KR20160031604A - Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same Download PDF

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KR20160031604A
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Abstract

An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention capable of preventing damage to a pad part includes: a substrate where a display region and a non-display region are defined; a thin film transistor which is formed on the display region of the substrate, and includes a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode; the pad part which is formed on the non-display region of the substrate; a connection line which connects the pad part to one of the gate electrode, the source electrode and the drain electrode; a clad layer which is formed on the pad part and the connection line in order to cover the whole pad part and at least a part of the connection line; a first protection layer which is formed on the thin film transistor, and has a first hole formed to expose a part of the drain electrode; a planarization layer which is patterned to expose a part of the drain electrode through the first hole on the first protection layer; and an organic light emitting device which is formed on the planarization layer, and is electrically connected to the drain electrode.

Description

유기발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

멀티미디어의 발달과 함께 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)의 중요성이 증대되고 있고, 이에 따라 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD)를 비롯하여 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 다양한 종류의 평판표시장치가 실용화되고 있다.The importance of flat panel displays (FPDs) has been increasing along with the development of multimedia. As a result, it has become possible to use a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED) Various types of flat panel display devices such as a display device (Organic Light Emitting Device) and the like are put into practical use.

이와 같은 평판표시장치 중에서 유기발광표시장치는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 비해 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 시야각 및 대비비가 우수하고, 소비전력 측면에서도 유리하며, 응답속도가 빠르다는 장점이 있어 액정표시장치를 대신할 표시장치로 급부상하고 있다.Among such flat panel display devices, the organic light emitting display device is a self-luminous display device, since it does not require a backlight as compared with a liquid crystal display device which is a non-light emitting device, it is not only lightweight and thin, but also has excellent viewing angle and contrast ratio, , And the response speed is high, and it is rapidly emerging as a display device to replace the liquid crystal display device.

이하, 도 1을 참조하여 종래기술에 따른 유기발광표시장치의 구성에 대해 간략히 설명한다.Hereinafter, a configuration of an OLED display according to a related art will be briefly described with reference to FIG.

도 1은 종래기술에 따른 유기발광표시장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an OLED display according to a related art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 유기발광표시장치(10)의 기판(100) 상에는 영상이 표시되는 표시영역(100a) 및 영상이 표시되지 않는 비표시영역(100b)이 정의되어 있다.Referring to FIG. 1, a display area 100a on which an image is displayed and a non-display area 100b on which no image is displayed are defined on the substrate 100 of the OLED display 10 according to the related art.

게이트 전극(110)은 기판(100)의 표시영역(100a)에 형성되어 있고, 게이트 절연막(120)은 게이트 전극(110)을 포함하는 기판(100)의 전체면에 형성되어 있다.The gate electrode 110 is formed in the display region 100a of the substrate 100 and the gate insulating film 120 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the gate electrode 110. [

액티브층(130)은 표시영역(100a)에서 게이트 절연막(120) 상에 형성되어 있고, 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)은 소정 거리만큼 이격되도록 액티브층(130) 상에 패턴 형성되어 있다. 패드부(140c)는 비표시영역(100b)에서 게이트 절연막(120) 상에 형성되어 있다.The active layer 130 is formed on the gate insulating film 120 in the display region 100a and the source electrode 140a and the drain electrode 140b are patterned on the active layer 130 so as to be spaced apart by a predetermined distance have. The pad portion 140c is formed on the gate insulating film 120 in the non-display region 100b.

제1 보호층(150)은 소스 전극(140a), 드레인 전극(140b), 및 패드부(140c)를 포함하는 기판(100)의 전체면에 형성되어 있다. 제1 보호층(150)에는 드레인 전극(140b)의 적어도 일부를 노출시키기 위한 콘택홀(CH) 및 패드부(140c)의 적어도 일부를 노출시키기 위한 홀(H)이 형성되어 있다.The first passivation layer 150 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the source electrode 140a, the drain electrode 140b and the pad portion 140c. The first passivation layer 150 is formed with a contact hole CH for exposing at least a part of the drain electrode 140b and a hole H for exposing at least a part of the pad portion 140c.

평탄화층(160)은 표시영역(100a)에서 제1 보호층(150) 상에 형성되어, 유기발광표시장치(10)의 표면 단차를 줄이는 역할을 한다. 평탄화층(160)은 콘택홀(CH)을 통해 드레인 전극(140b)이 노출되도록 패터닝되어 있다.The planarization layer 160 is formed on the first passivation layer 150 in the display region 100a to reduce the surface step of the OLED display 10. [ The planarization layer 160 is patterned to expose the drain electrode 140b through the contact hole CH.

제1 전극(170)은 평탄화층(160) 상에 패턴 형성되어 있다. 제1 전극(170)은 콘택홀(CH)을 통해서 노출되는 드레인 전극(140b)과 전기적으로 연결되어 있다. 제1 전극(170)은 유기발광표시장치에서 애노드(Anode) 전극으로써 동작한다.The first electrode 170 is patterned on the planarization layer 160. The first electrode 170 is electrically connected to the drain electrode 140b exposed through the contact hole CH. The first electrode 170 operates as an anode electrode in the OLED display.

뱅크층(180)은 평탄화층(160) 상에 형성되어 있다. 뱅크층(180)에 의해서 유기발광 다이오드(E)가 형성되는 유기발광 다이오드 영역이 정의된다. The bank layer 180 is formed on the planarization layer 160. The organic light emitting diode region in which the organic light emitting diode E is formed by the bank layer 180 is defined.

유기 발광층(190)은 제1 전극(170) 상에 형성되어 있고, 제2 전극(195)은 유기 발광층(190) 상에 형성되어 있다. 제2 전극(195)은 유기발광표시장치에서 캐소드(Cathode) 전극으로써 동작한다.The organic light emitting layer 190 is formed on the first electrode 170 and the second electrode 195 is formed on the organic light emitting layer 190. The second electrode 195 operates as a cathode electrode in the organic light emitting display.

상술한 바와 같은 제1 전극(170), 유기 발광층(190), 및 제2 전극(195)이 유기발광소자(E)를 구성하게 된다.The first electrode 170, the organic light emitting layer 190, and the second electrode 195 constitute the organic light emitting element E.

