JPH0154854B2 - - Google Patents

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JPH0154854B2
JPH0154854B2 JP60084106A JP8410685A JPH0154854B2 JP H0154854 B2 JPH0154854 B2 JP H0154854B2 JP 60084106 A JP60084106 A JP 60084106A JP 8410685 A JP8410685 A JP 8410685A JP H0154854 B2 JPH0154854 B2 JP H0154854B2
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JP
Japan
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mask
substrate
pattern
stage
exposure
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Application number
JP60084106A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS61242021A (en
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Junji Isohata
Yoshiharu Nakamura
Masao Totsuka
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60084106A priority Critical patent/JPS61242021A/en
Publication of JPS61242021A publication Critical patent/JPS61242021A/en
Publication of JPH0154854B2 publication Critical patent/JPH0154854B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は露光装置、特に大型の液晶表示板を製
造する工程で基板上に必要な回路パターンを露光
するのに適した露光装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Technical Field> The present invention relates to an exposure apparatus, and particularly to an exposure apparatus suitable for exposing a necessary circuit pattern on a substrate in the process of manufacturing a large liquid crystal display panel.

<従来技術> 従来より、この種の露光装置は半導体の製造分
野で種々のタイプのものが周知とされている。例
えば、コンタクト、プロキシミテイー、ミラープ
ロジエクシヨン、レンズプロジエクシヨン等の各
タイプの装置が知られている。コンタクト、プロ
キシミテイータイプの装置はマスクとウエハーを
接触もしくは極近接した状態でマスクの全域を一
括照明することによりマスク上のパターンでウエ
ハを露光し、ミラープロジエクシヨンタイプの装
置は凸面鏡と凹面鏡を組合せたミラー投影系でマ
スクとウエハーを関係づけ、マスクを円弧状に照
明しながらマスクとウエハーをミラー投影系に対
して一体的に移動させて露光を行なう。また、レ
ンズプロジエクシヨンタイプの装置は投影レンズ
系によつてマスク上のパターンをウエハー上に縮
小投影し、ウエハーをステツプ移動させながらマ
スクを照明し露光する。
<Prior Art> Conventionally, various types of exposure apparatuses of this type are well known in the field of semiconductor manufacturing. For example, various types of devices are known, such as contact, proximity, mirror projection, and lens projection devices. Contact and proximity type equipment exposes the wafer to the pattern on the mask by simultaneously illuminating the entire area of the mask with the mask and wafer in contact or in close proximity, while mirror projection type equipment uses a convex mirror and a concave mirror. The mask and wafer are related to each other using a mirror projection system that combines them, and exposure is performed by moving the mask and wafer integrally with respect to the mirror projection system while illuminating the mask in an arc. Further, in a lens projection type apparatus, a pattern on a mask is reduced and projected onto a wafer using a projection lens system, and the mask is illuminated and exposed while moving the wafer step by step.

ところで、近年ではこの種の装置において、半
導体製造分野におけるチツプコストの低減を目的
としたウエハーの大口径化や、大型の液晶表示板
の製造に対処するために大画面の露光を可能にす
ることが要求されてきている。しかし、前述の大
口径ウエハーや液晶表示板となるガラス基板に対
応する大型のマスクを製造し、マスク上の集積回
路パターや画素パターンを一括的にウエハーや基
板に転写するのでは、以下のような問題が生じ
る。
Incidentally, in recent years, this type of equipment has become capable of exposing large screens in order to cope with the increase in diameter of wafers in order to reduce chip costs in the semiconductor manufacturing field and the manufacture of large liquid crystal display panels. It's been requested. However, manufacturing a large mask compatible with the aforementioned large-diameter wafer or glass substrate that will become a liquid crystal display panel, and transferring the integrated circuit pattern and pixel pattern on the mask to the wafer or substrate all at once requires the following steps. A problem arises.

(1) マスクの寸法はウエハーや基板の外形以上と
することが必要であるが、マスクの製作はマス
クが大型化するほど困難である。
(1) The dimensions of the mask must be larger than the outer dimensions of the wafer or substrate, but the larger the mask, the more difficult it is to manufacture the mask.

