KR20160025457A - Mask for evaluation, evaluating method, exposure apparatus and method of manufacturing an article - Google Patents

Mask for evaluation, evaluating method, exposure apparatus and method of manufacturing an article Download PDF

Info

Publication number
KR20160025457A
KR20160025457A KR1020150116433A KR20150116433A KR20160025457A KR 20160025457 A KR20160025457 A KR 20160025457A KR 1020150116433 A KR1020150116433 A KR 1020150116433A KR 20150116433 A KR20150116433 A KR 20150116433A KR 20160025457 A KR20160025457 A KR 20160025457A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
exposure apparatus
performance
substrate
evaluating
Prior art date
Application number
KR1020150116433A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101952990B1 (en
Inventor
미와코 안도
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160025457A publication Critical patent/KR20160025457A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101952990B1 publication Critical patent/KR101952990B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces

Abstract

The present invention relates to an evaluation mask used for evaluating performance of a light exposure apparatus which exposes light to a substrate. The evaluation mask of the present invention has: a first pattern and a second pattern to evaluate a first performance of the light exposure apparatus; and a dummy pattern to make the difference between a first ratio and a second ratio to be within ± 10％, wherein the first ratio refers to a ratio of an opening unit and a shielding unit per unit area in a first partial area including the first pattern and the second ratio refers to a ratio of the opening unit and the shielding unit per unit area in a second partial area including the second pattern.

Description

평가용 마스크, 평가 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법{MASK FOR EVALUATION, EVALUATING METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING AN ARTICLE}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to an evaluation mask, an evaluation method, an exposure apparatus,

본 발명은 노광 장치의 성능을 평가할 때에 사용되는 평가용 마스크, 평가 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an evaluation mask, an evaluating method, an exposure apparatus, and a method of manufacturing an article used for evaluating the performance of an exposure apparatus.

노광 장치는, 마스크 또는 레티클의 패턴을, 투영 광학계를 통하여, 레지스트 등의 감광제가 도포된 기판(반도체 웨이퍼나 유리 플레이트)에 투영(결상)하여 기판 상에 패턴을 전사한다. 최근에는, 마스크의 일부 영역을 조명하여, 투영 광학계에 대하여 마스크와 기판을 주사하여 기판을 노광하는 주사형의 노광 장치, 소위, 스텝 앤드 스캔 방식의 노광 장치가 주류가 되었다.The exposure apparatus projects (forms) a pattern of a mask or a reticle onto a substrate (semiconductor wafer or glass plate) coated with a photosensitive agent such as a resist through a projection optical system, and transfers the pattern onto the substrate. In recent years, a main scanning type exposure apparatus, that is, a so-called step-and-scan type exposure apparatus, which exposes a substrate by scanning a mask and a substrate with respect to a projection optical system by illuminating a partial area of the mask has become mainstream.

최근에는, 디바이스의 미세화에 수반하여, 노광 장치의 고성능화가 요구되고 있기 때문에, 평가용 마스크를 사용하여 노광 장치의 성능을 높은 정밀도로 평가하는 것이 필요하게 되었다. 이러한 평가용 마스크에는, 예를 들어, 노광 장치의 결상 성능을 평가하기 위한 기능, 노광 장치 상에서의 투영 광학계의 결상 성능을 평가하기 위한 기능, 주사 노광을 위한 구동계를 조정하기 위한 기능 등이 요구되고 있다. 특히, 액정 노광 장치에 사용되는 평가용 마스크는, 대형이고 고가이기 때문에, 다양한 기능을 가질 것이 요구되고 있다. 여기서, 노광 장치의 결상 성능은, 포커스, 선폭(CD: Critical Dimension), 디스토션, 오버레이(중첩) 등을 포함한다. 투영 광학계의 결상 성능은, 투영 광학계의 유효 영역 내의 포커스(상면, 비점수차, 어스티그머티즘), 디스토션 등을 포함한다. 또한, 주사 노광을 위한 구동계의 조정은, 마스크를 보유 지지하여 이동하는 마스크 스테이지나 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지의 조정, 마스크 상의 노광하지 않는 부분을 차광하는 마스킹 블레이드의 위치 조정 등을 포함한다.In recent years, it has become necessary to evaluate the performance of an exposure apparatus with high accuracy using an evaluating mask, because it is required to improve the performance of the exposure apparatus with the miniaturization of devices. Such an evaluation mask is required to have, for example, a function for evaluating the imaging performance of the exposure apparatus, a function for evaluating the imaging performance of the projection optical system on the exposure apparatus, a function for adjusting the drive system for scanning exposure, and the like have. Particularly, since the evaluation mask used in the liquid crystal exposure apparatus is large and expensive, it is required to have various functions. Here, the imaging performance of the exposure apparatus includes focus, critical dimension (CD), distortion, overlay (overlapping), and the like. The imaging performance of the projection optical system includes focus (top surface, astigmatism, astigmatism) in the effective area of the projection optical system, distortion, and the like. Adjustment of the driving system for scanning exposure includes adjustment of a moving stage holding a mask and a moving stage holding a substrate, moving a masking blade for shielding an unexposed portion on the mask, and the like do.

이러한 평가용 마스크에 있어서도, 상술한 기능의 정밀도의 향상이 요구되고 있다. 특히, 결상 성능의 고정밀화에 수반하여 투영 광학계의 유효 영역이 좁아져 있어, 유효 영역 내의 결상 성능을 종래와 동등한 분해능으로 평가하기 위해서는, 예를 들어, 디스토션을 평가하기 위한 패턴을 종래보다도 미세한 피치로 배치할 필요가 있다.Such an evaluation mask is also required to improve the above-described precision of the function. Particularly, in order to evaluate the image forming performance in the effective area with the resolution equivalent to the conventional one because the effective area of the projection optical system becomes narrow with high definition of the image forming performance, for example, a pattern for evaluating the distortion is, .

