JPS62183517A - Exposure apparatus - Google Patents

Exposure apparatus

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JPS62183517A
JPS62183517A JP61024067A JP2406786A JPS62183517A JP S62183517 A JPS62183517 A JP S62183517A JP 61024067 A JP61024067 A JP 61024067A JP 2406786 A JP2406786 A JP 2406786A JP S62183517 A JPS62183517 A JP S62183517A
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exposed
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exposure
original plate
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the tact time of an apparatus and improve productivity by a method wherein alignment by using alignment marks is not performed for exposure after 2nd shot and an object to be exposed is transferred step by step so as to be placed at a predetermined position accurately by the other means such as a laser interferometer. CONSTITUTION:When 1st mask 1a is exposed, at first the mask 1a is aligned with mask reference marks 17 by a microscope 19. After that, the alignment marks of the mask 1a and the alignment marks of a substrate 3 formed in a previous process are measured by the microscope 19 to align the mask 1a and the substrate 3 and the 1st exposure is performed. When 2nd mask 1b is exposed, the mask 1b is aligned with the mask reference marks 17 by the microscope 19. After that, the substrate 3 is transferred accurately step by step so as to be placed at a predetermined position and be exposed while the position of the substrate 3 is being measured by a laser interferometer 14 and a scourer 15 provided on a stage.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野] 本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば液晶
パターンを位置整合良く焼付ける露光装置に関し、特に
大画面を分割して露光する露光装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of the Invention] The present invention relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, onto an exposed object with good positional alignment, and particularly relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, onto an exposed object with good positional alignment, and particularly relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, on an exposed object with good positional alignment. Regarding equipment.

[従来の技#i] 従来、計算機の出力表示等に使用されるディスプレイ装
置としてはCRT方式によるものが一般的であった。と
ころが、CRT方式では■装置の形状が大きく、重量が
重くなる。
[Conventional Technique #i] Conventionally, display devices used for displaying the output of computers, etc., have generally been based on the CRT system. However, in the CRT system, (1) the device is large in size and heavy;

■消費電力が多い。■High power consumption.

■画面のチラッキにより目が疲れる。■Flickering on the screen makes your eyes tired.

等の欠点があった。そこで、近年ではCRT方式以外の
表示装置が考えられ、その中でも特に液晶ディスプレイ
が注目されてきた。
There were drawbacks such as. Therefore, in recent years, display devices other than the CRT type have been considered, and among them, liquid crystal displays have attracted particular attention.

この液晶ディスプレイを製造する工程は半導体製造工程
と非常に良く似ており、製造の際は露光装置として半導
体露光装置が使われている。
The process of manufacturing this liquid crystal display is very similar to the semiconductor manufacturing process, and a semiconductor exposure device is used as the exposure device during manufacturing.

液晶ディスプレイを製造する際の露光方法として一般的
なものには、マスクと基板とをコンタクトして露光する
方法、またはマスクと基板との間に数10μmのギャッ
プを保ち露光するプロキシミティ露光方法がある。とこ
ろが、これらの方法ではマスクのダメージあるいはゴミ
によるパターンの欠陥が多く発生するため生産性が悪い
。そこで、最近ではレンズ投影系やミラー投影系を用い
、基板の被露光領域をいくつかに分は複数枚の異種類の
マスクを使用して、それぞれの被露光領域に対応するマ
スクのパターンを焼付けて液晶大画面を形成する露光方
法が考えられている。これは、基板ステップ毎にマスク
を交換しマスク基板の位置合せをして、レンズ投影系に
おいては静止露光をし、またミラー投影系においては走
査露光をし、順次このような部分的な露光動作を繰返す
ことにより液晶大画面を形成するものである。
Common exposure methods for manufacturing liquid crystal displays include a method in which a mask and a substrate are exposed by contacting each other, and a proximity exposure method in which a gap of several tens of micrometers is maintained between the mask and the substrate for exposure. be. However, with these methods, productivity is low because many pattern defects occur due to mask damage or dust. Therefore, recently, a lens projection system or a mirror projection system is used, and multiple masks of different types are used to separate several exposed areas of the substrate, and the pattern of the mask corresponding to each exposed area is printed. An exposure method for forming a large liquid crystal screen is being considered. This involves changing the mask and aligning the mask substrate for each substrate step, performing static exposure in a lens projection system, and scanning exposure in a mirror projection system, and sequentially performing such partial exposure operations. By repeating this process, a large liquid crystal screen is formed.

