KR20160029369A - Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same - Google Patents

Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same Download PDF

Info

Publication number
KR20160029369A
KR20160029369A KR1020140118796A KR20140118796A KR20160029369A KR 20160029369 A KR20160029369 A KR 20160029369A KR 1020140118796 A KR1020140118796 A KR 1020140118796A KR 20140118796 A KR20140118796 A KR 20140118796A KR 20160029369 A KR20160029369 A KR 20160029369A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating layer
layer
conductive particles
resin fine
coating
Prior art date
Application number
KR1020140118796A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101713015B1 (en
Inventor
김경흠
손현종
김종태
정순호
박경용
이준영
박준혁
추용철
Original Assignee
덕산하이메탈(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덕산하이메탈(주) filed Critical 덕산하이메탈(주)
Priority to KR1020140118796A priority Critical patent/KR101713015B1/en
Publication of KR20160029369A publication Critical patent/KR20160029369A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101713015B1 publication Critical patent/KR101713015B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02Ingredients treated with inorganic substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

Provided are a conductive particle which comprises a resin fine particle, a conductive particle having a coating layer on the surface of the resin fine particle, and a graphene layer formed on the surface of the resin fine particle; and an anisotropic conductive material using the same. The conductive particle of the present invention has excellent long-term reliability through reducing increase rate of contact resistance by having the graphene layer.

Description

그래핀이 코팅된 도전입자 및 이를 포함하는 도전 재료{Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same}Graphene-coated conductive particles and conductive materials containing the same,

본 발명은 그래핀이 코팅된 도전입자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film, ACF) 등의 이방성 도전 재료에 사용되는 도전입자에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to conductive particles coated with graphene, and more particularly to conductive particles used in anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive film (ACF).

도전입자는 경화제, 접착제, 수지바인더와 혼합하여 분산된 형태로 사용되는 것, 예를 들어 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film), 이방성도전페이스트 (Anisotropic Conductive Paste), 이방성도전잉크(Anisotropic Conductive Ink), 이방성도전시트(Anisotropic Conductive Sheet)등 이방성도전 접속재료에 폭 넓게 사용되고 있다. The conductive particles may be used in a dispersed form mixed with a curing agent, an adhesive, or a resin binder, for example, an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive paste, an anisotropic conductive ink, And is widely used for anisotropic conductive connection materials such as anisotropic conductive sheets.

예를 들어 이방성 도전 접속재료는 Liquid Crystal Display(LCD), Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED), Plasma Display Panel(PDP) 등의 평판 디스플레이 패널 조립에 있어, 기판상의 Thin Film Transistor(TFT)와 이를 구동하기 위한 드라이버 Integrated Circuit(IC) 간의 전기적 접속, TSP(Touch Screen Panel)의 구동모듈과 전극의 접속 등에 사용된다.For example, anisotropic conductive connection materials are used for flat panel display panel assemblies such as Liquid Crystal Display (LCD), Active Matrix Organic Light Emitting Diode (AMOLED) and Plasma Display Panel (PDP) It is used for electrical connection between Driver Integrated Circuit (IC) for driving, connection of driving module and electrode of TSP (Touch Screen Panel).

이러한 이방성도전 접속재료에 사용되는 도전입자는 니켈, 동, 은, 금 등의 금속계, 카본분말, 카본섬유, 카본 후레이크(flake) 등의 카본계, 수지입자에 금속물질을 코팅하거나 도금하여 사용하는 복합계 입자 등이 있다. The conductive particles used in such an anisotropic conductive connection material are metal particles such as nickel, copper, silver, and gold, carbon powder such as carbon powder, carbon fiber, carbon flake, etc., And composite particle.

금속계는 입자의 전체가 도전성을 갖고, 입도의 분포가 넓기 때문에 회로의 미세피치나 고정밀을 요구하는 분야 보다는 회로의 피치가 크고 고전류를 요하는 PDP나 PCB쪽에 주로 사용되고 있다. The metal system is mainly used for a PDP or a PCB which requires a large current density and a high current, rather than a field requiring a fine pitch or high precision because the entire particle has conductivity and a wide particle size distribution.

카본계 입자는 금속계 보다 전기 전도도가 낮고 입자의 크기 분포가 크기 때문에 사용에 많은 제약을 받고 있다. The carbon-based particles have a lower electrical conductivity than the metal-based particles and have a large particle size distribution.

한편, 복합계 입자는 전기 전도도가 상기의 금속계와 카본계 중간 정도이고, 미립자의 분포를 매우 좁게 제조할 수 있기 때문에 현재 가장 많이 사용하고 있는 도전입자이다. On the other hand, the composite particles are conductive particles most widely used at present, since the electric conductivity is about the midway between the above-mentioned metal system and carbon system and the distribution of the fine particles can be produced very narrowly.

복합계 도전입자는 구상의 수지 위에 무전해 도금 방법 또는 진공증착, 페인팅(painting) 등의 방법으로 Ni-P 또는 Ni-B 또는 Ni-P-W 또는 Ni-B-W 등 합금 도금층을 형성하여 그대로 사용하거나, 부식 방지 및 전기 전도도를 높일 목적으로 금, 은, 팔라듐, 백금 등과 같은 귀금속을 최 외곽에 구성하여 사용하기도 한다. The composite conductive particles may be formed by forming an alloy plating layer such as Ni-P or Ni-B or Ni-PW or Ni-BW on a spherical resin by an electroless plating method or a vacuum deposition or painting method, Precious metals such as gold, silver, palladium, and platinum may be used in the outermost layer for the purpose of preventing corrosion and increasing electrical conductivity.

최외각의 귀금속은 도전입자 재료비의 30~90%를 차지하기 때문에 예전부터 사용량을 줄이거나, 사용하지 않으려고 노력을 해왔다. 특허공개공보 제10-2006-7027262호에서는 Ni-P 위에 Ni-Cu-P를 도금하여 2중 도금층(전도층)을 제시하였고, 특허공개공보 제10-2009-7026447호에서는 저융점 금속을 도금하는 방법을 제시하였다. 일본 특개평 11-43005, 특허공개공보 제10-2001-7010643호, 특허공개공보 제10-2011-7008427호 등에서는 도전입자 표면에 돌기를 부여하는 방법을 제시하였다. 최근에는 일본공개특허 2005-221027, 일본공개특허 2005-221026, 특허공개공보 제10-2010-0140039호 등에서 입자의 물성을 제어함을 제시하였다. 즉, 상기의 방법들은 최외각에 금과 같은 귀금속을 사용하거나, 소량 사용하는 방법과 돌기를 도입하는 방법 등을 제시하고 있다. 그러나 최근에는 재료비의 절감과 성능의 변동이 적은 돌기도전입자를 사용하고, 최외각에 귀금속을 사용하지 않는 도전입자의 사용량이 증가하고 있는 추세이다.Since the outermost noble metal accounts for 30-90% of the material cost of the conductive particles, it has been trying to reduce or not use it in the past. In Patent Document 10-2006-7027262, Ni-P is plated on Ni-P to provide a double-plated layer (conductive layer). In Patent Publication No. 10-2009-7026447, a low melting point metal is plated And how to do it. Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-43005, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 10-2001-7010643, and 10-2011-7008427 disclose a method of imparting protrusions to the surfaces of conductive particles. Recently, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-221027, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-221026, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2010-0140039 propose controlling the physical properties of particles. That is, the above methods propose a method of using a noble metal such as gold, a method of using a small amount of gold, and a method of introducing a projection. However, in recent years, the use of protruding conductive particles, which have reduced material cost and little fluctuation in performance, is used, and the amount of conductive particles that do not use a noble metal at the outermost periphery is increasing.

최외각에 귀금속을 사용하지 않는 도전입자의 가장 취약한 부분은 신뢰성이다. 왜냐하면 최외각에 반응성이 낮은 귀금속이 없음으로 해서 전도층인 금속의 부식으로 인해 시간이 지남에 따라 신뢰성이 낮아지기 때문이다. 이를 극복하기 위해 방청제를 코팅하는 경우가 있다. 방청제 코팅 후 신뢰성은 좋아지지만, ACF 필름제조시 ACF 수지와의 밀착력이 낮아지거나, 도전입자끼리 뭉치는 현상이 발견되어 실제 적용에서 제품의 불량율이 많은 실정이다.
The most vulnerable part of the conductive particles not using the noble metal at the outermost layer is reliability. This is because the absence of noble metals with low reactivity at the outermost layer reduces the reliability over time due to the corrosion of the conductive metal layer. In order to overcome this, anti-corrosive coating may be applied. Although reliability is improved after coating with rust preventive agent, adhesion of ACF resin to ACF film is lowered or aggregation of conductive particles is found, resulting in a large number of defective products in actual application.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 본 발명의 일측면은 장기 신뢰성이 우수하고, 접속저항 증가율이 낮은 도전입자를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and one aspect of the present invention is to provide a conductive particle having excellent long-term reliability and low rate of connection resistance increase.

또한 본 발명의 다른 측면은 전술한 도전입자를 사용한 이방성 도전 필름 등의 접속재료를 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a connecting material such as an anisotropic conductive film using the above-mentioned conductive particles.

본 발명의 일실시예인 도전입자는 수지미립자; 상기 수지미립자의 표면에 구비되는 제1 피복층; 및 상기 제1 피복층의 표면에 구비되는 그래핀층을 포함한다.The conductive particles, which are one embodiment of the present invention, include resin fine particles; A first coating layer provided on a surface of the resin fine particles; And a graphene layer provided on a surface of the first coating layer.

상기 그래핀층은 환원된 그래핀(Reduced Graphene, RG), 환원된 그래핀 옥사이드(Reduced Graphene Oxide, RGO), 그래핀(Graphene), 그래핀 옥사이드(GO, Graphene Oxide)로 코팅된 층일 수 있다. The graphene layer may be a layer coated with Reduced Graphene (RG), Reduced Graphene Oxide (RGO), Graphene, or Graphene Oxide.

상기 수지미립자의 소재는 스티렌계 단량체, 아크릴계 단량체, 디비닐벤젠계 단량체 및 이들의 변형된 단량체로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 단량체의 공중합체일 수 있다.The material of the resin fine particles may be a copolymer of any one or more monomers selected from the group consisting of a styrenic monomer, an acrylic monomer, a divinylbenzene monomer, and a modified monomer thereof.

또한 상기 제1피복층의 소재는 Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금일 수 있다.The material of the first coating layer may be one of a single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti and Co or a single metal selected from the group consisting of Ni, Sn, Ag, Cu, A single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti and Co, or a single metal selected from the group consisting of Ni , Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B and Au.

본 발명의 또다른 일실시예인 도전입자는 상기 제1 피복층과 상기 그래핀층 사이에 Au, Pt, Ag 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속으로 이루어지는 제2 피복층을 더 포함하거나 상기 제1 피복층은 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층일 수 있다.The conductive particles according to another embodiment of the present invention further include a second coating layer composed of one or more metals selected from the group consisting of Au, Pt, Ag and Pd between the first coating layer and the graphene layer Or the first coating layer may be a first coating layer having protrusions on the outer surface thereof.

상기 돌기의 소재는 Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금일 수 있다.Wherein the material of the protrusions is at least one of a single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti and Co or a single metal selected from the group consisting of Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, P, B, and Au.