(2) ウエハーや基板の平面精度は大型化に応じて
低下するので、マスクに対する密着不良、ギヤ
ツプのばらつき、デフオーガス等によつて解像
力の高い転写を全面に渡つて行なうことが困難
となり、歩留りが低下する。
(2) The flatness accuracy of wafers and substrates decreases as the size increases, so it becomes difficult to perform high-resolution transfer over the entire surface due to poor adhesion to the mask, gap variations, defogging, etc., and yields decrease. descend.

(3) 露光領域の拡大に応じて照明光学系、投影光
学系等を大型化しなければならず、各光学系の
製作が困難になると共に、装置のために広い設
置スペースを確保しなければならない。
(3) As the exposure area expands, the illumination optical system, projection optical system, etc. must be increased in size, making it difficult to manufacture each optical system and requiring a large installation space for the equipment. .

(4) 露光領域を均一に照明することが困難とな
る。
(4) It becomes difficult to uniformly illuminate the exposed area.

(5) 温度変化に応じたマスクとウエハーもしくは
基板の不整合は露光中心からの距離に比例して
大きくなるので、ウエハーや基板の端部でのア
ライメント精度が低下する。
(5) Misalignment between the mask and the wafer or substrate due to temperature changes increases in proportion to the distance from the exposure center, resulting in a decrease in alignment accuracy at the edges of the wafer or substrate.

<発明の目的> 本発明はこのような問題に鑑みなされたもの
で、その目的は、大口径のウエハーや表示基板の
全体に所定のパターンを効率よく且つ高精度に転
写することを可能とした露光装置を提供すること
にある。
<Purpose of the Invention> The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to make it possible to transfer a predetermined pattern efficiently and with high precision to the entire large-diameter wafer or display substrate. The purpose of the present invention is to provide an exposure device.

そして、その目的な基板上に一体的なパターン
を作成するための露光装置において、上記パター
ンは複数の同一な部分パターンのつなぎ合わせか
ら形成されるとともに、上記部分パターンを有す
るマスクを介して、所定の照明光により上記基板
上の複数領域の一つを露光する露光手段(照明
系)と、上記露光手段による露光毎に、上記照明
光の照明領域内で上記マスクを少なくとも90度ず
つ回転させるマスク回転手段(マスクステージ回
転装置)と、上記露光手段による露光毎に、上記
基板上の各領域を上記マスクを介して露光される
位置に順に移動させるため上記基板を直線的にス
テツプ移動させる基板移動手段(基板ステージ)
とを備えることにより達成している。
In an exposure apparatus for creating an integrated pattern on the target substrate, the pattern is formed by connecting a plurality of identical partial patterns, and a mask having the partial patterns is used to form a pattern. an exposure means (illumination system) for exposing one of the plurality of regions on the substrate with the illumination light; and a mask for rotating the mask by at least 90 degrees within the illumination region of the illumination light for each exposure by the exposure means. a rotation means (mask stage rotation device); and substrate movement for moving the substrate in linear steps in order to sequentially move each area on the substrate to a position to be exposed through the mask every time the exposure means performs exposure. Means (substrate stage)
This is achieved by having the following.

<実施例の説明> 以下、本発明を図に示した実施例に基づいて詳
細に説明する。
<Description of Examples> Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples shown in the drawings.

第1図は本発明の露光装置の一実施例を示すも
ので、この実施例では前述の各露光タイプのうち
プロキシミテイータイプを用いている。この図に
おいて、1はその表面に液晶表示板の画面となる
多数の画素と各画素のオン・オフを制御するため
のスイツチングトランジスタ等の回路パターンが
形成されているマスク、2はマスク1を吸着保持
するマスクステージで、モータ4によつて光軸7
を中心に回転されることにより、マスク1上のパ
ターンの方向を変化させる。5はマスク1上のパ
ターンが通常のフオトリングラフイーの手順で転
写されることにより液晶表示板として使用可能と
なるガラス基板で、対角線が14インチ程度の方形
である。
FIG. 1 shows an embodiment of an exposure apparatus of the present invention, in which a proximity type of the above-mentioned exposure types is used. In this figure, 1 is a mask on which a large number of pixels forming the screen of a liquid crystal display board and a circuit pattern such as a switching transistor for controlling the on/off of each pixel are formed, and 2 is a mask 1. The optical axis 7 is moved by the motor 4 on the mask stage which is held by suction.
By being rotated around , the direction of the pattern on the mask 1 is changed. Reference numeral 5 denotes a glass substrate which can be used as a liquid crystal display panel by transferring the pattern on the mask 1 using a normal photorinography procedure, and has a rectangular shape with a diagonal of about 14 inches.

