JPS62183520A - Exposure apparatus - Google Patents

Exposure apparatus

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JPS62183520A
JPS62183520A JP61024070A JP2407086A JPS62183520A JP S62183520 A JPS62183520 A JP S62183520A JP 61024070 A JP61024070 A JP 61024070A JP 2407086 A JP2407086 A JP 2407086A JP S62183520 A JPS62183520 A JP S62183520A
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JP
Japan
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mask
substrate
exposed
exposure
original plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP61024070A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Isohata
磯端 純二
Hiroyuki Takahashi
浩之 高橋
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate the factor of degradation of alignment accuracy between a mask and a substrate created in an off-axis method by a method wherein an original is aligned with the predetermined position of an apparatus main part by every step and the original and an object to be exposed are aligned with each other by using the alignment mark of the original and the alignment mark of the object to be exposed. CONSTITUTION:When 1st mask 1a is exposed, at first the mask 1a is aligned with mask reference marks 17 on an apparatus side by a microscope 19. After that, the alignment marks of the mask 1a and the alignment marks of a substrate 3 formed in a previous process are measured by the microscope 19 to align the mask 1a and the substrate 3 and the 1st exposure is performed. Then, when 2nd mask 1b is exposed, the mask 1b is also aligned with the mask reference marks 17 on the apparatus side by the microscope 19 like the 1st mask and then the alignment marks of the mask 1b and the alignment marks of the substrate 3 are measured by a microscope 19 to align the mask 1b and the substrate 3 by driving the substrate 3 and the 2nd exposure is performed. The same exposure operation is repeated for the other masks thereafter and a large picture such as a liquid crystal display can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野] 本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば液晶
パターンを位置整合良く焼付ける露光装置に関し、特に
大画面を分割して露光する露光装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of the Invention] The present invention relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, onto an exposed object with good positional alignment, and particularly relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, onto an exposed object with good positional alignment, and particularly relates to an exposure apparatus that prints a pattern image on an original plate, such as a liquid crystal pattern, on an exposed object with good positional alignment. Regarding equipment.

[従来の技術] 従来、計算機の出力表示等に使用されるディスプレイ装
置としてはCRT方式によるものが一般的であった。と
ころが、CRT方式では■装置の形状が大きく、重量が
重くなる。
[Prior Art] Conventionally, display devices used for displaying the output of computers, etc., have generally been based on the CRT system. However, in the CRT system, (1) the device is large in size and heavy;

■消費電力が多い。■High power consumption.

■画面のチラッキにより目が疲れる。■Flickering on the screen makes your eyes tired.

等の欠点があった。そこで、近年ではCRT方式以外の
表示装置が考えられ、その中でも特に液晶ディスプレイ
が注目されてきた。
There were drawbacks such as. Therefore, in recent years, display devices other than the CRT type have been considered, and among them, liquid crystal displays have attracted particular attention.

この液晶ディスプレイを製造する工程は半導体製造工程
と非常に良く似ており、製造の際は露光装置として半導
体露光装置が使われている。
The process of manufacturing this liquid crystal display is very similar to the semiconductor manufacturing process, and a semiconductor exposure device is used as the exposure device during manufacturing.

液晶ディスプレイを製造する際の露光方法として一般的
なものには、マスクと基板とをコンタクトして露光する
方法、またはマスクと基板との間に数10μmのギャッ
プを保ち露光するプロキシミティ露光方法がある。とこ
ろが、これらの方法ではマスクのダメージあるいはゴミ
によるパターンの欠陥が多く発生するため生産性が悪い
。そこで、最近ではレンズ投影系やミラー投影系を用い
、基板の被露光領域をいくつかに分は複数枚の異種類の
マスクを使用して、それぞれの被露光領域に対応するマ
スクのパターンを焼付けて液晶大画面を形成する露光方
法が考えられている。これは、基板ステップ毎にマスク
を交換しマスク基板の位置合せをして、レンズ投影系に
おいては静止露光をし、またミラー投影系においては走
査露光をし、順次このような部分的な露光動作を繰返す
ことにより液晶大画面を形成するものである。
Common exposure methods for manufacturing liquid crystal displays include a method in which a mask and a substrate are exposed by contacting each other, and a proximity exposure method in which a gap of several tens of micrometers is maintained between the mask and the substrate for exposure. be. However, with these methods, productivity is low because many pattern defects occur due to mask damage or dust. Therefore, recently, a lens projection system or a mirror projection system is used, and multiple masks of different types are used to separate several exposed areas of the substrate, and the pattern of the mask corresponding to each exposed area is printed. An exposure method for forming a large liquid crystal screen is being considered. This involves changing the mask and aligning the mask substrate for each substrate step, performing static exposure in a lens projection system, and scanning exposure in a mirror projection system, and sequentially performing such partial exposure operations. By repeating this process, a large liquid crystal screen is formed.

