JPH0630334B2 - Exposure method - Google Patents

Exposure method

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JPH0630334B2
JPH0630334B2 JP61024067A JP2406786A JPH0630334B2 JP H0630334 B2 JPH0630334 B2 JP H0630334B2 JP 61024067 A JP61024067 A JP 61024067A JP 2406786 A JP2406786 A JP 2406786A JP H0630334 B2 JPH0630334 B2 JP H0630334B2
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mask
substrate
exposure
pattern
exposed
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純二 磯端
真 宮崎
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野] 本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば液晶
パターンを位置整合良く焼付ける露光方法に関し、特に
大画面を分割して露光する露光方法に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method for printing a pattern image on an original plate, for example, a liquid crystal pattern onto an object to be exposed with good positional alignment, and particularly to exposure for dividing a large screen and exposing. Regarding the method.

[従来の技術] 従来、計算機の出力表示等に使用されるディスプレイ装
置としてはCRT方式によるものが一般的であった。と
ころが、CRT方式では 装置の形状が大きく、重量が重くなる。
[Prior Art] Conventionally, a CRT system has been generally used as a display device used for output display of a computer. However, in the CRT system, the shape of the device is large and the weight is heavy.

消費電力が多い。High power consumption.

画面のチラツキにより目が疲れる。Eyes get tired due to flickering on the screen.

等の欠点があった。そこで、近年ではCRT方式以外の
表示装置が考えられ、その中でも特に液晶ディスプレイ
が注目されてきた。
There were drawbacks such as. Therefore, in recent years, a display device other than the CRT system has been considered, and among them, a liquid crystal display has particularly attracted attention.

この液晶ディスプレイを製造する工程は半導体製造工程
と非常に良く似ており、製造の際は露光装置として半導
体露光装置が使われている。
The manufacturing process of this liquid crystal display is very similar to the semiconductor manufacturing process, and a semiconductor exposure apparatus is used as an exposure apparatus during the manufacturing.

液晶ディスプレイを製造する際の露光方法として一般的
なものには、マスクと基板とをコンタクトして露光する
方法、またはマスクと基板との間に数10μmのギャッ
プを保ち露光するプロキシミティ露光方法がある。とこ
ろが、これらの方法ではマスクのダメージあるいはゴミ
によるパターンの欠陥が多く発生するため生産性が悪
い。そこで、最近ではレンズ投影系やミラー投影系を用
い、基板の被露光領域をいくつかに分け複数枚の異種類
のマスクを使用して、それぞれの被露光領域に対応する
マスクのパターンを焼付けて液晶大画面を形成する露光
方法が考えられている。これは、基板ステップ毎にマス
クを交換しマスク基板の位置合せをして、レンズ投影系
においては静止露光をし、またミラー投影系においては
走査露光をし、順次このような部分的な露光動作を繰返
すことにより液晶大画面を形成するものである。
As a general exposure method for manufacturing a liquid crystal display, there is a method of exposing by contacting a mask and a substrate, or a proximity exposure method of exposing while maintaining a gap of several tens of μm between the mask and the substrate. is there. However, in these methods, many defects of the pattern due to the damage of the mask or dust are generated, and the productivity is poor. Therefore, recently, using a lens projection system or a mirror projection system, the exposed area of the substrate is divided into several areas, and a plurality of masks of different types are used to print the mask pattern corresponding to each exposed area. An exposure method for forming a large LCD screen has been considered. This is because the mask is replaced and the mask substrate is aligned for each substrate step, static exposure is performed in the lens projection system, and scanning exposure is performed in the mirror projection system. This is repeated to form a large liquid crystal screen.

