JP2024049249A - Original plate, information processing device, lithography device, and method for manufacturing article - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板に投影されるパターンの精度の向上に有利な原版を提供する。【解決手段】 複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いる原版であって、複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う遮光領域と、を有し、前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有する。【選択図】 図3[Problem] To provide a master that is advantageous in improving the accuracy of a pattern projected onto a substrate. [Solution] A master used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of separate steps has a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to a plurality of chip areas, and a light-shielding area adjacent to the pattern areas in a second direction different from a first direction in which the plurality of pattern areas are arranged, and the light-shielding area has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern areas. [Selected Figure] Figure 3
Description
本発明は、原版、情報処理装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an original plate, an information processing device, a lithography device, and a method for manufacturing an article.
半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造工程において、基板とパターンが形成された原版とを連動させて露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が用いられる。また、露光処理において基板に投影されるパターンが歪むことがあり、露光装置はパターンの歪みを考慮し補正をしつつ露光処理を行う必要がある。特許文献1には第1基板におけるパターンの歪みの計測結果に基づいて、第2基板に投影するパターンの補正を行う方法が開示されている。
In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal display devices, and the like, a step-and-scan exposure apparatus is used, which performs exposure by linking a substrate and an original plate on which a pattern is formed. In addition, the pattern projected onto the substrate may be distorted during the exposure process, and the exposure apparatus must take the distortion of the pattern into account and make corrections while performing the exposure process.
ここで、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置による露光ではスキャン方向に配置されたチップ領域間の間隔が小さくスキャン速度が速い場合に、スキャン方向におけるパターンの歪みを補正するための基板ステージの駆動が間に合わないことがある。これにより、パターンの歪みを補正する精度が低下し、基板に投影されるパターンの精度が低下することがある。 Here, when using a step-and-scan exposure apparatus for exposure, if the spacing between chip areas arranged in the scan direction is small and the scan speed is fast, the substrate stage may not be able to keep up with the drive to correct the pattern distortion in the scan direction. This can reduce the accuracy of correcting the pattern distortion, and the accuracy of the pattern projected onto the substrate.
そこで、本発明は、基板に投影されるパターンの精度の向上に有利な原版を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention aims to provide a master plate that is advantageous in improving the accuracy of the pattern projected onto the substrate.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての原版は、複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いる原版であって、複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う遮光領域と、を有し、前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an original plate according to one aspect of the present invention is an original plate used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of separate exposures, and is characterized in that it has a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to a plurality of chip areas, and a light-shielding area adjacent to the pattern areas in a second direction different from a first direction in which the plurality of pattern areas are arranged, and that the light-shielding area has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern areas.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the embodiments described below with reference to the drawings.
本発明によれば、基板に投影されるパターンの精度の向上に有利な原版を提供することができる。 The present invention provides a master that is advantageous in improving the accuracy of the pattern projected onto the substrate.
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Below, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the following embodiment does not limit the invention according to the claims. Although the embodiment describes multiple features, not all of these multiple features are necessarily essential to the invention, and multiple features may be combined in any manner. Furthermore, in the drawings, the same reference numbers are used for the same or similar configurations, and duplicate explanations will be omitted.
また、本明細書および図面では、基本的に、鉛直方向をZ軸とし、鉛直方向に対し垂直な水平面をXY平面とし、各軸が相互に直交するXYZ座標系によって方向が示されている。ただし、各図面にXYZ座標系を記載している場合はその座標系を優先する。 In addition, in this specification and drawings, directions are basically shown using an XYZ coordinate system in which the vertical direction is the Z axis, the horizontal plane perpendicular to the vertical direction is the XY plane, and each axis is orthogonal to each other. However, if an XYZ coordinate system is shown in each drawing, that coordinate system takes precedence.
以下、各実施形態において、具体的な構成を説明する。 The specific configuration of each embodiment is described below.
