JPH0917718A - Aligner and device, and manufacturing method using it - Google Patents

Aligner and device, and manufacturing method using it

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JPH0917718A
JPH0917718A JP7167376A JP16737695A JPH0917718A JP H0917718 A JPH0917718 A JP H0917718A JP 7167376 A JP7167376 A JP 7167376A JP 16737695 A JP16737695 A JP 16737695A JP H0917718 A JPH0917718 A JP H0917718A
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JP
Japan
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display
wafer
exposure apparatus
pattern
display means
Prior art date
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Pending
Application number
JP7167376A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiji Takeuchi
誠二 竹内
Kyoichi Miyazaki
恭一 宮▲崎▼
Masanori Hasegawa
雅宣 長谷川
Minoru Yoshii
実 吉井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH0917718A publication Critical patent/JPH0917718A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an aligner for inexpensively manufacturing precision device. SOLUTION: An aligner has a transmission liquid crystal display 2 for displaying a circuit pattern, a wafer stage 9 for relatively moving a wafer 4 to be mounted and the display 2, a projection image-forming optical system 3 for projecting a pattern displayed on the display 2 on the wafer 4 to form an image, and a display control device 6 for changing the pattern being displayed on the display 2 in synchronization with the relative move between the display 2 and the wafer 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス等の微小
デバイスを生産する際に用いる露光装置やデバイス生産
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and a device production method used when producing microdevices such as semiconductor devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の製造の要となる半導体
露光装置では、ガラス基板上に微細な回路パターンを形
成したレチクルを用意し、照明光学系によってこれを照
明したものを、投影光学系によってレジストを塗布した
ウエハ上に縮小投影してパターンを露光転写する。集積
回路を製造する際には多数の回路パターンを同一ウエハ
上に重ね合わせるため、一つのパターンを露光転写した
ら、所定の工程の後に再びウエハにレジストを塗布し
て、再度、別のレチクルを用いて重ね焼きする。
2. Description of the Related Art In a semiconductor exposure apparatus, which is the key to the manufacture of semiconductor integrated circuits, a reticle having a fine circuit pattern formed on a glass substrate is prepared and illuminated by an illumination optical system. The pattern is exposed and transferred by reducing and projecting it on the resist-coated wafer. Since many circuit patterns are superposed on the same wafer when manufacturing an integrated circuit, after exposing and transferring one pattern, a resist is applied to the wafer again after a predetermined process, and another reticle is used again. And layer it.

【0003】ところが、レチクルは高価である上に、1
つの集積回路を製造するのに多数のレチクルを必要とす
るためコストがかかる。ゆえに、同一の集積回路を多数
量産する場合はまだしも、少数の特種集積回路やデバイ
スを低コストに製作するのは困難であり、また、小さな
回路設計変更ができないという課題がある。また、レチ
クルを交換する毎にレチクルの保持精度を高度に管理し
なければならず、高度な位置合わせ機構を要すると共に
スループットの低下を招いてしまう。また、レチクル交
換の際に微小なゴミや塵などが発生しやすいといった問
題がある。
However, the reticle is expensive and 1
The number of reticles required to manufacture one integrated circuit is costly. Therefore, when mass-producing the same integrated circuit, it is still difficult to manufacture a small number of special integrated circuits and devices at low cost, and there is a problem that a small circuit design cannot be changed. In addition, the reticle holding accuracy must be highly managed every time the reticle is replaced, which requires a sophisticated alignment mechanism and lowers the throughput. Further, there is a problem that minute dust or dust is likely to be generated when the reticle is replaced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】そこでこれを解決すべ
く、レチクルの代わりに二次元表示器(透過型液晶ディ
スプレイ)上にマスクパターンを表示形成して、これを
光を照射して透過光をウエハに縮小転写するアイデアが
提案されている(特開昭50-159677号公報、特開平6-232
024号公報、特開昭64-5017号公報、特開平2-307号公
報、特開平2-192710号公報、特開平2-209729号公報、特
開平4-23314号公報、特開平3-201423号公報など)。
In order to solve this problem, a mask pattern is displayed and formed on a two-dimensional display (transmissive liquid crystal display) instead of the reticle, and this is irradiated with light to transmit transmitted light. The idea of reduction transfer to a wafer has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 50-159677, Japanese Patent Laid-Open No. 6-232).
No. 024, No. 64-5017, No. 2-307, No. 2-129710, No. 2-209729, No. 4-23314, No. 3-201423 Issue Bulletin).