하지만, 도 1에 도시된 유기발광표시장치(10)의 경우, 패드부(140c)가 외부로 노출된 상태에서 제1 전극(170)이 패턴 형성되기 때문에, 외부로 노출된 패드부(140c)가 제1 전극(170)의 패턴 형성을 위한 식각액(Etchant)에 의해 손상될 수 있고, 이로 인해 유기발광표시장치의 신뢰성이 저하된다는 문제점이 있다.1, since the first electrode 170 is pattern-formed in a state that the pad portion 140c is exposed to the outside, the pad portion 140c exposed to the outside, May be damaged by an etchant for pattern formation of the first electrode 170, thereby reducing the reliability of the OLED display.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 패드부의 손상을 방지할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can prevent the pad portion from being damaged.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기발광표시장치는, 표시영역 및 비표시영역이 정의되어 있는 기판; 상기 기판의 표시영역에 형성되고, 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 기판의 비표시영역에 형성된 패드부; 상기 패드부를 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 중 적어도 하나와 연결시키는 연결배선; 상기 패드부 전체 및 상기 연결배선의 적어도 일부를 커버하도록 상기 패드부 및 상기 연결배선 상에 형성된 클래드층; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키기 위한 제1 홀이 형성되어 있는 제1 보호층; 상기 제1 보호층 상에 상기 제1 홀을 통해 상기 드레인 전극의 일부가 노출되도록 패턴 형성된 평탄화층; 및 상기 평탄화층 상에 형성되고, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a substrate having a display region and a non-display region defined therein; A thin film transistor formed in a display region of the substrate and including a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode; A pad portion formed in a non-display region of the substrate; A connection wiring connecting the pad portion to at least one of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode; A clad layer formed on the pad portion and the connection wiring to cover the entire pad portion and at least a part of the connection wiring; A first passivation layer formed on the thin film transistor and having a first hole for exposing a part of the drain electrode; A planarization layer patterned to expose a part of the drain electrode through the first hole on the first passivation layer; And an organic light emitting diode formed on the planarization layer and electrically connected to the drain electrode.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 패턴 형성된 반도체층을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극층을 패터닝하여 상기 반도체층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 패드부 및 연결배선을 형성하는 단계; 상기 패드부가 노출되도록 상기 소스전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 연결배선 상에 제1 보호층을 패턴 형성하는 단계; 상기 제1 보호층의 일부와 상기 패드부를 커버하도록 상기 패드부 및 상기 제1 보호층 상에 클래드층을 형성하는 단계; 상기 클래드층을 포함하는 기판의 전체면에 제2 보호층을 형성하는 단계; 상기 패드부를 제외한 상기 제2 보호층 상에 평탄화층을 패턴 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 및 제2 보호층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 제1 전극을 패턴 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 마스크로 하여 상기 연결배선 상에 형성된 제2 보호층과 상기 클래드층 상에 형성된 제2 보호층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 전극 상에 유기발광층 및 제2 전극을 순차 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including a gate electrode, a gate insulating film formed on the gate electrode, and a semiconductor layer patterned on the gate insulating film, Forming a source / drain electrode layer on the substrate; Patterning the source / drain electrode layer to form a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer, and forming a pad portion and a connection wiring on the gate insulating layer; Patterning the first passivation layer on the source electrode, the drain electrode, and the connection wiring to expose the pad portion; Forming a clad layer on the pad portion and the first passivation layer to cover a portion of the first passivation layer and the pad portion; Forming a second protective layer on the entire surface of the substrate including the clad layer; Forming a planarization layer on the second protective layer except for the pad portion; Etching the first passivation layer and the second passivation layer to form a first contact hole exposing the drain electrode; Patterning the first electrode on the planarization layer so as to be electrically connected to the drain electrode through the first contact hole; Removing the second protective layer formed on the connection wiring and the second protective layer formed on the clad layer using the first electrode as a mask; And sequentially forming an organic light emitting layer and a second electrode on the first electrode.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 패턴 형성된 반도체층을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극층을 패터닝하여 상기 반도체층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 패드부 및 연결배선을 형성하는 단계; 상기 패드부 및 상기 연결배선의 적어도 일부를 커버하도록 상기 패드부 상에 클래드층을 패턴 형성하는 단계; 상기 클래드층을 포함하는 기판의 전체면에 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 패드부를 제외한 상기 제1 보호층 상에 평탄화층을 패턴 형성하는 단계; 상기 제1 보호층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 제1 전극을 패턴 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 마스크로 하여 상기 클래드층 및 상기 연결배선 상에 형성된 제1 보호층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 전극 상에 유기발광층 및 제2 전극을 순차 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including a gate electrode, a gate insulating film formed on the gate electrode, and a semiconductor layer patterned on the gate insulating film, Forming a source / drain electrode layer on the substrate; Patterning the source / drain electrode layer to form a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer, and forming a pad portion and a connection wiring on the gate insulating layer; Patterning a clad layer on the pad portion to cover at least a part of the pad portion and the connection wiring; Forming a first protective layer on the entire surface of the substrate including the clad layer; Forming a planarization layer on the first passivation layer except for the pad portion; Etching the first passivation layer to form a first contact hole exposing the drain electrode; Patterning the first electrode on the planarization layer so as to be electrically connected to the drain electrode through the first contact hole; Removing the first protective layer formed on the clad layer and the connection wiring using the first electrode as a mask; And sequentially forming an organic light emitting layer and a second electrode on the first electrode.

본 발명에 따르면, 패드부 상에 클래드층을 형성함으로써 애노드 전극으로써의 동작하는 제1 전극의 패턴 형성시 패드부가 손상되는 것을 방지할 수 있다는 효과가 있다.According to the present invention, by forming the clad layer on the pad portion, it is possible to prevent the pad portion from being damaged when forming the pattern of the first electrode which functions as the anode electrode.

또한, 본 발명에 따르면 애노드 전극으로써 동작하는 제1 전극의 패턴 형성시 클래드층이 외부로 노출되지 않도록 함으로써 클래드 층이 손상되는 것을 방지할 수 있다는 효과가 있다.According to the present invention, the cladding layer can be prevented from being damaged by preventing the cladding layer from being exposed to the outside during the pattern formation of the first electrode that operates as the anode electrode.

또한, 본 발명에 따르면 마스크 개수의 증가 없이도 패드부 및 클래드층의 손상을 방지할 수 있어 제조비용의 증가 없이도 유기발광표시장치의 신뢰성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, damage to the pad portion and the cladding layer can be prevented without increasing the number of masks, and thus reliability of the OLED display device can be secured without increasing the manufacturing cost.

도 1은 종래기술에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2b는 도 2a에 도시된 패드부, 연결배선, 클래드층, 및 제1 보호층의 연결관계를 보여주는 평면도.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4b는 도 4a에 도시된 패드부, 연결배선, 및 클래드층의 연결관계를 보여주는 평면도.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display according to a related art.
FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 2B is a plan view showing a connection relationship between the pad portion, the connection wiring, the cladding layer, and the first protective layer shown in FIG. 2A. FIG.
3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
4B is a plan view showing a connection relationship between the pad portion, the connection wiring, and the clad layer shown in FIG. 4A.
5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

어떤 구조물이 다른 구조물 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에" 또는 "바로 아래에"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.When a structure is described as being "on" or "under" another structure, such a substrate includes both the structures as well as the third structure interposed therebetween . However, if the terms "directly above" or "directly below" are used, these structures should be construed as limited to being in contact with each other.

이하, 첨부되는 도면을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예Example

유기발광표시장치Organic light emitting display

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.2A is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치(20)는 표시영역(200a) 및 비표시영역(200b)이 정의되어 있는 기판(200)을 포함한다.2A, the OLED display 20 includes a substrate 200 having a display region 200a and a non-display region 200b defined therein.

기판(200) 상에서 표시영역(200a)에는 유기발광 다이오드(E) 및 유기발광 다이오드(E)의 구동을 위한 구동소자(DTr)가 형성된다. 일 실시예에 있어서, 구동소자는 하나 이상의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)로 구현될 수 있다. 이러한 유기발광 다이오드(E) 및 구동소자(DTr)의 조합에 하나의 화소(P)가 정의될 수 있다.A driving device DTr for driving the organic light emitting diode E and the organic light emitting diode E is formed in the display region 200a on the substrate 200. [ In one embodiment, the driving element may be implemented with one or more thin film transistors (TFT). One pixel P can be defined for the combination of the organic light emitting diode E and the driving device DTr.

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치(20)는, 기판(200), 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 소스 전극(240a), 드레인 전극(240b), 패드부(240c), 연결배선(240d), 제1 보호층(250), 클래드층(255), 평탄화층(260), 제1 전극(270), 뱅크층(280), 유기 발광층(290), 및 제2 전극(300)을 포함한다.The gate electrode 210, the gate insulating film 220, the active layer 230, the source electrode 240a, the source electrode 240a, the source electrode 240a, A drain electrode 240b, a pad portion 240c, a connection wiring 240d, a first passivation layer 250, a cladding layer 255, a planarization layer 260, a first electrode 270, a bank layer 280 ), An organic light emitting layer 290, and a second electrode 300.

기판(200)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드(Polyimide)가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 기판(200)의 재료로 이용할 경우에는, 기판(200) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. Glass is mainly used for the substrate 200, but transparent plastic such as polyimide which can be bent or rolled can be used. When the polyimide is used as the material of the substrate 200, polyimide excellent in heat resistance that can withstand high temperatures can be used, considering that a high temperature deposition process is performed on the substrate 200.

게이트 전극(210)은 기판(200) 상에 패턴 형성되어 있다. 즉, 게이트 전극(210)은 기판(200) 상에서 표시영역(200a)에 형성되어 있다. 게이트 전극(210)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.The gate electrode 210 is patterned on the substrate 200. That is, the gate electrode 210 is formed on the substrate 200 in the display region 200a. The gate electrode 210 may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ni, Ni, And may be a single layer of the metal or alloy, or a multilayer of two or more layers.

게이트 절연막(220)은 게이트 전극(210)을 포함하는 기판(200)의 전체면에 형성되어 있고, 게이트 전극(210)을 액티브층(230)으로부터 절연시킨다. 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물(Silicon Oxide) 또는 실리콘 질화물(Silicon Nitride)과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The gate insulating layer 220 is formed on the entire surface of the substrate 200 including the gate electrode 210 and insulates the gate electrode 210 from the active layer 230. The gate insulating layer 220 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but is not limited thereto and may be made of photo acryl or benzocyclobutene Or may be made of the same organic insulating material.

액티브층(230)은 게이트 절연막(220) 상에 패턴 형성되어 있다. 액티브층(230)은 게이트 전극(210)과 오버랩되도록 형성되어 있다. 액티브층(230)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다. The active layer 230 is patterned on the gate insulating film 220. The active layer 230 is formed to overlap with the gate electrode 210. The active layer 230 may be made of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO), but is not limited thereto, and may be made of a silicon-based semiconductor.

소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b)은 서로 마주하면서 액티브층(230) 상에 패턴 형성되어 있다. 일 실시예에 있어서, 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b)은 도 2a에서 알 수 있는 바와 같이 MoTi 또는 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 이용하여 형성된 접착층(Adhesion Layer, 242) 및 접착층(242) 상에 Cu를 이용하여 형성된 제1 금속층(244)으로 구성될 수 있다. 이때, 접착층(242)은 Cu를 이용하여 형성된 제1 금속층(244)의 결합을 견고히 하기 위한 것이다.The source electrode 240a and the drain electrode 240b are patterned on the active layer 230 while facing each other. The source electrode 240a and the drain electrode 240b may be formed of an adhesive layer 242 formed using MoTi or indium-tin-oxide (ITO) And a first metal layer 244 formed by using Cu on the first metal layer 242. At this time, the adhesive layer 242 is used for strengthening the bonding of the first metal layer 244 formed using Cu.