6は不図示の光源からの特定の波長の光でマス
ク1を照明し、マスク1上のパターンを介して基
板5上の感光層を露光することにより、マスク1
上のパターンを基板6上に転写可能とするための
照明光学系で、以下その光軸7をZ方向、光軸7
に直交する平面内で直交する2つの方向をそれぞ
れX,Y方向、光軸7を中心とした回転方向をθ
方向と呼ぶ。8は基板5を保持するための基板ス
テージで、基板5をX,Y,Z,θの各方向に移
動可能なように構成される。基板5はZ方向でマ
スク1に近接されて配置されると共に、マスク1
に対して任意の部分が対向できるようにステージ
8によつてX,Y方向にステツプ移動される。ス
テージ8のステツプ移動はレーザ干渉計を用いた
精密測長システムによつて制御される。
6 illuminates the mask 1 with light of a specific wavelength from a light source (not shown), and exposes the photosensitive layer on the substrate 5 through the pattern on the mask 1.
This is an illumination optical system for making it possible to transfer the above pattern onto the substrate 6. Hereinafter, its optical axis 7 will be referred to as the Z direction and the optical axis 7.
The two orthogonal directions in the plane perpendicular to
It's called direction. Reference numeral 8 denotes a substrate stage for holding the substrate 5, which is configured to be able to move the substrate 5 in each of the X, Y, Z, and θ directions. The substrate 5 is arranged close to the mask 1 in the Z direction, and
The stage 8 moves stepwise in the X and Y directions so that any part can face the stage 8. The step movement of the stage 8 is controlled by a precision length measurement system using a laser interferometer.

9はマスク1と基板5をアライメントするため
のアライメント光学系で、2つの対物レンズ9
a,9bでマスク1とマスク1を介して基板5を
同時に2ケ所で観察可能としている。
9 is an alignment optical system for aligning the mask 1 and the substrate 5, and includes two objective lenses 9.
a and 9b, the substrate 5 can be observed at two places simultaneously through the mask 1 and the mask 1.

次に、この実施例の動作を説明する。まず、マ
スク1をマスクステージ2にセツトする。マスク
1は第2図aに示す如く基板5上に液晶画面を形
成するための画素パターン1aと各画素の駆動を
制御するための回路パターン1bを有している。
マスク1はその中心が光軸7と一致するようにセ
ツトされると共に、画素パターン1aの周囲の鏡
界線がX方向もしくはY方向と平行となるように
マスクステージ2に固定される。この後、不図示
の搬送手段により基板5が基板ステージ8上に搬
送される。基板5は搬送途中でプリアライメント
された後、ステージ8上に搬送されるので、ステ
ージ8上に固定された際には、露光位置のマスク
1aに対して部分領域5aが概略アライメントさ
れている。基板5がステージ8に固定されると、
ステージ8のZ駆動系は不図示のギヤツプセンサ
ーの出力に基づいてマスク1aと基板5を平行
で、且つその間隔が例えば30μm以内の微小量と
なるように基板5をZ方向に駆動する。
Next, the operation of this embodiment will be explained. First, mask 1 is set on mask stage 2. As shown in FIG. 2a, the mask 1 has a pixel pattern 1a for forming a liquid crystal screen on a substrate 5 and a circuit pattern 1b for controlling the driving of each pixel.
The mask 1 is set so that its center coincides with the optical axis 7, and is fixed on the mask stage 2 so that the mirror field line around the pixel pattern 1a is parallel to the X direction or the Y direction. Thereafter, the substrate 5 is transported onto the substrate stage 8 by a transport means (not shown). Since the substrate 5 is pre-aligned during transportation and then transported onto the stage 8, when it is fixed on the stage 8, the partial region 5a is approximately aligned with the mask 1a at the exposure position. When the substrate 5 is fixed to the stage 8,
The Z drive system of the stage 8 drives the substrate 5 in the Z direction based on the output of a gap sensor (not shown) so that the mask 1a and the substrate 5 are parallel to each other and the distance between them is minute, for example, within 30 μm.