【0005】しかしながら、集積回路のような微細な二
次元パターンを表示できる液晶表示器を作成することは
容易ではなく、特に回路パターンが大面積化しつつある
状況にあっては、実用化には困難性が伴う。
However, it is not easy to produce a liquid crystal display capable of displaying a fine two-dimensional pattern such as an integrated circuit, and it is difficult to put it into practical use especially in the situation where the circuit pattern is increasing in area. Accompanied by sex.

【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
大面積のパターンでも精度良く且つ低コストに露光転写
することができる露光装置ならびにデバイス生産方法を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device production method capable of accurately and inexpensively performing exposure transfer even on a pattern of a large area.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の露光装置は、パターンを表示する表示手段
と、ウエハを搭載して該ウエハと該表示手段とを相対的
に移動させるステージと、該表示手段に表示されたパタ
ーンをウエハに投影する投影手段と、前記表示手段とウ
エハとの相対的な移動に同期して前記表示手段に表示す
るパターンを変化させる手段とを有することを特徴とす
るものである。
In order to achieve the above object, an exposure apparatus of the present invention comprises a display means for displaying a pattern, and a stage for mounting a wafer and moving the wafer and the display means relative to each other. And projection means for projecting the pattern displayed on the display means onto the wafer, and means for changing the pattern displayed on the display means in synchronization with the relative movement of the display means and the wafer. It is a feature.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

<実施例1>図1は本発明の第1実施例の構成を示した
ものである。
<Embodiment 1> FIG. 1 shows the construction of the first embodiment of the present invention.

【0009】図中、1は水銀ランプやエキシマレーザな
どの光源と照明用レンズなどを含む光源部、2は転写す
る回路図やデバイスの図形などを表示する1次元液晶デ
ィスプレイ、3は液晶ディスプレイの画像をウエハ上に
投影結像する投影結像レンズ、4は回路パターンなどが
転写されるウエハ、5は露光装置全体を制御するコント
ローラ(複数種の回路パターンのデータを蓄えるメモリ
を有する)、6は液晶ディスプレイ2の表示内容を制御
する表示制御装置、7はウエハ搬送系、9はウエハステ
ージ、10はウエハステージ制御系である。
In the figure, 1 is a light source unit including a light source such as a mercury lamp and an excimer laser and an illuminating lens, 2 is a one-dimensional liquid crystal display for displaying a circuit diagram to be transferred and device figures, and 3 is a liquid crystal display. A projection imaging lens for projecting and forming an image on a wafer, 4 a wafer onto which a circuit pattern and the like are transferred, 5 a controller for controlling the entire exposure apparatus (having a memory for storing data of a plurality of types of circuit patterns), 6 Is a display control device for controlling the display contents of the liquid crystal display 2, 7 is a wafer transfer system, 9 is a wafer stage, and 10 is a wafer stage control system.

【0010】まず、ウエハ搬送系7により、レジストが
塗布されたウエハ4をウエハステージ9に搬送して、ウ
エハステージ9でウエハ4を投影結像レンズ3の像面位
置で露光位置に位置決めする。次いで、コントローラ5
の指示により表示制御装置6が転写すべき回路パターン
を表示するよう、1次元液晶ディスプレイ2を制御して
回路パターン全体の内の一部分を表示する。ここでコン
トローラ5が光源部1に指示を送りディスプレイ2を光
照明する。この液晶ディスプレイ2に表示された回路図
の一部分を投影結像レンズ3によってウエハ上に投影結
像して、回路パターン8をウエハにスリット状に露光転
写する。このときコントローラ5からウエハステージ制
御系10及び表示制御装置6に同時に制御信号が送り、
ウエハが一定の定速度で動くようにウエハステージを制
御する。一方、表示制御装置6はウエハ上の回路パター
ンが所望の回路図として転写するよう、ウエハステージ
の移動に同期して連続的にディスプレイ2の表示内容を
切り替えていく。
First, the wafer 4 to which the resist is applied is transferred to the wafer stage 9 by the wafer transfer system 7, and the wafer 4 is positioned at the exposure position at the image plane position of the projection imaging lens 3 on the wafer stage 9. Then the controller 5
In response to the instruction, the one-dimensional liquid crystal display 2 is controlled so that the display control device 6 displays the circuit pattern to be transferred, and a part of the entire circuit pattern is displayed. Here, the controller 5 sends an instruction to the light source unit 1 to illuminate the display 2 with light. A part of the circuit diagram displayed on the liquid crystal display 2 is projected and imaged on the wafer by the projection imaging lens 3, and the circuit pattern 8 is exposed and transferred in a slit shape on the wafer. At this time, a control signal is simultaneously sent from the controller 5 to the wafer stage control system 10 and the display control device 6,
The wafer stage is controlled so that the wafer moves at a constant speed. On the other hand, the display control device 6 continuously switches the display contents of the display 2 in synchronization with the movement of the wafer stage so that the circuit pattern on the wafer is transferred as a desired circuit diagram.