노광 장치나 투영 광학계의 결상 성능을 평가하는 때에는, 평가용 마스크를 통하여 레지스트가 도포된 기판을 노광하고, 이러한 기판을 현상하고, 평가용 마스크의 패턴에 대응하는 레지스트상을 계측 장치로 계측한다. 평가용 마스크는, 노광 장치나 투영 광학계의 결상 성능을 평가하기 위한 광투과형 패턴 이외의 영역으로부터의 광의 영향을 받지 않도록 하기 위해서, 광투과형 패턴 이외의 영역은 차광부로 되어 있다. 단, 평가용 마스크에는, 일반적으로, 복수 종류의 패턴이 배치되어 있고, 광투과형 패턴과 이러한 패턴의 주위의 차광부의 비율(이하, 「개구율」이라 칭한다)이 기판 상의 영역마다 상이하다. 여기서, 예를 들어, 광이 조사된 부분의 레지스트가 제거되는 포지티브 레지스트를 평가에 사용하는 경우를 생각한다. 이 경우, 노광된 기판 상의 포지티브 레지스트를 현상할 때, 개구율이 높은 영역은, 개구율이 낮은 영역에 비하여 현상하는 영역이 넓어, 많은 포지티브 레지스트가 현상액에 용해되기 때문에, 그 영역의 현상액의 현상력이 국소적으로 저하되어버린다. 이러한 경우, 부분적인 현상력의 저하에 의한 영향(예를 들어, CD의 변화 등)을 레지스트상이 받게 되기 때문에, 노광 장치의 성능을 정확하게 평가할 수 없다. 따라서, 기판을 현상하는 현상 장치측의 대응으로서, 현상액의 현상력의 저하를 억제하는 기술이 일본 특허 공개 제2006-319350호 공보에 제안되어 있다.In evaluating the imaging performance of the exposure apparatus or the projection optical system, the substrate coated with the resist is exposed through the evaluation mask, the substrate is developed, and the resist image corresponding to the pattern of the evaluation mask is measured by the measuring device. The evaluation mask is a light shielding portion in a region other than the light transmission type pattern so as not to be influenced by light from regions other than the light transmission type pattern for evaluating the imaging performance of the exposure apparatus or the projection optical system. However, in general, a plurality of types of patterns are arranged in the evaluation mask, and the ratio of the light-transmitting pattern to the light-shielding portion around the pattern (hereinafter referred to as " aperture ratio " Here, for example, a case is considered in which a positive resist from which a portion of a light-irradiated resist is removed is used for evaluation. In this case, when the positive resist on the exposed substrate is developed, a region having a high numerical aperture ratio is wider than a region having a low numerical aperture ratio, and many positive resists are dissolved in the developing solution. Therefore, It is locally deteriorated. In this case, since the resist image is affected by an influence (for example, a change in CD, etc.) due to a partial reduction in the developing force, the performance of the exposure apparatus can not be accurately evaluated. Therefore, as a countermeasure on the side of the developing apparatus for developing the substrate, a technique for suppressing the lowering of the developing force of the developing solution is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-319350.

그러나, 노광 장치나 투영 광학계의 결상 성능의 평가는, 노광 장치의 설치 시에 검사로서 행하여지지만, 현상 장치는 노광 장치의 설치처에 따라 상이하여, 특허문헌 1과 같은 대응을 하고 있지 않은 현상 장치를 사용해야 하는 경우가 있다.However, evaluation of the imaging performance of the exposure apparatus or the projection optical system is performed as an inspection at the time of installation of the exposure apparatus, but the developing apparatus differs depending on the installation place of the exposure apparatus, In some cases.

또한, 현상력의 저하에 의한 영향을 고려하여 평가용 마스크를 설계(제조)하는 것도 생각된다. 그러나, 현상력의 저하에 의한 영향은, 현상 장치의 조정 상태에 따라 상이하기 때문에, 노광 장치의 설치 시에 그 영향을 확인하여 평가용 마스크를 제조해야 하기 때문에, 현실적이지 않다.It is also conceivable to design (manufacture) an evaluation mask in consideration of the influence of the deterioration of the developing force. However, since the influence due to the lowering of the developing force differs depending on the adjustment state of the developing apparatus, the evaluation mask must be manufactured by confirming the influence at the time of installation of the exposure apparatus, so that it is not realistic.

본 발명은 노광 장치의 성능을 높은 정밀도로 평가하는데도 유리한 평가용 마스크를 제공한다.The present invention provides an evaluation mask advantageous for evaluating the performance of an exposure apparatus with high accuracy.

본 발명의 일측면으로서의 평가용 마스크는, 기판을 노광하는 노광 장치의 성능을 평가할 때에 사용되는 평가용 마스크로서, 상기 노광 장치의 제1 성능을 평가하기 위한 제1 패턴 및 제2 패턴과, 상기 제1 패턴을 포함하는 제1 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부와 차광부의 제1 비율과, 상기 제2 패턴을 포함하는 제2 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부와 차광부의 제2 비율의 차분을 ±10％ 이내로 하기 위한 더미 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.An evaluation mask as one aspect of the present invention is an evaluation mask used for evaluating the performance of an exposure apparatus for exposing a substrate, a first pattern and a second pattern for evaluating a first performance of the exposure apparatus, The first ratio of the opening portion and the light shielding portion per unit area in the first partial region including the first pattern and the ratio of the opening portion per unit area in the second partial region including the second pattern to the second ratio of the light shielding portion And a dummy pattern for making the difference within ± 10%.

본 발명의 추가적인 목적 또는 기타의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.Further objects or other aspects of the present invention will be apparent from the following description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 본 발명의 일측면으로서의 노광 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는, 평가용 마스크의 비교예로서의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 3은, 도 2에 도시하는 평가용 마스크의 제1 패턴에 대응하는 레지스트상의 선폭차의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는, 본 실시 형태에 있어서의 평가용 마스크의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 5a 내지 도 5c는, 도 4에 도시하는 평가용 마스크의 패턴을 포함하는 부분 영역을 도시하는 확대도이다.1 is a schematic view showing the configuration of an exposure apparatus as one aspect of the present invention.
Fig. 2 is a schematic view showing the configuration of a comparative example of the evaluation mask.
3 is a diagram showing an example of line width difference on the resist corresponding to the first pattern of the evaluation mask shown in Fig.
4 is a schematic view showing a configuration of an evaluation mask in the present embodiment.
5A to 5C are enlarged views showing a partial region including a pattern of the evaluation mask shown in Fig.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are assigned to the same members, and redundant explanations are omitted.

도 1은, 본 발명의 일측면으로서의 노광 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 노광 장치(100)는 마스크의 패턴을 기판에 전사하는, 즉, 기판을 노광하는 리소그래피 장치이다. 노광 장치(100)는 마스크 스테이지(2)와, 조명 광학계(3)와, 투영 광학계(4)와, 기판 스테이지(6)와, 제어부(7)를 갖는다.1 is a schematic view showing the configuration of an exposure apparatus 100 as one aspect of the present invention. The exposure apparatus 100 is a lithographic apparatus that transfers a pattern of a mask onto a substrate, that is, exposes a substrate. The exposure apparatus 100 has a mask stage 2, an illumination optical system 3, a projection optical system 4, a substrate stage 6, and a control unit 7.