본 발명에서 소스전극(240a) 및 드레인 전극(240b)을 Cu를 이용하여 형성하는 이유는 대면적 제품에서 배선의 저항을 감소시키기 위한 것이다.The reason why the source electrode 240a and the drain electrode 240b are formed using Cu in the present invention is to reduce the resistance of the wiring in a large area product.

패드부(240c)는 연결배선(240d)을 통하여 게이트 전극(210), 소스전극(240a), 및 드레인 전극(240b) 중 적어도 하나와 연결되어, 외부로부터 인가되는 전기적 신호를 게이트 전극(210), 소스전극(240a), 및 드레인 전극(240b)에 전달한다.The pad portion 240c is connected to at least one of the gate electrode 210, the source electrode 240a and the drain electrode 240b via the connection wiring 240d to electrically connect the gate electrode 210 with an external electrical signal. The source electrode 240a, and the drain electrode 240b.

이러한 패드부(240c) 및 연결배선(240d)은 소스전극(240a) 및 드레인 전극(240b)과 동일한 물질을 이용하여 동시에 형성되기 때문에, 패드부(240a) 및 연결배선(240a) 또한 MoTi 또는 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 이용하여 형성된 접착층(242) 및 접착층(242) 상에 Cu를 이용하여 형성된 제1 금속층(244)으로 구성된다.Since the pad portion 240c and the connection wiring 240d are simultaneously formed using the same material as the source electrode 240a and the drain electrode 240b, the pad portion 240a and the connection wiring 240a may be formed of MoTi or ITO An adhesive layer 242 formed by using indium-tin-oxide (ITO), and a first metal layer 244 formed by using Cu on the adhesive layer 242.

도 2a에 도시하지는 않았지만, 액티브층(230)과 소스전극(240a)/드레인 전극(240b) 사이에는 에치 스톱퍼가 개재될 수 있다. 에치 스톱퍼는 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b)의 패터닝을 위한 에칭 공정시 액티브층(230)의 채널영역이 에칭되는 것을 방지하는 역할을 한다. 에치 스톱퍼는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.Although not shown in FIG. 2A, an etch stopper may be interposed between the active layer 230 and the source electrode 240a / drain electrode 240b. The etch stopper serves to prevent the channel region of the active layer 230 from being etched during the etching process for patterning the source electrode 240a and the drain electrode 240b. The etch stopper may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not limited thereto.

제1 보호층(250)은 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b) 상에 형성되어 있고, 드레인 전극(240b)의 일부를 노출시키기 위한 제1 홀이 형성되어 있다. 또한, 제1 보호층(250)은 연결배선(240d)의 전체를 커버하도록 형성된다. 즉, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(250)은 기판(200) 상에서 패드부(240c)를 제외한 영역 상에 형성된다.The first passivation layer 250 is formed on the source electrode 240a and the drain electrode 240b and has a first hole for exposing a part of the drain electrode 240b. In addition, the first protective layer 250 is formed to cover the entire connection wiring 240d. That is, as shown in FIG. 2B, the first passivation layer 250 is formed on the substrate 200 except for the pad portion 240c.

제1 보호층(250)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The first protective layer 250 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not necessarily limited to, but may be made of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) It is possible.

클래드층(255)은 패드부(240c) 전체 및 연결배선(240d)의 적어도 일부를 커버하도록 패드부(240c) 및 연결배선(240d) 상에 형성되어 있다. 즉, 도 2b에서 알 수 있는 바와 같이, 클래드층(255)은 패드부(240c) 전체를 커버하도록 형성되고, 연결배선(240d)은 적어도 일부를 커버하도록 형성되기 때문에 연결배선(240d)상에 형성된 클래드층(255)은 제1 보호층(250)과 오버랩된다. 이와 같이, 본 발명은 패드부(240c) 상에 클래드층(255)이 형성되어 있기 때문에, 제1 전극(270)의 패턴 형성시 패드부(240c)가 외부로 직접 노출되지 않아, 제1 전극(270)의 식각을 위한 식각액(Etchant)에 의해 패드부(240c)가 손상되거나 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.The cladding layer 255 is formed on the pad portion 240c and the connection wiring 240d so as to cover the entire pad portion 240c and at least a part of the connection wiring 240d. 2B, the cladding layer 255 is formed to cover the entire pad portion 240c, and the connection wiring 240d is formed to cover at least a part of the pad portion 240c, The formed clad layer 255 overlaps with the first protective layer 250. As described above, according to the present invention, since the clad layer 255 is formed on the pad portion 240c, the pad portion 240c is not directly exposed to the outside when forming the pattern of the first electrode 270, It is possible to prevent the pad portion 240c from being damaged or corroded by the etchant for etching of the pad portion 270.

이러한 클래드층(255)는 식각 선택비(Etch Selectivity)가 높은 물질, 예컨대 ITO 또는 MoTi를 이용하여 형성될 수 있다.The cladding layer 255 may be formed using a material having a high etch selectivity, such as ITO or MoTi.

제2 보호층(257)은 제1 보호층(250) 상에 형성되어 있고, 드레인 전극의 일부를 노출시키기 위한 제2 홀이 형성되어 있다. 제1 보호층(250)에 형성된 제1 홀과 제2 보호층(257)에 형성된 제2 홀의 조합을 통해 드레인 전극(240b)을 외부로 노출시키기 위한 제1 콘택홀(CH1)이 형성된다. 제2 보호층(257)은 패드부(240c)와 오버랩되지 않도록 형성된다. 일 실시예에 있어서, 제2 보호층(257)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다.The second passivation layer 257 is formed on the first passivation layer 250 and has a second hole for exposing a portion of the drain electrode. A first contact hole CH1 for exposing the drain electrode 240b to the outside is formed through a combination of a first hole formed in the first passivation layer 250 and a second hole formed in the second passivation layer 257. [ The second protective layer 257 is formed so as not to overlap with the pad portion 240c. In one embodiment, the second passivation layer 257 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but it is not limited thereto, and may be made of photo acryl or benzocyclobutene (BCB) Or may be made of the same organic insulating material.

평탄화층(260)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해 드레인 전극의 일부가 노출되도록 제2 보호층(257) 상에 패턴 형성되어 있다. 평탄화층(260)은 유기발광표시장치(20)의 표면 단차를 줄이는 역할을 한다. 이와 같은 평탄화층(260)은 포토아크릴(Photo acryl: PAC) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다.The planarization layer 260 is patterned on the second passivation layer 257 to expose a portion of the drain electrode through the first contact hole CH1. The planarization layer 260 serves to reduce the surface level difference of the organic light emitting diode display 20. The planarization layer 260 may be formed of an organic insulating material such as photo acryl (PAC) or benzocyclobutene (BCB).

제1 전극(270)은 평탄화층(260) 상에 패턴 형성되어 있다. 제1 전극(270)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 드레인 전극(240b)과 전기적으로 연결되어 있다. 제1 전극(270)은 유기발광표시장치(20)의 애노드(Anode) 전극으로써 동작함과 동시에 유기발광층(280)에서 발생된 광을 제2 전극(300) 방향으로 반사시키는 반사판으로써 동작한다.The first electrode 270 is patterned on the planarization layer 260. The first electrode 270 is electrically connected to the drain electrode 240b through the first contact hole CH1. The first electrode 270 operates as an anode electrode of the organic light emitting display device 20 and operates as a reflector that reflects light generated from the organic light emitting layer 280 toward the second electrode 300.

일 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 형성될 수 있다.In one embodiment, the first electrode 270 may be formed of a transparent conductive material having a relatively high work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

다른 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 복수개의 층으로 구성될 수 있다.In another embodiment, the first electrode 270 is formed of a plurality of layers including a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al), silver (Ag), APC (Ag; Pb; Cu) .

제1 전극(270)이 복수개의 층으로 구성되는 경우, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 전극(270)은 ITO를 이용하여 형성된 제1 투명 전극(272), 제1 투명 전극(272)상에 반사율이 높은 물질, 예컨대 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속전극(274), 제1 금속전극(274) 상에 ITO를 이용하여 형성된 제2 투명 전극(276)으로 구성될 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 제1 전극(270)이 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속전극(274) 및 ITO를 이용하여 형성된 제1 및 제2 투명전극(272, 274)으로 구성되기 때문에 유기발광표시장치(20)의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.2A, the first electrode 270 may include a first transparent electrode 272, a first transparent electrode 272, and a second transparent electrode 272 formed using ITO. In this case, A first metal electrode 274 formed by using a material having a high reflectance such as Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu)) on the first metal electrode 274, And a second transparent electrode 276 formed using the second transparent electrode 276. The first electrode 270 is formed using a first metal electrode 274 formed using an alloy containing Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu)) and ITO The first and second transparent electrodes 272 and 274 can improve the brightness of the organic light emitting diode display 20.

