KR20160032159A - 조명하에서 전류를 방출할 수 있는 활성층의 제조 방법 - Google Patents
조명하에서 전류를 방출할 수 있는 활성층의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 광기전력 에너지의 유기 일렉트로닉스의 분야, 즉 광 에너지를 전기로 변환시키는 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은, 광 에너지를 전기로 변환시킬 수 있는 강유전성 중합체 재료 및 반도체 중합체를 조합한, 광 조명하에서 전류를 방출할 수 있는 활성층의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 광기전력 에너지의 유기 일렉트로닉스의 분야, 즉 광 에너지를 전기로 변환시키는 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은, 광 에너지를 전기로 변환시킬 수 있는 강유전성 재료 및 반도체성 중합체를 조합한, 조명하에서 전류를 방출할 수 있는 활성층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
광 에너지를 전기로 변환시키는 디바이스들은 이미 존재한다: 광기전력 전지들. 이들 디바이스들은 캐소드, 활성층 및 애노드로 구성된다. 광기전력 전지들은 무기 재료 또는 유기 재료로 제조될 수 있다. 무기 재료로 제조된 광기전력 전지들은, 그 효율이 25% 이상으로 높지만, 무기 재료가 사용하기 어려워 그 제조 비용이 높은 것으로 잘 알려져 있다. 유기 재료는 저렴하다는 이점이 있고, 사용하기에 용이하며, 그리고 이들 재료로부터 가요성 디바이스가 얻어질 수 있다. 그러나, 특히 광 에너지가 변환되는 방식 때문에, 이들 재료의 이용시 낮은 효율이 획득된다. 유기 태양 전지의 활성층은 대개 P3HT (폴리(3-헥실티오펜))와 PCBM ([6,6]-페닐-C61-메틸 부타노에이트)로 구성된다. 이 유기 활성층은 광자를 흡수하며, 그리고 P3HT에서 여기자, 즉 전자-정공 쌍이 생성된다. 광기전력 전류를 얻기 위해서, 이들 2개의 전하들 사이의 쿨롱의 인력보다 더 높은 전계를 이용하여 이들 전하들을 분리할 필요가 있다. 따라서, 이들 여기자들의 해리와 자유 전하들의 수송이 광기전력 전류를 발생시킬 것이다. P3HT와 PCBM 간의 에너지 레벨의 차는 P3HT에서 생성된 여기자를 해리하는 것을 가능하게 하는 내부 전계를 발생시키고, 따라서 전자-정공 쌍들의 분리는 P3HT-PCBM 계면에서 일어난다. 하지만, 특히 여기자들의 과도한 재결합들로 인해 유기 광기전력 전지들의 효율은 낮으며, 따라서 유기 광기전력 전지들의 효율을 증가시키기 위해 여기자를 해리하는 또 다른 방법을 찾는 것이 필요하다.
무기 광기전력 전지 분야에서의 최근 연구는, 강유전성 재료들에 의해 발생된 광기전력 효과를 조사하고 있다. 강유전성 재료는, 항전계 (coercive field) 보다 더 높은 전계가 인가되는 경우 분극될 수 있고, 이것은 그 재료의 고유 특성이다. 이로써 2가지 상태의 분극이 얻어질 수 있다; 재료가 외부 전계에 더 이상 적용되지 않는 경우, 그 분극을 보존하는데, 이것이 잔류 분극이다. Fridkin 등은 "강유전체에서의 변칙적 광기전력 효과 (Anomalous photovoltaic effect in ferroelectrics)" 라는 제목의 자신들의 논문, Soviet Physics Uspekhi, 1978, 21(12) p981에서, 조명하에서 광전류 및 광기전력 전류를 발생시키는 강유전성 재료 LiNbO3의 능력을 설명한다. 따라서, 여기자를 해리하기 위해서 소정의 무기 재료들의 강유전성를 이용하는 것이 가능하다. Choi 등은 "BiFe03에서 전환가능한 강유전성 다이오드 및 광기전력 (Switchable ferroelectric diode and photovoltaic in BiFeO3)" 이라는 자신들의 논문, Science, 2009, 324, p63에서, 무기 다중강성 재료 BiFe03의 사용을 설명한다. BiFe03의 분극 상태는 재료 내에서 생성된 전자-정공 쌍들의 분리를 허용한다. 전류는 조명하에서 보다 높고, 따라서 BiFe03는 강유전성으로 인해 광기전력 전류를 발생시킨다. Yang 등도 또한, "강유전성 광기전력 디바이스로부터의 밴드 갭 초과한 전압 (Above-band gap voltages from ferroelectric photovoltaic devices)" 이라는 제목의 자신들의 논문, Nature nanotechnology, 2010, 5, p143에서, BiFe03를 사용하고 이 재료에서의 광기전력 효과를 담당하는 메커니즘을 설명한다.