このような分割露光によって液晶大画面を形成する上で
考慮すべき重要な点は、複数枚のマスクのパターンを1
枚の基板上に転写した際の各マスクパターンの配置精度
である。この配置精度が悪い場合には、各マスクパター
ン間の境界領域にてパターンの重なりや離れが生じ、液
晶画面の性能が十分に得られない。このため、各マスク
パターンを配置精度良く基板上に転写する必要がある。
An important point to consider when forming a large LCD screen using such divided exposure is that the patterns of multiple masks can be combined into one.
This is the placement accuracy of each mask pattern when transferred onto a single substrate. If this placement accuracy is poor, patterns may overlap or be separated from each other in the boundary area between each mask pattern, making it impossible to obtain sufficient performance of the liquid crystal screen. Therefore, it is necessary to transfer each mask pattern onto the substrate with high placement accuracy.

通常、液晶画面を形成するには4〜5工程の重ね露光を
必要とする。まず、第1工程においては各マスクを所定
の位置へ位置決めし、基板側をレーザ干渉計等の高精度
測長器により計測してステップ移動を行ない、ステップ
毎に異種類のマスクの像を転写する。第2工程以降は、
この第1工程により焼付けられたパターンに対し、再び
第1工程と同様に基板をステップ移動して第2工程以降
のマスクの像を転写する。
Normally, four to five overlapping exposure steps are required to form a liquid crystal screen. First, in the first step, each mask is positioned at a predetermined position, the substrate side is measured with a high-precision length measuring device such as a laser interferometer, and the image of a different type of mask is transferred at each step. do. After the second step,
With respect to the pattern printed in the first step, the substrate is again moved in steps in the same manner as in the first step to transfer the mask image in the second and subsequent steps.

本発明は、この第1工程により焼付けられたパターンに
対し重ね合せ焼付けを行なう第2工程以降のマスクおよ
び基板のアライメントを好適に行−〇 − なう露光装置に関する。
The present invention relates to an exposure apparatus that suitably aligns a mask and a substrate in a second step and subsequent steps in which overlay printing is performed on the pattern printed in the first step.

従来、この種の装置のマスクおよび基板のアライメント
方式としてオフアキシス方式があった。
Conventionally, an off-axis method has been used as a mask and substrate alignment method for this type of device.

オフアキシス方式とは、固定顕微鏡に対して前工程で形
成された基板上のアライメントマークを2箇所で位置整
合し、その後は固定顕微鏡に対し位置の定められている
レーザ干渉計により基板の位置を計測し、基板を所定の
位置へステップ移動させながら順次露光をする方式であ
る。
The off-axis method aligns the alignment marks on the substrate formed in the previous process with a fixed microscope at two locations, and then measures the position of the substrate using a laser interferometer whose position is determined relative to the fixed microscope. In this method, the substrate is sequentially exposed to light while being moved step by step to a predetermined position.

この方式の場合、ショット毎にマスクと基板との位置合
せをする必要がないためタクトタイムは短く生産性は高
い。しかしながら、レーザ干渉計の測定値により基板を
ステップ移動するため、基板の温度による伸縮、基板の
局所的な変形による位置ずれ等の基板要因による位置ず
れ、および投影光学系倍率による位置ずれは計測できな
い。従って、マスクと基板との位置合せ精度が劣化する
という不都合があった。
In this method, there is no need to align the mask and substrate for each shot, so the takt time is short and productivity is high. However, since the substrate is moved in steps based on the measured values of the laser interferometer, it is not possible to measure positional deviations due to substrate factors such as expansion and contraction due to temperature of the substrate, positional deviations due to local deformation of the substrate, and positional deviations due to the magnification of the projection optical system. . Therefore, there was a problem that the alignment accuracy between the mask and the substrate deteriorated.