<第1実施形態>
図1は、本実施形態における基板処理装置100の構成を示す概略図である。基板処理装置100は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式により原版(マスク、レチクル)のパターンを、投影光学系を介して基板に露光する投影露光装置である。
First Embodiment
1 is a schematic diagram showing the configuration of a
基板処理装置100は、光を照射する照明光学系3と、投影光学系5と、原版1を保持する原版ステージ4と、基板2を保持する基板チャック6と、基板チャック6が載置されXY方向に駆動可能なステージ7と、を有する。また、基板処理装置100は装置内の各部分を制御する制御部8を有する。原版1は、例えば石英ガラスの表面に転写されるべきパターン(例えば回路パターン)がクロムで形成されている原版である。また、基板2は、例えば単結晶シリコンであり、基板処理装置100が露光装置である場合において基板処理装置100に搬送される基板2は、表面上に感光材料(レジスト)が塗布されている。
The
基板処理装置100において、光源(不図示)からの露光光は、照明光学系3を介して、原版ステージ4に保持された原版1を照明する。原版1を透過した光は、投影光学系5を介して、基板2に照射される。この時、原版1に形成されたパターンからの光が基板2表面に結像される。基板処理装置100はこのように基板2上のショット領域を露光する。
In the
図2は、基板2上の複数のショット領域のうちの1つのショット領域内におけるチップ領域のレイアウトの模式図である。図2(a)はスキャン方向(Y方向)におけるチップ領域20間の間隔が小さい場合のチップ領域20のレイアウトの例である。なお、図2(a)は複数のチップ領域20のうち、1つのチップ領域20のみ符号を示しているが、他の矩形の領域もチップ領域20である。図2(a)の例ではX方向に4つのチップ領域20が並んでいる列があり、その列がY方向に4列ある、合計16個のチップ領域20が配置されている例である。
Figure 2 is a schematic diagram of the layout of chip areas in one of the multiple shot areas on the
ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置はスキャン方向の歪み補正又は倍率補正(以下、歪み(倍率)補正と記載)を行いながらスキャンをすることで露光処理を行う。この補正は、例えば、ステージ7が駆動することで行われる。図2(a)の例であれば最も-Y方向側の位置Aから位置B、位置C、位置Dというようにスキャンを行う。ここで、位置Aから位置Bに駆動する間、つまり1つのチップ領域20に対してY方向にスキャンしている間は、チップ領域20内のスキャン位置に応じて歪み(倍率)補正を行う。そして、位置Bに到達すると、位置Bから位置Cの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを行う際に、位置Aから位置Bに駆動する時と同様の歪み(倍率)補正を行う。同様に位置Cと位置Dの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを行う際に、位置Aから位置B(位置Bから位置C)に駆動する時と同様の歪み(倍率)補正を行う。
The step-and-scan exposure apparatus performs exposure processing by scanning while performing distortion correction or magnification correction in the scanning direction (hereinafter, referred to as distortion (magnification) correction). This correction is performed, for example, by driving the
ここで、位置Aと位置Bの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正と、位置Bと位置Cの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正とは同じであることが好ましい。同様に、位置Aと位置Bの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正と、位置Cと位置Dの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正とは同じであることが好ましい。しかし、位置Aと位置B(位置Bと位置C)の間に配置されたチップ領域20と位置Bと位置C(位置Cと位置D)の間に配置されたチップ領域20との間隔が小さい場合、歪み(倍率)補正を同じにすることができない場合がある。これは、位置Aと位置B(位置Bと位置C)の間に配置されたチップ領域20のスキャン(露光)を終え、位置Bと位置C(位置Cと位置D)の間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始するときにステージ7の駆動が間に合わないためである。このように歪み(倍率)補正が適切に行われないと、チップ領域20における重ね合わせ精度が低下する。
Here, it is preferable that the distortion (magnification) correction when scanning is started for the