このような分割露光によって液晶大画面を形成する上で
考慮すべき重要な点は、複数枚のマスクのパターンを1
枚の基板上に転写した際の各マスクパターンの配置精度
である。この配置精度が悪い場合には、各マスクパター
ン間の境界領域にてパターンの重なりや離れが生じ、液
晶画面の性能が十分に得られない。このため、各マスク
パターンを配置精度良く基板上に転写する必要がある。
An important point to consider when forming a large LCD screen using such divided exposure is that the patterns of multiple masks can be combined into one.
This is the placement accuracy of each mask pattern when transferred onto a single substrate. If this placement accuracy is poor, patterns may overlap or be separated from each other in the boundary area between each mask pattern, making it impossible to obtain sufficient performance of the liquid crystal screen. Therefore, it is necessary to transfer each mask pattern onto the substrate with high placement accuracy.

通常、液晶画面を形成するには4〜5工程の重ね露光を
必要とする。まず、第1工程においては各マスクを所定
の位置へ位置決めし、基板側をレーザ干渉計等の高精度
測長器により計測してステップ移動を行ない、ステップ
毎に異種類のマスクの像を転写する。第2工程以降は、
この第1工程により焼付けられたパターンに対し、再び
第1工程と同様に基板をステップ移動して第2工程以降
のマスクの像を転写する。
Normally, four to five overlapping exposure steps are required to form a liquid crystal screen. First, in the first step, each mask is positioned at a predetermined position, the substrate side is measured with a high-precision length measuring device such as a laser interferometer, and the image of a different type of mask is transferred at each step. do. After the second step,
With respect to the pattern printed in the first step, the substrate is again moved in steps in the same manner as in the first step to transfer the mask image in the second and subsequent steps.

本発明は、この第1工程により焼付けられたパターンに
対し重ね合せ焼付けを行なう第2工程以降のマスクおよ
び基板のアライメントを好適に行なう露光装置に関する
The present invention relates to an exposure apparatus that suitably performs alignment of a mask and a substrate in a second step and subsequent steps in which overlay printing is performed on the pattern printed in the first step.

従来、この種の装置のマスクおよび基板のアライメント
方式としてはダイバイダイ方式が一般的であった。ダイ
バイダイ方式とは、所定の位置に位置決めされたマスク
に設けられたアライメントマークと前工程で基板に設け
られたアライメントマークの両マークをレーザ等の光で
照射し、投影光学系および顕微鏡を通して反射してくる
光の光量変化から両マークの位置を検出し、演算回路に
てマスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量
に基づいて基板を駆動する位置決め動作をショット毎に
行なうものである。
Conventionally, a die-by-die method has been common as a mask and substrate alignment method for this type of device. In the die-by-die method, both the alignment mark made on the mask positioned at a predetermined position and the alignment mark made on the substrate in the previous process are irradiated with light such as a laser, and the light is reflected through the projection optical system and microscope. This system detects the positions of both marks from changes in the amount of light coming in, calculates the amount of misalignment between the mask and the substrate using an arithmetic circuit, and performs a positioning operation to drive the substrate based on the amount of misalignment for each shot. be.

ダイバイダイ方式では基板の被露光領域をいくつかに分
けてそのショット領域毎にアライメントするため、基板
の温度による伸縮、基板の局所的な変形による位置ずれ
等の基板要因による位置ずれ、および投影光学系倍率に
よる位置ずれが補正でき、アライメント精度は向上する
。しかし、各ショット毎にアライメントを行なうため、
アライメントにかかる所要時間(通常のショットアライ
メントタイム2秒)が加算され、装置のタクトタイムが
長くなり生産性が落ちるという不都合があった。
In the die-by-die method, the exposed area of the substrate is divided into several areas and alignment is performed for each shot area. Therefore, positional deviations due to substrate factors such as expansion and contraction due to substrate temperature, positional deviation due to local deformation of the substrate, and projection optical system Positional deviations due to magnification can be corrected, improving alignment accuracy. However, since alignment is performed for each shot,
This has the disadvantage that the time required for alignment (normal shot alignment time of 2 seconds) is added, which increases the takt time of the apparatus and reduces productivity.

