KR20160032978A - 발광 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 방열체를 포함하는 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 각각 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수개의 메사들을 포함하는 발광 구조체; 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제1 전극; 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제2 전극; 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮되, 제1 전극 및 제2 전극 각각의 일부를 노출시키는 개구부들을 포함하는 제1 절연층; 제1 절연층 상의 적어도 일부 영역에 배치된 방열체; 방열체를 덮는 제2 절연층; 및 제1 전극 및 제2 전극 각각과 전기적으로 연결되는 복수개의 하부 전극들을 포함하되, 방열체는 발광 구조체 및 하부 전극들과 전기적으로 절연된다.
Description
본 발명은 발광 다이오드에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 방열체를 포함하는 발광 다이오드에 대한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생되는 광을 발하는 무기 반도체 다이오드로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용되고 있다.
도 1은 종래의 플립칩형 발광 다이오드를 도시한다. 도 1에 따른 종래의 발광 다이오드(100)는 성장 기판(11), 제1 도전형 반도체층(13), 활성층(15), 제2 도전형 반도체층(17), 제1 전극(19), 제2 전극(20), 제1 패드(30a), 제2 패드(30b) 및 절연층(31)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(13), 활성층(15) 및 제2 도전형 반도체층(17)을 통해 발광셀이 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(13)과 제2 도전형 반도체층(17)은 각각 제1 패드(30a) 및 제2 패드(30b)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 종래의 플립칩형 발광 다이오드에 있어서, 성장 기판(11)을 상기 제1 도전형 반도체층(13)으로부터 분리함으로써, 발광 다이오드의 열방출 효율 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.
그러나, 성장 기판(11)이 제거된 경우에는 플립칩형 발광 다이오드의 제1 범프(30a) 및 제2 범프(30b)는 서로 분리되어 있고, 또한, 반도체층들(13, 15, 17)을 지지하는 지지 부재가 없기 때문에 반도체층들(13, 15, 17)이 깨지기 쉬운 문제가 있다.
종래, 반도체층들에 2차 기판을 부착한 후, 화학적 식각 기술 또는 레이저 리프트 오프 기술을 이용하여 성장 기판을 얇게 하거나 분리하는 기술은 잘 알려져 있다. 그러나, 2차 기판을 별도로 부착해야 하기 때문에 제조 비용이 증가한다. 따라서, 성장 기판을 얇게 하거나 분리할 경우에 발생되는 반도체층들의 크랙을 방지할 수 있는 기술이 요구된다.
한편. 플립칩형 발광 다이오드에서는 제1 범프(30a) 및 제2 범프(30b)가 열 배출 통로로 이용된다. 따라서, 제1 범프(30a) 및 제2 범프(30b)의 폭을 최대한 넓게 확보하는 것이 발광 다이오드의 열 배출에 유리하다. 그러나, 플립칩형 발광 다이오드는 일정영역을 제거하여 전극(19)을 형성하기 때문에 제1 및 제2 범프(30a, 30b)는 일정한 거리를 두고 이격되어 배치된다. 또한, 범프 간의 단락을 방지하기 위해서, 제1 및 제2 범프(30a, 30b)의 폭이 일정하게 제한되므로, 발광 다이오드의 열 배출에 불리한 문제점이 있다.
또한, 상술한 플립칩형 발광 다이오드의 문제점을 해결하기 위해서, 포토레지스트 및 포토레지스트 내부에 도금되는 금속층을 2차 기판 대신 사용하는 방안이 개발되었다. 그러나, 여전히 발광 다이오드의 열 배출이 문제될 뿐만 아니라, 포토레지스트와 금속층 계면에서 발생되는 열 팽창에 따른 스트레스가 문제된다. 또한, 이러한 구조의 발광 다이오드는 상하로 가해지는 힘에는 약한 구조이므로, 제조 공정 중에 발광 다이오드에 가해지는 충격으로 인하여 손상될 우려가 높다. 그러므로, 발광 다이오드의 열 배출 능력을 향상시킴과 동시에, 내부 스트레스를 완화시키고, 구조적으로 안정된 구조를 가지는 발광 다이오드의 개발이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 범프 간의 단락을 방지할 수 있고, 내부 스트레스가 완화된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 구조적으로 안정되고, 열 방출 효율이 향상된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 웨이퍼 레벨에서 2차 기판을 대신하면서, 성장 기판을 반도체층으로부터 분리한 후에 발생할 수 있는 크랙 등을 방지하여, 성장 기판이 대면적으로 분리될 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 각각 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수개의 메사들을 포함하는 발광 구조체; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮되, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 일부를 노출시키는 개구부들을 포함하는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상의 적어도 일부 영역에 배치된 방열체; 상기 방열체를 덮는 제2 절연층; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각과 전기적으로 연결되는 복수개의 하부 전극들을 포함하되, 상기 방열체는 상기 발광 구조체 및 상기 하부 전극들과 전기적으로 졀연될 수 있다.