図2(b)はスキャン方向(Y方向)におけるチップ領域20間の間隔が大きい場合のチップ領域20のレイアウトの例である。図2(b)の場合、位置Aと位置B(位置Bと位置C)の間に配置されたチップ領域20と位置Bと位置C(位置Cと位置D)との間に配置されたチップ領域20との間隔が大きいため、図2(a)よりチップ領域20間においてステージ7が駆動できる時間が長い。よって、位置Aと位置Bの間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正と、位置Bと位置C(位置Cと位置D)の間に配置されたチップ領域20に対してスキャンを開始する時の歪み(倍率)補正とを同じにすることができる。これにより、スキャン位置に応じて各チップ領域20において歪み(倍率)補正が適切に行われ、チップ領域20における重ね合わせ精度が向上する。しかしながら、図2(b)のチップ領域20のレイアウトは重ね合わせ精度は向上するが単位面積当たりのチップ領域20の個数が少なく、生産性が低くなる。
2(b) is an example of the layout of the
図3は本実施形態における原版1の模式図である。本実施形態における原版1は、図2(a)の位置Aと位置Bの間及び位置Cと位置Dの間のチップ領域20と対応する位置に、パターン領域11が配列されている。なお、図3は複数のパターン領域11のうち、1つのパターン領域11のみ符号を示しているが、他の同一形状の矩形の領域もパターン領域11である。図3の例ではX方向に4つのパターン領域11が並んでいる列があり、その列がY方向に2列ある、合計8個のパターン領域11が配置されている例である。このパターン領域11には基板2上のチップ領域20に対応する位置に形成すべきパターンが設けられている。
Figure 3 is a schematic diagram of the original 1 in this embodiment. In the original 1 in this embodiment,
また、本実施形態における原版1は、図2(a)の位置Bと位置Cの間及び位置Dより+Y方向側のチップ領域20と対応する位置に遮光領域12が設けられている。この遮光領域12は、例えばクロムの膜や、光を透過させず拡散させる材料により形成される。この遮光領域12は、複数のパターン領域11の配列方向のうちの1つである第1方向(X軸方向)に伸びるよう設けられる。そして、遮光領域12は、第1方向と非平行な(異なる)第2方向(Y軸方向)において複数のパターン領域のうちの1以上のパターン領域11と隣り合うように設けられる。また、遮光領域12の第2方向における長さは、チップ領域20の第2方向における長さ以上の長さを有するよう設けられる。なお、本実施形態における第2方向はスキャン方向である。このようにX方向に配列されたチップ領域20の列を覆うように遮光領域12を設けることで、複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光(2回以上の露光処理)が可能となる。
In addition, the
図4は本実施形態における原版1を用いたパターン形成方法を示す模式図であり、基板2上の複数のショット領域のうちの1つのショット領域内におけるパターン形成について示している。本実施形態では、原版1を用いて図4(a)のように、まず位置Aと位置Bの間及び位置Cと位置Dの間にあるチップ領域20を露光する。このとき、露光光は遮光領域12により遮られるため、位置Bと位置Cの間及び位置Dより+Y方向側の位置には露光光が到達しない。このスキャン(露光)を第1露光工程とする。
Figure 4 is a schematic diagram showing a pattern formation method using original 1 in this embodiment, showing pattern formation in one of multiple shot areas on
次に、原版1を+Y方向側に移動させ、-Y方向側の遮光領域12が位置Cと位置Dの間の位置に対応するよう原版1を配置する。そして、図4(b)のように、原版1のパターン領域11の位置とまだパターンが形成されていない位置Bと位置Cの間及び位置Dより+Y方向側にあるチップ領域20を露光する。このとき、露光光は遮光領域12により遮られるため、すでに露光が行われた位置Aと位置Bの間及び位置Cと位置Dの間のチップ領域20には露光光が到達しない。このスキャン(露光)を第2露光工程とする。
Next, the original 1 is moved in the +Y direction and positioned so that the light-shielding
このように、本実施形態の原版1は遮光領域12が設けられているため、第1露光工程と第2露光工程により分割してショット領域内を露光する分割露光を可能とする。そしてこの分割露光によりショット領域内全面のチップ領域を露光することができる。
In this way, the
また、本実施形態では遮光領域12を設ける例を説明したが、感光性材料がポジ型の特性をもつ場合、遮光領域12の代わりに透過領域を設けてもよい。この透過領域はパターン領域11をもたず露光光を透過させる領域である。感光性材料がポジ型の特性をもつ場合、感光性材料のうちの露光された部分が現像工程において溶解し、露光されなかった部分がパターンとして残る。このようなポジ型の感光性材料を用いる場合、透過領域を設けることでスキャン露光において実質的に分割露光を行うことができる。また、スキャン露光において透過領域をスキャンしている間にステージ7が歪み(倍率)補正を適切に実施できる位置へ駆動することができる。
In addition, in this embodiment, an example in which a light-shielding
例えば、第1露光工程においてパターン領域11に対応する位置に配置されたチップ領域20は、第2露光工程において透過領域を透過した露光光を照射される。この第1露光工程における露光量と第2露光工程における露光量を調整することで、総露光量を所望の露光量とする。
For example, the
本実施形態の原版1を露光に用いることにより、スキャン方向(Y方向)におけるチップ領域20間の間隔が小さい場合であっても、遮光領域12をスキャンしている間にステージ7が歪み(倍率)補正を適切に実施できる位置へ駆動することができる。よって、本実施形態によれば歪み(倍率)補正を適切に実施することができ、パターンの重ね合わせ精度を向上させることができる。
By using the
<第2実施形態>