このような分割露光によって液晶大画面を形成する上で
考慮すべき重要な点は、複数枚のマスクのパターンを1
枚の基板上に転写した際の各マスクパターンの配置精度
である。この配置精度が悪い場合には、各マスクパター
ン間の境界領域にてパターンの重なりや離れが生じ、液
晶画面の性能が十分に得られない。このため、各マスク
パターンを配置精度良く基板上に転写する必要がある。
An important point to consider when forming a large liquid crystal screen by such divided exposure is that the pattern of a plurality of masks is
It is the placement accuracy of each mask pattern when transferred onto one substrate. If the placement accuracy is poor, the patterns overlap or separate at the boundary region between the mask patterns, and the performance of the liquid crystal screen cannot be obtained sufficiently. Therefore, it is necessary to transfer each mask pattern onto the substrate with high placement accuracy.

通常、液晶画面を形成するには4〜5工程の重ね露光を
必要とする。まず、第1工程においては各マスクを所定
の位置へ位置決めし、基板側をレーザ干渉計等の高精度
測長器により計測してステップ移動を行ない、ステップ
毎に異種類のマスクの像を転写する。第2工程以降は、
この第1工程により焼付けられたパターンに対し、再び
第1工程と同様に基板をステップ移動して第2工程以降
のマスクの像を転写する。
Usually, in order to form a liquid crystal screen, overexposure of 4 to 5 steps is required. First, in the first step, each mask is positioned at a predetermined position, the substrate side is measured by a high-precision length measuring device such as a laser interferometer, and step movement is performed, and an image of a mask of a different type is transferred at each step. To do. After the second step,
As with the first step, the substrate is again stepwise moved to the pattern printed by the first step to transfer the image of the mask after the second step.

本発明は、この第1工程により焼付けられたパターンに
対し重ね合せ焼付けを行なう第2工程以降のマスクおよ
び基板のアライメントを好適に行なう露光装置に関す
る。
The present invention relates to an exposure apparatus that suitably performs alignment of a mask and a substrate after a second step of performing overlay printing on the pattern printed by the first step.

従来、この種の装置のマスクおよび基板のアライメント
方式としてはダイバイダイ方式が一般的であった。ダイ
バイダイ方式とは、所定の位置に位置決めされたマスク
に設けられたアライメントマークと前工程で基板に設け
られたアライメントマークの両マークをレーザ等の光で
照射し、投影光学系および顕微鏡を通して反射してくる
光の光量変化から両マークの位置を検出し、演算回路に
てマスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量
に基づいて基板を駆動する位置決め動作をショット毎に
行なうものである。
Conventionally, a die-by-die method has been generally used as an alignment method for a mask and a substrate of this type of apparatus. The die-by-die method irradiates both the alignment mark provided on the mask positioned at a predetermined position and the alignment mark provided on the substrate in the previous step with light such as laser light and reflects it through the projection optical system and microscope. The position of both marks is detected from the change in the amount of incoming light, the amount of positional deviation between the mask and the substrate is calculated by the arithmetic circuit, and the positioning operation to drive the substrate based on the amount of positional deviation is performed for each shot. is there.

ダイバイダイ方式では基板の被露光面領域をいくつかに
分けてそのショット領域毎にアライメントするため、基
板の温度による伸縮、基板の局所的な変形による位置ず
れ等の基板要因による位置ずれ、および投影光学系倍率
による位置ずれが補正でき、アライメント精度は向上す
る。しかし、各ショット毎にアライメントを行なうた
め、アライメントにかかる所要時間(通常のショットア
ライメントタイム2秒)が加算され、装置のタクトタイ
ムが長くなり生産性が落ちるという不都合があった。
In the die-by-die system, the exposed surface area of the substrate is divided into several areas and alignment is performed for each shot area. Therefore, the expansion and contraction due to the temperature of the substrate, the positional displacement due to the substrate factors such as the local displacement of the substrate, and the projection optical The positional deviation due to the system magnification can be corrected, and the alignment accuracy is improved. However, since the alignment is performed for each shot, the time required for the alignment (normal shot alignment time of 2 seconds) is added, and the takt time of the apparatus becomes long, resulting in a problem of reduced productivity.