この後、アライメント光学系9を介してステー
ジジ8のX,Y,θの各駆動系を制御してマスク
1と基板5の部分5aとをアライメントし、アラ
イメント完了後、照明系6からの光によつてマス
ク1を照明して、基板5の部分5aを露光する。
これにより、マスク1のパターンは基板5の部分
5aに転写される。
Thereafter, the X, Y, and θ drive systems of the stage 8 are controlled via the alignment optical system 9 to align the mask 1 and the portion 5a of the substrate 5. After the alignment is completed, light from the illumination system 6 is controlled. The mask 1 is illuminated with light to expose the portion 5a of the substrate 5.
Thereby, the pattern of the mask 1 is transferred to the portion 5a of the substrate 5.

部分5aへのパターンの転写が完了すると、マ
スクステージ2はモータ4により時計方向に90゜
回転されて、マスク1上のパターンの向きを第2
図bに示す如く設定する。これと同時に基板ステ
ージ8は矢印方向(X方向)にステツプ移動し、
第2図bに示す如く、基板5の部分5bをマスク
1に対向させる。この後、前述の場合と同様に
X,Y,Z,θの各方向のアライメントが行なわ
れ、マスク1のパターンが第2図bに示す如く
90゜回転された状態で基板5の部分5bに転写さ
れる。以下、第2図c、第2図dに示す如く、マ
スクステージ2の90゜の回転と基板ステージ8の
ステツプ移動がマスク1の照明が終了するごとに
繰り返えされて、マスク1のパターンが90゜づつ
方向を変化させながら基板5の部分5c,5dに
転写される。これにより、基板5の中央部分には
僅かに重なり合つた4つの画素パターン1aによ
つて液晶画面が形成されると共に、その周囲には
液晶画面の制御を行なうための制御回路が形成さ
れる。
When the transfer of the pattern onto the portion 5a is completed, the mask stage 2 is rotated 90 degrees clockwise by the motor 4 to change the direction of the pattern on the mask 1 to the second direction.
Set as shown in Figure b. At the same time, the substrate stage 8 moves stepwise in the arrow direction (X direction).
As shown in FIG. 2b, a portion 5b of the substrate 5 is placed opposite the mask 1. After this, alignment in the X, Y, Z, and θ directions is performed in the same way as in the previous case, and the pattern of mask 1 is as shown in Figure 2b.
The image is transferred onto the portion 5b of the substrate 5 in a 90° rotated state. Thereafter, as shown in FIGS. 2c and 2d, the 90° rotation of the mask stage 2 and the step movement of the substrate stage 8 are repeated every time the illumination of the mask 1 is completed, and the pattern of the mask 1 is is transferred onto portions 5c and 5d of the substrate 5 while changing the direction by 90 degrees. As a result, a liquid crystal screen is formed in the central portion of the substrate 5 by four slightly overlapping pixel patterns 1a, and a control circuit for controlling the liquid crystal screen is formed around the liquid crystal screen.

なお、マスク1のパターンを基板5へ転写する
際、マスク1に対向していない基板5の残りの3/
4の部分は照明光に対して遮光されている。
Note that when transferring the pattern of the mask 1 to the substrate 5, the remaining 3/3 of the substrate 5 that is not facing the mask 1 is
The portion 4 is shielded from illumination light.