本実施形態の基板処理装置200は、第1実施形態の特徴に加えて、露光に用いる原版を判定することを特徴とする。図5は本実施形態における基板処理装置200の構成を示す概略図である。基板処理装置200は露光処理におけるスキャン速度(露光処理を行う速度)と、露光光が通過するスリット幅と、単位時間当たりの製造数と、ショット領域内のレイアウトとから露光に用いる原版を判定する判定部(情報処理装置)80を有する。より具体的には、露光処理条件とチップ領域20の配置とに基づいて、遮光領域12を有する原版1を用いるか否かを判定し、その判定結果に基づきさらに単位時間当たりの製造数(生産性)を考慮して露光に用いる原版を判定する。ここで、露光処理条件は露光処理を行う速度と、露光処理における露光光が通過するスリット幅との一方又は両方を含むことが好ましい。
Second Embodiment
The
なお、判定部80は基板処理装置200内の各部分を制御する制御部としての機能を併せもってもよい。判定部80は遮光領域12が設けられていない(遮光領域12を有さない)通常の原版を用いるか、遮光領域12が設けられている(遮光領域12を有する)第1実施形態に記載の原版1を用いるか、を判定する。そして、判定部80は、判定部80が判定した情報を送信する送信部90を有する。
The
図6は本実施形態における判定部80の判定の例について示している。なお、レイアウトBは、レイアウトAよりもスキャン方向(Y方向)におけるチップ領域20間の間隔が小さいレイアウトである。判定部80は図6に示すスキャン速度、スリット幅、製造数の条件と、ショット領域内のスキャン方向におけるチップ領域20間の間隔に起因する補正残差の大きさとに基づいて、露光に用いる原版を判定する。つまり、通常の原版を用いるか、遮光領域12が設けられている第1実施形態に記載の原版1を用いるか、を判定する。
Figure 6 shows an example of the judgment made by the
スキャン方向の歪み(倍率)の補正はスキャン位置に応じて行われ、補正の精度はスキャン速度やスリット幅に影響され、スキャン速度が速いほど補正が適切に行われず、補正をしても除けない歪み量を示す補正残差が大きくなる。また、スリット幅が大きいほど補正が適切に行われず、補正残差が大きくなる。そして、露光するチップ領域20のスキャン方向における間隔が狭いほど、補正残差が大きくなる。判定部80はスキャン速度とスリット幅の条件とチップ領域20の配置から、生じる補正残差を求め(推測し)、求めた補正残差と閾値を比較して露光に用いる原版の種類を選択する。ここで、判定部80は単位時間当たりの製造数も考慮し原版を選択する。遮光領域12が設けられている原版1を用いる場合、原版1の位置を移動させ2回露光を行うことによりショット領域内のすべてのチップ領域20に対して露光を完了させる。つまり、遮光領域12が設けられている原版1を用いることで第1露光工程と第2露光工程の2回の露光工程を行う必要があり、スキャン方向の歪み(倍率)の補正を適切に行うことができるが露光処理にかかる時間が2倍となる。よって、単位時間当たりの製造数が通常の原版と比較して半分となる。判定部80は、遮光領域12が設けられている原版1を用いた場合でもユーザーが予め設定した単位時間当たりの製造数を達成できるか(満たすか)否かを判定し、達成できる場合は遮光領域12が設けられている原版1を用いる。達成できない場合は、単位時間当たりの製造数を優先し通常の原版を用いる。なお、ユーザーが予め設定した単位時間当たりの製造数は、スキャン速度の条件とスリット幅の条件との組み合わせごとに設定される。
The correction of the distortion (magnification) in the scanning direction is performed according to the scanning position, and the accuracy of the correction is affected by the scanning speed and the slit width. The faster the scanning speed, the less the correction is performed properly, and the larger the correction residual, which indicates the amount of distortion that cannot be removed even by correction. Also, the larger the slit width, the less the correction is performed properly, and the larger the correction residual. And, the narrower the interval in the scanning direction of the
例えば、補正残差の閾値を1.0(nm)と設定しているとすると、図6の例ではスキャン速度300(mm/s)のとき、レイアウトAとレイアウトBのいずれの場合でも補正残差が閾値未満である。よって、補正残差が閾値未満であり、通常の原版を用いたほうが単位時間当たりの製造数が多いため、判定部80は通常の原版を用いる、と決定する。
For example, if the threshold value for the correction residual is set to 1.0 (nm), in the example of FIG. 6, when the scan speed is 300 (mm/s), the correction residual is less than the threshold value for both layout A and layout B. Therefore, since the correction residual is less than the threshold value and a larger number of parts per unit time is produced using a normal master, the