[発明の目的] 本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、分割露
光方式による露光方法において、第2番目以降のマスク
を露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタク
トタイムを短くして生産性を向上させることにある。
[Object of the Invention] In view of the above-mentioned problems of the conventional type, an object of the present invention is to eliminate alignment time when exposing the second and subsequent masks in the exposure method by the division exposure method, thereby reducing the takt time of the apparatus. It is about shortening and improving productivity.

[発明の概要] 上記の目的を達成するため本発明では、マスクは常に所
定の位置に位置決めし、第1番目に露光するマスクの位
置決めマークと前工程で形成された基板の位置決めマー
クとを用いてマスクと基板との位置ずれを計測し、基板
側を駆動することによりマスクと基板の位置合せをし、
露光を行なう。次に、第2番目以降のマスクを露光する
場合には、マスクはやはり所定の位置へ位置決めし、基
板側はレーザ干渉計等により計測しながら所定の位置へ
ステップ移動して、露光を行なう。この場合、第2番目
以降のアライメントに要する時間は必要なく、装置のタ
クトタイムは短くなり、生産性が向上する。
[Outline of the Invention] In order to achieve the above object, in the present invention, the mask is always positioned at a predetermined position, and the positioning mark of the mask to be exposed first and the positioning mark of the substrate formed in the previous step are used. Measure the positional deviation between the mask and the substrate, and drive the substrate side to align the mask and the substrate.
Perform exposure. Next, when the second and subsequent masks are exposed, the mask is also positioned at a predetermined position, and the substrate is exposed by performing step movement to a predetermined position while measuring with a laser interferometer or the like. In this case, the time required for the second and subsequent alignments is not required, the takt time of the apparatus is shortened, and the productivity is improved.

[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。Description of Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割走査
により大画面を露光するステップアンドスキャン型の露
光装置である。
FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-scan type exposure apparatus that exposes a large screen by divided scanning using a mirror projection system.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX,Y,θ方向に移
動可能なマスクステージである。3は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。4は基
板3を保持してX,Y,θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ4のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。5は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラ
ー投影系で、マスクステージ2によって所定位置にアラ
イメントされたマスク1のパターン像を基板3上へ等倍
投影する。6は不図示の光源からの特定の波長の光で露
光位置にあるマスク1を照明する照明光学系で、マスク
上のパターンを介して基板3上の感光層を露光すること
により、マスク上のパターンを基板3に転写可能とする
ためのものである。なお、投影系5の光軸は照明系6の
光軸と一致させてある。
In the figure, 1 is a photomask on which a printing pattern is formed, and 2 is a mask stage on which the mask 1 is mounted and which can be moved in X, Y, and θ directions. 3 is a glass substrate on the surface of which a large number of pixels and switching transistors for controlling the on / off of these pixels are formed in order to manufacture a liquid crystal display plate, and the length of the diagonal line. Is a 14 inch square. A substrate stage 4 holds the substrate 3 and is movable in X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is controlled by a precision measuring system using a laser interferometer (not shown). A well-known mirror projection system 5 is a combination of a concave mirror and a convex mirror, and projects the pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position by the mask stage 2 onto the substrate 3 at the same size. An illumination optical system 6 illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown), and exposes a photosensitive layer on the substrate 3 through a pattern on the mask to expose the photosensitive layer on the mask. This is for allowing the pattern to be transferred onto the substrate 3. The optical axis of the projection system 5 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 6.

7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガ
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向),Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
Reference numeral 7 is a LAB (linear air bearing) movable along two guide rails 8 provided in the Y direction (direction perpendicular to the paper surface), one of which is the X direction (left and right direction of the paper surface) and Z direction (of the paper surface). Vertical direction) restraint type, the other is Z direction restraint type. Reference numeral 9 denotes a holder (carriage) which holds the mask stage 2 and the substrate stage 4 in a fixed relationship.
By being supported by 7, the mask 1 on the mask stage 2 and the substrate 3 on the substrate stage 4 can be integrally transferred.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するため
のマスク搬送装置、12は投影系5のピント面と基板3の
表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、例え
ばエアマイクロセンサや、基板3からの反射光で間隔を
検出する光電タイプのセンサである。13は投影系5、照
明系6およびガイドレール8を一定の関係で取付けるた
めの基台である。
Reference numeral 11 is a mask transfer device for sequentially transferring each mask 1 to the mask stage 2, and reference numeral 12 is a gap sensor for detecting a distance between the focus surface of the projection system 5 and the surface of the substrate 3, such as an air microsensor or It is a photoelectric type sensor that detects the interval by the reflected light from the substrate 3. Reference numeral 13 is a base for mounting the projection system 5, the illumination system 6 and the guide rail 8 in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系5下
の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターンの
露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板の1レイヤ分
のパターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four exposure regions, and these exposure regions are sequentially sent to the exposure regions under the mask 1 and the projection optical system 5 by stepwise movement of the substrate stage 4. Then, the mask pattern is exposed four times, and a pattern for one layer of the liquid crystal display panel is printed on the entire surface of the substrate 3.

第2図は、第1図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。なお、第1図と
同一または共通の部分は同一の符号で示す。第2図にお
いて、1a は第1番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、1b ,1c ,1d は同様に第2,3,
4番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク1の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク1と基板
3の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。な
お、レーザ干渉計14からの光の経路を示すため、LAB
7やホルダ9の一部分等は省略している。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining an exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. The same or common parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In FIG. 2, 1a is a photomask on which the first printing pattern is formed, and 1b, 1c, and 1d are the same as in the second, third, and third photomasks.
It is a photomask on which a fourth baking pattern is formed. Further, 14 is a laser interferometer, 15 is a square, 17 is a mask reference mark on the apparatus side, 19 is a positioning mark of the mask 1 and the mask reference mark 17, and also a positioning mark of the mask 1 and the substrate 3 is measured. Is a microscope. In order to show the path of light from the laser interferometer 14, LAB
7 and a part of the holder 9 are omitted.

第2図において、第1番目のマスク1a を露光する場
合、まず、マスク1a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク1
a の位置決めマークと前工程で形成された基板3の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測しマスク1a と基
板3の位置決めをし、第1番目の露光を行なう。
In FIG. 2, when exposing the first mask 1a, first, the mask 1a is positioned with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side using a microscope 19. Then mask 1
The positioning mark of a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured using the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1b を露光する場合、まず、マ
スク1b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板3の位置を計測し
つつ、基板3が所定の位置に設定されるように正確に基
板3をステップ移動し、露光を行なう。
Next, when exposing the second mask 1b, first, the mask 1b is placed on the mask reference mark 17 on the apparatus side with respect to the microscope 19
Use to position. After that, while measuring the position of the substrate 3 using the laser interferometer 14 and the squeezer 15 provided on the stage, the substrate 3 is accurately stepwise moved so that the substrate 3 is set at a predetermined position, and exposure is performed. .

第3図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成を示す。同図の装置は、レンズ投影系を用いて分割露
光により大画面を露光するステップアンドリピート型の
露光装置である。
FIG. 3 shows a schematic structure of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is a step-and-repeat type exposure apparatus that exposes a large screen by divided exposure using a lens projection system.

同図において、1は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、2はマスク1を搭載してX,Y,θ方向に移
動可能なマスクステージである。3は液晶表示板を製造
するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオン
・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが通
常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基板
で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。4は基
板3を保持してX,Y,θ方向に移動可能な基板ステー
ジである。基板ステージ4のステップ移動は不図示のレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。31は複数枚のレンズよりなるレンズ投影系で、マス
クステージ2によって所定位置にアライメントされたマ
スク1のパターン像を基板3上へ投影する。なお、投影
倍率は縮小、拡大、等倍のいずれでも差しつかえない。
32は不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあ
るマスク1を照明する照明光学系で、マスク1上のパタ
ーンを介して基板3上の感光層を露光することにより、
マスク1上のパターンを基板3に転写可能とするための
ものである。なお、投影系31の光軸は照明系32の光軸と
一致させてある。
In the figure, 1 is a photomask on which a printing pattern is formed, and 2 is a mask stage on which the mask 1 is mounted and which can be moved in X, Y, and θ directions. 3 is a glass substrate on the surface of which a large number of pixels and switching transistors for controlling the on / off of these pixels are formed in order to manufacture a liquid crystal display plate, and the length of the diagonal line. Is a 14 inch square. A substrate stage 4 holds the substrate 3 and is movable in X, Y, and θ directions. The step movement of the substrate stage 4 is controlled by a precision measuring system using a laser interferometer (not shown). Reference numeral 31 denotes a lens projection system including a plurality of lenses, which projects a pattern image of the mask 1 aligned at a predetermined position by the mask stage 2 onto the substrate 3. It should be noted that the projection magnification may be reduced, enlarged, or the same size.
Reference numeral 32 denotes an illumination optical system that illuminates the mask 1 at the exposure position with light of a specific wavelength from a light source (not shown). By exposing the photosensitive layer on the substrate 3 through the pattern on the mask 1,
The pattern on the mask 1 can be transferred onto the substrate 3. The optical axis of the projection system 31 is made to coincide with the optical axis of the illumination system 32.

11は各マスク1を順次マスクステージ2へ搬送するため
のマスク搬送装置であり、13は投影系31、照明系32およ
び基板ステージ4を一定の関係で取付けるための基台で
ある。
Reference numeral 11 is a mask transfer device for sequentially transferring each mask 1 to the mask stage 2, and reference numeral 13 is a base for mounting the projection system 31, the illumination system 32 and the substrate stage 4 in a fixed relationship.

同図の装置においては、基板3の表面を例えば4つの被
露光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ
4のステップ移動によりマスク1および投影光学系31下
の露光領域に順番に送り込んで4回のマスクパターンの
露光を行ない、基板3の全面に液晶表示板の1レイヤ分
のパターンを焼付ける。
In the apparatus shown in the figure, the surface of the substrate 3 is divided into, for example, four exposed regions, and these exposed regions are sequentially sent to the exposed regions below the mask 1 and the projection optical system 31 by stepwise movement of the substrate stage 4. Then, the mask pattern is exposed four times, and a pattern for one layer of the liquid crystal display panel is printed on the entire surface of the substrate 3.

第4図は、第3図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。なお、第3図と
同一または共通の部分は同一の符番で示す。第4図にお
いて、1a は第1番目の焼付けパターンが形成されてい
るフォトマスク、1b ,1c ,1d は同様に第2,3,
4番目の焼付けパターンが形成されているフォトマスク
である。また、14はレーザ干渉計、15はスコヤ、17は装
置側のマスク基準マーク、19はマスク1の位置決めマー
クとマスク基準マーク17を計測し、またマスク1と基板
3の位置決めマークを計測するための顕微鏡である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. The same or common parts as in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. In FIG. 4, 1a is a photomask on which the first printing pattern is formed, and 1b, 1c, and 1d are similarly the second, third, and third photomasks.
It is a photomask on which a fourth baking pattern is formed. Further, 14 is a laser interferometer, 15 is a square, 17 is a mask reference mark on the apparatus side, 19 is a positioning mark of the mask 1 and the mask reference mark 17, and also a positioning mark of the mask 1 and the substrate 3 is measured. Is a microscope.

第4図において、第1番目のマスク1a を露光する場
合、まず、マスク1a を装置側のマスク基準マーク17に
対し顕微鏡19を用いて位置決めする。その後、マスク1
a の位置決めマークと前工程で形成された基板3の位置
決めマークとを顕微鏡19を用いて計測してマスク1a と
基板3の位置決めをし、第1番目の露光を行なう。
In FIG. 4, when exposing the first mask 1a, first, the mask 1a is positioned using the microscope 19 with respect to the mask reference mark 17 on the apparatus side. Then mask 1
The positioning mark of a and the positioning mark of the substrate 3 formed in the previous step are measured with the microscope 19 to position the mask 1a and the substrate 3, and the first exposure is performed.