유기 강유전성 재료에 대해 수행된 최근의 연구는 이러한 특성을 나타내지 않는다.
하지만, Yuan 등은 "강유전성 중합체를 갖는 유기 태양 전지에서의 효율 강화 (Efficiency enhancement in organic solar cells with ferroelectric polymers)" 라는 제목의 자신들의 논문, Nature Materials, 2011, 10, 296에서, 활성층과 전극들 사이에 삽입된 작은 두께의 강유전성 중합체 P(VDF-TrFe) (폴리(비닐리덴 플루오라이드-코-트리플루오로에틸렌)) 의 사용을 설명한다. 광기전력 전류가 강유전성 중합체의 분극시 증가하며, 이에 따라 이 강유전성 중합체의 분극이 여기자의 해리의 효율을 증가시킬 수 있다는 것이 나타내져 있다. P(VDF-TrFe) 필름은 또한, Yang 등의 "이층 유기 광기전력 전지들에서의 증가된 효율을 위한 강유전성 쌍극자 층들에 의한 공여체와 수여체 사이의 에너지 레벨의 튜닝 (Tuning the energy level offset between donor and acceptor with ferroelectric dipole layers for increased efficiency in bilayer organic photovoltaic cells)" 이라는 제목의 자신의 논문, Advanced Materials, 2012, 24, 1455-1460 에 의해 기재된 바와 같이 활성층의 2개의 공여체와 수여체 재료들 사이에 성막될 수도 있다. 광기전력들의 강유전성의 이용에 대한 현재 연구는, 여기자의 해리를 보다 효율적으로 하도록 내부 전계를 증가시키기 위한 강유전성 중합체 PVDF-TrFe의 능력에 관한 것이다. 하지만, 광기전력 전류는 강유전성에 의해 단독으로 유도되지 않으며, 그 이유는 공여체/수여체 시스템의 존재가 수반되기 때문이다.
Nalwa 등은, "강유전성 쌍극자로 도핑된 유기 광기전력 필름들에서의 강화된 전하 분리(Enhanced charge separation in organic photovoltaic films doped with ferro electric dipole)"라는 제목의 논문, Energy Environ., 2012, 5, 7042-7049에서, 하나의 예로, 강유전성 중합체가 P3HT와 혼합되는 시스템을 설명한다. 하지만, 용매 혼합물로부터의 "스핀 캐스팅" 또는 "스핀 코팅"이 아닌, 용매 증발에 의한 도포의 방법은 P3HT 매트릭스 내의 강유전성 중합체의 미세 분배를 제공할 가능성이 없지만, 매크로 상 분리는 오히려 가능성이 있다. 강유전성 중합체가 단지 반도체성 중합체와 접촉하는 경우에는, 강유전성 중합체의 분극이 유지될 가능성이 거의 없다. 반도체성 중합체에서의 전하 밀도는 너무 낮으며, 이에 따라 강유전성 재료의 분극을 보상할 수 없다.
WO2010131254에는, 강유전성 및 반도체성 재료들의 혼합물에 기초하여 광기전력 전지들을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법은 대규모 산업으로 적용하는 것이 매우 어려운 활성층 제조의 여러 단계를 포함한다. 또한, 이 문헌에서의 도면은 이 디바이스의 작동을 나타낼 수 없고 그로 인한 실행가능성을 나타낼 수 없다. 또한, 본 출원에서 인용된 유기 반도체성 재료 및 강유전성 중합체의 조성물은 상당한 광기전력 효과로 이어질 가능성이 거의 없다. 특히, PVDF 및 PTrFE와 같은 중합체는 연신과 같은 물리적 처리 이후에만 강유전성이며, 이것은 본원에 기재된 조성물 및 연관된 모르폴로지에서 상상하기 어렵다.
예기치 않게, 출원인은, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료에 의해, 특히 출원의 간략화된 방법과 조합된 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 현저한 양의 재료에 의해 생성된 전계가 특정 조성물에 대해 여기자를 해리하기에 충분하다는 것을 관찰하였다. 이들 조성물은 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 단지 하나의 재료를 반도체성 중합체의 예기치 않은 실린더 타입의 모르폴로지 내에서 반도체성 중합체와 조합하여, 우수한 광기전력 변환 효율을 제공한다.