スキャン速度500(mm/s)のとき、レイアウトAは補正残差が閾値未満のため、判定部80は通常の原版を用いる、と決定する。一方、スキャン速度500(mm/s)のとき、レイアウトBは補正残差が閾値以上であるため、判定部80は遮光領域12が設けられている原版1を選択する。ここで、スキャン速度500(mm/s)、スリット幅3.3(mm)のとき、ユーザーは単位時間当たりの製造数を200(wph)以上、と設定していたとする。判定部80はスキャン速度とスリット幅の条件から単位時間当たりの製造数を求め(推定し)、200(wph)以上である場合は遮光領域12が設けられている原版1を用いる、と決定する。なお、本実施形態ではスキャン速度、スリット幅、単位時間当たりの製造数に基づいて露光に用いる原版を決定する例を示したが、このほかの要素に基づいて露光に用いる原版を決定してもよい。また、本実施形態では判定部(情報処理装置)80が基板処理装置200の内部に配置されている例を示したが、判定部(情報処理装置)80は基板処理装置200の外部に配置され基板処理装置200と情報の通信を行う形態としてもよい。
When the scan speed is 500 (mm/s), the correction residual of layout A is less than the threshold value, so the
図7は、本実施形態における判定部80が原版の種類を判定するときのフローチャートである。まず、判定部80は条件から求められる補正残差が閾値以上か否かを判定する(S10)。補正残差が閾値未満であれば、判定部80は通常の原版を用いる、と決定し(S40)、終了する。補正残差が閾値以上であれば、判定部80は遮光領域12が設けられた原版1を用いた場合でも単位時間当たりの製造数を達成するか否か、を判定する(S20)。単位時間当たりの製造数を達成しない場合は、判定部80は通常の原版を用いる、と決定し(S40)、終了する。ステップS20にて単位時間当たりの製造数を達成しないと判定され通常の原版を用いることが決定した場合には、単位時間当たりの製造数を達成する範囲内においてスキャン速度を変更し、露光処理の精度を向上させてもよい。単位時間当たりの製造数を達成する場合は、判定部80は遮光領域12が設けられた原版1を用いる、と決定し(S30)、終了する。ここで、判定部80が通常の原版を用いると決定することは一括露光(1回の露光により露光処理を完了させる)を行うと決定することである。また、遮光領域12が設けられた原版1を用いると決定することは分割露光(2回以上の露光により露光処理を完了させる)をすると決定することである。
FIG. 7 is a flowchart when the
送信部90は、判定部80が判定した結果を表示制御部(不図示)に送信し、表示制御部は表示部(不図示)に表示する情報を制御する。ユーザーは表示部に表示された情報により、用いる原版の種類を確認することができる。
The
本実施形態によれば露光処理条件とチップ領域20の配置と単位時間当たりの製造数とに基づいて、つまり露光処理の精度と生産性に基づいて、判定部80が露光に用いる原版の種類を決定することができる。これにより、露光処理の精度と生産性を考慮した状態で露光処理を実施することができる。
According to this embodiment, the
<第3実施形態>
本実施形態は、第1実施形態と比較して、原版1に遮光部を設ける方法が異なる。第1実施形態では原版1に遮光領域12を固定して設けていた。本実施形態では通常の原版30に取り外し可能な遮光部材(遮光部)40を設ける。
Third Embodiment
This embodiment is different from the first embodiment in the method of providing a light-shielding portion on the original 1. In the first embodiment, the light-shielding
図8は、本実施形態における遮光部材40と通常の原版30の模式図である。図8(a)は+Z方向側から遮光部材40が取り付けられた通常の原版30を見た場合の図である。通常の原版30はショット領域内のチップ領域20に対応する位置にパターン領域11が配列されている。そして、第1実施形態の遮光領域12と同じ位置に遮光部材40が取り付けられている。また、遮光部材40は、通常の原版30に取り付けられた際に位置を固定するための爪41を有している。爪41は1つの遮光部材40につき通常の原版30を固定可能な位置に2つずつ設けられる。本実施形態では、遮光部材40のX軸方向における両端に爪41が設けられている。
Figure 8 is a schematic diagram of the
図8(b)は、通常の原版30に遮光部材40が取り付けられた原版を+X方向側から見た場合の図である。通常の原版30の上には遮光部材40が取り付けられている。この遮光部材40は取り外し可能な構成であり、遮光部材40を取り外すことで遮光部のない原版として通常の原版30を用いることができる。なお、遮光部材40が取り付けられていないときは一括露光となる。
Figure 8 (b) is a diagram of a normal original 30 with a light-shielding
判定部80は通常の原版30に遮光部材40を取り付けるか否かを判定する。そして、判定部80が遮光部を設ける必要があると判定したときに、遮光部材40は例えば不図示の搬送ユニットにより搬送され通常の原版30に取り付けられる。また、通常の原版30に遮光部材40が取り付けられている状態で判定部80が遮光部は不要である、と判定した場合に、搬送ユニットは通常の原版30から遮光部材40を取り外す。
The
通常の原版30に遮光部材40を取り付けることにより、第1実施形態に示す原版1を用いたときと同じような効果が得られる。つまり、スキャン方向(Y方向)におけるチップ領域20間の間隔が小さい場合であっても、遮光部材40をスキャンしている間にステージ7が歪み(倍率)補正を適切に実施できる位置へ駆動することができる。このため、本実施形態によれば歪み(倍率)補正を適切に実施することができ、パターンの重ね合わせ精度を向上させることができる。なお、遮光部材40が取り付けられているときは、分割露光となる。