본 발명의 일측면인 도전입자 제조방법은 중합반응을 이용하여 수지로 코어를 제조하는 수지미립자 형성단계; 산화환원반응을 이용하여 상기 수지미립자에 제1 피복층을 형성하여 도전입자를 제조하는 제1 피복층 형성단계; 및 환원제를 이용한 화학반응을 이용하여 상기 도전입자 표면을 그래핀으로 코팅하는 그래핀층 형성단계를 포함한다.A method for producing conductive particles, which is one aspect of the present invention, comprises: a resin microparticle-forming step of producing a core with a resin by using a polymerization reaction; A first coating layer forming step of forming conductive particles by forming a first coating layer on the resin fine particles using an oxidation-reduction reaction; And a graphene layer forming step of coating the surfaces of the conductive particles with graphene using a chemical reaction using a reducing agent.

상기 제1 피복층 형성단계는 금속염을 용해시킨 제1 피복액에 상기 수지미립자 형성단계에서 형성된 수지미립자를 넣어 분산시키고, 환원제를 용해시킨 제2 피복액을 추가로 투입하여 수지미립자의 표면에 제1 피복층을 형성시키는 단계이거나 상기 제2 피복액을 20 내지 25ml/min의 속도로 투입시키다가 투입속도를 0.2 내지 10% 증가시켜 외면에 돌기를 구비하는 제1 피복층을 형성시키는 단계일 수 있다.In the first coating layer forming step, resin fine particles formed in the resin fine particle forming step are dispersed in a first coating solution in which a metal salt is dissolved, and a second coating solution in which a reducing agent is dissolved is further added, Forming the coating layer or adding the second coating liquid at a rate of 20 to 25 ml / min and increasing the charging rate by 0.2 to 10% to form a first coating layer having protrusions on the outer surface.

또한 상기 제1 피복층 형성단계는 상기 수지미립자 표면에 활성화 핵을 형성시키는 표면처리 단계를 더 포함하며, 상기 표면처리 단계는 상기 수지미립자 표면에 환원력이 있는 이온성 물질을 흡착시키는 반응과, 상기 이온성 물질이 흡착된 수지미립자 표면에 활성화 핵을 형성하는 산화??환원 반응을 포함할 수 있다.The first coating layer forming step further includes a surface treatment step of forming an activation nuclei on the surface of the resin fine particles, wherein the surface treatment step comprises a reaction for adsorbing an ionic substance having a reducing power on the surface of the resin fine particles, Reduction reaction in which activation nuclei are formed on the surface of the resin fine particles adsorbed with the substance.

상기 그래핀층 형성단계는 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계; 및 상기 환원된 그래핀 옥사이드를 이용하여 도전입자에 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계는, 흑연(graphite)을 산화시켜 그라파이트 옥사이드(graphite oxide)를 제조하는 산화단계; 상기 그라파이트 옥사이드를 세척 후 층상 분리되어 수용액에 분산된 상태로 존재하는 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO)를 제조하는 박리단계; 및 상기 그래핀 옥사이드를 환원시켜 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide, RGO)를 제조하는 환원단계를 포함할 수 있다.Wherein the graphene layer forming step comprises the steps of: preparing reduced graphene oxide; And coating the reduced graphene oxide with conductive particles using the reduced graphene oxide, wherein the reduced graphene oxide is prepared by oxidizing graphite to produce graphite oxide ; Removing the graphite oxide layer and separating it to form graphene oxide (GO) in a state of being dispersed in an aqueous solution; And a reducing step of reducing the graphene oxide to produce reduced graphene oxide (RGO).

상기 환원된 그래핀 옥사이드를 이용하여 도전입자에 코팅시키는 단계는 상기 환원된 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 후, 도전입자를 넣고 반응시켜 도전입자의 표면에 그래핀층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of coating the conductive particles with the reduced graphene oxide may include the step of dispersing the reduced graphene oxide in a solvent and then adding the conductive particles and reacting to form a graphene layer on the surface of the conductive particles.

또한 본 발명은 상기 도전입자를 이용한 이방성 도전 접속재료를 제공하며, 절연성 수지층; 및 상기 절연성 수지층에 분산된 도전입자를 포함하고, 85℃/85% 테스트 1,000시간 후의 접속저항 증가율이 1.5 이하인 이방성 도전필름을 제공한다.The present invention also provides an anisotropic conductive connection material using the conductive particles, wherein the insulating resin layer; And conductive particles dispersed in the insulating resin layer, wherein the connection resistance increase rate after 1,000 hours of 85 ° C / 85% test is 1.5 or less.

본 발명의 일측면에 따른 도전입자는 외각에 그래핀층이 존재하여 장기 사용시 접속 저항 증가율이 낮아, 본 발명에 의한 도전입자를 포함하는 회로의 장기 신뢰성을 확보 할 수 있다.The conductive particles according to one aspect of the present invention include a graphene layer on the outer periphery, so that the rate of increase in connection resistance is low during long-term use, and the long-term reliability of the circuit including the conductive particles according to the present invention can be secured.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 이방성 도전재료는 접속 저항 증가율이 낮은 도전입자를 사용하여 이방성 도전 접합재료를 만들기 때문에 이를 이용한 전자장비의 장기 신뢰성이 매우 우수하다.In addition, the anisotropic conductive material according to another aspect of the present invention is excellent in long-term reliability of electronic equipment using the anisotropic conductive bonding material by using conductive particles having a low rate of connection resistance increase.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 돌기를 구비한 도전입자의 SEM 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도전입자의 SEM 사진이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a SEM photograph of a conductive particle having a projection according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 is a SEM photograph of the conductive particles according to the embodiment of the present invention.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art unless otherwise stated.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니며, 특별한 언급이 없는 한 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계만으로 이루어진 것과 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계 이외에 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계가 더 포함되는 것을 모두 의미한다.Throughout this specification and claims, the word "comprise", "comprises", "comprising" means including a stated article, step or group of articles, and steps, , Step, or group of objects, or group of steps, unless the context clearly indicates otherwise, and unless otherwise stated, refers to an object, step, or group of objects, Steps, or groups of things, and steps in addition to steps, steps, and steps.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
On the contrary, the various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments as long as there is no clear counterpoint. Any feature that is specifically or advantageously indicated as being advantageous may be combined with any other feature or feature that is indicated as being preferred or advantageous. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일실시예에 따른 도전입자는 수지미립자와 수지미립자의 표면에 구비되는 제1 피복층 그리고 제1 피복층의 표면에 구비되는 그래핀층을 포함한다. 또한 제1 피복층은 표면에 돌기가 형성될 수 있다.The conductive particle according to an embodiment of the present invention includes a resin coating, a first coating layer provided on the surface of the resin fine particles, and a graphene layer provided on the surface of the first coating layer. Also, the first coating layer may have a projection on the surface.

수지미립자는 단량체의 중합체로 이루어진다. 그 재료는 제한되지 않으나 스티렌계, 아크릴계, 디비닐벤젠계 등의 단량체 또는 이들의 변형된 단량체 또는 상기 단량체의 혼합된 단량체를 이용하여, 중합하여 얻어지는 공중합체를 이용하는 것이 바람직하다. The resin fine particles are composed of a polymer of a monomer. The material is not limited, but it is preferable to use a copolymer obtained by polymerizing monomers such as styrene type, acrylic type, divinylbenzene type, modified monomers thereof, or mixed monomers of the monomers.

예를 들어 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 글리시들메타아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 메틸메타아르릴레이트, 핵산디올디아크릴레이트, 스타이렌, 메틸스티렌, 에틸스티렌, 디비닐벤젠 등의 단량체를 단일로 사용하거나, 2개 이상 혼합 사용할 수 있다. For example, ethyl acrylate, methyl acrylate, butyl acrylate, glycidyl methacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, propylene glycol diacrylate, isooctyl acrylate, methyl methacrylate, nucleic acid diol diacrylate , Monomers such as styrene, methylstyrene, ethylstyrene, and divinylbenzene may be used singly or in combination of two or more.

수지미립자는 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film, ACF) 본딩시 상하 전극간의 접속을 원활하게 하고 상하 전극 간 직접적인 접촉을 방해하는 댐퍼로 본딩시 상하 전극간 파괴를 막는 역할을 한다. 수지미립자의 평균직경은 2.3 내지 24.5μm인 것이 바람직하다.The resin microparticles act as a damper that prevents the direct contact between the upper and lower electrodes and prevents the upper and lower electrodes from breaking during bonding by bonding the anisotropic conductive film (ACF). The average diameter of the resin fine particles is preferably 2.3 to 24.5 mu m.

수지미립자는 도전입자의 코어 역할로 그 형태는 구형일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 형태일 수 있다.The resin microparticles may be spherical in shape, acting as a core of conductive particles, but are not limited thereto, and may be in various forms.

제1 피복층은 금속, 예를 들어 Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금, 예를 들어 Sn-Pb, Sn-Cu, Sn-Zn, Ni-P, Ni-B, Ni-W, Ni-P-W, Ni-B, Ni-W-B, Ni-Co, Ni-P-Co, Ni-B-Co, Ni-Cu, Ni-P-Cu, Ni-B-Cu 등과 같은 합금으로도 구성될 수 있다.Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Ti, and Co, or a single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, Sn, Pb, Sn-Cu, Sn-Zn, Ni-P, Ni-B, Ni-W, and Ni are selected from the group consisting of Co, W, P, B and Au. But may also be composed of alloys such as -PW, Ni-B, Ni-WB, Ni-Co, Ni-P-Co, Ni-B-Co, Ni-Cu, Ni-P- have.

제1 피복층의 두께는 0.03 내지 0.3㎛인 것이 바람직하다. 0.03㎛이하의 경우는 저항이 급격하게 증가하여 회로내 신호가 원활히 전달되지 못하고, 0.3㎛이상의 경우 초기 접속 저항은 감소하나 제품 제조비용의 상승과 피복층의 박리로 신뢰성에 악영향을 준다. 바람직한 제1 피복층의 두께는 0.05~0.25㎛이고 더욱 바람직한 두께는 0.08~0.20㎛ 이다.The thickness of the first coating layer is preferably 0.03 to 0.3 mu m. When the thickness is less than 0.03 탆, the resistance increases sharply and the signals in the circuit can not be transmitted smoothly. On the other hand, when the thickness is more than 0.3 탆, the initial connection resistance is decreased, but the reliability of the product is adversely affected. The thickness of the first coating layer is preferably 0.05 to 0.25 mu m, and more preferably 0.08 to 0.20 mu m.

제1 피복층은 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층일 수 있다. 돌기의 높이는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 돌기의 높이는 50nm~500nm 이다. 돌기의 높이가 50nm미만 이거나 500nm를 초과하는 경우 금속산화층과 바인더 수지를 깨뜨릴 수 있는 효과가 약해지기 때문에 접속저항 값이 높아지는 경향이 있으며, 더욱 바람직한 돌기의 높이는 150~350nm 이다. 돌기의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 도 1에 돌기를 구비한 도전입자의 SEM 사진을 나타내었다.The first coating layer may be a first coating layer having protrusions on the outer surface. The height of the projection is not particularly limited, but the height of the projection is preferably 50 nm to 500 nm. When the height of the projection is less than 50 nm or exceeds 500 nm, the connection resistance value tends to increase because the effect of breaking the metal oxide layer and the binder resin is weakened, and the height of the projection is more preferably 150 to 350 nm. The shape of the projection is not particularly limited. Fig. 1 shows SEM photographs of the conductive particles having protrusions.