발명의 요약
본 발명은 하기 단계들을 포함하는 디바이스의 제작을 위한 방법에 관한 것이다:
- 적어도 하나의 용매, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 혼합물 및 적어도 하나의 반도체성 중합체를 포함하는 용액을 조제하는 단계로서, 이들 화합물들이 10 wt% 미만, 바람직하게 5 wt% 미만의 농도로 상기 용매에서 혼화가능하고, 한편으로 상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들과 다른 한편으로 상기 전도성 중합체 또는 중합체들이 서로 혼화가능하지 않은, 상기 용액을 조제하는 단계,
- 전도성 전극 상에의 이 용액의 스핀 코팅, 닥터 블레이드 코팅 또는 임의의 다른 기법의 단계,
- 한편으로 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들과 다른 한편으로 반도체성 중합체 또는 중합체들 사이의 상 분리가 모르폴로지를 확립하는 방식으로 용매를 증발시키는 단계 .
강유전성 형태로 결정화될 수 있는 임의의 재료 또는 재료들의 혼합물이 본 발명에서 사용될 수도 있다. 바람직하게 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 혼합물은 유기 재료들이고, 바람직하게 중합체들이다. 또한, 그것은 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료일 수도 있고, 단독 사용시에는 반드시 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 것은 아니지만 2개 재료들의 혼합물이 강유전성 형태로 결정화될 수 있다는 조건하의 또 다른 재료일 수도 있다.
단량체 단위 비닐리덴 디플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌, 비닐리덴 디플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌, 비닐리덴 디플루오라이드 및 헥사플루오로프로필렌을 선택적으로 다음의 단량체들로부터 선택된 제 3 단량체의 첨가와 함께 포함하는 중합체들 또는 중합체들의 혼합물들이 바람직하게 선택될 것이다: 트리플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌, 비닐 플루오라이드, 퍼플루오로알킬비닐 에테르, 예컨대 퍼플루오로메틸비닐 에테르, 디클로로에틸렌, 비닐 클로라이드, 클로로트리플루오로에틸렌, 퍼플루오로 (메틸 비닐 에테르), 브로모트리플루오로에틸렌, 테트라플루오로프로펜, 헥사플루오로프로필렌.
PA7, PA9, PA11, PA13과 같은 오드 (odd) 폴리아미드, 그리고 그 혼합물들이 사용될 수도 있다.
보다 구체적으로는 트리플루오로와 비닐리덴의 공중합체 P(VDF-TrFe) 이다.
임의의 반도체 재료가 본 발명에서 사용될 수도 있다. 바람직하게, 반도체 재료는 유기 재료이고, 보다 구체적으로 중합체이다. 전도성 중합체는 전자 공여체 또는 전자 수용체일 수도 있다. 그것은 또한 반도체성 중합체의 혼합물일 수도 있다.
반도체성 중합체는 바람직하게 플루오렌, 티오펜, 페닐렌, 페닐렌 비닐리덴, 풀러렌, 피릴렌, 카르바졸, 티오펜 유도체, 예컨대 벤조디티오펜 또는 시클로펜타디티오펜, 플루오렌 유도체, 피롤 및 푸란을 포함하는 중합체들로부터 선택된다.
보다 바람직하게, 전도성 중합체는 폴리(3-헥실티오펜) P3HT이다.
반도체성 중합체의 이동도는 10-7 ㎠/V-1s-1 ~ 104 ㎠/V-1s- 1 이다.
본 발명은 또한 (a) 전도성 전극, (b) 제 2 전도성 전극, (c) 어느 측부에서 2개의 전극을 분리하는 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 및 반도체성 재료를 포함하는 활성층을 포함하는 디바이스에 관한 것이다. 바람직하게, 본 발명은 (a) 전도성 투명 전극, (b) 전도성 금속 전극, (c) 어느 측부에서 2개의 전극을 분리하는 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 및 반도체성 재료를 포함하는 활성층을 포함하는 디바이스에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, (a) 전도성 투명 전극, (b) 전도성 전극, (c) 어느 측부에서 2개의 전극을 분리하는 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 및 반도체성 재료를 포함하는 활성층을 포함하는 디바이스에서, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료는 기계적 변형에 의해 및/또는 항전계보다 더 큰 전계를 인가하는 것에 의해, 보다 구체적으로 항전계보다 더 큰 전계를 디바이스의 전극들에 인가하는 것에 의해 분극된다.
투명 전극은, 100 nm의 전극 두께에 대해 투과율이 60% 초과, 바람직하게 80% 초과인 전극을 의미하며, 그 투과율은 분광 광도계, 예를 들어 회사 Perkin Elmer로부터의 람다 19 분광 광도계를 사용하여 555nm에서 측정된다.