次に、第3図を用いて、ミラープロジエクシヨ
ンタイプの実施例を説明するが、この図におい
て、前述の実施例と同じ機能のものについては同
一の符号を付している。10はマスクステージ2
をθ方向に回転させるためのマスクステージ回転
装置、11はマスクステージ2によつて所定位置
にアライメントされたマスクのパターンを基板5
上へ等倍投影する凹面鏡と凸面鏡の組み合せから
なる周知のミラー投影系、12は投影系11のピ
ント面と基板5の表面の間隔を検出するためのギ
ヤツプセンサーで、例えば、エアーマイクロセン
サー、基板5からの反射光で間隔を検出する光電
タイプのセンサーである。ギヤツプセンサー12
は複数設けられ、基板5の表面上の複数の点につ
いてピント面までの距離を検出する。13はY方
向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガイ
ドレール14に沿つて移動可能なLAB(リニアエ
アーベアリング)で、一方はX,Z方向拘束タイ
プ、他方はZ方向拘束タイプとなされている。な
お、投影系11の光軸は照明系6の光軸7と一致
している。
Next, an embodiment of the mirror projection type will be described with reference to FIG. 3. In this figure, the same reference numerals are given to the same functions as in the previous embodiment. 10 is mask stage 2
A mask stage rotation device 11 rotates the mask pattern in a predetermined position by the mask stage 2 onto the substrate 5.
A well-known mirror projection system consisting of a combination of a concave mirror and a convex mirror projects upward at the same magnification. Reference numeral 12 denotes a gap sensor for detecting the distance between the focal plane of the projection system 11 and the surface of the substrate 5, such as an air microsensor, a substrate 5 This is a photoelectric type sensor that detects the distance using reflected light from the sensor. Gap sensor 12
A plurality of are provided, and the distances to the focal plane are detected for a plurality of points on the surface of the substrate 5. 13 is a LAB (linear air bearing) that can be moved along two guide rails 14 provided in the Y direction (perpendicular to the plane of the paper), one of which is of the X and Z direction restraint type and the other of which is the Z direction restraint type. being done. Note that the optical axis of the projection system 11 coincides with the optical axis 7 of the illumination system 6.

15はマスクステージ2、基板ステージ8、マ
スク搬送装置10を一定の関係で保持しているホ
ルダーで、LAB13に支持されることによりマ
スク1と基板5を投影系11に対して一体的に移
動可能としている。16はマスク1を照明するた
めの照明系6、ミラー投影系11、ガイドレール
14が一定の関係で取付けられる基台、17は基
板収納部18内の基板5を基板ステージ8へ搬送
するための基板搬送装置の一部を構成する搬送ベ
ルトで、ベルト17を介して収納部18から取り
出された基板5は所定のプリアライメントが行な
われた後、ステージ8上に固定される。ステージ
8はホルダー15に対して基板5をX,Y,Z,
θの各方向に移動可能とすると共に、レーザ干渉
計を用いた測長システムによつてX,Y方向の移
動量が制御される。他の構成、機能等は前述の実
施例と同様である。
Reference numeral 15 denotes a holder that holds the mask stage 2, substrate stage 8, and mask transport device 10 in a fixed relationship, and by being supported by the LAB 13, the mask 1 and substrate 5 can be moved integrally with respect to the projection system 11. It is said that 16 is a base on which an illumination system 6 for illuminating the mask 1, a mirror projection system 11, and a guide rail 14 are attached in a fixed relationship; 17 is a base for transporting the substrate 5 in the substrate storage section 18 to the substrate stage 8; The substrate 5 taken out from the storage section 18 via the belt 17 is fixed on the stage 8 after being subjected to a predetermined pre-alignment. The stage 8 moves the substrate 5 to the holder 15 in X, Y, Z,
It is movable in each direction of θ, and the amount of movement in the X and Y directions is controlled by a length measurement system using a laser interferometer. Other configurations, functions, etc. are the same as in the previous embodiment.

次に、この実施例の動作を第4図を用いて説明
する。この図では基板5の部分5aへのパターン
の転写が終了し、部分5bへマスク1のパターン
を転写している状態を示しているが、動作は部分
5aへのパターンの転写が終了した時点から行な
う。
Next, the operation of this embodiment will be explained using FIG. 4. In this figure, the transfer of the pattern to the portion 5a of the substrate 5 is completed, and the pattern of the mask 1 is transferred to the portion 5b. However, the operation starts from the time when the transfer of the pattern to the portion 5a is completed. Let's do it.

