 영역 상에 형성될 수 있고, 제2 전극(123)은 제2 도전형 반도체층(117) 상에 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(121)과 제2 전극(123)의 상면은 대체로 동일한 높이를 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10, a first electrode 121 and a second electrode 123 are formed on the respective light emitting structure 110. The first electrode 121 may be formed on the exposed region of the first conductive type semiconductor layer 113 and the second electrode 123 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 117. In addition, the upper surfaces of the first electrode 121 and the second electrode 123 may be formed to have substantially the same height.

제1 전극(121) 및 제2 전극(123)은 도금, 전자선 증착(E-beam evaporation), 또는 스퍼터링 등과 리프트 오프를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 전극이 형성될 영역 제외한 다른 부분의 발광 구조체(110) 및 지지 기판(210)의 상면을 덮는 마스크를 형성하고, 도금 및/또는 전자선 증착을 통해 제1 전극(121)과 제2 전극(123)을 형성한 후, 마스크를 제거하는 공정을 이용할 수 있다.The first electrode 121 and the second electrode 123 may be formed by plating, E-beam evaporation, sputtering, or the like and lift-off. For example, a mask may be formed to cover the upper surface of the light emitting structure 110 and the supporting substrate 210, except for the region where the electrode is to be formed, and the first electrode 121 and the second electrode 121 may be formed by plating and / After the electrode 123 is formed, a step of removing the mask can be used.

이어서, 도 11을 참조하면, 전극들(121, 123) 및 발광 구조체(110)들 사이의 영역을 채우는 반사물질(140)을 형성한다. 반사물질(140)은 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 도포 후 경화 공정을 거쳐 형성될 수 있다. 반사물질(140) 형성 방법은 도 3 내지 도 8의 실시예와 대체로 유사하므로, 자세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 11, a reflective material 140 filling the region between the electrodes 121 and 123 and the light emitting structure 110 is formed. The reflective material 140 may be formed in a variety of ways, for example, through a post-application curing process. The method of forming the reflective material 140 is substantially similar to that of the embodiments of FIGS. 3 to 8, and thus a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에 따르면, 반사물질(140) 형성 과정에서 전극 형성 영역(121a, 123a)을 정의하기 위한 적어도 두 개의 홀을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지 제조 공정이 더욱 단순화될 수 있다.According to the present embodiment, the process of forming at least two holes for defining the electrode forming regions 121a and 123a in the process of forming the reflective material 140 may be omitted. Accordingly, the manufacturing process of the light emitting device package can be further simplified.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Variations and changes are possible.

Claims (16)

제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체;
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 연결되며, 상기 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 및
상기 발광 구조체의 하면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극의 하면은 노출된 발광소자 패키지.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first electrode and a second electrode electrically connected to the first and second conductivity type semiconductor layers and extending downward from a lower surface of the light emitting structure; And
And a reflective material covering the lower surface and the side surface of the light emitting structure and the side surfaces of the first and second electrodes,
And the lower surfaces of the first and second electrodes are exposed. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 구조체는, 그 상부에 위치하는 기판을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure further includes a substrate disposed on the light emitting structure. 청구항 2에 있어서,
상기 기판은 경사진 측면을 갖는 발광소자 패키지.The method of claim 2,
Wherein the substrate has an inclined side surface. 청구항 3에 있어서,
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층은 경사진 측면을 갖는 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the first and second conductivity type semiconductor layers and the active layer have inclined side surfaces. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 구조체 상에 위치하는 파장변환층을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And a wavelength conversion layer disposed on the light emitting structure. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 추가 전극, 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 추가 전극을 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 추가 전극은 상기 반사물질의 하면 상에 위치하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Further comprising a first additional electrode electrically connected to the first electrode and a second additional electrode electrically connected to the second electrode,
Wherein the first and second additional electrodes are positioned on a lower surface of the reflective material. 청구항 1에 있어서,
상기 반사물질은 절연성을 갖는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflective material has an insulating property. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 발광 구조체;
상기 복수의 발광 구조체 중 하나의 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하나의 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제1 전극;
상기 복수의 발광 구조체 중 또 다른 하나의 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 또 다른 하나의 발광 구조체의 하면으로부터 아래로 연장되어 형성된 제2 전극; 및
상기 복수의 발광 구조체의 하면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 포함하고,
상기 복수의 발광 구조체들은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2 전극의 하면은 노출된 발광소자 패키지.A plurality of light emitting structures including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first electrode electrically connected to one of the plurality of light emitting structures and extending downward from a lower surface of the one light emitting structure;
A second electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer of another one of the plurality of light emitting structures and extending downward from the lower surface of the another one of the light emitting structures; And
And a reflective material covering a bottom surface and a side surface of the plurality of light emitting structures and a side surface of the first and second electrodes,
Wherein the plurality of light emitting structures are electrically connected to each other, and the lower surfaces of the first and second electrodes are exposed. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 지지 기판 상에 서로 이격되도록 복수개 배열하고;
상기 발광 구조체들의 상면 및 측면을 덮으며, 적어도 두 개의 홀을 포함하는 반사물질을 형성하되, 상기 홀들에 의해 상기 발광 구조체의 상면의 일부가 노출되고;
상기 적어도 두 개의 홀을 채우는 제1 및 제2 전극을 형성하고; 및
상기 발광 구조체들 사이의 반사물질을 분할하여, 서로 분리시키는 것을 포함하되,
상기 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 발광소자 패키지 제조 방법.A plurality of light emitting structures including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are arranged on a support substrate so as to be spaced apart from each other;
Forming a reflective material covering at least two holes on an upper surface and side surfaces of the light emitting structures, wherein a part of the upper surface of the light emitting structure is exposed by the holes;
Forming first and second electrodes filling the at least two holes; And
And separating and separating the reflective material between the light emitting structures,
Wherein the first and second electrodes are electrically connected to the first and second conductive type semiconductor layers, respectively. 청구항 9에 있어서,
상기 발광 구조체들을 서로 분리시키기 전에,
상기 지지 기판을 상기 발광 구조체들로부터 분리하고,
상기 발광 구조체들 하면 상에 파장변환층을 접착하는 것을 더 포함하되,
상기 반사물질을 분할하는 것과 아울러, 파장변환층이 분할되는 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 9,
Before separating the light emitting structures from each other,
Separating the support substrate from the light emitting structures,
Further comprising bonding a wavelength conversion layer on the lower surface of the light emitting structures,
Wherein the reflective material is divided and the wavelength conversion layer is divided. 청구항 10에 있어서,
상기 반사물질을 형성하는 것은,
상기 지지 기판 상에 수지를 도포하고,
상기 수지를 상하로 관통하는 적어도 두 개의 홀을 형성함과 아울러, 상기 수지를 경화시켜 반사물질을 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 10,
The formation of the reflective material may include,
Applying a resin on the support substrate,
Forming at least two holes penetrating the resin up and down, and curing the resin to form a reflective material. 청구항 11에 있어서,
상기 수지는 감광성 수지를 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 11,
Wherein the resin comprises a photosensitive resin. 청구항 9에 있어서,
상기 지지 기판은 파장변환층인 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 9,
Wherein the supporting substrate is a wavelength conversion layer. 청구항 13에 있어서,
상기 파장변환층은 형광체 및 세라믹을 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the wavelength conversion layer comprises a phosphor and a ceramic. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극이 노출된 하면 상에 각각 제1 추가 전극 및 제2 추가 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 9,
Further comprising forming a first additional electrode and a second additional electrode on the bottom surface of the first electrode and the second electrode, respectively. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 지지 기판 상에 서로 이격되도록 복수 개 배열하고;
상기 발광 구조체 상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하되, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고;
상기 발광 구조체들의 상면과 측면 및 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 덮는 반사물질을 형성하고;
상기 발광 구조체들 사이의 반사물질을 분할하여, 서로 분리시키는 것을 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
A plurality of light emitting structures including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer are arranged on a support substrate so as to be spaced apart from each other;
A first electrode and a second electrode are formed on the light emitting structure, the first electrode is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, and the second electrode is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer Being;
Forming a reflective material covering the upper and side surfaces of the light emitting structures and the side surfaces of the first and second electrodes;
And separating and separating the reflective material between the light emitting structures.
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