[発明の目的] 本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、分割露
光方式による露光装置において、マスクと基板との位置
合せ精度を向上させることにある。
[Object of the Invention] In view of the above-mentioned problems of the conventional type, an object of the present invention is to improve the alignment accuracy between a mask and a substrate in an exposure apparatus using a divided exposure method.

[発明の概要] 上記の目的を達成するため本発明では、マスクを交換毎
に所定の位置に位置決めし、各ステップ毎にマスクのア
ライメントマークと前工程で基板に設けられたアライメ
ントマークの両マークを用いて位置決めし露光を行なう
。このマスクと基板との位置決めは、マスクと基板のア
ライメントマークをレーザ等の光で照射し、投影光学系
および顕微鏡を通して反射してくる光の光量変化から両
マークの位置を検出し、演算回路にてマスクと基板との
位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量に基づいて基板を
駆動することにより行なう。
[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention positions the mask at a predetermined position each time it is replaced, and at each step, aligns both the mask alignment mark and the alignment mark provided on the substrate in the previous process. position and perform exposure. This positioning of the mask and substrate is performed by irradiating the alignment marks on the mask and substrate with light such as a laser, detecting the positions of both marks from changes in the amount of light reflected through the projection optical system and microscope, and then using the arithmetic circuit to detect the positions of both marks. This is done by calculating the amount of misalignment between the mask and the substrate, and driving the substrate based on the amount of misalignment.

これにより、オフアキシス方式において生じていたマス
クと基板の位置合せ精度劣化要因はなくなり、高精度の
位置合せが可能となる。
This eliminates the cause of deterioration in alignment accuracy between the mask and the substrate that occurs in the off-axis method, and enables highly accurate alignment.

[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Explanation of Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割走査
により大画面を露光するステップアンドスキャン型の露
光装置である。
FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-scan type exposure apparatus that uses a mirror projection system to expose a large screen by divided scanning.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX。
In the figure, 1 is a photomask on which a printed pattern is formed, and 2 is an X with mask 1 mounted thereon.

Y、θ方向に移動可能なマスクステージである。This is a mask stage that can move in the Y and θ directions.

3は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素
とこれらの画素のオン・オフを制御するためのスイッチ
ングトランジスタが通常のフォトリソグラフィの手順で
形成されるガラス基板で、対角線の長さが14インチ程
度の方形である。4は基板3を保持してX、Y、θ方向
に移動可能な基板ステージである。基板ステージ4のス
テップ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた精密測長シ
ステムによって制御される。5は凹面鏡と凸面鏡の組み
合せからなる周知のミラー投影系で、マスクステージ2
によって所定位置にアライメントされたマスク1のパタ
ーン像を基板3上へ等倍投影する。
3 is a glass substrate on which a large number of pixels and switching transistors for controlling on/off of these pixels are formed by normal photolithography procedures in order to manufacture a liquid crystal display board, and the length of the diagonal line is is about 14 inches square. Reference numeral 4 denotes a substrate stage that can hold the substrate 3 and move in the X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is controlled by a precision length measurement system using a laser interferometer (not shown). 5 is a well-known mirror projection system consisting of a combination of a concave mirror and a convex mirror, and the mask stage 2
The pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position is projected onto the substrate 3 at the same size.

6は不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあ
るマスク1を照明する照明光学系で、マスク上のパター
ンを介して基板3上の感光層を露光することにより、マ
スク上のパターンを基板3に転写可能とするためのもの
である。なお、投影系5の光軸は照明系6の光軸と一致
させである。
Reference numeral 6 denotes an illumination optical system that illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown), and by exposing the photosensitive layer on the substrate 3 through the pattern on the mask, This is to enable the pattern to be transferred onto the substrate 3. Note that the optical axis of the projection system 5 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 6.