돌기는 제1 피복층과 동일한 소재로 이루어지거나 서로 다른 소재로 이루어질 수 있으며, 주로 금속으로서, 예를 들어 Au, Ag, Cu, Ni, Ti, Bi, Sb 등의 단일 금속 또는 Sn-Pb, Sn-Cu, Sn-Zn, Ni-P, Ni-B, Ni-W, Ni-P-W, Ni-B, Ni-W-B, Ni-Co, Ni-P-Co, Ni-B-Co, Ni-Cu, Ni-P-Cu, Ni-B-Cu 등과 같은 합금도 가능하다. 바람직한 금속은 Ni, Au, Ag, Pd, Pt, Ti, W, Co, Cu 등이다.The protrusions may be made of the same material as the first coating layer or may be made of different materials. The protrusions may be made of a single metal such as Au, Ag, Cu, Ni, Ti, Bi, Sb or Sn- Cu, Sn-Zn, Ni-P, Ni-B, Ni-W, Ni-PW, Ni-B, Ni-WB, Ni- Ni-P-Cu, Ni-B-Cu, and the like. Preferred metals are Ni, Au, Ag, Pd, Pt, Ti, W, Co, Cu and the like.

수지 미립자 표면에 제1 피복층 또는 돌기를 구비한 제1 피복층이 형성된 도전입자의 표면에 Ag, Au, Pt, Pd 등의 귀금속을 포함하는 제2 피복층을 더 포함할 수 있다. 제2 피복층을 더 포함함으로써 도전입자의 전도도를 높이고, 산화 방지의 효과를 얻을 수 있다. 제2 피복층은 표면 전체에 형성될 수 있다.The second coating layer may further include a noble metal such as Ag, Au, Pt, or Pd on the surface of the conductive particle on which the first coating layer or the first coating layer with the projection is formed on the surface of the resin fine particles. By further including the second coating layer, the conductivity of the conductive particles can be increased and the effect of preventing oxidation can be obtained. The second coating layer may be formed on the entire surface.

그래핀층은 제1 피복층, 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층 또는 제2 피복층의 표면에 형성된다. 도 2에 그래핀층을 포함한 도전입자의 SEM 사진을 나타내었다. 그래핀(graphene)은 탄소나노튜브 보다 열전도도가 50% 이상 우수한 물질로서, 탄소 원자로 형성된 육각형 고리 구조가 주기적으로 배열되어 형성된 2차원 평면구조를 갖는다. 또한 그래핀은 매우 뛰어난 열적 안정성을 갖고 있고, 다이아몬드 보다 2배 높은 열전도도, 강철보다 200배 이상 높은 강도 및 구리보다 100배 많은 전류를, 실리콘 보다 50배 이상 빠르게 전달할 수 있는 전기전도도를 가지므로 그래핀으로 코팅된 도전입자는 낮은 접속저항을 나타낼 수 있다.The graphene layer is formed on the surface of the first coating layer, the first coating layer having protrusions on the outer surface or the second coating layer. Fig. 2 shows SEM photographs of the conductive particles including the graphene layer. Graphene is a material that has a thermal conductivity of 50% or more higher than carbon nanotubes and has a two-dimensional planar structure formed by periodically arranging hexagonal ring structures formed of carbon atoms. Graphene also has excellent thermal stability, has a thermal conductivity twice as high as diamond, more than 200 times higher than steel, and 100 times more current than copper and an electrical conductivity that is 50 times faster than silicon Conductive particles coated with graphene may exhibit low connection resistance.

그래핀층은 환원된 그래핀(Reduced Graphene, RG) 환원된 그래핀 옥사이드(Reduced Graphene Oxide, RGO), 그래핀(Graphene), 그래핀옥사이드(GO, Graphene Oxide) 등으로 코팅될 수 있다. 코팅 방법은 일반적인 페인팅(painting), 수용액상의 코팅, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 전기도금 등과 같은 방법으로 그래핀층을 형성할 수 있다.The graphene layer may be coated with Reduced Graphene (RG) Reduced Graphene Oxide (RGO), Graphene, Graphene Oxide, or the like. The coating method can form a graphene layer by a method such as general painting, coating on an aqueous solution, chemical vapor deposition (CVD), electroplating and the like.

본 발명에 의한 도전입자의 크기는 제한되는 것은 아니나, 평균직경이 2.5~25μm로 제조되는 것이 바람직하다. 도전입자의 크기가 2.5㎛미만인 경우 전극표면의 거칠기가 현재 기술로는 2.5㎛이기 때문에 ACF 접합시 전극-도전입자-전극의 형태로 접합이 이루어지지 않고 직접 상하 전극 간의 접촉이 되고, 접합 시 전극에 무리한 힘을 가하게 되어 전극을 파괴하는 현상이 발생되는 문제점이 있고, 25㎛ 초과하는 경우는 ACF용으로 사용할 수 없는 문제점이 있다.The size of the conductive particles according to the present invention is not limited, but it is preferable that the conductive particles have an average diameter of 2.5 to 25 μm. When the size of the conductive particles is less than 2.5 占 퐉, the roughness of the electrode surface is 2.5 占 퐉 in the present technology. Therefore, in ACF bonding, the electrode is not contacted in the form of electrode-conductive particle- There is a problem that an electrode is broken by applying an excessive force to the electrode, and when it is more than 25 m, there is a problem that it can not be used for ACF.

도전입자의 평균직경은 입자크기분석기(Particle Size Analyzer)(BECKMAN MULTISIZER TM3)를 이용하여 측정된 mode값이며, 이때 측정된 도전입자의 수는 75,000개가 바람직하다.
The average diameter of the conductive particles is a mode value measured using a particle size analyzer (BECKMAN MULTISIZER TM3), wherein the number of conductive particles measured is preferably 75,000.

본 발명의 다른 측면인 도전입자의 제조방법의 일실시예는 수지미립자 형성단계, 제1 피복층 형성단계, 및 그래핀층 형성단계를 포함한다. 본 발명의 도전입자 제조방법은 제2 피복층 형성단계를 더 포함할 수 있다. One embodiment of the method for producing conductive particles, which is another aspect of the present invention, includes a resin fine particle forming step, a first coating layer forming step, and a graphene layer forming step. The conductive particle manufacturing method of the present invention may further comprise a second coating layer forming step.

수지미립자 형성단계는 수지로 도전입자의 코어를 형성하는 단계로서 분산중합, 유화중합, 현탁중합 등의 방법으로 수지미립자를 제조할 수 있다. 현탁중합의 경우 균일한 크기의 수지미립자를 제조할 수 없으며, 유화중합의 매우 균일한 크기의 수지미립자를 제조할 수 있으나 수 마이크로미터 크기의 수지미립자를 제조하기 위해서는 여러 단계 공정을 거쳐야 한다. 따라서 분산중합을 통하여 단일 공정으로 수 마이크로미터 크기를 갖는 균일한 수지미립자를 제조하는 것이 바람직하다. The resin microparticle forming step is a step of forming a core of conductive particles with a resin, and resin microparticles can be produced by a method such as dispersion polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization and the like. In the case of suspension polymerization, it is impossible to prepare resin fine particles of uniform size, and resin fine particles having a very uniform size of emulsion polymerization can be produced. However, in order to produce resin fine particles of several micrometer size, various steps must be performed. Therefore, it is preferable to prepare uniform resin microparticles having a size of several micrometers in a single process through dispersion polymerization.

본 발명에서는 용매에 전술한 단량체 및 분산안정제를 첨가한 현탁액을 제조한 후, 중합제를 첨가하여 교반 후 가열하여 중합반응을 진행하여 수지미립자를 형성한다. 반응 온도는 60 내지 70℃, 반응 시간은 10 내지 15 시간 동안 반응시키는 것이 바람직하다. In the present invention, a suspension prepared by adding the above-mentioned monomer and dispersion stabilizer to a solvent is prepared, and then a polymerization agent is added, stirred, and heated to proceed a polymerization reaction to form resin fine particles. The reaction temperature is preferably from 60 to 70 ° C, and the reaction time is preferably from 10 to 15 hours.

용매로는 물, 탈이온수, DMSO, THF, DMF 또는 알코올 등의 극성 용매나, 비극성 용매의 단일 또는 혼합물로서 단량체 및 중합제를 용해시킬 수 있는 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는 탈이온수 또는 탈이온수와 알코올의 혼합용액을 사용한다.As the solvent, water, deionized water, a polar solvent such as DMSO, THF, DMF or alcohol, or a monomer or a mixture of a non-polar solvent and a monomer and a polymer can be used. Preferably, deionized water or a mixed solution of deionized water and alcohol is used.

분산안정제로는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐아세테이트, 히드록시프로필-셀룰로즈 부틸 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.As the dispersion stabilizer, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl acetate, hydroxypropyl-cellulose butyl acrylate and the like can be used.

중합제로는 과황산칼슘, 과황산암모늄, 과황산나트륨 등의 과황산염계 중합제, 과산화수소, 벤졸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 등의 과산화물계 중합제, 아조비스이소부티로나이트릴(AIBN), 아조비스포름아마이드 등의 아조계 중합제가 사용될 수 있다.Examples of the polymerization agent include a persulfate-based polymer such as calcium persulfate, ammonium persulfate and sodium persulfate, a peroxide-based polymer such as hydrogen peroxide, benzol peroxide and lauryl peroxide, azobisisobutyronitrile (AIBN), azo An azo-based polymer such as bisformamide can be used.

용매에 첨가되는 단량체, 분산안정제 및 중합제의 중량비는 25 ~ 35 : 1 ~ 5 : 0.1 ~ 0.5 인 것이 바람직하다. 현탁액 속에 형성된 미립자를 여과, 세척, 분급, 건조하여 수지미립자를 제조한다.The weight ratio of the monomer, dispersion stabilizer and polymerization agent to be added to the solvent is preferably 25 to 35: 1 to 5: 0.1 to 0.5. The fine particles formed in the suspension are filtered, washed, classified and dried to produce resin fine particles.

제1 피복층 형성단계는 수지미립자의 표면을 금속으로 피복하는 단계로서, 전기화학적 산화환원작용에 의하여 수지미립자의 표면에 제1 피복층을 형성시킬 금속을 석출시키는 과정을 의미한다. 본 발명에 의한 제1 피복층 형성단계는 피복층의 두께 조절이 용이할 뿐만 아니라 내식성이 양호하며 불순물의 함유를 최소화할 수 있고, 합금층의 형성도 용이하다. 또한 제1 피복층 형성단계는 외면에 돌기를 구비하는 제1 피복층 형성단계일 수 있다.The first coating layer forming step is a step of coating the surface of the resin fine particles with a metal and means a process of depositing a metal for forming the first coating layer on the surface of the resin fine particles by an electrochemical oxidation-reduction action. The first coating layer forming step according to the present invention is not only easy to control the thickness of the coating layer but also has good corrosion resistance, minimizes the content of impurities, and can easily form an alloy layer. The first coating layer forming step may be a first coating layer forming step including protrusions on the outer surface.