상술한 예에서는 제1 전극(270)이 3층 구조로 형성되는 것으로 설명하였지만, 다른 예에 있어서 제1 전극(270)은, ITO를 이용하여 형성된 투명전극층 및 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 금속전극이 순차적으로 형성된 2층구조로 형성될 수도 있다.In the above example, the first electrode 270 is formed to have a three-layer structure. However, in another example, the first electrode 270 may include a transparent electrode layer formed using ITO and a transparent electrode layer formed of Al, Ag, Layer structure in which metal electrodes formed using an alloy (APC (Ag; Pb; Cu)) are sequentially formed.

뱅크층(280)은 평탄화층(260) 상에 형성되어 있다. 구체적으로, 뱅크층(280)은 구동소자(DTr)와 오버랩되도록 패턴 형성되어 있으며, 이와 같은 뱅크층(280)에 의해서 유기발광소자(E)가 형성되는 유기발광소자 영역이 정의된다. 뱅크층(280)은 유기절연물질, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The bank layer 280 is formed on the planarization layer 260. Specifically, the bank layer 280 is patterned to overlap the driving element DTr, and an organic light emitting element region in which the organic light emitting element E is formed by the bank layer 280 is defined. The bank layer 280 may be made of an organic insulating material, such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB), but is not necessarily limited thereto.

유기 발광층(290)은 제1 전극(270) 상에 형성되어 있다. 도시하지는 않았지만, 유기 발광층(290)은 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층, 및 전자주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 유기 발광층(280)은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(White)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다.The organic light emitting layer 290 is formed on the first electrode 270. Although not shown, the organic light emitting layer 290 may be formed by sequentially stacking a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer 280 may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may be formed to emit light of different colors, for example, red, green, blue, It is possible.

제2 전극(300)은 유기 발광층(290) 상에 형성되어 있다. 제2 전극(300)은 화소 별로 구분되지 않고 전체 화소에 공통되는 전극 형태로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극(300)은 유기 발광층(290) 뿐만 아니라 뱅크층(280) 상에도 형성될 수 있다. 제2 전극(300)은 유기발광표시장치(20)에서 캐소드(Cathode) 전극 및 반투과막 역할을 수행한다.The second electrode 300 is formed on the organic light emitting layer 290. The second electrode 300 may be formed in an electrode shape that is common to all pixels without being divided for each pixel. That is, the second electrode 300 may be formed not only on the organic light emitting layer 290 but also on the bank layer 280. The second electrode 300 serves as a cathode electrode and a semi-transparent film in the organic light emitting diode display 20.

상술한 바와 같은 제1 전극(270), 유기 발광층(280), 및 제2 전극(280)이 유기발광소자(E)를 구성하게 된다.
The first electrode 270, the organic light emitting layer 280, and the second electrode 280 constitute the organic light emitting element E.

유기발광표시장치의 제조 방법Method for manufacturing organic light emitting display device

이하, 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention will be described in detail.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 보여주는 개략적인 제조 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 2a에 따른 유기발광표시장치의 제조공정에 관한 것이다.FIGS. 3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of fabricating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 3a에서 알 수 있듯이, 게이트 전극(210), 게이트 전극(210) 상에 형성된 게이트 절연막(220), 및 게이트 절연막(220) 상에 패턴 형성된 반도체층(230)을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층(미도시)을 형성한 후 소스/드레인 전극층 을 패터닝하여 반도체층(230) 상에 소스전극(240a) 및 드레인 전극(240b)을 형성하고, 게이트 절연막(220) 상에 패드부(240c) 및 연결배선(240d)을 형성한다.3A, a source / drain region 220 is formed on a substrate including a gate electrode 210, a gate insulating film 220 formed on the gate electrode 210, and a semiconductor layer 230 patterned on the gate insulating film 220. [ A source electrode 240a and a drain electrode 240b are formed on the semiconductor layer 230 by patterning the source / drain electrode layer after forming a drain electrode layer (not shown) And a connection wiring 240d are formed.

게이트 전극(210)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금이나, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있고, 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다. 액티브층(230)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체나 실리콘계 반도체로 이루어질 수 있다. The gate electrode 210 may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ni, Ni, The gate insulating layer 220 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, a photocatalyst or a benzocyclobutene (BCB) And the like. The active layer 230 may be formed of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO) or a silicon-based semiconductor.

일 실시예에 있어서, 소스/드레인 전극층은 MoTi 또는 ITO를 이용하여 형성된 제1 물질층(미도시)과 제1 물질층 상에 Cu를 이용하여 형성된 제2 물질층(미도시)으로 구성될 수 있다. 본 발명에서 제1 물질층을 Cu를 이용하여 형성하는 이유는 대면적 제품에서 배선의 저항을 감소시키기 위한 것이다. 이때, 접착층은 Cu를 이용하여 형성된 제2 금속 물질층의 결합을 견고히 하기 위한 것이다. 이러한 소스/드레인 전극층의 패터닝을 통해 제1 물질층은 접착층(242)을 형성하게 되고, 제2 물질층은 제1 금속층(244)을 형성하게 된다.In one embodiment, the source / drain electrode layer may comprise a first material layer (not shown) formed using MoTi or ITO and a second material layer (not shown) formed using Cu on the first material layer have. The reason why the first material layer is formed using Cu in the present invention is to reduce the resistance of the wiring in a large-area product. At this time, the adhesive layer is for strengthening the bonding of the second metal material layer formed using Cu. The patterning of the source / drain electrode layer causes the first material layer to form the adhesive layer 242 and the second material layer to form the first metal layer 244. [

다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 소스전극(240a), 드레인 전극(240b), 및 연결배선(240c) 상에 제1 보호층(250)을 패턴 형성한다. 즉, 제1 보호층(250)은 패드부(240c)가 노출될 수 있도록 기판(200) 상에서 패드부(240a) 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에만 형성된다. 제1 보호층(250)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질이나 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다. Next, as shown in FIG. 3B, the first passivation layer 250 is pattern-formed on the source electrode 240a, the drain electrode 240b, and the connection wiring 240c. That is, the first passivation layer 250 is formed only on the region except the region where the pad portion 240a is formed on the substrate 200 so that the pad portion 240c may be exposed. The first passivation layer 250 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride or an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB).

다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 연결배선(240d) 상에 형성되어 있는 제1 보호층(250)과 패드부(240c) 상에 식각 선택비가 높은 물질, 예컨대 ITO 또는 MoTi를 이용하여 클래드층(255)을 형성한다. 즉, 클래드층(255)은 패드부(240c) 전체를 커버함과 동시에, 연결배선(240d) 상에 형성되어 있는 제1 보호층(250)과 중첩되도록 형성된다. 이와 같이, 본 발명은 패드부(240c) 상에 클래드층(255)이 형성되어 있기 때문에, 후술할 제1 전극(270)의 패턴 형성시 패드부(240c)가 외부로 직접 노출되지 않아, 제1 전극(270)의 식각을 위한 식각액에 의해 패드부(240c)가 손상되거나 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.Next, as shown in FIG. 3C, on the first passivation layer 250 and the pad portion 240c formed on the connection wiring 240d, a material having a high etch selectivity, for example, ITO or MoTi, (255). That is, the clad layer 255 covers the entire pad portion 240c and is formed so as to overlap with the first passivation layer 250 formed on the connection wiring 240d. As described above, according to the present invention, since the clad layer 255 is formed on the pad portion 240c, the pad portion 240c is not directly exposed to the outside during pattern formation of the first electrode 270, It is possible to prevent the pad portion 240c from being damaged or corroded by the etching solution for etching the one electrode 270.

다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 클래드층(255)을 포함하는 기판(200)의 전체면에 제2 보호층(257)을 형성한 후, 패드부(240c)를 제외한 제2 보호층(257) 상에 평탄화층(260)을 패턴 형성한다. 이때, 평탄화층(260)은 드레인 전극(240b)에 상응하는 제2 보호층(257) 영역이 노출될 수 있도록 패턴 형성된다. 일 실시예에 있어서, 제2 보호층(257)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질이나 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있고, 평탄화층(260)은 포토아크릴(Photo acryl: PAC) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다.3D, a second passivation layer 257 is formed on the entire surface of the substrate 200 including the cladding layer 255, and then a second passivation layer (not shown) The planarization layer 260 is pattern-formed on the planarization layer 257. At this time, the planarization layer 260 is patterned to expose a region of the second passivation layer 257 corresponding to the drain electrode 240b. In one embodiment, the second passivation layer 257 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride or an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) The first electrode 260 may be formed of an organic insulating material such as photo acryl (PAC) or benzocyclobutene (BCB).