7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガ
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向)、Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
7 is a LAB (linear air bearing) that can be moved along two guide rails 8 provided in the Y direction (perpendicular to the page), one of which is movable in the X direction (horizontal direction of the page) and Z direction (direction perpendicular to the page). The other type is a Z-direction restraint type. 9 is a holder (carriage) that holds the mask stage 2 and substrate stage 4 in a fixed relationship;
7, the mask 1 on the mask stage 2 and the substrate 3 on the substrate stage 4 can be integrally transferred.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するた
めのマスク搬送装置、12は投影系5のピント面と基板
3の表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、
例えばエアマイクロセンサや、基板3からの反射光で間
隔を検出する光電タイプのセンサである。13は投影系
5、照明系6およびガイドレール8を一定の関係で取付
けるための基台である。
11 is a mask transport device for sequentially transporting each mask 1 to the mask stage 2; 12 is a gap sensor for detecting the distance between the focal plane of the projection system 5 and the surface of the substrate 3;
For example, an air microsensor or a photoelectric type sensor that detects the distance using reflected light from the substrate 3 is used. Reference numeral 13 denotes a base on which the projection system 5, illumination system 6, and guide rail 8 are mounted in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系5下
の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターンの
露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板のルイヤ分の
パターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four exposed areas, and these exposed areas are sequentially sent to the exposure area under the mask 1 and the projection optical system 5 by step movement of the substrate stage 4. The mask pattern is exposed four times, and the pattern for the liquid crystal display board is printed on the entire surface of the substrate 3.

第2図は、第1図の装置における露光動作を説明するた
めの概略構成図である。なお、第1図と同一または共通
の部分は同一の符番で示す。第2図において、1aは第
1番目の焼付はパターンが形成されているフォトマスク
、lb、1c、1dは同様に第2.3.4番目の焼付は
パターンが形成されているフォトマスクである。また、
17は装置側のマスク基準マーク、19はマスク1の位
置決めマークとマスク基準マーク17を計測し、またマ
スク1と基板3の位置決めマークを計測するための顕微
鏡である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation in the apparatus of FIG. 1. Note that the same or common parts as in FIG. 1 are indicated by the same reference numerals. In Fig. 2, 1a is a photomask on which a pattern is formed on the first printing, and lb, 1c, and 1d are photomasks on which a pattern is formed on the 2nd, 3rd, and 4th printings. . Also,
17 is a mask reference mark on the apparatus side; 19 is a microscope for measuring the positioning mark of the mask 1 and the mask reference mark 17; and also for measuring the positioning marks of the mask 1 and the substrate 3.

第2図において、第1番目のマスク1aを露光する場合
、まず、マスク1aを装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。
In FIG. 2, when exposing the first mask 1a, the mask 1a is first positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19.

その後、マスク1aの位置決めマークと前工程で形成さ
れた基板3の位置決めマークとを顕微鏡19を用いて計
測してマスク1aと基板3の位置決めをし、第1番目の
露光を行なう。
Thereafter, the positioning mark of the mask 1a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured using the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1bを露光する場合も同様に、
マスク1bを装置側のマスク基準マーク17に対し顕微
鏡19を用いて位置決めし、その後、マスク1bの位置
決めマークと前工程で形成された基板3の位置決めマー
クとを顕微鏡19を用いて計測し、基板3を駆動してマ
スク1bと基板3との位置合せを行なった後、露光を行
なう。以降のマスクについても同様に露光動作を行ない
、液晶等の大画面を形成する。
Next, when exposing the second mask 1b, similarly,
The mask 1b is positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19, and then the positioning mark of the mask 1b and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous process are measured using the microscope 19, and the positioning mark of the substrate 3 is measured using the microscope 19. 3 to align the mask 1b and the substrate 3, and then exposure is performed. Exposure operations are similarly performed for subsequent masks to form large screens such as liquid crystal.

第3図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成を示す。同図の装置は、レンズ投影系を用いて分割露
光により大画面を露光するステップアンドリピート型の
露光装置である。
FIG. 3 shows a schematic configuration of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-repeat type exposure apparatus that exposes a large screen by dividing exposure using a lens projection system.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX。
In the figure, 1 is a photomask on which a printed pattern is formed, and 2 is an X with mask 1 mounted thereon.