次に、第2番目のマスク1b を露光する場合、まず、マ
スク1b を装置側のマスク基準マーク17に対し顕微鏡19
を用いて位置決めする。その後、レーザ干渉計14とステ
ージ上に設けたスコヤ15を用いて基板3の位置を計測し
つつ、基板3が所定の位置に設定されるように正確に基
板3をステップ移動し、露光を行なう。
Next, when exposing the second mask 1b, first, the mask 1b is placed on the mask reference mark 17 on the apparatus side with respect to the microscope 19
Use to position. After that, while measuring the position of the substrate 3 using the laser interferometer 14 and the squeezer 15 provided on the stage, the substrate 3 is accurately stepwise moved so that the substrate 3 is set at a predetermined position, and exposure is performed. .

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、分割露光方式によ
る露光方法において、第1番目の露光については原板の
位置決めマークと被露光体の位置決めマークとを用いて
アライメントし、第2番目以降の露光については位置決
めマークによるアライメントは行なわずレーザ干渉計等
の別手段によって被露光体が正確に所定位置にくるよう
にステップ移動しているので、第2番目以降のマスクを
露光する際のアライメント時間をなくし、装置のタクト
タイムを短くして生産性を向上させることができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in the exposure method based on the divided exposure method, for the first exposure, alignment is performed using the positioning mark of the original plate and the positioning mark of the exposed object, For the second and subsequent exposures, alignment by the positioning marks is not performed, and the exposed object is stepwise moved by another means such as a laser interferometer so as to be accurately at a predetermined position. Therefore, the second and subsequent masks are exposed. It is possible to improve productivity by eliminating the alignment time at the time and shortening the takt time of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図、 第2図は、第1図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図、 第3図は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構
成図、 第4図は、第3図の装置における第2工程以降の露光動
作を説明するための概略構成図である。 1:フォトマスク、2:マスクステージ、 3:基板、4:基板ステージ、5:ミラー投影系、 9:ホルダ(キャリッジ)、13:基台、 14:レーザ干渉計、15:スコヤ、 17:マスク基準マーク、19:顕微鏡、 31:レンズ投影系、32:照明系。
1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining an exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 1, FIG. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining an exposure operation after the second step in the apparatus of FIG. 1: Photomask, 2: Mask stage, 3: Substrate, 4: Substrate stage, 5: Mirror projection system, 9: Holder (carriage), 13: Base, 14: Laser interferometer, 15: Square, 17: Mask Reference mark, 19: microscope, 31: lens projection system, 32: illumination system.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 G 8418−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/68 G 8418-4M

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】異種類の原板のパターンで被露光体上の相
異なる領域を露光する方法であって、 第1原板の位置合わせマークと被露光体の位置合わせマ
ークの位置関係を検出し、該検出結果に基づいて前記第
1原板に対して前記被露光体の第1領域を位置合わせし
た後、前記第1原板のパターンで前記被露光体の第1領
域を露光する第1露光段階と、 前記第1露光段階における前記第1原板の位置と実質同
じ位置に第2原板を配置し、前記被露光体を所定量移動
させて前記第2原板に対して前記被露光体の第2領域を
位置合わせした後、前記第2原板のパターンで前記被露
光体の第2領域を露光する第2露光段階と を有する露光方法。
1. A method of exposing different areas on an object to be exposed with patterns of different kinds of original plates, wherein the positional relationship between the alignment mark of the first original plate and the alignment mark of the object to be exposed is detected, A first exposure step of aligning the first region of the exposed object with the first original plate based on the detection result, and then exposing the first region of the exposed object with the pattern of the first original plate; A second original plate is arranged at a position substantially the same as the position of the first original plate in the first exposure step, and the exposed object is moved by a predetermined amount, and the second region of the exposed object with respect to the second original plate. And a second exposure step of exposing the second region of the exposed object with the pattern of the second original plate.
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