[発明の目的] 本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、分割露
光方式による露光装置において、第2番目以降のマスク
を露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタク
トタイムを短くして生産性を向上させることにある。
[Object of the Invention] In view of the above-mentioned problems of the conventional method, an object of the present invention is to eliminate the alignment time when exposing the second and subsequent masks in an exposure apparatus using a divided exposure method, and to reduce the takt time of the apparatus. The goal is to shorten it and improve productivity.

[発明の概要] 上記の目的を達成するため本発明では、マスクは常に所
定の位置に位置決めし、第1番目に露光するマスクの位
置決めマークと前工程で形成された基板の位置決めマー
クとを用いてマスクと基板との位置ずれを計測し、基板
側を駆動することによりマスクと基板の位置合せをし、
露光を行なう。
[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, in the present invention, the mask is always positioned at a predetermined position, and the positioning mark of the mask exposed first and the positioning mark of the substrate formed in the previous process are used. Measures the misalignment between the mask and the substrate, and aligns the mask and substrate by driving the substrate side.
Perform exposure.

次に、第2番目以降のマスクを露光する場合には、マス
クはやはり所定の位置へ位置決めし、基板側はレーザ干
渉計等により計測しながら所定の位置へステップ移動し
て、露光を行なう。この場合、第2番目以降のアライメ
ントに要する時間は必要なく、装置のタクトタイムは短
くなり、生産性が向上する。
Next, when exposing the second and subsequent masks, the masks are positioned at a predetermined position, and the substrate side is moved step by step to a predetermined position while being measured by a laser interferometer, etc., and exposure is performed. In this case, the time required for the second and subsequent alignments is not necessary, the takt time of the apparatus is shortened, and productivity is improved.

[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Explanation of Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割走査
により大画面を露光するステップアンドスキャン型の露
光装置である。
FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-scan type exposure apparatus that uses a mirror projection system to expose a large screen by divided scanning.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX。
In the figure, 1 is a photomask on which a printed pattern is formed, and 2 is an X with mask 1 mounted thereon.

Y、θ方向に移動可能なマスクステージである。This is a mask stage that can move in the Y and θ directions.

3は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素
とこれらの画素のオン・オフを制御するためのスイッチ
ングトランジスタが通常のフォトリソグラフィの手順で
形成されるガラス基板で、対角線の長さが14インチ程
度の方形である。4は基板3を保持してX、Y、θ方向
に移動可能な基板ステージである。基板ステージ4のス
テップ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた精密測長シ
ステムによって制御される。5は凹面鏡と凸面鏡の組み
合せからなる周知のミラー投影系で、マスクステージ2
によって所定位置にアライメントされたマスク1のパタ
ーン像を基板3上へ等倍投影する。
3 is a glass substrate on which a large number of pixels and switching transistors for controlling on/off of these pixels are formed by normal photolithography procedures in order to manufacture a liquid crystal display board, and the length of the diagonal line is is about 14 inches square. Reference numeral 4 denotes a substrate stage that can hold the substrate 3 and move in the X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is controlled by a precision length measurement system using a laser interferometer (not shown). 5 is a well-known mirror projection system consisting of a combination of a concave mirror and a convex mirror, and the mask stage 2
The pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position is projected onto the substrate 3 at the same size.

6は不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあ
るマスク1を照明する照明光学系で、マスク上のパター
ンを介して基板3上の感光層を露光することにより、マ
スク上のパターンを基板3に転写可能とするためのもの
である。なお、投影系5の光軸は照明系6の光軸と一致
させである。
Reference numeral 6 denotes an illumination optical system that illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown), and by exposing the photosensitive layer on the substrate 3 through the pattern on the mask, This is to enable the pattern to be transferred onto the substrate 3. Note that the optical axis of the projection system 5 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 6.