또한, 상기 방열체는 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 통해 전기적으로 절연될 수 있다.
나아가, 상기 제2 절연층은 연장되어 제1 절연층을 덮고, 상기 제1 절연층이 포함하는 개구부들과 대응되는 또 다른 개구부들을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 복수개의 하부 전극들과 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들을 통해 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각과 오믹컨택하는 패드 금속층들을 더 포함할 수 있다.
상기 복수개의 하부 전극들 사이에 배치되어, 상기 복수개의 하부 전극들 각각의 측면으로 연장되어 둘러싸는 지지부를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 지지부는 폴리이미드(polyimide), Su-8, 도금용 포토레지스트, 파릴렌(parylene), EMC(epoxy moding compound) 및 세라믹 파우더 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수개의 하부 전극들과 상기 지지부는 서로 나란한 상면을 포함할 수 있다.
나아가, 상기 지지부 상에 배치되어, 상기 복수개의 하부 전극들 각각의 둘레의 적어도 일부 영역을 덮는 단락 방지부를 더 포함하되, 상기 단락 방지부를 통해 상기 하부 전극들 각각은 상부에 오목부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 전극은 반사부 및 상기 반사부를 덮는 캐핑부를 포함할 수 있다.
상기 방열체는 10 내지 30㎛ 범위 내의 높이를 가질 수 있다.
상기 제2 절연층의 두께는 상기 방열체 높이의 1 내지 30%일 수 있다.
상기 방열체는 경사진 측벽을 포함하고, 상기 측벽은 40 내지 50°의 경사각을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 방열체는 일부 영역에서 삼각형, 사각형 또는 사다리꼴형 단면부 영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 방열체와 상기 제1 절연층 사이에 배치된 시드층을 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 덮는 파장변환필름을 더 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층 말단에 형성되어, 제1 절연층의 적어도 일부를 노출시키는 홈부; 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮고, 상기 홈부로 연장되는 파장변환층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층은 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층은 표면에 러프니스를 포함할 수 있다.
나아가, 상기 복수개의 메사들은 서로 평행하고 일 방향으로 연장하는 기다란 형상을 갖고, 상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들은 상기 복수개의 메사들의 동일 단부 측에 치우쳐 위치할 수 있다.
또한, 상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들은 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부들과 서로 이격될 수 있다.
한편, 상기 방열체는 제1 절연층보다 높은 열전도율을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드는 내부에 방열체를 포함하므로, 열 배출 효율이 향상될 수 있다. 나아가, 상기 방열체를 통하여, 발광 다이오드 내부의 스트레스를 완화시킬 수 있으므로, 발광 다이오드의 구조적 안정성이 강화된다. 이를 통해, 발광 다이오드 제조 공정 중의 손상을 방지할 수 있고, 이에 따라 발광 다이오드의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 13는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
도 2 내지 도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 13는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2 내지 도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
우선, 도 2의 (a)는 제2 전극이 상부에 형성된 에피층의 평면도이고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 A-A 선에 따라 바라본 단면도이다.
도 2를 참조하면, 성장 기판(110)을 준비하고, 성장 기판(110) 상에 에피층(120)을 형성한다. 성장 기판(110)은 에피층(120)을 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 스피넬 기판 및 질화물 기판 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 성장 기판(110)이 성장 기판(110) 상에 성장될 에피층(120)과 이종의 특성을 갖는 경우, 예를 들어, 에피층(120)이 질화물계 반도체를 포함하고, 성장 기판(110)은 사파이어 기판과 같은 이종 물질 기판인 경우, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 성장 기판(110) 상에 버퍼층(미도시)을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한, 성장 기판(110)은 다양한 성장면을 포함할 수 있고, 예컨대, c면((0001))과 같은 극성 성장면, m면((1-100)) 또는 a면((11-20))과 같은 비극성의 성장면, 또는 (20-21)면과 같은 반극성의 성장면을 가질 수 있다. 또한, 성장기판(110)은 패터닝된 기판일 수 있다.
이어서, 성장 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)이 성장된다.