【0011】図2は転写されるウエハの露光部分とディ
スプレイの表示内容を示す図である。図中左が転写する
回路パターンの図、右がウエハ上の露光パターンであ
り、21が転写するパターンの全体、22がパターンの
表示中の部分、23は表示済み部分、24は回路パター
ンが転写される領域、25は露光中の領域、26は露光
済み領域、27はウエハの進行方向である。
FIG. 2 is a view showing the exposed portion of the wafer to be transferred and the display contents on the display. The left side of the figure is a circuit pattern to be transferred, the right side is an exposure pattern on the wafer, 21 is the whole pattern to be transferred, 22 is the part where the pattern is being displayed, 23 is the displayed part, and 24 is the circuit pattern transferred A region to be exposed, a region 25 being exposed, a region exposed 26, and a wafer traveling direction 27.

【0012】まず露光開始時には、図中のAのようにウ
エハの所望の露光領域の一端に露光スリットが位置する
ようウエハを配置し、一方の表示装置では転写する回路
パターンの対応する一端を表示する。図では表示に少し
幅があるが、実際の表示装置は1画素の幅しかないとす
る。光源が照射中はウエハを矢印27の方向に移動させ
る。そしてウエハが進むごとにB、C、D、Eと順次表
示内容を切り替えていく。Eで露光スリットがウエハの
所望の露光領域の端まで露光したら光源の照射を停止す
る。このようにして回路がすべて表示されたとき、ウエ
ハ上ではひとつの露光領域が露光完了となる。2番目以
降のパターンの重ね焼きも同様の手順で行う。
First, at the start of exposure, the wafer is arranged so that the exposure slit is positioned at one end of the desired exposure area of the wafer as indicated by A in the figure, and one display device displays the corresponding one end of the circuit pattern to be transferred. To do. Although the display has a little width in the figure, it is assumed that the actual display device has only one pixel width. The wafer is moved in the direction of arrow 27 while the light source is irradiating. The display contents are sequentially switched to B, C, D and E as the wafer advances. When the exposure slit reaches the end of the desired exposure area of the wafer at E, the irradiation of the light source is stopped. When all the circuits are displayed in this way, one exposure area on the wafer is completed. Overprinting of the second and subsequent patterns is performed in the same procedure.

【0013】露光量の制御は、光源の強度(すなわち照
射光強度)を調整して行うことができる。あるいはウエ
ハ移動速度及び表示切り替え速度(すなわち照射時間)
を調整しても良い。すなわち、露光量を大きくしたけれ
ばウエハ移動速度を遅くすると同時に1ラインの表示時
間を長くする。
The amount of exposure can be controlled by adjusting the intensity of the light source (that is, the intensity of irradiation light). Or wafer movement speed and display switching speed (ie irradiation time)
May be adjusted. That is, if the exposure amount is increased, the moving speed of the wafer is decreased and the display time for one line is increased at the same time.

【0014】なお、以上の実施例では直線スリットの例
を示したが、円弧状など他の形状で1次元に広がりのあ
るスリット表示としても良い。
In the above embodiment, an example of a linear slit is shown, but a slit display having another shape such as an arc shape and having a one-dimensional spread may be used.

【0015】また、本実施例では投影結像光学系として
投影結像レンズを用いた例を挙げたが、屈折系、反射
系、回折系、及びそれらの複合系などの投影結像光学系
を用いることもできる。
In this embodiment, the projection imaging lens is used as the projection imaging optical system. However, a projection imaging optical system such as a refraction system, a reflection system, a diffractive system, or a combination thereof is used. It can also be used.

【0016】また、本実施例では透過型ディスプレイと
して液晶ディスプレイを用いたが、これに限らず、CR
Tディスプレイなどの自発光型ディスプレイや、微小変
形ミラーデバイスを用いた反射型ディスプレイなどを用
いることもできる。自発光型ディスプレイであれば照明
用の光源は不要となる。
Further, although the liquid crystal display is used as the transmissive display in this embodiment, the present invention is not limited to this, and the CR display is used.
A self-luminous display such as a T display, or a reflective display using a microdeformable mirror device can also be used. A self-luminous display does not require a light source for illumination.