By attaching the light-shielding
本実施形態によれば、取り外し可能な遮光部材40を通常の原版30に対し取り付け及び取り外しを行うことで、1つの原版で通常の一括露光と遮光部材を用いた分割露光を切り替えることができる。
According to this embodiment, by attaching and detaching a removable light-shielding
本実施形態と第2実施形態を組み合わせることで、判定部80が分割露光をすると決定した場合に、通常の原版30に遮光部材40を取り付け、判定部80が一括露光をすると決定した場合に、通常の原版30に遮光部材40を取り付けないと決定できる。
By combining this embodiment with the second embodiment, if the
また、本実施形態では遮光部材40が通常の原版30に取り付けられる例を示したが、スキャン方向に沿って遮光部材40が通常の原版30と連動して移動する形態としてもよい。この場合、遮光部材40の取り付け、取り外しの時間を省略することができる。
In addition, in this embodiment, an example is shown in which the light-shielding
<第4実施形態>
本実施形態は、前述の遮光領域、遮光部材又は透過領域が設けられた原版を用いて物品を製造することを特徴とする。
Fourth Embodiment
The present embodiment is characterized in that an article is manufactured using a master provided with the above-described light-shielding region, light-shielding member, or transmissive region.
図9は本実施形態における物品の製造方法のフローチャートである。第2実施形態に記載の情報処理装置を用いて、露光に用いる原版を判定する判定工程(S510)を行う。次に判定工程で判定された原版を用いて基板にパターンを形成する形成工程(S520)を行う。次に、形成工程でパターンが形成された基板から物品を製造する製造工程(S530)を行う。 Figure 9 is a flowchart of a method for manufacturing an article in this embodiment. Using the information processing device described in the second embodiment, a determination step (S510) is performed to determine the original to be used for exposure. Next, a formation step (S520) is performed to form a pattern on a substrate using the original determined in the determination step. Next, a manufacturing step (S530) is performed to manufacture an article from the substrate on which the pattern has been formed in the formation step.
この製造方法で製造する物品は、例えば、半導体IC素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、MEMS等である。 Items manufactured using this manufacturing method include, for example, semiconductor IC elements, liquid crystal display elements, color filters, MEMS, etc.
形成工程は、例えば、パターン材料上に感光材料が塗布された基板(シリコンウエハ、ガラスプレート等)を露光装置(リソグラフィ装置)により露光することで、基板にパターンを形成する。 The formation process involves, for example, forming a pattern on a substrate (silicon wafer, glass plate, etc.) by exposing the substrate, on which a photosensitive material has been applied, to light using an exposure device (lithography device).
製造工程は、例えば、パターンが形成された基板(感光材料)の現像、現像された基板に対するエッチング及びレジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングの実施が含まれる。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。 The manufacturing process includes, for example, developing the substrate (photosensitive material) on which the pattern is formed, etching the developed substrate, removing the resist, dicing, bonding, and packaging. This manufacturing method makes it possible to manufacture higher quality articles than ever before.