마스크 스테이지(2)는 기판(5)에 전사해야 할 패턴을 갖는 마스크(1)와, 노광 장치(100)의 성능을 평가하기 위한 평가용 마스크(10)를 교환 가능하게 보유 지지한다. 조명 광학계(3)는 마스크 스테이지(2)에 보유 지지된 마스크(1)나 평가용 마스크(10)를 조명한다. 투영 광학계(4)는 조명 광학계(3)에 의해 조명된 마스크(1)나 평가용 마스크(10)의 패턴을 기판(5)에 투영한다. 기판 스테이지(6)는 기판(5)을 보유 지지한다. 제어부(7)는 CPU나 메모리 등을 포함하고, 노광 장치(100)의 전체(노광 장치(100)의 각 부)를 제어한다. 제어부(7)는 예를 들어, 기판(5)을 노광하는 처리, 노광 장치(100)의 성능을 평가하는 처리, 노광 장치(100)의 성능을 조정하는 처리 등을 제어한다.The mask stage 2 exchangeably holds a mask 1 having a pattern to be transferred to the substrate 5 and an evaluation mask 10 for evaluating the performance of the exposure apparatus 100. The illumination optical system 3 illuminates the mask 1 and the evaluation mask 10 held by the mask stage 2. [ The projection optical system 4 projects the pattern of the mask 1 and the evaluation mask 10 illuminated by the illumination optical system 3 onto the substrate 5. [ The substrate stage 6 holds the substrate 5. The control unit 7 includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire exposure apparatus 100 (each section of the exposure apparatus 100). The control unit 7 controls, for example, processing for exposing the substrate 5, processing for evaluating the performance of the exposure apparatus 100, processing for adjusting the performance of the exposure apparatus 100, and the like.

마스크(1)와 기판(5)은, 투영 광학계(4)를 개재하여, 광학적으로 대략 공액의 위치에 배치되어 있다. 조명 광학계(3)는 원호 형상 또는 사다리꼴 형상의 노광 영역을, 균일한 조도 분포로 마스크(1) 상에 형성한다. 마스크(1)의 패턴으로부터의 광은, 투영 광학계(4)를 통하여, 기판 스테이지(6)에 보유 지지된 기판(5) 상에 결상한다. 이때, 투영 광학계(4)의 광축에 대하여 마스크 스테이지(2) 및 기판 스테이지(6)의 양쪽을 구동시킴으로써, 조명 광학계(3)에 의해 형성된 노광 영역보다도 넓은 영역을 노광할 수 있다.The mask 1 and the substrate 5 are arranged optically at substantially conjugate positions via the projection optical system 4. [ The illumination optical system 3 forms an arcuate or trapezoidal exposure area on the mask 1 with a uniform illumination distribution. Light from the pattern of the mask 1 is imaged on the substrate 5 held on the substrate stage 6 via the projection optical system 4. [ At this time, by driving both the mask stage 2 and the substrate stage 6 with respect to the optical axis of the projection optical system 4, a region wider than the exposure region formed by the illumination optical system 3 can be exposed.

여기서, 도 2를 참조하여, 평가용 마스크(10)의 비교예로서의 구성에 대하여 설명한다. 도 2에서는, 간략화를 위해, 설명에 필요한 패턴만을 도시하고 있다. 도 2에 도시하는 평가용 마스크(10)는 노광 장치(100)의 제1 성능을 평가하기 위한 패턴(요소)(11 내지 19)과, 노광 장치(100)의 제1 성능과는 상이한 제2 성능을 평가하기 위한 패턴(20)을 포함한다. 또한, 구체적으로는, 제1 성능은, 선폭(CD: Critical Dimension) 및 포커스 중 적어도 한쪽을 포함하고, 제2 성능은, 투영 광학계(4)의 디스토션을 포함한다.Here, the configuration of the evaluation mask 10 as a comparative example will be described with reference to FIG. In Fig. 2, for the sake of simplicity, only the pattern necessary for explanation is shown. The evaluation mask 10 shown in Fig. 2 includes patterns (elements) 11 to 19 for evaluating the first performance of the exposure apparatus 100 and patterns And a pattern 20 for evaluating performance. More specifically, the first performance includes at least one of line width (CD) and focus, and the second performance includes distortion of the projection optical system 4. [

패턴(11 내지 19)은 각각, 예를 들어, 소위, 라인·앤드·스페이스 패턴으로 구성된다. 단, 도 2에서는, 간략화하여, 원 형상의 개구로 도시하고 있다. 패턴(11 내지 19)은 노광 장치(100)의 최대의 노광 영역을 커버하기 위해서, 평가용 마스크(10)의 중심 및 주변을 포함하는 전체에 배치되어 있다. 또한, 패턴(20)은 예를 들어, 십자 형상의 개구가 복수 배열된 패턴으로 구성된다. 단, 도 2에서는, 간략화하여, 직사각형의 개구로 도시하고 있다. 패턴(20)은 투영 광학계(4)의 유효 영역을 커버할 정도의 크기의 영역 내에, 패턴(14, 15 및 16)의 주위에 배치된다. 노광 장치(100)는 주사형의 노광 장치이기 때문에, 투영 광학계(4)의 유효 영역은, 노광 장치(100)의 최대의 노광 영역보다도 좁아져 있다. 패턴(11, 12 및 13)과, 패턴(14, 15 및 16)과, 패턴(17, 18 및 19)은, 길이 방향(y 방향)으로 어긋나게 배치되어 있다. 노광 장치(100)는 평가용 마스크(10)를 y 방향으로 주사하면서, 순차 노광한다. 노광 장치(100)의 성능을 평가할 때에 패턴(11 내지 19)과 패턴(20)은 조명 광학계(3)로부터의 광을 투과(통과)시키는 개구부(광투과부)로서 기능한다. 또한, 비교예에서는, 노광 장치(100)의 성능을 평가할 때에 노광 장치(100)의 성능을 평가하기 위한 패턴 이외의 영역으로부터의 광의 영향을 받지 않도록 하기 위해서, 노광 장치(100)의 성능을 평가하기 위한 패턴 이외의 영역을 차광부로 하고 있다.Each of the patterns 11 to 19 is composed of, for example, a so-called line-and-space pattern. However, in Fig. 2, the opening is shown as a circular opening in a simplified manner. The patterns 11 to 19 are disposed on the entirety including the center and periphery of the evaluation mask 10 so as to cover the maximum exposure area of the exposure apparatus 100. [ The pattern 20 is formed, for example, of a pattern in which a plurality of cross-shaped openings are arranged. However, in Fig. 2, the opening is shown as a rectangular opening. The pattern 20 is arranged around the patterns 14, 15 and 16 in an area of a size large enough to cover the effective area of the projection optical system 4. [ The effective area of the projection optical system 4 is narrower than the maximum exposure area of the exposure apparatus 100 because the exposure apparatus 100 is a scanning exposure apparatus. The patterns 11,12 and 13, the patterns 14,15 and 16 and the patterns 17,18 and 19 are arranged to be shifted in the longitudinal direction (y direction). The exposure apparatus 100 sequentially exposes the evaluation mask 10 while scanning the evaluation mask 10 in the y direction. The patterns 11 to 19 and the pattern 20 function as openings (light transmitting portions) which transmit (pass) light from the illumination optical system 3 when evaluating the performance of the exposure apparatus 100. [ In the comparative example, the performance of the exposure apparatus 100 is evaluated to evaluate the performance of the exposure apparatus 100 so as not to be influenced by light from regions other than the pattern for evaluating the performance of the exposure apparatus 100 The area other than the pattern for forming the light shielding portion is used as the light shielding portion.