【0017】<実施例2>図3は本発明の第2実施例の
構成を示したものである。
<Second Embodiment> FIG. 3 shows the structure of a second embodiment of the present invention.

【0018】図中、31は水銀ランプやエキシマレーザ
などの光源と照明用レンズなどを含む光源部、32は転
写する回路図やデバイスの図形などを表示する2次元透
過型ディスプレイで、本実施例では長方形のディスプレ
イとする。33は透過型ディスプレイの画像をウエハ上
に投影結像する投影結像レンズ、34は回路などを転写
するウエハ、35は本露光装置を制御するコントロー
ラ、36は透過型ディスプレイ32の表示内容を制御す
る表示制御装置、37はウエハ搬送系、39はウエハス
テージ、40はウエハステージ制御系、41はステージ
位置検出系である。
In the figure, 31 is a light source section including a light source such as a mercury lamp or an excimer laser and an illuminating lens, and 32 is a two-dimensional transmissive display for displaying a circuit diagram to be transferred or a device figure. Let's use a rectangular display. Reference numeral 33 is a projection image forming lens for projecting and forming an image of a transmissive display on a wafer, 34 is a wafer for transferring a circuit, 35 is a controller for controlling the main exposure apparatus, and 36 is a display content of the transmissive display 32. A display control device, a wafer transfer system 37, a wafer stage 39, a wafer stage control system 40, and a stage position detection system 41.

【0019】本実施例は露光面積の拡大と露光量の増大
の達成を目的とする。まず、ウエハ搬送系37により、
レジストが塗布されたウエハ34をウエハステージ39
に搬送して、ウエハステージ39でウエハ34を投影結
像レンズ33の像面位置で露光位置に位置決めする。コ
ントローラ35の指示により表示制御装置36が転写す
べき回路図を表示するよう、2次元透過型ディスプレイ
32を制御し回路パターン全体の内の一部分を表示す
る。これと共にコントローラが光源部31に指示を送り
ディスプレイ32を光照明する。この透過型ディスプレ
イ32に表示された回路図の一部分を、投影結像レンズ
33によってウエハ上に投影結像して、回路パターン3
8を長方形に露光転写する。このときコントローラ35
からウエハステージ制御系40及び表示制御装置36に
同時に制御信号が送り、ウエハが一定の定速度で動くよ
うにウエハステージを制御する。一方、表示制御装置3
6はウエハ上の回路パターンが所望の回路図として転写
されるよう、連続的にディスプレイ32の表示内容を切
り替えていく。
The purpose of this embodiment is to increase the exposure area and the exposure amount. First, the wafer transfer system 37
The wafer 34 to which the resist is applied is placed on the wafer stage 39.
Then, the wafer 34 is positioned at the exposure position at the image plane position of the projection image forming lens 33 by the wafer stage 39. According to an instruction from the controller 35, the display control device 36 controls the two-dimensional transmissive display 32 so as to display a circuit diagram to be transferred, and displays a part of the entire circuit pattern. At the same time, the controller sends an instruction to the light source unit 31 to illuminate the display 32 with light. A part of the circuit diagram displayed on the transmissive display 32 is projected and imaged on the wafer by the projection imaging lens 33 to form the circuit pattern 3
8 is exposed and transferred to a rectangle. At this time, the controller 35
A control signal is simultaneously sent from the wafer stage control system 40 and the display controller 36 to control the wafer stage so that the wafer moves at a constant constant speed. On the other hand, the display control device 3
At 6, the display contents of the display 32 are continuously switched so that the circuit pattern on the wafer is transferred as a desired circuit diagram.

【0020】このとき、ウエハ上に投影結像されたディ
スプレイの像がウエハに対して動かないようにするため
には、ディスプレイの内容の移動速度をVとすると、ウ
エハの移動速度をv=MVに制御しなければならない。
一方でこの時ウエハの位置をステージ位置検出系37で
検出し、ウエハの位置に対応する表示がなされるよう表
示制御装置36に位置情報を帰還する。これはステージ
の移動が種々の要因によって一定の速度が保てなかった
場合などに、転写するパターンが歪まないようにするの
に効果的である。
At this time, in order to prevent the display image projected and formed on the wafer from moving with respect to the wafer, when the moving speed of the contents of the display is V, the moving speed of the wafer is v = MV. Have to control.
On the other hand, at this time, the position of the wafer is detected by the stage position detection system 37, and the position information is returned to the display controller 36 so that the display corresponding to the position of the wafer is made. This is effective in preventing the transferred pattern from being distorted when the movement of the stage cannot be maintained at a constant speed due to various factors.