本明細書の開示は、以下の原版、情報処理装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法を含む。 The disclosure of this specification includes the following original plate, information processing device, lithography device, and method for manufacturing an article.
(項目1)
複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いる原版であって、
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う遮光領域と、を有し、
前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有することを特徴とする原版。
(Item 1)
A master plate used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of times,
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
a light-shielding region adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions;
The original plate, wherein the light-shielding region has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region.
(項目2)
複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いる原版であって、
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う透過領域と、を有し、
前記透過領域は、前記パターンが設けられておらず、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有することを特徴とする原版。
(Item 2)
A master plate used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of times,
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
a transmission region adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions;
The transparent region is free of the pattern and has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region.
(項目3)
露光装置における露光において遮光領域を有する原版を用いるか否かを決定する情報処理装置であって、
前記遮光領域を有する原版は、
複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いられ、
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う前記遮光領域と、を有し、
前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有し、
露光処理条件とチップ領域の配置とに基づいて、前記遮光領域を有する原版を用いるか否かを判定する判定部を有することを特徴とする情報処理装置。
(Item 3)
1. An information processing device that determines whether to use an original having a light-shielding region in exposure by an exposure device,
The master having the light-shielding region is
It is used for split exposure, which exposes multiple patterns in multiple steps.
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
the light-shielding region is adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions,
the light-shielding region has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region,
13. An information processing apparatus comprising: a determining unit for determining whether or not to use an original having the light-shielding region, based on an exposure processing condition and an arrangement of chip regions.
(項目4)
前記判定部は、前記露光処理条件と前記チップ領域の配置とから露光処理における歪み補正又は倍率補正を行った場合の前記補正を行っても除けない歪み量を示す補正残差を求めることを特徴とする項目3に記載の情報処理装置。
(Item 4)
The information processing device described in item 3, characterized in that the judgment unit calculates a correction residual indicating an amount of distortion that cannot be removed even when distortion correction or magnification correction is performed in the exposure process based on the exposure process conditions and the arrangement of the chip area.
(項目5)
前記判定部は、前記補正残差が閾値より小さい場合は前記遮光領域を有さない原版を用いると判定し、前記補正残差が前記閾値より大きい場合は単位時間当たりの製造数に基づいて前記遮光領域を有する原版を用いるか否か、を判定することを特徴とする項目4に記載の情報処理装置。
(Item 5)
The information processing device described in
(項目6)
前記判定部は、前記補正残差が閾値より大きい場合に、前記遮光領域を有する原版を用いても予めユーザーが設定した単位時間当たりの製造数を満たすか否か、を判定し、満たす場合は前記遮光領域を有する原版を用いると判定し、満たさない場合は前記遮光領域を有さない原版を用いると判定することを特徴とする項目4又は5に記載の情報処理装置。
(Item 6)
The information processing device described in
(項目7)
前記露光処理条件は露光処理を行う速度と、前記露光処理における露光光が通過するスリット幅との一方又は両方を含むことを特徴とする項目3~6のうちいずれか1項に記載の情報処理装置。
(Item 7)
7. The information processing device according to any one of items 3 to 6, wherein the exposure processing conditions include one or both of a speed at which the exposure processing is performed and a slit width through which the exposure light passes in the exposure processing.
(項目8)
前記補正残差はスキャン露光において、スキャン位置に応じて前記補正を行っても除けない歪み量であることを特徴とする項目4~7のうちいずれか1項に記載の情報処理装置。
(Item 8)
The information processing device according to any one of
(項目9)
前記判定部が判定した結果を送信する送信部を有することを特徴とする項目3~8のうちいずれか1項に記載の情報処理装置。
(Item 9)
9. The information processing device according to any one of items 3 to 8, further comprising a transmission unit that transmits the result determined by the determination unit.
(項目10)
露光処理条件とチップ領域の配置とに基づいて用いる原版を判定する判定部を有し、
前記判定部は、1回の露光により露光処理を完了させるか、2回以上の露光により露光処理を完了させるか、を判定することを特徴とする情報処理装置。
(Item 10)
a determination unit that determines a mask to be used based on exposure processing conditions and an arrangement of chip regions;
The information processing apparatus, wherein the determination unit determines whether the exposure process is to be completed by one exposure or by two or more exposures.
(項目11)
露光処理条件とチップ領域の配置とに基づいて用いる原版を判定する判定部を有し、
前記判定部は、原版に遮光部材を取り付けるか否か、を判定することを特徴とする情報処理装置。
(Item 11)
a determination unit that determines a mask to be used based on exposure processing conditions and an arrangement of chip regions;
The information processing apparatus, wherein the determining unit determines whether or not a light blocking member is attached to the original.
(項目12)
露光に用いる原版の判定を行う項目3~9のうちいずれか1項に記載の情報処理装置と、
前記情報処理装置で露光に用いると判定された前記原版に設けられたパターンを投影する投影光学系と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
(Item 12)
An information processing apparatus according to any one of items 3 to 9, which judges an original used for exposure;
a projection optical system that projects a pattern provided on the original determined to be used for exposure by the information processing device;
1. A lithography apparatus comprising:
(項目13)
項目3~9のうちいずれか1項に記載の情報処理装置を用いて、露光に用いる原版を判定する判定工程と、
前記判定工程で判定された前記原版を用いて基板にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
(Item 13)
A determination step of determining an original to be used for exposure using the information processing device according to any one of items 3 to 9;
a forming step of forming a pattern on a substrate using the original determined in the determining step;
a manufacturing process for manufacturing an article from the substrate on which the pattern is formed in the forming process;
A method for producing an article, comprising the steps of:
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are appended to disclose the scope of the invention.
Claims (13)
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う遮光領域と、を有し、
前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有することを特徴とする原版。 A master plate used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of times,
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
a light-shielding region adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions;
The original plate, wherein the light-shielding region has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region.
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う透過領域と、を有し、
前記透過領域は、前記パターンが設けられておらず、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有することを特徴とする原版。 A master plate used for divided exposure in which a plurality of patterns are exposed in a plurality of times,
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
a transmission region adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions;
The transparent region is free of the pattern and has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region.
前記遮光領域を有する原版は、
複数のパターンを複数回に分けて露光する分割露光に用いられ、
複数のチップ領域のそれぞれに対応する位置に配列された複数のパターン領域と、
前記複数のパターン領域の配列方向である第1方向とは異なる第2方向に前記パターン領域と隣り合う前記遮光領域と、を有し、
前記遮光領域は、前記第2方向において前記パターン領域の長さ以上の長さを有し、
露光処理条件とチップ領域の配置とに基づいて、前記遮光領域を有する原版を用いるか否かを判定する判定部を有することを特徴とする情報処理装置。 1. An information processing device that determines whether to use an original having a light-shielding region in exposure by an exposure device,
The master having the light-shielding region is
It is used for split exposure, which exposes multiple patterns in multiple steps.
a plurality of pattern areas arranged at positions corresponding to the plurality of chip areas,
the light-shielding region is adjacent to the pattern region in a second direction different from a first direction which is an arrangement direction of the plurality of pattern regions,
the light-shielding region has a length in the second direction that is equal to or greater than the length of the pattern region,
13. An information processing apparatus comprising: a determining unit for determining whether or not to use an original having the light-shielding region, based on an exposure processing condition and an arrangement of chip regions.
前記判定部は、1回の露光により露光処理を完了させるか、2回以上の露光により露光処理を完了させるか、を判定することを特徴とする情報処理装置。 a determination unit that determines a mask to be used based on exposure processing conditions and an arrangement of chip regions;
The information processing apparatus, wherein the determination unit determines whether the exposure process is to be completed by one exposure or by two or more exposures.
前記判定部は、原版に遮光部材を取り付けるか否か、を判定することを特徴とする情報処理装置。 a determination unit that determines a mask to be used based on exposure processing conditions and an arrangement of chip regions;
The information processing apparatus, wherein the determining unit determines whether or not a light blocking member is attached to the original.
前記情報処理装置で露光に用いると判定された前記原版に設けられたパターンを投影する投影光学系と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 An information processing apparatus according to any one of claims 3 to 9, which judges an original used for exposure;
a projection optical system that projects a pattern provided on the original determined to be used for exposure by the information processing device;
1. A lithography apparatus comprising:
前記判定工程で判定された前記原版を用いて基板にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 A determination step of determining an original to be used for exposure by using the information processing device according to any one of claims 3 to 9;
a forming step of forming a pattern on a substrate using the original determined in the determining step;
a manufacturing process for manufacturing an article from the substrate on which the pattern is formed in the forming process;
A method for producing an article, comprising the steps of:
Priority Applications (1)
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