다음, 도 3e에 도시된 바와 같이, 평탄화층(260)을 통해 노출되는 제2 보호층(257) 및 제1 보호층(250)을 패터닝하여 제1 보호층(250)에 제1 홀을 형성하고, 제2 보호층(257)에 제2 홀을 형성함으로써, 제1 홀 및 제2 홀의 조합에 의해 드레인 전극(240b)을 외부로 노출시키는 제1 콘택홀(CH1)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3E, the second passivation layer 257 and the first passivation layer 250 exposed through the planarization layer 260 are patterned to form a first hole in the first passivation layer 250 And the second hole is formed in the second protective layer 257 to form the first contact hole CH1 that exposes the drain electrode 240b to the outside by the combination of the first hole and the second hole.

다음, 도 3f에 도시된 바와 같이, 제1 콘택홀(CH1)을 통해 드레인 전극(240b)과 전기적으로 연결되도록 평탄화층(260) 상에 제1 전극(270)을 패턴 형성한다. 이러한 제1 전극(270)은 유기발광표시장치의 애노드(Anode) 전극으로써 동작함과 동시에 유기발광층(280)에서 발생된 광을 제2 전극(300) 방향으로 반사시키는 반사판으로써 동작하게 된다.Next, as shown in FIG. 3F, the first electrode 270 is pattern-formed on the planarization layer 260 to be electrically connected to the drain electrode 240b through the first contact hole CH1. The first electrode 270 operates as an anode electrode of the organic light emitting display and operates as a reflector that reflects light generated from the organic light emitting layer 280 toward the second electrode 300.

일 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 형성될 수 있다.In one embodiment, the first electrode 270 may be formed of a transparent conductive material having a relatively high work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

다른 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 복수개의 층으로 구성될 수 있다. In another embodiment, the first electrode 270 is formed of a plurality of layers including a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al), silver (Ag), APC (Ag; Pb; Cu) .

도 3f에 도시된 바와 같이 제1 전극(270)이 복수개의 층으로 구성되는 경우, 제1 전극(270)은 평탄화층(260)을 포함하는 기판(200)의 전체면에 ITO를 이용하여 형성된 제1 투명 전도성 물질층(미도시), 반사율이 높은 물질, 예컨대 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속 물질층(미도시), 및 ITO를 이용하여 형성된 제2 투명 전도성 물질층(미도시)을 순차적으로 형성한 후, 제1 투명 전도성 물질층, 금속 물질층, 및 제2 투명 전도성 물질층을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 제1 투명 전도성 물질층, 금속 물질층, 및 제2 투명 전도성 물질층의 패터닝을 통해 제1 투명 전도성 물질층은 제1 투명 전극(272)을 형성하게 되고, 제1 금속 물질층은 제1 금속전극(274)을 형성하게 되며, 제2 투명 전도성 물질층은 제2 투명 전극(276)을 형성하게 된다.3F, when the first electrode 270 is formed of a plurality of layers, the first electrode 270 may be formed by using ITO on the entire surface of the substrate 200 including the planarization layer 260 A first metal material layer (not shown) formed using a first transparent conductive material layer (not shown), a material having a high reflectance, such as Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu) , And a second transparent conductive material layer (not shown) formed using ITO, and then patterning the first transparent conductive material layer, the metal material layer, and the second transparent conductive material layer. The first transparent conductive material layer forms a first transparent electrode 272 through the patterning of the first transparent conductive material layer, the metal material layer, and the second transparent conductive material layer, Electrode 274 and the second transparent conductive material layer forms a second transparent electrode 276.

이와 같이, 본 발명은 제1 전극(270)이 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속전극(274) 및 ITO를 이용하여 형성된 제1 및 제2 투명전극(272, 274)으로 구성되기 때문에 유기발광표시장치(20)의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.The first electrode 270 is formed using a first metal electrode 274 formed using an alloy containing Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu)) and ITO The first and second transparent electrodes 272 and 274 can improve the brightness of the organic light emitting diode display 20.

다음, 도 3g에 도시된 바와 같이, 제1 전극(270)을 마스크로 하여 제1 보호층(250) 및 클래드층(255) 상에 형성된 제2 보호층(257)을 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 제거한다. 이를 통해, 클래드층(255) 및 연결배선(240d) 상에 형성된 제1 보호층(250)이 외부로 노출된다.3G, wet etching is performed on the first passivation layer 250 and the second passivation layer 257 formed on the cladding layer 255 using the first electrode 270 as a mask. Then, Process. Thus, the first passivation layer 250 formed on the cladding layer 255 and the connection wiring 240d is exposed to the outside.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 클래드층(255)은 제1 전극(270)의 패턴 형성이 완료될 때까지 제2 보호층(257)에 의해 보호되어 외부로 노출되지 않고, 제1 전극(270)의 패턴 형성이 완료된 이후에야 외부로 노출되기 때문에, 제1 전극(270)의 패턴 형성과정에서 클래드층(255)이 손상 또는 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the cladding layer 255 is protected by the second protective layer 257 until the pattern formation of the first electrode 270 is completed and is not exposed to the outside, The patterning of the first electrode 270 can be prevented from being damaged or corroded during the pattern formation process.

다음, 도 3h에 도시된 바와 같이, 평탄화층(260) 상에 뱅크층(280)을 패턴형성한 후, 뱅크층(280) 및 제1 전극(270) 상에 유기발광층(290) 및 제2 전극(300)을 순차 형성하여 유기발광소자(E)를 완성한다. 제2 전극(300)은 유기발광표시장치(20)에서 캐소드(Cathode) 전극 및 반투과막 역할을 수행한다. 뱅크층(280)은 구동소자(DTr)와 오버랩되도록 패턴 형성되어 있으며, 뱅크층(280)은 유기절연물질, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있다. 유기 발광층(290)은 도시하지는 않았지만, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층, 및 전자주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 유기 발광층(280)은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(White)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다.
3H, a bank layer 280 is patterned on the planarization layer 260 and then an organic light emitting layer 290 and a second organic light emitting layer 290 are formed on the bank layer 280 and the first electrode 270. Then, Electrodes 300 are sequentially formed to complete the organic light emitting device E. The second electrode 300 serves as a cathode electrode and a semi-transparent film in the organic light emitting diode display 20. The bank layer 280 is patterned to overlap with the driving element DTr and the bank layer 280 is formed of an organic insulating material such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene BCB). Although not shown, the organic light emitting layer 290 may be formed by sequentially stacking a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer 280 may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may be formed to emit light of different colors, for example, red, green, blue, It is possible.

다른 실시예Other Embodiments

유기발광표시장치Organic light emitting display

도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 4a에서 도시된 유기발광표시장치(40)에서 도 2에 도시된 유기발광표시장치(20)의 동일한 구성에 대해서는 설명의 편의를 위해 동일한 도면부호를 사용하기로 한다.4A is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. In the organic light emitting diode display 40 shown in FIG. 4A, the same reference numerals are used for the same components of the organic light emitting diode display 20 shown in FIG. 2 for convenience of explanation.

도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치(40)는 표시영역(200a) 및 비표시영역(200b)이 정의되어 있는 기판(200)을 포함한다.4A, an OLED display 40 according to another embodiment of the present invention includes a substrate 200 having a display region 200a and a non-display region 200b defined therein.

기판(200) 상에서 표시영역(200a)에는 유기발광 다이오드(E) 및 유기발광 다이오드(E)의 구동을 위한 구동소자(DTr)가 형성된다. 일 실시예에 있어서, 구동소자는 하나 이상의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)로 구현될 수 있다. 이러한 유기발광 다이오드(E) 및 구동소자(DTr)의 조합에 하나의 화소(P)가 정의될 수 있다.A driving device DTr for driving the organic light emitting diode E and the organic light emitting diode E is formed in the display region 200a on the substrate 200. [ In one embodiment, the driving element may be implemented with one or more thin film transistors (TFT). One pixel P can be defined for the combination of the organic light emitting diode E and the driving device DTr.

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치(20)는, 기판(200), 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 소스 전극(240a), 드레인 전극(240b), 패드부(240c), 연결배선(240d), 제1 보호층(250), 클래드층(255), 평탄화층(260), 제1 전극(270), 뱅크층(280), 유기 발광층(290), 및 제2 전극(300)을 포함한다.The organic light emitting diode display 20 according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 200, a gate electrode 210, a gate insulating layer 220, an active layer 230, a source electrode A first electrode 270a and a second electrode 270b are formed on the first electrode layer 240a, the drain electrode 240b, the pad portion 240c, the connection wiring 240d, the first passivation layer 250, the cladding layer 255, the planarization layer 260, A first electrode 280, an organic light emitting layer 290, and a second electrode 300.