Y、θ方向に移動可能なマスクステージである。This is a mask stage that can move in the Y and θ directions.

3は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素
とこれらの画素のオン・オフを制御するためのスイッチ
ングトランジスタが通常のフォトリソグラフィの手順で
形成されるガラス基板で、対角線の長さが14インチ程
度の方形である。4は基板3を保持してX、Y、θ方向
に移動可能な基板ステージである。基板ステージ4のス
テップ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた精密測長シ
ステムによって制御される。31は複数枚のレンズより
なるレンズ投影系で、マスクステージ2によって所定位
置にアライメントされたマスク1のパターン像を基板3
上へ投影する。なお、投影倍率は縮小、拡大、等倍のい
ずれであっても差しつかえない。32は不図示の光源か
らの特定の波長の光で露光位置にあるマスク1を照明す
る照明光学系で、マスク1上のパターンを介して基板3
上の感光層を露光することにより、マスク1上のパター
ンを基板3に転写可能とするためのものである。なお、
投影系31の光軸は照明系32の光軸と一致させである
3 is a glass substrate on which a large number of pixels and switching transistors for controlling on/off of these pixels are formed by normal photolithography procedures in order to manufacture a liquid crystal display board, and the length of the diagonal line is is about 14 inches square. Reference numeral 4 denotes a substrate stage that can hold the substrate 3 and move in the X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is controlled by a precision length measurement system using a laser interferometer (not shown). Reference numeral 31 denotes a lens projection system consisting of a plurality of lenses, which projects a pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position by the mask stage 2 onto the substrate 3.
Project upward. Note that the projection magnification may be reduced, enlarged, or same size. 32 is an illumination optical system that illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown), which illuminates the substrate 3 through the pattern on the mask 1.
This is to enable the pattern on the mask 1 to be transferred to the substrate 3 by exposing the upper photosensitive layer. In addition,
The optical axis of the projection system 31 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 32.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するた
めのマスク搬送装置であり、13は投影系31、照明系
32および基板ステージ4を一定の関係で取付けるため
の基台である。
11 is a mask transport device for sequentially transporting each mask 1 to the mask stage 2, and 13 is a base for mounting the projection system 31, the illumination system 32, and the substrate stage 4 in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系31
下の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターン
の露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板のルイヤ分
のパターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four regions to be exposed, and these regions are divided into the mask 1 and the projection optical system 31 by step movement of the substrate stage 4.
The mask pattern is exposed to light four times by sequentially sending it to the lower exposure area, and a pattern for the LCD panel is printed on the entire surface of the substrate 3.

第4図は、第3図の装置における露光動作を説明するた
めの概略構成図である。なお、第3図と同一または共通
の部分は同一の符番で示す。第4図において、1aは第
1番目の焼付はパターンが形成されているフォトマスク
、1b、 1c、 1dは同様に第2.3.4番目の焼
付はパターンが形成されているフォトマスクである。ま
た、17は装置側のマスク基準マーク、19はマスク1
の位置決めマークとマスク基準マーク17を計測し、ま
たマスク1と基板3の位置決めマークを計測するための
顕微鏡である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation in the apparatus of FIG. 3. Note that the same or common parts as in FIG. 3 are indicated by the same reference numerals. In Fig. 4, 1a is a photomask on which a pattern is formed on the first printing, and 1b, 1c, and 1d are photomasks on which a pattern is formed on the 2nd, 3rd, and 4th printings. . In addition, 17 is a mask reference mark on the device side, and 19 is a mask 1
This microscope is used to measure the positioning marks of the mask 1 and the mask reference mark 17, and also to measure the positioning marks of the mask 1 and the substrate 3.

第4図において、第1番目のマスク1aを露光する場合
、まず、マスク1aを装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。
In FIG. 4, when exposing the first mask 1a, first, the mask 1a is positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19.