도 2에 도시하는 평가용 마스크(10)는 패턴(11 내지 19) 사이에 있어서, 패턴(11 내지 19)의 각각의 주위, 즉, 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역 내에 있어서의 개구부와 차광부의 비율(개구율)이 상이하다. 예를 들어, 패턴(제1 패턴)(15)을 포함하는 부분 영역(15a)은 패턴(제3 패턴)(20)도 포함하고 있기 때문에, 개구부의 비율이 높다(즉, 개구율이 높다). 한편, 패턴(제2 패턴)(12)을 포함하는 부분 영역(12a)은 패턴(20)을 포함하고 있지 않기 때문에, 개구부의 비율이 낮다(즉, 개구율이 낮다).The evaluation mask 10 shown in Fig. 2 is formed by patterning the pattern 11 to 19 in the vicinity of each of the patterns 11 to 19, that is, in the partial region including each of the patterns 11 to 19 The ratio of the aperture portion to the light shielding portion (aperture ratio) is different. For example, since the partial region 15a including the pattern (first pattern) 15 also includes the pattern (the third pattern) 20, the ratio of the openings is high (that is, the aperture ratio is high). On the other hand, since the partial region 12a including the pattern (second pattern) 12 does not include the pattern 20, the ratio of the openings is low (that is, the aperture ratio is low).

노광 장치(100)의 성능을 평가하는 때에는, 평가용 마스크(10)를 통하여, 예를 들어, 포지티브 레지스트가 도포된 평가용의 기판을 노광하고, 이러한 기판을 현상한다. 이때, 개구율이 높은 부분 영역(15a)은 개구율이 낮은 부분 영역(12a)에 비하여, 현상하는 영역이 넓어, 많은 포지티브 레지스트가 현상액에 용해되기 때문에, 개구율이 높은 부분 영역의 현상액의 현상력이 국소적으로 저하되어버린다. 따라서, 패턴(11 내지 19)이 잔류 패턴(평가용 마스크(10)에 있어서의 차광부로 평가하는 패턴)일 경우, 패턴(15)에 대응하는 레지스트상의 선폭이 패턴(12)에 대응하는 레지스트상의 선폭보다도 굵어진다. 또한, 패턴(11 내지 19)이 제거 패턴(평가용 마스크(10)에 있어서의 개구부로 평가하는 패턴)일 경우, 패턴(15)에 대응하는 레지스트상의 선폭이 패턴(12)에 대응하는 레지스트상의 선폭보다도 가늘어진다. 또한, 네가티브 레지스트의 경우에는 노광된 부분이 현상으로 남겨지기 때문에, 네가티브 레지스트가 도포된 평가용의 기판을 노광하고, 이러한 기판을 현상하는 때에는, 개구율이 낮은 부분 영역의 현상액의 현상력이 국소적으로 저하되어버린다. 이하에서는, 포지티브 레지스트의 경우에 대하여 설명한다.In evaluating the performance of the exposure apparatus 100, for example, an evaluation substrate coated with a positive resist is exposed through the evaluation mask 10, and the substrate is developed. At this time, the partial region 15a having a high opening ratio has a wider developing region than the partial region 12a having a low opening ratio, and many positive resists are dissolved in the developing solution. Therefore, It will be degraded. Therefore, when the patterns 11 to 19 are the residual patterns (the patterns evaluated by the light-shielding portion in the evaluation mask 10), the line width of the resist on the pattern 15 corresponds to the width of the resist Becomes larger than the line width. When the pattern 11 to 19 is a removal pattern (a pattern evaluated by the opening in the evaluation mask 10), the line width of the resist on the pattern 15 corresponds to the width of the resist 12 corresponding to the pattern 12 And becomes thinner than the line width. In the case of the negative resist, since the exposed portion is left as a phenomenon, when the substrate for evaluation on which the negative resist is applied is exposed and the substrate is developed, the developing force of the developer in the partial region with a low opening ratio is local . Hereinafter, the case of the positive resist will be described.

도 3은, 패턴(12, 15 및 18) 각각에 대응하는 레지스트상의 선폭차(CD차)의 일례를 도시하는 도면이다. 여기에서는, 패턴(12, 15 및 18)을 잔류 패턴으로 하고, 패턴(12, 15 및 18)의 선폭을 2.0㎛로 하고 있다. 패턴(12, 15 및 18) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 개구율은, 패턴(12 및 18) 각각을 포함하는 부분 영역에서 낮고, 패턴(15)을 포함하는 부분 영역에서 높아져 있다. 따라서, 도 3에 도시한 바와 같이, 패턴(12 및 18) 각각에 대응하는 레지스트상의 선폭이 2.0㎛보다도 가늘고, 패턴(15)에 대응하는 레지스트상의 선폭이 2.0㎛보다도 굵어져 있다. 이와 같이, 현상액의 부분적인 현상력의 저하에 의한 영향으로 노광 장치(100)의 성능을 평가하기 위한 각 패턴에 대응하는 레지스트상의 선폭이 변화해버리면, 노광 장치(100)의 성능을 정확하게 평가할 수 없다. 이러한 경우, 그 평가 결과에 기초하여 노광 장치(100)의 성능이 조정되기 때문에, 노광 장치(100)의 성능을 정확하게 조정할 수 없다.3 is a diagram showing an example of the linewidth difference (CD difference) on the resist corresponding to the patterns 12, 15, and 18, respectively. Here, the patterns 12, 15 and 18 are the residual patterns, and the line widths of the patterns 12, 15 and 18 are 2.0 mu m. The aperture ratio in the partial area including each of the patterns 12, 15, and 18 is low in the partial area including the patterns 12 and 18 and high in the partial area including the pattern 15. 3, the resist line width corresponding to each of the patterns 12 and 18 is thinner than 2.0 탆, and the resist line width corresponding to the pattern 15 is larger than 2.0 탆. If the line width of the resist pattern corresponding to each pattern for evaluating the performance of the exposure apparatus 100 is changed by the influence of the partial development force of the developer, the performance of the exposure apparatus 100 can be accurately evaluated none. In this case, since the performance of the exposure apparatus 100 is adjusted based on the evaluation result, the performance of the exposure apparatus 100 can not be precisely adjusted.