基板5の部分5aへのパターンの転写が終了す
ると、マスクステージ回転装置10はマスクステ
ージ2を90゜回転し、マスク1上のパターンの方
向を90゜変化させる。この後、マスクステージ2
は周知の方法によりX,Y,θの各方向に微動し
てマスク1を所定の露光位置にアライメントす
る。これと同時に基板ステージ8は基板5をホル
ダー15に対してステツプ移動し、基板5の部分
5bをミラー投影系11によつてマスク1のパタ
ーンが投影される位置にセツトする。この移動は
不図示のレーザ干渉測長システムによつて極めて
正確に制御される。
When the transfer of the pattern onto the portion 5a of the substrate 5 is completed, the mask stage rotation device 10 rotates the mask stage 2 by 90 degrees, thereby changing the direction of the pattern on the mask 1 by 90 degrees. After this, mask stage 2
aligns the mask 1 to a predetermined exposure position by making slight movements in each of the X, Y, and θ directions using a well-known method. At the same time, the substrate stage 8 moves the substrate 5 in steps relative to the holder 15, and sets the portion 5b of the substrate 5 at a position where the pattern of the mask 1 is projected by the mirror projection system 11. This movement is extremely accurately controlled by a laser interferometric measurement system (not shown).

この後、ギヤツプセンサー12によつて検出さ
れた投影系11のピント面と基板5の部分5b間
の複数の間隔情報に基づいてステージ8のZ駆動
系が作動し、投影系のピント面に部分5bの表面
が一致される。Z方向のアライメント(フオーカ
シング)が完了すると、アライメント光学系の対
物レンズ9a,9bによつてマスク1上の2つの
アライメントマーク「+」と部分5b上のアライ
メントマーク「+」が投影系11を介してそれぞ
れ同時に観察され、両者が一致するまで基板5が
X,Y,θの各方向に移動される。
Thereafter, the Z drive system of the stage 8 is operated based on a plurality of pieces of interval information between the focus plane of the projection system 11 and the portion 5b of the substrate 5 detected by the gap sensor 12, and surfaces are matched. When alignment (focusing) in the Z direction is completed, the two alignment marks "+" on the mask 1 and the alignment mark "+" on the portion 5b are projected through the projection system 11 by the objective lenses 9a and 9b of the alignment optical system. The substrate 5 is moved in each of the X, Y, and θ directions until both are observed simultaneously.

アライメントが完了すると、照明系6はミラー
投影系11の最良結像領域の形状に対応してマス
ク1bを照明領域が円弧状となるように照明す
る。この状態でホルダー15はY方向(矢印方
向)にLAB13によつて案内されながら一定の
速度で移動する。これによつて、マスク1と基板
5の部分5bは一体的に投影系11に対して移動
することになり、部分5bはマスク1のパターン
を通過した照明光によつて順次露光され、パター
ンが図示の方向に転写される。部分5bへのパタ
ーンの転写が完了すると、基板ステージ8、マス
クステージ回転装置10は再び作動し、基板5の
部分5cを投影系11の投影領域に移動させると
共に、ステージ2上のマスク1を光軸7を中心と
して反時計方向に90゜回転する。なお、この時に
は対物レンズ9a,9bを矢印方向(Y方向)に
所定量移動して、マスク1上の前述の場合とは異
なつた2つのアライメントマーク「+」を観察可
能とする。以後、前述と同様な動作を繰り返し
て、マスク1のパターンを基板5の部分5c,5
dにそれぞれ90゜回転させた状態で転写する。
When the alignment is completed, the illumination system 6 illuminates the mask 1b so that the illumination area has an arc shape in accordance with the shape of the best image forming area of the mirror projection system 11. In this state, the holder 15 moves at a constant speed in the Y direction (arrow direction) while being guided by the LAB 13. As a result, the mask 1 and the portion 5b of the substrate 5 move integrally with respect to the projection system 11, and the portion 5b is sequentially exposed to the illumination light that has passed through the pattern of the mask 1, so that the pattern is Transferred in the direction shown. When the transfer of the pattern to the portion 5b is completed, the substrate stage 8 and the mask stage rotation device 10 are operated again to move the portion 5c of the substrate 5 to the projection area of the projection system 11, and the mask 1 on the stage 2 is exposed to light. Rotate 90 degrees counterclockwise around axis 7. At this time, the objective lenses 9a and 9b are moved by a predetermined amount in the direction of the arrow (Y direction), so that two alignment marks "+" on the mask 1, which are different from those in the above case, can be observed. Thereafter, repeating the same operation as described above, the pattern of the mask 1 is applied to the parts 5c, 5 of the substrate 5.
d with each image rotated 90 degrees.