제1 도전형 반도체층(121)은 예컨대 n형 질화갈륨계 반도체층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 질화갈륨계 반도체층을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(123)은 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조일 수 있으며, 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 또한, 우물층은 요구되는 광의 파장에 따라 그 조성원소가 선택될 수 있으며, 예컨대 InGaN을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(125)는 서로 다른 도전형을 가지는 반도체층일 수 있으며, 상기 반도체층들(121, 123, 125)은 금속유기화학증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 분자 빔 적층성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물기상성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등을 포함한 다양한 증착 및 성장방법을 통해 형성될 수 있다.
이하 반도체층들에 관한 주지의 기술에 대한 설명은 생략한다.
이어서, 리프트 오프 기술을 이용하여 제2 전극(130)이 형성된다. 제1 전극(130)은 반사부(131) 및 캐핑부(133)를 포함할 수 있다. 반사부(131)는 반사층을 포함하며, 상기 캐핑부(133)와의 사이에 응력 완화층을 포함할 수 있다. 응력 완환층은 반사부(131)와 캐핑부(133)의 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화한다.
반사부(131)는, 예컨대, Ni/Ag/Ni/Au로 형성될 수 있으며, 전체 두께가 약 1600Å일 수 있다. 반사부(131)는 측면이 경사지게, 즉, 바닥부가 상대적으로 더 넓은 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 반사부(131)는 전자-빔 증발법을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 캐핑부(133)는 반사부(131)의 상면 및 측면을 덮어 반사부(131)를 보호한다. 캐핑부(133)는 스퍼터링 기술을 이용하여 또는 성장 기판(110)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다. 캐핑부(133)는 Ni, Pt, Ti, 또는 Cr을 포함할 수 있으며, 예컨대 약 5쌍의 Ni/Pt 또는 약 5쌍의 Ni/Ti를 증착하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 캐핑부(133)는 TiW, W, 또는 Mo을 포함할 수 있다.
응력 완화층은 반사부(131)와 캐핑부(133)의 금속 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 반사부(131)가 Al 또는 Al합금이고, 캐핑부(133)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사부(131)가 Al 또는 Al합금이고, 캐핑부(132)가 Cr, Pt, Rh, Pd 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Ag 또는 Cu의 단일층이거나, Ni, Au, Cu 또는 Ag의 복합층일 수 있다.
또한, 도시되지는 않았지만, 제2 전극(130)은 산화 방지 금속부를 더 포함할 수 있다. 상기 산화 방지 금속부는 캐핑부(133)를 덮을 수 있으며, 캐핑부(133)의 산화를 방지하기 위해 Au를 포함하며, 예컨대 Au/Ni 또는 Au/Ti로 형성될 수 있다. Ti는 SiO2와 같은 산화층의 접착력이 양호하므로 선호된다. 산화 방지 금속부 또한 스퍼터링 또는 성장 기판(110)을 기울여서 회전시키며 진공 증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.
제2 전극(130)이 증착된 후, 포토레지스트 패턴이 제거됨으로써 도 2에 도시한 바와 같이. 제2 도전형 반도체층(125) 상에 제2 전극(130)이 형성된다.
도 2는 웨이퍼 분할 이전의 웨이퍼의 일부 영역을 나타내는 도면일 수 잇다. 즉, 상기 웨이퍼의 일부 영역은, 본 발명에 따른 발광 다이오드를 제조하기 위한 단위 소자 영역일 수 있다. 이 경우, 도 2의 성장 기판(110) 및 에피층(120) 양측 말단의 제2 전극(130)이 형성되지 않는 영역은 웨이퍼 분할을 위한 분할 예정 영역일 수 있다. 후술되는 본 실시예의 설명을 위한 도면들은 별도의 설명이 없는 한, 상기 단위 소자 영역을 나타내는 도면들일 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하면, 도 3의 (a)는 복수개의 메사가 형성된 성장 기판의 평면도이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이다.
도 3을 다시 참조하면, 제1 도전형 반도체층(121) 상에 메사(M)가 형성된다. 메사(M)는 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함한다. 활성층(123)은 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(125) 사이에 위치한다. 한편, 메사(M) 상에 제2 전극(130)이 위치한다. 제1 도전형 반도체층(121) 및 메사(M)를 통하여, 본 발명에 따른 발광 구조체가 형성된다. 즉, 상기 발광 구조체는 제1 도전형 반도체층(121) 및 제1 도전형 반도체층(121) 상에 위치하고, 각각 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함하는 복수개의 메사(M)들을 포함할 수 있다.
메사(M)는 제1 도전형 반도체층(121)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 메사(M)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 메사(M) 측면의 경사진 프로파일은 활성층(123)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
메사(M)들은 도시한 바와 같이, 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다. 또한, 복수의 메사(M)들로 인하여, 메사(M)들 사이에 분지부 영역(B)이 형성될 수 있다. 분지부 영역(B)은 양측의 메사(M)들로 인해 정의되고, 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 영역일 수 있다.
힌편, 제2 전극(130)은 메사(M)들 각각의 상면을 대부분 덮으며, 메사(M)의 평면 형성과 대체로 동일한 형상을 갖는다.
본 실시예에 있어서, 제2 전극(130) 형성 이후에, 메사(M)가 형성된 경우를 설명하였지만, 메사(M) 형성 이후에, 제2 전극(130)이 형성될 수도 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 도 4의 (a)는 분지부 영역에 제1 전극이 배치된 에피층의 평면도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 평면도의 A-A선에서 바라본 단면도이다.
도 4를 다시 참조하면, 분지부 영역(B)에 제1 전극(140)을 형성할 수 있다. 제1 전극(140)은 증착 및 리프트 오프 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 전극(140)은 금속을 포함할 수 있으며, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Cr, Al, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(140)은 상술한 제2 전극(130)과 같이, 반사도가 높은 금속을 포함할 수 있다.
제1 전극(140)은 도시한 바와 같이 일측 방향으로 서로 평행하게 연장되는 기다란 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(140)은 제2 전극(130)과 일정한 간격을 가지고, 서로 평행하게 연장되는 형상일 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 도 5의 (a)는 제1 절연층이 상부에 형성된 것을 도시한 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이다.
도 5를 다시 참조하면, 제2 전극(130) 및 제1 전극(140)을 제1 절연층(150)으로 덮는다. 제1 절연층(150)은 증착 공정 등을 통하여 형성될 수 있다. 제1 절연층(150)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2 등의 질화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다. 나아가, 제1 절연층(150)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)를 포함할 수도 있다. 예컨대, SiO2/TiO2나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 제1 절연층(150)은 10000 내지 12000Å 두께로 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 6을 참조하면, 도 6의 (a)는 상부에 시드층이 형성된 제1 절연층의 평면도를, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도를, 도 6의 (c)는 도 6의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도를 나타낸다.
도 6을 다시 참조하면, 제1 절연층(150) 상에 증착 및 리프트 오프 공정을 이용하여 시드층(160)이 형성된다. 시드층(160)은 Cu, Cr, Au 및 Ti 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 다중층, 예를 들어, Cr/Au 또는 Cr/Ti/Au 다중층일 수 있다. 도 6의 (b)에서, 시드층(160)이 메사 및 제1 전극(130)의 측면의 일부를 덮는 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 시드층(160)은 제1 전극(130) 상부에 배치된 제1 절연층(150) 상부 영역을 제외하고, 메사 및 제1 전극(130)의 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 도 6의 (c)에서도, 시드층(160)이 메사 및 제2 전극(130)의 측면들 중 일부를 덮는 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 시드층(160)은 제1 전극(140) 상에 배치된 제1 절연층(150) 상부 영역을 제외하고, 메사 및 제2 전극(130)의 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 도 7의 (a)는 상부에 방열체가 형성된 시드층의 평면도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이고, 도 7의 (c)는 도 7의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도이다.
도 7을 다시 참조하면, 시드층(160) 상에 방열체(170)가 형성된다. 방열체(170)는 포토레지스트를 이용한 패터닝 공정을 통하여 형성될 수 있다. 시드층(160) 영역을 제외하고, 방열체(170)의 형상을 고려하여 포토레지스트를 형성한 후, 증착 및 도금 공정 등을 통하여 시드층(160) 상에 방열체(170)을 형성할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 방열체(170)는 10 내지 30㎛의 높이를 가질 수 있다. 방열체(170)는 상술한 범위의 높이를 가지므로, 열 배출 효율을 향상시킴과 동시에, 구조적 안정성을 유지할 수 있다. 따라서, 방열체(170)의 높이가 10㎛ 미만이면, 열 배출 효율과 구조적 안정성을 향상시키기 어렵고, 방열체(170)의 높이가 30㎛ 초과이면, 발광 다이오드의 전체 두께가 지나치게 두꺼워질 수 있다.
또한, 방열체(170)는 경사진 측면을 포함할 수 있으며, 경사진 측면은 40 내지 50°의 경사각을 가질 수 있다. 방열체(170)는 일부 영역에서 삼각형, 사각형 또는 사다리꼴형 단면부 영역을 포함할 수 있다. 다만, 방열체(170)의 높이, 경사각 및 단면부의 형태 등은 이에 제한되는 것은 아니다.
방열체(170)는 금속 및 유기물 등으로 형성될 수 있으며, 열전달계수가 높은 물질이라면 종류와 상관없이 이용될 수 있다. 방열체(170)가 금속인 경우에, 방열체(170)는 구리를 포함할 수 있다.
또한, 방열체(170)는 기계적 강도가 높은 물질로 형성될 수 있다. 본 발명에 있어서, 방열체(170)는 기계적 강도가 높고, 연성이 있는 금속으로 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 방열체(170)는 발광 다이오드 내부의 열 팽창율의 차이에 따른 스트레스 등을 완화시킴과 동시에, 발광 다이오드 내부의 열을 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하면, 도 8의 (a)는 상부에 제2 절연층이 형성된 방열체의 평면도이고, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이고, 도 8의 (c)는 도 8의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도이다.
도 8을 다시 참조하면, 방열체(170)를 덮는 제2 절연층(180)을 형성한다. 제2 절연층(180)은 개구부들을 포함할 수 있으며, 상기 개구부들을 통하여 제2 전극(130) 및 제1 전극(140)이 노출될 수 있다.
이러한 개구부들은, 제2 절연층(180)을 증착 공정 등을 이용하여 형성한 후, 제2 전극(130) 및 제1 전극(140) 상에 배치된 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(180)을 식각 공정 등을 통하여 제거함으로써 형성될 수 있다.
제2 절연층(180)은 절연성의 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다.
제2 절연층(180)의 두께는 방열체(170) 높이의 1 내지 30%일 수 있다. 제2 절연층(180)의 두께가 방열체(170) 높이의 1% 미만인 경우에는, 방열체(170)의 전기적 절연을 효과적으로 수행하기 어려울 수 있으며, 제2 절연층(180)의 두께가 방열체(170) 높이의 30% 초과인 경우에는, 방열체(170)의 열방출 효과가 저하될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 절연층(180)은 10000 내지 12000Å 두께로 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다만, 제2 절연층(180)은 방열체(170)를 통한 열전달이 충분히 이루어 질 수 있도록 방열체(170)의 높이 보다 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 방열체(170)는 제1 및 제2 절연층(150, 180)을 통해 외부와 전기적으로 고립될 수 있다. 즉, 방열체(170)는 제1 도전형 반도체층(121) 및 메사(M)를 포함하는 발광 구조체 및 후술하는 하부 전극과 전기적으로 절연될 수 있다.
방열체(170)는 제1 및 제2 전극(130, 140)이 노출된 일부 영역을 제외한 전면에 형성되므로, 발광 다이오드의 방열 효과 및 구조적 안정성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하면, 도 9의 (a)는 상부에 패드 금속층이 형성된 평면도이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 평면도의 A-A선에 따른 단면도이고, 도 9의 (c)는 도 9의 (a)의 평면도의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 9를 다시 참조하면, 제2 절연층(180) 상에 복수개의 패드 금속층(190)들이 형성된다. 패드 금속층(190)들은 제2 전극(130) 및 제1 전극(140)의 일부를 노출시키는 개구부들 영역을 포함하며 배치될 수 있다. 패드 금속층(190)들은 서로 간의 이격 간격을 제외하고, 성장 기판(110)의 거의 전 영역 상부에 형성된다. 따라서, 패드 금속층(190)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다. 패드 금속층(190)은 상기 개방 영역을 통해 제1 및 제2 전극(130, 140)과 오믹 컨택될 수 있다.
패드 금속층(190)은 접착층, 확산 방지층 및 시드층을 포함할 수 있다. 접착층은 Ti, Cr, Ni, Ta 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 패드 금속층(190)과 제2 절연층(180) 간의 접착력을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW, W 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 금속 원자의 확산을 방지하여 금속 반사층을 보호한다. 시드층은 이후 형성되는 하부 전극(미도시)의 증착 및 도금을 위해 형성되는 층으로, Cu, Cr, Au 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하거나, 다중층, 예를 들어, Cr/Au 또는 Cr/Ti/Au 다중층으로 형성될 수 있다. 따라서, 시드층은 패드 금속층(190)의 가장 상부에 배치될 수 있다. 패드 금속층(190)은 증착 공정 또는 전기 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 패드 금속층(190)은 균일한 두께로 형성되거나, 배치되는 영역에 따라 다른 두께로 형성될 수도 있다.
이어서, 도 10을 참조하면, 도 10의 (a)는 상부에 지지부 및 하부 전극들이 형성된 평면도이고, 도 10의 (b)는 도 10의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이고, 도 10의 (c)는 도 10의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도이다.
도 10을 다시 참조하면, 패드 금속층(190) 상에 지지부(200) 및 하부 전극(210)들이 형성된다. 하부 전극(210)들이 배치될 영역을 고려하여, 지지부(200)을 형성하고, 도금 및 증착 공정을 통하여 하부 전극(210)들을 형성할 수 있다.
지지부(200)는 폴리이미드(polyimide), Su-8, 도금용 포토레지스트, 파릴렌(parylene), EMC(epoxy moding compound) 및 세라믹 파우더 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 지지부(200)는 내부에 배치되는 하부 전극(210)을 고려하여, 그 두께가 결정될 수 있다. 지지부(200)의 두께가 얇을수록 내부에 배치되는 하부 전극(210)의 면적을 크게 할 수 있다. 또한, 지지부(220)는 하부 전극(210)들 사이에 배치되어 하부 전극(210)들의 단락을 방지하므로, 종래 기술의 범프들의 면적 증가에 따라 단락이 발생하는 문제점을 해결할 수 있다.
하부 전극(210)은 전도층, 베리어층 및 산화 방지층을 순차적으로 포함할 수 있다. 전도층은 전류 확산을 위한 층으로 Cu 또는 Ag 등을 포함할 수 있다. 베리어층은 하부 전극(210)이 포함하는 금속 원자들의 확산을 방지하기 위한 층으로, Ni 또는 Pd 등을 포함할 수 있다. 산화 방지층은 하부 전극(210)의 산화를 방지하기 위한 층으로, Au 등을 사용할 수 있으며, 산화 방지층은 Ag 및/또는 Al을 포함하는 산화 희생층으로 대체될 수 있다. 산화 방지층 또는 산화 희생층은 하부 전극(210)이 외부로 노출되는 상면에 배치될 수 있다. 하부 전극(210)은 에피층(120)으로 전류를 주입하는 역할을 함과 동시에, 에피층(120) 내부에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 기능을 수행한다.
지지부(200) 및 하부 전극(210)들은 20 내지 200㎛의 높이를 가질 수 있다. 또한, 지지부(200)의 상면과 하부 전극(210)들의 상면은 평탄화 공정을 통하여, 동일한 높이로 나란하게(flush) 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드는 지지부(200) 및 하부 전극(210)을 통하여, 베이스를 형성하므로, 그 두께를 필요에 따라 다양하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드가 포함하는 지지부(200) 및 하부 전극(210)의 두께는 종래의 2차 기판 또는 금속 기판의 두께와 대체로 유사하게 할 수 있으므로, 본 발명에 따라 제조된 발광 다이오드는 종래의 응용 범위와 동일하게 응용될 수 있다.
이어서, 도 11을 참조하면, 도 11의 (a)는 지지부 및 하부 전극의 일부를 덮는 단락 방지부의 평면도이고, 도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이고, 도 11의 (c)는 도 11의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도이다.
도 11을 다시 참조하면, 단락 방지부(220)는 지지부(200) 및 하부 전극(210)의 일부 영역 상에 배치되어, 노출되는 하부 전극(210)의 면적을 감소시킬 수 있다. 단락 방지부(220)를 통해, 하부 전극(210)의 일부 영역을 노출시키는 오목부가 형성될 수 있다.
단락 방지부(220)는 실장 공정 이후의 전류 주입 시에, 서로 다른 극성을 가지는 하부 전극(210)들 간의 단락을 차단하기 위하여 배치된다. 따라서, 단락 방지부(220)는 절연성 물질로 형성될 수 있다. 단락 방지부(220)는 상술한 바와 같이, 하부 전극(210)들 간의 단락 방지를 고려하여, 하부 전극(210) 둘레의 일부 영역을 가릴 수 있다.
이어서, 도 12를 참조하면, 도 12의 (a)는 성장 기판이 제거된 후, 제1 도전형 반도체층이 위쪽을 향하도록 도시된 평면도이고, 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 평면도의 A-A선에 따라 바라본 단면도이고, 도 12의 (c)는 도 12의 (a)의 평면도의 B-B선에 따라 바라본 단면도이다. 따라서, 본 실시예에 있어서, 에피층(120) 아래에 지지부(200) 및 하부 전극(210)이 위치한다.