따라서, 본 실시 형태에서는, 평가용 마스크(10)는 도 4에 도시한 바와 같이, 패턴(11 내지 19)과 패턴(20)에 추가로, 더미 패턴(21 및 22)을 포함한다. 도 4에서는, 간략화를 위해, 선폭 및 포커스 중 적어도 한쪽을 평가하기 위한 패턴(11 내지 19), 투영 광학계(4)의 디스토션을 평가하기 위한 패턴(20), 더미 패턴(21 및 22)만을 도시하고 있다. 단, 본 실시 형태에 있어서의 평가용 마스크(10)는 노광 장치(100)나 투영 광학계(4)의 다른 결상 성능이나 주사 노광을 위한 구동계를 평가(조정)하기 위한 패턴 외에, 텔레센트리시티, 플레어, 공중상 등을 평가하기 위한 패턴을 포함해도 된다.Therefore, in the present embodiment, the evaluation mask 10 includes the dummy patterns 21 and 22 in addition to the patterns 11 to 19 and the pattern 20, as shown in Fig. 4, only the patterns 11 to 19 for evaluating at least one of the line width and the focus, the pattern 20 for evaluating the distortion of the projection optical system 4, and the dummy patterns 21 and 22 . The evaluation mask 10 according to the present embodiment can be used for evaluating (adjusting) the driving system for the exposure apparatus 100 and the projection optical system 4, Flare, aerial image, and the like.

본 실시 형태에 있어서의 평가용 마스크(10)에서는, 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부와 차광부의 비율(개구율)의 차분이 ±10％ 이내가 되도록 더미 패턴(21 및 22)을 형성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구율이 동등해지도록, 패턴(11 내지 13)의 주위 및 패턴(17 내지 19)의 주위의 각각에, 더미 패턴(21 및 22)을 형성하고 있다. 바꾸어 말하면, 더미 패턴(21 및 22)은 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부의 면적을 일치시키기 위하여 형성되어 있다. 또한, 더미 패턴(21 및 22)은 평가용 마스크(10)를 통하여 기판을 노광 장치(100)로 노광하고, 이러한 기판을 현상했을 때에, 패턴(11 내지 19) 각각에 대응하는 레지스트상의 각각의 선폭을 동일하게 하기 위하여 형성되어 있다고도 할 수 있다.In the evaluation mask 10 according to the present embodiment, the difference (aperture ratio) between the opening portion and the light shielding portion per unit area in the partial region including each of the patterns 11 to 19 is within ± 10% Patterns 21 and 22 are formed. In the present embodiment, in each of the periphery of the patterns 11 to 13 and the periphery of the patterns 17 to 19 so that the opening ratios per unit area in the partial regions including the patterns 11 to 19 are equal, Patterns 21 and 22 are formed. In other words, the dummy patterns 21 and 22 are formed to match the areas of the openings per unit area in the partial regions including the patterns 11 to 19, respectively. The dummy patterns 21 and 22 are formed by exposing the substrate to the exposure apparatus 100 through the evaluation mask 10 and exposing each of the resist images corresponding to the patterns 11 to 19 And may be formed so as to have the same line width.

도 4에서는, 투영 광학계(4)의 디스토션을 평가하기 위한 패턴(20)이 형성된 영역을 파선으로 도시하고, 더미 패턴(21 및 22) 각각이 형성된 영역을 2점 쇄선으로 도시하고 있다. 더미 패턴(21 및 22)은 상술한 바와 같이, 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구율의 차분을 ±10％ 이내로 할 목적으로 형성되어 있다. 따라서, 투영 광학계(4)의 디스토션을 평가하는 때에는, 더미 패턴(21 및 22)은 사용하지 않는다. 또한, 더미 패턴(21 및 22) 각각은, 투영 광학계(4)의 디스토션을 평가하기 위한 패턴(20)과 동일한 개구 패턴으로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 더미 패턴(21 및 22)은 패턴(20)과 동일한 개구 패턴일 필요는 없고(즉, 패턴(20)과 상이한 개구 패턴이어도 됨), 패턴(11 내지 13) 및 패턴(17 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역만에 형성해도 된다.4, the area where the pattern 20 for evaluating the distortion of the projection optical system 4 is formed is indicated by a broken line, and the area where each of the dummy patterns 21 and 22 is formed is indicated by a two-dot chain line. The dummy patterns 21 and 22 are formed for the purpose of making the difference of the aperture ratio per unit area in the partial area including each of the patterns 11 to 19 within +/- 10% as described above. Therefore, when evaluating the distortion of the projection optical system 4, the dummy patterns 21 and 22 are not used. Each of the dummy patterns 21 and 22 has the same opening pattern as that of the pattern 20 for evaluating the distortion of the projection optical system 4, but the present invention is not limited thereto. For example, the dummy patterns 21 and 22 do not have to be the same opening pattern as the pattern 20 (i.e., they may be different opening patterns from the pattern 20) 19, respectively.

도 5a 내지 도 5c 각각은, 패턴(11, 15 및 19)의 각각의 근방, 구체적으로는, 패턴(11, 15 및 19) 각각을 포함하는 부분 영역(11a, 15a 및 19a)을 도시하는 확대도이다. 패턴(제1 패턴)(15)을 포함하는 부분 영역(제1 부분 영역)(15a)에 있어서의 단위 면적당의 개구율(제1 비율)과, 패턴(제2 패턴)(11)을 포함하는 제2 부분 영역(제2 부분 영역)(11a)에 있어서의 단위 면적당의 개구율(제2 비율)이 동등하게 되어 있다. 마찬가지로, 패턴(15)을 포함하는 부분 영역(15a)에 있어서의 단위 면적당의 개구율과, 패턴(제2 패턴)(19)을 포함하는 제2 부분 영역(제2 부분 영역)(19a)에 있어서의 단위 면적당의 개구율(제2 비율)이 동등하게 되어 있다.Each of Figs. 5A to 5C is an enlarged view showing partial regions 11a, 15a and 19a each including the patterns 11, 15 and 19 in the vicinity of each of the patterns 11, 15 and 19, . (First ratio) per unit area in the partial region (first partial region) 15a including the pattern (first pattern) 15 and a ratio (first ratio) (Second ratio) per unit area in the two partial regions (second partial regions) 11a are equal to each other. Similarly, in the second partial region (second partial region) 19a including the pattern (second pattern) 19 and the aperture ratio per unit area in the partial region 15a including the pattern 15 (Second ratio) of the opening area per unit area are equal to each other.