その後、マスク1aの位置決めマークと前工程で形成さ
れた基板3の位置決めマークとを顕微鏡19を用いて計
測してマスク1aと基板3の位置決めをし、第1番目の
露光を行なう。
Thereafter, the positioning mark of the mask 1a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured using the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1bを露光する場合も同様に、
マスク1bを装置側のマスク基準マーク17に対し顕微
鏡19を用いて位置決めし、その後、マスク1bの位置
決めマークと前工程で形成された基板3の位置決めマー
クとを顕微鏡19を用いて計測し、基板3を駆動してマ
スク1bと基板3との位置合せを行なった後、露光を行
なう。以降のマスクについても同様に露光動作を行ない
、液晶等の大画面を形成する。
Next, when exposing the second mask 1b, similarly,
The mask 1b is positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using the microscope 19, and then the positioning mark of the mask 1b and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous process are measured using the microscope 19, and the positioning mark of the substrate 3 is measured using the microscope 19. 3 to align the mask 1b and the substrate 3, and then exposure is performed. Exposure operations are similarly performed for subsequent masks to form large screens such as liquid crystal.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、分割露光方式によ
る露光装置において、ステップ毎に原板は装置本体の所
定の位置に位置決めし、原板と被露光体とは原板の位置
決めマークと被露光体の位置決めマークとを用いて位置
決めしているので、オフアキシス方式において生じてい
たマスクと基板の位置合せ精度劣化要因がなくなり、高
精度の位置合せが可能である。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, in an exposure apparatus using a split exposure method, the original plate is positioned at a predetermined position on the main body of the apparatus for each step, and the original plate and the exposed object are connected to each other by the positioning marks on the original plate. Since the positioning is performed using the positioning marks of the exposed object and the positioning mark of the exposed object, the cause of deterioration of the alignment accuracy between the mask and the substrate that occurs in the off-axis method is eliminated, and highly accurate alignment is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図、 第2図は、第1図の装置における露光動作を説明するた
めの概略構成図、 第3図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成図、 第4図は、第3図の装置における露光動作を説明するた
めの概略構成図である。 1:フォトマスク、  2:マスクステージ、3:基板
、4:基板ステージ、5:ミラー投影系、9:ホルダ(
キャリッジ)、 13:基台、17:マスク基準マーク
、   19:顕微鏡、31:レンズ投影系。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation in the apparatus of FIG. 1, and FIG. Schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to another embodiment FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation in the apparatus of FIG. 3. 1: Photomask, 2: Mask stage, 3: Substrate, 4: Substrate stage, 5: Mirror projection system, 9: Holder (
carriage), 13: base, 17: mask reference mark, 19: microscope, 31: lens projection system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被露光体表面を複数の被露光領域に分割し、該被露
光体をステップ移動させて異種類の原板の像をそれぞれ
各被露光領域に投影する露光装置であって、 上記各原板の露光の際はステップ毎に、該原板を装置本
体の所定の位置に位置決めし、該原板に付された位置決
めマークと予め前工程で形成された被露光体上の位置決
めマークとを用いて該原板に対し被露光体を位置決めし
て、露光を行なうことを特徴とする露光装置。 2、前記露光装置が、前記原板と被露光体とを投影光学
系に対して一体的に走査することにより原板の像を被露
光体上に投影するものである特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。 3、前記露光装置が、レンズにより前記原板の像を被露
光体上に投影するものである特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。 4、前記露光装置が、原板と被露光体とを近接もしくは
密着して露光するものである特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。
[Scope of Claims] 1. An exposure apparatus that divides the surface of an exposed object into a plurality of exposed regions, moves the exposed object in steps, and projects images of different types of originals onto each exposed region. When exposing each original plate, the original plate is positioned at a predetermined position on the main body of the apparatus in each step, and the positioning mark attached to the original plate and the positioning mark on the exposed object formed in advance in the previous process are aligned. An exposure apparatus characterized in that an object to be exposed is positioned with respect to the original plate using the above-mentioned original plate and exposed to light. 2. Claim 1, wherein the exposure device projects an image of the original plate onto the exposed object by integrally scanning the original plate and the exposed object with respect to a projection optical system. exposure equipment. 3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus projects an image of the original plate onto the object to be exposed using a lens. 4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus exposes the original plate and the object to be exposed in close proximity or in close contact with each other.
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