7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガ
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向)、Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
7 is a LAB (linear air bearing) that can be moved along two guide rails 8 provided in the Y direction (perpendicular to the page), one of which is movable in the X direction (horizontal direction of the page) and Z direction (direction perpendicular to the page). The other type is a Z-direction restraint type. 9 is a holder (carriage) that holds the mask stage 2 and substrate stage 4 in a fixed relationship;
7, the mask 1 on the mask stage 2 and the substrate 3 on the substrate stage 4 can be integrally transferred.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するた
めのマスク搬送装置、12は投影系5のピント面と基板
3の表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、
例えばエアマイクロセンサや、基板3からの反射光で間
隔を検出する光電タイプのセンサである。13は投影系
5、照明系6およびガイドレール8を一定の関係で取付
けるための基台である。
11 is a mask transport device for sequentially transporting each mask 1 to the mask stage 2; 12 is a gap sensor for detecting the distance between the focal plane of the projection system 5 and the surface of the substrate 3;
For example, an air microsensor or a photoelectric type sensor that detects the distance using reflected light from the substrate 3 is used. Reference numeral 13 denotes a base on which the projection system 5, illumination system 6, and guide rail 8 are mounted in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系5下
の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターンの
露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板のルイヤ分の
パターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four exposed areas, and these exposed areas are sequentially sent to the exposure area under the mask 1 and the projection optical system 5 by step movement of the substrate stage 4. The mask pattern is exposed four times, and the pattern for the liquid crystal display board is printed on the entire surface of the substrate 3.

第2図は、第1図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 1.

なお、第1図と同一または共通の部分は同一の符番で示
す。第2図において、1aは第1番目の焼付はパターン
が形成されているフォトマスク、1b、1c、ldは同
様に第2.3.4番目の焼付はパターンが形成されてい
るフォトマスクである。また、14はレーザ干渉計、1
5はスコヤ、17は装置側のマスク基準マーク、19は
マスク1の位置決めマークとマスク基準マーク17を計
測し、またマスク1と基板3の位置決めマークを計測す
るための顕微鏡である。なお、レーザ干渉計14からの
光の経路を示すため、LAB7やホルダ9の一部分等は
省略している。
Note that the same or common parts as in FIG. 1 are indicated by the same reference numerals. In Fig. 2, 1a is a photomask on which a pattern is formed on the first printing, and 1b, 1c, and ld are photomasks on which a pattern is similarly formed on the 2nd, 3rd, and 4th printings. . In addition, 14 is a laser interferometer, 1
Reference numeral 5 denotes a scorer, 17 a mask reference mark on the apparatus side, and 19 a microscope for measuring the positioning mark of the mask 1 and the mask reference mark 17, and for measuring the positioning marks of the mask 1 and the substrate 3. Note that in order to show the path of light from the laser interferometer 14, parts of the LAB 7 and the holder 9 are omitted.

第2図において、第1番目のマスク1aを露光する場合
、まず、マスク1aを装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。
In FIG. 2, when exposing the first mask 1a, the mask 1a is first positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19.

その後、マスク1aの位置決めマークと前工程で形成さ
れた基板3の位置決めマークとを顕微鏡19を用いて計
測してマスク1aと基板3の位置決めをし、第1番目の
露光を行なう。
Thereafter, the positioning mark of the mask 1a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured using the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1bを露光する場合、まず、マ
スク1bを装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡
19を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14
とステージ上に設けたスコヤ15を用いて基板3の位置
を計測しつつ、基板3が所定の位置に設定されるように
正確に基板3をステップ移動し、露光を行なう。
Next, when exposing the second mask 1b, the mask 1b is first positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19. After that, the laser interferometer 14
While measuring the position of the substrate 3 using a scorer 15 provided on the stage, the substrate 3 is accurately moved step by step so that the substrate 3 is set at a predetermined position, and exposure is performed.

第3図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成を示す。同図の装置は、レンズ投影系を用いて分割露
光により大画面を露光するステップアンドリピート型の
露光装置である。
FIG. 3 shows a schematic configuration of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-repeat type exposure apparatus that exposes a large screen by dividing exposure using a lens projection system.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX。
In the figure, 1 is a photomask on which a printed pattern is formed, and 2 is an X with mask 1 mounted thereon.

Y、θ方向に移動可能なマスクステージである。This is a mask stage that can move in the Y and θ directions.