도 12를 다시 참조하면, 성장 기판(110)이 에피층(120)으로부터 분리된다. 성장 기판(110)은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 응력 리프트 오프 또는 열적 리프트 오프 등의 방법을 이용하여 에피층(120)로부터 분리될 수 있다. 성장 기판(110)이 분리되므로, 분 발명에 따른 발광 다이오드의 열 방출 효율 및 광 효율은 향상될 수 있다.
성장 기판(110)이 분리되어 노출된 제1 도전형 반도체층(121)의 표면에 러프니스가 형성될 수 있다. 또한, 러프니스를 형성하기 전에, 화학적 또는 물리적으로 제1 도전형 반도체층(121) 표면의 잔류물들을 제거하고, 상기 제1 도전형 반도체층(121)을 그 표면으로부터 소정 두께로 제거할 수 있다. 성장 기판(110) 분리 과정에서 제1 도전형 반도체층(121) 표면 주변에 결함 또는 손상이 발생될 수 있다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(121)의 표면을 소정 두께 제거함으로써, 제1 도전형 반도체층(121) 전체의 평균적인 결정질을 우수하게 할 수 있다.
상기 러프니스는 KOH 및/또는 NaOH 용액, 황인상 용액을 이용한 습식 식각으로 형성될 수 있고, 또는 PEC(Photo-Enhanced Chemical) 식각에 의해서 형성될 수 도 있으며, 그 밖의 습식 식각, 건식 식각 및 전기 분해의 방식으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)의 표면에 러프니스가 형성됨으로써 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드는, 지지부(200) 및 하부 전극(210)이 지지 기판의 역할을 하므로, 성장 기판(110)의 분리에도 불구하고, 발광 다이오드의 구조적 안정성을 확보할 수 있다.
이어서, 웨이퍼의 다이싱 또는 스크라이빙 공정을 통하여, 웨이퍼는 단일 소자로 분리될 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드가 제조될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 아이솔레이션 공정을 통하여, 에피층(120)의 일부 영역을 제거한 후, 추가적인 절연층을 덮는 공정을 수행할 수 있다.
도 13는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 12의 일 실시예에 따른 발광 다이오드와 비교하여, 상부에 파장변환층(230)을 포함하는 것을 제외하고는 동일하다. 따라서, 도 13에 따른 실시예는 도 12의 실시예에 따른 발광 다이오드와 동일 방향으로 바라본 단면도들을 포함한다. 즉, 도 13의 (a)는 도 12의 (b)의 단면도와, 도 13의 (b)는 도 12의 (c)의 단면도와 대응될 수 있다. 중복되는 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층(121)의 측면 및 상면을 덮는 파장변환층(230)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(121)의 양말단 영역은 제1 절연층(150)을 노출시키도록 제거되었다. 노출된 제1 절연층(150) 상에 파장변환층(230)을 배치함으로써, 노출된 제1 절연층(150)는 파장변환층(230)을 구조적으로 지지하는 역할을 수행한다. 파장변환층(230)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지를 포함할 수 있으며, 수지 내에 형광체들을 함유할 수 있다. 상기 형광체들은 활성층(123)에서 방출되는 광으로 여기되어 광을 방출할 수 있으며, 특별히 그 종류가 제한되지 않는다.