본 실시 형태에서는, 패턴(11)을 포함하는 부분 영역(11a)은 패턴(11)을 중심으로 하는 원 형상의 영역이며, 패턴(15)을 포함하는 부분 영역(15a)은 패턴(15)을 중심으로 하는 원 형상의 영역이다. 마찬가지로, 패턴(19)을 포함하는 부분 영역(19a)은 패턴(19)을 중심으로 하는 원 형상의 영역이다. 또한, 부분 영역(11a, 15a 및 19b)은 평가용 마스크(10)를 사용하여 평가하는 포커스나 노광량 등의 노광 조건을 바꾸어서 노광할 때의 영향(기판 상의 노광 영역을 바꾸는 것)을 고려하여, 직경 5mm 이상 80mm 이하의 영역으로 하고 있다.In the present embodiment, the partial region 11a including the pattern 11 is a circular region centered on the pattern 11, and the partial region 15a including the pattern 15 includes the pattern 15 Centered circular area. Likewise, the partial region 19a including the pattern 19 is a circular region centered on the pattern 19. The partial regions 11a, 15a, and 19b are formed in consideration of the influence (exposure area on the substrate is changed) when the exposure is performed by changing the exposure conditions such as focus and exposure amount to be evaluated using the evaluation mask 10, And has a diameter of 5 mm or more and 80 mm or less.

이어서, 평가용 마스크(10)를 사용하여 선폭 및 포커스를 평가할 때의 처리(평가 방법)에 대하여 설명한다. 이러한 처리는, 상술한 바와 같이, 제어부(7)가 노광 장치(100)의 각 부를 통괄적으로 제어함으로써 행하여진다.Next, the process (evaluation method) for evaluating the line width and the focus using the evaluation mask 10 will be described. This process is performed by the control unit 7, as described above, by controlling each unit of the exposure apparatus 100 in a general manner.

먼저, 노광량의 조건 제시를 행한다. 구체적으로는, 평가용 마스크(10)를 마스크 스테이지(2)에 보유 지지시켜서, 평가용 마스크(10)(패턴(11 내지 19))를 통하여, 레지스트를 도포한 기판 상의 X 방향의 위치를 어긋나게 한 개소를, 포커스와 노광량을 바꾸면서 노광한다. 그리고, 이러한 기판을 현상하고, 기판 상에 형성된 패턴(11 내지 19) 각각에 대응하는 레지스트상의 선폭을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여 베스트 포커스의 최적의 노광량을 구한다.First, conditions of exposure amount are presented. Specifically, the evaluation mask 10 is held on the mask stage 2, and the position in the X direction on the resist-coated substrate is shifted through the evaluation mask 10 (patterns 11 to 19) One portion is exposed while changing focus and exposure amount. Then, the substrate is developed, line widths of the resist images corresponding to the patterns 11 to 19 formed on the substrate are measured, and the optimum exposure amount of the best focus is obtained based on the measurement results.

이어서, 최적의 노광량으로, 평가용 마스크(10)(패턴(11 내지 19))를 통하여, 레지스트를 도포한 기판 상의 X 방향의 위치를 어긋나게 한 개소를, 포커스를 바꾸면서 노광한다. 그리고, 이러한 기판을 현상하고, 기판 상에 형성된 패턴(11 내지 19) 각각에 대응하는 레지스트상의 선폭을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여 포커스와 선폭의 관계를 구한다.Subsequently, exposure is performed while changing the focus through the evaluation mask 10 (patterns 11 to 19) at a position at which the position in the X direction on the substrate coated with the resist is shifted at the optimum exposure amount. The substrate is developed, the line width of the resist image corresponding to each of the patterns 11 to 19 formed on the substrate is measured, and the relationship between the focus and the line width is obtained based on the measurement result.

이어서, 포커스와 선폭의 관계에 기초하여, 선폭 및 포커스를 평가한다. 구체적으로는, 패턴(11 내지 19)의 모두에서 허용되는 선폭의 범위를 만족하는 공통의 포커스 범위를 구하고, 노광 장치(100)의 초점 심도(DOF: Depth of Focus)로 한다. 또한, 패턴(11 내지 19)의 모든 평균 베스트 포커스에서의 선폭의 편차를 선폭 균일성이라고 한다.Then, the line width and the focus are evaluated based on the relationship between the focus and the line width. Specifically, a common focus range that satisfies the range of the line width allowed in all of the patterns 11 to 19 is obtained, and the depth of focus (DOF) of the exposure apparatus 100 is determined. In addition, the deviation of the linewidths in all the average best focus of the patterns 11 to 19 is referred to as line width uniformity.

본 실시 형태에 따르면, 도 4에 도시하는 평가용 마스크(10)를 사용함으로써 패턴(11 내지 19) 각각을 포함하는 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구율의 차분에 의한 현상의 영향을 받지 않아, 노광 장치(100)의 성능을 높은 정밀도로 평가할 수 있다.According to the present embodiment, by using the evaluation mask 10 shown in Fig. 4, it is not affected by the development due to the difference in aperture ratio per unit area in the partial region including each of the patterns 11 to 19, The performance of the apparatus 100 can be evaluated with high accuracy.

또한, 본 실시 형태에서는, 도 4에 도시하는 평가용 마스크(10)를 사용하여 평가된 노광 장치(100)의 성능에 기초하여, 노광 장치(100)의 성능을 조정한다. 또한, 노광 장치(100)의 성능 조정은, 예를 들어, 선폭을 조정하기 위하여 조명 광학계(3)의 조도 불균일을 조정하는 것이나 포커스를 조정하기 위하여 투영 광학계(4)의 광학 소자를 조정하는 것 등을 포함한다. 이에 의해, 상술한 현상의 영향을 받지 않고, 노광 장치(100)의 성능을 조정하는 것이 가능하게 되어, 우수한 성능을 갖는 노광 장치(100)를 제공할 수 있다. 따라서, 노광 장치(100)는 높은 스루풋으로 경제성 양호하게 고품위의 디바이스(액정 표시 디바이스, 반도체 디바이스 등)를 제공할 수 있다.In the present embodiment, the performance of the exposure apparatus 100 is adjusted based on the performance of the exposure apparatus 100 evaluated using the evaluation mask 10 shown in Fig. The adjustment of the performance of the exposure apparatus 100 may be performed by, for example, adjusting the illuminance unevenness of the illumination optical system 3 to adjust the line width or adjusting the optical element of the projection optical system 4 to adjust the focus And the like. This makes it possible to adjust the performance of the exposure apparatus 100 without being affected by the above-described phenomenon, and it is possible to provide the exposure apparatus 100 having excellent performance. Therefore, the exposure apparatus 100 can provide a high-quality device (a liquid crystal display device, a semiconductor device, or the like) with good throughput with high throughput.