【0021】図4は転写されるウエハの露光部分とディ
スプレイの表示内容を示す図である。図中左が転写する
回路パターン及び表示の概念の図、右がウエハ上の露光
パターン、中央が実際の表示内容である。51が転写す
るパターンの全体、52がパターンの表示中の部分、5
3は表示済み部分、54は回路パターンが転写される領
域、55は露光中の領域、56は露光済み領域、57は
ウエハの進行方向である。
FIG. 4 is a view showing the exposed portion of the wafer to be transferred and the display contents on the display. The left side of the figure is a conceptual view of the transferred circuit pattern and display, the right side is the exposure pattern on the wafer, and the center is the actual display content. 51 is the entire pattern to be transferred, 52 is the portion of the pattern being displayed, 5
3 is a displayed portion, 54 is an area to which a circuit pattern is transferred, 55 is an area being exposed, 56 is an exposed area, and 57 is a wafer traveling direction.

【0022】Aから光源の照射が始まり、ウエハの転写
領域54が露光領域55に入るにつれて表示が始まり、
ウエハが左に進むにつれて、表示内容も順に右から繰り
出されてくる。実際には投影結像レンズで像が反転され
るので中央の列に表したように表示装置上では左から繰
り出されていく。図のAの状態からBまでの間は図示は
していないが実際はウエハが投影結像位置で表示器の1
画素分動くたびに表示は切り替わる。このようにして転
写パターン上の各点が表示器の一端からもう一端に進む
間にずっとウエハ上では露光を受けていることになるた
め露光時間を長く確保できる。またウエハ露光位置で走
査できる分だけパターン転写が可能であるため露光面積
の拡大になる。
The irradiation of the light source starts from A, and the display starts as the transfer area 54 of the wafer enters the exposure area 55.
As the wafer moves to the left, the displayed contents are sequentially output from the right. Since the image is actually inverted by the projection imaging lens, it is fed out from the left on the display device as shown in the center column. Although not shown in the figure from the state A to the state B, the wafer is actually at the projection image forming position and the display 1
The display switches each time the pixel moves. In this way, since each point on the transfer pattern is exposed on the wafer while the point moves from one end of the display to the other end, a long exposure time can be secured. Further, since the pattern can be transferred by the amount that can be scanned at the wafer exposure position, the exposure area can be expanded.

【0023】なお、ステージ位置検出系311の代わり
にステージ速度検出系を設けるようにしても良い。この
ときウエハの速度がvとすると、投影結像レンズの倍率
をMとして、ディスプレイの表示内容は速度v/Mで移
動するように見えるよう切り替えることでウエハ上での
像はウエハに対しては動いていないような関係となり、
パターンが歪むことなく転写される。また、ウエハの回
転情報を検出し、表示装置に回転の情報を帰還すること
でウエハの回転補正を行うこともできる。
A stage speed detection system may be provided instead of the stage position detection system 311. At this time, if the speed of the wafer is v, the magnification of the projection imaging lens is set to M, and the contents displayed on the display are switched so as to move at a speed of v / M. It becomes a relationship that does not move,
The pattern is transferred without distortion. Further, it is also possible to correct the rotation of the wafer by detecting the rotation information of the wafer and returning the rotation information to the display device.

【0024】なお、本実施例では投影結像光学系として
投影結像レンズを用いた例を挙げたが、屈折系、反射
系、回折系、及びそれらの複合系などの投影結像光学系
を用いることもできる。
In this embodiment, the projection image forming lens is used as the projection image forming optical system. However, a projection image forming optical system such as a refraction system, a reflection system, a diffractive system, or a combination thereof is used. It can also be used.

【0025】また、本実施例では透過型ディスプレイと
して液晶ディスプレイを用いたが、これに限らず、CR
Tディスプレイなどの自発光型ディスプレイや、微小変
形ミラーデバイスを用いた反射型ディスプレイなどを用
いることもできる。自発光型ディスプレイであれば照明
用の光源は不要となる。
Further, although the liquid crystal display is used as the transmissive display in this embodiment, the present invention is not limited to this, and the CR display is used.
A self-luminous display such as a T display, or a reflective display using a microdeformable mirror device can also be used. A self-luminous display does not require a light source for illumination.