3は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素
とこれらの画素のオン・オフを制御するためのスイッチ
ングトランジスタが通常のフォトリソグラフィの手順で
形成されるガラス基板で、対角線の長さが14インチ程
度の方形である。4は基板3を保持してX、Y、θ方向
に移動可能な基板ステージである。基板ステージ4のス
テップ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた精密測長シ
ステムによって111111される。31は複数枚のレ
ンズよりなるレンズ投影系で、マスクステージ2によっ
て所定位置にアライメントされたマスク1のパターン像
を基板3上へ投影する。なお、投影倍率は縮小、拡大、
等倍のいずれでも差しつかえない。32は不図示の光源
からの特定の波長の光で露光位置にあるマスク1を照明
する照明光学系で、マスク1上のパターンを介して基板
3上の感光層を露光することにより、マスク1上のパタ
ーンを基板3に転写可能とするためのものである。なお
、投影系31の光軸は照明系32の光軸と一致させであ
る。
3 is a glass substrate on which a large number of pixels and switching transistors for controlling on/off of these pixels are formed by normal photolithography procedures in order to manufacture a liquid crystal display board, and the length of the diagonal line is is about 14 inches square. Reference numeral 4 denotes a substrate stage that can hold the substrate 3 and move in the X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is performed by a precision length measurement system using a laser interferometer (not shown). A lens projection system 31 includes a plurality of lenses, and projects a pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position by the mask stage 2 onto the substrate 3. Note that the projection magnification is reduced, enlarged,
Any size of the same size will do. Reference numeral 32 denotes an illumination optical system that illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown). This is to enable the upper pattern to be transferred onto the substrate 3. Note that the optical axis of the projection system 31 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 32.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するた
めのマスク搬送装置であり、13は投影系31、照明系
32および基板ステージ4を一定の関係で取付けるため
の基台である。
11 is a mask transport device for sequentially transporting each mask 1 to the mask stage 2, and 13 is a base for mounting the projection system 31, the illumination system 32, and the substrate stage 4 in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系31
下の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターン
の露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板のルイヤ分
のパターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four regions to be exposed, and these regions are divided into the mask 1 and the projection optical system 31 by step movement of the substrate stage 4.
The mask pattern is exposed to light four times by sequentially sending it to the lower exposure area, and a pattern for the LCD panel is printed on the entire surface of the substrate 3.

第4図は、第3図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 3.

なお、第3図と同一または共通の部分は同一の符番で示
す。第4図において、1aは第1番目の焼付はパターン
が形成されているフォトマスク、lb、 1c、 1d
は同様に第2.3.4番目の焼付はパターンが形成され
ているフォトマスクである。また、14はレーザ干渉計
、15はスコヤ、17は装置側のマスク基準マーク、1
9はマスク1の位置決めマークとマスク基準マーク17
を計測し、またマスク1と基板3の位置決めマークを計
測するための顕微鏡である。
Note that the same or common parts as in FIG. 3 are indicated by the same reference numerals. In FIG. 4, 1a is a photomask on which a pattern is formed in the first printing, lb, 1c, 1d
Similarly, the 2nd, 3rd, and 4th printing is a photomask on which a pattern is formed. In addition, 14 is a laser interferometer, 15 is a scorer, 17 is a mask reference mark on the device side, 1
9 is the positioning mark of mask 1 and mask reference mark 17
This is a microscope for measuring the positioning marks of the mask 1 and the substrate 3.

第4図において、第1番目のマスク1aを露光する場合
、まず、マスク1aを装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。
In FIG. 4, when exposing the first mask 1a, first, the mask 1a is positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19.