본 발명의 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 예를 들어, 액정 표시 디바이스 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 이러한 제조 방법은, 노광 장치(100)를 사용하여, 감광제가 도포된 기판을 노광하는 공정과, 노광한 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 상기 형성 공정에 이어서, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 종래에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.The method for producing an article in the embodiment of the present invention is suitable for producing an article such as a liquid crystal display device, for example. This manufacturing method includes a step of exposing a substrate coated with a photosensitive agent using the exposure apparatus 100, and a step of developing the exposed substrate. In addition, following this forming step, such a manufacturing method may include other known processes (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The method of manufacturing an article in the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article, compared with the conventional method.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and variations are possible within the scope of the present invention.

본 발명이 예시적인 실시 형태에 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않는 것이 이해되어야 한다. 계속되는 청구범위에는, 구성 및 기능의 모든 변형예 및 균등물이 포함되도록, 가장 넓은 해석이 부여되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

Claims (13)

기판을 노광하는 노광 장치의 성능을 평가할 때에 사용되는 평가용 마스크로서,
상기 노광 장치의 제1 성능을 평가하기 위한 제1 패턴 및 제2 패턴과,
상기 제1 패턴을 포함하는 제1 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부와 차광부의 제1 비율과, 상기 제2 패턴을 포함하는 제2 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부와 차광부의 제2 비율의 차분을 ±10％ 이내로 하기 위한 더미 패턴
을 갖는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.As an evaluation mask used for evaluating the performance of an exposure apparatus for exposing a substrate,
A first pattern and a second pattern for evaluating a first performance of the exposure apparatus,
A first ratio of the opening portion and the light shielding portion per unit area in the first partial region including the first pattern and a second ratio of the opening portion per unit area in the second partial region including the second pattern to the second ratio of the light shielding portion A dummy pattern for making the difference of +/- 10%
And an evaluation mask. 제1항에 있어서,
상기 더미 패턴은 상기 제1 비율과 상기 제2 비율을 동등하게 하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the dummy pattern is formed so as to equalize the first ratio and the second ratio. 제1항에 있어서,
상기 제1 부분 영역은, 상기 제1 패턴을 중심으로 하는 원 형상의 영역이며,
상기 제2 부분 영역은, 상기 제2 패턴을 중심으로 하는 원 형상의 영역인 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the first partial area is a circular area centered on the first pattern,
Wherein the second partial region is a circular region centered on the second pattern. 제3항에 있어서,
상기 제1 부분 영역 및 상기 제2 부분 영역은, 직경 5mm 이상 80mm 이하의 영역인 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.The method of claim 3,
Wherein the first partial region and the second partial region are regions having a diameter of 5 mm or more and 80 mm or less. 제1항에 있어서,
상기 노광 장치의 상기 제1 성능과는 상이한 제2 성능을 평가하기 위한 제3 패턴을 갖고,
상기 제3 패턴이, 상기 제1 부분 영역 내에 있어서 상기 제1 패턴의 주위에 배치되고,
상기 더미 패턴이, 상기 제2 부분 영역 내에 있어서 상기 제2 패턴의 주위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.The method according to claim 1,
And a third pattern for evaluating a second performance different from the first performance of the exposure apparatus,
The third pattern is disposed around the first pattern in the first partial region,
Wherein the dummy pattern is disposed around the second pattern in the second partial region. 제5항에 있어서,
상기 제1 패턴, 상기 제2 패턴, 상기 제3 패턴 및 상기 더미 패턴은, 개구 패턴인 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.6. The method of claim 5,
Wherein the first pattern, the second pattern, the third pattern, and the dummy pattern are aperture patterns. 제6항에 있어서,
상기 더미 패턴은, 상기 제3 패턴과 동일한 개구 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.The method according to claim 6,
Wherein the dummy pattern is formed in the same opening pattern as the third pattern. 제5항에 있어서,
상기 제1 성능은, 선폭 및 포커스 중 하나 이상을 포함하고,
상기 제2 성능은, 디스토션(distortion)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.6. The method of claim 5,
Wherein the first performance comprises at least one of line width and focus,
Wherein said second performance comprises distortion. ≪ Desc / Clms Page number 13 > 기판을 노광하는 노광 장치의 성능을 평가할 때에 사용되는 평가용 마스크로서,
상기 노광 장치의 제1 성능을 평가하기 위한 제1 패턴 및 제2 패턴과,
상기 평가용 마스크를 통하여 레지스트가 도포된 기판을 상기 노광 장치로 노광하고, 상기 기판을 현상했을 때에, 상기 기판 상의 상기 제1 패턴에 대응하는 레지스트상의 선폭과, 상기 제2 패턴에 대응하는 레지스트상의 선폭을 동일하게 하기 위한 더미 패턴
을 갖는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.As an evaluation mask used for evaluating the performance of an exposure apparatus for exposing a substrate,
A first pattern and a second pattern for evaluating a first performance of the exposure apparatus,
A step of exposing a substrate coated with a resist through the evaluation mask with the exposure apparatus and exposing the substrate to a resist pattern having a line width corresponding to the first pattern on the substrate and a resist pattern corresponding to the second pattern A dummy pattern for equalizing the line width
And an evaluation mask. 기판을 노광하는 노광 장치의 성능을 평가할 때에 사용되는 평가용 마스크로서,
상기 노광 장치의 제1 성능을 평가하기 위한 제1 패턴 및 제2 패턴과,
상기 제1 패턴을 포함하는 제1 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부의 면적과, 상기 제2 패턴을 포함하는 제2 부분 영역에서의 단위 면적당의 개구부의 면적을 일치시키기 위한 더미 패턴
을 갖는 것을 특징으로 하는 평가용 마스크.As an evaluation mask used for evaluating the performance of an exposure apparatus for exposing a substrate,
A first pattern and a second pattern for evaluating a first performance of the exposure apparatus,
A dummy pattern for matching the area of the opening per unit area in the first partial area including the first pattern and the area of the opening per unit area in the second partial area including the second pattern,
And an evaluation mask. 기판을 노광하는 노광 장치의 성능을 평가하는 평가 방법으로서,
상기 노광 장치를 사용하여, 평가용 마스크를 통하여, 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 공정과,
노광된 상기 기판을 현상하는 공정과,
현상된 상기 기판 상의 레지스트상에 기초하여, 상기 노광 장치의 성능을 평가하는 공정을 갖고,
상기 평가용 마스크는, 제1항에 따른 평가용 마스크인 것을 특징으로 하는 평가 방법.An evaluation method for evaluating the performance of an exposure apparatus for exposing a substrate,
A step of exposing a substrate coated with a resist through an evaluation mask using the above exposure apparatus,
A step of developing the exposed substrate,
And evaluating the performance of the exposure apparatus based on the developed resist image on the substrate,
The evaluation method according to claim 1, wherein the evaluation mask is the evaluation mask according to claim 1. 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 기판에 전사해야 할 패턴을 갖는 마스크와, 상기 노광 장치의 성능을 평가하기 위한 평가용 마스크를 교환 가능하게 보유 지지하는 마스크 스테이지와,
상기 평가용 마스크를 사용하여 평가된 상기 노광 장치의 성능에 기초하여 상기 노광 장치의 성능 조정을 제어하는 제어부를 갖고,
상기 평가용 마스크는, 제1항에 따른 평가용 마스크인 것을 특징으로 하는 노광 장치.An exposure apparatus for exposing a substrate,
A mask stage for exchangeably holding a mask having a pattern to be transferred onto the substrate and an evaluation mask for evaluating the performance of the exposure apparatus,
And a control unit for controlling performance adjustment of the exposure apparatus based on the performance of the exposure apparatus evaluated using the evaluation mask,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the evaluation mask is the evaluation mask according to claim 1. 제12항에 따른 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
노광한 상기 기판을 현상하는 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 12;
A step of developing the exposed substrate
≪ / RTI >
KR1020150116433A 2014-08-27 2015-08-19 Mask for evaluation, evaluating method, exposure apparatus and method of manufacturing an article KR101952990B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-173007 2014-08-27
JP2014173007A JP6415186B2 (en) 2014-08-27 2014-08-27 Evaluation mask, evaluation method, exposure apparatus, and article manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160025457A true KR20160025457A (en) 2016-03-08
KR101952990B1 KR101952990B1 (en) 2019-02-27