더욱 구체적으로는 용매, 금속염, 착화제, 안정제를 용해시킨 제1 피복액에 수지미립자를 넣어 분산시키고 pH를 조절한 후, 용매, 환원제 및 안정제를 포함하는 제2 피복액을 정량 펌프로 추가로 투입시키는 공정을 진행하여 수지미립자의 표면에 제1 피복층이 형성된 도전입자를 제조한다. 금속염과 환원제를 각각 용해시킨 제1 피복액과 제2 피복액으로 별도로 제조함으로써 피복액의 안정화 및 분해 방지가 가능하다. More specifically, resin fine particles are dispersed in a first coating solution in which a solvent, a metal salt, a complexing agent and a stabilizer are dissolved, and the pH is adjusted. Thereafter, a second coating solution containing a solvent, a reducing agent and a stabilizer is further added by a metering pump The conductive particles having the first coating layer formed on the surface of the resin fine particles are produced. The first coating liquid and the second coating liquid, in which the metal salt and the reducing agent are respectively dissolved, are separately prepared, whereby the coating liquid can be stabilized and prevented from being decomposed.

용매로는 금속염, 착화제, 안정제, 환원제들을 용해하는 물질이면 제한없이 사용가능하며, 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다. Any solvent that dissolves a metal salt, a complexing agent, a stabilizer, or a reducing agent can be used without limitation, and it is preferable to use deionized water.

제1 피복액에 포함되는 금속염은 수지미립자에 피복용 금속 이온을 제공할 수 있고, 피복용 금속 이온은 수지미립자 표면에 피복층을 형성할 수 있다. 전술한 제1 피복층의 재료로 이용되는 금속을 포함한 염을 사용할 수 있다.The metal salt contained in the first coating liquid can provide metal ions to be coated on the resin fine particles and the metal ions to be coated can form a coating layer on the surface of the resin fine particles. A metal-containing salt used as the material of the above-mentioned first coating layer can be used.

제1 피복액에 포함되는 착화제는 피복층 형성 속도를 조절하며, 피복층이 자발적으로 분해되는 것을 방지하여 용액 안정성이 우수한 조성을 제공하도록 한다. 착화제는 금속염 100 중량에 대하여 2 내지 3 중량부 포함되는 것이 바람직하며 초산나트륨을 사용할 수 있다. The complexing agent contained in the first coating liquid controls the rate of formation of the coating layer and prevents spontaneous decomposition of the coating layer, thereby providing a composition having excellent solution stability. The complexing agent is preferably included in an amount of 2 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal salt, and sodium acetate can be used.

제1 피복액에 포함되는 안정제는 피복층 형성 과정에서 변화하는 피복액의 pH를 유지하기 위해 사용되는 물질로서, pH에 의하여 피복의 정도 및 피복층의 두께 등에 영향을 받기 때문에 피복액의 pH를 유지할 수 있는 물질이 추가되는 것이 바람직하다. 안정제는 금속염 100 중량에 대하여 0.001 내지 0.002 중량부 포함되는 것이 바람직하며, 납(Pb)이나 카드늄(Cd)) 화합물 등을 사용할 수 있다. The stabilizer contained in the first coating liquid is a substance used to maintain the pH of the coating liquid which changes during the formation of the coating layer. Since the pH is affected by the degree of coating and the thickness of the coating layer, the pH of the coating liquid can be maintained It is preferable that the substance is added. The stabilizer is preferably contained in an amount of 0.001 to 0.002 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal salt, and may be a lead (Pb) or cadmium (Cd)) compound.

수지미립자와 제1 피복층 사이의 계면 특성 향상과 피트형성 방지를 위하여 계면활성제가 더 포함된 제1 피복액을 사용할 수 있다. 계면활성제가 포함되는 경우, 금속염 100중량에 대하여 1 내지 2 중량부 포함되는 것이 바람직하다. A first coating liquid containing a surfactant may be used for improving the interfacial property between the resin fine particles and the first coating layer and for preventing pit formation. When a surfactant is contained, it is preferable that the surfactant is included in an amount of 1 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal salt.

제1 피복액의 pH는 5.0 내지 10.0인 것이 바람직하다. pH 범위가 5.0 내지 10.0인 경우, 피복의 속도가 빠르면서 피복이 효과적으로 잘 이루어질 뿐만 아니라 금속이온의 종류별로 쉽게 석출되지 않는 금속이 보다 용이하게 석출될 수 있게 된다.The pH of the first coating liquid is preferably 5.0 to 10.0. When the pH is in the range of 5.0 to 10.0, the coating speed is fast, the coating is efficiently performed, and a metal which is not easily precipitated by the kind of the metal ion can be more easily precipitated.

제2 피복액에 포함되는 환원제는 피복용 금속 이온을 환원시킬 수 있는 물질로서 차아인산나트륨, 차아인산칼륨 및 차아인산암모늄 등의 차아인산염, 수소화붕소염, 디메틸아민보란 및 히드라진으로 구성되는 군에서 선택되어지는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The reducing agent contained in the second coating liquid is a substance capable of reducing metal ions to be coated, such as a hypophosphite such as sodium hypophosphite, potassium hypophosphite and ammonium hypophosphite, a borohydride salt, dimethylamine borane and hydrazine And may include any one or more selected.

제2 피복액에 포함되는 안정제는 납(Pb)이나 카드늄(Cd)) 화합물 등을 사용할 수 있으며, 제2 피복액에 포함되는 환원제 100 중량에 대하여 0.0001 내지 0.0005 중량부 포함되는 것이 바람직하다.The stabilizer contained in the second coating liquid may be lead (Pb) or cadmium (Cd)) compound, and it is preferable that the stabilizer is contained in an amount of 0.0001 to 0.0005 parts by weight based on 100 parts by weight of the reducing agent contained in the second coating liquid.

제1 피복층 형성단계는 반응기에 수지미립자와 제1 피복액을 넣고 5 내지 10분간 분산처리 후 pH를 6 내지 7로 조절하는 단계, 및 반응기의 온도를 60 내지 70℃으로 유지하고, 200 내지 300rpm의 회전속도로 교반하면서 제2 피복액을 20 내지 25ml/min의 속도로 투입시킨 후 20 내지 25분간 반응을 유지시키는 단계를 포함하여 수지미립자의 표면에 제1 피복층이 형성된 도전입자를 제조한다. In the first coating layer forming step, the resin fine particles and the first coating liquid are added to the reactor and the dispersion is treated for 5 to 10 minutes to adjust the pH to 6 to 7, and the temperature of the reactor is maintained at 60 to 70 ° C, At a rate of 20 to 25 ml / min, while maintaining the reaction for 20 to 25 minutes, thereby preparing conductive particles having a first coating layer formed on the surface of the resin fine particles.

제1 피복층 형성단계는 표면처리 단계를 더 포함할 수 있다. 표면처리 단계는 제1 피복층 형성단계에서의 피복층 형성을 위한 활성화 핵을 형성시키는 단계로 환원된 금속입자가 붙을 활성화 핵을 수지미립자 표면에 형성시키는 단계이다. 표면처리 단계는 수지미립자 표면에 환원력이 있는 이온성 물질을 흡착시키는 반응과, 이온성 물질이 흡착된 수지미립자 표면에 활성화 핵을 형성하는 산화·환원 반응을 포함한다. 표면처리단계는 흡착 반응 이전에 알카리용액 또는 산용액을 이용한 에칭 처리를 더 포함할 수 있다.The first coating layer forming step may further include a surface treatment step. The surface treatment step is a step of forming an activation nucleus for formation of a coating layer in the first coating layer formation step, and an activation nucleus to be attached to the reduced metal particle is formed on the resin fine particle surface. The surface treatment step includes a reaction for adsorbing an ionic substance having a reducing power to the surface of the resin particles and an oxidation-reduction reaction for forming an activation nucleus on the surface of the resin particles to which the ionic substance is adsorbed. The surface treatment step may further include an etching treatment using an alkali solution or an acid solution before the adsorption reaction.

제1 피복층 형성단계는 외면에 돌기를 구비하여 제1 피복층을 형성하는 단계일 수 있다. 돌기가 구비된 제 1 피복층의 형성방법은 제2 피복액의 투입속도를 조절함으로써 돌기를 형성할 수 있다. 돌기는 제2 피복액의 투입속도를 0.2 내지 10%로 증가시켜서 형성한다.The first coating layer forming step may include forming a first coating layer having protrusions on the outer surface thereof. The method of forming the first coating layer having the projections can form the projections by adjusting the application speed of the second coating liquid. The projections are formed by increasing the charging speed of the second coating liquid to 0.2 to 10%.

제2 피복층의 형성단계는 특별히 한정 되지 않으며 일반적인 스퍼터링, 도금, 증착의 기술을 사용할 수 있다.The step of forming the second coating layer is not particularly limited, and the techniques of general sputtering, plating and vapor deposition can be used.

그래핀층 형성단계에서 그래핀을 얻는 방법은 스카치테이프 방법, 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 실리콘카바이드 절연체를 이용한 에피텍시얼(Epitaxial) 방법, 환원제를 이용한 화학적 방법 등을 이용할 수 있다. Methods for obtaining graphene in the graphene layer formation step include a scotch tape method, a chemical vapor deposition (CVD) method, an epitaxial method using a silicon carbide insulator, a chemical method using a reducing agent, and the like .

스카치테이프 방법은 흑연을 스카치테이프에 붙여 여러 겹을 때어내고, 새로운 스카치테이프를 붙였다 떼어내면서 좀 더 얇은 그래핀층을 얻어내는 방법이다. 화학증착법은 섭씨 1000℃를 유지시킨 Ni, Cu 표면에 메탄 및 수소를 흘려주어 단일 층 또는 여러 층의 그래핀층을 형성하는 방법이다. 실리콘카바이드 에피택시얼(Epitaxial) 방법은 단결정 층들을 한 층씩 쌓아가는 기술로 그래핀층에 반도체 성질을 부여하기 위해 사용하는 방법이다. 환원제를 이용한 화학적 방법은 불순물의 함량이 남아있어 전도성면에서 다소 불리한 점이 있지만, 대량생산이 가능한 점에서 환원제를 이용한 화학적 방법을 이용하는 것이 바람직하다. 이하 자세히 설명한다. The Scotch tape method is a method of obtaining a thinner graphene layer by sticking graphite to a scotch tape, taking out multiple layers, and removing a new scotch tape. In the chemical vapor deposition method, methane and hydrogen are flowed to the surface of Ni and Cu maintained at 1000 ° C to form a single layer or multiple layers of graphene. The silicon carbide epitaxial method is a technique for stacking monocrystalline layers one by one and is used to impart semiconducting properties to the graphene layer. The chemical method using a reducing agent is somewhat disadvantageous in terms of conductivity since the impurity content remains, but it is preferable to use a chemical method using a reducing agent in view of mass production. This will be described in detail below.

환원제를 이용하는 화학적 방법은 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide, RGO)를 제조하는 단계 및 환원된 그래핀 옥사이드를 이용하여 도전입자에 코팅하는 단계를 포함한다.The chemical method using a reducing agent includes preparing reduced graphene oxide (RGO) and coating the conductive particles with reduced graphene oxide.

환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계는 층상구조의 흑연(graphite)을 산화제(강산)를 이용하여 산화시켜 친수성기를 함유하는 그라파이트 옥사이드(graphite oxide)를 제조하는 산화단계, 그라파이트 옥사이드를 세척 후 층상 분리되어 수용액에 분산된 상태로 존재하는 단일층의 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO)를 제조하는 박리단계, 및 환원제를 이용하여 판상구조의 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide, RGO)를 제조하는 환원단계를 포함한다. The step of preparing reduced graphene oxide includes an oxidation step of oxidizing graphite of layer structure with an oxidizing agent (strong acid) to produce a graphite oxide containing a hydrophilic group, a step of separating graphite oxide after washing the graphite oxide A stripping step of producing a single layer of graphene oxide (GO) dispersed in an aqueous solution, and a step of preparing a reduced graphene oxide (RGO) using a reducing agent Reduction step.

산화단계에서의 흑연은 분쇄공정을 거쳐 분급된 흑연을 이용할 수 있고, 산화제(강산)로는 황산, 질산, 염산 등을 이용할 수 있으며, 친수성기는 하이드록시기, 에폭사이드기, 카르복실기, 락톨기 등의 산소 기능기를 포함한다. 분급된 흑연을 강산 수용액에 넣고 50 내지 80℃에서 4 내지 4.5 시간 교반 후, 원활한 산화를 위해 과망간산칼륨을 투입하여 60 내지 65℃에서 12 내지 13시간 유지하여 흑연을 산화시키는 반응이다.As the graphite in the oxidation step, graphite classified by the pulverization process can be used. As the oxidizing agent (strong acid), sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid and the like can be used, and as the hydrophilic group, a hydroxyl group, an epoxide group, a carboxyl group and a lactate group Oxygen functional groups. After the classified graphite is stirred in an aqueous solution of strong acid and stirred at 50 to 80 ° C for 4 to 4.5 hours, potassium permanganate is added for smooth oxidation and the graphite is oxidized by holding at 60 to 65 ° C for 12 to 13 hours.

박리단계는 과산화수소수, 탈이온수를 투입하고 원심분리기를 이용하여 세척한 후 층상분리를 원활하게 하기 위하여 초음파를 이용할 수 있다. In the peeling step, ultrasonic waves can be used to smooth the layer separation after cleaning with hydrogen peroxide water and deionized water, using a centrifuge.

환원단계는 히드라진, 암모니아 등의 환원제를 투입하여 80 내지 85℃에서 1 내지 4시간 유지하여 0.5 내지 2% wt% 농도의 환원된 그래핀 옥사이드(RGO)를 제조할 수 있다. In the reduction step, reduced graphene oxide (RGO) having a concentration of 0.5 to 2% wt% can be prepared by adding a reducing agent such as hydrazine or ammonia at 80 to 85 ° C for 1 to 4 hours.

환원된 그래핀 옥사이드(RGO)를 이용하여 도전입자에 코팅시키는 단계는 환원된 그래핀 옥사이드(RGO)를 용매에 분산시킨 후, 도전입자를 넣고 반응시켜 도전입자의 표면에 그래핀층을 형성한다. 환원된 그래핀 옥사이드 뿐만 아니라 그래핀 옥사이드(GO)나 그래핀(Graphene)을 사용하여 코팅할 수 있으며, 수중 분산성이 우수한 환원된 그래핀 옥사이드(RGO)나 그래핀 옥사이드(GO)를 사용하는 것이 제조공정의 단순화 및 비용 절감 측면에서 바람직하다.In the step of coating the conductive particles with reduced graphene oxide (RGO), the reduced graphene oxide (RGO) is dispersed in a solvent, and then the conductive particles are added and reacted to form a graphene layer on the surface of the conductive particles. (RGO) or graphene oxide (GO), which can be coated by using not only reduced graphene oxide but also graphene oxide (GO) or graphene Is preferable in terms of simplification of the manufacturing process and cost reduction.

환원된 그래핀 옥사이드(RGO)나 그래핀 옥사이드(GO)의 경우 친수성기인 하이드록시기, 에폭사이드기, 카르복실기, 락톨기 중 옥사이드와 카본의 국부적인 분극(dipole)이 형성된다. 이때 옥사이드 쪽은 (-)기, 카본 쪽은 (+)기를 띠고 옥사이드 쪽의 (-)기가 금속과 친화력을 가져 코팅이 이루어진다. GO의 크기는 수나노미터 이기 때문에 비 표면적이 매우 커 반데르발스 힘에 의해 코팅이 이루어진다.
In the case of reduced graphene oxide (RGO) or graphene oxide (GO), a local dipole of oxide and carbon in the hydrophilic groups hydroxyl, epoxide, carboxyl and lactate is formed. In this case, the (-) side of the oxide has a (-) group, the carbon side has a (+) side and the (-) side of the oxide has an affinity with a metal. Since the size of the GO is several nanometers, the specific surface area is very large and the coating is carried out by van der Waals force.

본 발명에 의한 도전입자를 이용하여 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film, ACF), 이방성도전페이스트 (Anisotropic Conductive Paste), 이방성도전잉크(Anisotropic Conductive Ink), 이방성도전시트(Anisotropic Conductive Sheet)등 이방성 도전 접속재료를 제공할 수 있으며, 이하 본 발명에 의한 도전입자를 이용한 이방성 도전 필름을 일실시예로 하여 구체적으로 설명한다. The conductive particles according to the present invention can be used as an anisotropic conductive film such as anisotropic conductive film (ACF), anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, and anisotropic conductive sheet And an anisotropic conductive film using the conductive particles according to the present invention will be specifically described below as an embodiment.

본 발명에 의한 도전입자 및 절연성 수지를 포함한 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 제공한다.  There is provided an anisotropic conductive film (ACF) comprising conductive particles and an insulating resin according to the present invention.

절연성 수지는 이방성 도전 필름(ACF)의 물성을 좌우하는데, 열 또는 빛에 따른 분자 구조의 변경 유무 및/또는 변경 방식에 따라서 경화성 수지와 가소성 수지로 나눌 수 있다. 경화성 수지는 또한 경화를 일으키는 에너지원에 따라서 열경화성 수지와 광경화성 수지로 구분할 수 있으며, 광경화성 수지는 광의 종류에 따라서 자외선 경화성 수지와 적외선 경화성 수지로 구분할 수 있다. 이방성 도전 필름(ACF)은 통상적으로 열경화성 수지를 포함하는데, 본 실시예가 여기에만 한정되는 것은 아니며, 이방성 도전 필름(ACF)은 자외선 경화 수지 등과 같은 광경화성 수지를 포함할 수도 있다.The insulating resin depends on the physical properties of the anisotropic conductive film (ACF). The insulating resin can be divided into a curable resin and a plastic resin depending on heat and / or change of the molecular structure depending on the light. The curable resin can also be classified into a thermosetting resin and a photo-curable resin depending on an energy source that causes curing, and the photo-curable resin can be classified into an ultraviolet ray curable resin and an infrared ray curable resin depending on the type of light. The anisotropic conductive film (ACF) usually includes a thermosetting resin. However, the present embodiment is not limited thereto, and the anisotropic conductive film (ACF) may include a photo-curable resin such as an ultraviolet curable resin.

열경화성(열가소성) 수지는 광경화성(광가소성) 수지에 비하여 경화 공정이 용이하고 경화 구조의 관리가 용이하다. 다만, 열경화성(가소성) 수지는 열에너지를 사용함에 따른 다른 부품에의 손상 여부나 상대적으로 긴 공정 시간이 필요하다는 단점이 있다. 열경화성 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노블락형 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 레조시놀 수지 등을 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 그리고 열가소성 수지로는 포화 폴리에스테르 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐아세테이트(PVA) 수지, 폴리카보네이트 수지, 셀룰로오스 수지, 케톤 수지, 스티렌 수지 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이방성 도전 필름(ACF)에 열경화성 수지와 열가소성 수지는 각각 최저 약 10%에서 최대 40%와 50% 정도의 함량이 포함될 수 있다.The thermosetting (thermoplastic) resin is easier to cure and easier to manage the curing structure as compared to the photo-curable (photo-plastic) resin. However, the thermosetting resin (tentative resin) is disadvantageous in that it requires damage to other parts due to the use of thermal energy or a relatively long processing time. As the thermosetting resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a Novolak type epoxy resin, a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, an unsaturated polyester resin, a resorcinol resin and the like may be used. As the thermoplastic resin, a saturated polyester resin, a vinyl resin, an acrylic resin, a polyolefin resin, a polyvinyl acetate (PVA) resin, a polycarbonate resin, a cellulose resin, a ketone resin, and a styrene resin may be used. The anisotropic conductive film (ACF) may contain a content of a minimum of about 10% and a maximum of about 40% and 50%, respectively, of the thermosetting resin and the thermoplastic resin.

또한 본 발명에 의한 이방성 도전 필름(ACF)은 경화제를 포함한 여러 가지 종류의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 현재 패키징 업체에서는 저온속경화 특성(예컨대, 가압착의 본딩 온도는 80℃ 이하이고, 본압착의 본딩 온도는 약 180℃ 이하)을 갖는 이방성 도전 필름(ACF)을 요구하고 있다. 경화제는 전술한 열경화성 수지 등이 저온에서도 빨리 경화될 수 있도록 하기 위한 물질로서, 약 0.1~10% 정도의 함량이 포함될 수 있다. 열경화성 수지 등의 저온속경화에 도움이 되는 물질이라면 경화제의 종류에는 특별한 제한이 없는데, 예를 들어 아조계 화합물이나 유기과산화물 등이 사용될 수 있다. 그리고 이방성 도전 필름(ACF)은 커플링 보조제(coupling aid)와 접착 부여제(tackifier) 등을 더 포함할 수 있다.The anisotropic conductive film (ACF) according to the present invention may further include various kinds of additives including a curing agent. Currently, packaging companies require an anisotropic conductive film (ACF) having a low-temperature fast curing property (for example, a bonding temperature of the pressure bonding is 80 DEG C or less and a bonding temperature of the compression bonding is about 180 DEG C or less). The curing agent is a material for allowing the above-mentioned thermosetting resin or the like to be cured quickly even at a low temperature, and may be included in an amount of about 0.1 to 10%. There is no particular limitation on the kind of the curing agent as long as it is a substance that helps cure at a low temperature such as a thermosetting resin. For example, an azo compound or an organic peroxide may be used. The anisotropic conductive film (ACF) may further include a coupling aid and a tackifier.

이방성 도전 필름에 포함되는 도전입자의 함량은 절연성 수지에 대하여 3 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
The content of the conductive particles contained in the anisotropic conductive film may be 3 to 30% by weight based on the insulating resin.

실시예 및 비교예Examples and Comparative Examples

실시예 1Example 1

탈이온수 1,600g에 분산안정제인 PVP-30K를 15g을 녹인다. 여기에 에틸렌글리콜디메타크릴레이트 85g과 디비닐벤젠 모노머 85g을 넣고 교반하여 현탁액을 만든다. 상기의 현탁액에 중합제인 벤졸퍼옥사이드(Benzoyl peroxide)를 1.5g 첨가하고 교반하여 잘 섞이게 한다. 모노머 현탁액을 85℃로 가열하여 중합반응을 진행하고, 12시간 유지하여 반응을 완결시킨다. 합성이 완료된 후 현탁액 속의 미립자를 여과, 세척, 분급, 건조 공정을 거쳐 평균입경 3.0㎛의 수지미립자를 제조하였다.Dissolve 15 g of PVP-30K as a dispersion stabilizer in 1,600 g of deionized water. 85 g of ethylene glycol dimethacrylate and 85 g of divinylbenzene monomer were added and stirred to prepare a suspension. To the suspension, 1.5 g of Benzoyl peroxide, which is a polymerization agent, is added and mixed well by stirring. The monomer suspension is heated to 85 캜 to carry out the polymerization reaction, and the reaction is completed by keeping it for 12 hours. After completion of the synthesis, the fine particles in the suspension were subjected to filtration, washing, classification, and drying to prepare resin fine particles having an average particle size of 3.0 탆.

제조된 수지미립자에 알카리용액 또는 산용액으로 에칭을 한 후 탈이온수에 염산(HCl)과 염화주석(SnCl2)을 녹인 용액을 이용하여 수지미립자 표면에 Sn2+이온을 흡착시키고, 탈이온수에 염산과 염화팔라듐(PdCl2)을 녹인 용액으로 하기와 같은 반응식의 산화·환원 반응을 통해 활성화 핵을 형성시키는 촉매처리를 진행하여 수지미립자를 표면처리 하였다.Sn 2+ ions are adsorbed on the surface of the resin fine particles by using a solution obtained by dissolving hydrochloric acid (HCl) and tin chloride (SnCl 2 ) in deionized water after etching the produced resin fine particles with an alkali solution or an acid solution, The catalytic treatment for forming the activated nucleus was carried out by the oxidation and reduction reaction of the following reaction formula with the solution in which hydrochloric acid and palladium chloride (PdCl 2 ) were dissolved to perform the surface treatment of the resin fine particles.

[반응식][Reaction Scheme]

Sn2+ + Pd2+ -> Sn4+ +Pd0 Sn 2+ + Pd 2+ -> Sn 4+ + Pd 0

다음으로 3L 반응기에 탈이온수 2200ml와 Ni염으로 황산니켈 190g, 착화제로 초산나트륨 5g, 안정제로 Pb-아세테이트 0.002g, 계면활성제로 PEG-400 3g을 순서대로 용해하여 제1 피복액을 제조하였다. 표면처리된 수지미립자 20g을 제1 피복액에 넣고, 호모지나이저(homogenizer)를 이용하여 5분간 분산처리를 하였다. 분산 처리 이후 암모니아수를 이용하여 pH를 6.5으로 맞추었다.Next, 2200 ml of deionized water, 190 g of nickel sulfate as a Ni salt, 5 g of sodium acetate as a complexing agent, 0.002 g of Pb-acetate as a stabilizer and 3 g of PEG-400 as a surfactant were dissolved in a 3 L reactor in this order to prepare a first coating solution. 20 g of the surface-treated resin fine particles were placed in the first coating liquid and dispersed for 5 minutes using a homogenizer. After the dispersion treatment, the pH was adjusted to 6.5 using ammonia water.

탈이온수 300ml와 환원제인 차아인산나트륨 240g, 안정제인 Pb-아세테이트 0.001g을 순서대로 용해하여 제2 피복액를 얻었다. 300 ml of deionized water, 240 g of sodium hypophosphite as a reducing agent and 0.001 g of Pb-acetate as a stabilizer were dissolved in order to obtain a second coating liquid.

상기의 3L 반응기의 온도를 65℃로 유지하고 250rpm으로 교반하면서 제2 피복액을 정량 펌프로 20ml/min의 속도로 투입하였다. 제2 피복액이 다 투입되고 20분간 반응을 유지시켜 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 평균입경 3.32μm의 도전입자를 제조하였다. The temperature of the 3L reactor was maintained at 65 占 폚, and the second coating liquid was introduced at a rate of 20 ml / min by a metering pump while stirring at 250 rpm. The second coating liquid was fully charged and the reaction was maintained for 20 minutes to prepare conductive particles having an average particle diameter of 3.32 mu m including the resin fine particles and the first coating layer.

기계적으로 분쇄 공정을 거친 흑연을 20메쉬 시브를 이용하여 분급을 진행하고 분급된 흑연 10g을 탈이온수 500g, 황산 15g의 수용액에 넣어 4시간 교반하였다. 이렇게 교반된 용액에 과망간산칼륨 5g을 투입하여 흑연을 산화시키고 60℃에서 12시간 처리하였다. 그 후 과산화수소수 5g을 투입하고 탈이온수 및 원심분리기를 이용하여 세척한 후 초음파를 이용하여 그래핀 옥사이드를 제조하였다. 제조된 그래핀옥사이드를 80℃ 반응조에서 히드라진을 15g 투입하여 그래핀 용액을 제조하였다.The graphite having been mechanically pulverized was classified using a 20 mesh sheave. 10 g of the classified graphite was stirred for 4 hours in an aqueous solution containing 500 g of deionized water and 15 g of sulfuric acid. 5 g of potassium permanganate was added to the stirred solution to oxidize the graphite and treated at 60 DEG C for 12 hours. After that, 5 g of hydrogen peroxide was added, washed with deionized water and centrifugal separator, and then graphene oxide was prepared by using ultrasonic waves. The prepared graphene oxide was put into 15 g of hydrazine in a reaction vessel at 80 ° C to prepare a graphene solution.

제조된 그래핀 용액 0.2g을 에탄올 300g과 탈이온수 10g에 분산시킨 뒤 제조된 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 도전입자를 넣고 120rpm의 속도로 24시간 반응시켜 수지미립자, 제1 피복층 및 그래핀층을 포함하는 도전입자를 제조하였다.0.2 g of the prepared graphene solution was dispersed in 300 g of ethanol and 10 g of deionized water and conductive particles containing the resin fine particles and the first coating layer thus prepared were added and reacted at a speed of 120 rpm for 24 hours to obtain resin fine particles, Was prepared.

실시예 2Example 2

실시예 1에서 제조된 수지미립자 및 제1 피복층을 포함한 도전입자에 Au 치환도금을 하여 최외각에 Au가 있는 도전입자를 제조하여 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자에 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다.The conductive particles including the resin fine particles and the first coating layer prepared in Example 1 were subjected to Au substitution plating to produce conductive particles having Au at the outermost periphery to prepare conductive particles further comprising a second coating layer. The prepared conductive particles were coated with a graphene layer in the same manner as in Example 1.

실시예 3 Example 3

실시예 1에서 제2 피복액을 정량 펌프로 5분간 20ml/min의 속도로 투입하고 나머지는 25ml/min으로 투입하여, 수지미립자, 외면에 평균 높이 220nm의 돌기를 구비하는 제1 피복층을 포함한 평균 직경 3.31㎛의 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다. In Example 1, the second coating liquid was supplied by a metering pump at a rate of 20 ml / min for 5 minutes, and the remainder was charged at 25 ml / min to obtain a resin fine particle and an average including a first coating layer having protrusions with an average height of 220 nm on the outer surface Thereby producing conductive particles having a diameter of 3.31 mu m. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

실시예 4Example 4

실시예 3에서 제조된 수지미립자, 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층을 포함한 도전입자의 최외각에 Au 치환도금을 하여 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다. The outermost portions of the conductive particles including the resin fine particles prepared in Example 3 and the first coating layer having protrusions on the outer surface were subjected to Au substitution plating to prepare conductive particles further comprising a second coating layer. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

실시예 5Example 5

탈이온수 1,600g에 분산안정제인 PVP-30K를 30g을 녹인다. 여기에 폴리스티렌 모노머 115g과 메틸메타크릴레이트 모노머 35g을 넣고 교반하여 현탁액을 제조한다. 제조된 현탁액에 중합제인 벤졸퍼옥사이드(Benzoyl peroxide)를 1.5g 첨가하고 교반하여 잘 섞이게 한다. 모노머 현탁액을 85℃로 가열하여 중합반응을 진행하고, 12시간 유지하여 반응을 완결시킨다. 합성이 완료된 후 현탁액 속의 미립자를 여과, 세척, 분급, 건조 공정을 거쳐 평균입경 9.8㎛ 수지미립자를 얻는다.30 g of PVP-30K as a dispersion stabilizer is dissolved in 1,600 g of deionized water. 115 g of a polystyrene monomer and 35 g of a methyl methacrylate monomer were added thereto and stirred to prepare a suspension. To the suspension, 1.5 g of Benzoyl peroxide, which is a polymerization agent, is added and mixed well by stirring. The monomer suspension is heated to 85 캜 to carry out the polymerization reaction, and the reaction is completed by keeping it for 12 hours. After the synthesis is completed, the fine particles in the suspension are filtered, washed, classified and dried to obtain resin fine particles having an average particle size of 9.8 mu m.

제조된 수지미립자 35g이용하여, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 평균직경 10.1㎛의 도전입자를 제조하고, 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 도전입자의 최외각에 Au 치환도금을 하여 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다.Using 35 g of the resin fine particles thus prepared, conductive particles having an average diameter of 10.1 占 퐉 including the resin fine particles and the first coating layer were produced in the same manner as in Example 1, and the conductive particles including the resin fine particles and the first coating layer Was subjected to Au substitution plating to prepare conductive particles further comprising a second coating layer. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

실시예 6Example 6

실시예 5에서 제조된 수지미립자를 이용하여, 실시예 1에서의 제2 피복액을 정량 펌프로 5분간 20ml/min의 속도로 투입하고 나머지는 28ml/min으로 투입하여, 외면에 평균 높이 270nm의 돌기를 구비하는 제1 피복층을 포함한 도전입자를 제조하였다. 여기에 Au 치환도금을 하여 최외각에 Au가 있는 도전입자를 제조하여 제2 피복층을 더 포함하는 평균 직경 10.1㎛의 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다.Using the resin microparticles prepared in Example 5, the second coating liquid in Example 1 was charged by a metering pump for 5 minutes at a rate of 20 ml / min and the rest was charged at 28 ml / min. Conductive particles including a first coating layer having projections were produced. Subsequently, Au plating was carried out to obtain conductive particles having Au at the outermost periphery, and conductive particles having an average diameter of 10.1 占 퐉, which further included the second coating layer, were prepared. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

실시예 7Example 7

탈이온수 1,600g에 분산안정제인 PVP-30K를 15g을 녹인다. 여기에 폴리스티렌 모노머 85g과 메틸메타크릴레이트 모노머 85g을 넣고 교반하여 현탁액을 제조한다. 제조된 현탁액에 중합제인 벤졸퍼옥사이드(Benzoyl peroxide)를 1.5g 첨가하고 교반하여 잘 섞이게 한다. 모노머 현탁액을 85℃로 가열하여 중합반응을 진행하고, 12시간 유지하여 반응을 완결시킨다. 합성이 완료된 후 현탁액 속의 미립자를 여과, 세척, 분급, 건조 공정을 거쳐 평균입경 20.1㎛ 수지미립자를 얻는다.Dissolve 15 g of PVP-30K as a dispersion stabilizer in 1,600 g of deionized water. 85 g of polystyrene monomer and 85 g of methyl methacrylate monomer were added thereto and stirred to prepare a suspension. To the suspension, 1.5 g of Benzoyl peroxide, which is a polymerization agent, is added and mixed well by stirring. The monomer suspension is heated to 85 캜 to carry out the polymerization reaction, and the reaction is completed by keeping it for 12 hours. After the synthesis is completed, the fine particles in the suspension are subjected to filtration, washing, classification, and drying to obtain fine resin particles having an average particle size of 20.1 占 퐉.

제조된 수지미립자 70g이용하여, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 평균직경 20.4㎛의 도전입자를 제조하고, 수지미립자 및 제1 피복층을 포함하는 도전입자의 최외각에 Au 치환도금을 하여 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다.Using the prepared resin fine particles (70 g), conductive particles having an average diameter of 20.4 占 퐉 including the resin fine particles and the first coating layer were prepared in the same manner as in Example 1, and the conductive particles including the resin fine particles and the first coating layer Was subjected to Au substitution plating to prepare conductive particles further comprising a second coating layer. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

실시예 8Example 8

실시예 7에서 제조된 수지미립자를 이용하여, 실시예 1에서의 제2 피복액을 정량 펌프로 5분간 20ml/min의 속도로 투입하고 나머지는 28ml/min으로 투입하여, 외면에 평균 높이 310nm의 돌기를 구비하는 제1 피복층을 포함한 도전입자를 제조하였다. 여기에 Au 치환도금을 하여 최외각에 Au가 있는 도전입자를 제조하여 제2 피복층을 더 포함하는 평균 직경 20.4㎛의 도전입자를 제조하였다. 제조된 도전입자를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 그래핀층을 코팅하였다.
Using the resin microparticles prepared in Example 7, the second coating liquid in Example 1 was charged by a metering pump for 5 minutes at a rate of 20 ml / min and the rest was charged at 28 ml / min. Conductive particles including a first coating layer having projections were produced. Subsequently, Au plating was carried out to form conductive particles having Au at the outermost periphery, and conductive particles having an average diameter of 20.4 占 퐉, which further included the second coating layer, were prepared. Using the prepared conductive particles, a graphene layer was coated in the same manner as in Example 1.

비교예 1 내지 비교예 8Comparative Examples 1 to 8

그래핀층 코팅을 하지 않은 것 이외에는 실시예 1 내지 실시예 8과 동일한 방법으로 도전입자를 제조하였다.Conductive particles were produced in the same manner as in Examples 1 to 8 except that the graphene layer coating was not performed.

아래의 표 1은 제조된 도전입자의 크기 및 구성을 나타낸 표이다.
Table 1 below shows the sizes and composition of the conductive particles produced.

구분division 수지미립자의 크기(μm)Size of resin microparticles (μm) 입자의 크기(μm)Particle Size (μm) 돌기 유무Presence or absence of projection 제2 피복층 유무Presence or absence of the second coating layer 그래핀층 유무Graphene layer presence 실시예 1Example 1 3.03.0 3.323.32 ×× ×× 실시예 2Example 2 3.03.0 3.323.32 ×× 실시예 3Example 3 3.03.0 3.323.32 ×× 실시예 4Example 4 3.03.0 3.323.32 실시예 5Example 5 9.89.8 10.110.1 ×× ×× 실시예 6Example 6 9.89.8 10.110.1 실시예 7Example 7 20.120.1 20.420.4 ×× 실시예 8Example 8 20.120.1 20.420.4 비교예 1Comparative Example 1 3.03.0 3.323.32 ×× ×× ×× 비교예 2Comparative Example 2 3.03.0 3.323.32 ×× ×× 비교예 3Comparative Example 3 3.03.0 3.323.32 ×× ×× 비교예 4Comparative Example 4 3.03.0 3.323.32 ×× 비교예 5Comparative Example 5 9.89.8 10.110.1 ×× ×× ×× 비교예 6Comparative Example 6 9.89.8 10.110.1 ×× 비교예 7Comparative Example 7 20.120.1 20.420.4 ×× ×× 비교예 8Comparative Example 8 20.120.1 20.420.4 ××

실험예 - 접속저항 측정Experimental Example - Connection Resistance Measurement

실시예 및 비교예로 제조된 도전입자를 이용하여 25㎛두께의 ACF를 제조하였다. 이때 도전입자의 함량은 ACF에 포함되는 절연성 수지에 대하여 5 wt%로 첨가하여 제조하였다. 그리고 칩 전극간 거리가 50㎛인 FPCB와 ITO가 코팅된 glass에 접합하고, 신뢰성 실험(Reliability test) 중 하나인 환경 실험(Environment test)을 진행하였다. 온도 85℃, 습도 85%에서 일정시간 사용 후 전극 간 접속저항을 측정(이하, '85℃/85% 테스트'라 한다)하였다. 초기(0hr) 접속 저항을 측정하고, 250hr, 500hr, 1,000hr 85℃/85% 테스트를 진행한 이후의 접속 저항을 측정하였다. 표 2 및 표 3은 85℃/85% 테스트 시간에 따라 측정된 접속저항 및 접속저항 증가율을 나타낸 것이다.
ACF having a thickness of 25 mu m was prepared using the conductive particles prepared in Examples and Comparative Examples. At this time, the content of the conductive particles was added by adding 5 wt% to the insulating resin included in the ACF. Then, an FPCB with an inter-chip distance of 50 μm and an ITO-coated glass were bonded to each other and an environment test was conducted as one of reliability tests. The connection resistance between the electrodes was measured (hereinafter, referred to as '85 ° C / 85% test') after a certain period of use at a temperature of 85 ° C and a humidity of 85%. The initial (0 hr) connection resistance was measured, and the connection resistance after 250 hr, 500 hr, 1,000 hr 85 ° C / 85% test was measured. Table 2 and Table 3 show the connection resistance and connection resistance increase rate measured at 85 ° C / 85% test time.

구분division 85/85% 테스트 시간에 따른 접속저항(Ω)85/85% Connection resistance (Ω) 0hr0hr 250hr250hr 500hr500 hr 1,000hr1,000hr 실시예 1Example 1 0.850.85 1.011.01 1.121.12 1.211.21 실시예 2Example 2 0.740.74 0.840.84 0.960.96 1.011.01 실시예 3Example 3 0.530.53 0.650.65 0.780.78 0.880.88 실시예 4Example 4 0.480.48 0.640.64 0.740.74 0.840.84 실시예 5Example 5 0.430.43 0.570.57 0.680.68 0.780.78 실시예 6Example 6 0.380.38 0.490.49 0.570.57 0.680.68 실시예 7Example 7 0.450.45 0.610.61 0.720.72 0.820.82 실시예 8Example 8 0.350.35 0.510.51 0.620.62 0.720.72 비교예 1Comparative Example 1 0.830.83 1.121.12 1.351.35 3.353.35 비교예 2Comparative Example 2 0.720.72 0.890.89 1.51.5 2.962.96 비교예 3Comparative Example 3 0.510.51 0.660.66 1.121.12 2.942.94 비교예 4Comparative Example 4 0.470.47 0.620.62 1.081.08 2.912.91 비교예 5Comparative Example 5 0.410.41 0.570.57 1.11.1 2.242.24 비교예 6Comparative Example 6 0.340.34 0.450.45 0.890.89 2.052.05 비교예 7Comparative Example 7 0.440.44 0.590.59 1.051.05 2.882.88 비교예 8Comparative Example 8 0.350.35 0.500.50 0.960.96 2.792.79

구분division 85/85% 테스트 시간에 따른 접속저항 증가율85/85% Connection resistance increase rate with test time 250hr250hr 500hr500 hr 1,000hr1,000hr 실시예 1Example 1 0.1880.188 0.3180.318 0.4240.424 실시예 2Example 2 0.1350.135 0.2970.297 0.3650.365 실시예 3Example 3 0.2260.226 0.4720.472 0.6600.660 실시예 4Example 4 0.3330.333 0.5410.541 0.7500.750 실시예 5Example 5 0.326 0.326 0.581 0.581 0.814 0.814 실시예 6Example 6 0.289 0.289 0.500 0.500 0.789 0.789 실시예 7Example 7 0.3560.356 0.6000.600 0.8220.822 실시예 8Example 8 0.4570.457 0.7710.771 1.0571.057 비교예 1Comparative Example 1 0.3490.349 0.6270.627 3.0363.036 비교예 2Comparative Example 2 0.2360.236 1.0831.083 3.1113.111 비교예 3Comparative Example 3 0.2940.294 1.1961.196 4.7654.765 비교예 4Comparative Example 4 0.3190.319 1.2981.298 5.1915.191 비교예 5Comparative Example 5 0.390 0.390 1.683 1.683 4.463 4.463 비교예 6Comparative Example 6 0.324 0.324 1.618 1.618 5.029 5.029 비교예 7Comparative Example 7 0.3410.341 1.361.36 5.5455.545 비교예 8Comparative Example 8 0.4290.429 1.7431.743 6.9716.971

실시예와 비교예를 비교했을 때, 그래핀층을 포함한 도전입자를 사용한 ACF가 85℃/85% 테스트 250시간 후, 즉 사용 초기에는 접속저항 증가율이 그래핀층을 포함하지 않은 도전입자를 사용한 ACF와 크게 차이가 나지 않으나 85℃/85% 테스트 1,000시간 후, 즉 장기 사용 후의 접속저항 증가율은 1.5 이하로 현저히 더 낮음을 알 수 있다. 이로써 본 발명에 의한 도전입자를 사용한 이방성 도전 재료의 장기 신뢰성이 높음을 알 수 있다.
Comparing the examples and the comparative examples, it was found that the ACF using the conductive particles containing the graphene layer showed an increase in the connection resistance after 250 hours of the 85 ° C / 85% test, that is, It can be seen that the connection resistance increase rate after 85 hours / 85% test 1,000 hours, that is, the connection resistance increase rate after long term use is significantly lower than 1.5. Thus, it can be seen that the long-term reliability of the anisotropic conductive material using the conductive particles according to the present invention is high.