【0026】<実施例3>次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
<Embodiment 3> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described.

【0027】図5は微小デバイス(ICやLSI等の半
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
FIG. 5 shows a flow of manufacturing minute devices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micromachines, etc.). Step 1
In (circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed.
Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0028】図6は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
FIG. 6 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0029】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been conventionally difficult to manufacture, at low cost.

【0030】[0030]

【発明の効果】請求項1乃至8記載の本発明によれば、
移動に同期して表示パターンを変化させながら露光転写
するため。高い精度を保ちながら露光面積の拡大が可能
である。
According to the present invention described in claims 1 to 8,
To transfer exposure while changing the display pattern in synchronization with movement. The exposure area can be expanded while maintaining high accuracy.

【0031】請求項9記載の本発明によれば、相対移動
に関する情報を検出して、これに基づいて表示制御に帰
還することで、転写パターンの歪みや回転誤差などを補
償することができる。
According to the present invention described in claim 9, by detecting the information on the relative movement and feeding back the information to the display control based on the information, it is possible to compensate the distortion and the rotation error of the transfer pattern.

【0032】請求項10記載の本発明によれれば、高精
度なデバイスを低コストに生産することができる。
According to the present invention of claim 10, a highly accurate device can be produced at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例のの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例の動作を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an operation of the first embodiment.

【図3】本発明の第2実施例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a second embodiment of the present invention.

【図4】第2実施例の動作を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an operation of the second embodiment.

【図5】半導体デバイスの生産フローを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a production flow of a semiconductor device.

【図6】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、31 光源 2 1次元ディスプレイ 32 2次元ディスプレイ 3、33 投影結像レンズ 4、34 ウエハ 5、35 コントローラ 6、36 表示制御装置 7、37 ウエハ搬送系 8、38 露光領域 9、39 ウエハステージ 10、40 ステージ制御系 11、41 ステージ位置検出系 1, 31 Light source 2 1-dimensional display 32 2-dimensional display 3, 33 Projection imaging lens 4, 34 Wafer 5, 35 Controller 6, 36 Display control device 7, 37 Wafer transfer system 8, 38 Exposure area 9, 39 Wafer stage 10 , 40 Stage control system 11, 41 Stage position detection system

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉井 実 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Minoru Yoshii 53, Imaiuemachi, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Canon Inc. Kosugi Plant

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パターンを表示する表示手段と、ウエハ
を搭載して該ウエハと該表示手段とを相対的に移動させ
るステージと、該表示手段に表示されたパターンをウエ
ハに投影する投影手段と、前記表示手段とウエハとの相
対的な移動に同期して前記表示手段に表示するパターン
を変化させる手段とを有することを特徴とする露光装
置。
1. A display means for displaying a pattern, a stage for mounting a wafer and moving the wafer and the display means relative to each other, and a projection means for projecting the pattern displayed on the display means onto the wafer. An exposure apparatus comprising: a means for changing a pattern displayed on the display means in synchronization with a relative movement of the display means and a wafer.
【請求項2】 前記表示手段を照明する照明手段をさら
に有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising an illumination unit that illuminates the display unit.
【請求項3】 前記表示手段に反射型ディスプレイを用
いたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a reflective display is used as the display means.
【請求項4】 前記表示手段に自発光型ディスプレイを
用いたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a self-luminous display is used as the display means.
【請求項5】 前記表示手段に透過型ディスプレイを用
いたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a transmissive display is used as the display means.
【請求項6】 前記表示手段に液晶ディスプレイを用い
たことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a liquid crystal display is used as the display means.
【請求項7】 前記表示手段に微小変形ミラーデバイス
を用いたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
7. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a micro-deformable mirror device is used as the display means.
【請求項8】 前記表示手段にCRTディスプレイを用
いたことを特徴とする請求項7記載の露光装置。
8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein a CRT display is used as the display means.
【請求項9】 前記相対的な移動に関する情報を検出す
る検出手段を有し、該検出手段の検出に基づいて表示手
段の表示を制御することを特徴とする請求項1乃至8の
いずれか記載の露光装置。
9. The display device according to claim 1, further comprising a detection unit that detects information about the relative movement, and controls the display of the display unit based on the detection of the detection unit. Exposure equipment.
【請求項10】 請求項1乃至9のいずれか記載の露光
装置を用いてデバイスを生産することを特徴とするデバ
イス生産方法。
10. A device production method, which produces a device using the exposure apparatus according to claim 1. Description:
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