Family

ID=55421123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150116433A KR101952990B1 (en) 2014-08-27 2015-08-19 Mask for evaluation, evaluating method, exposure apparatus and method of manufacturing an article

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6415186B2 (en)
KR (1) KR101952990B1 (en)
CN (1) CN105388699B (en)
TW (1) TWI597562B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117406546A (en) * 2023-12-14 2024-01-16 合肥晶合集成电路股份有限公司 Mask plate and pattern correction method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007591A (en) * 2001-06-21 2003-01-10 Nikon Corp Method for evaluating aberration of charged particle beam optical system, method for adjusting charged particle beam device, charged particle beam exposing method, method for evaluating astigmatism and evaluation pattern
JP2003142367A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Sony Corp Evaluation mask and method for evaluating mask
KR100781099B1 (en) * 2000-04-25 2007-11-30 가부시키가이샤 니콘 Method of estimating lithography system, method of adjusting substrate processing apparatus, lithography system, and exposure apparatus
JP2012047937A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Nsk Technology Co Ltd Exposure evaluation mask and exposure evaluation method
JP2012078552A (en) * 2010-10-01 2012-04-19 Toppan Printing Co Ltd Photomask producing method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003318083A (en) * 2002-04-22 2003-11-07 Nikon Corp Optical characteristic measuring method, adjusting method of optical system, exposing method and device, and device manufacturing method
JP4051240B2 (en) * 2002-07-31 2008-02-20 富士通株式会社 Test photomask, flare evaluation method, and flare correction method
JP4005870B2 (en) * 2002-08-02 2007-11-14 株式会社東芝 Mask, mask creation method, and semiconductor device manufacturing method
JP5164409B2 (en) * 2006-09-28 2013-03-21 富士フイルム株式会社 PHOTOCURABLE COMPOSITION, COLOR FILTER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
DE102008019341B4 (en) * 2008-04-15 2020-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for the analysis of masks for photolithography
JP5497693B2 (en) * 2011-06-10 2014-05-21 Ｈｏｙａ株式会社 Photomask substrate, photomask substrate manufacturing method, photomask manufacturing method, and pattern transfer method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781099B1 (en) * 2000-04-25 2007-11-30 가부시키가이샤 니콘 Method of estimating lithography system, method of adjusting substrate processing apparatus, lithography system, and exposure apparatus
JP2003007591A (en) * 2001-06-21 2003-01-10 Nikon Corp Method for evaluating aberration of charged particle beam optical system, method for adjusting charged particle beam device, charged particle beam exposing method, method for evaluating astigmatism and evaluation pattern
JP2003142367A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Sony Corp Evaluation mask and method for evaluating mask
JP2012047937A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Nsk Technology Co Ltd Exposure evaluation mask and exposure evaluation method
JP2012078552A (en) * 2010-10-01 2012-04-19 Toppan Printing Co Ltd Photomask producing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117406546A (en) * 2023-12-14 2024-01-16 合肥晶合集成电路股份有限公司 Mask plate and pattern correction method thereof
CN117406546B (en) * 2023-12-14 2024-04-12 合肥晶合集成电路股份有限公司 Mask plate and pattern correction method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN105388699B (en) 2019-11-01
JP6415186B2 (en) 2018-10-31
KR101952990B1 (en) 2019-02-27
CN105388699A (en) 2016-03-09
TW201608330A (en) 2016-03-01
JP2016048299A (en) 2016-04-07
TWI597562B (en) 2017-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100483515B1 (en) Method and apparatus for detecting aberrations in an optical system
KR20060109310A (en) Systems and methods for detecting focus variation in photolithograph process using test features printed from photomask test pattern images
US10573531B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR102130481B1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article
KR101952990B1 (en) Mask for evaluation, evaluating method, exposure apparatus and method of manufacturing an article
KR102566155B1 (en) Patterning method, lithography apparatus, and article manufacturing method
JP2004071978A (en) Method for managing exposure device, method for managing mask, method for exposure, and method for manufacturing semiconductor device
JPH10275769A (en) Exposure method
US6768537B2 (en) Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP3984866B2 (en) Exposure method
JP6813777B2 (en) Manufacturing method of photomask and electronic device
JP7353846B2 (en) Lithographic apparatus, determination method, and article manufacturing method
JP2004205833A (en) Photomask and method of forming pattern
JP2008108851A (en) Illuminating means, exposure apparatus having the illuminating means, and manufacturing method of device
JP2008218577A (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
JP2001223155A (en) Photolithography method
JPH10281934A (en) Method for measuring imaging characteristic of projection optical system, and projection aligner using this method
CN114063393A (en) Adjustment method, exposure apparatus, and article manufacturing method
JP2024049249A (en) Original plate, information processing device, lithography device, and method for manufacturing article
KR20090029436A (en) Method for fabricating phase shift mask in semicondutor device
JPWO2009001834A1 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposure method, and exposure apparatus manufacturing method
CN113050367A (en) Optical proximity effect correction method and system, mask and preparation method thereof
JP2012022036A (en) Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device
JPH1152582A (en) Method for detecting optical system aberration in projection aligner and levenson type phase shift mask for detecting optical system aberration
JP2008235457A (en) Exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant