KR20160040856A - 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법 - Google Patents

복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법 Download PDF

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KR20160040856A
KR20160040856A KR1020140134287A KR20140134287A KR20160040856A KR 20160040856 A KR20160040856 A KR 20160040856A KR 1020140134287 A KR1020140134287 A KR 1020140134287A KR 20140134287 A KR20140134287 A KR 20140134287A KR 20160040856 A KR20160040856 A KR 20160040856A
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Abstract

본 발명은 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법에 관한 것으로서, 1차로 원심분리하여 거대입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 미세입자를 효과적으로 제거하거나, 1차로 원심분리하여 미세입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 거대입자를 제거함으로써, 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 거대입자 및 미세입자로 인해 수율 저하의 가장 큰 요인 중의 하나로 인식되는 되는 스크래치 및 결함을 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 장점이 있다. 또한, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용과 그에 부응하는 연마율, 연마 선택비, 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU), 마이크로-스크래치 최소화에 대한 우수한 결과를 달성할 수 있다.

Description

복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD OF SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING USING MULTIPLE TIMES CENTRIFUGATION}
본 발명은 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 다양해지고 고집적화됨에 따라 더욱 미세한 패턴 형성 기술이 사용되고 있으며, 그에 따라 반도체 소자의 표면 구조가 더욱 복잡해지고 표면 막들의 단차도 더욱 커지고 있다. 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 기판 상에 형성된 특정한 막에서의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 CMP(chemical mechanical polishing) 공정이 이용된다. 예를 들어, 층간 절연을 위해 과량으로 성막된 절연막을 제거하기 위한 공정으로 ILD(interlayer dielectronic)와, 칩(chip)간 절연을 하는 STI(shallow trench isolation)용 절연막의 평탄화를 위한 공정 및 배선, 컨택 플러그, 비아 컨택 등과 같은 금속 도전막을 형성하기 위한 공정으로서 많이 사용되고 있다.
CMP 공정에 있어서 연마 속도, 연마 표면의 평탄화도, 스크래치의 발생 정도가 중요하며, CMP 공정 조건, 슬러리의 종류, 연마 패드의 종류 등에 의해 결정된다. 특히 스크래치의 발생과 직접 관련이 있는 거대입자의 제거는 더욱 중요한 기술이라 할 수 있는데, 이러한 스크래치 감소를 위해 연마입자의 평균 입경을 감소시키게 되면 연마량의 감소로 생산량이 감소하는 문제점이 나타나게 된다. 따라서, CMP 공정용으로는 상기의 연마속도, 분산안정성, 스크래치 등을 고려하여 적정크기 및 분포를 가지는 연마입자가 요구된다. 또한 입자 분포가 좁고 균일하게 분포되어 있다고 해도 미량의 거대입자 및 미세입자가 존재하는 경우가 있다면 스크래치의 발생을 줄이는데 한계가 있으므로 거대입자 및 미세입자를 완전하게 제거하는 것이 바람직하다. 연마용 슬러리 조성물 중에 미량이라도 거대입자 및 미세입자가 포함되어 있기 때문에, 스크래치가 적지 않게 유발되어 CMP 공정과 이후의 STI 공정에서 수율을 저하시키는 문제가 있어 거대입자 및 미세입자를 제거할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 거대입자 및 미세입자로 인해 발생하는 스크래치 및 결함을 감소시켜 CMP 공정에서 요구되는 연마속도, 분산 안정성 외에도 특히 웨이퍼의 평탄도를 우수하게 하고, 스크래치 발생률을 현저히 감소시킬 수 있는 복수회 원심분리를 이용하여 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계; 상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계; 상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계; 및 상기 거대입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계;를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계; 상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계; 상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계; 및 상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계;를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 제공한다.
상기 세륨염은, 세륨의, 탄산염, 질산염, 질산암모늄염, 황산염, 염화염, 초산염 및 인산염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 거대입자를 제거하는 단계는, 상기 원심분리의 상청액을 취하는 것이고, 상기 미세입자를 제거하는 단계는, 상기 원심분리의 침전액을 취하는 것일 수 있다.
상기 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계는, 500 내지 1000℃의 온도에서 수행하는 것일 수 있다.
상기 연마입자를 형성하는 단계 이후에, 상기 연마입자를 분쇄하는 단계;를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 거대입자를 제거하는 단계는, rN2/894 = 500 G 내지 3000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것일 수 있다.