기판(200), 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 소스 전극(240a), 드레인 전극(240b), 패드부(240c), 및 연결배선(240d)는 도 2에 도시된 유기발광표시장치(20)에 포함된 것과 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The substrate 200, the gate electrode 210, the gate insulating film 220, the active layer 230, the source electrode 240a, the drain electrode 240b, the pad portion 240c, and the connection wiring 240d, Is the same as that included in the organic light emitting diode display 20 shown in FIG.

제1 보호층(250)은 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b) 상에 형성되어 있고, 드레인 전극의 일부를 노출시키기 위한 제1 홀이 형성되어 있다. 또한, 제1 보호층(250)은 연결배선(240d)의 일부를 커버하도록 형성된다. 즉, 제1 보호층(250)은 도 4b에서 알 수 있는 바와 같이, 연결배선(240d) 중에서 표시영역(200a)에 형성된 연결배선(240d) 상에 형성되고 비표시영역(200b)에 형성된 연결배선(240d) 상에는 형성되지 않는다.The first passivation layer 250 is formed on the source electrode 240a and the drain electrode 240b and has a first hole for exposing a part of the drain electrode. In addition, the first protective layer 250 is formed so as to cover a part of the connection wiring 240d. 4B, the first protection layer 250 is formed on the connection wiring 240d formed in the display region 200a of the connection wiring 240d and is formed on the connection wiring 240d formed in the non-display region 200b And is not formed on the wiring 240d.

제1 보호층(250)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The first protective layer 250 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not necessarily limited to, but may be made of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) It is possible.

클래드층(255)은 패드부(240c) 전체 및 비표시영역(200b)에 형성된 연결배선(240d)을 커버하도록 패드부(240c) 및 연결배선(240d) 상에 형성되어 있다. 즉, 도 4b에서 알 수 있는 바와 같이, 클래드층(255)은 패드부(240c) 전체를 커버하도록 형성되고, 연결배선(240d) 중 비표시영역(200b)에 형성된 연결배선(240d) 전체를 커버하도록 형성되기 때문에 클래드층(255)과 제1 보호층(250)은 오버랩되지 않는다.The cladding layer 255 is formed on the pad portion 240c and the connection wiring 240d so as to cover the entire pad portion 240c and the connection wiring 240d formed in the non-display region 200b. 4B, the cladding layer 255 is formed to cover the entire pad portion 240c, and the entire connection wiring 240d formed in the non-display region 200b of the connection wiring 240d The cladding layer 255 and the first protective layer 250 do not overlap with each other.

일 실시예에 있어서, 클래드층(255)은 식각 선택비가 높은 물질, 예컨대 ITO 또는 MoTi를 이용하여 형성될 수 있다.In one embodiment, the cladding layer 255 may be formed using a material having a high etch selectivity, such as ITO or MoTi.

이와 같이, 본 발명은 패드부(240c) 및 연결배선(240d) 상에 클래드층(255)이 형성되어 있어, 제1 전극(270)의 패턴 형성시 패드부(240c) 뿐만 아니라 연결배선(240d)이 외부로 직접 노출되지 않아, 제1 전극(270)의 식각을 위한 식각액에 의해 패드부(240c) 및 연결배선(240d)이 손상되거나 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the cladding layer 255 is formed on the pad portion 240c and the connection wiring 240d, so that not only the pad portion 240c but also the connection wiring 240d Is not directly exposed to the outside, it is possible to prevent the pad portion 240c and the connection wiring 240d from being damaged or corroded by the etching solution for etching the first electrode 270.

평탄화층(260)은 제1 홀을 통해 드레인 전극의 일부가 외부로 노출되도록 제1 보호층(250) 상에 패턴 형성되어 있다. 평탄화층(260)은 유기발광표시장치(40)의 표면 단차를 줄이는 역할을 한다. 이와 같은 평탄화층(260)은 포토아크릴(Photo acryl: PAC) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다.The planarization layer 260 is patterned on the first passivation layer 250 so that a part of the drain electrode is exposed to the outside through the first hole. The planarization layer 260 serves to reduce the surface step of the OLED display 40. The planarization layer 260 may be formed of an organic insulating material such as photo acryl (PAC) or benzocyclobutene (BCB).

제1 전극(270)은 평탄화층(260) 상에 패턴 형성되어 있다. 제1 전극(270)은 제1 홀을 통해서 드레인 전극(240b)과 전기적으로 연결되어 있다. 제1 전극(270)은 유기발광표시장치(40)의 애노드(Anode) 전극으로써 동작함과 동시에 유기발광층(280)에서 발생된 광을 제2 전극(300) 방향으로 반사시키는 반사판으로써 동작한다.The first electrode 270 is patterned on the planarization layer 260. The first electrode 270 is electrically connected to the drain electrode 240b through the first hole. The first electrode 270 operates as an anode electrode of the OLED display 40 and operates as a reflector that reflects light emitted from the OLED 280 toward the second electrode 300.

이러한 제1 전극(270)의 구성은 도 2에 도시된 제1 전극(270)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The structure of the first electrode 270 is the same as that of the first electrode 270 shown in FIG. 2, so that a detailed description thereof will be omitted.

뱅크층(280), 유기발광층(290), 및 제2 전극(300)은 도 2에 도시된 유기발광표시장치(20)에 포함된 것과 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
The bank layer 280, the organic light emitting layer 290, and the second electrode 300 are the same as those included in the organic light emitting diode display 20 shown in FIG. 2, so a detailed description thereof will be omitted.

유기발광표시장치의 제조 방법Method for manufacturing organic light emitting display device

이하, 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention will be described in detail.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 보여주는 개략적인 제조 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 유기발광표시장치의 제조공정에 관한 것이다.5A to 5G are cross-sectional views schematically illustrating a manufacturing method of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention, which relates to the manufacturing process of the organic light emitting display according to FIG.

도 5a에서 알 수 있듯이, 게이트 전극(210), 게이트 전극(210) 상에 형성된 게이트 절연막(220), 및 게이트 절연막(220) 상에 패턴 형성된 반도체층(230)을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층(미도시)을 형성한 후 소스/드레인 전극층 을 패터닝하여 반도체층(230) 상에 소스전극(240a) 및 드레인 전극(240b)을 형성하고, 게이트 절연막(220) 상에 패드부(240c) 및 연결배선(240d)을 형성한다.5A, a source / drain region 220 is formed on a substrate including a gate electrode 210, a gate insulating film 220 formed on the gate electrode 210, and a semiconductor layer 230 patterned on the gate insulating film 220. [ A source electrode 240a and a drain electrode 240b are formed on the semiconductor layer 230 by patterning the source / drain electrode layer after forming a drain electrode layer (not shown) And a connection wiring 240d are formed.

게이트 전극(210)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금이나, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있고, 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다. 액티브층(230)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체나 실리콘계 반도체로 이루어질 수 있다. The gate electrode 210 may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ni, Ni, The gate insulating layer 220 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, a photocatalyst or a benzocyclobutene (BCB) And the like. The active layer 230 may be formed of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO) or a silicon-based semiconductor.

일 실시예에 있어서, 소스/드레인 전극층 은 MoTi 또는 ITO를 이용하여 형성된 제1 물질층(미도시)과 제1 물질층 상에 Cu를 이용하여 형성된 제2 물질층(미도시)으로 구성될 수 있다. 본 발명에서 제2 물질층을 Cu를 이용하여 형성하는 이유는 대면적 제품에서 배선의 저항을 감소시키기 위한 것이다. 이때, 제1 물질층은 Cu를 이용하여 형성된 제2 물질층의 결합을 견고히 하기 위한 것이다. 제1 물질층 및 제2 물질층의 패터닝을 통해 제1 물질층은 접착층(242)을 형성하게 되고, 제2 물질층은 제1 금속층(244)을 형성하게 된다.In one embodiment, the source / drain electrode layer may comprise a first material layer (not shown) formed using MoTi or ITO and a second material layer (not shown) formed using Cu on the first material layer have. The reason why the second material layer is formed using Cu in the present invention is to reduce the resistance of the wiring in a large-area product. At this time, the first material layer is for strengthening the bonding of the second material layer formed using Cu. The patterning of the first material layer and the second material layer causes the first material layer to form an adhesive layer 242 and the second material layer to form a first metal layer 244.