전도성 전극은, 도전성이 10 ~ 109 S/cm 인 전극을 의미한다.
활성층을 구성하는 바람직한 조성물은, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 비율이 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 및 반도체성 중합체 전체에 대해 20 wt% 초과, 바람직하게 50% 초과, 보다 바람직하게 70 ~ 95% 인 방식으로 선택된다.
적어도 하나의 용매, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 혼합물 및 적어도 하나의 반도체성 중합체를 포함하는 용액으로서, 이들 화합물들이 상기 용매에서 10 wt% 미만의 농도로 혼화가능한, 상기 용액의 조제시 요구되는 용매와 관련하여, 그것은 강유전성 중합체 및 반도체성 중합체를 용해시킬 수 있는 하나 이상의 극성 및/또는 방향족 용매들이다. 용매들은 다음으로부터 선택될 것이다: 테트라히드로푸란, 메틸 에틸 케톤, 디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디에틸술폭사이드, 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사손, 디아세톤 알코올, 디이소부틸 케톤, 부티로락톤, 이소포론, 1,2-디메톡시에탄, 클로로포름, 디클로로벤젠, 오르토-디클로로벤젠.
활성층을 구성하는 2개 재료들의 상 분리는 하나의 재료가 다른 재료에 ㎛ 미만의 스케일에서 분산되는 모르폴로지로 이어지거나 또는 ㎛ 미만의 스케일에서 2개 재료들의 코-연속성 (co-continuity) 을 갖는 방식으로, 활성층의 조제가 실행된다. 본 발명의 변형예에 따르면, 상기 언급된 모르폴로지의 유형은 또한 하나 또는 두개의 전극과 접촉하는 40nm 미만의 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 박층의 존재를 포함할 수도 있다.
본 발명의 보다 바람직한 실시형태에 따르면, 반도체성 중합체 상 (phase) 및 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료의 상의 전도성 전극에 대한 전기적 접촉 및 전도성 전극의 평면에 대한 실린더 축의 각도 20 ~ 90°, 바람직하게 70 ~ 90°, 보다 바람직하게 90°에 의해, 활성층을 구성하는 2개 재료의 상 분리가 용매의 증발 이후 반도체성 중합체의 실린더 타입의 모르폴로지로 이어지고, 이로써 성막된 층은 용매의 증발 이후 상기 활성층을 구성하는 방식으로, 활성층의 조제가 실행된다.
출원인은 또한, 강유전성 재료로의 첨가제의 첨가가, 이들 디바이스의 동작에 필요한 분극에 필요한 전계를 제한하는 것을 가능하게 하기 때문에, 추가적인 이점을 제공한다는 것을 발견하였다. 첨가제들 중에서, 가소제들이 바람직할 것이며, 이들 중에서 선형 또는 분지형 프탈레이트, 예컨대, 디-n-옥틸, 디부틸, -2-에틸헥실, 디에틸헥실, 디이소노닐, 디이소데실, 벤질부틸, 디에틸, 디시클로헥실, 디메틸, 선형 디운데실, 선형 디트리데실, 프탈레이트, 염소화 파라핀, 트리멜리테이트, 분지형 또는 선형의, 특히 디에틸헥실 트리멜리테이트, 지방족 에스테르 또는 중합성 에스테르, 에폭사이드, 아디페이트, 시트레이트, 벤조에이트를 들 수 있으며, 그리고 이들 가소제는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다.
이들 첨가제는 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료들의 혼합물의 합에 대해 0.01 ~ 95%, 바람직하게 0.01 ~ 40%, 보다 바람직하게 0.1 ~ 10% 범위의 비율로 도입될 것이다.
이들 디바이스들은 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료의 분극 이후 잔류 분극을 가질 수도 있다.
이들 디바이스들은 조명 (illumination) 하에서 전류를 생성할 수 있다.
전도성의, 바람직하게는 투명한 전극은 유기성 또는 금속성의 것일 수도 있다. 그것은 탄소 나노튜브로 구성될 수도 있다. 그것은 PEDOT-PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌 술포네이트)) 와 같은 반도체성 중합체로 구성될 수도 있다.
그것은 또한 하이브리드일 수도 있고, 즉 유기 및 금속 재료의 혼합물로 부분 제조될 수도 있다.
발명의 방법으로부터 초래되는 디바이스들은 고려되는 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 큐리점 미만 범위의 온도에서 사용된다.
바람직하게, 이들 디바이스들은 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료의 분극 이후 잔류 분극을 가질 수도 있다.