상기 미세입자를 제거하는 단계는, rN2/894 = 3000 G 내지 6000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것일 수 있다.
상기 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 60 nm 내지 350 nm이고, 상기 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 40 nm 내지 320 nm인 것일 수 있다.
상기 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 40 nm 내지 320 nm이고, 상기 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 50 nm 내지 350 nm인 것일 수 있다.
상기 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 60 nm 내지 350 nm이고, 상기 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 70 nm 내지 380 nm인 것일 수 있다.
상기 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 70 nm 내지 380 nm이고, 상기 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 50 nm 내지 350 nm인 것일 수 있다.
상기 미세입자를 제거하는 단계 이후에, 상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물을 탈이온수 또는 분산제에 재분산시키는 단계;를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 2차 원심분리 단계 이후에, 연마입자를 복수회 원심분리하여 추가 미세입자를 제거하는 n차 원심분리 단계 (n은 3 이상의 정수);를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법은, 1차로 원심분리하여 거대입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 미세입자를 효과적으로 제거하거나 1차로 원심분리하여 미세입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 거대입자를 제거함으로써, 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 거대입자 및 미세입자로 인해 수율 저하의 가장 큰 요인 중의 하나로 인식되는 되는 스크래치 및 결함을 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 장점이 있다. 또한, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용과 그에 부응하는 연마율, 연마 선택비, 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU), 마이크로-스크래치 최소화에 대한 우수한 결과를 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계; 상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계; 상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계; 및 상기 거대입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계;를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제2측면에 따르면, 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계; 상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계; 상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계; 및 상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계;를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법은, 먼저, 1차로 원심분리하여 거대입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 미세입자를 제거하는 것일 수 있고, 먼저 1차로 원심분리하여 미세입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 거대입자를 제거하는 것일 수도 있다.
거대입자를 제거할 때는 원심분리 침전물은 버리고 남아있는 상청액을 취하는 것이고, 미세입자를 제거할 때는 상청액을 버리고 남아있는 원심분리 침전물에 탈이온수 또는 분산제를 넣어 재분산시키는 것일 수 있다. 따라서, 공정 상 차이가 있으며, 각각의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조방법에서 미세입자를 제거할 때는 원심분리 침전물을 사용하므로 미세입자를 제거하는 단계 이후에, 상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물을 탈이온수나 분산제에 재분산시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법은 연마량을 감소시키지 않으면서도 1차로 원심분리하여 거대입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 미세입자를 제거하거나, 1차로 원심분리하여 미세입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 거대입자를 제거함으로써, 연마 시 스크래치 및 결함(defect) 저감뿐만 아니라 발생하는 스크래치 및 결함의 크기를 감소시킴으로써 스크래치 및 결함으로 인한 불량률을 최소로 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 설명한다. 도 1은 1차로 거대입자를 제거하고, 2차로 미세입자를 제거하는 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성할 수 있다 (S110).
상기 세륨염은, 세륨의, 탄산염, 질산염, 질산암모늄염, 황산염, 염화염, 초산염 및 인산염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 바람직하게는 세륨의 탄산염이 사용될 수 있다.
상기 세륨염 전구체를 하소하여 연마용 슬러리 조성물을 형성하는 단계는, 500 내지 1000℃의 온도에서 수행하는 것일 수 있다.
원하는 입자 분포에 맞추어 반응기를 설계하고, 반응 온도 및 반응 압력을 유체의 주입 속도, 주입 위치, 주입 농도 등과 함께 적절하게 조절하여 반응시킬 수 있다.
상기 연마입자를 형성하는 단계 이후에, 상기 연마입자를 분쇄하는 단계 (S120)를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 분쇄 단계는 뭉쳐있는(agglomerate) 상태로 비교적 약하게 응집되어 있는 연마입자를 원하는 입경으로 분쇄하는 단계로서, 입자 크기, 균일성 및 분산 안정성 정도를 조절하기 위한 단계이다. 상기 분쇄 단계는 비드(bead) 밀링 또는 초음파(ultrasonic) 밀링으로 수행할 수도 있으나, 제트(jet) 밀링으로 수행하는 것이 바람직할 수 있다. 제트 밀링은 연마입자 분산액 내의 연마입자를 대향 충돌시켜 깨뜨리는 방식으로서, 슬러리 오염의 원인이 적고, 전체적으로 균일한 충격량을 가할 수 있어 균일한 크기로 입자 분쇄가 가능하며, 생산성이 우수하다는 장점이 있다. 상기 분쇄는 나노 마이저(Nanomizer), 마이크로플루다이저(Microfluidizer), 얼티마이저(Ultimizer) 등의 다양한 제트 분쇄 장비를 사용하여 수행할 수 있다.
이어서, 상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비할 수 있다 (S130).
상기 슬러리 조성물은 탈이온수 또는 분산제를 포함할 수 있다.
이어서, 상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 거대입자를 제거할 수 있다 (S140).
원심분리는 현탁액에 부유하고 있는 밀집한 고체성분은 중력 등 외부의 힘이 가해지는 경우, 질량에 따라 이동속도가 상이한 원리를 이용하여, 질량의 크기대로 고체성분을 분류하는 공정으로서, 연마 시 스크래치를 유발하는 거대입자 및 미세입자를 제거하기 위해 원심분리를 이용하여 분급한다.
연마입자는 그 모양 및 크기가 다양하여, 화학 기계적 연마 공정 시 웨이퍼의 연마 균일도 및 연마 평탄도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 원심분리로 분급을 수행할 수 있다. 원심분리는 현탁액에 부유하고 있는 밀집한 고체성분은 중력 등 외부의 힘이 가해지는 경우, 그 이동속도가 질량에 따라 상이하다는 원리를 이용하여, 질량의 크기대로 고체성분을 분류하는 공정이다. 이와 같은 원심분리는 원심분리기를 사용하여 수행할 수 있다. 상기 원심분리 공정은 2분 내지 30분의 회전시간으로 원심분리하는 것일 수 있다.
상기 거대입자를 제거하는 단계는 상기 원심분리 침전물은 버리고 남아있는 상청액을 취하는 것이고, 상기 미세입자를 제거하는 단계는 상청액을 버리고 남아있는 원심분리 침전물에 탈이온수 또는 분산제를 넣어 재분산시키는 것으로 공정 상 차이가 있으며, 미세입자를 제거할 때는 원심분리 침전물을 사용하므로 상기 미세입자를 제거하는 단계 이후에, 상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물을 탈이온수 또는 분산제에 재분산시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면 원심분리하여 거대입자를 제거하고 나서는 연마입자의 평균사이즈가 감소하는 경향이 있고, 원심분리하여 미세입자를 제거하고 나서는 연마입자의 평균사이즈가 증가하는 경향이 있다.
상기 거대입자를 제거하는 단계는, rN2/894 = 500 G 내지 3000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것일 수 있다. 상대원심력 (relative centrifugal force: RCF)의 크기가 500 G 미만인 경우 작은 연마용 슬러리 조성물들을 분급하는데 과도한 시간이 소요되어 생산성이 저하될 염려가 있고, 3000 G 초과인 경우 생산 수율이 많이 저하되는 문제점이 있다.
상기 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 60 nm 내지 350 nm이고, 상기 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 40 nm 내지 320 nm인 것일 수 있다. 본 발명에서 연마입자의 평균직경을 측정하는 장비는 LA-910일 수 있다.
이어서, 상기 거대입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 미세입자를 제거할 수 있다 (S150).
상기 미세입자를 제거하는 단계는, rN2/894 = 3000 G 내지 6000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것일 수 있다. 상대원심력 (relative centrifugal force: RCF)의 크기가 3000 G 미만인 경우 작은 연마입자들을 분급하는데 과도한 시간이 소요되어 생산성이 저하될 염려가 있고, 6000 G 초과인 경우 생산 수율이 많이 저하되는 문제점이 있다.
상기 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 40 내지 320 nm이고, 상기 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 50 내지 350 nm인 것일 수 있다.
먼저, 1차로 미세입자를 제거하고, 2차로 거대입자를 제거하는 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법에서는, 상기 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 60 nm 내지 350 nm이고, 상기 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 70 nm 내지 380 nm인 것일 수 있다.
상기 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 전 연마입자의 평균직경은 70 nm 내지 380 nm이고, 상기 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계 후 연마입자의 평균직경은 50 nm 내지 350 nm인 것일 수 있다.
이어서, 필요에 따라 상기 2차 원심분리 단계 후, 연마입자를 복수회 원심분리하여 추가 미세입자를 제거하는 n차 원심분리 단계 (n은 3 이상의 정수) (S160)를 더 포함할 수 있다. 복수회 원심분리하여, 추가적으로 거대입자 및/또는 미세입자를 제거할 수 있으며, 원심분리 횟수는 필요한 조건의 연마입자의 평균직경이 분급될 때까지 수행할 수 있다. 이에 따라, 연마 균일도 및 연마 평탄도를 향상시킬 수 있는 연마용 슬러리 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법은, 1차로 원심분리하여 거대입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 미세입자를 효과적으로 제거하거나, 1차로 원심분리하여 미세입자를 제거하고, 2차로 원심분리하여 거대입자를 제거함으로써, 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 거대입자 및 미세입자로 인해 수율 저하의 가장 큰 요인 중의 하나로 인식되는 되는 스크래치 및 결함을 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 장점이 있다. 또한, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용과 그에 부응하는 연마율, 연마 선택비, 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU), 마이크로-스크래치 최소화에 대한 우수한 결과를 달성할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (10)

  1. 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계;
    상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계;
    상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계; 및
    상기 거대입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계;
    를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  2. 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계;
    상기 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 준비하는 단계;
    상기 슬러리 조성물로부터 1차 원심분리하여 미세입자를 제거하는 단계; 및
    상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물로부터 2차 원심분리하여 거대입자를 제거하는 단계;
    를 포함하는 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세륨염은, 세륨의, 탄산염, 질산염, 질산암모늄염, 황산염, 염화염, 초산염 및 인산염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 거대입자를 제거하는 단계는, 상기 원심분리의 상청액을 취하는 것이고,
    상기 미세입자를 제거하는 단계는, 상기 원심분리의 침전액을 취하는 것인, 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세륨염 전구체를 하소하여 연마입자를 형성하는 단계는, 500 내지 1000℃의 온도에서 수행하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 연마입자를 형성하는 단계 이후에,
    상기 연마입자를 분쇄하는 단계;
    를 더 포함하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 거대입자를 제거하는 단계는,
    rN2/894 = 500 G 내지 3000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 미세입자를 제거하는 단계는,
    rN2/894 = 3000 G 내지 6000 G (r=회전체 반경, N=회전)의 원심력 및 분당 1 LPM 내지 10 LPM의 유량으로 원심분리하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 미세입자를 제거하는 단계 이후에,
    상기 미세입자가 제거된 슬러리 조성물을 탈이온수 또는 분산제에 재분산시키는 단계;
    를 더 포함하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 2차 원심분리 단계 이후에,
    연마입자를 복수회 원심분리하여 추가 미세입자를 제거하는 n차 원심분리 단계 (n은 3 이상의 정수);
    를 더 포함하는 것인, 복수회 원심분리를 이용한 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법.

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KR20230009142A (ko) * 2021-07-08 2023-01-17 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 연마 조성물 및 이를 이용한 연마된 물품의 제조방법

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