マスクのパターンが全面に転写された基板5は
基板搬送装置によつてステージ8から収納部18
に搬送、収納される。この間にマスクステージ回
転装置はマスク1を再び90゜回転して初期状態に
セツトする。新たな基板5がステージ8にセツト
された際、前述の露光動作は再び繰り返される。
The substrate 5 with the mask pattern transferred onto the entire surface is transferred from the stage 8 to the storage section 18 by the substrate transfer device.
transported and stored. During this time, the mask stage rotation device again rotates the mask 1 by 90 degrees and sets it to the initial state. When a new substrate 5 is set on the stage 8, the above-described exposure operation is repeated again.

<実施例の変形例> なお、前述の実施例ではプロキシミテイ、ミラ
ープロジエクシヨンタイプのものを示したが、本
発明はこれらに限定されるものではなく、例え
ば、投影レンズを等倍ももしくは拡大系としたス
テツプアンドリピートのレンズプロジエクシヨン
タイプ、所謂ステツパータイプにも適用可能であ
る。
<Modifications of Embodiments> In the above-mentioned embodiments, proximity and mirror projection types were shown, but the present invention is not limited to these. For example, the projection lens may be It is also applicable to a step-and-repeat lens projection type, a so-called stepper type, which is an enlargement system.

<発明の効果> 以上の如く、本発明によれば、大面積の基板に
対してもその全面にパターンを高精度に露光する
ことができるので、大口径の半導体ウエハーの処
理や大画面の液晶表示器の製造が可能となる。ま
た、そのために投影系を大型化する必要もない。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, it is possible to expose a pattern on the entire surface of a large-area substrate with high precision, so it is suitable for processing large-diameter semiconductor wafers and large-screen liquid crystal displays. It becomes possible to manufacture display devices. Further, there is no need to increase the size of the projection system for this purpose.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の露光装置の一実施例を示す平
面図、第2図a,b,c,dは第1図の実施例の
動作を説明するための斜視図、第3図は本発明の
露光装置の他の実施例を示す平面図、第4図は第
3図の実施例の動作を説明するための斜視図であ
る。 1a,1b,1c,1d……マスク、2……マ
スクステージ、5……ガラス基板、6……照明光
学系、8……基板ステージ、9……アライメント
光学系、10……マスクステージ回転装置、11
……ミラー投影系、13……LAB(リニアエアー
ベアリング)、15……ホルダー。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention, FIGS. 2a, b, c, and d are perspective views for explaining the operation of the embodiment of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the exposure apparatus of the invention, and FIG. 4 is a perspective view for explaining the operation of the embodiment of FIG. 1a, 1b, 1c, 1d...Mask, 2...Mask stage, 5...Glass substrate, 6...Illumination optical system, 8...Substrate stage, 9...Alignment optical system, 10...Mask stage rotation device , 11
...Mirror projection system, 13...LAB (linear air bearing), 15...Holder.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 基板上に一体的なパターンを作成するための
露光装置であつて、 上記パターンは複数の同一な部分パターンのつ
なぎ合わせから形成されるとともに、上記部分パ
ターンを有するマスクを介して、所定の照明光に
より上記基板上の複数領域の一つを露光する露光
手段と、上記露光手段による露光毎に、上記照明
光の照明領域内で上記マスクを少なくとも90度ず
つ回転させるマスク回転手段と、上記露光手段に
よる露光毎に、上記基板上の各領域を上記マスク
を介して露光される位置に順に移動させるため上
記基板を直線的にステツプ移動させる基板移動手
段とを備えることを特徴とする露光装置。
[Scope of Claims] 1. An exposure apparatus for creating an integral pattern on a substrate, wherein the pattern is formed by connecting a plurality of identical partial patterns, and a mask having the partial patterns is formed. an exposure means for exposing one of the plurality of regions on the substrate with predetermined illumination light; and a mask for rotating the mask by at least 90 degrees within the illumination region of the illumination light each time the exposure means exposes one of the plurality of regions. and a substrate moving means for linearly moving the substrate in steps to sequentially move each area on the substrate to a position to be exposed through the mask each time the exposure means exposes the substrate. Characteristic exposure equipment.
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