이들 디바이스들은 조명하에서 전류를 생성하기 위해 이롭게 사용된다.
예:
하기 디바이스를 사용하였다:
- 두께 100 nm 의 ITO (인듐 주석 산화물) 전극이 성막되어 있는 유리 기판.
- THF 중의 2개의 중합체들의 3 wt% 용액으로부터 ITO 전극 상에 스핀 코팅으로 성막된 90 wt% 의 P(VDF-TrFe) 및 10 wt% 의 P3HT 를 포함하는 활성층.
- LiF/Al 전극.
AFM과 TEM 이미지는 획득된 모르폴로지를 나타낸다 (도 1 및 도 2). 소수 중합체 (P3HT) (도 1 (a)의 원형) 의 원통형 분포 및 활성층 내의 암점 (도 2) 을 명확히 볼 수 있다.
조명하에서는, 약 50%의 전류 증가가 관찰되었다 (도 3 및 도 4).
Claims (16)
- 디바이스의 제조 방법으로서,
- 적어도 하나의 용매, 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 혼합물 및 적어도 하나의 반도체성 중합체를 포함하는 용액을 조제하는 단계로서, 이들 화합물들이 10 wt% 미만의 농도로 상기 용매에서 혼화가능하고, 한편으로 상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들과 다른 한편으로 상기 전도성 중합체 또는 중합체들이 서로 혼화가능하지 않은, 상기 용액을 조제하는 단계,
- 전도성 전극 상에의 이 용액의 스핀 코팅, 닥터 블레이드 코팅 또는 임의의 다른 기법의 단계,
- 한편으로 상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들과 다른 한편으로 반도체성 중합체 또는 중합체들 사이의 상 분리가 모르폴로지를 확립하는 방식으로 용매를 증발시키는 단계를 포함하는, 디바이스의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
투명하거나 또는 투명하지 않은 제 2 전도성 전극이 이전에 형성된 활성층 상에 성막되는, 디바이스의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 활성층을 구성하는 조성물들은, 상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들의 비율이 상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 및 반도체성 중합체 전체에 대해 20 wt% 초과하는 방식으로 선택되는, 디바이스의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 반도체성 중합체의 상 (phase) 및 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료의 상의 2개의 전극들에 대한 전기적 접촉 및 상기 전극들의 평면에 대한 실린더들의 축의 각도 20 ~ 90°에 의해, 상기 반도체성 중합체의 실린더 타입의 모르폴로지가 상기 용매의 증발 이후 확립되는 방식으로, 상기 활성층의 조제가 실행되는, 디바이스의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료들을 구성하는 재료들 중 하나는 가소제인, 디바이스의 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료들 중 하나가 유기 재료, 바람직하게 중합체 재료인 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 중합체 재료는 불소를 포함하는 중합체 또는 중합체들의 혼합물, 바람직하게 비닐리덴 플루오라이드를 포함하는 공중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 중합체 재료는 비닐리덴 플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌의 공중합체 P(VDF-TrFe) 인 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 반도체성 중합체는 플루오렌들, 티오펜들, 페닐렌들, 비닐리덴 페닐렌들, 풀러렌들, 피릴렌들의 부류로부터 유도되는 유기 재료인, 디바이스의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
전자 공여체 상기 반도체성 중합체는 폴리(3-헥실티오펜) P3HT 인 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 반도체성 중합체 및 강유전성 중합체를 용해시킬 수 있는 하나 이상의 극성 및/또는 방향족 용매들을 포함하는, 디바이스의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 용매 또는 용매들은 다음의 용매들: 테트라히드로푸란, 메틸 에틸 케톤, 디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디에틸술폭사이드, 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사손, 디아세톤 알코올, 디이소부틸 케톤, 부티로락톤, 이소포론, 1,2-디메톡시에탄, 클로로포름, 디클로로벤젠, 오르토-디클로로벤젠으로부터 선택될 수도 있는 디바이스의 제조 방법 15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로부터 획득된 광기전력 디바이스. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로부터 획득된 광기전력 디바이스.
- 제 13 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료 또는 재료들은 기계적 변형에 의해 및/또는 항전계보다 더 큰 전계를 상기 디바이스의 전극들에 인가하는 것에 의해 분극되는, 광기전력 디바이스. - 제 14 항에 있어서,
상기 강유전성 형태로 결정화될 수 있는 재료의 분극 이후 잔류 분극을 갖는, 광기전력 디바이스. - 조명 (illumination) 하에서 전류를 생성할 수 있는 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 디바이스의 용도.
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