その後、マスク1aの位置決めマークと前工程で形成さ
れた基板3の位置決めマークとを顕微鏡19を用いて計
測してマスク1aと基板3の位置決めをし、第1番目の
露光を行なう。
Thereafter, the positioning mark of the mask 1a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured using the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1bを露光する場合、まず、マ
スク1bを装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡
19を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14
とステージ上に設けたスコヤ15を用いて基板3の位置
を計測しつつ、基板3が所定の位置に設定されるように
正“確に基板3をステップ移動し、露光を行なう。
Next, when exposing the second mask 1b, the mask 1b is first positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19. After that, the laser interferometer 14
While measuring the position of the substrate 3 using a scorer 15 provided on the stage, the substrate 3 is accurately moved step by step so that the substrate 3 is set at a predetermined position, and exposure is performed.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、分割露光方式によ
る露光装置において、第1番目の露光については原板の
位置決めマークと被露光体の位置決めマークとを用いて
アライメントし、第2番目以降の露光については位置決
めマークによるアライメントは行なわずレーザ干渉計等
の別学段によって被露光体が正確に所定位置にくるよう
にステップ移動しているので、第2番目以降のマスクを
露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタクト
タイムを短くして生産性を向上させることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, in an exposure apparatus using a divided exposure method, alignment is performed using the positioning mark on the original plate and the positioning mark on the exposed object for the first exposure, and For the second and subsequent exposures, alignment using positioning marks is not performed, but a separate device such as a laser interferometer is used to move the exposed object step by step so that it is precisely at the predetermined position, so that the second and subsequent masks can be exposed. It is possible to eliminate the alignment time during the process, shorten the takt time of the device, and improve productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図、 第2図は、第1図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図、第3図は、本発明の伯
の実施例に係る露光装置の概略構成図、 第4図は、第3図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。 1:フォトマスク、  2:マスクステージ、3:基板
、4:基板ステージ、5:ミラー投影系、9:ホルダ(
キャリッジ)、 13:基台、14:レーザ干渉計、 
    15:スコヤ、17:マスク基準マーク、  
 19:顕微鏡、31:レンズ投影系、     32
:照明系。
1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 1, and FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 3. 1: Photomask, 2: Mask stage, 3: Substrate, 4: Substrate stage, 5: Mirror projection system, 9: Holder (
carriage), 13: base, 14: laser interferometer,
15: Scoya, 17: Mask reference mark,
19: Microscope, 31: Lens projection system, 32
:Lighting system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被露光体表面を複数の被露光領域に分割し、異種類
の原板の像をそれぞれ各被露光領域に投影する露光装置
であって、 上記各被露光領域の露光の際に該被露光領域に投影する
パターンを有する原板を所定の位置に位置決めする原板
位置決め手段と、上記原板に付された位置決めマークと
予め前工程で形成された被露光体上の位置決めマークと
を用いて上記原板に対し被露光体を位置決めする被露光
体位置決め手段と、上記被露光体の位置を計測する計測
手段とを有し、第1番目の露光においては対応する原板
の位置決めの後上記被露光体位置決め手段により被露光
体の位置決めを行ない、第2番目以降の露光においては
対応する原板の位置決めの後上記計測手段の計測結果に
基づき被露光体を所定位置にステップ移動させ露光を行
なうことを特徴とする露光装置。 2、前記計測手段がレーザ干渉計によるものである特許
請求の範囲第1項記載の露光装置。 3、前記露光装置が、前記原板と被露光体とを投影光学
系に対して一体的に走査することにより原板の像を被露
光体上に投影するものである特許請求の範囲第1または
2項記載の露光装置。 4、前記露光装置が、レンズにより前記原板の像を被露
光体上に投影するものである特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。 5、前記露光装置が、原板と被露光体とを近接もしくは
密着して露光するものである特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。
[Scope of Claims] 1. An exposure apparatus that divides the surface of an exposed object into a plurality of exposed areas and projects images of different types of originals onto each exposed area, which exposes each of the exposed areas. an original plate positioning means for positioning an original plate having a pattern to be projected onto the exposed area at a predetermined position during the process; a positioning mark attached to the original plate and a positioning mark on the exposed object formed in advance in a previous process; an exposed object positioning means for positioning the exposed object with respect to the original plate using the exposure object, and a measuring means for measuring the position of the exposed object, and in the first exposure, after positioning the corresponding original plate. The exposed object is positioned by the exposed object positioning means, and in the second and subsequent exposures, after positioning the corresponding original plate, the exposed object is moved stepwise to a predetermined position based on the measurement result of the measuring means and the exposure is performed. An exposure apparatus characterized by: 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measuring means is a laser interferometer. 3. Claim 1 or 2, wherein the exposure device projects an image of the original plate onto the exposed object by integrally scanning the original plate and the exposed object with respect to a projection optical system. Exposure apparatus described in Section 2. 4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus projects an image of the original plate onto the object to be exposed using a lens. 5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus exposes the original plate and the object to be exposed in close proximity or in close contact with each other.
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