다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 패드부(240c) 및 비표시영역(200b)에 형성된 연결배선(240d) 상에 식각 선택비가 높은 물질, 예컨대 ITO 또는 MoTi를 이용하여 클래드층(255)을 형성한다. 즉, 클래드층(255)은 패드부(240c) 전체를 커버함과 동시에, 비표시영역(200b)에 형성된 연결배선(240d) 전체를 커버하도록 형성된다. 이와 같이, 본 발명은 패드부(240c) 및 연결배선(240d)상에 클래드층(255)이 형성되어 있기 때문에, 후술할 제1 전극(270)의 패턴 형성시 패드부(240c) 및 연결배선(240d)이 외부로 직접 노출되지 않아, 제1 전극(270)의 식각을 위한 식각액에 의해 패드부(240c) 및 연결배선(240d)이 손상되거나 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.Next, as shown in FIG. 5B, a clad layer 255 is formed on the pad portion 240c and the connection wiring 240d formed in the non-display region 200b using a material having a high etch selectivity, such as ITO or MoTi . That is, the clad layer 255 covers the entire pad portion 240c and covers the entire connection wiring 240d formed in the non-display region 200b. As described above, in the present invention, since the clad layer 255 is formed on the pad portion 240c and the connection wiring 240d, the pad portion 240c and the connection wiring 240d are formed at the time of pattern formation of the first electrode 270, It is possible to prevent the pad portion 240c and the connection wiring 240d from being damaged or corroded by the etching solution for etching the first electrode 270 because the first electrode 240d is not directly exposed to the outside.

다음, 도 5c에 도시된 바와 같이, 소스전극(240a), 드레인 전극(240b), 및 클래드층(255)을 포함하는 기판(200)의 전체면에 제1 보호층(250)을 형성한 후, 표시영역(200a)에서 제1 보호층(250) 상에 평탄화층(260)을 패턴 형성한다. 이때, 평탄화층(260)은 드레인 전극(240b)에 상응하는 제1 보호층(250) 영역이 노출될 수 있도록 패턴 형성된다.5C, after the first passivation layer 250 is formed on the entire surface of the substrate 200 including the source electrode 240a, the drain electrode 240b, and the cladding layer 255, , The planarization layer 260 is patterned on the first passivation layer 250 in the display area 200a. At this time, the planarization layer 260 is patterned to expose the first passivation layer 250 region corresponding to the drain electrode 240b.

제1 보호층(250)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질이나 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있고, 평탄화층(260)은 포토아크릴(Photo acryl: PAC) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있다.The first passivation layer 250 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride or an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB), and the planarization layer 260 may be formed of a photo- Based insulating material such as photo acryl (PAC) or benzocyclobutene (BCB).

다음, 도 5d에 도시된 바와 같이, 평탄화층(260)을 통해 노출되는 제1 보호층(250)을 패터닝하여 드레인 전극(240b)을 노출시키기 위한 제1 콘택홀(CH1)을 제1 보호층(250)에 형성한다.5D, the first passivation layer 250 exposed through the planarization layer 260 is patterned to form a first contact hole CH1 for exposing the drain electrode 240b, (250).

다음, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1 콘택홀(CH1)을 통해 드레인 전극(240b)과 전기적으로 연결되도록 평탄화층(260) 상에 제1 전극(270)을 패턴 형성한다. 이러한 제1 전극(270)은 유기발광표시장치의 애노드(Anode) 전극으로써 동작함과 동시에 유기발광층(280)에서 발생된 광을 제2 전극(300) 방향으로 반사시키는 반사판으로써 동작하게 된다.Next, as shown in FIG. 5E, the first electrode 270 is patterned on the planarization layer 260 to be electrically connected to the drain electrode 240b through the first contact hole CH1. The first electrode 270 operates as an anode electrode of the organic light emitting display and operates as a reflector that reflects light generated from the organic light emitting layer 280 toward the second electrode 300.

일 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 형성될 수 있다.In one embodiment, the first electrode 270 may be formed of a transparent conductive material having a relatively high work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

다른 실시예에 있어서, 제1 전극(270)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 복수개의 층으로 구성될 수 있다. In another embodiment, the first electrode 270 is formed of a plurality of layers including a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al), silver (Ag), APC (Ag; Pb; Cu) .

도 5e에 도시된 바와 같이 제1 전극(270)이 복수개의 층으로 구성되는 경우, 제1 전극(270)은 평탄화층(260)을 포함하는 기판(200)의 전체면에 ITO를 이용하여 형성된 제1 투명 전도성 물질층(미도시), 반사율이 높은 물질, 예컨대 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속 물질층(미도시), 및 ITO를 이용하여 형성된 제2 투명 전도성 물질층(미도시)을 순차적으로 형성한 후, 제1 투명 전도성 물질층, 금속 물질층, 및 제2 투명 전도성 물질층을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 제1 투명 전도성 물질층, 금속 물질층, 및 제2 투명 전도성 물질층의 패터닝을 통해 제1 투명 전도성 물질층은 제1 투명 전극(272)을 형성하게 되고, 제1 금속 물질층은 제1 금속전극(274)을 형성하게 되며, 제2 투명 전도성 물질층은 제2 투명 전극(276)을 형성하게 된다.5E, when the first electrode 270 is formed of a plurality of layers, the first electrode 270 is formed on the entire surface of the substrate 200 including the planarization layer 260 using ITO A first metal material layer (not shown) formed using a first transparent conductive material layer (not shown), a material having a high reflectance, such as Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu) , And a second transparent conductive material layer (not shown) formed using ITO, and then patterning the first transparent conductive material layer, the metal material layer, and the second transparent conductive material layer. The first transparent conductive material layer forms a first transparent electrode 272 through the patterning of the first transparent conductive material layer, the metal material layer, and the second transparent conductive material layer, Electrode 274 and the second transparent conductive material layer forms a second transparent electrode 276.

이와 같이, 본 발명은 제1 전극(270)이 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금(APC(Ag;Pb;Cu))을 이용하여 형성된 제1 금속전극(274) 및 ITO를 이용하여 형성된 제1 및 제2 투명전극(272, 274)으로 구성되기 때문에 유기발광표시장치(20)의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.The first electrode 270 is formed using a first metal electrode 274 formed using an alloy containing Al, Ag, or Ag (APC (Ag; Pb; Cu)) and ITO The first and second transparent electrodes 272 and 274 can improve the brightness of the organic light emitting diode display 20.

다음, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 전극(270)을 마스크로 하여 제1 보호층(250)을 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 제거한다. 이를 통해, 클래드층(255) 상에 형성된 제1 보호층(250) 및 비표시영역(200b)에서 연결배선(240d) 상에 형성된 제1 보호층(250)이 외부로 노출된다.Next, as shown in FIG. 5F, the first passivation layer 250 is removed through a wet etch process using the first electrode 270 as a mask. The first passivation layer 250 formed on the cladding layer 255 and the first passivation layer 250 formed on the connection wiring 240d in the non-display area 200b are exposed to the outside.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 클래드층(255)은 제1 전극(270)의 패턴 형성이 완료될 때까지 제1 보호층(250)에 의해 보호되어 외부로 노출되지 않고, 제1 전극(270)의 패턴 형성이 완료된 이후에야 외부로 노출되기 때문에, 제1 전극(270)의 패턴 형성과정에서 클래드층(255)이 손상 또는 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the clad layer 255 is protected by the first passivation layer 250 until the pattern formation of the first electrode 270 is completed and is not exposed to the outside, The patterning of the first electrode 270 can be prevented from being damaged or corroded during the pattern formation process.

다음, 도 5g에 도시된 바와 같이, 평탄화층(260) 상에 뱅크층(280)을 패턴형성한 후, 뱅크층(280) 및 제1 전극(270) 상에 유기발광층(290) 및 제2 전극(300)을 순차 형성하여 유기발광소자(E)를 완성한다. 제2 전극(300)은 유기발광표시장치(20)에서 캐소드(Cathode) 전극 및 반투과막 역할을 수행한다. 뱅크층(280)은 구동소자(DTr)와 오버랩되도록 패턴 형성되어 있으며, 뱅크층(280)은 유기절연물질, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있다. 유기 발광층(290)은 도시하지는 않았지만, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층, 및 전자주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 유기 발광층(280)은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(White)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다. 5G, the bank layer 280 is patterned on the planarization layer 260 and then the organic light emitting layer 290 and the second electrode 280 are formed on the bank layer 280 and the first electrode 270, Electrodes 300 are sequentially formed to complete the organic light emitting device E. The second electrode 300 serves as a cathode electrode and a semi-transparent film in the organic light emitting diode display 20. The bank layer 280 is patterned to overlap with the driving element DTr and the bank layer 280 is formed of an organic insulating material such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene BCB). Although not shown, the organic light emitting layer 290 may be formed by sequentially stacking a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer 280 may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may be formed to emit light of different colors, for example, red, green, blue, It is possible.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

200: 기판 210: 게이트 전극
220: 게이트 절연막 230: 액티브층
240a: 소스전극 240b: 드레인 전극
240c: 패드부 240d: 연결배선
250: 제1 보호층 255: 클래드층
257: 제2 보호층 260: 평탄화층
270: 제1 전극 280: 뱅크층
290: 유기발광층 300: 제2 전극200: substrate 210: gate electrode
220: gate insulating film 230: active layer
240a: source electrode 240b: drain electrode
240c: pad portion 240d: connection wiring
250: first protective layer 255: cladding layer
257: second protective layer 260: planarization layer
270: first electrode 280: bank layer
290: organic light emitting layer 300: second electrode