도 14은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도들이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 13에 따른 실시예와 비교하여, 파장변환층(230) 대신에, 파장변환필름(240)을 포함하는 것을 제외하고는 동일하다. 따라서 동일 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 14을 참조하면, 발광 다이오드는 파장변환필름(240)을 통해, 발광 다이오드의 측면 및 상면이 덮일 수 있다. 즉, 웨이퍼에서 단위 소자로 분리된 이후에, 파장변환필름(240)을 이용하여 발광 다이오드의 하면을 제외하고 감쌀 수 있다. 파장변환필름(240)을 통하여, 발광 다이오드의 구조적 안정성이 향상될 수 있으며, 외부 환경과의 접촉을 차단하므로 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다. 도 15의 (a)는 발광 다이오드의 평면도를, 도 15의 (b)는 도 15의 (a)의 선 A-A에 따라 바라본 단면도를, 도 15의 (c)는 도 15의 (a)의 선 B-B에 따라 바라본 단면도를 나타낸다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 12의 실시예에 따른 발광 다이오드와 비교하여, 웨이퍼에서 단위 소자로 분리되는 절단 영역이 다른 점을 제외하고는 동일하다. 따라서, 중복되는 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
도 15를 참조하면, 발광 다이오드의 양 말단에 있어서, 제2 전극(130)이 노출될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 다른 실시예에 따른 발광 다이오드들과 비교하여, 방열체(170)가 발광 다이오드의 측면으로 노출되는 영역을 최소화할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 성장 기판
120: 에피층
121: 제1 도전형 반도체층
123: 활성층
125: 제2 도전형 반도체층
130: 제2 전극
131: 반사부
133: 캐핑부
140: 제1 전극
150: 제2 절연층
160: 시드층
170: 방열체
180: 제2 절연층
190: 패드 금속층
200: 지지부
210: 하부 전극
220: 단락 방지부
230: 파장변환층
240: 파장변환필름
120: 에피층
121: 제1 도전형 반도체층
123: 활성층
125: 제2 도전형 반도체층
130: 제2 전극
131: 반사부
133: 캐핑부
140: 제1 전극
150: 제2 절연층
160: 시드층
170: 방열체
180: 제2 절연층
190: 패드 금속층
200: 지지부
210: 하부 전극
220: 단락 방지부
230: 파장변환층
240: 파장변환필름
Claims (21)
- 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 각각 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수개의 메사들을 포함하는 발광 구조체;
상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮되, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 일부를 노출시키는 개구부들을 포함하는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상의 적어도 일부 영역에 배치된 방열체;
상기 방열체를 덮는 제2 절연층; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각과 전기적으로 연결되는 복수개의 하부 전극들을 포함하되,
상기 방열체는 상기 발광 구조체 및 상기 하부 전극들과 전기적으로 절연된 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체는 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 통해 전기적으로 절연된 발광 다이오드. - 청구항 2에 있어서,
상기 제2 절연층은 연장되어 제1 절연층을 덮고,
상기 제1 절연층이 포함하는 개구부들과 대응되는 또 다른 개구부들을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수개의 하부 전극들과 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되고,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들을 통해 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각과 오믹컨택하는 패드 금속층들을 더 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수개의 하부 전극들 사이에 배치되어, 상기 복수개의 하부 전극들 각각의 측면으로 연장되어 둘러싸는 지지부를 더 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 5에 있어서,
상기 지지부는 폴리이미드(polyimide), Su-8, 도금용 포토레지스트, 파릴렌(parylene), EMC(epoxy moding compound) 및 세라믹 파우더 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 6에 있어서,
상기 복수개의 하부 전극들과 상기 지지부는 서로 나란한 상면을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 6에 있어서,
상기 지지부 상에 배치되어, 상기 복수개의 하부 전극들 각각의 둘레의 적어도 일부 영역을 덮는 단락 방지부를 더 포함하되,
상기 단락 방지부를 통해 상기 하부 전극들 각각은 상부에 오목부가 형성되는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제2 전극은 반사부 및 상기 반사부를 덮는 캐핑부를 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체는 10 내지 30㎛ 범위 내의 높이를 가지는 발광 다이오드. - 청구항 10에 있어서,
상기 제2 절연층의 두께는 상기 방열체 높이의 1 내지 30%인 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체는 경사진 측벽을 포함하고,
상기 측벽은 40 내지 50°의 경사각을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체는 일부 영역에서 삼각형, 사각형 또는 사다리꼴형 단면부 영역을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체와 상기 제1 절연층 사이에 배치된 시드층을 더 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 덮는 파장변환필름을 더 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
제1 도전형 반도체층 말단에 형성되어, 제1 절연층의 적어도 일부를 노출시키는 홈부; 및
상기 제1 도전형 반도체층을 덮고, 상기 홈부로 연장되는 파장변환층을 더 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 절연층은 분포 브래그 반사기를 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 표면에 러프니스를 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수개의 메사들은 서로 평행하고 일 방향으로 연장하는 기다란 형상을 갖고,
상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들은 상기 복수개의 메사들의 동일 단부 측에 치우쳐 위치하는 발광 다이오드. - 청구항 19에 있어서,
상기 제2 전극의 일부를 노출시키는 개구부들은 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부들과 서로 이격된 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 방열체는 적어도 구리를 포함하는 금속 또는 유기물을 포함하는 발광 다이오드.
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|---|---|---|---|
| KR1020140123834A KR20160032978A (ko) | 2014-09-17 | 2014-09-17 | 발광 다이오드 |
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| KR (1) | KR20160032978A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10177278B2 (en) | 2016-07-18 | 2019-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
2014
- 2014-09-17 KR KR1020140123834A patent/KR20160032978A/ko not_active Application Discontinuation
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