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The features, structures, effects, and the like illustrated in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (22)

수지미립자;
상기 수지미립자의 표면에 구비되는 제1 피복층; 및
상기 제1 피복층의 표면에 구비되는 그래핀층을 포함하는 도전입자.
Resin fine particles;
A first coating layer provided on a surface of the resin fine particles; And
And a graphene layer provided on a surface of the first coating layer.
제1항에 있어서,
상기 그래핀층은 환원된 그래핀(Reduced Graphene, RG), 환원된 그래핀 옥사이드(Reduced Graphene Oxide, RGO), 그래핀(Graphene), 그래핀 옥사이드(GO, Graphene Oxide)로 코팅된 층인 도전입자.
The method according to claim 1,
The graphene layer is a layer coated with reduced graphene (RG), reduced graphene oxide (RGO), graphene, or graphene oxide (GO).
제1항에 있어서,
상기 수지미립자의 소재는 스티렌계 단량체, 아크릴계 단량체, 디비닐벤젠계 단량체 및 이들의 변형된 단량체로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 단량체의 공중합체인 도전입자.
The method according to claim 1,
Wherein the material of the resin fine particles is a copolymer of at least one monomer selected from the group consisting of a styrene monomer, an acrylic monomer, a divinylbenzene monomer, and a modified monomer thereof.
제1항에 있어서,
상기 수지미립자의 평균직경은 2.3 내지 24.5 μm인 도전입자.
The method according to claim 1,
Wherein the resin fine particles have an average diameter of 2.3 to 24.5 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 제1 피복층의 소재는 Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금인 도전입자.
The method according to claim 1,
Sn, Ag, Cu, Sn, Zn, Ti and Co, or a single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, W, P, B, and Au.
제1항에 있어서,
상기 제1 피복층의 두께는 0.03 내지 0.3μm인 도전입자.
The method according to claim 1,
And the thickness of the first coating layer is 0.03 to 0.3 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 제1 피복층과 상기 그래핀층 사이에 Au, Pt, Ag 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속으로 이루어지는 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자.
The method according to claim 1,
And a second coating layer composed of one or more metals selected from the group consisting of Au, Pt, Ag and Pd between the first coating layer and the graphene layer.
제1항에 있어서,
상기 제1 피복층은 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층이며,
상기 돌기의 높이는 50nm~500nm인 도전입자.
The method according to claim 1,
Wherein the first coating layer is a first coating layer having projections on the outer surface thereof,
And the height of the protrusions is 50 nm to 500 nm.
제8항에 있어서,
상기 돌기의 소재는 Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti 및 Co로 구성되는 군에서 선택되는 1종의 단일 금속, 또는 Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, Co, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 2종 이상의 합금인 도전입자.
9. The method of claim 8,
Wherein the material of the protrusions is at least one of a single metal selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, Cu, Sn, Zn, Ti and Co or a single metal selected from the group consisting of Ni, Sn, Ag, Cu, Pb, Zn, P, B, and Au.
제8항에 있어서,
상기 외면에 돌기를 구비한 제1 피복층과 상기 그래핀층 사이에 Au, Pt, Ag 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속으로 이루어지는 제2 피복층을 더 포함하는 도전입자.
9. The method of claim 8,
And a second coating layer composed of one or more metals selected from the group consisting of Au, Pt, Ag and Pd between the first coating layer having the projections on the outer surface and the graphene layer.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전입자의 평균직경은 2.5 내지 25㎛인 도전입자.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the conductive particles have an average diameter of 2.5 to 25 占 퐉.
중합반응을 이용하여 수지로 코어를 제조하는 수지미립자 형성단계;
산화환원반응을 이용하여 상기 수지미립자에 제1 피복층을 형성하여 도전입자를 제조하는 제1 피복층 형성단계; 및
환원제를 이용한 화학반응을 이용하여 상기 도전입자 표면을 그래핀으로 코팅하는 그래핀층 형성단계를 포함하는 도전입자 제조방법.
A resin fine particle forming step of producing a core with a resin by using a polymerization reaction;
A first coating layer forming step of forming conductive particles by forming a first coating layer on the resin fine particles using an oxidation-reduction reaction; And
And a graphene layer forming step of coating the surfaces of the conductive particles with graphene using a chemical reaction using a reducing agent.
제12항에 있어서,
상기 제1 피복층 형성단계는 금속염을 용해시킨 제1 피복액에 상기 수지미립자 형성단계에서 형성된 수지미립자를 넣어 분산시키고, 환원제를 용해시킨 제2 피복액을 추가로 투입하여 수지미립자의 표면에 제1 피복층을 형성시키는 단계인 도전입자 제조방법.
13. The method of claim 12,
In the first coating layer forming step, resin fine particles formed in the resin fine particle forming step are dispersed in a first coating solution in which a metal salt is dissolved, and a second coating solution in which a reducing agent is dissolved is further added, Thereby forming a coating layer.
제13항에 있어서,
상기 제1 피복층 형성단계는 상기 제2 피복액을 20 내지 25ml/min의 속도로 투입시키다가 투입속도를 0.2 내지 10% 증가시켜 외면에 돌기를 구비하는 제1 피복층을 형성시키는 단계인 도전입자 제조방법.
14. The method of claim 13,
The first coating layer forming step is a step of putting the second coating liquid at a rate of 20 to 25 ml / min and increasing a charging rate by 0.2 to 10% to form a first coating layer having protrusions on the outer surface, Way.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 피복층 형성단계는 상기 수지미립자 표면에 활성화 핵을 형성시키는 표면처리 단계를 더 포함하며,
상기 표면처리 단계는 상기 수지미립자 표면에 환원력이 있는 이온성 물질을 흡착시키는 반응과, 상기 이온성 물질이 흡착된 수지미립자 표면에 활성화 핵을 형성하는 산화·환원 반응을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전입자 제조방법.
15. The method according to any one of claims 12 to 14,
The first coating layer forming step further comprises a surface treatment step of forming an activation nucleus on the surface of the resin fine particles,
Wherein the surface treatment step comprises a reaction for adsorbing an ionic material having a reducing power to the surface of the resin fine particles and an oxidation and reduction reaction for forming an activation nuclei on the surface of the resin fine particles to which the ionic material is adsorbed ≪ / RTI >
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 피복층 형성단계 이후, 상기 그래핀층 형성단계 이전에 상기 제1 피복층 또는 상기 외면에 돌기가 구비된 제1 피복층 표면에 제2 피복층을 형성하는 제2 피복층 형성단계를 더 포함하는 도전입자 제조방법.
15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Forming a second coating layer on a surface of the first coating layer having protrusions on the first coating layer or on the outer surface thereof after the first coating layer forming step and before the graphene layer forming step, Way.
제12항에 있어서,
상기 그래핀층 형성단계는,
환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계; 및
상기 환원된 그래핀 옥사이드를 이용하여 도전입자에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전입자 제조방법.
13. The method of claim 12,
The graphene layer forming step may include:
Preparing reduced graphene oxide; And
And coating the conductive particles with the reduced graphene oxide.
제17항에 있어서,
상기 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계는,
흑연(graphite)을 산화시켜 그라파이트 옥사이드(graphite oxide)를 제조하는 산화단계;
상기 그라파이트 옥사이드를 세척 후 층상 분리되어 수용액에 분산된 상태로 존재하는 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO)를 제조하는 박리단계; 및
상기 그래핀 옥사이드를 환원시켜 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide, RGO)를 제조하는 환원단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전입자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The step of preparing the reduced graphene oxide comprises:
An oxidation step of oxidizing graphite to produce graphite oxide;
Removing the graphite oxide layer and separating it to form graphene oxide (GO) in a state of being dispersed in an aqueous solution; And
And a reducing step of reducing the graphene oxide to produce reduced graphene oxide (RGO).
제17항에 있어서,
상기 환원된 그래핀 옥사이드를 이용하여 도전입자에 코팅시키는 단계는 상기 환원된 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 후, 도전입자를 넣고 반응시켜 도전입자의 표면에 그래핀층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 도전입자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The step of coating the conductive particles with the reduced graphene oxide is a step of dispersing the reduced graphene oxide in a solvent and then adding and reacting the conductive particles to form a graphene layer on the surface of the conductive particles By weight.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도전입자를 이용한 이방성 도전 접속재료.Section 1 And an anisotropic conductive connection material using the conductive particles according to any one of claims 1 to 10. 절연성 수지층; 및
상기 절연성 수지층에 분산되어 있는 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항의 도전입자를 포함하는 이방성 도전 필름.
An insulating resin layer; And
10. An anisotropic conductive film comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 9 dispersed in the insulating resin layer.
제21항에 있어서,
상기 이방성 도전 필름은 85℃/85% 테스트 1,000시간 후의 접속저항 증가율이 1.5 이하인 이방성 도전 필름.
22. The method of claim 21,
Wherein the anisotropic conductive film has a connection resistance increase rate of 1.5 or less after 1,000 hours of 85 ° C / 85% test.
KR1020140118796A 2014-09-05 2014-09-05 Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same KR101713015B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140118796A KR101713015B1 (en) 2014-09-05 2014-09-05 Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140118796A KR101713015B1 (en) 2014-09-05 2014-09-05 Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160029369A true KR20160029369A (en) 2016-03-15
KR101713015B1 KR101713015B1 (en) 2017-03-07

Family

ID=55542013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140118796A KR101713015B1 (en) 2014-09-05 2014-09-05 Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101713015B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020075910A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-16 한양대학교에리카산학협력단 Composite material obtained by surface coating functional material, and method for producing same
KR20200122027A (en) * 2019-04-17 2020-10-27 한국생산기술연구원 3D graphene ball, electromagnetic wave shielding composition having the same and method for manufacturing the same
US11084956B2 (en) * 2016-05-31 2021-08-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Electrically conductive particle and manufacturing method thereof, and electrically conductive adhesive and manufacturing method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102019813B1 (en) * 2017-07-14 2019-09-10 (주)그린광학 Method for removing carbon impurities of CVD-ZnS surface
KR102380929B1 (en) * 2019-12-04 2022-04-01 골든비엔씨 (주) Multilayer Silicate and Method of Making the Same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298101B1 (en) * 2012-12-26 2013-08-20 덕산하이메탈(주) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same
KR101410992B1 (en) * 2012-12-20 2014-07-01 덕산하이메탈(주) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101410992B1 (en) * 2012-12-20 2014-07-01 덕산하이메탈(주) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same
KR101298101B1 (en) * 2012-12-26 2013-08-20 덕산하이메탈(주) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. Oh et.al., 18th international conference on composite materials (2012.07.23.) *
Wen Ling Zhang et.al., The Royal Society of Chemistry, 3, 11723 (2013.05.13.) *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11084956B2 (en) * 2016-05-31 2021-08-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Electrically conductive particle and manufacturing method thereof, and electrically conductive adhesive and manufacturing method thereof
WO2020075910A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-16 한양대학교에리카산학협력단 Composite material obtained by surface coating functional material, and method for producing same
KR20200122027A (en) * 2019-04-17 2020-10-27 한국생산기술연구원 3D graphene ball, electromagnetic wave shielding composition having the same and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101713015B1 (en) 2017-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4860163B2 (en) Method for producing conductive fine particles
JP4674096B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP4235227B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
KR101713015B1 (en) Graphene Coated Conductive particles, and conductive materials including the same
TWI502608B (en) Conducting particle, anisotropic conductive film, and connected structure, and method of connecting
JP4638341B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP4563110B2 (en) Method for producing conductive fine particles
JP4718926B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive material
JP4936678B2 (en) Conductive particles and anisotropic conductive materials
KR20130057459A (en) Silver-coated spherical resin, method for producing same, anisotropically conductive adhesive containing silver-coated spherical resin, anisotropically conductive film containing silver-coated spherical resin, and conductive spacer containing silver-coated spherical resin
KR101298101B1 (en) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same
JP4088137B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP2007324138A (en) Conductive particulate and anisotropic conductive material
JP5091416B2 (en) Conductive fine particles, method for producing conductive fine particles, and anisotropic conductive material
JP2019207889A (en) Conductive particles and use thereof
JP2014026971A (en) Conductive particle, conductive material, and connection structure
JP5529901B2 (en) Conductive particles and anisotropic conductive materials
JP2006331714A (en) Conductive fine particle and anisotropic conductive material
JP4832712B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP5010417B2 (en) Conductive particles and anisotropic conductive material using the same
JP2011150802A (en) Conductive particle, anisotropic conductive adhesive composition, and anisotropic conductive molding
JP4714719B2 (en) Method for producing conductive fine particles
KR101410992B1 (en) Conductive particles, manufacturing method of the same, and conductive materials including the same
JP5323147B2 (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive materials
JP4739999B2 (en) Method for manufacturing anisotropic conductive material and anisotropic conductive material

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)