Claims (10)

표시영역 및 비표시영역이 정의되어 있는 기판;
상기 기판의 표시영역에 형성되고, 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 기판의 비표시영역에 형성된 패드부;
상기 패드부를 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 중 적어도 하나와 연결시키는 연결배선;
상기 패드부 전체 및 상기 연결배선의 적어도 일부를 커버하도록 상기 패드부 및 상기 연결배선 상에 형성된 클래드층;
상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키기 위한 제1 홀이 형성되어 있는 제1 보호층;
상기 제1 보호층 상에 상기 제1 홀을 통해 상기 드레인 전극의 일부가 노출되도록 패턴 형성된 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 형성되고, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.A substrate on which a display region and a non-display region are defined;
A thin film transistor formed in a display region of the substrate and including a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode;
A pad portion formed in a non-display region of the substrate;
A connection wiring connecting the pad portion to at least one of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode;
A clad layer formed on the pad portion and the connection wiring to cover the entire pad portion and at least a part of the connection wiring;
A first passivation layer formed on the thin film transistor and having a first hole for exposing a part of the drain electrode;
A planarization layer patterned to expose a part of the drain electrode through the first hole on the first passivation layer; And
And an organic light emitting diode formed on the planarization layer and electrically connected to the drain electrode. 제1항에 있어서,
상기 표시영역에서 상기 제1 보호층 및 상기 평탄화층 사이에 형성되고, 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키기 위한 제2 홀이 형성되어 있는 제2 보호층을 더 포함하고,
상기 유기발광소자는 상기 제1 홀 및 제2 홀의 조합으로 이루어진 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며,
상기 제1 보호층은, 상기 연결배선 전체를 커버하도록 형성되어 상기 클레드 층과 일부 영역이 오버랩되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Further comprising a second protective layer formed between the first protective layer and the planarization layer in the display region and having a second hole for exposing a part of the drain electrode,
Wherein the organic light emitting diode is electrically connected to the drain electrode through a first contact hole formed by a combination of the first hole and the second hole,
Wherein the first passivation layer is formed to cover the entire connection wiring, and the first passivation layer partially overlaps the cladding layer. 제1항에 있어서,
상기 클래드층은, ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 MoTi를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the clad layer is formed using ITO (Indium-Tin-Oxide) or MoTi. 제1항에 있어서,
상기 유기발광소자는,
ITO를 이용하여 형성된 제1 투명 전극, 상기 제1 투명 전극상에 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금을 이용하여 형성된 제1 금속전극, 상기 제1 금속전극 상에 ITO를 이용하여 형성된 제2 투명 전극으로 구성된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성된 유기발광층; 및
상기 유기발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The organic light-
A first transparent electrode formed using ITO, a first metal electrode formed on the first transparent electrode using an alloy containing Al, Ag, or Ag, a second metal electrode formed using ITO on the first metal electrode, A first electrode formed of a transparent electrode;
An organic light emitting layer formed on the first electrode; And
And a second electrode formed on the organic light emitting layer. 제1항에 있어서,
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 패드부, 및 상기 연결배선은, MoTi또는 ITO를 이용하여 형성된 접착층(Adhesion Layer) 및 상기 접착층 상에 Cu를 이용하여 형성된 금속층으로 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the source electrode, the drain electrode, the pad portion, and the connection wiring are composed of an adhesive layer formed using MoTi or ITO and a metal layer formed using Cu on the adhesive layer. Device. 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 패턴 형성된 반도체층을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극층을 패터닝하여 상기 반도체층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 패드부 및 연결배선을 형성하는 단계;
상기 패드부가 노출되도록 상기 소스전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 연결배선 상에 제1 보호층을 패턴 형성하는 단계;
상기 제1 보호층의 일부와 상기 패드부를 커버하도록 상기 패드부 및 상기 제1 보호층 상에 클래드층을 형성하는 단계;
상기 클래드층을 포함하는 기판의 전체면에 제2 보호층을 형성하는 단계;
상기 패드부를 제외한 상기 제2 보호층 상에 평탄화층을 패턴 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 및 제2 보호층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 제1 전극을 패턴 형성하는 단계;
상기 제1 전극을 마스크로 하여 상기 연결배선 상에 형성된 제2 보호층과 상기 클래드층 상에 형성된 제2 보호층을 제거하는 단계; 및
상기 제1 전극 상에 유기발광층 및 제2 전극을 순차 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법.Forming a source / drain electrode layer on a substrate including a gate electrode, a gate insulating film formed on the gate electrode, and a semiconductor layer patterned on the gate insulating film;
Patterning the source / drain electrode layer to form a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer, and forming a pad portion and a connection wiring on the gate insulating layer;
Patterning the first passivation layer on the source electrode, the drain electrode, and the connection wiring to expose the pad portion;
Forming a clad layer on the pad portion and the first passivation layer to cover a portion of the first passivation layer and the pad portion;
Forming a second protective layer on the entire surface of the substrate including the clad layer;
Forming a planarization layer on the second protective layer except for the pad portion;
Etching the first passivation layer and the second passivation layer to form a first contact hole exposing the drain electrode;
Patterning the first electrode on the planarization layer so as to be electrically connected to the drain electrode through the first contact hole;
Removing the second protective layer formed on the connection wiring and the second protective layer formed on the clad layer using the first electrode as a mask; And
And sequentially forming an organic light emitting layer and a second electrode on the first electrode. 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 패턴 형성된 반도체층을 포함하는 기판 상에 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극층을 패터닝하여 상기 반도체층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 패드부 및 연결배선을 형성하는 단계;
상기 패드부 및 상기 연결배선의 적어도 일부를 커버하도록 상기 패드부 상에 클래드층을 패턴 형성하는 단계;
상기 클래드층을 포함하는 기판의 전체면에 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 패드부를 제외한 상기 제1 보호층 상에 평탄화층을 패턴 형성하는 단계;
상기 제1 보호층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 제1 전극을 패턴 형성하는 단계;
상기 제1 전극을 마스크로 하여 상기 클래드층 및 상기 연결배선 상에 형성된 제1 보호층을 제거하는 단계; 및
상기 제1 전극 상에 유기발광층 및 제2 전극을 순차 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법.Forming a source / drain electrode layer on a substrate including a gate electrode, a gate insulating film formed on the gate electrode, and a semiconductor layer patterned on the gate insulating film;
Patterning the source / drain electrode layer to form a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer, and forming a pad portion and a connection wiring on the gate insulating layer;
Patterning a clad layer on the pad portion to cover at least a part of the pad portion and the connection wiring;
Forming a first protective layer on the entire surface of the substrate including the clad layer;
Forming a planarization layer on the first passivation layer except for the pad portion;
Etching the first passivation layer to form a first contact hole exposing the drain electrode;
Patterning the first electrode on the planarization layer so as to be electrically connected to the drain electrode through the first contact hole;
Removing the first protective layer formed on the clad layer and the connection wiring using the first electrode as a mask; And
And sequentially forming an organic light emitting layer and a second electrode on the first electrode. 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 클래드층은, ITO 또는 MoTi를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법.8. The method according to claim 6 or 7,
Wherein the clad layer is formed using ITO or MoTi. 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 제1 전극을 패턴 형성하는 단계는,
상기 평탄화층을 포함하는 기판의 전체면에 ITO를 이용하여 제1 투명 전도성 물질층을 형성하는 단계;
상기 제1 투명 전도성 물질층 상에 Al, Ag, 또는 Ag를 포함하는 합금을 이용하여 제1 금속 물질층을 형성하는 단계;
상기 제1 금속 물질층 상에 ITO를 이용하여 제2 투명 전도성 물질층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 투명 전도성 물질층, 제1 금속 물질층, 및 제2 투명 전도성 물질층을 패터닝하여 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법.8. The method according to claim 6 or 7,
The patterning of the first electrode may include:
Forming a first transparent conductive material layer on the entire surface of the substrate including the planarization layer using ITO;
Forming a first metal material layer on the first transparent conductive material layer using an alloy including Al, Ag, or Ag;
Forming a second transparent conductive material layer on the first metal material layer using ITO; And
And patterning the first transparent conductive material layer, the first metal material layer, and the second transparent conductive material layer to form the first electrode. 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극층은,
MoTi 또는 ITO를 이용하여 형성된 접착층; 및
상기 접착층 상에 Cu를 이용하여 형성된 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법.8. The method according to claim 6 or 7,
Wherein the source /
An adhesive layer formed using MoTi or ITO; And
And a metal layer formed on the adhesive layer using Cu.
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